JP6155584B2 - 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents
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Description
本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合があった。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまう場合があった。
また、特許文献１に記載の光半導体装置と相違して、リードフレームを覆う樹脂層が、リードフレームの厚みとほぼ一致するように形成され、その樹脂層が形成されたリードフレーム上に透明樹脂層が形成される、いわゆるフラットタイプの光半導体素子装置も存在するが、このような装置においては、樹脂層とリードフレームの端子部との接触面積がさらに狭くなるため、上記剥離の発生が顕著になる場合があった。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合があった。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまう場合があった。
また、特許文献１に記載の光半導体装置と相違して、リードフレームを覆う樹脂層が、リードフレームの厚みとほぼ一致するように形成され、その樹脂層が形成されたリードフレーム上に透明樹脂層が形成される、いわゆるフラットタイプの光半導体素子装置も存在するが、このような装置においては、樹脂層とリードフレームの端子部との接触面積がさらに狭くなるため、上記剥離の発生が顕著になる場合があった。
本発明の課題は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第１の発明は、複数の端子部を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体用リードフレーム（１０）において、少なくとも一つの前記端子部は、少なくとも一の角部に、前記端子部の外周側面につながる凹部（Ｍ）が形成されていること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記凹部（Ｍ）は、前記端子部（１１、１２）間で対向する角部に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記凹部（Ｍ）は、前記端子部（１１、１２）間で対向する側とは反対側の角部に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記凹部（Ｍ）は、前記端子部（１１、１２）間で対向する角部に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記凹部（Ｍ）は、前記端子部（１１、１２）間で対向する側とは反対側の角部に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、複数の端子部を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置（９０１）に用いられる光半導体用リードフレーム（９１０）において、少なくとも一方の前記端子部は、少なくとも一辺に、前記端子部の外周側面につながる凹部（Ｍ）が形成されていること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第４の発明の光半導体装置用リードフレーム（９１０）において、前記凹部（Ｍ）は、前記端子部（９１１、９１２）を形成する辺のうち、当該光半導体装置用リードフレームの外形を形成し、当該光半導体装置用リードフレームの長手方向（Ｘ）と直交する辺に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第４の発明の光半導体装置用リードフレーム（９１０）において、前記凹部（Ｍ）は、前記端子部（９１１、９１２）を形成する辺のうち、当該光半導体装置用リードフレームの外形を形成し、当該光半導体装置用リードフレームの長手方向（Ｘ）と直交する辺に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部（１１、１２）の外周側面、前記端子部間の空間、及び、前記凹部（Ｍ）内に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
第７の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第８の発明は、第６の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第９の発明は、第６の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（１）である。
第１０の発明は、第９の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる。
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の下面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図２（ａ）は、フレームＦに多面付けされた状態のリードフレーム１０の平面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ−ｂ断面図から見た側面図を示し、図２（ｃ）は、図２（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図と、側面図であり、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ、図３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図である。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の下面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図２（ａ）は、フレームＦに多面付けされた状態のリードフレーム１０の平面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ−ｂ断面図から見た側面図を示し、図２（ｃ）は、図２（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図と、側面図であり、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ、図３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図である。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。
光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、図２（ａ）に示すように、多面付けされたリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
光半導体装置１は、図２（ａ）に示すように、多面付けされたリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ離れて配置されており、互いに電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ離れて配置されており、互いに電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｓが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｓは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｓは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｓが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｓは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｓは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの表面側の角部に、端子部１１、１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と一定の間隔だけ離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
凸部Ｔは、その外周側面が、円弧状に形成された凹部Ｍの内周側面と一定の隙間を保つように形成された円弧状の突出部である。凸部Ｔは、その厚みが、端子部１１、１２の厚みと同等である。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
凸部Ｔは、その外周側面が、円弧状に形成された凹部Ｍの内周側面と一定の隙間を保つように形成された円弧状の突出部である。凸部Ｔは、その厚みが、端子部１１、１２の厚みと同等である。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０によって挟み込まれる形態を取る。これにより、凹部Ｍ及び凸部Ｔは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍと凸部Ｔとは、共に円弧状に形成されているので、樹脂の流動を妨げることなく、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に樹脂を容易に充填することができる。
また、凹部Ｍと凸部Ｔとは、共に円弧状に形成されているので、樹脂の流動を妨げることなく、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に樹脂を容易に充填することができる。
