JP6959548B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6959548B2 JP6959548B2 JP2019132575A JP2019132575A JP6959548B2 JP 6959548 B2 JP6959548 B2 JP 6959548B2 JP 2019132575 A JP2019132575 A JP 2019132575A JP 2019132575 A JP2019132575 A JP 2019132575A JP 6959548 B2 JP6959548 B2 JP 6959548B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- emitting device
- phosphor layer
- translucent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 229
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 102
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 102
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 81
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 17
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)Cl.P Chemical compound O[Si](O)(O)Cl.P RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
基体と、
前記基体上に設けられた第1発光素子と、
前記基体上に設けられた第2発光素子と、
上面と下面とを有する無機材料からなる透光体と、前記透光体の下面に設けられた蛍光体層と、を備え、該蛍光体層が前記第1発光素子上に接合された波長変換部材と、
前記蛍光体層の側面を覆う反射部材と、
前記基体上で前記第1発光素子と前記第2発光素子の間及び波長変換部材と前記第2発光素子の間に設けられ、前記反射部材を介して前記蛍光体層の側面を覆う透光性封止樹脂と、
を含む。
以下に説明する発光装置は、本開示の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示を以下のものに限定するものではない。
実施形態1.
実施形態1の発光装置は、図1及び図2に示すように、基体30と、基体30上に設けられた複数の第1発光素子1と、基体30上に設けられた複数の第2発光素子2と、第1発光素子1上にそれぞれ設けられた波長変換部材10と、第2発光素子2と第1発光素子1と波長変換部材10とを一括して覆うように基体30上に設けられた透光性封止樹脂20と、を備えている。
そして、実施形態1の発光装置はさらに蛍光体層11の側面を覆う反射部材7を備えている。
また、透光性封止樹脂20は、基体30上で第1発光素子1と第2発光素子2の間及び波長変換部材と第2発光素子2の間に設けられ、反射部材7を介して蛍光体層の側面を覆っている。
以上のように構成された実施形態1の発光装置は、蛍光体層11の側面を覆う反射部材7を備えているので、第2発光素子2の光による蛍光体層11の励起を抑制でき、色むらをより効果的に低減することができる。
尚、実施形態1の発光装置について、図1及び図2に示す、基体30上に複数の第1発光素子1と複数の第2発光素子2を備えている例により説明するが、実施形態の発光装置はこれに限定されるものではなく、基体上に少なくとも1つの第1発光素子と少なくとも1つの第2発光素子とを備えていればよい。
以下、実施形態1の発光装置について図面を参照しながらより具体的に説明する。
実施形態1の発光装置は、複数の第1発光素子1と複数の第2発光素子2を上述したように配置することにより、混色性を高め、色むらを抑制した上でさらに後述するように構成して、さらに混色性を高め、色むらを抑制している。
以下、本実施形態1の発光装置について詳細に説明する。
蛍光体層110の分離は、図6Bに示すように、所定の幅W1のブレードB1を用いて蛍光体層110に幅W1の溝G1を縦方向及び横方向に形成することにより、複数の蛍光体層11に分離する(図6C)。
以上のようにして、外周が透光体12の下面の外周の内側に位置するように設けられた蛍光体層11が作製される。
例えば、蛍光体層11の側方に配置されている反射部材7は、発光素子からの光に対する反射率が90%〜98%程度のものを用いることができる。また、反射部材7中の無機フィラーの濃度は、2質量%〜6質量%程度とすることができる。
しかしながら、実施形態1の発光装置において、反射部材7を以下のように形成するようにしてもよい。
図5に示す発光装置では、波長変換部材10と第1発光素子1とは、接合部材40により接合されるが、この場合、接合部材40は、第1発光素子1の側面の少なくとも一部を覆うフィレット41を有し、フィレット41が光を反射するフィラーを含むことが好ましい。フィレット41が光を反射するフィラーを含むと、第2発光素子2から出射される光をフィレット41により反射させて蛍光体層11への入射を抑制できる。
上述したように、基体30の上面には、第1発光素子1に給電する第1配線31と第2発光素子2に給電する第2配線32とを有している。
尚、必要に応じて、第1保護素子実装部31p11に保護素子を実装して、保護素子のカソードを第1保護素子実装部31p11に接続し、保護素子のアノードを第1保護素子接続配線31p2に接続することにより、複数の第1発光素子1が直列に接続された第1直列回路に並列に保護素子を接続することができる。
