CN101267011A - 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架 - Google Patents

半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种半导体发光装置，其具有优异的散热性，并能够通过模具成形实现具有预期的光学特性的密封形状。该半导体发光装置具备引线框架，该引线框架包含：在主表面(1a)上装配有LED芯片(4)的板状的半导体发光元件装配部(1c)；在与半导体发光元件装配部(1c)相同的平面上延展的板状的金属线连接部(1d)。另外，其具备将LED芯片(4)和金属线连接部(1d)电气式连接起来的金属线(5)。另外，其具备以完全覆盖着LED芯片(4)和金属线(5)的方式通过模具成形或橡皮障成形而成形的热硬化性树脂(3)。另外，其具备设置在环绕着引线框架的结构中、厚度小于等于引线框架的厚度的树脂部(2)。

Description

半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架
技术领域
本发明涉及用于装配半导体发光元件的半导体发光装置和半导体发光装置用多引线框架。
背景技术
特开2004-274027号公报、特开平7-235696号公报、特开2002-141558号公报等公开了与现有的半导体发光装置相关的技术。如图21所示，现有的半导体发光装置具备：具有主表面101a的引线框架101；设置在主表面101a上的LED(Light Emitting Diode：发光二极管)芯片104；连接引线框架101和LED芯片104的金线105；以完全覆盖LED芯片104和金线105的方式设置在主表面101a上的环氧树脂106；以环绕着环氧树脂树脂106的方式设置的树脂部103。
在引线框架101的周围设置通过嵌入成形等形成的树脂部103。树脂部103在主表面101a上形成为凹状。在主表面101a上，在凹状的内部隔着银(Ag)浆107装配LED芯片104。在LED芯片104的顶面一侧形成的电极和引线框架101的主表面101a通过金线105连接。在主表面101a上，以覆盖着LED芯片104和金线105并将凹状的内部完全填充起来的方式设置有环氧树脂106。
图21所示的半导体发光装置的制造方法是，首先将板状的引线框架101加工成预定图案。在引线框架101上镀银(Ag)，在该状态下将引线框架101嵌入成形到树脂部103内。其后，在主表面101a上隔着银浆107装配LED芯片104。LED芯片104和主表面101a通过金线104电气连接。其后，利用环氧树脂106将LED芯片104和金线105密封起来。最后，将在周边突出着向预定方向延伸的引线端子截断，去除引线框架101的无用部分。
图21所示的树脂部103除了起到将LED芯片104发出的光通过在凹状侧壁反射从而对光的指向性加以控制的作用之外，也发挥将形成为预定图案形状的引线框架101的形状加以固定的作用。在对LED芯片104和金线105进行树脂密封的工序中，将液态环氧树脂106滴到树脂部103形成的凹状中，然后使其硬化。但是，在该方法中，环氧树脂106的形状被限定为树脂部103所形成的凹状，无法控制树脂密封形状引起的光学特性。进一步，滴下的环氧树脂106容易受到树脂粘度的影响，除了会产生填充量的不均匀之外，因热硬化时挥发成分的蒸发、硬化收缩等的影响，难以确保均匀的密封形状。
另外，按照现有技术的方式将环氧树脂106和树脂部103粘结在一起时，由于两种树脂的粘结力小，在成形后，环氧树脂106和树脂部103之间可能会发生剥离，导致光学特性下降。实际上，在长时间老化试验中也发生了因环氧树脂106和树脂部103的剥离而导致的光学特性不良。
为了实现环氧树脂106的密封形状的稳定、各种密封形状的成形，可以考虑使用模具进行成形。为了进行模具成形，必须使引线框架101的内外侧保持平坦。但是，引线框架101的主表面101a上存在突起的树脂部103，因而使用模具时难以合模。特开2004-274027号公报中也提到了在树脂部103突出在引线框架101的主表面101a上的状态下的模具成形(参照特开2004-274027号公报的说明书第0059段)，但仅对LED芯片104周围利用环氧树脂106进行密封时，合模区域受到限制，而且存在着树脂门(gate)和浇道(runner)等的占用区域问题，难以实施。
为了实现模具成形，可以考虑使用能够形成平坦表面的金属芯基板或陶瓷基板等。但是，在使用陶瓷基板的情况下，与现有的玻璃环氧树脂基板等树脂基板相比，虽然其热导率更大(例如在氧化铝的情况下约为20W/m·K等)，但基板单价上升。进一步，也具有在使用模具进行合模时容易破损的缺点。另一方面，如果是金属芯基板，必须在基板图案和金属芯之间设置绝缘层，该绝缘层会导致热导率减小。亦即，没有提供具有与金属框架相同水平的热导率而且能够实施模具成形的引线框架。
发明内容
本发明的主要目的是提供既具有优异的散热性、又能够为了确保具有预期光学特性的密封形状而容易地实施模具成形的半导体发光装置和半导体发光装置用多引线框架。
本发明的半导体发光装置具备引线框架，该引线框架包含：在主表面上装配有半导体发光元件的板状的半导体发光元件装配部；在与半导体发光元件装配部相同的平面上延展的板状的金属线连接部。另外，其具备将半导体发光元件和金属线连接部电气式连接起来的金属线。另外，其具备以完全覆盖着半导体发光元件和金属线的方式通过模具成形或橡皮障(dam sheet)成形而形成的密封树脂。另外，其具备设置在环绕着引线框架的结构中、厚度小于等于引线框架的厚度的绝缘体。
借助于按照这种方式构成的半导体发光装置，在热导率大的金属制引线框架的主表面上装配半导体发光元件，形成了在半导体发光元件所产生的热量藉以向外部散发的散热通道上不存在绝缘基板等热阻抗大的材料的结构，因而能够形成散热性好的半导体发光装置。另外，绝缘体的厚度小于等于引线框架的厚度，形成了在半导体发光装置的主表面上不存在突起物的平坦表面。
因此，作为对半导体发光元件进行密封的方法，既可以使用现有的滴下液态树脂的灌封法，也可以很容易地引进使用液态或固体树脂的模具成形。另外，在使用灌封法的情况下，可以引进橡皮障成形。由此可以形成圆柱形、圆顶形等与产品所要求的光学特性相应的密封树脂的密封形状。
进一步，能够抑制为了在模具内或橡皮障内使树脂硬化而在现有的液态树脂密封中存在的因粘度变化等导致的滴下量不均、硬化时挥发成分的蒸发或硬化收缩引起的密封形状偏差等问题。
绝缘体优选是热塑性树脂或热硬化性树脂。在这种情况下，能够容易地使绝缘体成形。
在引线框架的主表面上至少是半导体发光元件装配部中形成有凹部，半导体发光元件优选是装配在凹部的底面上。在这种情况下，通过在凹部底面上设置半导体发光元件，能够获得具有仅靠密封树脂的形状无法控制的光学特性，特别是与不具有凹部的半导体发光装置相比具有更高指向特性的半导体发光装置。
引线框架优选是具有用于防止绝缘体剥落的楔子结构。在这种情况下，在形成绝缘体时，向楔子结构中灌注绝缘体，由此能够防止绝缘体从引线框架上剥离、脱落。
半导体发光装置优选是具备从绝缘体的周边向远离半导体发光元件的一侧突出的引线端子。在半导体发光装置的制造工序中，为了使半导体发光装置单片化(singulation)而进行切断加工，而利用按照这种方式构成的半导体发光装置，除了现有的切割方法之外，也可以利用模具进行切断。如果金属的切割面发生氧化，就会发生相对于焊料的易润性下降(即，在附着焊料时用于实现粘结的焊料合金与试图粘结的部分变得不易融合，焊料在试图粘结的表面上形成颗粒状)的问题。根据本发明的半导体发光装置，由于引线端子从绝缘体中突出出来，不仅在上述切割面上，而且在引线端子的侧面上也能够确保焊料余地，能够防止焊料易润性下降。
半导体发光装置优选是在其主表面上进一步具备以不与密封树脂相接触的方式设置的反射体。或者，优选是进一步具备相对于绝缘体的周边设置在更远离半导体发光元件的一侧的反射体。借助于按照这种方式构成的半导体发光装置，能够获得仅靠对半导体发光元件进行密封的密封树脂的形状所无法控制的光学特性。同时，可以将半导体发光元件发出的光更有效地导出到外部。
本发明的半导体发光装置用多引线框架包含由多个用于构成半导体发光装置的引线框架连接而成的引线框架基材。另外，包含以环绕着引线框架的方式填充到引线框架基材上形成的全部空隙中、成为构成半导体发光装置的绝缘体的绝缘体基材。半导体发光装置用多引线框架形成为基板状。
在这种情况下，沿着排列成直线状的半导体发光装置的外形切断半导体发光装置用多引线框架，就能够使半导体发光装置单片化。即，将构成半导体发光装置的引线框架和绝缘体连接多个而成的半导体发光装置用多引线框架通过例如旋转叶片或激光截断并分离，就能够获得多个包含单个引线框架和环绕着该引线框架的绝缘体的半导体发光装置。
