JP2018022859A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板上に複数の発光素子が配置され、出射光の色ムラや輝度ムラが低減される発光装置を提供する。【解決手段】発光装置100は、実装基板(基板)2と、実装基板2上に設けられる第1枠体3と、実装基板2上であって第1枠体3の内側に第1枠体3と離間するように設けられる第2枠体4と、第1枠体3と第2枠体4との間の第1領域2aに配置される少なくとも1つの第1発光素子1aと、第2枠体4の内側の第2領域2bに配置される少なくとも1つの第2発光素子1bと、第1発光素子1a及び第2発光素子1bを被覆する封止部材5と、を有し、第2枠体4は、透光性領域を有しており、第1領域2aにおける封止部材5の上面は、第2枠体4側よりも第1枠体3側の方が高さが低くなっており、第2領域2bにおける封止部材5の上面は、第1領域2aにおける封止部材5の上面において高さが最も低い部分よりも高いように構成される。【選択図】図1C

Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関する。
高輝度な照明光を得るため、あるいは演色性の良好な照明光を得るために、基板上に、LED(発光ダイオード)などの発光素子を複数配置した発光装置が提案されている。
例えば、特許文献1〜特許文献3には、基板上に、複数の発光素子を配置する領域を囲む枠体と、当該発光素子の配置領域を複数の領域に区画する枠体とを設け、区画した領域を、それぞれ2種類以上の異なる色の発光領域とし、これらの発光領域からの光を混色することで、所望の色の照明光を生成する発光装置が記載されている。
また、特許文献4には、発光素子の上面側に反射部材を設けることで、発光素子の側面から光を取り出し、外側が光反射体で覆われた遮光体を発光素子間に設けて、発光素子の側面からの光を反射させることで、発光装置の上面側から放射される光の光量ムラを低減する照明装置が記載されている。
特開2014−36063号公報 特開2014−229759号公報 国際公開第2013/015058号 特開2015−95488号公報
特許文献1若しくは特許文献2に記載された発光装置、又は特許文献4に記載された照明装置において、色ムラや輝度ムラを更に低減するには、複数の発光素子が配置された発光領域の出射側の全体を覆うように、別途にレンズや光拡散板を設ける必要がある。
また、特許文献3に記載された発光装置は、光出射面側にレンズ状の透明部材を備えているが、発光領域が放射状に区画されているため、方位の違いによる色ムラや輝度ムラを更に改善する余地がある。
本開示に係る実施形態は、基板上に複数の発光素子が配置された発光装置において、出射光の色ムラや輝度ムラが低減される発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられる第1枠体と、前記基板上であって前記第1枠体の内側に前記第1枠体と離間するように設けられる第2枠体と、前記第1枠体と前記第2枠体との間の第1領域に配置される少なくとも1つの第1発光素子と、前記第2枠体の内側の第2領域に配置される少なくとも1つの第2発光素子と、前記第1発光素子及び前記第2発光素子を被覆する封止部材と、を有し、前記第2枠体は、透光性領域を有しており、前記第2枠体の上端は、前記第1枠体の上端よりも高く、前記第1領域における前記封止部材の上面は、前記第2枠体側よりも前記第1枠体側の方が高さが低くなっており、前記第2領域における前記封止部材の上面は、前記第1領域における前記封止部材の上面において高さが最も低い部分よりも高いように構成する。
本開示に実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板上に少なくとも1つの第1発光素子及び少なくとも1つの第2発光素子を実装する工程と、前記基板上に前記第1発光素子及び前記第2発光素子を囲む第1枠体を形成する工程と、前記基板上であって、前記第1発光素子と前記第2発光素子の間に、前記第2発光素子を囲む第2枠体を形成する工程と、前記第1枠体及び前記第2枠体で囲まれた第1領域と、前記第2枠体で囲まれた第2領域とに、前記第1発光素子及び前記第2発光素子を被覆するように封止部材を充填する工程と、を有し、前記第1枠体と前記第2枠体とを互いに離間して形成するとともに、前記第2枠体の上端が前記第1枠体の上端よりも高くなるように形成する。
本開示の実施形態に係る発光装置によれば、出射光の色ムラや輝度ムラが低減される。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、出射光の色ムラや輝度ムラが低減される発光装置を製造することができる。
第1実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。 第1実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第1実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図1BのIC−IC線における断面を示す。 第1実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の構成を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置において、光取り出しを説明するための断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における実装基板準備工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における第1枠体形成工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における第2枠体形成工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における第1封止部材形成工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における第2封止部材形成工程を示す断面図である。
以下、実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材のサイズや位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。更に以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
[発光装置の構成]
第1実施形態に係る発光装置の構成について、図1A〜図1Cを参照して説明する。なお、説明の便宜上、図1Bに示した平面図は、第1枠体3及び第2枠体4の外形を二点鎖線で示し、第1封止部材5a及び第2封止部材5bの外形を破線で示し、これらの部材を透視して示している。
第1実施形態に係る発光装置100は、図1Bに示されるように、平板状の実装基板2上に複数の発光素子1a,1bが配置されたCOB(Chip on Board)型の発光装置である。
本実施形態に係る発光装置100は、平面視において、矩形の実装基板2上に、円形の第1枠体3と円形の第2枠体4とが同心円状に設けられている。外側に設けられた第1枠体3と内側に設けられた第2枠体4との間の領域である第1領域2a内には、複数の第1発光素子1aが配置されている。また、第2枠体4の内側の領域である第2領域2b内には、複数の第2発光素子1bが配置されている。また、図1A及び図1Cに示されるように、第1枠体3の内側の領域には、封止部材5が設けられている。より詳細には、第1枠体3と第2枠体4との間の領域である第1領域2aには、第1封止部材5aが設けられ、第1発光素子1aが封止されている。第2枠体4の内側の領域である第2領域2bには、第2封止部材5bが設けられ、第2発光素子1bが封止されている。
本実施形態では、封止部材5は、第1封止部材5aと第2封止部材5bとを合わせた全体として凸レンズ形状に構成されている。封止部材5は、第1発光素子1a及び第2発光素子1bが発した光、並びに封止部材5中に含有される波長変換物質(蛍光体)によって波長変換された光が良好に混ざり、出射光の色ムラや輝度ムラが低減されるように構成されている。
以下、各部材について詳細に説明する。
(第1発光素子、第2発光素子)
第1発光素子1a及び第2発光素子1bはLEDチップである。図面においては、第1発光素子1aと第2発光素子1bとは、同じ構成を有しているが、互いに異なる形状であってもよく、また、互いに異なる色の光を発光するものであってもよい。
本実施形態では、第1発光素子1aは、実装基板2の上面の第1領域2a内に、複数個が略均等な間隔で散らばって配置されている。また、第2発光素子1bは、実装基板2の上面の第2領域2b内に、複数個が略均等な間隔で散らばって配置されている。このように、実装基板の上面に発光素子が略均等に配置されていることで、発光装置の出射光の輝度ムラを抑えることができる。
本実施形態では、図1B及び図1Cに示されるように、第1発光素子1a及び第2発光素子1bは、電極が設けられる面と反対側の面が、ダイボンド樹脂などの接合部材を用いて実装基板2の上面に接合されている。また、本実施形態では、第1発光素子1a及び第2発光素子1bは、ワイヤ7を用いて、実装基板2の第1配線22と第2配線23との間に、2組に分かれてそれぞれ直列に電気的に接続されている。このとき、2組の直列回路のそれぞれに含まれる第1発光素子1a及び第2発光素子1bの個数が等しくなるように接続することが好ましい。これによって、各第1発光素子1a及び各第2発光素子1bに流れる電流が略等しくなり、チップ間の発光強度のばらつきを低減することができる。
なお、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの個数は、それぞれ1個以上あればよい。また、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの配置間隔は、略均等でなくてもよく、適宜所望の間隔で配置されていてもよい。さらに、第1発光素子1a及び第2発光素子1bは、配線パターンに応じて実装基板2にフリップチップ実装されていてもよい。また、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの電気的な接続方法は特に限定されず、1組で又は3組以上に分かれて直列接続されてもよく、並列接続又は並列接続と直列接続とを組み合わせて電気的に接続されてもよい。
第1発光素子1aは、第1封止部材5aによって封止され、第1封止部材5aに波長変換物質(蛍光体)が含まれている場合は、発光した光の一部又は全部が波長変換物質(蛍光体)によって波長変換される。また、第2発光素子1bは、第2封止部材5bによって封止され、第2封止部材5bに波長変換物質(蛍光体)が含まれている場合は、発光した光の一部又は全部が波長変換物質(蛍光体)によって波長変換される。
第1封止部材5a内を伝播する光の一部及び第2封止部材5b内を伝播する光の一部は、第2枠体4の透光性領域を透過して、互いに封止部材5の他方の領域内に伝播して、混光される。従って、第1発光素子1aに由来する光と、第2発光素子1bに由来する光とは、封止部材5内で混光され、封止部材5の上面から外部に取り出される。
なお、第1発光素子1aに由来する光には、第1発光素子1aが発光した光と、当該光が第1封止部材5a中に含有されている波長変換物質によって波長変換された後の光と、が含まれる。また、第2発光素子1bに由来する光には、第2発光素子1bが発光した光と、当該光が第2封止部材5b中に含有されている波長変換物質によって波長変換された後の光と、が含まれる。
ここで、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの構成例について図2を参照して説明する。なお、前記したように、第1発光素子1aと第2発光素子1bとは、互いに異なる形状、異なる発光色であってもよいが、図2に示した発光素子1を例として、第1発光素子1a及び第2発光素子1bに共通する構成の概略について説明する。
発光素子1は、素子基板11の一方の主面上に、n型半導体層12nと活性層12aとp型半導体層12pとを積層した半導体積層体12を備えるLEDチップである。また、半導体積層体12は、n側電極13及びp側電極15に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっている。