尚、必要に応じて、第2保護素子実装部32p11に保護素子を実装して、保護素子のカソードを第2保護素子実装部32p11に接続し、保護素子のアノードを第2保護素子接続配線32p2に接続することにより、複数の第2発光素子2が直列に接続された第2直列回路に並列に保護素子を接続することができる。
以上の実施形態1の発光装置では、外部接続ランド31e1と第1外部接続ランド31e2間に全ての第1発光素子1を直列に接続し、第2外部接続ランド32e1と第2外部接続ランド32e2間に全ての第2発光素子2を直列に接続した例で説明した。しかしながら、実施形態1の発光装置はこれに限定されるものではなく、例えば、複数の第1発光素子1及び複数の第2発光素子2をそれぞれ複数のグループに分けて、各グループの第1発光素子1及び複数の第2発光素子2をそれぞれ直列に接続してその直列接続した直列回路を外部接続ランド31e1と第1外部接続ランド31e2間、第2外部接続ランド32e1と第2外部接続ランド32e2間に並列に接続するようにしてもよい。
実施形態2の発光装置は、(a)上面視における枠体53の形状が八角形である点、及び(b)枠体53の形状が八角形であることに伴い第1配線と第2配線の一部の形状が変更されている点で実施形態1の発光装置と異なっている。実施形態2の発光装置において、上記(a)(b)以外は、実施形態1の発光装置と同様に構成されている。
以下、実施形態2の発光装置について、実施形態1の発光装置と異なっている点を具体的に説明し、実施形態1の発光装置と同様の構成については説明を省略する。
また、実施形態2の発光装置は光束密度を高くできることから、例えば、実施形態2の発光装置を用いた灯具での集光性を向上させることが可能になる。
実施形態3の発光装置は、図12に示すように、透光性封止樹脂20が第2蛍光体粒子21を含んでいる点を除いて実施形態1の発光装置と同様に構成される。実施形態3の発光装置において、透光性封止樹脂20は、封止樹脂22と第2蛍光体粒子21を含む。第2蛍光体粒子21は、第2発光素子2が発光する第2の光によって励起されて第2の光とは異なる波長の光を発光する。また、第2蛍光体粒子21は、第1発光素子1が発光する第1の光によって励起されて第1及び第2の光とは異なる波長の光を発光してもよい。
実施形態4の発光装置は、図13に示すように、基体30を含んでいない点で実施形態1の発光装置とは異なっている。実施形態4の発光装置は、基体30を含んでいない点を除いて実施形態1の発光装置と同様に構成される。
実施形態4の発光装置において、第1発光素子1、第2発光素子2及び波長変換部材10等は、透光性封止樹脂20によって支持される。
この実施形態4の発光装置は、例えば、発光装置の発光を制御する制御回路等が形成された回路基板に実装して使用することができる。実施形態4の発光装置において、外部接続用電極は、例えば、発光装置の下面に第1発光素子1及び第2発光素子2のp側電極及びn側電極を露出させて、回路基板に形成された配線により発光素子間を接続して使用することができる。また、発光装置の下面(透光性封止樹脂20の下面)に実施形態1で示したような第1配線及び第2配線を形成するようにしてもよい。
第1蛍光体粒子及び第2蛍光体粒子(以下、単に蛍光体粒子という。)は、発光素子が発する光の少なくとも一部により励起されて発光素子の発光波長とは異なる波長の光を発する蛍光体材料からなる。
蛍光体層11には、樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を蛍光体のバインダーとして混合して透光体12の表面に形成したものを挙げることができる。蛍光体層11は1種の蛍光体粒子を含む単層であってもよいし、2種以上の蛍光体粒子を含む単層であってもよい。また、蛍光体層11は1種の蛍光体粒子を含む層と、その層と同一又は異種の蛍光体粒子を含む層が積層されたものでもよい。また、蛍光体層11は、必要に応じて拡散材を含んでいてもよい。さらに、蛍光体層11は、第1発光素子1の上面の面積よりも大きく形成されることが好ましく、この場合、蛍光体層11は、発光素子上面の周りに蛍光体層11の表面が環状に露出するように第1発光素子1上に配置することが好ましい。
透光体12は、蛍光体を含む蛍光体層とは別に設けられる部材であり、その表面に形成された蛍光体層11を支持する部材である。透光体12には、ガラス等の無機材料からなる板状体を用いることができる。ガラスとして、例えば、ホウ珪酸ガラスや石英ガラスから選択することができる。透光体12の厚さは、製造工程における機械的強度が低下せず、蛍光体層11に十分な機械強度を付与することができる厚さであればよい。例えば、透光体12の厚みは、80μm〜200μmとすることができる。透光体12の上面は、図2等に示すように第2発光素子2の上面よりも高い位置とすることができる。これにより、例えば、透光体を避けてその上面以下の高さとなるように、波長変換部材を含む透光性部材を流し込むことにより、第2発光素子の周囲に、選択的に任意の波長変換部材を配置することができる。ただし、これに限らず、透光体12の上面は、第2発光素子2の上面と同じ高さとなるよう、発光素子の厚みに差を持たせてもよく、透光体12の上面は、第2発光素子2の上面よりも低い位置にあってもよい。これらにより、第2発光素子2から出射される光路上の波長変換部材を減らすことができ、照射される光の色ムラを低減することができる。
反射部材7としては、絶縁材料に反射性フィラーを含有させて用いることが好ましい。また、反射部材7は、絶縁材料として、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができ、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、BTレジン、PPA、の1種以上を含む樹脂またはハイブリッド樹脂と光反射部材とを用いて形成することができる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。反射性フィラーとしては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
接合部材40としては、第1発光素子1からの出射光を蛍光体層11へと有効に導光できる透光性が求められる。例えば、透光性の接合部材40としては、具体例としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、およびポリイミド樹脂等の有機樹脂を挙げることができるが、シリコーン樹脂が好ましい。第1発光素子1と蛍光体層11の間の接合部材40の厚さは、薄ければ薄いほど好ましい。接合部材40の厚さが薄いと、放熱性が向上し、光の透過損失を小さくでき、発光装置の発光効率を高くすることができる。
透光性封止樹脂20、封止樹脂22は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光を透過可能であり、かつ固化前は流動性を有する材料であることが好ましい。封止樹脂として、好ましくは光透過率が70%以上の光透過性樹脂を選択する。光透過性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、またはこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。中でも、シリコーン樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないので好ましい。
また、封止樹脂22は、第2蛍光体粒子に加えて、フィラー、拡散材等の添加剤を更に含んでもよい。例えば、拡散材としては、SiO2、TiO2等を挙げることができる。
基体30は、第1発光素子1及び第2発光素子2、必要に応じて保護素子等が配置されるものであり、その上面に第1配線31及び第2配線32を有し、さらに枠体33が設けられる。基体30は、例えば、図1や図2に示すように、矩形平板状に形成されており、基体30の大きさは、配置する発光素子数、目的および用途に応じて適宜設定される。
具体的にはセラミックス(Al2O3、AlN等)、あるいはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)等の樹脂が挙げられる。光反射性を高めるために、発光素子載置面に反射部材を設けても良い。反射部材は、例えば、TiO2等の反射性粒子と有機物ないし無機物のバインダーとを混錬したものである。いわゆる白色レジストや白色インク、セラミックスインク等が該当する。有機物のバインダーとしては、耐熱性・耐光性に優れたシリコーン樹脂を用いることが特に好ましい。これにより、基体表面で光を反射して、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
第1配線及び第2配線(以下、単に配線という。)は、上述したように、基体上に設けられた複数の発光素子、及び必要に応じて設けられる保護素子に電気的に接続され、外部電源から電圧を印加するためのものである。配線は例えば金属部材から構成され、その金属部材の材料は特に限定されるものではないが、例えば、基体30をセラミックスにより構成する場合は、例えば、配線の材料としては、W、Mo、Ti、Ni、Au、Cu、Ag、Pd、Rh、Pt、Sn等を主成分とする金属又は合金を用いることができる。また、配線は、蒸着、スパッタ、印刷法等により、さらに、その上にめっき等を形成することができる。また、劣化が少なく、接合部材との密着性の観点から、Auを主成分とする金属を配線の最表面にメッキ等により形成することが好ましい。配線の厚みは特に限定されず、搭載する発光素子の数、投入電力等を考慮して適宜設定される。
尚、第1配線31及び第2配線32は、基体30の上面に形成されるものであることから、必要に応じて適宜ワイヤを用いて分離された第1配線31間において第2配線32を跨いで接続したり、分離された第2配線32間において第1配線31を跨いで接続したりすることができる。
第1発光素子1及び第2発光素子2(以下、単に発光素子という)は、電圧を印加することで発光する半導体素子である。
発光素子はそれぞれ、例えば、図1等に示すように平面形状が略矩形形状でも略六角形形状等の多角形形状でもよい。また、発光素子の発光波長は、用途、蛍光体層11に含まれる第1蛍光体粒子11bの励起波長、透光性封止樹脂20に含まれる第2蛍光体粒子21の励起波長、等を考慮して適宜選択される。例えば、青色(波長430nm〜490nm)、緑色(波長490nm〜570nm)の発光素子としてはZnSe、窒化物半導体、GaP等を用いることができる。また、赤色(波長620nm〜750nm)の発光素子としてはGaAlAs、AlInGaP等を用いることができる。実施形態1の発光装置について、例えば、白色の発光装置を構成する場合には、例えば、窒化物半導体の青色発光素子を用いることが好ましい。また、発光素子は可視光領域の光を発光するものだけではなく、紫外線や赤外線を発光する素子を選択することもできる。
また、実施形態の発光装置では、同数の第1発光素子1と第2発光素子2を用いて構成した例を示したが、実施形態の発光装置はこれに限定されるものではなく、第1発光素子1と第2発光素子2の数は異なっていてもよい。一般的に、発光素子としてLEDを用いた場合に、低色温度ほど発光効率が低下する。このため、例えば、第1発光部よりも第2発光部の色温度が低い場合に、第1発光素子1の数を第2発光素子2の数より多くして明るさや発光効率のバランスを調整してもよい。また、微小点灯領域で発光色を変化(調色)させる場合などでは、明るさを必要としない側の素子数を減らすことで、他方の素子数を増やすことができる。これにより、発光装置の明るさや発光効率を向上させることができる。
枠体33は、例えば、絶縁性の樹脂に光反射部材を含有させたものを用いて構成することが好ましい。絶縁性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジンや、PPAやシリコーン樹脂などが挙げられる。保護素子等の非発光デバイスを基板に実装する場合には、光吸収の原因となるため、光反射樹脂内に埋設することが好ましい。枠体33は、例えば、ディスペンサで樹脂を吐出しながら描画する方法や、樹脂印刷法、トランスファー成形、圧縮成形などで形成することができる。枠体は、透光性封止樹脂を囲むように形成される。枠体を備えることで、透光性封止樹脂を塗布により形成する場合に、上面視における透光性封止樹脂の形状のバラツキを抑制することができる。つまり、硬化前の透光性封止樹脂を枠体の内側に塗布した場合に、硬化前の透光性封止樹脂は枠体の内側を流れていくが、枠体が透光性封止樹脂を囲むことで、透光性封止樹脂が枠体の外側に流れることを抑制することができる。塗布された透光性封止樹脂が枠体の内側の形状に沿って形成されるため、上面視における透光性封止樹脂の形状のバラツキを抑制することができる。
2 第2発光素子
10 波長変換部材
11 蛍光体層
11a 透光性樹脂
11b 第1蛍光体粒子
12 透光体
20 透光性封止樹脂
21 第2蛍光体粒子
22 封止樹脂
30 基体
31 第1配線
31a 第1p側ランド
31b 第1n側ランド
31e1,31e2 第1外部接続ランド
31c1,31c2,51c1,51c2 第1接続配線
31p11,31p21 第1保護素子実装部
31p1,31p2,51p1,51p2 第1保護素子接続配線
32 第2配線
32a 第2p側ランド
32b 第2n側ランド
32e1,32e2 第2外部接続ランド
32c1,32c2,52c1,52c2 第2接続配線
32p11,32p21 第2保護素子実装部
32p1,32p2,52p1,52p2 第2保護素子接続配線
32p11,32p21,52p11,52p21 第2保護素子実装部
33 枠体
40 接合部材
41 フィレット
Claims (21)
- 基体と、
前記基体上に設けられた第1発光素子と、
前記基体上に設けられた第2発光素子と、
上面と下面とを有する無機材料からなる透光体と、前記透光体の下面に設けられた蛍光体層と、を備え、該蛍光体層が前記第1発光素子上に接合された波長変換部材と、
前記蛍光体層の側面を覆う反射部材と、
前記基体上で前記第1発光素子と前記第2発光素子の間及び前記波長変換部材と前記第2発光素子の間に設けられ、前記反射部材を介して前記蛍光体層の側面を覆う透光性封止樹脂と、
を含み、
前記蛍光体層の外周は、前記透光体の下面の外周よりも内側に位置する、発光装置。 - 前記基体は、互いに分離された第1配線と第2配線とを有し、前記第1配線に前記第1発光素子が接続され、前記第2配線に前記第2発光素子が接続されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子を複数含み、該複数の第1発光素子が前記第1配線により直列接続されており、前記第2発光素子を複数含み、該複数の第2発光素子が前記第2配線により直列接続されている請求項2に記載の発光装置。
- 第1発光素子と、
第2発光素子と、
上面と下面とを有する無機材料からなる透光体と、前記透光体の下面に設けられた蛍光体層と、を備え、該蛍光体層が前記第1発光素子上に接合された波長変換部材と、
前記蛍光体層の側面を覆う反射部材と、
前記第1発光素子と前記第2発光素子の間及び前記波長変換部材と前記第2発光素子の間に設けられて前記第1発光素子、前記波長変換部材及び前記第2発光素子を支持し、前記反射部材を介して前記蛍光体層の側面を覆う透光性封止樹脂と、
を含み、
前記蛍光体層の外周は、前記透光体の下面の外周よりも内側に位置する、発光装置。 - 前記透光性封止樹脂は前記第2発光素子の発光面と前記透光体の上面とを覆い、前記透光性封止樹脂は第2蛍光体粒子を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第2蛍光体粒子は前記透光性封止樹脂中において前記第1発光素子側及び前記第2発光素子側の密度が高くなるように偏在している請求項5に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層は第1赤色蛍光体粒子と第1緑色蛍光体粒子とを含み、前記透光性封止樹脂に含有された第2蛍光体粒子は第2赤色蛍光体粒子と第2緑色蛍光体粒子とを含む請求項5又は6に記載の発光装置。
- 前記第1赤色蛍光体粒子と前記第2赤色蛍光体粒子とは同じ蛍光体材料からなり、前記第1緑色蛍光体粒子と前記第2緑色蛍光体粒子とは同じ蛍光体材料からなる請求項7に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材と前記第1発光素子とは接合部材により接合されており、前記接合部材は光を反射するフィラーを含み、前記反射部材は前記波長変換部材の側面を覆う前記接合部材により形成されている請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材と前記第1発光素子とは接合部材により接合されており、前記接合部材は、前記反射部材と前記第1発光素子の側面とに接するフィレットを有する請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記フィレットは、下部方向に向かって小さくなる断面三角形状である請求項10に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子を複数含み、前記第2発光素子を複数含み、
