JP6136345B2 - 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents

樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 Download PDF

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Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、LED素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた2つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた(例えば、特許文献1)。
このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム(リードフレームの多面付け体)に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、光半導体装置の製造過程において、樹脂層が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体は、光半導体素子の接続等の次の工程に備えて複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納される場合がある。この収納ケースは、多種多様の樹脂付きリードフレームの多面付け体に対応するため、収納される各樹脂付きリードフレームの多面付け体の収納間隔が広く設定されている。そのため、収納ケースの全体形状に対して、収納される樹脂付きリードフレームの多面付け体の枚数が限定されてしまい、収納効率が低いという問題を生じていた。
そこで、収納効率を向上するために、収納ケースを使用せずに樹脂付きリードフレームの多面付け体を複数枚、直接重ねて保管することが考えられる。しかし、この場合、樹脂付きリードフレームの多面付け体の表裏面が、他の樹脂付きリードフレームの多面付け体と接触してしまい、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製品部分となる端子部や、端子部の周囲に形成される樹脂部を汚損したり、傷つけたりしてしまう場合があった。
特開2011−151069号公報
本発明の課題は、直接重ねても製品となる部分の破損や汚損を防ぐことができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第1の発明は、複数の端子部(11、12)を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子(2)が接続される光半導体装置(1)に用いられるリードフレーム(10)が枠体(F)に多面付けされたリードフレームの多面付け体(MS)と、前記リードフレームの外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部(20a)と、前記枠体の少なくとも一方の面において、前記枠体の外形を形成し互いに対向する辺上の少なくとも一部に突出して形成される突出樹脂部(20b)とを有する樹脂層(20)と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第2の発明は、第1の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記リードフレームの多面付け体(MS)は、複数の前記リードフレーム(10)を連結した集合体(G)を複数組、前記枠体(F)に連結しており、前記突出樹脂部(20b)は、前記枠体上における前記集合体の外周縁の少なくとも一部に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第3の発明は、第2の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記突出樹脂部(420b)は、前記集合体(G)を囲むようにして形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第4の発明は、第2の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記突出樹脂部(520b)は、前記集合体(G)の外周縁の四隅に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第5の発明は、第1の発明から第4の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記突出樹脂部(520b)は、前記枠体(F)の四隅に形成されていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第6の発明は、第1の発明から第5の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記樹脂層(620)は、前記リードフレーム(10)の前記光半導体素子(2)が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部(620c)を有し、前記突出樹脂部(620b)は、その高さ寸法が、前記リフレクタ樹脂部の高さよりも大きい寸法で形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第7の発明は、第6の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記突出樹脂部(720b)は、前記枠体(F)の前記リフレクタ樹脂部(720c)とは反対側の面に形成されていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第8の発明は、第1の発明から第7の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記突出樹脂部(20b)は、前記樹脂層(20)を形成するときに前記リードフレーム(10)に樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第9の発明は、第1の発明から第8の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム(10)の前記端子部(11、12)のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子(2)と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層(30)とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体は、直接重ねても製品となる部分の破損や汚損を防ぐことができる。
第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。 第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。 第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。 第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを積層する場合の図である。 第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。 第1実施形態の光半導体装置1の多面付け体を示す図である。 第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。 トランスファ成形の概略を説明する図である。 インジェクション成形の概略を説明する図である。 第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第4実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第5実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第6実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第6実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 第7実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。 第7実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 変形形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを示す図である。
