JP4085917B2 - 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、LED分野において使用される発光素子を実装するための高熱伝導性発光素子用回路部品及びこの高熱伝導性発光素子用回路部品を用いて製造される高放熱モジュールに関するものである。
近年、電子機器の高機能化、小型薄型化の要求に伴い、半導体は高集積化され、回路基板に高密度に実装されている。特にパワーエレクトロニクスの分野においては、半導体として発熱しやすい発光素子が高密度に実装されることとなるため、回路基板に対しては、微細パターン(ファインパターン)による高密度配線の設計が容易である上に、高放熱性であることが要求される。
従来、放熱性を改良するための技術としては、ガラスエポキシプリント配線板においてパワーチップを搭載する部分にのみアルミ放熱フィンを装着してパワーチップを実装するという技術や、アルミニウムや銅のように放熱性に優れる金属板の両面又は片面に絶縁層を介して回路を形成した金属ベース基板を用いる技術などが知られている。
図22は上記のような金属ベース基板を用いて製造されるモジュールCを示すものであり、このモジュールCは、金属基板11の片面に絶縁層21を形成すると共にこの絶縁層21の表面に回路5を形成した後、この回路5と発光素子4とをバンプ13を介して電気的に接続することによって、製造されている。
また放熱性改良技術においては、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック基板に銅板を直接接合したDBC(Direct Bonded Copper)基板も利用されている。また、リードフレームと金属板とを成型一体化した回路基板に発光素子を搭載することによって、熱を逃がしやすくした構造のものも提案されている(例えば、特許文献1〜3参照。)。
さらに、放熱性・信頼性を重視する車載用(メーター類やブレーキ等)のランプに用いられる表面実装型LEDも提供されている(例えば、特許文献4参照。)。
特開平10−173097号公報 特開平11−46049号公報 特開2001−237508号公報 特開2003−163378号公報
しかしながら、上述した従来の放熱性改良技術では、回路間の間隔を狭くした状態で高熱伝導性を十分に得ることができない。
すなわち、金属ベース基板では回路を形成するための銅箔等の金属箔を厚くすることができず、例えば、銅箔では105μm程度が量産可能な厚みで、ファインパターン化自体が難しく、500μmの厚みの銅箔となるとエッチングに時間がかかりすぎて量産に不向きである等の問題がある。
またセラミック基板では、回路間隔の狭小化は可能であるが、金属基板と比較した場合には放熱性に劣り、DBC基板のように銅板などの金属板を厚付けすれば、ファイン加工性が低下してしまう。
また放熱特性を改良するために、高熱伝導性フィラーを熱硬化性樹脂に高充填した混合物を電極となるリードフレームと成型により一体化させたモジュールが提案されているが、一般的にリードフレーム化するため両面からエッチング加工することとなり、ファイン加工性を高めること(回路間隔の狭小化)には限界がある。
また、LEDやIC等から発生する熱を効率よく放散するために、LEDやIC等を金属板へ直付けすることが行われているが、LEDやIC等の下面に接続端子がある場合には、プラス極とマイナス極等に電極を分けて導通・絶縁しなければならず、例えば、リードフレーム化した大電流回路を使用する方法では、回路間の距離を小さくするのには限界があり、また特殊な工法によりファイン化する場合には技術面及びコスト面で非常に大きな課題があった。
一方、電源回路に使用されるプリント配線板では、銅箔で回路を形成しており、厚み105μmが一般的であるが、回路間の距離を小さくするにはやはり回路の厚みによるサイドエッチ等による限界があり、ファイン化には問題があった。
さらに、特許文献4に記載の表面実装型発光ダイオードにあっては、凹部の側面において絶縁部材が露出しているため、発光素子から発せられる光を均一に反射させることが困難であるという問題もあった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、高熱伝導性を十分に得ることができると共に、発光素子から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができる高熱伝導性発光素子用回路部品、及びこの高熱伝導性発光素子用回路部品を用いて安価に製造することができる高放熱モジュールを提供することを目的とするものである。
本発明の請求項1に係る高熱伝導性発光素子用回路部品Aは、少なくとも2枚以上の金属体1が絶縁層2を介して積層一体化されて構造体3が作製され、この構造体3の少なくとも2枚以上の金属体1に跨るように凹部15が形成され、この凹部15の底面16に発光素子4が実装されると共に上記凹部15の内側面17に絶縁層9が形成され、金属体1同士を導通しないように上記絶縁層9に金属層12が形成されることによって反射面8が形成され、上記金属体1が回路5として用いられて成ることを特徴とするものである。
本発明の請求項に係る高放熱モジュールBは、請求項1に記載の高熱伝導性発光素子用回路部品Aが回路基板10に実装されて成ることを特徴とするものである。
本発明の請求項に係る高放熱モジュールBは、請求項1に記載の高熱伝導性発光素子用回路部品Aが絶縁層25を介して回路基板10に実装されて成ることを特徴とするものである。
本発明の請求項に係る高放熱モジュールは、請求項において、高熱伝導性発光素子用回路部品Aと回路基板10との間の絶縁層25が熱伝導性を有して成ることを特徴とするものである。
本発明の請求項1に係る高熱伝導性発光素子用回路部品によれば、高熱伝導性を十分に得ることができると共に、発光素子から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができるものであり、また、切れ目のない反射面を形成しても短絡を確実に防止することができるものである。
本発明の請求項に係る高放熱モジュールによれば、高熱伝導性を十分に得ることができると共に、高熱伝導性発光素子用回路部品を用いて安価に製造することができるものである。
本発明の請求項に係る高放熱モジュールによれば、高熱伝導性を十分に得ることができると共に、高熱伝導性発光素子用回路部品を用いて安価に製造することができるものである。
本発明の請求項に係る高放熱モジュールによれば、高熱伝導性をさらに高く得ることができるものである。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造するにあたっては、まず、図19〜図21のように、少なくとも2枚以上の金属体1を絶縁性樹脂6を介して積層一体化(クラッド化)することによって、絶縁性樹脂6で絶縁層2が形成された構造体3(クラッド板)を作製する。積層一体化は、例えば、大気圧下又は減圧下における加熱加圧成形により行うことができる。また、金属体1と絶縁層2との密着性を得るため、金属体1の表面をあらかじめ粗面化処理しておくのが好ましい。例えば、金属体1の表面に酸化被膜を形成して化学的に粗面化処理したり、金属体1の表面をサンドブラストにより物理的に粗面化処理したりすることができる。図19(a)は2枚の金属体1を用いて作製した構造体3(2層回路板)、図20(a)は3枚の金属体1を用いて作製した構造体3(3層回路板)、図21(a)は4枚の金属体1を用いて作製した構造体3(4層回路板)を示すものである。各構造体3における各金属体1は、後に回路の一部(電極など)を形成することとなる。使用する金属体1の枚数は、特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜に設定することができる。以下においては、主として上記2層回路板(図19参照)を用いて高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造する方法について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
金属体1としては、特に限定されるものではないが、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち1種以上のものを含む合金、並びに銅・インバー・銅の複層材(銅、各種インバー合金、銅をこの順に重ね合わせて得られるクラッド材)から選ばれるものを用いるのが好ましい。これらの金属体1を用いると、その他の金属体を用いるよりも、熱伝導性をさらに高く得ることができるからである。また、上記の好ましい金属体1は、反射率を上げたり軽量化したりすることができ、用途・ニーズに応じて適宜に選択することができる。絶縁層2の両側の金属体1の材質は同種でも異種でもよい。金属体1の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、0.5〜20mmの範囲に設定することができる。