本发明的另一个半导体发光装置用多引线框架包含由多个用于构成半导体发光装置的引线框架连接而成的引线框架基材。另外，包含以环绕着引线框架的方式填充到引线框架基材上形成的空隙中、成为构成半导体发光装置的绝缘体的绝缘体基材。半导体发光装置用多引线框架形成为基板状。此外，上述空隙的一部分形成为没有填充绝缘体基材的槽结构。
在这种情况下，在截断半导体发光装置用多引线框架时，可以利用截断模具进行截断。如果利用模具截断半导体发光装置用多引线框架的金属部分、通过切割来截断用作绝缘体的树脂部分，就能够防止在同时切割金属和树脂时产生的毛刺(burr)等剪切不良。另外，半导体发光装置的特性检查并不限于以单片化的半导体发光装置为单位，能够以多引线框架为单位实施，因此能够提高生产效率。
绝缘体基材优选是将多个各绝缘体连接起来。在这种情况下，能够使多个绝缘体一次成形。当绝缘体是树脂时，绝缘体基材能够通过切割容易地截断、分离。
引线框架基材优选是具有用于防止绝缘体基材脱落的锁(key)结构。在这种情况下，能够提高引线框架基材和绝缘体基材的接合力，因而在利用模具截断引线框架基材时也能够防止绝缘体基材从引线框架上分离脱落。
本发明的再一个半导体发光装置用多引线框架包含由多个用于构成半导体发光装置的引线框架连接而成的引线框架基材。另外，包含以环绕着引线框架的方式填充到引线框架基材上形成的空隙中、成为构成半导体发光装置的绝缘体的绝缘体基材。半导体发光装置用多引线框架形成为基板状。此外，引线框架基材具有格棂框架，绝缘体基材借助于格棂框架被分隔成环绕着引线框架的单个绝缘体。
在这种情况下，利用截断模具将半导体发光装置用多引线框架截断，由此就能够使半导体发光装置单片化，因此，不需要通过切割进行截断，能够进一步提高生产效率。
该半导体发光装置具有优异的散热性，而且，能够为了确保具有预期光学特性的密封形状而容易地实施密封树脂的模具成形。
本发明的上述及其他目的、特征、方面和优点通过结合附图对本发明所作的以下详细描述会变得显而易见。
附图说明
图1是表示第1实施方式的半导体发光装置的截面的示意图。
图2是图1所示的半导体发光装置的平面图。
图3是表示第1实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图。
图4是第1实施方式的多引线框架的示意图。
图5A是半导体发光装置中构成引线框架的部分在被绝缘体包围之前的形状的平面图。
图5B是沿图5A所示的VB-VB线的剖视图。
图5C是沿图5A所示的VC-VC线的剖视图。
图5D是沿图5A所示的VD-VD线的剖视图。
图6是表示第2实施方式的半导体发光装置的截面的示意图。
图7是表示第3实施方式的半导体发光装置的截面的示意图。
图8是图7所示的第3实施方式的半导体发光装置的平面图。
图9是表示第4实施方式的半导体发光装置的截面的示意图。
图10是图9所示的第4实施方式的半导体发光装置的平面图。
图11是表示第4实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图。
图12是第4实施方式的多引线框架的示意图。
图13是表示在多引线框架中形成了冲裁部后的状态的示意图。
图14是表示第5实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图。
图15是第5实施方式的多引线框架的示意图。
图16是表示第6实施方式的半导体发光装置的截面的示意图。
图17是表示多个反射体封装在一起时的透视图。
图18是表示将反射体的封装设置在安装基板上的状态的透视图。
图19是表示第7实施方式的半导体发光装置的截面的示意图。
图20是表示第7实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图。
图21是表示现有的半导体发光装置的有代表性的截面的示意图。
具体实施方式
下面根据附图说明本发明的实施方式。在下面的附图中，对于相同或相当的部分赋予同一参考编号，对其说明不做重复。
(第1实施方式)
如图1和图2所示，该半导体发光装置具备：具有主平面1a的引线框架1；环绕着引线框架1而设置、厚度小于等于引线框架1的厚度的树脂部2，其被用作绝缘体；设置在主平面1a上用作半导体发光元件的LED芯片4；金属线5；以完全覆盖着LED芯片4和金属线5的方式设置的用作密封树脂的热硬化性树脂3。
引线框架1包含在主表面1a上装配有LED芯片4的半导体发光元件装配部1c。另外，引线框架1包含通过金属线5与LED芯片4电气式连接、并与半导体发光元件装配部1c在同一平面上延展的金属线连接部1d。通过树脂部2将半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d的周边包围起来，利用树脂部2形成半导体发光装置的外形。
半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d具有板状形状，并通过实施预定的构图加工而脱离。在脱离的半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d之间，从主表面1a直到与主表面1a相反一侧的面即背面1b，形成有狭缝状的槽1m。半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d借助于填充着与树脂部2相同的绝缘体的树脂材料的狭缝状槽1m保持电气绝缘。即，如后所述，在向树脂部2中填充树脂时，向狭缝状槽1m中填充与填充到树脂部2中的树脂材料相同的树脂材料。
LED芯片4设置在半导体发光元件装配部1c的主表面1a上。LED芯片4隔着例如银浆6等导电性浆被固定保持在半导体发光元件装配部1c的主表面1a上。设置在LED芯片4的顶面4a(即与引线框架1相向一侧的面的相反一侧的面，图1所示的上侧面)上的电极和借助于狭缝状槽1m与半导体发光元件装配部1c脱离的金属线连接部1d通过以例如金(Au)等为原材料的金属线5相连接。即，LED芯片4通过银浆6和金属线5与主表面1a电气式连接。
连接到LED芯片4的电极的金属线5的一端5p形成为球状，连接到金属线连接部1d的金属线5的另一端5q形成为线状。这样一来，就能够对金属线连接部1d和另一端5q实施球焊、对LED芯片4和一端5p实施楔形焊接，金属线5的一端5p以低环状态连接到LED芯片4。因而，能够将金属线5设置得更接近引线框架1的主表面1a，因此，能够减少为了完全覆盖LED芯片4和金属线5所需的热硬化性树脂3的量。
向LED芯片4通以电流后，在发光的同时也会发热。该热量传导到半导体发光元件装配部1c，从半导体发光元件装配部1c散发到安装基板等半导体发光装置外部。在该实施方式中，通过使半导体发光元件装配部1c具备足够的厚度，能够将LED芯片4产生的热量高效地散发出去。
而板状的引线框架1的厚度越厚，引线框架1的蓄热性越高，能够高效地将LED芯片4产生的热量散发出去。但是，由于加工方面的问题，引线框架1的厚度增加会导致狭缝状槽1m变宽。即，为了防止引线框架1在组装时发生错位，引线框架1要求加工精度。但是，在模具加工中，要实现尺寸在板材厚度以下的加工精度非常困难，因此，增加引线框架1的厚度时，必须增大狭缝状槽1m的宽度。而为了实现半导体发光装置的小型化，引线框架的厚度设定为最大1.5mm左右。
另外，为了使热量从引线框架1高效地散发出去，引线框架1利用热导率为300W/m·K以上的金属形成。在形成引线框架1的金属的热导率小于300W/m·K的情况下，无法充分获得通过引线框架1对LED芯片4产生的热量的扩散和散热效果。具体地，无氧铜(热导率：391W/m·K)散热性高，是最优选的材料，而根据引线框架1的结构及其强度，采用铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、铬(Cr)、铅(Pb)、银(Ag)等金属混合而成的合金，虽然热导率减小，但能够形成具有足够的框架强度的引线框架1。在采用合金的情况下，添加到铜(Cu)之中的金属量越小，引线框架1的热导率越高。
图1中表示的是在引线框架1上只装配了一个LED芯片4的半导体发光装置，利用引线框架1的图案加工，也可以形成在单个半导体发光装置上装配多个LED芯片4的结构。借助于装配了多个LED芯片4的半导体发光装置，能够获得高输出的光源。另外，如果将例如蓝色、绿色、红色系的LED芯片分别安装1个，就能够获得通过调整分配给各LED芯片的电流可以实现白色等色调的光源。
在单个半导体发光装置上装配多个LED芯片4时，需要减小形成在半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d之间的狭缝状槽1m的间隔，使半导体发光装置小型化。在加工方面，引线框架1的厚度越大，狭缝状槽1m就会变得越宽。因此，通过减小引线框架1的厚度(例如0.15mm左右)、减小槽1m的宽度，就能够构造出既小型化又能够装配多个LED芯片4的半导体发光装置。
