JPH0883930A - チップｌｅｄ搭載用基板の製造法 - Google Patents
チップｌｅｄ搭載用基板の製造法Info
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- JPH0883930A JPH0883930A JP6220085A JP22008594A JPH0883930A JP H0883930 A JPH0883930 A JP H0883930A JP 6220085 A JP6220085 A JP 6220085A JP 22008594 A JP22008594 A JP 22008594A JP H0883930 A JPH0883930 A JP H0883930A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の高い高輝度のチップＬＥＤ（発光ダ
イオード）搭載用基板の製造法である。 【構成】 片面に多数の半導体チップ搭載用の凹部、該
凹部の少なくとも両側に表裏導通用のスルーホール或い
はスリットを有するチップ搭載用基板の製造法におい
て、該凹部形成用ドリルとして、直径 0.3〜0.9mm でド
リル軸に垂直な先端切削刃、角度 30〜60度で拡大する
長さ 0.1〜0.5mm の側面切削刃およびドリル屑排出部を
形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上の軸部分を
有する形状のドリルを用いて形成することを特徴とする
チップＬＥＤ搭載用基板の製造法
イオード）搭載用基板の製造法である。 【構成】 片面に多数の半導体チップ搭載用の凹部、該
凹部の少なくとも両側に表裏導通用のスルーホール或い
はスリットを有するチップ搭載用基板の製造法におい
て、該凹部形成用ドリルとして、直径 0.3〜0.9mm でド
リル軸に垂直な先端切削刃、角度 30〜60度で拡大する
長さ 0.1〜0.5mm の側面切削刃およびドリル屑排出部を
形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上の軸部分を
有する形状のドリルを用いて形成することを特徴とする
チップＬＥＤ搭載用基板の製造法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高輝度のチップＬＥＤ
（発光ダイオード）搭載用基板の製造法である。
（発光ダイオード）搭載用基板の製造法である。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント配線板にＬＥＤをその表
面に搭載したものがあるが、発光した光の方向性がない
ので、特に正面からの輝度が劣るものであった。この解
決策として、搭載部周辺部を囲う工夫などがあるが、サ
イズが大きくなり、また、価格も高くなるものであっ
た。また、２枚の片面銅張積層板を用い、一枚の片面銅
張積層板の樹脂面に接着用プリプレグを圧着或いは積層
接着し、この所定位置に多数の貫通孔を明け、これを他
の一枚の片面銅張積層板の樹脂面に重ね、積層成形し、
これに無電解銅メッキ、電解銅メッキ、パターン化し、
ニッケルメッキ、最終的に金メッキする方法がある。こ
の方法の場合、孔形状を維持する面から接着用プリプレ
グは可能な限り低流動性とする必要があり、接着力がお
とる場合が発生し、信頼性に課題が残るものであった。
面に搭載したものがあるが、発光した光の方向性がない
ので、特に正面からの輝度が劣るものであった。この解
決策として、搭載部周辺部を囲う工夫などがあるが、サ
イズが大きくなり、また、価格も高くなるものであっ
た。また、２枚の片面銅張積層板を用い、一枚の片面銅
張積層板の樹脂面に接着用プリプレグを圧着或いは積層
接着し、この所定位置に多数の貫通孔を明け、これを他
の一枚の片面銅張積層板の樹脂面に重ね、積層成形し、
これに無電解銅メッキ、電解銅メッキ、パターン化し、
ニッケルメッキ、最終的に金メッキする方法がある。こ
