CN102376854A - 发光器件和照明系统 - Google Patents

发光器件和照明系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102376854A
CN102376854A CN2011102287888A CN201110228788A CN102376854A CN 102376854 A CN102376854 A CN 102376854A CN 2011102287888 A CN2011102287888 A CN 2011102287888A CN 201110228788 A CN201110228788 A CN 201110228788A CN 102376854 A CN102376854 A CN 102376854A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric film
metal
metal level
guiding elements
top surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011102287888A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102376854B (zh
Inventor
李建教
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102376854A publication Critical patent/CN102376854A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102376854B publication Critical patent/CN102376854B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

本发明提供了一种发光器件和具有该发光器件的照明系统。该发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；第一绝缘膜，该第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面区域的外侧部分上并具有敞口区域，在该敞口区域处，所述多个金属层的顶表面区域的一部分是暴露的；发光芯片，该发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个金属层上并电连接到其它金属层；以及树脂层，该树脂层位于所述多个金属层和发光芯片上。

Description

发光器件和照明系统
技术领域
本发明涉及一种发光器件和具有该发光器件的照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换成光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡等的现有技术光源相比，LED具有很多优点，例如低功耗、半永久使用寿命、响应时间快、安全且环保。正在进行很多研究以利用LED替代现有光源。而且，随着该趋势，正越来越多地使用LED作为在室内和室外场所使用的各种灯及照明装置(例如液晶显示器、记分板和街灯)的光源。
发明内容
实施例提供了一种新型的发光器件和包括该发光器件的照明系统。
实施例还提供了如下一种发光器件，该发光器件包括用于支撑多个金属层的绝缘膜以及与所述多个金属层电连接的发光芯片。
实施例还提供了一种具有空腔结构的发光器件和包括该发光器件的照明系统，在该空腔结构中，金属层的内侧部分比其外侧部分深。
实施例还提供了如下一种发光器件和包括该发光器件的照明系统，该发光器件内包括树脂层和围绕发光芯片的引导构件。
在一个实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面区域的外侧部分上并具有敞口区域，在所述敞口区域处，所述多个金属层的顶表面区域的一部分是暴露的；发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个金属层上并电连接到其它金属层；以及树脂层，所述树脂层位于所述多个金属层和所述发光芯片上，其中，所述多个金属层包括内侧部分和外侧部分，并且所述外侧部分的厚度比所述内侧部分的厚度厚。
在附图和以下描述中阐述了一个或多个实施例的细节。从该描述、附图以及权利要求中，其它特征将是显而易见的。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。
图2至图4是示意了图1的发光器件的另一实例的视图。
图5是根据第二实施例的发光器件的透视图。
图6是沿着图5的线A-A截取的剖视图。
图7到图14是示意图5的发光器件的制造过程的视图。
图15是根据第三实施例的发光器件的截面图。
图16是根据第四实施例的发光器件的截面图。
图17和18是根据第五实施例的发光器件的透视图及其截面图。
图19和20是根据第六实施例的发光器件的平面图及其截面图。
图21是图19的一种变型例的视图。
图22到55是示意根据其它实施例的发光器件的变型例的视图。
图56和57是示意根据一个实施例的发光芯片的一个实例的视图。
图58是示意根据一个实施例的显示器件的一个实例的透视图。
图59是示意根据一个实施例的显示器件的另一实例的透视图。
图60是示意根据一个实施例的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、垫或图案“上”或“下”时，该用语“上”和“下”包括“直接”和“间接”两种含义。此外，关于每一层“上”和“下”的参考将基于附图进行。
在各个图中，为了便于说明和清楚起见，每一个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性地图示。在各个图中，为了便于说明和清楚起见，每一个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或概略地示意。
图1是示意根据第一实施例的发光器件的截面图。
参考图1，该发光器件包括多个金属层11和13、位于该金属层11和13上的绝缘膜21和23、位于所述多个金属层11和13之间且至少在金属层11上的发光芯片41、位于绝缘膜21上的引导构件31、以及位于金属层11和13上以覆盖所述发光芯片41的树脂层61。
金属层11和13彼此通过分离部17隔开，并且该分离部17可以是空区域或者可以由绝缘粘结材料形成。分离部17以物理方式使金属层11和13分离，以防止金属层11和13之间的电短路。
金属层11和13并不使用额外的主体，例如用于将金属层与由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)等的树脂系列材料形成的主体固定在一起的结构，从而金属层11和13的一部分可以具有弯曲形状、可以以预定角度弯曲，或可以局部地被蚀刻。
金属层11和13根据其区域而分别具有不同的厚度。金属层11和13的内侧部分区域B2的厚度可以比外侧部分区域B1的厚度薄。金属层11、13的内侧部分区域B2和外侧部分区域B1之间的区域B3是倾斜区域，由此相对于发光芯片41的至少两个表面提供了倾斜平面。
相对于发光芯片41来说，第一金属层11的内侧部分11-1和第二金属层13的内侧部分13-1布置得比外侧部分11-2和13-2更向内。金属层11和13的外侧部分11-2和13-2的厚度T5可以比金属层11和13的内侧部分11-1和13-1的厚度T4厚。金属层11和13的内侧部分11-1和13-1的厚度T4可以在大约15μm至大约300μm的范围内。该厚度可以优选在大约15μm至大约50μm的范围内。而且，该厚度结构可以充当用于支撑整个发光器件的支撑框架，并且可以充当用于传递由发光芯片41产生的热量的散热构件。
可以通过局部地蚀刻金属层11和13来减小其厚度，从而形成金属层11和13的内侧部分区域B2。在该局部蚀刻工艺期间，可以在金属层11和13的内侧部分区域B2和外侧部分区域B1之间形成具有倾斜平面的倾斜区域B3。从顶部看，金属层11和13可以具有多边形形状，而且，与外侧部分区域B1不同，内侧部分区域B2可以具有带预定深度的空腔C1或凹部结构。
第一金属层11的外侧部分11-2围绕内侧部分11-1布置，并且第二金属层13的外侧部分13-2围绕内侧部分13-1布置。第一金属层11和第二金属层13的外侧部分11-2和13-2围绕其内侧部分11-1和13-1布置。内侧部分区域B2可以具有空腔或凹部。
所述多个金属层11和13的倾斜区域B3具有面向彼此的表面。相对于金属层11和13的内侧部分11-1和13-1的顶表面，倾斜区域B3的倾斜角度是大约15°至大约89°。倾斜区域B3的倾斜平面是反射表面并且相对于发光芯片41的表面倾斜，从而有效地反射光。
所述多个金属层11和13可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni等的含有Fe的合金、Al、含有Al的合金、或者诸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。金属层11和13可以由单层或多层金属形成。在金属层11和13的顶表面或/和下表面上可以形成有由Al、Ag或Au形成的反射层或结合层。
如果利用引线框架来实现金属层11和13，则其机械强度强，热膨胀系数大，加工性能优良，在重复进行弯曲操作时几乎不发生任何损失，并且易于镀覆和焊接。
第一绝缘膜21可以形成在金属层11和13的外侧部分11-2和13-2上，并且在第一绝缘膜21上可以形成有引导构件。第一绝缘膜21可以形成有与外侧部分11-2、13-2即外侧部分区域B1相同的宽度。第一绝缘膜21可以具有框架形状、环形形状或圈状形状，从而它可以沿着金属层11和13的外侧部分11-2和13-2的顶表面附着于其上。这里，第一绝缘膜21可以利用粘结层附着或直接附着于其上。
第一绝缘膜21的下表面可以布置得比发光芯片41的下表面高，从而第一绝缘膜21可以围绕发光芯片41布置。
发光芯片41和第二绝缘膜23可以形成在金属层11和13的内侧部分B2上。第二绝缘膜23可以与金属层11和13之间的分离部17对应，并且可以布置在金属层11和13的顶表面或/和下表面上。第二绝缘膜23的下表面可以布置成与发光芯片41的下表面共线。
第二绝缘膜23和第一绝缘膜21防止了金属层11和13之间的扭曲并且维持该金属层11和13之间的间隔。第二绝缘膜23和第一绝缘膜21可以充当主体或保持器，以固定该金属层11和13。
虽然图中未示出，但金属层11和13的外侧部分11-2和13-2上的第一绝缘膜21和引导构件31这二者中的至少一者的每个内表面均可以具有以金属层11和13的倾斜区域B3的倾斜角度倾斜的结构。
绝缘膜21和23包括光透射膜或非光透射膜，并且例如可以包括聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基聚合物(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及诸如PE、PP和PET等的树脂膜。
在绝缘膜21、23与金属层11、13之间可以形成有粘结层，并且该粘结层可以将绝缘膜21和23附接到金属层11和13。或者，绝缘膜21和23可以包括双面胶带或单面胶带。
绝缘膜21和23可以具有预定的反射率，例如，大于大约30％的反射率，并且此反射特性可以提高器件中的表面反射效率。
另外，绝缘膜21和23可以具有光学功能。这里，该光学功能包括具有大于大约50％透射率的光透射膜，并且可以优选包括具有大于大约70％透射率的光透射膜。绝缘膜21和23可以包括磷光物质。该磷光物质可以涂覆在绝缘膜21和23的顶表面或下表面上，或者可以添加到绝缘膜21和23中。该磷光物质的种类可以包括YAG基磷光物质、硅酸盐基磷光物质和氮化物基磷光物质中的至少一种，并且其发射波长可以包括可见光系列，例如红光、黄光和绿光。或者，绝缘膜21和23可以利用磷光膜来实现，并且该磷光膜吸收从发光芯片41发射的光以发出具有另一波长的光。
另外，绝缘膜21和23可以包括防潮膜。该防潮膜抑制湿气渗入，由此防止第一金属层11和第二金属层13之间的电短路和氧化。
绝缘膜21和23的顶表面、下表面或外表面的一部分可以具有预定的非平坦结构，但其不限于此。
绝缘膜21和23的厚度可以至少与金属层11和13的厚度一样厚，或者比金属层11和13的厚度厚。例如，绝缘膜21和23可以形成有大约30μm至大约500μm的厚度，并且可以优选形成有大约40μm至大约60μm的厚度。
绝缘膜21和23可以划分成第一绝缘膜21和第二绝缘膜23，该第一绝缘膜21位于两个金属层11和13的顶表面的外周部分上，第二绝缘膜23位于第一金属层11和第二金属层13之间的界面区域中的顶表面上。第二绝缘膜23从第一绝缘膜11延伸并且它们可以由单个膜实现。
引导构件31可以形成在第一绝缘膜21上，并且其材料可以是诸如阻焊剂的树脂材料以及诸如焊膏的导电材料。该阻焊剂的颜色为能够有效反射入射光的白色。另外，引导构件31可以选择性地包括高反射性材料，例如Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金，和Au合金。这种反射性材料可以由单层或多层形成。可以在金属种子层(例如，诸如Ag、Al和Ni等的材料)上使用反射性金属、通过镀覆工艺来形成引导构件31。
另外，引导构件31可以包括非金属材料。该非金属材料可以包括白色树脂(例如，包括阻焊剂、TiO2和玻璃纤维中的至少一种的树脂(例如，PPA))、聚合材料(例如硅系列和环氧树脂系列材料)、或者绝缘膜材料。
