CN103489984B - 发光二极管封装结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种发光二极管封装结构，包括一承载器、一发光二极管芯片、一第一环形挡墙、一第二环形挡墙以及一萤光胶体。发光二极管芯片电性连接至承载器。第一环形挡墙与第二环形挡墙围绕发光二极管芯片设置，第二环形挡墙设置于发光二极管芯片与第一环形挡墙之间。萤光胶体配置于承载器上且至少覆盖发光二极管芯片与第二环形挡墙，所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，其中所述的萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。

Description

发光二极管封装结构及其制作方法

技术领域

本发明是有关于一种封装结构及其制作方法，且特别是有关于一种发光二极管封装结构及其制作方法。

背景技术

发光二极管是一种由含有III-Ⅴ族元素的半导体材料所构成的发光元件，且发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。

举例而言，以目前高功率白光发光二极管的封装方式大多数是采用蓝光发光二极管并搭配黄色萤光粉的使用而成。白光发光二极管的所以发白光是因为其发光二极管芯片发出蓝光，蓝光通过黄色萤光粉后会被转换成黄光，而被黄色萤光粉转换成的黄光与没被转换的蓝光即混合成白光。由于发光二极管所发出的蓝光具有一定程度的指向性，这会使得以较大角度偏离光轴的蓝光的光强度较弱，进而使得以较大角度偏离光轴的黄光的强度大于蓝光的强度。如此一来，会使得照明灯具的照射范围的边缘产生黄晕。此外，采用蓝光二极管并搭配黄色萤光粉的白光发光二极管往往在制程上会因为黄色萤光粉在芯片上分布不均，也使得其出射的白光外围会分布一圈黄光，即黄晕现象（yellowish halo），以致于影响白光发光二极管所发出的光的颜色均匀度。

因此，过去为了解决黄晕的问题通常会在萤光粉中添加增白剂来降低黄晕的发生，其中增白剂例如是白色微粒或是玻璃微粒，如此可以散射发光二极管的光束降低黄晕的程度。相对地，增白剂的添加却往往会牺牲了发光二极管整体的出光效率，并且在演色性的表现上也无法产生任何提升的效果。

发明内容

本发明提供一种发光二极管封装结构，其可呈现出较佳的光学表现。

本发明提供一种发光二极管封装结构的制作方法，用以制作上述的发光二极管封装结构。

本发明提出一种发光二极管封装结构，其包括一承载器、至少一个发光二极管芯片、一第一环形挡墙、一第二环形挡墙以及一萤光胶体。承载器具有一承载区以及一围绕承载区的周边区。发光二极管芯片配置于承载器的承载区内，且电性连接至承载器。第一环形挡墙配置于承载器的周边区内，且围绕发光二极管芯片。第二环形挡墙配置于第一环形挡墙的内侧，且围绕发光二极管芯片，其中所述第二环形挡墙的高度低于第一环形挡墙的高度。而，萤光胶体配置于承载器上且至少覆盖发光二体芯片与第二环形挡墙，其中所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，而所述萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。

本发明另一实施例中，所述的第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，且在承载器上定义一凹槽，所述萤光胶体填充于凹槽。

本发明又一实施例中，所述的承载器与第一环形挡墙或第二环形挡墙一体成型。

本发明又一实施例中，所述的第一环形挡墙或第二环形挡墙为一不连续的环形挡墙。

本发明又一实施例中，所述的发光二极管封装结构更包括多个条形挡墙。所述条形挡墙配置于承载器上且连接所述第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与第二环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。

本发明提出另一种发光二极管封装结构，其包括一承载器、多个发光二极管芯片、一环形挡墙、多个条形挡墙以及一萤光胶体。发光二极管芯片配置于承载器上，且电性连接至承载器。环形挡墙配置于承载器上，且围绕发光二极管芯片。所述条形挡墙配置于承载器上且连接环形挡墙，其中条形挡墙与环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而发光二极管芯片设置于格子状凹槽内。萤光胶体配置于承载器上，且填充于格子状凹槽中并至少覆盖发光二体芯片，其中萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，且萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。

本发明又一实施例中，所述的多个条形挡墙彼此相连而定义出多个次环形挡墙，其中所述多个次环形挡墙配置于承载器上且其分别围绕发光二极管芯片。

本发明又一实施例中，所述的环状挡墙的高度与每一条形挡墙的高度相同。

本发明又一实施例中，所述的每一条形挡墙的高度低于环状挡墙的高度。

本发明又一实施例中，所述的承载器与环形挡墙或条形挡墙一体成型。

本发明又一实施例中，所述的发光二极管芯片系透过倒装焊技术与承载器电性连接。

本发明又一实施例中，所述的发光二极管芯片系透过打线接合技术与承载器电性连接。

本发明又一实施例中，所述的承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。

本发明又一实施例中，所述的第一环形挡墙的材质与第二环形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属。

本发明提出一种发光二极管封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供一承载器，其中承载器具有一承载区以及一围绕承载区的周边区。配置至少一个发光二极管芯片于承载器的承载区内，且发光二极管芯片电性连接至承载器。形成一第一环形挡墙于承载器的周边区内。形成一第二环形挡墙于承载器的周边区内，其中第二环形挡墙围绕发光二极管芯片并设置于第一环形挡墙的内侧，且第二环形挡墙的高度低于第一环形挡墙的高度。填充一萤光胶体于承载器上以至少覆盖发光二体芯片与第二环形挡墙，其中所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，且萤光粉散布于胶体内。之后，进行一离心程序，以使萤光胶体中的萤光粉沉降于发光二极管芯片的表面上。最后，放置烤箱进行烘烤定形。

