WO2024057754A1 - マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents

マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置 Download PDF

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WO2024057754A1
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light
mask
pieces
light emitting
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French (fr)
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怜司 塚尾
直樹 林
一夢 渡部
大樹 野田
俊紀 白岩
裕 山岡
昌美 倉田
健人 宇佐美
敬典 小川
和紀 近藤
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デクセリアルズ株式会社
信越化学工業株式会社
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    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present technology relates to a method for manufacturing a piece of film, which separates a connection film such as an anisotropic conductive film (ACF) or a non-conductive film (NCF) into pieces, and a film piece.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing a display device in which light emitting elements are connected and arranged via individual films, and a display device.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a display device in which LED elements such as mini LEDs (Light Emitting Diodes) and micro LEDs are connected and arranged, and a display device.
  • Mini LED and micro LED displays are constructed by arranging minute light emitting elements on a substrate, so it is possible to omit the backlight required for liquid crystal displays, and the display can be made thinner. Furthermore, a wider color gamut, higher definition, and lower power consumption can be achieved.
  • Patent Document 1 discloses a method of bonding LEDs using ACF.
  • the ACF is attached to the element mounting surface of the substrate all at once, the adhesive resin and conductive particles of the ACF remain between each LED pitch. For this reason, when light transmittance is required for the light emitting element array, the light transmission is obstructed and excellent light transmittance cannot be obtained. Furthermore, if the film is provided over the entire surface of the substrate, there is a concern that it will have an adverse effect on productivity, such as increasing the number of repair steps when a defect occurs.
  • connection film such as ACF only directly below the LED.
  • ACF a connecting film
  • the present technology was proposed in view of such conventional circumstances, and provides a mask and a mask manufacturing method that can obtain excellent processability and transferability of individual pieces, as well as a display device manufacturing method and display. Provide equipment.
  • the predetermined shape is at least one selected from a polygon with obtuse angles, a polygon with rounded corners, an ellipse, an ellipse, and a circle.
  • a method for manufacturing a mask in which a light-shielding film is removed from a light-transmitting substrate on which the light-shielding film is formed, so that the light-shielding portion having a predetermined shape that blocks laser light is provided in an opening that transmits laser light.
  • a curable resin film provided on a base material is irradiated with laser light from the base material side, the curable resin film in the irradiated area is removed, and the reaction rate is 25% or less on the base material.
  • a method for manufacturing a display device comprising: a mounting step of mounting the light emitting element on the wiring board via the transferred pieces.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laser lift-off device according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing individual films shown as specific example 1, and FIG. 2(A) is a curable resin film substrate in which a curable resin film is formed on a base material.
  • 2(B) shows how the removed part is peeled off in the first direction
  • FIG. 2(C) shows how the removed part is peeled off in the second direction
  • FIG. 2(D) shows how the removed part is peeled off in the second direction.
  • This figure shows an individual film in which individual pieces of a curable resin film are formed on a base material.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laser lift-off device according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing individual films shown as specific example 1
  • FIG. 2(A) is a curable resin film substrate in which a curable resin film is
  • FIG. 3(A) is a diagram schematically showing an example of a mask in which the window portion of the opening is rectangular
  • FIG. 3(B) is a diagram schematically showing an example of irradiation with laser light that has passed through the opening of the mask.
  • FIG. FIG. 4(A) is a micrograph showing an example of an individual piece with burrs generated during individual piece processing
  • FIG. 4(B) is an example of an individual piece with curling or chipping during individual piece transfer.
  • FIG. FIG. 5(A) is a diagram schematically showing an example of a mask having a light shielding part within the window of the opening
  • FIG. 5(B) is a diagram schematically showing an example of irradiation with laser light that has passed through the opening of the mask.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of a mask having a plurality of light shielding parts within the window part of the opening.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing an example of the shape of an opening in a mask.
  • FIG. 7(C) shows a mask having a rectangular light shielding part with rounded corners in the window of the opening
  • FIG. 7(D) shows a mask having a square light shielding part in the window of the opening.
  • a mask having a circular light shielding part inside the window part is shown.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an anisotropic conductive film provided on a base material.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which an individual film and a wiring board are opposed to each other.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of anisotropic conductive film are transferred and arranged at predetermined positions on a wiring board by irradiating laser light from the base material side.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a state in which light emitting elements are mounted on individual pieces arranged at predetermined positions of a wiring board.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of anisotropic conductive film are transferred onto a wiring board at electrode positions and arranged by irradiating laser light from the substrate side.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a state in which light emitting elements are mounted on individual pieces arranged in units of electrodes on a wiring board.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of an anisotropic conductive film provided on a base material and light emitting elements arranged on a transfer substrate are opposed to each other.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of the anisotropic conductive film are transferred onto light emitting elements arranged on a transfer substrate by irradiating laser light from the base material side.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the light-emitting element whose individual pieces have been transferred is re-transferred onto the wiring board.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining the positional deviation of individual pieces before and after transfer.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing a method for manufacturing a packaged body, with FIG. 18(A) showing a process of preparing individual pieces, and FIG. 18(B) showing a process of transferring individual pieces onto a substrate.
  • 18(C) shows a step of temporarily fixing the ⁇ LED element
  • FIG. 18(D) shows a step of crimping the ⁇ LED element.
  • FIG. 19 is a plan view showing a schematic diagram of an evaluation board for a lighting test.
  • FIG. 20(A) is a plan view schematically showing the electrode surface of the ⁇ LED element
  • FIG. 20(B) is a diagram schematically showing how the ⁇ LED element is mounted on the evaluation board.
  • FIG. 21 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 1.
  • FIG. 21 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 1.
  • FIG. 22 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 3.
  • FIG. 23 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 4.
  • FIG. 24 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 5.
  • FIG. 25 is a micrograph showing a rectangular piece of Example 5.
  • FIG. 26 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 6.
  • FIG. 27 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 7.
  • FIG. 28 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 8.
  • FIG. 29 is a micrograph showing an elliptical piece of Example 8.
  • FIG. 30 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 9.
  • FIG. 31 is a micrograph showing a circular piece of Example 9.
  • the method for producing individual films according to this embodiment involves irradiating a curable resin film provided on a base material with laser light from the base material side, removing the curable resin film in the irradiated portion, and then Individual pieces of a predetermined shape made of a curable resin film are formed on the material.
  • the reaction rate of each piece having a predetermined shape is preferably 25% or less, more preferably 20% or less, and still more preferably 15% or less. Thereby, excellent processability and transferability of individual pieces can be obtained.
  • the reaction rate of the curable resin film before laser irradiation or the individual pieces obtained after laser irradiation can be determined by the reduction rate of reactive groups using, for example, FT-IR. If the pieces are small, the reaction rate may be measured from the edge of the membrane where the pieces are punched out. In addition, it is preferable to measure the reaction rate of individual pieces before laser irradiation, for example, within 8 hours at room temperature after taking them out of the refrigerator, and to measure the reaction rate of individual pieces after laser irradiation, for example, within 8 hours at room temperature after laser irradiation. It is preferable to do so within an hour.
  • a sample can be prepared as follows, for example, and the reaction rate can be measured using FT-IR. First, after laser irradiation, the pieces remaining on the substrate are sampled using a pen-shaped cutter with a sharp tip to obtain a sample after laser irradiation. Next, place the sampled sample on the diamond cell, flatten it thinly on the diamond cell, attach it to the sample holder, and set it in the main body of the device.
  • the diamond cells used in this measurement are a set of two, and the sample is sandwiched between the two cell plates and compressed. Thereafter, measurement is performed using one cell plate with the sample attached.
  • the amount of sample required for measurement is extremely small. If the amount of sample is too large, it will not be possible to crush the sample thinly, resulting in measurement with a thick sample film. As a result, the baseline drops or tilts, and the peaks become saturated, making spectrum analysis difficult. Therefore, it is preferable to sample an amount that can be adjusted thinly on the diamond cell (for example, an amount that can be compressed to a film thickness of 10 ⁇ m or less).
  • the detector Since the sensitivity of the detector is greatly improved by cooling it, the detector is cooled for about 30 minutes using liquid nitrogen before measurement. Furthermore, the FT-IR measurement conditions are set as follows, for example. Measurement method: Transmission method Measurement temperature: 25°C Measurement humidity: 60% or less Measurement time: 12 seconds Detector spectral range: 4000-700cm -1
  • the sample after laser irradiation is irradiated with infrared rays to obtain an IR spectrum of the curable resin film after laser irradiation.
  • the curable resin film before laser irradiation was sampled using a pen-shaped cutter with a sharp tip, and the IR of the curable resin film before laser irradiation was measured. Obtain the spectrum.
  • reaction rate is determined by measuring the peak heights of the methyl group (around 2930 cm -1 ) and epoxy group (around 914 cm -1 ) in the IR spectrum, and calculating the peak height of the epoxy group with respect to the peak height of the methyl group as shown in the following formula. It can be calculated based on the ratio before and after the reaction (for example, before and after laser irradiation).
  • Reaction rate (%) ⁇ 1-(a/b)/(A/B) ⁇ 100
  • A is the peak height of the epoxy group before the reaction
  • B is the peak height of the methyl group before the reaction
  • a is the peak height of the epoxy group after the reaction
  • b is the peak height of the methyl group after the reaction. It is.
  • the peak height of the completely cured sample may be set to 0%.
  • curable resin film that utilizes the reaction of (meth)acrylate compounds, similar to epoxy compounds, for example, methyl groups (around 2930 cm -1 ) and (meth)acryloyl groups (1635 cm -1) in the infrared absorption spectrum It can be calculated by measuring the peak height of (near) the methyl group and calculating the ratio of the peak height of the (meth)acryloyl group before and after the reaction to the peak height of the methyl group.
  • the peak height of the (meth)acryloyl group is small or it has an alicyclic epoxy group or an oxetanyl group
  • the vial is set in the main body of the measuring device, and HPLC measurement of the individual pieces remaining on the substrate after laser irradiation is performed under, for example, the following measurement conditions.
  • the curable resin film before laser irradiation (before singulation) was sampled using a pen-shaped cutter with a sharp tip, and HPLC of the curable resin film before laser irradiation was performed. Perform measurements.
  • reaction rate (%) ⁇ 1-c/C ⁇ 100
  • C is the peak height or area of the reactive component before reaction
  • c is the peak height or area of the reactive component after reaction.
  • the base material may be any material as long as it is transparent to laser light, and is preferably quartz glass that has high light transmittance over all wavelengths.
  • the curable resin film is not particularly limited as long as it is cured by energy such as heat or light. You can choose. It is preferable that a reaction initiator is included. Furthermore, the curable resin film can be formed by using known methods such as mixing, coating, and drying.
  • a laser lift-off (LLO) device can be used as a device for forming individual pieces of a predetermined shape by irradiation with laser light.
  • a laser lift-off device irradiates a material layer formed on a base material with a laser beam to peel the material layer from the base material.
  • Examples of laser lift-off devices include products manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. The name "Invisi LUM-XTR" can be mentioned.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laser lift-off device according to the present embodiment.
  • the laser lift-off device 10 includes a laser scanner 11 that scans the optical axis of laser light, a mask 12 in which a plurality of apertures of a predetermined shape are arranged at a predetermined pitch, and a laser lift-off device that directs the laser light to a donor substrate. It includes a projection lens 13 that performs reduced projection, a donor stage that holds a donor substrate, and a receptor stage that holds a receptor substrate.
  • a curable resin film substrate 20 on which a curable resin film 22 is formed on a base material 21 is held on a donor stage as a donor substrate, and separated from the curable resin film substrate 20 by a receptor substrate. The removal portion 23 of the curable resin film is received.
  • an excimer laser that emits laser light with a wavelength of 180 nm to 360 nm can be used.
  • the oscillation wavelength of the excimer laser is, for example, 193, 248, 308, or 351 nm, and can be suitably selected from these oscillation wavelengths depending on the light absorption property of the material of the curable resin film 22.
  • a release material is provided between the base material 21 and the curable resin film 22, it can be suitably selected depending on the light absorbability of the material of the release material.
  • the laser scanner 11 has a scanning mirror configured with, for example, a two-axis galvano scanner, and scans the optical axis of the laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction toward the opening on the mask 12, and also scans the optical axis of the laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction. control the pulse irradiation.
  • a scanning mirror configured with, for example, a two-axis galvano scanner, and scans the optical axis of the laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction toward the opening on the mask 12, and also scans the optical axis of the laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction. control the pulse irradiation.
  • the mask 12 has a pattern of windows of a predetermined size arranged at a predetermined pitch so that the laser beam irradiation at the interface between the base material 21 and the curable resin film 22 forms a predetermined shape.
  • the mask is patterned with chrome plating, for example, and serves as a light-shielding portion, with window portions that are not chrome-plated transmitting laser light, and portions that are chrome-plated block laser light.
  • the projection lens 13 projects the laser beam that has passed through the pattern of the mask 12 onto the donor substrate.
  • the donor stage has a movement mechanism that moves it in at least the X axis and the Y axis, and moves the laser beam irradiation position of the donor substrate.
  • the laser lift-off device 10 is a scanning reduction projection optical system that includes a laser scanner 11, a mask 12, a field lens disposed between the laser scanner 11 and the mask 12, and a reduction projection lens 13 whose image side is telecentric at least. Configure the system.
  • the emitted light from the laser device enters the telescope optical system and propagates to the laser scanner 11 beyond that.
  • the laser beam just before it enters the laser scanner 11 is adjusted by the telescope optical system so that it becomes almost parallel light at any position within the movement range of the X-axis and Y-axis of the donor stage, and is , are approximately the same size and incident at the same angle (vertically).
  • the laser light that has passed through the laser scanner 11 enters the mask 12 via the field lens, and the laser light that has passed through the pattern of the mask 12 enters the projection lens 13.
  • the laser beam emitted from the projection lens 13 enters from the base material 21 side and is accurately projected in the shape of the opening of the mask 12 onto a predetermined position on the interface between the base material 21 and the curable resin film 22.
  • Ru Laser light is projected onto the curable resin film from the opening of the mask, and the projected portion of the curable resin film 22 is removed, leaving a curable resin film having a shape corresponding to the light shielding portion.
  • the pulse energy of the laser beam focused on the interface between the base material 21 and the curable resin film 22 is preferably 0.001 to 2 J, more preferably 0.01 to 1.5 J, and even more preferably 0. .1 to 1J.
  • the fluence is preferably 0.001 to 2 J/cm 2 , more preferably 0.01 to 1 J/cm 2 , and even more preferably 0.05 to 0.5 J/cm 2 .
  • the pulse width (irradiation time) is preferably 0.01 to 1 ⁇ 10 9 picoseconds, more preferably 0.1 to 1 ⁇ 10 7 picoseconds, and even more preferably 1 to 1 ⁇ 10 5 picoseconds. It is.
  • the pulse frequency is preferably 0.1 to 10,000 Hz, more preferably 1 to 1,000 Hz, and still more preferably 1 to 100 Hz.
  • the number of irradiation pulses is preferably 1 to 30,000,000.
  • a shock wave is generated at the interface between the base material 21 and the curable resin film 22, the removed portion 23 of the curable resin film 22 is peeled off from the base material 21, and the base material 21 is removed.
  • the upper remaining portion allows individual pieces of a predetermined shape to be formed with high precision and efficiency, and excellent workability can be obtained.
  • the reaction rate of the individual pieces can be kept at 25% or less, preferably 20% or less, and more preferably 15% or less, resulting in excellent transfer. You can get sex. Note that the reaction rate can be measured using, for example, FT-IR.
  • Example 1 The method for manufacturing individual films shown as Example 1 uses a mask with square opening windows, peels off the unnecessary portion of the curable resin film from the base material, and forms a rectangular shape with the remaining portion of the curable resin film. consists of individual pieces.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing individual films shown as specific example 1, and FIG. 2(A) is a curable resin film substrate in which a curable resin film is formed on a base material.
  • 2(B) shows how the removed part is peeled off in the first direction
  • FIG. 2(C) shows how the removed part is peeled off in the second direction
  • FIG. 2(D) shows how the removed part is peeled off in the second direction.
  • This figure shows an individual film in which individual pieces of a curable resin film are formed on a base material.
  • FIG. 3(A) is a diagram schematically showing an example of a mask in which the window portion of the opening is rectangular
  • 3(B) is a diagram showing an example of irradiation of laser light passing through the opening of the mask. It is a figure shown typically. Note that although the mask has one opening in FIGS. 2 and 3, it is desirable that a plurality of openings be arranged at a predetermined pitch.
  • a curable resin film substrate 30 is prepared in which a curable resin film 32 is formed on a base material 31.
  • the curable resin film substrate 30 is inverted, and laser light is irradiated from the base material 31 side, and a rectangular removal portion 33 of the curable resin film 32 is peeled off by the laser light that passes through the rectangular window portion of the mask opening.
  • the range of the rectangular removal portion 33 is moved in a first direction D1, and a curable resin film is formed in which the first direction D1 is the longitudinal direction and the second direction D2 perpendicular to the first direction D1 is the transverse direction.
  • curability is determined in which the first direction D1 is the longitudinal direction and the second direction D2 orthogonal to the first direction D1 is the lateral direction.
  • the range of the rectangular removal portion 33 is moved in the second direction D2 with respect to the resin film.
  • the range of the rectangular removed portion 33 When moving the range of the rectangular removed portion 33 in the first direction or the second direction, it is preferable that the range of the rectangular removed portion 33 overlap. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of burrs during processing of individual pieces, and to suppress curling and chipping during transfer of individual pieces.
  • FIG. 4(A) is a micrograph showing an example of an individual piece with burrs generated during individual piece processing
  • FIG. 4(B) is an example of an individual piece with curling or chipping during individual piece transfer.
  • FIG. 4(B) When the ranges of the removed parts are moved, if the overlap of the ranges of the removed parts is insufficient, as shown in FIG. may be formed. It becomes difficult to transfer the pieces 41 with burrs to accurate positions, and as shown in FIG. 4(B), the pieces 42 are turned over and the pieces 43 are chipped, resulting in a lower transfer success rate. It will drop.
  • Example 2 The method for manufacturing individual film pieces shown as Example 2 uses a mask in which a light shielding part of a predetermined shape is formed in the window of the opening, peels off unnecessary parts of the curable resin film around the individual pieces from the base material, and then cures the film. The remaining portions of the plastic film constitute individual pieces of a predetermined shape.
  • the mask (photomask) used in the laser lift-off device has a light shielding part of a predetermined shape that blocks the laser light within an opening that transmits the laser light, and allows the laser light to pass through the outer periphery of the light shielding part. .
  • the shape of the light shielding portion is preferably at least one selected from a polygon with obtuse angles, a polygon with rounded corners, an ellipse, an ellipse, and a circle. This makes it possible to obtain individual pieces that are less prone to curling or chipping during individual piece transfer by LLO.
  • Such a mask can be obtained by removing the light-shielding film from a light-transmitting substrate on which the light-shielding film is formed, so that a light-shielding part of a predetermined shape that blocks the laser light is provided in an opening that transmits the laser light.
  • a photomask blank with a light-shielding film made of vapor-deposited chromium, etc. formed on a quartz glass substrate, uniformly apply a resist (photosensitive resin) to the surface of the photomask blank, and then use an electron beam to coat the photomask blank with a resist (photosensitive resin).
  • the above-mentioned mask can be manufactured by an etching process in which dry etching is performed on the removed portion using a reactive gas, and a removal process in which the remaining resist is removed.
  • FIG. 5(A) is a diagram schematically showing an example of a mask having a light shielding part within the window of the opening
  • FIG. 5(B) is a diagram schematically showing an example of irradiation with laser light that has passed through the opening of the mask.
  • a curable resin film substrate with a curable resin film formed on the base material is prepared, the curable resin film substrate is turned over, and a laser beam is irradiated from the base material side to form a mask.
  • the laser beam passing through the opening causes the removed portion of the curable resin film to be peeled off.