引导构件31可以包括具有大于大约50％反射率的金属或非金属材料，并且可以优选包括具有大于大约90％反射率的材料。
引导构件31可以形成有大约15μm至大约500μm的厚度，并且该厚度可以与绝缘膜21、23的厚度相同或不同。可以考虑到光学定向角度分布来改变引导构件31的厚度。另外，引导构件31的顶表面可以形成得比发光芯片41的顶表面高。
引导构件31形成在第一绝缘膜21上，以覆盖发光芯片41的周边，并且从顶部看，引导构件31的形状可以是一个环。引导构件31可以是圆形或多边形引导环并且可以防止树脂层61溢出。
引导构件31的宽度可以形成得不同于第一绝缘膜21的宽度。如果引导构件31和第一绝缘膜21的宽度相同，则可以提高表面反射效率。如果引导构件31和第一绝缘膜21的宽度不同，则引导构件31可以稳定地布置在第一绝缘膜21上。
如果引导构件31具有导电性，则引导构件31可以布置在第一绝缘膜21的顶表面上，并且引导构件31的一部分可以接触两个引线框架11和13之一。此外，如果引导构件31由不具有任何导电性的绝缘材料形成，则它可以从第一绝缘膜21的顶表面延伸到金属层11和13的顶表面。
图2到4是示意了图1的发光器件的变型例的视图。
参考图2，关于该发光器件，第二绝缘膜23围绕发光芯片41布置。发光芯片41经由第二绝缘膜23的孔而安装在第一金属层11上。
参考图3，关于该发光器件，在多个金属层11和13下方还布置有绝缘粘结膜24，以在所述多个金属层11和13之间进行支撑。
参考图4，关于该发光器件，在第一绝缘膜21上布置有第一引导构件31，并且围绕发光芯片41进一步布置有第二引导构件36。第二引导构件36用作反射构件，以朝向发光芯片41的表面有效反射所发射的光。第二引导构件36可以由与第一引导构件31相同或不同的材料形成。第二引导构件36附接在第一金属层36上，并且可以比第二绝缘膜23更靠近发光芯片41。即，第二引导构件36可以布置在发光芯片41和第二绝缘膜23之间。第二引导构件36的内表面可以是竖直的或相对于金属层的顶表面倾斜。
在第一实施例中公开的、具有厚度差异且每个金属层具有倾斜平面的结构可以适用于下文描述的另一实施例中的金属层，而不限于第一实施例。
图5是示意根据第二实施例的发光器件的透视图。图6是沿着线A-A截取的剖视图。
参考图5和图6，发光器件100包括：多个金属层11和13；绝缘膜20，该绝缘膜20位于金属层11和13上并包括绝缘膜21和23；发光芯片41，该发光芯片41位于所述多个金属层11和13之间并在第一金属层11上；在绝缘膜21上的引导构件31；以及树脂层61，该树脂层61位于金属层11和13上，以覆盖发光芯片41。
金属层11和13可以包括至少两个层，并且至少两个金属层11和13彼此间隔开，以便电短路或物理地隔开。金属层11和13可以由诸如引线框架的金属板形成。
所述多个金属层11和13的下表面S3布置在同一平面上并且所有的表面S1均暴露。可以通过暴露该金属层11和13的下表面S3和表面S1来提高散热效率。所述多个金属层11和13中的至少两个可以用作电极。
所述多个金属层11和13可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni等的含有Fe的合金、Al、含有Al的合金、或者诸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。金属层11和13可以由单层或多层形成。金属层11和13由Fe或Cu形成。在金属层11和13的顶表面或/和下表面上可以形成有由Al、Ag或Au形成的反射层或结合层。
如果利用引线框架来实现金属层11和13，则其机械强度强，热膨胀系数大，加工性能优良，在重复进行弯曲操作时几乎不发生任何损失，并且易于镀覆和焊接。
金属层11和13可以形成有大约15μm至大约300μm的厚度，并且该厚度优选可以在大约15μm至大约50μm的范围内。金属层11和13可以用作支撑框架，以支撑整个发光器件，并且，金属层11和13还可以用作散热构件，以传递由发光芯片41产生的热量。关于金属层11和13的外侧区域，在第一方向Y上的长度Y1以及在与第一方向Y垂直的第二方向X上的长度X1可以根据该发光器件的尺寸而变化。
发光器件100并不需要额外的主体，例如树脂基主体，如聚邻苯二甲酰胺(PPA)。因此，可以不需要用于将金属层11、13与该主体结合在一起的注射成型工艺。金属层11和13的一部分可以具有柔性弯曲的形状或能够以预定角度弯曲，但其不限于此。
在下文中，为了描述第一实施例，将金属层11和13称为第一金属层11和第二金属层13。第一金属层11和第二金属层13的下表面S3布置在同一平面上并且可以通过焊接而结合在电路板(PCB)或散热板上。
在第一金属层11和第二金属层13之间布置有分离部17。分离部17可以将第一金属层11与第二金属层13物理地分开。分离部17可以选择性地具有直线形状、曲线形状和折线形状之一。线的宽度或形式可以根据第一金属层11和第二金属层13的形状或尺寸而改变。分离部17将一个金属框架分割成第一金属层11和第二金属层13。根据分离部17的宽度和位置，第一金属层11和第二金属层13的形状或尺寸可以改变。
第一金属层11和第二金属层13之间的间隔G1可以大于大约10μm，并且作为分离部17宽度的这个间隔是用于防止两个金属层11和13之间的电短路或电干扰的距离。分离部17可以是空区域或可以填充有绝缘材料，但其不限于此。
通过切割工艺，第一金属层11或第二金属层13可以具有各种形状，例如圆形形状、多边形形状和半球形形状。
在第一金属层11和第二金属层13的表面上可以形成有防氧化涂层。该防氧化涂层由Au、Al或Ag材料形成并且可以防止第一金属层11和第二金属层13的表面退化。
绝缘膜21和23布置在第一金属层11和第二金属层13上，并且绝缘膜21和23可以围绕第一金属层11或/和第二金属层13的顶表面形成。
绝缘膜21和23附接在第一金属层11和第二金属层13的顶表面上，由此支撑该第一金属层11和第二金属层13。绝缘膜21和23附接在所述多个金属层11和13的顶表面上，并且可以用作实质上的主体。
绝缘膜21和23包括光透射或非光透射膜，并且例如可以包括聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基聚合物(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及诸如PE、PP和PET等的树脂膜。
在绝缘膜21、23与金属层11、13之间可以形成有粘结层，并且该粘结层可以将绝缘膜21和23附接到金属层11和13。或者，绝缘膜21和23可以包括双面胶带或单面胶带。
绝缘膜21和23可以具有预定的反射率，例如，大于大约30％的反射率，并且此反射特性可以提高器件中的表面反射效率。
另外，绝缘膜21和23可以具有光学功能。这里，该光学功能包括具有大于大约50％透射率的光透射膜，并且可以优选包括具有大于大约70％透射率的光透射膜。绝缘膜21和23可以包括磷光物质。该磷光物质可以涂覆在绝缘膜21和23的顶表面或下表面上，或者可以添加到绝缘膜21和23中。该磷光物质的种类可以包括YAG基磷光物质、硅酸盐基磷光物质和氮化物基磷光物质中的至少一种，并且其发射波长可以包括可见光系列，例如红光、黄光和绿光。或者，绝缘膜21和23可以利用磷光膜来实现，并且该磷光膜吸收从发光芯片41发射的光以发出具有另一波长的光。
另外，绝缘膜21和23可以包括防潮膜。该防潮膜抑制湿气渗入，由此防止第一金属层11和第二金属层13的电短路和氧化。
绝缘膜21和23的顶表面、下表面或外表面的一部分可以具有预定的非平坦结构，但其不限于此。
绝缘膜21和23的厚度可以比金属层11和13的厚度厚。例如，绝缘膜21和23的厚度可以形成有大约30μm至大约500μm的厚度，并且可以优选形成有大约40μm至大约60μm的厚度。
绝缘膜21和23可以划分成第一绝缘膜21和第二绝缘膜23，该第一绝缘膜21围绕两个金属层11和13的顶部区域，该第二绝缘膜23围绕位于第一金属层11和第二金属层13之间的界面区域中的顶表面。第二绝缘膜23作为第一绝缘膜21的一部分而一体地连接到第一绝缘膜21。第一绝缘膜21和第二绝缘膜23可以包括相同的材料并且可以由一个膜形成。
第一绝缘膜21的宽度W1可以是均匀的或者局部不同。第一绝缘膜21的宽度W1可以至少大于几十μm。第二绝缘膜23的宽度W2可以是均匀的或者局部不同。第二绝缘膜23的宽度W2可以比金属层11和13之间的间隔G1宽，例如，该宽度W2可以大于20μm。第一绝缘膜21的宽度W1和第二绝缘膜23的宽度W2可以相同或不同。第二绝缘膜23可以具有至少大于20μm的宽度，以支撑两个金属层11和13。
第二绝缘膜23对应于第一金属层11和第二金属层13之间的位置，并且能够以比金属层11和13之间的间隔更宽的宽度形成在第一金属层11和第二金属层13的顶表面上。
绝缘膜21和23的外表面可以布置在与第一金属层11及第二金属层13的表面相同的平面上，或者可以布置得比第一金属层11和第二金属层13的表面更向内。
另外，第一绝缘膜21可以连续或非连续地形成。连续的膜结构包括一个膜，而非连续的膜结构包括多个膜。
绝缘膜21和23可以包括敞口区域A1和A2。敞口区域A1和A2是如下这种孔或区域：第一金属层11和/或第二金属层13的顶表面经由该孔或区域、通过绝缘膜21和23的内表面而暴露。
敞口区域A1和A2包括第一敞口区域A1和第二敞口区域A2，第一金属层11的顶表面的一部分通过该第一敞口区域A1而暴露，第二金属层13的顶表面的一部分通过该第二敞口区域A2而暴露。第一敞口区域A1的尺寸和形状可以与第二敞口区域A2的相同或不同。在本实施例中，针对两个敞口区域A1和A2而描述了这两个金属层11和13。如果金属层11和13的数目大于三个，则敞口区域的数目可以增加。敞口区域A1和A2的尺寸和形状可以根据绝缘膜21和23的宽度和形状而改变。
所述多个敞口区域A1和A2之一(例如第二敞口区域A2)可以形成有大约60μm的最小宽度。如果第二敞口区域A2具有更窄的宽度，则第二敞口区域A2会妨碍第二电线52的结合，所以其宽度可以至少是大约60μm。第一敞口区域A1可以具有在其上能够安装发光芯片41的宽度，并且第一敞口区域A1的宽度可以比第二敞口区域A2的宽度宽。这里，虽然描述了第一敞口区域A1是能够安装发光芯片41的区域而第二敞口区域A2是结合有第二电线52的区域，但它们可以互换位置，而不限于此。
引导构件31可以形成在第一绝缘膜21上并且其材料可以包括树脂材料、非金属材料或金属材料。引导构件31可以定义为反射构件或/和用于防止树脂溢出的堤坝式构件。
引导构件31可以是树脂材料例如阻焊剂，或者可以使用导电材料例如焊膏。该阻焊剂的颜色可以是能够有效反射入射光的白色。另外，引导构件31可以选择性地包括金属材料，例如Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金和Au合金。这种金属材料可以由单层或多层形成。另外，可以在金属种子层(例如，诸如Ag、Al和Ni等的材料)上使用反射性材料、通过镀覆工艺来形成引导构件31。引导构件31可以由具有比第一绝缘膜21更高反射率的材料形成。
另外，引导构件31可以包括非金属材料。该非金属材料可以包括白色树脂(例如，包括阻焊剂、TiO2和玻璃纤维中的至少一种的树脂(例如，PPA))、聚合材料(例如硅系列和环氧树脂系列材料)、或者绝缘膜材料。
引导构件31可以包括具有大于大约50％反射率的金属或非金属材料，并且可以优选包括具有大于大约90％反射率的材料。
引导构件31可以形成有大约15μm至大约500μm的厚度，并且该厚度可以与绝缘膜21、23的厚度相同或不同。引导构件31的厚度可以比绝缘膜21和23的厚度厚。考虑到光学定向角度分布，引导构件31的厚度T2可以更厚。另外，引导构件31的顶表面可以形成得比发光芯片41的顶表面高。
引导构件31在第一绝缘膜21上形成为对应于发光芯片41的周边。从顶部看，引导构件31可以具有框架形状、环形形状或圈状形状。从顶部看，引导构件31可以是圆形或多边形形状，并且引导构件31可以防止树脂层61溢出。
引导构件31的宽度可以形成得不同于第一绝缘膜21的宽度。如果引导构件31和第一绝缘膜21的宽度相同，则可以提高表面反射效率。如果引导构件31的宽度比第一绝缘膜21的宽度窄，则引导构件31可以稳定地布置在第一绝缘膜21上。由于引导构件31沿着第一绝缘膜21形成，所以提供了一个敞口区域。
如果引导构件31具有导电性，则引导构件31可以布置在第一绝缘膜21的顶表面上，并且引导构件31的一部分可以接触所述多个金属层11和13之一。另外，当引导构件31由绝缘材料形成时，它可以接触金属层11和13的顶表面。
发光芯片41可以布置在第一金属层11上并且可以电连接到第一金属层11和第二金属层13。
发光芯片41可以利用用于发射诸如红光、绿光、蓝光和白光的、具有可见光带的发光二极管或具有紫外光带的发光二极管来实现，但其不限于此。
发光芯片41可以利用横向型芯片或竖直型芯片来实现，横向型芯片具有沿横向移置的两个电极，竖直型芯片具有布置在分别相反的两个表面处的两个电极。横向型芯片可以连接到至少两根电线51和52，而竖直型芯片可以连接到至少一根电线(例如，电线52)。
发光芯片41可以利用导电粘结剂或绝缘粘结剂结合在第一金属层11上。这里，当发光芯片41的下表面上布置有电极时，可以使用导电粘结剂，而当发光芯片41的下表面上布置有绝缘基板时，可以使用导电粘结剂或绝缘粘结剂。
发光芯片41可以通过第一电线51连接到第一金属层11，并且可以通过第二电线52连接到第二金属层13。另外，发光芯片41可以通过倒装芯片方法而电连接到第一金属层11和第二金属层13。
上文描述了发光芯片41布置在第一金属层11上。然而，发光芯片41也可以布置在第一金属层11和/或第二金属层13上，并且不限于此。