半導体積層体12には、p型半導体層12p及び活性層12aが部分的に存在しない領域、つまりn型半導体層12nが半導体積層体12の上面側に露出した領域である露出部12bを有する。露出部12bにはn側電極13が設けられ、n型半導体層12nと電気的に接続されている。なお、露出部12bは、n側電極13及び絶縁膜16で被覆されているが、便宜的に「露出部」と呼ぶ。
p型半導体層12pの上面の略全面には、良好な導電性と良好な透光性とを有する全面電極14が設けられており、更に全面電極14の一部にp側電極15が設けられている。また、半導体積層体12が設けられた側の表面は、n側電極13及びp側電極15の上面を除き、絶縁膜16によって被覆されている。n側電極13及びp側電極15の上面に設けられた絶縁膜16の開口部16n,16pが、ワイヤ7などを用いて外部と接続するための領域である。
半導体積層体12(n型半導体層12n、活性層12a及びp型半導体層12p)は、InAlGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で表される窒化物半導体を好適に用いることができる。また、素子基板11、n側電極13、全面電極14、p側電極15、絶縁膜16は、前記した半導体積層体12とともに、この分野で好適に用いられる材料が適宜に選択される。
(実装基板)
実装基板2は、第1発光素子1aや第2発光素子1bなどの電子部品を実装するための基板であり、基体21と、基体21の上面に設けられた配線パターンである第1配線22、第2配線23とを備えている。本実施形態では、図1A及び図1Bに示されるように、実装基板2は矩形平板状であるが、これに限らない。例えば、実装基板2の外形は、円形、矩形以外の多角形であってもよい。
基体21は、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、第1発光素子1a及び第2発光素子1bから放出される光や外光などが透過しにくい材料を用いることが好ましい。また、ある程度の強度を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、Al、AlNなどのセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン(bismaleimide triazine resin)、ポリフタルアミド(PPA)などの樹脂が挙げられる。また、基体21の上面は、少なくとも第1発光素子1a及び第2発光素子1bを実装する領域は良好な光反射性を有することが好ましく、例えば、Ag、Alなどの金属や、白色顔料を含有した白色樹脂などを用いた光反射層を設けることが好ましい。
本実施形態では、第1配線22は正電極(アノード)であり、外部電源と接続するためのパッド部22aと、第1発光素子1a、第2発光素子1b及び保護素子6と接続するための配線部22bとを有している。本実施形態の配線部22bは、図1Bにおいて左上の領域に設けられたパッド部22aから分岐して、更に第1発光素子1aの円環状の配置領域である第1領域2aの左半分に沿って半円状に延伸するように設けられている。また、パッド部22aの近傍に、正電極(アノード)であることを識別するためのアノードマークAMが設けられていてもよい。
本実施形態では、第2配線23は負電極(カソード)であり、外部電源と接続するためのパッド部23aと、第1発光素子1a、第2発光素子1b及び保護素子6と接続するための配線部23bとを有している。本実施形態の配線部23bは、図1Bにおいて右下の領域に設けられたパッド部23aから分岐して、更に第1領域2aの右半分に沿って半円状に延伸するように設けられている。
本実施形態では、配線部22b及び配線部23bは、ワイヤ7を用いて、第1発光素子1aと電気的に接続されている。また、図1Bに示されるように、保護素子6が、配線部22bの一端に半田などの導電性接着剤を用いて機械的及び電気的に接続されるとともに、ワイヤ7を用いて配線部23bと電気的に接続されていてもよい。第1配線22及び第2配線23としては、例えば、Cu,Au,Ag,Alなどの金属膜を用いることができる。
なお、第1配線22及び第2配線23は、図1Bに示した例に限定されず、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの配列の態様や電気的な接続の態様に応じて適宜な配線パターンとすることができる。また、第1発光素子1a及び第2発光素子1bが、フリップチップ型で実装できるように構成することもできる。
(第1枠体)
第1枠体3は、実装基板2の上面において、第1発光素子1a及び第2発光素子1bが配置された領域の外側を囲む。本実施形態では、図1Bに示されるように、第1枠体3は、配線部22bの半円状の部分及び配線部23bの半円状の部分を封止するように、当該配線部22b,23bよりも幅広で、円形に設けられている。第1枠体3は、遮光性を有することが好ましく、更に、その上端が第1発光素子1aの上端よりも高くなるように設けることが好ましい。
第1枠体3が、遮光性として光反射性を有するように構成する場合は、光吸収性を有するように構成する場合と比べて、封止部材5内を横方向に第1領域2aから外側に向かって伝播する光を反射して、封止部材5の上面側から取り出されるようにできるため、発光装置100の光取り出し効率を高めることができる。
また、第1枠体3が、遮光性として光吸収性を有するように構成される場合には、封止部材5内を横方向に第1領域2aから外側に向かって伝播する光を吸収して、封止部材5の上面以外からの光取り出しを抑制することができるため、発光面(発光領域)とその他の領域(非発光領域)との輝度のコントラストが高い、いわゆる「見切り性」の良好な発光装置100とすることができる。
第1枠体3の材料としては、良好な透過性と絶縁性とを有する樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。また、母体となる樹脂に、例えば、TiO,Al,ZrO,MgOなどの光反射性物質の粒子を分散させて白色樹脂とすることで、光反射性を付与することができる。また、母体となる樹脂に、カーボンブラックやグラファイトなどの光吸収性物質の粒子を分散させて黒色樹脂とすることで、光吸収性を付与することができる。
(第2枠体)