如图2所示，树脂部2成型为环绕着引线框架1(半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d)的结构。并且，树脂部2形成为其厚度为小于等于引线框架1的厚度，从而不会从引线框架1的主表面1a和背面1b上突起。另外，为了增大与引线框架1接触的树脂部2的表面积并使其具有楔子效果，对引线框架1的主表面1a和背面1b的适当位置实施加工，插入树脂后形成树脂部2，这样就能够防止树脂部2从引线框架1上剥落、脱落，提高产品强度。另外，使用由厚度不同的铜或铜合金条经模具加工制作而成的异形条(即厚度不统一)的引线框架1，并以树脂部2环绕着引线框架1整体的方式成型，也能够提高产品强度。在引线框架1的背面1b上设置有用于将半导体发光装置连接到安装基板等上的端子部。
考虑到制造时的回流(reflow)工序，使用耐热性优异的材料作为填充到树脂部2中的绝缘体。另外，为了反射从LED芯片4发出的光，优选是采用反射率高的白色材料形成。进而，优选是使用不会因LED芯片4发出的光而老化、热膨胀系数与引线框架1接近的材料。作为满足上述条件的具体材料，可以使用液晶聚合物或聚酰胺系树脂等热塑性树脂。另外，也可以使用环氧树脂等热硬化性树脂作为形成树脂部2的材料。进而，也可以使用氧化铝等陶瓷作为形成树脂部2的材料。
如图1所示，作为用于密封LED芯片4和金属线5的密封树脂的热硬化性树脂3形成为圆顶形状，而且为了确保其形状的稳定性，通过模具成形而形成。在热硬化性树脂3通过模具成形而形成的半导体发光装置中，在单片化的各个半导体发光装置中，热硬化性树脂3具有统一的成形形状。可以考虑采用注射模塑成形(例如转送成形等)和压缩成型等作为模具成形，可以选择成形性最好的模具成形方法。在本实施方式中，利用转送成形法进行密封。
现有的利用转送成形形成的热硬化性树脂3中，成形后的形状周围残留着浇道的痕迹。另外，在利用压缩成形形成的热硬化性树脂3中，成形后的形状周围残留着树脂溢出的痕迹。
这里，在配置于狭缝状槽1m的内部的树脂的主表面1a一侧的表面上形成有凹陷1e。凹陷1e起到在转送成形中用于插入热硬化性材料的通道即浇道和模具内部的空气的排出通道即排气道的作用。通过设置该凹陷1e，形成了转送成形时必须的树脂浇道和排气道内置在半导体发光装置内部的结构。由此，在转送成形时不需要另行设置浇道和排气道。因此，形成为圆顶状的热硬化性树脂3就不会带有浇道或排气道的切断痕迹。
关于转送成形树脂浇道用的凹陷1e的大小，可以根据其模具成形性、产品强度和光学设计加以变更。即，当用作密封树脂的热硬化性树脂3中掺加了填充物(filler)等粒子的情况下，尽可能地将凹陷1e设置得更大，就能够获得好的成形性。另一方面，如果凹陷1e过大，将半导体发光元件装配部1c和金属线连接部1d接合起来的狭缝状槽1m中填充的树脂的体积就会减小，导致半导体发光装置的产品强度降低，进而导致LED芯片4发出的光泄露到外部。因此，必须考虑半导体发光装置的产品强度和光学特性，适当地决定凹陷1e的尺寸。
作为用于密封LED芯片4和金属线5的密封树脂，可以使用热硬化性树脂(例如环氧树脂、硅树脂等)。利用该热硬化性树脂3的形状，能够使LED芯片4发出的光具备预期的光学特性。另外，通过使用折射率高的树脂作为密封树脂，可以根据半导体发光装置所要求的光学特性，去除现有的半导体发光装置的外围部所设置的反射板。
具体地，如图1所示，将密封树脂的形状做成圆顶形状，从LED芯片4发出的光的指向角变小(即抑制了光的扩散)。反之，对于不需要指向特性的产品，可以将密封树脂做成圆柱形状进行密封。
进而，密封树脂起到了保护LED芯片4和金属线5免受来自外部的物理或电气式接触的影响的作用。
接着说明图1所示的半导体发光装置的制造方法。如图3所示，首先在工序(S1)中利用例如冲压工艺加工或蚀刻加工等适当的加工手段将金属板材制作成预定形状的图案，加工引线框架基材。图4所示的引线框架基材201是将多个构成半导体发光装置的引线框架1连接而成，其包含引线框架基材201的两端的支承框架202和在支承框架202之间以架桥的方式连通并构成骨架形状的多个格棂框架203。在图1所示的半导体发光装置中构成半导体发光元件装配部1c的部分和在半导体发光装置中构成金属线连接部1d的部分在引线框架基材201分离开，并被保持为通过相邻格棂框架203悬吊的状态。
这时，可以在引线框架基材201上实施作为用于防止绝缘体剥落的楔子结构的圆锥加工或槽加工。图5是表示在图4的双点划线所包围的一个区域内的半导体发光装置中构成引线框架1的部分在被绝缘体包围之前的形状。如图5A～D所示，在引线框架1的主表面1a和背面1b的适当位置实施圆锥加工或槽加工从而形成了楔子结构1f，在填充了用于包围引线框架1的树脂部2时的引线框架1与树脂部2的接触面积增大。即，所谓的楔子结构1f就是通过对引线框架1的表面进行加工从而使引线框架1的表面积增大，由此使引线框架1和用作绝缘体的树脂部2的接触面积增大的结构。通过向这种楔子结构1f中插入树脂，能够防止树脂部2从引线框架1上剥离、脱落，发挥楔子效果。
接着，在工序(S2)中形成成为树脂部2的树脂基板207，作为构成半导体发光装置的绝缘体。树脂基板207是在引线框架基材201中围绕着构成引线框架1的部分而形成的全部空隙中填充树脂而形成。例如，可以通过嵌入成形来形成树脂基板207。
这时，在半导体发光装置中，构成半导体发光元件装配部1c的部分和构成金属线连接部1d的部分之间的空隙(即半导体发光装置中与狭缝状槽1m相当的部分)中也填充树脂。因此，在图1所示的半导体发光装置中，树脂部2和狭缝状槽1m中填充着同样的树脂。
树脂基板207形成为其厚度小于等于引线框架基材201的厚度。当工序(S2)结束时，引线框架基材201和树脂基板207形成为单片基板形状。
接着，在工序(S3)中，将热硬化性银浆6等导电性浆涂布到引线框架基材201的与半导体发光装置中构成半导体发光元件装配部1c的部分的主表面1a相当的表面上。继而，隔着导电性浆将用作半导体发光元件的LED芯片4安装到主表面1a上，进行芯片接合(die bond)。
接着在工序(S4)中将安装好的LED芯片4的电极和半导体发光装置中与构成金属线连接部1d的部分的主表面1a相当的表面通过使用例如直径20～30μm的金(Au)制作而成的金属线5电气式连接起来，进行引线接合。由此形成电气回路，半导体发光装置导通。
接着在工序(S5)中以完全覆盖LED芯片4和金属线5的方式进行树脂密封，使电气回路与外部隔绝，对其进行保护。用作密封材料的树脂是热硬化性树脂，可以使用环氧系、硅系等透明树脂。当半导体发光装置是白色照明的情况下，密封树脂可以使用含有添加了钆和铈的YAG系(钇铝石榴石)等荧光体的树脂。
这时，密封树脂使用液态或固体树脂通过模具成形法成形。因此，可以使密封树脂容易地成形为例如图1所示的圆顶形状等与预期的LED芯片4发出的光的光学特性相应的形状，并且能够确保密封树脂的形状的稳定性。能够抑制为了在模具内使树脂硬化而在现有的液态树脂密封中存在的因粘度变化等导致的滴下量不均、硬化时挥发成分的蒸发或硬化收缩引起的密封形状偏差等问题。
接着在工序(S6)中在引线框架基材201的背面(在图1所示的半导体发光装置中相当于半导体发光元件安装到安装基板上时与安装基板相接触的背面1b的部分)实施镀层处理。镀层处理可以是使用例如镀锡(Sn)、镀铋(Bi)、镀锡(Sn)铅(Pd)(镀焊料)的镀层处理。当工序(S6)结束时，如图4所示，制作完成了由多个半导体发光装置呈格子状排列的多引线框架200。
接着在工序(S7)中使用切割装置沿着呈格子状排列的半导体发光装置的外形(即沿着图4中的双点划线)截断多引线框架200。由此，由多引线框架200切割为多个半导体发光装置，分离出具备单个引线框架1和包围着引线框架1的树脂部2的单个半导体发光装置，实现了单片化。其后，在工序(S8)中实施半导体发光装置的检查工序，并进而在其后的工序(S9)中实施捆包(Taping)工序，将半导体发光装置整理成预定的发货状态。
关于以上说明的半导体发光装置的散热性，LED芯片4发光时产生的热首先被具有非常高的热导率的半导体发光元件装配部1c吸收，然后散热到安装有半导体发光元件的基板等。由于能够将作为半导体发光元件的LED芯片4产生的热高效地散发到外部，因此LED芯片4的温度降低，覆盖着LED芯片4的密封树脂也保持较低的温度。由此，即使因确保半导体发光装置的高亮度而流过大电流导致LED芯片4发热，也能够防止发光效率下降、并防止在利用密封树脂对荧光体进行分散支承的情况下该荧光体置身于高温中而引起的热劣化。另外，可以延长半导体发光装置的使用寿命。进一步，能够抑制LED芯片4发出的光的颜色偏差。
在密封树脂的成形时，在第1实施方式的半导体发光装置中，树脂部2的厚度小于等于引线框架1的厚度，引线框架1的主表面1a和背面1b上没有突起。因此，能够通过模具成形容易地使密封树脂成形，并根据产品特性自由地改变密封形状，同时，可以实现密封树脂形状的偏差小的密封。另外，根据半导体发光元件，通过采用折射率高的密封树脂，即使不使用反射板也能够获得充分的光学特性，其结果是，可以降低半导体发光元件的产品高度。