一方、絶縁層2を形成するための絶縁性樹脂6としては、熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。これらの組成物としては、フィラー入りでないものを用いてもよいが、流動性を調整したり熱伝導性をさらに高めたりするため無機フィラー入りのものを用いるのが好ましい。このような組成物は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加することによって、調製することができる。絶縁性樹脂6の形態は、特に限定されるものではないが、シート状であることが好ましい。具体的には、絶縁性樹脂6をPETフィルム等に塗布乾燥して得られるBステージの接着フィルムや、絶縁性樹脂6をガラス布などの基材に含浸乾燥して得られるBステージのプリプレグであることが好ましい。上記の接着フィルムやプリプレグのような接着シートを用いると、薄くて均一な厚みの絶縁層2を容易に形成することができるからである。絶縁層2は次のようにして形成してもよい。まず、熱硬化性樹脂(又は熱可塑性樹脂)に公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加することによって熱硬化性樹脂組成物(又は熱可塑性樹脂組成物)を調製し、次にこの組成物を混練機でスラリー化することによってペーストを調製した後、このペーストを金属体1の表面に印刷塗布することによって絶縁層2を形成することができる。
絶縁層2の厚みは具体的には10〜150μmであることが好ましく、25〜100μmであることがより好ましい。絶縁層2の両側の金属体1は、後に回路5の一部を形成することとなる。なお、絶縁層2の厚みが10μm未満であると、絶縁層2に混入した気泡や金属体1表面の微細な突起による絶縁不良の可能性が高くなり、絶縁性を十分に確保することができなくなるおそれがある。逆に絶縁層2の厚みが150μmを超えると、回路5の一部となる金属体1間の間隔がそれだけ広くなり、発光素子4に設けてあるバンプ13間の間隔が狭い場合には一部のバンプ13の導通を取ることができなくなるおそれがある。
特に、絶縁性樹脂6として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合において、主成分となる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、シアネート樹脂等を用いることができ、また、難燃性を付与するため臭素化された樹脂やリン変性された樹脂を用いることもできる。なお、添加型難燃剤を使用すると絶縁層2の耐熱性や機械的強度の低下を招くおそれがあるが、耐熱性等に影響が出ない程度であれば上記難燃剤を熱硬化性樹脂に添加して使用してもよい。
絶縁性樹脂6として用いる熱硬化性樹脂組成物としては、無機フィラーを高充填したものが好ましい。このように無機フィラーを高充填することによって、絶縁層2の熱伝導性をさらに高めることができ、発光素子4からの発熱をより効率よく放散させることができると共に、絶縁層2の熱膨張係数が金属体1の熱膨張係数に近付き、高熱伝導性発光素子用回路部品Aの熱的な信頼性を向上させることができるものである。このように無機フィラーの高充填により、絶縁層2の熱膨張係数を低下させたり、熱伝導性を向上させたりすることを非常に簡単に行うことができるものであるが、必要に応じて無機フィラーの充填量を調整することにより、構造体3の作製時における熱硬化性樹脂組成物の流動特性を調整することもできる。
上記の無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、Al、MgO、BN、AlN、SiO、TiO、CaCO等から選ばれるものを用いることができ、Al、MgO、BN、AlNは、その他の無機フィラーよりも熱伝導性に優れているので好ましい。なお、無機フィラーの熱硬化性樹脂への分散性を向上させるため、カップリング剤や分散剤等を併用するのが好ましい。
そして、上記のようにして構造体3を作製した後に、図19(a)において破線イ,ロで示すように、この構造体3を積層方向に切断することによって、すなわち金属体1と絶縁層2の積層面と交叉する面で切断することによって、この構造体3から図19(b)に示すような個片14を得ることができる(図20及び図21についても同様である)。構造体3から複数の個片14を得ることができるが、各個片14の形状や大きさは任意である。例えば、個片14が直方体である場合は、その厚み及び幅の寸法は任意である。1つの個片14から1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aを得ることができるほか、図19(a)に示す構造体3を破線イ(又はロ)で切断して得られるものを個片14とし、この1つの個片14から複数の高熱伝導性発光素子用回路部品Aを得ることもできる。図19(b)において切断面を斜線で示す。切断方法としては、ワイヤーカット加工、スライス加工、半導体シリコンウエハの切断加工等の方法を用いるのが好ましい。
図1は、本発明の請求項1に係る高熱伝導性発光素子用回路部品Aの一例を示すものである。この高熱伝導性発光素子用回路部品Aは、既述の個片化して得た構造体3(図19(b)参照)を用い、以下のようにして製造することができる。まず、構造体3の少なくとも2枚以上の金属体1に跨るように凹部15を形成する。図1に示すものにあっては、直方体状の構造体3の一面において2枚の金属体1に跨るように、円形の凹部15を座ぐり加工により形成してある。このとき凹部15の内側面17は、図1に示すように、底面16から開口へ広がるようにテーパー状に傾斜させている。次に、この凹部15の底面16に発光素子4を実装する。このとき凹部15の底面16には金めっき等のめっきを施しておくのが好ましい。そして上記凹部15の内側面17に反射面8を形成することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。図1に示すものにあっては、凹部15の底面16において2枚の金属体1に跨るように1つの発光素子4を実装してある。なお、発光素子4を実装する部分となる凹部15について、その形状、形成方法、個数及び形成箇所は、1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aにおいて特に限定されるものではない。
図1に示す発光素子4は、金バンプや半田バンプ等のバンプ13を介して2枚の金属体1と電気的に接続されており、各金属体1がそれぞれプラス極及びマイナス極となる電極(回路の一部)として使用される。なお、発光素子4の実装方法は、バンプ実装に限定されるものではなく、ワイヤーボンディング(図17参照)、半田リフロー、導電ペーストを使用する方法など、発光素子4の構造に応じて最適な実装方法を選択すればよい。また、個片化された構造体3に実装される発光素子4の個数は、発光素子4の大きさや実装される箇所の面積などに依存するが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜に設定することができる。例えば、図2に示す高熱伝導性発光素子用回路部品Aは、構造体3(3層回路板)に4個の発光素子4を実装して得られるものであり、図3に示す高熱伝導性発光素子用回路部品Aは、構造体3(4層回路板)に3個の発光素子4を実装して得られるものであり、RGBの発光素子4で白色光を得る場合に好ましい。
ここで、図4(b)のように凹部15の内側面17に反射面8を形成しなくても、内側面17の大部分を占める金属体1が反射面8と同様の機能を発揮するので、発光素子4から発せられる光をある程度は外部へ反射させることが可能である。しかし、図4(b)に示すものにあっては、内側面17の一部において絶縁層2が露出している箇所(破線で囲んだ部分)があるので、この絶縁層2の表面に照射された光は、外部へ反射されないおそれがある。そこで、請求項1の発明では、図1のように凹部15の内側面17において構造体3の絶縁層2が露出しないように、内側面17に切れ目なく反射面8を形成するようにしたものであり、これにより発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができるものである。
凹部15の内側面17に反射面8を形成するにあたっては、次のようにして行うことができる(請求項の発明)。まず、図1に示すように、凹部15の内側面17に絶縁層9を形成する。この絶縁層9も、既述の絶縁性樹脂6を用いて形成することができる。絶縁性樹脂6が液状である場合には、これを凹部15の内側面17に塗布することによって、絶縁層9を形成することができ、また、絶縁性樹脂6がシート状である場合には、これを凹部15の内側面17に沿わせて接着することによって、絶縁層9を形成することができる。次に、この絶縁層9に金属層12を形成することによって、反射面8を形成することができる。金属層12は、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム等の金属を絶縁層9の表面にめっき(無電解めっき等)又は蒸着することによって、形成することができる。また、上記金属で形成される金属シート(例えば、めっきや蒸着金属箔、圧延金属箔など)を絶縁層9の表面に沿わせて接着することによって、金属層12を形成することもできる。絶縁層9の表面に金属層12を形成するので、金属層12の形成時において絶縁層9を半硬化状態にしておくと、両層9,12の密着性を高く得ることができる。なお、反射面8を形成するにあたっては、この反射面8(金属層12)によって金属体1同士を導通しないようにして、つまり短絡しないようにして、絶縁層9に金属層12を形成する必要がある。そのため、図1に示すものにあっては、凹部15の底面16の周縁に沿って絶縁層9を露出させると共に、凹部15の開口縁に沿って絶縁層9を露出させることによって、金属層12と各金属体1とが接触しないようにして、金属層12と各金属体1との絶縁を確保している。
