JP4699043B2 - 基板の製造方法 - Google Patents

基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4699043B2
JP4699043B2 JP2005044614A JP2005044614A JP4699043B2 JP 4699043 B2 JP4699043 B2 JP 4699043B2 JP 2005044614 A JP2005044614 A JP 2005044614A JP 2005044614 A JP2005044614 A JP 2005044614A JP 4699043 B2 JP4699043 B2 JP 4699043B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
plating layer
copper plating
insulating base
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005044614A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006229162A (ja
Inventor
敏男 大脇
充 小山
Original Assignee
株式会社 大昌電子
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社 大昌電子 filed Critical 株式会社 大昌電子
Priority to JP2005044614A priority Critical patent/JP4699043B2/ja
Publication of JP2006229162A publication Critical patent/JP2006229162A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4699043B2 publication Critical patent/JP4699043B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156Side view

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光素子を収容するためのテーパー状の凹部を有する板の製造方法に関するものである。
近年、赤外線通信(IrDA)が注目を集めている。赤外線通信は、赤外線発光素子からの光信号を受光手段により受信することにより、結線を用いることなく、且つ外部光による影響が少ない状態で、信号の伝達ができるというもので、赤外線通信装置を搭載した携帯電話も多く見受けられる。また、赤外線通信を用いた無線電子決済システムが標準化されたため、さらに重要度が増してきている。
このような赤外線通信装置において、赤外線を発光する発光素子を絶縁基材に設ける場合、通常、絶縁基材の表面に載置させて設けられている。(特許文献1参照)
特開2001−160631号公報
また、図10に示すように、絶縁基材72に厚さ方向に凹むテーパ状の収容凹部73を座ぐり加工で形成し、その後絶縁基材72をめっき層3で被覆して、収容凹部73の底部73aのめっき層3上に発光素子71を載置させることが行われている。これは、収容凹部73のテーパ状の内周面73bを利用して赤外線を反射させて、より集光効率を向上させようとするものである。
しかし、絶縁基材72はガラスクロスを含んでおり硬いため、座ぐり加工を行ったときに、絶縁基材72に当たっているだけの状態となる座ぐり加工器具の切削刃の中心は、加工されにくい。このため、底部73aの中心部に削り残しができてしまい、図10に示すような突起部70ができてしまうことがある。このように、突起部70ができると底部73aが平坦ではなくなり、その上のめっき層3も突起部74を有することになり平坦でなくなるため、発光素子71を水平に載置させることができなくなってしまう。
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであって、その目的とするところは、赤外線の所望の反射率を得るためにテーパ状の収容凹部を形成する場合であっても、後に載置される発光素子を水平に載置させることを可能にした基板の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、発光素子を収容するためのテーパ状の収容凹部を有する基板の製造方法において、絶縁基材に穴部を形成する穴部形成工程と、前記穴部に充填剤を充填させて穴埋めする穴埋め工程と、前記穴部内に底部の中央部が位置するように前記収容凹部を座ぐり加工によって形成する収容凹部形成工程とを有することを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明において、前記穴部は、貫通孔であることを特徴とする。
請求項1に係る発明によれば、絶縁基材に穴部を形成し、その内部に充填剤を充填させて穴埋めした後、絶縁基板に座ぐり加工を施して、収容凹部をその底部の中央部が穴部内に位置するように形成する。このとき、穴部内には充填剤が充填されているので座ぐり加工を施し易く、収容凹部の底部の中心部に突起部を生じさせることなく平坦に形成することができる。したがって、収容凹部の底部に発光素子を水平な状態で設けることができる。
請求項2に係る発明によれば、穴部が貫通孔であるため、穴部内の空気を逃がしながら充填剤を穴部に充填することができる。したがって、穴部内に隙間なく充填剤を充填させることができる。
以下、本発明の製造方法の一実施形態について、図1〜図8に基づいて説明する。