  • the opening of the mask has a rectangular light shielding part 51 at the center of the rectangular window, so the removal part has a donut-like shape with a rectangular hole in the center of the rectangular window. becomes. It is preferable that the light shielding parts are scattered at the center of the window part and not connected to the window frame.
  • the unnecessary portion can be removed without moving in the first direction and the second direction described above. Then, as shown in FIG. 5(B), by moving the range of the rectangular removal part in the first direction and a second direction orthogonal to the first direction and performing the same operation, the first Rectangular pieces 52 having the same shape are formed adjacent to each other in the direction and the second direction.
  • the curable resin film around the individual pieces 52 can be securely coated. Can be removed. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of burrs during processing of individual pieces, and it is possible to suppress curling and chipping during transfer of individual pieces.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of a mask having a plurality of light shielding parts within the window of the opening.
  • there is one light shielding part within the window of the opening of the mask but as shown in FIG. A plurality of them may be formed at a predetermined pitch in the axial direction and at a predetermined pitch in the Y-axis direction.
  • the size of the window (W1 ⁇ W2) can be determined based on the size of the mask and the maximum value of the effective range of laser light irradiation. By using such a mask, a plurality of individual pieces can be formed by one irradiation with laser light.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing an example of the shape of an opening in a mask.
  • FIG. 7(C) shows a mask having a rectangular light shielding part with rounded corners in the window of the opening
  • FIG. 7(D) shows a mask having a square light shielding part in the window of the opening.
  • a mask having a circular light shielding part inside the window part is shown.
  • the opening of the mask may have a rectangular light shielding part 54A within the window of the opening as shown in FIG. 7(A), or may have a square light shielding part 54B as shown in FIG. 7(B). It may have a rectangular light shielding part 54C with rounded corners as shown in FIG. 7(C), or it may have a circular light shielding part 54D as shown in FIG. 7(D). . Thereby, it is possible to obtain rectangular, square, rectangular with rounded corners, and circular pieces on which the shape of the light shielding part is projected.
  • the shape of the light shielding part may be, for example, a polygon with an obtuse angle (angle greater than 90° and smaller than 180°), a polygon with rounded corners, or an ellipse. , an oval, a circle, etc. are preferable. If the shape of the light-shielding portion has an acute angle, the workability of the individual pieces will deteriorate, and the frequency of curling or chipping of the individual pieces will increase when the individual pieces are transferred by LLO.
  • the individual film pieces according to this embodiment can be obtained by the method for manufacturing individual film pieces described above. That is, the individual film pieces include a base material and individual pieces of a predetermined shape made of a curable resin film.
  • the reaction rate of each piece having a predetermined shape is preferably 25% or less, more preferably 20% or less, and still more preferably 15% or less. Thereby, excellent transferability of individual pieces can be obtained.
  • the shape of the individual pieces is selected from polygons with obtuse angles, polygons with rounded corners, ellipses, ellipses, and circles in order to suppress the occurrence of curling and chipping during transfer of individual pieces by LLO. It is preferable that at least one of the above is used.
  • the base material may be any material that is transparent to laser light, and is preferably quartz glass that has high light transmittance over all wavelengths.
  • the dimensions (length x width) of the individual pieces are set appropriately according to the dimensions of the electronic component to be connected or the electrodes of the electronic component, and the ratio of the area of the individual piece to the area of the electronic component is preferably 0.5 to 0.5. 5.0, more preferably 0.5 to 4.0, even more preferably 0.5 to 2.0. Further, the thickness of each piece is preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, and still more preferably 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less. The thickness of each piece can be measured using a known micrometer, digital thickness gauge, laser displacement meter, etc., and can be calculated by averaging the measurements taken at 10 or more locations, for example. Although it is preferable that all the individual pieces have the same dimensions, a plurality of types may exist in order to increase the degree of freedom in designing the connection structure.
  • the distance between the individual pieces on the base material is preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and even more preferably 10 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the distance between the individual pieces is preferably 3000 ⁇ m or less, more preferably 1000 ⁇ m or less, and still more preferably 500 ⁇ m or less. If the distance between the pieces is too small, it becomes difficult to transfer the pieces, and if the distance between the pieces is too large, a method of pasting the pieces is preferred. The distance between pieces can be measured using microscopic observation (optical microscope, metallurgical microscope, electron microscope, etc.).
  • the curable resin film is not particularly limited as long as it is cured by energy such as heat or light. It can be appropriately selected from mold binders and the like.
  • thermosetting binder for example, a thermal anionic polymerization type resin composition containing an epoxy compound and a thermal anionic polymerization initiator, a thermal cationic polymerization type resin composition containing an epoxy compound and a thermal cationic polymerization initiator, (meth)
  • thermal anionic polymerization type resin composition containing an epoxy compound and a thermal anionic polymerization initiator examples include thermal radical polymerization type resin compositions containing an acrylate compound and a thermal radical polymerization initiator.
  • photocurable binder include a photocationic polymerization type resin composition containing an epoxy compound and a photocationic polymerization initiator, a photoradical polymerization type resin composition containing a (meth)acrylate compound and a photoradical polymerization initiator, etc. can be mentioned.
  • thermo- and photo-curable binder examples include a mixture of a thermo-curable binder and a photo-curable binder.
  • the (meth)acrylate compound includes both acrylic monomers (oligomers) and methacrylic monomers (oligomers).
  • thermosetting binder a thermal cationic polymerization type resin composition containing a film-forming resin, an epoxy compound, and a thermal cationic polymerization initiator will be exemplified and explained.
  • the film-forming resin corresponds to, for example, a high molecular weight resin having an average molecular weight of 10,000 or more, and preferably has an average molecular weight of about 10,000 to 80,000 from the viewpoint of film-forming properties.
  • Film-forming resins include various resins such as butyral resin, phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, and polyimide resin, and these may be used alone or in combination of two or more types. It may also be used. Among these, it is preferable to use butyral resin from the viewpoint of film formation state, connection reliability, etc.
  • the content of the film-forming resin is preferably 20 to 70 parts by weight, more preferably 30 to 60 parts by weight, and even more preferably 45 to 55 parts by weight, based on 100 parts by weight of the thermosetting binder.
  • the epoxy compound is not particularly limited as long as it has one or more epoxy groups in the molecule, and may be, for example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, etc. It may be a modified epoxy resin.
  • hydrogenated bisphenol A glycidyl ether can be preferably used.
  • hydrogenated bisphenol A glycidyl ether there can be mentioned, for example, the product name "YX8000" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
  • the content of the epoxy compound is preferably 30 to 60 parts by weight, more preferably 35 to 55 parts by weight, and even more preferably 35 to 45 parts by weight, based on 100 parts by weight of the thermosetting binder.
  • thermal cationic polymerization initiator those known as thermal cationic polymerization initiators for epoxy compounds can be employed.
  • thermal cationic polymerization initiators for epoxy compounds.
  • those that generate an acid capable of cationically polymerizing a cationically polymerizable compound by heat and those known in the art.
  • Iodonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, ferrocenes, etc. can be used.
  • aromatic sulfonium salts which exhibit good latency with respect to temperature, can be preferably used.
  • a specific example of the aromatic sulfonium salt-based polymerization initiator is, for example, "SI-60L", a trade name manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • the content of the thermal cationic polymerization initiator is preferably 1 to 20 parts by weight, more preferably 5 to 15 parts by weight, and even more preferably 8 to 12 parts by weight, based on 100 parts by weight of the
  • thermosetting binder examples include rubber components, inorganic fillers, silane coupling agents, diluent monomers, fillers, softeners, colorants, flame retardants, and thixotropic binders, as required.
  • a tropic agent or the like may be added.
  • the rubber component is not particularly limited as long as it is an elastomer with high cushioning properties (shock absorption), and specific examples include acrylic rubber, silicone rubber, butadiene rubber, polyurethane resin (polyurethane elastomer), etc. be able to.
  • the inorganic filler silica, talc, titanium oxide, calcium carbonate, magnesium oxide, etc. can be used.
  • the inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more types.
  • thermosetting binder having such a structure can suppress the curing reaction when forming individual pieces with laser light, and can be rapidly cured by heat during thermocompression bonding.
  • the curable resin film is an anisotropic conductive film further containing conductive particles.
  • conductive particles those used in known anisotropic conductive films can be appropriately selected and used.
  • metal particles such as nickel (melting point: 1230°C), ruthenium (melting point: 2334°C), and solder which is a tin alloy.
  • examples thereof include metal-coated metal particles whose surfaces are coated with metals such as nickel, copper, silver, gold, palladium, tin, nickel boride, and ruthenium.
  • metals such as nickel, copper, silver, gold, palladium, tin, nickel boride, and ruthenium.
  • the surface of resin particles such as polymers containing at least one monomer selected from polyamide, polybenzoguanamine, styrene, and divinylbenzene as a monomer unit may be coated with nickel, copper, silver, gold, palladium, tin, nickel boride, etc.
  • Examples include metal-coated resin particles coated with metal such as ruthenium.
  • the surface of inorganic particles such as silica, alumina, barium titanate, zirconia, carbon black, silicate glass, borosilicate glass, lead glass, soda lime glass, and alumina silicate glass can be coated with nickel, copper, silver, gold, etc.
  • examples include metal-coated inorganic particles coated with metals such as palladium, tin, nickel boride, and ruthenium.
  • the metal coating layer of the metal-coated resin particles and the metal-coated inorganic particles may be a single layer or a multilayer of different metals.
  • these conductive particles may be subjected to an insulating coating treatment by, for example, coating them with a resin layer or insulating particles such as resin particles or inorganic particles.
  • the particle size of the conductive particles in the present invention does not include the portion subjected to insulation coating treatment.
  • the particle diameter of the conductive particles is appropriately changed depending on the optical element to be mounted, the electrode of the wiring board, the area of the bump, etc., but is preferably 1 to 30 ⁇ m, more preferably 1 to 10 ⁇ m, and 1 to 30 ⁇ m. Particularly preferred is 3 ⁇ m.
  • the particle size of the conductive particles is preferably 1 to 3 ⁇ m, more preferably 1 to 2.5 ⁇ m, because the area of the electrodes and bumps is small. Particularly preferred is 1 to 2.2 ⁇ m.
  • the particle diameter can be determined by measuring 200 or more particles by microscopic observation (optical microscope, metallurgical microscope, electron microscope, etc.) and taking the average value.
  • the metal coating thickness is preferably 0.005 ⁇ m or more, more preferably 0.01 ⁇ m or more. It is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and even more preferably 0.3 ⁇ m or less. This coating thickness is the thickness of the entire metal coating when the metal coating is multi-layered. When the metal coating thickness is at least the above lower limit and below the above upper limit, sufficient conductivity can be easily obtained, and the characteristics of the resin particles and inorganic particles described above can be easily utilized without the conductive particles becoming too hard.
  • the metal coating thickness can be measured, for example, by observing the cross section of the conductive particles using a transmission electron microscope (TEM). Regarding the above-mentioned coating thickness, it is preferable to calculate the average value of five arbitrary coating thicknesses as the coating thickness of one conductive particle, and calculate the average value of the thickness of the entire coating part as the coating thickness of one conductive particle. It is more preferable to do so.
  • the coating thickness is preferably determined by calculating the average value of the coating thickness of each conductive particle for 10 arbitrary conductive particles.
  • the shape of the conductive particles includes shapes such as spherical, ellipsoidal, spiked, and irregular shapes.
  • spherical conductive particles are preferable because the particle size and particle size distribution can be easily controlled.
  • the conductive particles may have protrusions on the surface in order to improve connectivity.
  • the anisotropic conductive film is preferably constructed by arranging conductive particles in a plane direction.
  • the state in which conductive particles are arranged in a plane direction includes, for example, a planar lattice pattern having one or more arrangement axes in which conductive particles are arranged at a predetermined pitch in a predetermined direction, such as an orthorhombic lattice, a hexagonal lattice, a square lattice, etc. Examples include a lattice, a rectangular lattice, and a parallel body lattice. Further, the arrangement of the conductive particles in the plane direction may be random, or may have a plurality of regions having different planar lattice patterns.
  • the particle surface density of the anisotropic conductive film can be appropriately designed according to the size of the electrode to be connected, and the lower limit of the particle surface density is 500 particles/ mm2 or more, 20000 particles/mm2 or more, 40000 particles/mm2 or more. , 50,000 particles/mm 2 or more, and the upper limit of the particle surface density is 1,500,000 particles/mm 2 or less, 1,000,000 particles/mm 2 or less, 500,000 particles/mm 2 or less, 100,000 particles/mm 2 or less Can be done. Thereby, even when the size of the electrode to be connected is small, excellent conductivity and insulation can be obtained.
  • the particle surface density of the anisotropic conductive film is that of the arranged part of the conductive particles when formed into a film during production. When determining the particle number density from a plurality of individual pieces, the particle surface density can be determined from the area including the individual pieces and spaces minus the spaces between the pieces and the number of particles.
  • the anisotropic conductive film By forming the anisotropic conductive film into a film, it becomes easy to provide the anisotropic conductive film on the base material. From the viewpoint of ease of handling, a releasable film such as a polyethylene terephthalate film may be provided on one or both sides of the anisotropic conductive film.
  • the anisotropic conductive film may be laminated with an adhesive layer or a pressure-sensitive adhesive layer that does not contain conductive particles, and the number of layers and the laminated surface can be selected as appropriate depending on the object and purpose. .
  • the thickness of the anisotropic conductive film can be changed as appropriate depending on the height of the optical element to be mounted and the electrodes and bumps of the wiring board, and may be within 1 to 10 times the particle diameter, preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m.
  • the thickness is more preferably 1 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, and even more preferably 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less.
  • the film thickness can be measured using a known micrometer or digital thickness gauge. The film thickness can be determined, for example, by measuring at 10 or more locations and averaging them.
  • Examples of methods for producing an anisotropic conductive film include coating a solution of an anisotropic conductive adhesive on a base material and drying it, or forming an adhesive layer containing no conductive particles on a base material. Examples include a method of fixing conductive particles to a bonded layer.
  • the method for manufacturing a display device includes irradiating a curable resin film provided on a base material with a laser beam from the base material side, removing the curable resin film in the irradiated portion, and removing the curable resin film from the base material.
  • the shape of the individual piece is formed to correspond to the shape of the wiring board and the electrode of the light emitting element, and as mentioned above, it improves the workability of the individual piece and suppresses the occurrence of curling and chipping during transfer of the individual piece by LLO. Therefore, it is preferable that the shape is at least one selected from polygons with obtuse angles, polygons with rounded corners, ellipses, ellipses, and circles. Further, the curable resin film may be an anisotropic conductive film.
  • the individual pieces may be arranged in units of one pixel (for example, in units of one pixel of one set of RGB), that is, in units of multiple light emitting elements, or in units of subpixels that constitute one pixel (for example, in units of arbitrary RGB), that is, in units of light emitting elements. It may be arranged.
  • light emitting element arrays ranging from high PPI (Pixels Per Inch) to low PPI light emitting element arrays.
  • RGB Pixel
  • it is arranged as one set of 3 sub-pixels, or a total of 6 sub-pixels including 3 sub-pixels of RGB redundant circuits, so each piece is arranged as 1 set of 6 sub-pixels. They may be arranged in units.
  • the individual pieces may be arranged in units of electrodes corresponding to, for example, the first conductivity type electrode on the p side or the second conductivity type electrode on the n side of the light emitting element. Further, in order to increase productivity, the pieces may be arranged in units of 1 mm x 1 mm, for example, within a range that does not impair transparency.
  • the curable resin film may be pretreated in order to efficiently remove unnecessary parts of the curable resin film.
  • the pretreatment include cutting in the form of individual pieces for each light emitting element or electrode, and cutting in a lattice shape in which a plurality of vertical cuts and a plurality of horizontal cuts intersect.
  • the incision can be provided using a mechanical method, a chemical method, a laser, or the like. Note that the cut does not have to be deep enough to reach the base material, and may be a half cut. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of turning up of the individual pieces.
  • the method of transferring individual pieces in the transfer process is not particularly limited, but for example, a method of directly transferring and arranging individual pieces from a base material to a wiring board or a light emitting element using the laser lift-off method (LLO method) described above.
  • Another method is to use a transfer material (stamp material) in which individual pieces are brought into close contact with each other in advance, and to transfer and arrange them from the transfer material onto a wiring board or a light emitting element.
  • the method of arranging the light emitting elements in the mounting process is not particularly limited, but for example, the method of arranging the light emitting elements on the wiring board by the laser lift-off method (LLO method) described above, or the method of placing the light emitting elements in close contact with each other in advance.
  • An example of this method is to use a transfer material (stamp material) to arrange the wiring board from the transfer material.
  • a method for manufacturing a display device includes removing an anisotropic conductive film in a portion irradiated with laser light using a laser lift-off device, and applying a predetermined shape made of an anisotropic conductive film on a base material.
  • a formation step (A1) of forming individual pieces of a predetermined shape, a transfer step (B1) of transferring the individual pieces of a predetermined shape, and a mounting of a light emitting element on a wiring board The mounting process (C1) will be explained.
  • Formation step (A1) In the formation step (A1), an anisotropic conductive film provided on a base material was prepared, and a laser beam was irradiated from the base material side using the laser lift-off device described above, passing through the opening of the mask described above. The removed portion of the anisotropic conductive film is peeled off using laser light to form individual pieces. Since the method for forming the individual pieces is the same as the method for manufacturing the individual film pieces described above, detailed explanation will be omitted here.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an anisotropic conductive film provided on a base material.
  • region X in which conductive particles are not present in the thickness direction of the anisotropic conductive film 62 from the base material 61 side.
  • the state in which no conductive particles are present in region X means, for example, not only a state in which the entire conductive particles 63 are not present in the region, but also a state in which not even a portion of the conductive particles 63 is included.
  • the entire conductive particles 63 included in the anisotropic conductive film 62 are placed in a region X in the thickness direction from the base material 61 side of the anisotropic conductive film 62. It is preferable to set it to 5% or less of the number of objects, and more preferably to set it to 1% or less.
  • the thickness t of the region X of the anisotropic conductive film 62 from the base material 61 side may be 0 to 0.05 ⁇ m.
  • the thickness is 0 to 0.1 ⁇ m, more preferably 0 to 0.15 ⁇ m, particularly preferably 0 to 0.2 ⁇ m.
  • Region X may be larger than 0.2 ⁇ m.
  • the lower limit should be greater than 0, and refers to a state in which up to 5%, preferably up to 1% of the total number of conductive particles 63 has not reached (touched) the base material 61. This cross section can be confirmed by observation with an electron microscope.
  • the conductive particles 63 include a metal having a melting point of 1400° C. or higher.
  • the upper limit of the melting point of the metal is preferably about 3500°C.
  • the metal constituting the conductive particles 63 preferably contains nickel, palladium, or ruthenium.
  • the resin particles or inorganic particles may be coated with metal.
  • the metal coating thickness is preferably 0.04 ⁇ m or more, more preferably 0.5 ⁇ m or more, particularly preferably 0.75 ⁇ m or more, and 0.04 ⁇ m or more, more preferably 0.5 ⁇ m or more, particularly preferably 0.75 ⁇ m or more. Most preferably, the thickness is 1 ⁇ m or more. The upper limit of the thickness of this metal coating depends on the diameter of the conductive particles 63, but is preferably about 20% of the diameter of the conductive particles 63, or about 0.5 ⁇ m.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which an individual film and a wiring board are opposed to each other. As shown in FIG. 9, first, in the transfer step (A), the individual film pieces 60 and the wiring board 70 are made to face each other.
  • the individual film piece 60 includes a base material 61 and individual pieces 64 made of an anisotropic conductive film containing conductive particles 63, and the individual pieces 64 are arranged in units of light emitting elements on the surface of the base material 61.
  • the substrate 61 may be any material as long as it is transparent to laser light, and is preferably made of quartz glass that has high light transmittance over all wavelengths.
