JP3914954B1 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 従来の発光装置ではリフレクタを別に設けるので、構造上も製造上も複雑である問題点がある。
【解決手段】 本発明の発光装置では、絶縁基板１０の１主面に設けた厚い第１の導電箔１１と、反対主面に設けた薄い第２の導電箔１２と、第１の導電箔１１に設けたハーフエッチング孔２５と、発光素子３１と、第１の導電箔１１と第２の導電箔１２とを接続するスルーホール電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆと、導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃと、金属細線３０と、透明保護樹脂３２から構成され、発光素子３１の発光をハーフエッチング孔２５の湾曲面２６に設けた導電性金属層２３ｂで反射し、導電金属層２３ａ、２３ｃには金属細線３０がボンディングされていることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、厚い導電箔にハーフエッチング孔を形成してその側面にボンディング用の導電性金属層を形成して反射面としても利用する発光装置およびその製造方法に関する。

図６に発光素子から発せられる光をベース基板内に吸収されるのを防止し、発光損失を抑えて全体の輝度の向上を図る発光装置が示されている。

この発光装置は発光素子１００、ベース基板２００、基板電極３００、接続電極部４００、光反射部５００、孔部６００およびメッキ層７００から構成される。発光素子１００は三族窒化物系化合物半導体発光素子である。ベース基板２００はポリイミド、ガラスエポキシあるいはＢＴレジン等の樹脂で形成された絶縁性の基板であり、当該表面から裏面にかけて形成される銅箔膜からなる一対の基板電極部３００と、発光素子１００の載置面と反対側の面に形成される銅箔膜からなる光反射部５００と、一対の基板電極部３００が対向する絶縁部をベース基板２００の厚み方向に開設した孔部６００と、この孔部６００から露出する光反射部５００の露出面と孔部６００の内周面とに形成される金または銀によるメッキ層７００で作られている。また、ベース基板２００の裏面に設けられ、基板電極部３００と導通する導電膜からなる電極は、マザーボード等の装置基板に実装する接続電極部４００である。
特開２００５−１７５３８７号公報

しかしながら、上述した発光装置では、以下のような問題点がある。

実装した発光素子の裏面に対応させてベース基板に孔部を形成し、発光素子の下方から発せられる光を上方に反射しているので、放熱性が悪く、長時間の使用に耐え難い問題点がある。

また、ベース基板の厚み方向に切削して孔部を形成しているので、孔部が発光素子で覆われて光反射量の向上が困難であった。

更に、発光素子の輝度向上のために、ベース基板にエッチングをして凹部を形成する工程と、発光素子の載置面と反対側の面あるいは孔部の内周面に光反射部を形成する工程とを必要とするため、製造工程が複雑となる問題点もあった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされ、絶縁基板の１主面に設けた厚い第１の導電箔と、
前記絶縁基板の反対主面に設けられ前記第１の導電箔より薄い第２の導電箔と、
前記第１の導電箔の主面から化学エッチングにより形成し且つ底面を前記第１の導電箔の中間に設けたハーフエッチング孔と、
該ハーフエッチング孔の底面に固着された前記発光素子と、
前記第１の導電箔と前記第２の導電箔とを前記絶縁基板を貫通するスルーホールを介して電気的に接続するスルーホール電極と、
前記ハーフエッチング孔の湾曲した側面及び前記スルーホール電極表面に設けられたボンディング可能な導電性金属層と、
前記発光素子の電極と前記スルーホール電極表面の前記導電性金属層とを接続する金属細線とを備え、
前記エッチング孔の側面に設けた前記導電性金属層を前記発光素子の反射面として用いることを特徴とする。