本发明另一实施例中，所述的第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，在承载器上定义一凹槽，且萤光胶体填充于凹槽。

本发明另一实施例中，所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：形成多个条形挡墙，配置于承载器上且连接第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与第二环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。

本发明另一实施例中，所述的承载器与第一环形挡墙或第二环形挡墙一体成型。

本发明另一实施例中，所述的第一环形挡墙或第二环形挡墙为不连续的环形挡墙。

本发明再提出一种发光二极管封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供一承载器。配置多个发光二极管芯片于承载器上，且发光二极管芯片电性连接至承载器。形成一环形挡墙于承载器上，其中环形挡墙围绕发光二极管芯片。形成多个条形挡墙于承载器上，其中条形挡墙连接环形挡墙，且条形挡墙与环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而发光二极管芯片设置于格子状凹槽内。填充一萤光胶体于承载器的一承载区内，其中萤光胶体填满格子状凹槽且至少覆盖发光二极管芯片，萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，且萤光粉分散于胶体内。进行一离心程序以使萤光胶体中的萤光粉沉降于发光二极管芯片的表面上。最后，放置一烤箱进行一烘烤程序。

本发明另一实施例中，所述的条形挡墙彼此相连而定义出多个次环形挡墙，其中所述多个次环形挡墙配置于承载器上且其分别围绕发光二极管芯片。

本发明另一实施例中，所述的填充萤光胶体于承载器的承载区的步骤，包括：将萤光胶体依序填入格子状凹槽，使萤光胶体的一上表面与环状挡墙的一顶面及每一条形挡墙的一顶面高度相同。

本发明另一实施例中，所述的填充萤光胶体于承载器的承载区的步骤，包括：将萤光胶体任意填入一部分的格子状凹槽；以及进行一离心程序，以使萤光胶体向两侧流动以填满格子状凹槽，且萤光胶体覆盖于每一条形挡墙的一顶面。

本发明另一实施例中，所述的承载器与环形挡墙或条形挡墙一体成型。

本发明另一实施例中，所述的环形挡墙为不连续的环形挡墙。

本发明另一实施例中，所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中配置每一发光二极管芯片于承载器上的方法系透过倒装焊技术与承载器电性连接。

本发明另一实施例中，所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中配置每一发光二极管芯片于承载器上的方法系透过打线接合技术与承载器电性连接。

本发明另一实施例中，所述的承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。

本发明另一实施例中，所述的第一环形挡墙的材质与第二环形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属。

基于上述，由于本发明的发光二极管封装结构具有第一环形挡墙与第二环形挡墙的设计，且萤光胶体的萤光粉是分布至发光二极管芯片的表面上，因此可有效避免发光二极管封装结构边壁黄晕现象的发生且可有效提升整体的发光效率。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A为本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。

图1B为图1A的发光二极管封装结构的俯视示意图。

图1C为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。

图1D为本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的俯视示意图。

图2A为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。

图2B为图2A的发光二极管封装结构的俯视示意图。

图2C为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。

图3为本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的流程示意图。

图4A为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。

图4B为图4A的发光二极管封装结构的俯视示意图。

图4C为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。

图4D为本发明的另一实施例的一种发光二极管封结构的俯视示意图。

图5为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的流程示意图。

主要元件符号说明：

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h：发光二极管封装结构

110、110a：承载器

112：承载区

114：周边区

120a、120b：发光二极管芯片

125：导线

130a：第一环形挡墙

130b：次环形挡墙

130c：环形挡墙

131：顶面

132：顶表面

140a、140b：第二环形挡墙

140c、140d、140e：条形挡墙

141、143：顶面

150：萤光胶体

151：上表面

152：萤光粉

154：胶体

C、C’：格子状凹槽

D：间距

H1、H2、H3、H4：高度

S10~S16、S20~S26：步骤

U：凹槽

具体实施方式

图1A为本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。图1B为图1A的发光二极管封装结构的俯视示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，发光二极管封装结构100a包括一承载器110、至少一个发光二极管芯片120a（图1A与图1B中仅示意地绘示一个）、一第一环形挡墙130a、一第二环形挡墙140a以及一萤光胶体150。

详细来说，承载器110具有一承载区112以及一围绕承载区112的周边区114。此处，承载器110的材质例如是陶瓷、高分子聚合物、硅、碳化硅、绝缘材料或金属，其中当承载器110的材质为金属时，承载器110可为一铜基板或一金属核心印刷电路板（Metal CorePrinted Circuit Board,MCPCB），但并不以此为限。

发光二极管芯片120a配置于承载器110的承载区112内，且电性连接至承载器110。在本实施例中，发光二极管芯片120a系透过倒装焊技术与承载器110电性连接。也就是说，本实施例的发光二极管封装结构100为一表面粘着型态（surface mounted device type,SMD type）的发光二极管封装结构。此处的发光二极管芯片120a是以蓝光发光二极管芯片为举例说明，但并不以此为限。

第一环形挡墙130a配置于承载器110的周边区114内，且围绕发光二极管芯片120a。第二环形挡墙140a配置第一环形挡墙130a的内侧，亦位于承载器110的周边区114内，且围绕发光二极管芯片120。特别是，在本实施例中，第二环形挡墙140a设置于发光二极管芯片120a与第一环形挡墙130a之间，且第二环形挡墙140a的高度H2低于第一环形挡墙130a的高度H1。此外，第一环形挡墙130a的材质与第二环形挡墙140a的材质例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属，其中第一环形挡墙130a的材质可与第二环形挡墙140a的材质相同或不同，于此并不加以限制。再者，本实施例的第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性。此处，第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a皆为一连续的环形挡墙。