  • the dimensions (length x width) of the individual pieces 64 are appropriately set according to the dimensions of the light emitting element, which is a chip component, and the ratio of the area of the individual pieces 64 to the area of the light emitting element is preferably 0.5 to 5.0. , more preferably 0.5 to 4.0, still more preferably 0.5 to 2.0. Further, the thickness of each piece 64 is preferably 2 to 10 ⁇ m, more preferably 3 to 8 ⁇ m or less, and still more preferably 4 to 6 ⁇ m or less. Although it is preferable that all the individual pieces have the same dimensions, a plurality of types may exist in order to increase the degree of freedom in designing the connection structure.
  • ACP Anisotropic Conductive Paste
  • ACF Anisotropic Conductive Film
  • NCF Non Conductive Film
  • the distance between the individual pieces arranged on the base material 61 is preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and still more preferably 10 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the distance between the individual pieces is preferably 3000 ⁇ m or less, more preferably 1000 ⁇ m or less, and still more preferably 500 ⁇ m or less. If the distance between the pieces is too small, it becomes difficult to transfer the pieces, and if the distance between the pieces is too large, a method of pasting the pieces is preferred. The distance between pieces can be measured using microscopic observation (optical microscope, metallurgical microscope, electron microscope, etc.).
  • the wiring board 70 includes a circuit pattern for a first conductivity type and a circuit pattern for a second conductivity type on a base material 71, and light emitting elements are arranged in units of subpixels (subpixels) constituting one pixel.
  • a first electrode 72 and a second electrode 73 are provided at positions corresponding to the first conductivity type electrode on the p side and the second conductivity type electrode on the n side, respectively.
  • the wiring board 70 forms circuit patterns such as data lines and address lines of matrix wiring, and enables turning on and off of light emitting elements corresponding to each subpixel constituting one pixel.
  • one pixel may be composed of three sub-pixels of R (red), G (green), and B (blue), or may be composed of four sub-pixels of RGBW (white) and RGBY (yellow). , RG, and GB.
  • the wiring board 70 when used for a transparent display, it is preferably a light-transmitting substrate, and the base material 71 is preferably made of glass, PET (Polyethylene Terephthalate), or the like.
  • the first electrode 72 and the second electrode 73 are made of transparent conductive material such as ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), ZnO (Zinc-Oxide), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), etc.
  • it is a membrane.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of anisotropic conductive film are transferred and arranged at predetermined positions on a wiring board by irradiating laser light from the base material side.
  • a laser beam is irradiated from the base material 61 side using the laser lift-off device described above, and the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film are moved to predetermined positions on the wiring board 70. Transfer and arrange. By aligning and transferring the base material 61 and the substrate 70, the individual pieces 64 can be arranged on the substrate 70 in subpixel units.
  • the size of the substrate 70 is larger than the size of the base material 61, by aligning the base material 61 multiple times and transferring the individual pieces 64, the individual pieces 64 can be transferred to the screen area of the substrate 70 in subpixel units. can be arrayed.
  • the aforementioned laser lift-off device can be used to transfer the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film.
  • Such a transfer method is called laser lift-off, and is a method using, for example, laser ablation.
  • the individual film pieces 60 which are donor substrates
  • the wiring board 70 which is a receptor substrate
  • the distance between the individual film and the wiring board is preferably 10 to 20,000 ⁇ m, more preferably 50 to 1,500 ⁇ m, and still more preferably 80 to 1,000 ⁇ m.
  • an excimer laser that emits laser light with a wavelength of 180 nm to 360 nm can be used.
  • the oscillation wavelength of the excimer laser is, for example, 193, 248, 308, or 351 nm, and can be suitably selected from these oscillation wavelengths depending on the light absorption property of the material of the anisotropic conductive film.
  • the mask has a pattern in which windows of a predetermined size are arranged at a predetermined pitch so that the projection on the interface between the base material 61 and the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film becomes a desired arrangement of laser beams.
  • a pattern is applied to the base material 61 using, for example, chrome plating, and window portions that are not plated with chrome transmit laser light, and portions that are plated with chrome block laser light.
  • the emitted light from the laser device enters the telescope optical system and propagates to the laser scanner 11 beyond that.
  • the laser beam just before it enters the laser scanner 11 is adjusted by the telescope optical system so that it becomes almost parallel light at any position within the movement range of the X-axis and Y-axis of the donor stage, and is , are approximately the same size and incident at the same angle (vertically).
  • the laser light that has passed through the laser scanner 11 enters the mask 12 via the field lens, and the laser light that has passed through the pattern of the mask 12 enters the projection lens 13.
  • the laser beam emitted from the projection lens 13 enters from the base material 61 side, and is directed to the position of the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film formed on the surface (lower surface) of the base material 61 at the reduced size of the mask pattern. Projected accurately.
  • the pulse energy of the imaged laser light irradiated onto the interface between the individual pieces of the anisotropic conductive film and the base material is preferably 0.001 to 2 J, more preferably 0.01 to 1.5 J, More preferably, it is 0.1 to 1 J.
  • the fluence is preferably 0.001 to 2 J/cm 2 , more preferably 0.01 to 1 J/cm 2 , and even more preferably 0.05 to 0.5 J/cm 2 .
  • the pulse width (irradiation time) is preferably 0.01 to 1 ⁇ 10 9 picoseconds, more preferably 0.1 to 1 ⁇ 10 7 picoseconds, and even more preferably 1 to 1 ⁇ 10 5 picoseconds. It is.
  • the pulse frequency is preferably 0.1 to 10,000 Hz, more preferably 1 to 1,000 Hz, and still more preferably 1 to 100 Hz.
  • the number of irradiation pulses is preferably 1 to 30,000,000.
  • a shock wave is generated in the individual pieces 64 that are irradiated with laser light at the interface between the base material 61 and the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film, and the individual pieces 64 are moved from the base material.
  • the plurality of pieces 64 can be peeled off from the material 61 and lifted toward the wiring board 70 to land at predetermined positions on the wiring board 70 .
  • the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film can be transferred and arranged on the wiring board 70 with high precision and efficiency, and the takt time can be shortened.
  • the reaction rate of the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film after the transfer step (B1) is preferably 25% or less, more preferably 20% or less, and still more preferably 15% or less. Since the reaction rate of the individual pieces 64 after the transfer step (B1) is 25% or less, it becomes possible to bond the light emitting element by thermocompression in the mounting step (C1).
  • the reaction rate can be measured using, for example, FT-IR.
  • the distance between the pieces arranged at predetermined positions on the wiring board 70 is similar to the distance between the pieces arranged on the base material 61 of the piece film 60, preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and Preferably it is 10 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the distance between the individual pieces is preferably 3000 ⁇ m or less, more preferably 1000 ⁇ m or less, and still more preferably 500 ⁇ m or less. If the distance between the individual pieces is too small, it is preferable to paste the anisotropic conductive film on the entire surface of the wiring board 70. If the distance between the pieces is too large, the anisotropic conductive film is attached to a predetermined position on the wiring board 70. It is preferable to paste the The distance between pieces can be measured using microscopic observation (optical microscope, metallurgical microscope, electron microscope, etc.).
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a state in which light emitting elements are mounted on individual pieces arranged at predetermined positions of a wiring board. As shown in FIG. 11, in the mounting step (C1), the light emitting elements 80 are mounted on the pieces 64 arranged at predetermined positions on the wiring board 70.
  • the light emitting element 80 includes a main body 81, a first conductivity type electrode 82, and a second conductivity type electrode 83, and the first conductivity type electrode 82 and the second conductivity type electrode 83 are arranged on the same side. It has a horizontal structure.
  • the main body 81 includes a first conductivity type cladding layer made of, for example, n-GaN, an active layer made of, for example, an In x Al y Ga 1-xy N layer, and a second conductivity type cladding layer made of, for example, p-GaN. It has a so-called double heterostructure.
  • the first conductivity type electrode 82 is formed as a passivation layer on a part of the first conductivity type cladding layer, and the second conductivity type electrode 83 is formed on a part of the second conductivity type cladding layer.
  • a voltage is applied between the first conductivity type electrode 82 and the second conductivity type electrode 83, carriers are concentrated in the active layer and recombined to generate light emission.
  • the light emitting elements 80 are arranged on the substrate 70 in correspondence with each subpixel constituting one pixel, and constitute a light emitting element array.
  • one pixel may be composed of three sub-pixels of R (red), G (green), and B (blue), or may be composed of four sub-pixels of RGBW (white) and RGBY (yellow). , RG, and GB.
  • subpixel arrangement methods include, in the case of RGB, a stripe arrangement, a mosaic arrangement, a delta arrangement, and the like.
  • the stripe arrangement is an arrangement of RGB in the form of vertical stripes, and can achieve high definition.
  • the mosaic arrangement is one in which the same RGB colors are arranged diagonally, and it is possible to obtain a more natural image than the stripe arrangement.
  • RGB is arranged in a triangle, and each dot is shifted by a half pitch for each field, so that a natural image display can be obtained.
  • the light emitting element 80 can be placed at a predetermined position on the wiring board 70 using the laser lift-off device described above.
  • the light emitting element, which is the donor substrate is held on the donor stage
  • the wiring board 70, which is the receptor substrate is held on the receptor stage.
  • the distance between the light emitting element and the wiring board is preferably 10 to 1000 ⁇ m, more preferably 50 to 500 ⁇ m, and even more preferably 80 to 200 ⁇ m.
  • connection methods used in known anisotropic conductive films such as thermocompression bonding, photocompression bonding, and thermophotocompression bonding, can be appropriately selected and used.
  • connection may be performed by reflow.
  • the conditions for thermocompression bonding are, for example, a temperature of 150° C. to 260° C., a pressure of 1 MPa to 60 MPa, and a time of 5 seconds to 300 seconds.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of anisotropic conductive film are transferred and arranged on a wiring board at electrode positions by irradiating a laser beam from the substrate side
  • FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a state in which light emitting elements are mounted on individual pieces arranged in electrode units on a wiring board.
  • the first electrode 72 and the second electrode correspond to, for example, the first conductivity type electrode 82 on the p side and the second conductivity type electrode 83 on the n side of the light emitting element 80.
  • the first individual piece 64A and the second individual piece 64B are transferred, respectively.
  • the dimensions (length x width) of the individual pieces 64A and 64B are set appropriately according to the dimensions of the electrodes of the light emitting element, and the ratio of the area of the individual pieces to the area of the electrode is the same as when the individual pieces are formed for each light emitting element. is preferably 0.5 to 5.0, more preferably 0.5 to 4.0, even more preferably 0.5 to 2.0. Further, the thickness of each piece is preferably 2 to 10 ⁇ m, more preferably 3 to 8 ⁇ m, and even more preferably 4 to 6 ⁇ m.
  • the light emitting element 80 is mounted on the individual pieces 64A and 64B arranged in electrode units on the wiring board 70. Thereby, the transparency of the display device can be further improved.
  • the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film are transferred to the wiring board 70 with high precision and efficiency by irradiation with laser light, Since they can be arranged in an array, takt time can be shortened.
  • a method for manufacturing a display device uses a laser lift-off device to remove an anisotropic conductive film in a portion irradiated with a laser beam, and deposits a predetermined shape of an anisotropic conductive film on a base material.
  • the method includes a retransfer step (B2-2) in which the light emitting elements whose individual pieces have been transferred are retransferred to predetermined positions on the wiring board, and a mounting step (C2) in which the light emitting elements are mounted on the wiring board.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of an anisotropic conductive film provided on a base material and light emitting elements arranged on a transfer substrate are opposed to each other.
  • the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film provided on the base material 61 and the transfer substrate 90 are made to face each other.
  • the individual pieces 64 are formed on the base material 61 to correspond to the shape of the electrodes of the light emitting element 50.
  • the transfer substrate 90 includes a base material 91 and light emitting elements 80 arranged on the base material 91.
  • the base material 91 is appropriately selected depending on the transfer method of the retransfer step (B2-2) described later. For example, when using a transfer method using laser ablation in the retransfer step (B2-2) described later, the base material 91 only needs to be transparent to laser light, especially to all wavelengths. It is preferable to use quartz glass which has high light transmittance throughout. Further, for example, in the retransfer step (B2-2) described later, when the transfer substrate 90 is bonded to the wiring board 20 and the light emitting element 80 is transferred, the base material 91 may have, for example, a silicone rubber layer. Good too.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a state in which individual pieces of the anisotropic conductive film are transferred onto light emitting elements arranged on a transfer substrate by irradiating laser light from the base material side.
  • laser light is irradiated from the base material 61 side to transfer the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film onto the light emitting elements 80 arranged on the transfer substrate 90.
  • the laser lift-off device described above can be used to transfer the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film.
  • a shock wave is generated in the individual pieces 64 irradiated with laser light at the interface between the base material 61 and the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film, and the plural pieces 64 are removed from the base material.
  • the individual pieces 64 can be peeled off from 61 and lifted toward the light emitting elements 80 arranged on the transfer substrate, and the individual pieces 64 can be landed on the light emitting elements 80 with high precision.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the light-emitting element whose individual pieces have been transferred is re-transferred onto the wiring board.
  • the light emitting element 80 with the individual pieces 64 transferred thereto is retransferred onto the wiring board 70.
  • the retransfer method is not particularly limited, but for example, a method of directly transferring and arranging the light emitting element 80 with the individual pieces 64 transferred from the transfer substrate 90 to the wiring board 70 by a laser lift-off method (LLO method). , a method of transferring and arranging the light emitting element 80 onto the wiring board 70 from a transfer substrate 90 on which the light emitting element 80 with the individual pieces 64 transferred thereto is brought into close contact with each other in advance.
  • LLO method laser lift-off method
  • the retransfer step (B2-2) it is preferable to transfer the light emitting elements 80 in subpixel units that constitute one pixel. As a result, it is possible to deal with light emitting element arrays ranging from high PPI (Pixels Per Inch) to low PPI light emitting element arrays.
  • PPI Pixel Per Inch
  • the light emitting elements 80 arranged at predetermined positions on the wiring board 70 are mounted via the individual pieces 64.
  • the state in which the light emitting element 80 is mounted is the same as that in the first embodiment shown in FIG.
  • the method for connecting the light emitting element 80 to the wiring board 70 is the same as in the first embodiment.
  • the light emitting elements 80 can be anisotropically connected on the wiring board 70 in a state where the anisotropic conductive film is not present between the light emitting elements 80 and the wiring board 70 is exposed.
  • the wiring board 70 as a light-transmitting board, it is possible to obtain superior light transmittance compared to the case where an anisotropic conductive film is attached to the entire surface of the wiring board 70.
  • the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film were transferred onto the light emitting element 80.
  • the method is not limited to these, and for example, individual pieces of the anisotropic conductive film may be transferred onto the light emitting element in electrode units. That is, as in the modified example of the first embodiment shown in FIG. Then, the second individual piece may be transferred and mounted. Thereby, the transparency of the display device can be further improved.
  • the individual pieces 64 of the anisotropic conductive film are transferred to the light emitting element 80 with high precision and high efficiency by irradiation with laser light. Since they can be arranged in an array, takt time can be shortened. In addition, it is possible to obtain excellent light transmittance, conductivity, and insulation properties that could not be achieved with conventional connections using ACP, ACF, NCF, adhesive, etc., making it possible to achieve high-brightness, high-definition transparent displays. can be obtained.
  • a method for manufacturing a display device as a display was taken as an example, but the present technology is not limited to this, and can also be applied to, for example, a method for manufacturing a light emitting device as a light source. be able to.
  • the display device can be obtained by the display device manufacturing method described above. That is, the display device includes a plurality of light emitting elements, a wiring board on which the light emitting elements are arranged, and a cured film connecting the plurality of light emitting elements and the wiring board, and the cured film has a predetermined shape made of a curable resin film. Individual pieces of the shape harden.
  • each piece is preferably at least one selected from a polygon with obtuse angles, a polygon with rounded corners, an ellipse, an ellipse, and a circle.
  • the substrate can be exposed between the individual pieces, and excellent light transmittance and aesthetic appearance can be obtained.
  • the display device includes a plurality of light emitting elements 80, a substrate 70 on which the light emitting elements 80 are arranged, and a cured film connecting the plurality of light emitting elements 80 and the substrate 70. .
  • the cured film is obtained by curing individual pieces of a curable resin film having a predetermined shape.
  • the arrangement of the individual pieces on the substrate 70 is not particularly limited as long as a light transmitting effect can be obtained, but it is preferable that the arrangement is in subpixel units corresponding to the light emitting elements 80.
  • the exposed portion of the substrate between the individual pieces can be increased, and extremely excellent light transmittance can be obtained.
  • a plurality of adjacent light emitting elements 80 in sub-pixel units may be connected into one piece. Thereby, the mounting speed can be shortened (the mounting efficiency can be increased), and the range of allowable specifications can be expanded depending on the transparency and color conditions of the substrate side.
  • the individual pieces made of a cured film are preferably cured films of an adhesive film, a conductive film containing conductive particles, or an anisotropic conductive film. This makes it possible to connect a plurality of light emitting elements 80 and the substrate 70 even if the light emitting elements 80 are not provided with connection parts such as solder bumps. Furthermore, if the electrodes of the light emitting element 80 have a protruding shape or the like and can be electrically connected to the wiring of the substrate 70, the individual pieces do not need to contain conductive particles.
  • the cured film of the anisotropic conductive film is constructed by arranging conductive particles in the plane direction.
  • the state in which conductive particles are arranged in a plane direction includes, for example, a planar lattice pattern having one or more arrangement axes in which conductive particles are arranged at a predetermined pitch in a predetermined direction, such as an orthorhombic lattice, a hexagonal lattice, a square lattice, etc. Examples include a lattice, a rectangular lattice, and a parallel body lattice. Further, the arrangement of the conductive particles in the plane direction may be random, or may have a plurality of regions having different planar lattice patterns.
  • the particle surface density of the cured anisotropic conductive film can be appropriately designed according to the electrode size of the light emitting element 80, and the lower limit of the particle surface density is 500 particles/mm 2 or more, 20000 particles/mm 2 or more, It can be 40,000 particles/ mm2 or more, 50,000 particles/mm2 or more, and the upper limit of the particle surface density is 1,500,000 particles/ mm2 or less, 1,000,000 particles/ mm2 or less, 500,000 particles/ mm2 or less, 100,000 particles/mm2 or less. It can be less than mm2 . Thereby, even when the electrode size of the light emitting element 80 is small, excellent conductivity and insulation can be obtained.
  • the particle surface density of the cured anisotropic conductive film is that of the conductive particles when formed into a film during production. This holds true regardless of whether the measurements are made on randomly arranged portions or arrayed portions.
  • the particle surface density can be determined from the area including the individual pieces and spaces minus the spaces between the pieces and the number of particles. In some cases, it is inappropriate to express individual pieces by the number density, and in other cases, it is appropriate to express them by the occupied area ratio of particles in one individual piece, the particle diameter, the center distance between particles, and the number of particles.
  • the particle surface density of the cured anisotropic conductive film is that of the conductive particles when formed into a film during production. This holds true regardless of whether the measurements are made on randomly arranged portions or arrayed portions.
  • the particle surface density can be determined from the area including the individual pieces and spaces minus the spaces between the pieces and the number of particles. In some cases, it is inappropriate to express individual pieces by the number density, and in other cases, it is appropriate to express them by the occupied area ratio of particles in one individual piece, the particle diameter, the center distance between particles, and the number of particles.
  • the number of conductive particles per piece can be appropriately designed depending on the electrode size of the light emitting element 80, and the lower limit is, for example, 2 or more, preferably 4 or more, more preferably 10 or more, and the upper limit is: The number is 6000 or less, preferably 500 or less, and more preferably 100 or less.
