JP6172253B2 - リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置に関するものである。

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって製造される。ここで、製造された光半導体装置は、その外周が樹脂層によって覆われているため、特にその角部の強度が低くなる。そのため、光半導体装置の角部は、他の物品に接触したり、衝撃が加えられたりすることにより破損してしまう場合があった。

特開２０１１−１５１０６９号公報

本発明の課題は、光半導体装置の角部の強度を向上させることができるリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置を提供することである。

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）において、前記樹脂層の形成される領域の角部のうち少なくとも１つに、前記端子部と離間した金属補強部（Ｔ１）を備えること、を特徴とするリードフレームである。
第２の発明は、第１の発明のリードフレーム（１０）において、前記金属補強部（Ｔ１）は、前記端子部（１１、１２）よりも薄く形成されていること、を特徴とするリードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレーム（１０）において、前記金属補強部（Ｔ１）は、前記角部に対応する前記端子部（１１、１２）の角に沿うようにして形成されていること、を特徴とするリードフレームである。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのリードフレーム（１０）において、前記金属補強部（Ｔ１）は、前記端子部（１１、１２）を囲むようにして形成されること、を特徴とするリードフレームいずれかのである。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）において、前記金属補強部（Ｔ１）は、前記光半導体装置（１）の外形を画定するパッケージ領域の外形よりも内側に設けられること、を特徴とするリードフレームである。
第６の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）において、前記金属補強部（Ｔ１）は、平面視において、前記金属補強部の外縁の一部と前記光半導体装置（１）の外形を画定するパッケージ領域の外形の一部とが重なるようにして設けられること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。

第７の発明は、第１の発明から第６の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体（ＭＳ）である。
第８の発明は、第７の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記金属補強部（Ｔ１）は、接続部により前記枠体（Ｆ）に接続されていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。

第９の発明は、第１の発明から第８の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周及び前記端子部間に形成される樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームである。
第１０の発明は、第９の発明の樹脂付きリードフレームにおいて、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ａ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。

第１１の発明は、第９の発明又は第１０の発明の樹脂付きリードフレームが枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。

第１２の発明は、第９の発明又は第１０の発明に記載の樹脂付きリードフレームと、前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも１つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）と、を備える光半導体装置（１）である。

本発明によれば、リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置は、光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。

第１実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。 第１実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。 リードフレームの製造過程を説明する図である。 光半導体装置の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。 光半導体装置の他の形態を説明する図である。 第２実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。 第３実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。 第３実施形態の補強片の他の形態を示す図である。 第３実施形態の補強片の他の形態を示す図である。 第４実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。 第５実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。 第６実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。 第６実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図２（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の裏面を示す図である。図２（ｄ）は、図２（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。
図３は、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを示す図である。図３（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの全体を模式化した平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）の裏面を示す図である。図３（ｄ）は、図３（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。
図１〜図３において、リードフレームの多面付け体ＭＳ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。リードフレーム１０の外形は、略矩形状に形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置され、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。

端子部１１、１２は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面（ＸＹ平面）方向及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。

連結部１３は、図２に示すように、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、パッケージ領域の外形でダイシング（切断）される。ここで、パッケージ領域とは、光半導体装置１の１パッケージを画定する外形で囲まれた領域をいい、図２（ｂ）中の破線で示す領域をいう。なお、本実施形態のパッケージ領域は、矩形状に形成される。
連結部１３は、図２に示すように、端子部１１、１２のそれぞれに１つずつ設けられており、各端子部を、隣接する他のリードフレームの端子部に連結する。具体的には、端子部１１に設けられた連結部１３は、端子部１１とそれに隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２とを連結し、端子部１２に設けられた連結部１３は、その端子部１２とそれに隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１とを連結している。また、枠体Ｆに隣接する端子部の連結部１３については、端子部と枠体Ｆとを連結している。

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１２、１１と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、パッケージ領域の外形に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。

連結部１３は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｃ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。

補強片Ｔは、図２に示すように、各端子部１１、１２を囲むようにして形成されており、補強部Ｔ１（金属補強部）と接続部Ｔ２とから構成される。ここで、端子部１１、１２を囲むとは、空隙部Ｓを除く端子部１１、１２の外周を全て囲む場合だけでなく、空隙部Ｓを除く端子部１１、１２の外周の大部分、例えば連結部１３との連結部分を除いた端子部１１、１２の外周を囲む場合等も含むものとする。
補強部Ｔ１は、端子部１１、１２の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）のそれぞれにおいて、端子部１１、１２を挟み込むようにして形成されたコの字状の部材であり、パッケージ領域の角部、すなわち個片化された光半導体装置１の光反射樹脂層２０が形成される領域の角部に設けられている。より具体的には、補強部Ｔ１は、パッケージ領域の角部に対応する端子部の角に沿うようにして、図２（ｂ）に示すように、パッケージ領域の外形（図２（ｂ）の破線）よりも内側に形成されている。なお、パッケージ領域の角部に対応する端子部の角は、リードフレーム１０の外形を形成する端子部の角と一致するものである。
このように、補強部Ｔ１は、パッケージ領域の角部に対応する端子部の角に沿うように形成されることによって、主に光反射樹脂層２０で形成される光半導体装置１の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。