前記第1発光素子及び前記第2発光素子は行及び列をなして配置されており、
前記各行及び列においてそれぞれ前記第1発光素子と前記第2発光素子とが交互に配置されている請求項1〜11のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1発光素子及び前記第2発光素子はそれぞれ略矩形形状であり、前記第1発光素子及び前記第2発光素子はそれぞれ前記略矩形形状の対角方向に配列されており、前記第1発光素子が対角方向に配列された列と前記第2発光素子が対角方向に配列された列とが交互に配置されている請求項12に記載の発光装置。
- 前記透光体の屈折率が、前記透光性封止樹脂の屈折よりも高い請求項1〜13のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層の厚みが、前記透光体の厚みの0.2倍〜1.5倍である請求項1〜14のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層の厚みが、35〜200μmである請求項1〜15のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記透光性封止樹脂を囲む枠体を含む請求項1〜16のいずれか一項に記載の発光装置。
- 基体を準備する工程と、
前記基体上に、第1発光素子および第2発光素子を設ける工程と、
波長変換部材および反射部材を設ける工程と、
透光性封止樹脂を設ける工程と、
を含む、発光装置の製造方法であって、
前記波長変換部材および反射部材を設ける工程は、上面と下面とを有する無機材料からなる透光体と前記透光体の下面に設けられた蛍光体層とを備え、且つ前記蛍光体層の外周が前記透光体の下面の外周よりも内側に位置する波長変換部材を準備することと、該波長変換部材の蛍光体層を前記第1発光素子上に接合することと、前記反射部材を、前記蛍光体層の側面を覆うように設けることを含み、
前記透光性封止樹脂を設ける工程は、前記透光性封止樹脂を、前記反射部材を介して前記蛍光体層の側面を覆うように、前記第1発光素子と前記第2発光素子の間及び前記波長変換部材と前記第2発光素子の間に設けることを含む、
発光装置の製造方法。 - 前記基体を除去する工程をさらに含む、請求項18に記載の製造方法。
- 前記波長変換部材および反射部材を設ける工程は、
前記透光体の下面の全面に前記蛍光体層を形成することと、
前記蛍光体層に、第1の幅を有する第1の溝を形成することと、
前記透光体に、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有する第2の溝を、該第2の溝の中心線が前記第1の溝の中心線と一致するように形成することをさらに含む、
請求項18または19に記載の製造方法。 - 前記波長変換部材および反射部材を設ける工程は、
前記透光体の下面の全面に前記蛍光体層を形成することと、
前記蛍光体層に、第1の幅を有する第1の溝を形成することと、
前記第1の溝に、前記反射部材を埋め込むことと、
前記透光体および前記反射部材に、前記第1の幅よりも狭い第3の幅を有する第3の溝を形成することをさらに含む、
請求項18または19に記載の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910951935.0A CN111009603A (zh) | 2018-10-04 | 2019-09-30 | 发光装置 |
EP19200963.7A EP3633744B1 (en) | 2018-10-04 | 2019-10-02 | Light emitting device |
KR1020190122170A KR20200038864A (ko) | 2018-10-04 | 2019-10-02 | 발광 장치 |
US16/591,622 US11244931B2 (en) | 2018-10-04 | 2019-10-03 | Light emitting device with enhanced color mixing quality |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018188988 | 2018-10-04 | ||
JP2018188988 | 2018-10-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020061543A JP2020061543A (ja) | 2020-04-16 |
JP6959548B2 true JP6959548B2 (ja) | 2021-11-02 |
Family
ID=70220386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019132575A Active JP6959548B2 (ja) | 2018-10-04 | 2019-07-18 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11244931B2 (ja) |
JP (1) | JP6959548B2 (ja) |
KR (1) | KR20200038864A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI732621B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-07-01 | 明陽半導體股份有限公司 | 具有驅動機制的發光二極體裝置 |
US11083059B2 (en) * | 2019-10-03 | 2021-08-03 | Creeled, Inc. | Lumiphoric arrangements for light emitting diode packages |