进一步，通过在配置于狭缝状槽1m内部的树脂中设置射出成形浇道和排气道用的凹陷1e，能够将浇道和排气道嵌入到半导体发光装置的内部。在密封树脂的形状达到小型化的情况下，树脂浇道或排气道的设置变得困难，也影响了成形性，另一方面，如果增大树脂浇道或排气道，就会在密封树脂的成形形状中残留浇道或排气道的截断痕迹。通过在配置于狭缝状槽1m内部的树脂中设置密封树脂用的浇道和排气道，就可以实现在密封树脂中不会残留浇道或排气道的截断痕迹的模具成形。
(第2实施方式)
如图6所示，第2实施方式的半导体发光装置与图1所示的第1实施方式的半导体发光装置相比，用作密封树脂的热硬化性树脂3的形状以及配置于狭缝状槽1m内部的树脂的形状不同。
具体地，热硬化性树脂3成形为圆柱形状，而在第2实施方式中则是通过橡皮障成形法形成热硬化性树脂3。另外，在配置于狭缝状槽1m的内部的树脂的主表面1a一侧的表面上没有形成射出成形浇道和排气道用的凹陷1e。
这里所说的橡皮障成形指的是这样一种热硬化性树脂的成形方法，其在由硅或特氟隆(注册商标)等构成的片材上开孔后形成片材(橡皮障)，将该片材粘贴到引线框架，向该开孔中通过灌封法注入树脂，在该状态下使树脂热硬化，其后将橡皮障剥除而仅将热硬化性树脂残留在引线框架上。
作为用于密封LED芯片4和金属线5的密封树脂的热硬化性树脂3是通过灌封法插入到形成在橡皮障上的开孔中的，因此，不需要设置射出成形浇道和排气道用的凹陷1e。根据按照这种方式构成的第2实施方式的半导体发光装置，密封树脂的形状限定于圆柱形状等通过橡皮障成形所能够形成的形状，但其不需要射出成型模具，只要准备好橡皮障，就能够以较少设备投资进行生产。另外，在密封树脂中掺加填充物(filler)等的情况下，如果使用射出成形法成形，容易产生密封树脂中的填充物浓度不均。与此相对地，在橡皮障成形中，对注射器中的密封树脂一边进行搅拌一边滴下，由此能够抑制填充物浓度的偏差。
通过橡皮障成形(灌封成形)所形成的热硬化性树脂3中，与模具成形的情形不同，在成形后的形状的周围没有树脂浇道痕迹或溢出痕迹、或者浇道或溢出树脂的截断痕迹。另外，在热硬化性树脂3是通过橡皮障成形而形成的半导体发光装置中，单片化而成的各个半导体发光装置中，热硬化性树脂3的成形形状多数情况下存在偏差(即密封树脂量不统一)。
对于第2实施方式中的半导体发光装置的其他结构和制造工序，由于它们与第1实施方式中所说明的相同，因此不再重复说明。
(第3实施方式)
如图7和图8所示，第3实施方式的半导体发光装置与如图1和图2所示的第1实施方式的半导体发光装置相比，引线框架1的主表面1a的形状有所不同。
具体地，主表面1a上形成有穿过半导体发光元件装配部1c、狭缝状槽1m、金属线连接部1d的凹部8。作为半导体发光元件的LED芯片4在凹部8的底面8a上隔着银浆6装配在半导体发光元件装配部1c上。另外，金属线连接部1d中的凹部8的底面8a上连接着从LED芯片4的顶面延伸的金属线5。凹部8的侧壁倾斜着形成，从而使得与主表面1a在同一平面上的凹部8的开口面积比凹部8的底面8a的面积更大。
在图7中，为了通过射出成型法形成用作密封树脂的热硬化性树脂3，在配置于狭缝状槽1m的内部的树脂的主表面1a一侧的表面上形成了浇道和排气道用的凹陷1e。在通过橡皮障成形进行密封的情况下，如在第2实施方式中所说明的那样，不需要形成凹陷1e。根据按照这种方式构成的半导体发光元件，能够获得与第1实施方式中所说明的效果相同的效果，而且，通过在凹部8的底面8a上设置LED芯片4，能够获得仅靠密封树脂的形状所不能控制的光学特性，特别是能够获得指向特性比不具备凹部8的半导体发光装置的封装更高的产品。
对于第3实施方式中的半导体发光装置的其他结构和制造工序，由于它们与第1实施方式中所说明的相同，因此不再重复说明。
(第4实施方式)
如图9和图10所示，第4实施方式的半导体发光装置与如图1和图2所示的第1实施方式的半导体发光装置相比，在具备从用作绝缘体的树脂部2的周边向远离用作半导体发光元件的LED芯片4一侧突出的引线端子7这一点上有所不同。
在图9中，为了通过射出成型法形成用作密封树脂的热硬化性树脂3，在配置于狭缝状槽1m的内部的树脂的主表面1a一侧的表面上形成了浇道和排气道用的凹陷1e。在通过橡皮障成形进行密封的情况下，如在第2实施方式中所说明的那样，不需要形成凹陷1e。
在第4实施方式中，包围着引线框架1而形成的树脂部2仅以足够保证半导体发光装置的产品强度的最低限度的树脂量限定性地包围引线框架1，用于与安装基板等相连接的引线端子7的端部没有被树脂部2包围。另外，该引线端子7的粗细要考虑半导体发光装置的制造工序中通过模具实施的截断，在足够保证引线框架1的强度的范围内形成得尽可能细。
根据按照这种方式构成的半导体发光装置，能够获得与第1实施方式中所说明的效果相同的效果，而且，由于引线端子7从树脂部2突出出来，因此除了现有的切割方法之外，也可以利用模具进行截断。
另外，在引线端子被树脂部2包围起来的第1～3实施方式中，引线端子的切割面上有金属裸露出来，该金属氧化后会导致相对于焊料的易润性下降。在第4实施方式的半导体发光装置中，引线端子7突出到外部(即远离LED芯片4的一侧)，因此不仅在引线端子7的切割面上，而且在其侧面上也能够确保焊料余地，能够防止焊料易润性的下降。由此，在将半导体发光装置安装到基板等之上时，能够在引线端子7上进行良好的焊锡附着。
对于第4实施方式中的半导体发光装置的其他结构，由于与第1实施方式中所说明的相同，因此不再重复其说明。
下面说明第4实施方式的半导体发光装置的制造方法。图11所示的工序(S101)～(S106)是与图3所示的第1实施方式的(S1)～(S6)相同的工序，在工序(S101)中，在引线框架基材201的两端的支承框架(托架)202上形成锁结构205。锁结构205是为了在包围着引线框架基材201中构成引线框架1的部分而形成的空隙中填充树脂、形成树脂基板207时，提高引线框架基材201与树脂基板207的连接力而设置。
在接下来的工序(S102)中，树脂基板207是在引线框架基材201中围绕着构成引线框架1的部分而形成的空隙中填充树脂而形成。这里，在图12所示的第4实施方式的多引线框架200中形成有在树脂基板207和格棂框架203之间未填充树脂的槽结构204，与具有在上述全部空隙中填充树脂的结构的第1实施方式结构不同。例如，在利用压缩成型法填充树脂时，只要设置用于防止树脂流入的遮罩，就能够形成槽结构204。
即，在如上所述的第4实施方式的半导体发光装置中，树脂部2仅以保证产品强度的最低限度的树脂量限定性地包围引线框架1，用于与安装基板等相连接的引线端子7的端部未被树脂部2包围。因此，在引线框架基材201中构成引线端子7的部分和存在于树脂基板207之间的格棂框架203具有未被树脂覆盖的结构。另一方面，在相邻的2个格棂框架203之间，树脂基板207形成为到达引线框架基材201的两端的支承框架(托架)202的状态。
接着在工序(S107)中利用切断模具实施截断。切断模具材质可以采用通常情况下在截断金属框架的模具中所使用的材质(硬质合金(Cemented Carbide)等)。引线端子7远离LED芯片4的一侧的端部未被树脂覆盖，因此，沿着格棂框架203的方向的多引线框架列之间的截断可以不执行在第1实施方式中所说明的利用切割装置进行的截断，而是可以利用切断模具进行截断。
其结果是，如图13所示，原来形成有格棂框架203的部分形成了冲裁加工部208，利用冲裁加工部208将被相邻的树脂基板207包围的相邻的引线框架1分离开。由于利用锁结构205提高了引线框架基材201和树脂基板207的接合力，因此即使利用切断模具将格棂框架203截断之后，树脂基板207仍然与支承框架(托架)202相连。
在这种状态下，各个半导体发光装置借助于树脂基板207与支承框架(托架)202相连，但在电气上各自独立。因此，在接下来的工序(S108)中，就可以进行以多引线框架为单位的半导体发光装置的特性检查。其后，在工序(S109)中利用切割装置将树脂基板207截断，使半导体发光装置单片化。工序(S110)的捆包(Taping)工序与第1实施方式中所说明的相同。
根据按照这种方式构成的第4实施方式的半导体发光装置用多引线框架和半导体发光装置的制造方法，引线端子7通过模具进行截断，切割部分仅限于树脂基板207，因此，能够解决同时切割金属和树脂时产生的毛刺等切割不良问题。由于在多引线框架200中形成有槽结构204，因此能够减少模具截断时所需的力，能够实现模具的简单化和冲压机的小型化。另外，利用同样能力的冲压机，能够截断更多数量的半导体发光装置。另外，如上所述，迄今为止将半导体发光装置单片化后实施的特性检查就能够以多引线框架为单位实施。因此，能够提高半导体发光装置的生产效率。
(第5实施方式)
