JP2014175388A - 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体 - Google Patents

保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体 Download PDF

Info

Publication number
JP2014175388A
JP2014175388A JP2013045166A JP2013045166A JP2014175388A JP 2014175388 A JP2014175388 A JP 2014175388A JP 2013045166 A JP2013045166 A JP 2013045166A JP 2013045166 A JP2013045166 A JP 2013045166A JP 2014175388 A JP2014175388 A JP 2014175388A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
protective member
frame
resin
tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013045166A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Shinozaki
和広 篠崎
Akira Sakamoto
章 坂本
Kazunori Oda
小田  和範
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2013045166A priority Critical patent/JP2014175388A/ja
Publication of JP2014175388A publication Critical patent/JP2014175388A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

【課題】枠体の裏面や外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体を提供する。
【解決手段】保護部材付きリードフレームの多面付け体は、LED素子2が接続されるリードフレーム10が枠体Fに多面付けされたリードフレームの多面付け体MSと、枠体FのLED素子2が接続される側とは反対側の面の少なくとも一部に貼付されるテープTとを備える。
【選択図】図6

Description

本発明は、半導体素子を実装する半導体装置用の保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、LED素子等の半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた2つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた(例えば、特許文献1)。
このような半導体装置は、枠体に多面付けされたリードフレーム(リードフレームの多面付け体)に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、使用されるリードフレームの多面付け体は、銅などの導電性のある金属材料から形成され、また、その表面及び裏面にはめっき層が形成されている。リードフレームの多面付け体や樹脂つきリードフレームの多面付け体は、半導体装置の製造工程において、搬送装置の治具により搬送されたり、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納されたりする場合があり、枠体の裏面や外周側面に表出する金属面と、治具や収納ケースのレールとが摩擦接触し、金属粉が発生してしまう場合があった。
この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、半導体素子を適正に作動させることができない等の不具合を有する半導体装置が製造されてしまう要因となっていた。
特開2011−151069号公報
本発明の課題は、枠体の裏面や外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第1の発明は、半導体素子(2)が接続されるリードフレーム(10)が枠体(F)に多面付けされたリードフレームの多面付け体(MS)と、前記枠体の前記半導体素子が接続される側とは反対側の面の少なくとも一部に貼付される保護部材(T)と、を備える保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第2の発明は、第1の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)は、多面付けされた前記リードフレーム(10)の前記半導体素子(2)が接続される側とは反対側の面の全面に貼付されていること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第3の発明は、第1の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記枠体(F)は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔(H)を備え、前記保護部材(T)は、前記枠体の前記貫通孔を避けるようにして貼付されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第4の発明は、第1の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記枠体(F)は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔(H)を備え、前記保護部材(T)は、前記枠体の前記貫通孔を避ける切り欠き部(T2)を有すること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第5の発明は、第1の発明から第4の発明までのいずれかの保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)は、前記枠体(F)の外周縁からはみ出した状態で貼付されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第6の発明は、第5の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)は、前記枠体(F)の外形よりも大きい形状に形成されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第7の発明は、第5の発明又は第6の発明の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、前記保護部材(T)が、前記枠体の外周側面に折り返して貼付されること、を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体である。
第8の発明は、第1の発明から第7の発明までのいずれかの保護部材付きリードフレームの多面付け体と、前記リードフレーム(10)の外周側面に形成されるフレーム樹脂部(20a)を有する樹脂層(20)と、を備える保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第9の発明は、第8の発明の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体において、前記樹脂層(20)は、前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部(20b)を有すること、を特徴とする保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第10の発明は、第8の発明又は第9の発明の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体と、前記保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)の前記各リードフレーム(10)に接続される半導体素子(2)と、前記保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う透明樹脂層(30)と、を備える保護部材付き半導体装置の多面付け体である。
第11の発明は、第1の発明から第7の発明までのいずれかの保護部材付きリードフレームの多面付け体と、前記リードフレームの多面付け体(MS)の前記各リードフレーム(10)に接続される半導体素子(301)と、前記リードフレームの外周側面に形成され、また、前記リードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子(302)を覆う樹脂層(320)と、を備える保護部材付き半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体は、枠体の裏面や外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。