また、本発明の製造方法では、１主面には厚い第１の導電箔が貼着され、反対主面には該第１の導電箔より薄い第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板、前記第１の導電箔及び第２の導電箔を貫通するスルーホールを予定の位置に形成する工程と、
前記スルーホールをスルーホールメッキにより前記第１の導電箔と第２の導電箔を電気的に接続するスルーホール電極を形成する工程と、
前記第１の導電箔をエッチングして各発光素子が載置されるセルのパターンを多数個形成する工程と、
前記各セルの前記第１の導電箔を表面からハーフエッチングして湾曲した側面を有するハーフエッチング孔を形成する工程と、
前記ハーフエッチング孔及び前記スルーホール電極表面に選択的にボンディング可能な導電性金属層をメッキにより付着する工程と、
各セルの前記ハーフエッチング孔の底面に前記発光素子を固着する工程と、
前記発光素子の電極と前記導電性金属層を金属細線のボンディングにより接続する工程と、
前記発光素子及び前記金属細線を透明樹脂で被覆する工程と、
各セルごとにダイシングして個別の発光装置に分割する工程とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、第１の導電箔を化学エッチングして設けたハーフエッチング孔に発光素子を実装することが可能であり、放熱性を大幅に向上できる。

また、ハーフエッチング孔の側面の凹面状湾曲面にボンディングで用いる導電性金属層を形成することにより、リフレクタとして利用できる。湾曲面の傾斜角は第１の導電箔の厚みや化学エッチングの条件で適宜選択することが可能である。

更に、本発明によれば、発光素子の厚さに合わせて第１の導電箔の厚みを選択でき、発光素子をハーフエッチング孔に納めることができ、側面に設けた導電性金属層で効率よく反射できる。

更に、本発明の製造方法によれば、第１の導電箔にハーフエッチング孔を形成する工程で同時にリフレクタとなる湾曲面を形成できるので、わざわざリフレクタを形成する工程が不要となり、製造工程を簡素化できる。

更にまた、本発明の製造方法によれば、ハーフエッチング孔の側面に付着する導電性金属層はスルーホール電極上に設けられるボンディング用の導電性金属層と兼用とすることでメッキ工程で同時に形成される。このために導電性金属層は金、銀あるいはニッケルのいずれか１つが選択され、ボンディング用としても反射用としても兼用される。これにより従来ではリフレクタ用の金属膜のメッキ工程が必要であったが、本発明では省略して工程の簡素化を実現できる。

更に、本発明の製造方法によれば、第１の導電箔の厚みを選択することでハーフエッチング孔の深さおよび湾曲面の傾斜を調整でき、発光素子の高さに合わせたハーフエッチング孔を形成することができる。このことにより、搭載する発光素子の大きさに合わせてハーフエッチング孔を設計でき、反射効率の良い湾曲面が提供できる。また、第１の導電箔の表面と発光素子の電極の表面とを揃えることで金属細線のボンディングを容易にすることが可能となる。

更に、本発明の製造方法によれば、各セルを短冊状にして行列状に多数個並べて配置することで、発光装置を大量に製造することが可能であり、しかも必ず必要であるリフレクタも第１の導電箔に作り込むことが可能となった。

まず、図１に本発明の発光装置を示す。図１（Ａ）はその上面図であり、図１（Ｂ）はその断面図である。

本発明の発光装置は、絶縁基板１０と、絶縁基板１０の１主面に設けた厚い第１の導電箔１１と、絶縁基板１０の反対主面に設けた薄い第２の導電箔１２と、第１の導電箔１１に設けたハーフエッチング孔２５と、発光素子３１と、第１の導電箔１１と第２の導電箔１２とを接続するスルーホール電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆと、導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃと、金属細線３０と、透明保護樹脂３２から構成されている。

絶縁基板１０としては、ガラスエポキシ基板またはガラスポリイミド基板を用いることが好適である。第１および第２の導電箔１１、１２の支持基板として働く。

第１の導電箔１１および第２の導電箔１２は絶縁基板１０の両面に接着剤で圧着して貼り付けられた銅箔である。第１の導電箔１１は発光素子３１の厚みより厚く、第２の導電箔１２は配線として働くので第１の導電箔１１よりは大分薄くなっている。