(第1実施形態)
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)は、光半導体装置1の平面図を示し、図1(b)は、光半導体装置1の側面図を示し、図1(c)は、光半導体装置1の裏面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。
図3は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。図3(a)、図3(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。
図5は、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。図5(a)、図5(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図5(c)、図5(d)は、それぞれ図5(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
図6は、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを積層する場合の図である。図6(a)は、本発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを積層する場合の図であり、図6(b)、図6(c)、図6(d)は、従来行われていた樹脂付きリードフレームを積層する場合を説明する図である。
各図において、光半導体装置1の平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
光半導体装置1は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したLED素子2が発光する照明装置である。光半導体装置1は、図1に示すように、LED素子2(光半導体素子)、リードフレーム10、光反射樹脂層20(樹脂層)、透明樹脂層30を備える。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図4参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム10は、一対の端子部、すなわち、LED素子2が載置、接続される端子部11と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部12とから構成される。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図3に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅版)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部11は、図1に示すように、その表面にLED素子2が載置、接続されるLED端子面11aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面11bが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部11は、LED素子2が載置されるため、端子部12に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図7(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部11、12は、図3に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Mが設けられている。
凹部Mは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部11、12の厚みの1/3〜2/3程度に形成されている。
リードフレーム10は、端子部11、12の周囲や、端子部11、12間の空隙部S等に、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填される場合に、図5に示すように、凹部Mにも樹脂が充填され、光反射樹脂層20と各端子部11、12との接触面積を大きくしている。また、厚み(Z)方向において、リードフレーム10と光反射樹脂層20とを交互に構成することができる。これにより、凹部Mは、光反射樹脂層20が、平面方向(X方向、Y方向)及び厚み方向において、リードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部13は、枠体F内に多面付けされた各リードフレーム10の端子部11、12を、隣接する他のリードフレーム10の端子部や、枠体Fに連結している。連結部13は、多面付けされた各リードフレーム10上にLED素子2等が搭載され、光半導体装置1の多面付け体(図7参照)が形成された場合に、リードフレーム10を形成する外形線(図3(a)及び図3(b)中の破線)でダイシング(切断)される。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、端子部11、12が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部13aは、図3(a)に示すように、端子部12の右(+X)側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の左(−X)側の辺とを接続し、また、端子部11の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の右側の辺とを接続している。枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13aは、端子部11の左側の辺又は端子部12の右側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13bは、端子部11の上(+Y)側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下(−Y)側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部11に対しては、連結部13bは、端子部11の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13d(補強部)は、端子部11及び端子部12間の空隙部Sの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Sの延長上とは、空隙部Sを上下(Y)方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部13dは、一の端子部(12、11)と、その端子部の空隙部Sを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部(11、12)とを連結するために、端子部11の上側の辺及び端子部12の下側の辺に対して、傾斜(例えば、45度)した形状に形成される。
具体的には、連結部13dは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。また、枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13dは、端子部12の上側の辺又は端子部11の下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13dが設けられることによって、リードフレームの多面付け体MSは、光反射樹脂層20を形成する工程において、端子部11と端子部12との間隔がずれたり、各端子部11、12が枠体Fに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部13dは、光半導体装置1の空隙部Sの強度を向上させることができ、空隙部Sにおいて破損してしまうのを抑制することができる。