第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。 第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。 第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。 第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。 第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。 第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の詳細を示す図である。 第1実施形態のテープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の詳細を示す図である。 第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体を収納する収納ケースを示す概略図である。 第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。 第1実施形態の光半導体装置1の多面付け体を示す図である。 トランスファ成形の概略を説明する図である。 インジェクション成形の概略を説明する図である。 第2実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。 第3実施形態の半導体装置301の全体構成を示す図である。 第3実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。
(第1実施形態)
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)は、光半導体装置1の平面図を示し、図1(b)は、光半導体装置1の側面図を示し、図1(c)は、光半導体装置1の裏面図を示す。図1(d)は、図1(a)のd−d断面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。
図2(a)及び図2(b)は、リードフレームの多面付け体MSの平面図及び裏面図を示す。
図3は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。
図3(a)、図3(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図4(a)、図4(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図4(c)、図4(d)は、それぞれ図4(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
各図において、光半導体装置1、リードフレームの多面付け体MS、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
光半導体装置1は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したLED素子2が発光する照明装置である。光半導体装置1は、図1に示すように、LED素子2(半導体素子)、リードフレーム10、光反射樹脂層20(樹脂層)、透明樹脂層30を備える。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2(a)参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図4参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレームの多面付け体MSは、上述のリードフレーム10を枠体F内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図2(a)及び図2(b)に示すように、縦横に複数個、連結部13によって連結されたリードフレーム10の集合体Gを、複数組(本実施形態では4組)、左右方向に配列させて枠体F内に形成したものである。
枠体Fは、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。
また、リードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームが多面付けされた樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが形成される。
リードフレーム10は、一対の端子部、すなわち、LED素子2が載置、接続される端子部11と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部12とから構成される。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図3に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅板)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部11は、図1に示すように、その表面にLED素子2が載置、接続されるLED端子面11aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面11bが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部11は、LED素子2が載置されるため、端子部12に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図5(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部11、12は、図3に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Mが設けられている。
凹部Mは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部11、12の厚みの1/3〜2/3程度に形成されている。
リードフレーム10は、端子部11、12の周囲や、端子部11、12間の空隙部S等に、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填される場合に、図4に示すように、凹部Mにも樹脂が充填され、光反射樹脂層20と各端子部11、12との接触面積を大きくしている。また、厚み(Z)方向において、リードフレーム10と光反射樹脂層20とを交互に構成することができる。これにより、凹部Mは、光反射樹脂層20が、平面方向(X方向、Y方向)及び厚み方向において、リードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部13は、枠体F内に多面付けされた各リードフレーム10の端子部11、12を、隣接する他のリードフレーム10の端子部や、枠体Fに連結している。連結部13は、多面付けされた各リードフレーム10上にLED素子2等が搭載され、光半導体装置1の多面付け体(図11参照)が形成された場合に、リードフレーム10を形成する外形線(図3(a)及び図3(b)中の破線)でダイシング(切断)される。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、端子部11、12が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部13aは、図3(a)に示すように、端子部12の右(+X)側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の左(−X)側の辺とを接続し、また、端子部11の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の右側の辺とを接続している。枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13aは、端子部11の左側の辺又は端子部12の右側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13bは、端子部11の上(+Y)側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下(−Y)側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部11に対しては、連結部13bは、端子部11の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13d(補強部)は、端子部11及び端子部12間の空隙部Sの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Sの延長上とは、空隙部Sを上下(Y)方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部13dは、一の端子部(12、11)と、その端子部の空隙部Sを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部(11、12)とを連結するために、端子部11の上側の辺及び端子部12の下側の辺に対して、傾斜(例えば、45度)した形状に形成される。