また、凹部15の内側面17に反射面8を形成するにあたっては、次のようにして行うこともできる(請求項の発明)。まず、図4(a)のように、金属シート26の一方の面が内側、他方の面が外側となるように金属シート26の長手方向の端部同士を接合すると共に、外側の面に既述の絶縁性樹脂6で絶縁層9を形成することによって、金属シート26による金属層12と絶縁層9との2層からなる反射面形成用環状体27を作製する。この反射面形成用環状体27は、凹部15の内側面17と同様にテーパー状に形成してある。また、反射面形成用環状体27において絶縁層9は、金属シート26の両側縁よりも絶縁層9の両側縁が外側に位置するように、形成されている。つまり、絶縁層9の幅は金属シート26の幅よりも広くしてある。さらに、反射面形成用環状体27の絶縁層9は半硬化状態にしてある。そして、上記の反射面形成用環状体27を図4(b)に示す凹部15に嵌め込んで、絶縁層9を硬化させることによって、図4(c)に示すように、凹部15の内側面17に切れ目なく、金属シート26の金属層12による反射面8を形成することができる。ここで、既述の通り、絶縁層9の幅は金属シート26の幅よりも広くしてあるので、反射面8と各金属体1との絶縁が確保されている。
上記のように、請求項の発明では、切れ目のない反射面8によって発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができることに加え、切れ目のない反射面8を形成しても、短絡を確実に防止することができるものである。
次に、参考例1について説明する。図5は、この参考例1に係る高熱伝導性発光素子用回路部品Aの一例を示すものである。この高熱伝導性発光素子用回路部品Aも、既述の個片化して得た構造体3(図19(b)参照)を用いて製造することができるが、この構造体3自体には凹部15を形成せず、後述する別体の成形体20で凹部15を形成するものである。図19(b)において切断面を斜線で示してあるが、この切断面を発光素子4を実装するための実装面7としてそのまま使用するものである。このように実装面7は切断加工により形成されるものであるが、発光素子4を実装できる程度の平滑性や粗度を有する切断面を得るため、切断方法としては、ワイヤーカット加工、スライス加工、半導体シリコンウエハの切断加工等の方法を用いるのが好ましい。なお、発光素子4を実装するにあたっては、あらかじめ実装面7に金めっき等を施しておくのが好ましい。
さらに、参考例1では、図6(b)に示すような貫通孔18を設けた絶縁性の成形体20を形成する。この成形体20は、既述の絶縁性樹脂6を用いて、射出成形、トランスファー成形、圧縮成形などの成形法により、形成することができる。成形体20の外形は、特に限定されるものではなく、図5及び図6のように矩形状としたり、図7のように円形状としたりすることができる。成形体20に設けた貫通孔18は、後述するように、後に凹部15を構成するものであり、テーパー状に形成されている。つまり、貫通孔18の内壁面28が、後に凹部15の内側面17となる。
次に、上記の成形体20の貫通孔18が、構造体3の少なくとも2枚以上の金属体1に跨るように、成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定することによって凹部15を形成する。図5に示すものにあっては、成形体20の貫通孔18が、構造体3の2枚の金属体1に跨るように、成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定することによって凹部15が形成されている。そして、この凹部15の底面16に発光素子4を実装すると共に、上記凹部15の内側面17に反射面8を形成することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。図5に示すものにあっては、凹部15の底面16において2枚の金属体1に跨るように1つの発光素子4を実装してある。なお、図6(c)のように構造体3に発光素子4を実装した後に、この構造体3と成形体20とを重ね合わせて固定するようにしてもよい。また、構造体3に重ね合わせる前に、あらかじめ成形体20の貫通孔18の内壁面28に反射面8を形成しておいてもよい。さらに、発光素子4を実装する部分となる凹部15について、その形状、形成方法、個数及び形成箇所は、1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aにおいて特に限定されるものではない。つまり、成形体20に設ける貫通孔18について、その形状、形成方法、個数及び形成箇所は、1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aにおいて特に限定されるものではない。
図5に示す発光素子4は、金バンプや半田バンプ等のバンプ13を介して2枚の金属体1と電気的に接続されており、各金属体1がそれぞれプラス極及びマイナス極となる電極(回路の一部)として使用される。なお、発光素子4の実装方法は、バンプ実装に限定されるものではなく、ワイヤーボンディング(図17参照)、半田リフロー、導電ペーストを使用する方法など、発光素子4の構造に応じて最適な実装方法を選択すればよい。また、個片化された構造体3に実装される発光素子4の個数は、発光素子4の大きさや実装される箇所の面積などに依存するが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜に設定することができる。
上記のように、参考例1では、内側面17に切れ目なく反射面8を形成するようにしたものであり、これにより発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができるものである。また、構造体3と成形体20とが別体であるので、発光素子4を構造体に実装した後に、この構造体3と成形体20とを重ね合わせて固定して反射面8を形成することが可能となり、反射面8には十分な耐熱性が要求されることがないというメリットがある。
凹部15の内側面17に反射面8を形成するにあたっては、次のようにして行うことができる(参考例2)。成形体20は、既述の通り、絶縁性樹脂6で成形されているので、図5に示すように凹部15の内側面17に直接金属層12を形成することによって、反射面8を形成することができる。金属層12は、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム等の金属を内側面17にめっき(無電解めっき等)又は蒸着することによって、形成することができる。また、上記金属で形成される金属シート(例えば、めっきや蒸着金属箔、圧延金属箔など)を内側面17に沿わせて接着することによって、金属層12を形成することもできる。また、上記成形体20を成形するための金型にあらかじめ上記のような金属シートをセットしておき、成形体20の成形と同時に、成形体20の貫通孔18の内壁面28に金属層12を形成するようにしてもよい。なお、反射面8を形成するにあたっては、この反射面8(金属層12)によって金属体1同士を導通しないようにして、つまり短絡しないようにして、金属層12を形成する必要がある。そのため、図5に示すものにあっては、凹部15の底面16の周縁に沿って成形体20を露出させることによって、金属層12と各金属体1とが接触しないようにして、金属層12と各金属体1との絶縁を確保している。
また、凹部15の内側面17に反射面8を形成するにあたっては、次のようにして行うこともできる。図6(a)に示すように、金属板29に孔30をあけ、この孔30の内周縁から突片31を形成することによって、金属加工部品32を作製する。この金属加工部品32における突片31は、凹部15の内側面17と同様にテーパー状に形成してある。そして、図6(b)に示す成形体20の貫通孔18の内壁面28に金属加工部品32の突片31の外側の面を重ね合わせて、金属加工部品32と成形体20とを接着すると共にこの成形体20と図6(c)に示す構造体3とを重ね合わせて固定することによって、図6(d)に示すような高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができ、凹部15の内側面17に切れ目なく、金属加工部品32(突片31の内側の面)による反射面8を形成することができるものである。ここで、金属加工部品32の突片31は、その先端の周縁が凹部15の底面16に接触しないように形成されており、そのため、反射面8と各金属体1との絶縁が確保されている。なお、金属加工部品32を作製するにあたって、図6(a)のように金属板29の外周縁に係止突片33を突設して形成し、この係止突片33を成形体20の外周部に圧着させることによって、金属加工部品32と成形体20との密着性を高めるようにしてもよい。ちなみに、図7に示すように、成形体20と金属加工部品32とを共に円形状に形成し、これらを用いて高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造してもよい。
上記のように、参考例2では、切れ目のない反射面8によって発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができることに加え、切れ目のない反射面8を形成しても、短絡を確実に防止することができるものである。
