TWI500185B - 發光二極體封裝結構及其製作方法 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝結構及其製作方法
本發明是有關於一種封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種發光二極體封裝結構及其製作方法。
發光二極體是一種由含有III-V族元素的半導體材料所構成的發光元件，且發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
舉例而言，以目前高功率白光發光二極體的封裝方式大多數是採用藍光發光二極體並搭配黃色螢光粉的使用而成。白光發光二極體之所以發白光是因為其發光二極體晶片發出藍光，藍光通過黃色螢光粉後會被轉換成黃光，而被黃色螢光粉轉換成的黃光與沒被轉換的藍光即混合成白光。由於發光二極體所發出的藍光具有一定程度的指向性，這會使得以較大角度偏離光軸的藍光之光強度較弱，進而使得以較大角度偏離光軸的黃光之強度大於藍光之強度。如此一來，會使得照明燈具之照射範圍的邊緣產生黃暈。此外，採用藍光二極體並搭配黃色螢光粉的白光發光 二極體往往在製程上會因為黃色螢光粉在晶片上分佈不均，也使得其出射的白光外圍會分佈一圈黃光，即黃暈現象(yellowish halo)，以致於影響白光發光二極體所發出的光的顏色均勻度。
因此，過去為了解決黃暈的問題通常會在螢光粉中添加增白劑來降低黃暈的發生，其中增白劑例如是白色微粒或是玻璃微粒，如此可以散射發光二極體的光束降低黃暈的程度。相對地，增白劑的添加卻往往會犧牲了發光二極體整體的出光效率，並且在演色性的表現上也無法產生任何提升的效果。
本發明提供一種發光二極體封裝結構，其可呈現出較佳的光學表現。
本發明提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，用以製作上述之發光二極體封裝結構。
本發明提出一種發光二極體封裝結構，其包括一承載器、至少一個發光二極體晶片、一第一環形擋牆、一第二環形擋牆以及一螢光膠體。承載器具有一承載區以及一圍繞承載區的周邊區。發光二極體晶片配置於承載器的承載區內，且電性連接至承載器。第一環形擋牆配置於承載器的周邊區內，且圍繞發光二極體晶片。第二環形擋牆配置於第一環形擋牆的內側，且圍繞發光二極體晶片，其中所述第二環形擋牆的高度低於第一環形擋牆的高度。而，螢 光膠體配置於承載器上且至少覆蓋發光二體晶片與第二環形擋牆，其中所述螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體，而所述螢光粉分佈於發光二極體晶片的表面上。
本發明另一實施例中，所述之第一環形擋牆與第二環形擋牆之間具有一間距，且在承載器上定義一凹槽，所述螢光膠體填充於凹槽。
本發明又一實施例中，所述之承載器與第一環形擋牆或第二環形擋牆一體成型。
本發明又一實施例中，所述之第一環形擋牆或第二環形擋牆為一不連續之環形擋牆。
本發明又一實施例中，所述之發光二極體封裝結構更包括複數個條形擋牆。所述條形擋牆配置於承載器上且連接所述第二環形擋牆，其中所述條形擋牆與第二環形擋牆在承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而發光二極體晶片設置於所述格子狀凹槽內。
本發明提出更一種發光二極體封裝結構，其包括一承載器、複數個發光二極體晶片、一環形擋牆、複數個條形擋牆以及一螢光膠體。發光二極體晶片配置於承載器上，且電性連接至承載器。環形擋牆配置於承載器上，且圍繞發光二極體晶片。所述條形擋牆配置於承載器上且連接環形擋牆，其中條形擋牆與環形擋牆在承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而發光二極體晶片設置於格子狀凹槽內。螢光膠體配置於承載器上，且填充於格子狀凹槽中並至少覆蓋發光二體晶片，其中螢光膠體包括至少一種螢光粉及 至少一種膠體，且螢光粉分佈於發光二極體晶片的表面上。
本發明又一實施例中，所述之多個條形擋牆彼此相連而定義出多個次環形擋牆，其中所述多個次環形擋牆配置於承載器上且其分別圍繞發光二極體晶片。
本發明又一實施例中，所述之環狀擋牆的高度與每一條形擋牆的高度相同。
本發明又一實施例中，所述之每一條形擋牆的高度低於環狀擋牆的高度。
本發明又一實施例中，所述之承載器與環形擋牆或條形擋牆一體成型。
本發明又一實施例中，所述之發光二極體晶片係透過覆晶接合技術與承載器電性連接。
本發明又一實施例中，所述之發光二極體晶片係透過打線接合技術與承載器電性連接。
本發明又一實施例中，所述之承載器的材質包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。
本發明又一實施例中，所述之第一環形擋牆的材質與第二環形擋牆的材質包括矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
本發明提出一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。提供一承載器，其中承載器具有一承載區以及一圍繞承載區的周邊區。配置至少一個發光二極體晶片於承載器的承載區內，且發光二極體晶片電性連接至承載器。形成一第一環形擋牆於承載器的周邊區內。形成一 第二環形擋牆於承載器的周邊區內，其中第二環形擋牆圍繞發光二極體晶片並設置於第一環形擋牆之內側，且第二環形擋牆的高度低於第一環形擋牆的高度。填充一螢光膠體於承載器上以至少覆蓋發光二體晶片與第二環形擋牆，其中所述螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體混合而成，且螢光粉散佈於膠體內。之後，進行一離心程序，以使螢光膠體中的螢光粉沉降於發光二極體晶片的表面上。最後，放置烤箱進行烘烤定形。
本發明另一實施例中，所述之第一環形擋牆與第二環形擋牆之間具有一間距，在承載器上定義一凹槽，且螢光膠體填充於凹槽。
本發明另一實施例中，所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：形成複數個條形擋牆，配置於承載器上且連接第二環形擋牆，其中所述條形擋牆與第二環形擋牆在承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而所述發光二極體晶片設置於所述格子狀凹槽內。
本發明另一實施例中，所述之承載器與第一環形擋牆或第二環形擋牆一體成型。
本發明另一實施例中，所述之第一環形擋牆或第二環形擋牆為不連續之環形擋牆。