また、リードフレーム１０は、補強片Ｔが端子部１１、１２の外周を囲むようにして形成されているので、光反射樹脂層２０の樹脂で覆われる光半導体装置１の外形の温度変化による収縮を低減することができる。更には、光半導体装置の多面付け体（図６参照）から光半導体装置１を個片化する場合において、ダイシング（切断）による衝撃等により、製造される光半導体装置が歪んでしまうのを抑制することもできる。また、光半導体装置１の外部機器への実装時等における熱応力によって、光半導体装置が歪んでしまうのも抑制することができる。
また、補強片Ｔがパッケージ領域の外形（図２（ｂ）の破線）よりも内側に形成されることにより、光半導体装置１の側面から補強片Ｔの補強部Ｔ１が表出してしまうのを防ぐことができ、光半導体装置１の外観を良好に保つことができる。

また、補強部Ｔ１は、図２（ｂ）に示すように、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）に延在し、各端子部間の空隙部Ｓの延長上を横切っている。これにより、補強部Ｔ１は、リードフレーム１０に樹脂が充填された場合に、空隙部Ｓの強度を向上させることができ、光半導体装置１や樹脂付きリードフレームが空隙部Ｓで破損してしまうのを抑制する。なお、補強片Ｔは、各端子部とは直接連結されていない。

接続部Ｔ２は、端子部１１、１２の配列方向に延在する補強部Ｔ１のほぼ中央に設けられており、補強部Ｔ１を枠体Ｆに接続する。
具体的には、枠体Ｆの外周枠体部Ｆ１（後述する）に隣接する補強片Ｔは、接続部Ｔ２によってその外周枠体部Ｆ１に接続され、枠体Ｆの中間枠体部Ｆ２（後述する）に隣接する補強片Ｔは、接続部Ｔ２によってその中間枠体部Ｆ２に接続されている。

接続部Ｔ２は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置の多面付け体が形成された場合に、パッケージ領域の外形（図２（ａ）中の破線）でダイシング（切断）される。
ここで、接続部Ｔ２は、補強部Ｔ１の長手（Ｘ）方向の幅寸法が、補強部Ｔ１に比べ十分に狭い寸法（例えば、１０分の１）で形成されている。そのため、パッケージ領域の外形でダイシングする場合に、切断する金属部の加工面積を極力減らすことができ、切断加工の効率が低減してしまうのを抑制することができる。また、図１（ｂ）に示すように、製造された光半導体装置１の側面から表出する補強片Ｔの接続部Ｔ２の断面が小さくなるので、補強片Ｔは、外部から浸入する水分等の浸入経路となる金属部材と樹脂との境界を最小限にすることができ、光半導体装置１の製品の信頼性を向上させることができる。

補強片Ｔは、パッケージ領域（図２（ａ）中の破線）の上下方向及び左右方向の中心線に対して線対称に形成されている。これにより、金属から形成されるリードフレーム１０と、樹脂から形成される光反射樹脂層２０との線膨張率の差によって生じる樹脂付きリードフレームや、光半導体装置１の左右（Ｘ）方向や、上下（Ｙ）方向の伸縮や歪みをその外形寸法内で均一にすることができる。

なお、端子部１１及び端子部１２の形状の差が大きい場合（例えば、端子部１１と端子部１２の表面積の比が２：３以上大きい場合）、補強片Ｔの接続部Ｔ２は、各端子部の空隙部Ｓの延長上に設け、補強片Ｔが空隙部ＳのＸ方向及びＹ方向の中心線に対して線対称に設けられるようにしてもよい。このようにすることで、端子部の大きさが極端に相違する場合でも空隙部Ｓにおける光反射樹脂層２０の強度を向上させることができ、補強片Ｔは、空隙部Ｓにおける破損をより効率よく抑制することができる。
また、接続部Ｔ２を形成する位置は、光反射樹脂層２０を形成する樹脂の種類（樹脂の硬化後の硬さ）に応じて変更するようにしてもよい。例えば、樹脂の硬化後の硬さが所定の値（損失弾性率が１０^９Ｐａかつ貯蔵弾性率が１０^８Ｐａ）以上の場合、その樹脂は外力に対してクラックが入り易くなるため、接続部Ｔ２は、空隙部Ｓの延長上に設けられていることが望ましい。