連結部１３は、図２（ａ）に示すように、製造過程においてフレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の各端子部１１、１２を連結している。連結部１３は、各端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺の中央に１つずつ形成されている。
具体的には、連結部１３ａは、端子部１１の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とを直接接続している。連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。さらに、連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。
具体的には、連結部１３ａは、端子部１１の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とを直接接続している。連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。さらに、連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。
ここで、端子部１１、１２は、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と、連結部１３によって電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。
なお、フレームＦ内の外周に位置する各リードフレーム１０の各端子部１１、１２は、フレームＦと連結部１３ａ〜１３ｃのいずれか１つ又は複数によって接続されている。
なお、フレームＦ内の外周に位置する各リードフレーム１０の各端子部１１、１２は、フレームＦと連結部１３ａ〜１３ｃのいずれか１つ又は複数によって接続されている。
連結部１３は、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。そのため、連結部１３は、端子部１１、１２の裏面において、端子部１１、１２との接合部に段部Ｄが形成されている。これにより、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｂ）、図３（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
光反射樹脂層２０は、図３に示すように、各端子部の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の隙間）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面の段部Ｄに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよい。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよい。
次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
銅板の加工は、プレスでもよいが、薄肉部を形成しやすいエッチングが望ましい。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、ａ−ａ断面図から見た側面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。
銅板の加工は、プレスでもよいが、薄肉部を形成しやすいエッチングが望ましい。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、ａ−ａ断面図から見た側面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。
金属基板１００をエッチング加工することによって、多面付けされたリードフレーム１０が、複数形成される。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。ここで、乾板へのレジストパターンの描画は、レーザ走査量を減らすため、エッチング部分が少なくなるデザインが望ましい。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。腐食成分は、金属を腐食後に活性を失い、不要物として液中に蓄積するため、エッチング領域は可能な限り少ないことが望ましい。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。ここで、乾板へのレジストパターンの描画は、レーザ走査量を減らすため、エッチング部分が少なくなるデザインが望ましい。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。腐食成分は、金属を腐食後に活性を失い、不要物として液中に蓄積するため、エッチング領域は可能な限り少ないことが望ましい。
ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部のように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面のように、貫通せずに厚みが薄くなっている窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、窪んだ空間側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成された端子部１１、１２と、他の端子部１１、１２を連結する連結部１３とが形成され、金属基板１００上に複数のリードフレーム１０が形成される（図２（ａ）参照）。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成された端子部１１、１２と、他の端子部１１、１２を連結する連結部１３とが形成され、金属基板１００上に複数のリードフレーム１０が形成される（図２（ａ）参照）。
次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｓを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｓを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｓを形成してもよい。
以上により、図２（ａ）に示すようなフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０が製造される。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｓを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｓを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｓを形成してもよい。
以上により、図２（ａ）に示すようなフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０が製造される。
次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図６は、多面付けされた樹脂付きリードフレーム及び光半導体素子を示す図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｄ）は、ダイシングにより小片化された光半導体装置１を示す図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。
図５は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図６は、多面付けされた樹脂付きリードフレーム及び光半導体素子を示す図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｄ）は、ダイシングにより小片化された光半導体装置１を示す図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。
図５（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。ここで、リードフレーム１０は、上述したように、多面付けされているため（図２（ａ）参照）、光反射特性を有する樹脂が充填されることによって、図６（ａ）に示すように、多面付けされた樹脂付きリードフレームが形成される。
光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、凹部Ｍは、端子部１１、１２の外周側面につながっているので、樹脂は、各端子部の外周側面側から凹部Ｍ及び凸部Ｔ間の隙間へと流れ込む。
光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、リードフレーム１０の外周だけでなく、各端子部間や、凹部Ｍ、連結部１３の裏面等に形成され、リードフレーム１０に接合される。
光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、凹部Ｍは、端子部１１、１２の外周側面につながっているので、樹脂は、各端子部の外周側面側から凹部Ｍ及び凸部Ｔ間の隙間へと流れ込む。
光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、リードフレーム１０の外周だけでなく、各端子部間や、凹部Ｍ、連結部１３の裏面等に形成され、リードフレーム１０に接合される。
次に、図５（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ＬＥＤ素子とボンディングワイヤは、複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子に複数のボンディングワイヤが接続されてもよく、ボンディングワイヤをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図５（ｃ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。これにより、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム１０上に多面付けされた光半導体装置１が複数製造される。なお、透明樹脂層は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。