本發明再提出一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。提供一承載器。配置複數個發光二極體晶片於承載器上，且發光二極體晶片電性連接至承載器。形成一環形擋牆於承載器上，其中環形擋牆圍繞發光 二極體晶片。形成複數個條形擋牆於承載器上，其中條形擋牆連接環形擋牆，且條形擋牆與環形擋牆在承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而發光二極體晶片設置於格子狀凹槽內。填充一螢光膠體於承載器的一承載區內，其中螢光膠體填滿格子狀凹槽且至少覆蓋發光二極體晶片，螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體混合而成，且螢光粉分散於膠體內。進行一離心程序以使螢光膠體中的螢光粉沉降於發光二極體晶片的表面上。最後，放置一烤箱進行一烘烤程序。
本發明另一實施例中，所述之條形擋牆彼此相連而定義出多個次環形擋牆，其中所述多個次環形擋牆配置於承載器上且其分別圍繞發光二極體晶片。
本發明另一實施例中，所述之填充螢光膠體於承載器的承載區的步驟，包括：將螢光膠體依序填入格子狀凹槽，使螢光膠體的一上表面與環狀擋牆的一頂面及每一條形擋牆的一頂面高度相同。
本發明另一實施例中，所述之填充螢光膠體於承載器的承載區的步驟，包括：將螢光膠體任意填入一部分的格子狀凹槽；以及進行一離心程序，以使螢光膠體向兩側流動以填滿格子狀凹槽，且螢光膠體覆蓋於每一條形擋牆之一頂面。
本發明另一實施例中，所述之承載器與環形擋牆或條形擋牆一體成型。
本發明另一實施例中，所述之環形擋牆為不連續之環 形擋牆。
本發明另一實施例中，所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中配置每一發光二極體晶片於承載器上的方法係透過覆晶接合技術與承載器電性連接。
本發明另一實施例中，所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中配置每一發光二極體晶片於承載器上的方法係透過打線接合技術與承載器電性連接。
本發明另一實施例中，所述之承載器的材質包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。
本發明另一實施例中，所述之第一環形擋牆的材質與第二環形擋牆的材質包括矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
基於上述，由於本發明之發光二極體封裝結構具有第一環形擋牆與第二環形擋牆的設計，且螢光膠體的螢光粉是分佈至發光二極體晶片的表面上，因此可有效避免發光二極體封裝結構邊壁黃暈現象的發生且可有效提升整體的發光效率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。圖1B為圖1A之發光二極體封裝結構的俯視示意圖。請同時參考圖1A與圖1B，在本實施例中， 發光二極體封裝結構100a包括一承載器110、至少一個發光二極體晶片120a(圖1A與圖1B中僅示意地繪示一個)、一第一環形擋牆130a、一第二環形擋牆140a以及一螢光膠體150。
詳細來說，承載器110具有一承載區112以及一圍繞承載區112的周邊區114。此處，承載器110的材質例如是陶瓷、高分子聚合物、矽、碳化矽、絕緣材料或金屬，其中當承載器110的材質為金屬時，承載器110可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board,MCPCB)，但並不以此為限。
發光二極體晶片120a配置於承載器110的承載區112內，且電性連接至承載器110。在本實施例中，發光二極體晶片120a係透過覆晶接合技術與承載器110電性連接。也就是說，本實施例之發光二極體封裝結構100為一表面黏著型態(surface mounted device type,SMD type)之發光二極體封裝結構。此處之發光二極體晶片120a是以藍光發光二極體晶片為舉例說明，但並不以此為限。
第一環形擋牆130a配置於承載器110的周邊區114內，且圍繞發光二極體晶片120a。第二環形擋牆140a配置第一環形擋牆130a的內側，亦位於承載器110的周邊區114內，且圍繞發光二極體晶片120。特別是，在本實施例中，第二環形擋牆140a設置於發光二極體晶片120a與第一環形擋牆130a之間，且第二環形擋牆140a的高度H2低於第一環形擋牆130a的高度H1。此外，第一環形擋牆 130a的材質與第二環形擋牆140a的材質例如是矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬，其中第一環形擋牆130a的材質可與第二環形擋牆140a的材質相同或不同，於此並不加以限制。再者，本實施例之第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a皆具有不吸光且具有反射功能之特性。此處，第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a皆為一連續之環形擋牆。
螢光膠體150配置於承載器110上且至少覆蓋發光二體晶片120a與第二環形擋牆140a。特別是，本實施例之螢光膠體150包括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154，也就是說，本實施例之螢光膠體150是由至少一種螢光粉152與至少一種膠體154混合而成，其中螢光粉152分佈於發光二極體晶片120a的表面上。此處，螢光粉152例如是黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉或以上螢光粉任意組合，但並不以此為限。此外，螢光膠體150中亦可添加光擴散劑(未繪示)來調整發光二極體封裝結構100a所發出的光的顏色或均勻度等光學效果。
更具體來說，在本實施例中，如圖1A所示，第二環形擋牆140a與第一環形擋牆130a之間具有一間距D，且在承載器110上定義出一凹槽U。本實施例中，螢光膠體150填充於凹槽U，且螢光粉152分佈於凹槽U的底面及第二環形擋牆140a的頂表面。