ハーフエッチング孔２５は第１の導電箔１１のほぼ中央付近に設けられ、化学エッチングで形成される。そのためにハーフエッチング孔２５は、底面は第１の導電箔１１の厚み方向の中間位置に位置し、多くの場合は半分の位置にある。ハーフエッチング孔２５の大きさは収納される発光素子３１よりは大きい正方形、円、楕円、あるいは多角形等の形に形成され、側面には化学エッチングで形成される凹面状の湾曲面２６が形成される。

発光素子３１は三族窒化物系化合物半導体発光素子である。発光素子の形状は、底面が０．１５ｍｍ四方であり、高さが９０μｍのものを用いた。発光素子３１は、接着剤３３によりハーフエッチング孔２５の底面に固着される。カソードを発光素子３１の底面から引き出すときは接着剤３３に導電ペーストを用い、カソードを発光素子３１の上面から引き出すときは接着剤３３に絶縁ペーストを用いると良い。

スルーホール電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆはハーフエッチング孔２５の左右に設けたスルーホール２０ａ、２０ｂと絶縁基板１０の周端にかかるように四隅近くに設けたスルーホール２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆにスルーホールメッキで形成された銅等の金属層で形成される。スルーホール電極２１ａ、２１ｃ、２０ｆは第１および第２の導電箔１１、１２とともに発光素子３１のアノード側の電極を形成し、スルーホール電極２１ｂ、２１ｄ、２１ｅは第１および第２の導電箔１１、１２とともに発光素子３１のカソード側の電極を形成している。アノード側もカソード側の電極もそれぞれ３カ所のスルーホール電極で第１の導電箔１１と第２の導電箔１２とを電気的に接続している。

導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃはボンディング可能な金属で形成され、ハーフエッチング孔の底面と側面とスルーホール電極２１ａ、２１ｂ上に選択的にメッキで付着される。導電性金属層としてはボンディング可能な金、銀、ニッケルのいずれか１つを選択する。ここでは銀を用いる。ハーフエッチング孔２５の底面および側面にはこの導電性金属層２３ｂが付着され、側面の湾曲面２６に付着された導電性金属層２３ｂはリフレクタとして働く。湾曲面２６は凹面なので、発光素子３１からの発光を効率よくその焦点方向（上方）に反射する。

金属細線３０は発光素子３１表面のアノードおよびカソード電極とスルーホール電極２１ａ、２１ｂ上の導電性金属層２３ａ、２３ｃとを電気的に接続する。

透明保護樹脂３２は全体を覆い、発光素子３１および金属細線３０の保護と同時に発光素子３１のレンズとして働く。

ハーフエッチング孔の形状は、上面開口の径は０．３ｍｍであり、下面開口の径は０．１６ｍｍであり、高さは０．１ｍｍである。ハーフエッチング孔の傾斜角度は、１２５度である。

第１の導電箔１１には、図１（Ａ）に示す短冊形状のパターン、中央より左方に凸状のパターンおよび凸状のパターンに対向して凹状のパターンが形成される。凹状のパターンを大きく形成することにより、ハーフエッチング孔２５の周囲を広く保て、ハーフエッチング孔２５の底面に固着された発光素子３１の放熱性を向上することが可能になる。

次に、図２に本発明の個別のセルを示す。図２（Ａ）はその上面図であり、図２（Ｂ）はその底面図である。

セルは絶縁基板１０の上面に厚い第１の導電箔１１が、下面には薄い第２の導電箔１２が一体に貼り付けられている。第１の導電箔１１のほぼ中央には発光素子３１が載置されるハーフエッチング孔２５が設けられる。このハーフエッチング孔２５のすぐ左側に分離溝２７を設けて第１の導電箔１１を左右に分離して一方をアノード電極とし、他方をカソード電極とする。第２の導電箔１２も第１の導電箔１１と対応して分離溝２８で左右に分離され、アノード電極とカソード電極としている。