補強片Ｔは、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く形成されている。具体的には、補強片Ｔは、その表面が各端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成され、また、その裏面が各端子部の裏面から窪むように形成されている。補強片Ｔの裏面は、連結部１３の裏面と同様の深さに窪むように形成されている。これにより、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏面にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、端子部の外周等に樹脂を流動させ易くすることができる。
また、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、補強片Ｔの裏面にも樹脂が流れ込むので、リードフレーム１０と樹脂との密着面積が増え、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。さらに、製造された光半導体装置１の裏面から、補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができ、光半導体装置１の外観を向上させることができる（図３（ｂ）参照）。

リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものである。本実施形態では、図２（ａ）に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体（キャビティ）Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右（Ｘ）方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０を多面付けした状態で固定する部材である。枠体Ｆは、集合体Ｇの外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）とは直交する方向（Ｙ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される中間枠体部Ｆ２とを備える。中間枠体部Ｆ２は、リードフレーム１０が多面付けされる集合体Ｇ内に形成されている。

外周枠体部Ｆ１は、上述したように各集合体Ｇの外周を囲んでおり、リードフレームの多面付け体ＭＳの外形を形成している。外周枠体部Ｆ１は、その厚みが、端子部１１、１２の最大の厚みとなる部分と同等の厚みを有している。
中間枠体部Ｆ２は、端子部１１、１２の配列方向に垂直な方向（Ｙ方向）に配列されるリードフレーム１０間に延在して設けられており、その両端部が外周枠体部Ｆ１に接続されている。中間枠体部Ｆ２は、パッケージ領域の外形（図２（ｂ）の破線内）の外側に形成されている。

このように中間枠体部Ｆ２が集合体Ｇ内の各リードフレーム間に設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、多面付けされたリードフレーム１０の周囲の強度を向上させることができる。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置１の製造過程におけるハンドリング等において変形したり、多面付けされるリードフレーム１０が枠体Ｆに対して捩れたり、間隔がずれたりしてしまうのを抑制することができる。

中間枠体部Ｆ２は、端子部１１、１２の厚みよりも薄く形成されている。具体的には、中間枠体部Ｆ２は、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成され、かつ、その裏面が、補強片Ｔの裏面と同一平面内に形成されている。中間枠体部Ｆ２は、光反射樹脂層２０を形成する樹脂がリードフレームの多面付け体ＭＳに充填された場合に、その裏面にも樹脂が充填されることとなるので、光反射樹脂層２０とリードフレームの多面付け体ＭＳとの密着面積を増やすことができる。これにより、光反射樹脂層２０がリードフレームの多面付け体ＭＳから剥離してしまうのを抑制することができる。

光反射樹脂層２０は、図１及び図３に示すように、リードフレーム１０の外周、すなわち各端子部１１、１２の外周側面と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面と、補強片Ｔの裏面と、中間枠体部Ｆ２の裏面とに充填された樹脂の層である。また、光反射樹脂層２０には、リードフレーム１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ２０ａが形成されている。

リフレクタ２０ａは、ＬＥＤ素子２が配置される部分、すなわち、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出している。これにより、リフレクタ２０ａは、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。また、リフレクタ２０ａは、補強片Ｔの表面上にも形成されるので、図３（ｂ）に示すように、樹脂付きリードフレームの表面から、補強片Ｔの表面が表出してしまうのを防ぎ、製造された光半導体装置１の外観を良好に保つことができる。リフレクタ２０ａは、その高さ寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の高さ寸法よりも大きい寸法で形成される。

なお、光反射樹脂層２０の裏面は、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成する。これにより、光半導体装置１の製造過程において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを搬送装置等に載置することができる。

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、光反射樹脂層２０のリフレクタ２０ａによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図４は、リードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面や、補強片Ｔの裏面、中間枠体部Ｆ２の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２と、補強片Ｔとが形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。

次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０ａ、４０ｂを除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図５は、光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。図６（ａ）は、それぞれ光半導体装置の多面付け体の全体を模式化した平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）の裏面を示す図である。図６（ｄ）は、図６（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図６（ｅ）は、図６（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、多面付けされた光半導体装置１が製造されるものとする。また、図５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）の断面図に基づくものである。

図５（ａ）に示すように、エッチング加工により金属基板１００から形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０の外周等に、上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面、補強片Ｔの裏面、中間枠体部Ｆ２の裏面へと流れ込み、リードフレームの多面付け体ＭＳと光反射樹脂層２０とを接合している。

また、光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の表面側にリフレクタ２０ａが各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むように形成される。これにより、光反射樹脂層２０を形成したリードフレームの多面付け体ＭＳの表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図３（ｂ）、図３（ｃ）参照）。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。

次に、図５（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。

そして、図５（ｃ）に示すように、リフレクタ２０ａに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。ここで、透明樹脂層３０は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図５（ｄ）に示すように、パッケージ領域（図６（ｂ）の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。