由於本實施例之發光二極體封裝結構100a具有第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a的設計，且螢光膠體 150的螢光粉152分佈於發光二極體晶片120a的表面上，又部分螢光粉152分佈於凹槽U的底面及第二環形擋牆140a的頂表面。因此，發光二極體晶片120a的周圍(即承載器110的周邊區114)不會聚集過多的螢光粉152，即可減少承載器110之周邊區114內的閒置空間，以使較多的螢光粉152分佈於發光二極體晶片120a的表面上。故，當具有指向性的發光二極體晶片120a所發出的色光(例如是藍光或紫外光)照射至分佈於其上的螢光粉152，以激發螢光粉152發出色光(例如是黃光或紅光)，並與發光二極體晶片120a所發出的色光(例如是藍光或紫外光)相混合時，可有效避免周邊區114堆疊較多的螢光粉152受到發光二極體晶片120a激發而產生黃暈現象。
再者，由於第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a皆具有不吸光且具有反射功能之特性，因此當發光二極體晶片120a所發出的色光(例如是藍光)照射至分佈於凹槽U內的螢光粉152時，第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a可使色光產生反射及散射現象，進而使反射色光及散射色光照射至承載區112內，可有效提高發光二極體封裝結構100a的出光亮度。簡言之，本實施例之發光二極體封裝結構100a可呈現較佳的光學表現。
值得一提的是，本實施例並不限定發光二極體晶片120a與承載器110的連接形態，雖然此處所提及的發光二極體晶片120a具體化為透過覆晶接合的方式與承載器110電性連接。但，於其他實施例中，請參考圖1C，發光二極 體封裝結構100b之發光二極體晶片120b亦可透過多條導線125以打線接合的方式與承載器110電性連接，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。再者，雖然於本實施例中承載器110、第一環形擋牆130a及第二環形擋牆140a為各自獨立之元件，但於其他未繪示的實施例中，承載器110與第一環形擋牆130a亦可為一體成型之結構，其中承載器110的材質與第一環形擋牆130a的材質例如皆採用金屬；或者是，承載器110與第二環形擋牆140a為一體成型之結構，其中承載器110的材質以及第二環形擋牆140a的材質例如皆採用金屬。
雖然本實施例之第二環形擋牆140a的形態與第一環形擋牆130a的形態相同，皆為一連續之環形擋牆。但，於其他實施例中，請參考圖1D，發光二極體封裝結構100c的第二環形擋牆140b亦可為一不連續之環形擋牆，而第一環形擋牆130a在相同概念下，亦可為一不連續之環形擋牆(未繪示)，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。此外，於其他未繪示的實施例中，本領域的技術人員當可參照上述實施例的說明，依據實際需求，而選用上述元件、元件之材質、元件之型態及其配置方式，以達到所需的技術效果。
圖2A為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。圖2B為圖2A之發光二極體封裝結構的俯視示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件， 並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重複贅述。
請同時參考圖2A與圖2B，圖2A與圖2B之發光二極體封裝結構100d與圖1A及圖1B之發光二極體封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖2A與圖2B之發光二極體封裝結構100d包括複數個發光二極體晶片120a，其中這些發光二極體晶片120a係透過覆晶接合技術與承載器110電性連接。此處之發光二極體封裝結構100d例如是一晶片-電路板接合(chip on board,COB)型態之發光二極體封裝結構。此外，螢光膠體150之螢光粉152是分佈於這些發光二極體晶片120a的表面上、這些發光二極體晶片120a之間的間隙內。當然，如圖2A所示，螢光膠體150亦可填充於於承載器110上所定義的凹槽U，且螢光粉152分佈於凹槽U內及第二環形擋牆140a的頂表面。
由於本實施例之發光二極體晶片120a是採用覆晶接合技術與承載器110電性連接，可節省多個發光二極體晶片120a間預留之打線區域，因此在單位面積下可於承載器110上配置較多的發光二極體晶片120a，即可配置較多的晶片數量，可有效提高發光二極體封裝結構100d的出光亮度。再者，由於本實施例之發光二極體封裝結構100a具有第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a的設計，且螢光膠體150的螢光粉152是分佈於這些發光二極體晶片120a的表面上與各晶片120a之間的間隙內，以及第二環形擋牆140a的頂表面與第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a 之間的間隙內。因此，這些發光二極體晶片120a的周圍(即承載器110的周邊區114)不會聚集過多的螢光粉152，不但可減少承載器110之周邊區114內的閒置空間，更由於第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a皆具有不吸光且具有反射功能之特性，故第二環形擋牆140a的頂表面及第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a之間的間隙內所聚集的螢光粉152不易受到發光二極體晶片120a的激發，可有效避免周邊區114產生黃暈現象。
此外，由於第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a皆具有不吸光且具有反射功能之特性，因此反射及散射這些發光二極體晶片120a所產生的色光至承載區112內，可有效提高發光二極體封裝結構100d的出光亮度。簡言之，本實施例之發光二極體封裝結構100d可呈現較佳的光學表現。
值得一提的是，本實施例並不限定這些發光二極體晶片120a與承載器110的連接形態，雖然此處所提及的這些發光二極體晶片120a具體化為透過覆晶接合的方式與承載器110電性連接。但，於其他實施例中，請參考圖2C，發光二極體封裝結構100e之這些發光二極體晶片120b亦可透過多條導線125以打線接合的方式與承載器110電性連接，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
此外，雖然於本實施例中承載器110、第一環形擋牆130a及第二環形擋牆140a為各自獨立之元件，但於其他 未繪示的實施例中，承載器110與第一環形擋牆130a亦可為一體成型之結構，其中承載器110的材質與第一環形擋牆130a的材質例如皆採用金屬；或者是，承載器110及第二環形擋牆140a亦可為一體成型之結構，其中承載器110的材質以及第二環形擋牆140a的材質例如皆採用金屬。
雖然本實施例之圖2B所示之第二環形擋牆140a的形態與第一環形擋牆130a的形態相同，即皆為一連續之環形擋牆。但，於其他未繪示的實施例中，第二環形擋牆亦可為一不連續之環形擋牆(請參考如圖1D所示)，而第一環形擋牆130a在相同概念下，亦可為一不連續之環形擋牆(未繪示)，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
以上僅介紹本發明之發光二極體封裝結構100a、100b、100c、100d、100e的結構，並未介紹本發明之發光二極體封裝結構100a、100b、100c、100d、100e的製作方法。對此，以下將以一實施例來詳細說明發光二極體封裝結構100a、100b、100c、100d、100e的結構的製作方法。
圖3為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程示意圖。請參考圖3，並同時配合參考圖1A至1D及圖2A至2C的圖式。
依照本實施例的發光二極體封裝結構的製作方法，首先，步驟S10，提供一承載器110，其中承載器110具有一承載區112以及一圍繞承載區112的周邊區114。此處，承載器110的材質例如是陶瓷、高分子聚合物、矽、碳化 矽、絕緣材料或金屬，其中當承載器110的材質為金屬時，承載器110可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board,MCPCB)，但並不以此為限。
接著，步驟S11，配置至少一個發光二極體晶片120a(或120b)於承載器110的承載區112內，且發光二極體晶片120a(或120b)電性連接至承載器110。此處，發光二極體晶片120a(或120b)係透過覆晶接合(或打線接合)技術與承載器110電性連接。
接著，步驟S12，形成一第一環形擋牆130a於承載器110的周邊區114內。
接著，步驟S13，形成一第二環形擋牆140a(或140b)於承載器110的周邊區114內。特別是，第二環形擋牆140a(或140b)圍繞發光二極體晶片120a(或120b)並設置於第一環形擋牆130a之內側，亦於發光二極體晶片120a(或120b)與第一環形擋牆130a之間。第二環形擋牆140a(或140b)的高度H2低於第一環形擋牆130a的高度H1。此處，更具體來說，第二環擋牆140a(或140b)與第一環形擋牆130a之間具有一間距D，且在承載器110上定義出凹槽U。第一環形擋牆130a的材質與第二環形擋牆140a(或140b)的材質具有不吸光且具有反射功能之特性，例如是矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬，其中第一環形擋牆130a的材質可與第二環形擋牆140a(或140b)的材質相同或不同，於此並不加以限制。本實施例中，第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a(或140b) 可為一連續的環形擋牆，亦可以非連續的環形擋牆作改變。
需說明的是，在本實施例中並不限定第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a(或140b)的形成順序。也就是說，可先形成第一環形擋牆130a後，再形成第二環形擋牆140a(或140b)；或者是，第一環形擋牆130a與承載器110一體成型後，再形成第二環形擋牆140a(或140b)於承載器110上；或者是，先形成第二環形擋牆140a(或140b)後，再形成第一環形擋牆130a，於此並不加以限制。此外，形成第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a(或140b)的方法可包括透過點膠機(未繪示)來進行點膠程序(此時，第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a(或140b)的材質例如是橡膠)或是透過微影、蝕刻及電鍍程序來形成(此時，第一環形擋牆130a與第二環形擋牆140a(或140b)的材質例如是金屬)。
之後，步驟S14，填充一螢光膠體150於承載器110上以至少覆蓋發光二體晶片120a(或120b)與第二環形擋牆140b，其中螢光膠體150包括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154混合而成，且螢光粉152散佈於膠體154內。需說明的是，填充螢光膠體150的方法例如是透過點膠機(未繪示)來進行點膠程序。為了避免點膠的過程中，螢光膠體150中的螢光粉152沉澱速度不一致，因此通常會於螢光膠體150中摻雜有抗沉澱劑，例如二氧化矽(SiO2 )(未繪示)。再者，螢光膠體150中亦可添加有一光擴散劑(未繪示)來調整發光二極體封裝結構100a所發出的光 的顏色或均勻度等光學效果。
接著，步驟S15，進行一離心程序以使螢光膠體150中的螢光粉152沉降至發光二極體晶片120(或120b)的表面上。此處，進行離心程序是採用離心機(未繪示)來實現，透過離心機的離心力將分散於膠體154內的螢光粉152分佈於發光二極體晶片120(或120b)的表面上，可使螢光粉152平均分佈於發光二極體晶片120(或120b)的表面，而避免螢光粉152囤積的厚度不均一，而影響光學效果，或因過多的螢光粉152囤積至承載器110的周邊區114而產生邊壁黃暈現象。當然，於離心程序的過程中，螢光粉152亦可能因為離心力的關係而填充於凹槽U內。
最後，步驟S16，放置一烤箱進行一烘烤程序以固化螢光膠體150，而完成發光二極體封裝結構100a、100b、100c、100d、100e的製作。
由於本實施例是先進行完離心程序後，即已使螢光膠體150中的螢光粉152分佈於發光二極體晶片120(或120b)的表面上，才進行烘烤程序。相較於習知填充完螢光膠體後即進行烘烤程序而言，本實施例之發光二極體封裝結構100a、100b、100c、100d、100e之色度座標不易偏移或增大(拉長)，即可較為集中，可具有較佳的色度表現。此外，透過離心程序亦可將螢光膠體150中的氣泡脫離，而使所形成之發光二極體封裝結構100a、100b、100c、100d、100e具有較佳的光學表現。
圖4A為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝 結構的剖面示意圖。圖4B為圖4A之發光二極體封裝結構的俯視示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重複贅述。