ハーフエッチング孔２５の近くの左右にスルーホール２０ａ、２０ｂが形成され、このスルーホール内に形成されたスルーホール電極２１ａ、２１ｂによりアノード電極およびカソード電極となる第１の導電箔１１および第２の導電箔１２が連結され電気的に接続される。また、セルの周端部には上述したスルーホール２０ａ、２０ｂより大きめのスルーホール２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆが形成され、このスルーホール内に形成されたスルーホール電極２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆによりセルの周端部でもアノード電極およびカソード電極となる第１の導電箔１１および第２の導電箔１２が連結されており、３カ所で確実にスルーホール接続されている。

本発明では、絶縁基板１０の上面に発光素子３１より厚い第１の導電箔１１が貼着され、絶縁基板１０の下面に薄い第２の導電箔１２が貼着された実装基板を用意する。ハーフエッチング孔２５は第１の導電箔１１を表面からハーフエッチングすることにより形成されており、ハーフエッチング孔２５の深さは発光素子３１が収まる高さに形成している。なお、発光素子３１は必ずしもハーフエッチング孔２５に完全に収まる必要はない。

絶縁基板１０としては、ガラスエポキシ基またはガラスポリイミド基板を用いることが好適であるが、場合によってはフッ素基板、ガラスＰＰＯ基板またはセラミック基板などを採用してもよい。また、フレキシブルシート、フィルムなどでもよい。本形態では、厚さ２００μｍ程度のガラスエポキシ基板を採用した。

第１の導電箔１１および第２の導電箔１２としては、エッチング可能な金属であればよい。本形態では、銅から成る金属箔を採用した。そして、第１の導電箔１１には膜厚が１７５μｍ程度の銅箔を採用した。この膜厚は、ハーフエッチング孔２５の深さに対応するように決定される。最大２３０μｍ程度の膜厚の導電箔を採用することができる。従って、ハーフエッチング孔２５の深さにより第１の導電箔１１の厚みを選択することができる。

第２の導電箔１２は、配線に必要な厚さの導電箔が用いられる。本形態では、第２の導電箔１２の膜厚を１８μｍ程度にした。配線の厚さは、実装される回路素子の電流容量などによって任意に決定することができる。

導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃはハーフエッチング孔２５の内面とスルーホール電極２１ａ、２１ｂに重ねて設けられ、ボンディング可能な金属である金、銀、ニッケルのいずれか１つが選択され、電解メッキで１〜３μｍに形成される。

上述したセルは図５に示されるように大きな実装基板に行列状に並べて配置して多数個配列されて形成される。

続いて、図３および図４を参照して本発明の製造方法について説明する。

本発明の製造方法は、１主面には厚い第１の導電箔が貼着され、反対主面には第１の導電箔より薄い第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程と、絶縁基板、第１の導電箔及び第２の導電箔を貫通するスルーホールを予定の位置に形成する工程と、スルーホールをスルーホールメッキにより第１の導電箔と第２の導電箔を電気的に接続するスルーホール電極を形成する工程と、第１の導電箔をエッチングして各発光素子が載置されるセルのパターンを多数個形成する工程と、各セルの第１の導電箔を表面からハーフエッチングして湾曲した側面を有するハーフエッチング孔を形成する工程と、ハーフエッチング孔及びスルーホール電極表面に選択的にボンディング可能な導電性金属層をメッキにより付着する工程と、各セルのハーフエッチング孔の底面に発光素子を固着する工程と、発光素子の電極と導電性金属層を金属細線のボンディングにより接続する工程と、発光素子及び金属細線を透明樹脂で被覆する工程と、各セルごとにダイシングして個別の発光装置に分割する工程とから構成される。

本発明の第１の工程は、図３（Ａ）に示すように、１主面に発光素子より厚い銅などの第１の導電箔１１を貼着し、反対主面に該第１の導電箔１１より薄い銅などの第２の導電箔１２を貼着したガラスエポキシ基板１０を用意する。