在第5实施方式中说明图9和图10所示的半导体发光装置的另一个制造方法。如图15所示，第5实施方式的半导体发光装置用多引线框架与第4实施方式相比，其不同点在于，树脂基板207仅存在于构成各个引线框架1的部分的周围，通过格棂框架203和206将树脂基板207单个分隔开，相邻的半导体发光装置具有未通过树脂基板207相连的结构。
即，各个树脂基板207具有被格棂框架203和206分隔为包围着各个引线框架1的各个绝缘体的结构，其仅限于在构成各个引线框架1的部分的周围存在，与构成相邻的引线框架1的部分的周围的树脂基板207不相连接。
根据这种结构的半导体发光装置用多引线框架，在图14所示的工序(S207)中，只需利用模具截断引线端子7的端部，不需要切割树脂部2。即，如果以图14所示的流程图与图11进行比较，则其不同之处在于，工序(S207)的模具切断中各个半导体发光装置被单片化，省略了图11所示的切割工序(S109)。因此，工序被缩短，能够进一步提高半导体发光装置的生产效率。
对于第5实施方式中的半导体发光装置的其他结构和制造工序，由于它们与第1和第4实施方式中所说明的相同，因此不再重复说明。
(第6实施方式)
如图16所示，第6实施方式的半导体发光装置与图9所示的第4实施方式的半导体发光装置相比，其不同点在于，其在比树脂部2和引线端子7的周边更远离LED芯片4的一侧进一步设置了反射体10。
为了对由LED芯片4发出并穿过热塑性树脂3照射过来的光线高效地进行反射，可以使用反射率高的白色树脂形成反射体10。另外，与树脂部2同样地，考虑到制造过程中的回流工序，可以使用耐热性优异的树脂形成反射体10。另外，为了更高效地反射光线，也可以对反射体10与LED芯片4相向的表面即内周面实施例如镀银、镀镍、镀镍-铬等镀层处理。另外，反射体10也可以是Al、Cu、Fe、Mg等热导率高的金属制品。另外，反射体10既可以通过由环氧系树脂等透明树脂构成的粘合剂11连接到装配着由引线框架1和树脂部2形成的封装的基板12上，也可以通过粘结片粘结到基板12上。反射体10的内周面的形状可以做成能够高效地释出光线的圆锥面、椭圆锥面、球面或抛物面的一部分。
根据按照这种方式构成的半导体发光装置，既能够获得与第4实施方式中所说明的效果相同的效果，而且能够获得仅靠密封树脂的密封形状无法实现的光学特性，同时也提高了光的抽出效率。另外，热硬化性树脂3是通过模具成形或橡皮障成形而成形，因此，如图21所示的现有实例那样，反射体10与热硬化性树脂3不接触。即，不会发生一直存在的反射体10与热硬化性树脂3剥离不良的问题。
反射板10设置在半导体发光装置的外围部。因此，就能够如图17所示将多个反射体10封装在一起，仅将完成特性检查的LED封装100安装到安装基板12上，然后如图18所示将反射体10的封装(即，指的是在平板状的基材上形成多个贯穿孔，该贯穿孔的内壁形成了与反射体10的内周面相同形状的部件)设置到LED封装100的外围。
对于第6实施方式中的半导体发光装置的其他结构和制造工序，由于它们与第1和第4实施方式中所说明的相同，因此不再重复说明。
(第7实施方式)
如图19所示，第7实施方式的半导体发光装置与图16所示的第6实施方式的半导体发光装置相比，其不同点在于，反射体10是以不与用作密封树脂的热硬化性树脂3相接触的方式设置在主表面1a上。
反射体10既可以通过粘合剂11、也可以通过粘结片固定到引线框架1的主表面1a上，在使用粘合剂11的情况下，粘合剂11的厚度优选是在保证粘合强度的范围内充分薄。这是因为，当粘合剂11的厚度较大时，就会从透明树脂的粘合剂11发生光线泄露，光的抽出效率降低。
在第7实施方式的半导体发光装置的情况下，多引线框架中采用图12所示的形状。图20所示的第7实施方式的半导体发光装置的制造方法与图11所示的流程图相比，其不同点在于，在工序(S307)实施模具切断后，在工序(S308)中利用粘合剂11将图17所示的反射体10的封装粘贴到引线框架1的主表面1a上，然后在工序(S309)中通过切割将树脂基板207和反射体10截断。
根据按照这种方式构成的半导体发光装置，既能够获得与第4实施方式中所说明的效果相同的效果，而且能够获得仅靠密封树脂的密封形状无法实现的光学特性。同时，由于反射体10的内周面与LED芯片4的距离缩短，能够更有效地将光线释出到外部，提高了光抽出效率。进而，通过在主表面1a上粘贴反射体10，除了树脂部2之外，也能够使反射体10保持半导体发光装置的外形，因此提高了半导体发光装置的产品强度。由此，通过减小引线框架1的厚度、缩小狭缝状槽1m的间隔，可以使半导体发光装置保持小尺寸，同时实现多片化(在安装基板上装配多个半导体发光装置)。
对于第7实施方式中的半导体发光装置的其他结构和制造工序，由于它们与第1和第4实施方式中所说明的相同，因此不再重复说明。
以上对本发明作了详细描述和图示，但显而易见的是以上只是示例，并不对本发明构成限制，本发明的范围由所附加的权利要求来解释。

Claims (12)

1.一种半导体发光装置，其具备：
引线框架，其包含在主表面上装配有半导体发光元件的板状的半导体发光元件装配部和在与上述半导体发光元件装配部相同的平面上延展的板状的金属线连接部；
将上述半导体发光元件和上述金属线连接部电气式连接起来的金属线；
以完全覆盖着上述半导体发光元件和上述金属线的方式通过模具成形或橡皮障成形而形成的密封树脂；
设置在环绕着上述引线框架的结构中、厚度小于等于上述引线框架的厚度的绝缘体。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，
上述绝缘体是热塑性树脂或热硬化性树脂。
3.如权利要求1所述的半导体发光装置，
在上述引线框架的上述主表面的至少上述半导体发光元件装配部中形成有凹部，
上述半导体发光元件装配在上述凹部的底面上。
4.如权利要求1所述的半导体发光装置，
上述引线框架具有用于防止上述绝缘体剥落的楔子结构。
5.如权利要求1所述的半导体发光装置，
其具备从上述绝缘体的周边向远离上述半导体发光元件的一侧突出的引线端子。
6.如权利要求1所述的半导体发光装置，
其在上述主表面上进一步具备以不与上述密封树脂相接触的方式设置的反射体。
7.如权利要求1所述的半导体发光装置，
其进一步具备设置在比上述绝缘体的周边更远离上述半导体发光元件的一侧的反射体。
8.一种半导体发光装置用多引线框架，其是如权利要求1所述的半导体发光装置中所使用的半导体发光装置用多引线框架，
其包含由多个用于构成上述半导体发光装置的上述引线框架连接而成的引线框架基材和以环绕着上述引线框架的方式填充到上述引线框架基材上形成的全部空隙中、成为构成上述半导体发光装置的上述绝缘体的绝缘体基材，并成形为基板状。
9.如权利要求8所述的半导体发光装置用多引线框架，
上述绝缘体基材将多个各上述绝缘体连接起来。
10.如权利要求8所述的半导体发光装置用多引线框架，
上述引线框架基材具有用于防止上述绝缘体基材脱落的锁结构。
11.一种半导体发光装置用多引线框架，其是如权利要求1所述的半导体发光装置中所使用的半导体发光装置用多引线框架，
其包含由多个用于构成上述半导体发光装置的上述引线框架连接而成的引线框架基材和以环绕着上述引线框架的方式填充到上述引线框架基材上形成的空隙中、成为构成上述半导体发光装置的上述绝缘体的绝缘体基材，并成形为基板状，
上述空隙的一部分形成为未填充上述绝缘体基材的槽结构。
12.一种半导体发光装置用多引线框架，其是如权利要求1所述的半导体发光装置中所使用的半导体发光装置用多引线框架，
其包含由多个用于构成上述半导体发光装置的上述引线框架连接而成的引线框架基材和以环绕着上述引线框架的方式填充到上述引线框架基材上形成的空隙中、成为构成上述半导体发光装置的上述绝缘体的绝缘体基材，并成形为基板状，
上述引线框架基材具有格棂框架，
上述绝缘体基材被上述格棂框架分隔成环绕着上述引线框架的每个上述绝缘体。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102064246A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
CN102194971A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 台湾积体电路制造股份有限公司 发光装置封装元件及其制造方法
CN102224587A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 株式会社三井高科技 引线框、使用该引线框的半导体装置、该半导体装置的中间产品以及它们的制造方法
CN102376854A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件和照明系统
CN102376855A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明系统