請同時參考圖4A與圖4B，本實施例之發光二極體封裝結構100f包括一承載器110a、複數個發光二極體晶片120a、一環形擋牆130c、複數個條形擋牆140c以及一螢光膠體150。承載器110a的材質例如是陶瓷、高分子聚合物或金屬，其中當承載器110a的材質為金屬時，承載器110a可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board,MCPCB)，但並不以此為限。本實施例中，發光二極體晶片120a配置於承載器110a上且電性連接至承載器110a，其中發光二極體晶片120a係透過覆晶接合技術與承載器110a電性連接。環形擋牆130c配置於承載器110a上且圍繞發光二極體晶片120a。
條形擋牆140c配置於承載器110a上且連接環形擋牆130c，其中條形擋牆140c與環形擋牆130c在承載器110a上定義出複數個格子狀凹槽C，而發光二極體晶片120a分別設置於格子狀凹槽C內。於另一實施例中，請參考圖4D，發光二極體封裝結構100h之條形擋牆140e亦可為彼此相連而定義出多個次環形擋牆130b，次環形擋牆130b配置於承載器110a上且其分別圍繞各個發光二極體晶片120a，而定義出複數個格子狀凹槽C’。請再參考圖4A與 圖4B，螢光膠體150配置於承載器110a上，且填充於格子狀凹槽C中並至少覆蓋發光二極體晶片120a，其中螢光膠體150包括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154，且螢光粉152分佈於發光二極體晶片120a的表面上。更具體來說，在本實施例中，環狀擋牆130c的高度H3與每一條形擋牆140c的高度H4實質上相同，其中這些條形擋牆140c是由連續之條形擋牆(即圖4B中縱軸方向的擋牆)與不連續之條形擋牆(即圖4B中橫軸方向的擋牆)所組成，但並不以此為限。環形擋牆130c的材質與每一條形擋牆140c的材質例如是矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
由於本實施例之發光二極體晶片120a是採用覆晶接合技術與承載器110a電性連接，可節省多個發光二極體晶片120a間預留之打線區域，因此在單位面積下可於承載器110a上配置較多的發光二極體晶片120a，即可配置較多的晶片數量，可有效提高發光二極體封裝結構100h的出光亮度。再者，由於本實施例之發光二極體封裝結構100f具有環形擋牆130c及這些條形擋牆140c的搭配設計，因此可減少承載器110a上的閒置空間，而減少過多螢光粉152堆積於環形擋牆130c及條形擋牆140c之間的間隙，使其不易受到發光二極體晶片120a的激發，故可有效避免邊壁產生黃暈現象。此外，由於本實施例之環形擋牆130c及這些條形擋牆140c具有不吸光且具有反射功能之特性，因此可反射及散射這些發光二極體晶片120a所產生的色光，可 有效提高發光二極體封裝結構100h的出光亮度。簡言之，本實施例之發光二極體封裝結構100h可呈現較佳的光學表現。
值得一提的是，本實施例並不限定這些發光二極體晶片120a與承載器110a的連接形態，雖然此處所提及的這些發光二極體晶片120a具體化為透過覆晶接合的方式與承載器110a電性連接。但，於其他未繪示的實施例中，發光二極體封裝結構之這些發光二極體晶片亦可透過打線接合的方式與承載器電性連接，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。再者，雖然於本實施例中承載器110a、環形擋牆130c及條形擋牆140c為各自獨立之元件，但於其他未繪示的實施例中，承載器110a與環形擋牆130c亦可為一體成型之結構，其中承載器110a的材質與第一環形擋牆130c的材質例如皆採用金屬；或者是，承載器110a及這些條形擋牆140c亦可為一體成型之結構，其中承載器110a的材質以及這些條形擋牆140c的材質例如皆採用金屬。此外，雖然本實施例之這些條形擋牆140c的高度H4實質上與環形擋牆130c的高度H3相同，但於其他實施例中，請參考圖4C，發光二極體封裝結構100g的每一條形擋牆140d的高度H5亦可低於環狀擋牆130a的高度H3，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。另外，於其他未繪示的實施例中，本領域的技術人員當可參照上述實施例的說明，依據實際需求，而選用上述元件、元件之材質、元 件之型態及其配置方式，以達到所需的技術效果。
以上僅介紹本發明之發光二極體封裝結構100h、100i的結構，並未介紹本發明之發光二極體封裝結構100h、100i的製作方法。對此，以下將以一實施例來詳細說明發光二極體封裝結構100h、100i的結構的製作方法。
圖5為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程示意圖。請參考圖5，並同時配合參考圖4A至4C的圖式。依照本實施例的發光二極體封裝結構的製作方法，首先，步驟S20，提供一承載器110a。此處，承載器110a的材質例如是陶瓷、高分子聚合物或金屬，其中當承載器110a的材質為金屬時，承載器110a可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board,MCPCB)，但並不以此為限。
接著，步驟S21，配置複數個發光二極體晶片120a於承載器110上，且這些發光二極體晶片120a電性連接至承載器110a。此處，這些發光二極體晶片120a係透過覆晶接合技術與承載器110a電性連接。當然，於其他未繪示的實施例中，這些發光二極體晶片係透過打線接合技術與承載器電性連接。
接著，步驟S22，形成一環形擋牆130c於承載器110a上，其中環形擋牆130c圍繞發光二極體晶片120a。
接著，步驟S23，形成複數個條形擋牆140c(或140d)於承載器110a上。條形擋牆140c(或140d)連接環形擋牆130c，且條形擋牆140c(或140d)與環形擋牆130c在 承載器110a上定義出複數個格子狀凹槽C，而發光二極體晶片120a設置於格子狀凹槽C內。此處，條形擋牆140c(或140d)的高度H4(或H5)相同於(或低於)環形擋牆130c的高度H3。環形擋牆130c的材質與條形擋牆140c(或140d)的材質具有不吸光且具有反射功能之特性，例如是矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。本實施例中，環形擋牆130c的材質可與條形擋牆140c(或140d)的材質相同或不同，於此並不加以限制。此處，環形擋牆130c為一連續之環形擋牆，而條形擋牆140c(或140d)可連續之條形擋牆與非連續之條形擋牆的組合。
需說明的是，在本實施例中並不限定環形擋牆130c與條形擋牆140c(或140d)的形成順序。也就是說，可先形成環形擋牆130c後，再形成條形擋牆140c(或140d)；或者是，環形擋牆130c與承載器110a一體成型後，再形成條形擋牆140c(或140d)於承載器110a上；或者是，先形成條形擋牆140c(或140d)與承載器110a一體成型後，再形成環形擋牆130c，於此並不加以限制。此外，形成環形擋牆130c與條形擋牆140c(或140d)的方法可包括透過點膠機(未繪示)來進行點膠程序(此時，環形擋牆130c與條形擋牆140c(或140d)的材質例如是橡膠)或是透過微影、蝕刻及電鍍程序來形成(此時，環形擋牆130c與條形擋牆140c(或140d)的材質例如是金屬)。
之後，步驟S24，填充一螢光膠體150於承載器110a的一承載區(即配置發光二極體晶片120a的區域)上內， 其中螢光膠體150填滿格子狀凹槽C且至少覆蓋發光二極體晶片120a。螢光膠體包150括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154混合而成，且螢光粉152散佈於膠體154內。需說明的是，填充螢光膠體150的方法例如是透過點膠機(未繪示)來進行點膠程序。為了避免點膠的過程中，螢光膠體150中的螢光粉152沉澱速度不一致，因此通常會於螢光膠體150中摻雜有抗沉澱劑，例如二氧化矽(SiO2 )(未繪示)。再者，螢光膠體150中亦可填加有一光擴散劑(未繪示)來調整發光二極體封裝結構100a所發出的光的顏色或均勻度等光學效果。
更具體來說，在本實施例中，當這些條形擋牆140c的高度H4相同於環形擋牆130c的高度H3時，填充螢光膠體150於承載器110a的承載區的步驟，可包括：將螢光膠體150依序填入格子狀凹槽C，使螢光膠體150的一上表面151與環狀擋牆130a的一頂面131及每一條形擋牆140a的一頂面141高度相同，請參考圖4A。於另一實施例中，當這些條形擋牆140d的高度H5低於環形擋牆130c的高度H3時，填充螢光膠體150於承載器110a的承載區的步驟，包括：將螢光膠體150任意填入一部分的格子狀凹槽C，接著直接進行後續步驟S23之離心程序，以使螢光膠體150向兩側流動以填滿格子狀凹槽C，且螢光膠體150覆蓋於每一條形擋牆140d之一頂面143，請參考圖4C。
接著，步驟S25，進行一離心程序以使螢光膠體150中的螢光粉152沉降於這些發光二極體晶片120a的表面 上。此處，進行離心程序是採用離心機(未繪示)來實現，透過離心機的離心力將分散於膠體154內的螢光粉152沉降於這些發光二極體晶片120的表面上，可避免過多的螢光粉152囤積至承載器110a的閒置空間上而產生邊壁黃暈現象。
最後，步驟S26，放置一烤箱進行一烘烤程序以固化螢光膠體150，而完成發光二極體封裝結構100f、100g、100h、100i的製作。
由於本實施例是先進行完離心程序後，即已使螢光膠體150中的螢光粉152分佈於這些發光二極體晶片120a的表面上，才進行烘烤程序。相較於習知填充完螢光膠體後即進行烘烤程序而言，本實施例之發光二極體封裝結構100f、100g、100h、100i之色度座標不易偏移或增大(拉長)，即可較為集中，可具有較佳的色度表現。再者，當環形擋牆130c與這些條狀擋牆140c具有相同的高度時，於進行離心程序時，可有效避免凹膠的現象產生。此外，透過離心程序亦可將螢光膠體150中的氣泡脫離，而使所形成之發光二極體封裝結構100f、100g、100h、100i具有較佳的光學表現。
綜上所述，本發明之發光二極體晶片可採用覆晶接合技術與承載器電性連接，因此在單位面積下可於承載器上配置較多的發光二極體晶片，即具有較多的晶片數量，可有效提高發光二極體封裝結構的出光亮度。再者，由於本實施例之發光二極體封裝結構具有第一環形擋牆與第二環 形擋牆的搭配設計、環形擋牆、環形擋牆與條形擋牆的搭配設計，且螢光膠體的螢光粉是分佈於發光二極體晶片的表面上。因此，發光二極體封裝結構的周邊不會聚集過多的螢光粉，即可減少承載器上的閒置空間，以使較多的螢光粉分佈於發光二極體晶片的表面上，故可有效避免邊壁產生黃暈現象。此外，由於第一環形擋牆、第二環形擋牆、環形擋牆及條形擋牆皆具有不吸光且具有反射功能之特性，因此可反射及散射發光二極體晶片所產生的色光，可有效提高發光二極體封裝結構的出光亮度。簡言之，本發明之發光二極體封裝結構可呈現較佳的光學表現。
此外，本發明是透過離心機的離心力將分散於螢光膠體之膠體內的螢光粉沉降至發光二極體晶片的表面上，如此一來，螢光粉可平均分佈於發光二極體晶片的表面，而避免螢光粉囤積分佈的厚度不均一，而影響光學效果，或因過多的螢光粉囤積至承載器的閒置空間而產生邊壁黃暈現象。再者，由於本實施例是先進行完離心程序後，即已使螢光膠體中的螢光粉分佈於發光二極體晶片的表面上，才進行烘烤程序。相較於習知填充完螢光膠體後即進行烘烤程序而言，本發明之發光二極體封裝結構之色度座標不易偏移或增大(拉長)，即可較為集中，可具有較佳的色度表現。此外，當環形擋牆與條狀擋牆具有相同的高度時，於進行離心程序時，可有效避免凹膠的現象產生。另外，透過離心程序亦可將螢光膠體中的氣泡脫離，而使所形成之發光二極體封裝結構具有較佳的光學表現。
值得一提的是，在上述本實施例中，擋牆可為一封閉環狀或一非封閉環狀，其中封閉環狀例如是四邊形、圓形、橢圓形、蛋形、星形或其他多邊形，而非封閉環狀例如是弧形、線形或隨機變化曲線形。特別是，擋牆的形狀可對應發光二極體晶片的外型，意即擋牆的形狀與發光二極體的外型共形(conformal)設置。
在上述實施例中，第一環形擋牆為一連續之環形擋牆，高度可以是等高或不等高變化。
在上述實施例中，第二環形擋牆為一連續之環形擋牆，高度可以是等高或不等高變化。
在上述實施例中，第一環形擋牆可以是不連續之環形擋牆，高度可以是等高或不等高變化。在一實施例中，第二環形擋牆可以是不連續之環形擋牆，高度可以是等高或不等高變化。
在上述實施例中，第一環形擋牆可以是反射材料，或者是非反射材料表面塗佈反射材料。
在上述實施例中，第二環形擋牆可以是反射材料，或者是非反射材料表面塗佈反射材料。
在上述實施例中，螢光粉濃度分佈狀況會隨著發光二極體晶片高度、第一環形擋牆高度、第二環形擋牆高度、發光二極體晶片及第一環形擋牆之間距離、第一環形擋牆及第二環形擋牆之間距離而變化。
在上述實施例中，螢光粉濃度由螢光膠體表面往發光二極體晶片表面逐漸增加或減少。
在上述實施例中，螢光粉濃度由發光二極體晶片表面往發光二極體晶片側面逐漸增加或減少。