萤光胶体150配置于承载器110上且至少覆盖发光二体芯片120a与第二环形挡墙140a。特别是，本实施例的萤光胶体150包括至少一种萤光粉152及至少一种胶体154，也就是说，本实施例的萤光胶体150是由至少一种萤光粉152与至少一种胶体154混合而成，其中萤光粉152分布于发光二极管芯片120a的表面上。此处，萤光粉152例如是黄色萤光粉、红色萤光粉、绿色萤光粉或以上萤光粉任意组合，但并不以此为限。此外，萤光胶体150中亦可添加光扩散剂（未绘示）来调整发光二极管封装结构100a所发出的光的颜色或均匀度等光学效果。

更具体来说，在本实施例中，如图1A所示，第二环形挡墙140a与第一环形挡墙130a之间具有一间距D，且在承载器110上定义出一凹槽U。本实施例中，萤光胶体150填充于凹槽U，且萤光粉152分布于凹槽U的底面及第二环形挡墙140a的顶表面。

由于本实施例的发光二极管封装结构100a具有第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a的设计，且萤光胶体150的萤光粉152分布于发光二极管芯片120a的表面上，又部分萤光粉152分布于凹槽U的底面及第二环形挡墙140a的顶表面。因此，发光二极管芯片120a的周围（即承载器110的周边区114）不会聚集过多的萤光粉152，即可减少承载器110的周边区114内的闲置空间，以使较多的萤光粉152分布于发光二极管芯片120a的表面上。故，当具有指向性的发光二极管芯片120a所发出的色光（例如是蓝光或紫外光）照射至分布于其上的萤光粉152，以激发萤光粉152发出色光（例如是黄光或红光），并与发光二极管芯片120a所发出的色光（例如是蓝光或紫外光）相混合时，可有效避免周边区114堆叠较多的萤光粉152受到发光二极管芯片120a激发而产生黄晕现象。

再者，由于第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性，因此当发光二极管芯片120a所发出的色光（例如是蓝光）照射至分布于凹槽U内的萤光粉152时，第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a可使色光产生反射及散射现象，进而使反射色光及散射色光照射至承载区112内，可有效提高发光二极管封装结构100a的出光亮度。简言之，本实施例的发光二极管封装结构100a可呈现较佳的光学表现。

值得一提的是，本实施例并不限定发光二极管芯片120a与承载器110的连接形态，虽然此处所提及的发光二极管芯片120a具体化为透过倒装焊的方式与承载器110电性连接。但是，于其他实施例中，请参考图1C，发光二极管封装结构100b的发光二极管芯片120b亦可透过多条导线125以打线接合的方式与承载器110电性连接，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。再者，虽然于本实施例中承载器110、第一环形挡墙130a及第二环形挡墙140a为各自独立的元件，但于其他未绘示的实施例中，承载器110与第一环形挡墙130a亦可为一体成型的结构，其中承载器110的材质与第一环形挡墙130a的材质例如皆采用金属；或者是，承载器110与第二环形挡墙140a为一体成型的结构，其中承载器110的材质以及第二环形挡墙140a的材质例如皆采用金属。

虽然本实施例的第二环形挡墙140a的形态与第一环形挡墙130a的形态相同，皆为一连续的环形挡墙。但，于其他实施例中，请参考图1D，发光二极管封装结构100c的第二环形挡墙140b亦可为一不连续的环形挡墙，而第一环形挡墙130a在相同概念下，亦可为一不连续的环形挡墙(未绘示)，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。此外，于其他未绘示的实施例中，本领域的技术人员当可参照上述实施例的说明，依据实际需求，而选用上述元件、元件的材质、元件的型态及其配置方式，以达到所需的技术效果。

图2A为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。图2B为图2A的发光二极管封装结构的俯视示意图。本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，本实施例不再重复赘述。

请同时参考图2A与图2B，图2A与图2B的发光二极管封装结构100d与图1A及图1B的发光二极管封装结构100a相似，其不同之处在于：图2A与图2B的发光二极管封装结构100d包括多个发光二极管芯片120a，其中这些发光二极管芯片120a是透过倒装焊技术与承载器110电性连接。此处的发光二极管封装结构100d例如是一芯片-电路板接合（chip onboard,COB）型态的发光二极管封装结构。此外，萤光胶体150的萤光粉152是分布于这些发光二极管芯片120a的表面上、这些发光二极管芯片120a之间的间隙内。当然，如图2A所示，萤光胶体150亦可填充于于承载器110上所定义的凹槽U，且萤光粉152分布于凹槽U内及第二环形挡墙140a的顶表面。

由于本实施例的发光二极管芯片120a是采用倒装焊技术与承载器110电性连接，可节省多个发光二极管芯片120a间预留的打线区域，因此在单位面积下可于承载器110上配置较多的发光二极管芯片120a，即可配置较多的芯片数量，可有效提高发光二极管封装结构100d的出光亮度。再者，由于本实施例的发光二极管封装结构100a具有第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a的设计，且萤光胶体150的萤光粉152是分布于所述发光二极管芯片120a的表面上与各芯片120a之间的间隙内，以及第二环形挡墙140a的顶表面与第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a之间的间隙内。因此，所述发光二极管芯片120a的周围（即承载器110的周边区114）不会聚集过多的萤光粉152，不但可减少承载器110的周边区114内的闲置空间，更由于第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性，故第二环形挡墙140a的顶表面及第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a之间的间隙内所聚集的萤光粉152不易受到发光二极管芯片120a的激发，可有效避免周边区114产生黄晕现象。