具体的には、連結部13dは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。また、枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13dは、端子部12の上側の辺又は端子部11の下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13dが設けられることによって、リードフレームの多面付け体MSは、光反射樹脂層20を形成する工程において、端子部11と端子部12との間隔がずれたり、各端子部11、12が枠体Fに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部13dは、光半導体装置1の空隙部Sの強度を向上させることができ、空隙部Sにおいて破損してしまうのを抑制することができる。
なお、端子部11、12は、連結部13によって、隣り合う他のリードフレーム10の端子部11、12と電気的に導通されるが、光半導体装置1の多面付け体を形成した後に、光半導体装置1(リードフレーム10)の外形(図3(a)の破線)に合わせて各連結部13を切断(ダイシング)することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部13は、図3(b)、図3(c)に示すように、端子部11、12の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部11、12の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部13は、その裏面が、各端子部11、12の凹部Mの底面(窪んだ部分)と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層20の樹脂が充填された場合に、図4(b)、図4(c)に示すように、連結部13の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図4(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
光反射樹脂層20は、図4に示すように、フレーム樹脂部20aと、リフレクタ樹脂部20bとから構成される。
フレーム樹脂部20aは、リードフレーム10の外周側面(端子部11、12の外周側面及び端子部間の空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた凹部Mや、連結部13の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部20bは、リードフレーム10の表面側(リードフレーム10のLED素子2が接続される側)に突出するように形成され、リードフレーム10に接続されるLED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部20bは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部20bは、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
光反射樹脂層20は、リードフレーム10に載置されるLED素子2の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
透明樹脂層30は、リードフレーム10上に載置されたLED素子2を保護するとともに、発光したLED素子2の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層30は、図1に示すように、光反射樹脂層20のリフレクタ樹脂部20bによって囲まれたLED端子面11a、12a上に形成される。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、リードフレーム10の製造方法について説明する。
図5は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図5(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図5(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図5(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図5(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図5(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
なお、図5においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
リードフレーム10の製造において、金属基板100を加工してリードフレーム10を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム10の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板100を用意し、図5(a)に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン40a、40bを形成する。なお、レジストパターン40a、40bの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図5(b)に示すように、レジストパターン40a、40bを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム10には、端子部11、12の外周部や、各端子部11、12間の空隙部Sのように貫通した空間と、凹部Mや、連結部13の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する(図3参照)。本実施形態では、金属基板100の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板100の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板100の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板100には、図5(c)に示すように、凹部Mが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
次に、図5(d)に示すように、金属基板100(リードフレーム10)からレジストパターン40を除去する。
そして、図5(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2及び図3に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2及び図3において、めっき層Cは省略されている。
次にテープ付きリードフレーム多面付け体(保護部材付きリードフレームの多面付け体)について説明する。
図6は、第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体を示す図である。図6(a)は、テープ付きリードフレームの多面付け体の構成を説明する斜視図である。図6(b)及び図6(c)は、テープ付きリードフレームの多面付け体の平面図及び裏面図を示す。
図7は、第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の詳細を示す図である。図7(a)は、テープ付きリードフレームの多面付け体の表面の詳細図を示し、図7(b)は、図7(a)のb−b断面図を示し、図7(c)は、図7(b)のc部詳細図を示す。
図8は、第1実施形態のテープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の詳細を示す図である。図8(a)は、テープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の表面の詳細図を示し、図8(b)は、図8(a)のb−b断面図を示し、図8(c)は、図8(b)のc部詳細図を示す。