在上述實施例中，當螢光粉濃度由螢光膠體表面往發光二極體晶片表面逐漸增加或減少時，螢光粉濃度由發光二極體晶片表面往發光二極體晶片側面逐漸增加或減少。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h‧‧‧發光二極體封裝結構
110、110a‧‧‧承載器
112‧‧‧承載區
114‧‧‧周邊區
120a、120b‧‧‧發光二極體晶片
125‧‧‧導線
130a‧‧‧第一環形擋牆
130b‧‧‧次環形擋牆
130c‧‧‧環形擋牆
131‧‧‧頂面
132‧‧‧頂表面
140a、140b‧‧‧第二環形擋牆
140c、140d、140e‧‧‧條形擋牆
141、143‧‧‧頂面
150‧‧‧螢光膠體
151‧‧‧上表面
152‧‧‧螢光粉
154‧‧‧膠體
C、C’‧‧‧格子狀凹槽
D‧‧‧間距
H1、H2、H3、H4‧‧‧高度
S10~S16、S20~S26‧‧‧步驟
U‧‧‧凹槽
圖1A為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖1B為圖1A之發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖1C為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖1D為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖2A為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖2B為圖2A之發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖2C為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖3為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構 的製作方法的流程示意圖。
圖4A為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖4B為圖4A之發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖4C為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖4D為本發明之另一實施例之一種發光二極體封結構的俯視示意圖。
圖5為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程示意圖。
100a‧‧‧發光二極體封裝結構
110‧‧‧承載器
112‧‧‧承載區
114‧‧‧周邊區
120a‧‧‧發光二極體晶片
130a‧‧‧第一環形擋牆
140a‧‧‧第二環形擋牆
150‧‧‧螢光膠體
152‧‧‧螢光粉
154‧‧‧膠體
D‧‧‧間距
H1、H2‧‧‧高度
U‧‧‧凹槽

Claims (31)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括：一承載器，具有一承載區，以及一圍繞該承載區的周邊區；至少一個發光二極體晶片，配置於該承載器的該承載區內，且電性連接至該承載器；一第一環形擋牆，配置於該承載器的該周邊區內，且圍繞該發光二極體晶片；一第二環形擋牆，配置於該第一環形擋牆的內側，且圍繞該發光二極體晶片，其中該第二環形擋牆的高度低於該第一環形擋牆的高度；以及一螢光膠體，配置於該承載器上且至少覆蓋該發光二體晶片與該第二環形擋牆，其中該螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體，且該螢光粉分佈於該發光二極體晶片的表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該第一環形擋牆與第二環形擋牆之間具有一間距，且在該承載器上定義一凹槽，該螢光膠體填充於該凹槽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該該承載器與該第一環形擋牆或該第二環形擋牆一體成型。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該第一環形擋牆或該第二環形擋牆為一不連續之 環形擋牆。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，更包括：複數個條形擋牆，配置於該承載器上且連接該第二環形擋牆，其中該些條形擋牆與該第二環形擋牆在該承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而該些發光二極體晶片設置於該些格子狀凹槽內。
  6. 一種發光二極體封裝結構，包括：一承載器；複數個發光二極體晶片，配置於該承載器上，且電性連接至該承載器；一環形擋牆，配置於該承載器上，且圍繞該些發光二極體晶片；複數個條形擋牆，配置於該承載器上且連接該環形擋牆，其中該些條形擋牆與該環形擋牆在該承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而該些發光二極體晶片設置於該些格子狀凹槽內；以及一螢光膠體，配置於該承載器上，且填充於該些格子狀凹槽中並至少覆蓋該些發光二體晶片，其中該螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體，且該螢光粉分佈於該些發光二極體晶片的表面上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構，其中該些條形擋牆彼此相連而定義出多個次環形擋牆，該些次環形擋牆配置於該承載器上且其分別圍繞該些 發光二極體晶片。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構，其中該環狀擋牆的高度與各該條形擋牆的高度相同。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構，其中各該條形擋牆的高度低於該環狀擋牆的高度。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構，其中該承載器與該環形擋牆或該些條形擋牆一體成型。
  11. 如申請專利範圍第1至10項任一項中所述之發光二極體封裝結構，其中各該發光二極體晶片係透過覆晶接合技術與該承載器電性連接。