最後に、図５（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０と共に、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング）して、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置１を得る。
そして、図５（ｃ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。これにより、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム１０上に多面付けされた光半導体装置１が複数製造される。なお、透明樹脂層は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。
最後に、図５（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０と共に、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング）して、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置１を得る。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、凹部Ｍと、凹部Ｍの底面に凸部Ｔを有するので、リードフレーム１０の外周、及び、端子部間に樹脂を流し込んで光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
（２）凹部Ｍは、内周縁の形状が略円弧状であるので、リードフレーム１０に樹脂を充填する場合に、樹脂の流動を妨げることなく凹部Ｍと凸部Ｔの隙間内に、容易に樹脂を充填することができる。
（３）凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間が一定の間隔であるので、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間へ樹脂を安定して充填することができる。
（１）リードフレーム１０は、凹部Ｍと、凹部Ｍの底面に凸部Ｔを有するので、リードフレーム１０の外周、及び、端子部間に樹脂を流し込んで光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
（２）凹部Ｍは、内周縁の形状が略円弧状であるので、リードフレーム１０に樹脂を充填する場合に、樹脂の流動を妨げることなく凹部Ｍと凸部Ｔの隙間内に、容易に樹脂を充填することができる。
（３）凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間が一定の間隔であるので、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間へ樹脂を安定して充填することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、第２実施形態のリードフレーム２１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを示す図である。
図７（ａ）は、リードフレーム２１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔの平面図であり、図７（ｂ）は、凹部Ｍ及び凸部Ｔの側面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、第２実施形態のリードフレーム２１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを示す図である。
図７（ａ）は、リードフレーム２１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔの平面図であり、図７（ｂ）は、凹部Ｍ及び凸部Ｔの側面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態のリードフレーム２１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部２１１、２１２は、表面側の各角部に、端子部２１１、２１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図７に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム２１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部２１１、２１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍとの間で形成される隙間が、端子部２１１、２１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも広くなるように形成されている。具体的には、端子部２１１、２１２の外周側面側における凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ１とし、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃにおける凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ２としたとき、ａ１＞ａ２の関係が成立するように、凸部Ｔが形成されている。
端子部２１１、２１２は、表面側の各角部に、端子部２１１、２１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図７に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム２１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部２１１、２１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍとの間で形成される隙間が、端子部２１１、２１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも広くなるように形成されている。具体的には、端子部２１１、２１２の外周側面側における凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ１とし、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃにおける凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ２としたとき、ａ１＞ａ２の関係が成立するように、凸部Ｔが形成されている。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層２２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層２２０がリードフレーム２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間は、端子部２１１、２１２の外周側面端部が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも広いので、リードフレーム２１０に光反射樹脂層２２０を形成する樹脂を、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にさらに充填し易くすることができる。
また、凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間は、端子部２１１、２１２の外周側面端部が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも広いので、リードフレーム２１０に光反射樹脂層２２０を形成する樹脂を、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にさらに充填し易くすることができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図８は、第３実施形態のリードフレーム３１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを示す図である。
図８（ａ）は、リードフレーム３１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔの平面図であり、図８（ｂ）は、凹部Ｍ及び凸部Ｔの側面図である。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図８は、第３実施形態のリードフレーム３１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを示す図である。
図８（ａ）は、リードフレーム３１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔの平面図であり、図８（ｂ）は、凹部Ｍ及び凸部Ｔの側面図である。
第３実施形態のリードフレーム３１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部３１１、３１２は、表面側の各角部に、端子部３１１、３１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図８に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム３１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部３１１、３１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍとの間で形成される隙間が、端子部３１１、３１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも狭くなるように形成されている。具体的には、端子部３１１、３１２の外周側面側における凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ３とし、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃにおける凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ４としたとき、ａ３＜ａ４の関係が成立するように、凸部Ｔが形成されている。
端子部３１１、３１２は、表面側の各角部に、端子部３１１、３１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図８に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム３１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部３１１、３１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍとの間で形成される隙間が、端子部３１１、３１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも狭くなるように形成されている。具体的には、端子部３１１、３１２の外周側面側における凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ３とし、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃにおける凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ４としたとき、ａ３＜ａ４の関係が成立するように、凸部Ｔが形成されている。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層３２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層３２０がリードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間は、端子部３１１、３１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも狭いので、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に充填された樹脂によって、リードフレーム３１０に対して光反射樹脂層３２０をより堅牢に固定することができ、光反射樹脂層３２０とリードフレーム３１０との剥離抑制効果を向上させることができる。
また、凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間は、端子部３１１、３１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも狭いので、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に充填された樹脂によって、リードフレーム３１０に対して光反射樹脂層３２０をより堅牢に固定することができ、光反射樹脂層３２０とリードフレーム３１０との剥離抑制効果を向上させることができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図９は、第４実施形態のリードフレーム４１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを平面図である。
第４実施形態のリードフレーム４１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図９は、第４実施形態のリードフレーム４１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを平面図である。
第４実施形態のリードフレーム４１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部４１１、４１２は、表面側の各角部に、端子部４１１、４１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部の内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図９に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム４１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部４１１、４１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍの底面上に円柱状に形成され、その厚みは、端子部４１１、４１２と同等である。
図９に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム４１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部４１１、４１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍの底面上に円柱状に形成され、その厚みは、端子部４１１、４１２と同等である。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層４２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層４２０がリードフレーム４１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍと凸部Ｔとの間で形成される隙間を広くできるので、リードフレーム４１０に光反射樹脂層４２０を形成する樹脂を充填する場合に、樹脂の流路を広く取ることができ、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間への樹脂の充填をさらに容易にすることができる。
さらに、第１実施形態の凹部Ｍに比べ、凹部Ｍの底面の面積を広くすることができ、端子部４１１、４１２と、光反射樹脂層４２０との接合面積を増やすことができ、光反射樹脂層４２０の剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
また、凹部Ｍと凸部Ｔとの間で形成される隙間を広くできるので、リードフレーム４１０に光反射樹脂層４２０を形成する樹脂を充填する場合に、樹脂の流路を広く取ることができ、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間への樹脂の充填をさらに容易にすることができる。
さらに、第１実施形態の凹部Ｍに比べ、凹部Ｍの底面の面積を広くすることができ、端子部４１１、４１２と、光反射樹脂層４２０との接合面積を増やすことができ、光反射樹脂層４２０の剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１０は、第５実施形態のリードフレーム５１０の凹部Ｍ及び孔部Ｈを示す図である。
図１０（ａ）は、リードフレーム５１０の凹部Ｍ及び孔部Ｈの平面図であり、図１０（ｂ）は、凹部Ｍ及び孔部Ｈの側面図である。
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１０は、第５実施形態のリードフレーム５１０の凹部Ｍ及び孔部Ｈを示す図である。
図１０（ａ）は、リードフレーム５１０の凹部Ｍ及び孔部Ｈの平面図であり、図１０（ｂ）は、凹部Ｍ及び孔部Ｈの側面図である。
第５実施形態のリードフレーム５１０は、凹部Ｍの底面に孔部Ｈが形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部５１１、５１２は、表面側の各角部に、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に孔部Ｈが設けられている。
図１０（ａ）に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム５１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部５１１、５１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
孔部Ｈは、凹部Ｍの底面に円柱状に形成された貫通孔である。
端子部５１１、５１２は、表面側の各角部に、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に孔部Ｈが設けられている。
図１０（ａ）に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム５１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部５１１、５１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
孔部Ｈは、凹部Ｍの底面に円柱状に形成された貫通孔である。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂が凹部Ｍにも充填されるので、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム５１０は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂を充填する場合に、凹部Ｍの底面の全面に樹脂を充填することができるので、光反射樹脂層５２０との接合面積を増やすことができ、光反射樹脂層５２０が剥離してしまうのを抑制することができる。
さらに、孔部Ｈにも樹脂が充填されるので、光反射樹脂層５２０の剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
また、リードフレーム５１０は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂を充填する場合に、凹部Ｍの底面の全面に樹脂を充填することができるので、光反射樹脂層５２０との接合面積を増やすことができ、光反射樹脂層５２０が剥離してしまうのを抑制することができる。
さらに、孔部Ｈにも樹脂が充填されるので、光反射樹脂層５２０の剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１１は、第６実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１１（ａ）は、リードフレーム６１０の平面図であり、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、光反射樹脂層６２０が形成されたリードフレーム６１０の平面図、下面図である。
第６実施形態のリードフレーム６１０は、図１１に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部の角部のうち、端子部間で対向する側とは反対側の角部、すなわちリードフレーム６１０の外形を形成する角部に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１１は、第６実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１１（ａ）は、リードフレーム６１０の平面図であり、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、光反射樹脂層６２０が形成されたリードフレーム６１０の平面図、下面図である。
第６実施形態のリードフレーム６１０は、図１１に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部の角部のうち、端子部間で対向する側とは反対側の角部、すなわちリードフレーム６１０の外形を形成する角部に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
以上より、本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
凹部Ｍ及び凸部Ｔがリードフレーム６１０の長手方向の角部に形成されるので、リードフレーム６１０と光反射樹脂層６２０との線膨張係数の差が大きい場合において、熱膨張による材料の伸びの影響が大きい長手方向における光反射樹脂層６２０とリードフレーム６１０との剥離を抑制することができる。
例えば、光反射樹脂層６２０の樹脂に、フィラー含有量が７０％以下のエポキシ系樹脂や、熱可塑性樹脂を用いた場合、光反射樹脂層６２０とリードフレーム６１０との線膨張率の差が大きくなるため、リードフレーム６１０との間で剥離を生じる場合があるが、上述したように、凹部Ｍの位置をリードフレーム６１０の長手方向の角部に配置することで、剥離抑制効果を得ることができる。
凹部Ｍ及び凸部Ｔがリードフレーム６１０の長手方向の角部に形成されるので、リードフレーム６１０と光反射樹脂層６２０との線膨張係数の差が大きい場合において、熱膨張による材料の伸びの影響が大きい長手方向における光反射樹脂層６２０とリードフレーム６１０との剥離を抑制することができる。
例えば、光反射樹脂層６２０の樹脂に、フィラー含有量が７０％以下のエポキシ系樹脂や、熱可塑性樹脂を用いた場合、光反射樹脂層６２０とリードフレーム６１０との線膨張率の差が大きくなるため、リードフレーム６１０との間で剥離を生じる場合があるが、上述したように、凹部Ｍの位置をリードフレーム６１０の長手方向の角部に配置することで、剥離抑制効果を得ることができる。
また、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置６０１は、その角部に応力が加わりやすいため、その角部が破損する場合が多いが、角部に位置する凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に樹脂が充填されることにより、角部の強度を向上させることができる。
さらに、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム６１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム６１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１２は、第７実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１２（ａ）は、リードフレーム７１０の平面図であり、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、光反射樹脂層７２０が形成されたリードフレーム７１０の平面図、下面図である。
第７実施形態のリードフレーム７１０は、図１２に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部の角部のうち、端子部７１１、７１２間で対向する角部にのみ形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１２は、第７実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１２（ａ）は、リードフレーム７１０の平面図であり、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、光反射樹脂層７２０が形成されたリードフレーム７１０の平面図、下面図である。
第７実施形態のリードフレーム７１０は、図１２に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部の角部のうち、端子部７１１、７１２間で対向する角部にのみ形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層７２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層７２０がリードフレーム７１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部７１１、７１２間で対向する角部にのみ形成されているので、端子部７１１、７１２間に充填される光反射樹脂層７２０の強度を向上させることができ、端子部７１１、７１２間で光半導体装置７０１が破損してしまうのを抑制することができる。
さらに、ＬＥＤ素子を基板、特にリジッド基板に半田を用いて接合する工程の冷却の過程において、端子部の大きさが同じでなかったり、端子部に搭載されている素子への熱伝達により、各端子部の実質的な熱容量が異なっていたりする場合に、半田が冷え固まるのに端子部間で時間差が発生する場合がある。この場合、冷え固まった一方の半田側の端子部は固定され、もう一方の冷え固まっていない半田側は、半田の表面張力により引っ張りの力が働くため、ＬＥＤ素子がＸ方向に引き離される強い応力がかかり、端子部間に間隙が発生しやすくなる問題があるが、本実施形態のリードフレーム７１０は、これを抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム７１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部７１１、７１２間で対向する角部にのみ形成されているので、端子部７１１、７１２間に充填される光反射樹脂層７２０の強度を向上させることができ、端子部７１１、７１２間で光半導体装置７０１が破損してしまうのを抑制することができる。
さらに、ＬＥＤ素子を基板、特にリジッド基板に半田を用いて接合する工程の冷却の過程において、端子部の大きさが同じでなかったり、端子部に搭載されている素子への熱伝達により、各端子部の実質的な熱容量が異なっていたりする場合に、半田が冷え固まるのに端子部間で時間差が発生する場合がある。この場合、冷え固まった一方の半田側の端子部は固定され、もう一方の冷え固まっていない半田側は、半田の表面張力により引っ張りの力が働くため、ＬＥＤ素子がＸ方向に引き離される強い応力がかかり、端子部間に間隙が発生しやすくなる問題があるが、本実施形態のリードフレーム７１０は、これを抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム７１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１３は、第８実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１３（ａ）は、リードフレーム８１０の平面図であり、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）は、光反射樹脂層８２０が形成されたリードフレーム８１０の平面図、下面図である。
第８実施形態のリードフレーム８１０は、図１３に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、外形の大きい端子部８１１の角部のうち、端子部８１２と対向する側の角部にのみ凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１３は、第８実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１３（ａ）は、リードフレーム８１０の平面図であり、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）は、光反射樹脂層８２０が形成されたリードフレーム８１０の平面図、下面図である。
第８実施形態のリードフレーム８１０は、図１３に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、外形の大きい端子部８１１の角部のうち、端子部８１２と対向する側の角部にのみ凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層８２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層８２０がリードフレーム８１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
外形の大きい端子部８１１の角部のうち、端子部８１２と対向する側の角部にのみ凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されているので、端子部８１１、８１２間の光反射樹脂層８２０の強度を向上させることができ、端子部８１１、８１２間で光半導体装置８０１が破損してしまうのを抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム８１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
外形の大きい端子部８１１の角部のうち、端子部８１２と対向する側の角部にのみ凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されているので、端子部８１１、８１２間の光反射樹脂層８２０の強度を向上させることができ、端子部８１１、８１２間で光半導体装置８０１が破損してしまうのを抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム８１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第９実施形態）
次に、本発明の第９実施形態について説明する。
図１４は、第９実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１４（ａ）は、リードフレーム９１０の平面図であり、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）は、光反射樹脂層９２０が形成されたリードフレーム９１０の平面図、下面図である。
次に、本発明の第９実施形態について説明する。
図１４は、第９実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１４（ａ）は、リードフレーム９１０の平面図であり、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）は、光反射樹脂層９２０が形成されたリードフレーム９１０の平面図、下面図である。
第９実施形態のリードフレーム９１０は、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部９１１、９１２の角部ではなく、端子部９１１、９１２の辺に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
凹部Ｍ及び凸部Ｔは、図１４に示すように、端子部１１、１２を形成する辺のうち、リードフレーム９１０の外形を形成する辺であって、長手方向Ｘに直交する辺の中央部に形成されている。すなわち、凹部Ｍ及び凸部Ｔは、端子部１１の右（Ｘ）側の辺と、端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とに形成されている。
これに伴い、第９実施形態の端子部９１１と、隣接する他のリードフレームの端子部９１２とを連結する連結部９１３ａは、凹部Ｍを挟むようにして、端子部９１１、９１２の一辺に対して２箇所設けられている。
凹部Ｍ及び凸部Ｔは、図１４に示すように、端子部１１、１２を形成する辺のうち、リードフレーム９１０の外形を形成する辺であって、長手方向Ｘに直交する辺の中央部に形成されている。すなわち、凹部Ｍ及び凸部Ｔは、端子部１１の右（Ｘ）側の辺と、端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とに形成されている。
これに伴い、第９実施形態の端子部９１１と、隣接する他のリードフレームの端子部９１２とを連結する連結部９１３ａは、凹部Ｍを挟むようにして、端子部９１１、９１２の一辺に対して２箇所設けられている。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層９２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層９２０がリードフレーム９１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
特に、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部９１１、９１２を形成する辺のうち、リードフレーム９１０の外形を形成する辺であって、長手方向Ｘに直交する辺の中央部に形成されているので、リードフレーム９１０と光反射樹脂層９２０との線膨張係数の差が大きい場合に加え、ＬＥＤ素子を基板に実装した後の基板とＬＥＤ素子との線膨張差が大きい場合において、熱膨張による材料の伸びの影響が大きい長手方向における光反射樹脂層９２０とリードフレーム９１０との剥離をより効果的に抑制することができる。
特に、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部９１１、９１２を形成する辺のうち、リードフレーム９１０の外形を形成する辺であって、長手方向Ｘに直交する辺の中央部に形成されているので、リードフレーム９１０と光反射樹脂層９２０との線膨張係数の差が大きい場合に加え、ＬＥＤ素子を基板に実装した後の基板とＬＥＤ素子との線膨張差が大きい場合において、熱膨張による材料の伸びの影響が大きい長手方向における光反射樹脂層９２０とリードフレーム９１０との剥離をより効果的に抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム９１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第１０実施形態）
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。
図１５は、第１０実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１５（ａ）は、リードフレーム１０１０の平面図であり、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）は、光反射樹脂層１０２０が形成されたリードフレーム１０１０の平面図、下面図である。
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。
図１５は、第１０実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１５（ａ）は、リードフレーム１０１０の平面図であり、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）は、光反射樹脂層１０２０が形成されたリードフレーム１０１０の平面図、下面図である。
第１０実施形態のリードフレーム１０１０は、図１５に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部１０１１の外形を形成する各辺に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
これに伴い、第１０実施形態の端子部１０１１と、隣接する他のリードフレームの端子部１０１１、１０１２とを連結する連結部１０１３ｂ及び連結部１０１３ａは、凹部Ｍを挟むようにして、端子部１０１２の一辺に対して２箇所ずつ設けられる。
これに伴い、第１０実施形態の端子部１０１１と、隣接する他のリードフレームの端子部１０１１、１０１２とを連結する連結部１０１３ｂ及び連結部１０１３ａは、凹部Ｍを挟むようにして、端子部１０１２の一辺に対して２箇所ずつ設けられる。
以上より、本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
凹部Ｍ及び凸部Ｔが、ＬＥＤ素子２を載置、接続する端子部１０１１の外形を形成する各辺に設けられているので、ＬＥＤ素子２の発する熱の影響を最も受けやすい端子部１０１１から光反射樹脂層１０２０が剥離してしまうのを抑制することができる。
また、最も応力が集中しやすい光半導体装置１００１の中央部に位置する端子部１０１１の周囲に凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されることによって、その中央部における光反射樹脂層１０２０の強度を向上させることができ、光半導体装置１００１が破損するのを抑制することができる。
さらに、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム１０１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
凹部Ｍ及び凸部Ｔが、ＬＥＤ素子２を載置、接続する端子部１０１１の外形を形成する各辺に設けられているので、ＬＥＤ素子２の発する熱の影響を最も受けやすい端子部１０１１から光反射樹脂層１０２０が剥離してしまうのを抑制することができる。
また、最も応力が集中しやすい光半導体装置１００１の中央部に位置する端子部１０１１の周囲に凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されることによって、その中央部における光反射樹脂層１０２０の強度を向上させることができ、光半導体装置１００１が破損するのを抑制することができる。
さらに、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム１０１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第１１実施形態）
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。
図１６は、第１１実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１６（ａ）は、リードフレーム１１１０の平面図であり、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）は、光反射樹脂層１１２０が形成されたリードフレーム１１１０の平面図、下面図である。
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。
図１６は、第１１実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１６（ａ）は、リードフレーム１１１０の平面図であり、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）は、光反射樹脂層１１２０が形成されたリードフレーム１１１０の平面図、下面図である。
第１１実施形態のリードフレーム１１１０は、凹部Ｍに隣接して連結部１１１３が設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部１１１１、１１１２は、表面側の各角部に、端子部１１１１、１１１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と一定の距離だけ離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
連結部１１１３は、図１６に示すように、凹部Ｍに隣接するようにして、端子部１１１１、１１１２の各辺のうち、端子部１１１１、１１１２間で対向する辺を除いた辺に対して２箇所ずつ設けられている。連結部１１１３は、端子部１１１１、１１１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１１１、１１１２の表面側と同一平面内に形成されている。そのため、端子部１１１１、１１１２の裏面において、端子部１１１１、１１１２と連結部１１１３との間に段部Ｄが形成されている（図２（ｂ）、図２（ｃ）参照）。
端子部１１１１、１１１２は、表面側の各角部に、端子部１１１１、１１１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と一定の距離だけ離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
連結部１１１３は、図１６に示すように、凹部Ｍに隣接するようにして、端子部１１１１、１１１２の各辺のうち、端子部１１１１、１１１２間で対向する辺を除いた辺に対して２箇所ずつ設けられている。連結部１１１３は、端子部１１１１、１１１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１１１、１１１２の表面側と同一平面内に形成されている。そのため、端子部１１１１、１１１２の裏面において、端子部１１１１、１１１２と連結部１１１３との間に段部Ｄが形成されている（図２（ｂ）、図２（ｃ）参照）。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層１１２０を形成する樹脂が凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層１１２０がリードフレーム１１１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１１１０の端子部１１１１、１１１２間及びその周囲に樹脂を流し込んで光反射樹脂層１１２０を形成する場合に、樹脂が、各端子部の表面側にある凹部Ｍと、各端子部の裏面側に形成された連結部１１１３の段部Ｄとに流れ込むこととなり、リードフレーム１１１０を表面及び裏面から均等に、光反射樹脂層１１２０で挟むことができ、上記剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、リードフレーム１１１０の端子部１１１１、１１１２間及びその周囲に樹脂を流し込んで光反射樹脂層１１２０を形成する場合に、樹脂が、各端子部の表面側にある凹部Ｍと、各端子部の裏面側に形成された連結部１１１３の段部Ｄとに流れ込むこととなり、リードフレーム１１１０を表面及び裏面から均等に、光反射樹脂層１１２０で挟むことができ、上記剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第１２実施形態）
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。
図１７は、第１２実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１７（ａ）は、リードフレーム１２１０の平面図であり、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）は、光反射樹脂層１２２０が形成されたリードフレーム１２１０の平面図、下面図である。
第１２実施形態のリードフレーム１２１０は、凹部Ｍが、各端子部と連結部１２１３との接合部を跨ぐようにして設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。
図１７は、第１２実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１７（ａ）は、リードフレーム１２１０の平面図であり、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）は、光反射樹脂層１２２０が形成されたリードフレーム１２１０の平面図、下面図である。
第１２実施形態のリードフレーム１２１０は、凹部Ｍが、各端子部と連結部１２１３との接合部を跨ぐようにして設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層１２２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層１２２０がリードフレーム１２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍは、各端子部と連結部１２１３との接合部を跨ぐようにして形成されるので、連結部１２１３と透明樹脂層１２３０との境目から水分が浸入したとしても、凹部ＭによってＬＥＤ素子２への水分の浸入経路を長くすることができ、ＬＥＤ素子２及びその近傍への水分の浸入を抑制することができる。本実施形態の発明は、リードフレーム１２１０と透明樹脂層１２３０との接着性が弱い場合等に特に有効である。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、凹部Ｍは、各端子部と連結部１２１３との接合部を跨ぐようにして形成されるので、連結部１２１３と透明樹脂層１２３０との境目から水分が浸入したとしても、凹部ＭによってＬＥＤ素子２への水分の浸入経路を長くすることができ、ＬＥＤ素子２及びその近傍への水分の浸入を抑制することができる。本実施形態の発明は、リードフレーム１２１０と透明樹脂層１２３０との接着性が弱い場合等に特に有効である。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第１３実施形態）
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。
図１８は、第１３実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１８（ａ）は、リードフレーム１３１０の平面図であり、図１８（ｂ）、図１８（ｃ）は、光反射樹脂層１３２０が形成されたリードフレーム１３１０の平面図、下面図である。
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。
図１８は、第１３実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１８（ａ）は、リードフレーム１３１０の平面図であり、図１８（ｂ）、図１８（ｃ）は、光反射樹脂層１３２０が形成されたリードフレーム１３１０の平面図、下面図である。
第１３実施形態のリードフレーム１３１０は、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部を形成する各辺の中央部に設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
なお、端子部１３１２の左右方向Ｘに平行な辺に設けられた凹部Ｍは、上述の第１２実施形態と同様に、端子部１３１２と連結部１３１３との接合部を跨ぐようにして形成されている。
なお、端子部１３１２の左右方向Ｘに平行な辺に設けられた凹部Ｍは、上述の第１２実施形態と同様に、端子部１３１２と連結部１３１３との接合部を跨ぐようにして形成されている。
以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層１３２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層１３２０がリードフレーム１３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部を形成する各辺の中央部に設けられているので、凹部Ｍ及び凸部Ｔが各端子部の角部に設けられる場合に比べ、光反射樹脂層１３２０の樹脂の機械強度が弱く、脆い場合においても、リードフレーム１３１０と光反射樹脂層１３２０との剥離を抑制すると共に、光反射樹脂層１３２０の角部が破損してしまうのも抑制することができる。これにより、一般的に、機械強度が弱く、脆いと判断される樹脂、例えば、フィラー含有量が６０％を超えるシリコーン樹脂等を、光反射樹脂層１３２０の形成に使用することも可能である。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、連結部１３１３を跨る凹部Ｍ及び凸部Ｔ以外の凹部Ｍ及び凸部Ｔは、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部を形成する各辺の中央部に設けられているので、凹部Ｍ及び凸部Ｔが各端子部の角部に設けられる場合に比べ、光反射樹脂層１３２０の樹脂の機械強度が弱く、脆い場合においても、リードフレーム１３１０と光反射樹脂層１３２０との剥離を抑制すると共に、光反射樹脂層１３２０の角部が破損してしまうのも抑制することができる。これにより、一般的に、機械強度が弱く、脆いと判断される樹脂、例えば、フィラー含有量が６０％を超えるシリコーン樹脂等を、光反射樹脂層１３２０の形成に使用することも可能である。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、連結部１３１３を跨る凹部Ｍ及び凸部Ｔ以外の凹部Ｍ及び凸部Ｔは、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