なお、端子部11、12は、連結部13によって、隣り合う他のリードフレーム10の端子部11、12と電気的に導通されるが、光半導体装置1の多面付け体を形成した後に、光半導体装置1(リードフレーム10)の外形(図3(a)の破線)に合わせて各連結部13を切断(ダイシング)することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部13は、図3(b)、図3(c)に示すように、端子部11、12の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部11、12の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部13は、その裏面が、各端子部11、12の凹部Mの底面(窪んだ部分)と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層20の樹脂が充填された場合に、図5(b)、図5(c)に示すように、連結部13の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図5(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体MSは、上述のリードフレーム10を枠体F内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図2及び図3に示すように、縦横に複数個、連結部13によって連結されたリードフレーム10の集合体Gを、複数組(本実施形態では4組)、左右方向に配列させて枠体F内に形成したものである。
枠体Fは、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。
光反射樹脂層20は、図4及び図5に示すように、フレーム樹脂部20aと、突出樹脂部20bとから構成される。
フレーム樹脂部20aは、端子部11、12の外周側面(リードフレーム10の外周及び空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた凹部Mや、連結部13の裏面にも形成される。フレーム樹脂部20aは、リードフレーム10の厚みとほぼ同等の厚みに形成されている。
突出樹脂部20bは、枠体Fの表面において、互いに対向する長手方向の辺(長辺)に沿って集合体G毎に分けて突出するように形成された直方体状の樹脂部である。突出樹脂部20bは、図6(a)に示すように、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが複数枚重ねられた場合に、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分(図5(a)中の破線内)が他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと接触してしまうのを回避する。
ここで、樹脂付きリードフレームの多面付け体は、図6(d)に示すように、複数枚、所定の間隔で積層して収納ケース50に収納される場合があるが、この場合、収納ケース50の全体形状に対して、収納される樹脂付きリードフレームの多面付け体R4の枚数が限定されてしまい、収納効率が低くなるという問題を生じていた。
そのため、収納効率を向上するために、収納ケースを使用せずに樹脂付きリードフレームの多面付け体を複数枚、直接重ねて保管することが考えられる。しかし、突出樹脂部20bが形成されていない樹脂付きリードフレームの多面付け体を積層させた場合、すなわち、図6(b)に示すように、樹脂付きリードフレームの多面付け体R2を積層させた場合、樹脂付きリードフレームの多面付け体R2の表裏面には、他の樹脂付きリードフレームの多面付け体R2が積層されることとなる。
この場合、各樹脂付きリードフレームの多面付け体R2の端子部やフレーム樹脂部の表裏面等の製品となる部分も、他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと接触することとなるため、この製品となる部分が、汚損したり傷ついたりする問題を生じる。
また、図6(c)に示すように、ゲートのみが表面に残存する樹脂付きリードフレームの多面付け体R3を積層した場合、上述の問題に加え、この積層体のゲートが存在する部分のみが厚くなってしまい、安定して樹脂付きリードフレームの多面付け体を積層することができないという問題も生じる。
これに対し、本発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、上述したように突出樹脂部20bが設けられているので、図6(a)に示すように、突出樹脂部20b上に他の樹脂付きリードフレームRを積層させることができる。これにより、積層される樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの互いに接触する部分は、突出樹脂部20bの上面と、枠体Fの裏面の突出樹脂部20bと対応する面となる。そのため、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、複数枚、直接積層されたとしても、リードフレーム10の端子部11、12や、フレーム樹脂部20aの表裏面等の製品となる部分が汚損されたり、傷ついたりするのを防ぐことができる。
また、突出樹脂部20bによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを安定して積層することができる。更に、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、突出樹脂部20bを設けることにより、収納ケース50を使用することなく直接積層することができ、製造した樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの収納効率を向上することができる。
突出樹脂部20bは、その一部がフレーム樹脂部20aと連結しており、リードフレームの多面付け体MSに樹脂が充填された場合に、フレーム樹脂部20aとともに形成される。
ここで、互いに対向する長辺に設けられた突出樹脂部20bのうちの一方(本実施形態では下辺側)の突出樹脂部20bは、金型内に配置されたリードフレームの多面付け体MSに、光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねている。これにより、樹脂の充填後に不要となるゲート部の樹脂を有効活用することができる。
光反射樹脂層20は、リードフレーム10に載置されるLED素子2の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
透明樹脂層30は、リードフレーム10上に載置されたLED素子2を保護するとともに、発光したLED素子2の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層30は、図1に示すように、光反射樹脂層20のフレーム樹脂部20a及びLED端子面11a、12a上に形成される。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、リードフレーム10の製造方法について説明する。
図7は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図7(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図7(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図7(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図7(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図7(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
なお、図7においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
リードフレーム10の製造において、金属基板100を加工してリードフレーム10を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム10の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板100を用意し、図7(a)に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン40a、40bを形成する。なお、レジストパターン40a、40bの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図7(b)に示すように、レジストパターン40a、40bを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム10には、端子部11、12の外周部や、各端子部11、12間の空隙部Sのように貫通した空間と、凹部Mや、連結部13の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する(図3参照)。本実施形態では、金属基板100の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板100の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板100の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板100には、図7(c)に示すように、凹部Mが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