CN102683552A (zh) * 2012-05-04 2012-09-19 佛山市蓝箭电子有限公司 一种具有防水功能的表面贴装led及其支架
CN102738093A (zh) * 2011-04-06 2012-10-17 苏州文迪光电科技有限公司 陶瓷基片
CN102077371B (zh) * 2008-11-07 2012-10-31 凸版印刷株式会社 引线框及其制造方法和使用引线框的半导体发光装置
CN102906890A (zh) * 2010-04-16 2013-01-30 首尔半导体株式会社 发光二极管的封装件及其制备方法
CN103137845A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 日东电工株式会社 元件连接用基板、其制造方法及发光二极管装置
CN103956420A (zh) * 2014-03-28 2014-07-30 深圳市世民科技有限公司 一种涂覆有荧光粉的led覆晶结构及其制造方法
CN104022214A (zh) * 2013-03-01 2014-09-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104022215A (zh) * 2013-03-01 2014-09-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104347777A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 上海鼎晖科技股份有限公司 一种基于硬质氧化铝材料的led基板及其制备方法
CN104614280A (zh) * 2015-02-15 2015-05-13 浙江天能电池(江苏)有限公司 一种大密蓄电池密封反应效率测试集气装置及方法
CN105607341A (zh) * 2011-04-14 2016-05-25 乐金显示有限公司 背光单元和包括所述背光单元的液晶显示器件
CN105874600A (zh) * 2013-10-16 2016-08-17 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件和用于生产光电组件的方法
CN106449937A (zh) * 2009-10-29 2017-02-22 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
WO2017059574A1 (zh) * 2015-10-09 2017-04-13 魏晓敏 Led发光单元及模组
TWI613782B (zh) * 2013-07-02 2018-02-01 精工半導體有限公司 半導體裝置
CN109427946A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 Lg伊诺特有限公司 半导体器件封装件
JP2019140398A (ja) * 2019-04-01 2019-08-22 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
CN102232250A (zh) * 2008-10-01 2011-11-02 三星Led株式会社 使用液晶聚合物的发光二极管封装件
KR101511691B1 (ko) 2008-11-19 2015-04-20 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
WO2010067701A1 (ja) * 2008-12-12 2010-06-17 三洋電機株式会社 発光装置、発光装置モジュールおよび発光装置の製造方法
JP5310672B2 (ja) * 2009-10-15 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101177896B1 (ko) * 2010-03-02 2012-08-28 희성전자 주식회사 에스엠디 타입 엘이디 램프
JP5432045B2 (ja) 2010-04-13 2014-03-05 シチズン電子株式会社 半導体発光装置の製造方法
KR101158497B1 (ko) * 2010-05-18 2012-06-21 엘지이노텍 주식회사 테이프 타입 광 패키지 및 그 제조 방법
KR101146656B1 (ko) * 2010-05-04 2012-05-22 엘지이노텍 주식회사 광 패키지 및 그 제조 방법
WO2011136470A2 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Lg Innotek Co., Ltd. Optical package and manufacturing method thereof
KR101146659B1 (ko) * 2010-05-04 2012-05-22 엘지이노텍 주식회사 광 패키지 및 그 제조 방법
TWI472067B (zh) * 2010-04-28 2015-02-01 Lg Innotek Co Ltd 光學封裝及其製造方法
KR101136392B1 (ko) * 2010-05-04 2012-04-18 엘지이노텍 주식회사 광 패키지 및 그 제조 방법
JP5533203B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR101114719B1 (ko) 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2012079780A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Chem Co Ltd Ｌｅｄ搭載用基板及びその製造方法
JP5668968B2 (ja) * 2010-09-30 2015-02-12 日立化成株式会社 Ｌｅｄ搭載用基板及びその製造方法
JP2012094679A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Showa Denko Kk 基板の製造方法
KR20120093679A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101825473B1 (ko) * 2011-02-16 2018-02-05 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8373183B2 (en) 2011-02-22 2013-02-12 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited LED package for uniform color emission
TWI431218B (zh) * 2011-03-11 2014-03-21 Lingsen Precision Ind Ltd The manufacturing method and structure of LED light bar
WO2012124836A1 (ko) * 2011-03-14 2012-09-20 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
CN102760824B (zh) * 2011-04-29 2016-06-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
KR101813166B1 (ko) * 2011-06-30 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
JP2013026371A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
CN103000773A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 复盛精密工业股份有限公司 发光二极管的支架结构及其制作方法
JP2013062337A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Toshiba Corp 発光装置
JP2013062338A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Toshiba Corp 発光装置