ところで、成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定するにあたっては、接着剤を使用することができるが、製造される高熱伝導性発光素子用回路部品Aは非常に微細なものであるため、所要箇所のみに接着剤を付着させるのが困難な場合がある。そこで、参考例3では、嵌合(又は嵌着)によって成形体20と構造体3を重ね合わせて固定するようにしている。具体的には、図6に示すように、成形体20の重ね合わせ面(構造体3と対向する面)において、貫通孔18の周囲に嵌合凸部34(又は嵌合凹部)を直線状に形成し、一方、構造体1の重ね合わせ面(成形体20と対向する面)において、嵌合凹部35(又は嵌合凸部)を直線状に形成して、嵌合凸部34と嵌合凹部35との凹凸嵌合によって成形体20と構造体3を重ね合わせて固定することができる。これにより、接着剤を使用する必要がなくなり、不要箇所に接着剤が付着する等の弊害を防止することができるものである。図6に示すものにあっては、嵌合凸部34とこれに嵌合する嵌合凹部35とを共に格子状に形成してあるが、このような形状に限定されるものではなく、例えば、図7に示すように、成形体20の重ね合わせ面(構造体3と対向する面)において、貫通孔18の周囲に嵌合凸部34(又は嵌合凹部)を環状に形成し、一方、構造体1の重ね合わせ面(成形体20と対向する面)において、嵌合凹部35(又は嵌合凸部)を環状に形成して、成形体20と構造体3を重ね合わせて固定するようにしてもよい。なお、図6において嵌合凸部34及び嵌合凹部35は、連続的に形成してあるが、断続的に形成するようにしてもよい。また、図6において嵌合凸部34及び嵌合凹部35は、それぞれ交叉するように形成してあるが、一方向のみ(縦又は横など)に形成するようにしてもよい。さらに、上記の構成を組み合わせることにより、嵌合凸部34及び嵌合凹部35を形成するようにしてもよい。
ここで、上述の反射面8は1つの曲面で形成するようにしているが、例えば、図8に示すように、複数の矩形面を傾斜させることによって反射面を形成するようにしてもよい。以下においても同様である。
また、図9のように、成形体20に収納部48を形成し、この収納部48に構造体3を嵌着することによって、成形体20と構造体とを固定するようにしてもよい。このとき、収納部48の内面又は構造体3の側面に接着剤を塗布して両者をさらに強固に固定するようにしてもよい。
図10は、参考例1〜3において、より好ましい高熱伝導性発光素子用回路部品Aの一例を示すものである。この高熱伝導性発光素子用回路部品Aも、既述の個片化して得た構造体3(図19(b)参照)を用いて製造することができる。まず、構造体3の少なくとも2枚以上の金属体1に跨るように、実装用凸部36を形成する。図10に示すものにあっては、直方体状の構造体3の一面において2枚の金属体1に跨るように、円錐台状の実装用凸部36を切断加工により形成してある。発光素子4が実装される実装用凸部36の先端面(実装面7)は、切断加工により形成されるものであるが、発光素子4を実装できる程度の平滑性や粗度を有する切断面を得るため、切断方法としては、ワイヤーカット加工、スライス加工、半導体シリコンウエハの切断加工等の方法を用いるのが好ましい。なお、発光素子4を実装するにあたっては、あらかじめ実装面7に金めっき等を施しておくのが好ましい。
一方、図10に示すものにおいても、貫通孔18を設けた絶縁性の成形体20を形成するものであるが、この成形体20の貫通孔18の内壁面28は、第1傾斜面37と第2傾斜面38の2面で構成されている。第1傾斜面37は、後に凹部15の内側面17となる面であって、成形体20の一方の面からテーパー状に形成されており、第2傾斜面38は、実装用凸部36の外周面に合致するように、成形体20の他方の面(重ね合わせ面、構造体3と対向する面)からテーパー状に形成されている。また、この成形体20は、既述の絶縁性樹脂6を用いて、射出成形、トランスファー成形、圧縮成形などの成形法により、成形することができる。
次に、上記の成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定することによって、凹部15を形成する。図10に示すものにあっては、凹凸嵌合によって成形体20と構造体3を重ね合わせて固定しているが、第2傾斜面38で実装用凸部36の外周面を圧接することもでき、成形体20と構造体3とをより強固に固定することができるものである。また、第1及び第2傾斜面37,38の境界線の位置は、実装面7よりも低くなるようにしてあり、実装用凸部36の外周面と第1傾斜面37とで実装面7の周囲に溝部39を形成してある。そして、実装面7に発光素子4を実装すると共に、上記第1傾斜面37に反射面8を形成することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。図10に示すものにあっては、実装面7において2枚の金属体1に跨るように1つの発光素子4を実装してある。なお、構造体3に発光素子4を実装した後に、成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定するようにしてもよい。また、構造体3に重ね合わせる前に、あらかじめ成形体20の貫通孔18の第1傾斜面37に反射面8を形成しておいてもよい。
図10に示す発光素子4は、金バンプや半田バンプ等のバンプ13を介して2枚の金属体1と電気的に接続されており、各金属体1がそれぞれプラス極及びマイナス極となる電極(回路の一部)として使用される。なお、発光素子4の実装方法は、バンプ実装に限定されるものではなく、ワイヤーボンディング(図17参照)、半田リフロー、導電ペーストを使用する方法など、発光素子4の構造に応じて最適な実装方法を選択すればよい。また、個片化された構造体3に実装される発光素子4の個数は、発光素子4の大きさや実装される箇所の面積などに依存するが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜に設定することができる。
上記のように、図10に示すものでは、内側面17に切れ目なく反射面8を形成するようにしたものであり、これにより発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができ、また、構造体3と成形体20とが別体であるので、発光素子4を構造体3に実装した後に、この構造体3と成形体20とを重ね合わせて固定して反射面8を形成することが可能となるが、さらに次のような利点もある。すなわち、図1〜7に示すものにおいては、金属体1間の絶縁を確保するため、実装面7よりも高い位置において絶縁層9や成形体20の表面を露出させなければならないが、これらの面に照射される光は反射させることができないおそれがある。しかし、図10に示すものにおいては、実装面7の周囲に溝部39を形成してあるので、可能な限り溝部39の奥深くまで反射面8を延設して形成することができ、実装面7よりも低い位置において成形体20を露出させることが可能となる。従って、図10に示すものにおいては、発光素子4から斜め下方へ光が照射されても(この光の向きを白抜き矢印で示す)、このような光も確実に反射させることができ、さらに発光効率を高めることができるものである。なお、凹部15の内側面17(第1傾斜面37)に反射面8を形成するにあたっては、既述の方法を使用することができる。
図11(a)に示すものにおいては、成形体20の貫通孔18の全体をテーパー状に形成するのではなく、途中までテーパー状に形成してある。そして貫通孔18の内壁面28においてテーパー状に形成していない面で、構造体3の周囲を抑え付けることによって、成形体20と構造体3とを固定するようにしてある。貫通孔18の内壁面28においてテーパー状に形成してある面とテーパー状に形成していない面との境界は、実装面7よりも低くすることによって、図10と同様に、溝部39を形成してある。貫通孔18の内壁面28には、図11(b)に示すように嵌合凸部34及び嵌合凹部35を形成してもよい。
また、図12に示すものも、図10と同様に、参考例1〜3において、より好ましい高熱伝導性発光素子用回路部品Aの一例を示すものである。この高熱伝導性発光素子用回路部品Aも、既述の個片化して得た構造体3(図19(b)参照)を用いて製造することができる。まず、構造体3の少なくとも2枚以上の金属体1に跨るように、実装用凸部36を形成する。図12に示すものにあっては、直方体状の構造体3の一面において2枚の金属体1に跨るように、実装用凸部36を切断加工により形成してある。この実装用凸部36の外周面は、第1外周面46と第2外周面47の2面で構成されている。第1外周面46は、実装用凸部36の先端面(実装面7)からテーパー状に形成されており、第2外周面47は、実装用凸部36の根元から逆テーパー状に形成されている。つまり、図12の実装用凸部36は、図10の円錐台状の実装用凸部36の下部外周面にテーパー状の切り込みを入れたような形状をしている。発光素子4が実装される実装用凸部36の先端面(実装面7)は、切断加工により形成されるものであるが、発光素子4を実装できる程度の平滑性や粗度を有する切断面を得るため、切断方法としては、ワイヤーカット加工、スライス加工、半導体シリコンウエハの切断加工等の方法を用いるのが好ましい。なお、発光素子4を実装するにあたっては、あらかじめ実装面7に金めっき等を施しておくのが好ましい。
一方、図12に示すものにおいては、図6(b)と同様の貫通孔18を設けた絶縁性の成形体20を形成する。この成形体20は、既述の絶縁性樹脂6を用いて、射出成形、トランスファー成形、圧縮成形などの成形法により、成形することができる。