図７は、光半導体装置１の他の形態を説明する図である。
図７（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図７（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図７（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、リードフレーム１０の表面にリフレクタ２０ａが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、図７に示すように、リフレクタ２０ａを有さず、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置１に適用してもよい。
ここで、補強片Ｔは、その表面が端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪むように形成してもよい。こうすることにより、図７（ａ）に示すように、光半導体装置１の表面及び裏面から補強片Ｔが視認されないようすることができ、光半導体装置１の外観を良好に維持することができる。

以上より、本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、光反射樹脂層２０が形成される領域（パッケージ領域）の角部であって、その角部に対応する各端子部の角に沿うようにして形成された補強片Ｔを備えているので、光半導体装置１の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
（２）リードフレーム１０は、補強部Ｔ１が端子部１１、１２よりも薄く形成されているので、リードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成した場合に光反射樹脂層２０の裏面から補強部Ｔ１が表出するのを防ぐことができる。これにより、光半導体装置１を外部機器に接続する場合に、半田が補強部Ｔ１に付着してしまうのを防ぐことができる。
（３）リードフレーム１０は、補強片Ｔが端子部１１、１２の外周を囲むようにして形成されているので、光半導体装置１の外形の温度変化による収縮や伸びを低減することができる。更に、光半導体装置の多面付け体（図６参照）から光半導体装置１を個片化する場合において、ダイシング（切断）による衝撃等により、製造される光半導体装置が歪んでしまうのを抑制することもできる。また、光半導体装置１の外部機器への実装時等における熱応力によって、光半導体装置が歪んでしまうのも抑制することができる。
（４）補強片Ｔは、補強部Ｔ１がパッケージ領域の外形（図２（ｂ）の破線）よりも内側に設けられるので、リードフレームの多面付け体ＭＳに樹脂が充填され光反射樹脂層２０が形成された場合に、補強片Ｔが、光半導体装置１の側面から表出する表出面積を最小限にすることができる。これにより、光半導体装置１の外観を良好に保つとともに、水分等が光半導体装置１の内部に浸入する経路を減らすことができ、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを抑制することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態の枠体Ｆに多面付けされたリードフレーム２１０を示す図である。図８（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図２（ｂ）に対応する図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）の裏面を示す図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態のリードフレーム２１０は、１つのリードフレーム２１０に対して異なる形状の補強片Ｔが３つ設けられている点と、端子部２１１に連結部２１３が２つ設けられている点で、第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。

端子部２１１に設けられた連結部２１３は、端子部２１１と、それに隣接する他のリードフレームの端子部２１２とを連結し、端子部２１２に設けられた連結部２１３は、端子部２１２と、それに隣接する他のリードフレームの端子部２１１とを連結している。なお、枠体Ｆに隣接する端子部の連結部２１３は、その端子部と枠体Ｆとを連結している。
より具体的には、端子部２１１に設けられた連結部２１３は、端子部２１１に対して２つ設けられており、端子部２１１の左側（−Ｘ側）と上側（＋Ｙ側）とにそれぞれ設けられている。端子部２１１の左側の連結部２１３は、端子部２１１の左側に隣接する他のリードフレームの端子部２１２又は外周枠体部Ｆ１に接続される。端子部２１１の上側の連結部２１３は、その端子部２１１の上側に隣接する外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２に接続される。

端子部２１２に設けられた連結部２１３は、端子部２１２の右側（＋Ｘ側）に１つ設けられる。この連結部２１３は、端子部２１２の右側に隣接する他のリードフレームの端子部２１１又は外周枠体部Ｆ１に接続される。
上述のように、端子部２１１に設けられた連結部２１３は、端子部２１１に対して２つ設けられており、Ｘ方向だけでなくＹ方向からも枠体Ｆに連結している。そのため、連結部２１３は、外形が大きく形成された端子部２１１（ダイパッド）を枠体Ｆに対してより強固に連結することができる。

補強片Ｔは、各端子部２１１、２１２の外周を囲むようにして３つ設けられており、そのそれぞれがパッケージ領域（図８（ａ）中の破線）の角部に対応する各端子部の角に沿うようにして形成されている。具体的には、リードフレーム２１０の上側（＋Ｙ側）には、端子部２１１の上端部を連結する連結部２１３を境にして２つの補強片Ｔａ及び補強片Ｔｂが設けられている。補強片Ｔａは、端子部２１１の左上側の角に沿うようにして形成され、補強片Ｔｂは、各端子部間の空隙部Ｓの上側の延長上を横切り、かつ、端子部２１２の右上側の角に沿うようにして形成される。
また、リードフレーム２１０の下側（−Ｙ側）には、補強片Ｔｃが設けられている。補強片Ｔｃは、各端子部を挟み込むようにコの字状に形成されており、空隙部Ｓの延長上を横切り、かつ、端子部２１１の左下側の角と端子部２１２の右下側の角とに沿うように形成される。
補強片Ｔａ及び補強片Ｔｂは、Ｌ字状に形成された補強部Ｔａ１、Ｔｂ１と、その補強部を枠体Ｆに接続する接続部Ｔａ２、Ｔｂ２とからそれぞれ構成されている。
補強片Ｔｃは、上述したように、コの字状に形成された補強部Ｔｃ１と、その補強部を枠体Ｆに接続する接続部Ｔｃ２とから構成される。