KR101168854B1 (ko) * 2011-10-10 2012-07-26 김영석 Ｌｅｄ 패키지의 제조방법
JP5902823B2 (ja) * 2011-11-17 2016-04-13 ルーメンス カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニット
DE102011056700A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011056708A1 (de) 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6078948B2 (ja) * 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
KR20130096094A (ko) * 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
DE102012104882B4 (de) * 2012-06-05 2017-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6034078B2 (ja) * 2012-07-10 2016-11-30 アピックヤマダ株式会社 プリモールドリードフレームの製造方法、および、半導体装置の製造方法
KR101400271B1 (ko) * 2012-08-03 2014-05-28 (주)포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
CN102858060A (zh) * 2012-08-16 2013-01-02 浙江生辉照明有限公司 一种led灯及led照明网络系统
JP5977686B2 (ja) * 2013-02-13 2016-08-24 信越化学工業株式会社 集光型太陽電池モジュールの製造方法及び集光型太陽電池モジュール
JP2014175388A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Dainippon Printing Co Ltd 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体
US9431590B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-30 Cree, Inc. Ceramic based light emitting diode (LED) devices and methods
JP6303738B2 (ja) * 2013-04-12 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20140130884A (ko) * 2013-05-02 2014-11-12 주식회사 포스코엘이디 광 반도체 조명장치
US10128426B1 (en) * 2013-11-11 2018-11-13 Andrey Zykin LS core LED connector system and manufacturing method
TWI543413B (zh) * 2013-11-20 2016-07-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝支架及發光二極體封裝結構
JP6592902B2 (ja) * 2014-03-28 2019-10-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016018846A (ja) * 2014-07-07 2016-02-01 株式会社東芝 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
CN105280780A (zh) * 2014-07-10 2016-01-27 邱罗利士公司 封装结构及其制法与承载件
DE102015100262A1 (de) 2015-01-09 2016-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses sowie Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2016162813A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 富士通株式会社 プリント基板及びハンダ付け方法
JP6371725B2 (ja) * 2015-03-13 2018-08-08 株式会社東芝 半導体モジュール
JP6542112B2 (ja) * 2015-11-30 2019-07-10 大口マテリアル株式会社 多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレームの製造方法
DE102016101942B4 (de) 2016-02-04 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung
JP6704182B2 (ja) * 2016-03-24 2020-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
CN105826458B (zh) * 2016-04-26 2018-02-16 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法
KR102459651B1 (ko) 2017-06-15 2022-10-27 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
US10672954B2 (en) * 2017-09-01 2020-06-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US10763639B2 (en) * 2018-02-12 2020-09-01 Lumentum Operations Llc Emitter-on-sub-mount device
KR102051478B1 (ko) * 2018-03-02 2019-12-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102477355B1 (ko) * 2018-10-23 2022-12-15 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용한 기판 처리 장치
US11121647B2 (en) * 2018-12-13 2021-09-14 Magnecomp Corporation Contact pad features
JP7389363B2 (ja) 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102022114582A1 (de) * 2022-06-09 2023-12-14 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0343750U (zh) 1989-09-04 1991-04-24
JP2790237B2 (ja) 1993-06-28 1998-08-27 日亜化学工業株式会社 多色発光素子
JP3137823B2 (ja) 1994-02-25 2001-02-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
JPH07273366A (ja) 1994-03-28 1995-10-20 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物発光素子の製造方法
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP3871820B2 (ja) 1998-10-23 2007-01-24 ローム株式会社 半導体発光素子
JP2001128035A (ja) 1999-10-26 2001-05-11 Minolta Co Ltd デジタルカメラ
JP4125848B2 (ja) 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
US20030075724A1 (en) 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