の方法の場合、孔形状を維持する面から接着用プリプレ
グは可能な限り低流動性とする必要があり、接着力がお
とる場合が発生し、信頼性に課題が残るものであった。
【０００３】さらに、両面板或いは三層板を用い、ＬＥ
Ｄ搭載用の凹部をザグリし、所定のパターンを形成する
方法がある。この方法の場合、従来は、通常のドリルを
使用して、凹部を形成していたために、底面を全体とし
て基板面と平行とすることは出来なかった。このため、
底面に導電性接着剤などにて固定した半導体が傾斜し
て、ワイヤボンディング時に不良が発生し易いものであ
った。
Ｄ搭載用の凹部をザグリし、所定のパターンを形成する
方法がある。この方法の場合、従来は、通常のドリルを
使用して、凹部を形成していたために、底面を全体とし
て基板面と平行とすることは出来なかった。このため、
底面に導電性接着剤などにて固定した半導体が傾斜し
て、ワイヤボンディング時に不良が発生し易いものであ
った。
【０００４】本発明者は、刃先が軸に垂直なドリルを用
いて凹部を形成する方法を試みた。しかし、ＩＣチップ
搭載部である凹部の直径は 0.3〜0.9mm 程度と小さく、
先端刃が軸に垂直な小径ドリルを使用すると、銅箔面に
対するドリルの食い込みが極めて悪く、実質的にザグリ
で凹みを形成することができないものであった。
いて凹部を形成する方法を試みた。しかし、ＩＣチップ
搭載部である凹部の直径は 0.3〜0.9mm 程度と小さく、
先端刃が軸に垂直な小径ドリルを使用すると、銅箔面に
対するドリルの食い込みが極めて悪く、実質的にザグリ
で凹みを形成することができないものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ワイヤボン
ディング不良の問題を解決したチップＬＥＤ搭載用基板
を提供することを目的とするものであり、特に、搭載部
の凹み形成用ドリル用に新規な先端部分形状を有するド
リルを用いることによる。
ディング不良の問題を解決したチップＬＥＤ搭載用基板
を提供することを目的とするものであり、特に、搭載部
の凹み形成用ドリル用に新規な先端部分形状を有するド
リルを用いることによる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、片
面に多数の半導体チップ搭載用の凹部、該凹部の少なく
とも両側に表裏導通用のスルーホール或いはスリットを
有するチップ搭載用基板の製造法において、該凹部形成
用ドリルとして、直径 0.3〜0.9mm でドリル軸に垂直な
先端切削刃、30〜60度の角度で拡大する長さ 0.1〜0.5m
m の側面切削刃およびドリル屑排出部を形成した直径
0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上の軸部分を有する形状の
ドリルを用いて形成することを特徴とするチップＬＥＤ
搭載用基板の製造法である。
面に多数の半導体チップ搭載用の凹部、該凹部の少なく
とも両側に表裏導通用のスルーホール或いはスリットを
有するチップ搭載用基板の製造法において、該凹部形成
用ドリルとして、直径 0.3〜0.9mm でドリル軸に垂直な
先端切削刃、30〜60度の角度で拡大する長さ 0.1〜0.5m
m の側面切削刃およびドリル屑排出部を形成した直径
0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上の軸部分を有する形状の
ドリルを用いて形成することを特徴とするチップＬＥＤ
搭載用基板の製造法である。
【０００７】また、本発明の好ましい実施態様において
は、該凹部形成用ドリルの先端切削刃が、その中央又は
端部の一部に微細な突起を形成してなるものであるこ
と、該基板が、チップ搭載用の凹部底が内層銅箔となる
ようにしてなる三層板であること、該基板の凹部形成側
の少なくとも最上層は、白色無機充填材入りの樹脂を用
いたプリプレグを用いて形成され、その光の反射率が50
