JP7389363B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関する。
LED等の発光素子を用いた発光装置は高い発光効率を容易に得られるため、ディスプレイ等のバックライトおよび照明用灯具を含む多くの機器で用いられている。特許文献1には、正負一対のリードを有する樹脂パッケージと、樹脂パッケージに載置される発光素子と、正負一対のリードを覆う被覆部材を備える発光装置が開示されている。
特開2013-125776
本発明に係る実施形態は、被覆部材が樹脂パッケージから剥がれることを抑制した発光装置を提供することを目的とする。
一実施形態の発光装置は、第1リード及び第2リードと、前記第1リード及び前記第2リードを保持する樹脂部と、を有する樹脂パッケージと、前記樹脂パッケージ上に載置される少なくとも1つの発光素子と、前記第1リード、第2リード及び樹脂部の上面の少なくとも一部を覆う被覆部材と、を備え、前記第1リードは、第1部と、前記第1部から前記第2リード側に向かって第1方向に延伸する第1延伸部と、を有し、前記第2リードは、前記第1方向において前記第1部と重なる第2部と、前記第2部から前記第1リード側に向かって前記第1方向に延伸し前記第1方向と直交する第2方向において前記第1延伸部と重なる第2延伸部と、を有し、前記樹脂部は、前記第1リードと前記第2リードの間に前記第1リードの上面より下方に凹む少なくとも1つの樹脂凹部を有し、前記樹脂凹部の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第1部と前記第2部に挟まれ、前記第2方向において前記第1延伸部と前記第2延伸部に挟まれ、前記樹脂凹部の少なくとも一部が前記被覆部材に覆われる。
本発明の一実施の形態の発光装置によれば、被覆部材が樹脂パッケージから剥がれることを抑制できる。
本実施形態に係る発光装置の模式平面図である。 図1に示すIIA-IIA線における模式断面図である。 図1に示すIIB-IIB線における模式断面図である。 本実施形態に係る発光装置の模式底面図である。 本実施形態に係る樹脂パッケージを示す模式平面図である。 本実施形態に係る第1リード及び第2リードを示す模式平面図である。 本実施形態に係る第1リード及び第2リードを示す模式底面図である。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、部材の一部の図示が省略、又は、断面図として切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。なお、各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、特定の方向又は位置を示す用語(例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上」と表現する位置関係は、接している場合と接していないが上側に位置している場合も含む。
<実施形態>
本実施形態に係る発光装置100を図1から図5Bを参照して説明する。内部の構造を示すため、図1において、第1透光性部材41および第2透光性部材42は透明な部材として示している。図5A、図5Bにおいて、第1リード11の第1部11Aと第1延伸部11Bの境界、及び、第2リード12の第2部12Aと第2延伸部12Bの境界を破線で示している。参考のために、図1から図5Bには、互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印が描かれている。
発光装置100は、樹脂パッケージ10と、少なくとも1つの発光素子20と、被覆部材30と、を備える。発光装置100は、さらに第1透光性部材41と、第2透光性部材42と、保護素子50と、を備えていてもよい。樹脂パッケージ10は、第1リード11と、第2リード12と、樹脂部13と、を有する。樹脂部13は、第1リード11及び第2リード12を保持する。少なくとも1つの発光素子20は、樹脂パッケージ10上に載置される。被覆部材30は、第1リード11の上面の少なくとも一部と、第2リード12の上面の少なくとも一部と、樹脂部13の上面の少なくとも一部と、を覆う。第1リード11は、第1部11Aと、第1延伸部11Bと、を有する。第1延伸部11Bは、第1部11Aから第2リード12側に向かって第1方向に延伸する。第2リード12は、第2部12Aと、第2延伸部12Bと、を有する。第2部12Aは、第1方向において前記第1部11Aと重なる。第2延伸部12Bは、第2部12Aから第1リード11側に向かって第1方向に延伸し、第1方向と直交する第2方向において第1延伸部11Bと重なる。樹脂部13は、第1リード11と第2リード12の間に第1リード11の上面より下方に凹む少なくとも1つの樹脂凹部14を有する。樹脂凹部14の少なくとも一部は、第1方向において第1部11Aと第2部12Aに挟まれる。樹脂凹部14の少なくとも一部は、第2方向において第1延伸部11Bと第2延伸部12Bに挟まれる。樹脂凹部14の少なくとも一部が被覆部材30に覆われる。図1において、第1方向とはX方向であり、第2方向とはY方向である。本明細書において、第1部11A側から第2部12A側に向かう第1方向を+X方向と称し、第2部12A側から第1部11A側に向かう第1方向を-X方向と称することがある。第1延伸部11B側から第2延伸部12B側に向かう第2方向を+Y方向と称し、第2延伸部12B側から第1延伸部11B側に向かう第2方向を-Y方向と称することがある。また、第1リード11及び/又は第2リード12をリードと称することがある。
樹脂凹部14の少なくとも一部が被覆部材30に覆われることにより、樹脂部13と被覆部材30とが接する面積を大きくしやすくなる。これにより、樹脂部13と被覆部材30の密着性が向上するので樹脂パッケージから被覆部材が剥がれることを抑制できる。
樹脂凹部14の少なくとも一部は、第1方向において第1部11Aと第2部12Aに挟まれ、且つ、第2方向において第1延伸部11Bと第2延伸部12Bに挟まれるので、樹脂部13が割れることを抑制することができる。一般的にリードは樹脂よりも機械的強度が高いので、第1方向及び/又は第2方向から力が加えられてもリードは樹脂よりも変形しにくい。このため、樹脂凹部14の少なくとも一部が変形しにくいリードで挟まれていることにより、第1方向及び/又は第2方向から力が加えられても樹脂凹部14が変形することを抑制できる。これにより、樹脂部13が割れることを抑制できる。
以下、発光装置100を構成する各要素について詳説する。
(樹脂パッケージ10)
樹脂パッケージ10は、発光素子20を載置する部材である。樹脂パッケージ10は、第1リード11と、第2リード12と、樹脂部13と、を有する。
第1リード11は、第1部11Aと、第1延伸部11Bと、を有する。第1延伸部11Bは、第1部11Aから第2リード12側に向かって第1方向(X方向)に延伸する。第2リード12は、第2部12Aと、第2延伸部12Bと、を有する。第2部12Aは、第1方向(X方向)において第1部11Aと重なる。第2延伸部12Bは、第2部12Aから第1リード11側に向かって第1方向(X方向)に延伸し、第2方向(Y方向)において第1延伸部11Bと重なる。第1方向(X方向)において、第1部11Aと第2部12Aは並んで配置されている。第2方向(Y方向)において、第1延伸部11Bと第2延伸部12Bは並んで配置されている。尚、樹脂パッケージ10は、第1リード11と第2リード12の2つのリードだけでなく3つ以上のリードを有していてもよい。
第2方向(Y方向)における第1延伸部11Bの最大長さは、第2方向(Y方向)における第1部11Aの最大長さよりも短いことが好ましい。このようにすることで、第2方向(Y方向)において発光装置を小型化しやすくなる。第2方向(Y方向)において、第1部11Aは、第2リード12と重ならないことが好ましい。このようにすることで、第2方向(Y方向)において発光装置を小型化しやすくなる。第2方向(Y方向)における第2延伸部12Bの最大長さは、第2方向(Y方向)における第2部12Aの最大長さよりも短いことが好ましい。このようにすることで、第2方向(Y方向)において発光装置を小型化しやすくなる。第2方向(Y方向)において、第2部12Aは、第1リード11と重ならないことが好ましい。このようにすることで、第2方向(Y方向)において発光装置を小型化しやすくなる。
図4、図5A、図5Bに示すように、第1延伸部11Bは、第1凸部11B1と、第1延伸本体部11B2と、を有していてもよい。第1凸部11B1は、第1延伸本体部11B2から第2リード12側に向かって第2方向(Y方向)に延伸する。第1延伸本体部11B2から1つの第1凸部11B1が延伸していてよく、図4、図5A、図5Bに示すように複数の第1凸部11B1が延伸していてもよい。第1延伸部11Bが、第1凸部11B1を有することにより、第1リード11と樹脂部13が接する面積を大きくしやすくなる。これにより、第1リード11と樹脂部13の密着性が向上する。
図4、図5A、図5Bに示すように、第2延伸部12Bは、第2凸部12B1と、第2延伸本体部12B2と、を有していてもよい。第2凸部12B1は、第2方向(Y方向)において第1凸部11B1と対向する。第2凸部12B1は、第2延伸本体部12B2から第1リード11側に向かって第2方向(Y方向)に延伸する。第2延伸本体部12B2から1つの第2凸部12B1が延伸していてよく、図4、図5A、図5Bに示すように複数の第2凸部12B1が延伸していてもよい。第2延伸部12Bが、第2凸部12B1を有することにより、第2リード12と樹脂部13が接する面積を大きくしやすくなる。
図5Aに示すように、第1リード11及び/又は第2リード12の上面には第1溝15A(網掛けのハッチングで示す)が設けられていることが好ましい。第1溝15Aは、第1リード11及び/又は第2リード12の上面から下側に窪んでいる。第1溝15Aは、エッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。第1溝15Aは、第1溝15A内には樹脂部13が配置される。これにより、樹脂部13と第1リード11及び/又は第2リード12の密着性が向上する。
図5Bに示すように、第1リード11及び/又は第2リード12の下面には第2溝15B(網掛けのハッチングで示す)が設けられていることが好ましい。第2溝15Bは、第1リード11及び/又は第2リード12の下面から上側に窪んでいる。第2溝15Bは、エッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。第2溝15Bは、第1リード11及び/又は第2リード12の外縁に沿って配置される。第2溝15B内には樹脂部13が配置される。これにより、樹脂部13と第1リード11及び/又は第2リード12の密着性が向上する。第1凸部11B1及び第2凸部12B1の下面には第2溝15Bが設けられていることが好ましい。このようにすることで、射出成形等により樹脂部13を形成する時に、樹脂部13が未充填になることを抑制できる。
図2Aに示すように、第1リード11及び/又は第2リード12は樹脂パッケージの下面及び側面に開口する第3溝15Cを備えていてもよい。第3溝15Cはキャスタレーションとして機能する。例えば発光装置を実装基板に半田接合した際に、発光装置が第3溝15Cを備えることにより半田の溶融状態を確認しやすくなる。
図3に示すように、発光装置の下面において第1リード11及び第2リード12が樹脂部13から露出することが好ましい。このようにすることで、発光装置からの熱が第1リード11及び第2リード12から発光装置を実装した実装基板に伝わりやすくなる。これにより、発光装置100の放熱性を向上させることができる。
第1リード11及び第2リード12は、発光素子20と電気的に接続して発光素子に通電するための部材である。第1リード11及び第2リード12は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、ニッケル、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属を用いて、圧延、打ち抜き、押し出し、ウェットもしくはドライエッチングによるエッチング又はこれらの組み合わせ等の加工により所定の形状に形成することができる。これらは単層であってもよいし、積層構造であってもよい。特に、安価で放熱性が高い銅を用いることが好ましい。第1リード11及び第2リード12は、例えば、反射率向上を目的に、銀、アルミニウム、銅及び金などの金属めっきを、単層又は積層構造で一部に又は全面に施していてもよい。なお、第1リード11及び第2リード12の最表面に銀を含む金属層が形成される場合は、銀を含む金属層の表面に酸化ケイ素等の保護層を設けることが好ましい。これにより、銀を含む金属層が大気中の硫黄成分等によって変色することを抑制することができる。保護層の成膜方法は、例えば、スパッタ等の真空プロセス等の公知の方法が挙げられる。
樹脂部13は、第1リード11及び第2リード12を保持する部材である。図4に示すように、樹脂部13は、少なくとも1つの樹脂凹部14(網掛けのハッチングで示す)を有している。樹脂部13は、複数の樹脂凹部14を有していてもよい。樹脂凹部14は、第1リード11と第2リード12の間に位置している。樹脂凹部14は、第1リード11の上面111より下方に凹んでいる。樹脂凹部14は、第2リード12の上面121より下方に凹んでいる。樹脂部13が樹脂凹部14を備えることにより、樹脂部13の表面積を大きくすることができる。これにより、被覆部材30と樹脂部13とが接する面積を大きくすることができるので、樹脂パッケージ10から被覆部材30が剥がれることを抑制できる。
樹脂凹部14の少なくとも一部は、第1方向(X方向)において第1部11Aと第2部12Aに挟まれ、第2方向(Y方向)において第1延伸部11Bと第2延伸部12Bに挟まれる。このようにすることで、第1方向及び/又は第2方向から外力が加えられた場合に、樹脂凹部14の少なくとも一部が変形することを抑制できる。これにより、樹脂部13が割れることを抑制できる。
少なくとも1つの樹脂凹部14の全てが、第2方向において第1延伸部11Bと第2延伸部12Bに挟まれることが好ましい。このようにすることで、樹脂部13が割れることを更に抑制できる。樹脂凹部14が複数ある場合には、複数の樹脂凹部14の全てが、第2方向において第1延伸部11Bと第2延伸部12Bに挟まれることが好ましい。このようにすることで、樹脂部13が割れることを更に抑制できる。
少なくとも1つの樹脂凹部14の全てが、第1方向において第1部11Aと第2部12Aに挟まれることが好ましい。このようにすることで、樹脂部13が割れることを更に抑制できる。樹脂凹部14が複数ある場合には、複数の樹脂凹部14の全てが、第1方向において第1部11Aと第2部12Aに挟まれることが好ましい。このようにすることで、樹脂部13が割れることを更に抑制できる。
平面視における樹脂凹部14の大きさは特に限定されない。第1方向(X方向)における樹脂凹部14の最大長さは、第2方向(Y方向)における樹脂凹部14の最大長さよりも長いことが好ましい。このようにすることで、第1方向(X方向)における樹脂凹部14の最大長さが、第2方向(Y方向)における樹脂凹部14の最大長さよりも短い場合よりも樹脂凹部14の表面積を大きくしやすくなる。これにより、樹脂部13と被覆部材30の密着性が向上させやすくなるので樹脂パッケージ10から被覆部材30が剥がれることを抑制できる。本明細書において、第1方向(X方向)における樹脂凹部14の最大長さとは、最も+X方向に位置する樹脂凹部14の部分から最も-X方向に位置する樹脂凹部14の部分までの長さのことである。樹脂凹部14が複数ある場合には、第1方向(X方向)における樹脂凹部14の最大長さとは、複数ある樹脂凹部14の内で最も+X方向に位置する樹脂凹部14の部分から複数ある樹脂凹部14の内で最も-X方向に位置する樹脂凹部14の部分までの長さとする。同様に、第2方向(Y方向)における樹脂凹部14の最大長さとは、最も+Y方向に位置する樹脂凹部14の部分から最も-Y方向に位置する樹脂凹部14の部分までの長さのことである。樹脂凹部14が複数ある場合には、第2方向(Y方向)における樹脂凹部14の最大長さとは、複数ある樹脂凹部14の内で最も+Y方向に位置する樹脂凹部14の部分から複数ある樹脂凹部14の内で最も-Y方向に位置する樹脂凹部14の部分までの長さとする。
平面視において、樹脂凹部14は、第1リード11及び/又は第2リード12と接していてもよく、離れていてもよい。平面視において、樹脂凹部14が、第1リード11及び第2リード12と接していることが好ましい。このようにすることで、樹脂凹部14の表面積を大きくしやすくなる。樹脂凹部14の表面は、凸部を有することが好ましい。このようにすることで、樹脂凹部14の表面積を大きくしやすくなる。
樹脂凹部の少なくとも一部は、第2方向(Y方向)において第1凸部11B1と第2凸部12B1に挟まれることが好ましい。第1凸部11B1があることにより第1リード11の体積を大きくしやすくなる。第1リード11の体積が大きくなることにより、外力によって第1リード11が変形することが抑制される。同様に、第2凸部12B1があることにより第2リード12の体積を大きくしやすくなる。第2リード12の体積が大きくなることにより、外力によって第2リード12が変形することが抑制される。樹脂凹部の少なくとも一部が、変形しにくい第1リード11と第2リード12に挟まれることにより樹脂凹部14が変形することを抑制できる。これにより、樹脂部13が割れることを抑制できる。
樹脂凹部14が複数ある場合には、複数の樹脂凹部14が第1方向(X方向)に延びる直線上に配置されることが好ましい。このようにすることで、第2方向(Y方向)において発光装置を小型化しやすくなる。本明細書において、複数の樹脂凹部14が第1方向(X方向)に延びる直線上に配置されるとは、第1方向(X方向)と平行に延びる仮想直線が複数の樹脂凹部14と重なることを意味する。複数の樹脂凹部14の全てが第1方向(X方向)に延びる直線上に配置されることが好ましい。
樹脂部13は、樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの公知の材料を用いることができる。熱可塑性樹脂の場合には、例えば、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。熱硬化性樹脂の場合には、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。特に、樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
樹脂部13は、樹脂材料に、光反射性物質を含有することが好ましい。光反射性物質としては、発光素子からの光を吸収しにくく、樹脂材料に対して屈折率差の大きい部材を用いることが好ましい。このような光反射性物質は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。光反射性物質は、例えば、樹脂材料に対して10重量%以上90重量%以下で含有させることができる。
(発光素子20)
発光素子20は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される公知の半導体素子を適用できる。発光素子20としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子20は、半導体積層体と素子電極を含む。半導体積層体は、n型半導体層およびp型半導体層と、これらに挟まれた発光層とを含む。発光層は、ダブルヘテロ接合または単一量子井戸(SQW)等の構造を有していてもよいし、多重量子井戸(MQW)のようにひとかたまりの活性層群をもつ構造を有していてもよい。半導体積層体は、可視光または紫外光を発光可能に構成されている。このような発光層を含む半導体積層体は、例えばInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことができる。
半導体積層体は、n型半導体層とp型半導体層との間に1つ以上の発光層を含む構造を有していてもよいし、n型半導体層と発光層とp型半導体層とを順に含む構造が複数回繰り返された構造を有していてもよい。半導体積層体が複数の発光層を含む場合、発光ピーク波長が異なる発光層を含んでいてもよいし、発光ピーク波長が同じ発光層を含んでいてもよい。なお、発光ピーク波長が同じとは、±10nm以内のばらつきがある場合も含む。複数の発光層の間の発光ピーク波長の組み合わせは、適宜選択することができる。例えば半導体積層体が2つの発光層を含む場合、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、または、緑色光と赤色光などの組み合わせで発光層を選択することができる。各発光層は、発光ピーク波長が異なる複数の活性層を含んでいてもよいし、発光ピーク波長が同じ複数の活性層を含んでいてもよい。
発光素子20は、1つの発光装置において1つのみ載置されていてもよいし、複数載置されていてもよい。図1に示すように、発光装置100に2つの発光素子が載置されていてもよい。本明細書において、2つの発光素子を第1発光素子20Aと、第2発光素子20Bと、称することがある。第1方向(X方向)において、第1発光素子20Aと第2発光素子20Bは並んで配置されていることが好ましい。このようにすることで、このようにすることで、第2方向(Y方向)において発光装置を小型化しやすくなる。
複数の発光素子が載置される場合には、光度を向上させるために、同じ発光ピーク波長の発光素子を複数組み合わせてもよい。また、例えば、赤色、緑色、青色に対応するように、発光ピーク波長の異なる発光素子を複数組み合わせることにより、色再現性を向上させてもよい。発光装置が複数の発光素子備えている場合には、全てが直列接続されていてもよいし、並列接続されていてもよいし、直列及び並列接続が組み合わせられていてもよい。
発光素子20は、正負一対の素子電極21を有する電極面201Aを含む。正負一対の素子電極を有する電極面を上側にして載置するフェイスアップ実装でもよく、図2Bに示すように正負一対の素子電極21を有する電極面201Aと第1リード11とが対向して載置するフリップチップ実装でもよい。本明細書において、発光素子20が載置される樹脂パッケージ10の載置面と対向する発光素子20の面を発光素子の下面と称することがある。フェイスアップ実装の場合では正負一対の素子電極を有する電極面の反対側に位置する面が発光素子の下面であり、フリップチップ実装の場合では正負一対の素子電極を有する電極面が発光素子の下面である。また、発光素子の下面と反対側に位置する面を発光素子の上面と称し、発光素子の上面と発光素子の下面の間に位置する面を発光素子の側面と称することがある。
(被覆部材30)
被覆部材30は、第1リード11、第2リード12及び樹脂部13の上面の少なくとも一部を覆う部材である。これにより、第1リード11、第2リード12及び樹脂部13の上面を外力等から保護することができる。被覆部材30は、樹脂凹部14の少なくとも一部を覆っている。発光素子の上面は、被覆部材30によって覆われていてもよく、図2に示すように被覆部材30から露出されていてもよい。発光素子20の電極面201Aと第1リード11が対向している場合には、被覆部材30が電極面201Aを覆うことが好ましい。このようにすることで、被覆部材30が電極面201Aと第1リード11に挟まれる。これにより、被覆部材30が樹脂パッケージ10から剥がれることを抑制できる。
被覆部材30は、被覆部材30に添加される粒子に応じて、波長変換及び/又は光反射等の機能を備えることができる。具体的には、被覆部材30は、樹脂材料に、蛍光体及び/又は光反射性物質を含有していてもよい。被覆部材30の樹脂材料には、樹脂部13と同様の樹脂材料を用いることができる。被覆部材30の樹脂材料としては、特に耐光性に優れたジメチルシリコーン樹脂を用いることが好ましい。被覆部材30が蛍光体を含有することにより発光装置の色調整が容易になる。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、Y(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、Lu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、Tb(Al,Ga)12:Ce)、βサイアロン系蛍光体(例えば、(Si,Al)(O,N):Eu)、αサイアロン系蛍光体(例えば、Mz(Si,Al)12(O,N)16:Eu(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、およびLaとCeを除くランタニド元素))、CASN系蛍光体(例えば、CaAlSiN:Eu)若しくはSCASN系蛍光体(例えば、(Sr,Ca)AlSiN:Eu)等の窒化物系蛍光体、KSF系蛍光体(例えば、KSiF:Mn)、KSAF系蛍光体(例えば、K(Si,Al)F:Mn)若しくはMGF系蛍光体(例えば、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn)等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体(例えば、CsPb(F,Cl,Br,I))、又は、量子ドット蛍光体(例えば、CdSe、InP、AgInS又はAgInSe)等を用いることができる。被覆部材30に含有する蛍光体としては、1種類の蛍光体を用いてもよく、複数種類の蛍光体を用いてもよい。
KSAF系蛍光体としては、下記式(I)で表される組成を有していてよい。
[SiAlMn] (I)
式(I)中、Mはアルカリ金属を示し、少なくともKを含んでよい。Mnは4価のMnイオンであってよい。p、q、r及びsは、0.9≦p+q+r≦1.1、0<q≦0.1、0<r≦0.2、5.9≦s≦6.1を満たしていてよい。好ましくは、0.95≦p+q+r≦1.05又は0.97≦p+q+r≦1.03、0<q≦0.03、0.002≦q≦0.02又は0.003≦q≦0.015、0.005≦r≦0.15、0.01≦r≦0.12又は0.015≦r≦0.1、5.92≦s≦6.05又は5.95≦s≦6.025であってよい。例えば、K[Si0.946Al0.005Mn0.0495.995]、K[Si0.942Al0.008Mn0.0505.992]、K[Si0.939Al0.014Mn0.0475.986]で表される組成が挙げられる。このようなKSAF系蛍光体によれば、輝度が高く、発光ピーク波長の半値幅の狭い赤色発光を得ることができる。
被覆部材30は、光反射性物質を含有していてもよい。被覆部材30が光反射性物質を含有することにより発光素子20からの光が被覆部材30に反射されるので、発光素子20からの光が樹脂パッケージ10に吸収されることを抑制できる。これにより、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。被覆部材30の光反射性物質には、樹脂部13と同様の光反射性物質を用いることができる。
被覆部材が光反射性物質を含有する場合には、図2Aに示すように第2発光素子20Bの側面と対向する第1発光素子20Aの第1素子第1側面201Cの少なくとも一部が被覆部材30に覆われることが好ましい。このようにすることで、第1発光素子20Aからの光が第2発光素子20Bに吸収されることを抑制することができる。第1素子第1側面201Cは、第1発光素子20Aの側面の一部である。また、第1発光素子20Aの第1素子第1側面201Cと対向する第2発光素子20Bの第2素子第1側面202Cの少なくとも一部が被覆部材30に覆われることが好ましい。このようにすることで、第2発光素子20Bからの光が第1発光素子20Aに吸収されることを抑制することができる。
図2Aに示すように、断面視において第1素子第1側面201Cの反対側に位置する第1素子第2側面201Dを覆う被覆部材30の高さは、第1素子第1側面201Cを覆う被覆部材30の高さよりも低いことが好ましい。このようにすることで、第1発光素子20Aからの光が被覆部材30に遮られることを抑制できるので発光装置の光取り出し効率が向上する。同様に、断面視において第2素子第1側面202Cの反対側に位置する第2素子第2側面202Dを覆う被覆部材30の高さは、第2素子第1側面202Cを覆う被覆部材30の高さよりも低いことが好ましい。
(第1透光性部材41)
発光装置100は、発光素子20を覆う第1透光性部材41を備えていてもよい。第1透光性部材41は透光性を有する。尚、本明細書において透光性を有するとは、発光素子のピーク波長に対する透過率が40%以上のことである。発光装置が複数の発光素子を備える場合には、少なくとも1つの発光素子のピーク波長に対する透過率が40%以上であればよい。図2に示すように、第1透光性部材41は、発光素子20の上面を覆う。これにより、発光素子20を外力等から保護することができる。第1透光性部材41は、被覆部材30と接している。第1透光性部材41と被覆部材30とが接する面は凹凸を有することが好ましい。このようにすることで、第1透光性部材41と被覆部材30の密着性が向上する。被覆部材30の表面に凹凸を形成する方法としては、例えば、研削、ブラスト等が挙げられる。第1透光性部材41は、樹脂材料に、蛍光体及び/又は光反射性物質を含有していてもよい。第1透光性部材41の樹脂材料には、樹脂部13と同様の樹脂材料を用いることができる。第1透光性部材41は、特に耐光性に優れたジメチルシリコーン樹脂を含むことが好ましい。第1透光性部材41に含有される蛍光体には、被覆部材30と同様の蛍光体を用いることができる。第1透光性部材41に含有される光反射性物質には、樹脂部13と同様の光反射性物質を用いることができる。第1透光性部材41に含有される光反射性物質によって、発光素子20からの光を拡散させやすくなる。
(第2透光性部材42)
発光装置100は、第1透光性部材41と接して発光素子20を覆う第2透光性部材42を備えていてもよい。第2透光性部材42は透光性を有する。図2に示すように、第2透光性部材42は、第1透光性部材41を介して発光素子20の上面を覆う。これにより、発光素子20を外力等から保護することができる。第1透光性部材41と第2透光性部材42が接する面は凹凸を有することが好ましい。このようにすることで、第1透光性部材41と第2透光性部材42の密着性が向上する。第1透光性部材41の表面に凹凸を形成する方法としては、例えば、研削、ブラスト等が挙げられる。第2透光性部材42は、樹脂材料に、蛍光体及び/又は光反射性物質を含有していてもよい。第2透光性部材42の樹脂材料には、樹脂部13と同様の樹脂材料を用いることができる。第2透光性部材42は、ジメチルシリコーン樹脂よりも水分を通しにくいフェニルシリコーン樹脂を含むことが好ましい。これによって、発光素子等が水分によって劣化することを抑制することができる。第1透光性部材が蛍光体を含有している場合には、第2透光性部材は蛍光体を含有していないことが好ましい。このようにすることで、蛍光体を含有しない第2透光性部材42が保護層としても機能を果たすので第1透光性部材の蛍光体が水分などによって劣化することを抑制できる。水分に弱い蛍光体としては、例えばKSF系蛍光体、KSAF系蛍光体が挙げられる。本明細書において、「蛍光体を含有しない」とは、不可避的に混入する蛍光体を排除しないことを意味し、波長変換粒子の含有率が0.05重量%以下を含んでいる。
(保護素子50)
発光装置100は、樹脂パッケージ10上に載置される保護素子50を備えていてもよい。保護素子50は、静電気や高電圧サージから発光素子20を保護するための素子である。具体的には、保護素子50としてツェナーダイオードが挙げられる。保護素子50と発光素子20とは並列で電気的に接続される。発光素子20からの光を保護素子50が吸収することを抑えるために、保護素子50は被覆部材に覆われていることが好ましい。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。
本発明の一実施の形態に係る発光装置は、液晶のバックライト用光源、照明用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源等、種々の発光装置に使用することができる。
10 樹脂パッケージ
11 第1リード
12 第2リード
13 樹脂部
14 樹脂凹部
20 発光素子
30 被覆部材
41 第1透光性部材
42 第2透光性部材
50 保護素子
100 発光装置

Claims (17)

  1. 第1リード及び第2リードと、前記第1リード及び前記第2リードを連結する樹脂部と、を有する樹脂パッケージであって、前記樹脂部の一部は前記樹脂パッケージの側壁部分を形成し、前記第1リード及び前記第2リードならびに前記樹脂部の残りの部分は、前記側壁部分を支持する前記樹脂パッケージの基板部分を形成し、前記基板部分は互いに直交する第1方向および第2方向に沿って広がり、前記基板部分は、前記側壁部分の側に位置する載置面と、前記載置面の反対側に位置する底面とを有し、前記底面から前記載置面に向かう方向を上方とする、樹脂パッケージと、
    前記樹脂パッケージのうち、前記基板部分の前記載置面上に載置される少なくとも1つの発光素子と、
    前記少なくとも1つの発光素子の少なくとも一部、ならびに前記第1リード、前記第2リード及び前記樹脂部の上面の少なくとも一部を覆う被覆部材と、を備え、
    前記第1リードは、第1部と、前記第1部から前記第2リード側に向かって前記第1方向に延伸する第1延伸部と、を有し、
    前記第2リードは、前記第1方向において前記第1部と重なる第2部と、前記第2部から前記第1リード側に向かって前記第1方向に延伸し前記第2方向において前記第1延伸部と重なる第2延伸部と、を有し、
    前記第1部は、前記第1方向において前記第1延伸部に重ならない第1サブ部分と、前記第1方向において前記第1延伸部に重なり、前記第2方向において前記第1サブ部分に重なる第2サブ部分とを有し、
    前記第2部は、前記第1方向において前記第2延伸部に重ならない第3サブ部分と、前記第1方向において前記第2延伸部に重なり、前記第2方向において前記第3サブ部分に重なる第4サブ部分とを有し、
    前記樹脂部は、前記第1リードと前記第2リードの間に前記第1リードの上面より下方に凹む少なくとも1つの樹脂凹部を有し、
    前記樹脂凹部の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第1部と前記第2部に挟まれ、前記第2方向において前記第1延伸部と前記第2延伸部に挟まれ、
    前記樹脂凹部の少なくとも一部が前記被覆部材に覆われ、
    前記樹脂凹部の少なくとも一部は、平面視において、前記第1リードおよび/または前記第2リードに接している発光装置。
  2. 第1リード及び第2リードと、前記第1リード及び前記第2リードを連結する樹脂部と、を有する樹脂パッケージであって、前記樹脂部の一部は前記樹脂パッケージの側壁部分を形成し、前記第1リード及び前記第2リードならびに前記樹脂部の残りの部分は、前記側壁部分を支持する前記樹脂パッケージの基板部分を形成し、前記基板部分は互いに直交する第1方向および第2方向に沿って広がり、前記基板部分は、前記側壁部分の側に位置する載置面と、前記載置面の反対側に位置する底面とを有し、前記底面から前記載置面に向かう方向を上方とする、樹脂パッケージと、
    前記樹脂パッケージのうち、前記基板部分の前記載置面上に載置される少なくとも1つの発光素子と、
    前記少なくとも1つの発光素子の少なくとも一部、ならびに前記第1リード、前記第2リード及び前記樹脂部の上面の少なくとも一部を覆う被覆部材と、を備え、
    前記第1リードは、第1部と、前記第1部から前記第2リード側に向かって前記第1方向に延伸する第1延伸部と、を有し、
    前記第2リードは、前記第1方向において前記第1部と重なる第2部と、前記第2部から前記第1リード側に向かって前記第1方向に延伸し前記第2方向において前記第1延伸部と重なる第2延伸部と、を有し、
    前記第1部は、前記第1方向において前記第1延伸部に重ならない第1サブ部分と、前記第1方向において前記第1延伸部に重なり、前記第2方向において前記第1サブ部分に重なる第2サブ部分とを有し、
    前記第2部は、前記第1方向において前記第2延伸部に重ならない第3サブ部分と、前記第1方向において前記第2延伸部に重なり、前記第2方向において前記第3サブ部分に重なる第4サブ部分とを有し、
    前記樹脂部は、前記第1リードと前記第2リードの間に前記第1リードの上面より下方に凹む少なくとも1つの樹脂凹部を有し、
    前記樹脂凹部の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第1部と前記第2部に挟まれ、前記第2方向において前記第1延伸部と前記第2延伸部に挟まれ、
    前記樹脂凹部の少なくとも一部が前記被覆部材に覆われ、
    前記樹脂凹部の表面は凸部を有する発光装置。
  3. 前記樹脂凹部の全てが、前記第2方向において前記第1延伸部と前記第2延伸部に挟まれる請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記第1方向における前記樹脂凹部の最大長さは、前記第2方向における前記樹脂凹部の最大長さよりも長い請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記第1延伸部は、第3部と、前記第3部から前記第2延伸部に向かって前記第2方向に延伸する第1凸部を有し、
    前記第2延伸部は、第4部と、前記第4部から前記第1延伸部に向かって前記第2方向に延伸し、前記第1凸部と対向する第2凸部を有し、
    前記樹脂凹部の少なくとも一部は、前記第1凸部と前記第2凸部に挟まれ
    前記第3部は、前記第2方向において前記第1凸部に重ならない第5サブ部分と、前記第2方向において前記第1凸部に重なり、前記第1方向において前記第5サブ部分に重なる第6サブ部分とを有し、
    前記第4部は、前記第2方向において前記第2凸部に重ならない第7サブ部分と、前記第2方向において前記第2凸部に重なり、前記第1方向において前記第7サブ部分に重なる第8サブ部分とを有する請求項1から請求項のいずれか1項に記載の発光装置。
  6. 前記樹脂凹部が複数ある請求項1から請求項のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 複数の前記樹脂凹部が前記第1方向に延びる直線上に配置される請求項に記載の発光装置。
  8. 前記少なくとも1つの発光素子は、正負一対の素子電極を有する電極面を含み、
    前記電極面と前記第1リードは対向し、
    前記被覆部材が前記電極面を覆う請求項1から請求項のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 前記被覆部材が光反射性物質を含有する請求項1から請求項のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 前記少なくとも1つの発光素子は、第1発光素子および第2発光素子を含み、
    前記第2発光素子の側面と対向する前記第1発光素子の第1素子第1側面の少なくとも一部が前記被覆部材に覆われる請求項に記載の発光装置。
  11. 断面視において、前記第1素子第1側面の反対側に位置する第1素子第2側面を覆う前記被覆部材の高さが、前記第1素子第1側面を覆う前記被覆部材の高さよりも低い請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記被覆部材と接して前記発光素子を覆う第1透光性部材を備える請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の発光装置。
  13. 前記第1透光性部材がジメチルシリコーン樹脂を含む請求項12に記載の発光装置。
  14. 前記第1透光性部材と接して前記発光素子を覆う第2透光性部材を備え、
    前記第1透光性部材および前記第2透光性部材は異なる材料から形成されている請求項12又は請求項13に記載の発光装置。
  15. 前記第1透光性部材と前記第2透光性部材が接する面が凹凸を有する請求項14に記載の発光装置。
  16. 前記第2透光性部材がフェニルシリコーン樹脂を含む請求項14又は請求項15に記載の発光装置。
  17. 前記第1透光性部材は蛍光体を含有し、前記第2透光性部材は蛍光体を含有していない請求項15又は請求項16に記載の発光装置。
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Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314143A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2008227166A (ja) 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2011029634A (ja) 2009-07-03 2011-02-10 Sharp Corp 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
JP2014103148A (ja) 2012-11-16 2014-06-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20160056356A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2017536700A (ja) 2014-11-21 2017-12-07 クリー インコーポレイテッドCree Inc. リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品
JP2018056535A (ja) 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20180315912A1 (en) 2017-04-26 2018-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
JP2019021919A (ja) 2017-07-11 2019-02-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2019029673A (ja) 2017-08-02 2019-02-21 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
WO2019112345A1 (ko) 2017-12-08 2019-06-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2020059987A1 (ko) 2018-09-19 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
JP2020526004A (ja) 2017-06-26 2020-08-27 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2020532851A (ja) 2017-09-01 2020-11-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2020533778A (ja) 2017-09-12 2020-11-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2020536370A (ja) 2017-09-01 2020-12-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2020537329A (ja) 2017-10-13 2020-12-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2021500735A (ja) 2017-09-15 2021-01-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びこれを含む照明装置
US20210066552A1 (en) 2017-12-26 2021-03-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light source device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5573176B2 (ja) * 2010-01-14 2014-08-20 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
TWI596796B (zh) * 2010-03-30 2017-08-21 Dainippon Printing Co Ltd Light-emitting diode lead frame or substrate, semiconductor device, and light-emitting diode lead frame or substrate manufacturing method
JP2013125776A (ja) 2011-12-13 2013-06-24 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
KR101469195B1 (ko) * 2014-03-31 2014-12-09 서울반도체 주식회사 Led 패키지
US9859480B2 (en) * 2015-08-20 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP7227474B2 (ja) * 2019-02-26 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及び発光装置
US11417808B2 (en) * 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314143A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2008227166A (ja) 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2011029634A (ja) 2009-07-03 2011-02-10 Sharp Corp 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
JP2014103148A (ja) 2012-11-16 2014-06-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20160056356A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2017536700A (ja) 2014-11-21 2017-12-07 クリー インコーポレイテッドCree Inc. リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品
JP2018056535A (ja) 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20180315912A1 (en) 2017-04-26 2018-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
JP2020526004A (ja) 2017-06-26 2020-08-27 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2019021919A (ja) 2017-07-11 2019-02-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2019029673A (ja) 2017-08-02 2019-02-21 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2020532851A (ja) 2017-09-01 2020-11-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2020536370A (ja) 2017-09-01 2020-12-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2020533778A (ja) 2017-09-12 2020-11-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2021500735A (ja) 2017-09-15 2021-01-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びこれを含む照明装置
JP2020537329A (ja) 2017-10-13 2020-12-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び光源装置
WO2019112345A1 (ko) 2017-12-08 2019-06-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
US20210066552A1 (en) 2017-12-26 2021-03-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light source device
WO2020059987A1 (ko) 2018-09-19 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치

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