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレーム２１０の上側の補強片Ｔが左右２つ（補強片Ｔａ、Ｔｂ）に分離されているので、端子部２１１を２つの連結部２１３により連結することができる。これにより、外形が大きく形成された端子部２１１の連結強度を向上させることができ、リードフレームの多面付け体のハンドリング時等において、端子部２１１が枠体Ｆに対して変形したり、外れたりするのを抑制することができる。
更に、リードフレームの多面付け体ＭＳは、補強片Ｔｂ及び補強片Ｔｃが、各端子部間の空隙部Ｓの延長上を横切るように形成されているので、製造された光半導体装置の空隙部Ｓの強度を向上させることができる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図９（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を示す図であり、図２（ｂ）に対応する図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）の裏面を示す図である。

第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体Ｆの形態及び補強片Ｔの形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
枠体Ｆは、図９に示すように、リードフレーム１０を多面付けした状態で固定する部材である。枠体Ｆは、集合体の外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、端子部３１１、３１２の配列方向（Ｘ方向）とは直交する方向（Ｙ方向）に配列する各リードフレーム３１０間に形成される中間枠体部Ｆ２と、端子部３１１、３１２の配列方向と平行な方向に配列する各リードフレーム３１０間に形成される中間枠体部Ｆ３とを備える。
中間枠体部Ｆ３は、中間枠体部Ｆ２と同様に、その表面が端子部３１１、３１２の表面と同一平面内に形成され、かつ、その裏面が、補強片Ｔの裏面と同一平面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層とリードフレームの多面付け体ＭＳとの密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層がリードフレームの多面付け体ＭＳから剥離してしまうのを抑制することができる。
なお、中間枠体部Ｆ２及び中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域の外形の外側に形成される。

連結部３１３は、各端子部３１１、３１２の互いに向かい合う辺を除いた辺上に設けられている。すなわち、端子部３１１、３１２は、それぞれ３つの連結部３１３により枠体Ｆに連結されている。
リードフレーム３１０は、パッケージ領域（図９（ａ）の破線）の角部に対応する各端子部の角のそれぞれに沿うようにして分離した４つの補強片Ｔａ〜Ｔｄが形成されている。すなわち、補強片Ｔａは、リードフレーム３１０の左上側（−Ｘ側であって＋Ｙ側）に設けられており、補強片Ｔｂは、リードフレーム３１０の右上側（＋Ｘ側であって＋Ｙ側）に設けられている。また、補強片Ｔｃは、リードフレーム３１０の左下側（−Ｘ側であって−Ｙ側）に設けられており、補強片Ｔｄは、リードフレーム３１０の右下側（＋Ｘ側であって−Ｙ側）に設けられている。
各補強片Ｔａ〜Ｔｄは、パッケージ領域の角部に対応する各端子部の角に沿うようにして形成されるＬ字状の補強部Ｔａ１〜ｔｄ１と、各補強部を枠体Ｆに接続する接続部Ｔａ２〜Ｔｄ２とから構成される。

ここで、各補強片Ｔａ〜Ｔｄは、パッケージ領域（図９（ａ）の破線）の中心点に対して点対称に形成されている。具体的には、補強片Ｔａは、リードフレーム１０の上側（＋Ｙ側）において、接続部Ｔａ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２と接続されている。また、補強片Ｔｂは、リードフレーム１０の右側（＋Ｘ側）において、接続部Ｔｂ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ３に接続されている。補強片Ｔｃは、リードフレーム１０の左側（−Ｘ側）において、接続部Ｔｃ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ３に接続されている。補強片Ｔｄは、リードフレーム１０の下側（−Ｙ側）において、接続部Ｔｄ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２に接続されている。

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様に、光半導体装置の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
また、補強片Ｔがパッケージ領域の外形よりも内側に設けられるので、補強片Ｔが、光半導体装置の側面から表出する表出面積を最小限にすることができる。これにより、光半導体装置の外観を良好に保つとともに、水分等が光半導体装置の内部に浸入する経路を減らすことができ、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを抑制することができる。
更に、リードフレームの多面付け体ＭＳは、補強片Ｔをパッケージ領域の中心に対して点対称に形成するので、光半導体装置１の収縮や伸びを平面（ＸＹ平面）方向に均一にすることができる。
また、パッケージ領域の各角部に、分離した４つの補強片Ｔａ〜Ｔｄを設けているので、端子部３１１、３１２に設けられる連結部３１３の数を増やすことができる。これにより、枠体Ｆにする各端子部３１１、３１１の連結強度を向上させることができ、リードフレームの多面付け体ＭＳのハンドリング時等において、各端子部が枠体Ｆに対して変形したり、外れたりするのを抑制することができる。