  • the average transmittance of visible light after the individual pieces are mounted (provided) on the substrate is preferably 20% or more, more preferably 35% or more, and still more preferably 50% or more. Thereby, a display device having excellent light transmittance and aesthetic appearance can be obtained. Even if the substrate is not transparent, the average transmittance can be determined by attaching an individual piece to plain glass or a transparent substrate for evaluation and using this as a reference (Ref). The average transmittance of visible light provided with the light emitting element is lower. If a light emitting element is mounted, it is assumed that the measurement is performed in a state where it is not lit. The average transmittance of visible light can be measured using, for example, an ultraviolet-visible spectrophotometer.
  • each piece relative to the size of the light emitting element may be smaller than the size of the light emitting element 80 as long as conductivity can be obtained. Further, the individual pieces may be arranged not only directly below the light emitting element but also at the peripheral edge, as long as the effect of light transparency of the display device can be obtained.
  • the amount of protrusion of each piece from the light emitting element 80 is preferably less than 30 ⁇ m, more preferably less than 10 ⁇ m, and even more preferably less than 5 ⁇ m. Further, when the individual piece does not protrude, the amount of protrusion may be zero or negative. As a result, it is possible to obtain superior light transmittance compared to a configuration example of a display device in which a cured film is provided on the entire surface of the substrate. Note that the amount of protrusion of each piece from the light emitting element 80 is the maximum value of the distance from the periphery of the light emitting element 80 to the periphery of the individual piece.
  • the substrate 70 since the substrate 70 has an exposed portion between the individual pieces of the cured film, connection that can be achieved by using conventional ACP, ACF, NCF, adhesive, etc. on the entire surface is achieved. It is possible to obtain excellent light transmittance, conductivity, and insulation properties that were previously unavailable, and it is possible to obtain a transparent display with high brightness and high definition.
  • a display device as a display in which light emitting elements 80 are arranged in subpixel units is taken as an example, but the present technology is not limited to this, and for example, a light emitting device as a light source is used. It can also be applied to The light-emitting device includes a plurality of light-emitting elements, a substrate on which the light-emitting elements are arranged, and a cured film connecting the plurality of light-emitting elements and the substrate, and the cured film is composed of a plurality of pieces, and there is a gap between the pieces. It has an exposed portion where the substrate is exposed. According to such a light emitting device, since the light emitting element 80 is made microscopic in size, the number of chips per wafer increases, so the cost can be reduced, and the light emitting device can be made thinner. Industrial advantages such as energy savings can be obtained.
  • a curable resin film provided on a base material is irradiated with laser light from the base material side, which is a part of a preferred embodiment of the present technology, and the curable resin film in the irradiated portion is The formation process of removing the film and forming individual pieces of a predetermined shape made of a curable resin film with a reaction rate of 25% or less on the base material has been described.
  • the removal of the curable resin film by laser beam irradiation does not only mean completely peeling off or removing the curable resin film, but also includes partially peeling or removing the curable resin film. do.
  • the individual pieces of a predetermined shape formed on the base material do not necessarily have to be a curable resin film with a reaction rate of 25% or less, but may be any desired resin film.
  • the desired resin film include a curable resin film with a reaction rate of more than 25% and a non-curable resin film such as a thermoplastic resin film.
  • it may be a cured film obtained by curing a resin film.
  • Example> an anisotropic conductive film was processed into individual pieces, and the shape state of the individual pieces was evaluated. In addition, the individual pieces were transferred onto a glass plate, and the transfer state of the individual pieces was evaluated. Note that the present technology is not limited to these examples.
  • phenoxy resin (trade name: PKHH, manufactured by Tomoe Chemical Industry Co., Ltd.), 40 parts by mass of high-purity bisphenol A epoxy resin (trade name: YL-980, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), hydrophobic silica (trade name) : R202, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 10 parts by mass, acrylic rubber (trade name: SG80H, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) 3 parts by mass, and a cationic polymerization initiator (trade name: SI-60L, Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.)
  • a resin film was prepared by blending 5 parts by mass of the resin (manufactured by the company) and coating it on a 4-inch quartz glass and drying it.
  • Conductive particles (average particle size 2.2 ⁇ m, resin core metal-coated fine particles, Ni plating 0.2 ⁇ m thick, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were added to one side of the resin film by the method described in Patent No. 6187665.
  • An anisotropic conductive film with a thickness of 4.0 ⁇ m and a particle surface density of 580,000 pcs/mm 2 is provided on a 4-inch quartz glass by pressing and transferring the conductive particles so that the interface and the conductive particles approximately coincide with each other.
  • a substrate was prepared.
  • the conductive particles were arranged in a hexagonal lattice arrangement in a plan view of the anisotropic conductive film.
  • reaction rate The reaction rate of each piece was measured using FT-IR (Varian 3100 FT-IR (Excalibur Series) Microscope Varian 600 UMA (FT-IR Microscope)).
  • FT-IR Varian 600 UMA
  • the pieces remaining on the substrate were sampled using a pen-shaped cutter with a sharp tip to obtain a sample after laser irradiation.
  • the sampled individual samples were clamped and crushed between the two cell plates, and measurements were made using one cell plate to which the individual sample was attached.
  • the detector Since the sensitivity of the detector is greatly improved by cooling it, the detector was cooled for about 30 minutes using liquid nitrogen before measurement. Furthermore, the FT-IR measurement conditions were set as follows. Measurement method: Transmission method Measurement temperature: 25°C Measurement humidity: 60% or less Measurement time: 12 seconds Detector spectral range: 4000-700cm -1
  • the diamond cell was set in an infrared microscope, a background measurement was performed, and the sample after laser irradiation was irradiated with infrared rays to obtain an IR spectrum of each piece remaining on the substrate after laser irradiation.
  • the curable resin film before laser irradiation (before singulation) was sampled using a pen-shaped cutter with a sharp tip, and the IR of the curable resin film before laser irradiation was measured. Obtained the spectrum.
  • the laser lift-off device includes, for example, a laser scanner that scans the optical axis of laser light, a mask in which a plurality of apertures of a predetermined shape are arranged at a predetermined pitch, and a donor that transmits the laser light.
  • the quartz glass substrate on which individual pieces are formed is held on the donor stage, and the glass substrate is It was held on a receptor stage, and the distance between the individual piece and the glass substrate was 100 ⁇ m.
  • the laser device used was an excimer laser with an oscillation wavelength of 248 nm.
  • the pulse energy of the laser beam was 600 J
  • the fluence was 180 J/cm 2
  • the pulse width (irradiation time) was 30,000 picoseconds
  • the pulse frequency was 0.01 kHz
  • the number of irradiation pulses was 1 pulse for each piece.
  • the pulse energy of the imaged laser light irradiated onto the interface between the individual pieces of the anisotropic conductive form and the quartz glass is 0.001 to 2 J, and the fluence is 0.001 to 2 J/cm. 2
  • the pulse width (irradiation time) is 0.01 to 1 ⁇ 10 9 picoseconds
  • the pulse frequency is 0.1 to 10,000 Hz
  • the number of irradiation pulses is 1 to 30,000,000. did.
  • the mask has a projection on the boundary surface between the individual pieces of the anisotropic conductive film that is the donor substrate and the quartz glass, with a pitch of 120 ⁇ m horizontally and 160 ⁇ m vertically, and the size of the individual pieces (30 ⁇ m wide x 40 ⁇ m vertically, or 60 ⁇ m wide x 60 ⁇ m vertically).
  • a pattern was used in which windows of a predetermined size were arranged at a predetermined pitch so that the window width was 80 ⁇ m). Then, the optical axis of the laser beam was scanned in the X-axis direction and the Y-axis direction toward the opening on the mask, and the pulse irradiation of the laser beam was controlled to transfer the individual pieces to the glass substrate of the receptor stage.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining the positional deviation of individual pieces before and after transfer.
  • the straight-line distance d from the pre-transfer reference position P0 (X 0 , Y 0 ) to the post-transfer position P1 (X 1 , Y 1 ) of each individual piece was calculated using the following formula (1), and the average value was determined.
  • the transfer position accuracy was evaluated using the following judgments A to E according to the average value of the linear movement distance. It is desirable that the transfer position accuracy be evaluated as C or better.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing a method for manufacturing a packaged body, with FIG. 18(A) showing a process of preparing individual pieces, and FIG. 18(B) showing a process of transferring individual pieces onto a substrate.
  • 18(C) shows a step of temporarily fixing the ⁇ LED element
  • FIG. 18(D) shows a step of crimping the ⁇ LED element.
  • FIG. 19 is a plan view schematically showing an evaluation board for a lighting test
  • FIG. 20(A) is a plan view schematically showing an electrode surface of a ⁇ LED element
  • FIG. 20(B) is a plan view schematically showing an evaluation board for a lighting test.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing how a ⁇ LED element is mounted on an evaluation board.
  • pieces 104 of a predetermined shape are prepared on the quartz glass 101 described above, and as shown in FIG. 18(B), 101 side), and the individual pieces 104 were transferred to designated locations on the evaluation board 107.
  • the transfer of the individual piece 104 was performed in the same manner as the LLO in the evaluation of the individual piece transfer described above.
  • the evaluation board 107 has a wiring pattern of 20 nm thick Cr as the base and 80 nm thick Au as the surface formed on a 0.5 mm thick glass substrate, and as shown in FIG. Fifteen sets of a comb-shaped electrode 107A and a second comb-shaped electrode 107B each having six comb teeth were used. As shown in FIGS. 19 and 20(B), the wiring pattern used is one in which the line width of the comb teeth is 90 ⁇ m, the space width is 12 ⁇ m or 24 ⁇ m, and each channel is approximately 1300 ⁇ m ⁇ 15 channels ⁇ 19.3 mm. , individual pieces of a predetermined shape were transferred between wirings with a space width of 12 ⁇ m.
  • a polydimethylsiloxane (PDMS) sheet 109 on which ⁇ LED elements 108 are arranged in convex portions is aligned in advance by LLO, and bonded together under the conditions of 30° C.-30 MPa-10 se.
  • the ⁇ LED element 108 was temporarily fixed between the wirings of the evaluation board 107 with a space width of 12 ⁇ m via the individual pieces 104.
  • the ⁇ LED element 108 has an outer diameter of 34 ⁇ m ⁇ 58 ⁇ m, a first electrode 108A and a second electrode 108B of 27 ⁇ m ⁇ 18 ⁇ m, and a first electrode 108A and a second electrode 108B.
  • the distance from the electrode 108B was 16 ⁇ m.
  • the ⁇ LED elements 108 were crimped all at once using a press under crimping conditions of 150° C., 150 N, and 30 sec, to produce a packaged body in which ⁇ LED elements (3,600 pcs in total) were mounted.
  • Example 1 [Single piece processing of anisotropic conductive film] Using a laser lift-off device (LUM-XTR manufactured by Shin-Etsu Engineering), a laser beam is irradiated from the quartz glass side of the anisotropic conductive film substrate described above to transfer unnecessary parts onto the base glass, thereby creating anisotropic conductivity on the quartz glass. Pieces of film were formed.
  • the laser lift-off device includes, for example, a laser scanner that scans the optical axis of laser light, a mask in which a plurality of apertures of a predetermined shape are arranged at a predetermined pitch, and a donor that transmits the laser light.
  • It is equipped with a projection lens that performs reduced projection onto the substrate, a donor stage that holds the donor substrate, and a receptor stage that holds the receptor substrate.
  • a piece of raw glass was held on a receptor stage, and the distance between the anisotropic conductive film and the raw glass was set to 100 ⁇ m.
  • the laser device used was an excimer laser with an oscillation wavelength of 248 nm.
  • the pulse energy of the laser beam was 600 J
  • the fluence was 250 J/cm 2
  • the pulse width (irradiation time) was 30,000 picoseconds
  • the pulse frequency was 0.01 kHz
  • the number of irradiation pulses was 1 pulse for each piece.
  • the pulse energy of the imaged laser light irradiated onto the interface between the anisotropic conductive form and the quartz glass is 0.001 to 2 J, and the fluence is 0.001 to 2 J/cm 2 .
  • the pulse width (irradiation time) was 0.01 to 1 ⁇ 10 9 picoseconds, the pulse frequency was 0.1 to 10000 Hz, and the number of irradiation pulses was 1 to 30,000,000.
  • FIG. 21 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 1.
  • Example 1 a mask having a rectangular window of 125 ⁇ m ⁇ 125 ⁇ m was used, and the laser beam spot was formed into a rectangular shape. Then, after removing unnecessary parts in the vertical direction of the anisotropic conductive film at the pitch of the squares in the vertical direction of the window part of the mask, the anisotropic conductive film is removed in the horizontal direction at the pitch of the squares in the vertical direction of the window part of the mask.
  • Example 1 As shown in Table 1, the normality rate of individual piece processing in Example 1 was 100%, the burr occurrence rate of individual piece processing was 2%, and the reaction rate of individual piece processing was 20% or less. Furthermore, the quality of the individual piece transfer in Example 1 was 96%, and the evaluation of position accuracy was C. Furthermore, the lighting rate in the lighting test in Example 1 was similar to the non-defective rate in the individual piece transfer because the ⁇ LED elements in the non-defective parts of the individual piece transfer were lit.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) of 60 ⁇ m wide ⁇ 80 ⁇ m long pieces were formed at a pitch of 120 ⁇ m horizontally and 160 ⁇ m vertically.
  • Example 2 As shown in Table 1, the normality rate of individual piece processing in Example 2 was 100%, the burr occurrence rate of individual piece processing was 0%, and the reaction rate of individual piece processing was 20% or less. In addition, the quality rate of individual piece transfer in Example 2 was 99% or more, and the evaluation of position accuracy was C. Further, the lighting rate in the lighting test in Example 2 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • Example 3 Fig. 22 is a plan view showing a schematic mask shape of Example 3. As shown in Fig. 22, in Example 3, a mask having a square window of 70 ⁇ m ⁇ 70 ⁇ m was used, and the laser light spot was made square. Other than that, in the same manner as in Example 1, 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) of square pieces of 30 ⁇ m width ⁇ 40 ⁇ m length were formed at a pitch of 120 ⁇ m width and 160 ⁇ m length.
  • Example 3 As shown in Table 1, the normality rate of individual piece processing in Example 3 was 100%, the burr occurrence rate of individual piece processing was 5%, and the reaction rate of individual piece processing was 20% or less. Furthermore, the quality of the individual piece transfer in Example 3 was 93%, and the evaluation of position accuracy was C. Further, the lighting rate in the lighting test in Example 3 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • FIG. 23 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 4.
  • a mask having a light-shielding part of 30 ⁇ m wide by 40 ⁇ m high at the center of a square window of 125 ⁇ m ⁇ 125 ⁇ m is used, and the spot of the laser beam is placed in a square shadow at the center of the square.
  • the shape is as follows. Then, in the same manner as in Example 1, except that unnecessary parts of the anisotropic conductive film were removed at square pitches in the vertical or horizontal direction of the window portion of the mask, square pieces of 30 ⁇ m in width x 40 ⁇ m in height were prepared. 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) were formed with a horizontal pitch of 120 ⁇ m and a vertical pitch of 160 ⁇ m.
  • Example 4 As shown in Table 1, the normality rate of individual piece processing in Example 4 was 100%, the burr occurrence rate of individual piece processing was 0%, and the reaction rate of individual piece processing was 20% or less. Furthermore, the quality of the individual piece transfer in Example 4 was 99% or more, and the evaluation of position accuracy was C. Furthermore, the lighting rate in the lighting test in Example 4 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • FIG. 24 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 5.
  • a mask having a light shielding part of 60 ⁇ m wide by 80 ⁇ m long at the center of a square window of 158 ⁇ m ⁇ 158 ⁇ m is used, and a square shadow is formed with the laser light spot at the center of the square.
  • the shape is as follows. Then, in the same manner as in Example 1, except that unnecessary portions of the anisotropic conductive film were removed at square pitches in the vertical or horizontal direction of the window portion of the mask, square pieces of 60 ⁇ m in width x 80 ⁇ m in height were prepared. 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) were formed with a horizontal pitch of 120 ⁇ m and a vertical pitch of 160 ⁇ m.
  • FIG. 25 is a micrograph showing a square piece of Example 5. As shown in FIG. 25, the individual pieces of Example 5 were approximately the same size as the rectangular size of the light shielding part of the mask shown in FIG. Furthermore, since unnecessary parts of the rectangular pieces were cut into pieces by LLO, the outer shape was not a clean straight line but jagged.
  • Example 5 As shown in Table 1, the normality rate of individual piece processing in Example 5 was 100%, the burr occurrence rate of individual piece processing was 0%, and the reaction rate of individual piece processing was 20% or less. Furthermore, the quality of the individual piece transfer in Example 5 was 99% or more, and the evaluation of positional accuracy was C. Furthermore, the lighting rate in the lighting test in Example 5 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • FIG. 26 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 6.
  • a mask having a light-shielding part of 30 ⁇ m wide by 40 ⁇ m long at the center of a rectangular window of 80 ⁇ m ⁇ 80 ⁇ m is used, and the spot of the laser beam is placed in a square shadow at the center of the square.
  • the shape is as follows. Then, in the same manner as in Example 1, except that unnecessary portions of the anisotropic conductive film were removed at square pitches in the vertical or horizontal direction of the window portion of the mask, square pieces of 30 ⁇ m in width x 40 ⁇ m in height were prepared. 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) were formed with a horizontal pitch of 120 ⁇ m and a vertical pitch of 160 ⁇ m.
  • Example 6 As shown in Table 1, the normality rate of the individual piece processing in Example 6 was 100%, the burr occurrence rate of the individual piece processing was 1%, and the reaction rate of the individual piece processing was 20% or less. In addition, the quality of the individual piece transfer in Example 6 was 97%, and the evaluation of position accuracy was C. Furthermore, the lighting rate in the lighting test in Example 6 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • FIG. 27 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 7.
  • a mask having a light-shielding part with rounded corners of a rectangle measuring 30 ⁇ m wide by 40 ⁇ m high was used at the center of a square window measuring 125 ⁇ m ⁇ 125 ⁇ m.
  • the shape is a rectangle with rounded corners in the center.
  • the corners of the 30 ⁇ m wide x 40 ⁇ m long square were rounded in the same manner as in Example 1, except that unnecessary parts of the anisotropic conductive film were removed at the pitch of the squares in the vertical or horizontal direction of the window portion of the mask.
  • the pieces were formed into 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) with a horizontal pitch of 120 ⁇ m and a vertical pitch of 160 ⁇ m.
  • Example 7 As shown in Table 2, the normality rate of piece processing in Example 7 was 100%, the burr occurrence rate of piece processing was 0%, and the reaction rate of piece processing was 20% or less. Moreover, the quality of the individual piece transfer in Example 7 was 99% or more, and the evaluation of position accuracy was C. Further, the lighting rate in the lighting test in Example 7 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • FIG. 28 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 8.
  • a mask having an elliptical light-shielding part of 60 ⁇ m wide by 80 ⁇ m high at the center of a rectangular window of 158 ⁇ m ⁇ 158 ⁇ m is used, and the laser beam spot is set in an elliptical shape at the center of the rectangle. The shape has a shadow.
  • elliptical pieces of 60 ⁇ m in width x 80 ⁇ m in height were formed. 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) were formed with a horizontal pitch of 120 ⁇ m and a vertical pitch of 160 ⁇ m.
  • FIG. 29 is a micrograph showing an elliptical piece of Example 8.
  • the individual pieces of Example 8 were approximately the same size as the ellipse of the light shielding part of the mask shown in FIG.
  • the elliptical pieces had a more beautiful outer shape than the square pieces. This is thought to be because there are fewer parts that conform to straight lines than in the case of rectangular individual pieces.
  • Example 8 As shown in Table 2, the normality rate of piece processing in Example 8 was 100%, the burr occurrence rate of piece processing was 0%, and the reaction rate of piece processing was 20% or less. In addition, the quality of the individual piece transfer in Example 8 was 99% or more, and the evaluation of position accuracy was B. Further, the lighting rate in the lighting test in Example 8 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • FIG. 30 is a plan view schematically showing the mask shape of Example 9.