EP4411844A1 (en) * | 2021-09-28 | 2024-08-07 | Kyocera Corporation | Light emitting apparatus and illumination apparatus |
WO2023058541A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体デバイス及び発光装置 |
WO2024129316A1 (en) * | 2022-12-14 | 2024-06-20 | Lumileds Llc | TRANSPARENT STRUCTURE ON pcLED TO INCREASE LIGHT FLUX |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009111140A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP5342867B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び駆動方法 |
EP2367203A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-21 | Samsung LED Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same |
JP2012009723A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2013077679A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP5557828B2 (ja) | 2011-12-07 | 2014-07-23 | 三菱電機株式会社 | 発光装置 |
JP5895598B2 (ja) | 2012-02-29 | 2016-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6139071B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2017-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP6095479B2 (ja) | 2013-05-17 | 2017-03-15 | シチズン時計株式会社 | Ledモジュール |
JP5799988B2 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
ES2629079T3 (es) * | 2013-08-01 | 2017-08-07 | Philips Lighting Holding B.V. | Disposición de emisión de luz con espectro de salida adaptado |
JP6331389B2 (ja) | 2013-12-27 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6187277B2 (ja) | 2014-01-21 | 2017-08-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6152801B2 (ja) | 2014-01-21 | 2017-06-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6477001B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US9997676B2 (en) * | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
CN106471867B (zh) | 2014-06-10 | 2019-03-08 | 飞利浦照明控股有限公司 | 具有可调节发射光谱的发光装置 |
EP3158594A1 (en) * | 2014-06-19 | 2017-04-26 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted light emitting device with small source size |
DE102014112681A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Blitzlicht |
US10424562B2 (en) | 2014-12-16 | 2019-09-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting device with phosphors |
TWI553918B (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-11 | 艾笛森光電股份有限公司 | 發光二極體封裝元件 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN111223975A (zh) * | 2015-09-18 | 2020-06-02 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
CN105423149A (zh) | 2015-12-25 | 2016-03-23 | 广州市添鑫光电有限公司 | 一种高效led智能光源 |
JP2017228658A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層付光半導体素子およびその製造方法 |