図9は、第1実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体を収納する収納ケース50を示す概略図である。
上述のように製造されたリードフレームの多面付け体MSは、次の工程に備えて、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納されたり、所定の治具等に配置されたりする場合があり、その場合、枠体Fの裏面や外周側面が、収納ケースのレールや治具に接触することがある。ここで、リードフレームの多面付け体MSの枠体Fの裏面や外周側面には、金属面が表出しているため、リードフレームの多面付け体MSは、その収納時や治具等に配置した時に、枠体Fと、レールや治具等とが摩擦接触し、枠体Fから金属粉が発生してしまう場合があった。この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部11、12間を短絡させてしまう場合があり、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまう要因となっていた。
そこで、本実施形態のリードフレームの多面付け体MSは、図6に示すように、その裏面にテープ(保護部材)Tを貼付して、テープ付きリードフレームの多面付け体を形成することによって、上記金属面の摩擦接触による金属粉の発生を防止する。
テープTは、リードフレームの多面付け体MS(枠体F)の外形よりも大きい形状に形成された矩形状の粘着テープである。ここで、外形よりも大きい形状とは、テープTの外形寸法が、枠体Fの外形の長辺及び短辺の寸法よりも大きい形状をいい、テープTの外形が、枠体Fの長辺及び短辺の両方の寸法よりも大きい場合だけでなく、長辺又は短辺のいずれか一方が大きく、他方が枠体Fと同等に形成される場合も含まれる。
本実施形態では、リードフレームの多面付け体MSの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置のための搬送方向が、枠体Fの長手方向(X方向)の辺(長辺)と平行な方向である。そのため、テープTは、その外形が、長辺については、枠体Fの長辺と同等の寸法に形成され、短手方向(Y方向)の辺(短辺)については、枠体Fの短辺よりも長く形成され、図6(b)に示すように、リードフレームの多面付け体MSの長辺の外周縁から均等にはみ出した状態で貼付される。ここで、はみ出した状態とは、テープTの少なくとも一部が、枠体Fの外周縁よりも外側に突出するようにして貼付されることをいう。
これにより、テープ付きリードフレームの多面付け体は、図9に示すように、収納ケース50に収納されたとしても、枠体Fの裏面に貼付されたテープTにより、レール51の表面と枠体Fの裏面の金属面との摩擦接触による金属粉の発生を防ぐことができる。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体Fの長辺の外周縁からはみ出したテープTが、枠体Fの外周側面とレール51の側面との摩擦接触を防ぎ、枠体Fの外周側面を要因とした金属粉の発生も防ぐことができる。同様に、テープ付きリードフレームの多面付け体は、搬送治具等に配置された場合においても、枠体Fの裏面や外周側面から金属粉を発生してしまうのを防止することができる。
また、光反射樹脂層20が形成されたテープ付きリードフレームの多面付け体(テープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体)を収納ケース50に収納したり、治具等に配置したりする場合においても、枠体Fの裏面や外周側面の摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。
以上より、テープ付きリードフレームの多面付け体及びテープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体は、上述したような不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを回避することができる。
なお、テープTの枠体Fの外周縁からはみ出した部分は、枠体Fの外周側面や、表面側に折り返すようにしてもよい。リードフレームの多面付け体MSの幅に対して、収納ケース50の収納幅に余裕がない場合においても、枠体Fの外周側面とレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防止することができる。
テープTは、耐熱性の粘着テープであり、例えば、ポリイミドを主材料としたフィルムの片面にシリコーン系の粘着材T1が塗布されたものである。テープTは、本実施形態では、後述のリードフレームの多面付け体MSに樹脂を充填する工程において、リードフレームの多面付け体MSの裏面を封止する封止材としての役割も兼ねる。
ここで、テープTは、リードフレームの多面付け体MSの裏面に貼付された場合、その粘着材T1が、図7(c)に示すように、端子部の外周部や、空隙部S、凹部M、連結部13の裏面等の外部端子面11b、12bから窪んだ部分から盛り上がるようにして貼付される。そのため、光反射樹脂層20を形成する樹脂がテープ付きリードフレームの多面付け体に充填された場合に、各端子部の外周側面や空隙部S等に形成された光反射樹脂層20は、図8(c)に示すように、その裏面が外部端子面11b、12bよりも若干凹んだ状態で形成される。
これにより、製造された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、光反射樹脂層20(フレーム樹脂部20a)の裏面よりも外部端子面11b、12bが若干盛り上がるので、外部端子面への半田の溶着が容易となり、光半導体装置1の外部機器への接続を容易にすることができる。
次に、光半導体装置1の製造方法について説明する。
図10は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図10(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図10(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図10(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図10(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図10においては、1台の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100から複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図10(a)〜(d)は、それぞれ図5(a)の断面図に基づくものである。
図11は、第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
まず、図10(a)に示すように、テープ付きリードフレームの多面付け体の表面側からリードフレーム10の外周側面(端子部11、12の外周側面及び端子部間の空隙部S)に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層20を形成する。光反射樹脂層20は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形(射出成形)のように、樹脂成形金型にリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS)をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム10上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部11、12の外周側面から凹部Mや、連結部13の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部20aが形成され、リードフレーム10と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部20bが、リードフレーム10の表面側に突出して、各端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして形成される。このとき、リードフレームの多面付け体MSの裏面には、テープTが貼付され、各端子部の外周側面や、空隙部S、凹部M等が封止されているので、充填された樹脂は、リードフレームの多面付け体MSの裏面に漏れ出ることがなく、光反射樹脂層20を適正に形成することができる。また、樹脂内へ金属粉が混入し、端子部間が短絡していないものの短絡しやすい状態は、外観での検査や、電気的な検査による発見が困難なため、特に金属粉の発生の抑制が重要となるが、テープTにより金属粉の発生が抑えられるため、光反射樹脂層20の中に金属粉が入り込んでしまうのを防ぐことができる。
これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図4(a)、図4(b)参照)。
以上により、図8に示すテープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体(保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体)が形成される。
次に、図10(b)に示すように、端子部11のLED端子面11aに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してLED素子2を載置し、また、端子部12のLED端子面12aに、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2を電気的に接続する。ここで、LED素子2とボンディングワイヤ2aは複数あってもよく、一つのLED素子2に複数のボンディングワイヤ2aが接続されてもよく、ボンディングワイヤ2aをダイパッドに接続させてもよい。また、LED素子2を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ2aは、例えば、金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の導電性の良い材料からなる。
そして、図10(c)に示すように、リフレクタ樹脂部20bに囲まれたLED素子2を覆うようにして透明樹脂層30を形成する。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図11に示すように、テープTが貼付されたテープ付き光半導体装置の多面付け体(保護部材付き半導体装置の多面付け体)が製造される。
最後に、テープ付き光半導体装置の多面付け体からテープTを剥がし、図10(d)に示すように、光半導体装置1の外形(図11中の破線)に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
また、テープTは、光反射樹脂層20の成形工程(図10(a)参照)の後、剥離してもよい。この場合、リフレクタ樹脂部20bの成形工程において、金属粉がリフレクタ樹脂部20b内に入り込み、端子部間が短絡しやすい状態になるのを防ぐことができることに加え、後のLED素子2の接続工程等における熱によるテープTからのアウトガスを防ぐことができるため、容易に接着や、剥離が可能なシリコーン、アクリル、エポキシなどの接着剤を使用したテープTを採用することができる。
次に、上述の図10(a)におけるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図12は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図12(a)は、金型の構成を説明する図であり、図12(b)〜図12(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図13は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図13(a)〜図13(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図12及び図13において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
(トランスファ成形)
トランスファ成形は、図12(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図12(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112の設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図12(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図12(d)及び図12(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図12(f)及び図12(g)に示すように、上型111及び下型112を開き、上型111に設けられたイジェクターピン111aにより、上型111から光反射樹脂層20が成形されたリードフレームの多面付け体MSを取り外す。その後、図12(h)に示すように、上型111の流路(ランナー)部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図12(i)に示すように、光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
(インジェクション成形)
インジェクション成形は、図13(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図13(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図13(c)に示すように、ランナープレート123を下型124から開き、下型124に設けられたイジェクターピン124aによって、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSを下型124から取り外す。そして、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型120は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体MSに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体MSの各リードフレーム10に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
(1)テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体FのLED素子2が接続される側とは反対側の面の全面にテープTが貼付されているので、枠体Fの裏面の金属面と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、テープ付きリードフレームの多面付け体は、金属粉が端子部11、12間を短絡させ、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを回避することができる。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレームの多面付け体MSの裏面全面にテープTが貼付されているので、各端子部の外周側面や、空隙部S、凹部M等を封止することができる。これにより、テープTは、光反射樹脂層20の成形工程において、リードフレームの多面付け体MSに流し込まれた樹脂が、リードフレームの多面付け体MSの裏面側に漏れ出てしまうのを防ぐことができ、光反射樹脂層20を適正に形成することができる。
(2)テープ付きリードフレームの多面付け体は、テープTが、枠体Fの外形よりも大きい形状に形成され、枠体Fの長辺側の外周縁からはみ出した状態で貼付されるので、枠体Fの長辺側の外周側面と、収納ケースのレールや治具等の側面との摩擦接触を防ぐことができ、枠体Fの外周側面からの金属粉の発生も防ぐことができる。
(3)テープ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その裏面の全面にテープTが貼付されているので、複数枚、直接積層した場合においても、樹脂付きリードフレームの製品となる部分(図4(a)の破線部内)を汚損したり、傷つけたりしてしまうのを防止することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図14は、第2実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。図14(a)、図14(b)は、それぞれテープ付きリードフレームの多面付け体の平面図、裏面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第2実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体Fに貫通孔Hが形成される点と、また、枠体Fの裏面に貼付されるテープTの形状が異なる点とで、第1実施形態の場合と主に相違する。
枠体Fは、図14に示すように、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その長辺上に、表面及び裏面に貫通する貫通孔Hが形成されている。
貫通孔Hは、リードフレームの多面付け体MSや樹脂付きリードフレームの多面付け体R等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される円形状の孔である。本実施形態では、貫通孔Hは、枠体Fの長辺のうち上辺及び下辺のそれぞれに4つずつ設けられる。なお、貫通孔Hは、円形状に限定されるものでなく、長円状や、矩形状に形成されるようにしてもよい。
テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体Fの裏面(LED素子が接続される側とは反対の面)の各長辺上に、貫通孔Hを避けるようにしてテープTが3枚ずつ貼付されている。
各テープTは、その長さが、枠体Fの隣り合う貫通孔Hの間隔よりも短く形成され、また、その幅が、枠体Fの長辺の幅と同等若しくは若干太くなるように長方形状に形成され、枠体Fの長辺側の外周縁からはみ出した状態で貼付されている。ここで、はみ出した状態とは、テープTの少なくとも一部が、枠体Fの外周縁よりも外側に突出するようにして貼付されることをいう。本実施形態では、テープTは、図14(b)に示すように、その長辺側の一端が、枠体Fの長辺側の外周縁から突出するように貼付されている。
以上の構成により、本実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体は、複数枚のテープTが、枠体Fの裏面の各長辺上に、貫通孔Hを避けるようにして貼付されているので、枠体Fの裏面の金属面と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、テープ付きリードフレームの多面付け体は、金属粉が端子部11、12間を短絡させ、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを回避することができる。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、テープTが、枠体Fの長辺側の外周縁からはみ出した状態で貼付されるので、枠体Fの長辺側の外周側面と、収納ケースのレールや治具等の側面との摩擦接触を防ぐことができ、枠体Fの外周側面からの金属粉の発生も防ぐことができる。
更に、テープTが、枠体Fの貫通孔Hを避けるようにして貼付されているので、テープTが貼付された状態においても、搬送装置等の搬送用ピン等を貫通孔Hに挿入させることができる。これにより、リードフレームの多面付け体MSや樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを、テープTを貼付した状態で光半導体装置1を製造する各工程に進めることができる。
また、テープTが、枠体Fの長辺上にのみ貼付されているので、リードフレームの多面付け体MSに対するテープTの使用量を、第1実施形態の場合よりも削減することができ、光半導体装置1の製造コストを削減することができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図15は、第3実施形態の半導体装置301の全体構成を示す図である。図15(a)は、半導体装置301の平面図を示し、図15(b)は、半導体装置301の側面図を示し、図15(c)は、半導体装置301の裏面図を示す。図15(d)は、図15(a)のd−d断面図を示す。
図16は、第3実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体の全体図である。図16(a)、図16(b)は、それぞれテープ付きリードフレームの多面付け体の平面図、裏面図を示す。
第3実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体は、半導体装置301に使用される点と、枠体Fに貫通孔Hが形成される点と、枠体Fの裏面に貼付されるテープTの形状が異なる点とで、第1実施形態の場合と主に相違する。
半導体装置301は、図15に示すように、リードフレーム10、ダイオード302、樹脂層320を備える。半導体装置301は、多面付けされたリードフレーム10にダイオード302を電気的に接続し、樹脂層320を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される。
ダイオード302は、整流(電流を一定方向にしか流さない)作用を有する半導体素子であり、n型半導体とp型半導体とが接合されることによって構成される。
半導体装置301は、上述の第1実施形態の光半導体装置1と相違して、それ自体が発光する機能を有していないことから、ダイオード302を覆う樹脂層320を透明にする必要がない。また、樹脂層320を第1実施形態のように光反射樹脂層20と透明樹脂層30のように分離する必要がない。そのため、半導体装置301の樹脂層320は、リードフレームの多面付け体MSの表面にダイオード302を接続した後に、樹脂を各端子部の外周部や空隙部だけでなく、ダイオード302の周囲を覆うようにして充填することによって形成される。
樹脂層320は、リードフレーム10の各端子部11、12間を絶縁したり、ダイオード302を外部から絶縁したりする樹脂の層であり、例えば、シリカ、アルミナなどのフィラーを高充填させたエポキシ樹脂等から形成される。
枠体Fは、図16に示すように、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その長辺上に、表面に貫通する貫通孔Hが形成されている。
貫通孔Hは、リードフレームの多面付け体MSや樹脂付きリードフレームの多面付け体R等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される円形状の孔である。本実施形態では、貫通孔Hは、枠体Fの長辺のうち上辺及び下辺のそれぞれに4つずつ設けられる。なお、貫通孔Hは、円形状に限定されるものでなく、長円状や、矩形状に形成されるようにしてもよい。
テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレームの多面付け体MSの裏面(LED素子が接続される側とは反対の面)に、貫通孔Hを避けるようにしてテープTが貼付されている。すなわち、テープTは、図16(b)に示すように、多面付けされるリードフレーム10(各集合体G)の裏面全面と、枠体Fの裏面の貫通孔Hを除いた領域とに貼付されている。
テープTは、その外形が、枠体Fの外形と同等であり、各貫通孔Hに対応する部分、すなわち貫通孔Hを避けるようにして切り欠き部T2が形成されている。ここで、貫通孔Hを避けるようにとは、枠体Fの貫通孔Hのみを避けるようにする場合だけでなく、貫通孔Hとその周囲を避けるようにする場合も含まれるものをいう。
以上の構成により、本実施形態のテープ付きリードフレームの多面付け体は、複数枚のテープTが、リードフレームの多面付け体MSの裏面に、貫通孔Hを避けるようにして貼付されているので、枠体Fの裏面の金属面と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、テープ付きリードフレームの多面付け体は、金属粉が端子部11、12間を短絡させ、ダイオード302を適正に作動させることができない等の不具合を有する半導体装置301が製造されてしまうのを回避することができる。
また、テープ付きリードフレームの多面付け体は、多面付けされたリードフレームの裏面全面にテープTが貼付されているので、各端子部の外周側面や、空隙部S、凹部M等を封止することができる。これにより、テープTは、樹脂層320の成形工程において、リードフレームの多面付け体MSに流し込まれた樹脂が、リードフレームの多面付け体MSの裏面側に漏れ出てしまうのを防ぐことができ、樹脂層320を適正に形成することができる。
更に、テープTが、枠体Fの貫通孔Hを避けるようにして貼付されているので、テープTが貼付された状態においても、搬送装置等の搬送用ピン等を貫通孔Hに挿入させることができる。これにより、テープTが貼付された状態でリードフレームの多面付け体MSを、半導体装置301を製造する各工程に進めることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
(変形形態)
(1)第1実施形態及び第2実施形態においては、テープ付きリードフレームの多面付け体は、半導体装置としてLED素子2を実装した光半導体装置1に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、第3実施形態のように、ダイオードや、トランジスタを実装する半導体装置に適用することも可能である。この場合、この半導体装置は、半導体素子を覆う樹脂層を透明にする必要がないため、光反射樹脂層20と透明樹脂層30とを備える必要がなく、両樹脂層を一の樹脂層として形成することができる。
(2)第3実施形態において、テープ付きリードフレームの多面付け体は、ダイオード302を実装した半導体装置301に適用される例を示したが、これに限定されものでなく、例えば、第1実施形態のように、LED素子等の光半導体素子を実装する光半導体装置に適用することも可能である。この場合、この光半導体装置は、樹脂層のうち少なくともLED素子を覆う部分については透明又は略透明に形成する必要がある。
(3)各実施形態において、リードフレームの多面付け体MSの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置のための搬送方向を、枠体Fの長辺と平行な方向にした場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、リードフレームの多面付け体MSの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置のための搬送方向は、枠体Fの短辺と平行な方向や、短辺に平行な方向と長辺に平行な方向の両方であってもよい。
なお、枠体Fの短辺に平行な方向である場合、テープ付きリードフレームの多面付け体は、枠体Fの短辺側の外周縁からはみ出すようにテープTを貼付することで、枠体Fの外周側面を起因とした金属粉の発生を防止することができる。
また、枠体Fの短辺に平行な方向と長辺に平行な方向との両方である場合は、枠体Fの短辺側及び長辺側の両方の外周縁からはみ出すようにテープTを貼付することで、枠体Fの外周側面を起因とした金属粉の発生を防止することができる。
(4)各実施形態において、保護部材としてテープTを適用する例を説明したが、これに限定されるものでなく、保護部材として、例えば、工程後に熱、光、物理的な引き剥がし、エッチングなどにより剥離が可能な搬送用のキャリアーフィルム(例えば、株式会社京写製のマジキャリー)や、キャリアーボード等を適用してもよい。
(5)第1実施形態及び第2実施形態において、テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレーム10の表面にリフレクタ樹脂部20bが形成された、いわゆるカップ型の光半導体装置に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、テープ付きリードフレームの多面付け体は、リードフレームの表面にリフレクタ樹脂部が形成されない、いわゆるフラット型の光半導体装置に適用することも可能である。
(6)各実施形態においては、リードフレーム10は、端子部11及び端子部12を備える例を示したが、リードフレームは、3以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を3つ設け、その1つにはLED素子を実装し、他の2つにはボンディングワイヤを介してLED素子と接続してもよい。また、リードフレームにトランジスタを実装し、端子部のそれぞれに、トランジスタのベース、コレクタ、エミッタを接続するようにしてもよい。
(7)各実施形態において、リードフレーム10は、LED素子2を載置、接続するダイパッドとなる端子部11と、LED素子2とボンディングワイヤ2aを介して接続されるリード側端子部となる端子部12とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、LED素子が2つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、2つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
1 光半導体装置
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a フレーム樹脂部
20b リフレクタ樹脂部
30 透明樹脂層
50 収納ケース
51 レール
301 半導体装置
302 ダイオード
320 樹脂層
F 枠体
G 集合体
M 凹部
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部
T テープ
T1 粘着剤
T2 切り欠き部

Claims (11)

  1. 半導体素子が接続されるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
    前記枠体の前記半導体素子が接続される側とは反対側の面の少なくとも一部に貼付される保護部材と、
    を備える保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  2. 請求項1に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
    前記保護部材は、多面付けされた前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側とは反対側の面の全面に貼付されていること、
    を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  3. 請求項1に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
    前記枠体は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔を備え、
    前記保護部材は、前記枠体の前記貫通孔を避けるようにして貼付されること、
    を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  4. 請求項1に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
    前記枠体は、その表面及び裏面を貫通する貫通孔を備え、
    前記保護部材は、前記枠体の前記貫通孔を避ける切り欠き部を有すること、
    を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  5. 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
    前記保護部材は、前記枠体の外周縁からはみ出した状態で貼付されること、
    を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  6. 請求項5に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
    前記保護部材は、前記枠体の外形よりも大きい形状に形成されること、
    を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  7. 請求項5又は請求項6に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体において、
    前記保護部材が、前記枠体の外周側面に折り返して貼付されること、
    を特徴とする保護部材付きリードフレームの多面付け体。
  8. 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体と、
    前記リードフレームの外周側面に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層と、
    を備える保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  9. 請求項8に記載の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記樹脂層は、前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
    を特徴とする保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  10. 請求項8又は請求項9に記載の保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
    前記保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームに接続される半導体素子と、
    前記保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う透明樹脂層と、
    を備える保護部材付き半導体装置の多面付け体。
  11. 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の保護部材付きリードフレームの多面付け体と、
    前記リードフレームの多面付け体の前記各リードフレームに接続される半導体素子と、
    前記リードフレームの外周側面に形成され、また、前記リードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う樹脂層と、
    を備える保護部材付き半導体装置の多面付け体。
JP2013045166A 2013-03-07 2013-03-07 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体 Pending JP2014175388A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013045166A JP2014175388A (ja) 2013-03-07 2013-03-07 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013045166A JP2014175388A (ja) 2013-03-07 2013-03-07 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014175388A true JP2014175388A (ja) 2014-09-22