  • a mask having a circular light-shielding part measuring 80 ⁇ m wide by 80 ⁇ m high at the center of a rectangular window of 158 ⁇ m ⁇ 158 ⁇ m is used, and the laser beam spot is set in a circular shape at the center of the rectangle. The shape has a shadow.
  • circular pieces of 80 ⁇ m wide x 80 ⁇ m long were prepared in the same manner as in Example 1, except that unnecessary parts of the anisotropic conductive film were removed at square pitches in the vertical or horizontal direction of the window portion of the mask. 100 ⁇ 100 pcs (total 10,000 pcs) were formed with a horizontal pitch of 120 ⁇ m and a vertical pitch of 160 ⁇ m.
  • FIG. 31 is a micrograph showing a circular piece of Example 9.
  • the individual pieces of Example 9 were approximately the same size as the circular shape of the light shielding part of the mask shown in FIG. Furthermore, the circular pieces had a more beautiful outer shape than the square pieces. This is thought to be because there are fewer parts that conform to straight lines than in the case of rectangular individual pieces.
  • Example 9 As shown in Table 2, the normality rate of piece processing in Example 9 was 100%, the burr occurrence rate of piece processing was 0%, and the reaction rate of piece processing was 20% or less. In addition, the good product rate of individual piece transfer in Example 9 was 99% or more, and the evaluation of position accuracy was A. Further, the lighting rate in the lighting test in Example 9 was similar to the non-defective rate of individual piece transfer.
  • the laser device used was an excimer laser with an oscillation wavelength of 248 nm.
  • the pulse energy of the laser beam was 600 J
  • the fluence was 500 J/cm 2
  • the pulse width (irradiation time) was 30,000 picoseconds
  • the pulse frequency was 0.01 kHz
  • the number of irradiation pulses was 10 pulses for each piece.
  • a mask having a rectangular window of 125 ⁇ m x 125 ⁇ m was used, and the laser beam spot was made into a rectangular shape. Then, after removing unnecessary parts in the vertical direction of the anisotropic conductive film at the pitch of the squares in the vertical direction of the window part of the mask, the anisotropic conductive film is removed in the horizontal direction at the pitch of the squares in the vertical direction of the window part of the mask. Unnecessary parts were removed, and 100 x 100 pcs (total 10,000 pcs) of rectangular pieces measuring 30 ⁇ m in width x 40 ⁇ m in height were formed with a pitch of 120 ⁇ m in width and 160 ⁇ m in length.
  • the normality rate of piece processing in Comparative Example 1 was 100%, the burr occurrence rate of piece work was 2%, and the reaction rate of piece work was 70% or more.
  • the non-defective rate of individual piece transfer in Comparative Example 1 was 0%, and the evaluation of position accuracy was E.
  • Table 1 shows the evaluation results of individual piece processing and individual piece transfer of Examples 1 to 6, and Table 2 shows the evaluation results of individual piece processing and individual piece transfer of Examples 7 to 9 and Comparative Examples 1 and 2. The evaluation results for one-sided transfer are shown.
  • Comparative Example 1 the reaction rate of the individual pieces was as high as 70% or more. This is thought to be because the laser light is irradiated from the anisotropic conductive film side, and the fluence and number of irradiation pulses to sublimate unnecessary parts are large, and the radiant heat also affects the surrounding individual pieces. Furthermore, in Comparative Example 1, the reaction rate of the individual pieces was high, so it was difficult to transfer the individual pieces. In Comparative Example 2, since a blade dicing device was used, it was not possible to produce small individual pieces of 60 ⁇ m in width x 80 ⁇ m in length.
  • Examples 1 to 9 a laser lift-off device is used to irradiate laser light from the base material side to remove the anisotropic conductive film in the irradiated area, so the reaction rate of each piece is 25% or less. I was able to do that. For this reason, it was possible to obtain excellent evaluation results for individual piece processing and evaluation results for individual piece transfer. Further, in Examples 4 to 9, the incidence of burrs could be suppressed by using a mask having individual piece-shaped light shielding parts within the opening window. This is thought to be because the anisotropic conductive film at the periphery of each piece could be reliably removed using the mask having the light shielding portion in the shape of each piece. Furthermore, in Examples 7 to 9, particularly excellent evaluation results of individual piece transfer could be obtained.

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Abstract

個片の優れた加工性及び転写性を得ることができるマスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有し、遮光部の外周にレーザー光を透過させるマスクを用い、基材（２１）上に設けられた硬化性樹脂膜（２２）に対して基材（２１）側からレーザー光を照射し、該照射部分の硬化性樹脂膜（２２）を除去し（除去部（２３））、基材（２１）上に反応率が２５％以下である硬化性樹脂膜（２２）からなる所定形状の個片を形成する。これにより、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができ、タクトタイムを向上させることができる。

Description

マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置
　本技術は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、接着剤フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Film）等の接続フィルムを個片化する個片フィルムの製造方法、及び個片フィルムに関する。また、個片フィルムを介して発光素子を接続させ、配列させる表示装置の製造方法、及び表示装置に関する。特にミニＬＥＤ（Light Emitting Diode）、マイクロＬＥＤ等のＬＥＤ素子を接続させ、配列させる表示装置の製造方法、及び表示装置に関する。本出願は、日本国において２０２２年９月１３日に出願された日本特許出願番号特願２０２２－１４５３１２を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照されることにより、本出願に援用される。
　次世代ディスプレイとして、ミニＬＥＤやマイクロＬＥＤディスプレイの開発が注目を集めている。ミニＬＥＤやマイクロＬＥＤディスプレイは、微小な発光素子を基板上に配列して構成されているため、液晶ディスプレイに必要とされるバックライトを省略可能であり、ディスプレイの薄膜化を図ることができ、また、さらなる広色域化、高精細化、省電力化を図ることができる。
　特許文献１には、ＬＥＤをＡＣＦで接合する工法が開示されている。特許文献１に記載の工法では、ＡＣＦを基板の素子搭載面に一括で貼り付けるため、ＡＣＦの接着樹脂及び導電粒子が各ＬＥＤピッチ間に残存してしまう。このため、発光素子アレイに光透過性が求められる場合、光の透過を妨げてしまい、優れた光透過性を得ることができない。また、フィルムを基板全面に設けた場合、不良発生時のリペア工数が増加するといった生産性への悪影響が懸念される。
　一方、ＡＣＦをＬＥＤの直下のみに貼り付ける場合、ＡＣＦの接着樹脂及び導電粒子が各ＬＥＤピッチ間に残存することがなく、光の透過を妨げることがないため、光透過性を得ることができる。
　しかしながら、ＡＣＦ等の接続フィルムをＬＥＤの直下にのみ貼り付けることは困難である。例えば、接続フィルムの個片を形成した後、個片を基板に貼り付ける場合において、個片の形状が悪い場合、基板又はＬＥＤへの個片の転写性が悪化してしまい、ディスプレイ製造のタクトタイムが悪化してしまう。
米国特許出願公開第２０１５／０２５５５０５号明細書
　本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができるマスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。
　本発明者らは上記課題を解決するため鋭意研究した結果、下記技術により上記目的を達成できることを見出した。
［１］
　レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有し、
　前記遮光部の外周にレーザー光を透過させるマスク。
［２］
　前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である［１］記載のマスク。
［３］
　遮光膜が形成された透光基板に対し、レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有するように、前記遮光膜を除去するマスクの製造方法。
［４］
　基材上に設けられた硬化性樹脂膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の硬化性樹脂膜を除去し、前記基材上に反応率が２５％以下である硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、
　前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる転写工程と、
　前記転写された個片を介して、前記発光素子を前記配線基板に実装させる実装工程と
　を有する表示装置の製造方法。
［５］
　前記形成工程では、前記所定形状の遮光部が形成されたマスクを介して前記レーザー光を照射する［４］記載の表示装置の製造方法。
［６］
　前記転写工程では、前記基材側からレーザー光を照射して前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる［４］記載の表示装置の製造方法。
［７］
　前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である［４］記載の表示装置の製造方法。
［８］
　前記個片が、前記基材上に配列されてなる［４］記載の表示装置の製造方法。
［９］
　前記個片間の距離が、１０μｍ以上である［８］記載の表示装置の製造方法。
［１０］
　複数の発光素子と、
　前記発光素子を配列する配線基板と、
　前記複数の発光素子と前記配線基板とを接続させた硬化膜とを備え、
　前記硬化膜が、硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、
　前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である表示装置。
［１１］
　前記個片間の距離が、１０μｍ以上である［１０］記載の表示装置。
［１２］
　前記発光素子が、１画素を構成するサブピクセル単位で配列されてなる［１０］記載の表示装置。
［１３］
　前記個片が、前記配線基板上にサブピクセル単位若しくはピクセル単位で配列されてなる［１０］記載の表示装置。
　本技術によれば、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができ、タクトタイムを向上させることができる。
図１は、本実施の形態に係るレーザーリフトオフ装置の一例を模式的に示す図である。 図２は、具体例１として示す個片フィルムの製造方法の一例を説明するための図であり、図２（Ａ）は、基材上に硬化性樹脂膜が形成された硬化性樹脂膜基板を示し、図２（Ｂ）は、第１方向に除去部を剥離させる様子を示し、図２（Ｃ）は、第２方向に除去部を剥離させる様子を示し、図２（Ｄ）は、基材上に硬化性樹脂膜の個片が形成された個片フィルムを示す。 図３（Ａ）は、開口の窓部が四角形状であるマスクの一例を模式的に示す図であり、図３（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。 図４（Ａ）は、個片加工時におけるバリが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真であり、図４（Ｂ）は、個片転写時における捲れや欠けが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真である。 図５（Ａ）は、開口の窓部内に遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図であり、図５（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。 図６は、開口の窓部内に複数の遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図である。 図７は、マスクの開口の形状例を模式的に示す図であり、図７（Ａ）は、開口の窓部内に矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図７（Ｂ）は、開口の窓部内に正方形状の遮光部を有するマスクを示し、図７（Ｃ）は、開口の窓部内に角が丸い矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図７（Ｄ）は、開口の窓部内に円形状の遮光部を有するマスクを示す。 図８は、基材に設けられた異方性導電膜を模式的に示す断面図である。 図９は、個片フィルムと、配線基板とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。 図１０は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。 図１１は、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。 図１２は、基板側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板上に電極位置で転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。 図１３は、配線基板に電極単位で配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。 図１４は、基材に設けられた異方性導電膜の個片と、転写基板に配列された発光素子とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。 図１５は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させた状態を模式的に示す断面図である。 図１６は、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる状態を模式的に示す断面図である。 図１７は、転写前後における個片の位置ずれを説明するための図である。 図１８は、実装体の作製方法を模式的に示す図であり、図１８（Ａ）は、個片を準備する工程を示し、図１８（Ｂ）は、基板に個片を転写する工程を示し、図１８（Ｃ）は、μＬＥＤ素子を仮固定する工程を示し、図１８（Ｄ）は、μＬＥＤ素子を圧着させる工程を示す。 図１９は、点灯試験のための評価基板を模式的に示す平面図である。 図２０（Ａ）は、μＬＥＤ素子の電極面を模式的に示す平面図であり、図２０（Ｂ）は、μＬＥＤ素子を評価基板に実装した様子を模式的に示す図である。 図２１は、実施例１のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２２は、実施例３のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２３は、実施例４のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２４は、実施例５のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２５は、実施例５の四角形の個片を示す顕微鏡写真である。 図２６は、実施例６のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２７は、実施例７のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２８は、実施例８のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図２９は、実施例８の楕円の個片を示す顕微鏡写真である。 図３０は、実施例９のマスク形状を模式的に示す平面図である。 図３１は、実施例９の円形の個片を示す顕微鏡写真である。
　以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．個片フィルムの製造方法
２．個片フィルム
３．表示装置の製造方法
４．表示装置
５．実施例
　＜１．個片フィルムの製造方法＞
　本実施の形態に係る個片フィルムの製造方法は、基材上に設けられた硬化性樹脂膜に対して基材側からレーザー光を照射し、照射部分の硬化性樹脂膜を除去し、基材上に硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片を形成する。ここで、所定形状の個片の反応率は、好ましくは２５％以下、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。これにより、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができる。
　なお、レーザー照射前の硬化性樹脂膜やレーザー照射後に得られた個片の反応率の測定は、例えばＦＴ－ＩＲを用いて反応基の減少率により求めることができる。個片が小さい場合は、個片を打ちぬいた膜の端部から反応率を測定してもよい。また、レーザー照射前の個片の反応率の測定は、例えば冷蔵庫から取り出して室温で８時間以内にすることが好ましく、レーザー照射後の個片の反応率の測定は、レーザー照射後室温で８時間以内にすることが好ましい。
　エポキシ化合物の反応を利用した硬化性樹脂膜の場合は、例えば次のように試料を作製し、ＦＴ－ＩＲを用いて反応率を測定することができる。先ず、レーザー照射後、基板上に残る個片を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングし、レーザー照射後の試料を得る。次に、サンプリングした試料をダイヤモンド・セル上に乗せ、ダイヤモンド・セル上で薄く平らにし、サンプルホルダーに取り付け装置本体にセットする。
　なお、本測定に使用したダイヤモンド・セルは２枚１組になっており、試料を２枚のセル板に挟んで締め付け押し潰す。その後、試料が付いているセル板１枚を用いて測定する。測定する際に必要となる試料量は極微量である。試料量が多すぎると、試料を薄く押しつぶすことができないため、試料膜厚の厚い状態での測定になる。その結果、ベースラインが下がったり、傾いたり、またピークが飽和してしまい、スペクトルの解析を困難にする。したがって、試料量については，ダイヤモンド・セル上で薄く調整できる程度（例えば、１０μｍ以下の膜厚に押しつぶすことができる程度）の量をサンプリングすることが好ましい。
　検出器は、冷却させておくことで感度が大きく向上するため、予め測定前に液体窒素を用いて検出器を３０ｍｉｎ程度冷却させる。また、ＦＴ－ＩＲの測定条件は、例えば、下記のように設定する。
　測定方式：透過式
　測定温度：２５℃
　測定湿度：６０％以下
　測定時間：１２ｓｅｃ
　検出器のスペクトル領域範囲：４０００～７００ｃｍ－１
　そして、ダイヤモンド・セルを赤外顕微鏡にセッティングし、バックグラウンド測定を実施する。バックグラウンド測定位置は、試料測定位置のなるべく近くにすることで良好なベースラインを得やすくなる。次いで、レーザー照射後の試料に赤外線を照射させて、レーザー照射後の硬化性樹脂膜のＩＲスペクトルを得る。また、上記レーザー照射後の試料と同様に、レーザー照射前（個片化前）の硬化性樹脂膜を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングし、レーザー照射前の硬化性樹脂膜のＩＲスペクトルを得る。反応率は、ＩＲスペクトルのメチル基（２９３０ｃｍ－１付近）及びエポキシ基（９１４ｃｍ－１付近）のピーク高さを測定し、下記式のように、メチル基のピーク高さに対するエポキシ基のピーク高さの反応前後（例えばレーザー照射前後）の比率で算出することができる。
　反応率（％）＝｛１－（ａ／ｂ）／（Ａ／Ｂ）｝×１００