  12. 如申請專利範圍第1至10項任一項中所述之發光二極體封裝結構，其中各該發光二極體晶片係透過打線接合技術與該承載器電性連接。
  13. 如申請專利範圍第1至10項任一項中所述之發光二極體封裝結構，其中該承載器的材質包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。
  14. 如申請專利範圍第1至5項任一項中所述之發光二極體封裝結構，其中該第一環形擋牆的材質與該第二環形擋牆的材質包括矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
  15. 如申請專利範圍第6至10項任一項中所述之發光二極體封裝結構，其中該環形擋牆的材質與該些條形擋牆的材質包括矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
  16. 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括：提供一承載器，其中該承載器具有一承載區，以及一圍繞該承載區的周邊區；配置至少一個發光二極體晶片於該承載器的該承載區內，且該發光二極體晶片電性連接至該承載器；形成一第一環形擋牆於該承載器的該周邊區內；形成一第二環形擋牆於該承載器的該周邊區內，其中該第二環形擋牆圍繞該發光二極體晶片並設置於該第一環形擋牆之內側，且該第二環形擋牆的高度低於該第一環形擋牆的高度；填充一螢光膠體於該承載器上以至少覆蓋該發光二體晶片與該第二環形擋牆，其中該螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體混合而成，且該螢光粉分散於該膠體內；進行一離心程序以使該螢光膠體中的該螢光粉沉降於該發光二極體晶片的表面上；以及放置一烤箱進行一烘烤程序。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該第一環形擋牆與第二環形擋牆之間具有一間距，且在該承載器上定義一凹槽，該螢光膠體填充於該凹槽。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：形成複數個條形擋牆，配置於該承載器上且連接該第 二環形擋牆，其中該些條形擋牆與該第二環形擋牆在該承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而該些發光二極體晶片設置於該些格子狀凹槽內。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該承載器與該第一環形擋牆或該第二環形擋牆一體成型。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該第一環形擋牆或該第二環形擋牆為不連續之環形擋牆。
  21. 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括：提供一承載器；配置複數個發光二極體晶片於該承載器上，且該些發光二極體晶片電性連接至該承載器；形成一環形擋牆於該承載器上，該環形擋牆圍繞該些發光二極體晶片；形成複數個條形擋牆於該承載器上，其中該些條形擋牆連接該環形擋牆，且該些條形擋牆與該環形擋牆在該承載器上定義出複數個格子狀凹槽，而該些發光二極體晶片設置於該些格子狀凹槽內；填充一螢光膠體於該承載器的一承載區內，其中該螢光膠體填滿該些格子狀凹槽且至少覆蓋該些發光二極體晶片，該螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體混合而成，且該螢光粉分散於該膠體內；進行一離心程序以使該螢光膠體中的該螢光粉沉降 於該些發光二極體晶片的表面上；以及放置烤箱進行烘烤。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該些條形擋牆彼此相連而定義出多個次環形擋牆，該些次環形擋牆配置於該承載器上且其分別圍繞該些發光二極體晶片。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中填充該螢光膠體於承載器的該承載區的步驟，包括：將該螢光膠體依序填入該些格子狀凹槽，使該螢光膠體的一上表面與該環狀擋牆的一頂面及各該條形擋牆的一頂面高度相同。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中填充該螢光膠體於承載器的該承載區的步驟，包括：將該螢光膠體任意填入一部分的該些格子狀凹槽；以及進行一離心程序，以使該螢光膠體向兩側流動以填滿該些格子狀凹槽，且該螢光膠體覆蓋於各該條形擋牆之一頂面。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該承載器與該環形擋牆或該些條形擋牆一體成型。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝 結構的製作方法，其中該環形擋牆為不連續之環形擋牆。
  27. 如申請專利範圍第16至26項任一項中所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中配置各該發光二極體晶片於該承載器上的方法係透過覆晶接合技術與該承載器電性連接。
  28. 如申請專利範圍第16至26項任一項中所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中配置各該發光二極體晶片於該承載器上的方法係透過打線接合技術與該承載器電性連接。
  29. 如申請專利範圍第16至26項任一項中所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該承載器的材質包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。
  30. 如申請專利範圍第16至20項任一項中所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該第一環形擋牆的材質與該第二環形擋牆的材質包括矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
  31. 如申請專利範圍第21至26項任一項中所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該環形擋牆的材質與該些條形擋牆的材質包括矽、氧化矽、氮化硼、橡膠、有機高分子材料或金屬。
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