US10641437B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-05-05 | Nichia Corporation | LED module |
JP6380590B2 (ja) | 2016-06-30 | 2018-08-29 | 日亜化学工業株式会社 | Ledモジュール |
JP2018014480A (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-25 | 日東電工株式会社 | 反射層および蛍光体層付光半導体素子 |
CN109791968A (zh) * | 2016-07-26 | 2019-05-21 | 克利公司 | 发光二极管、组件和相关方法 |
JP6769248B2 (ja) | 2016-11-09 | 2020-10-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10700245B2 (en) * | 2017-07-04 | 2020-06-30 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2019016780A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2019
- 2019-07-18 JP JP2019132575A patent/JP6959548B2/ja active Active
- 2019-10-02 KR KR1020190122170A patent/KR20200038864A/ko active Search and Examination
- 2019-10-03 US US16/591,622 patent/US11244931B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11244931B2 (en) | 2022-02-08 |
KR20200038864A (ko) | 2020-04-14 |
JP2020061543A (ja) | 2020-04-16 |
US20200111766A1 (en) | 2020-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7208536B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6959548B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6658723B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6079629B2 (ja) | 発光装置 | |
CN114188460A (zh) | 发光装置 | |
US10700245B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2012069577A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
US9893038B2 (en) | Light-emitting device having first and second wiring patterns | |
JP2014229759A (ja) | 発光装置 | |
US11621379B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2022007896A (ja) | 発光装置及びledパッケージ | |
JP5330855B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP7082290B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
US9812620B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
EP3633744B1 (en) | Light emitting device | |
WO2019244958A1 (ja) | Led発光装置 | |
JP2017204502A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2008270390A (ja) | フロントカバー、発光装置およびフロントカバーの製造方法 | |
JP7492119B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6773166B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7177336B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2018022859A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7041375B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7096503B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190913 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210907 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6959548 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |