TWI732621B - 具有驅動機制的發光二極體裝置 - Google Patents
具有驅動機制的發光二極體裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI732621B TWI732621B TW109122954A TW109122954A TWI732621B TW I732621 B TWI732621 B TW I732621B TW 109122954 A TW109122954 A TW 109122954A TW 109122954 A TW109122954 A TW 109122954A TW I732621 B TWI732621 B TW I732621B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- diode chip
- chip
- contact
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/20—Controlling the colour of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08123—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting directly to at least two bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73207—Bump and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73209—Bump and HDI connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/141—Analog devices
- H01L2924/1426—Driver
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本發明公開一種具有驅動機制的發光二極體裝置。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片排列設置在驅動電路晶片上,分別配置以發射紅光、綠光以及藍光。第一發光二極體晶片的第一接點、第二發光二極體晶片的第一接點以及第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶方式,分別直接電性接觸驅動電路晶片的第一輸出接點、第二輸出接點、第三輸出接點。第一發光二極體晶片的第二接點、第二發光二極體晶片的第二接點以及第三發光二極體晶片的第二接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點。
Description
本發明涉及發光裝置,特別是涉及一種具有驅動機制的發光二極體裝置。
發光二極體(light-emitting diode, LED)是由半導材料製成的用以將電能轉換為光能的發光元件。發光二極體在顯示面晶片、汽車方向燈、裝飾性照明裝置等各個領域均得到了廣泛的應用。然而,傳統發光裝置中的多個發光二極體晶片鄰設於驅動電路,並打線連接位於同一平面上的驅動電路,如此配置方式占用很大的面積而使發光裝置尺寸無法縮小,更造成發光二極體晶片的光線被鄰設的驅動電路晶片遮蔽,影響多個發光二極體晶片的混光品質。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種具有驅動機制的發光二極體裝置,包含第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片、第三發光二極體晶片以及驅動電路晶片。第一發光二極體晶片配置以發射紅光。第二發光二極體晶片配置以發射綠光。第三發光二極體晶片配置以發射藍光。驅動電路晶片直接電性接觸第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片,配置以驅動第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片分別發射紅光、綠光、藍光。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片設置於驅動電路晶片上。第一發光二極體晶片的第一接點、第二發光二極體晶片的第一接點以及第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶方式,分別直接電性接觸驅動電路晶片的第一輸出接點、第二輸出接點、第三輸出接點。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片中的兩者或三者的第二接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點。
在一實施方式中,第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片加總的面積小於驅動電路晶片的面積。
在一實施方式中,第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片、第三發光二極體晶片與一封裝層形成一發光二極體封裝。
在一實施方式中,發光二極體封裝的第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片所有的第二接點的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點。
在一實施方式中,第一發光二極體晶片的第一接點、第二發光二極體晶片的第一接點以及第三發光二極體晶片的第一接點皆為陰極。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片的第二接點皆為陽極。
在一實施方式中,第一發光二極體晶片的第一接點、第二發光二極體晶片的第一接點以及第三發光二極體晶片的第一接點皆為陽極。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片的第二接點皆為陰極。
在一實施方式中,驅動電路晶片具有一電性接觸墊、一串行數據輸入墊以及一串行數據輸出墊,電性接觸墊接地,驅動電路晶片的共接點連接一輸入電壓源。串行數據輸入墊接收一第一控制訊號,串行數據輸出墊輸出第一控制訊號,第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片依據第一控制訊號發光。
在一實施方式中,驅動電路晶片的共接點、電性接觸墊、串行數據輸入墊以及串行數據輸出墊中的任一或多者,透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
在一實施方式中,驅動電路晶片具有一電性接觸墊、一串行數據輸入墊以及一串行數據輸出墊,電性接觸墊連接一輸入電壓源,驅動電路晶片的共接點接地。其中串行數據輸入墊接收一第一控制訊號。串行數據輸出墊輸出第一控制訊號。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片依據第一控制訊號發光。
在一實施方式中,驅動電路晶片的共接點、電性接觸墊、串行數據輸入墊以及串行數據輸出墊中的任一或多者,透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
在一實施方式中,驅動電路晶片具有輸入電源墊、接地墊、串行數據輸入墊以及串行數據輸出墊。輸入電源墊連接一輸入電壓源。接地墊接地。驅動電路晶片的共接點連接輸入電源墊。串行數據輸入墊接收一第一控制訊號,串行數據輸出墊輸出第一控制訊號,第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片依據第一控制訊號發光。