％以上であるチップＬＥＤ搭載用基板の製造法である。
は、該凹部形成用ドリルの先端切削刃が、その中央又は
端部の一部に微細な突起を形成してなるものであるこ
と、該基板が、チップ搭載用の凹部底が内層銅箔となる
ようにしてなる三層板であること、該基板の凹部形成側
の少なくとも最上層は、白色無機充填材入りの樹脂を用
いたプリプレグを用いて形成され、その光の反射率が50
％以上であるチップＬＥＤ搭載用基板の製造法である。
【０００８】以下、本発明の構成について説明する。ま
ず、凹部形成用の本発明のドリルは、直径 0.3〜0.9mm
でドリル軸に垂直な先端切削刃、角度 30〜60度で拡大
する長さ（軸方向の長さ） 0.1〜0.5mm の側面切削刃お
よびドリル屑排出部を形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ
0.5mm以上の軸部を有する形状である。好適には、先端
切削刃に微細な突起を形成したものである。該突起は、
高さ 5〜50μｍ、好ましくは 10〜25μｍで、ドリル先
端直径の15％以内から選択でき、先端中央部に１カ所、
先端端部に２カ所、又は先端中央部に１カ所と先端端部
に２カ所のいずれでも実施可能である。この突起はドリ
ル製造の点からは大きい方が容易であるが、大きいと形
成した凹部底面の平滑性が損なわれるので好ましくな
い。なお、この突起は微細であるので消耗し消失し易い
ので、適宜、突起の補修や形成を行う。
ず、凹部形成用の本発明のドリルは、直径 0.3〜0.9mm
でドリル軸に垂直な先端切削刃、角度 30〜60度で拡大
する長さ（軸方向の長さ） 0.1〜0.5mm の側面切削刃お
よびドリル屑排出部を形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ
0.5mm以上の軸部を有する形状である。好適には、先端
切削刃に微細な突起を形成したものである。該突起は、
高さ 5〜50μｍ、好ましくは 10〜25μｍで、ドリル先
端直径の15％以内から選択でき、先端中央部に１カ所、
先端端部に２カ所、又は先端中央部に１カ所と先端端部
に２カ所のいずれでも実施可能である。この突起はドリ
ル製造の点からは大きい方が容易であるが、大きいと形
成した凹部底面の平滑性が損なわれるので好ましくな
い。なお、この突起は微細であるので消耗し消失し易い
ので、適宜、突起の補修や形成を行う。
【０００９】この先端切削刃に引続き、角度30〜60度で
拡大する長さ 0.1〜0.5mm の側面切削刃、およびドリル
屑排出部を形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上
の軸部分を有する。この拡大側面切削刃は、半導体素子
からの発光光をより効率良く前方向に放射させるための
反射面を形成する。従って、拡大角 30〜60°は、平均
角度で良く、凹部部分の側壁全面が傾斜したものとする
こと、凹部の底側からその側壁一部を傾斜したものとす
ること (例えば、深さ 0.3mmの凹みを形成する場合、0.
2mm までは所定の角度で広がり、その上部 0.1mmは垂直
となるような形状とすること) 、凹面とすること (例え
ば、放物面、球面の一部) もできる。また、形成する凹
部の深さは通常 0.2〜0.5mm 程度の範囲であり、ドリル
屑排出部分は 0.5mm以上あれば十分であり、ドリル製造
の難易を考慮して適宜選択する。
拡大する長さ 0.1〜0.5mm の側面切削刃、およびドリル
屑排出部を形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上
の軸部分を有する。この拡大側面切削刃は、半導体素子
からの発光光をより効率良く前方向に放射させるための
反射面を形成する。従って、拡大角 30〜60°は、平均
角度で良く、凹部部分の側壁全面が傾斜したものとする
こと、凹部の底側からその側壁一部を傾斜したものとす
ること (例えば、深さ 0.3mmの凹みを形成する場合、0.