此外，由于第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性，因此反射及散射所述发光二极管芯片120a所产生的色光至承载区112内，可有效提高发光二极管封装结构100d的出光亮度。简言之，本实施例的发光二极管封装结构100d可呈现较佳的光学表现。

值得一提的是，本实施例并不限定所述发光二极管芯片120a与承载器110的连接形态，虽然此处所提及的所述发光二极管芯片120a具体化为透过倒装焊的方式与承载器110电性连接。但，于其他实施例中，请参考图2C，发光二极管封装结构100e的所述发光二极管芯片120b亦可透过多条导线125以打线接合的方式与承载器110电性连接，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。

此外，虽然于本实施例中承载器110、第一环形挡墙130a及第二环形挡墙140a为各自独立的元件，但于其他未绘示的实施例中，承载器110与第一环形挡墙130a亦可为一体成型的结构，其中承载器110的材质与第一环形挡墙130a的材质例如皆采用金属；或者是，承载器110及第二环形挡墙140a亦可为一体成型的结构，其中承载器110的材质以及第二环形挡墙140a的材质例如皆采用金属。

虽然本实施例的图2B所示的第二环形挡墙140a的形态与第一环形挡墙130a的形态相同，即皆为一连续的环形挡墙。但，于其他未绘示的实施例中，第二环形挡墙亦可为一不连续的环形挡墙（请参考如图1D所示），而第一环形挡墙130a在相同概念下，亦可为一不连续的环形挡墙(未绘示)，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。

以上仅介绍本发明的发光二极管封装结构100a、100b、100c、100d、100e的结构，并未介绍本发明的发光二极管封装结构100a、100b、100c、100d、100e的制作方法。对此，以下将以一实施例来详细说明发光二极管封装结构100a、100b、100c、100d、100e的结构的制作方法。

图3为本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的流程示意图。请参考图3，并同时配合参考图1A至1D及图2A至2C的图式。

依照本实施例的发光二极管封装结构的制作方法，首先，步骤S10，提供一承载器110，其中承载器110具有一承载区112以及一围绕承载区112的周边区114。此处，承载器110的材质例如是陶瓷、高分子聚合物、硅、碳化硅、绝缘材料或金属，其中当承载器110的材质为金属时，承载器110可为一铜基板或一金属核心印刷电路板（Metal Core PrintedCircuit Board,MCPCB），但并不以此为限。

接着，步骤S11，配置至少一个发光二极管芯片120a（或120b）于承载器110的承载区112内，且发光二极管芯片120a（或120b）电性连接至承载器110。此处，发光二极管芯片120a（或120b）是透过倒装焊（或打线接合）技术与承载器110电性连接。

接着，步骤S12，形成一第一环形挡墙130a于承载器110的周边区114内。

接着，步骤S13，形成一第二环形挡墙140a（或140b）于承载器110的周边区114内。特别是，第二环形挡墙140a（或140b）围绕发光二极管芯片120a（或120b）并设置于第一环形挡墙130a的内侧，亦于发光二极管芯片120a（或120b）与第一环形挡墙130a之间。第二环形挡墙140a（或140b）的高度H2低于第一环形挡墙130a的高度H1。此处，更具体来说，第二环挡墙140a（或140b）与第一环形挡墙130a之间具有一间距D，且在承载器110上定义出凹槽U。第一环形挡墙130a的材质与第二环形挡墙140a（或140b）的材质具有不吸光且具有反射功能的特性，例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属，其中第一环形挡墙130a的材质可与第二环形挡墙140a（或140b）的材质相同或不同，于此并不加以限制。本实施例中，第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a（或140b）可为一连续的环形挡墙，亦可以非连续的环形挡墙作改变。

需说明的是，在本实施例中并不限定第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a（或140b）的形成顺序。也就是说，可先形成第一环形挡墙130a后，再形成第二环形挡墙140a（或140b）；或者是，第一环形挡墙130a与承载器110一体成型后，再形成第二环形挡墙140a（或140b）于承载器110上；或者是，先形成第二环形挡墙140a（或140b）后，再形成第一环形挡墙130a，于此并不加以限制。此外，形成第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a（或140b）的方法可包括透过点胶机（未绘示）来进行点胶程序（此时，第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a（或140b）的材质例如是橡胶）或是透过光刻、蚀刻及电镀程序来形成（此时，第一环形挡墙130a与第二环形挡墙140a（或140b）的材质例如是金属）。

之后，步骤S14，填充一萤光胶体150于承载器110上以至少覆盖发光二体芯片120a（或120b）与第二环形挡墙140b，其中萤光胶体150包括至少一种萤光粉152及至少一种胶体154混合而成，且萤光粉152散布于胶体154内。需说明的是，填充萤光胶体150的方法例如是透过点胶机（未绘示）来进行点胶程序。为了避免点胶的过程中，萤光胶体150中的萤光粉152沉淀速度不一致，因此通常会于萤光胶体150中掺杂有抗沉淀剂，例如二氧化硅(SiO₂)（未绘示）。再者，萤光胶体150中亦可添加有一光扩散剂（未绘示）来调整发光二极管封装结构100a所发出的光的颜色或均匀度等光学效果。