絶縁基板１０としては、ガラスエポキシ基板またはガラスポリイミド基板を用いることが好適であるが、場合によってはフッ素基板、ガラスＰＰＯ基板またはセラミック基板などを採用してもよい。また、フレキシブルシート、フィルムなどでもよい。本形態では、厚さ２００μｍ程度のガラスエポキシ基板を採用した。

第１の導電箔１１および第２の導電箔１２としては、エッチングが可能な金属であればよい。本形態では、銅から成る金属箔を採用した。そして、第１の導電箔１１には膜厚が１７５μｍ程度の銅箔を採用した。この膜厚は、後述するハーフエッチング孔２５の深さに対応するように決定される。最大２３０μｍ程度の膜厚の導電箔を採用することができる。従って、ハーフエッチング孔２５の深さを導電箔の厚みによって選択することができる。

第２の導電箔１２は、配線の高さに対応した厚さの導電箔が用いられる。本形態では、第２の導電箔１２の膜厚を１８μｍ程度にした。配線の厚さは、実装される回路素子の電流容量などによって任意に決定することができる。

本発明の第２の工程は、図３（Ｂ）に示すように、絶縁基板、第１の導電箔及び第２の導電箔を貫通するスルーホールを予定の位置に形成することにある。

本工程では、スルーホール電極を形成するためのスルーホール２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆが、ＮＣ工作機を用いてドリル等で第１の導電箔１１、第２の導電箔１２および絶縁基板１０を貫通して開けられる。スルーホール２０ａ、２０ｂは、図２（Ａ）で示したハーフエッチング孔の左右に直径０．３ｍｍの大きさで設けられ、またスルーホール２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆは、絶縁基板１０の周端にかかるように直径０．４ｍｍの大きさで設けられる。図３ではスルーホール２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆを便宜的に同一断面図に示しているが、実際の配置は図２（Ａ）（Ｂ）に示すものである。

本発明の第３の工程は、図３（Ｃ）に示すように、スルーホールをスルーホールメッキにより前記第１の導電箔１１と第２の導電箔１２を電気的に接続するスルーホール電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆを形成することにある。

本工程では、全体をパラジウム溶液に浸漬して、第１の導電箔１１および第２の導電箔１２を電極としてスルーホール２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆの内壁に銅の無電解メッキおよび電解メッキにより約２０μｍの膜厚のスルーホール電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆを形成する。

本発明の第４の工程は、図３（Ｄ）に示すように、第１の導電箔１１をエッチングして各発光素子３１が載置されるセルのパターンを多数個形成することにある。

本工程では、絶縁基板１０の第１の導電箔１１および第２の導電箔１２をレジスト層（図示せず）で被覆し、第１の導電箔１１には図２（Ａ）に示す短冊形状のパターンを露光現像し、残ったレジスト層をマスクとして第１の導電箔１１のエッチングを行う。これにより、各発光素子３１が載置されるセルのパターンが行列状に多数個形成される。第１の導電箔１１が銅のときはエッチング溶液として塩化第２鉄を用いる。続いて、レジスト層の剥離除去を行う。各セルのパターンの形状についてはすでに図２（Ａ）を参照して説明しているので、ここでは省略する。なお、分離溝２７もこの工程で一緒に形成される。

本発明の第５の工程は、図３（Ｅ）に示すように、各セルの第１の導電箔１１を表面からハーフエッチングして湾曲した側面２６を有するハーフエッチング孔２５を形成することにある。

本工程では、再び、絶縁基板１０の第１の導電箔１１および第２の導電箔１２をレジスト層（図示せず）で被覆し、第１の導電箔１１には図２（Ａ）に示す円状のパターンを中央付近に露光現像し、残ったレジスト層をマスクとして第１の導電箔１１の表面からハーフエッチングを行う。これにより、第１の導電箔１１に湾曲した側面２６を有するハーフエッチング孔２５が形成される。第１の導電箔１１が銅のときは同様に塩化第２鉄を用いる。続いて、レジスト層の剥離除去を行う。