发光芯片41可以通过第一电线51连接到第一金属层11并且可以通过第二电线53连接到第二金属层13。这里，发光芯片41可以形成有大于大约80μm的厚度，并且电线51和52之一的最高点可以形成得比发光芯片41的顶表面高大约40μm以上。
在发光芯片41的表面上可以涂覆有磷光层，并且该磷光层可以形成在发光芯片41的顶表面上。
另外，在第一金属层11和第二金属层13中的至少一个金属层的上方或下方布置有用于保护该发光芯片41的保护装置，例如齐纳二极管或瞬变电压抑制器(TVS)二极管，从而该保护装置可以电连接到发光芯片41。该保护装置连接到第一金属层11和第二金属层13，从而并联连接到发光芯片41，从而该保护装置针对施加到发光芯片41的异常电压来保护该发光芯片41。也可以不提供该保护装置。
树脂层61可以布置在第一金属层11和第二金属层13上，并且树脂层61的一部分可以在第一绝缘膜21的顶表面上形成。树脂层61布置在引导构件31的内表面处的敞口区域中。引导构件31的敞口区域可以大于第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。树脂层61覆盖内表面区域，例如第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。树脂层61可以物理上分开地布置在各个第一敞口区域A1和第二敞口区域A2上。
树脂层61可以包括光透射树脂基材料，例如硅或环氧树脂。
树脂层61可以形成有大约80μm至大约500μm的厚度T3并且可以包括单层或多层。在多层的情形中，最下一层可以形成有小于80μm的厚度。
当树脂层61是多层时，可以堆叠具有相同或不同材料的多个层，或者按照从低硬度层到高硬度层的顺序来堆叠多个层，或者按照从高折射率层到低折射率层的顺序来堆叠多个层。
树脂层61的顶表面的一部分可以形成得比引导构件31的顶表面低，或者可以形成得比绝缘膜21和23的顶表面高。另外，树脂层61可以形成有足以覆盖电线51和52的高度，但其不限于此。
树脂层61可以包括磷光体。该磷光体可以包括诸如黄光、绿光和红光的可见光带的至少一种磷光体。树脂层61可以划分成光透射树脂层和磷光体层，然后这二者可以被堆叠。在树脂层61上方/下方可以布置有磷光体膜，例如光致发光膜(PLF)，但其不限于此。
在树脂层61上可以形成有透镜，并且该透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状和凸凹混合透镜形状。另外，该透镜可以接触树脂层61的顶表面或可以与树脂层61的顶表面隔开，但其不限于此。
图7到14是示意图5的发光器件的制造过程的视图。
参考图7和图8，能够以用于制造一个图5的发光器件的尺寸、用于制造沿第一方向(水平或竖直方向)排列的多个发光器件的杆状的尺寸或者用于制造沿水平方向和竖直方向排列的多个发光器件的矩阵形状的尺寸来形成金属层10。可制造成多个发光器件的金属层10可以被切割为单个发光器件或至少两个发光器件。在下文中，为了描述一个实施例，将使用用于制造一个发光器件的金属层。
金属层10可以利用诸如引线框架的金属板来实现，并且可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni等的含有Fe的合金、Al、含有Al的合金、或者诸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。另外，金属层10可以由单层或多层金属形成。在金属层10的顶表面或/和下表面上可以形成有由Al、Ag、Au或阻焊剂形成的反射层或结合层。在形成绝缘膜21和23之前或之后执行金属层10的镀覆工艺或涂覆工艺。
金属层10可以形成有大约15μm至大约300μm的厚度，并且该厚度结构可以充当用于支撑整个发光器件的支撑框架。
由于没有通过注射成型工艺形成金属层10和另外的主体，例如，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)等的树脂系列材料的主体，所以金属层10的一部分可以具有柔性弯曲的形状或者能够以预定角度弯曲。
图9是图8的截面图。
参考图8和图9，在金属层10上形成有包括21和23的绝缘膜20。包括21和23的绝缘膜20可以沿着金属层10的厚度方向形成有大约30μm至大约500μm的厚度T1。另外，绝缘膜20可以形成得比金属层11和13厚。这里，根据该实施例，描述了包括21和23的绝缘膜20附接在金属层10上。然而，也可以把金属层10附接在包括21和23的绝缘膜20上，并且这些制造顺序可以互换。
可以在涂覆粘结层之后将绝缘膜20附接在金属层10上。在绝缘膜21和23附接于金属层10上之后，可以通过层叠工艺、在预定温度下执行该绝缘膜21和23的结合工艺。
作为绝缘膜的绝缘膜21和23可以选择性地包括具有光学功能、导热功能和抗湿功能的膜。绝缘膜21和23可以包括聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基聚合物(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及诸如PE、PP和PET等的树脂膜。
绝缘膜21和23可以由具有粘结层(例如双面胶带或单面胶带)的膜形成。
当绝缘膜21和23由光透射材料形成时，它可以包括磷光体或/和散射物质。该磷光体或散射物质可以涂覆在绝缘膜21和23的表面上或者添加到绝缘膜21和23中。
绝缘膜21和23可以包括如下的膜类型：其包括具有预定反射率(例如大于大约30％的反射率)的反射特性。
在形成多个敞口区域A1和A2之后，绝缘膜21和23可以附接在金属层11和13上。敞口区域A1和A2可以是单个膜中的孔或者是敞口的区域。绝缘膜21和23彼此通过敞口区域A1和A2隔开。绝缘膜21和23可以划分成第一绝缘膜21和第二绝缘膜23，该第一绝缘膜21围绕第一敞口区域A1或围绕金属层10，该第二绝缘膜23围绕第二敞口区域A2。作为第一绝缘膜21的一部分的第二绝缘膜23可以与第一绝缘膜21一体地形成。第一绝缘膜21和第二绝缘膜23可以由单个膜实现。
第一绝缘膜21的宽度W1可以是均匀的或者局部不同。第一绝缘膜21的宽度W1可以至少大于几十μm。第二绝缘膜23的宽度W2可以是均匀的或者局部不同。第二绝缘膜23的宽度W2可以比金属层11和13之间的间隔G1更宽，例如，该宽度W2可以大于20μm。第一绝缘膜21的宽度W1和第二绝缘膜23的宽度W2可以相同或不同。
所述多个敞口区域A1和A2之一(例如第二敞口区域A2)可以形成有大约60μm的最小宽度。可以在不阻碍与电线结合的范围内形成该宽度。第一敞口区域A1可以形成有能够在其上安装发光芯片的宽度，并且可以形成有比第二敞口区域A2的宽度宽的宽度。这里，第一敞口区域A1被描述为安装有发光芯片的区域，而第二敞口区域A2被描述为在其上结合电线的区域，但与其相反的情形也是可以的，并不限于此。
通过在单个绝缘膜上进行的冲压工艺、切割工艺或蚀刻工艺，第一敞口区域A1和第二敞口区域A2可以变成具有预定形状的敞口区域。第一敞口区域A1和第二敞口区域A2的宽度或形状可以改变。可以在包括21和23的绝缘膜20附接于金属层10上之后或之前形成敞口区域A1和A2。
金属层10的顶表面可以通过绝缘膜21和23的第一敞口区域A1和第二敞口区域A2而暴露。
可以通过印刷另一种材料、例如氧化物(如Al2O3、SiO2、SiOx、SiOxNy)或氮化物等的绝缘材料或者通过涂覆绝缘材料来形成绝缘膜21和23。在此情形中，硬化的绝缘膜21和23可以由具有特定柔性或预定粘度的材料形成。
可以形成网孔或非平坦的形状，或者可以进一步在绝缘膜21和23的内表面或内侧预定区域中形成多个细孔，但本发明不限于此。
图11是图10的平面图。
参考图10和11，图8的金属层10可以划分成多个金属层11和13。所述多个金属层11和13可以包括至少两个层，该至少两个层可以用作供应电力的电极。
这里，该金属层的电路形成工艺包括：激活引线框架的表面、涂覆光敏抗蚀剂、执行曝光工艺，并且执行显影工艺。一旦显影工艺完成，就通过蚀刻工艺来形成必要的电路，然后叠置光敏抗蚀剂。然后，在金属层的表面上执行镀Ag工艺，以处理要结合的表面。
第一金属层11的宽度可以与第二金属层13的宽度相同或不同。例如，第一金属层11的尺寸可以大于或小于第二金属层13的尺寸。或者，第一金属层11和第二金属层13可以形成有相同的面积或相互对称的形状。
第一金属层11和第二金属层13彼此通过预定的分离部17隔开，并且第一金属层11和第二金属层13之间的间隔G1可以大于大约10μm，并且间隔G1可以比第二绝缘膜23的宽度W2窄。
第二绝缘膜23维持该第一金属层11和第二金属层13之间的间隔G1，并且第一绝缘膜21支撑这些金属层。
这里，第二金属层13可以通过第一金属层11的一个表面延伸到内侧，并且长度D1和D2可以根据第二敞口区域A2和绝缘膜21、23而改变。
参考图9和图12，在绝缘膜21和23的顶表面上形成有引导构件31。引导构件31是通过印刷方法、涂覆方法和薄膜粘结剂方法之一而形成的。在印刷方法中，在除了要印刷的部分之外的区域中使用掩模，然后，执行丝网印刷方法。在涂覆方法中，在所期望的区域上涂覆反射性材料。在薄膜粘结剂方法中，可以附接一种类型的膜，例如反射片。这里，可以根据引线结合或回流工艺、考虑到热特性来选择引导构件31和绝缘膜21、23的材料。
可以通过使用阻焊剂或焊膏的印刷方法来形成引导构件31。焊膏是白色的，由此能够有效反射入射光。另外，引导构件31可以选择性地包括高反射性材料，例如Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金和Au合金，并且这种反射性材料可以包括单层或多层。可以在金属种子层例如Ag、Al或Ni的材料层上通过镀覆工艺来形成引导构件31。
另外，引导构件31可以包括非金属材料。该非金属材料可以包括白色树脂，例如包括混合TiO2和玻璃纤维的树脂(例如，PPA)。如果引导构件31具有绝缘和反射特性，则不需要任何另外的绝缘膜，但本发明不限于此。
引导构件31可以包括具有大于大约50％反射率的金属或非金属材料，并且可以优选包括具有大于大约90％反射率的材料。
引导构件31可以形成有大约15μm至大约500μm的厚度，并且该厚度可以与绝缘膜21、23的厚度相同或不同。可以考虑到光学定向角度分布来改变引导构件31的厚度T2和布置结构。
引导构件31可以在第一绝缘膜21上形成为覆盖发光芯片41的周边。从顶部看，引导构件31的形状可以是框架形状、圈状形状或环形形状。引导构件31可以连续或非连续地形成在第一绝缘膜21的顶表面上。
引导构件31的宽度可以形成得不同于第一绝缘膜21的宽度。如果引导构件31和第一绝缘膜21的宽度相同，则可以提高表面反射效率。如果引导构件31的宽度不同于第一绝缘膜21的宽度，则引导构件31可以稳定地布置在第一绝缘膜21上。
如果引导构件31具有导电性，则引导构件31可以布置在第一绝缘膜21的顶表面上。引导构件31的一部分可以接触两个引线框架11和13之一。另外，如果引导构件31由绝缘材料形成，则它可以从第一绝缘膜21的顶表面延伸到金属层11和13的顶表面。
参考图12和图13，发光芯片31布置在第一金属层11上并且可以电连接到第一金属层11和第二金属层13。
发光芯片41可以利用用于发射诸如红光、绿光、蓝光和白光的、具有可见光带的发光二极管或具有紫外光带的发光二极管来实现，但其不限于此。
发光芯片41可以利用横向型芯片或竖直型芯片来实现，横向型芯片具有沿横向移置的两个电极，竖直型芯片具有布置在分别相反的两个表面处的两个电极。横向型芯片可以连接到至少两根电线51和52，而竖直型芯片可以连接到至少一根电线(例如，电线52)。
发光芯片41可以利用导电粘结剂或绝缘粘结剂结合在第一金属层11上。这里，当发光芯片41的下表面上布置有电极时，可以使用导电粘结剂，而当发光芯片41的下表面上布置有绝缘基板时，可以使用导电粘结剂或绝缘粘结剂。
发光芯片41可以通过第一电线51连接到第一金属层11并且可以通过第二电线52连接到第二金属层13。另外，发光芯片41可以通过倒装芯片方法而电连接到第一金属层11和第二金属层13。
上文描述了发光芯片41布置在第一金属层11上。然而，发光芯片41也可以布置在第一金属层11和/或第二金属层13上，并且不限于此。
发光芯片41可以通过第一电线51连接到第一金属层11并且可以通过第二电线53连接到第二金属层13。这里，发光芯片41可以形成有大于大约80μm的厚度，并且电线51和52之一的最高点可以形成得比发光芯片41的顶表面高大约40μm以上。
参考图13和图14，树脂层61可以包括光透射树脂基材料，例如硅或环氧树脂。
树脂层61可以形成有大约80μm至大约500μm的厚度T3并且可以包括单层或多层。在多层的情形中，最下一层可以形成有小于80μm的厚度。
当树脂层61是多层时，可以堆叠具有相同或不同材料的多个层，或者按照从低硬度层到高硬度层的顺序来堆叠多个层，或者按照从高折射率层到低折射率层的顺序来堆叠多个层。
树脂层61的顶表面的一部分可以形成得比引导构件31的顶表面低，或者可以形成得比绝缘膜21和23的顶表面高。另外，树脂层61可以形成有足以覆盖电线51和52的高度，但其不限于此。
树脂层61可以包括磷光体。该磷光体可以包括诸如黄光、绿光和红光的可见光带的至少一种磷光体。树脂层61可以划分成光透射树脂层和磷光体层，然后这二者可以被堆叠。在树脂层61上方/下方可以布置有磷光体膜，例如光致发光膜(PLF)，但其不限于此。
树脂层61覆盖内表面区域，例如第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。树脂层61可以物理上分开地布置在各个第一敞口区域A1和第二敞口区域A2上。
在树脂层61上可以形成有透镜，并且该透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状和凸凹混合透镜形状。另外，该透镜可以接触树脂层61的顶表面或可以与树脂层61的顶表面隔开，但其不限于此。