本実施形態の第2枠体4は、図1Bに示されるように、実装基板2の上面において、第1発光素子1aと第2発光素子1bとの間であって、第2発光素子1bを囲むように略円形に設けられている。このため、第2枠体4は、第1枠体3と離間して設けられている。第2枠体4の上端は、第1枠体3の上端よりも高くなるように設けられている。また、本実施形態の第2枠体4の上部は、良好な透光性を有する透光性領域となっている。また、本実施形態の第2枠体4は、第1層41、第2層42及び第3層43からなる積層構造を有している。
なお、第2枠体4は、円形状の第1枠体3と同心円状に形成されることが好ましい。発光領域の1つである第1領域2aを円環形状とすることによって、配光特性を等方的にすることができる。
第2枠体4が複数の層を備える場合、実装基板2の上面に接する最下層である第1層41は、遮光性を有することが好ましく、遮光性として光反射性を有することがより好ましい。また、第1層41の上端は、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの上端よりも高くなるように設けることが好ましい。これによって、第1発光素子1aの側面から略水平方向に出射した光と、第2発光素子1bの側面から略水平方向に出射した光とが、互いに他方の領域に透過し難くできる。これによって、第1領域2a及び第2領域2bにおいて、一方の領域で生成された光が、他方の領域の波長変換物質によって波長変換されることを抑制することができるため、発光装置100全体としての発光色の色調を管理し易くなる。特に、第1封止部材5aと第2封止部材5bとに、互いに異なる色を発光する波長変換物質を含有し、当該波長変換物質が、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの表面近傍に偏在するように含有されている場合に有用である。
また、本実施形態において、第2枠体4の上層部である第2層42及び第3層43は、良好な透光性を有することが好ましく、透明であることがより好ましい。上層部である第2層42及び第3層43を透光性領域とすることによって、第1領域2aの第1封止部材5a内を伝播する光と、第2領域2bの第2封止部材5b内を伝播する光とが、互いに他方の領域に伝播することができる。これによって、第1発光素子1aに由来する光と、第2発光素子1bに由来する光とを、封止部材5全体で良好に混光させることができる。
なお、第2枠体4は、積層せずに1層のみで構成されてもよく、2層や4層以上に積層されていてもよい。また、第2枠体4が積層構造を有する場合において、第1層41が遮光性を有さずに、透光性を有していてもよい。また、第2枠体4が1層である場合において、全体が透光性を有するように構成してもよい。
第2枠体4の材料としては、前記した第1枠体3と同様の材料を用いることができる。なお、光反射性物質や光吸収性物質を含有しない前記の樹脂材料を用いることで、良好な透光性を有する透光性領域(本実施形態では、第2層42及び第3層43)を形成することができる。
なお、第1枠体3及び第2枠体4は前記のように平面視で円形であるが、これに限らず、矩形等の多角形や楕円等であってもよい。
(封止部材)
本実施形態では、封止部材5は、第1枠体3と第2枠体4との間の領域である第1領域2aに設けられる第1封止部材5aと、第2枠体4の内側の領域である第2領域2bに設けられる第2封止部材5bとから構成されている。封止部材5は、実装基板2上の第1領域2a及び第2領域2b内に配置された第1発光素子1a、第2発光素子1b及びワイヤ7を封止して、これらの部材を、塵芥、水分、ガス、外力などから保護するためのものである。
封止部材5は、必要に応じて、波長変換物質(蛍光体)の粒子を含有させてもよい。また、波長変換物質の発光色は、第1領域2aと第2領域2bとで異なるようにしてもよく、一方の領域にのみ波長変換物質を含有させるようにしてもよい。封止部材5に波長変換物質の粒子を含有させる場合は、当該粒子が封止部材5の底部、すなわち、第1発光素子1a又は第2発光素子1bの表面近傍に偏在して分布するように設けることが好ましい。これによって、波長変換の効率を高めることができる。
前記したように、第1発光素子1aの発光色と、第2発光素子1bの発光色とは同じでもよいし、異なるようにしてもよい。また、第1封止部材5aに含有させる波長変換物質の発光色と、第2封止部材5bに含有させる波長変換物質の発光色とは同じでもよいし、異なるようにしてもよい。更に、波長変換物質を第1封止部材5a又は第2封止部材5bの一方にのみ含有させるようにしてもよい。発光装置100としての発光色は、これらの部材の発光色の組み合わせに応じて、様々な色調を実現することができる。
本実施形態においては、封止部材5は、第2領域2bの周辺領域である第1領域2aに設けられる第1封止部材5aの上面が外側ほど低くなるように傾斜して設けられている。また、中心領域である第2領域2bに設けられる第2封止部材5bは、図1Cに示されるように、凸形状に形成されている。また、第2封止部材5bの上面の下端は、第1封止部材5aの上面の上端よりも高くなるように形成されている。これによって、第1発光素子1aに由来する光と第2発光素子1bに由来する光とを効果的に混光することができる。
なお、このとき、第1封止部材5a及び第2封止部材5bは、それぞれから放射される光が第2枠体4の透光性領域に入射するよう設けられる必要があり、例えば、それぞれ第2枠体4の透光性領域と接するように設けられる。
第1封止部材5aの上面を第2領域2bに近い側が高い傾斜面とし、第2枠体4が透光性を有することで、第1領域2a内で発生した光を、直接に又は第1封止部材5aの上面で反射させた上で第2領域2bの方向に入光させることができる。また、第1領域2a内で発生し、第1封止部材5a内を上方に向かって伝播する光を第1封止部材5aの上面である傾斜面において屈折させることができる。これにより、第1発光素子1aに由来する光と第2発光素子1bに由来する光とを効果的に混光することができる。
このように、第1封止部材5aの上面が、第2枠体4側よりも第1枠体3側で高さが低くなっていて、第2封止部材5bの上面が、第1封止部材5aの上面において高さが最も低い部分よりも高くなるように設けられていれば、第2封止部材5bの上面は、凹形状や略平坦形状に形成されてもよいし、第2封止部材5bの第2枠体4側の端部における上面は、第1封止部材5aの第2枠体4側の端部における上面よりも高さが低くなるように設けられていてもよい。
図1Dは、第1実施形態の変形例に係る発光装置100Aの断面図である。発光装置100Aは、第2封止部材5Abの上面を凹形状とした封止部材5Aを備えるものである。第2封止部材5Abの上面を凹形状とすることで、第2領域2b内で発生した光を第2封止部材の5Abの上面で反射させ、効果的に第1領域2aの方向に入光させることができる。これにより、これにより、第1発光素子1aに由来する光と第2発光素子1bに由来する光とを効果的に混光することができる。
第1封止部材5aの上面は、第2枠体4側よりも第1枠体3側で高さが低くなっていて、第2封止部材5b,5Abの上面が、第1封止部材5aの上面において高さが最も低い部分よりも高くなるように設けられていれば、凹形状又は凸形状を有してもよい。また、第1封止部材5a及び第2封止部材5bの上面は平坦でもよく、その場合は、第2封止部材5bの上面が第1封止部材5aの上面よりも高くなるように形成されていればよい。
第1封止部材5a及び第2封止部材5bは、第2枠体4の透光性領域、すなわち第1実施形態における第2層42及び第3層43と同程度の屈折率を有する材料で構成されることが好ましい。これによって、第1封止部材5a、第2枠体4の透光性領域及び第2封止部材5bの間に光学的な界面が形成されないため、第1封止部材5a、第2枠体4の透光性領域及び第2封止部材5bによって、1つの導光部材を構成することができる。
第1封止部材5a、第2枠体4の透光性領域及び第2封止部材5bが1つの導光部材を構成することによって、当該導光部材内を伝播する光を効率よく混ぜ合わせることができる。更に、当該導光部材が凸レンズ形状に構成されることによって、当該導光部材の上面から出射される光は、凸レンズの光軸の近傍に集光される。その結果、当該導光部材の上面から出射される光は、色ムラや輝度ムラなどが低減されて、良好な配光特性を有することができる。
なお、第1実施形態の第1封止部材5aと第2封止部材5bとは、図1Cに示されるように第2枠体4によって区切られているが、一部接するように設けられていてもよい。すなわち、第1封止部材5aと第2封止部材5bとが一体に設けられていてもよい。
封止部材5の材料としては、良好な透光性、耐候性及び耐光性を有するものが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。
波長変換物質は、第1封止部材5aに含有させる場合には第1発光素子1aからの光を吸収し、第2封止部材5bに含有させる場合には第2発光素子1bからの光を吸収し、波長変換するものを用いることができる。また、封止部材5に含有させる波長変換物質は、封止部材5に用いられる樹脂材料よりも比重が大きいものが好ましい。波長変換物質の比重が樹脂材料の比重よりも大きいと、製造過程において波長変換物質の粒子を封止部材5中で沈降させて、第1発光素子1a又は第2発光素子1bの表面近傍に偏在するように配置することができる。
波長変換物質として、具体的には、例えば、YAG(YAl12:Ce)やシリケートなどの黄色蛍光体、あるいは、CASN(CaAlSiN:Eu)やKSF(KSiF:Mn)などの赤色蛍光体、を挙げることができる。
また、封止部材5に、その他のフィラーを含有させるようにしてもよい。その他のフィラーとしては、例えば、SiO、TiO、Al、ZrO、MgOなどの粒子を好適に用いることができる。また、所望外の波長の光を除去する目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させるようにしてもよい。
(保護素子)
保護素子6は、第1発光素子1a及び第2発光素子1bを静電放電から保護するなどの目的で設けられる。
保護素子6としては、例えば、ツェナーダイオード、バリスタ、抵抗、キャパシタなどを用いることができる。なお、保護素子は有していなくてもよい。
(ワイヤ)
ワイヤ7は、第1発光素子1a及び第2発光素子1b同士、第1発光素子1aと配線部22b及び配線部23bとの間を電気的に接続するための配線部材である。また、ワイヤ7は、保護素子6と配線部23bとを電気的に接続するために用いてもよい。ワイヤ7としては、良好な導電性を有するCu,Au,Ag,Alなどの金属又はこれらの金属を主成分とする合金を用いた金属ワイヤを好適に用いることができる。
なお、第1発光素子1a及び第2発光素子1bの配列態様、すなわち第1領域2a及び第2領域2bは、円形に限定されず、楕円、長円又は四角形や六角形などの多角形に変更することができる。第1領域2a及び第2領域2bは、楕円、長辺又は多角形の場合であっても、双方の領域の中心が一致するように設けられることが好ましい。
[発光装置の動作]
次に、第1実施形態に係る発光装置100の動作について、図3を参照して説明する。図3において、第1発光素子1aに由来する光L11〜L15の光路は実線で示し、第2発光素子1bに由来する光L21〜L24の光路は破線で示している。また、図3に示した断面図において、第1発光素子1a、第2発光素子1b、第1枠体3、第2枠体4、第1封止部材5a及び第2封止部材5bは、略左右対称に配置されているため、左半分の領域に配置されている第1発光素子1a及び第2発光素子1bに由来する光の代表的な光路のみを模式的に示している。
なお、封止部材5及び第2枠体4の透光性領域によって構成される凸レンズの光軸Cは、前記した各部材が配置された領域の中心軸と一致するように設けられている。
また、第1枠体3及び第2枠体4の最下層である第1層41は光反射性を有し、第2枠体4の上層部である第2層42及び第3層43は透明とする。また、第1封止部材5a、第2封止部材5b、第2枠体の第2層42及び第3層43の材料は、屈折率が同じであるものとする。
実装基板2の第1配線22のパッド部22a及び第2配線23のパッド部23aに外部電源を接続することで、配線部22b,23b及びワイヤ7を介して各第1発光素子1a及び各第2発光素子1bに電力が供給されて発光する。
本実施形態に係る発光装置100では、第1発光素子1aが発した光は、そのままの波長で、又は第1封止部材5a中の波長変換物質によって波長変換されて、第1封止部材5a内を伝播する。第1封止部材5a内を上方に向かって伝播する光L12,L14は、略凸レンズ形状である凸型の封止部材5の集光作用によって、その光軸Cに近づくように屈折して第1封止部材5aの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、第1発光素子1aに由来し、第2領域2bに向かって斜め上方に伝播する光L11は、第2枠体4の透明な第2層42又は第3層43を透過し、更に第2封止部材5b内を伝播する。更に光L11は、第2封止部材5bの上面である外気との界面に全反射の臨界角以上の入射角で入射されると、当該界面で全反射される。光L11は、更に、基体21の上面及び第2枠体4の光反射性を有する第1層41で反射され、第2封止部材5bの上面に向かって伝播する。光L11は、凸レンズの集光作用によって光軸Cに近づくように屈折して第2封止部材5bの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、第1発光素子1aに由来し、第2領域2bに向かって水平に近い角度で伝播する光L13は、第2枠体4の光反射性を有する第1層41で反射され、光軸Cに近づくように屈折して第1封止部材5aの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、第1発光素子1aに由来し、第1領域2aの外側に向かって水平に近い角度で伝播する光L15は、第1枠体3で反射され、光軸Cに近づくように屈折して第1封止部材5aの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、第2発光素子1bが発した光は、そのままの波長で、又は第2封止部材5b中の波長変換物質によって波長変換されて、第2封止部材5b内を伝播する。第2封止部材5b内を上方に向かって伝播する光L22は、凸レンズの集光作用によって、その光軸Cに近づくように屈折して第2封止部材5bの上面から外部に取り出される。また、第2封止部材5b内を斜め上方に向かって伝播する光L21は、第2封止部材5bの上面である外気との界面に全反射の臨界角以上の入射角で入射されると、当該界面で全反射される。光L21は、更に、基体21の上面及び第2枠体4の第1層41で反射され、第2封止部材5bの上面に向かって伝播する。光L21は、凸レンズの集光作用によって光軸Cに近づくように屈折して第2封止部材5bの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、第2発光素子1bに由来し、第1領域2aに向かって斜め上方に伝播する光L24は、第2枠体4の透明な第2層42又は第3層43を透過し、更に第1封止部材5a内を伝播する。更に光L24は、第1封止部材5aの上面及び基体21の上面で反射を繰り返しながら伝播し、更に第1枠体3で反射されて、第1封止部材5aの上面に向かって伝播する。光L24は、凸レンズの集光作用によって光軸Cに近づくように屈折して第1封止部材5aの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、第2発光素子1bに由来し、第1領域2aに向かって水平に近い角度で伝播する光L23は、第2枠体4の光反射性を有する第1層41で反射され、光軸Cに近づくように屈折して第2封止部材5bの上面から外部に取り出される。
本実施形態に係る発光装置100では、以上のように、第1発光素子1aに由来する光と、第2発光素子1bに由来する光とが、第1封止部材5a、第2枠体4の透光性領域及び第2封止部材5bによって一体的に構成される導光部材内で効果的に混光される。更に、当該導光部材を全体として凸レンズ形状とすることで、その集光作用によって光軸Cに近づくように集光されるため、当該導光部材の上面から出射する光が、当該光軸方向及びその近傍の方向において効果的に混光される。従って、発光装置100からの出射光は、色ムラや輝度ムラが低減され、良好な配光特性とすることができる。
また、第1封止部材5a及び第2封止部材5bの少なくとも一方が波長変換物質を含有し、当該波長変換物質がそれぞれ対応する領域の第1発光素子1a及び第2発光素子1bの表面近傍に偏在するように分布している場合は、第1発光素子1aに由来する光と、第2発光素子1bに由来する光とが、第2枠体4の第1層41によって遮光されることで、互いに他領域に設けられた波長変換物質によって波長変換されないようにすることができる。このため、第1発光素子1aが発した光と、第1封止部材5a中の波長変換物質が発した光と、第2発光素子1bが発した光と、第2封止部材5b中の波長変換物質が発した光とが、所望の割合で混光されるように管理し易くなる。
なお、第1発光素子1aの発光色と第2発光素子1bの発光色とが同じ、又は/及び、第1封止部材5aに含有される波長変換物質の発光色と第2封止部材5bに含有される波長変換物質の発光色とが同じ場合であっても、発光素子同士の明るさや微小な色差によるムラ、波長変換物質の分布の偏りなどによって生じるムラも低減することができる。
[発光装置の製造方法]
次に、第1実施形態に係る発光装置の製造方法について、図4〜図5Fを参照して説明する。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、図4に示されるように実装基板準備工程S11と、発光素子実装工程S12と、枠体形成工程S13と、封止部材形成工程S14とが含まれている。
枠体形成工程S13は、第1枠体形成工程S131と、第2枠体形成工程S132とを含んでいる。また、本実施形態に係る発光装置の製造方法では、封止部材形成工程S14は、第1封止部材形成工程S141と、第2封止部材形成工程S142とを含んでいる。
実装基板準備工程S11は、図5Aに示すように、絶縁性の基体21の上面に配線パターンである第1配線22及び第2配線23が形成された実装基板2を準備する工程である。これらの配線パターンは、例えば、基体21の上面全体に金属膜を形成し、当該金属膜上に配線パターンとして残す領域を被覆するマスクを設け、露出した金属膜をエッチングすることで形成するサブトラクティブ法などで形成することができる。
なお、本明細書において、準備工程とは、実装基板2を前記したような方法で製造することに限定されず、購入などにより入手することも含むものである。
発光素子実装工程(第1発光素子及び第2発光素子を実装する工程)S12は、図5Bに示すように、第1発光素子1a及び第2発光素子1bを、実装基板2に実装する工程である。この工程において、まず、第1発光素子1a及び第2発光素子1bを、それぞれ実装基板2の上面の所定の位置に、半田やダイボンド樹脂などの接合部材を用いて接合する。全ての第1発光素子1a及び第2発光素子1bを実装基板2と接合した後に、本実施形態の製造方法では、ワイヤ7を用いて、第1発光素子1a及び第2発光素子1b同士、第1発光素子1aと第1配線22の配線部22b及び第2配線23の配線部23bとの間を、それぞれ電気的に接続する。
なお、この工程において、保護素子6も実装基板2に実装することができる。
枠体形成工程S13は、第1枠体3を形成する第1枠体形成工程S131と、第2枠体4を形成する第2枠体形成工程S132とが含まれる。第1枠体3及び第2枠体4は、熱硬化性樹脂を用いて形成することが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることで、金型を用いることなく、所望の形状の枠体を簡便に形成することができる。
以下、熱硬化性樹脂を用いた第1枠体3及び第2枠体4の形成方法について説明する。
まず、第1枠体形成工程(第1枠体を形成する工程)S131において、図5Cに示すように、第1枠体3を形成する。この工程において、まず、ディスペンサ81を用いて、第1発光素子1a及び第2発光素子1bを囲むように、好ましくは遮光性物質を含有する液状の樹脂材料を供給する。このとき用いられる液状の樹脂材料は、第1枠体3の上端が第1発光素子1aの上端よりも高く形成できるように、その幅に応じた粘度に調整されている。その後、加熱処理を施して、樹脂材料を硬化させることで、第1枠体3が形成される。
なお、液状の樹脂材料の粘度は、当該樹脂材料に用いられる溶剤量や適宜なフィラーの添加量によって調整することができる。液状の樹脂材料の粘度を調整する方法は、後記する第2枠体4、第1封止部材5a及び第2封止部材5bの形成においても同様である。
次に、第2枠体形成工程(第2枠体を形成する工程)S132において、図5Dに示すように、第2枠体4を形成する。本実施形態の製造方法では、第1層41、第2層42及び第3層43を順次に積層することで、第2枠体4を形成する。
まず、ディスペンサ82を用いて、第1発光素子1aと第2発光素子1bとの間に、好ましくは遮光性物質を含有する液状の樹脂材料を供給する。その後に加熱処理を施して樹脂材料を硬化させることで、第1層41を形成する。
次に、ディスペンサ82を用いて、第1層41上に、透光性を有する液状の樹脂材料を供給し、加熱処理を施すことで、第2層42を形成する。第2層42と同じ樹脂材料を用いて、同様にして、第2層42上に第3層43を形成することで、透光性領域を形成する。
なお、第1層41、第2層42及び第3層43に施す加熱処理は、熱硬化性樹脂を仮硬化させる条件で行うようにし、第3層43を積層後に、熱硬化性樹脂を本硬化させる条件で加熱処理を施すようにしてもよい。これによって、第1層41、第2層42及び第3層43を強固に接合させることができて好ましい。
なお、第2枠体4を形成するための液状の樹脂材料の粘度を、第1枠体3を形成するための液状の樹脂材料の粘度よりも高くなるように調整することで、第2枠体4を1層構成で、第1枠体よりも高く形成することもできる。
また、第1枠体形成工程S131と、第2枠体形成工程S132とは、何れを先に行ってもよいが、高さの低い第1枠体3を先に形成することが好ましい。高さの高い第2枠体4を先に形成すると、第1枠体3を形成するための樹脂材料を供給するディスペンサ81のノズルの移動の際に、ディスペンサ82のノズルと当該第2枠体4とが干渉する不具合が生じることがある。第1枠体形成工程S131を先に行うことで、このような不具合を回避することができる。
また、第1枠体3と第2枠体4の第1層41とを、遮光性物質を含有する同じ材料を用いて同時に形成し、その後に、透光性を有する材料を用いて第2枠体4の第2層42及び第3層43(透光性領域)を形成するようにしてもよい。
本実施形態の製造方法では、封止部材形成工程(封止部材を充填する工程)S14は、第1封止部材5aを形成する第1封止部材形成工程S141と、第2封止部材5bを形成する第2封止部材形成工程S142とが含まれる。第1封止部材5a及び第2封止部材5bは、封止部材5の全体として凸レンズ状に形成するために、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることで、金型を用いたり、後工程として研削工程などを行ったりすることなく、凸レンズ状の封止部材5を簡便に形成することができる。
以下、熱硬化性樹脂を用いた第1封止部材5a及び第2封止部材5bの形成方法について説明する。
本実施形態の製造方法では、まず、第1封止部材形成工程S141において、図5Eに示すように、第1枠体3と第2枠体4との間の領域である第1領域2aに第1封止部材5aを形成することで、第1発光素子1a及び第1領域2a内に配線されているワイヤ7を封止する。
この工程において、まず、ディスペンサ83を用いて、第1領域2a内に液状の樹脂材料を充填する。このとき用いられる液状の樹脂材料は、必要に応じて波長変換物質の粒子を含有し、適度な粘度に調整されている。ここで、適度な粘度とは、第2枠体4の上端近傍から、第1枠体3の上端近傍にかけて、液面が外側ほど低くなるように緩やかな傾斜面を形成可能な粘度である。また、第1枠体3と第2枠体4との間の距離に応じて、適度な粘度が定められる。
その後に、波長変換物質の粒子を含有する場合は、好ましくは当該粒子が沈降するのを待ってから、加熱処理を施して樹脂材料を硬化させることで、第1封止部材5aが形成される。
次に、第2封止部材形成工程S142において、図5Fに示すように、第2枠体4の内側の領域である第2領域2bに、第2封止部材5bを形成することで、第2発光素子1b及び第2領域2b内に配線されているワイヤ7を封止する。
この工程において、まず、ディスペンサ84を用いて、第2領域2b内に液状の樹脂材料を充填する。このとき用いられる液状の樹脂材料は、必要に応じて波長変換物質の粒子を含有し、適度な粘度に調整されている。ここで、適度な粘度とは、第2領域2bにおける封止部材5の上面が、第1領域2aにおける封止部材5の上面において高さが最も低い部分よりも高くなっており、封止部材5が、第1封止部材5aの形状と合わせて、封止部材5の全体として1つの凸形状が構成できるものである。本実施形態においては、第2領域2b内で、中央部が盛り上がった凸形状を形成できる粘度である。その後に、波長変換物質の粒子を含有する場合は、好ましくは当該粒子が沈降するのを待ってから、加熱処理を施して樹脂材料を硬化させることで、第2封止部材5bが形成される。
なお、第1封止部材形成工程S141と第2封止部材形成工程S142とは、何れを先に行ってもよい。
また、第1枠体形成工程S131、第2枠体形成工程S132、第1封止部材形成工程S141及び第2封止部材形成工程S142において、第1枠体3、第2枠体4、第1封止部材5a及び第2封止部材5bを形成する熱硬化性樹脂を仮硬化させておき、これらの部材が全て形成されてから熱硬化性樹脂を本硬化させるための加熱処理を施すようにしてもよい。これによって、これらの部材を強固に接合させることができる。
以上の工程を行うことによって、発光装置100を製造することができる。
以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本開示の実施形態に係る発光装置は、LED電球やスポットライトなどの各種照明器具、液晶ディスプレイのバックライト光源、大型ディスプレイ、広告や行き先案内などの各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナなどにおける画像読取装置、プロジェクタ装置など、種々の光源に利用することができる。
1 発光素子
11 素子基板
12 半導体積層体
12n n型半導体層
12a 活性層
12p p型半導体層
12b 露出部
13 n側電極
14 全面電極
15 p側電極
16 絶縁膜
16n,16p 開口部
1a 第1発光素子
1b 第2発光素子
2 実装基板(基板)
2a 第1領域
2b 第2領域
21 基体
22 第1配線
22a パッド部
22b 配線部
23 第2配線
23a パッド部
23b 配線部
3 第1枠体
4 第2枠体
41 第1層
42 第2層
43 第3層
5,5A 封止部材
5a 第1封止部材
5b,5Ab 第2封止部材
6 保護素子
7 ワイヤ
81〜84 ディスペンサ
100,100A 発光装置
AM アノードマーク

Claims (17)

  1. 基板と、前記基板上に設けられる第1枠体と、前記基板上であって前記第1枠体の内側に前記第1枠体と離間するように設けられる第2枠体と、前記第1枠体と前記第2枠体との間の第1領域に配置される少なくとも1つの第1発光素子と、前記第2枠体の内側の第2領域に配置される少なくとも1つの第2発光素子と、前記第1発光素子及び前記第2発光素子を被覆する封止部材と、を有し、
    前記第2枠体は、透光性領域を有しており、
    前記第2枠体の上端は、前記第1枠体の上端よりも高く、
    前記第1領域における前記封止部材の上面は、前記第2枠体側よりも前記第1枠体側の方が高さが低くなっており、
    前記第2領域における前記封止部材の上面は、前記第1領域における前記封止部材の上面において高さが最も低い部分よりも高い発光装置。
  2. 前記第2領域における前記封止部材は、凸状である請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第2領域における前記封止部材は、凹状である請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記封止部材は、上面が曲面である請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第1領域における前記封止部材の高さは、前記第1枠体側から前記第2枠体側に向かって高くなる請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の発光装置。
  6. 前記第2枠体は、複数の層が積層されてなる請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の発光装置。
  7. 前記第2枠体の前記複数の層のうち、最下層は遮光性である請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記第1発光素子と、第2発光素子の発光色が異なる請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載の発光装置。
  9. 前記封止部材は、前記第1領域に配置される第1封止部材と、前記第2領域に配置される第2封止部材と、を有する請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の発光装置。
  10. 前記第1封止部材と前記第2封止部材には、それぞれ異なる波長変換物質が含まれている請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記第1封止部材と前記第2封止部材の何れか一方にのみ波長変換物質が含まれている請求項9に記載の発光装置。
  12. 前記第1枠体は、遮光性である請求項1乃至請求項11の何れか一項に記載の発光装置。
  13. 前記第1枠体の上端が、前記第1発光素子の上端よりも高い請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の発光装置。
  14. 前記第1枠体と前記第2枠体とを同心円状に形成する請求項1乃至請求項13の何れか一項に記載の発光装置。
  15. 基板上に少なくとも1つの第1発光素子及び少なくとも1つの第2発光素子を実装する工程と、
    前記基板上に前記第1発光素子及び前記第2発光素子を囲む第1枠体を形成する工程と、
    前記基板上であって、前記第1発光素子と前記第2発光素子の間に、前記第2発光素子を囲む第2枠体を形成する工程と、
    前記第1枠体及び前記第2枠体で囲まれた第1領域と、前記第2枠体で囲まれた第2領域とに、前記第1発光素子及び前記第2発光素子を被覆するように封止部材を充填する工程と、を有し、
    前記第1枠体と前記第2枠体とを互いに離間して形成するとともに、前記第2枠体の上端が前記第1枠体の上端よりも高くなるように形成する発光装置の製造方法。
  16. 前記第1枠体を前記第2枠体よりも先に形成する請求項15に記載の発光装置の製造方法。
  17. 前記第2枠体は、複数の層を積層することで形成する請求項15又は請求項16に記載の発光装置の製造方法。
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