次に、上記の成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定することによって、凹部15を形成する。図12に示すものにあっては、凹凸嵌合によって成形体20と構造体3を重ね合わせて固定しているが、成形体20と構造体3の重ね合わせ面と実装用凸部36の第2外周面との隙間に、成形体20の貫通孔18の内周縁が食い込むことによって、成形体20と構造体3とをより強固に固定することができるものである。なお、嵌合凹部35及び嵌合凸部34を形成しなくても、成形体20と構造体3とを固定することができるものである。また、成形体20の内壁面18と実装用凸部36の第1外周面46とで実装面7の周囲に溝部39を形成してある。そして、実装面7に発光素子4を実装すると共に、凹部15の内側面17に反射面8を形成することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。図12に示すものにあっては、実装面7において2枚の金属体1に跨るように1つの発光素子4を実装してある。なお、構造体3に発光素子4を実装した後に、成形体20と構造体3とを重ね合わせて固定するようにしてもよい。また、構造体3に重ね合わせる前に、あらかじめ成形体20の貫通孔18の内壁面28に反射面8を形成しておいてもよい。
図12に示す発光素子4は、金バンプや半田バンプ等のバンプ13を介して2枚の金属体1と電気的に接続されており、各金属体1がそれぞれプラス極及びマイナス極となる電極(回路の一部)として使用される。なお、発光素子4の実装方法は、バンプ実装に限定されるものではなく、ワイヤーボンディング(図17参照)、半田リフロー、導電ペーストを使用する方法など、発光素子4の構造に応じて最適な実装方法を選択すればよい。また、個片化された構造体3に実装される発光素子4の個数は、発光素子4の大きさや実装される箇所の面積などに依存するが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜に設定することができる。
上記のように、図12に示すものでは、内側面17に切れ目なく反射面8を形成するようにしたものであり、これにより発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができ、また、構造体3と成形体20とが別体であるので、発光素子4を構造体3に実装した後に、この構造体3と成形体20とを重ね合わせて固定して反射面8を形成することが可能となるが、さらに次のような利点もある。すなわち、図1〜7に示すものにおいては、金属体1間の絶縁を確保するため、実装面7よりも高い位置において絶縁層9や成形体20の表面を露出させなければならないが、これらの面に照射される光は反射させることができないおそれがある。しかし、図12に示すものにおいては、実装面7の周囲に溝部39を形成してあるので、可能な限り溝部39の奥深くまで反射面8を延設して形成することができ、実装面7よりも低い位置において成形体20を露出させることが可能となる。従って、図12に示すものにおいては、発光素子4から斜め下方へ光が照射されても(この光の向きを白抜き矢印で示す)、このような光も確実に反射させることができ、さらに発光効率を高めることができるものである。なお、凹部15の内側面17に反射面8を形成するにあたっては、既述の方法を使用することができる。
次に、参考例4について説明する。図13は、参考例4に係る高熱伝導性発光素子用回路部品Aの一例を示すものである。この高熱伝導性発光素子用回路部品Aも、既述の個片化して得た構造体3(図19(b)参照)を用いて製造することができるものであるが、この構造体3自体には凹部15を形成しない。すなわち、図19(b)において切断面を斜線で示してあるが、この切断面を発光素子4を実装するための実装面7としてそのまま使用するものである。このように実装面7は切断加工により形成されるものであるが、発光素子4を実装できる程度の平滑性や粗度を有する切断面を得るため、切断方法としては、ワイヤーカット加工、スライス加工、半導体シリコンウエハの切断加工等の方法を用いるのが好ましい。なお、発光素子4を実装するにあたっては、あらかじめ実装面7に金めっき等を施しておくのが好ましい。
さらに、参考例4では、図13(a)に示すような貫通孔22を設けた金属部品23を形成する。この金属部品23は、既述の成形体20とほぼ同様の形状をしており(図6(b)参照)、金属板40を加工することによって、形成することができる。金属部品23の外形は、円形であってもよい。金属部品23に設けた貫通孔22は、後述するように、後に凹部15を構成するものであり、テーパー状に形成されている。つまり、貫通孔22の内壁面41が、後に凹部15の内側面17となる。
次に、上記の金属部品23の貫通孔22が、構造体3の少なくとも2枚以上の金属体1に跨るように、絶縁層24を介して金属部品23と構造体3とを重ね合わせて固定することによって凹部15を形成する。図13(c)(d)に示すものにあっては、金属部品23の貫通孔22が、構造体3の2枚の金属体1に跨るように、金属部品23と構造体3とを絶縁層24を介して重ね合わせて固定することによって、凹部15が形成されている。このとき、金属部品23と構造体3との間の絶縁層24は、既述の絶縁性樹脂6を用いて形成することができる。そして、この凹部15の底面16に発光素子4を実装することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。この参考例4では、上記凹部15の内側面17は金属製であるため、熱による変形がなくしかも劣化が少なく、容易に高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができるものであり、しかも金属部品23によって高熱伝導性をさらに高く得ることができるものである。そして、凹部15の内側面17を研磨したり、あるいはアルミニウム、銀、ニッケル、クロム等の金属を凹部15の内側面17にめっき(無電解めっき等)又は蒸着したりすることによって、反射面8を容易に形成することができる。
図13に示すものにあっては、凹部15の底面16において2枚の金属体1に跨るように1つの発光素子4を実装してある。なお、図13(b)のように構造体3に発光素子4を実装した後に、この構造体3と金属部品23とを絶縁層24を介して重ね合わせて固定するようにしてもよい。また、発光素子4を実装する部分となる凹部15について、その形状、形成方法、個数及び形成箇所は、1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aにおいて特に限定されるものではない。つまり、金属部品23に設ける貫通孔22について、その形状、形成方法、個数及び形成箇所は、1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aにおいて特に限定されるものではない。
図13に示す発光素子4は、金バンプや半田バンプ等のバンプ13を介して2枚の金属体1と電気的に接続されており、各金属体1がそれぞれプラス極及びマイナス極となる電極(回路の一部)として使用される。なお、発光素子4の実装方法は、バンプ実装に限定されるものではなく、ワイヤーボンディング(図17参照)、半田リフロー、導電ペーストを使用する方法など、発光素子4の構造に応じて最適な実装方法を選択すればよい。また、個片化された構造体3に実装される発光素子4の個数は、発光素子4の大きさや実装される箇所の面積などに依存するが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜に設定することができる。
上記のように、参考例4では、凹部15の内側面17が切れ目のない反射面8として機能し、これにより発光素子4から発せられる光を均一に反射させて発光効率を高めることができるものである。また、反射面8は、金属部品23の凹部15の内側面17に直に形成することができるので、高熱伝導性をさらに高く得ることができるものである。しかも、金属部品23と構造体3とを重ね合わせて固定する際に両者の間に絶縁層24を設けているので、この絶縁層24によって金属体1同士の導通を防止することができるものである。このとき、金属部品23と構造体3との間の絶縁層24が熱伝導性を有するものであれば、高熱伝導性をさらに高めることができるため、より好ましい。
なお、図示省略しているが、請求項1の発明及び参考例1〜4において、凹部15には蛍光剤入りの封止材を充填してもよく、発光素子4から発する光でこの蛍光剤を励起させるようにしてもよい。また、個片14の凹部15を形成した側の面にガラス板(凸レンズを備えたものなど)や蛍光剤入りのシートを配設し、このガラス板やシートで凹部15の開口を塞ぐようにしてもよい。上記の封止材、ガラス板、シートとしては、透明性を有するものも用いることができる。
そして、上記のようにして製造した高熱伝導性発光素子用回路部品Aを回路基板10(マザーボード)に実装することによって、高放熱モジュールBを製造することができる(請求項の発明)。ここで、図14に示すように高熱伝導性発光素子用回路部品Aの絶縁層2はあらかじめ上述した方法により狭小化された回路5間の間隔とほぼ等しい厚みで形成してあるので、回路基板10において狭い間隔で回路5が形成されていても、高熱伝導性発光素子用回路部品Aの各金属体1をそれぞれ、対応する回路5に容易に電気的に接続することができるものである。回路基板10に実装する高熱伝導性発光素子用回路部品Aの個数は少なくとも1つ以上であれば任意であり、高放熱モジュールBの設計に応じて適宜に設定することができる。回路基板10には、高熱伝導性発光素子用回路部品Aのみを実装するほか、その他の回路部品42(例えば、チップ抵抗)を実装してもよい。回路基板10に実装するその他の回路部品42の個数も任意であり、高放熱モジュールBの設計に応じて適宜に設定することができる。図14は高放熱モジュールBの一例を示すものであり、この高放熱モジュールBは、1つの高熱伝導性発光素子用回路部品Aと2つのチップ抵抗とが半田19により回路基板10に実装されて形成されている。半田19の代わりに導電性(高熱伝導性)接着剤を用いてもよい。高熱伝導性発光素子用回路部品Aの金属体1は発光素子4に比べて大きいため電極として使用することができ、発光素子4を実装した状態で良品又は不良品の検品が可能となり、不良品が回路基板10へ実装されるのを確実に防止することができる。なお、図14では、高熱伝導性発光素子用回路部品Aと回路5との間に半田19を介在させているが、高熱伝導性発光素子用回路部品Aと回路5との間に半田19を介在させることなく、高熱伝導性発光素子用回路部品Aの金属体1の周囲にのみ半田19によるフィレットを形成し、この半田19のフィレットで両者を接合するようにしてもよい。
ここで、図14のような高放熱モジュールBを製造するにあたって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aとしては、発光素子4を実装していない側の面(実装面7と反対側の面、回路5と接続される面)が平坦なものを用いるようにしている。この平坦な面は、図14に示すように半田19により回路5と接続される。しかし、上記の面は平坦であるがゆえに、半田19が移動しやすいものとなっており、場合によっては、金属体1と回路5とを接続するための半田19が、上記の面を伝って、他の金属体1に接触することにより、短絡(いわゆる半田ブリッジ)を生じさせるおそれがある。そこで、このような問題の発生を確実に防止するため、図15に示す高放熱モジュールBにおいては、高熱伝導性発光素子用回路部品Aとして、発光素子4を実装していない側の面に凹設部43を形成したものを用いるようにしている。この凹設部43は、上記の面において絶縁層2を挟む2枚の金属体1,1に跨るように形成してある。このように凹設部43が形成されていると、この凹設部43により半田19の移動が制限され、金属体1と回路5とを接続するための半田19が他の金属体1に接触するようなことがなくなり、半田ブリッジの発生を確実に防止することができるものである。なお、凹設部43も既述の凹部15と同様に座ぐり加工などにより形成することができる。
図17(a)(b)は、本発明に係る高放熱モジュールBの他例を示すものである。いずれの高放熱モジュールBも、まず、図20に示す構造体3(3層回路板)を用いて高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造し、次に、この高熱伝導性発光素子用回路部品Aを回路基板10に実装することによって製造されるものである。
図17(a)に示すものにあっては、直方体状の構造体3の一面において3枚の金属体1a,1b,1cに跨るように、円形の凹部15を座ぐり加工により形成してある。このとき凹部15の内側面17は、底面16から開口へ広がるようにテーパー状に傾斜させている。次に、この凹部15の底面16において中央の金属体1bに発光素子4を実装する。このとき凹部15の底面16にはあらかじめ金めっき等のめっきを施しておくのが好ましい。そして上記凹部15の内側面17に絶縁層9を介して反射面8を形成することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。中央の金属体1bに実装した発光素子4は、ワイヤー44によって両側の金属体1a,1cと電気的に接続してある。また、中央の金属体1bは、凹部15を形成した側と反対側の面において凸設させており、回路基板10に半田付け等により直に接合している。両側の金属体1a,1cは、回路基板10に絶縁層21を介して形成した回路5にそれぞれ半田19により接合してある。
一方、図17(b)に示すものにあっては、成形体20に設けた貫通孔18が、直方体状の構造体3の一面において3枚の金属体1に跨るように、成形体20を構造体3に重ね合わせて固定することによって、凹部15を形成してある。このとき凹部15の内側面17は、底面16から開口へ広がるようにテーパー状に傾斜させている。次に、この凹部15の底面16において中央の金属体1bに発光素子4を実装する。このとき凹部15の底面16にはあらかじめ金めっき等のめっきを施しておくのが好ましい。そして成形体20に金属加工部品32を被せて、上記凹部15の内側面17に反射面8を形成することによって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aを製造することができる。中央の金属体1bに実装した発光素子4は、ワイヤー44によって両側の金属体1a,1cと電気的に接続してある。また、中央の金属体1bは、凹部15を形成した側と反対側の面において凸設させており、回路基板10に半田付け等により直に接合している。両側の金属体1a,1cは、回路基板10に絶縁層21を介して形成した回路5にそれぞれ半田19により接合してある。
上記の回路基板10としては、特に限定されるものではなく、例えば、FR−4等の樹脂系基板に回路5を形成したものやリードフレームに回路5を形成したものを用いることができる。放熱特性を高く得るためには、金属基板11に絶縁層21を介して回路5を形成したものを用いるのが好ましい。特に、このような回路基板10として、熱伝導率2W/mk以上の絶縁層21が表面に形成された金属基板11を用いると、放熱特性をさらに高く得ることができる。絶縁層2の熱伝導率は高ければ高いほどよく、上限は特に限定されるものではない。絶縁層21の熱伝導率が2W/mk未満であると、放熱特性のさらなる向上は期待できないおそれがある。なお、回路5の形成方法としては、ファインライン(狭ピッチの回路5)を形成することができる方法であれば、特に限定されるものではなく、例えば、銅箔などの金属箔をエッチングする方法を用いることができる。また回路5の厚みは、ファインラインを形成できる35μm程度以下の厚みが好ましいが、この厚みに限定されるものではない。
上記のようにして製造した高放熱モジュールBにあって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aの絶縁層2を回路5間の絶縁として活用でき、この絶縁層2(回路5間隔)は図19〜図21に示す方法により非常に高い精度で形成することができるので、回路基板10の回路5が狭い間隔で形成されていても特に問題はない。
また、上記のようにして製造した高熱伝導性発光素子用回路部品Aを絶縁層25を介して回路基板10(マザーボード)に実装することによって、図18(a)〜(d)に示すような高放熱モジュールBを製造することもできる(請求項の発明)。高熱伝導性発光素子用回路部品Aの金属体1は、回路基板10の表面に形成した回路5と半田19により電気的に接続されて、回路5の一部を構成している。回路基板10に実装する高熱伝導性発光素子用回路部品Aの個数は少なくとも1つ以上であれば任意であり、高放熱モジュールBの設計に応じて適宜に設定することができる。回路基板10には、高熱伝導性発光素子用回路部品Aのみを実装するほか、その他の回路部品(例えば、チップ抵抗)を実装してもよい。回路基板10に実装するその他の回路部品の個数も任意であり、高放熱モジュールBの設計に応じて適宜に設定することができる。高熱伝導性発光素子用回路部品Aの金属体1は発光素子4に比べて大きいため電極として使用することができ、発光素子4を実装した状態で良品又は不良品の検品が可能となり、不良品が回路基板10へ実装されるのを確実に防止することができる。なお、図18(c)に示す高放熱モジュールBにあっては、高熱伝導性発光素子用回路部品Aの回路基板10と対向する面において、この面の周囲に切欠部45を形成してある。これにより、回路5a,5b間の間隔をより狭くすることができるものである。
図16は、本発明に係る高放熱モジュールBの他例を示すものである。この高放熱モジュールBは、回路基板10としていわゆるフラッシュプリント配線板を用い、この回路基板10に高熱伝導性発光素子用回路部品Aを実装することによって、製造されるものである。フラッシュプリント配線板は、図16のように回路5が絶縁層25に埋め込まれることによりピール強度が向上するのでファインパターンに適している。そして、このように回路5間の間隔が狭い回路基板10であっても、本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品Aを実装することができるものであり、これにより従来のモジュールよりも高熱伝導性を高く得ることができるものである。なお、図示省略しているが、図16に示す高放熱モジュールBにおいても、図15に示すものと同様に凹設部43を形成してもよい。
上記の回路基板10としては、特に限定されるものではないが、例えば、金属基板11に絶縁層21を介して回路5を形成したものを用いることができる。特に、高熱伝導性発光素子用回路部品Aと回路基板10との間の絶縁層25や回路5を形成するための絶縁層21が熱伝導性を有していれば、高熱伝導性をさらに高く得ることができるものである。具体的には、絶縁層25,21の熱伝導率は2W/mk以上であることが好ましい。絶縁層25,21の熱伝導率は高ければ高いほどよく、上限は特に限定されるものではない。絶縁層25,21の熱伝導率が2W/mk未満であると、放熱特性のさらなる向上は期待できないおそれがある。なお、回路5の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、銅箔などの金属箔をエッチングする方法を用いることができる。また回路5の厚みは、ファインラインを形成できる35μm程度以下の厚みが好ましいが、この厚みに限定されるものではない。
