TW201735391A - 顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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波木秀次
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Abstract

本發明提供一種實現高亮度化及高精細化之顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法。本發明之顯示裝置具備：複數個發光元件(21)、(22)、(23)，其以構成1像素之次像元單元而配置，且於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極；基板(30)，其具有與複數個發光元件之第1面之電極對應的電極；各向異性導電膜(40)，其使複數個發光元件之第1面之電極與基板之電極各向異性導電連接；及波長轉換構件，其以次像元單元使來自發光元件之光之波長轉換。

Description

顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法
本發明係關於一種具備複數個發光元件之顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法。本申請案係以2016年3月2日於日本申請之日本專利申請號特願2016-040529為基礎且主張其優先權，且該申請係以參照之方式沿用於本申請中。
現已提出一種於基板上排列微小的發光元件而成之微型LED(Light Emitting Diode)顯示器。微型LED顯示器中可省略普通液晶顯示器中所需之背光源，故而能實現顯示器自身之薄型化，除此之外，還能進一步實現廣色域化、高精細化及節電化。
專利文獻1中記載有，分別拾取紅、藍、綠色發光元件進行搬運，對準安裝紅、藍、綠色發光元件，對發光元件與基板進行金屬接合。
而且，非專利文獻1中記載有，於晶圓上形成發光元件，利用金引線將以格子狀相鄰之P極或N極彼此電性連接，且於其上分別塗布含有紅、藍、綠色量子點螢光體之樹脂。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特表2015-500562號公報
非專利文獻
非專利文獻1：Resonant-enhanced full-color emission of quantum-dot-based micro LED display technology, Optics Express, Vol.23, Issue25, pp.32504-32515 (2015)。
專利文獻1所記載之方法中，安裝需花費時間，故而，處理量非常差，而且，還因對準偏差使得良率不佳。而且，為了拾取發光元件而進行對準，發光元件之間隔變大，難以高精細化。
而且，非專利文獻1所記載之方法中，因需要大量引線接合，故處理量差，而且，成為向極小電極之引線接合，故而，良率亦不佳。進而，因發光面上存在電極及引線，故而，光取出效率下降，難以高亮度化。
本發明係用於解決上述問題者，其提供一種實現高亮度化及高精細化之顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法。
本發明者經過悉心研究後發現，藉由使用各向異性導電接著劑，能利用形成於晶圓上之配置而一次性安裝複數個發光元件，從而能實現高亮度化及高精細化。
即，本發明之顯示裝置具備：複數個發光元件，其係以構成1像素之次像元單元而配置，且於第1面具有第1導電型電極或第2導電型 電極中之至少一電極；基板，其具有與上述複數個發光元件之第1面之電極對應的電極；各向異性導電膜，其使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接；波長轉換構件，其以上述次像元單元對來自發光元件之光之波長進行轉換。
而且，本發明之顯示裝置之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓、與具有和複數個發光元件之第1面之電極對應之電極的基板經由各向異性導電接著劑而壓接，且使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接，該晶圓以構成1像素之次像元單元而配置有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係配置以上述次像元單元對來自發光元件之光之波長進行轉換的波長轉換構件。
而且，本發明之發光裝置具備：複數個發光元件，其以形成於晶圓之排列而配置，於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極；基板，其具有與上述複數個發光元件之第1面之電極對應的電極；及各向異性導電膜，其使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接。
而且，本發明之發光裝置之製造方法中，使晶圓、與具有和複數個發光元件之第1面之電極對應之電極的基板經由各向異性導電接著劑而壓接，且使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接，該晶圓排列有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極的複數個發光元件。
根據本發明，藉由使用各向異性導電接著劑，能利用發光元件形成於晶圓上之配置而一次性安裝複數個發光元件，從而能實現高亮度化及高精細化。
11‧‧‧顯示裝置
21、22、23‧‧‧發光元件
30‧‧‧基板
31‧‧‧基材
32‧‧‧第1導電型用電路圖案
33‧‧‧第2導電型用電路圖案
40‧‧‧各向異性導電膜
41‧‧‧導電性粒子
51、52、53‧‧‧螢光體層
60‧‧‧黃色螢光體層
70‧‧‧彩色濾光片
71、72、73‧‧‧著色層
80‧‧‧附螢光體層之片材
81、82、83‧‧‧螢光體層
211‧‧‧第1導電型包覆層
211a‧‧‧第1導電型電極
212‧‧‧活性層
213‧‧‧第2導電型包覆層
213a‧‧‧第2導電型電極
214‧‧‧鈍化層
圖1係示意性表示第1實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖2係示意性表示1個發光元件之安裝例之剖面圖。
圖3(A)係示意性表示晶圓上之發光元件之剖面圖，圖3(B)係示意性表示發光元件與基板之連接步驟之剖面圖。
圖4係示意性表示第1實施形態中之構件配置步驟之剖面圖，圖4(A)表示晶圓之除去步驟，圖4(B)表示螢光體層之形成步驟。
圖5係示意性表示第2實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖6係示意性表示第2實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。
圖7係示意性表示第3實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖8係示意性表示第3實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。
圖9係示意性表示第4實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖10係示意性表示第4實施形態中之構件配置步驟之剖面圖，圖10(A)表示螢光體層之形成步驟，圖10(B)表示彩色濾光片之配置步驟。
圖11係示意性表示第5實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖12係示意性表示第5實施形態中之構件配置步驟之剖面圖，圖12(A)表示螢光體層之形成步驟，圖12(B)表示彩色濾光片之配置步驟。
圖13係示意性表示第6實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖14係示意性表示第6實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。
圖15係示意性表示第7實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖16係示意性表示第7實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。
圖17係示意性表示第8實施形態之顯示裝置之剖面圖。
圖18係示意性表示第8實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。
以下，對本發明之實施形態進行詳細說明。本實施形態之顯示裝置具備：複數個發光元件，其以構成1像素之次像元單元而配置，且於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極；基板，其具有與複數個發光元件之第1面之電極對應之電極；各向異性導電膜，其使複數個發光元件之第1面之電極與基板之電極各向異性導電連接；及波長轉換構件，其以次像元單元使來自發光元件之光之波長轉換。
發光元件既可為例如p側之第1導電型電極與例如n側之第2導電型電極配置於同一側之水平構造，亦可為例如p側之第1導電型電極與例如n側之第2導電型電極經由磊晶層而彼此對向地配置之垂直構造。
當發光元件為水平構造時，既可使第1導電型電極及第2導電型電極該兩電極與基板之電極各向異性導電連接，亦可僅使第1導電型電極或第2導電型電極中之任一電極與基板之電極各向異性導電連接。當僅使第1導電型電極或第2導電型電極中之任一電極與基板之電極各向異性導電連接時，較佳為，將例如鄰接之發光元件之n側之電極連接而成之圖案，形成為例如矩陣配線之資料線或位址線，且利用絕緣膜被覆該圖案。
當發光元件為垂直構造時，較佳為，僅使第1導電型電極或第2導電型電極中之任一電極與基板之電極各向異性導電連接，將另一電極作為透明電極，形成為例如矩陣配線之資料線或位址線之圖案。
次像元(副像素)例如既可以R(紅)G(綠)B(藍)之3個構成1像素，亦可以RGBW(白)、RGBY(黃)之4個構成1像素，還可以RG、GB之2個構成1像素。而且，為了防止鄰接之次像元產生混色，較佳為，鄰接之發光元件間被黑色矩陣(BM)被覆。
而且，本實施形態之顯示裝置之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓、與具有和複數個發光元件之第1面之電極對應之電極的基板經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件之第1面之電極與基板之電極各向異性導電連接，該晶圓以構成1像素之次像元單元而配置有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係配置以次像元單元對來自發光元件之光之波長進行轉換的波長轉換構件。
本實施形態中，藉由使用各向異性導電接著劑，能利用發光元件以次像元單元形成於晶圓上的配置而一次性安裝複數個發光元件，從而能實現高亮度化及高精細化。而且，因一次性安裝晶圓上之發光元件，故能縮短安裝時間，大幅改善處理量及良率。
以下，作為實施形態，以作為次像元而以RGB之3色為1像素、且使用水平構造之發光元件的示例進行說明。
<1.第1實施形態>
[第1實施形態之顯示裝置]
圖1係示意性表示第1實施形態之顯示裝置之剖面圖。第1實施形態之顯示裝置11中，波長轉換構件係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於複數個發光元件上而成者。
即，顯示裝置11具備：發光元件21、22、23，其以構成1像素之次像元單元而配置，且於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極；基板30，其具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；及螢光體層51、52、53，其以次像元單元排列於發光元件21、22、23上，且分別轉換為紅色光、綠色光、藍色光。
發光元件21、22、23係於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極之所謂覆晶型LED(Light Emitting Diode)。發光元件21、22、23較佳為發出紫外光~藍色光，其峰值波長較佳為200nm~500nm之範圍。發光元件21、22、23之大小可配合顯示面板之大小而適當設定，矩形之長邊為0.5mm以下，較佳為0.1mm以下，更佳為0.01mm以下。例如，在設計0.005mm×0.005mm之尺寸之LED，且以9個LED設計1像素的情況下，當設計3840像素×2160像素時，畫面尺寸為57.6mm×32.4mm，藉由使用3吋以上之晶圓，能實現顯示裝置。
發光元件21、22、23例如與構成1像素之RGB之3色的各次像元對應地排列於基板30上，從而構成LED陣列。作為RGB之次像元之排列方法，可列舉條紋排列、馬賽克排列、δ排列等。條紋排列係以縱條紋狀排列RGB者，能實現高精細化。而且，馬賽克排列係傾斜地配置RGB之同一色者，能獲得較條紋排列更自然的圖像。而且，δ排列係以三角形 排列RGB、且各點每隔一個域便錯開半個間距，能獲得自然的圖像顯示。
圖2係示意性表示1個發光元件之安裝例之剖面圖。發光元件21具備例如由n-GaN構成之第1導電型包覆層211、例如由InxAlyGa1-x-yN層構成之活性層212、及例如由p-GaN構成之第2導電型包覆層213，且具有所謂雙異質構造。而且，具備藉由鈍化層214而形成於第1導電型包覆層211之一部分的第1導電型電極211a、及形成於第2導電型包覆層213之一部分的第2導電型電極213a。若向第1導電型電極211a與第2導電型電極213a之間施加電壓，則載子會集中於活性層212，且藉由再結合而發光。
基板30中，於基材31上具備第1導電型用電路圖案32及第2導電型用電路圖案33，且於與發光元件21之第1導電型電極211a及第2導電型電極213a對應之位置分別具有電極。而且，基板30例如形成矩陣配線之資料線、位址線等電路圖案，且可使與各次像元對應之發光元件開閉(on/off)。
基板30較佳為透光基板。當基板30為透光基板時，基材31較佳為玻璃、PET(polyethylene terephthalate)等透明基材，第1導電型用電路圖案32、第2導電型用電路圖案33及其電極較佳為ITO(Indium-Tin-Oxide)、IZO(Indium-Zinc-Oxide)、ZnO(Zinc-Oxide)、IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)等透明導電膜。因基板30為透光基板，故可使基板30側作為顯示面(發光面)。
各向異性導電膜40係後述之各向異性導電接著劑硬化而成者，藉由於發光元件21之端子(電極211a、213a)與基板30之端子(電極)之間捕捉導電性粒子41，而使發光元件21與基板30各向異性導電連接。 作為導電性粒子41，可使用樹脂芯金屬被覆導電性粒子、焊料粒子等金屬粒子，而且，可使用2種以上之金屬粒子。而且，導電性粒子41之平均粒徑可配合發光元件21、22、23之電極尺寸而適當設定，自高精細化之觀點而言，較佳為5μm以下。
螢光體層51、52、53將來自發光元件21、22、23之光分別轉換為紅色光、綠色光、藍色光。作為螢光體層51、52、53之螢光體，較佳為使用耐熱性高的氮化物系、氮氧化物系。而且，作為螢光體，較佳為，使用與紫外光或藍色光反應而發出與量子點之粒徑對應之顏色之光的量子點。再者，當發光元件21、22、23為藍色光時，可不配置轉換為藍色光之螢光體層而使其穿透。
當發光元件21、22、23為藍色LED時，排列有含有將藍色光轉換為紅色光之螢光體的R螢光體層、及含有將藍色光轉換為綠色光之螢光體的G螢光體層。作為將藍色光轉換為紅色光之螢光體，可使用例如(Ca,Sr)2Si5N8：Eu、(Ca,Sr)AlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等。作為將藍色光轉換為綠色光之螢光體，可使用例如ZnS：Cu,Al、SrGa2S4：Eu、(Ba,Sr)2SiO4：Eu、SrAl2O4：Eu、(Si,Al)6(O,N)8：Eu等。
而且，當發光元件21、22、23為近紫外光時，排列有含有將近紫外光轉換為紅色光之螢光體的R螢光體層、含有將近紫外光轉換為綠色光之螢光體的G螢光體層、及含有將近紫外光轉換為藍色光之螢光體的B螢光體層。作為將近紫外光轉換為紅色光之螢光體，可使用例如CaAlSiN3：Eu等。作為將近紫外光轉換為綠色光之螢光體，可使用例如β-SiAlON：Eu等。作為將近紫外光轉換為藍色光之螢光體，可使用例如 (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu、BaMgAl10O17：Eu、(Sr,Ba)3MgSi2O8：Eu等。
根據此種顯示裝置11，使來自發光元件21、22、23之光高效率地向螢光體層放出，故而，能獲得高亮度之彩色畫面。
[第1實施形態之顯示裝置之製造方法]
第1實施形態之顯示裝置之製造方法中，於構件配置步驟中，去除晶圓，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於複數個發光元件上。
即，顯示裝置11之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極的基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係去除晶圓，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於複數個發光元件上。再者，對於與顯示裝置11相同之構成標註相同符號，且此處省略說明。
圖3(A)係示意性表示晶圓上之發光元件之剖面圖，圖3(B)係示意性表示發光元件與基板之連接步驟之剖面圖。如圖3(A)所示，發光元件21、22、23係以RGB次像元之排列而形成於晶圓20上。晶圓20較佳為藍寶石基板、SiC基板、GaN基板、Si基板等成長基板。
繼而，於基板30上塗布或貼附各向異性導電接著劑，將發光元件21、22、23之第1導電型電極與第2導電型電極設為各向異性導電接著劑側而對準搭載，且自晶圓20上按壓。例如，當各向異性導電接著劑 為熱硬化性時，作為熱壓接條件，較佳為例如，溫度150℃~260℃、時間10秒~300秒、壓力10MPa~60MPa。藉由使各向異性導電接著劑硬化而形成各向異性導電膜40。
而且，亦可將形成有複數個發光元件之晶圓進行複數次對準搭載而進行各向異性導電連接。藉此，能製造大型顯示裝置。
各向異性導電接著劑係導電性粒子41分散於黏合劑(接著劑成分)中者，其形狀為膏、膜等，可根據目的而適當選擇。
導電性粒子之平均粒徑可配合發光元件之電極尺寸而適當設定，自高精細化之觀點出發，較佳為5μm以下。作為導電性粒子，較佳為併用金屬被覆樹脂粒子與焊料粒子。
金屬被覆樹脂粒子係使環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯腈．苯乙烯(AS)樹脂、苯胍(benzoguanamine)樹脂、二乙烯苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等樹脂粒子之表面由Au、Ni、Zn等金屬被覆而得的金屬被覆樹脂粒子。金屬被覆樹脂粒子於壓縮時容易被壓扁、且容易變形，故而，能增大與配線圖案之接觸面積，而且，能吸收配線圖案之高度之不均。
而且，焊料粒子可由例如JIS Z 3282-1999所規定之、Sn-Pb系、Pb-Sn-Sb系、Sn-Sb系、Sn-Pb-Bi系、Bi-Sn系、Sn-Cu系、Sn-Pb-Cu系、Sn-In系、Sn-Ag系、Sn-Pb-Ag系、Pb-Ag系等，根據電極材料、連接條件等而適當選擇。而且，焊料粒子之形狀可自粒狀、鱗片狀等中適當選擇。而且，焊料粒子較佳為平均粒徑小於導電性粒子，焊料粒子之平均粒徑較佳為導電性粒子之平均粒徑之20%以上且未達100%。若焊料粒子相對於導電性粒子過小，則壓接時於對向之端子間無法 捕捉焊料粒子，從而無法進行金屬結合，故而，無法獲得優良的放熱特性及電特性。另一方面，若焊料粒子相對於導電性粒子過大，則例如於LED晶片之邊緣部分會產生焊料粒子所引起之肩部接觸(shoulder touch)從而產生洩露，從而令產品之良率變差。