本工程では、ハーフエッチング孔２５の深さでエッチング条件を選択し、そのエッチング速度からエッチング時間でコントロールする。

更に、本工程の後、図４（Ａ）に示すように、第２の導電箔１２の化学エッチングも行う。再び、絶縁基板１０の第１の導電箔１１および第２の導電箔１２をレジスト層（図示せず）で被覆し、第２の導電箔１２には図２（Ｂ）に示す短冊形状のパターンおよび中央より左方に凸状のパターンを露光現像し、残ったレジスト層をマスクとして第２の導電箔１２のエッチングを行い、分離溝２８を形成する。これにより、セルのパターンが行列状に多数個完成される。第２の導電箔１２が銅のときは同様に塩化第２鉄を用いる。続いて、レジスト槽の剥離除去を行う。なお、第２の導電箔１２のセルパターンはそれぞれが接続パターン２９（図２（Ｂ）参照）により電気的に接続されている。これは次工程で導電金属層をメッキする際に第２の導電箔１２を共通電極として用いるためである。

本発明の第６の工程は、図４（Ｂ）に示すように、ハーフエッチング孔２５及びスルーホール電極２１ａ、２１ｂ表面に選択的にボンディング可能な導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃをメッキにより付着することにある。

本工程では連結されている第２の導電箔１２のセルパターンを共通電極としてそれにスルーホール電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆで電気的に接続された第１の導電箔１１のセルパターンのハーフエッチング孔２５およびスルーホール電極２１ａ、２１ｂの表面に選択的にボンディング可能な導電性金属層を電解メッキにより付着する。導電性金属層としては金、銀あるいはニッケルのいずれか１つが選択され、多くの場合銀メッキ層２３ａ、２３ｂ、２３ｃを設けて金属細線のボンディングを可能とする。

本発明の第７の工程は、図４（Ｃ）に示すように、各セルのハーフエッチング孔２５の底面に発光素子３１を固着することにある。

本工程では発光素子３１のチップを絶縁性のエポキシ樹脂等の接着剤３３でハーフエッチング孔２５の底面に固着する。発光素子の上面にはアノードおよびカソード電極があり、底面は第１の導電箔１１とは電気的に絶縁されてハーフエッチング孔２５に固着される。発光素子３１の固着にはチップマウンターを用いる。なお、接着剤３３として導電ペーストを用いる場合は、カソードは第１の導電箔１１より取り出される。

本発明の第８の工程は、図４（Ｃ）に示すように、発光素子３１の電極（図示せず）と導電性金属層２３ａ、２３ｃを金属細線３０のボンディングにより接続することにある。

本工程では金の金属細線３０を用いてボンダーで電極の位置をパターン認識しながら超音波熱圧着により発光素子３１の電極とスルーホール電極２１ａ、２１ｂ上の導電性金属層２３ａ、２３ｃとを接続する。ハーフエッチング孔２５により発光素子３１の電極と導電金属層２３ａ、２３ｃとはほぼ同一平面に位置するので、金属細線３０のボンディングは高低差がなく効率よく行える。

本発明の第９の工程は、図４（Ｃ）に示すように、発光素子３１及び金属細線３０を透明樹脂３２で被覆することにある。

本工程では発光素子３１および金属細線３０を透明樹脂３２で被覆して外気より保護をし、また光を取り出す凸レンズとしても働く。

本発明の第１０の工程は、図５に示すように、各セルごとにダイシングして個別の発光装置に分割することにある。

本工程では絶縁基板１０に行列状に配列された多数個のセルをダイシングにより個別の完成した発光装置に分離する。この際に第２の導電箔１２を連結する接続パターン２９（図２（Ｂ）参照）も切断されて第２の導電箔１２のセルもそれぞれが電気的に分離される。

具体的には、絶縁基板１０は６８ｍｍ×１００ｍｍのガラスエポキシ基板を用いる。周辺には位置合わせ孔を複数個設けられ、内部には行列上に多数の短冊形状の各セルが配置される。位置合わせ孔３４は前述した工程での位置決めに利用される。