上記のようにして製造した高放熱モジュールBにあって、高熱伝導性発光素子用回路部品Aにおける絶縁層2を回路5間の絶縁として活用することができる。
ところで、使用する発光素子4によっては、回路5に大きな電流を流さなければならない場合が生じる。このとき回路5としては、抵抗を小さくするため、厚みの厚いものを形成することとなるが、厚みの厚い回路を形成すると、回路5間の間隔を狭くすることができない。しかし、逆に回路5間の間隔を広くすると、発光素子4に設けたバンプ13を回路5に載せることができなくなるおそれがある。よって、図22に示すような従来のモジュールCにあっては、設計上、回路5a,5b間の間隔とバンプ13a,13b間の間隔との両方を十分に考慮に入れねばならず、煩雑な面があった。
しかし、本発明には上記のような煩雑な面は一切ない。すなわち、大きな電流を必要とする発光素子4を使用する場合には、回路5としては、厚みの厚いものを形成すればよい。そうすると、図16や図18に示すように回路5a,5b間の間隔は広くなるが、本発明においては、この回路5に直に発光素子4を実装するものではなく、金属体1を介して間接的に実装するものであるため、発光素子4に設けたバンプ13a,13b間の間隔が狭くても、これは全く関係がない。つまり、図16や図18に示す本発明に係る高放熱モジュールBにあっては、回路5a,5b間の間隔とバンプ13a,13b間の間隔とが相互に制限を受けることがなく、高放熱モジュールBの設計の自由度が高まるものである。
また、高熱伝導性発光素子用回路部品Aの金属体1を回路5の一部として使用することができる上に、この金属体1にヒートシンク(ヒートスプレッダ)としての役目も持たせることができる。すなわち、図22に示すような金属基板11を用いたモジュールCや、セラミック基板を用いたモジュールでは、発光素子4から発する熱を回路5、金属基板11、セラミック基板から放散させることしか期待することができないが、図16や図18に示すような高放熱モジュールBであると、発光素子4に比べて大きな金属体1が発光素子4と回路5との間に存在するため、発光素子4から発する熱をこの金属体1を通じて効率よく伝達し、放散させることが可能となり、熱放散性が格段に向上するのである。この熱放散性はセラミック基板以上である。そして、高熱伝導性発光素子用回路部品A自体は上述の方法により安価に製造することができるので、この高熱伝導性発光素子用回路部品Aを用いると、高熱伝導性を十分に得ることができる高放熱モジュールBも安価に製造することができるものである。
なお、本発明に係る高放熱モジュールBは、例えば、小型のLED実装済み高熱伝導性発光素子用回路部品Aを回路基板10全面に実装することにより非常に明るい照明用基板モジュールとして使用可能である。また、小型の高熱伝導性発光素子用回路部品A1個に発光素子4を複数個実装することも可能であり、点光源としての高輝度化に非常に有利であり、実装部品点数を減らすことも容易である。結果として非常に低コストな高放熱モジュールBを製造することができるようになるものである。
本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の一例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は斜視図である。 本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は斜視図である。 本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は斜視図である。 本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は反射面形成用環状体を示す斜視図、(b)は反射面を形成する前の構造体を示す斜視図、(c)は反射面を形成した後の構造体(高熱伝導性発光素子用回路部品)を示す斜視図である。 参考例1に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は斜視図である。 参考例1に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は金属加工部品を示す斜視図、(b)は成形体を示す斜視図、(c)は反射面を形成する前の構造体を示す斜視図、(d)は反射面を形成した後の構造体(高熱伝導性発光素子用回路部品)を示す斜視図、(e)は上記(d)の断面図である。 熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は金属加工部品を示す斜視図、(b)は成形体を示す斜視図、(c)は反射面を形成する前の構造体を示す斜視図、(d)は反射面を形成した後の構造体(高熱伝導性発光素子用回路部品)を示す斜視図、(e)は上記(d)の断面図である。 熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示す斜視図である。 熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示す断面図である。 参考例1〜3に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示す断面図である。 熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は一部を拡大した断面図である。 参考例1〜3に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示す断面図である。 参考例4に係る高熱伝導性発光素子用回路部品の他例を示すものであり、(a)は金属部品を示す斜視図、(b)は反射面を形成する前の構造体を示す斜視図、(c)は反射面を形成した後の構造体(高熱伝導性発光素子用回路部品)を示す斜視図、(d)は上記(c)の断面図である。 本発明に係る高放熱モジュールの一例を示す断面図である。 本発明に係る高放熱モジュールの他例を示す断面図である。 本発明に係る高放熱モジュールの他例を示す断面図である。 本発明に係る高放熱モジュールの他例を示すものであり、(a)及び(b)はそれぞれ異なる高熱伝導性発光素子用回路部品を用いて製造した高放熱モジュールの一部を拡大して示す断面図である。 本発明に係る高放熱モジュールの他例を示すものであり、(a)〜(d)はそれぞれ異なる高熱伝導性発光素子用回路部品を用いて製造した高放熱モジュールの一部を拡大して示す断面図である。 本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品を製造するための構造体の一例を示すものであり、(a)は切断加工前の斜視図、(b)は切断加工後の斜視図である。 本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品を製造するための構造体の他例を示すものであり、(a)は切断加工前の斜視図、(b)は切断加工後の斜視図である。 本発明に係る高熱伝導性発光素子用回路部品を製造するための構造体の他例を示すものであり、(a)は切断加工前の斜視図、(b)は切断加工後の斜視図である。 従来のモジュールを示す断面図である。
符号の説明
A 高熱伝導性発光素子用回路部品
B 高放熱モジュール
1 金属体
2 絶縁層
3 構造体
4 発光素子
5 回路
8 反射面
9 絶縁層
10 回路基板
12 金属層
15 凹部
16 底面
17 内側面
18 貫通孔
20 成形体
22 貫通孔
23 金属部品
24 絶縁層
25 絶縁層

Claims (4)

  1. 少なくとも2枚以上の金属体が絶縁層を介して積層一体化されて構造体が作製され、この構造体の少なくとも2枚以上の金属体に跨るように凹部が形成され、この凹部の底面に発光素子が実装されると共に上記凹部の内側面に絶縁層が形成され、金属体同士を導通しないように上記絶縁層に金属層が形成されることによって反射面が形成され、上記金属体が回路として用いられて成ることを特徴とする高熱伝導性発光素子用回路部品。
  2. 請求項1に記載の高熱伝導性発光素子用回路部品が回路基板に実装されて成ることを特徴とする高放熱モジュール。
  3. 請求項1に記載の高熱伝導性発光素子用回路部品が絶縁層を介して回路基板に実装されて成ることを特徴とする高放熱モジュール。
  4. 高熱伝導性発光素子用回路部品と回路基板との間の絶縁層が熱伝導性を有して成ることを特徴とする請求項3に記載の高放熱モジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101902371B1 (ko) * 2017-03-02 2018-09-28 주식회사 이츠웰 파장 선택형 엘이디 패키지 및 이를 이용한 엘이디 패키지 어레이

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100867515B1 (ko) * 2004-12-06 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광소자 패키지
JP4699043B2 (ja) * 2005-02-21 2011-06-08 株式会社 大昌電子 基板の製造方法
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