次に、図7(d)に示すように、金属基板100(リードフレーム10)からレジストパターン40を除去する。
そして、図7(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2及び図3に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2及び図3において、めっき層Cは省略されている。
次に、光半導体装置1の製造方法について説明する。
図8は、第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図9は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図9(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図9(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図9(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図9(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図9においては、1台の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100から複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図9(a)〜(d)は、それぞれ図7(a)の断面図に基づくものである。
図9(a)に示すように、金属基板100上にエッチング加工により形成されたリードフレーム10の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層20を形成する。光反射樹脂層20は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形(射出成形)のように、樹脂成形金型にリードフレーム10(金属基板100)をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム10上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部11、12の外周側から凹部Mや、連結部13の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部20aが形成され、リードフレーム10と接合する。また、これと同時に、突出樹脂部20bが、枠体Fの表面側に突出して形成される。
これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図5(a)、図5(b)参照)。
以上により、図4及び図5に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Rが形成される。
次に、図9(b)に示すように、端子部11のLED端子面11aに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してLED素子2を載置し、また、端子部12のLED端子面12aに、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2を電気的に接続する。ここで、LED素子2とボンディングワイヤ2aは複数あってもよく、一つのLED素子2に複数のボンディングワイヤ2aが接続されてもよく、ボンディングワイヤ2aをダイパッドに接続させてもよい。また、LED素子2を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ2aは、例えば、金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の導電性の良い材料からなる。
そして、図9(c)に示すように、リードフレームの多面付け体MSの表面にLED素子2を覆うようにして透明樹脂層30を形成する。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図8に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図9(d)に示すように、光半導体装置1の外形に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
次に、上述の図9(a)におけるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図10は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図10(a)は、金型の構成を説明する図であり、図10(b)〜図10(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図11は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図11(a)〜図11(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図10及び図11において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
(トランスファ成形)
トランスファ成形は、図10(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図10(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112の設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図10(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図10(d)及び図10(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図10(f)及び図10(g)に示すように、上型111及び下型112を開き、上型111に設けられたイジェクターピン111aにより、上型111から光反射樹脂層20が成形されたリードフレームの多面付け体MSを取り外す。その後、図10(h)に示すように、上型111の流路(ランナー)部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図10(i)に示すように、光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
(インジェクション成形)
インジェクション成形は、図11(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図11(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図11(c)に示すように、ランナープレート123を下型124から開き、下型124に設けられたイジェクターピン124aによって、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSを下型124から取り外す。そして、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型120は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体MSに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体MSの各リードフレーム10に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
以上より、本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