在一實施方式中,驅動電路晶片的共接點、輸入電源墊、接地墊、串行數據輸入墊以及串行數據輸出墊中的任一或多者,透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
在一實施方式中,驅動電路晶片具有輸入電源墊、接地墊、串行數據輸入墊以及串行數據輸出墊。輸入電源墊連接一輸入電壓源。接地墊接地。驅動電路晶片的共接點連接接地墊。串行數據輸入墊接收一第一控制訊號。串行數據輸出墊輸出第一控制訊號。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片依據第一控制訊號發光。
在一實施方式中,驅動電路晶片的共接點、輸入電源墊、接地墊、串行數據輸入墊以及串行數據輸出墊中的任一或多者,透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
在一實施方式中,驅動電路晶片更具有一串行時脈輸出墊以及一串行時脈輸出墊。串行時脈輸入墊接收一第二控制訊號。串行時脈輸出墊輸出第二控制訊號。第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片依據第一控制訊號以及第二控制訊號發光。
在一實施方式中,驅動電路晶片的串行時脈輸入墊、串行時脈輸出墊或兩者,透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
另外,本發明另外提供一種具有驅動機制的發光二極體裝置,包含發光二極體封裝以及驅動電路晶片。發光二極體封裝包含第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片、第三發光二極體晶片以及封裝層。第一發光二極體晶片配置以發射紅光。第二發光二極體晶片配置以發射綠光。第三發光二極體晶片配置以發射藍光。驅動電路晶片直接電性接觸第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片。驅動電路晶片配置以驅動第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片分別發射紅光、綠光、藍光。其中第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片設置於驅動電路晶片上。第一發光二極體晶片的第一接點、第二發光二極體晶片的第一接點以及第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶覆晶方式,分別直接電性接觸驅動電路晶片的第一輸出接點、第二輸出接點、一第三輸出接點。發光二極體封裝的第一發光二極體晶片、第二發光二極體晶片以及第三發光二極體晶片所有的第二接點的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點。
如上所述,本發明提供一種具有驅動機制的發光二極體裝置,其將多個發光二極體晶片堆疊放置於驅動電路晶片上,並與驅動電路晶片直接電性接觸,而不採用打線接合方式,以節省發光二極體裝置的平面占用面積,能達到發光二極體裝置的面積最小化,並且可防止驅動電路晶片遮擋發光二極體晶片發射的光,使混光品質最佳化。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包含相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖3,其中圖1為本發明第一實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的多個發光二極體晶片的示意圖;圖2為本發明第一至第九實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖;圖3為本發明第一實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的多個發光二極體晶片設於驅動電路晶片上的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖1所示的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED以及第三發光二極體晶片BLED。第一發光二極體晶片RLED發射紅光,第二發光二極體晶片GLED發射綠光,而第三發光二極體晶片BLED發射藍光。
如圖1所示,第一發光二極體晶片RLED具有第一接點RO1以及第二接點RO2。第二發光二極體晶片GLED具有第一接點GO1以及第二接點GO2。第三發光二極體晶片BLED具有第一接點BO1以及第二接點BO2。
如圖2所示,本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可更包含驅動電路晶片DRV1。驅動電路晶片DRV1可具有第一輸出接點OUT1、第二輸出接點OUT2、第三輸出接點OUT3以及共接點VCOM。
如圖3所示,圖1所示的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED以及第三發光二極體晶片BLED排列設置在圖2所示的驅動電路晶片DRV1上。第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED以及第三發光二極體晶片BLED加總的面積小於驅動電路晶片DRV1的面積。
第一發光二極體晶片RLED的第一接點RO1例如以覆晶方式直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。第二發光二極體晶片GLED的第一接點GO1例如以覆晶方式直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2。第三發光二極體晶片BLED的第一接點BO1例如以覆晶方式直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3。
第一發光二極體晶片RLED的第二接點RO2、第二發光二極體晶片GLED的第二接點GO2以及第三發光二極體晶片BLED的第二接點BO2皆直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
驅動電路晶片DRV1的驅動電路配置以同步或非同步地驅動第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED以及第三發光二極體晶片BLED分別發射紅光、綠光以及藍光。
[第二實施例]
請參閱圖4,其為本發明第二實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體晶片的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體晶片的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
如圖4所示,第一發光二極體晶片RLED的陰極的第一接點RO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。第二發光二極體晶片GLED的陰極的第一接點GO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2。第三發光二極體晶片BLED的陰極的第一接點BO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3。
第一發光二極體晶片RLED的陽極的第二接點RO2、第二發光二極體晶片GLED的陽極的第二接點GO2以及第三發光二極體晶片BLED的陽極的第二接點BO2中的兩者或三者,直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
[第三實施例]
請參閱圖5,其為本發明第三實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體晶片的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體晶片的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
如圖5所示,第一發光二極體晶片RLED的陽極的第一接點RO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。第二發光二極體晶片GLED的陽極的第一接點GO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2。第三發光二極體晶片BLED的陽極的第一接點BO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3。
第一發光二極體晶片RLED的陰極的第二接點RO2、第二發光二極體晶片GLED的陰極的第二接點GO2以及第三發光二極體晶片BLED的陰極的第二接點BO2中的兩者或三者,直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
[第四實施例]
請參閱圖6,其為本發明第四實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝設於驅動電路晶片上的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖6所示的發光二極體封裝LEDPG1。如圖1所示的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED可與一封裝層,形成如圖6所示的發光二極體封裝LEDPG1。
如圖6所示,發光二極體封裝LEDPG1具有第一接點RO1、GO1、BO1以及共接點COM。發光二極體封裝LEDPG1可設於驅動電路晶片DRV1上,以形成本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置。
發光二極體封裝LEDPG1的第一接點RO1例如以覆晶方式直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。發光二極體封裝LEDPG1的第一接點GO1例如以覆晶方式直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT2。發光二極體封裝LEDPG1的第一接點BO1例如以覆晶方式直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT3。發光二極體封裝LEDPG1的共接點COM 直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
請參閱圖7,其為本發明第五實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陽極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
如圖7所示,驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM直接電性接觸發光二極體封裝LEDPG1中的第一發光二極體晶片RLED的陽極、第二發光二極體晶片GLED的陽極與第三發光二極體晶片BLED的陽極的共接點COM。
驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1直接電性接觸發光二極體封裝LEDPG1中的第一發光二極體晶片RLED的陰極的第一接點RO1。驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2直接電性接觸發光二極體封裝LEDPG1中的第二發光二極體晶片GLED的陰極的第一接點GO1。驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3直接電性接觸第三發光二極體晶片BLED的陰極的第一接點BO1。
請參閱圖8,其為本發明第六實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陰極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
如圖8所示,驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1直接電性接觸發光二極體封裝LEDPG1中的第一發光二極體晶片RLED的陽極的第一接點RO1。驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2直接電性接觸第二發光二極體晶片GLED的陽極的第一接點GO1。驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3直接電性接觸第三發光二極體晶片BLED的陽極的第一接點BO1。
驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM直接電性接觸發光二極體封裝LEDPG1中的第一發光二極體晶片RLED的陰極、第二發光二極體晶片GLED的陰極與第三發光二極體晶片BLED的陰極的共接點COM。
請參閱圖9,其為本發明第七實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝設於驅動電路晶片上的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖9所示的發光二極體封裝LEDPG2。發光二極體封裝LEDPG2可包含圖1所示的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED以及一封裝層。如圖9所示,發光二極體封裝LEDPG2可具有第一接點RO1、GO1、BO1以及第二接點RO2、GO2、BO2。
如圖9所示,發光二極體封裝LEDPG2設於驅動電路晶片DRV1上,以形成本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置。發光二極體封裝LEDPG2的第一接點RO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。發光二極體封裝LEDPG2的第一接點GO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2。發光二極體封裝LEDPG2的第一接點BO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3。發光二極體封裝LEDPG2的第二接點RO2、GO2、BO2直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
請參閱圖10,其為本發明第八實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陽極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
如圖10所示,發光二極體封裝LEDPG2具有第一接點RO1、GO1、BO1以及第二接點RO2、GO2、BO2。
發光二極體封裝LEDPG2的第一發光二極體晶片RLED的陰極的第一接點RO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。發光二極體封裝LEDPG2的第二發光二極體晶片GLED的陰極的第一接點GO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2。發光二極體封裝LEDPG2的第三發光二極體晶片BLED的陰極的第一接點BO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3。
發光二極體封裝LEDPG2的第一發光二極體晶片RLED的陽極的第二接點RO2、第二發光二極體晶片GLED的陽極的第二接點GO2以及第三發光二極體晶片BLED的陽極的第二接點BO2直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
請參閱圖11,其為本發明第九實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陰極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
如圖11所示,發光二極體封裝LEDPG2具有第一接點RO1、GO1、BO1以及第二接點RO2、GO2、BO2。
發光二極體封裝LEDPG2的第一發光二極體晶片RLED的陽極的第一接點RO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第一輸出接點OUT1。發光二極體封裝LEDPG2的第二發光二極體晶片GLED的陽極的第一接點GO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第二輸出接點OUT2。發光二極體封裝LEDPG2的第三發光二極體晶片BLED的陽極的第一接點BO1直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的第三輸出接點OUT3。
發光二極體封裝LEDPG2的第一發光二極體晶片RLED的陰極的第二接點RO2、第二發光二極體晶片GLED的陰極的第二接點GO2以及第三發光二極體晶片BLED的陰極的第二接點BO2直接電性接觸驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM。
請參閱圖12,其為本發明第十實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖12所示的驅動電路晶片DRV2,可替換上述的驅動電路晶片DRV1。上述的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED或是發光二極體封裝LEDPG1、LEDPG2可設於驅動電路晶片DRV2上,並直接電性接觸驅動電路晶片DRV2。
相比於如圖2所示的驅動電路晶片DRV1,如圖12所示的驅動電路晶片DRV2除了具有第一輸出接點OUT1、第二輸出接點OUT2、第三輸出接點OUT3以及共接點VCOM外,更可具有電性接觸墊V2、串行數據輸入墊CIP以及串行數據輸出墊COP。
若驅動電路晶片DRV2的共接點VCOM連接輸入電壓源時,則驅動電路晶片DRV2的電性接觸墊V2接地。反之,若驅動電路晶片DRV2的共接點VCOM接地時,則驅動電路晶片DRV2的電性接觸墊V2連接輸入電壓源。
驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM、電性接觸墊V2、串行數據輸入墊CIP以及串行數據輸出墊COP,可透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片DRV1側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
本實施例中的驅動電路晶片DRV2採單線傳輸方式傳輸訊號、數據資料。詳言之,驅動電路晶片DRV2可透過串行數據輸入墊CIP接收訊號,並可透過串行數據輸出墊COP輸出訊號,例如但不限於用以控制上述的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED運作的第一控制訊號。
請參閱圖13,其為本發明第十一實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖13所示的驅動電路晶片DRV3,可替換上述的驅動電路晶片DRV1。上述的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED或是發光二極體封裝LEDPG1、LEDPG2可設於驅動電路晶片DRV3上,並直接電性接觸驅動電路晶片DRV3。
相比於如圖2所示的驅動電路晶片DRV1,如圖13所示的驅動電路晶片DRV3除了具有第一輸出接點OUT1、第二輸出接點OUT2、第三輸出接點OUT3以及共接點VCOM外,更可具有輸入電源墊VDD、接地墊GND、串行數據輸入墊CIP以及串行數據輸出墊COP。
驅動電路晶片DRV3的輸入電源墊VDD連接輸入電壓源。驅動電路晶片DRV3的接地墊GND接地。驅動電路晶片DRV3的共接點VCOM可直接電性接觸輸入電源墊VDD或接地墊GND。
驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM、輸入電源墊VDD、接地墊GND、串行數據輸入墊CIP以及串行數據輸出墊COP,可透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片DRV1側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
本實施例中的驅動電路晶片DRV3採單線傳輸方式傳輸訊號、數據資料。詳言之,驅動電路晶片DRV3可透過串行數據輸入墊CIP接收訊號,並可透過串行數據輸出墊COP輸出訊號,例如但不限於用以控制上述第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED運作的第一控制訊號。
請參閱圖14,其為本發明第十二實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發驅動電路晶片的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖14所示的驅動電路晶片DRV4,可替換上述的驅動電路晶片DRV1。上述的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED或是發光二極體封裝LEDPG1、LEDPG2可設於驅動電路晶片DRV4上,並直接電性接觸驅動電路晶片DRV4。
相比於如圖2所示的驅動電路晶片DRV1,如圖14所示的驅動電路晶片DRV4除了具有第一輸出接點OUT1、第二輸出接點OUT2、第三輸出接點OUT3以及共接點VCOM外,更可具有電性接觸墊V2、串行數據輸入墊DI、串行時脈輸入墊CLKI、串行時脈輸出墊CLKO以及串行數據輸出墊DO。
若驅動電路晶片DRV4的共接點VCOM連接輸入電壓源時,驅動電路晶片DRV4的電性接觸墊V2接地。反之,若驅動電路晶片DRV4的共接點VCOM接地時,驅動電路晶片DRV4的電性接觸墊V2則連接輸入電壓源。
驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM、電性接觸墊V2、串行數據輸入墊DI、串行時脈輸入墊CLKI、串行時脈輸出墊CLKO以及串行數據輸出墊DO,可透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片DRV1側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
本實施例中的驅動電路晶片DRV4採雙線傳輸方式傳輸訊號、數據資料。詳言之,驅動電路晶片DRV4可透過串行數據輸入墊DI接收第一控制訊號、透過串行時脈輸入墊CLKI接收第二控制訊號、透過串行數據輸出墊DO輸出第一控制訊號、透過串行時脈輸出墊CLKO輸出第二控制訊號,以控制第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED依據第一控制訊號以及第二控制訊號運作。
請參閱圖15,其為本發明第十三實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
本實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置可包含如圖15所示的驅動電路晶片DRV5,可替換上述的驅動電路晶片DRV1。上述的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED或是發光二極體封裝LEDPG1、LEDPG2可設於驅動電路晶片DRV5上,並直接電性接觸驅動電路晶片DRV5。
相比於如圖2所示的驅動電路晶片DRV1,如圖15所示的驅動電路晶片DRV5除了具有第一輸出接點OUT1、第二輸出接點OUT2、第三輸出接點OUT3以及共接點VCOM外,更可具有輸入電源墊VDD、接地墊GND、串行數據輸入墊DI、串行時脈輸入墊CLKI、串行時脈輸出墊CLKO以及串行數據輸出墊DO。輸入電源墊VDD連接輸入電壓源。接地墊GND接地。驅動電路晶片DRV5的共接點VCOM可連接輸入電源墊VDD或接地墊GND。
驅動電路晶片DRV1的共接點VCOM、輸入電源墊VDD、接地墊GND、串行數據輸入墊DI、串行時脈輸入墊CLKI、串行時脈輸出墊CLKO以及串行數據輸出墊DO,可透過打線、矽穿孔或沿驅動電路晶片DRV1側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
本實施例中的驅動電路晶片DRV5採雙線傳輸方式傳輸訊號、數據資料。詳言之,驅動電路晶片DRV5可透過串行數據輸入墊DI接收第一控制訊號、透過串行時脈輸入墊CLKI接收第二控制訊號、透過串行數據輸出墊DO輸出第一控制訊號、透過串行時脈輸出墊CLKO輸出第二控制訊號,以控制上述的第一發光二極體晶片RLED、第二發光二極體晶片GLED、第三發光二極體晶片BLED依據第一控制訊號以及第二控制訊號運作。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於,本發明提供一種具有驅動機制的發光二極體裝置,其將多個發光二極體晶片堆疊放置於驅動電路晶片上,並與驅動電路晶片直接電性接觸,而不採用打線接合方式,以節省發光二極體裝置的平面占用面積,能達到發光二極體裝置的面積最小化,並且可防止驅動電路晶片遮擋發光二極體晶片發射的光,使混光品質最佳化。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
RLED:第一發光二極體晶片
GLED:第二發光二極體晶片
BLED:第三發光二極體晶片
RO1、GO1、BO1:第一接點
RO2、GO2、BO2:第二接點
DRV1、DRV2、DRV3、DRV4、DRV5:驅動電路晶片
OUT1:第一輸出接點
OUT2:第二輸出接點
OUT3:第三輸出接點
VCOM、COM:共接點
LEDPG1、LEDPG2:發光二極體封裝
V2:電性接觸墊
CIP、DI:串行數據輸入墊
COP、DO:串行數據輸出墊
VDD:輸入電源墊
GND:接地墊
CLKI:串行時脈輸入墊
CLKO:串行時脈輸出墊
圖1為本發明第一實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的多個發光二極體晶片的示意圖。
圖2為本發明第一至第九實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
圖3為本發明第一實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的多個發光二極體晶片設於驅動電路晶片上的示意圖。
圖4為本發明第二實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體晶片的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體晶片的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
圖5為本發明第三實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體晶片的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體晶片的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
圖6為本發明第四實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝設於驅動電路晶片上的示意圖。
圖7為本發明第五實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陽極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
圖8為本發明第六實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陰極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
圖9為本發明第七實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝設於驅動電路晶片上的示意圖。
圖10為本發明第八實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陽極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陰極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
圖11為本發明第九實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發光二極體封裝的陰極的共接點直接電性接觸驅動電路晶片的共接點並且發光二極體封裝的陽極直接電性接觸驅動電路晶片的輸出端的示意圖。
圖12為本發明第十實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
圖13為本發明第十一實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
圖14為本發明第十二實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的發驅動電路晶片的示意圖。
圖15為本發明第十三實施例的具有驅動機制的發光二極體裝置的驅動電路晶片的示意圖。
RLED:第一發光二極體晶片
GLED:第二發光二極體晶片
BLED:第三發光二極體晶片
RO1、GO1、BO1:第一接點
RO2、GO2、BO2:第二接點
DRV1:驅動電路晶片
OUT1:第一輸出接點
OUT2:第二輸出接點
OUT3:第三輸出接點
VCOM:共接點
Claims (12)
- 一種具有驅動機制的發光二極體裝置,包含:一第一發光二極體晶片,配置以發射紅光;一第二發光二極體晶片,配置以發射綠光;一第三發光二極體晶片,配置以發射藍光;以及一驅動電路晶片,直接電性接觸該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片,配置以驅動該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片分別發射紅光、綠光、藍光;其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片設置於該驅動電路晶片上;其中該第一發光二極體晶片的第一接點、該第二發光二極體晶片的第一接點以及該第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶方式,分別直接電性接觸該驅動電路晶片的一第一輸出接點、一第二輸出接點、一第三輸出接點;其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片中的兩者或三者的第二接點直接電性接觸該驅動電路晶片的共接點;其中該驅動電路晶片具有一電性接觸墊、一串行數據輸入墊以及一串行數據輸出墊,該電性接觸墊接地,該驅動電路晶片的共接點連接一輸入電壓源;其中該串行數據輸入墊接收一第一控制訊號,該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片依據該第一控制訊號發光,該串行數據輸出墊用於輸出該驅動電路晶片產生的訊號。
- 如請求項1所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該第一發光二極體晶片的第一接點、該第二發光二極體晶片的 第一接點以及該第三發光二極體晶片的第一接點皆為陰極;其中該第一發光二極體晶片的第二接點、該第二發光二極體晶片的第二接點以及該第三發光二極體晶片的第二接點皆為陽極。
- 如請求項1所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該驅動電路晶片的共接點、該電性接觸墊、該串行數據輸入墊以及該串行數據輸出墊中的任一或多者,透過打線、矽穿孔或沿該驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
- 如請求項1所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該驅動電路晶片更具有一輸入電源墊,該輸入電源墊連接該輸入電壓源。
- 一種具有驅動機制的發光二極體裝置,包含:一第一發光二極體晶片,配置以發射紅光;一第二發光二極體晶片,配置以發射綠光;一第三發光二極體晶片,配置以發射藍光;以及一驅動電路晶片,直接電性接觸該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片,配置以驅動該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片分別發射紅光、綠光、藍光;其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片設置於該驅動電路晶片上;其中該第一發光二極體晶片的第一接點、該第二發光二極體晶片的第一接點以及該第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶方式,分別直接電性接觸該驅動電路晶片的一第一輸出接點、一第二輸出接點、一第三輸出接點;其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片中的兩者或三者的第二接點直接電性 接觸該驅動電路晶片的共接點;其中該驅動電路晶片具有一電性接觸墊、一串行數據輸入墊以及一串行數據輸出墊,該電性接觸墊連接一輸入電壓源,該驅動電路晶片的共接點接地;其中該串行數據輸入墊接收一第一控制訊號,該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片依據該第一控制訊號發光,該串行數據輸出墊用於輸出該驅動電路晶片產生的訊號。
- 如請求項5所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該第一發光二極體晶片的第一接點、該第二發光二極體晶片的第一接點以及該第三發光二極體晶片的第一接點皆為陽極;其中該第一發光二極體晶片的第二接點、該第二發光二極體晶片的第二接點以及該第三發光二極體晶片的第二接點皆為陰極。
- 如請求項5所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該驅動電路晶片的共接點、該電性接觸墊、該串行數據輸入墊以及該串行數據輸出墊中的任一或多者,透過打線、矽穿孔或沿該驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
- 如請求項5所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該驅動電路晶片更具有一接地墊,該接地墊接地。
- 如請求項5至8中的任一項所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該驅動電路晶片更具有一串行時脈輸入墊以及一串行時脈輸出墊;其中該串行時脈輸入墊接收一第二控制訊號,該串行時脈輸出墊用於輸出訊號,該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片依據該第一控制訊號以及該第二控制訊號發光。
- 如請求項9所述的具有驅動機制的發光二極體裝置,其中該驅動電路晶片的該串行時脈輸入墊、該串行時脈輸出墊或兩者,透過打線、矽穿孔或沿該驅動電路晶片側邊生長的金屬層,和外部導線連接。
- 一種具有驅動機制的發光二極體裝置,包含:一發光二極體封裝,包含一第一發光二極體晶片、一第二發光二極體晶片、一第三發光二極體晶片以及一封裝層,該第一發光二極體晶片配置以發射紅光,該第二發光二極體晶片配置以發射綠光,該第三發光二極體晶片配置以發射藍光;以及一驅動電路晶片,直接電性接觸該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片,配置以驅動該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片分別發射紅光、綠光、藍光;其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片設置於該驅動電路晶片上;其中該第一發光二極體晶片的第一接點、該第二發光二極體晶片的第一接點以及該第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶方式,分別直接電性接觸該驅動電路晶片的一第一輸出接點、一第二輸出接點、一第三輸出接點;其中該第一發光二極體晶片的第二接點、該第二發光二極體晶片的第二接點以及該第三發光二極體晶片的第二接點的共接點直接電性接觸該驅動電路晶片的共接點;其中該驅動電路晶片具有一電性接觸墊、一串行數據輸入墊以及一串行數據輸出墊,該電性接觸墊接地,該驅動電路晶片的共接點連接一輸入電壓源;其中該串行數據輸入墊接收一第一控制訊號,該第一發光二 極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片依據該第一控制訊號發光,該串行數據輸出墊用於輸出該驅動電路晶片產生的訊號。
