JP6711369B2 - 発光装置ならびに発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置ならびに発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6711369B2 JP6711369B2 JP2018094558A JP2018094558A JP6711369B2 JP 6711369 B2 JP6711369 B2 JP 6711369B2 JP 2018094558 A JP2018094558 A JP 2018094558A JP 2018094558 A JP2018094558 A JP 2018094558A JP 6711369 B2 JP6711369 B2 JP 6711369B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin portion
- light emitting
- resin
- light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Description
図1で示すように、本開示に係る集合基板Bは側面と底面を備えた凹部2を有するパッ
ケージ1を複数備え、複数のパッケージ1は一体に形成されている。図1は発光素子3及び第1樹脂部4等の部材を設ける前の集合基板Bの状態を示す。次に、パッケージ1について図2A乃至図2Cを用いて説明する。凹部2の底面には少なくとも第1電極6及び第2電極7を有し、さらに発光素子3が載置される領域(以下、「素子載置領域X」ということがある)を有する。素子載置領域Xは後述する光反射性の第1樹脂部4によって画定される。素子載置領域Xは凹部2の底面において複数個形成されてもよい。
言すると、発光素子3と凹部2の側面との間に、第1樹脂部4が形成されない領域が存在する。このように環状ではない第1樹脂部4は、直線状、又は、曲線状、さらに、これらを組み合わせた形状とすることができる。そして、環状ではない第1樹脂部4の一部は、凹部2の内壁に接していてよい。
上面を拘束し側面は自由表面とした状態で溶融樹脂を硬化させた後、平板を除去して上面が平面である第1樹脂部4を得てもよい。
パッケージ1の凹部2の底面において、第1樹脂部4で画定される素子載置領域Xに発光素子3が載置される。発光素子3と第1電極6及び第2電極7はワイヤ等によって電気的に接続される。また、1つの素子載置領域Xに載置される発光素子3の個数は1つでも複数でもよい。
0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子3が好ましい。発光素子3の正負一対の電極が同一面側に設けられている場合、発光素子3の各電極とパッケージ1の第1電極6及び第2電極7はワイヤによって電気的に接続されるか、若しくは発光素子3の各電極とパッケージ1の第1電極6及び第2電極7とが対向するように配置され導電性の接合部材を介して接続される。このような導電性の接合部材としては、具体的には、例えば錫-ビスマス
系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田(具体的には、銀と銅と錫とを主成分とする
合金、銅と錫とを主成分とする合金、ビスマスと錫とを主成分とする合金等)、共晶合金(金と錫とを主成分とする合金、金と珪素とを主成分とする合金、金とゲルマニウムとを
主成分とする合金等)、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等が挙げられる。1つのパッケージ1に複数の発光素子3が載置される場合は、各発光素子3はワイヤによって直列又は並列に接続される。また、1つのパッケージ1に、例えば青色・緑色・赤色発光の3つの発光素子3が搭載されてもよい。また、発光素子3は成長基板ではない基板を貼り合わせたものを用いてもよい。
第2樹脂部5は、凹部2の側面から第1樹脂部4に渡って、その光反射面が形成される。第2樹脂部5は発光素子3から出射される光を凹部2の開口側に偏向させる役割を持つ。第2樹脂部5は、例えば、図3Aで示すように凹部2の側面から第1樹脂部4に渡って全体的に連続して形成されていてもよいし、図3Cで示すように第2樹脂部5の一部が途中で途切れている場合であってもよい。図3Cで示す発光装置では、2つの第1樹脂部4と2つの第2樹脂部5を備える。より具体的には、図3Cで示す発光装置は、上面視において長手方向と長手方向に直交する短手方向を有する略四角形状の外形形状を備えている。そして、2つの第1樹脂部4は短手方向に延び、発光素子3の2つの側面を挟み込むように形成される。この時、2つの第1樹脂部4は発光素子3の近傍に配置され、発光素子3の側面と離間するように形成される。一方、2つの第2樹脂部5は凹部2の長手方向の2つの側面から第1樹脂部4に渡って形成される。このような発光装置においては、第1樹脂部4や第2樹脂部5の使用される樹脂量を少なくすることができるので安価な発光装置とすることができる。ここでは、上面視における外形形状が長方形の発光装置を例に挙げて説明したが、発光装置の外形形状は特に限定されず、例えば、上面視においてその外形形状が正方形である発光装置であっても同様の構成を備えることができる。
と凹部2の底面と平行な面により形成される傾斜角αは、凹部2の側面の傾斜面の上端部と下端部とを結ぶ線と凹部2の底面により形成される傾斜角βよりも小さいことが好ましい。このように配置することで、発光素子3から出射される光が第2樹脂部5で反射された後、その反射光が発光素子3側へ戻ることを抑えることができ、発光装置の光取り出しが良好となる。
ケージ1の凹部2の底面に配置される発光素子3から遠い縁部であり、内側上端縁Qとは、第1樹脂部4の上面で幅方向に対向する2つの縁部(上端縁)のうち、パッケージ1の凹部2の底面に配置される発光素子3に近い縁部である。第2樹脂部5の一部が第1樹脂部4の外側上端縁P又は内側上端縁Qを超えて配置される場合、第2樹脂部5と第1樹脂部4とが接する表面積が増大することにより樹脂部同士の密着性が良くなり樹脂部間の剥離をより抑制することができる。
発光素子3が載置された集合基板Bを個片化し、個々の発光装置100を得る。個片化の方法としては、リードカット金型、ダイシングソーによる切断、又はレーザー光による切断等の種々の方法を用いることができる。
以下に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法をパッケージ1が樹脂パッケージである場合を例示する。
次に、第2実施形態に係る発光装置200の製造方法をパッケージ1が樹脂パッケージである場合を例示する。
法を用いることができる。
次に、第3実施形態に係る発光装置300の製造方法をパッケージ1が樹脂パッケージである場合を例に挙げて詳細に説明する。第1実施形態に係る発光装置100の製造方法との違いは、第2樹脂部5の形成工程が異なるので異なる点について重点的に説明する。図8は第3実施形態に係る発光装置300を示す概略上面図である。
第2樹脂部5を形成した後に凹部2の露出する部分に部分的に形成してもよい。
うに形成される。これにより、第1樹脂部4で第2樹脂部5を堰き止めることができ第2樹脂部5が発光素子3の側面まで達することを防ぐことができる。
1 パッケージ
2 凹部
3 発光素子
4 第1樹脂部
5 第2樹脂部
6 第1電極
7 第2電極
B 集合基板
F 第1電極のワイヤボンディング領域
G 第2電極のワイヤボンディング領域
X 素子載置領域
P 外側上端縁
Q 内側上端縁
Claims (7)
- 凹部を有する樹脂成形体と、前記凹部の底面に配置された第1電極及び第2電極と、前記凹部の底面の素子載置領域を取り囲み前記素子載置領域の高さよりも高い上面を有する光反射性の第1樹脂部と、を備えるパッケージを複数有する集合基板を準備する工程と、
前記素子載置領域に複数の発光素子を前記素子載置領域の平面視において上下方向および/または左右方向にずれて載置する工程と、
前記凹部の側面から前記第1樹脂部に渡って光反射面が形成され、前記発光素子の側面と離間し、前記光反射面の高さは端部で最も高さが低くなる光反射性の第2樹脂部を形成する工程と、
前記集合基板を切断し発光装置を得る工程と、
を備え、
前記第1樹脂部は前記樹脂成形体の一部と接続され、前記第1樹脂部は金型により前記樹脂成形体と一体的に形成され、
前記第1樹脂部は、平面視の前記上下方向および/または左右方向において、各発光素子の互いに反対側に位置する一対の側面と前記第1樹脂部との間隔が互いに異なるように非対称の形状を有し、
前記平面視において、前記複数の発光素子が、前記パッケージの中心からずれて配置されることによって、前記第2樹脂部の前記上下方向および/または左右方向の断面において、前記第2樹脂部の前記光反射面の傾斜角度は、各発光素子の両側で異なっている、発光装置の製造方法。 - 前記素子載置領域は平面視において非対称な形状を有する請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1樹脂部は前記発光素子の活性層よりも低く形成される請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 凹部を有する樹脂成形体と、前記凹部の底面に配置された第1電極および第2電極とを有し、前記底面に素子載置領域を備えるパッケージと、
前記素子載置領域の平面視における上下方向および/または左右方向にずれて、前記素子載置領域に載置された複数の発光素子と、
前記素子載置領域を取り囲み、前記素子載置領域の高さよりも高い上面を有する光反射性の第1樹脂部と、
前記凹部の側面から前記第1樹脂部に渡って光反射面が形成され、端部が前記第1樹脂部の表面に位置する光反射性の第2樹脂部と、
を備え、
前記第1樹脂部は前記樹脂成形体の一部と接続され、前記第1樹脂部は前記樹脂成形体と同じ材料によって一体的に形成されており、
前記第1樹脂部は、平面視の前記上下方向および/または左右方向において、各発光素子の互いに反対側に位置する一対の側面と前記第1樹脂部との間隔が互いに異なるように非対称の形状を有し、
前記平面視において、前記複数の発光素子が、前記パッケージの中心からずれて配置されることによって、前記第2樹脂部の前記上下方向および/または左右方向の断面において、前記第2樹脂部の前記光反射面の傾斜角度は、各発光素子の両側で異なっており、
前記第2樹脂部の光反射面の高さは前記端部で最も高さが低くなる発光装置。 - 前記第2樹脂部は、前記凹部の側面と前記第1樹脂部との間に露出した前記第1電極および前記第2電極上に位置している、請求項4に記載の発光装置。
- 前記第1樹脂部は前記発光素子の活性層よりも低く形成される請求項4または5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記素子載置領域は平面視において非対称な形状を有する請求項4から6のいずれか一項に記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015255502 | 2015-12-26 | ||
JP2015255502 | 2015-12-26 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016226813A Division JP6341261B2 (ja) | 2015-12-26 | 2016-11-22 | 発光装置ならびに発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018142724A JP2018142724A (ja) | 2018-09-13 |
JP6711369B2 true JP6711369B2 (ja) | 2020-06-17 |
Family
ID=59272673
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016226813A Active JP6341261B2 (ja) | 2015-12-26 | 2016-11-22 | 発光装置ならびに発光装置の製造方法 |
JP2018094558A Active JP6711369B2 (ja) | 2015-12-26 | 2018-05-16 | 発光装置ならびに発光装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016226813A Active JP6341261B2 (ja) | 2015-12-26 | 2016-11-22 | 発光装置ならびに発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6341261B2 (ja) |
CN (2) | CN115458660A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7244735B2 (ja) * | 2017-09-12 | 2023-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6724939B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2020-07-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10615319B2 (en) | 2017-10-20 | 2020-04-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6760324B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7150547B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US11056624B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Method of manufacturing package and method of manufacturing light-emitting device |
CN109952660B (zh) * | 2018-12-14 | 2022-07-19 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管封装体 |
JP7208490B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2023-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