US6345903B1 (en) 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP2002141558A (ja) 2000-11-06 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型ｌｅｄ
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002261333A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002314138A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP2006313943A (ja) 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4030463B2 (ja) 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005317661A (ja) 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4858867B2 (ja) * 2004-08-09 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
US20060102922A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Kenly Precision Industrial Co., Ltd. LED heat dissipation support
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR100665372B1 (ko) 2006-02-21 2007-01-09 삼성전기주식회사 광 추출 효율이 높은 발광 다이오드 패키지 구조 및 이의제조방법
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20080032882A (ko) * 2006-10-11 2008-04-16 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102077371B (zh) * 2008-11-07 2012-10-31 凸版印刷株式会社 引线框及其制造方法和使用引线框的半导体发光装置
US8680657B2 (en) 2008-11-25 2014-03-25 Mitsui High-Tec, Inc. Lead frame, semiconductor apparatus using this lead frame, intermediate product thereof and manufacturing method thereof
CN102224587A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 株式会社三井高科技 引线框、使用该引线框的半导体装置、该半导体装置的中间产品以及它们的制造方法
CN106449937B (zh) * 2009-10-29 2020-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN106449937A (zh) * 2009-10-29 2017-02-22 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN102064246B (zh) * 2009-11-17 2016-02-17 斯坦雷电气株式会社 发光装置的制造方法
CN102064246A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
CN102194971A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 台湾积体电路制造股份有限公司 发光装置封装元件及其制造方法
CN102194971B (zh) * 2010-03-02 2013-04-24 台湾积体电路制造股份有限公司 发光装置封装元件及其制造方法
CN102906890B (zh) * 2010-04-16 2016-01-13 首尔半导体株式会社 发光二极管的封装件及其制备方法
CN102906890A (zh) * 2010-04-16 2013-01-30 首尔半导体株式会社 发光二极管的封装件及其制备方法
CN102376854A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件和照明系统
CN102376855A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明系统
CN102738093A (zh) * 2011-04-06 2012-10-17 苏州文迪光电科技有限公司 陶瓷基片
CN105607341A (zh) * 2011-04-14 2016-05-25 乐金显示有限公司 背光单元和包括所述背光单元的液晶显示器件
CN103137845B (zh) * 2011-11-30 2017-04-12 日东电工株式会社 元件连接用基板、其制造方法及发光二极管装置
CN103137845A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 日东电工株式会社 元件连接用基板、其制造方法及发光二极管装置
CN102683552A (zh) * 2012-05-04 2012-09-19 佛山市蓝箭电子有限公司 一种具有防水功能的表面贴装led及其支架
CN104022215A (zh) * 2013-03-01 2014-09-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104022214A (zh) * 2013-03-01 2014-09-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104022215B (zh) * 2013-03-01 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104022214B (zh) * 2013-03-01 2017-02-01 广东旭宇光电有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
TWI613782B (zh) * 2013-07-02 2018-02-01 精工半導體有限公司 半導體裝置
CN104347777A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 上海鼎晖科技股份有限公司 一种基于硬质氧化铝材料的led基板及其制备方法
CN105874600A (zh) * 2013-10-16 2016-08-17 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件和用于生产光电组件的方法
CN103956420A (zh) * 2014-03-28 2014-07-30 深圳市世民科技有限公司 一种涂覆有荧光粉的led覆晶结构及其制造方法
CN104614280A (zh) * 2015-02-15 2015-05-13 浙江天能电池(江苏)有限公司 一种大密蓄电池密封反应效率测试集气装置及方法
WO2017059574A1 (zh) * 2015-10-09 2017-04-13 魏晓敏 Led发光单元及模组
CN109427946A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 Lg伊诺特有限公司 半导体器件封装件
US11335843B2 (en) 2017-09-05 2022-05-17 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device package
CN109427946B (zh) * 2017-09-05 2022-05-20 苏州乐琻半导体有限公司 半导体器件封装件
JP2019140398A (ja) * 2019-04-01 2019-08-22 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法

Also Published As

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