　上記式において、Ａは反応前のエポキシ基のピーク高さ、Ｂは反応前のメチル基のピーク高さ、ａは反応後のエポキシ基のピーク高さ、ｂは反応後のメチル基のピーク高さである。なお、エポキシ基のピークに他のピークが重なる場合は、完全硬化（反応率１００％）させたサンプルのピーク高さを０％とすればよい。
　また、（メタ）アクリレート化合物の反応を利用した硬化性樹脂膜の場合は、エポキシ化合物と同様に、例えば赤外吸収スペクトルのメチル基（２９３０ｃｍ－１付近）及び（メタ）アクリロイル基（１６３５ｃｍ－１付近）のピーク高さを測定し、メチル基のピーク高さに対する（メタ）アクリロイル基のピーク高さの反応前後の比率で算出することができる。
　また、（メタ）アクリロイル基のピーク高さが小さい、または脂環式エポキシ基やオキセタニル基を有する場合は、例えば次のように試料を作製し、ＨＰＬＣ（High Performance Liquid Chromatography）により反応率を求めてもよい。先ず、レーザー照射後、基板上に残る個片を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングし、レーザー照射後の試料を得る。次に、サンプル重量を０．０１５ｍｇ以上採取した後、バイアル瓶に入れて抽出溶媒のアセトニトリルを加える。抽出溶媒量は０.０２５-０.２５％の範囲で任意の濃度を決め計算する。そして、バイアル瓶を測定装置本体にセットし、例えば下記測定条件で、レーザー照射後、基板上に残る個片のＨＰＬＣの測定を行う。また、上記レーザー照射後の試料と同様に、レーザー照射前（個片化前）の硬化性樹脂膜を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングし、レーザー照射前の硬化性樹脂膜のＨＰＬＣの測定を行う。
抽出：ＡＣＮ　０.０２５-０.２５％
機器：ＵＰＬＣ（Ｗａｔｅｒｓ社製）
グラジェント条件：Ａ６０Ｂ４０（１分保持）→５分後にＡ１Ｂ９９（６分保持）
　※Ａは水/アセニト＝９：１、Ｂはアセトニトリル
流量：０.４ｍＬ/ｍｉｎ
カラム：１０ｃｍ
測定温度：４０℃
注入量：５μＬ
　ＨＰＬＣで得られたクロマトグラムから反応前後（レーザー照射前後）の反応性成分の減衰率より下記式のように個片の反応率を算出することができる。
　反応率（％）＝｛１－ｃ／Ｃ｝×１００
　上記式において、Ｃは反応前の反応性成分のピーク高さ又は面積、ｃは反応後の反応性成分のピーク高さ又は面積である。
　基材は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。硬化性樹脂膜は、熱、光などのエネルギーにより硬化するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、熱硬化型バインダー、光硬化型バインダー、熱・光併用硬化型バインダーなどから適宜選択することができる。反応開始剤を含んでいることが好ましい。また、硬化性樹脂膜は、例えば、混合・塗布・乾燥などの公知の方法を用いることにより形成することができる。
　［レーザーリフトオフ装置］
　レーザー光の照射により所定形状の個片を形成する装置として、例えば、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）装置を用いることができる。レーザーリフトオフ装置は、基材上に形成された材料層に対してレーザー光を照射し、基材から材料層を剥離するものであり、レーザーリフトオフ装置として、例えば信越化学工業（株）製、商品名「Invisi LUM-XTR」などを挙げることができる。
　図１は、本実施の形態に係るレーザーリフトオフ装置の一例を模式的に示す図である。図１に示すように、レーザーリフトオフ装置１０は、レーザー光の光軸を走査するレーザースキャナ１１と、所定のピッチにて所定の形状の開口が複数配列されたマスク１２と、レーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズ１３と、ドナー基板を保持するドナーステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージとを備える。個片フィルムの形成では、基材２１上に硬化性樹脂膜２２が形成された硬化性樹脂膜基板２０をドナー基板としてドナーステージに保持し、レセプター基板で硬化性樹脂膜基板２０から分離された硬化性樹脂膜の除去部２３を受け止める。
　レーザー装置としては、例えば波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍのレーザー光を発振するエキシマレーザーを用いることができる。エキシマレーザーの発振波長は、例えば１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍであり、これらの発振波長の中から硬化性樹脂膜２２の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。また、基材２１と硬化性樹脂膜２２との間にリリース材を設けた場合、リリース材の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。
　レーザースキャナ１１は、例えば２軸のガルバノスキャナーで構成されたスキャニングミラーを有し、マスク１２上の開口に向けて、レーザー光の光軸をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査するとともに、レーザー光のパルス照射を制御する。
　マスク１２は、基材２１と硬化性樹脂膜２２との境界面におけるレーザー光の照射が所定の形状となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列のパターンが形成されている。マスクには、例えばクロムメッキにてパターンが施され遮光部になり、クロムメッキが施されていない窓部分はレーザー光を透過し、クロムメッキが施されている部分はレーザー光を遮断する。
　投影レンズ１３は、マスク１２のパターンを通過したレーザー光をドナー基板に投影する。また、ドナーステージは、少なくともＸ軸及びＹ軸に移動させる移動機構を有し、ドナー基板のレーザー光の照射位置を移動させる。
　レーザーリフトオフ装置１０は、レーザースキャナ１１と、マスク１２と、レーザースキャナ１１とマスク１２との間に配置されたフィールドレンズ、少なくとも像側がテレセントリックな縮小投影レンズ１３を含む構成からなる走査型縮小投影光学系を構成する。
　レーザー装置からの出射光は、テレスコープ光学系に入射し、その先のレーザースキャナ１１へと伝搬する。レーザースキャナ１１に入射する直前におけるレーザー光は、ドナーステージのＸ軸及びＹ軸の移動範囲内のいずれの位置においても、概ね平行光となるようテレスコープ光学系により調整され、レーザースキャナ１１に対し、概ね同一サイズ、同一角度（垂直）により入射する。
　レーザースキャナ１１を通過したレーザー光は、フィールドレンズを経てマスク１２に入射し、マスク１２のパターンを通過したレーザー光は、投影レンズ１３に入射する。投影レンズ１３から出射されたレーザー光は、基材２１側から入射し、基材２１と硬化性樹脂膜２２との境界面の所定の位置に対し、マスク１２の開口の形状で正確に投影される。マスクの開口部からレーザー光が硬化性樹脂膜に投影され、投影された部分の硬化性樹脂膜２２が除かれ、遮光部に相当する形状の硬化性樹脂膜が残存することになる。
　基材２１と硬化性樹脂膜２２との境界面で結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、好ましくは０．００１～２Ｊ、より好ましくは０．０１～１．５Ｊであり、さらに好ましくは０．１～１Ｊである。フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、好ましくは０．００１～２Ｊ／ｃｍ２であり、より好ましくは０．０１～１Ｊ／ｃｍ２であり、さらに好ましくは０．０５～０．５Ｊ／ｃｍ２である。パルス幅（照射時間）は、好ましくは０．０１～１×１０９ピコ秒であり、より好ましくは０．１～１×１０７ピコ秒であり、さらに好ましくは１～１×１０５ピコ秒である。パルス周波数は、好ましくは０．１～１００００Ｈｚ、より好ましくは１～１０００Ｈｚ、さらに好ましくは１～１００Ｈｚである。照射パルス数は、好ましくは１～３０，０００，０００である。
　このようなレーザーリフトオフ装置を用いることにより、基材２１と硬化性樹脂膜２２との境界面に衝撃波を発生させ、基材２１から硬化性樹脂膜２２の除去部２３を剥離させ、基材２１上の残存部により所定形状の個片を高精度及び高効率に形成することができ、優れた加工性を得ることができる。また、所定形状の個片は、レーザー光の照射による影響が小さいため、個片の反応率を２５％以下、好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下とすることができ、優れた転写性を得ることができる。なお、反応率の測定は、例えばＦＴ－ＩＲを用いて求めることができる。
　［具体例１］
　具体例１として示す個片フィルムの製造方法は、開口の窓部が四角形状であるマスクを用い、基材から硬化性樹脂膜の不要部分を剥離し、硬化性樹脂膜の残存部分で四角形状の個片を構成する。
　図２は、具体例１として示す個片フィルムの製造方法の一例を説明するための図であり、図２（Ａ）は、基材上に硬化性樹脂膜が形成された硬化性樹脂膜基板を示し、図２（Ｂ）は、第１方向に除去部を剥離させる様子を示し、図２（Ｃ）は、第２方向に除去部を剥離させる様子を示し、図２（Ｄ）は、基材上に硬化性樹脂膜の個片が形成された個片フィルムを示す。また、図３（Ａ）は、開口の窓部が四角形状であるマスクの一例を模式的に示す図であり、図３（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。なお、図２及び図３では、マスクの開口を１つとしているが、所定のピッチにて開口が複数配列されていることが望ましい。
　先ず、図２（Ａ）に示すように、基材３１上に硬化性樹脂膜３２が形成された硬化性樹脂膜基板３０を準備する。次に、図２（Ｂ）及び図３（Ｂ）に示すように、硬化性樹脂膜基板３０を反転させ、基材３１側からレーザー光を照射し、マスクの開口の四角形状の窓部を通過したレーザー光により、硬化性樹脂膜３２の四角形状の除去部３３を剥離させる。そして、図３（Ｂ）に示すように、四角形状の除去部３３の範囲を第１の方向Ｄ１に移動させ、第１の方向Ｄ１を長手方向とし、第１の方向Ｄ１に直交する第２の方向Ｄ２を短手方向とする硬化性樹脂膜を形成する。
　続いて、図２（Ｃ）及び図３（Ｂ）に示すように、第１の方向Ｄ１を長手方向とし、第１の方向Ｄ１に直交する第２の方向Ｄ２を短手方向とする硬化性樹脂膜に対して、四角形状の除去部３３の範囲を第２の方向Ｄ２に移動させる。これにより、図２（Ｄ）に示すように、第１の方向Ｄ１に所定幅、及び第２の方向Ｄ２に所定幅を有する四角形状の個片３４を形成することができる。
　四角形状の除去部３３の範囲を第１の方向又は第２の方向に移動させる際、四角形状の除去部３３の範囲をオーバーラップさせることが好ましい。これにより、個片加工時におけるバリの発生を抑制し、個片転写時における捲れや欠けを抑制することができる。
　図４（Ａ）は、個片加工時におけるバリが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真であり、図４（Ｂ）は、個片転写時における捲れや欠けが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真である。除去部の範囲を移動させる場合において、除去部の範囲の重複が不十分である場合、図４（Ａ）に示すように、隣接する除去部の範囲の境界においてバリが発生した個片４１が形成されることがある。バリが発生した個片４１は、正確な位置に転写することが困難となり、図４（Ｂ）に示すように捲れが発生した個片４２や欠けが発生した個片４３となり、転写成功率が低下してしまう。
　［具体例２］
　具体例２として示す個片フィルムの製造方法は、開口の窓部内に所定形状の遮光部が形成されたマスクを用い、基材から個片周囲の硬化性樹脂膜の不要部分を剥離し、硬化性樹脂膜の残存部分で所定形状の個片を構成する。
　具体例２において、レーザーリフトオフ装置に用いられるマスク（フォトマスク）は、レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有し、遮光部の外周にレーザー光を透過させる。このような構成によれば、マスクの開口へのレーザー光の照射により、個片周囲の不要部分を剥離させることができる。また、後述するように、遮光部の形状は、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これによりＬＬＯによる個片転写時に捲れや欠けの発生が少ない個片を得ることができる。
　このようなマスクは、遮光膜が形成された透光基板に対し、レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有するように、遮光膜を除去することで得ることができる。具体的には、石英ガラス基板上にクロム等が蒸着した遮光膜を形成したフォトマスクブランクスを準備し、フォトマスクブランクスの表面にレジスト(感光性樹脂)を均一に塗布し、電子ビームを用いて開口内に所定形状の遮光部を有するパターンを描画する露光工程と、電子ビームによって露光されたレジストを除去する（露光しなかった部分が除去される場合もある）現像工程と、遮光膜が露出した部分を反応性ガスによるドライエッチングするエッチング工程と、残りのレジストを除去する除去工程とによって前述のマスクを製造することができる。
　図５（Ａ）は、開口の窓部内に遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図であり、図５（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では、マスクの開口を１つとしているが、所定のピッチにて開口が複数配列されていることが望ましい。
　先ず、具体例１と同様、基材上に硬化性樹脂膜が形成された硬化性樹脂膜基板を準備し、硬化性樹脂膜基板を反転させ、基材側からレーザー光を照射し、マスクの開口を通過したレーザー光により、硬化性樹脂膜の除去部を剥離させる。図５（Ａ）に示すように、マスクの開口は、四角形状の窓部内の中心に四角形状の遮光部５１を有するため、除去部は、四角形状の中心に四角形状の穴を有するドーナツ状となる。遮光部は、窓部内の中心に点在し、窓枠とつながっていないことが好ましい。窓部内に遮光部のみが残存することで、上述した第１の方向および第２の方向への移動をせずに、不要部分の除去を行うことができる。そして、図５（Ｂ）に示すように、四角形状の除去部の範囲を第１の方向及び第１の方向に直交する第２の方向に移動させ、同様の操作を行うことで、第１の方向および第２の方向に隣接して同形状の四角形状の個片５２を形成する。
　具体例２として示す個片フィルムの製造方法によれば、マスクの開口の窓部内に個片５２を形成するための遮光部５１を有するため、個片５２の周囲の硬化性樹脂膜を確実に除去することができる。このため、個片加工時におけるバリの発生を防止することができ、個片転写時における捲れや欠けを抑制することができる。
　図６は、開口の窓部内に複数の遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図である。前述した図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では、マスクの開口の窓内に遮光部を１つとしているが、例えば、図６に示すように、遮光部５３が開口の窓部内にＸ軸方向に所定のピッチ及びＹ軸の方向に所定のピッチで複数形成されていてもよい。窓部の大きさ（Ｗ１×Ｗ２）は、マスクの大きさやレーザー光照射の有効範囲の最大値に基づいて決めることができる。このようなマスクを用いることにより、レーザー光の１度の照射で複数の個片を形成することができる。
　［開口の形状例］
　図７は、マスクの開口の形状例を模式的に示す図であり、図７（Ａ）は、開口の窓部内に矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図７（Ｂ）は、開口の窓部内に正方形状の遮光部を有するマスクを示し、図７（Ｃ）は、開口の窓部内に角が丸い矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図７（Ｄ）は、開口の窓部内に円形状の遮光部を有するマスクを示す。
　マスクの開口は、図７（Ａ）に示すように開口の窓部内に矩形状の遮光部５４Ａを有してもよく、図７（Ｂ）に示すように正方形状の遮光部５４Ｂを有してもよく、図７（Ｃ）に示すように角が丸い矩形状の遮光部５４Ｃを有してもよく、図７（Ｄ）に示すように円形状の遮光部５４Ｄを有してもよい。これにより、遮光部の形状を投影した、矩形、正方形、角が丸い矩形、円形の個片を得ることができる。また、個片の加工性、及びＬＬＯによる転写の観点からは、遮光部の形状は、例えば、鈍角（９０°より大きく１８０°よりも小さい角）からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、円などであることが好ましい。遮光部の形状に鋭角の角がある場合、個片の加工性が悪化し、また、個片のＬＬＯによる転写時に個片の捲れや欠けが発生する頻度が高くなる。
　＜２．個片フィルム＞
　本実施の形態に係る個片フィルムは、前述した個片フィルムの製造方法により得ることができる。すなわち、個片フィルムは、基材と、硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片とを備える。ここで、所定形状の個片の反応率は、好ましくは２５％以下、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。これにより、個片の優れた転写性を得ることができる。
　個片の形状は、前述したように、ＬＬＯによる個片転写時における捲れや欠けの発生を抑制するため、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、基材は、前述したように、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。
　個片の寸法（縦×横）は、接続対象である電子部品もしくは電子部品の電極の寸法に応じて適宜設定され、電子部品の面積に対する個片の面積の比は、好ましくは０．５～５．０、より好ましくは０．５～４．０、さらに好ましくは０．５～２．０である。また、個片の厚みは、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上６μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。個片の厚みは、公知のマイクロメータ、デジタルシックネスゲージ、レーザー変位計などを用いて測定することができ、例えば１０箇所以上を測定し、平均して算出することができる。個片の寸法は、全て同じあることが好ましいが、接続構造体の設計自由度を高めるため、複数種類存在してもよい。
　また、基材上の個片間の距離は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、個片の転写が困難となり、個片間の距離が大き過ぎる場合、個片を貼り付ける方法が好ましくなる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。
　［硬化性樹脂膜］
　硬化性樹脂膜は、前述したように、熱、光などのエネルギーにより硬化するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、熱硬化型バインダー、光硬化型バインダー、熱・光併用硬化型バインダーなどから適宜選択することができる。
　熱硬化型バインダーとしては、例えば、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合型樹脂組成物などが挙げられる。光硬化型バインダーとしては、例えば、エポキシ化合物と光カチオン重合開始剤とを含む光カチオン重合型樹脂組成物、（メタ）アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合型樹脂組成物などが挙げられる。熱・光併用硬化型バインダーとしては、熱硬化型バインダーと光硬化型バインダーとの混合物などが挙げられる。なお、（メタ）アクリレート化合物とは、アクリルモノマー（オリゴマー）、及びメタクリルモノマー（オリゴマー）のいずれも含む意味である。
　（熱カチオン重合型樹脂組成物）
　以下では、熱硬化型バインダーの具体例として、膜形成樹脂と、エポキシ化合物と、熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物を例に挙げて説明する。
　膜形成樹脂としては、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、１００００～８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からブチラール樹脂を用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、熱硬化型バインダー１００質量部に対し、好ましくは２０～７０質量部、より好ましくは３０～６０質量部以下、さらに好ましくは４５～５５質量部である。
　エポキシ化合物は、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。これらの中でも、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルを好ましく用いることができる。水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルの具体例としては、例えば三菱ケミカル社製の商品名「ＹＸ８０００」を挙げることができる。エポキシ化合物の含有量は、熱硬化型バインダー１００質量部に対し、好ましくは３０～６０質量部、より好ましくは３５～５５質量部以下、さらに好ましくは３５～４５質量部である。
　熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱カチオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により、カチオン重合型化合物をカチオン重合させ得る酸を発生するものであり、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができる。これらの中でも、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。芳香族スルホニウム塩系の重合開始剤の具体例としては、例えば三新化学工業株式会社製の商品名「ＳＩ－６０Ｌ」を挙げることができる。熱カチオン重合開始剤の含有量は、熱硬化型バインダー１００質量部に対し、好ましくは１～２０質量部、より好ましくは５～１５質量部以下、さらに好ましくは８～１２質量部である。
　なお、熱硬化型バインダーに配合する他の添加物として、必要に応じて、ゴム成分、無機フィラー、シランカップリング剤、希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤などを配合してもよい。
　ゴム成分は、クッション性（衝撃吸収性）の高いエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂（ポリウレタン系エラストマー）などを挙げることができる。無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を用いることができる。無機フィラーは、単独でも２種類以上を併用してもよい。
　このような構成からなる熱硬化型バインダーにより、レーザー光により個片を形成する際の硬化反応を抑制することができ、熱圧着の際には熱により速硬化させることができる。
　（異方性導電膜）
　また、硬化性樹脂膜は、導電粒子をさらに含有する異方性導電膜であることが好ましい。導電粒子としては、公知の異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル（融点　１４５５℃）、銅（融点　１０８５℃）、銀（融点　９６１．８℃）、金（融点　１０６４℃）、パラジウム（融点　１５５５℃）、錫（融点　２３１．９℃）、ホウ化ニッケル（融点　１２３０℃）、ルテニウム（融点　２３３４℃）、錫合金であるはんだ等の金属粒子が挙げられる。また、例えば、金属粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆された金属被覆金属粒子などが挙げられる。また、例えば、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン、スチレン及びジビニルベンゼンから選ばれる少なくとも１種のモノマーをモノマー単位として含むポリマー等の樹脂粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子が挙げられる。また、例えば、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等の無機粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆した金属被覆無機粒子などが挙げられる。また、金属被覆樹脂粒子及び金属被覆無機粒子の被覆金属層は、単層でもよいし異種金属の複層であってもよい。
　また、これらの導電粒子を、例えば、樹脂層や、樹脂粒子、無機粒子等の絶縁性粒子にて被覆することにより絶縁被覆処理を施してもよい。本発明における導電粒子の粒子径は、絶縁被覆処理の部分を含まない。導電粒子の粒子径は、実装される光学素子、配線基板の電極、バンプの面積などにより適宜変更されるが、１～３０μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましく、１～３μｍであることが特に好ましい。例えば、マイクロＬＥＤ素子の実装に使用される場合、電極やバンプの面積が小さいため、導電粒子の粒子径は、１～３μｍであることが好ましく、１～２．５μｍであることがより好ましく、１～２．２μｍであることが特に好ましい。粒子径は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）で２００個以上を計測し、その平均値とすることができる。