接着，步骤S15，进行一离心程序以使萤光胶体150中的萤光粉152沉降至发光二极管芯片120（或120b）的表面上。此处，进行离心程序是采用离心机（未绘示）来实现，透过离心机的离心力将分散于胶体154内的萤光粉152分布于发光二极管芯片120（或120b）的表面上，可使萤光粉152平均分布于发光二极管芯片120（或120b）的表面，而避免萤光粉152囤积的厚度不均一，而影响光学效果，或因过多的萤光粉152囤积至承载器110的周边区114而产生边壁黄晕现象。当然，于离心程序的过程中，萤光粉152亦可能因为离心力的关系而填充于凹槽U内。

最后，步骤S16，放置一烤箱进行一烘烤程序以固化萤光胶体150，而完成发光二极管封装结构100a、100b、100c、100d、100e的制作。

由于本实施例是先进行完离心程序后，即已使萤光胶体150中的萤光粉152分布于发光二极管芯片120（或120b）的表面上，才进行烘烤程序。相较于已知填充完萤光胶体后即进行烘烤程序而言，本实施例的发光二极管封装结构100a、100b、100c、100d、100e的色度座标不易偏移或增大（拉长），即可较为集中，可具有较佳的色度表现。此外，透过离心程序亦可将萤光胶体150中的气泡脱离，而使所形成的发光二极管封装结构100a、100b、100c、100d、100e具有较佳的光学表现。

图4A为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。图4B为图4A的发光二极管封装结构的俯视示意图。本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，本实施例不再重复赘述。

请同时参考图4A与图4B，本实施例的发光二极管封装结构100f包括一承载器110a、多个发光二极管芯片120a、一环形挡墙130c、多个条形挡墙140c以及一萤光胶体150。承载器110a的材质例如是陶瓷、高分子聚合物或金属，其中当承载器110a的材质为金属时，承载器110a可为一铜基板或一金属核心印刷电路板（Metal Core Printed CircuitBoard,MCPCB），但并不以此为限。本实施例中，发光二极管芯片120a配置于承载器110a上且电性连接至承载器110a，其中发光二极管芯片120a是透过倒装焊技术与承载器110a电性连接。环形挡墙130c配置于承载器110a上且围绕发光二极管芯片120a。

条形挡墙140c配置于承载器110a上且连接环形挡墙130c，其中条形挡墙140c与环形挡墙130c在承载器110a上定义出多个格子状凹槽C，而发光二极管芯片120a分别设置于格子状凹槽C内。于另一实施例中，请参考图4D，发光二极管封装结构100h的条形挡墙140e亦可为彼此相连而定义出多个次环形挡墙130b，次环形挡墙130b配置于承载器110a上且其分别围绕各个发光二极管芯片120a，而定义出多个格子状凹槽C’。请再参考图4A与图4B，萤光胶体150配置于承载器110a上，且填充于格子状凹槽C中并至少覆盖发光二极管芯片120a，其中萤光胶体150包括至少一种萤光粉152及至少一种胶体154，且萤光粉152分布于发光二极管芯片120a的表面上。更具体来说，在本实施例中，环状挡墙130c的高度H3与每一条形挡墙140c的高度H4实质上相同，其中所述条形挡墙140c是由连续的条形挡墙（即图4B中纵轴方向的挡墙）与不连续的条形挡墙（即图4B中横轴方向的挡墙）所组成，但并不以此为限。环形挡墙130c的材质与每一条形挡墙140c的材质例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属。

由于本实施例的发光二极管芯片120a是采用倒装焊技术与承载器110a电性连接，可节省多个发光二极管芯片120a间预留的打线区域，因此在单位面积下可于承载器110a上配置较多的发光二极管芯片120a，即可配置较多的芯片数量，可有效提高发光二极管封装结构100h的出光亮度。再者，由于本实施例的发光二极管封装结构100f具有环形挡墙130c及所述条形挡墙140c的搭配设计，因此可减少承载器110a上的闲置空间，而减少过多萤光粉152堆积于环形挡墙130c及条形挡墙140c之间的间隙，使其不易受到发光二极管芯片120a的激发，故可有效避免边壁产生黄晕现象。此外，由于本实施例的环形挡墙130c及所述条形挡墙140c具有不吸光且具有反射功能的特性，因此可反射及散射所述发光二极管芯片120a所产生的色光，可有效提高发光二极管封装结构100h的出光亮度。简言之，本实施例的发光二极管封装结构100h可呈现较佳的光学表现。

值得一提的是，本实施例并不限定所述发光二极管芯片120a与承载器110a的连接形态，虽然此处所提及的所述发光二极管芯片120a具体化为透过倒装焊的方式与承载器110a电性连接。但，于其他未绘示的实施例中，发光二极管封装结构的所述发光二极管芯片亦可透过打线接合的方式与承载器电性连接，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。再者，虽然于本实施例中承载器110a、环形挡墙130c及条形挡墙140c为各自独立的元件，但于其他未绘示的实施例中，承载器110a与环形挡墙130c亦可为一体成型的结构，其中承载器110a的材质与第一环形挡墙130c的材质例如皆采用金属；或者是，承载器110a及所述条形挡墙140c亦可为一体成型的结构，其中承载器110a的材质以及所述条形挡墙140c的材质例如皆采用金属。此外，虽然本实施例的所述条形挡墙140c的高度H4实质上与环形挡墙130c的高度H3相同，但于其他实施例中，请参考图4C，发光二极管封装结构100g的每一条形挡墙140d的高度H5亦可低于环状挡墙130a的高度H3，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。另外，于其他未绘示的实施例中，本领域的技术人员当可参照上述实施例的说明，依据实际需求，而选用上述元件、元件的材质、元件的型态及其配置方式，以达到所需的技术效果。