(1)樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fの表面において、互いに対向する長辺上に突出樹脂部20bが形成されているので、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが複数枚、直接重ねられたとしても、製品となる部分が他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに接触してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分が汚損したり、傷ついたりするのを防ぐことができる。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、突出樹脂部20bが形成されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを安定して積層することができる。更に、収納ケース50を使用することなく、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを直接積層することができ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの収納効率を向上することができる。
更に、収納ケース50による収納が不要となるため、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その端面と収納ケースのレールとの擦れにより金属粉が発生し、端子部11、12間を短絡してしまうといった不具合を防ぐことができる。
(2)突出樹脂部20bは、光反射樹脂層20を形成するときにリードフレームの多面付け体Rに樹脂を充填する充填口となるゲートを兼ねるので、光反射樹脂層20の形成後に不要となるゲートを有効活用することができる。
(3)電子線硬化樹脂を用いた場合、熱硬化樹脂と異なり成形物間の化学的な結合は事実上発生しないため、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、樹脂の成形後であって硬化前において、複数枚、直接重ねた状態で樹脂を硬化させることができ、治具などを用いて樹脂を硬化させる場合における治具への電子線の吸収による不必要な発熱や、治具の影になった部分の照射不足、照射ムラといった問題を防ぐことができるばかりでなく、ハンドリング(搬送)時の異物混入なども防ぐことができ、更にはハンドリング自体を削減することができるため、安価に高架橋の光反射樹脂層20を得ることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図12は、第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fに形成される突出樹脂部220bの形状が、第1実施形態の突出樹脂部20bと相違する。
光反射樹脂層220は、図12に示すように、フレーム樹脂部220aと、突出樹脂部220bとから構成される。
突出樹脂部220bは、枠体Fの表面において、互いに対向する長手方向の辺(長辺)に沿って突出するように形成された樹脂部である。突出樹脂部220bは、各集合体Gの左右方向(X方向)の両側に分離して形成される。
ここで、互いに対向する長辺に設けられた突出樹脂部220bのうちの一方の辺側(本実施形態では下辺側)の突出樹脂部220bは、金型内に配置されたリードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層220を形成する樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねている。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、第1実施形態の場合と同様の効果を奏することができる。
また、突出樹脂部220bを形成する樹脂の量を第1実施形態の場合に比べ削減することができ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの生産コスト低減と、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの軽量化を図ることができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図13は、第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fに形成される突出樹脂部320bの形状が、第1実施形態の突出樹脂部20bと相違する。
光反射樹脂層320は、図13に示すように、フレーム樹脂部320aと、突出樹脂部320bとから構成される。
突出樹脂部320bは、枠体Fの表面において、互いに対向する短手方向の辺(短辺)に沿って突出するように形成された長方体状の樹脂部である。また、突出樹脂部320bは、枠体Fの短辺と平行する各集合体G間にも形成されている。突出樹脂部320bは、第1実施形態の突出樹脂部20bと相違して、リードフレームの多面付け体MSに樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねていない。そのため、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rには、別途ゲート部Jが設けられている。突出樹脂部320bは、その高さ寸法が、ゲート部Jの高さと同等又はそれよりも大きい寸法で形成される。
ゲート部Jは、枠体Fの表面下側の長辺に沿って集合体G毎に突出するように形成された樹脂部であり、リードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層320を形成する樹脂を充填する充填口となる部分である。ゲート部Jは、樹脂の充填の際に光反射樹脂層320とともに形成される。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが複数枚重ねられた場合に、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分が他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと接触してしまうのを回避する。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分が、汚損したり、傷ついたりするのを防ぐことができる。
また、突出樹脂部320bがゲート部Jとは別に形成されているので、枠体Fのゲート部Jの対辺に樹脂充填用のエアベント等を設けることができ、リードフレームの多面付け体MSに対して安定して樹脂を流し込むことができる。
更に、突出樹脂部320bがゲート部Jとは別に形成されていることによって、ゲート部Jに関係なく突出樹脂部320bの高さ寸法を設定することができ、積層された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの積層体の総厚みを自由に設定することができる。これにより、積層体に使用する治具等を、他種の樹脂付きリードフレームの多面付け体の積層体と共有することができる。なお、突出樹脂部320bの高さ寸法は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを安定して積層させるためにゲート部Jの高さと同等又はそれよりも大きくする必要がある。また、各集合体G間に形成されている突出樹脂部320bは、集合体G同士を接続していなくても良い。この場合、ゲート部Jから注入された樹脂が、各集合体単位で成形され、隣接する集合体Gと金型内で合流することがないため、合流点でのクラックや未充填になる等の問題が発生しにくく、好適である。
更に、突出樹脂部320bの高さ寸法がゲート部Jの高さ寸法と同等に形成された場合、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが積層されたときに、ゲート部Jも突出樹脂部320bとともに他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの枠体Fと当接するので、第1実施形態の場合に比べより安定して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを積層させることができる。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
図14は、第4実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第4実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fに形成される突出樹脂部420bの形状が、第1実施形態の突出樹脂部20bと相違する。