2mm までは所定の角度で広がり、その上部 0.1mmは垂直
となるような形状とすること) 、凹面とすること (例え
ば、放物面、球面の一部) もできる。また、形成する凹
部の深さは通常 0.2〜0.5mm 程度の範囲であり、ドリル
屑排出部分は 0.5mm以上あれば十分であり、ドリル製造
の難易を考慮して適宜選択する。
【００１０】本発明の基板は、通常、両面銅張の積層
板、好ましくは所定の凹部の底面が内層銅箔となるよう
にしてなる三層板であって、その目的から、ワイヤボン
ディングが可能な耐熱性を有するものであれば特に限定
されないものである。本発明の基板の製造に用いる積層
成形材であるプリプレグは、通常、電気用途用に使用さ
れている基材、一般的には、E-ガラス繊維からなる織布
或いは不織布に、適宜、無機充填剤を配合してなるワニ
スを含浸し、乾燥してB-stage 化してなるものを用い
る。
板、好ましくは所定の凹部の底面が内層銅箔となるよう
にしてなる三層板であって、その目的から、ワイヤボン
ディングが可能な耐熱性を有するものであれば特に限定
されないものである。本発明の基板の製造に用いる積層
成形材であるプリプレグは、通常、電気用途用に使用さ
れている基材、一般的には、E-ガラス繊維からなる織布
或いは不織布に、適宜、無機充填剤を配合してなるワニ
スを含浸し、乾燥してB-stage 化してなるものを用い
る。
【００１１】ワニスに使用する樹脂としては、ワイヤボ
ンディングが可能な耐熱性を有するものであり、耐熱性
を付与したエポキシ樹脂、シアナート樹脂、ビスマレイ
ミド−シアナート樹脂、ポリイミド樹脂、その他の熱硬
化性樹脂が使用できる。本発明の基板の製造法などは従
来公知の方法で実施可能であるが、特に、本発明の三層
板は、その凹部を三層板の内層銅箔が露出するようにド
リルにて形成（ザグリ）する。本発明のドリルは好適に
は、その選択に突起を有する。従って、内層銅箔は厚い
ものが好適であり、通常、厚みとして35μｍよりも70μ
ｍがより好ましい。
ンディングが可能な耐熱性を有するものであり、耐熱性
を付与したエポキシ樹脂、シアナート樹脂、ビスマレイ
ミド−シアナート樹脂、ポリイミド樹脂、その他の熱硬
化性樹脂が使用できる。本発明の基板の製造法などは従
来公知の方法で実施可能であるが、特に、本発明の三層
板は、その凹部を三層板の内層銅箔が露出するようにド
リルにて形成（ザグリ）する。本発明のドリルは好適に
は、その選択に突起を有する。従って、内層銅箔は厚い
ものが好適であり、通常、厚みとして35μｍよりも70μ
ｍがより好ましい。
【００１２】また、本発明では、凹部形成側の少なくと
も表面層に使用するプリプレグとしては白色の充填剤を
配合した熱硬化性樹脂を含浸したものを用いることが好
ましい。これらの充填材としては、ホワイトカーボン、
チタンホワイト、酸化マグネシアなどが挙げられ、その
配合量は、一般に、ワニスの固形分の10〜50vol ％の範
囲となるように適宜選択する。特に、平均粒子径が 0.1
〜5 μｍで 5μｍ以上の粒子成分量が10％以下の粒子分
布をもつものが好ましく、当然に耐熱性の改善、熱膨張
係数の改善などの目的でその他の無機充填剤を併用でき
る。又、その他の目的により、難燃剤、滑剤、その他の
添加剤類が配合できる。
も表面層に使用するプリプレグとしては白色の充填剤を
配合した熱硬化性樹脂を含浸したものを用いることが好
ましい。これらの充填材としては、ホワイトカーボン、
チタンホワイト、酸化マグネシアなどが挙げられ、その
配合量は、一般に、ワニスの固形分の10〜50vol ％の範
囲となるように適宜選択する。特に、平均粒子径が 0.1
〜5 μｍで 5μｍ以上の粒子成分量が10％以下の粒子分
布をもつものが好ましく、当然に耐熱性の改善、熱膨張
係数の改善などの目的でその他の無機充填剤を併用でき
る。又、その他の目的により、難燃剤、滑剤、その他の
添加剤類が配合できる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、実施例の「部」及び「％」は特に断らないかぎり重
量基準である。 実施例１ ＬＥＤ搭載部用の金メッキされた凹部が縦 3.5mm、横 2
mmの中心間隔で配置され、その両側に表裏導通用のスリ
ットを有する三層板を製造した。
お、実施例の「部」及び「％」は特に断らないかぎり重
量基準である。 実施例１ ＬＥＤ搭載部用の金メッキされた凹部が縦 3.5mm、横 2