以上仅介绍本发明的发光二极管封装结构100h、100i的结构，并未介绍本发明的发光二极管封装结构100h、100i的制作方法。对此，以下将以一实施例来详细说明发光二极管封装结构100h、100i的结构的制作方法。

图5为本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的流程示意图。请参考图5，并同时配合参考图4A至4C的图式。依照本实施例的发光二极管封装结构的制作方法，首先，步骤S20，提供一承载器110a。此处，承载器110a的材质例如是陶瓷、高分子聚合物或金属，其中当承载器110a的材质为金属时，承载器110a可为一铜基板或一金属核心印刷电路板（Metal Core Printed Circuit Board,MCPCB），但并不以此为限。

接着，步骤S21，配置多个发光二极管芯片120a于承载器110上，且所述发光二极管芯片120a电性连接至承载器110a。此处，这些发光二极管芯片120a是透过倒装焊技术与承载器110a电性连接。当然，于其他未绘示的实施例中，这些发光二极管芯片是透过打线接合技术与承载器电性连接。

接着，步骤S22，形成一环形挡墙130c于承载器110a上，其中环形挡墙130c围绕发光二极管芯片120a。

接着，步骤S23，形成多个条形挡墙140c（或140d）于承载器110a上。条形挡墙140c（或140d）连接环形挡墙130c，且条形挡墙140c（或140d）与环形挡墙130c在承载器110a上定义出多个格子状凹槽C，而发光二极管芯片120a设置于格子状凹槽C内。此处，条形挡墙140c（或140d）的高度H4（或H5）相同于（或低于）环形挡墙130c的高度H3。环形挡墙130c的材质与条形挡墙140c（或140d）的材质具有不吸光且具有反射功能的特性，例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属。本实施例中，环形挡墙130c的材质可与条形挡墙140c（或140d）的材质相同或不同，于此并不加以限制。此处，环形挡墙130c为一连续的环形挡墙，而条形挡墙140c（或140d）可连续的条形挡墙与非连续的条形挡墙的组合。

需说明的是，在本实施例中并不限定环形挡墙130c与条形挡墙140c（或140d）的形成顺序。也就是说，可先形成环形挡墙130c后，再形成条形挡墙140c（或140d）；或者是，环形挡墙130c与承载器110a一体成型后，再形成条形挡墙140c（或140d）于承载器110a上；或者是，先形成条形挡墙140c（或140d）与承载器110a一体成型后，再形成环形挡墙130c，于此并不加以限制。此外，形成环形挡墙130c与条形挡墙140c（或140d）的方法可包括透过点胶机（未绘示）来进行点胶程序（此时，环形挡墙130c与条形挡墙140c（或140d）的材质例如是橡胶）或是透过光刻、蚀刻及电镀程序来形成（此时，环形挡墙130c与条形挡墙140c（或140d）的材质例如是金属）。

之后，步骤S24，填充一萤光胶体150于承载器110a的一承载区（即配置发光二极管芯片120a的区域）上内，其中萤光胶体150填满格子状凹槽C且至少覆盖发光二极管芯片120a。萤光胶体包150括至少一种萤光粉152及至少一种胶体154混合而成，且萤光粉152散布于胶体154内。需说明的是，填充萤光胶体150的方法例如是透过点胶机（未绘示）来进行点胶程序。为了避免点胶的过程中，萤光胶体150中的萤光粉152沉淀速度不一致，因此通常会于萤光胶体150中掺杂有抗沉淀剂，例如二氧化硅(SiO₂)（未绘示）。再者，萤光胶体150中亦可填加有一光扩散剂（未绘示）来调整发光二极管封装结构100a所发出的光的颜色或均匀度等光学效果。

更具体来说，在本实施例中，当这些条形挡墙140c的高度H4相同于环形挡墙130c的高度H3时，填充萤光胶体150于承载器110a的承载区的步骤，可包括：将萤光胶体150依序填入格子状凹槽C，使萤光胶体150的一上表面151与环状挡墙130a的一顶面131及每一条形挡墙140a的一顶面141高度相同，请参考图4A。于另一实施例中，当这些条形挡墙140d的高度H5低于环形挡墙130c的高度H3时，填充萤光胶体150于承载器110a的承载区的步骤，包括：将萤光胶体150任意填入一部分的格子状凹槽C，接着直接进行后续步骤S23的离心程序，以使萤光胶体150向两侧流动以填满格子状凹槽C，且萤光胶体150覆盖于每一条形挡墙140d的一顶面143，请参考图4C。

接着，步骤S25，进行一离心程序以使萤光胶体150中的萤光粉152沉降于这些发光二极管芯片120a的表面上。此处，进行离心程序是采用离心机（未绘示）来实现，透过离心机的离心力将分散于胶体154内的萤光粉152沉降于这些发光二极管芯片120的表面上，可避免过多的萤光粉152囤积至承载器110a的闲置空间上而产生边壁黄晕现象。