JP4915052B2 (ja) * 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Led部品およびその製造方法
JP4915058B2 (ja) * 2005-06-06 2012-04-11 パナソニック株式会社 Led部品およびその製造方法
US20070200133A1 (en) * 2005-04-01 2007-08-30 Akira Hashimoto Led assembly and manufacturing method
JP4979896B2 (ja) * 2005-04-25 2012-07-18 パナソニック株式会社 発光装置
JP2007036073A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Hitachi Displays Ltd 照明装置およびこの照明装置を用いた表示装置
KR100629496B1 (ko) 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
CN101356640B (zh) * 2005-11-24 2011-02-16 三洋电机株式会社 电子部件安装板和用于制造这种板的方法
KR101283182B1 (ko) 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP5956937B2 (ja) * 2006-02-03 2016-07-27 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP2008028352A (ja) * 2006-06-02 2008-02-07 Nec Lighting Ltd 電子機器および電子機器の製造方法
JP2007329219A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2008098555A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Genki Koden Handotai Kofun Yugenkoshi 植え込み式ledを有するバックライト・パネルの構造及びその製作方法
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
US8604506B2 (en) 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
US8421088B2 (en) 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
JP2008235867A (ja) * 2007-02-22 2008-10-02 Sharp Corp 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP5106094B2 (ja) * 2007-02-22 2012-12-26 シャープ株式会社 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP5132961B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 ハリソン東芝ライティング株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5233170B2 (ja) * 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
JPWO2009051178A1 (ja) * 2007-10-19 2011-03-03 日本タングステン株式会社 Ledパッケージ基板およびそれを用いたledパッケージ
JP2009267102A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Kyocera Corp 発光装置
JP5294741B2 (ja) * 2008-07-14 2013-09-18 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
WO2010095482A2 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 三洋電機株式会社 電子部品用基板、発光装置および電子部品用基板の製造方法
WO2011038552A1 (zh) * 2009-09-30 2011-04-07 Huo Weimin 一种具有良好散热器功能的发光二极管节能灯
JPWO2012014382A1 (ja) 2010-07-27 2013-09-09 パナソニック株式会社 半導体装置
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
TWI414050B (zh) * 2010-10-19 2013-11-01 Unistars 封裝板與其製造方法
JP2013065706A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 発熱デバイス組立体および発熱デバイス組立体の製造方法
US9263658B2 (en) 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
WO2013133594A1 (en) 2012-03-05 2013-09-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP6293995B2 (ja) * 2012-03-23 2018-03-14 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ
KR101273045B1 (ko) 2012-06-11 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN103000789B (zh) * 2012-11-30 2015-08-19 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架、贴片式led及贴片式led支架的成型方法
KR102005235B1 (ko) 2013-03-06 2019-07-30 삼성전자주식회사 플립칩 본딩 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지
JP6536992B2 (ja) * 2015-03-26 2019-07-03 大口マテリアル株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法
KR102459651B1 (ko) 2017-06-15 2022-10-27 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
JP7165862B2 (ja) * 2018-07-31 2022-11-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光モジュール及び照明装置
JP7349303B2 (ja) * 2019-09-20 2023-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ Ledモジュール及び表示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4065051B2 (ja) * 1998-04-17 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 表面実装ledとその製造方法
JP2000101149A (ja) * 1998-09-25 2000-04-07 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP3217322B2 (ja) * 1999-02-18 2001-10-09 日亜化学工業株式会社 チップ部品型発光素子
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
JP3696021B2 (ja) * 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
JP3991624B2 (ja) * 2001-06-26 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP3768864B2 (ja) * 2001-11-26 2006-04-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4003866B2 (ja) * 2001-12-04 2007-11-07 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2003218398A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101902371B1 (ko) * 2017-03-02 2018-09-28 주식회사 이츠웰 파장 선택형 엘이디 패키지 및 이를 이용한 엘이디 패키지 어레이

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