JP2014175388A - 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保護部材付きリードフレームの多面付け体は、LED素子2が接続されるリードフレーム10が枠体Fに多面付けされたリードフレームの多面付け体MSと、枠体FのLED素子2が接続される側とは反対側の面の少なくとも一部に貼付されるテープTとを備える。
【選択図】図6
Description
このような半導体装置は、枠体に多面付けされたリードフレーム(リードフレームの多面付け体)に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、使用されるリードフレームの多面付け体は、銅などの導電性のある金属材料から形成され、また、その表面及び裏面にはめっき層が形成されている。リードフレームの多面付け体や樹脂つきリードフレームの多面付け体は、半導体装置の製造工程において、搬送装置の治具により搬送されたり、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納されたりする場合があり、枠体の裏面や外周側面に表出する金属面と、治具や収納ケースのレールとが摩擦接触し、金属粉が発生してしまう場合があった。
この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、半導体素子を適正に作動させることができない等の不具合を有する半導体装置が製造されてしまう要因となっていた。
第2の発明は、第1の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)は、多面付けされた前記リードフレーム(10)の前記半導体素子(2)が接続される側とは反対側の面の全面に貼付されていること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第3の発明は、第1の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記枠体(F)は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔(H)を備え、前記保護部材(T)は、前記枠体の前記貫通孔を避けるようにして貼付されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第4の発明は、第1の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記枠体(F)は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔(H)を備え、前記保護部材(T)は、前記枠体の前記貫通孔を避ける切り欠き部(T2)を有すること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第5の発明は、第1の発明から第4の発明までのいずれかの保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)は、前記枠体(F)の外周縁からはみ出した状態で貼付されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第6の発明は、第5の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)は、前記枠体(F)の外形よりも大きい形状に形成されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第7の発明は、第5の発明又は第6の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)が、前記枠体の外周側面に折り返して貼付されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第9の発明は、第8の発明の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体において、前記樹脂層(20)は、前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部(20b)を有すること、を特徴とする保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)は、光半導体装置1の平面図を示し、図1(b)は、光半導体装置1の側面図を示し、図1(c)は、光半導体装置1の裏面図を示す。図1(d)は、図1(a)のd−d断面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。
図2(a)及び図2(b)は、リードフレームの多面付け体MSの平面図及び裏面図を示す。
図3は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。
図3(a)、図3(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図4(a)、図4(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図4(c)、図4(d)は、それぞれ図4(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
各図において、光半導体装置1、リードフレームの多面付け体MS、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2(a)参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図4参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
枠体Fは、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。
また、リードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームが多面付けされた樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが形成される。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図3に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅板)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図5(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
凹部Mは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部11、12の厚みの1/3〜2/3程度に形成されている。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、端子部11、12が対向する辺を除いた辺に形成されている。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
具体的には、連結部13dは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。また、枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13dは、端子部12の上側の辺又は端子部11の下側の辺と、枠体Fとを接続している。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図4(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
フレーム樹脂部20aは、リードフレーム10の外周側面(端子部11、12の外周側面及び端子部間の空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた凹部Mや、連結部13の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部20bは、リードフレーム10の表面側(リードフレーム10のLED素子2が接続される側)に突出するように形成され、リードフレーム10に接続されるLED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部20bは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部20bは、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
図5は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図5(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図5(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図5(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図5(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図5(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
なお、図5においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
次に、図5(b)に示すように、レジストパターン40a、40bを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
エッチング処理により金属基板100には、図5(c)に示すように、凹部Mが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
そして、図5(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2及び図3に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2及び図3において、めっき層Cは省略されている。
図6は、第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体を示す図である。図6(a)は、テープ付きリードフレームの多面付け体の構成を説明する斜視図である。図6(b)及び図6(c)は、テープ付きリードフレームの多面付け体の平面図及び裏面図を示す。
図7は、第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の詳細を示す図である。図7(a)は、テープ付きリードフレームの多面付け体の表面の詳細図を示し、図7(b)は、図7(a)のb−b断面図を示し、図7(c)は、図7(b)のc部詳細図を示す。
図9は、第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体を収納する収納ケース50を示す概略図である。
テープTは、リードフレームの多面付け体MS(枠体F)の外形よりも大きい形状に形成された矩形状の粘着テープである。ここで、外形よりも大きい形状とは、テープTの外形寸法が、枠体Fの外形の長辺及び短辺の寸法よりも大きい形状をいい、テープTの外形が、枠体Fの長辺及び短辺の両方の寸法よりも大きい場合だけでなく、長辺又は短辺のいずれか一方が大きく、他方が枠体Fと同等に形成される場合も含まれる。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体Fの長辺の外周縁からはみ出したテープTが、枠体Fの外周側面とレール51の側面との摩擦接触を防ぎ、枠体Fの外周側面を要因とした金属粉の発生も防ぐことができる。同様に、テープ付きリードフレームの多面付け体は、搬送治具等に配置された場合においても、枠体Fの裏面や外周側面から金属粉を発生してしまうのを防止することができる。
以上より、テープ付きリードフレームの多面付け体及びテープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体は、上述したような不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを回避することができる。
なお、テープTの枠体Fの外周縁からはみ出した部分は、枠体Fの外周側面や、表面側に折り返すようにしてもよい。リードフレームの多面付け体MSの幅に対して、収納ケース50の収納幅に余裕がない場合においても、枠体Fの外周側面とレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防止することができる。
ここで、テープTは、リードフレームの多面付け体MSの裏面に貼付された場合、その粘着材T1が、図7(c)に示すように、端子部の外周部や、空隙部S、凹部M、連結部13の裏面等の外部端子面11b、12bから窪んだ部分から盛り上がるようにして貼付される。そのため、光反射樹脂層20を形成する樹脂がテープ付きリードフレームの多面付け体に充填された場合に、各端子部の外周側面や空隙部S等に形成された光反射樹脂層20は、図8(c)に示すように、その裏面が外部端子面11b、12bよりも若干凹んだ状態で形成される。
これにより、製造された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、光反射樹脂層20(フレーム樹脂部20a)の裏面よりも外部端子面11b、12bが若干盛り上がるので、外部端子面への半田の溶着が容易となり、光半導体装置1の外部機器への接続を容易にすることができる。
図10は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図10(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図10(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図10(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図10(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図10においては、1台の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100から複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図10(a)〜(d)は、それぞれ図5(a)の断面図に基づくものである。
図11は、第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図4(a)、図4(b)参照)。
以上により、図8に示すテープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体(保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体)が形成される。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図11に示すように、テープTが貼付されたテープ付き光半導体装置の多面付け体(保護部材付き半導体装置の多面付け体)が製造される。
最後に、テープ付き光半導体装置の多面付け体からテープTを剥がし、図10(d)に示すように、光半導体装置1の外形(図11中の破線)に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
また、テープTは、光反射樹脂層20の成形工程(図10(a)参照)の後、剥離してもよい。この場合、リフレクタ樹脂部20bの成形工程において、金属粉がリフレクタ樹脂部20b内に入り込み、端子部間が短絡しやすい状態になるのを防ぐことができることに加え、後のLED素子2の接続工程等における熱によるテープTからのアウトガスを防ぐことができるため、容易に接着や、剥離が可能なシリコーン、アクリル、エポキシなどの接着剤を使用したテープTを採用することができる。
図12は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図12(a)は、金型の構成を説明する図であり、図12(b)〜図12(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図13は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図13(a)〜図13(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図12及び図13において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
トランスファ成形は、図12(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図12(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112の設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図12(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図12(d)及び図12(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
インジェクション成形は、図13(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図13(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと樹脂が充填される。
(1)テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体FのLED素子2が接続される側とは反対側の面の全面にテープTが貼付されているので、枠体Fの裏面の金属面と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、テープ付きリードフレームの多面付け体は、金属粉が端子部11、12間を短絡させ、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを回避することができる。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレームの多面付け体MSの裏面全面にテープTが貼付されているので、各端子部の外周側面や、空隙部S、凹部M等を封止することができる。これにより、テープTは、光反射樹脂層20の成形工程において、リードフレームの多面付け体MSに流し込まれた樹脂が、リードフレームの多面付け体MSの裏面側に漏れ出てしまうのを防ぐことができ、光反射樹脂層20を適正に形成することができる。
(3)テープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その裏面の全面にテープTが貼付されているので、複数枚、直接積層した場合においても、樹脂付きリードフレームの製品となる部分(図4(a)の破線部内)を汚損したり、傷つけたりしてしまうのを防止することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図14は、第2実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。図14(a)、図14(b)は、それぞれテープ付きリードフレームの多面付け体の平面図、裏面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
枠体Fは、図14に示すように、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その長辺上に、表面及び裏面に貫通する貫通孔Hが形成されている。
貫通孔Hは、リードフレームの多面付け体MSや樹脂付きリードフレームの多面付け体R等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される円形状の孔である。本実施形態では、貫通孔Hは、枠体Fの長辺のうち上辺及び下辺のそれぞれに4つずつ設けられる。なお、貫通孔Hは、円形状に限定されるものでなく、長円状や、矩形状に形成されるようにしてもよい。
各テープTは、その長さが、枠体Fの隣り合う貫通孔Hの間隔よりも短く形成され、また、その幅が、枠体Fの長辺の幅と同等若しくは若干太くなるように長方形状に形成され、枠体Fの長辺側の外周縁からはみ出した状態で貼付されている。ここで、はみ出した状態とは、テープTの少なくとも一部が、枠体Fの外周縁よりも外側に突出するようにして貼付されることをいう。本実施形態では、テープTは、図14(b)に示すように、その長辺側の一端が、枠体Fの長辺側の外周縁から突出するように貼付されている。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、テープTが、枠体Fの長辺側の外周縁からはみ出した状態で貼付されるので、枠体Fの長辺側の外周側面と、収納ケースのレールや治具等の側面との摩擦接触を防ぐことができ、枠体Fの外周側面からの金属粉の発生も防ぐことができる。
また、テープTが、枠体Fの長辺上にのみ貼付されているので、リードフレームの多面付け体MSに対するテープTの使用量を、第1実施形態の場合よりも削減することができ、光半導体装置1の製造コストを削減することができる。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図15は、第3実施形態の半導体装置301の全体構成を示す図である。図15(a)は、半導体装置301の平面図を示し、図15(b)は、半導体装置301の側面図を示し、図15(c)は、半導体装置301の裏面図を示す。図15(d)は、図15(a)のd−d断面図を示す。
図16は、第3実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。図16(a)、図16(b)は、それぞれテープ付きリードフレームの多面付け体の平面図、裏面図を示す。
半導体装置301は、図15に示すように、リードフレーム10、ダイオード302、樹脂層320を備える。半導体装置301は、多面付けされたリードフレーム10にダイオード302を電気的に接続し、樹脂層320を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される。
ダイオード302は、整流(電流を一定方向にしか流さない)作用を有する半導体素子であり、n型半導体とp型半導体とが接合されることによって構成される。
樹脂層320は、リードフレーム10の各端子部11、12間を絶縁したり、ダイオード302を外部から絶縁したりする樹脂の層であり、例えば、シリカ、アルミナなどのフィラーを高充填させたエポキシ樹脂等から形成される。
貫通孔Hは、リードフレームの多面付け体MSや樹脂付きリードフレームの多面付け体R等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される円形状の孔である。本実施形態では、貫通孔Hは、枠体Fの長辺のうち上辺及び下辺のそれぞれに4つずつ設けられる。なお、貫通孔Hは、円形状に限定されるものでなく、長円状や、矩形状に形成されるようにしてもよい。
テープTは、その外形が、枠体Fの外形と同等であり、各貫通孔Hに対応する部分、すなわち貫通孔Hを避けるようにして切り欠き部T2が形成されている。ここで、貫通孔Hを避けるようにとは、枠体Fの貫通孔Hのみを避けるようにする場合だけでなく、貫通孔Hとその周囲を避けるようにする場合も含まれるものをいう。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、多面付けされたリードフレームの裏面全面にテープTが貼付されているので、各端子部の外周側面や、空隙部S、凹部M等を封止することができる。これにより、テープTは、樹脂層320の成形工程において、リードフレームの多面付け体MSに流し込まれた樹脂が、リードフレームの多面付け体MSの裏面側に漏れ出てしまうのを防ぐことができ、樹脂層320を適正に形成することができる。
(1)第1実施形態及び第2実施形態においては、テープ付きリードフレームの多面付け体は、半導体装置としてLED素子2を実装した光半導体装置1に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、第3実施形態のように、ダイオードや、トランジスタを実装する半導体装置に適用することも可能である。この場合、この半導体装置は、半導体素子を覆う樹脂層を透明にする必要がないため、光反射樹脂層20と透明樹脂層30とを備える必要がなく、両樹脂層を一の樹脂層として形成することができる。
なお、枠体Fの短辺に平行な方向である場合、テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体Fの短辺側の外周縁からはみ出すようにテープTを貼付することで、枠体Fの外周側面を起因とした金属粉の発生を防止することができる。
また、枠体Fの短辺に平行な方向と長辺に平行な方向との両方である場合は、枠体Fの短辺側及び長辺側の両方の外周縁からはみ出すようにテープTを貼付することで、枠体Fの外周側面を起因とした金属粉の発生を防止することができる。
(5)第1実施形態及び第2実施形態において、テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレーム10の表面にリフレクタ樹脂部20bが形成された、いわゆるカップ型の光半導体装置に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレームの表面にリフレクタ樹脂部が形成されない、いわゆるフラット型の光半導体装置に適用することも可能である。
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a フレーム樹脂部
20b リフレクタ樹脂部
30 透明樹脂層
50 収納ケース
51 レール
301 半導体装置
302 ダイオード
320 樹脂層
F 枠体
G 集合体
M 凹部
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部
T テープ
T1 粘着剤
T2 切り欠き部
Claims (11)
- 半導体素子が接続されるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
前記枠体の前記半導体素子が接続される側とは反対側の面の少なくとも一部に貼付される保護部材と、
を備える保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項1に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
前記保護部材は、多面付けされた前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側とは反対側の面の全面に貼付されていること、
を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項1に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔を備え、
前記保護部材は、前記枠体の前記貫通孔を避けるようにして貼付されること、
を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項1に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔を備え、
前記保護部材は、前記枠体の前記貫通孔を避ける切り欠き部を有すること、
を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
前記保護部材は、前記枠体の外周縁からはみ出した状態で貼付されること、
を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項5に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
前記保護部材は、前記枠体の外形よりも大きい形状に形成されること、
を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項5又は請求項6に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
前記保護部材が、前記枠体の外周側面に折り返して貼付されること、
を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの外周側面に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層と、
を備える保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項8に記載の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
を特徴とする保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項8又は請求項9に記載の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームに接続される半導体素子と、
前記保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う透明樹脂層と、
を備える保護部材付き半導体装置の多面付け体。 - 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの多面付け体の前記各リードフレームに接続される半導体素子と、
前記リードフレームの外周側面に形成され、また、前記リードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う樹脂層と、
を備える保護部材付き半導体装置の多面付け体。
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