作為接著成分，可使用先前之各向異性導電接著劑或各向異性導電膜中已知之熱硬化型、紫外線硬化型、熱．紫外線併用型等接著劑組成物。作為接著劑組成物，可使用環氧系接著劑、丙烯酸系接著劑等，其中，適宜使用以氫化環氧化合物、脂環式環氧化合物、雜環系環氧化合物等為主成分之環氧硬化系接著劑。其中，較佳為使用透光性、迅速硬化性優良之氫化雙酚A型環氧樹脂等氫化環氧化合物。作為氫化雙酚A型環氧樹脂之具體例，可列舉三菱化學社製造之商品名「YX8000」。
而且，作為硬化劑，可列舉鋁螯合物系硬化劑、酸酐、咪唑化合物、二氰等。其中，適宜使用不易使硬化物變色之鋁螯合物系硬化劑。作為鋁螯合物系硬化劑，可列舉日本特開2009-197206號公報中記載之、例如令在使多官能異氰酸酯化合物發生界面聚合的同時使二乙烯基苯發生自由基聚合而得之多孔性樹脂中保持鋁螯合劑及矽烷醇化合物者。
圖4係示意性表示第1實施形態中之構件配置步驟之剖面圖，圖4(A)表示晶圓之除去步驟，圖4(B)表示螢光體層之形成步驟。
如圖4(A)所示，構件配置步驟中，首先，剝離晶圓20，而除去晶圓20。晶圓20之剝離中，較佳為使用雷射剝離裝置。藉由使用雷射剝離裝置，能使受脈衝振盪之高密度UV雷射光穿透晶圓20而到達GaN層，遍及約20nm之深度使GaN分解為Ga與N2(氮)，不會對LED構造造 成損傷，而能剝離晶圓20。
繼而，如圖4(B)所示，將含有轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體之透光性樹脂塗布於複數個發光元件21、22、23上、即第1導電型包覆層211上，形成螢光體層51、52、53。作為透光性樹脂，可使用環氧系樹脂、聚矽氧樹脂等。而且，於塗布含有螢光體之透光性樹脂時，可使用噴墨法等。
根據此種顯示裝置11之製造方法，能一次性安裝晶圓20上之發光元件，且藉由除去晶圓20，能改善晶圓20所致之光之損失。而且，於以次像元單元排列之發光元件21、22、23上形成螢光體層51、52、53，藉此能容易地獲得顯示裝置。
<2.第2實施形態>
[第2實施形態之顯示裝置]
圖5係示意性表示第2實施形態之顯示裝置之剖面圖。第2實施形態之顯示裝置12中，於複數個發光元件之形成有第1導電型電極與第2導電型電極之方向之相反側具有晶圓20，波長轉換構件係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於晶圓20上而成者。
即，顯示裝置12具備：晶圓20；發光元件21、22、23，其具有位於晶圓20之相反側之第1導電型電極與第2導電型電極，且以構成1像素之次像元單元而配置；基板30，其具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；及螢光體層51、52、53，其以次像元單元而排列於晶圓20上，且分別轉換為紅色光、綠色光、藍色光。再者，對於與第 1實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
根據此種顯示裝置12，雖存在因晶圓20所致之光之損失，但引線接合之金屬配線等並不存在於顯示側，故而能獲得高亮度之彩色畫面。
[第2實施形態之顯示裝置之製造方法]
第2實施形態之顯示裝置之製造方法中，於構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元而排列於晶圓上。
即，顯示裝置12之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極之基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓20上，以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極之複數個發光元件；及構件配置步驟，其係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元而排列於晶圓20上。再者，對於與顯示裝置12相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖6係示意性表示第2實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。如圖6所示，構件配置步驟中，將含有轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體之透光性樹脂塗布於晶圓20上，形成螢光體層51、52、53。作為透光性樹脂，可使用環氧系樹脂、聚矽氧樹脂等。而且，於含有螢光體之透光性樹脂之塗布中，可使用噴墨法等。
根據此種顯示裝置12之製造方法，能省略晶圓20之除去步 驟。而且，連接步驟之後，僅藉由於晶圓20上以次像元單元形成螢光體層51、52、53，便能容易地獲得顯示裝置。
<3.第3實施形態>
[第3實施形態之顯示裝置]
圖7係示意性表示第3實施形態之顯示裝置之剖面圖。第3實施形態之顯示裝置13中，基板30為透光基板，波長轉換構件係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元而排列於基板30上而成者。
即，顯示裝置13具備：晶圓20；發光元件21、22、23，其具有位於晶圓20之相反側之第1導電型電極與第2導電型電極，且以構成1像素之次像元單元而配置；基板30，其係透光基板，且具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；及螢光體層51、52、53，其以次像元單元而排列於基板30上，且分別轉換為紅色光、綠色光、藍色光。再者，對於與第1實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
根據此種顯示裝置13，雖存在因連接部所致之光之損失，但引線接合之金屬配線等並不存在於顯示側，故而能獲得高亮度的彩色畫面。
[第3實施形態之顯示裝置之製造方法]
第3實施形態之顯示裝置之製造方法中，基板為透光基板，於構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元而排列於透光基板上。
即，顯示裝置13之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其 係使晶圓20、與為透光基板且具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極之基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓20上，以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極之複數個發光元件；及構件配置步驟，其係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於基板30上。再者，對於與顯示裝置13相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖8係示意性表示第3實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。如圖8所示，構件配置步驟中，將含有轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體之透光性樹脂塗布於基板30上，形成螢光體層51、52、53。作為透光性樹脂，可使用環氧系樹脂、聚矽氧樹脂等。而且，於含有螢光體之透光性樹脂之塗布中，可使用噴墨法等。
根據此種顯示裝置13之製造方法，可省略晶圓之除去步驟。而且，連接步驟之後，僅藉由於基板30上以次像元單元形成螢光體層51、52、53，便能容易地獲得顯示裝置。
<4.第4實施形態>
[第4實施形態之顯示裝置]
圖9係示意性表示第4實施形態之顯示裝置之剖面圖。第4實施形態之顯示裝置14中，於複數個發光元件之形成有第1導電型電極與上述第2導電型電極之方向之相反側具有晶圓20，波長轉換構件配置於晶圓20上，且具有將來自發光元件21、22、23之光轉換為白色光的螢光體層60、及將 來自螢光體層60之白色光以次像元單元而轉換為紅色光、綠色光、或藍色光的彩色濾光片70。
即，顯示裝置14具備：晶圓20；發光元件21、22、23，其具有位於晶圓20之相反側之第1導電型電極與第2導電型電極，且以構成1像素之次像元單元而配置；基板30，其具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；螢光體層60，其形成於晶圓20上，將來自發光元件21、22、23之光轉換為白色光；及彩色濾光片70，其將來自螢光體層60之白色光以次像元單元而轉換為紅色光、綠色光、或藍色光。再者，對於與第1實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
螢光體層60使自發光元件21、22、23出射之光、與自螢光體層60出射之光混色而獲得白色光。例如，當發光元件21、2、23為藍色LED時，作為螢光體層60之螢光體，可使用Y3Al5O12：Ce(YAG系)、CaGa2S4：Eu、SrSiO4：Eu等。
而且，例如，當發光元件21、22、23為近紫外LED時，可使用將近紫外光轉換為黃色光及藍色光之2種螢光體。作為將近紫外光轉換為黃色光之螢光體，可使用例如Ca-α-SiAlON：Eu等。作為將近紫外光轉換為藍色光之螢光體，可使用例如(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu、BaMgAl10O17：Eu、(Sr,Ba)3MgSi2O8：Eu等。
彩色濾光片70中，與以次像元單元而配置之發光元件21、22、23對應地，於基材上具有使紅色、綠色、藍色之光穿透的著色層71、72、73。作為基材，可使用玻璃、PET等透明基材。作為著色層71、72、 73，可使用顏料系、染色料系等。而且，較佳為，於基材上，將黑色矩陣(BM)配置於基板上，防止混色。
根據此種顯示裝置14，雖存在因晶圓20所致之光之損失，但引線接合之金屬配線等並不存在於顯示側，故而能獲得高亮度之彩色畫面。再者，亦可剝離晶圓20，於發光元件21、22、23上設置螢光體層60，使來自發光元件21、22、23之光高效率地向螢光體層60放出。
[第4實施形態之顯示裝置之製造方法]
第4實施形態之顯示裝置之製造方法中，於構件配置步驟中，將使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體層形成於晶圓上，於螢光體層上配置以次像元單元而將白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之彩色濾光片。
即，顯示裝置14之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極之基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓20上，以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極之複數個發光元件；及構件配置步驟，其係將使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體層60形成於晶圓20上，於螢光體層60上配置以次像元單元而將白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之彩色濾光片70。再者，對於與顯示裝置14相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖10係示意性表示第4實施形態中之構件配置步驟之剖面 圖，圖10(A)表示螢光體層之形成步驟，圖10(B)表示彩色濾光片之配置步驟。
如圖10(A)所示，構件配置步驟中，首先，將含有使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體的透光性樹脂塗布於晶圓20上，形成螢光體層60。作為透光性樹脂，可使用環氧系樹脂、聚矽氧樹脂等。而且，於含有螢光體之透光性樹脂之塗布中，可使用旋塗法、噴墨法等。
繼而，如圖10(B)所示，於螢光體層60上貼附彩色濾光片70。當貼附彩色濾光片70時，與以次像元單元配置之發光元件21、22、23對應地配置著色層71、72、73。
根據此種顯示裝置14之製造方法，可省略晶圓20之除去步驟。而且，連接步驟之後，僅藉由於晶圓20上形成螢光體層60，貼附彩色濾光片70，便能容易地獲得顯示裝置。再者，亦可剝離晶圓20，於發光元件21、22、23上貼附轉換為白色光之螢光體片材與彩色濾光片，於發光元件21、22、23上設置螢光體層60。
<5.第5實施形態>
[第5實施形態之顯示裝置]
圖11係示意性表示第5實施形態之顯示裝置之剖面圖。第5實施形態之顯示裝置15中，基板30為透光基板，波長轉換構件配置於基板30上，且具有將來自發光元件21、22、23之光轉換為白色光的螢光體層60、及以次像元單元將來自螢光體層60之白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光的彩色濾光片70。
即，顯示裝置15具有：晶圓20；發光元件21、22、23，其 具有位於晶圓20之相反側之第1導電型電極與第2導電型電極，且以構成1像素之次像元單元而配置；基板30，其為透光基板，且具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；螢光體層60，其形成於基板30上，將來自發光元件21、22、23之光轉換為白色光；及彩色濾光片70，其將來自螢光體層60之白色光以次像元單元而轉換為紅色光、綠色光、或藍色光。再者，對於與第4實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
根據此種顯示裝置15，雖存在因連接部所致之光之損失，但引線接合之金屬配線等並不存在於顯示側，故而能獲得高亮度之彩色畫面。
[第5實施形態之顯示裝置之製造方法]
第5實施形態之顯示裝置之製造方法中，基板為透光基板，於構件配置步驟中，將使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體層形成於透光基板上，於螢光體層上配置以次像元單元將白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之彩色濾光片。
即，顯示裝置15之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與為透光基板且具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極之基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓20上，以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係將使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光 體層60形成於基板30上，於螢光體層60上配置以次像元單元將白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之彩色濾光片70。再者，對於與顯示裝置15相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖12係示意性表示第5實施形態之構件配置步驟之剖面圖，圖12(A)表示螢光體層之形成步驟，圖12(B)表示彩色濾光片之配置步驟。
如圖12(A)所示，構件配置步驟中，首先，將含有將來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體之透光性樹脂塗布於基板30上，形成螢光體層60。作為透光性樹脂，可使用環氧系樹脂、聚矽氧樹脂等。而且，於含有螢光體之透光性樹脂之塗布中，可使用旋塗法、噴墨法等。
繼而，如圖12(B)所示，於螢光體層60上貼附彩色濾光片70。當貼附彩色濾光片70時，與以次像元單元配置之發光元件21、22、23對應地配置著色層71、72、73。
根據此種顯示裝置15之製造方法，可省略晶圓20之除去步驟。而且，連接步驟之後，僅藉由於基板30上形成螢光體層60，貼附彩色濾光片70，便能容易地獲得顯示裝置。
<6.第6實施形態>
[第6實施形態之顯示裝置]
圖13係示意性表示第6實施形態之顯示裝置之剖面圖。第6實施形態之顯示裝置16中，波長轉換構件具有將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材，螢光體片材配置於複數 個發光元件上。
即，顯示裝置16具備：發光元件21、22、23，其以構成1像素之次像元單元而配置，且於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極；基板30，其具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；及螢光體片材80，其配置於發光元件21、22、23上，且以次像元單元而排列有轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83。再者，對於與第1實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
螢光體片材80中，與以次像元單元而配置之發光元件21、22、23對應地，於基材上具有轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83。作為基材，可使用玻璃、PET等透明基材。作為螢光體層81、82、83，可使用第1實施形態中所說明之螢光體層51、52、53之螢光體。
根據此種顯示裝置16，能使來自發光元件21、22、23之光高效率地向螢光體層放出，故而能獲得高亮度之彩色畫面。
[第6實施形態之顯示裝置之製造方法]
第6實施形態之顯示裝置之製造方法中，於構件配置步驟中，去除晶圓，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材配置於複數個發光元件上。
即，顯示裝置16之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極的基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基 板各向異性導電連接，該晶圓20上，以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極之複數個發光元件；及構件配置步驟，其係去除晶圓，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成的螢光體片材配置於複數個發光元件上。再者，對於與顯示裝置16相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖14係示意性表示第6實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。構件配置步驟中，首先，剝離晶圓20，而除去晶圓20。於晶圓20之剝離中，與第1實施形態同樣，較佳為使用雷射剝離裝置。
繼而，如圖14所示，將以次像元單元而排列有轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之蛍光體層81、82、83的螢光體片材80貼附於複數個發光元件21、22、23上、即第1導電型包覆層211上。當貼附螢光體片材80時，與以次像元單元配置之發光元件21、22、23對應地配置螢光體層81、82、83。
根據此種顯示裝置16之製造方法，連接步驟之後，僅藉由剝離晶圓20，於發光元件21、22、23上貼附螢光體片材80，便能容易地獲得顯示裝置。
<7.第7實施形態>
[第7實施形態之顯示裝置]
圖15係示意性表示第7實施形態之顯示裝置之剖面圖。第7實施形態之顯示裝置17中，於複數個發光元件之形成有第1導電型電極與第2導電型電極之方向之相反側具有晶圓20，波長轉換構件配置於晶圓20上，且具 有將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材。
即，顯示裝置17具備：晶圓20；發光元件21、22、23，其具有位於晶圓20之相反側之第1導電型電極與第2導電型電極，且以構成1像素之次像元單元而配置；基板30，其具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；及螢光體片材80，其配置於晶圓20上，且轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83以次像元單元而排列。再者，對於與第6實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
根據此種顯示裝置17，雖存在因晶圓20所致之光之損失，但引線接合之金屬配線等並不存在於顯示側，故而能獲得高亮度之彩色畫面。
[第7實施形態之顯示裝置之製造方法]
第7實施形態之顯示裝置之製造方法中，於構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成的螢光體片材配置於晶圓上。
即，顯示裝置17之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極的基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓20上，以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元 單元排列而成的螢光體片材80配置於晶圓20上。再者，對於與顯示裝置17相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖16係示意性表示第7實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。如圖16所示，構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83以次像元單元排列而成的螢光體片材80貼附於晶圓20上。當貼附螢光體片材80時，與以次像元單元而配置之發光元件21、22、23對應地配置螢光層81、82、83。
根據此種顯示裝置17之製造方法，可省略晶圓20之除去步驟。而且，連接步驟之後，僅藉由於發光元件21、22、23上貼附螢光體片材80，便能容易地獲得顯示裝置。
<8.第8實施形態>
[第8實施形態之顯示裝置]
圖17係示意性表示第8實施形態之顯示裝置之剖面圖。第8實施形態之顯示裝置18中，基板30為透光基板，波長轉換構件配置於基板30上，且具有將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成的螢光體片材。
即，顯示裝置18具備：晶圓20；發光元件21、22、23，其具有位於晶圓20之相反側之第1導電型電極與第2導電型電極，且以構成1像素之次像元單元而配置；基板30，其為透光基板，且具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之電極；各向異性導電膜40，其使發光元件21、22、23與基板30各向異性導電連接；及螢光體片材80，其配置於 基板30上，且係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83以次像元單元排列而成。再者，對於與第6實施形態相同的構成標註相同符號，此處省略說明。
根據此種顯示裝置18，雖存在因連接部所致之光之損失，但引線接合之金屬配線等並不存在於顯示側，故而能獲得高亮度之彩色畫面。
[第8實施形態之顯示裝置之製造方法]
第8實施形態之顯示裝置之製造方法中，基板為透光基板，於構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成的螢光體片材配置於基板上。
即，顯示裝置18之製造方法具備以下步驟：連接步驟，其係使晶圓20、與為透光基板且具有和第1導電型電極與第2導電型電極分別對應之對應電極的基板30經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件與基板各向異性導電連接，該晶圓以構成1像素之次像元單元而配置有於單面具有第1導電型電極與第2導電型電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83以次像元單元排列而成的螢光體片材80配置於基板30上。再者，對於與顯示裝置18相同的構成標註相同符號，此處省略說明。而且，連接步驟係與第1實施形態相同，故而此處省略說明。
圖18係示意性表示第8實施形態中之構件配置步驟之剖面圖。如圖18所示，構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層81、82、83以次像元單元排列而成的螢光體片材80貼附於基板 30上。當貼附螢光體片材80時，與以次像元單元配置之發光元件21、22、23對應地配置螢光層81、82、83。
根據此種顯示裝置18之製造方法，可省略晶圓20之除去步驟。而且，連接步驟之後，僅藉由於基板30上貼附螢光體片材80，便能容易地獲得顯示裝置。
<9.第9實施形態>
[發光裝置]
本實施形態之發光裝置具備：複數個發光元件，其以形成於晶圓之排列而配置，且於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極；基板，其具有與複數個發光元件之第1面之電極對應之電極；及各向異性導電膜，其使複數個發光元件之第1面之電極與基板之電極各向異性導電連接。
即，發光裝置係上文所述之實施形態中之排列有複數個發光元件之LED陣列。根據此種發光裝置，因係高精細，故能實現高亮度之面發光。
[發光裝置之製造方法]
本實施形態之發光裝置之製造方法中，使排列有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極之複數個發光元件的晶圓、與具有和複數個發光元件之第1面之電極對應之電極的基板，經由各向異性導電接著劑而壓接，且使複數個發光元件之第1面之電極與基板之電極各向異性導電連接。
即，發光裝置之製造方法係於上文所述之實施形態中，採用 排列有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極之複數個發光元件的晶圓的連接步驟。根據此種發光裝置之製造方法，僅藉由使用各向異性導電接著劑，便能容易地獲得高亮度之LED陣列。
11‧‧‧顯示裝置
21、22、23‧‧‧發光元件
30‧‧‧基板
40‧‧‧各向異性導電膜
51、52、53‧‧‧螢光體層

Claims (19)

  1. 一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件，其以構成1像素之次像元單元而配置，且於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極；基板，其具有與上述複數個發光元件之第1面之電極對應的電極；各向異性導電膜，其使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接；及波長轉換構件，其以上述次像元單元對來自發光元件之光之波長進行轉換。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，上述複數個發光元件於上述第1面之方向之相反側具有晶圓，上述波長轉換構件配置於上述晶圓上而成。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，上述基板為透光基板，上述波長轉換構件配置於上述透光基板上而成。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，上述波長轉換構件係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於上述複數個發光元件上而成。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之顯示裝置，其中，上述波長轉換構件係將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之顯示裝置，其中，上述波長轉換構件具有：螢光體層，其將來自上述發光元件之光轉換為白色光；及彩色濾光片，其將來自上述螢光體層之白色光以次像元單元而轉換為紅色光、綠色光、 或藍色光。
  7. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，上述波長轉換構件具有將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材，上述螢光體片材配置於上述複數個發光元件上而成。
  8. 如申請專利範圍第2或3項之顯示裝置，其中，上述波長轉換構件具有將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材。
  9. 一種顯示裝置之製造方法，其具備以下步驟：連接步驟，其係將晶圓、與具有和複數個發光元件之第1面之電極對應之電極的基板經由各向異性導電接著劑而壓接，且使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接，該晶圓以構成1像素之次像元單元而配置有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極的複數個發光元件；及構件配置步驟，其係配置以上述次像元單元對來自發光元件之光之波長進行轉換的波長轉換構件。
  10. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述構件配置步驟中，去除上述晶圓，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於上述複數個發光元件上。
  11. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於上述晶圓上。
  12. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述基板為透光基板，上述構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列於上述透光基板上。
  13. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述構件配置步驟中，將使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體層形成於上述晶圓上，於上述螢光體層上，配置以次像元單元將白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之彩色濾光片。
  14. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述基板為透光基板，上述構件配置步驟中，將使來自發光元件之光轉換為白色光之螢光體層形成於上述透光基板上，於上述螢光體層上，配置以次像元單元將白色光轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之彩色濾光片。
  15. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述構件配置步驟中，去除上述晶圓，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材配置於上述複數個發光元件上。
  16. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體層以次像元單元排列而成之螢光體片材配置於上述晶圓上。
  17. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置之製造方法，其中，上述基板為透光基板，上述構件配置步驟中，將轉換為紅色光、綠色光、或藍色光之螢光體 層以次像元單元排列而成之螢光體片材配置於上述透光基板上。
  18. 一種發光裝置，其具備：複數個發光元件，其以形成於晶圓之排列而配置，且於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極；基板，其具有與上述複數個發光元件之第1面之電極對應的電極；及各向異性導電膜，其使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接。
  19. 一種發光裝置之製造方法，其係使晶圓、與具有和複數個發光元件之第1面之電極對應之電極的基板經由各向異性導電接著劑而壓接，且使上述複數個發光元件之第1面之電極與上述基板之電極各向異性導電連接，該晶圓排列有於第1面具有第1導電型電極或第2導電型電極中之至少一電極的複數個發光元件。
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