光反射樹脂層420は、図14に示すように、フレーム樹脂部420aと、突出樹脂部420bとから構成される。
突出樹脂部420bは、枠体Fの表面において、互いに対向する短手方向の辺(短辺)及び長手方向の辺(長辺)に沿って突出するように形成された樹脂部である。また、突出樹脂部420bは、枠体Fの短辺における各集合体G間にも形成されている。すなわち、突出樹脂部420bは、各集合体Gを囲むようにして形成されている。
ここで、互いに対向する長辺に設けられた突出樹脂部420bのうちの一方(本実施形態では下辺側)の突出樹脂部420bは、金型内に配置されたリードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層420を形成する樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねている。各集合体G間に形成されている突出樹脂部420bは、集合体G同士を接続していなくても良い。この場合、ゲート部Jから注入された樹脂が、各集合体単位で成形され、隣接する集合体Gと金型内で合流することがないため、合流点でのクラックや未充填になる等の問題が発生しにくく、好適である。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、第1実施形態の場合と同様の効果を奏することができる。
また、突出樹脂部420bが集合体Gを囲むようにして形成されているので、積層された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの積層強度を向上させることができる。
なお、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、突出樹脂部420bを集合体G間に設けず、枠体Fの短辺及び長辺にのみ設けるようにしても、第1実施形態と同様の効果を奏することができ、また、積層強度においても第1実施形態の場合に比べて向上させることができる。
(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
図15は、第5実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第5実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fに形成される突出樹脂部520bの形状が、第1実施形態の突出樹脂部20bと相違する。
光反射樹脂層520は、図15に示すように、フレーム樹脂部520aと、突出樹脂部520bとから構成される。
突出樹脂部520bは、枠体Fの表面の四隅に突出するように形成された樹脂部である。また、突出樹脂部520bは、各集合体Gの外周縁の四隅にも形成されている。突出樹脂部520bは、第1実施形態の突出樹脂部20bと相違して、リードフレームの多面付け体MSに樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねていない。そのため、樹脂付きリードフレームRには、別途ゲート部Jが設けられている。突出樹脂部520bは、その高さ寸法が、ゲート部J(後述する)の高さと同等又はそれよりも大きい寸法で形成される。また、各集合体G間に形成されている突出樹脂部520bは、集合体G同士を接続していなくても良い。この場合、ゲート部Jから注入された樹脂が、各集合体単位で成形され、隣接する集合体Gと金型内で合流することがないため、合流点でのクラックや未充填になる等の問題が発生しにくく、好適である。
ゲート部Jは、枠体Fの表面下側の長手方向の辺(長辺)に沿って集合体G毎に突出するように形成された樹脂部であり、リードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層520を形成する樹脂を充填する充填口となる部分である。ゲート部Jは、枠体Fに設けられた突出樹脂部520bのうちの下辺側に設けられた各突出樹脂部520b間に形成される。ゲート部Jは、樹脂の充填の際に光反射樹脂層520とともに形成される。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、第1実施形態の場合と同様に、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが複数枚重ねられた場合に、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分が他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと接触してしまうのを回避する。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分が、汚損したり、傷ついたりするのを防ぐことができる。
また、突出樹脂部520bを形成する樹脂の量を第1実施形態の場合に比べ削減することができ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの生産コスト低減と、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの軽量化を図ることができる。
更に、突出樹脂部520bがゲート部Jとは別に形成されていることによって、ゲート部Jに関係なく突出樹脂部520bの高さ寸法を設定することができ、積層された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの積層体の高さを自由に設定することができる。これにより、積層体に使用する治具等を、他種の樹脂付きリードフレームの多面付け体の積層体と共有することができる。なお、突出樹脂部520bの高さ寸法は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを安定して積層させるためにゲート部Jの高さと同等又はそれよりも大きくする必要がある。
また、突出樹脂部520bの高さ寸法がゲート部Jの高さ寸法と同等に形成された場合、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが積層されたときに、ゲート部Jも突出樹脂部520bとともに他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと当接するので、第1実施形態の場合に比べ安定して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを積層させることができる。
(第6実施形態)
次に、本発明の第6実施形態について説明する。
図16は、第6実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。
図17は、第6実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。図17(a)、図17(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図17(c)、図17(d)は、それぞれ図17(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第6実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面側にリフレクタ樹脂部620cが形成される点で、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと相違する。
光反射樹脂層620は、図16及び図17に示すように、フレーム樹脂部620aと、突出樹脂部620bと、リフレクタ樹脂部620cとから構成される。
突出樹脂部620bは、図16に示すように、枠体Fの表面において、互いに対向する長手方向の辺(長辺)に沿って集合体G毎に分けて突出するように形成された直方体状の樹脂部である。突出樹脂部620bは、図17に示すように、その高さ寸法が、リフレクタ樹脂部620cの高さよりも大きい寸法で形成される。こうすることで、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを複数枚積層した場合であっても、リフレクタ樹脂部620cの頂面(表面)が、他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと接触してしまうのを防ぐことができる。
リフレクタ樹脂部620cは、リードフレーム10の表面側(リードフレーム10のLED素子2が接続される側)に突出するように形成され、リードフレーム10に接続されるLED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部620cは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部620cは、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。なお、リフレクタ樹脂部620cは、フレーム樹脂部620a、突出樹脂部620bの成形と同時に形成される。