JP7417031B2 (ja) | 2019-03-27 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7364858B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-10-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11417808B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-08-16 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP7137084B2 (ja) * | 2020-09-02 | 2022-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN113675305B (zh) * | 2021-08-20 | 2023-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管芯片和显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4774201B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2011-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体及び半導体装置 |
US8093619B2 (en) * | 2006-12-28 | 2012-01-10 | Nichia Corporation | Light emitting device |
WO2009075530A2 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Amoleds Co., Ltd. | Semiconductor and manufacturing method thereof |
JP5119917B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN102347418A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
JP5703663B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-04-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2012099544A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2012142426A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Toshiba Corp | Ledパッケージ及びその製造方法 |
JP2015153856A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015225942A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016226813A patent/JP6341261B2/ja active Active
- 2016-12-26 CN CN202211156695.3A patent/CN115458660A/zh active Pending
- 2016-12-26 CN CN201611217407.5A patent/CN106920869A/zh active Pending
-
2018
- 2018-05-16 JP JP2018094558A patent/JP6711369B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6341261B2 (ja) | 2018-06-13 |
CN106920869A (zh) | 2017-07-04 |
JP2017120889A (ja) | 2017-07-06 |
JP2018142724A (ja) | 2018-09-13 |
CN115458660A (zh) | 2022-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6711369B2 (ja) | 発光装置ならびに発光装置の製造方法 | |
US10153411B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device | |
US10403803B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
JP6213428B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6369266B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP5661552B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2016225501A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP6332342B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP6579138B2 (ja) | 発光装置 | |
US11417804B2 (en) | Light emitting device package and light source device | |
US10332824B2 (en) | Lead frame | |
JP6582827B2 (ja) | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 | |
JP6825436B2 (ja) | リードフレーム | |
JP6555243B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US10615319B2 (en) | Light emitting device | |
US10490704B2 (en) | Light emitting device and method of producing the same | |
US11233184B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2019179791A (ja) | モジュールの製造方法及び光学モジュールの製造方法 | |
US11735697B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2023171799A (ja) | リードフレームの製造方法および発光装置の製造方法 | |
JP2019080028A (ja) | 発光装置 | |
JP2019216265A (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190522 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200128 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6711369 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |