JP2017536700A - リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品 - Google Patents

リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2017536700A
JP2017536700A JP2017527296A JP2017527296A JP2017536700A JP 2017536700 A JP2017536700 A JP 2017536700A JP 2017527296 A JP2017527296 A JP 2017527296A JP 2017527296 A JP2017527296 A JP 2017527296A JP 2017536700 A JP2017536700 A JP 2017536700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
pad
led
cathode
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017527296A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6462130B2 (ja
Inventor
ジョン バーグマン、マイケル
ジョン バーグマン、マイケル
ケリー ブレイクリー、コリン
ケリー ブレイクリー、コリン
− ユン プン、アーサー ファン
− ユン プン、アーサー ファン
コリン ライハーザー、ジェシー
コリン ライハーザー、ジェシー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2017536700A publication Critical patent/JP2017536700A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6462130B2 publication Critical patent/JP6462130B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016Brazing of electronic components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262Sn as the principal constituent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3033Ni as the principal constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C13/00Alloys based on tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C19/00Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/03Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Abstract

発光ダイオード(LED)部品は、リードフレームと、リードフレームにワイヤボンディングなしで半田層を使用して電気的に接続されるLEDとを含む。リードフレームは、金属アノードパッド、金属カソードパッド、およびプラスチックカップを含む。LEDダイは、LEDダイアノード接点およびカソード接点を、それらの上の半田層と共に含む。金属アノードパッド、金属カソードパッド、プラスチックカップ、および/または半田層は、ワイヤボンディングなしでリードフレームへのLEDダイの直接的なダイアタッチを容易化するように構成される。関連する製造方法もまた説明される。

Description

本明細書に記載される種々の実施形態は、発光機器およびアセンブリ、ならびにそれを製造する方法、より具体的には、発光ダイオード(LED)、それらのアセンブリ、およびそれらの製造方法に関する。
LEDは、それに対する電圧の印加にあたり光を生成可能な固体発光素子として広く知られる。LEDは、基本的に、対向する第1の面および第2の面を有するダイオード領域を含み、またその中にn型層、p型層、およびp−n接合を含む。アノード接点は、p型層にオーミックに接触し、カソード接点はn型層にオーミックに接触する。ダイオード領域は、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、ガリウムヒ素、窒化ガリウム等の成長基板のような基板上にエピタキシャル形成されるが、完成された機器は、基板を含まない。ダイオード領域は、例えば、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、ガリウムリン、窒化アルミニウム、および/若しくはガリウムヒ素基盤材料、ならびに/または有機半導体基盤材料から製造され得る。最後に、LEDによって放射される光は、可視または紫外(UV)領域であってもよく、LEDは、蛍光体等の波長変換材料を組み込んでもよい。
LED部品は、例えば、表面実装(SMT)を使用して、他の電子部品と共に、メタルコアプリント基板(MCPCB)、フレキシブル基板、および/または他のプリント基板等の基板上に据え付けるためのパッケージLEDダイを提供する。LED部品は、基本的に、LEDダイおよび他のパッケージ部品を含む。
表面実装は、部品が直接、基板の表面に据え付けまたは配置される、電子回路を生産するための方法である。そのように作られた電子機器は、表面実装部品(SMD)と呼ばれ得る。SMT部品は、通常、対となるその貫通孔よりも小さい。より簡潔かつ速い自動組立がまた、他の潜在的な利点と共に提供され得る。このように、SMTは、電子部品組立にますます使用されている。
SMDは、しばしば、SMDパッケージの一部としてリードフレームを使用する。リードフレームは、信号をダイから外側へ伝えるパッケージ内側の金属構造体である。パッケージ内側のダイは、一般的に、リードフレームに接着され、ワイヤボンディング技術を使用してボンドワイヤがダイ接点をリードフレームリードにアタッチする。リードフレームは、その後、プラスチックケース内に成形され、リードフレームの外側は、切り落とされ、これによって、リードを分離する。リードフレーム自身は、エッチング、スタンピング、および/または他の技術によって、銅または銅合金の平板から材料を除去することによって製造可能である。
リードフレームはまた、ここで、低コスト、高密度SMD LED部品に対して使用される。これらのLED部品において、リードフレームは、金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびに金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部をその中に画定する、金属アノードパッドおよび金属カソードパッド上のプラスチックカップを含む。プラスチックカップの少なくともいくつかの部分は、透明、半透明、不透明、および/または反射的であってもよく、またプラスチックカップは、エポキシ成形コンパウンド(EMC)および/またはシリコーン等のプラスチックで形成され得る。LEDダイは、リードフレームに接着され、そのアノード接点および/またはカソード接点は、リードフレームパッドにワイヤボンディングされる。カップは、その後、少なくともいくつかの部分が、透明、半透明、不透明、および/または反射的である封止材料によって満たされ得る。封止材料は、その中に蛍光体等の波長変換材料を含んでもよい。
LEDは、発光/照明用途においてますます使用され、偏在する白熱電球に対する置き換えを提供する目標を有する。LEDダイを製造するコストは、マイクロエレクトロニクス製造技術における進歩によって低減し続けている。このように、LEDダイのパッケージ化はLED部品のコストのさらなる増加が仮定される。
本明細書に記載される種々の実施形態による発光ダイオード(LED)部品は、リードフレームと、ワイヤボンディングなしでリードフレームに電気的に接続されるLEDダイとを含む。いくつかの実施形態において、リードフレームは、プラスチックカップを備え、LEDダイは、プラスチック内にあり、プラスチックカップ内でリードフレームに電気的に接続される。いくつかの実施形態において、LEDダイアノード接点およびカソード接点は、半田層を使用してリードフレームに直接的にアタッチされる。
より具体的には、本明細書に記載される種々の実施形態によるLED部品は、金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびにその中に金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部を画定する、金属アノードパッドおよび金属カソードパッド上のプラスチックカップを備えるリードフレームを含む。LED部品はまた、対向する第1の面および第2の面と、第1の面上のアノード接点およびカソード接点とを含むLEDダイであって、アノード接点およびカソード接点がLEDダイから離れた外面を含むLEDダイを含む。LEDダイは、アノード接点の外面が金属アノードパッドの露出部に接近して間隔を有し、カソード接点の外面が金属カソードパッドの露出部に接近して間隔を有するようにプラスチックカップ内に配設される。LED部品はまた、アノード接点の外面と金属アノードパッドの露出部との間、およびカソード接点の外面と金属カソードパッドの露出部との間に延びるダイアタッチ層を含む。ダイアタッチ層は、アノード接点の外面を金属アノードパッドの露出部に直接的に電気的に接続し、カソード接点の外面を金属カソードパッドの露出部に直接的に電気的に接続する。
いくつかの実施形態において、プラスチックカップは、シリコーンを含み、アノードパッドおよびカソードパッドの露出部は、同一平面ではない。
本明細書に記載されるいくつかの実施形態によると、金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップは、ダイアタッチ層による、アノード接点の外面の金属アノードパッドの露出部への直接的な電気的接続、およびカソード接点の外面の金属カソードパッドの露出部への直接的な電気的接続を容易化するように構成される。具体的には、いくつかの実施形態において、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの隣接端は、それらの間に隙間を画定し、プラスチックカップは、隙間内を延び、また金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの非隣接端を越えて一定距離延びる。該距離は、隙間よりも大きい。いくつかの実施形態において、該距離は、隙間よりも少なくとも10%大きい。他の実施形態において、該距離は、隙間よりも少なくとも30%大きい。
また他の実施形態は、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの隣接端を、異なる幅を有するように構成することによって、LEDのリードフレームへの直接的な電気的接続を容易化するように、金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップを構成可能である。さらに他の実施形態において、プラスチックカップは、金属アノードパッドおよび/または金属カソードパッドの対向面において延びる。また他の実施形態において、リードフレームは、プラスチックカップの外側で金属アノードパッドを金属カソードパットに機械的に接続する金属リンクをさらに備える。金属リンクは、例えば、部品の分離中に金属アノードパッドおよび/または金属カソードパッドから切断されるように構成されてもよい。金属リンクはまた、低融点合金を含んでもよい。
また他の実施形態において、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドは、湾曲接面を含む。いくつかの実施形態において、湾曲接面は、それらの間に斜角および/または直角を形成する複数の線分を含む。他の実施形態において、金属アノードパッドは、金属カソードパッドに向かって延びる金属フィンガーを含み、金属カソードパッドは、金属アノードパッドに向かって延びる金属フィンガーを含む。
それらの間に斜角および/または直角を形成する複数の線分を有する、対向する面を含む上記の実施形態のいくつかは、プラスチックカップ内に1つ以上のLEDダイをアタッチするために使用されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、LEDダイは、アノード接点の外面が、線分のうちの第1の線分に隣接する金属アノードパッドに接近して間隔を有し、カソード接点の外面が、線分のうちの第1の線分に隣接する金属カソードパッドに接近して間隔を有するように、プラスチックカップ内に配設される。LED部品は、同様に対向する第1の面および第2の面と、第1の面上のアノード接点およびカソード接点とを含む第2のLEDダイをさらに備え、アノード接点およびカソード接点が、第2のLEDダイから離れた外面を含む。第2のLEDダイはまた、アノード接点の外面が、線分のうちの第2の線分に隣接する金属アノードパッドに接近して間隔を有し、カソード接点の外面が、線分のうちの第2の線分に隣接する金属カソードパッドに接近して間隔を有するように、プラスチックカップ内に配設される。
さらに他の金属パッドの構成において、金属アノードパッドまたは金属カソードパッドのうちの一方は、3つのエッジを含み、金属カソードパッドまたは金属アノードパッドのうちのもう一方は、3つのエッジに隣接して延びる。他の実施形態において、金属アノードパッドまたは金属カソードパッドのうちの一方は、4つのエッジを含み、金属カソードパッドまたは金属アノードパッドのうちのもう一方は、4つのエッジに隣接して延びる。
上記の種々の実施形態は、リードフレームへのLEDダイの直接アタッチを容易化するように金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップを構成する。他の実施形態において、ダイアタッチ層それ自身が、ダイアタッチ層による、アノード接点の外面の金属アノードパッドの露出部への直接的な電気的接続、およびカソード接点の外面の金属カソードパッドの露出部への直接的な電気的接続を容易化するように構成される。具体的には、いくつかの実施形態において、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの露出部は、高低差によって同一平面ではなく、ダイアタッチ層は、高低差よりも厚い。他の実施形態において、ダイアタッチ層はまた、厚さが3μmよりも厚くてもよい。また他の実施形態において、ダイアタッチ層は、金属アノードパッドの露出部に接近して間隔を有するアノード接点の外面との間の厚さが、金属カソードパッドの露出部に接近して間隔を有するカソード接点の外面との間に比べて異なる。
さらに他の実施形態は、直接的な電気的接続を容易化するようにダイアタッチ層の成分を構成してもよい。具体的には、いくつかの実施形態において、ダイアタッチ層は、金(Au)、ニッケル(Ni)、およびスズ(Sn)を含む。他の実施形態において、0<Au重量%≦10、10≦Ni重量%≦60、および40≦Sn重量%≦90である。さらに他の実施形態において、0.8≦Au重量%≦4.5、19≦Ni重量%≦41、および55≦Sn重量%≦80である。
また他の実施形態において、プラスチックカップは、シリコーンを含み、ダイアタッチ材料は、シリコーンの分解温度よりも低い融解温度を有する。さらに他の実施形態において、ダイアタッチ材料は、260℃よりも低い融解温度を有する。さらに、他の実施形態において、ダイアタッチ材料は、融解温度を有し、融解温度よりも高い再融解温度を有する。いくつかの実施形態において、融解温度は、260℃よりも低く、再融解温度は、260℃よりも高い。
本明細書に記載される金属アノードパッド、金属カソードパッド、プラスチックカップ、および/またはダイアタッチ層を構成する種々の実施形態が、LEDダイに関する要因、リードフレームに関する要因、LED部品全体に関する要因、および/またはLED部品が意図される用途を含む、複数の要因によって、種々の組み合わせ、または部分的組み合わせにおいて共に使用されてもよいことが理解されるであろう。一例において、LEDパッケージによって提供される非同一平面は、金属アノードパッド、金属カソードパッド、プラスチックカップ、および/またはダイアタッチ層の上記の構成が使用されることを要求してもよい。
上記の種々の実施形態は、記載されるLED部品を有する。ただし、本明細書に記載される他の実施形態は、リードフレームそれ自身、またはLEDそれ自身を提供してもよい。
具体的には、本明細書に記載される種々の実施形態によるリードフレームは、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドと、金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部をその中に画定する、金属アノードパッドおよび金属カソードパッド上のプラスチックカップとを含む。金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップは、発光ダイオード(LED)ダイのそれぞれアノード接点およびカソード接点のそれぞれ金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部への直接的な半田接続を容易化するように構成される。金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップは、本明細書に記載される任意の、そして全ての実施形態によって構成可能である。
同様に、本明細書に記載される種々の実施形態によるLEDは、対向する第1の面および第2の面と、第1の面上のアノード接点およびカソード接点とを含むLEDダイであって、アノード接点およびカソード接点がLEDダイから離れた外面を含むLEDダイと、アノード接点およびカソード接点の外面上のダイアタッチ層とを含んでもよい。ダイアタッチ層は、リードフレームの金属アノードパッドおよび金属カソードパッドへのダイアタッチ層の直接アタッチを容易化するように構成される。ダイアタッチ層は、本明細書に記載される任意の、そして全ての実施形態に従って直接アタッチを容易化するように構成可能である。
LED部品を製造する方法がまた、本明細書に記載される種々の実施形態によって提供される。これらの方法は、金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびに金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部をその中に画定する、金属アノードパッドおよび金属カソードパッド上のプラスチックカップを備えるリードフレームを提供することと、LEDダイであって、対向する第1の面および第2の面、第1の面上のアノード接点およびカソード接点、ならびにLEDダイから離れたアノード接点およびカソード接点の外面上のダイアタッチ層を備えるLEDダイを提供することとを含んでもよい。LEDダイは、ダイアタッチ層が直接的に金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部上にあるように、カップ内に配置される。ダイアタッチ層は、その後、アノード接点の外面を金属アノードパッドの露出部に直接的に電気的に接続し、カソード接点の外面を金属カソードパッドの露出部に直接的に電気的に接続するように融解される。リードフレームおよび/またはダイアタッチ層は、本明細書に記載される任意の、そして全ての実施形態に従って構成可能である。
本明細書に記載される種々の実施形態による、LEDダイの断面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームに直接的にアタッチされるLEDダイを含むLED部品の断面図である。 図2AのLED部品の上面図である。 本明細書に記載される種々の他の実施形態による、リードフレームに直接的にアタッチされるLEDダイを含むLED部品の断面図である。 本明細書に記載されるまた他の実施形態による、リードフレームに直接的にアタッチされるLEDダイを含むLED部品の断面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、リードフレームの底面図である。 またここではまとめて図13と呼ばれ得る、図13A〜13Bは、本明細書に記載される種々の実施形態による、その上に1つ以上のLEDダイを含むLEDリードフレームの平面図である。 本明細書に記載される種々の他の実施形態による、リードフレームの底面図である。 本明細書に記載される種々の他の実施形態による、その上に1つ以上のLEDダイを含むLEDリードフレームの上面図である。 本明細書に記載されるさらに他の実施形態による、リードフレームの底面図である。 ここではまとめて図17と呼ばれ得る、本明細書に記載されるさらに他の実施形態による、その上に1つ以上のLEDダイを含むLEDリードフレームの上面図である。 ここではまとめて図17と呼ばれ得る、本明細書に記載されるさらに他の実施形態による、その上に1つ以上のLEDダイを含むLEDリードフレームの上面図である。 ここではまとめて図17と呼ばれ得る、本明細書に記載されるさらに他の実施形態による、その上に1つ以上のLEDダイを含むLEDリードフレームの上面図である。 本明細書に記載されるまた他の実施形態による、リードフレームに直接的にアタッチされるLEDダイを含むLED部品の断面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、LEDダイの断面図である。 従来のLEDダイの断面図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、LEDダイの断面図である。 融解および再融解中における、本明細書に記載される種々の実施形態による、ダイアタッチ材料の性能を例示する状態図である。 本明細書に記載される種々の実施形態による、LED部品を製造するために実施され得る処理のフローチャートである。 本明細書に記載される種々の実施形態による、複数のLED部品を製造するために使用され得るリードフレーム構造を例示する。
本発明概念の種々の実施形態は、ここで、添付図面を参照してより完全に記載されるであろう。本発明概念は、しかしながら、多くの異なる形式で具体化可能であり、本明細書に明らかになる実施形態に限定されるものとして解釈すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が、完全に完成し、当業者に本発明の概念の範囲を完全に伝えることとなるように提供される。図において、層および領域の寸法および相対寸法は、理解し易いように誇張され得る。同様の番号は、全体を通して同様の要素を意味する。
層、領域、または基板等の要素が別の要素の「上」にあるとして言及する場合、直接的に他の要素の上にある、または挟まる要素がまた存在し得ることが理解されるであろう。さらに、「下に」または「上にある」等の相対語は、本明細書において、図で例示されるように、基板またはベース層に対する、1つの層または領域の別の層または領域に対する関係を記載するために使用され得る。これらの語は、図において図示された方向に加え、機器の異なる方向を包含することを意図することが理解されるであろう。「直接的に」の語は、挟まる要素がないことを意味する。本明細書に使用されるように、「および/または」の語は、挙げられた項目に関する1つ以上の任意および全ての組み合わせを含み、また「/」として略され得る。
本明細書に使用される用語は、特定実施形態を記載する目的のみであり、他の実施形態を限定する意図はない。本明細書に使用されるように、「a」、「an」および「the」の単数形は、文脈が明白にそうでない場合を除き、複数形を含むことも意図する。「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」、「有する」、および/または「有している」(およびそれらの変形)の語は、本明細書に使用される場合、記述された特徴、ステップ、動作、要素、および/または部品の存在を明示するが、追加の1つ以上の特徴、ステップ、動作、要素、部品、および/またはそれらのグループを除外しない。
第1の、第2の、等の語が、種々の要素、部品、領域、層、および/または部分を記載するために本明細書に使用され得るが、要素、部品、領域、層、および/または部分が、これらの語によって限定されるべきではないことが理解されるであろう。これらの語は、単に、1つの要素、部品、領域、層、または部分を別の領域、層、または部分から区別するために使用される。したがって、以下に説明される第1の要素、部品、領域、層、または部分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、部品、領域、層、または部分と呼ばれ得る。
種々の実施形態が、断面図および/または理想的な実施形態の概略的な例示図である他の例示図を参照して記載される。このため、例示図の形状からの変形が結果として、例えば、製造技術および/または許容誤差をもたらすことが予期される。したがって、これらの実施形態は、本明細書に例示された領域の特定形状に限定されるものと解釈されるべきではなく、例えば、製造から結果としてもたらされる形状の誤差を含むこととなる。例えば、矩形として例示または記載された領域は、一般に、通常の製造許容誤差によって丸いまたは湾曲した特徴を有することとなる。したがって、図において例示される領域は、事実上概略的であり、それらの形状は、本明細書に別途定義しない限り、機器の領域の正確な形状を例示することを意図するものではなく、また本発明概念の範囲を限定することを意図するものではない。
本明細書に別途定義しない限り、本明細書に使用される全ての語(技術および科学用語を含む)は、本発明に属する当業者の1人によって一般的に理解されるものと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書に定義された語は、関連技術および本明細書の文脈においてその意味するところからなる意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書にはっきりと定義されない限り、理想的に、または過度な形式的感覚において解釈されるものではないことがさらに理解されるであろう。
いくつかの実施形態は、ここで、本明細書における説明を理解し易くするために、基本的に、シリコンカーバイド(SiC)基盤成長基板上の窒化ガリウム(GaN)基盤発光ダイオードを参照して記載されることとなる。ただし、本発明の他の実施形態が、成長基板とエピタキシャル層との種々の異なる組み合わせに基づいてもよいことが当業者によって理解されるであろう。例えば、組み合わせは、GaP成長基板上のAlGaInPダイオード、GaAs成長基板上のInGaAsダイオード、GaAs成長基板上のAlGaAsダイオード、SiCまたはサファイア(Al)成長基板上のSiCダイオード、および/または窒化ガリウム、シリコンカーバイド、窒化アルミニウム、サファイア、酸化亜鉛、および/または他の成長基板上のIII族窒化物基盤ダイオードを含み得る。さらに、他の実施形態において、成長基板は、最終製品に存在しなくてもよい。例えば、成長基板は、発光ダイオードの形成後に除去されてもよく、および/またはボンディングされた基板が成長基板の除去後に発光ダイオード上に提供されてもよい。いくつかの実施形態において、発光ダイオードは、ノースカロライナ州、ダーラムのCree株式会社によって製造され販売された窒化ガリウム基盤LED機器であってもよい。
前書き
本明細書に記載される種々の実施形態は、SMDリードフレームを備えるLED部品、およびワイヤボンディングなしでSMDリードフレームに電気的に接続されるLEDを提供し得る。より具体的には、LED接点の一方または両方が、半田等のダイアタッチ層を使用してSMDリードフレームに直接的にアタッチされる。
本明細書に記載される種々の実施形態は、リードフレーム技術を使用するSMD LEDが、非常に低コストである潜在的な利点を有することの認識から生じ得る。なお、従来、LEDダイ接点の少なくとも一方、また多くの場合においてLEDダイ接点の両方が、1つ以上のワイヤボンドを使用してSMDリードフレームに接続されていた。ワイヤボンドは、低コストSMDリードフレームにおける平坦度および高度な機械的屈曲からの誤差を補填可能である。この平坦度および高度な機械的屈曲からの誤差は、シリコーン等の低コストプラスチックがリードフレームカップに使用されるときにのみ増大し得る。
さらに、本明細書に記載される種々の実施形態は、SMD LEDリードフレームの金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップの構成、および/またはダイアタッチ材料の構成が、SMD LED部品におけるワイヤボンディングの排除を可能とし、半田等のダイアタッチ層を使用して、それぞれリードフレームの金属アノードパッドおよび金属カソードパッドへのLEDダイのアノード接点およびカソード接点の両方の直接アタッチを可能とするように、変更され得ることを認識していた。直接的なダイのアタッチは、ワイヤボンディングよりも低コストかつより強固となり、よりコンパクトなSMD部品を可能とし得る。
多くの技術が、ワイヤボンドなしでSMDリードフレームへのLEDダイの直接アタッチを容易化すべく、金属アノードパッド、金属カソードパッド、プラスチックカップ、および/またはダイアタッチ層を構成するために以下に記載されるであろう。ただし、LEDダイが、ワイヤボンドなしでSMDリードフレームに電気的に接続され得る新発見の認識を有することで、多くの他の構成が、当業者によって想起され得る。
図1は、本明細書に記載される種々の実施形態による、LEDチップとも呼ばれる発光ダイオード(LED)の断面図である。図1を参照すると、LEDダイ100は、それぞれ対向し、それらの中にn型層112およびp型層114を含む、第1の面110aおよび第2の面110bを有するダイオード領域110を含む。本明細書に記載される必要のない、量子井戸、バッファ層等を含み得る、他の層または領域が提供され得る。アノード接点160は、p型層114にオーミックに接触し、第1の面110a上を延びる。アノード接点160は、p型層114に直接的にオーミックに接触してもよく、または1つ以上の導電性ビア162および/若しくは他の中間層によってp型層114にオーミックに接触してもよい。カソード接点170は、n型層112にオーミックに接触し、また第1の面110a上を延びる。カソード接点170は、n型層112に直接的にオーミックに接触してもよく、または1つ以上の導電性ビア172および/若しくは他の中間層によってn型層112にオーミックに接触してもよい。図1に例示されるように、両方、第1の面110a上を延びるアノード接点160およびカソード接点170は、同一平面であるが、同一平面である必要はない。ダイオード領域110は、一般的に基板120上でエピタキシャルに形成されるので、本明細書において「LEDエピ領域」としても呼ばれ得る。例えば、III族窒化物基盤LEDエピ領域110は、シリコンカーバイド成長基板上で形成され得る。いくつかの実施形態において、成長基板は、最終製品に存在し得る。他の実施形態において、成長基板は、除去され得る。また他の実施形態において、成長基板とは異なる別の基板が提供され得る。
図1にまた示されるように、ダイアタッチ層180はまた、アノード接点160の外面上、およびカソード接点170の外面上に提供される。以下に詳細に記載されることとなるように、ダイアタッチ層180は、SMDリードフレームへのLEDダイの直接アタッチを容易化するように構成され得る。
図1にまた示されるように、透明シリコンカーバイド成長基板等の透明基板120がダイオード領域110の第2の面110b上に含まれる。透明基板120は、側壁120aを含み、ダイオード領域110の第2の面110bに隣接する内面120cおよび内面120cから離れた外面120bをまた含み得る。外面120bは、内面120cよりも面積が小さくなり得る。いくつかの実施形態において、側壁120aは、内面120cよりも面積が小さい外面120bを提供するために、段付き、傾斜、および/または刻面であり得る。他の実施形態において、図1に示されるように、側壁は、斜角、またいくつかの実施形態において、外面120bから内面120cに向かって鈍角に延びる斜めの側壁120aである。さらに他の実施形態において、側壁120aは、面に対して直交してもよい。さらに、LEDダイ100は、その外面のうちの少なくともいくつかにおいて、蛍光体等の発光団材料を備える層を含んでもよい。該層は、外面120b上、側壁120a上、および/またはダイオード領域110の側面上を延びてもよく、それが延びる面に対し共形および/または非共形であってもよい。さらに他の光学および/または保護層が、LEDダイ上に提供されてもよい。
図1に関して上述されたように構成されたLEDダイ100は、そのアノード接点およびカソード接点がLEDダイの単一面上に提供されるので、「水平」または「横」LEDと呼ばれ得る。水平LEDは、アノード接点およびカソード接点がその対向面上に提供される垂直LEDと比較され得る。
本明細書に記載される任意の実施形態によって使用され得る水平LEDの種々の他の構成は、本出願の譲受人に指定され、これによってその開示が本明細書に詳細に述べられるようにその全体の参照によって本明細書に組み込まれる、「Semiconductor Light Emitting Diodes Having Reflective Structures and Methods of Fabricating Same」と題された、Donofrioらの米国特許第8,368,100号、「Light Emitting Diodes Including Integrated Backside Reflector and Die Attach」と題された、Bergmannらの米国特許出願公開第2011/0031502号、「Horizontal Light Emitting Diodes Including Phosphor Particles」と題された、Donofrioらの米国特許出願公開第2012/0193660号、および「Reflective Mounting Substrates for Flip−Chip Mounted Horizontal LEDs」と題された、Donofrioらの米国特許出願公開第2012/0193662号において詳細に記載される。
水平LEDの他の構成は、本出願の譲受人である、Cree株式会社によって販売される「ダイアタッチ」LEDチップによって具体化可能であり、例えば、その開示がこれによって本明細書に詳細に述べられるようにその全体の参照によって本明細書に組み込まれる、「Direct Attach DA2432(商標) LEDs」(Data Sheet: CPR3FM Rev. −, 2011)、「Direct Attach DA1000(商標) LEDs」(Data Sheet: CPR3ES Rev. D, 2010−2012)、および「Direct Attach DA3547(商標) LEDs」(Data Sheet: CPR3EL Rev. D, 2010−2012)と題されたデータシートにおいて記載される。
後続の図面を簡素化するために、LEDダイ100の内部構造は、例示しないこととする。むしろ、後続する図は、LEDダイ100を概略的に例示することとなるが、アノード接点160、カソード接点170、およびダイアタッチ層180を例示することとなる。ダイアタッチ層が、本明細書に記載される種々の実施形態によって変更され得るので、それは、180’で符号付けされることとなる。LEDダイ100は、対向する第1および第2の面を備え、対向する第1の面は、ダイオード領域の第1の面110aであり、第2の面は、基板が存在しない場合、ダイオード領域の第2の面110bであり、基板120が存在する場合、基板120の外面120bである。アノード接点160およびカソード接点170は、第1の面110a上にある。
さらに、本明細書に記載される種々の実施形態において、全てのLEDダイ100は、同一寸法であるように例示され、基本的に長方形または正方形であり得る。ただし、LEDダイ100は、他の形状であってもよく、全てが同一寸法または形式のLEDダイである必要はない。さらに、アノード接点160およびカソード接点170は、それぞれ、全て異なる寸法であるとして例示される。他の実施形態において、ただし、種々のLEDのアノード接点および/若しくはカソード接点は、同一寸法、形状、および/若しくは厚さであってもよく、ならびに/または種々のLEDのアノード接点および/若しくはカソード接点は、互いに同一寸法、形状、および/若しくは厚さである必要はない。LEDダイ100は、異なる光の色を放出してもよく、その上に蛍光体層等の発光団層を含んでもよい。例えば、いくつかの実施形態において、白色(例えば、青方偏移された黄色)LEDダイと赤色LEDダイとの組み合わせが提供されてもよい。さらに、任意の数の複数LEDダイ100が、LED部品の必要条件に基づいて提供されてもよい。
SMD LED部品の直接アタッチ
図2Aは、本明細書に記載される種々の実施形態による、LED部品の断面図であり、図2Bは、その上面図である。図2Aおよび2Bを参照すると、LED部品200は、リードフレーム210を備え、それ自身が金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、ならびに金属アノードパット220および金属カソードパッド230上のプラスチックカップ240を含み、プラスチックカップ240が、プラスチックカップ240内に金属アノードパッド220の露出部220eおよび金属カソードパッド230の露出部230eを画定する。LED部品200はまた、それぞれ対向する第1の面110aおよび第2の面120b、ならびに第1の面110a上のアノード接点160およびカソード接点170を備えるLEDダイ100を含む。アノード接点160およびカソード接点170は、それぞれ、LEDダイ100から離れた外面160o、170oを含む。LEDダイ100は、アノード接点160の外面160oが、金属アノードパッド220の露出部220eに接近して間隔を有し、カソード接点170の外面170oが、金属カソードパッド230の露出部230eに接近して間隔を有するように、プラスチックカップ240内に配設される。
LED部品200はまた、アノード接点160の外面160oと、金属アノードパッド220の露出部220eとの間に延び、カソード接点170の外面170oと、金属カソードパッド230の露出部230eとの間にまた延びるダイアタッチ層180’を含む。さらに、ダイアタッチ層180’は、アノード接点160の外面160oを金属アノードパッド220の露出部220eに直接的に電気的に接続し、またカソード接点170の外面170oを金属カソードパッド230の露出部230eに直接的に電気的に接続する。
金属アノードパッド220および金属カソードパッド230は、以下に詳細に記載されることとなる、部品製造後に単離される、より大きな金属リードフレーム構造の一部であってもよい。金属リードフレーム構造は、銅、銅合金、および/または他の導電性金属のパターン状平板を備え得る。金属アノードパッド220および金属カソードパッド230は、単一層として示されるが、複数層パッドがまた提供されてもよいことが理解されるであろう。例えば、反射コーティングが、直接的または間接的に金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230の面上に衝突する、LEDによって放射される任意の光の反射性を向上するために、LEDダイ100に面する、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の露出部220e、230eおよび/または他の面の部分の全部または一部に提供されてもよい。さらに、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230は、プラスチックカップ240を越えて延びているように例示されるが、そうである必要はない。最後に、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230は、同一寸法、形状、および/または厚さであってもよく、異なる寸法、形状、および/または厚さであってもよい。
プラスチックカップ240は、プラスチックを含み得る。本明細書に使用されるように、「プラスチック」は、成形可能な任意の広い範囲の合成または半合成有機個体である。プラスチックは、一般的に高分子量の有機ポリマーであるが、それらは、しばしば他の物質を含有する。いくつかの実施形態において、プラスチックカップ240は、ポリアミド(ナイロン)類の熱可塑性合成樹脂であり、290℃から305℃の間の比較的高い融解点を有するポリフタラミド(PPA)を含んでもよい。他の実施形態において、プラスチックカップ240は、同様に290℃から305℃の間の融解点を有し得る熱可塑性ポリエステルであるポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート(PCT)を含んでもよい。他の実施形態において、プラスチックカップ240は、270℃から280℃の間の融解点を有し得る柔軟性エポキシ樹脂であるエポキシ成形コンパウンド(EMC)を含んでもよい。さらに、現在および将来のプラスチックカップ240は、種々の成分のシリコーンを含んでもよく、350℃の分解温度を有し得る。シリコーンは、シリコンと共にカーボン、水素、酸素、および/または他の成分を含むポリマーである。当業者によって理解されるように、いくつかのシリコーンは、実際に溶解しない。むしろ、それらは、例えば、炭化、オフガス等によって分解され得る。この分解は、350℃で開始し得るが、この分解温度は、使用されるシリコーンによって変化し得る。他のシリコーンは、同一温度で分解および溶解し得る。また他のシリコーンは、分解温度よりも高い溶解温度を有し得る。さらに他のプラスチック材料が使用されてもよい。
さらに、プラスチックカップ240の少なくともいくつかの部分は、透明、半透明、および/または不透明でもよい。プラスチックカップ240はまた、均一構造である必要はなく、このため透明、半透明、または不透明の種々の部分、および透明、半透明、または不透明ではない他の部分を含んでもよい。追加の材料が、例えば、その反射性を向上するため、光学散乱を提供するため、および/または波長変換を提供するために、プラスチックカップにまた添加されてもよい。プラスチックカップ240は、本明細書に記載されるようにLEDダイアタッチの前ではなく、LEDダイアタッチ後に、それぞれ金属アノードパッド220および金属カソードパッド230上で成形されてもよいことが理解されるであろう。
プラスチックカップ240は、LEDダイ100が配設されるキャビティまたは凹部を画定するために、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230上にあり、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230から離れて延びるプラスチックカップ壁240Wを備え得る。プラスチックカップ壁240Wは、均一の厚さであってもよく、または図2Aに例示されるように可変な厚さであってもよく、その中に種々の突起、ふくらみ、または凹部を含んでもよい。カップベース240Bは、基本的に、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の方向に延び、金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230のどちらかの面上にまた延び得る。カップベース240Bの外エッジは、カップ壁240Wの外エッジより広くてもよく、および/若しくは狭くてもよく、またはそれに合致してもよい。さらに、カップベース240Bの外エッジは、カップ壁240Wの外エッジとは異なる形状を有してもよい。
ダイアタッチ層180’は、鉛系または鉛フリー半田を含み得る。さらに、本明細書に記載される種々の実施形態によると、金(Au)、ニッケル(Ni)、およびスズ(Sn)を含む三成分半田がまた、使用されてもよい。以下に詳細に記載されることとなるように、この半田の四成分(またはその他)変種もまた提供されてもよい。ダイアタッチ層180’は、沈着および/または他の従来技術を使用して製造され得る。
最後に、図2Aはまた、プラスチックカップ240の内側において、またいくつかの実施形態において充填する、封止材料250を例示する。いくつかの実施形態において、封止材料250はまた、プラスチックカップ240のものと同一成分および/または異なる成分であり得るシリコーンを含み得る。封止材料250は、成分において均一であってもよく、不均一であってもよく、またその中に、均一または不均一に分散され得る、屈折率整合、散乱、反射、および/または蛍光体等の波長変換材料のような光学材料を含んでもよい。封止材料250の外面は、図2Aに例示されるように、プラスチックカップ240の外面と同じ高さであってもよい。ただし、他の実施形態において、封止材料の外面は、カップ240の外面に対して上反りまたは下反りであってもよい。さらに、マクロレンズおよび/またはマイクロレンズ等の種々の光学的機能が、封止材料250の外面内および/または外面上に提供されてもよい。
図2Aおよび2Bはまた、SMDリードフレーム210、およびSMDリードフレーム210にワイヤボンドなしで電気的に接続されるLEDダイ100を備える、本明細書に記載される種々の実施形態によるLED部品を例示するものとみなすことができる。いくつかの実施形態において、SMDリードフレーム210は、プラスチックカップ240、およびプラスチックカップ240内にあり、プラスチックカップ240内でSMDリードフレーム210に電気的に接続されるLEDダイ100を備える。いくつかの実施形態において、LEDダイ100は、例えば、ダイアタッチ層180’を使用して、SMDリードフレーム210に半田付けされる。
図2Aおよび2Bはまた、本明細書に記載される種々の実施形態による、表面実装部品リードフレームを例示する。表面実装部品リードフレーム210は、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230を備える。プラスチックカップ240が、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230上に提供され、金属アノードパッド220の露出部220eおよび金属カソードパッド230の露出部230eを画定する。金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、および/またはプラスチックカップ240は、LEDダイ100のアノード接点160およびカソード接点170のそれぞれの、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230のそれぞれの露出部220e、230eへの直接的な半田付けを容易化するように構成される。いくつかの実施形態において、プラスチックカップ240は、リードフレーム210に含まれない。
図2Aおよび2Bはまた、それぞれ対向する第1の面110aおよび第2の面120b、ならびに第1の面110a上のアノード接点160およびカソード接点170を有するLEDダイ100を備える表面実装部品LEDを例示する。アノード接点160およびカソード接点170は、それぞれ、LEDダイ100から離れた外面160o、170oを含む。ダイアタッチ層180’は、アノード接点160およびカソード接点170の外面160o、170o上に提供される。ダイアタッチ層180’は、SMDリードフレーム210のアノードパッド220およびカソードパッド230のそれぞれへのダイアタッチ層180’の直接アタッチを容易化するように構成される。
図2Aにおいて、プラスチックカップ240は、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の露出面220e、230e上のみにある。ただし、図3に例示されるように、プラスチックカップベース240Bはまた、露出面220e、230eに対向する、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の面上に延びてもよい。さらに、図4に示されるように、プラスチックカップベース240Bは、露出面220e、230eに対向する、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の面上に連続的に延びてもよい。さらに、いくつかの実施形態において、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230は、LED部品200用の外部接点を提供するために、プラスチックカップ240Bの周囲に湾曲されていてもよい。本明細書に記載される種々の実施形態によって、リードフレーム210の複数の他の変形が提供され得る。例えば、リードフレーム210のいくつかの実施形態は、プラスチックカップ240を含まなくてもよい。
ここで詳細に記載されることとなる種々の実施形態によると、金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、プラスチックカップ240、および/またはダイアタッチ材料180’は、ダイアタッチ層180’によって、金属アノードパッド220の露出部220eへのアノード接点160の外面160oの直接的な電気的接続、および金属カソードパッド230の露出部230eへのカソード接点170の外面170oの直接的な電気的接続を容易化するように構成され得る。種々の構造的および成分的な構成が、ここで記載されることとなる。これらの構成は、性能および/または信頼性の観点からもたらされる所望のLED部品を実現するために、組み合わせ、または種々の部分的組み合わせにおいて変形されてもよいことが理解されるであろう。選択される金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、プラスチックカップ240、および/またはダイアタッチ層180’の構成の個々の態様は、使用される特定のLEDダイ100および/若しくはリードフレーム240、ならびに/または所望の特定のコスト、信頼性、および/若しくは性能に依存することとなる。ただし、本明細書に記載される種々の実施形態による、金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、プラスチックカップ240、および/若しくはダイアタッチ材料180’を構成することによって、ならびに/または当業者によって発展され得る他の構成によって、ワイヤボンドなしの表面実装リードフレーム210へのLEDダイ100の直接アタッチが実現され得る。
一般に、リードフレームは、LED部品において従来から使用されるセラミックサブマウントに対する低コスト代替物を提供し得る。さらに、リードフレームは、パッケージ面をほとんど全て金属とすることができるので、良好な熱伝導性を有する。換言すると、LEDダイは、低熱抵抗を提供するように、金属に接着され、その後、基板に半田付けされる。リードフレームは、高価な工具が少ない、より安価でより安い傾向にあるSMDパッケージライン上を進み得る。一例であるが、リードフレームは、個々の部品に単離するために機械式切断工具を必要とせず、従来のセラミックパッケージと比べて、より少ない資本投資およびより少ない消費コストである、より安価なパンチ技術を使用し得る。
あいにく、しかしながら、リードフレームは、それらがPPA、PCT、またはEMCで製造される場合、セラミックと比べて乏しい信頼性を有し得る。SMDリードフレームはまた、セラミックよりも低い平坦度となり、LEDダイをアタッチする際の問題となる。リードフレームはまた、基本的に、従来の金スズ共晶半田のリフロー温度に至るまで温度安定ではなく、このためパッケージのリフローにあたり薄黒くなる傾向にあり得る。シリコーン基盤リードフレームにおける最近の進歩は、良好な信頼性を提供し、高リフロー温度に耐え得る。ただし、シリコーン基盤リードフレームは、薄弱で柔軟となる傾向にある。このように、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドは、略同一平面であるが、完全に同一平面ではなく、基本的にLEDダイのアノード接点およびカソード接点の両方の直接的なダイアタッチを可能とするために十分に平坦ではない。
ここで記載されることとなる種々の実施形態は、リードフレーム210、特に、シリコーン基盤リードフレーム210が、高容量の経路、低コスト、および信頼性のあるLED部品を提供するために、直接的アタッチLEDダイ100を実現可能とするように、金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、プラスチックカップ240、および/またはダイアタッチ層180’が構成されることを可能とすることができる。
以下の節において、金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、およびプラスチックカップ240の種々の構成が、まず記載されることとなる。その後、ダイアタッチ層180’の種々の構成が記載されることとなる。
金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップの構成
種々の実施形態は、ここで、ダイアタッチ層180’によって、金属アノードパッド220の露出部220eへのアノード接点160の外面160oの直接的な電気的接続、および金属カソードパッド230の露出部230eへのカソード接点170の外面170oの直接的な電気的接続を容易化するために、リードフレーム210の金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、および/またはプラスチックカップ240を構成可能であることが記載されることとなる。一般に、金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、および/またはプラスチックカップ240は、本明細書に記載される種々の実施形態による、(a)金属アノードパッドと金属カソードパッドとの間の隙間に比例してカップベースの伸長部分を増大すること、(b)金属アノードパッドと金属カソードパッドとの間に一時的リンクを提供すること、および(c)金属アノードパッドと金属カソードパッドとの間に湾曲接面を提供することによって、構成され得る。
(a)金属アノードパッドと金属カソードパッドとの間の隙間に比例してカップベースの伸長部分を増大すること
ここで記載されることとなる種々の実施形態によると、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの隣接端は、その間に隙間を画定する。プラスチックカップは、隙間内に延び、また金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの非隣接端を越えて一定距離延びる。該距離は、隙間よりも大きい。プラスチックカップは、プラスチックカップを形成する成形プロセス中に隙間内、および非隣接端を越えて延びるように構成され得る。
より具体的には、図5は、図2Aおよび2Bのリードフレーム210の簡素化された底面図である。図5に例示されるように、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の隣接端220a、230aは、それぞれ、その間に隙間Gを画定する。さらに、プラスチックカップ240のベース240Bは、隙間G内に延びる。プラスチックカップ240のベース240Bはまた、アノードパッド220およびカソードパッド230の非隣接端220n、230n、それぞれを越えて一定距離D延びる。本明細書に記載される種々の実施形態によると、距離Dは、隙間Gよりも大きい。
従来的には、距離Dは、LED部品の全体寸法を低減し、リードフレーム単位および樹脂量単位により多くの部品を許容するために最小化され、これによって低コストの達成を可能とした。しかしながら、本明細書に記載される種々の実施形態によると、距離Dは、隙間Gよりも大きくなるように構成される。他の実施形態において、隙間Gよりも厚い、厚いカップ壁240Wがまた提供され得る。
いかなる理論にも拘束されることを望むものではないが、大きな距離Dおよび/または厚いカップ壁240Wを提供することによって、図5に示されるリードフレーム210の剛性が向上され、および/またはアノードパッド220およびカソードパッド230の隣接端220a、230aの平坦度からの誤差が低減されることが考えられる。上記のように、いくつかの実施形態において、距離Dは、隙間Gよりも大きい。他の実施形態において、距離Dは、隙間Gよりも少なくとも10%大きい。さらに他の実施形態において、距離Dは、隙間Gよりも少なくとも30%大きい。したがって、図5の実施形態は、伸長距離Dと隙間Gとの間の割合を増大する。この割合の増大は、全体の構造的剛性の向上によって、リードフレーム材料上のダイアタッチの高成功率を可能とすることができる、より硬い枠を提供可能である。これは、柔軟性シリコーンがカップ240に使用される場合でさえ、あてはまる。
図5の種々の実施形態が、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230が部品全体の幅のうちのより小さい割合を占めるので、LED部品の温度性能のわずかな低下を引き起こし得ることがまた理解されるであろう。このわずかな温度性能の低下は、リードフレーム、特に、リードフレームにワイヤボンディングされるのではなく、リードフレームにダイアタッチされるLEDダイの温度性能が、良好な温度性能を保証するために十二分となり得るので、過度な不利益をもたらさないであろう。
特定の例において、隙間Gは、100μmから200μmの間の幅を有してもよく、距離Dは、いくつかの実施形態において220μmよりも大きく、他の実施形態において300μmよりも大きく、さらに他の実施形態において400μmよりも大きくてもよい。いくつかの実施形態において、距離Dは、1,000μmを超えない。他の実施形態において、温度性能を機械的剛性よりも優先する場合、距離Dは、図6に示されるように、隙間Gよりも小さくてもよい。
距離Dは、LED部品200の全体に亘って、隙間Gよりも大きいまたは小さい必要はないことがまた理解されるであろう。むしろ、この関係は、非隣接端220n、230nのいくつかに関してのみ存在し得る、または非隣接端220n、230nの一部に関してのみ存在し得る。換言すると、隙間Gは、その全体に亘って幅が非均一であってもよく、距離Dは、その全体に亘って均一である必要はない。さらに、距離Dは、隣接する金属アノードパッド220の非隣接端220nの各々、および/または隣接する金属カソードパッド230の非隣接端230nの各々で同一である必要はない。
図7は、より良好な温度性能および高パッケージ剛性または安定性の潜在的な利点を可能とするために、隙間Gに対する距離Dの異なる割合が単一部品において提供され得る他の実施形態を例示する。例えば、図7において、隙間Gに対する金属アノードパッド220における距離D1と、隙間Gに対する金属カソードパッド230の距離D2との2つの異なる割合が提供され得る。
図7に関して記載される種々の実施形態が、金属パッドの1つ、例えば、金属カソードパッド230が、金属パッドの他方、例えば、金属アノードパッド220よりも大きくてもよく、このことが、大きい方の金属カソードパッド230に対し、より良好な温度性能を提供し得るという認識から生じ得る。これに対し、他方の金属パッド、例えば、金属アノードパッド220は、温度性能に対する重要度が低く、このため、安定性のためにより大きな距離D1を提供すべく、その幅が小さくなり得る。上記において、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の役割は、逆でもよいことが理解されるであろう。
したがって、図7は、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の隣接端220aおよび230aが、それぞれ、異なる幅を有する、本明細書に記載される種々の実施形態を例示する。いくつかの実施形態において、複数LEDダイが単一プラスチックカップ内に提供されることがまた理解されるであろう。これらの実施形態において、異なる隙間および異なる距離は、プラスチックカップ内の複数LEDダイのうちの少なくともいくつかに提供されてもよい。
金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の隣接端220aおよび230aのそれぞれの異なる幅はまた、カップベース240Bのプラスチック材料によって金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230の一部を選択的に覆うことによって実現され得る。したがって、いくつかの実施形態において、カップベース240Bは、金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230の対向する面の一方または両方においてリッジを形成し得る。このリッジはまた、金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230を少なくとも部分的に固定し、これによって平坦度からの誤差を低減し得る。例えば、図3および/または図4に例示されたように、プラスチックカップベース240Bは、金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230の対向面上に延び得る。これは、パッド上にリッジを提供し、さらに平坦度を向上するためにパッドを固定し得る。さらに、プラスチックカップ240のベース240Bが金属アノードパッド220および/または金属カソードパッド230の外面上に延びることを許容することによって、リードフレームパッケージ設計者は、LED部品の裏側外観および機能のカスタム設計を行うことができる。
図5〜7の種々の実施形態は、カップベースおよび/または壁の厚さと、リードフレームの裏における金属パッド間の隙間との幅の割合を変更することによって、直接アタッチLEDダイに使用されるリードフレーム型パッケージの安定性および他の有益な物理特性、例えば、熱伝導性を向上することができる。厚さと隙間との割合の増大は、全体の構造的剛性の増大によってリードフレーム材料状のダイアタッチの高成功率を可能とする、より硬いリードフレームをもたらすことができる。厚さと隙間との間の低割合は、パッケージの底部における増大された熱容量によって、より良好な温度パラメータを有する、より柔軟なパッケージをもたらすことができる。従来的には、パッケージは、リードフレームパッケージの裏において占有的な金属パッドを含む狭いカップを有する。
(b)金属アノードパッドと金属カソードパッドとの間に一時的リンクを提供すること
本明細書に記載される種々の他の実施形態によると、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの平坦度は、ワイヤボンディングなしのダイアタッチを容易化するために、プラスチックカップの外側で金属アノードパッドを金属カソードパッドに機械的に接続する一時的リンクを提供することによって向上され得る。これらの一時的リンクは、ダイアタッチ中の金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの構造的剛性を向上させることができる。一時的リンクは、ダイアタッチ後、個々の部品の単離中および/または単離後に切断され得る。
より具体的には、図8を参照すると、リードフレーム210は、プラスチックベース240Bの外側で金属アノードパッド220を金属カソードパッド230に機械的に接続する1つ以上の金属リンク810を含み得る。金属リンク810は、大量のLED部品を製造するために使用される初期リードフレーム構造の一部として提供され得る。金属リンク810は、最終製品に残った場合、LEDを短絡させることになるので、単に一時的なものである。したがって、ここのLED部品を初期リードフレーム構造から分離する、単離中に、金属リンク810は、個々の金属アノードパッド220および金属カソードパッド230を初期リードフレーム構造に繋げる任意の他の一時的リンクと共に切断され得る。なお、それらは、単離前または単離後に切断されてもよい。より少ない、またはより多いリンク810が提供されてもよいこと、リンクの種々の構成が提供されてもよいことが理解されるであろう。例えば、U字リンク810が、図8において例示されるが、他の形状が提供されてもよい。
図9は、単離後の図8のLED部品を例示する。なお明瞭化のため、LEDは、例示されていない。プラスチックカップ240の外側のリンク810の一部が除去されているが、タブ910が残る。これらのタブ910は、本明細書に記載される種々の実施形態によって、LED部品の製造中により高い安定性を提供するためにリンク810が使用されたことのしるしを提供し得る。
したがって、図8および9は、カップ外側の接続リンクまたは脚が、直接アタッチLEDダイ部品用のリードフレーム型パッケージのパッケージ安定性および剛性を向上するために使用され得る、本明細書に記載される種々の実施形態を例示する。従来的には、金属アノードパッドおよび金属カソードパッドは、カップ材料内に被包されたそのエッジと共に、実質的に浮く。明確にこれに対し、図8の実施形態は、パッケージエッジの外側に金属接続リンクまたは脚を提供する。これらのリンクは、パッドを同一高さに拘束する、つまり、平坦度を向上させることを補助し、パッケージ剛性を付加することができる。図9に示されるように、パッケージの単離において、接続リンクまたは脚は、最終製品を生産するために、せん断され得る。せん断はまた、リードフレームの残余部に対する金属アノードパッドおよび金属カソードパッドの間接的な接続を切断し得る。
図10は、金属リンク810が、可融性金属部1010を含む、他の実施形態を例示する。例えば、プラスチックカップ240の分解温度よりも低い融解点を有する任意の金属合金または純金属が使用され得る。これは、接続リンク810を可融部1010の融解点よりも高い温度に局所的に加熱することによって高速せん断を可能とすることができる。レーザー加熱および/または他の局所的加熱技術が使用され得る。適切な可融性材料が選択される場合、広域的加熱もまた、使用され得る。可融性材料が、リンク810全体、プラスチックカップの外側のリンク810全体に延びてもよく、および/またはリンクを開くために十分なプラスチックカップ240の外側の金属リンク810の狭い部分に対応するのみであってもよいことがまた理解されるであろう。他の実施形態において、可融性リンク1010は、レーザーおよび/または他の技術によって融解可能である限り、カップの内側にあってもよい。したがって、カップ材料は、リンクが、レーザーおよび/または他の技術を使用して融解可能であるように、カップの内部において可融性金属リンクの周囲に成形されてもよい。
金属リンクの構成および位置は、本明細書に記載される種々の実施形態によって変更され得ることがまた理解されるであろう。例えば、リンク810のアームが、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の隣接端220a、230aのそれぞれの構造的剛性を向上するために、図8〜10に例示されるよりも、互いにより近付けられてもよく、金属アノードパッド220と金属カソードパッド230との間の隙間に近付けられてもよい。さらに、リンク810は、パッケージエッジ(図9に例示されたように、リードフレームパッケージの外側に露出された余分な金属が残らない)、および/またはパッケージの外側(例えば、図10において例示されるように、接点、サーマルシンク、および/または他の目的のためにパッケージの外側に露出された金属が残る)でせん断可能である。
(c)金属アノードパッドと金属カソードパッドとの間に湾曲接面を提供すること
図5〜10に関して上述された種々の実施形態は、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230それぞれの隣接端220a、230aそれぞれの間の、隣接端220a、230aに沿って直線に延びた隙間Gを例示した。換言すると、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230それぞれの一直線の接面220a、220bが例示された。ここで記載されることとなる種々の実施形態によると、湾曲接面が提供され得る。湾曲接面は、円滑に湾曲された、および/または区切られた部分を含み得る。湾曲接面は、隙間に沿ったカップ材料のより長い長さを提供可能であり、これによって隙間におけるカップ材料の長さを最小化する一直線の接面よりも高い構造的剛性を提供可能である。いくつかの実施形態において、湾曲接面は、その間に斜角および/または直角を形成する複数の線分を備える。角の頂点は、鋭いおよび/または丸められ得る。他の実施形態において、湾曲接面は、鋭角のない円滑な湾曲部のみを含み得る。
具体的には、図11を参照すると、金属アノード接点パッド220および金属カソード接点パッド230が示される。図11に示されるように、接点パッド220および230は、かみ合いフィンガー形状であり、これは、安定性、および直接アタットLEDダイを利用するリードフレームパッケージ用のダイアタッチ領域を増大可能である。具体的には、金属アノードパッド220は、金属カソードパッド230に向かって延びる金属フィンガー220fを含み、金属カソードパッド230は、金属アノードパッド220に向かって延びる金属フィンガー230fを含む。
したがって、図11に示されるように、隙間Gは、直線ではなく、湾曲され、3つの分離直交線分を含む。したがって、隙間Gの全長Lは、直線の隙間のものよりも長い。金属アノードパッド220および金属カソードパッド230それぞれの隣接端220aおよび230aの隣接辺の間のより長い長さL、および長尺な隙間におけるプラスチックカップ材料のより多い量は、リードフレームパッケージの安定性を向上可能であり、このため金属アノード接点220および金属カソード接点230は、より平坦になる。換言すると、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の湾曲接面220a、230aは、リードフレームの安定性、ならびにアノードパッド220およびカソードパッド230のそれぞれの平坦度を向上可能である。
図12は、単一LEDダイ100が湾曲接面を有するリードフレーム上に実装される、図11のリードフレームから製造されるLED部品を例示する。示されるように、LEDダイ100は、アノード接点(明瞭化のため例示されない)の外面が第1の線分(中央または水平接面220a)に隣接する金属アノードパッド220に接近して間隔を有し、カソード接点(明瞭化のため例示されない)の外面が第1の線分230a(中央または水平接面230a)に隣接する金属カソードパッド230に接近して間隔を有するように、カップ240内に配設される。LEDダイのアノード接点およびカソード接点は、湾曲合わせ面にアタッチするために適した寸法および形状であり得る。いくつかの実施形態において、LEDダイのアノード接点およびカソード接点はまた、リードフレームの湾曲接面に対応する湾曲接面をその間に有し、このため単一LEDダイは、複数線分を渡し得る。図12はまた、金属アノードパッドまたは金属カソードパッドの一方が3つのエッジを含み、金属アノードパッドまたは金属カソードパッドの他方が3つのエッジに隣接して延びる、LED部品を例示するものとしてみなされ得る。
図13Aは、複数LEDダイ100が使用され、そのそれぞれの1つが、湾曲接面においてそれぞれの線分を渡す、図12の複数ダイ実施形態を例示する。図13Aの実施形態において、図12のように、湾曲接面が、パッケージに向上した安定性を提供可能である。さらに、LEDダイの区分単位構成は、複数LEDダイが一直線の接面を渡す場合よりもLEDダイ100の間隔が互いにより離れることを可能とし得る。該構成は、図13Aに例示されるように、対称的であってもよく、異なるダイおよび/若しくはダイ間隔が使用され、ならびに/または非対称曲線若しくは線分が使用され、非対称であってもよい。
図13Bは、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の両方が、5つの対向する線分220a、230aを含む、他の実施形態を例示する。また、それぞれのLEDダイは、湾曲接面において、それぞれの線分を渡す。
上に例示された実施形態の全てにおいて、単一金属アノードパッド220および単一金属カソードパッド230が、各LED部品に提供される。他の実施形態において、複数金属アノードパッドおよび/または複数金属カソードパッドが提供され得る。例えば、図14は、かみ合いリードフレームパッドの追加の実施形態を例示する。これらの実施形態において、単一金属アノードパッド220および2つの金属カソードパッド230’および230”が提供される。金属アノードパッド220のタブ1410が提供され、このため金属アノードパッド220は、製造中にリードフレームの他の要素にアタッチされ得る。他の実施形態において、しかしながら、タブ1410は、必要ではなく、金属アノードパッド220は、浮島金属アノードパッドを提供するように、完全に隙間Gに囲まれる。中央金属アノードパッド220は、隙間Gにおけるカップ材料の延長された長さを提供する、接面220a、230aに亘る、より多くの量の重なりによって安定化される。
図15は、その上に4つのLEDダイ100を含む図14のリードフレームを例示する。この部品は、2つのLEDダイ各々の2つの並行列を提供し得る。種々の他の構成がまた提供され得る。それらは、ダイおよび/またはパッドに対して対称的または非対称的であり得る。LED配線の種々の構成が、図14および15のリードフレーム上のLEDダイ100のアノード接点およびカソード接点の配置に応じて、図14および15の実施形態によって提供され得ることが理解されるであろう。例えば、図15のいくつかの実施形態において、4つのLEDダイ100のアノード接点は、金属アノードパッド220にダイアタッチされ、これらのLEDダイのうちの2つのカソードは、第1の金属カソードパッド230’にダイアタッチされ、残り2つのLEDダイのカソード接点は、第2の金属カソードパッド230”にダイアタッチされ得る。他の実施形態において、2つのLEDダイ各々の2つの逆平行列を提供するために、図15のLEDダイのうちの2つのアノード接点および残り2つのLEDダイのカソード接点は、パッド220にダイアタッチされ、第1の2つのLEDダイのアノード接点は、パッド230’にダイアタッチされ、残り2つのLEDダイのカソード接点は、パッド230”にダイアタッチされる。これらの実施形態において、3つの金属パッド220、230’および230”は、部品に対しアノードまたはカソードを提供しなくてもよく、また部品に対する外部接続を提供してもよい。したがって、LEDの配線によって、「アノード」および「カソード」の語は、パッド220、230’および230”に適用されないことがある。
図16は、単一タブ1410のみが、金属アノードパッド220を支持するために提供され、単一金属カソードパッド230がほとんど完全に金属アノードパッドの四方を囲む、別のリードフレーム構成を例示する。図17Aは、並列に電気的に接続される、その上の4つのLEDダイ100を含む、図16のリードフレームを使用するLED部品を例示する。したがって、図17Aは、金属アノードパッドまたは金属カソードパッドのうちの一方が、4つのエッジを含み、金属アノードパッドまたは金属カソードパッドのうちの他方が、4つのエッジに隣接して延びる、種々の実施形態を例示する。他の実施形態において4つよりも多いエッジがまた含まれ得ることが理解されるであろう。したがって、金属アノードパッドおよび/または金属カソードパッドは、五角形、六角形、八角形等であってもよい。より多いまたはより少ないLEDダイが、LED部品に含まれ、直列および/または並列に接続され得ることがまた理解されるであろう。LEDダイ100は、互いに同一である必要はなく、対称的に配置される必要もない。例えば、1つ以上のLEDダイ100が、青方偏移された黄色LEDダイであってもよく、一方で1つ以上のLEDダイが、赤色LEDダイであってもよい。図17Bは、別の構成を例示する。タブ1410に代えて、アノード接点パッド220が、図17Aと比べて延ばされている。
図17Cは、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230各々が、5つの面する線分220a、230aを含み、5つのLED100が使用され、そのうちのそれぞれ1つが、面する線分のそれぞれの対の上にある、他の実施形態を例示する。
結論として、図5〜17は、金属アノードパッド220、金属カソードパッド230、および/またはプラスチックカップ240が、ダイアタッチ層180’によって、金属アノードパッド220の露出面220eへのアノード接点160の外面160oの直接的な電気的接続、および金属カソードパッド230の露出部230eへのカソード接点170の外面170oの直接的な電気的接続を容易化するように構成される、種々の実施形態を例示した。上記の種々の実施形態は、(a)隙間に比例してカップベースの伸長部分を増大すること、(b)一時的リンクを提供すること、(c)湾曲接面を提供すること、によって独立的に提示されてきたが、これらの実施形態はまた、種々の組み合わせ、または部分的組み合わせにおいて提供されてもよい。例えば、増大された距離(a)は、一時的リンク(b)と組み合わされてもよく、および/または湾曲接面(c)と組み合わされてもよい。代替的に、一時的リンク(b)は、増大された伸長部分(a)および/または湾曲接面(c)と組み合わされてもよい。さらに、湾曲接面(c)は、増大された伸長部分(a)および/または一時的リンク(b)と組み合わされてもよい。最後に、増大された伸長部分(a)、一時的リンク(b)、および湾曲接面(c)が、LED部品に全て提供されてもよい。任意のこれらの組み合わせは、これによって、リードフレームへのLEDダイの直接アタッチを容易化することができる。
ダイアタッチ層構成
ここで記載されることとなる種々の実施形態は、ダイアタッチ層によって、金属アノードパッドの露出面へのアノード接点の外面の直接的な電気的接続、および金属カソードパッドの露出部へのカソード接点の外面の直接的な電気的接続を容易化するように、ダイアタッチ層それ自身を構成する。ここで記載されることとなる実施形態において、ダイアタッチ層は、(a)その厚さを設定することによって、および/または(b)その成分を設定することによって構成され得る。これらの設定のいずれか一方または両方は、リードフレームへのLEDダイの直接的なダイアタッチを容易化することができる。さらに、これらの設定のいずれか一方または両方は、金属パッドおよび/またはプラスチックカップとの接続において上述された3つの構成のうちの1つ以上の任意の組み合わせと組み合わせられてもよい。
(a)ダイアタッチ層の厚さの設定
上述されたように、リードフレームパッケージの柔軟性によって、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230は、同一平面から逸脱し得る。したがって、図18に示されるように、隣接端220a、230aそれぞれの間にその高低差Hが存在し得る。従来的には、3μm以下の厚さを有するダイアタッチ層が、一般的に、セラミックまたは他の非柔軟性基板へのLEDダイのダイアタッチに使用される。
ここで記載されることとなる種々の実施形態は、従来のダイアタッチ厚さが、高い部品歩留まりでこれらの非均一面全体にダイアタッチされることをLEDに可能とするために十分ではないことの認識から生じ得る。明確にこれに対し、本明細書に記載される種々の実施形態は、また図18に例示されるように、金属アノードパッド220と金属カソードパッド230との間の高低差Hよりも厚いダイアタッチ層180’を提供する。具体的には、図18を参照すると、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の露出部220eおよび230eは、それぞれ、高低差Hによって同一平面から逸脱する。いくつかの実施形態において、Hは、金属アノードパッド220および金属カソードパッド230の隣接端220a、230aのそれぞれにおいて測定される。他の実施形態において、同一平面からの逸脱Hが金属パッドの他の位置において測定されてもよい。
図18に示されるように、ダイアタッチ層180’は、高低差Hよりも厚い厚さTを有する。したがって、T>Hである。他の実施形態において、図19に示されるように、Tはまた、3μmよりも厚い。したがって、図19において、ダイアタッチ層180’は、図18に例示された高低差Hよりも大きな厚さTを有し、これはまた3μmよりも大きい。
特定の例において、3μmダイアタッチ層180をその上に有するLEDダイ100を、4μmの高低差Hを有する2つの浮いた金属パッド220、230全体に高い工程歩留まりで接着することは難しい。LEDダイが傾斜し得る、および/またはダイアタッチが後工程中、または使用中に不良となり得る。明確にこれに対し、ダイアタッチ層180’の厚さTが、高低差Hよりも大きくなるように増大されると、高い工程歩留まりがダイアタッチ中に提供され得る。他の実験は、2つのパッド間の5μmの高低差を見つけたので、少なくとも5μmのダイアタッチ厚さが使用され得る。
図20は、セラミックまたは他の非柔軟性サブマウントへのダイアタッチに使用される従来のLEDダイを例示する。図20に示されるように、従来のダイアタッチ層180の厚さTは、3μmよりも小さい。
図21は、ダイアタッチ層180’が、アノード接点160の外面160oがカソード接点170の外面170oと比較して異なる厚さである、他の実施形態を例示する。図21の実施形態は、いくつかのリードフレームにおいて、図18に例示された高低差Hが、しばしば、部品間で一定であるという認識から生じ得る。例えば、図18に例示されたように、より小さな金属アノードパッド220は、より大きな金属カソードパッド230に対していつも上向きに湾曲し得る。この場合、アノード接点160上のダイアタッチ層180’の厚さが、カソード接点170上のダイアタッチ層180’の厚さとは異なるように製造され得る。したがって、図21に例示されるように、金属アノードパッド220が金属カソードパッド230よりも高い、図18の構成において、カソード接点170上のダイアタッチ層180’は、アノード接点160上のダイアタッチ層180’の厚さT1よりも大きい厚さT2を有し得る。換言すると、T2>T1である。さらに、いくつかの実施形態において、厚さの間の差は、高低差Hに対応、つまり、T2−T1=Hであり得る。さらに他の実施形態において、T1はまた、少なくとも3μmの厚さであり得る。
したがって、図18〜19および21の実施形態は、リードフレーム金属アノードパッド220および金属カソードパッド230のそれぞれの隣接端220a、220bの間の高低差Hを、少なくともこの高低差Hと同じ厚さであるダイアタッチ層を提供することによって、少なくとも部分的に補償することができる。ダイアタッチ層180’は、AuSn(金−スズ)、NiSn(ニッケル−スズ)、ならびに/あるいはAu、Ni、Sn、Sb、As、Ta、Co、Mn、および/若しくは3d、4d、5d、若しくはfブロック遷移金属の他の共晶または非共晶混合物の比率を含み得る。さらに、ダイアタッチ材料の厚さは、LEDダイ全体において均一である必要はない。ダイアタッチ厚さはまた、リードフレーム上の接着位置の異なる相対高さに適応するように、アノードとカソードとの間で異なってもよい。したがって、より厚い、および/または非対称的なダイアタッチ層が、提供され得る。
(b)ダイアタッチ成分
上述された種々の実施形態は、ダイアタッチ層の厚さが変更されたが、従来の二成分ダイアタッチ層を使用し得る。ここで記載されることとなる種々の実施形態は、金(Au)、ニッケル(Ni)、およびスズ(Sn)を含む三成分半田を使用する。この三成分ダイアタッチ成分は、単独で使用されてもよく、上述されたダイアタッチ厚さと共に使用されてもよく、ならびに/あるいは上述された金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップの任意の若しくは全ての構成と共に使用されてもよい。「三成分」の語はまた、ダイアタッチ層における四成分、および金属のより高次の組み合わせを含むことが理解されるであろう。共晶または非共晶の組み合わせが、提供され得る。
以下の表に例示されるように、本明細書に記載される種々の実施形態によると、Au、Ni、およびSnの種々の重量パーセント(wt%)範囲が、提供され得る。

上の表において、全ての範囲は、重量パーセント(wt%)で表現され、半田の特定成分において、全てのwt%は、合計100wt%となる必要がある(他の材料がまた含まれない限り)点に注意する。
本明細書に記載される種々の実施形態による三成分半田組成物は、リードフレームへの直接的なダイアタッチを容易化するために、少なくとも2つの所望の性質を有し得る。これらの2つの性質は、低融解温度、ならびに異なる融解温度および再融解温度に関する。
融解温度に関して、上の表において記載された三成分ダイアタッチ材料は、250℃から260℃の間の初期溶融温度を有する。明確にこれに対し、LED産業において従来使用されるAu−Sn半田は、282℃の融解点を有する。この250℃〜260℃の融解温度は、シリコーンの分解温度(例えば、350℃)よりも低い。
さらに、本明細書に記載される種々の実施形態による三成分半田組成物は、初期融解温度よりも高い再融解温度(単に「融解温度」とも呼ばれる)を有する。具体的には、三成分半田組成物は、少なくとも400℃、いくつかの実施形態において485℃まで再融解しない。明確にこれに対し、従来のAu−Sn半田は、循環後、その282℃の融解点において再度、再融解することとなる。
したがって、本明細書に記載される種々の実施形態による半田組成物は、低温における初期融解間隔を提供することができるが、凝固にあたり、基板にLED部品をアタッチするために使用される一般的な鉛フリーリフロープロセスに耐える(つまり、再融解しない)ことを可能とする非常に高温の相を形成することができる。したがって、本明細書に記載される種々の実施形態による三成分半田は、シリコーンリードフレーム等の融解し易いリードフレームにおけるダイのアタッチを可能とする、低融解温度(260℃未満)を実現することができる。さらに、この組成物は、一般的な鉛フリーリフロープロファイルに再露出されるときに再融解しないこととなり、電気的および熱的接点の完全な状態を保証することができる。したがって、ダイアタッチ材料は、完成部品を基板にアタッチされる対象となるときに、再融解しないこととなる。この時点における再融解は、接着の完全性を損ない、不良を引き起こし得る。
図22は、融解および再融解中の本明細書に記載される種々の実施形態による三成分Au Ni Sn半田組成物の性質を例示する状態図である。図22に示されるように、初期融解は、250℃から260℃の間で起こる。しかしながら、続く再融解は、400℃よりも高い温度で起こる。
上述されたダイアタッチ材料の所望の特性の認識を有しているので、当業者は、四成分および/またはこれらの特性をまた提供し得る追加の三成分半田を想到し得る。
製造
図23は、本明細書に記載される種々の実施形態による、LED部品を製造するために実施され得る処理のフローチャートである。図23を参照すると、ブロック2310においてリードフレーム構造が提供される。本明細書に記載される種々の実施形態によって使用され得るリードフレーム構造は、図24に例示される。個々のリードフレームは、金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびに金属アノードパッドおよび金属カソードパッド上で金属アノードパッドの露出部および金属カソードパッドの露出部を画定するプラスチックカップを備える。金属アノードパッド、金属カソードパッド、および/またはプラスチックカップは、上述された任意の実施形態によって構成され得る。リードフレーム構造は、複数の部品が共の製造され得るように、個々のリードフレームの配列として提供され得る。
ブロック2320において、LEDダイが提供される。上述されたように、各LEDダイは、対向する第1および第2の面、第1の面上のアノード接点およびカソード接点、ならびにLEDダイから離れたアノード接点およびカソード接点の外面上のダイアタッチ層を備える。ダイアタッチ層は、上述された任意の実施形態によって構成され得る。
ブロック2310の処理は、リードフレーム加工者によって実施可能であり、ブロック2320の処理は、LEDダイ製造者によって提供され得る。これらの製造者は、同一または異なる加工設備を使用する同一または異なる主体であり得る。一般的に、LEDダイ製造は、リードフレーム製造よりも高度技術である。
ブロック2330において、ダイアタッチが実施される。具体的には、上述されたように、LEDダイは、ダイアタッチ層が、直接的に金属アノードパッドの露出面および金属カソードパッドの露出面上にあるように、カップ内に位置する。ダイアタッチ層は、その後、ダイアタッチ層が、アノード接点の外面を金属アノードパッドの露出面に直接的に電気的に接続し、カソード接点の外面を金属カソードパッドの露出部に直接的に電気的に接続するように、融解される。封止が、ブロック2340において実施され得る。LED部品は、その後、例えば、図24の直線2410に沿ったパンチングを使用して、ブロック2350において単離される。単離されたLED部品は、その後、ブロック2360において基板上に実装される。
結び
本明細書に記載された種々の実施形態は、本明細書に記載された種々の実施形態に従って、金属アノードパッド、金属カソードパッド、プラスチックカップ、および/またはダイアタッチ層を構成することによって、LEDダイをリードフレームに直接的にダイアタッチすることができる。これらの実施形態は、低コストリードフレームを直接アタッチLEDダイに使用可能とする、種々の組み合わせおよび部分的組み合わせにおいて使用され得る。
本明細書に記載される種々の実施形態はまた、蛍光体層としても呼ばれる、蛍光体材料を備える層を含み得る。いくつかの実施形態において、蛍光体層は、いくつかの実施形態において150μmよりも小さい厚さ、他の実施形態において100μmよりも小さい厚さ、さらに他の実施形態において50μmよりも小さい厚さであり得る共形蛍光体層である。本明細書において使用される「蛍光体」の語は、任意の波長変換材料を意味し、種々の構成によって提供され得る。蛍光体層はまた、放射される光の性質、例えば、色、強度、および/または方向に影響するように配設される任意の層のような、任意の形式の単一の機能層または複数の機能層であり得る。
分注、スクリーン印刷、膜転写、吹付け、コーティング、および/または他の技術を含む種々の技術が、蛍光体層を塗布するために使用され得る。蛍光体予備成形物がまた、適用され得る。いくつかの実施形態において、蛍光体層は、シリコーンおよび/または蛍光体粒子をその中に有する他の透明材料を備え得る。蛍光体層が、LEDダイの外面と同一平面であり得ることがまたは理解されるであろう。ただし、蛍光体層の外面またはエッジ部は、これらの外面と同一平面である必要はない。具体的には、外面から窪んでもよく、またはアノード接点およびカソード接点を越えて突出してもよい。
蛍光体層は、均一蛍光体粒子密度を有する薄い共形層であってもよい。ただし、蛍光体層は、その中に非均一に散乱される蛍光体粒子を備え、またいくつかの実施形態において、蛍光体層の外側面に蛍光体のない領域を含んで提供されてもよい。さらに、蛍光体層はまた、共形層として構成されてもよい。
蛍光体層、または任意の波長変換層は、LEDダイから放射された光の一部を、この分野で公知のプロセスで異なる波長に変換する。このプロセスの一例は、LEDダイ等の発光素子からの青色放射光の一部を黄色光に変換する。イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)は、使用され得る共通蛍光体の例である。
いくつかの実施形態において、蛍光体粒子は、複数の異なる組成物および蛍光体材料の単一物または組み合わせを含む。一実施形態において、単結晶蛍光体は、イットリウムアルミニウムガーネット(化学式YAl12のYAG)を含み得る。YAGホストは、所望の放射波長を実現するために他の化合物との組み合わせであり得る。単結晶蛍光体が、青色光を吸収し、黄色光を再放射する一実施形態において、単結晶蛍光体は、YAG:Ceを備え得る。この実施形態は、青色および黄色光の組み合わせの白色光を放射する発光素子に特に適用可能である。全範囲の広域黄色スペクトル放射は、YAl12:Ce(YAG)を含む、(Gd,Y)(Al,Ga)12:Ce系に基づく蛍光体からなる変換粒子を使用して可能となる。白色放射LEDチップに使用される他の黄色蛍光体は、
Tb3−xRe12:Ce(TAG)、
RE=Y,Gd,La,Lu、および/または
Sr2−x−yBaCaSiO:Eu、を含む。
他の実施形態において、他の化合物が、異なる波長の光の吸収および再放射のためにYAGホストと共に使用され得る。例えば、YAG:Nb単結晶蛍光体が、青色光を吸収し赤色光を再放射するために提供され得る。第1および第2の蛍光体がまた、高CRIの白色(つまり、暖色性の白色)用に、赤色蛍光体と組み合わせられた上記の黄色蛍光体と組み合わせられ得る。種々の赤色蛍光体は、
SrCa1−xS:Eu,Y、Y=halide、
CaSiAlN:Eu、または
Sr2−yCaSiO:Eu、を含んで使用され得る。
他の蛍光体が、全ての光を特定色に変換することによって、飽和色放射を作成するために使用され得る。例えば、以下の蛍光体が良好な飽和光を生成するために使用可能である。
SrGa:Eu、
Sr2−yBaSiO:Eu、または
SrSi:Eu。
以下は、変換粒子として使用可能ないくつかの追加の適切な蛍光体を挙げるが、他のものも使用可能である。各々が、青色および/またはUV放射スペクトルにおける励起を示し、所望のピーク放射を提供し、効果的な光変換を有する。
黄色/緑色
(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu2+
Ba(Mg,Zn)Si Eu2+
Gd0.46Sr0.31Al1.23OxF1.38:Eu2+ 0.6
(Ba1−x−ySrCa)SiO:Eu
BaSiO=Eu2+
赤色
Lu=Eu3+
(Sr2−xLa)(Cei_xEu)O
Sr1−xEu
SrTiO:Pr3+,GA3+
CaAlSiNIEu2+
SrSi=Eu2+
いくつかの実施形態において、蛍光体材料および/または封止材料を備える層はまた、上述されたようなバインダー材料および光散乱粒子、例えば、酸化チタン粒子を含む光散乱層を備える機能層を提供し得る。他の実施形態において、層は、機能層の屈折率を変更する材料を備える。いくつかの実施形態において、機能層は、本明細書に記載された1つ以上の形式の機能層の組み合わせを備える(例えば、波長変換層、および散乱または屈折率変更層)。
いくつかの実施形態において、LEDダイは、例えば、450nm〜460nmの主波長を有する青色光を放射するように構成され、蛍光体層は、550nmのピーク波長を有するYAG:Ce蛍光体等の黄色蛍光体を備える。他の実施形態において、LEDダイは、その励起にあたり青色光を放射するように構成され、蛍光体層は、黄色蛍光体およびCASN基盤蛍光体等の赤色蛍光体の混合物を備え得る。また他の実施形態において、LEDダイは、その励起にあたり青色光を放射するように構成され、蛍光体は、黄色蛍光体、赤色蛍光体、およびLuAG:Ce蛍光体粒子等の緑色蛍光体を備え得る。さらに、これらならびに/または他の色および/若しくは形式の蛍光体の種々の組み合わせおよび部分的組み合わせが、混合物および/または分離層に使用されてもよい。さらに他の実施形態において、蛍光体層が、使用されなくてもよい。例えば、青色、緑色、こはく色、赤色等のLEDは、蛍光体を使用する必要がない。蛍光体を使用する実施形態において、より均一な放射を提供するために、均一コーティングを提供することは有益であり得る。
本明細書において「光結合材料」としても呼ばれ得る封止材料は、その中に蛍光体粒子がないシリコーンを備え、発光機器用の主レンズを提供し得る。蛍光体がない光結合材料は、レンズ、凸面、および/または他の光学部品を提供するような形状とされ、このためその側部および/または上部は、ダイオード領域に対し傾斜面であり得る。蛍光体がない光結合材料はまた、蛍光体層および/またはLEDダイの発光面を封止し得る。光結合材料は、いくつかの実施形態において少なくとも1.5mmの厚さであり、他の実施形態において少なくとも0.5mmの厚さであり、さらに他の実施形態において少なくとも0.01mmの厚さであってもよく、また他の実施形態において存在していなくてもよい。したがって、他の実施形態において、光結合材料は、蛍光体層なしで使用され得る。例えば、光結合材料は、LEDダイの第2の面上に直接的にあり得る。いくつかの実施形態において、比較的厚い透明層が、使用され得る。他の実施形態において、共形透明層が使用され得る。また他の実施形態において、透明層は、内部に非均一に散乱される蛍光体粒子を備える蛍光体層上に提供され得る。機器はさらに、シリコーンまたはガラスであり得る、追加の封止材料またはレンズをさらに含んでもよい。他の実施形態は、この追加のレンズを含まなくてもよい。
多くの異なる実施形態が、上記の説明および図面に関して、本明細書に記載された。過度に繰り返され、文字通り記載すると共に、実施形態の全ての組み合わせおよび部分的組み合わせを例示するために、曖昧となったことが理解されるであろう。したがって、図面を含む本明細書は、本明細書に記載された実施形態、その製造および使用方法ならびにプロセスの全ての組み合わせおよび部分的組み合わせの完全な説明文を構成するように解釈されるべきであり、任意のこのような組み合わせまたは部分的組み合わせに対し請求項をサポートするはずである。
図面および明細書において、本発明の実施形態が開示され、特定の語が用いられたが、それらは、包括的かつ記述的な観念においてのみ使用され、限定を目的とするものではなく、本発明の範囲は、以下の請求項に記載される。

Claims (60)

  1. 発光ダイオード(LED)部品であって、
    金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびに前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッド上のプラスチックカップを含むリードフレームであって、前記プラスチックカップが、前記プラスチックカップ内で前記金属アノードパッドの露出部、および前記金属カソードパッドの露出部を画定するリードフレームと、
    対向する第1の面および第2の面と、前記第1の面上のアノード接点およびカソード接点とを含むLEDダイであって、前記アノード接点および前記カソード接点が前記LEDダイから離れた外面を含み、前記LEDダイが、前記アノード接点の前記外面が前記金属アノードパッドの前記露出部に接近して間隔を有し、前記カソード接点の前記外面が前記金属カソードパッドの前記露出部に接近して間隔を有するように前記プラスチックカップ内に配設されるLEDダイと、
    前記アノード接点の前記外面と前記金属アノードパッドの前記露出部との間、および前記カソード接点の前記外面と前記金属カソードパッドの前記露出部との間に延び、前記アノード接点の前記外面を前記金属アノードパッドの前記露出部に直接的に電気的に接続し、前記カソード接点の前記外面を前記金属カソードパッドの前記露出部に直接的に電気的に接続するダイアタッチ層と、を備えるLED部品。
  2. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの前記露出部は、同一平面ではない、請求項1に記載のLED部品。
  3. 前記プラスチックカップは、シリコーンを含む、請求項1に記載のLED部品。
  4. 前記金属アノードパッド、前記金属カソードパッド、および/または前記プラスチックカップは、前記ダイアタッチ層による、前記アノード接点の前記外面の前記金属アノードパッドの前記露出部への直接的な電気的接続、および前記カソード接点の前記外面の前記金属カソードパッドの前記露出部への直接的な電気的接続を容易化するように構成される、請求項1に記載のLED部品。
  5. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの隣接端は、それらの間に隙間を画定し、前記プラスチックカップは、前記隙間内を延び、前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの非隣接端を越えて一定距離延び、前記距離は、前記隙間よりも大きい、請求項4に記載のLED部品。
  6. 前記距離は、前記隙間よりも少なくとも10%大きい、請求項5に記載のLED部品。
  7. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの隣接端は、異なる幅を有する、請求項4に記載のLED部品。
  8. 前記プラスチックカップは、前記金属アノードパッドおよび/または前記金属カソードパッドの対向面において延びる、請求項4に記載のLED部品。
  9. 前記リードフレームは、前記プラスチックカップの外側で前記金属アノードパッドを前記金属カソードパッドに機械的に接続する金属リンクをさらに備える、請求項4に記載のLED部品。
  10. 前記金属リンクは、前記金属アノードパッドおよび/または前記金属カソードパッドから切断されるように構成される、請求項9に記載のLED部品。
  11. 前記金属リンクは、低融点合金を含む、請求項9に記載のLED部品。
  12. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの隣接端は、湾曲接面を含む、請求項4に記載のLED部品。
  13. 前記湾曲接面は、それらの間に斜角および/または直角を形成する複数の線分を含む、請求項12に記載のLED部品。
  14. 前記LEDダイは、前記アノード接点の前記外面が、前記線分のうちの第1の線分に隣接する前記金属アノードパッドに接近して間隔を有し、前記カソード接点の前記外面が、前記線分のうちの前記第1の線分に隣接する前記金属カソードパッドに接近して間隔を有するように、前記プラスチックカップ内に配設される第1のLEDダイであり、
    本LED部品は、同様に対向する第1の面および第2の面と、前記第1の面上のアノード接点およびカソード接点とを含む第2のLEDダイをさらに備え、前記アノード接点および前記カソード接点が前記第2のLEDダイから離れた外面を含み、前記第2のLEDダイが、前記アノード接点の前記外面が、前記線分のうちの第2の線分に隣接する前記金属アノードパッドに接近して間隔を有し、前記カソード接点の前記外面が、前記線分のうちの前記第2の線分に隣接する前記金属カソードパッドに接近して間隔を有するように前記プラスチックカップ内に配設される、請求項13に記載のLED部品。
  15. 前記金属アノードパッドは、前記金属カソードパッドに向かって延びる金属フィンガーを含み、前記金属カソードパッドは、前記金属アノードパッドに向かって延びる金属フィンガーを含む、請求項4に記載のLED部品。
  16. 前記金属アノードパッドまたは前記金属カソードパッドのうちの一方は、3つのエッジを含み、前記金属カソードパッドまたは前記金属アノードパッドのうちのもう一方は、前記3つのエッジに隣接して延びる、請求項4に記載のLED部品。
  17. 前記金属アノードパッドまたは前記金属カソードパッドのうちの一方は、4つのエッジを含み、前記金属カソードパッドまたは前記金属アノードパッドのうちのもう一方は、前記4つのエッジに隣接して延びる、請求項4に記載のLED部品。
  18. 前記ダイアタッチ層は、前記ダイアタッチ層による、前記アノード接点の前記外面の前記金属アノードパッドの前記露出部への直接的な電気的接続、および前記カソード接点の前記外面の前記金属カソードパッドの前記露出部への直接的な電気的接続を容易化するように構成される、請求項1に記載のLED部品。
  19. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの前記露出部は、高低差によって同一平面ではなく、
    前記ダイアタッチ層は、前記高低差よりも厚い、
    請求項18に記載のLED部品。
  20. 前記ダイアタッチ層はまた、3μmよりも厚い、請求項19に記載のLED部品。
  21. 前記ダイアタッチ層は、前記金属アノードパッドの前記露出部に接近して間隔を有する前記アノード接点の前記外面との間の厚さが、前記金属カソードパッドの前記露出部に接近して間隔を有する前記カソード接点の前記外面との間に比べて異なる、請求項18に記載のLED部品。
  22. 前記ダイアタッチ層は、金(Au)、ニッケル(Ni)、およびスズ(Sn)を含む半田を備える、請求項18に記載のLED部品。
  23. 0<Au重量%≦10、10≦Ni重量%≦60、および40≦Sn重量%≦90である、請求項22に記載のLED部品。
  24. 0.8≦Au重量%≦4.5、19≦Ni重量%≦41、および55≦Sn重量%≦80である、請求項23に記載のLED部品。
  25. 前記プラスチックカップは、シリコーンを含み、前記ダイアタッチ層は、前記シリコーンの分解温度よりも低い融解温度を有する、請求項18に記載のLED部品。
  26. 前記ダイアタッチ層は、260℃より低い融解温度を有する、請求項18に記載のLED部品。
  27. 前記ダイアタッチ層は、融解温度を有し、前記融解温度よりも高い再融解温度を有する、請求項18に記載のLED部品。
  28. 前記融解温度は、260℃よりも低く、前記再融解温度は、260℃よりも高い、請求項27に記載のLED部品。
  29. 発光ダイオード(LED)部品であって、
    リードフレームと、
    ワイヤボンディングなしで前記リードフレームに電気的に接続されるLEDダイと、を備えるLED部品。
  30. 前記リードフレームは、プラスチックカップを備え、前記LEDダイは、前記プラスチックカップ内にあり、前記プラスチックカップ内で前記リードフレームに電気的に接続される、請求項29に記載のLED部品。
  31. 前記LEDダイは、前記リードフレームに半田付けされる、請求項30に記載のLED部品。
  32. 前記リードフレームは、金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびに前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッド上のプラスチックカップを備え、
    前記金属アノードパッド、前記金属カソードパッド、および/または前記プラスチックカップは、ダイアタッチ層によって、前記LEDダイの前記リードフレームへの直接的な電気的接続を容易化するように構成される、請求項29に記載のLED部品。
  33. 前記LEDダイは、その上にダイアタッチ層を含み、前記ダイアタッチ層は、前記ダイアタッチ層による前記LEDダイの前記リードフレームへの直接的な電気的接続を容易化するように構成される、請求項29に記載のLED部品。
  34. リードフレームであって、
    金属アノードパッドおよび金属カソードパッドと、
    前記金属アノードパッドおよび金属カソードパッド上のプラスチックカップであって、前記プラスチックカップ内で前記金属アノードパッドの露出部、および前記金属カソードパッドの露出部を画定するプラスチックカップと、を備え、
    前記金属アノードパッド、前記金属カソードパッド、および/または前記プラスチックカップは、発光ダイオード(LED)ダイのそれぞれアノードおよびカソード接点のそれぞれ前記金属アノードパッドの前記露出部および前記金属カソードパッドの前記露出部への直接的な半田接続を容易化するように構成されるリードフレーム。
  35. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの前記露出部は、同一平面ではない、請求項34に記載のリードフレーム。
  36. 前記プラスチックカップは、シリコーンを含む、請求項34に記載のリードフレーム。
  37. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの隣接端は、それらの間に隙間を画定し、前記プラスチックカップは、前記隙間内を延び、前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの非隣接端を越えて一定距離延び、前記距離は、前記隙間よりも大きい、請求項34に記載のリードフレーム。
  38. 前記距離は、前記隙間よりも少なくとも10%大きい、請求項37に記載のリードフレーム。
  39. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの隣接端は、異なる幅を有する、請求項34に記載のリードフレーム。
  40. 前記プラスチックカップは、前記金属アノードパッドおよび/または前記金属カソードパッドの対向面において延びる、請求項34に記載のリードフレーム。
  41. 前記リードフレームは、前記プラスチックカップの外側で前記金属アノードパッドを前記金属カソードパットに機械的に接続する金属リンクをさらに備える、請求項34に記載のリードフレーム。
  42. 前記金属リンクは、前記金属アノードパッドおよび/または前記金属カソードパッドから切断されるように構成される、請求項41に記載のリードフレーム。
  43. 前記金属リンクは、低融点合金を含む、請求項41に記載のリードフレーム。
  44. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの隣接端は、湾曲接面を含む、請求項34に記載のリードフレーム。
  45. 前記湾曲接面は、それらの間に斜角および/または直角を形成する複数の線分を含む、請求項44に記載のリードフレーム。
  46. 前記金属アノードパッドは、前記金属カソードパッドに向かって延びる金属フィンガーを含み、前記金属カソードパッドは、前記金属アノードパッドに向かって延びる金属フィンガーを含む、請求項34に記載のリードフレーム。
  47. 前記金属アノードパッドまたは前記金属カソードパッドのうちの一方は、3つのエッジを含み、前記金属カソードパッドまたは前記金属アノードパッドのうちのもう一方は、前記3つのエッジに隣接して延びる、請求項34に記載のリードフレーム。
  48. 前記金属アノードパッドまたは前記金属カソードパッドのうちの一方は、4つのエッジを含み、前記金属カソードパッドまたは前記金属アノードパッドのうちのもう一方は、前記4つのエッジに隣接して延びる、請求項34に記載のリードフレーム。
  49. 発光ダイオード(LED)であって、
    対向する第1の面および第2の面と、前記第1の面上のアノード接点およびカソード接点とを含むLEDダイであって、前記アノード接点および前記カソード接点が前記LEDダイから離れた外面を含むLEDダイと、
    前記アノード接点および前記カソード接点の前記外面上のダイアタッチ層であって、リードフレームの金属アノードパッドおよび金属カソードパッドへの前記ダイアタッチ層の直接アタッチを容易化するように構成されるダイアタッチ層と、を備えるLED。
  50. 前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッドの露出部は、高低差によって同一平面ではなく、
    前記ダイアタッチ層は、前記高低差よりも厚い、
    請求項49に記載のLED。
  51. 前記ダイアタッチ層はまた、3μmよりも厚い、請求項50に記載のLED。
  52. 前記ダイアタッチ層は、前記アノード接点の前記外面における厚さが、前記カソード接点の前記外面における厚さに比べて異なる、請求項49に記載のLED。
  53. 前記ダイアタッチ層は、金(Au)、ニッケル(Ni)、およびスズ(Sn)を含む半田を備える、請求項49に記載のLED。
  54. 0<Au重量%≦10、10≦Ni重量%≦60、および40≦Sn重量%≦90である、請求項53に記載のLED。
  55. 0.8≦Au重量%≦4.5、19≦Ni重量%≦41、および55≦Sn重量%≦80である、請求項54に記載のLED。
  56. 前記リードフレームは、シリコーンを含み、前記ダイアタッチ層は、前記シリコーンの分解温度よりも低い融解温度を有する、請求項49に記載のLED。
  57. 前記ダイアタッチ層は、260℃より低い融解温度を有する、請求項49に記載のLED。
  58. 前記ダイアタッチ層は、融解温度を有し、前記融解温度よりも高い再融解温度を有する、請求項49に記載のLED。
  59. 前記融解温度は、260℃よりも低く、前記再融解温度は、260℃よりも高い、請求項58に記載のLED部品。
  60. LED部品を製造する方法であって、
    金属アノードパッド、金属カソードパッド、ならびに前記金属アノードパッドおよび前記金属カソードパッド上のプラスチックカップを含むリードフレームであって、前記プラスチックカップが、前記プラスチックカップ内で前記金属アノードパッドの露出部、および前記金属カソードパッドの露出部を画定するリードフレームを提供することと、
    対向する第1の面および第2の面、前記第1の面上のアノード接点およびカソード接点を含むLEDダイ、ならびに前記LEDダイから離れた前記アノード接点および前記カソード接点の外面上のダイアタッチ層を提供することと、
    前記ダイアタッチ層が直接的に前記金属アノードパッドの前記露出部および前記金属カソードパッドの前記露出部上にあるように、前記カップ内に前記LEDダイを配置することと、
    前記ダイアタッチ層が、前記アノード接点の前記外面を前記金属アノードパッドの前記露出部に直接的に電気的に接続し、前記カソード接点の前記外面を前記金属カソードパッドの前記露出部に直接的に電気的に接続するように前記ダイアタッチ層を融解することと、を含む方法。
JP2017527296A 2014-11-21 2015-11-18 リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品 Active JP6462130B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/550,186 US9601673B2 (en) 2014-11-21 2014-11-21 Light emitting diode (LED) components including LED dies that are directly attached to lead frames
US14/550,186 2014-11-21
PCT/IB2015/058941 WO2016079698A1 (en) 2014-11-21 2015-11-18 Light emitting diode (led) components including led dies that are directly attached to lead frames

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017536700A true JP2017536700A (ja) 2017-12-07
JP6462130B2 JP6462130B2 (ja) 2019-01-30

Family

ID=56011053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017527296A Active JP6462130B2 (ja) 2014-11-21 2015-11-18 リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9601673B2 (ja)
EP (1) EP3221902B1 (ja)
JP (1) JP6462130B2 (ja)
CN (1) CN107112384B (ja)
TW (1) TWI568015B (ja)
WO (1) WO2016079698A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019161108A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光素子、及び、発光素子の製造方法
JP2019192778A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2020092156A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置
JP2022181403A (ja) * 2021-05-26 2022-12-08 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3091585A4 (en) * 2013-12-27 2017-07-26 Citizen Electronics Co., Ltd Light-emitting device and method for designing light emitting device
DE102014112883A1 (de) * 2014-09-08 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102015112967A1 (de) * 2015-08-06 2017-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP6572757B2 (ja) * 2015-11-30 2019-09-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI629807B (zh) * 2016-10-18 2018-07-11 隆達電子股份有限公司 出光增強裝置及具有出光增強裝置之發光模組與發光元件
DE102017104871A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US10256218B2 (en) * 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) * 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11296262B2 (en) 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
CN110534628B (zh) * 2018-05-24 2021-03-09 光宝光电(常州)有限公司 发光装置及其制造方法
KR20190140352A (ko) * 2018-06-11 2019-12-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US11189766B2 (en) 2019-01-16 2021-11-30 Creeled, Inc. Light emitting diode packages
CN112453613B (zh) * 2020-11-24 2022-01-28 江苏宝浦莱半导体有限公司 一种二极管生产用焊接工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645646A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Nisshin Steel Co Ltd p−nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
JP2014038989A (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 Toshiba Corp 半導体発光装置および照明装置
US20140319564A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode package and method for manucfacturing same

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1196203C (zh) * 1999-07-29 2005-04-06 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
DE10117890B4 (de) 2001-04-10 2007-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement
DE10221857A1 (de) 2002-05-16 2003-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070236849A1 (en) 2006-04-06 2007-10-11 Littelfuse, Inc. Leadless integrated circuit protection device
TWM303493U (en) 2006-07-21 2006-12-21 Lighthouse Technology Co Ltd Support rack structure and metal support rack of side light source SMD LED
US20080114322A1 (en) 2006-11-10 2008-05-15 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Body panel for an adjustable pant-like disposable undergarment and the undergarment itself
US20080144322A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Aizar Abdul Karim Norfidathul LED Light Source Having Flexible Reflectors
US7939939B1 (en) 2007-06-11 2011-05-10 Texas Instruments Incorporated Stable gold bump solder connections
CN101828275A (zh) * 2007-10-19 2010-09-08 日本钨合金株式会社 Led封装基板以及使用该led封装基板的led封装
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US9660153B2 (en) * 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9437785B2 (en) 2009-08-10 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach
KR101114197B1 (ko) 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN103190204B (zh) 2010-11-03 2016-11-16 3M创新有限公司 具有无引线接合管芯的柔性led器件
DE102010054591B4 (de) 2010-12-15 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9831220B2 (en) * 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
KR20120100299A (ko) 2011-03-03 2012-09-12 삼성전자주식회사 제어된 금 함량비를 가지는 연결 부재를 포함하는 반도체 패키지
CN103000773A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 复盛精密工业股份有限公司 发光二极管的支架结构及其制作方法
WO2013109774A1 (en) 2012-01-20 2013-07-25 Cree, Inc. Light emitting diode (led) arrays including direct die attach and related assemblies
WO2013116086A1 (en) 2012-01-30 2013-08-08 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
ES2590857T3 (es) 2012-03-30 2016-11-23 Koninklijke Philips N.V. Arquitectura de bastidor de conductores estirado con lente de dispersión sobremoldeada
KR20130124856A (ko) 2012-05-07 2013-11-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
US9231178B2 (en) * 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US9337405B2 (en) * 2012-08-31 2016-05-10 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
KR102031967B1 (ko) 2013-05-07 2019-10-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101767078B1 (ko) * 2013-07-29 2017-08-10 에피스타 코포레이션 반도체 소자를 선택적으로 전이하는 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645646A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Nisshin Steel Co Ltd p−nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
JP2014038989A (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 Toshiba Corp 半導体発光装置および照明装置
US20140319564A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode package and method for manucfacturing same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019161108A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光素子、及び、発光素子の製造方法
US10727385B2 (en) 2018-03-15 2020-07-28 Nichia Corporation Light emitting device, light emitting element and method for manufacturing the light emitting element
JP2019192778A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP7037053B2 (ja) 2018-04-25 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2020092156A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置
WO2020116454A1 (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置
JP2022181403A (ja) * 2021-05-26 2022-12-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7389363B2 (ja) 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160149104A1 (en) 2016-05-26
EP3221902A4 (en) 2018-04-11
WO2016079698A1 (en) 2016-05-26
US10950769B2 (en) 2021-03-16
JP6462130B2 (ja) 2019-01-30
CN107112384B (zh) 2020-01-03
EP3221902A1 (en) 2017-09-27
TW201630211A (zh) 2016-08-16
CN107112384A (zh) 2017-08-29
US20170155026A1 (en) 2017-06-01
EP3221902B1 (en) 2020-04-01
US9601673B2 (en) 2017-03-21
TWI568015B (zh) 2017-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6462130B2 (ja) リードフレームに直接的にアタッチされるledダイを含む発光ダイオード(led)部品
US9660161B2 (en) Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame
US9673363B2 (en) Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US8614109B2 (en) Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same
TWI453959B (zh) 發光裝置
US9214607B1 (en) Wire bonded light emitting diode (LED) components including reflective layer
WO2012100060A2 (en) Light emitting diode (led) devices, systems, and methods
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2007329249A (ja) 表面実装型発光装置及びその製造方法
US20130062644A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2019021919A (ja) 発光素子パッケージ
KR20190025333A (ko) 발광소자 패키지
TW200908387A (en) Optical device
US10862015B2 (en) Semiconductor light emitting device package
US20150348948A1 (en) Multiple die light emitting diode (led) components and methods of fabricating same
US9954144B2 (en) Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
TW202123507A (zh) Led發光裝置及其製造方法
KR102501888B1 (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
KR101896683B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102509064B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
JP2004179430A (ja) 半導体装置およびその製造方法
TWM606127U (zh) 發光二極體封裝結構
KR20190021989A (ko) 발광소자 패키지
KR20190010352A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20190025330A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170718

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170718

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6462130

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250