Family

ID=51696349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013045166A Pending JP2014175388A (ja) 2013-03-07 2013-03-07 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014175388A (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02133598A (ja) * 1988-11-14 1990-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 変形しやすい電子部品のめっき処理方法
JPH0982741A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Seiko Epson Corp チップキャリアの構造およびその製造方法
JPH1032299A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Hitachi Cable Ltd Loc用リードフレーム
JP2003007956A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2008227166A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2011040602A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Renesas Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
JP2011159837A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Apic Yamada Corp リードフレーム及びledパッケージ用基板
JP2012049486A (ja) * 2010-07-27 2012-03-08 Kyushu Institute Of Technology Ledパッケージとその製造方法、及び該ledパッケージを用いて構成したledモジュール装置とその製造方法
JP2012114311A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp Ledモジュール

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02133598A (ja) * 1988-11-14 1990-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 変形しやすい電子部品のめっき処理方法
JPH0982741A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Seiko Epson Corp チップキャリアの構造およびその製造方法
JPH1032299A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Hitachi Cable Ltd Loc用リードフレーム
JP2003007956A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2008227166A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2011040602A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Renesas Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
JP2011159837A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Apic Yamada Corp リードフレーム及びledパッケージ用基板
JP2012049486A (ja) * 2010-07-27 2012-03-08 Kyushu Institute Of Technology Ledパッケージとその製造方法、及び該ledパッケージを用いて構成したledモジュール装置とその製造方法
JP2012114311A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp Ledモジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6209826B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6115671B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置
JP6197297B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6167556B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6019988B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP5884789B2 (ja) リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6171360B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置
JP2014112615A (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2017027991A (ja) 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型
JP6268793B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置
JP2015038917A (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014138088A (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP2014175388A (ja) 保護部材付きリードフレームの多面付け体、保護部材及び樹脂付きリードフレームの多面付け体、保護部材付き半導体装置の多面付け体
JP6065599B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6111683B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6115058B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6155584B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6064649B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6172253B2 (ja) リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置
JP6111628B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6311240B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体
JP6311250B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体
JP6201335B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6123200B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6375753B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160913

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161111

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170404