図１９〜図２３は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、図１９に示すように、ＬＥＤ素子２が２つの端子部１４１１、１４１２を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、端子部１４１１、１４１２は、それぞれ同等の外形としてもよい。フラットタイプの場合は、ボンディングワイヤにより反射して散乱した光をパッケージ上方に制御できる反射側壁が無いが、本変形形態ではボンディングワイヤがＬＥＤ素子上に存在しないため、ＬＥＤ素子が発した光の制御が容易である。
（２）各実施形態において、連結部１３の表面が、端子部１１、１２の表面と同一平面内になるように形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、図２０に示すように、連結部１５１３の裏面が、各端子部１５１１、１５１２の裏面と同一平面内になるように形成することも可能である。こうすることで、図２０（ｃ）に示すように、各端子部の外部端子面１５１１ａ、１５１２ａと同一平面上にある連結部１５１３が、光反射樹脂層１５２０を形成したリードフレーム１５１０の側面に表出するので、光半導体装置が外部機器に実装される場合に、各外部端子面１５１１ａ、１５１２ａが外部機器と半田等の接合剤によって確実に接続されているか否かを確認することができる。
（３）各実施形態においては、各端子部１１、１２の表面にのみ、凹部Ｍと、凸部Ｔ又孔部Ｈとを設ける例を示したが、これに限定されない。例えば、図２１、図２２に示すように、凹部Ｍと、凸部Ｔ又孔部Ｈとを、各端子部の表面及び裏面に設けることも可能である。そうすることで、光反射樹脂層２０のリードフレーム１０からの剥離抑止効果をさらに向上させることができる。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図２３（ａ）に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（１８１１）にはＬＥＤ素子を実装し、他の２つ（１８１２、１８１３）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。
また、図２３（ｂ）に示すように、端子部を５つ設け、１つ（１９１１）にＬＥＤ素子２を実装し、他の２つ（１９１２、１９１３）にボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続し、残りの２つ（１９１４、１９１５）には何も接続しないようにしてもよい。さらに、図２３（ｃ）に示すように、端子部を４つ設け、１つ（２０１１）にＬＥＤ素子２を３つ実装し、残り３つの端子部（２０１２〜２０１４）のそれぞれに、各ＬＥＤ素子２をボンディングワイヤ２ａを介して接続するようにしてもよい。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、図１９に示すように、ＬＥＤ素子２が２つの端子部１４１１、１４１２を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、端子部１４１１、１４１２は、それぞれ同等の外形としてもよい。フラットタイプの場合は、ボンディングワイヤにより反射して散乱した光をパッケージ上方に制御できる反射側壁が無いが、本変形形態ではボンディングワイヤがＬＥＤ素子上に存在しないため、ＬＥＤ素子が発した光の制御が容易である。
（２）各実施形態において、連結部１３の表面が、端子部１１、１２の表面と同一平面内になるように形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、図２０に示すように、連結部１５１３の裏面が、各端子部１５１１、１５１２の裏面と同一平面内になるように形成することも可能である。こうすることで、図２０（ｃ）に示すように、各端子部の外部端子面１５１１ａ、１５１２ａと同一平面上にある連結部１５１３が、光反射樹脂層１５２０を形成したリードフレーム１５１０の側面に表出するので、光半導体装置が外部機器に実装される場合に、各外部端子面１５１１ａ、１５１２ａが外部機器と半田等の接合剤によって確実に接続されているか否かを確認することができる。
（３）各実施形態においては、各端子部１１、１２の表面にのみ、凹部Ｍと、凸部Ｔ又孔部Ｈとを設ける例を示したが、これに限定されない。例えば、図２１、図２２に示すように、凹部Ｍと、凸部Ｔ又孔部Ｈとを、各端子部の表面及び裏面に設けることも可能である。そうすることで、光反射樹脂層２０のリードフレーム１０からの剥離抑止効果をさらに向上させることができる。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図２３（ａ）に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（１８１１）にはＬＥＤ素子を実装し、他の２つ（１８１２、１８１３）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。
また、図２３（ｂ）に示すように、端子部を５つ設け、１つ（１９１１）にＬＥＤ素子２を実装し、他の２つ（１９１２、１９１３）にボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続し、残りの２つ（１９１４、１９１５）には何も接続しないようにしてもよい。さらに、図２３（ｃ）に示すように、端子部を４つ設け、１つ（２０１１）にＬＥＤ素子２を３つ実装し、残り３つの端子部（２０１２〜２０１４）のそれぞれに、各ＬＥＤ素子２をボンディングワイヤ２ａを介して接続するようにしてもよい。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、９０１、１００１、１１０１、１２０１、１３０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０、１０１０、１１１０、１２１０、１３１０ リードフレーム
１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１、８１１、９１１、１０１１、１１１１、１２１１、１３１１ 端子部
１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２、９１２、１０１２、１１１２、１２１２、１３１２ 端子部
１３ 連結部
２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、８２０、９２０、１０２０、１１２０、１２２０、１３２０ 光反射樹脂層
３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、８３０、９３０、１０３０、１１３０、１２３０、１３３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｔ 凸部
Ｈ 孔部
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０、１０１０、１１１０、１２１０、１３１０ リードフレーム
１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１、８１１、９１１、１０１１、１１１１、１２１１、１３１１ 端子部
１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２、９１２、１０１２、１１１２、１２１２、１３１２ 端子部
１３ 連結部
２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、８２０、９２０、１０２０、１１２０、１２２０、１３２０ 光反射樹脂層
３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、８３０、９３０、１０３０、１１３０、１２３０、１３３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｔ 凸部
Ｈ 孔部
Claims (9)
- 複数の端子部を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
少なくとも一つの前記端子部は、少なくとも一の角部に、前記端子部の外周側面のうち互いに交差する外周側面のそれぞれにつながる凹部が形成され、
前記凹部の内周側面と離れた位置に凸部を備え、
前記凹部は、平面視で、前記凸部を囲み、
前記凸部は、平面視で、円弧状又は円形状であること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 - 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凹部は、前記端子部間で対向する角部に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 - 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凹部は、前記端子部間で対向する側とは反対側の角部に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 - 請求項３に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凹部は、前記端子部を形成する辺のうち、当該光半導体装置用リードフレームの外形を形成し、当該光半導体装置用リードフレームの長手方向と直交する辺に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 - 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部の外周側面、前記端子部間の空間、及び、前記凹部内に形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。 - 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 - 請求項５に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項５に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 - 請求項８に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。
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