最后，步骤S26，放置一烤箱进行一烘烤程序以固化萤光胶体150，而完成发光二极管封装结构100f、100g、100h、100i的制作。

由于本实施例是先进行完离心程序后，即已使萤光胶体150中的萤光粉152分布于这些发光二极管芯片120a的表面上，才进行烘烤程序。相较于已知填充完萤光胶体后即进行烘烤程序而言，本实施例的发光二极管封装结构100f、100g、100h、100i的色度座标不易偏移或增大（拉长），即可较为集中，可具有较佳的色度表现。再者，当环形挡墙130c与这些条状挡墙140c具有相同的高度时，于进行离心程序时，可有效避免凹胶的现象产生。此外，透过离心程序亦可将萤光胶体150中的气泡脱离，而使所形成的发光二极管封装结构100f、100g、100h、100i具有较佳的光学表现。

综上所述，本发明的发光二极管芯片可采用倒装焊技术与承载器电性连接，因此在单位面积下可于承载器上配置较多的发光二极管芯片，即具有较多的芯片数量，可有效提高发光二极管封装结构的出光亮度。再者，由于本实施例的发光二极管封装结构具有第一环形挡墙与第二环形挡墙的搭配设计、环形挡墙、环形挡墙与条形挡墙的搭配设计，且萤光胶体的萤光粉是分布于发光二极管芯片的表面上。因此，发光二极管封装结构的周边不会聚集过多的萤光粉，即可减少承载器上的闲置空间，以使较多的萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上，故可有效避免边壁产生黄晕现象。此外，由于第一环形挡墙、第二环形挡墙、环形挡墙及条形挡墙皆具有不吸光且具有反射功能的特性，因此可反射及散射发光二极管芯片所产生的色光，可有效提高发光二极管封装结构的出光亮度。简言之，本发明的发光二极管封装结构可呈现较佳的光学表现。

此外，本发明是透过离心机的离心力将分散于萤光胶体的胶体内的萤光粉沉降至发光二极管芯片的表面上，如此一来，萤光粉可平均分布于发光二极管芯片的表面，而避免萤光粉囤积分布的厚度不均一，而影响光学效果，或因过多的萤光粉囤积至承载器的闲置空间而产生边壁黄晕现象。再者，由于本实施例是先进行完离心程序后，即已使萤光胶体中的萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上，才进行烘烤程序。相较于已知填充完萤光胶体后即进行烘烤程序而言，本发明的发光二极管封装结构的色度座标不易偏移或增大（拉长），即可较为集中，可具有较佳的色度表现。此外，当环形挡墙与条状挡墙具有相同的高度时，于进行离心程序时，可有效避免凹胶的现象产生。另外，透过离心程序亦可将萤光胶体中的气泡脱离，而使所形成的发光二极管封装结构具有较佳的光学表现。

值得一提的是，在上述本实施例中，挡墙可为一封闭环状或一非封闭环状，其中封闭环状例如是四边形、圆形、椭圆形、蛋形、星形或其他多边形，而非封闭环状例如是弧形、线形或随机变化曲线形。特别是，挡墙的形状可对应发光二极管芯片的外型，意即挡墙的形状与发光二极管的外型共形（conformal）设置。

在上述实施例中，第一环形挡墙为一连续的环形挡墙，高度可以是等高或不等高变化。

在上述实施例中，第二环形挡墙为一连续的环形挡墙，高度可以是等高或不等高变化。

在上述实施例中，第一环形挡墙可以是不连续的环形挡墙，高度可以是等高或不等高变化。在一实施例中，第二环形挡墙可以是不连续的环形挡墙，高度可以是等高或不等高变化。

在上述实施例中，第一环形挡墙可以是反射材料，或者是非反射材料表面涂布反射材料。

在上述实施例中，第二环形挡墙可以是反射材料，或者是非反射材料表面涂布反射材料。

在上述实施例中，萤光粉浓度分布状况会随着发光二极管芯片高度、第一环形挡墙高度、第二环形挡墙高度、发光二极管芯片及第一环形挡墙之间距离、第一环形挡墙及第二环形挡墙之间距离而变化。

在上述实施例中，萤光粉浓度由萤光胶体表面往发光二极管芯片表面逐渐增加或减少。

在上述实施例中，萤光粉浓度由发光二极管芯片表面往发光二极管芯片侧面逐渐增加或减少。

在上述实施例中，当萤光粉浓度由萤光胶体表面往发光二极管芯片表面逐渐增加或减少时，萤光粉浓度由发光二极管芯片表面往发光二极管芯片侧面逐渐增加或减少。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (37)

1.一种发光二极管封装结构，包括：

一承载器，具有一承载区，以及一围绕该承载区的周边区；

至少一个发光二极管芯片，配置于该承载器的该承载区内，且电性连接至该承载器；

一第一环形挡墙，配置于该承载器的该周边区内，且围绕该发光二极管芯片；

一第二环形挡墙，配置于该第一环形挡墙的内侧，且围绕该发光二极管芯片，其中该第二环形挡墙的高度低于该第一环形挡墙的高度，且高于该发光二极管芯片的高度；以及

一萤光胶体，配置于该承载器上且至少覆盖该发光二极管芯片与该第二环形挡墙，其中该萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，且该萤光粉分布于该发光二极管芯片的表面上；

其中该第一环形挡墙和该第二环形挡墙皆具有不吸光且具有反射功能的特性。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，且在该承载器上定义一凹槽，该萤光胶体填充于该凹槽。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该承载器与该第一环形挡墙或该第二环形挡墙一体成型。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一环形挡墙或该第二环形挡墙为一不连续的环形挡墙。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括：

多个条形挡墙，配置于该承载器上且连接该第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与该第二环形挡墙在该承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。

6.如权利要求1至5任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，各发光二极管芯片是透过倒装焊技术与该承载器电性连接。

7.如权利要求1至5任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，各发光二极管芯片是透过打线接合技术与该承载器电性连接。

8.如权利要求1至5任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。

9.如权利要求1至5任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一环形挡墙的材质与该第二环形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、有机高分子材料或金属。

10.一种发光二极管封装结构，包括：

一承载器；

多个发光二极管芯片，配置于该承载器上，且电性连接至该承载器；

一环形挡墙，配置于该承载器上，且围绕所述发光二极管芯片；

多个条形挡墙，配置于该承载器上且连接该环形挡墙，其中所述条形挡墙与该环形挡墙在该承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内；以及

一萤光胶体，配置于该承载器上，且填充于所述格子状凹槽中并至少覆盖所述发光二极管芯片，其中该萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，且该萤光粉分布于所述发光二极管芯片的表面上。

11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述条形挡墙彼此相连而定义出多个次环形挡墙，所述次环形挡墙配置于该承载器上且其分别围绕所述发光二极管芯片。

12.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该环形挡墙的高度与各条形挡墙的高度相同。

13.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，各条形挡墙的高度低于该环形挡墙的高度。

14.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该承载器与该环形挡墙或所述条形挡墙一体成型。

15.如权利要求10至14任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，各发光二极管芯片是透过倒装焊技术与该承载器电性连接。

16.如权利要求10至14任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，各发光二极管芯片是透过打线接合技术与该承载器电性连接。

17.如权利要求10至14任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。

18.如权利要求10至14任一项中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该环形挡墙的材质与所述条形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、有机高分子材料或金属。

19.一种发光二极管封装结构的制作方法，包括：

提供一承载器，其中该承载器具有一承载区，以及一围绕该承载区的周边区；

配置至少一个发光二极管芯片于该承载器的该承载区内，且该发光二极管芯片电性连接至该承载器；

形成一第一环形挡墙于该承载器的该周边区内；

形成一第二环形挡墙于该承载器的该周边区内，其中该第二环形挡墙围绕该发光二极管芯片并设置于该第一环形挡墙的内侧，且该第二环形挡墙的高度低于该第一环形挡墙的高度，高于该发光二极管芯片的高度；

填充一萤光胶体于该承载器上以至少覆盖该发光二极管芯片与该第二环形挡墙，其中该萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，且该萤光粉分散于该胶体内；

进行一离心程序以使该萤光胶体中的该萤光粉沉降于该发光二极管芯片的表面上；以及

放置一烤箱进行一烘烤程序。

20.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中该第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，且在该承载器上定义一凹槽，该萤光胶体填充于该凹槽。

21.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：

形成多个条形挡墙，配置于该承载器上且连接该第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与该第二环形挡墙在该承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。

22.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该承载器与该第一环形挡墙或该第二环形挡墙一体成型。

23.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该第一环形挡墙或该第二环形挡墙为不连续的环形挡墙。

24.如权利要求19至23任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，配置各发光二极管芯片于该承载器上的方法系透过倒装焊技术与该承载器电性连接。

25.如权利要求19至23任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，配置各发光二极管芯片于该承载器上的方法系透过打线接合技术与该承载器电性连接。

26.如权利要求19至23任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。

27.如权利要求19至23任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该第一环形挡墙的材质与该第二环形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、有机高分子材料或金属。

28.一种发光二极管封装结构的制作方法，包括：

提供一承载器；

配置多个发光二极管芯片于该承载器上，且所述发光二极管芯片电性连接至该承载器；

形成一环形挡墙于该承载器上，该环形挡墙围绕所述发光二极管芯片；

形成多个条形挡墙于该承载器上，其中所述条形挡墙连接该环形挡墙，且所述条形挡墙与该环形挡墙在该承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内；

填充一萤光胶体于该承载器的一承载区内，其中该萤光胶体填满所述格子状凹槽且至少覆盖所述发光二极管芯片，该萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，且该萤光粉分散于该胶体内；

进行一离心程序以使该萤光胶体中的该萤光粉沉降于所述发光二极管芯片的表面上；以及

放置烤箱进行烘烤。

29.如权利要求28所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述条形挡墙彼此相连而定义出多个次环形挡墙，所述次环形挡墙配置于该承载器上且其分别围绕所述发光二极管芯片。

30.如权利要求28所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，填充该萤光胶体于承载器的该承载区的步骤，包括：

将该萤光胶体依序填入所述格子状凹槽，使该萤光胶体的一上表面与该环形挡墙的一顶面及各条形挡墙的一顶面高度相同。

31.如权利要求28所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，填充该萤光胶体于承载器的该承载区的步骤，包括：

将该萤光胶体任意填入一部分的所述格子状凹槽；以及

进行一离心程序，以使该萤光胶体向两侧流动以填满所述格子状凹槽，且该萤光胶体覆盖于各条形挡墙的一顶面。

32.如权利要求28所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该承载器与该环形挡墙或所述条形挡墙一体成型。

33.如权利要求28所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该环形挡墙为不连续的环形挡墙。

34.如权利要求28至33任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，配置各发光二极管芯片于该承载器上的方法系透过倒装焊技术与该承载器电性连接。

35.如权利要求28至33任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，配置各发光二极管芯片于该承载器上的方法系透过打线接合技术与该承载器电性连接。

36.如权利要求28至33任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，该承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。

37.如权利要求28至33任一项中所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中该环形挡墙的材质与所述条形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、有机高分子材料或金属。