図１０及び図１１は、第３実施形態の補強片Ｔの他の形態を示す図である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１の各図は、図９（ａ）に対応する図である。
上述の説明では、パッケージ領域の各角部に設けられた補強片は、パッケージ領域の中心に対して点対称に設けられる例で説明したが、これに限定されない。例えば、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、パッケージ領域の外形を形成する辺の中心線に対して線対称に設けるようにしてもよい。
具体的には、図１０（ａ）に示すように、補強片Ｔａ、Ｔｂを、リードフレーム４１０の上側（＋Ｙ側）において、それぞれ接続部Ｔａ２、Ｔｂ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２と接続し、また、補強片Ｔｃ、Ｔｄを、リードフレーム４１０の下側（−Ｙ側）において、それぞれ接続部Ｔｃ２、Ｔｄ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２と接続するようにしてもよい。

また、図１０（ｂ）に示すように、補強片Ｔａ、Ｔｃを、リードフレーム５１０の左側（−Ｘ側）において、それぞれ接続部Ｔａ２、Ｔｃ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ３と接続し、また、補強片Ｔｂ、Ｔｄを、リードフレーム５１０の右側（＋Ｘ側）において、それぞれ接続部Ｔｂ２、Ｔｄ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ３と接続するようにしてもよい。

上述の他の形態のように、各補強片Ｔがパッケージ領域の外形を形成する辺の中心線に対して線対称に設けられることにより、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置の上下（Ｙ）方向、左右（Ｘ）方向の伸縮を均一にすることができる。
また、上述の説明と同様に、リードフレームは、第３実施形態のリードフレームと同様の効果を奏することができる。

また、上述の他の形態の他に、図１１に示すように、リードフレーム６１０は、Ｌ字状に形成された補強部Ｔａ１〜Ｔｄ２の外側の角部に接続部Ｔａ２〜Ｔｄ２を設けるようにしてもよい。ここで、接続部Ｔａ２〜Ｔｄ２は、パッケージ領域の外形（図１１の破線）を形成する辺に対して、例えば４５度傾斜するように形成され、枠体Ｆに接続される。
これにより、各補強片Ｔａ〜Ｔｄは、パッケージ領域の中心に対して点対称となるので、上述の第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと同様の効果を奏することができる。また、光半導体装置が多面付け体から個片化された場合において、光半導体装置の角部には、各補強片の接続部Ｔａ２〜Ｔｄ２の断面が表出するので、光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１２は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図であり、図２（ｂ）に対応する図である。
第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、端子部４１１、４１２の形態と、補強片Ｔの形態とが、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと主に相違する。
枠体Ｆは、図１２に示すように、リードフレーム７１０を多面付けした状態で固定する部材である。枠体Ｆは、多面付けされるリードフレームの端子部４１１、４１２の外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、上下方向（Ｙ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される中間枠体部Ｆ２と、左右方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される中間枠体部Ｆ３とを備える。

リードフレーム７１０は、端子部７１１と、その端子部７１１の周囲に配置された５つの端子部７１２とを備える。
端子部７１１は、Ｌ字状に形成された端子であり、端子部７１２に比してその外形が大きく形成されている。
端子部７１２は、それぞれが矩形状に形成された端子であり、Ｌ字状に形成された端子部７１１の上側に２つ、下側に３つ設けられている。
端子部７１１は、隣接する各端子部７１２との間に空隙部が形成されており、電気的に独立している。また、各端子部７１２は、隣接する他の端子部７１２との間にも空隙部が形成されており、電気的に独立している。

連結部７１３は、端子部７１１、７１２を枠体Ｆに連結する部材である。
端子部７１１に設けられた連結部７１３は、１つの端子部７１１に対し３つ設けられており、その１つは、端子部７１１の上端部を外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２に連結し、残り２つがそれぞれ端子部７１１の左右両端部を外周枠体部Ｆ１及び又は中間枠体部Ｆ３に連結する。
端子部７１２に設けられた連結部７１３は、各端子部７１２に対して１つずつ設けられており、端子部７１２の上端部又は下端部を外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２に連結する。

補強片Ｔは、パッケージ領域の角部に対応する各端子部の角のそれぞれに沿うようにして設けられている。すなわち、補強片Ｔａは、リードフレーム７１０の左上側に設けられており、補強片Ｔｂは、リードフレーム７１０の右上側に設けられている。また、補強片Ｔｃは、リードフレーム７１０の左下側に設けられており、補強片Ｔｄは、リードフレーム７１０の右下側に設けられている。また、各補強片Ｔは、パッケージ領域の外形（図１２の破線）よりも内側に形成されている。
各補強片Ｔａ〜Ｔｄは、パッケージ領域の角部に対応する各端子部の角に沿うようにして形成されたＬ字状の補強部Ｔａ１〜Ｔｄ１と、各補強部を枠体Ｆに接続する接続部Ｔａ２〜Ｔｄ２とから構成される。ここで、各補強片Ｔａ〜Ｔｄは、パッケージ領域（図１２の破線）を形成する辺の中心線に対して線対称に設けられている。具体的には、補強片Ｔａ、Ｔｃを、リードフレーム７１０の左側（−Ｘ側）において、それぞれ接続部Ｔａ２、Ｔｃ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ３と接続し、また、補強片Ｔｂ、Ｔｄを、リードフレーム７１０の右側（＋Ｘ側）において、それぞれ接続部Ｔｂ２、Ｔｄ２により外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ３と接続している。