　また、導電粒子が前述した樹脂粒子又は無機粒子に金属を被覆した金属被覆樹脂粒子又は金属被覆無機粒子である場合、金属の被覆厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。この被覆厚みは、金属被覆が複層である場合、金属被覆全体の厚みである。金属の被覆厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られやすく、また導電粒子が硬くなりすぎずに、前述した樹脂粒子や無機粒子の特性を活かしやすい。
　金属の被覆厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電粒子の断面を観察することにより測定できる。上記被覆厚みについては、任意の被覆厚み５箇所の平均値を１個の導電粒子の被覆厚みとして算出することが好ましく、被覆部全体の厚みの平均値を１個の導電粒子の被覆厚みとして算出することがより好ましい。上記被覆厚みは、任意の導電粒子１０個について、各導電粒子の被覆厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。
　また、導電粒子の形状としては、球状、楕円体状、スパイク状、不定形状等の形状が挙げられる。これらの中でも、粒子径や粒度分布の制御が容易であることから球状の形状である導電粒子が好ましい。また、導電粒子は、接続性を向上させるために、表面に突起を有していてもよい。
　異方性導電膜は、導電粒子を面方向に配列して構成されていることが好ましい。導電粒子が面方向に配列して構成されていることにより、粒子面密度が均一となり、導通性及び絶縁性を向上させることができる。導電粒子が面方向に配列されている状態とは、例えば、導電粒子が所定ピッチで所定方向に配置されている配列軸を１以上有する平面格子パターンが挙げられ、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子などが挙げられる。また、導電粒子の面方向の配列は、ランダムであってもよく、平面格子パターンが異なる複数の領域を有していてもよい。
　異方性導電膜の粒子面密度は、接続対象の電極サイズに応じて適宜設計でき、粒子面密度の下限は、５００個／ｍｍ２以上、２００００個／ｍｍ２以上、４００００個／ｍｍ２以上、５００００個／ｍｍ２以上とすることができ、粒子面密度の上限は、１５０００００個／ｍｍ２以下、１００００００個／ｍｍ２以下、５０００００個／ｍｍ２以下、１０００００個／ｍｍ２以下とすることができる。これにより、接続対象の電極サイズが小さい場合でも、優れた導通性及び絶縁性を得ることができる。異方性導電膜の粒子面密度は、製造時にフィルム化した際の導電粒子の配列部分のものである。複数の個片から粒子個数密度を求める場合は、個片とスペースを含めた面積から個片間のスペースを除いた面積と粒子数とから粒子面密度を求めることができる。
　異方性導電膜は、フィルム状にすることで、基材に異方性導電膜を設けることが容易となる。取り扱い性の観点からは、異方性導電膜の片面又は両面にポリエチレンテレフタレートフィルム等の離型性フィルムを設けたものであってもよい。また、異方性導電膜は、導電粒子を含有していない接着剤層や粘着剤層を積層してもよく、その層数や積層面は、対象や目的に合わせて適宜選択することができる。
　異方性導電膜の膜厚は、実装される光学素子や配線基板の電極やバンプの高さにより適宜変更可能であり、粒子径の１～１０倍以内であればよく、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上６μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。膜厚は、公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージを用いて測定することができる。膜厚は、例えば１０箇所以上を測定し、平均して求めることができる。
　異方性導電膜を製造する方法としては、例えば、基材上に異方性導電接着剤の溶液を塗布、乾燥する方法や、基材上に導電粒子を含まない接着層を形成し、得られた接着層に導電粒子を固定する方法などが挙げられる。
　＜３．表示装置の製造方法＞
　本実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基材上に設けられた硬化性樹脂膜に対して基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の硬化性樹脂膜を除去し、基材上に硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる転写工程と、転写された個片を介して、発光素子を配線基板に実装させる実装工程とを有する。これにより、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
　個片の形状は、配線基板及び発光素子の電極の形状に対応して形成されており、前述したように、個片の加工性、及びＬＬＯによる個片転写時における捲れや欠けの発生を抑制するため、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、硬化性樹脂膜は、異方性導電膜であってもよい。
　個片は、１画素単位（例えばＲＧＢ１組の１ピクセル単位）、すなわち複数発光素子単位で配列させてもよく、１画素を構成するサブピクセル単位（例えば任意のＲＧＢ単位）、すなわち発光素子単位で配列させてもよい。これにより、高いＰＰＩ（Pixels Per Inch）の発光素子アレイから低いＰＰＩの発光素子アレイまで対応することができる。また、例えばＲＧＢを１ピクセルとする場合、３サブピクセルを１組、もしくはＲＧＢの冗長回路３サブピクセルを含む計６サブピクセルを１組として配列されるため、個片は、１組６サブピクセル単位で配列させてもよい。
　また、個片は、例えば発光素子のｐ側の第１導電型電極又はｎ側の第２導電型電極に対応する電極単位で配列させてもよい。また、個片は、生産性を上げるため、透明性を損なわない範囲、例えば１ｍｍ×１ｍｍを単位で配列させてもよい。
　また、形成工程において、硬化性樹脂膜の不要部を効率よく除去するために、硬化性樹脂膜に前処理を行ってもよい。前処理としては、例えば、発光素子単位や電極単位の個片形状の切り込み、複数の縦方向の切り込み及び複数の横方向の切り込みが交差した格子状の切り込みなどが挙げられる。切り込みは、機械的方法、化学的方法、レーザーなどを用いて設けることができる。なお、切り込みは、基材に達するまで深くなくてもよく、ハーフカットでもよい。これにより、個片のめくれの発生を抑制することができる。
　また、転写工程における個片の転写方法は、特に限定されるものではないが、例えば前述したレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により個片を基材から配線基板又は発光素子に直接転写、配置する方法や、個片を予め密着させた転写材（スタンプ材）を用いて転写材から配線基板又は発光素子に転写、配置する方法が挙げられる。
　また、実装工程における発光素子の配置方法は、特に限定されるものではないが、例えば前述したレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により発光素子を配線基板に配置する方法や、発光素子を予め密着させた転写材（スタンプ材）を用いて転写材から配線基板に配置する方法が挙げられる。
　［第１の実施の形態］
　第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザーリフトオフ装置を用いて、レーザー光の照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ１）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、所定形状の個片を配線基板の所定位置に転写させる転写工程（Ｂ１）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、発光素子を配線基板の所定位置に配列し、発光素子を配線基板に実装させる実装工程（Ｃ１）とを有する。
　以下、図８～図１１を参照して、所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ１）、所定形状の個片を転写させる転写工程（Ｂ１）、及び、発光素子を配線基板に実装する実装工程（Ｃ１）について説明する。
　［形成工程（Ａ１）］
　形成工程（Ａ１）では、基材上に設けられた異方性導電膜を準備し、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて、基材側からレーザー光を照射し、前述したマスクの開口を通過したレーザー光により、異方性導電膜の除去部を剥離させ、個片を形成する。個片の形成方法は、前述した個片フィルムの製造方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　図８は、基材に設けられた異方性導電膜を模式的に示す断面図である。ここで、異方性導電膜６２の基材６１側から厚み方向に導電粒子が存在しない領域Ｘがあることが好ましい。領域Ｘに導電粒子が存在しない状態とは、例えば、導電粒子６３の粒子全体がその領域中に存在しない状態だけでなく、導電粒子６３の一部分も含まれない状態を意味する。言い換えると、領域Ｘを除いた異方性導電膜６２の部分に、すべての導電粒子６３がはみ出すことなく存在することが好ましい。
　なお、異方性導電膜６２の生産性の観点から、異方性導電膜６２の基材６１側から厚み方向にある領域Ｘに、異方性導電膜６２に含まれる全体の導電粒子６３の個数の５％以下とすることが好ましく、１％以下とすることがより好ましい。
　異方性導電膜６２の領域Ｘの基材６１側からの厚みｔは、０～０．０５μｍであってよく、アブレーションによる導電粒子６３の劣化の抑制をより確実にするためには、好ましくは０～０．１μｍ、より好ましくは０～０．１５μｍ、特に好ましくは０～０．２μｍである。領域Ｘは０．２μｍより大きくともよい。尚、下限は０より大きければよく、全体の導電粒子６３の個数の５％まで、好ましくは１％までが基材６１に到達していない（触れていない）状態を指す。この断面は電子顕微鏡の観察から確認できる。
　また、アブレーション耐性を高める観点から、導電粒子６３は、融点が１４００℃以上である金属を含むことが好ましい。入手容易性の観点から、金属の融点の上限は、３５００℃程度であることが好ましい。また、入手容易性の観点から、導電粒子６３を構成する金属は、ニッケル、パラジウム又はルテニウムを含むことが好ましい。
　また、導電粒子６３として、前述した樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子を使用する場合、樹脂粒子や無機粒子へのアブレーションの影響を最小限にするために、金属の被覆厚みを０．０４μｍ以上とすることが好ましく、０．５μｍ以上とすることがより好ましく、０．７５μｍ以上とすることが特に好ましく、０．１μｍ以上とすることが最も好ましい。この金属の被覆厚みの上限は、導電粒子６３の直径によるが、導電粒子６３の直径の２０％又は０．５μｍ程度であることが好ましい。
　［転写工程（Ｂ）］
　図９は、個片フィルムと、配線基板とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。図９に示すように、先ず、転写工程（Ａ）では、個片フィルム６０と配線基板７０とを対向させる。
　個片フィルム６０は、基材６１と導電粒子６３を含有する異方性導電膜からなる個片６４とを備え、基材６１表面に個片６４が発光素子単位で配列されている。基板６１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。
　個片６４の寸法（縦×横）は、チップ部品である発光素子の寸法に応じて適宜設定され、発光素子の面積に対する個片６４の面積の比は、好ましくは０．５～５．０、より好ましくは０．５～４．０、さらに好ましくは０．５～２．０である。また、個片６４の厚みは、好ましくは２～１０μｍ、より好ましくは３～８μｍ以下、さらに好ましくは４～６μｍ以下である。個片の寸法は、全て同じあることが好ましいが、接続構造体の設計自由度を高めるため、複数種類存在してもよい。これにより、従来のＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＮＣＦ（Non Conductive Film）、接着剤などの接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を有する接続構造体を得ることができる。
　また、基材６１上に配列した個片間の距離は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、個片の転写が困難となり、個片間の距離が大き過ぎる場合、個片を貼り付ける方法が好ましくなる。片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。
　配線基板７０は、基材７１上に第１導電型用回路パターンと、第２導電型用回路パターンとを備え、発光素子が１画素を構成するサブピクセル（副画素）単位で配置されるように、例えばｐ側の第１導電型電極及びｎ側の第２導電型電極に対応する位置にそれぞれ第１電極７２及び第２電極７３を有する。また、配線基板７０は、例えばマトリクス配線のデータ線、アドレス線などの回路パターンを形成し、１画素を構成する各サブピクセルに対応する発光素子をオンオフ可能とする。１画素は、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３個のサブピクセルで構成しても、ＲＧＢＷ（白）、ＲＧＢＹ（黄）の４個のサブピクセルで構成しても、ＲＧ、ＧＢの２個のサブピクセルで構成してもよい。
　また、配線基板７０は、透明Display用途で用いる場合は透光基板であることが好ましく、基材７１は、ガラス、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）などであることが好ましい。第１電極７２及び第２電極７３は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＺｎＯ（Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）などの透明導電膜であることが好ましい。
　図１０は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。図１０に示すように、転写工程（Ｂ）では、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて、基材６１側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片６４を配線基板７０の所定位置に転写し、配列させる。基材６１と基板７０とを位置合わせして転写することにより、基板７０上にサブピクセル単位で個片６４を配列させることができる。
　また、基材６１のサイズに対して基板７０のサイズが大きい場合、基材６１を複数回位置合わせして個片６４を転写することにより、基板７０の画面領域にサブピクセル単位で個片６４を配列させることができる。
　異方性導電膜の個片６４の転写には、前述したレーザーリフトオフ装置を用いることができる。このような転写方式は、レーザーリフトオフと呼ばれ、例えば、レーザーによるアブレーションを利用した方式である。前述したレーザーリフトオフ装置において、ドナー基板である個片フィルム６０をドナーステージに保持し、レセプター基板である配線基板７０をレセプターステージに保持する。個片フィルムと配線基板との間の距離は、好ましくは１０～２００００μｍ、より好ましくは５０～１５００μｍ、さらに好ましくは８０～１０００μｍである。
　レーザー装置としては、例えば波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍのレーザー光を発振するエキシマレーザーを用いることができる。エキシマレーザーの発振波長は、例えば１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍであり、これらの発振波長の中から異方性導電膜の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。
　マスクは、基材６１と異方性導電膜の個片６４との境界面における投影が、所望のレーザー光の配列となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いる。マスクには、基材６１に例えばクロムメッキにてパターンが施され、クロムメッキが施されていない窓部分はレーザー光を透過し、クロムメッキが施されている部分はレーザー光を遮断する。
　レーザー装置からの出射光は、テレスコープ光学系に入射し、その先のレーザースキャナ１１へと伝搬する。レーザースキャナ１１に入射する直前におけるレーザー光は、ドナーステージのＸ軸及びＹ軸の移動範囲内のいずれの位置においても、概ね平行光となるようテレスコープ光学系により調整され、レーザースキャナ１１に対し、概ね同一サイズ、同一角度（垂直）により入射する。
　レーザースキャナ１１を通過したレーザー光は、フィールドレンズを経てマスク１２に入射し、マスク１２のパターンを通過したレーザー光は、投影レンズ１３に入射する。投影レンズ１３から出射されたレーザー光は、基材６１側から入射し、その表面（下面）に形成されている異方性導電膜の個片６４の位置に対し、マスクパターンの縮小サイズにて正確に投影される。
　異方性導電膜の個片と基材との界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、好ましくは０．００１～２Ｊ、より好ましくは０．０１～１．５Ｊであり、さらに好ましくは０．１～１Ｊである。フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、好ましくは０．００１～２Ｊ／ｃｍ２であり、より好ましくは０．０１～１Ｊ／ｃｍ２であり、さらに好ましくは０．０５～０．５Ｊ／ｃｍ２である。パルス幅（照射時間）は、好ましくは０．０１～１×１０９ピコ秒であり、より好ましくは０．１～１×１０7ピコ秒であり、さらに好ましくは１～１×１０５ピコ秒である。パルス周波数は、好ましくは０．１～１００００Ｈｚ、より好ましくは１～１０００Ｈｚ、さらに好ましくは１～１００Ｈｚである。照射パルス数は、好ましくは１～３０，０００，０００である。
　このようなレーザーリフトオフ装置を用いることにより、基材６１と異方性導電膜の個片６４との境界面において、レーザー光を照射された個片６４に衝撃波を発生させ、個片６４を基材６１から剥離して配線基板７０に向けてリフトし、複数の個片６４を配線基板７０の所定位置に着弾させることができる。これにより、異方性導電膜の個片６４を高精度及び高効率に配線基板７０に転写、配列させることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
　転写工程（Ｂ１）後の異方性導電膜の個片６４の反応率は、好ましくは２５％以下、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。転写工程（Ｂ１）後の個片６４の反応率が２５％以下であることにより、実装工程（Ｃ１）において、発光素子を熱圧着させることが可能となる。反応率の測定は、例えばＦＴ－ＩＲを用いて求めることができる。
　また、配線基板７０の所定位置に配列した個片間の距離は、個片フィルム６０の基材６１上に配列した個片間の距離と同様、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、異方性導電フィルムを配線基板７０全面に貼り付ける方法が好ましくなり、個片間の距離が大き過ぎる場合、異方性導電フィルムを配線基板７０の所定位置に貼り付ける方法が好ましくなる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。
　［実装工程（Ｃ１）］
　図１１は、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。図１１に示すように、実装工程（Ｃ１）では、配線基板７０の所定位置に配列した個片６４上に発光素子８０を実装させる。
　発光素子８０は、本体８１と、第１導電型電極８２と、第２導電型電極８３とを備え、第１導電型電極８２と第２導電型電極８３とが、同一面側に配置された水平構造を有する。本体８１は、例えばｎ－ＧａＮからなる第１導電型クラッド層と、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ層からなる活性層と、例えばｐ－ＧａＮからなる第２導電型クラッド層とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。第１導電型電極８２は、パッシベーション層により第１導電型クラッド層の一部に形成され、第２導電型電極８３は、第２導電型クラッド層の一部に形成される。第１導電型電極８２と第２導電型電極８３との間に電圧が印加されると、活性層にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
　発光素子８０は、１画素を構成する各サブピクセルに対応して基板７０上に配列され、発光素子アレイを構成する。１画素は、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３個のサブピクセルで構成しても、ＲＧＢＷ（白）、ＲＧＢＹ（黄）の４個のサブピクセルで構成しても、ＲＧ、ＧＢの２個のサブピクセルで構成してもよい。
　サブピクセルの配列方法としては、例えば、ＲＧＢの場合、ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列などが挙げられる。ストライプ配列は、ＲＧＢを縦ストライプ状に配列したものであり、高精細化を図ることができる。また、モザイク配列は、ＲＧＢの同一色を斜めに配置したものであり、ストライプ配列より自然な画像を得ることができる。また、デルタ配列は、ＲＧＢを三角形に配列し、各ドットがフィールド毎に半ピッチずれたものであり、自然な画像表示を得ることができる。
　実装工程（Ｃ１）では、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて発光素子８０を配線基板７０の所定位置に配置することができる。前述したレーザーリフトオフ装置において、ドナー基板である発光素子をドナーステージに保持し、レセプター基板である配線基板７０をレセプターステージに保持する。発光素子と配線基板との間の距離は、好ましくは１０～１０００μｍ、より好ましくは５０～５００μｍ、さらに好ましくは８０～２００μｍである。
　発光素子８０を配線基板７０に接続させる方法としては、公知の異方性導電フィルムにおいて用いられている熱圧着、光圧着、熱光併用圧着などの接続方法を適宜選択して使用することができる。また、導電粒子が半田粒子の場合には、リフローにより接続してもよい。熱圧着の条件としては、例えば、温度１５０℃～２６０℃、圧力１ＭＰａ～６０ＭＰａ、時間５秒～３００秒である。異方性導電膜が硬化することにより、硬化膜が形成され、発光素子８０間に硬化膜が存在せずに配線基板７０が露出した状態で、配線基板７０上に発光素子８０を異方性接続させることができる。また、配線基板７０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板７０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。
　［第１の実施の形態の変形例］
　前述した第１の実施の形態における転写工程（Ｂ１）では、図９及び図１０に示すように、異方性導電膜の個片６４を配線基板７０上に発光素子単位であるサブピクセル単位で配列させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、例えば発光素子のｐ側の第１導電型電極又はｎ側の第２導電型電極に対応する電極単位で配列してもよい。
　図１２は、基板側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板上に電極位置で転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図であり、図１３は、配線基板に電極単位で配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。図１２に示すように、転写工程（Ｂ１）において、発光素子８０の例えばｐ側の第１導電型電極８２及びｎ側の第２導電型電極８３にそれぞれ対応する第１電極７２及び第２電極７３に対し、それぞれ第１の個片６４Ａ及び第２の個片６４Ｂを転写する。
　個片６４Ａ、６４Ｂの寸法（縦×横）は、発光素子の電極の寸法に応じて適宜設定され、個片を発光素子単位で形成した場合と同様、電極の面積に対する個片の面積の比は、好ましくは０．５～５．０、より好ましくは０．５～４．０、さらに好ましくは０．５～２．０である。また、個片の厚みは、好ましくは２～１０μｍ、より好ましくは３～８μｍ以、さらに好ましくは４～６μｍ以下である。
　図１３に示すように、実装工程（Ｃ１）では、配線基板７０上に電極単位で配列された個片６４Ａ、６４Ｂ上に発光素子８０を実装させる。これにより、表示装置の透明性をさらに向上させることができる。
　以上説明したように、第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、レーザー光の照射により異方性導電膜の個片６４を高精度及び高効率に配線基板７０に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。また、従来のＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＦ、接着剤などの接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を得ることができ、高輝度・高精細な透明ディスプレイを得ることができる。
　［第２の実施の形態］
　第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザーリフトオフ装置を用いて、レーザー光の照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ２）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、所定形状の個片を発光素子の電極面に転写させる転写工程（Ｂ２－１）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、個片が転写された発光素子を配線基板の所定位置に再転写させる再転写工程（Ｂ２－２）と、発光素子を配線基板に実装する実装工程（Ｃ２）とを有する。これにより、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
