TWI543413B - 發光二極體封裝支架及發光二極體封裝結構 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種發光二極體封裝結構;特別係有關於一種發光二極體封裝支架。
請先參閱第1圖,其表示一習知技術之發光二極體封裝結構1。其中,發光二極體封裝結構1包括發光二極體封裝支架10、發光二極體晶片E以及覆蓋於發光二極體晶片E上之封裝膠P。前述發光二極體封裝支架10包括可與發光二極體晶片E電性連接之導線架12(圖中未顯示出用作電性連接之導線)、杯狀本體14以及可用作絕緣導線架12中具不同電性之第一電極部12A、第二電極部12B之絕緣部16。
由於發光二極體封裝支架10之導線架12與絕緣部16係為兩種不同材質所構成,例如導線架12具有金屬材質,且絕緣部16具有塑膠材質,因此兩者具有不同的熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion)。如此一來,在發光二極體封裝結構1進行高溫烘烤時,導線架12與絕緣部16即可能無法相互緊密貼合並產生間隙G,使得封裝膠P容易自間隙G滲漏出發光二極體封裝結構1,進而影響到後續
製程以及整體發光二極體封裝結構的發光效能。
有鑑於此,本發明之一目的在於提供一種可有效防止封裝膠滲漏之發光二極體封裝支架及發光二極體封裝結構。
本發明之一實施例提供一種發光二極體封裝支架,包括:一導線架、一杯狀本體及一第一絕緣部。前述導線架包括彼此分離的一第一電極部、一第二電極部;前述杯狀本體包覆第一電極部及第二電極部,並裸露出由部分第一電極部和部分第二電極部所構成的且位在相異側的一固晶面及一杯底面;前述第一絕緣部係位在第一電極部和第二電極部之間,用以絕緣第一、第二電極部,且第一絕緣部的熱膨脹係數大於導線架的熱膨脹係數;其中前述第一、第二電極部與第一絕緣部接觸的側面分別具有一第一、第二凹部,且第一絕緣部具有一第一、第二凸部,分別與前述第一、第二凹部相互嵌合。
本發明之一實施例亦提供一種發光二極體封裝結構,包括:前述發光二極體封裝支架,以及一發光二極體晶片,固設於前述固晶面上。
為讓本發明之上述和其它目的、特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
1、2‧‧‧發光二極體封裝結構
10、20‧‧‧發光二極體封裝支架
12、100‧‧‧導線架
12A、102‧‧‧第一電極部
102A‧‧‧第一凹部
102B‧‧‧第三凹部
12B、104‧‧‧第二電極部
104A‧‧‧第二凹部
14、200‧‧‧杯狀本體
16‧‧‧絕緣部
300‧‧‧第一絕緣部
300A‧‧‧第一凸部
300B‧‧‧第二凸部
400‧‧‧第二絕緣部
400A‧‧‧第三凸部
E‧‧‧發光二極體晶片
G‧‧‧間隙
P‧‧‧波長轉換裝置、封裝膠
S1‧‧‧固晶面
S2‧‧‧杯底面
第1圖表示一習知的發光二極體封裝結構剖視圖。
第2圖表示本發明一實施例之發光二極體封裝結構及發光二極體封裝支架剖視圖。
請參閱第2圖,本發明一實施例之發光二極體封裝結構2包括一發光二極體封裝支架20、至少一發光二極體晶片E以及一波長轉換裝置P。其中,發光二極體晶片E與波長轉換裝置P係設置於發光二極體封裝支架20上,且波長轉換裝置P覆蓋於發光二極體晶片E上方。本實施例中之波長轉換裝置P例如為一摻混有螢光粉的封裝膠。
前述發光二極體封裝支架20主要包括一導線架100、一杯狀本體200以及一第一絕緣部300。其中,導線架100包括彼此分離的一第一電極部102及一第二電極部104。前述杯狀本體200包覆於第一電極部102及第二電極部104外側,並裸露出由部分第一電極部102和部分第二電極部104所構成的且位在相異側的一固晶面S1及一杯底面S2。此外,前述第一絕緣部300則位在第一電極部102和第二電極部104之間,用以絕緣第一、第二電極部102及104。其中,前述發光二極體晶片E係設置於第一電極部102之固晶面S1上,且前述封裝膠P可填滿於杯狀本體200內並覆蓋於發光二極體晶片E的出光方向上方。
請繼續參閱第2圖,前述第一電極部102、第二電極部104與第一絕緣部300接觸的側面分別形成有一第一凹部102A及一第二凹部104A,其中第一、第二凹部102A及
104A分別沿著X軸方向向第一、第二電極部102及104內部凹陷,並與固晶面S1、杯底面S2之間於Y軸方向上分別相隔一距離d1及d2。此外,前述第一絕緣部300具有一第一凸部300A及一第二凸部300B,其中第一、第二凸部300A及300B分別沿著X軸方向自第一絕緣部300向外突出,並可與第一、第二凹部102A及104A相互嵌合。如第2圖所示,本實施例之第一絕緣部300在垂直於杯底面S2的橫截面具有一十字形圖案。
此外,本實施例之第一電極部102在遠離第一凹部102A且鄰接於杯狀本體200之一端更形成有一第三凹部102B,其中第三凹部102B亦沿著X軸方向向內凹陷並與固晶面S1、杯底面S2之間於Y軸方向上分別相隔一距離d1及d2。換言之,第一電極部102在其兩端可分別形成有一相對的凹部結構。對應地,發光二極體封裝支架20更包括一第二絕緣部400,且第二絕緣部400具有一第三凸部400A,並可嵌合於第三凹部102B與杯狀本體200之間。
需特別說明的是,前述第一絕緣部300及/或第二絕緣部400的材質可包括聚鄰苯二醯胺(PPA)、聚對苯二甲醯己二胺(PA6T)、聚1,9-亞壬基對苯二醯胺(PA9T)、對苯二甲酸環己酯(PCT)或環氧模塑料(EMC)其中之一或其組合,且第一絕緣部300及/或第二絕緣部400係以射出成型的方式所形成。於本發明一較佳實施例中,發光二極體封裝支架20之杯狀本體200亦可與第一絕緣部300、第二絕緣部400具有相同的材質,並以一體成型的方式來形成。此外,
前述導線架100之材質則可包括銅、銀或其組合。
藉由前述第一絕緣部300、第二絕緣部400以及導線架100等材質之選用,本發明之第一、第二絕緣部300及400的熱膨脹係數可大於導線架100的熱膨脹係數。再配合前述第一、第二絕緣部300及400之「凸部結構」以及第一電極部102、第二電極部104中之「凹部結構」,更可使得第一、第二絕緣部300及400與導線架100之間在發光二極體封裝結構2進行高溫烘烤時相互緊密卡合而可避免間隙之產生,進而降低封裝膠P滲漏出發光二極體封裝結構2之機率。
此外,藉由調整前述第一、第二、第三凸部300A、300B、400A的凸出長度L1、L2及L3(相當於第一、第二、第三凹部102A、104A、102B等向內凹陷空間之深度)亦可延長封裝膠P的滲漏路徑及外部水氣的進入路徑,從而提高發光二極體封裝結構2之整體信賴性表現。於本實施例中,第一凸部300A、第三凸部400A的長度L1及/或L3係大於第二凸部300B的長度L2。
綜上所述,本發明提供之一種發光二極體封裝支架及發光二極體封裝結構係利用於導線架中形成向內凹陷之空間,並利用絕緣結構以射出成型的方式將其填滿,且由於該絕緣結構之熱膨脹係數大於該導線架之熱膨脹係數,因此在經加熱膨脹後,導線架與絕緣結構之間的間隙可被填滿,從而能夠降低滲漏封裝膠的機率並提高封裝體的信賴性表現。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許之更動與潤飾。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2‧‧‧發光二極體封裝結構
20‧‧‧發光二極體封裝支架
100‧‧‧導線架
102‧‧‧第一電極部
102A‧‧‧第一凹部
102B‧‧‧第三凹部
104‧‧‧第二電極部
104A‧‧‧第二凹部
200‧‧‧杯狀本體
300‧‧‧第一絕緣部
300A‧‧‧第一凸部
300B‧‧‧第二凸部
400‧‧‧第二絕緣部
400A‧‧‧第三凸部
E‧‧‧發光二極體晶片
P‧‧‧波長轉換裝置
S1‧‧‧固晶面
S2‧‧‧杯底面
Claims (10)
- 一種發光二極體封裝支架,包括:一導線架,包含彼此分離的一第一電極部、一第二電極部;一杯狀本體,包覆該第一電極部及該第二電極部,並裸露出由部分該第一電極部和部分該第二電極部所構成的且位在相異側的一固晶面及一杯底面;以及一第一絕緣部,位在該第一電極部和該第二電極部之間,用以絕緣該第一、第二電極部,且該第一絕緣部的熱膨脹係數大於該導線架的熱膨脹係數;其中,該第一、第二電極部與該第一絕緣部接觸的側面分別具有一第一、第二凹部,且該第一絕緣部具有一第一、第二凸部,分別與該第一、第二凹部相互嵌合,其中該第一凹部、該第二凹部與該固晶面之間相隔一第一距離,且該第一凹部、該第二凹部與該杯底面間相隔一第二距離。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝支架,其中該第一電極部於遠離該第一凹部且鄰接於該杯狀本體之一端更包括一第三凹部,且該發光二極體封裝支架更包括一第二絕緣部,該第二絕緣部具有一第三凸部,嵌合於該第三凹部與該杯狀本體之間,其中該第二絕緣部的熱膨脹係數大於該導線架的熱膨脹係數。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝支架,其中該第一絕緣部及/或第二絕緣部是以射出成型的方 式所形成。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝支架,其中該第一凸部及/或第三凸部的長度大於該第二凸部的長度。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝支架,其中該第一絕緣部在垂直於該杯底面的橫截面具有一個十字形圖案。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝支架,其中該第一絕緣部及/或該第二絕緣部的材質包括聚鄰苯二醯胺(PPA)、聚對苯二甲醯己二胺(PA6T)、聚1,9-亞壬基對苯二醯胺(PA9T)、對苯二甲酸環己酯(PCT)或環氧模塑料(EMC)其中之一或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝支架,其中該導線架之材質包括銅、銀或其組合。
- 一種發光二極體封裝結構,包括:一如申請專利範圍第1~7項中任意一項所述的該發光二極體封裝支架;以及一發光二極體晶片,固設於該固晶面上。
- 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體封裝結構,更包括一波長轉換裝置,設置於該發光二極體晶片的出光方向上方。
- 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體封裝結構,其中該波長轉換裝置為一摻混有螢光粉的封裝膠,且填滿該杯狀本體內並覆蓋於該發光二極體晶片上。
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