以上より、本実施形態のリードフレーム７１０は、端子部が３つ以上設けられている場合においても、上述の第１実施形態と同様に、光半導体装置の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
また、補強片Ｔがパッケージ領域の外形よりも内側に設けられるので、補強片Ｔが、光半導体装置の側面から表出する表出面積を最小限にすることができる。これにより、光半導体装置の外観を良好に保つとともに、水分等が光半導体装置の内部に浸入する経路を減らすことができ、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを抑制することができる。
更に、リードフレーム７１０は、各補強片Ｔがパッケージ領域の外形を形成する辺の中心線に対して線対称に設けられることにより、光半導体装置の上下（Ｙ）方向、左右（Ｘ）方向の温度変化等による伸縮を均一にすることができる。

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１３は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１３（ａ）は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を示す図であり、図２（ｂ）に対応する図である。図１３（ｂ）〜図１３（ｄ）は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの補強片Ｔの他の形態を示す図である。なお、図１３（ｂ）〜図１３（ｄ）は、それぞれ図１３（ａ）のｂ部詳細に対応する図である。

第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、補強片Ｔの形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと主に相違する。
連結部８１３は、端子部８１１、８１２の互いに向かい合う辺を除いた辺に設けられており、各端子部を枠体Ｆに連結する。
補強片Ｔは、パッケージ領域（図１３（ａ）の破線）の角部に設けられており、補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１を枠体Ｆに接続する接続部Ｔ２とから構成されている。また、補強片Ｔは、パッケージ領域の外形よりも内側に形成されている。
補強部Ｔ１は、円形状又は略円形状に形成されており、パッケージ領域の上側又は下側において、接続部Ｔ２によって枠体Ｆに接続される。

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様に、光半導体装置１の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
また、補強片Ｔがパッケージ領域の外形よりも内側に設けられるので、補強片Ｔが、光半導体装置の側面から表出する表出面積を最小限にすることができる。これにより、光半導体装置の外観を良好に保つとともに、水分等が光半導体装置の内部に浸入する経路を減らすことができ、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを抑制することができる。

更に、補強片Ｔの補強部Ｔ１が円形状又は略円形状に形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに樹脂が充填される場合に、樹脂の充填をより容易にすることができる。
また、パッケージ領域の各角部に４つの補強片Ｔを設けているので、各端子部８１１、８１２に設けられる連結部８１３の数を増やすことができる。これにより、枠体Ｆにする各端子部８１１、８１１の連結強度を向上させることができ、リードフレームの多面付け体ＭＳのハンドリング時等において、各端子部が枠体Ｆに対して変形したり、外れたりするのを抑制することができる。

上述の説明では、リードフレーム８１０に設けられた補強部Ｔ１は、円形状又は略円形状に形成される例を示したがこれに限定されるものでない。例えば、図１３（ｂ）〜１３（ｄ）に示すように、補強部Ｔ１は、半円状や、矩形状、三角形状等に形成してもよい。このような形状としても、上述の第５実施形態のリードフレームと同様の効果を奏することができる。

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１４は、第６実施形態の枠体Ｆに多面付けされたリードフレーム９１０を示す図である。図１４（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳを説明する図であり、図２（ｂ）に対応する図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の裏面を示す図である。
図１５は、第６実施形態の光半導体装置９０１の全体構成を示す図である。図１５（ａ）は、光半導体装置９０１の平面図を示し、図１５（ｂ）は、光半導体装置９０１の側面図を示し、図１５（ｃ）は、光半導体装置９０１の裏面図を示す。図１５（ｄ）は、図１５（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。

第６実施形態のリードフレーム９１０は、補強片Ｔがパッケージ領域の外形（図１４（ａ）の破線）に接するようにして形成されている、すなわち、平面視において、補強片Ｔの外縁の一部とパッケージ領域の外形の一部とが重なっている点で、第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
補強片Ｔは、図１４に示すように、端子部１１、１２の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）のそれぞれにおいて、端子部１１、１２を挟み込むようにして形成されたコの字状の部材であり、パッケージ領域の角部に対応する各端子部の角に沿うようにして形成される。補強部Ｔ１は、図１４（ａ）に示すように、その外縁の一部が、パッケージ領域の外形（図１４（ａ）の破線）の一部に重なるようにして形成されている。

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様に、光半導体装置９０１の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、補強片Ｔが端子部９１１、９１２の外周を囲むようにして形成されているので、光半導体装置９０１の外形の温度変化による収縮や伸びを低減することができる。更に、光半導体装置の多面付け体（図６参照）から光半導体装置９０１を個片化する場合において、ダイシング（切断）による衝撃等により、製造される光半導体装置が歪んでしまうのを抑制することもできる。また、光半導体装置９０１の外部機器への実装時等における熱応力によって、光半導体装置が歪んでしまうのも抑制することができる。
更に、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、補強片Ｔの外縁の一部がパッケージ領域の外形の一部に重なるように形成されているので、多面付け体の状態から光半導体装置が個片化された場合に、図１５に示すように、光半導体装置９０１の側面に補強部Ｔ１が表出することとなる。これにより、光半導体装置９０１の外形を形成する角部を含む側面部の強度を、上述の実施形態に比して更に向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。

（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳは、パッケージ領域の外形を形成する４つの角部の全てに補強片Ｔを設ける例を示したが、これに限定されるものでない。補強片Ｔの数は、光半導体装置の用途や、ＬＥＤ素子２の配置等の設計上の事情などに応じて適宜変更することができ、例えば４つの角部のうち少なくとも１つに設けるようにしてもよい。
（２）各実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳは、パッケージ領域（光半導体装置の外形）が矩形状に形成される例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、パッケージ領域は、その外形が矩形以外の多角形に形成されていてもよく、補強片Ｔは、その外形に応じて適宜増減して設けるようにしてもよい。

（３）第６実施形態において、第１実施形態と同様の形態の補強片Ｔの外縁の一部が、パッケージ領域の外形の一部に重なるように形成される例を示したが、これに限定されるものでなく、他の実施形態に示した補強片Ｔの外縁の一部をパッケージ領域の外形の一部に重なるように形成してもよい。
（４）各実施形態（第４実施形態を除く）においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子を実装し、他の２つにはボンディングワイヤを介してＬＥＤ素子と接続してもよい。

（５）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ リフレクタ
３０ 透明樹脂層
Ｆ 枠体
Ｆ１ 外周枠体部
Ｆ２ 中間枠体部
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Ｔ 補強片
Ｔ１ 補強部
Ｔ２ 接続部

Claims (11)

1. 光半導体素子が載置されるダイパッドと、端子部とを有し、光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
   樹脂層の形成される領域の角部のうち少なくとも１つに、前記ダイパッド及び前記端子部と離間した金属補強部を備え、
   前記金属補強部は、前記ダイパッド及び前記端子部よりも薄く形成されていること、
   を特徴とするリードフレーム。
2. 光半導体素子が載置されるダイパッドと、端子部とを有し、光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
   樹脂層の形成される領域の角部のうち少なくとも１つに、前記ダイパッド及び前記端子部と離間した金属補強部を備え、
   前記金属補強部は、前記ダイパッド及び前記端子部の角に沿うようにして形成されていること、
   を特徴とするリードフレーム。
3. 光半導体素子が載置されるダイパッドと、端子部とを有し、光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
   樹脂層の形成される領域の角部のうち少なくとも１つに、前記ダイパッド及び前記端子部と離間した金属補強部を備え、
   前記金属補強部は、前記ダイパッド及び前記端子部を囲むようにして形成されること、
   を特徴とするリードフレーム。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、
   前記金属補強部は、前記光半導体装置の外形を画定するパッケージ領域の外形よりも内側に設けられること、
   を特徴とするリードフレーム。
5. 光半導体素子が載置されるダイパッドと、端子部とを有し、光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
   樹脂層の形成される領域の角部のうち少なくとも１つに、前記ダイパッド及び前記端子部と離間した金属補強部を備え、
   前記金属補強部は、平面視において、前記金属補強部の外縁の一部と前記光半導体装置の外形を画定するパッケージ領域の外形の一部とが重なるようにして設けられること、
   を特徴とするリードフレーム。
6. 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のリードフレームが枠体に多面付けされていること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
7. 請求項６に記載のリードフレームの多面付け体において、
   前記金属補強部は、接続部により前記枠体に接続されていること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
8. 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のリードフレームと、
   前記リードフレームの前記ダイパッド及び前記端子部の外周、及び、前記ダイパッドと前記端子部との間に形成される樹脂層と、
   を備える樹脂付きリードフレーム。
9. 請求項８に記載の樹脂付きリードフレームにおいて、
   前記樹脂層は、前記リードフレームの光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
   を特徴とする樹脂付きリードフレーム。
10. 請求項８又は請求項９に記載の樹脂付きリードフレームが枠体に多面付けされていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
11. 請求項８又は請求項９に記載の樹脂付きリードフレームと、
    前記ダイパッドに載置される光半導体素子と、
    前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が載置される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層と、
    を備える光半導体装置。

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