図1は、本実施形態の製造方法により得られる赤外線通信モジュール基板1(基板)を示すものであり、この基板1は、絶縁基材(基材)2を有している。この絶縁基材2は、樹脂とガラスクロスとの複合材料から成るもので、樹脂を含浸させたガラスクロスを層状にすることで、所定の厚さの板状に形成されている。
そして、絶縁基材2には、その上面2aからその厚さ方向に沿って所定の深さで凹むテーパ状のパラボラ収容凹部7(収容凹部)が、座ぐり加工によって所定の数形成されている。このパラボラ収容凹部7は、下方にいくにつれて径が小さくなるように形成され、その底部9の底面9Aは、絶縁基材2の上面2aと平行になっている。このパラボラ収容凹部7の内周面7bは、水平面に対して40°〜50°の範囲内の角度θで傾斜している。
このような、パラボラ収容凹部7の底部9には、絶縁基材2の厚さ方向において、底部9の底面9Aから絶縁基材2の下面2bへと貫通する円筒状の貫通孔5(穴部)が底面9Aと同軸に穿設されている。この貫通孔5は、その孔径が底部9の底面9Aの径よりも小径とされている。なお、貫通孔5をパラボラ収容凹部7の中央部を含むように形成すれば、必ずしも底面9Aと同軸に形成する必要はない。
そして、絶縁基材2の上面2aには、パラボラ収容凹部7の開口部8を形成する一次銅めっき層3Bが形成されている。さらに、貫通孔5の内周面には、一次銅めっき層3Aが形成されており、この一次銅めっき層3Aは、絶縁基材2の下面2bにおける貫通孔5の開口部周縁に形成されている一次銅めっき層3Cと一体となっている。これら一次銅めっき層3A,3B,3Cは、均一な厚さで形成されており、その厚さは絶縁基材2上の導通性を確保できる厚さとなっている。このとき、パラボラ収容凹部7には、一次銅めっき層は形成されていない。
貫通孔5の内部には、一次銅めっき層3Aの内側に銅粒子を含んだ樹脂から成る銅ペースト6(充填剤)が隙間なく充填されている。この銅ペースト6の上面6cは、パラボラ収容凹部7の底部9の底面9Aと面一となっており、底部9は全体的に平坦を成している。また、銅ペースト6の下面6bは、一次銅めっき層3Cの下面と面一となっている。
そして、銅ペースト6の上面6c、パラボラ収容凹部7の内周面7b及び一次銅めっき層3Bの表面には、これらを被覆する二次銅めっき層4Aが一体的に形成されている。また、銅ペースト6の下面6b及び一次銅めっき層3Cの表面には、これらを共に被覆する二次銅めっき層4Cが形成されている。これらの二次銅めっき層4A,4Cも、上記一次銅めっき層3A,3B,3Cと同様に均一な厚さで形成されている。
そして、絶縁基材2の上面2a側において、二次銅めっき層4Aの表面には、ニッケル層11及び金めっき層18が積層形成されている。詳しくは、二次銅めっき層4Aの上にニッケル層11が形成されており、ニッケル層11の上に金めっき層18が形成されている。この金めっき層18の厚さは、赤外線を均一に反射可能な厚さとなっている。
また、絶縁基材2の下面2b側においては、上記のように貫通孔5の開口部周縁を被覆する一次銅めっき層3Cと、この一次銅めっき層3Cの表面及び銅ペースト6の下面6bとを被覆する二次銅めっき層4Cが形成されており、これらを完全に被覆するように、感光性レジスト層12が絶縁基材2の下面2bに塗布されている。
そして、発光素子17が上記パラボラ収容凹部7の底面9A上の金めっき層18の上に搭載される。このとき発光素子17のワイヤをニッケル層11及び金めっき層18に打ち込む。
次に、上記した赤外線通信モジュール基板1の製造方法の一例、すなわち本発明の一実施形態について、図2〜図8を参照して説明する。
図2に示すように、ガラスクロスを含む絶縁基材2に、その厚さ方向に貫通する貫通孔
5を打ち抜き法で形成する(穴部形成工程)。この貫通孔5は、互いに所定の間隔をおい
て所定の数形成される。
そして、図3に示すように、貫通孔5の内周面を含む絶縁基材2の表面に、無電解銅めっき法によって第1の銅めっき処理を施して、一次銅めっき層3を均一な厚さで形成する。
続いて、図4に示すように、一次銅めっき層3が形成された貫通孔5を穴埋めするようにして、その内部に銅ペースト6を充填させる(穴埋め工程)。このとき、銅ペースト6は、その上面6a及び下面6bが、絶縁基材2の上面2a及び下面2bに施された一次銅めっき層3の表面と面一と成るように充填する。
次に、図5に示すように、座ぐり用ビット13(座ぐり加工器具)を用いて、絶縁基材2の厚さ方向に座ぐり加工を施し、パラボラ収容凹部7を形成する(収容凹部形成工程)。
ここで、座ぐり用ビット13には、側面視略円錐状の先端部13aが形成されており、この先端部13aの先端には、端部13bが座ぐり用ビット13の軸心Lに沿う方向に対して垂直に設けられている。この端部13b上において、軸心Lと端部13bとが交わる交点13Aは、端部13bの中心部と水平方向で一致していないため、先端13aにおける左右の傾斜面13c,13dは、水平面に対する傾斜角度がそれぞれ異なっている。このうち、端部13bに対して急な傾斜となっている傾斜面13c側に、切削刃14が設けられている。また、この傾斜面13cの傾斜角度θ1は、水平面から40°〜50°とされている。
このような座ぐり用ビット13を絶縁基材2の上面2aに対して垂直にするとともに、座ぐり用ビット13の交点13Aをその上面2aにおける貫通孔5の中心部分、つまり、銅ペースト6の部分に位置させる。この状態で、座ぐり用ビット13を軸心Lを中心として回転させると、軸心Lから離れている傾斜面13c側が外側となって回転し、傾斜面13cに設けられた切削刃14及び端部13bが、絶縁基材2及び銅ペースト6をこれらの厚さ方向へと切削していくことで、パラボラ収容凹部7が形成されることになる(収容凹部形成工程)。このとき、絶縁基材2と座ぐり用ビット13の傾斜面13dとが接触することはなく、相互間には隙間が設けられることになる。この隙間から、切削刃14及び端部13bで絶縁基材2を切削するときに出る切くずを絶縁基材2の上面2aへと随時排出させながら、絶縁基材2を所定の深さまで切削していく。
このようにして、図6に示すようなパラボラ収容凹部7が形成されることになる。このとき、パラボラ収容凹部7の内周面7bは、傾斜面13cの傾斜角度θ1に沿って形成されるため、内周面7bの水平面に対する傾斜角度θ2は40°〜50°となり、すなわち傾斜角度θ1と同様の傾斜角度となる。なお、傾斜角度の異なる座ぐり用ビット13を用いれば、パラボラ収容凹部7の内周面7bの傾斜角度を適宜変えることができる。
そして、パラボラ収容凹部7の形成によって切削された一次銅めっき層3は、パラボラ収容凹部7の開口部8を有する一次銅めっき層3Bとなる。また、パラボラ収容凹部7の底面9Aに開口する貫通孔5の内周面に形成されている一次銅めっき層が一次銅めっき層3Aとなる。この貫通孔5の内部に充填されている銅ペースト6の上面6cが、パラボラ収容凹部7の底面9Aを呈することになる。
次に、上記のように、パラボラ収容凹部7を形成した絶縁基材2に第2の銅めっき処理を施して二次銅めっき層4を形成する。まず、図7に示すように、絶縁基材2の上面2aに形成されている一次銅めっき層3Bの表面と、パラボラ収容凹部7の内周面7b、つまり、図6に示すように、パラボラ収容凹部7の形成によって露出した絶縁基材2と、パラボラ収容凹部7の底面9Aの中央部を呈する銅ペースト6の上面6cとに、これらを被覆する第2の銅めっき処理を施して、二次銅めっき層4Aを形成する。さらに、絶縁基材2の下面2bに形成されている一次銅めっき層3の表面と、銅ペースト6の下面6bとを被覆する二次銅めっき層4Bを形成する。これにより、絶縁基材2は、二次銅めっき層4A,4Bによって完全に被覆される。
さらに、図8に示すように、絶縁基材2の上面2a側に、発光素子17を搭載するためのニッケルめっき層11と金めっき層18とを順に積層する。詳しくは、二次銅めっき層4Aの表面にニッケルめっき層11を形成し、その上から金めっき層18を形成する。この金めっき層18には、発光素子17を導通させるときのワイヤが打ち込まれる。金めっき層18は軟質であるので、発光素子17のワイヤを打ち込みやすいが、その強度を向上させるために、上記のように、ニッケル層11を下地として形成する。
また、図8に示す絶縁基材2の下面2b側において、貫通孔5の開口部の中心部から径方向外側に広がる所定の範囲内の一次銅めっき層3及び二次銅めっき層4Bを残して、その他の部分に形成されている一次銅めっき層3及び二次銅めっき層4Bをエッチングによって除去し、絶縁基材2の下面2bを露出させる。すると、図1に示すように、絶縁基材2の下面2bには、貫通孔5の開口部周縁を被覆する一次銅めっき層3Cと、この一次銅めっき層3C及び銅ペースト6の下面6bとを被覆する二次銅めっき層4Cとが形成される。ここで、上記した所定の範囲は、絶縁基材2には、複数の貫通孔5が形成されているため、少なくとも各貫通孔5毎に形成される一次銅めっき層3C及び二次銅めっき層4C同士が繋がらず、貫通孔5を完全に絶縁できるような範囲である。
このようにして、一次銅めっき層3A、3B、3C及び二次銅めっき層4A、4Bが形成される。
そして、貫通孔5の周縁部分にある銅めっき層3,4を被覆するようにして、感光性樹脂であるレジストを絶縁基材2の下面2b上に塗布して感光性レジスト層12を形成する。
このように、パラボラ収容凹部7は、その底部9の底面9Aの中央部が貫通孔5内に位置するように形成されていることから、座ぐり加工の中心が銅ペースト6となるので加工しやすく、中央部に突起部のない平坦な底部9とすることができる。したがって、パラボラ収容凹部7の底部9に発光素子17を水平な状態で設けることができる。尚、底部9は、必ずしも平坦でなくてもよく、底面9Aに発光素子17を水平に載置できればよい。例えば、発光素子17の載置に影響がなければ、底面9Aの中央部が若干凹んでいてもよい。
また、パラボラ収容凹部7の内周面7bは、傾斜を成しているとともに金めっき層18が露出しているので、発光素子17が発する赤外線の左右に広がる散乱光を反射させながら効率よく集光させることができる。よって、赤外線の所望の反射率を得ることができるとともに、均一且つ良好に絶縁基材2の上方へと赤外線を放射させることができる。
また、絶縁基材2に、熱伝導性が極めて良好な銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bを形成することによって、発光素子17から生じた熱を大気中に放熱することが可能となる。さらに、これら銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bは、パラボラ収容凹部7及び貫通孔5を介して絶縁基材2の上面2a及び下面2bへと繋がっているため、放熱効果をより向上させることができる。したがって、発光素子17の劣化を防ぎ、長寿命化を図ることができる。加えて、発光素子17の発熱によって膨張してしまう絶縁基材2の影響を受け難くすることができる。
さらに、銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bは、無電解銅めっき法によって形成されるので、表面の粗い絶縁基材2であっても、その厚みを均一に形成することができる。電解銅めっき法を用いた場合と比べると、多少時間は掛かるが、厚みにムラのない銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bを形成することができる。
また、絶縁基材2を貫通させて貫通孔5を設けることにより、貫通孔5内の空気を逃がしながら銅ペースト6を貫通孔5内に充填することができるので、貫通孔5内に隙間なく銅ペースト6を充填させることができる。この銅ペースト6は、銅粒子を含んでいるので、熱伝導性だけでなく、電気伝導性も良い。
また、上記のように絶縁基材2の下面2b側に塗布された感光性レジスト層12によって、各貫通孔5を絶縁させることができる。さらに、この感光性レジスト層12が銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bの防護層となり、これら銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bの酸化を防ぐことができる。
尚、上記のような銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bは、発光素子17への一定の導通性を確保するための厚みを適宜確保する必要がある。
また、絶縁基材2の下面2bにエッチングを施したが、各貫通孔5を絶縁できればよく、その処理方法は問わない。
さらに、貫通孔5は、絶縁基材2を貫通するのではなく、底部を有して形成しても良い。
加えて、上記では、充填剤として銅ペースト6を用いたが、これに限らず、樹脂ペースト或いは金属粉入りのペーストを用いても良い。
また、上記において貫通孔5は、パラボラ収容凹部7の底面9Aよりも小径を成しているが、例えば、図9に示すように、パラボラ収容凹部7全体が貫通孔25内に収まるように形成してもよい。つまり、絶縁基材2に、パラボラ収容凹部7よりも大きい径で貫通孔25を形成し、この貫通孔25の内周面を含む絶縁基材2の表面に一次銅めっき層3を施す。そして、貫通孔25を穴埋めするようにして、その内部に銅ペースト6或いは樹脂ペースト25を充填した後、貫通孔25の中心部にパラボラ収容凹部7を形成する。このように、充填剤に銅ペースト6或いは樹脂ペースト25を用いた場合には、パラボラ収容凹部7を含む絶縁基材2の表面に、上記と同様、二次銅めっき層、ニッケルめっき層及び金めっき層を形成する。
尚、貫通孔25の穴埋めには、発光性の高い樹脂ペーストを用いることが好ましく、例えば、銀ペーストを充填しても良い。これにより、上記のような二次銅めっき層、ニッケルめっき層及び金めっき層を施す必要はなくなり、作業が容易となる。
本発明における一実施形態の製造方法により得られた赤外線通信モジュール基板を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における一実施形態の赤外線通信モジュール基板の製造工程を示す側断面図である。 本発明における他の実施形態の製造方法により得られた赤外線通信モジュール基板を示す側断面図である。 従来の赤外線通信モジュール基板の形態を示す側断面図である。
符号の説明
1 赤外線通信モジュール基板(基板)
2 絶縁基材
5 貫通孔(穴部)
6 銅ペースト(充填剤)
7 パラボラ収容凹部(収容凹部)
9 底部
17 発光素子

Claims (2)

  1. 発光素子を収容するためのテーパ状の収容凹部を有する基板の製造方法において、
    絶縁基材に穴部を形成する穴部形成工程と、
    前記穴部に充填剤を充填させて穴埋めする穴埋め工程と、
    当該穴埋め工程終了後、前記穴部内に底部の中央部が位置するように前記収容凹部を座ぐり加工によって形成する収容凹部形成工程、
    とを有することを特徴とする基板の製造方法。
  2. 前記穴部は、貫通孔であることを特徴とする請求項1記載の基板の製造方法
JP2005044614A 2005-02-21 2005-02-21 基板の製造方法 Active JP4699043B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005044614A JP4699043B2 (ja) 2005-02-21 2005-02-21 基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005044614A JP4699043B2 (ja) 2005-02-21 2005-02-21 基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006229162A JP2006229162A (ja) 2006-08-31
JP4699043B2 true JP4699043B2 (ja) 2011-06-08

Family

ID=36990217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005044614A Active JP4699043B2 (ja) 2005-02-21 2005-02-21 基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4699043B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4809308B2 (ja) * 2007-09-21 2011-11-09 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
TWI406384B (zh) * 2008-07-25 2013-08-21 Unimicron Technology Corp 封裝基板及其製法
JP6379786B2 (ja) * 2014-07-18 2018-08-29 大日本印刷株式会社 貫通電極基板、配線基板および半導体装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0864929A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Mitsubishi Gas Chem Co Inc チップled搭載用基板の製造法
JPH0883930A (ja) * 1994-09-14 1996-03-26 Mitsubishi Gas Chem Co Inc チップled搭載用基板の製造法
JP2002094122A (ja) * 2000-07-13 2002-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置及びその製造方法
JP2004282065A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Chin Sokin 熱伝導及び輝度を高める発光ダイオードのパッケージ構造
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005039100A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0864929A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Mitsubishi Gas Chem Co Inc チップled搭載用基板の製造法
JPH0883930A (ja) * 1994-09-14 1996-03-26 Mitsubishi Gas Chem Co Inc チップled搭載用基板の製造法
JP2002094122A (ja) * 2000-07-13 2002-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置及びその製造方法
JP2004282065A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Chin Sokin 熱伝導及び輝度を高める発光ダイオードのパッケージ構造
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005039100A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006229162A (ja) 2006-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4828248B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20030193083A1 (en) Substrate for light emitting diodes
US20090026620A1 (en) Method for cutting multilayer substrate, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, light emitting device, and backlight device
JP5038631B2 (ja) 発光装置
JP4735941B2 (ja) 発光素子用の配線基板
JP2008300782A (ja) 貫通電極付き基板の製造方法
CN108696995B (zh) 阶梯电路板的制备方法及阶梯电路板
JPWO2016136733A1 (ja) 発光素子搭載用パッケージ、発光装置および発光モジュール
JP2015088729A (ja) 基板構造およびその製造方法
EP2124265A2 (en) Light-emitting diode chip package body and method for manufacturing the same
JP3914954B1 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP4699043B2 (ja) 基板の製造方法
JP2009044112A (ja) 素子搭載基板、電子部品、発光装置、液晶バックライト装置、電子部品の実装方法
TWI538578B (zh) 銅箔層壓板及其製造方法
KR101173800B1 (ko) Led용 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US9793241B2 (en) Printed wiring board
JP2007165735A (ja) Led実装基板及びその製造方法
JP2005167026A (ja) 半導体発光装置
JP4533058B2 (ja) 照明装置用反射板
JP5442192B2 (ja) 素子搭載用基板、半導体モジュール、および、素子搭載用基板の製造方法
KR101275141B1 (ko) 발광 장치
JP2018129469A (ja) 発光素子搭載用基板、及び、発光素子搭載用基板の製造方法
KR101773045B1 (ko) 금속 기판 및 그 제조 방법
JPH10275873A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP5205806B2 (ja) Ledチップ固定用基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110302

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4699043

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250