- 一種具有驅動機制的發光二極體裝置,包含:一發光二極體封裝,包含一第一發光二極體晶片、一第二發光二極體晶片、一第三發光二極體晶片以及一封裝層,該第一發光二極體晶片配置以發射紅光,該第二發光二極體晶片配置以發射綠光,該第三發光二極體晶片配置以發射藍光;以及一驅動電路晶片,直接電性接觸該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片,配置以驅動該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片分別發射紅光、綠光、藍光;其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體晶片設置於該驅動電路晶片上;其中該第一發光二極體晶片的第一接點、該第二發光二極體晶片的第一接點以及該第三發光二極體晶片的第一接點以覆晶方式,分別直接電性接觸該驅動電路晶片的一第一輸出接點、一第二輸出接點、一第三輸出接點;其中該第一發光二極體晶片的第二接點、該第二發光二極體晶片的第二接點以及該第三發光二極體晶片的第二接點的共接點直接電性接觸該驅動電路晶片的共接點;其中該驅動電路晶片具有一電性接觸墊、一串行數據輸入墊以及一串行數據輸出墊,該電性接觸墊連接一輸入電壓源,該驅動電路晶片的共接點接地;其中該串行數據輸入墊接收一第一控制訊號,該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片以及該第三發光二極體 晶片依據該第一控制訊號發光,該串行數據輸出墊用於輸出該驅動電路晶片產生的訊號。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962891975P | 2019-08-27 | 2019-08-27 | |
US62/891,975 | 2019-08-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202109488A TW202109488A (zh) | 2021-03-01 |
TWI732621B true TWI732621B (zh) | 2021-07-01 |
Family
ID=74680104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109122954A TWI732621B (zh) | 2019-08-27 | 2020-07-08 | 具有驅動機制的發光二極體裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11309298B2 (zh) |
CN (1) | CN112447692A (zh) |
TW (1) | TWI732621B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12002918B2 (en) * | 2021-01-15 | 2024-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module and display apparatus having the same |
CN114001286B (zh) * | 2021-11-05 | 2024-06-21 | 深圳市彩立德照明光电科技有限公司 | 一种实现led灯珠灯驱合一的封装结构 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130301257A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-14 | Cree, Inc. | Light emitting devices including multiple anodes and cathodes |
US8610140B2 (en) * | 2010-12-15 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods |
US8642363B2 (en) * | 2009-12-09 | 2014-02-04 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology |
CN206098444U (zh) * | 2016-07-22 | 2017-04-12 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种多晶led封装支架及多晶led封装体 |
TW201721833A (zh) * | 2015-09-04 | 2017-06-16 | 香港北大青鳥顯示有限公司 | 具有微透鏡陣列之發光二極體顯示器面板 |
CN206505944U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-09-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种固晶位灵活的led支架、led器件及led模组 |
TW201735391A (zh) * | 2016-03-02 | 2017-10-01 | 迪睿合股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法 |
CN206864496U (zh) * | 2017-06-20 | 2018-01-09 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种led支架 |
US20180190184A1 (en) * | 2017-01-02 | 2018-07-05 | Lumens Co., Ltd. | Led display module |
CN207938606U (zh) * | 2018-01-05 | 2018-10-02 | 福建天电光电有限公司 | 一种倒装rgb芯片的led封装结构 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5684523A (en) * | 1990-11-15 | 1997-11-04 | Ricoh Company, Ltd. | Optical line printhead and an LED chip used therefor |
JP2007180187A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
JP3150992U (ja) * | 2009-03-24 | 2009-06-04 | 黄顯榮 | 駆動機制を備えたフルカラーledのパッケージ構造 |
CN201910207U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-07-27 | 金建电子有限公司 | 一种高密度全彩led显示板 |
CN103000622A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-27 | 广东威创视讯科技股份有限公司 | 一种发光二极管的封装结构和封装方法 |
US8928023B1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-01-06 | Osram Sylvania Inc. | Arrangement of solid state light sources and lamp using same |
US10161786B2 (en) * | 2014-06-25 | 2018-12-25 | Lutron Ketra, Llc | Emitter module for an LED illumination device |
US10683971B2 (en) * | 2015-04-30 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Solid state lighting components |