なお、本実施形態の透明樹脂層30は、リフレクタ樹脂部620cによって囲まれたLED端子面11a、12a上に形成される。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの表面にリフレクタ樹脂部620cが形成されている場合においても、第1実施形態の場合と同様の効果を奏することができる。特に、本実施形態では、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分がリフレクタ樹脂部620cの表面となるが、この場合において樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを複数枚積層させても、その製品となる部分が汚損したり、傷ついたりするのを防ぐことができる。
(第7実施形態)
次に、本発明の第7実施形態について説明する。
図18は、第7実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの全体図である。図18(a)、図18(b)、図18(c)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図、側面図を示す。
図19は、第7実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。図19(a)、図19(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図19(c)、図19(d)は、それぞれ図19(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第7実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面側にリフレクタ樹脂部720cが形成される点と、枠体Fの裏面に突出樹脂部720bが形成される点とで、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと相違する。
光反射樹脂層720は、図18及び図19に示すように、フレーム樹脂部720aと、突出樹脂部720bと、リフレクタ樹脂部720cとから構成される。
突出樹脂部720bは、図18に示すように、枠体Fの裏面において、互いに対向する長手方向の辺(長辺)に沿って集合体G毎に分けて突出するように形成された直方体状の樹脂部である。突出樹脂部720bは、図19に示すように、その高さ寸法が、リフレクタ樹脂部720cの高さよりも大きい寸法で形成される。こうすることで、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを複数枚積層した場合であっても、リフレクタ樹脂部720cの頂面(表面)が、他の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと接触してしまうのを防ぐことができる。
リフレクタ樹脂部720cは、リードフレーム10の表面側(リードフレーム10のLED素子2が接続される側)に突出するように形成され、リードフレーム10に接続されるLED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部720cは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部720cは、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
ここで、リードフレーム10は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層720は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレームの多面付け体MSは、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部720cが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、突出樹脂部720bが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレームの多面付け体R(リードフレームの多面付け体MS)に反りが発生してしまうこととなる。
上記反りの発生を抑制するために、光反射樹脂層720の樹脂中に特定のフィラー(粉末)を含有させて線膨張率を、リードフレーム10の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層720の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、熱可塑性を維持するために三次元架橋密度を上げられないという分子構造上、フィラーを多量に充填した場合に強度が保てないことから、実用レベルとしては線膨張率の調整自体をすることが困難である。
そのため、本実施形態では、枠体Fの長辺の裏面に突出樹脂部720bを設けることによって、リードフレーム10の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等または略均等にする。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、樹脂の硬化過程において、上述の反りが発生してしまうのを抑制することができる。
なお、本実施形態の透明樹脂層30は、リフレクタ樹脂部720cによって囲まれたLED端子面11a、12a上に形成される。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの表面にリフレクタ樹脂部720cが形成されている場合においても、第1実施形態の場合と同様の効果を奏することができる。特に、本実施形態では、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの製品となる部分がリフレクタ樹脂部720cの表面となるが、この場合において樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを複数枚積層させても、その製品となる部分が汚損したり、傷ついたりするのを防ぐことができる。
また、リードフレーム10の表面にリフレクタ樹脂部720cが形成され、また、枠体Fの裏面に突出樹脂部720bが形成されているので、リードフレームの多面付け体MSの表裏面に形成される樹脂の量を均等または略均等にすることができ、樹脂の成形過程における樹脂付きリードフレームの多面付け体の反りの発生を抑制することができる。
更に、電子線硬化樹脂を用いた場合、成形加工後の電子線照射による硬化収縮が大きいが、成形時に枠体Fの裏面にも光反射樹脂層720の樹脂が充填されているため、成形過程だけでなく、電子線照射による硬化時においての反りの発生も抑制することが可能である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
図20は、本発明の変形形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを示す図である。図20(a)及び図20(b)は、それぞれ、変形形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、側面図を示す。図20(c)は、変形形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの積層体の保管状態を説明する図である。
(変形形態)
(1)各実施形態において、突出樹脂部20bは、枠体Fの表面又は裏面にのみ形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、図20に示すように、突出樹脂部820bを枠体Fの表面(又は裏面)から枠体Fの外周側面に及ぶように形成してもよい。
突出樹脂部が枠体Fの外周側面に及んでいない場合、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを左右に隣接させて配置させたときに、枠体Fの外周側面に表出する金属部同士が接触することとなり金属粉が発生してしまう。この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部11、12間を短絡させてしまう場合があり、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまう要因となる。
これに対して、上述のように、枠体Fの外周側面に樹脂が及ぶように突出樹脂部820bを形成した場合、図20(c)に示すように、突出樹脂部820bによって枠体Fの金属部の接触を回避することができ、接触による金属粉の発生を防止することができる。これにより、上述の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを回避することができる。
また、光半導体装置1を製造する際に、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの端面をレールで支えて搬送する、いわゆるレール搬送時の擦れによる金属粉の発生防止も可能である。
(2)第1実施形態において、対向する突出樹脂部20bのうち一方が、樹脂の充填口となるゲート部を兼ねる例を説明したが、これに限定されるものでなく、例えば、対向する突出樹脂部の両方が樹脂のゲート部を兼ねるようにしてもよい。こうすることで、リードフレームの多面付け体MSに対する樹脂の充填効率を向上させることができるとともに、樹脂の充填後に不要となる樹脂部が形成されるのを減少させることができる。
(3)ゲート部を兼ねる突出樹脂部に対向する突出樹脂部20bは、光反射樹脂層20の成形時において金型内に樹脂が充填される場合に、金型内で樹脂が最後に充填される空気の逃げとなる部位に設けるようにしてもよい。このような部位は、樹脂の充填不良を起こす可能性があるため、そのような部位に突出樹脂部を設けることで、リードフレームの多面付け体MSに対する樹脂の充填効率を向上させることができる。
(4)各実施形態において、突出樹脂部20bは、直方体状等の四角柱に形成される例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、長方体以外の四角柱や、多角柱、円柱に形成されるようにしてもよい。
(5)第1実施形態から第6実施形態において、突出樹脂部20bは、枠体Fの表面側に形成される例を示したが、これに限定されず、枠体Fの裏面側に形成するようにしてもよい。
(6)各実施形態においては、リードフレーム10は、端子部11及び端子部12を備える例を示したが、リードフレームは、3以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を3つ設け、その1つにはLED素子2を実装し、他の2つにはボンディングワイヤ2aを介してLED素子2と接続してもよい。
(7)各実施形態において、リードフレーム10は、LED素子2を載置、接続するダイパッドとなる端子部11と、LED素子2とボンディングワイヤ2aを介して接続されるリード側端子部となる端子部12とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、LED素子2が2つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、2つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
(8)各実施形態においては、リードフレーム10は、LED素子2等の光半導体素子を接続する光半導体装置1に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
1 光半導体装置
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a フレーム樹脂部
20b 突出樹脂部
20c リフレクタ樹脂部
30 透明樹脂層
F 枠体
G 集合体
M 凹部
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部

Claims (10)

  1. 複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
    前記リードフレームの外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部と、前記枠体の表面又は裏面において、前記枠体の外形を形成し互いに対向する辺上の少なくとも一部に突出して形成される突出樹脂部とを有する樹脂層とを備え、
    前記突出樹脂部の少なくとも一部は、前記フレーム樹脂部に直接連結していること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  2. 請求項1に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記突出樹脂部は、前記枠体の外周側面の少なくとも一部にも形成されていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記リードフレームの多面付け体は、複数の前記リードフレームを連結した集合体を複数組、前記枠体に連結しており、
    前記突出樹脂部は、前記枠体上における前記集合体の外周縁の少なくとも一部に形成されること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  4. 請求項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記突出樹脂部は、前記集合体を囲むようにして形成されること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  5. 請求項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記突出樹脂部は、前記集合体の外周縁の四隅に形成されること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  6. 請求項1から請求項までのいずれか1項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記突出樹脂部は、前記枠体の四隅に形成されていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  7. 請求項1から請求項までのいずれか1項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有し、
    前記突出樹脂部は、その高さ寸法が、前記リフレクタ樹脂部の高さよりも大きい寸法で形成されること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  8. 請求項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記突出樹脂部は、前記枠体の前記リフレクタ樹脂部とは反対側の面に形成されていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  9. 請求項1から請求項までのいずれか1項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記突出樹脂部は、前記樹脂層を形成するときに前記リードフレームに樹脂を充填する充填口となるゲート部を兼ねること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  10. 請求項1から請求項までのいずれか1項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
    前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
    前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
    を特徴とする光半導体装置の多面付け体。
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JP4669166B2 (ja) * 2000-08-31 2011-04-13 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
JP2002324887A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003007950A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP5561072B2 (ja) * 2010-09-29 2014-07-30 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
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