图15是示意根据第三实施例的发光器件的截面图。
参考图15，发光芯片41结合在第一金属层11上，从而电连接到第一金属层11并通过电线52连接到第二金属层13。
可以在第一金属层11和第二金属层13之间、从下方附接有绝缘膜24。绝缘膜24将第一金属层11和第二金属层之间的间隔维持为预定数值，并且在第一金属层11和第二金属层13之间进行支撑。
树脂层61形成在第一金属层11和第二金属层13上。树脂层61可以通过传递成型方法而注射成型，从而具有预定形状。根据该传递成型方法，液体树脂填充在具有预定形状的框架中并然后硬化，从而可以形成具有期望形状的树脂层61。树脂层61的形状还可以是柱形形状、多角柱形状、非平坦表面形状或凹进形状，并且不限于此。
树脂层61的部分61A可以布置在第一金属层11和第二金属层13之间并且可以接触绝缘膜24的顶表面。
树脂层61的外表面能够以预定间隔T3、比第一金属层11或第二金属层13的外侧部分更向内。因此，第一金属层11和第二金属层13的外侧顶表面可以暴露。间隔T3可以大于大约1μm。
另外，可进一步在树脂层61的顶侧部分或表面上形成有反射层，但其不限于此。
图16是示意根据第四实施例包括多个发光芯片的发光器件的截面图。
参考图16，该发光器件包括多于三个的金属层11A、11B和11C和多于两个的发光芯片41A和41B。发光芯片41A和41B可以发射具有相同或不同的峰值波长的光。
金属层11A、11B和11C排列在同一平面上。第一绝缘膜21围绕金属层11A、11B和11C形成。第二绝缘膜23A和23B分别形成在相邻的金属层11A和11B以及11B和11C之间，以支撑并固定相邻的金属层11A和11B以及11B和11C。第三绝缘层22形成在第二金属层11B的中央，从而将其划分成两个区域。
第一绝缘膜21、第二绝缘膜23A和23B、以及第三绝缘膜22可以由单个膜或者由多个彼此分离的膜形成，但其不限于此。
第一发光芯片41A和第二发光芯片41B彼此隔开并且布置在第二金属层11B上，并且第三绝缘膜22布置在第一发光芯片41A和第二发光芯片41B之间。
引导构件31形成在第一绝缘膜21和第三绝缘膜22上。引导构件31形成得比发光芯片41的顶表面高，以反射从发光芯片41A和41B发射的光。
树脂层62和63分别形成在第一发光芯片41A和第二发光芯片41B上，并且树脂层62和63的一部分可以形成有与引导构件31的顶表面相同或更低的高度，但其不限于此。
第二金属层11B可以用作第一发光芯片41A和第二发光芯片41B的公共电极。第一金属层11A可以充当用于控制第一发光芯片41A的电极，而第三金属层11C可以充当用于控制第二发光芯片41B的电极。
根据该实施例，描述了两个发光芯片41A和41B布置在左右两侧。然而，能够以矩阵或者以穿越同一中心的线形形状来布置多于三个的发光芯片。这些发光芯片可以彼此串联或并联连接，但其不限于此。
图17和图18是示意根据第五实施例的发光器件的透视图及其截面图。
参考图17和图18，在第二金属层13的顶表面区域中的周边处附着有绝缘膜25，以支撑该第一金属层11和第二金属层13。绝缘膜25覆盖第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17，以在第一金属层11和第二金属层13之间进行支撑。
引导构件32围绕第一金属层11的顶表面区域形成，并且引导构件32的一部分可以布置在绝缘膜25的外侧顶表面上。引导构件32可以围绕第一金属层11的顶表面区域布置并且布置在绝缘膜25的外侧顶表面上。引导构件32可以电连接在第一金属层11的顶表面上并且可以通过绝缘膜25而与第二金属层13的顶表面电气隔离。引导构件32可以围绕第一金属层11和绝缘膜25形成为圈状形状、框架形状或环形形状。绝缘膜25可以围绕第二金属层13的顶表面区域形成为圈状形状、框架形状或环形形状。
绝缘膜25防止了引导构件32和第二金属层13之间的物理接触或电接触，并且还避免了第一金属层11和第二金属层13之间的电短路。绝缘膜25和引导构件32可以支撑并固定相邻的两个金属层11和13。引导构件32的厚度可以形成得与树脂层61的厚度相同。
根据这个实施例，绝缘膜25的面积减小，而引导构件32的面积增大，从而能够提高光学反射效率。
图19和20是示意根据第六实施例的发光器件的平面图及其截面图。
参考图19和20，绝缘膜21和23形成在第一金属层11和第二金属层13的整个顶表面上并且包括多个敞口区域A1、A2和A3。所述多个敞口区域A1、A2和A3包括：第一敞口区域A1，发光芯片41在该第一敞口区域A1处安装在第一金属层11上；第二敞口区域A2，第二电线52在该第二敞口区域A2处结合在第二金属层12上；以及第三敞口区域A3，第一电线51在该第三敞口区域A3处结合在第一金属层11上。作为另一实例，当发光芯片41具有竖直电极结构时，可以不形成第三结合区域A3。
第一敞口区域A1、第二敞口区域A2和第三敞口区域A3可以形成为圆形形状或多边形形状。这里，能够以是发光芯片41的下部区域的尺寸的至少四分之一或更小的尺寸来形成第二敞口区域A2。第一敞口区域A1和第三敞口区域A3的宽度或直径可以形成得大于电线直径(例如，大约20μm至大约50μm)，例如第一敞口区域A1和第三敞口区域A3的宽度或直径为大约60μm至大约120μm。
因为绝缘膜21和23的粘结区域的宽度比图1中结构的宽度宽，所以它们可以更牢固地支撑第一金属层11和第二金属层13。引导构件31可以围绕绝缘膜21和23的顶表面形成，并且树脂层61可以成型在引导构件31的内表面处。
图21是示意图19的另一实例的平面图。
参考图21，该发光器件包括三个金属层11、13和15以及附接在金属层11、13和15上的绝缘膜21。在绝缘膜21中形成有多个敞口区域A1、A2和A3，并且这些敞口区域A1、A2和A3分别使金属层11、13和15的顶表面部分暴露。
第三金属层15布置在第一金属层11和第二金属层13之间，并且发光芯片41安装在第三金属层15上。发光芯片41布置在第一敞口区域A1上，而第二敞口区域A2和第三敞口区域A3可以是引线结合区域。
发光芯片41通过第一电线51连接到第三敞口区域A3中的第一金属层11，并且通过第二电线52连接到第二敞口区域A2中的第二金属层13。
绝缘膜21的敞口区域A1、A2和A3是这样的区域：发光芯片41和电线51和52在这些区域处布置在金属层11、13和15的顶表面上。而且，绝缘膜21在金属层11、13和15之间牢固地支撑并且防止金属层11、13和15的下表面之间的阶差，以提高根据焊料结合的电气可靠性并且还提高了热传递效率。
图22到图31是示意根据实施例的金属层和绝缘膜的变型例的视图。
参考图22，第二金属层13可以布置在第一金属层11的至少一部分上，并且能够以圆形形状、多边形形状或随机形状形成在第一金属层11的一个表面处。第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17可以形成有均匀的或不规则的宽度。
第一金属层11和第二金属层13可以在非平坦结构11D和13D中具有彼此对应的侧面。非平坦结构11D和13D可以提高第二绝缘膜23的结合效率。
如图23所示，第二金属层13可以在第一金属层11的至少一个边缘区域上形成有预定形状，例如圆形或多边形形状。
如图24和图25所示，第二金属层13可以在第一金属层11的至少一部分上形成有半球形形状，或者可以在第一金属层11的边缘区域上形成多边形形状。
如图26所示，第二金属层13A和第三金属层13B可以在第一金属层11的至少两个边缘区域上形成有回路形状或多边形形状。第二金属层13A和第三金属层13B可以形成在第一金属层11的彼此面对的边缘区域处或者可以用作电极。第二金属层13A和第三金属层13B之一可以用作虚设图案。绝缘膜21和23可以围绕三个金属层11、13A和13B形成并且可以通过敞口区域A1和A2来暴露三个金属层11、13A和13B的顶表面。
如图27所示，第一金属层11和第二金属层13在中心处被分离部17分开，并且第一金属层11和第二金属层13可以形成有相同或对称的区域。第二金属层13的第一表面的长度L1可以小于与之相对的第二表面L2的长度，但其不限于此。
参考图28，第二金属层13可以形成在第一金属层11的一部分处。第二金属层13的第一方向上的宽度X3可以形成得大于第一金属层11的第一方向上的宽度X1的1/2倍。
第二金属层13的第二方向上的宽度Y3可以形成得大于第一金属层11的第二方向上的宽度Y1的1/2倍。
在第一金属层11和第二金属层13的界面部分上形成有绝缘膜21。绝缘膜21覆盖了除第二敞口区域A2之外的区域，并且第二金属层13的外侧顶表面可以暴露而未形成有绝缘膜21。
发光芯片安装在第二金属层13的敞口区域A1上并且可以电连接到两个金属层11和13。
参考图29，第二金属层13可以形成在第一金属层11的边缘部分处，并且第二金属层13的第一方向上的宽度X4和第二方向上的宽度Y4可以形成得分别大于第一金属层11的第一方向上的宽度X1和第二方向上的宽度Y1的1/2倍。
因为在第二金属层13的外侧顶表面上不形成绝缘膜的情况下形成引导构件，所以能够增加被该引导构件覆盖的区域。
参考图30，第二金属层13通过第一金属层11的一个侧部延伸到内侧，但第二金属层13也可以形成在第一金属层11中。
第二金属层13的外侧部分13-1的宽度W5可以形成得比内侧部分13-2的宽度W6窄。发光芯片可以布置在第二金属层13的第一敞口区域A1中，但其不限于此。
参考图31，第二金属层13可以具有与第一金属层11的宽度一样长的直径并且具有半球形形状。在第一金属层11和第二金属层13的界面部分的顶表面上可以形成有绝缘膜21，并且可以围绕金属层11和13的顶表面形成有引导构件。
<第七实施例>
参考图32，第一绝缘膜21围绕第一金属层11和第二金属层13的顶表面区域形成，并且，还形成有在第一金属层11和第二金属层13之间进行覆盖的第二绝缘膜23。第一绝缘膜21和第二绝缘膜23相互连接，并且在第一绝缘膜21和第二绝缘膜23之间存在敞口区域。
树脂层63形成在第一绝缘膜21的敞口区域中，以覆盖发光芯片41。通过分配液体树脂系列的绝缘材料，树脂层63得以硬化。此时，第一绝缘膜21用作围绕树脂层63的堤坝式阻挡件。树脂层63可以形成有凸透镜形状的表面。树脂层63的中心部分可以形成有比第一绝缘膜21和第二绝缘膜23厚的厚度。
还可以围绕树脂层63形成有引导构件31或反射性材料，但其不限于此。
<第八实施例>
参考图33，发光芯片45被芯片结合(die-bonded)在第一金属层11上并且通过电线连接到第二金属层13。树脂层63形成在第一金属层11和第二金属层13上。
树脂层63布置在金属层11和13的顶表面上，并且绝缘膜21围绕树脂层63布置。树脂层63可以形成有凸透镜形状。还可以围绕树脂层63形成有引导构件31或反射性材料，但其不限于此。
间隔件18布置在第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17上。间隔件18布置在第一金属层11和第二金属层13之间并且包括绝缘材料。间隔件18附着在第一金属层11和第二金属层13之间并且在第一金属层11和第二金属层13之间提供间隔以防止电短路。间隔件18可以包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3中的至少一种。
树脂层63的下表面可以接触第一金属层11和第二金属层13的顶表面以及间隔件18的顶表面。
<第九实施例>
参考图34，在树脂层63的表面上形成有粗糙部63A。粗糙部63A可以通过在树脂层61的表面上执行蚀刻或注射工艺而形成有粗糙表面。粗糙部63A改变了前进到树脂层63外部的光的临界角，由此提高光提取效率。
<第十实施例>
参考图35，发光芯片41可以通过倒装芯片方法而安装在第一金属层11和第二金属层13上。发光芯片41安装在第一金属层11和第二金属层13上。第一金属层11和第二金属层13的宽度可以形成得彼此相同。
第二绝缘膜24附接到第一金属层11和第二金属层13的下表面，以在金属层11和13之间进行绝缘并支撑该金属层11和13。
第一绝缘膜21附接成围绕第一金属层11和第二金属层13的顶表面区域，以固定该第一金属层11和第二金属层13。
第二绝缘膜21用作堤坝式阻挡件，以防止树脂层63溢出。树脂层63的一部分可以填充在第一金属层11和第二金属层13之间并且维持该第二绝缘膜21与金属层11、13之间的间隔。
树脂层63可以形成有凸半球形形状，并且，在树脂层63的中心形成有具有预定深度的凹形部63B。凹形部63B可以形成有喇叭形状或半球形形状，并且在凹形部63B中可以形成有反射性材料72。反射性材料72可以包括金属氧化物，并且可以由包括诸如TiO2和/或SiO2等材料的至少一个层形成，由此将入射光朝着侧向反射。树脂层63和反射性材料72可以分别具有不同的折射率。例如，反射性材料72可以形成有较高的折射率。树脂层63朝向侧向反射沿中心方向的光，从而均匀地形成光学定向角度分布。
此外，作为该反射性材料的替代，凹形部63B也可以由散射物质形成，但其不限于此。
<第十一实施例>
参考图36，在树脂层61的表面上形成有引导构件33。在形成树脂层61之后，可以通过在树脂层61的至少两个表面上执行溅射法或沉积法来沉积该引导构件33。由于该引导构件33，可以改变制造工艺并且可以根据沉积时间来调节引导构件33的宽度和厚度。引导构件33可以由含有金属(例如Al或Ag)的反射性材料或者由具有高折射率的光透射材料形成。
<第十二实施例>
参考图37，关于发光器件，透镜71布置在树脂层61上。树脂层61上的透镜71可以具有凸半球形形状并且可以附着到树脂层61和引导构件31的顶表面。引导构件31和透镜71可以具有非平坦表面，但其不限于此。
<第十三实施例>
参考图38，关于发光器件，布置有三个金属层11、13和15。这三个金属层11、13和15中的第一金属层11和第二金属层13可以用作电极，而第三金属层15可以布置在第一金属层11和第二金属层13之间，从而用作散热板。
第一绝缘膜21围绕第一金属层11、第二金属层13和第三金属层15的顶部区域形成，以用作树脂层61的屏障并支撑这些金属层11、13和15。第二绝缘膜24A和第三绝缘膜24B分别附着到位于第一金属层11和第三金属层15之间的区域下方和位于第二金属层13和第三金属层15之间的区域下方，以支撑第一金属层11和第三金属层15之间的区域以及第二金属层13和第三金属层15之间的区域。第二绝缘膜24A和第三绝缘膜24B可以防止相邻的金属层之间的电短路。第二绝缘膜24A和第三绝缘膜24B可以布置为单个膜，或者布置为分别在不同区域上的、分离的膜。
而且，树脂层61的部分61A填充在第一金属层11和第三金属层15之间并填充在第二金属层13和第三金属层15之间，从而附着到相邻金属层的表面。这里，可以在树脂层61硬化之后移除第二绝缘膜24A和第三绝缘膜24B。金属层11、13和15由树脂层61和第一绝缘膜21支撑，并且它们的下表面可以形成为平坦的。
在树脂层61的顶表面上形成有磷光体层73，并且该磷光体层73可以是包括磷光体的薄膜类型，或者是包括所添加的磷光体的树脂层。磷光体层73可以形成为从树脂层61的顶表面延伸到引导构件31的顶表面。磷光体层73吸收从发光芯片41发射的光的一部分，然后发射比所吸收的光具有更长波长的光，由此将颜色坐标分布改变为所期望的分布。
<第十四实施例>
参考图39，关于发光结构，第二引导构件34进一步布置在第二绝缘膜23A和23B上。
第二绝缘膜23A和23B覆盖相邻金属层11、13和15之间的分离部17A和17B，从而附着于金属层11、13和15的界面处的顶表面。然后，在第二绝缘膜23A和23B上形成第二引导构件34。第一在第一绝缘膜21上形成引导构件31。发光芯片41、42和43布置在第一引导构件31和第二引导构件34的敞口区域中。第一引导构件31和第二引导构件34围绕发光芯片41、42和43布置，由此有效反射入射光。
第一发光芯片41布置在第一金属层11上，第二发光芯片42布置在第三金属层15上，而第三发光芯片43布置在第二金属层13上。第一发光芯片41通过电线51和53连接到第一金属层11和第二发光芯片42的第一电极。第二发光芯片42的第二电极通过电线54连接到第三发光芯片43的第一电极。第三发光芯片43的第二电极通过电线52连接到第二金属层13。第二发光芯片42也可直接连接到其它发光芯片，且不限于此。
第一发光芯片41通过电线51连接到第一金属层11。第一发光芯片41和第二发光芯片42彼此通过电线53连接。第三发光芯片43可以通过电线52连接到第二金属层13。
<第十五实施例>
参考图40，关于发光器件，树脂层61可以形成有凹形表面。例如，树脂层61可以具有带较高表面部分和较低中心部分的透镜形状。树脂层61的表面部分和中心部分之间的间隙T6可以是大约0.001mm至大约1mm。这个间隙T6可以防止光学引导板的接触，从而能够防止由于与光学引导板接触而引起的异常颜色分布，例如色彩模糊。
<第十六实施例>
参考图41，第一引导构件31形成在第一绝缘膜21上，而第二引导构件36围绕发光芯片41形成。第二引导构件36可以围绕发光芯片41形成，具有比发光芯片41厚或薄的厚度。第二引导构件36的一部分布置在发光芯片41和第二绝缘膜23之间。第二引导构件36的另一部分可以布置在发光芯片41和第一电线51之间。
第二引导构件36可以形成为框架形状、圈状形状或环形形状。第二引导构件36可以形成在第一金属层11的第一敞口区域A1中，由此有效反射从发光芯片41发射的光。
第一引导构件31可以形成有与第一绝缘膜21相同的宽度。通过在第一引导构件31附着于第一绝缘膜21上之后执行一种诸如冲压的工艺来形成第一引导构件31。
根据该实施例，引导构件31和36以双重方式围绕发光芯片41布置，由此改进光反射效率和定向角度分布。
<第十七实施例>
参考图42，关于发光器件，第一引导构件37A和第三引导构件37B形成在第一绝缘膜21上。第一引导构件37A布置在第一绝缘膜21的顶表面和内表面上，并且第一引导构件37A的下表面可以接触第一金属层11的顶表面。第三引导构件37B布置在第一绝缘膜21的顶表面和内表面上，并且第三引导构件37B的下表面可以接触第二金属层13的顶表面。第一引导构件37A以预定距离D3延伸到金属层11和13的顶表面。距离D3可以大于大约0.1mm。
如果第一引导构件37A和第三引导构件37B由非金属材料或绝缘树脂材料形成，则它们可以彼此连接。
如果第一引导构件37A和第三引导构件37B由导电材料形成，则它们可以彼此物理地分离并且它们的分离区域是第一金属层11和第二金属层13之间的间隙。因此，第一金属层11上的第一引导构件37A和第二金属层13上的第三引导构件37B彼此分离，由此防止电短路。
另外，第二引导构件37C形成在第二绝缘膜23的顶表面和内表面上，从而它可以接触第一金属层11的顶表面。第二引导构件37C可以连接到第一引导构件37A并且可以与第三引导构件37B分离。第二引导构件37C可以与第二金属层13物理地隔开。
第一引导构件37A和第二引导构件37C被对应地布置到发光芯片45的周围，由此有效反射从发光芯片45发射的光。第一引导构件37A和第二引导构件37C可以由树脂材料、非金属材料或反射性金属形成。
而且，第一引导构件37A和第二引导构件37C的内表面对应于发光芯片45并且可以相对于第一金属层11的顶表面形成有弯曲形状或倾斜形状。
第一引导构件37A、第二引导构件37C和第三引导构件37B可以由相同或不同的材料形成，但其不限于此。作为另一个实例，第一引导构件37A、第二引导构件37C和第三引导构件37B可以由金属材料或绝缘材料形成。
<第十八实施例>
参考图43，关于发光器件，进一步在引导构件31上设置有反射层81A和81B。
反射层81A和81B可以由具有大于大约70％反射率的高反射性金属(例如Ag和Al)形成。可以通过镀覆或涂覆工艺来形成该高反射性金属。反射层81A和81B可以形成在引导构件31和第一绝缘膜21的顶表面和侧表面上。反射层81A和81B可以非连续地形成为彼此隔开，由此防止第一金属层11和第二金属层13之间的电短路。
根据上述实施例，通过围绕金属层11和13的顶表面区域附接绝缘膜21、23A和23B，金属层11和13的表面可绝缘膜21间隔开大约1μm以上，但其不限于此。
<第十九实施例>
参考图44，关于发光器件，发光芯片45结合在第一金属层11上，并且第二金属层13通过电线53连接到发光芯片45。第二绝缘膜23附接在第一金属层11和第二金属层13之间的顶表面上。
引导构件31以连续或不连续的形状形成在第一金属层11和第一绝缘膜21上，引导构件31的形状可以是框架形状、圈状形状或环形形状。
在引导构件31中可以形成有树脂层63，并且在树脂层63上可以形成有磷光体层73。磷光体层73的磷光体可以散布在其全部区域中并且与发光芯片45间隔开，由此防止变色。
<第二十实施例>
参考图45，关于发光器件，省去了树脂层，并且在发光芯片41上布置有光致发光膜74。光致发光膜74布置成与金属层11、13和15间隔开并且由引导构件31支撑。
第二绝缘膜24A和24B可以布置在位于金属层11、13和15之间的顶表面或下表面上，但其不限于此。
<第二十一实施例>
图46是发光器件的截面图，而图47是图46的平面图。
参考图46和图47，发光芯片41通过倒装芯片方法安装在第一金属层11和第二金属层13上。绝缘膜21围绕第一金属层11和第二金属层13形成。在第一金属层11和第二金属层13之间可以形成有由绝缘材料形成的间隔件18。
间隔件18防止了树脂层66的溢出。
树脂层66围绕发光芯片41形成，并且树脂层66的一部分可以延伸到绝缘膜21的顶表面。
<第二十二实施例>
参考图48，关于发光器件，绝缘膜23和24附接在第一金属层11和第二金属层13之间的顶表面和下表面上。发光芯片45布置在第一金属层11上，并且树脂层67成型在发光芯片45上。
树脂层67的表面可以形成为与第一金属层11及第二金属层13的表面共线。在第一金属层11和第二金属层13的两个表面之间，树脂层67的宽度可以形成有一定间隔。
这里，树脂层67可以形成有在中心部分67A处最厚并且朝向外侧部分67B逐渐变薄的厚度T4。中心部分67A具有凸透镜形状。厚度T4可以形成得比发光芯片45高或低。可以使用注射成型框架来制造该树脂层67。另外，在树脂层67硬化之后，将多个发光器件按照每个发光器件的尺寸为单位进行切割和分离。因此，在制造工艺期间，发光芯片45安装在金属层11和13上或树脂层67形成在金属层11和13上。金属层11和13之间的分离部17可以在形成最终的树脂层之后通过激光或切割工艺来形成，但其不限于此。
<第二十三实施例>
参考图49，关于发光器件，在绝缘膜21、23与金属层11、13之间形成有粘结层29。粘结层29可以使用绝缘粘结剂，例如硅或环氧树脂。粘结层29的厚度可以形成为大于大约12μm。
另外，树脂层61的顶表面可以高于第一引导构件31或第二引导构件31C的顶表面。
第二引导构件31C布置在绝缘膜23上，由此有效反射从发光芯片41发射的光。
<第二十四实施例>
参考图50，金属层11和13的顶表面包括非平坦结构11E和13E。非平坦结构11E和13E可以布置在第一绝缘膜21下方并且可以延伸到金属层11、13的敞口区域A1和A2。
非平坦结构11E和13E可以增大该绝缘膜21和23在金属层11和13上的接触面积或提高散热效率。
<第二十五实施例>
参考图51，绝缘膜21和引导构件31的内表面中的至少一个可以形成有倾斜平面21d和31d。倾斜平面21d和31d可以从第一绝缘膜21的内表面到引导构件31的内表面地形成。倾斜平面21d和31d可以形成在第一绝缘膜21的表面或引导构件31的表面上，或者形成在这两者的表面上。
倾斜平面21d和31d相对于金属层11和13的顶表面的倾斜角度可以是大约15°至大约89°。这些倾斜平面21d和31d可以有效地沿着出射方向反射光。另外，在倾斜平面21d和31d上可以涂覆有反射性材料。该反射性材料可以形成在诸如粘结层等的非导电材料或绝缘材料上，以防止这些金属层之间的电短路。
树脂层61可以具有平坦的顶表面，并且，由于该倾斜平面21d和31d，树脂层61的顶部宽度可以比树脂层61的下表面宽度宽。
另外，第二绝缘膜23的内表面(即与发光芯片45对应的表面)可以倾斜地形成，但其不限于此。此外，第二引导构件可布置在第二绝缘膜23上并且其内表面可以包括倾斜平面。
<第二十六实施例>
图52(a)是发光器件的截面图，而图52(b)是当图49(a)的金属层上布置有绝缘膜时的平面图。
参考图52，在第一金属层11上的第一绝缘膜21中形成有孔21E。孔21E使第一金属层11的顶表面暴露。在第一绝缘膜21和第二绝缘膜23上形成有引导构件31。引导构件31的部分31E可以通过孔21E而接触第一金属层11。引导构件31的一部分具有突起形状并且该部分的宽度可以比第一绝缘膜21的宽度窄。
如果第一绝缘膜21由光透射材料形成，则引导构件31的部分31E可以反射入射光。另外，如果引导构件31和第一金属层11由金属形成，则它们可以彼此附接以固定第一绝缘膜21。
这里，如果引导构件31由不具有导电性的非金属材料或树脂系列材料形成，则除了两个金属层11和13之间的界面部分的顶表面之外，第一金属层11和第二金属层13中的每一个上可以形成第一绝缘膜21的通孔21E。引导构件31的一部分可以形成在孔21E中。在第一绝缘膜21上可以形成有多个孔21E。
<第二十七实施例>
图53是根据一个实施例的平面图。图54是沿着图53的线B-B截取的剖视图。图55是沿着图53的线C-C截取的剖视图。
参考图53至图55，树脂层68形成在第一金属层11和第二金属层13的整个顶表面上，然后发光芯片45成型于其上。围绕树脂层68形成有凹槽19。凹槽19可以形成为环形形状、框架形状或多边形形状，并且可以使第一金属层11的顶表面暴露，并且凹槽19可以与第二金属层13间隔开。其蚀刻方法可以包括湿法蚀刻或干法蚀刻法，但不限于此。
引导构件38可以形成在凹槽19中并且可以由反射性材料形成。引导构件38围绕发光芯片45布置成圆形或多边形环的形状，接触第一金属层11，并且与第二金属层13间隔开一段预定距离T5。因此，引导构件38可以不接触树脂层68的下表面68A。这里，该下表面68A可以由树脂层或绝缘粘结层的材料形成。
当引导构件38嵌入在树脂层68中时，该引导构件38接触第一金属层11的顶表面并且与从第二金属层13间隔开。另外，在第一金属层11和第二金属层13中，引导构件38的高度可以是不同的。引导构件38可以反射从发光芯片45发射的光。可以容易地制造这种不具有另外的绝缘膜的结构。
树脂层68的部分68C可以填充在位于第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17中，或者绝缘膜可以附接到这些金属层11、13的顶表面或/和下表面。
引导构件38的上侧宽度可以比下侧宽度宽。另外，引导构件38可以具有相对于金属层11和13的顶表面以预定角度倾斜的内表面。
每一个实施例的特征均可以选择性地适用于其它实施例，而非限于具体的实施例。
这里，如果引导构件38由非金属材料或绝缘树脂系列材料形成，则树脂层68的凹槽19延伸到第一金属层11和第二金属层13的顶表面，但除了两个金属层11和13的界面部分的顶表面之外。引导构件38形成在凹槽19中。
根据上述实施例的多个金属层的侧表面、下表面和顶表面中的至少一个可以具有非平坦结构。该非平坦结构增大了金属层的表面积，以提高散热效率以及与其它材料的粘附性。
<发光芯片>
将参考图56和图57来描述根据一个实施例的发光芯片。
参考图56，发光芯片41可以包括基板111、缓冲层112、第一导电半导体层113、有源层114、第二导电半导体层115、第一电极116、以及第二电极117。第一导电半导体层113、有源层114和第二导电半导体层115可以形成一个发光结构。
基板111可以包括A12O3基板、GaN基板、SiC基板、ZnO基板、Si基板、GaP基板、InP基板、导电基板和GaAs基板。基板111可以是生长基板。可以在该生长基板上生长具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)复合化学式的半导体。
缓冲层112可以减小基板111和半导体之间的晶格常数差异，并且可以由II至VI族化合物半导体形成。在缓冲层112上还可形成有未掺杂的III-V族化合物半导体层，但其不限于此。
第一导电半导体层113形成在缓冲层112上，有源层124形成在第一导电半导体层113上，而第二导电半导体层115形成在有源层124上。
第一导电半导体层113可以由从掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中选出的一种化合物半导体形成。如果第一导电半导体层是N型半导体层，则第一导电掺杂剂可以包括N型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电半导体层113可以形成为单层或多层，但其不限于此。
有源层114可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构。通过使用III-V族元素的化合物半导体材料，能够以阱层和势垒层的交替循环结构来形成有源层114，例如InGaN阱层/GaN势垒层，或者InGaN阱层/AlGaN势垒层。
在有源层114上方或/和下方可以形成有导电覆层并且该导电覆层可以由AlGaN基半导体形成。
第二导电半导体层115形成在有源层114上，并且第二导电半导体层115可以由从掺杂有第二导电掺杂剂的、III-V族元素的化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中选出的一种化合物半导体形成。如果第二导电半导体层是P型半导体层，则第二导电掺杂剂可以包括P型掺杂剂，例如Mg和Ze。第二导电半导体层115可以由单层或多层形成，但其不限于此。
此外，在第二导电半导体层115上可以形成有第三导电半导体层，例如N型半导体层。发光结构110可以包括如下结构之一：N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、P-N-P结结构。
在第二导电半导体层115上可以形成有电流扩散层。该电流扩散层可以由如下项之一形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、以及镓锌氧化物(GZO)。
第一电极116可以形成在第一导电半导体层113上，而第二电极117可以形成在第二导电半导体层115上。
第一电极116和第二电极117可以通过电线连接到图1或图5的金属层。
图57是竖直型芯片结构。
参考图57，关于发光芯片45，欧姆层121形成在发光结构110下方，反射层124形成在欧姆层121下方，导电支撑构件125形成在反射层124下方形成，而保护层123围绕反射层124和发光结构110形成。
可以通过如下方式来形成发光器件45：在第二导电半导体层115上形成欧姆层121、保护层123、反射层124和导电支撑构件125，然后移走基板111和缓冲层112，而不执行用于使图56的结构中的第一导电半导体层11暴露的蚀刻工艺。
欧姆层121可以与发光结构110的下层(例如第二导电半导体层115)欧姆接触，并且其材料可以是如下项之一：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合。可以使用金属材料和光透射性导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO、以多层的形式来形成欧姆层121。例如，该多层可以包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni。可以进一步在欧姆层121中形成用于阻挡与电极16对应的电流的层。
保护层123可以由如下项之一形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2。可以通过溅射方法或沉积方法形成保护层123。反射层124中的金属可以防止发光结构110的各个层之间的电短路。
反射层124可以由如下项之一形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合。反射层124可以形成有比发光结构110宽的宽度，由此提高光反射效率。
导电支撑构件125是基底基板并且可以由Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W和载具晶圆(例如Si、Ge、GaAs、ZnO和Sic)形成。可以进一步在导电支撑构件125和反射层124之间形成有结合层。该结合层可以结合这两个层。
上文公开的发光芯片只是一个示例，其并不限于上述特征。该发光芯片可以选择性地应用于发光器件的实施例，而不限于此。
<照明系统>
上文公开的实施例中的发光器件包括封装的发光芯片并且提供给照明系统，例如在电路板上带有发光芯片的发光模块或灯单元。根据以上实施例的发光器件之一可以适用于该照明系统。
根据该实施例的发光器件可以适用于灯单元。该灯单元具有如下结构：在该结构中排列有多个发光器件或发光器件封装。该灯单元可以包括图58、59所示的显示装置以及图11所示的发光器件。此外，该灯单元可以包括照明灯、交通灯、车辆头灯和标识牌。
图58是根据一个实施例的显示装置的分解透视图。
参考图58，根据一个实施例的显示装置1000可以包括导光板1041、向导光板1041提供光的发光模块1031、在导光板1041下方布置的反射构件1022、在导光板1041上方布置的光学片1051、在光学片1051上方布置的显示面板1061、以及用于容纳该导光板1041、发光模块1031及反射构件1022的底盖1011，但该显示装置1000不限于此。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051可以定义为一个灯单元1050。
导光板1041对光进行漫射以产生平面光。导光板1041可以由透明材料形成。例如，导光板1041可以由如下材料之一形成：诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂。
发光模块1031可以向导光板1041的至少一个表面提供光。因此，发光模块1031可以用作该显示装置的光源。
至少一个发光模块1031可以布置成向导光板1041的至少一个表面直接或间接提供光。发光模块1031可以包括电路板1033和根据上述实施例的发光器件封装100。发光器件封装100能够以预定的间距排列在电路板1033上。
电路板1033可以是包括电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。而且，电路板1033可以包括普通PCB、金属芯PCB和柔性PCB，但其不限于此。当发光器件封装100安装在底盖1011的侧表面上或吸热板上时，可以省去该电路板1033。这里，该吸热板的一部分可以与底盖1011的顶表面接触。
所述多个发光器件包装100可以安装在电路板1033上，以允许从电路板1033经由其发射光的光出射表面与导光板1041隔开一段预定距离，但其不限于此。发光器件封装100可以向光入射表面直接或间接提供光，该光入射表面是导光板1041的侧表面，但其不限于此。
反射构件1022可以布置在导光板1041下方。因为反射构件1022对入射到导光板1041的下表面上的光进行反射以向上提供所反射的光，所以可以提高灯单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以由PET、PC和PVC之一形成，但其不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面，但其不限于此。
底盖1011可以收容该导光板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此，底盖1011可以包括收容部1012，该收容部1012具有带敞口上侧的盒子形状，但其不限于此。底盖1011可以联接到所述顶盖，但其不限于此。
底盖1011可以由金属材料或树脂材料形成。而且，可以使用压制成型工艺或挤压成型工艺来制造底盖1011。底盖1011可以由具有优异导热性的金属或非金属材料形成，但其不限于此。
例如，显示面板1061可以是液晶显示(LCD)面板，并且包括第一电路板、第二电路板以及位于第一电路板和第二电路板之间的液晶层，该第一电路板和第二电路板由透明材料形成并且彼此面对。该显示面板1061的至少一个表面可以附接有偏光板。本公开不限于所附接的偏光板结构。显示面板1061利用光透射光学片1051来显示信息。显示装置1000可以应用于各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上型计算机的监视器、电视机等。
光学片1051布置在显示面板1061和导光板1041之间并且包括至少一个光透射片。例如，光学片1051可以包括如下项中的至少一种：漫射片、水平棱镜片和竖直棱镜片、亮度增强片等。漫射片使入射光漫射，而水平棱镜片或/和竖直棱镜片使入射光聚集到显示区域中。另外，亮度增强片再次利用所损耗的光以提高亮度。而且，在显示面板1061上可以布置有保护片，但其不限于此。
这里，诸如导光板1041和光学片1051等的光学构件可以布置在发光模块1031的光学路径上，但其不限于此。
图59是示意了根据一个实施例的显示装置的视图。
参考图59，显示装置1100包括底盖1152、其上排列有上述发光器件封装100的电路板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。
电路板1120和发光器件封装100可以定义为一个发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以定义为一个灯单元。
底盖1152可以包括收容部1153，但其不限于此。
这里，光学构件1154可以包括如下项中的至少一个：透镜、导光板、漫射片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片。该导光板可以由PC材料或PMMA材料形成。在此情形中，可以省去导光板。漫射片使入射光漫射，而水平棱镜片和竖直棱镜片使入射光聚集到显示区域中。亮度增强片再次利用所损耗的光，以提高亮度。
光学构件1154布置在发光模块1060上，以使用从发光模块1060发射的光来产生平面光或者漫射并聚集从发光模块1060发射的光。
图60是根据一个实施例的照明装置的视图。
参考图60，照明单元1500可以包括外壳1510、位于外壳1510中的发光模块1530、以及布置在外壳1510中以从外部电源接收电力的连接端子1520。
外壳1510优选可以由具有良好散热性的材料例如金属材料或树脂材料形成。
发光模块1530可以包括电路板1532和安装在电路板1532上的发光器件封装100。发光器件封装100可以设置成多个，并且所述多个发光器件封装100可以排列成矩阵形式或者彼此间隔开一段预定距离。
电路板1532可以是在其上印刷有电路图案的绝缘体。例如，该电路板可以包括普通印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4等。
而且，电路板1532可以由能够有效反射光的材料形成，并且电路板1532的表面可以形成有能够有效反射光的颜色。例如，电路板1532可以是涂有白色或银色的层。
在电路板1532上可以安装有至少一个发光器件封装100。每个发光器件封装100均可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。该LED芯片可以包括：发射红光、绿光、蓝光或白光的彩色LED；以及发射紫外光(UV)的UV LED。
发光模块1530可以具有多种发光器件封装100的组合，以获得所期望的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白色LED、红色LED和绿色LED的组合，以获得高显色指数(CRI)。
连接端子1520可以电连接到发光模块1530以供应电力。连接端子1520可以螺旋联接到插座型的外部电源，但其不限于此。例如，连接端子1520可以制造成插头的类型，并且插入到该外部电源中或者可以通过电线连接到该外部电源。
这些实施例可以提供膜式或带式的发光器件。
实施例提供一种通过绝缘膜而非封装体来支撑金属层的发光器件。实施例可以改进发光器件的制造工艺。实施例可以减小发光器件的厚度。实施例可以改进发光器件的小型化和集成化。实施例可以提高发光器件和包括该发光器件的照明系统的热效率。
尽管以上实施例中描述的特征、结构和效果被结合到本发明的至少一个实施例中，但其不仅仅限于一个实施例。此外，在一个实施例中例示的特征、结构和效果可以被本领域内的技术人员容易地组合和修改来用于另一个实施例。因此，这些组合和修改也应理解为落入了本发明的范围内。
虽然已经参考其示意性实施例描述了本发明，但应该理解，本领域技术人员能够设计出许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它变型和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部分和/或布置结构方面的各种变化和变型都是可能的。

Claims (24)

1.一种发光器件，包括：
多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；
第一绝缘膜，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面区域的外侧部分上并具有敞口区域，在所述敞口区域处，所述多个金属层的顶表面区域的一部分是暴露的；
发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上并电连接到其它金属层；以及
树脂层，所述树脂层位于所述多个金属层和所述发光芯片上，
其中，所述多个金属层包括内侧部分和外侧部分，并且所述外侧部分的厚度比所述内侧部分的厚度厚。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述多个金属层的顶表面和下表面中的至少一个上，所述第二绝缘膜对应于所述多个金属层之间的位置，并且所述第二绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间隔宽。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在所述第一绝缘膜的顶表面和所述多个金属层的顶表面中的至少一个上布置有第一引导构件。
4.根据权利要求2所述的发光器件，还包括粘结层，所述粘结层位于所述多个金属层与所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜之间。
5.一种发光器件，包括：
多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；
第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有敞口区域并布置在所述多个金属层的顶表面上，在所述敞口区域处，所述多个金属层的顶表面区域的一部分是暴露的；
粘结层，所述粘结层位于所述多个金属层和所述第一绝缘膜之间；
第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述多个金属层的顶表面上，所述第二绝缘膜对应于所述多个金属层之间的位置，并且所述第二绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间隔宽；
发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上；
树脂层，所述树脂层布置在所述多个金属层和所述发光芯片上；以及
第一引导构件，所述第一引导构件布置在所述第一绝缘膜的顶表面上，
其中，所述多个金属层具有空腔结构，在所述空腔结构中，内侧部分的深度比外侧部分的深度深。
6.根据权利要求3或5所述的发光器件，还包括第二引导构件，所述第二引导构件位于所述第二绝缘膜上。
7.根据权利要求1或5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面区域的外侧部分上。
8.根据权利要求1或5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面的周边部分上。
9.根据权利要求1或5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜包括从由以下项组成的组中选择的至少一种形状：圈状形状、环形形状和框架形状。
10.根据权利要求3或5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜彼此连接。
11.根据权利要求2或5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括光透射膜或磷光体膜。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括从由以下项组成的组中选择的至少一种：聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基聚合物(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及树脂膜。
13.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一引导构件围绕所述树脂层布置。
14.根据权利要求6所述的发光器件，还包括第二引导构件，所述第二引导构件位于所述第二绝缘膜上，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件彼此连接。
15.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件的宽度比所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的宽度窄。
16.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件包括如下材料中的至少一种：树脂材料、非金属材料、以及反射性金属。
17.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件包括从由以下项组成的组中选择的至少一种：阻焊剂、焊膏、Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金、以及Au合金。
18.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层的下表面布置在同一平面上。
19.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层的外侧部分的顶表面布置得比所述多个金属层的内侧部分的顶表面高。
20.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层的内侧部分的厚度在大约15μm至大约300μm的范围内。
21.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光器件，还包括彼此面对的倾斜平面，所述倾斜平面在所述多个金属层的顶侧区域中位于所述外侧部分和所述内侧部分之间。
22.根据权利要求3或5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜的内表面和所述第一引导构件的内表面中的至少一个可以形成为倾斜平面。
23.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层包括第一金属层和第二金属层，并且所述发光芯片布置在所述第一金属层上。
24.根据权利要求l至5中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层包括第一金属层、第二金属层以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第三金属层；并且，所述发光芯片布置在所述第三金属层上且电连接到所述第一金属层和所述第二金属层。
CN201110228788.8A 2010-08-09 2011-08-09 发光器件和照明系统 Active CN102376854B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100076419A KR101114197B1 (ko) 2010-08-09 2010-08-09 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR10-2010-0076419 2010-08-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102376854A true CN102376854A (zh) 2012-03-14
CN102376854B CN102376854B (zh) 2015-04-08

Family

ID=44543087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110228788.8A Active CN102376854B (zh) 2010-08-09 2011-08-09 发光器件和照明系统

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8519427B2 (zh)
EP (1) EP2418701B1 (zh)
JP (1) JP5782332B2 (zh)
KR (1) KR101114197B1 (zh)
CN (1) CN102376854B (zh)
TW (1) TWI462343B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102468398A (zh) * 2010-11-09 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103187513A (zh) * 2013-02-22 2013-07-03 慧创就光电有限公司 一种强度散射led装置
CN103378267A (zh) * 2012-04-12 2013-10-30 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装件
CN103489984A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构及其制作方法
CN104752369A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件模组
CN105818755A (zh) * 2015-01-27 2016-08-03 福特全球技术公司 车辆发光多彩车标
CN106574749A (zh) * 2014-07-23 2017-04-19 Lg伊诺特有限公司 光源模块及配备有光源模块的显示模块、配件和镜子
CN113258022A (zh) * 2020-02-10 2021-08-13 永恒光实业股份有限公司 复合精细遮罩

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100880638B1 (ko) 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
TWI533483B (zh) * 2010-08-09 2016-05-11 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
KR101114719B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN103053038A (zh) * 2011-01-13 2013-04-17 松下电器产业株式会社 安装用基板、发光装置以及灯
US8878221B2 (en) * 2011-08-19 2014-11-04 Lg Innotex Co., Ltd. Light emitting module
US20130161670A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Sheng-Yang Peng Light emitting diode packages and methods of making
JP5980577B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-31 シチズン電子株式会社 側面照射型ｌｅｄ発光装置及び側面照射型ｌｅｄ発光装置の製造方法
TWI500185B (zh) * 2012-06-13 2015-09-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
TW201403870A (zh) * 2012-07-02 2014-01-16 Brightek Optoelectronic Co Ltd 發光二極體元件及其封裝方法
US8816507B2 (en) 2012-07-26 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-Package structures having buffer dams and method for forming the same
TWI483433B (zh) * 2012-07-30 2015-05-01 Huga Optotech Inc Light emitting module
EP2892306B9 (en) * 2012-08-31 2021-08-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Illumination method and light emitting device
CN103682018B (zh) * 2012-09-21 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US10638526B2 (en) 2012-09-24 2020-04-28 Qualcomm Incorporated Transport of control protocol for trusted WLAN (TWAN) offload
JP6102187B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
KR102019499B1 (ko) * 2012-11-05 2019-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US8882310B2 (en) * 2012-12-10 2014-11-11 Microsoft Corporation Laser die light source module with low inductance
KR102029802B1 (ko) 2013-01-14 2019-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP6098200B2 (ja) * 2013-02-05 2017-03-22 旭硝子株式会社 発光素子用基板および発光装置
DE102013206186A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR102080777B1 (ko) * 2013-09-05 2020-02-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈
DE102013219063A1 (de) 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6255884B2 (ja) * 2013-10-16 2018-01-10 大日本印刷株式会社 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
DE102013224600A1 (de) * 2013-11-29 2015-06-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR102142712B1 (ko) * 2014-01-03 2020-08-07 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102175311B1 (ko) * 2014-01-03 2020-11-06 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102199982B1 (ko) * 2014-01-20 2021-01-08 엘지이노텍 주식회사 광원모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
DE102014101557A1 (de) * 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR102323593B1 (ko) * 2014-07-23 2021-11-17 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 표시 모듈
KR102261835B1 (ko) * 2014-11-04 2021-06-08 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 표시 모듈
JP6583764B2 (ja) * 2014-09-12 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置
CN104299981B (zh) * 2014-09-22 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其封装方法和oled显示装置
EP3511147B1 (en) 2014-09-29 2020-11-11 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
US9601673B2 (en) 2014-11-21 2017-03-21 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including LED dies that are directly attached to lead frames
WO2016109611A2 (en) * 2014-12-30 2016-07-07 Koninklijke Philips N.V. Led package with integrated features for gas or liquid cooling
JP6459880B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6862141B2 (ja) 2015-10-14 2021-04-21 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び照明装置
JP7177327B2 (ja) * 2017-04-06 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102459651B1 (ko) 2017-06-15 2022-10-27 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
TWI700786B (zh) * 2018-03-28 2020-08-01 南茂科技股份有限公司 薄膜覆晶封裝結構
CN111477732B (zh) 2019-01-24 2021-10-08 隆达电子股份有限公司 发光装置
US11289398B2 (en) * 2019-09-27 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and manufacturing method thereof
JP6788767B1 (ja) * 2020-07-09 2020-11-25 サンコール株式会社 バスバーアッセンブリ及びその製造方法
DE102020130211A1 (de) 2020-11-16 2022-05-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
TWI750998B (zh) * 2021-01-15 2021-12-21 榮星科技股份有限公司 Ic載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構
CN115621212B (zh) * 2022-11-07 2023-04-07 合肥矽迈微电子科技有限公司 一种防溢的封装结构及其装片方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040159850A1 (en) * 2003-02-18 2004-08-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device
CN101267011A (zh) * 2007-03-13 2008-09-17 夏普株式会社 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架
EP2034529A2 (en) * 2007-09-04 2009-03-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having heat dissipating slugs
JP2010114387A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法、並びに、発光モジュール

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2003243720A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP3923817B2 (ja) * 2002-02-14 2007-06-06 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
WO2004015769A1 (de) 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines elektrischen leiterrahmens, verfahren zum herstellen eines oberflächenmontierbaren halbleiterbauelements und leiterrahmenstreifen
JP4085917B2 (ja) * 2003-07-16 2008-05-14 松下電工株式会社 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
US7854535B2 (en) 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006012868A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Toshiba Corp 半導体発光素子用パッケージおよびそれを用いた半導体発光装置
US20060125716A1 (en) 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
JP2006303458A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Naoya Yanase 電子部品実装基板
JP2006286977A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Eudyna Devices Inc 半導体装置およびその製造方法並びに金属部材および金属部材の製造方法。
KR100593943B1 (ko) * 2005-04-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Ｌｅｄ用基板およびｌｅｄパッケージ
US20070009201A1 (en) 2005-07-08 2007-01-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electric field programmable films and memory devices based thereon
JP3978456B2 (ja) * 2005-11-02 2007-09-19 株式会社トリオン 発光ダイオード実装基板
KR100820122B1 (ko) * 2005-12-14 2008-04-07 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
JP4965858B2 (ja) * 2005-12-26 2012-07-04 株式会社東芝 レンズ付発光ダイオード装置
JP2007194517A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP2008108835A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Harison Toshiba Lighting Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
DE102007017855A1 (de) * 2007-04-16 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
TW200937667A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Package structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
KR20100028136A (ko) 2008-08-21 2010-03-12 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 모듈
KR100982994B1 (ko) * 2008-10-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 모듈
DE102008053489A1 (de) * 2008-10-28 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Trägerkörper für ein Halbleiterbauelement, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Trägerkörpers
KR101018153B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR20100083907A (ko) * 2009-01-15 2010-07-23 설명순 Ｌｅｄ 패키지 및 이의 제조 방법
KR101028316B1 (ko) 2009-02-13 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101676669B1 (ko) * 2010-05-20 2016-11-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWI533483B (zh) * 2010-08-09 2016-05-11 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
KR101114719B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040159850A1 (en) * 2003-02-18 2004-08-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device
CN101267011A (zh) * 2007-03-13 2008-09-17 夏普株式会社 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架
US20080224161A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor Light Emitting Device and Multiple Lead Frame for Semiconductor Light Emitting Device
EP2034529A2 (en) * 2007-09-04 2009-03-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having heat dissipating slugs
JP2010114387A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法、並びに、発光モジュール

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102468398B (zh) * 2010-11-09 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102468398A (zh) * 2010-11-09 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103378267A (zh) * 2012-04-12 2013-10-30 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装件
CN103378267B (zh) * 2012-04-12 2016-12-21 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装件
CN107293536A (zh) * 2012-06-13 2017-10-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构及其制作方法
CN103489984A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构及其制作方法
CN103187513A (zh) * 2013-02-22 2013-07-03 慧创就光电有限公司 一种强度散射led装置
CN104752369A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件模组
CN104752369B (zh) * 2013-12-27 2018-02-16 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件模组
CN106574749A (zh) * 2014-07-23 2017-04-19 Lg伊诺特有限公司 光源模块及配备有光源模块的显示模块、配件和镜子
CN106574749B (zh) * 2014-07-23 2021-01-22 Lg伊诺特有限公司 光源模块及配备有光源模块的显示模块、配件和镜子
CN105818755A (zh) * 2015-01-27 2016-08-03 福特全球技术公司 车辆发光多彩车标
CN113258022A (zh) * 2020-02-10 2021-08-13 永恒光实业股份有限公司 复合精细遮罩
CN113258022B (zh) * 2020-02-10 2024-04-09 永恒光实业股份有限公司 复合精细遮罩

Also Published As

Publication number Publication date
US20110303941A1 (en) 2011-12-15
TWI462343B (zh) 2014-11-21
EP2418701A3 (en) 2012-09-05
EP2418701B1 (en) 2018-03-07
US8519427B2 (en) 2013-08-27
TW201212296A (en) 2012-03-16
KR101114197B1 (ko) 2012-02-22
CN102376854B (zh) 2015-04-08
KR20120014390A (ko) 2012-02-17
JP5782332B2 (ja) 2015-09-24
EP2418701A2 (en) 2012-02-15
JP2012039120A (ja) 2012-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102376854B (zh) 发光器件和照明系统
CN102376855B (zh) 发光器件和具有发光器件的照明系统
US8399904B2 (en) Light emitting device and lighting system having the same
CN102214648B (zh) 发光器件封装和照明系统
CN102237479B (zh) 发光器件封装和具有发光器件封装的发光系统
CN102214756B (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102088018B (zh) 发光器件和具有发光器件的发光器件封装
CN102201518B (zh) 发光器件、电极结构、发光器件封装以及照明系统
KR101163901B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101125437B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101154671B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101114151B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101154656B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101172177B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101189329B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101114094B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210817

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.