本発明の発光装置の（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図である。 本発明に用いる実装基板の（Ａ）上面図、（Ｂ）底面図である。 （Ａ）〜（Ｅ）は本発明の製造方法を説明する断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は本発明の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実装基板の上面図である。 従来の発光装置を説明する断面図である。

符号の説明

１０ 絶縁基板
１１ 第１の導電箔
１２ 第２の導電箔
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ スルーホール
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ スルーホール電極
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ 導電性金属層
２５ ハーフエッチング孔
２６ 湾曲面
２７、２８ 分離溝
２９ 接続パターン
３０ 金属細線
３１ 発光素子
３２ 透明樹脂
３３ 接着剤
３４ 位置合わせ孔

Claims (10)

1. 絶縁基板の１主面に設けた厚い第１の導電箔と、
   前記絶縁基板の反対主面に設けられ前記第１の導電箔より薄い第２の導電箔と、
   前記第１の導電箔の主面から化学エッチングにより形成し且つ底面を前記第１の導電箔の中間に設けたハーフエッチング孔と、
   該ハーフエッチング孔の底面に固着された前記発光素子と、
   前記第１の導電箔と前記第２の導電箔とを前記絶縁基板を貫通するスルーホールを介して電気的に接続するスルーホール電極と、
   前記ハーフエッチング孔の湾曲した側面及び前記スルーホール電極表面に設けられたボンディング可能な導電性金属層と、
   前記発光素子の電極と前記スルーホール電極表面の前記導電性金属層とを接続する金属細線とを備え、
   前記エッチング孔の側面に設けた前記導電性金属層を前記発光素子の反射面として用いることを特徴とする発光装置。
2. 前記ハーフエッチング孔の底面の長さは前記第１の導電箔表面の開口部の長さのほぼ半分とすることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光素子の上面と前記第１の導電箔表面をほぼ揃えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
4. 前記第１及び第２の導電箔は銅から成り、
   前記導電性金属層は金、銀、ニッケルのいずれか１つから選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
5. １主面には厚い第１の導電箔が貼着され、反対主面には該第１の導電箔より薄い第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程と、
   前記絶縁基板、前記第１の導電箔及び第２の導電箔を貫通するスルーホールを予定の位置に形成する工程と、
   前記スルーホールをスルーホールメッキにより前記第１の導電箔と第２の導電箔を電気的に接続するスルーホール電極を形成する工程と、
   前記第１の導電箔をエッチングして各発光素子が載置されるセルのパターンを多数個形成する工程と、
   前記各セルの前記第１の導電箔を表面からハーフエッチングして湾曲した側面を有するハーフエッチング孔を形成する工程と、
   前記ハーフエッチング孔及び前記スルーホール電極表面に選択的にボンディング可能な導電性金属層をメッキにより付着する工程と、
   各セルの前記ハーフエッチング孔の底面に前記発光素子を固着する工程と、
   前記発光素子の電極と前記導電性金属層を金属細線のボンディングにより接続する工程と、
   前記発光素子及び前記金属細線を透明樹脂で被覆する工程と、
   各セルごとにダイシングして個別の発光装置に分割する工程とを具備することを特徴とする発光装置の製造方法。
6. 前記第１の導電箔及び第２の導電箔は銅で構成され、スルーホール電極は銅メッキで形成されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 各セルは短冊形状に形成され、行列状に多数個を配列されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記ハーフエッチング孔を形成する工程の後に、前記第２の導電箔を前記各セルに対応する短冊形状に形成する工程を具備することを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記導電性金属として金、銀、ニッケルのいずれかを用い、前記第２の導電箔を共通電極として電解メッキで付着することを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記発光素子の電極と前記導電性金属層を金属細線のボンディングにより接続する工程において、前記発光素子の電極と前記導電性金属層の表面とをほぼ揃えてボンディングを
    行うことを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。

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