EP3333906B1 (en) * | 2015-08-06 | 2020-06-10 | Yi Lin | Led component, led panel and led display screen |
JP6959548B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2021-11-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR20200140436A (ko) * | 2019-06-05 | 2020-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2020
- 2020-07-08 TW TW109122954A patent/TWI732621B/zh active
- 2020-07-15 CN CN202010679446.7A patent/CN112447692A/zh active Pending
- 2020-08-24 US US17/001,662 patent/US11309298B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8642363B2 (en) * | 2009-12-09 | 2014-02-04 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology |
US8610140B2 (en) * | 2010-12-15 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods |
US20130301257A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-14 | Cree, Inc. | Light emitting devices including multiple anodes and cathodes |
TW201721833A (zh) * | 2015-09-04 | 2017-06-16 | 香港北大青鳥顯示有限公司 | 具有微透鏡陣列之發光二極體顯示器面板 |
TW201735391A (zh) * | 2016-03-02 | 2017-10-01 | 迪睿合股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法 |
CN206098444U (zh) * | 2016-07-22 | 2017-04-12 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种多晶led封装支架及多晶led封装体 |
CN206505944U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-09-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种固晶位灵活的led支架、led器件及led模组 |
US20180190184A1 (en) * | 2017-01-02 | 2018-07-05 | Lumens Co., Ltd. | Led display module |
CN206864496U (zh) * | 2017-06-20 | 2018-01-09 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种led支架 |
CN207938606U (zh) * | 2018-01-05 | 2018-10-02 | 福建天电光电有限公司 | 一种倒装rgb芯片的led封装结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202109488A (zh) | 2021-03-01 |
US20210066270A1 (en) | 2021-03-04 |
CN112447692A (zh) | 2021-03-05 |
US11309298B2 (en) | 2022-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI610465B (zh) | 發光二極體組件及製作方法 | |
US8547023B2 (en) | LED light source module | |
KR101825473B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI732621B (zh) | 具有驅動機制的發光二極體裝置 | |
US20120248473A1 (en) | Light emitting semiconductor structure | |
JP2013502066A (ja) | 発光ダイオードを含む高機能集積発光システム、及び、特定用途向け集積回路(asic) | |
US8120289B2 (en) | Optical electrical system in package for LED based lighting system | |
TWI532221B (zh) | 發光單元與發光模組 | |
US20190239308A1 (en) | Color temperature variable light emitting diode module, lighting device using the light emitting diode module and method for fabricating the light emitting diode module | |
WO2008082098A1 (en) | Light emitting diode package | |
KR102271161B1 (ko) | 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 | |
JP2002335015A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2000349345A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR102261955B1 (ko) | 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 | |
KR20100003322A (ko) | 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자 | |
CN111987082B (zh) | Led封装结构 | |
KR101493708B1 (ko) | 백색 발광 장치 | |
US8519420B2 (en) | Light emitting diode package | |
US20080042157A1 (en) | Surface mount light emitting diode package | |
CN103996676B (zh) | 一种led封装结构 | |
KR20180054327A (ko) | 발광 장치 | |
US20070075346A1 (en) | Light emitting diode and the package structure thereof | |
KR100954858B1 (ko) | 고휘도 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 | |
CN102522398B (zh) | 高显色指数高可靠性cob集成封装led | |
TWM530476U (zh) | 發光二極體顯示器 |