mmの中心間隔で配置され、その両側に表裏導通用のスリ
ットを有する三層板を製造した。
【００１４】2,2-ビス(4−シアナトフェニル）プロパン
900部とビス(4−マレイミドフェニル）メタン 100部と
を 150℃で 100分間予備反応させ、これをメチルエチル
ケトンと N,N'-ジメチルホルムアミドとの混合溶剤に溶
解して濃度60％とした。この溶液にエポキシ樹脂 (商品
名; エピコート 1001 、油化シェルエポキシ（株）製、
エポキシ当量 450〜500) 600部、フィラーとして炭酸カ
ルシウム 700部、触媒としてオクチル酸亜鉛 0.2部を加
え、攪拌混合してワニス（以下、ワニスＦと記す）を得
た。このワニスＦを厚さ 0.1mmのガラスクロスに含浸・
乾燥して樹脂量 45％、ゲルタイム 101秒 (at 170℃)
のB-stage のプリプレグ (以下、PP-Fと記す) を製造し
た。
900部とビス(4−マレイミドフェニル）メタン 100部と
を 150℃で 100分間予備反応させ、これをメチルエチル
ケトンと N,N'-ジメチルホルムアミドとの混合溶剤に溶
解して濃度60％とした。この溶液にエポキシ樹脂 (商品
名; エピコート 1001 、油化シェルエポキシ（株）製、
エポキシ当量 450〜500) 600部、フィラーとして炭酸カ
ルシウム 700部、触媒としてオクチル酸亜鉛 0.2部を加
え、攪拌混合してワニス（以下、ワニスＦと記す）を得
た。このワニスＦを厚さ 0.1mmのガラスクロスに含浸・
乾燥して樹脂量 45％、ゲルタイム 101秒 (at 170℃)
のB-stage のプリプレグ (以下、PP-Fと記す) を製造し
た。
【００１５】上記のワニスＦの製造において、フィラー
である炭酸カルシウムを使用しない他は同様にしてワニ
ス（以下、ワニスＮと記す）を得た。このワニスＮを用
い、含浸量を制御して含浸・乾燥して樹脂量 40％、ゲ
ルタイム 110秒 (at 170℃) のB-stage のプリプレグ
(以下、PP-Nと記す) 、並びに樹脂量 51％、ゲルタイ
ム 122秒 (at 170℃) のB-stage のプリプレグ (以下、
PP-Bと記す) を製造した。
である炭酸カルシウムを使用しない他は同様にしてワニ
ス（以下、ワニスＮと記す）を得た。このワニスＮを用
い、含浸量を制御して含浸・乾燥して樹脂量 40％、ゲ
ルタイム 110秒 (at 170℃) のB-stage のプリプレグ
(以下、PP-Nと記す) 、並びに樹脂量 51％、ゲルタイ
ム 122秒 (at 170℃) のB-stage のプリプレグ (以下、
PP-Bと記す) を製造した。
【００１６】上記で得たPP-Fの片面に厚さ18μｍの銅箔
を、その反対面に離型用フィルムを重ね、これをプレス
熱盤間に投入し、10mmHg以下の減圧雰囲気中でプレス圧
力 30kg/cm2 、温度 180℃で 120分間加熱・加圧して片
面銅張積層板 (以下、CL-1と記す) を製造した。また、
上記で得たPP-Nを 2枚重ね、その片面に厚さ18μｍの銅
箔を、その反対面に厚さ70μｍの銅箔を重ね、これをプ
レス熱盤間に投入し、10mmHg以下の減圧雰囲気中でプレ
ス圧力 30kg/cm2 、温度 180℃で 120分間加熱・加圧し
て両面銅張積層板 (以下、CCL-1 と記す) を製造した。
を、その反対面に離型用フィルムを重ね、これをプレス
熱盤間に投入し、10mmHg以下の減圧雰囲気中でプレス圧
力 30kg/cm2 、温度 180℃で 120分間加熱・加圧して片
面銅張積層板 (以下、CL-1と記す) を製造した。また、
上記で得たPP-Nを 2枚重ね、その片面に厚さ18μｍの銅
箔を、その反対面に厚さ70μｍの銅箔を重ね、これをプ
レス熱盤間に投入し、10mmHg以下の減圧雰囲気中でプレ
ス圧力 30kg/cm2 、温度 180℃で 120分間加熱・加圧し
て両面銅張積層板 (以下、CCL-1 と記す) を製造した。
【００１７】CCL-1 を用い、70μｍ銅箔側に所定の内層
用のパターンとその基準孔部とを公知のエッチング法に
て形成し、銅箔表面を多層化接着用にブラックオキサイ
ド処理して内層板 (以下、CCL-2 と記す) を製造した。
CCL-2 のブラックオキサイド処理した70μｍ銅箔側に、
上記のPP-B、CL-1を順次重ね、同様の条件で積層成形し
て三層板（以下、ML-3と記す) を製造した。
用のパターンとその基準孔部とを公知のエッチング法に
て形成し、銅箔表面を多層化接着用にブラックオキサイ
ド処理して内層板 (以下、CCL-2 と記す) を製造した。
CCL-2 のブラックオキサイド処理した70μｍ銅箔側に、
上記のPP-B、CL-1を順次重ね、同様の条件で積層成形し
て三層板（以下、ML-3と記す) を製造した。
【００１８】得られたML-3の基準部に基づいて、上端直
径 1.0mm、底直径 0.6mm、高さ 0.2mmの角度45度の側面
部分からなる深さ 0.25mm の凹部を下記したドリルで形
成し、また、幅 1.0mmのスルーホール用の貫通スリット
を打ち抜きにて両側に形成した。ここで、凹部形成用の
ドリルは、その先端直径が 0.6mmでドリル軸に対して先
端刃の刃先が垂直であり、かつその中心部に高さ13μ
ｍ、根元直径30μｍの突起、その端部(2カ所) に高さ10
μｍ、直径方向の根元幅25μｍの突起を持ち、さらに、
続いて高さ 0.2mmの角度45度の側面刃部分を有するもの
である。
径 1.0mm、底直径 0.6mm、高さ 0.2mmの角度45度の側面
部分からなる深さ 0.25mm の凹部を下記したドリルで形
成し、また、幅 1.0mmのスルーホール用の貫通スリット
を打ち抜きにて両側に形成した。ここで、凹部形成用の
ドリルは、その先端直径が 0.6mmでドリル軸に対して先
端刃の刃先が垂直であり、かつその中心部に高さ13μ
ｍ、根元直径30μｍの突起、その端部(2カ所) に高さ10
μｍ、直径方向の根元幅25μｍの突起を持ち、さらに、
続いて高さ 0.2mmの角度45度の側面刃部分を有するもの
である。
【００１９】ついで、全面を無電解銅メッキ、ついで、
電解銅メッキして厚み 40μｍの銅箔とした。これに公
知のエッチング法にて所定のプリント配線を作成した
後、残存している銅箔上にニッケルメッキ、ついで、金
メッキを施した。凹部底の表面凹凸度を測定した結果、
10〜15μｍであり、傾斜は無かった。また、凹み側表面
の樹脂露出部分の光の反射率は63％であった。得られた
三層板を用い、導電性接着剤で凹部底に 0.3mm角で厚さ
0.15mm の半導体を搭載した後、ワイヤボンディングに
て半導体と端子との結線を行った。結線による不良の発
生について、ランダムに選択した 100個について検査し
た結果、不良は全く無かった。
電解銅メッキして厚み 40μｍの銅箔とした。これに公
知のエッチング法にて所定のプリント配線を作成した
後、残存している銅箔上にニッケルメッキ、ついで、金
メッキを施した。凹部底の表面凹凸度を測定した結果、
10〜15μｍであり、傾斜は無かった。また、凹み側表面
の樹脂露出部分の光の反射率は63％であった。得られた
三層板を用い、導電性接着剤で凹部底に 0.3mm角で厚さ
0.15mm の半導体を搭載した後、ワイヤボンディングに
て半導体と端子との結線を行った。結線による不良の発
生について、ランダムに選択した 100個について検査し
た結果、不良は全く無かった。
【００２０】実施例２ 実施例１で製造したと同じ無機フィラー入りのプリプレ
グ（PP-F) ４枚、その両面に厚さ18μｍの電解銅箔を重
ね、これをステンレス鏡面板で挟んだものをプレス熱盤
間に投入し、10mmHg以下の減圧雰囲気中でプレス圧力 3
0kg/cm2 、温度180℃で 120分間加熱・加圧して両面銅
張積層板 (以下、CCL-2 と記す) を製造した。実施例１
において三層板(ML-3)に代えて、両面銅張積層板(CCL-
2) を使用する他は同様にしてＬＥＤ搭載用プリント配
線板を製造した。凹部底の表面凹凸度を測定した結果、
14〜23μｍであり、凹み側表面の樹脂露出部分の光の反
射率は63％であった。得られたＬＥＤ搭載用プリント配
線板を用い、導電性接着剤で凹部底に 0.3mm角で厚さ
0.15mm の半導体を搭載した後、ワイヤボンディングに
て半導体と端子との結線を行った。結線による不良の発
生について、ランダムに選択した 100個について検査し
た結果、不良は２個であった。
グ（PP-F) ４枚、その両面に厚さ18μｍの電解銅箔を重
ね、これをステンレス鏡面板で挟んだものをプレス熱盤
間に投入し、10mmHg以下の減圧雰囲気中でプレス圧力 3
0kg/cm2 、温度180℃で 120分間加熱・加圧して両面銅
張積層板 (以下、CCL-2 と記す) を製造した。実施例１
において三層板(ML-3)に代えて、両面銅張積層板(CCL-
2) を使用する他は同様にしてＬＥＤ搭載用プリント配
線板を製造した。凹部底の表面凹凸度を測定した結果、
14〜23μｍであり、凹み側表面の樹脂露出部分の光の反
射率は63％であった。得られたＬＥＤ搭載用プリント配
線板を用い、導電性接着剤で凹部底に 0.3mm角で厚さ
0.15mm の半導体を搭載した後、ワイヤボンディングに
て半導体と端子との結線を行った。結線による不良の発
生について、ランダムに選択した 100個について検査し
た結果、不良は２個であった。
【００２１】比較例１ 上記で得たML-3を用い、ドリルとして、その先端直径が
0.6mmで、ドリル軸に対して先端刃の刃先が垂直であ
り、突起を持たないものを使用して凹み形成を試みた。
しかし、銅箔表面でドリル逃げが生じ、良好な凹み形成
は困難であった。 比較例２ 上記で得たML-3を用い、ドリルとして、その先端直径が
0.6mmの通常のドリル（仰角 130度、捩れ角 35度) を
使用する他は同様とした。凹部底は、ドリル先端と同一
の傾斜を有するものであった。実施例１と同様にしてメ
ッキ、半導体の搭載、ワイヤボンディングをした。結線
による不良の発生について、ランダムに選択した 100個
について検査した結果、不良は８９個あった。
0.6mmで、ドリル軸に対して先端刃の刃先が垂直であ
り、突起を持たないものを使用して凹み形成を試みた。
しかし、銅箔表面でドリル逃げが生じ、良好な凹み形成
は困難であった。 比較例２ 上記で得たML-3を用い、ドリルとして、その先端直径が
0.6mmの通常のドリル（仰角 130度、捩れ角 35度) を
使用する他は同様とした。凹部底は、ドリル先端と同一
の傾斜を有するものであった。実施例１と同様にしてメ
ッキ、半導体の搭載、ワイヤボンディングをした。結線
による不良の発生について、ランダムに選択した 100個
について検査した結果、不良は８９個あった。
【００２２】
【発明の効果】以上、発明の詳細な説明などから、本発
明の特定のドリルによる凹部形成した基板は、搭載用凹
み部の少なくとも底側部分が傾斜したものであることか
ら、前方への光の反射効率が向上したものとなる。ま
た、凹部底面が基板面と平行であり、三層板として使用
する場合、又はメッキの平滑性を特に向上させるように
した場合、半導体が基板面と平行に搭載されるのでワイ
ヤボンディングに優れる。この結果、より高輝度で信頼
性に優れたものとできるものでありその工業的意義は極
めて高いものである。
明の特定のドリルによる凹部形成した基板は、搭載用凹
み部の少なくとも底側部分が傾斜したものであることか
ら、前方への光の反射効率が向上したものとなる。ま
た、凹部底面が基板面と平行であり、三層板として使用
する場合、又はメッキの平滑性を特に向上させるように
した場合、半導体が基板面と平行に搭載されるのでワイ
ヤボンディングに優れる。この結果、より高輝度で信頼
性に優れたものとできるものでありその工業的意義は極
めて高いものである。
Claims (4)
- 【請求項１】 片面に多数の半導体チップ搭載用の凹
部、該凹部の少なくとも両側に表裏導通用のスルーホー
ル或いはスリットを有するチップ搭載用基板の製造法に
おいて、該凹部形成用ドリルとして、直径 0.3〜0.9mm
でドリル軸に垂直な先端切削刃、角度 30〜60度で拡大
する長さ 0.1〜0.5mm の側面切削刃およびドリル屑排出
部を形成した直径 0.5〜1.5mm で長さ 0.5mm以上の軸部
分を有する形状のドリルを用いて形成することを特徴と
するチップＬＥＤ搭載用基板の製造法 - 【請求項２】 該凹部形成用ドリルの先端切削刃が、そ
の中央又は端部の一部に微細な突起を形成してなるもの
である請求項１記載のチップＬＥＤ搭載用基板の製造法 - 【請求項３】 該基板が、チップ搭載用の凹部底が内層
銅箔となるようにしてなる三層板である請求項１記載の
チップＬＥＤ搭載用基板の製造法 - 【請求項４】 該基板の凹部形成側の少なくとも最上層
は、白色無機充填材入りの樹脂を用いたプリプレグを用
いて形成され、その光の反射率が50％以上である請求項
１記載のチップＬＥＤ搭載用基板の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6220085A JPH0883930A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | チップｌｅｄ搭載用基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6220085A JPH0883930A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | チップｌｅｄ搭載用基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883930A true JPH0883930A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16745701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6220085A Pending JPH0883930A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | チップｌｅｄ搭載用基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883930A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229162A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Daisho Denshi:Kk | 基板及びその製造方法 |
| JP2010275404A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Mitsubishi Plastics Inc | ガラスクロス含有白色フィルム、金属積層体及びｌｅｄ搭載用基板 |
| DE112008003252T5 (de) | 2007-12-05 | 2011-05-05 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Vielschichtiges Leitungssubstrat mit einem Hohlraumbereich |
| JP2012227541A (ja) * | 2012-07-03 | 2012-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
| JP2013012763A (ja) * | 2012-08-24 | 2013-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6220085A patent/JPH0883930A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229162A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Daisho Denshi:Kk | 基板及びその製造方法 |
| JP4699043B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-06-08 | 株式会社 大昌電子 | 基板の製造方法 |
| DE112008003252T5 (de) | 2007-12-05 | 2011-05-05 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Vielschichtiges Leitungssubstrat mit einem Hohlraumbereich |
| JP2010275404A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Mitsubishi Plastics Inc | ガラスクロス含有白色フィルム、金属積層体及びｌｅｄ搭載用基板 |
| JP2012227541A (ja) * | 2012-07-03 | 2012-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
| JP2013012763A (ja) * | 2012-08-24 | 2013-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041222 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050525 |