　以下、図１４～図１６を参照して、所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ２）、所定形状の個片を発光素子の電極面に転写させる転写工程（Ｂ２－１）、個片が転写された発光素子を配線基板の所定位置に再転写させる再転写工程（Ｂ２－２）及び、発光素子を配線基板に実装する実装工程（Ｃ２）について説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成には、同一の符号を付し、説明を省略する。
　［形成工程（Ａ２）］
　形成工程（Ａ２）は、第１の実施の形態における形成工程（Ａ１）と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　［転写工程（Ｂ２－１）］
　図１４は、基材に設けられた異方性導電膜の個片と、転写基板に配列された発光素子とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。図１４に示すように、転写工程（Ｂ２）では、基材６１に設けられた異方性導電膜の個片６４と転写基板９０とを対向させる。個片６４は、基材６１上に発光素子５０の電極の形状に対応して形成されている。
　転写基板９０は、基材９１と、基材９１上に配列された発光素子８０とを備える。基材９１は、後述する再転写工程（Ｂ２－２）の転写方式に応じて適宜選択される。例えば、後述する再転写工程（Ｂ２－２）において、レーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いる場合、基材９１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。また、例えば、後述する再転写工程（Ｂ２－２）において、転写基板９０を配線基板２０に貼り合わせて発光素子８０を転着させる場合、基材９１は、例えばシリコーンゴム層を有していてもよい。
　転写工程（Ｂ２－１）では、前述した第１の実施の形態と同様、例えばレーザーリフトオフと呼ばれるレーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いることができる。
　図１５は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させた状態を模式的に示す断面図である。図１５に示すように、転写工程（Ｂ２－１）では、基材６１側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片６４を転写基板９０に配列された発光素子８０上に転写させる。
　前述した第１の実施の形態と同様、異方性導電膜の個片６４の転写には、前述したレーザーリフトオフ装置を用いることができる。レーザーリフトオフ装置を用いることにより、基材６１と異方性導電膜の個片６４との境界面において、レーザー光を照射された個片６４に衝撃波を発生させ、複数の個片６４を基材６１から剥離して転写基板に配列された発光素子８０に向けてリフトし、個片６４を発光素子８０に高精度に着弾させることができる。
　［再転写工程（Ｂ２－２）］
　図１６は、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる状態を模式的に示す断面図である。図１６に示すように、再転写工程（Ｂ２－２）では、個片６４が転写された発光素子８０を配線基板７０上に再転写させる。再転写する方法としては、特に限定されるものではないが、例えばレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により転写基板９０から配線基板７０に個片６４が転写された発光素子８０を直接転写、配置する方法、個片６４が転写された発光素子８０を予め密着させた転写基板９０から配線基板７０に発光素子８０を転写、配置する方法などが挙げられる。
　また、再転写工程（Ｂ２－２）では、発光素子８０を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させることが好ましい。これにより、高いＰＰＩ（Pixels Per Inch）の発光素子アレイから低いＰＰＩの発光素子アレイまで対応することができる。
　［実装工程（Ｃ２）］
　実装工程（Ｃ２）では、個片６４を介して配線基板７０の所定位置に配列した発光素子８０を実装させる。発光素子８０を実装させた状態は、図１１に示す第１の実施の形態と同様である。発光素子８０を配線基板７０に接続させる方法は、第１の実施の形態と同様である。これにより、発光素子８０間に異方性導電膜が存在せずに配線基板７０が露出した状態で、配線基板７０上に発光素子８０を異方性接続させることができる。また、配線基板７０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板７０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。
　［第２の実施の形態の変形例］
　前述した第２の実施の形態における転写工程（Ｂ２－１）では、図１４及び図１５に示すように、異方性導電膜の個片６４を発光素子８０上に転写させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、異方性導電膜の個片を、発光素子上に電極単位で転写させてもよい。すなわち、図１３に示す第１の実施の形態の変形例のように、発光素子８０の例えばｐ側の第１導電型電極８２及びｎ側の第２導電型電極８３にそれぞれ第１の個片及び第２の個片を転写させ、実装してもよい。これにより、表示装置の透明性をさらに向上させることができきる。
　以上説明したように、第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、レーザー光の照射により異方性導電膜の個片６４を高精度及び高効率に発光素子８０に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。また、従来のＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＦ、接着剤などを全面に設けた接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を得ることができ、高輝度・高精細な透明ディスプレイを得ることができる。
　［リペア工程］
　前述した実施の形態に係る表示装置において、例えば不点灯の発光素子がある場合、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて、不点灯の発光素子取り除いた後、再度該当部に硬化性樹脂膜の個片を転写し、発光素子を実装するリペアを行うことができる。レーザーリフトオフ装置において、発光素子が配列された配線基板を備える表示装置をドナーステージに保持し、配線基板側からレーザー光を照射して、所望の発光素子及び個片を剥離し、レセプター基板で配線基板から剥離された発光素子及び個片を受け止める。本実施の形態では、個片間に配線基板が露出しているため、リペアは、個片単位で行うことが好ましい。
　また、前述した実施の形態では、ディスプレイとしての表示装置の製造方法を例に挙げたが、本技術は、これに限られるものではなく、例えば、光源としての発光装置の製造方法にも適用することができる。
　＜４．表示装置＞
　本実施の形態に係る表示装置は、前述した表示装置の製造方法により得ることができる。すなわち、表示装置は、複数の発光素子と、発光素子を配列する配線基板と、複数の発光素子と配線基板とを接続させた硬化膜とを備え、硬化膜が、硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片が硬化してなる。
　個片の形状は、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これにより、個片間に基板を露出させることができ、優れた光透過性や美観を得ることができる。
　前述した図１１及び図１３に示すように、表示装置は、複数の発光素子８０と、発光素子８０を配列する基板７０と、複数の発光素子８０と基板７０とを接続させる硬化膜とを備える。
　硬化膜は、所定形状の硬化性樹脂膜の個片が硬化したものである。基板７０上の個片の配列は、光透過性の効果が得られれば、特に限定されるものではないが、発光素子８０に対応したサブピクセル単位であることが好ましい。個片がサブピクセル単位で配列されることにより、個片間の基板の露出部を増加させることができ、非常に優れた光透過性を得ることができる。また、サブピクセル単位の近接した複数の発光素子８０を一つの個片で接続してもよい。これにより、実装速度を短縮させる（実装効率を早める）ことができ、また、基板側の透明性や色味の条件によって許容できる仕様の範囲を広げることができる。
　また、硬化膜からなる個片は、接着剤フィルム、導電粒子を含有する導電フィルム、又は異方性導電フィルムの硬化膜であることが好ましい。これにより、発光素子８０に半田バンプなどの接続部位が設けられていない場合でも、複数の発光素子８０と基板７０とを接続させることが可能となる。また、発光素子８０の電極が突起状などになり、基板７０の配線と電気的接続が得られる場合には、個片は、導電粒子を含有しなくても構わない。
　異方性導電膜の硬化膜は、導電粒子を面方向に配列して構成されていることが好ましい。導電粒子が面方向に配列して構成されていることにより、粒子面密度が均一となり、導通性及び絶縁性を向上させることができる。導電粒子が面方向に配列されている状態とは、例えば、導電粒子が所定ピッチで所定方向に配置されている配列軸を１以上有する平面格子パターンが挙げられ、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子などが挙げられる。また、導電粒子の面方向の配列は、ランダムであってもよく、平面格子パターンが異なる複数の領域を有していてもよい。
　また、異方性導電膜の硬化膜の粒子面密度は、発光素子８０の電極サイズに応じて適宜設計でき、粒子面密度の下限は、５００個／ｍｍ２以上、２００００個／ｍｍ２以上、４００００個／ｍｍ２以上、５００００個／ｍｍ２以上とすることができ、粒子面密度の上限は、１５０００００個／ｍｍ２以下、１００００００個／ｍｍ２以下、５０００００個／ｍｍ２以下、１０００００個／ｍｍ２以下とすることができる。これにより、発光素子８０の電極サイズが小さい場合でも、優れた導通性及び絶縁性を得ることができる。
　異方性導電膜の硬化膜の粒子面密度は、製造時にフィルム化した際の導電粒子のものである。これはランダムに配置された部分でも、配列部分のものを測定したものであっても同様となる。複数の個片から粒子個数密度を求める場合は、個片とスペースを含めた面積から個片間のスペースを除いた面積と粒子数とから粒子面密度を求めることができる。個片は、個数密度で表すことが不適切な場合もあり、１つの個片における粒子の占有面積率や、粒子径と粒子間中心距離及び個数で表すことが適当な場合もある。
　なお、異方性導電膜の硬化膜の粒子面密度は、製造時にフィルム化した際の導電粒子のものである。これはランダムに配置された部分でも、配列部分のものを測定したものであっても同様となる。複数の個片から粒子個数密度を求める場合は、個片とスペースを含めた面積から個片間のスペースを除いた面積と粒子数とから粒子面密度を求めることができる。個片は、個数密度で表すことが不適切な場合もあり、１つの個片における粒子の占有面積率や、粒子径と粒子間中心距離及び個数で表すことが適当な場合もある。
　１つの個片あたりの導電粒子の数は、発光素子８０の電極サイズに応じて適宜設計でき、下限は、例えば２個以上、好ましく４個以上、より好ましくは１０個以上であり、上限は、６０００個以下、好ましくは５００個以下、より好ましくは１００以下である。
　個片が基板に載置（設けられた）後の可視光の平均透過率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは３５％以上、さらに好ましくは５０％以上である。これにより、優れた光透過性や美観を有する表示装置を得ることができる。透明でない基板でない場合でも、素ガラスや評価用の透明基板に個片を貼り付け、これをリファレンス（Ref）として平均透過率を求めることができる。発光素子が設けられた可視光の平均透過率は、より低いものとなる。発光素子が実装されている場合、点灯していない状態で測定しているものとする。可視光の平均透過率は、例えば紫外可視分光光度計を用いて測定することができる。
　発光素子のサイズに対する個片のサイズは、導通性が得られれば、発光素子８０のサイズよりも小さくてもよい。また、個片は、表示装置の光透過性の効果が得られれば、発光素子の直下だけでなく、周縁部に存在するように配置しても構わない。
　発光素子８０からの個片のはみ出し量は、好ましくは３０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ未満、さらに好ましくは５μｍ未満である。また、個片がはみ出さない場合、はみ出し量は、ゼロ、マイナスであってもよい。これにより、基板の全面に硬化膜を設けた表示装置の構成例に比べて、優れた光透過率を得ることができる。なお、発光素子８０からの個片のはみ出し量は、発光素子８０の周縁から個片の周縁までの距離の最大値である。
　本実施の形態に係る表示装置によれば、硬化膜の個片間に基板７０が露出した露出部を有することにより、従来のＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＦ、接着剤などを全面に設けた接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を得ることができ、高輝度・高精細な透明ディスプレイを得ることができる。
　なお、上述の実施の形態では、発光素子８０をサブピクセル単位で配列したディスプレイとしての表示装置を例に挙げたが、本技術は、これに限られるものではなく、例えば、光源としての発光装置にも適用することができる。発光装置は、複数の発光素子と、発光素子を配列する基板と、複数の発光素子と基板とを接続させた硬化膜とを備え、硬化膜が、複数の個片からなり、個片間に基板が露出した露出部を有する。このような発光装置によれば、発光素子８０が微小サイズになることにより、１つのウエハあたりのチップの取り数が増えるため、低価格化を図ることができ、また、発光装置の薄型化や省エネ化といった産業上の利点を得ることができる。
　また、前述では、本技術の好適な実施形態の一部である、基材上に設けられた硬化性樹脂膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の硬化性樹脂膜を除去し、前記基材上に反応率が２５％以下である硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程について説明した。
　ここで、レーザー光照射による硬化性樹脂膜の除去は、硬化性樹脂膜を完全に剥離する又は取り除くことだけを意味するのではなく、硬化性樹脂膜を部分的に剥離する又は取り除くことも包含する。
　また、必ずしも除去である必要はなく、後続する個片の転写工程において、効率的な転写を容易にするような、レーザー光照射による硬化性樹脂膜の変質（例えば、硬化、軟化等）であってもよい。当然のことながら、除去と変質を組み合せてもよい。
　また、基材上に形成する所定形状の個片は、必ずしも反応率が２５％以下である硬化性樹脂膜である必要はなく、所望の樹脂膜であればよい。所望の樹脂膜としては、例えば、反応率が２５％超の硬化性樹脂膜や、熱可塑性樹脂膜等の非硬化性樹脂膜等が挙げられる。また、樹脂膜を硬化させた硬化膜であってもよい。
　＜５．実施例＞
　本実施例では、異方性導電フィルムを個片に加工し、個片の形状状態について評価した。また、個片をガラス板に転写させ、個片の転写状態について評価した。なお、本技術は、これらの実施例に限定されるものではない。
　異方性導電フィルム基板の作製、個片加工の評価、及び個片転写の評価は、次のように行った。
　［異方性導電フィルム基板の作製］
　フェノキシ樹脂（商品名：ＰＫＨＨ、巴化学工業株式会社製）４２質量部、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＬ－９８０、三菱ケミカル株式会社製）４０質量部、疎水性シリカ（商品名：Ｒ２０２、日本アエロジル株式会社製）１０質量部、アクリルゴム（商品名：ＳＧ８０Ｈ、ナガセケムテックス株式会社製）３質量部、及びカチオン重合開始剤（商品名：ＳＩ－６０Ｌ、三新化学工業株式会社製）５質量部を配合して、４インチの石英ガラス上に塗布、乾燥させ、樹脂フィルムを作製した。
　得られた樹脂フィルムに、導電粒子（平均粒子径２．２μｍ、樹脂コア金属被覆微粒子、Ｎｉメッキ０．２μｍ厚、積水化学工業株式会社製）を、特許６１８７６６５号記載の方法により樹脂フィルムの一方の界面と導電粒子が略一致するように押し込んで転写し、４インチの石英ガラス上に、厚み４．０μｍ、粒子面密度５８００００ｐｃｓ／ｍｍ２の異方性導電フィルムを設けた異方性導電フィルム基板を作製した。異方性導電フィルムの平面視における導電粒子の整列は、六方格子配列となるようにした。
　［個片加工の評価］
　（形状の正常率）
　異方性導電フィルムを個片に加工した後、個片（Total 10,000pcs）からランダムに１０００ｐｃｓ選定し、個片形状が正常な状態（捲れや欠けが無い状態）のものを顕微鏡による目視にてカウントした（捲れや欠けについては、前述した図４（Ｂ）に示す捲れが発生した個片４２や欠けが発生した個片４３を参照）。そして、下記式にて形状の正常率を算出した。正常率は、９５％以上であることが好ましい。
　正常率＝正常な形状の個片数／母数×１００
　（バリ発生率）
　異方性導電膜フィルムを個片に加工した後、すべての個片（Total 10,000pcs）に対して、バリの発生数をカウントし、下記式にて形状正常率を算出した（バリについては、図４（Ａ）に示すバリが発生した個片４１を参照）。バリの発生数は、１０％以下であることが好ましい。
　バリ発生率＝バリ発生数／全体の個片数×１００
　（反応率）
　個片の反応率について、ＦＴ－ＩＲ（Varian 3100 FT-IR（Excalibur Series）　 Microscope  Varian 600 UMA（FT-IR Microscope））を用いて測定した。先ず、レーザー照射後、基板上に残る個片を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングし、レーザー照射後の試料を得た。次に、２枚１組のダイヤモンド・セルを用い、サンプリングした個片試料を２枚のセル板に挟んで締め付け押し潰し、個片試料が付いているセル板１枚を用いて測定した。
　検出器は、冷却させておくことで感度が大きく向上するため、予め測定前に液体窒素を用いて検出器を３０ｍｉｎ程度冷却させた。また、ＦＴ－ＩＲの測定条件は、下記のように設定した。
　測定方式：透過式
　測定温度：２５℃
　測定湿度：６０％以下
　測定時間：１２ｓｅｃ
　検出器のスペクトル領域範囲：４０００～７００ｃｍ－１
　そして、ダイヤモンド・セルを赤外顕微鏡にセッティングし、バックグラウンド測定を実施し、レーザー照射後の試料に赤外線を照射させて、レーザー照射後、基板上に残る個片のＩＲスペクトルを得た。また、上記レーザー照射後の試料と同様に、レーザー照射前（個片化前）の硬化性樹脂膜を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングし、レーザー照射前の硬化性樹脂膜のＩＲスペクトルを得た。反応率は、ＩＲスペクトルのメチル基（２９３０ｃｍ－１付近）及びエポキシ基（９１４ｃｍ－１付近）のピーク高さを測定し、下記式のように、メチル基のピーク高さに対するエポキシ基のピーク高さの反応前後（レーザー照射前後）の比率で算出した。反応率は、２５％以下であることが好ましい。
　反応率（％）＝｛１－（ａ／ｂ）／（Ａ／Ｂ）｝×１００
　上記式において、Ａは反応前のエポキシ基のピーク高さ、Ｂは反応前のメチル基のピーク高さ、ａは反応後のエポキシ基のピーク高さ、ｂは反応後のメチル基のピーク高さである。
　［個片転写の評価］
　レーザーリフトオフ装置（信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ）を用いて、異方性導電膜の個片をガラス基板に１０００ｐｃｓ転写させた。前述した図１に示すように、レーザーリフトオフ装置は、例えば、レーザー光の光軸を走査するレーザースキャナと、所定のピッチにて所定の形状の開口が複数配列されたマスクと、レーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズと、ドナー基板を保持するドナーステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージとを備えており、個片が形成された石英ガラス基板をドナーステージに保持し、ガラス基板をレセプターステージに保持し、個片とガラス基板との間の距離を１００μｍとした。
　レーザー装置は、発振波長を２４８ｎｍとするエキシマレーザーを用いた。レーザー光のパルスエネルギーは、６００Ｊ、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は１８０Ｊ／ｃｍ２、パルス幅（照射時間）は３００００ピコ秒、パルス周波数は０．０１ｋＨｚ、照射パルス数は各個片につき１パルスとした。
　異方性導電フォルムの個片と石英ガラスとの界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、０．００１～２Ｊであり、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、０．００１～２Ｊ／ｃｍ２であり、パルス幅（照射時間）は、０．０１～１×１０９ピコ秒であり、パルス周波数は、０．１～１００００Ｈｚであり、照射パルス数は、１～３０，０００，０００とした。
　マスクは、ドナー基板である異方性導電フィルムの個片と石英ガラスとの境界面における投影が、横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで個片のサイズ（横３０μｍ×縦４０μｍ、又は横６０μｍ×縦８０μｍ）となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いた。そして、マスク上の開口に向けて、レーザー光の光軸をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査するとともに、レーザー光のパルス照射を制御し、個片をレセプターステージのガラス基板に転写させた。
　（良品率）
　ガラス基板上に転写された１０００ｐｃｓの個片を顕微鏡にて観察し、転写形状が良好、且つ転写が良好の個片をカウントし、下記式にて個片の良品率を算出した。良品率は、８５％以上であることが好ましい。なお、転写形状の良好とは、捲れや欠けが無い状態である（捲れや欠けについては、前述した図４（Ｂ）に示す捲れが発生した個片４２や欠けが発生した個片４３を参照）。また、転写が良好とは、指定箇所に転写された状態である（後述する図１７に示す転写前後における個片の位置を参照）。
　良品数＝転写良好品／母数×１００
　（転写位置精度）
　レーザーリフトオフ装置（信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ）を用いて、１０００ｐｃｓの個片を石英ガラスから石英ガラスに２５回繰り返し転写させ、転写前の個片の位置を基準とし、転写後にどれくらい位置ずれが発生したかを評価した。
　図１７は、転写前後における個片の位置ずれを説明するための図である。各個片の転写前の基準位置Ｐ０（Ｘ０，Ｙ０）から転写後の位置Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）の直線距離ｄを下記（１）式により算出し、平均値を求めた。転写位置精度の評価は、直線移動距離の平均値に応じて下記Ａ～Ｅの判定とした。転写位置精度の評価は、Ｃ判定以上あることが望まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　Ａ：５μｍ未満
　Ｂ：５μｍ以上１０μｍ未満
　Ｃ：１０μｍ以上１５μｍ未満
　Ｄ：１５μｍ以上２０μｍ未満
　Ｅ：２０μｍ以上
　［点灯試験の評価］
　また、本実施例において、加工した個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体について点灯評価した。実装体の作製、及び点灯評価は、次のように行った。
　（実装体の作製）
　図１８は、実装体の作製方法を模式的に示す図であり、図１８（Ａ）は、個片を準備する工程を示し、図１８（Ｂ）は、基板に個片を転写する工程を示し、図１８（Ｃ）は、μＬＥＤ素子を仮固定する工程を示し、図１８（Ｄ）は、μＬＥＤ素子を圧着させる工程を示す。図１９は、点灯試験のための評価基板を模式的に示す平面図であり、図２０（Ａ）は、μＬＥＤ素子の電極面を模式的に示す平面図であり、図２０（Ｂ）は、μＬＥＤ素子を評価基板に実装した様子を模式的に示す図である。
　図１８（Ａ）に示すように、先ず、前述の石英ガラス１０１上に加工された所定形状の個片１０４を準備し、図１８（Ｂ）に示すように、個片１０４の背面（石英ガラス１０１側）からレーザーを照射し、個片１０４を評価基板１０７の指定箇所に転写した。個片１０４の転写は、前述の個片転写の評価におけるＬＬＯと同様に行った。
　評価基板１０７は、厚み０．５ｍｍのガラス基材上に下地が厚み２０ｎｍのＣｒ及び表面が厚み８０ｎｍのＡｕの配線パターンが形成され、図１９に示すように、櫛歯６本の第１の櫛型電極１０７Ａと、櫛歯６本の第２の櫛型電極１０７Ｂとを１５組備えるものを用いた。配線パターンは、図１９及び図２０（Ｂ）に示すように、櫛歯のライン幅が９０μｍ、スペース幅が１２μｍ又は２４μｍであり、１チャンネル当たり約１３００μｍ×１５ｃｈ≒１９.３ｍｍであるものを用い、所定形状の個片をスペース幅が１２μｍの配線間に転写した。
　次に、図１８（Ｃ）に示すように、予めＬＬＯによりμＬＥＤ素子１０８が凸部に並べられたポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）シート１０９を位置合わせし、３０℃－３０ＭＰａ－１０ｓｅの条件で貼り合わせ、図２０（Ｂ）に示すように、個片１０４を介してμＬＥＤ素子１０８を評価基板１０７のスペース幅が１２μｍの配線間に仮固定した。
　μＬＥＤ素子１０８は、図２０（Ａ）に示すように、外径が３４μｍ×５８μｍ、第１の電極１０８Ａ及び第２の電極１０８Ｂの大きさが２７μｍ×１８μｍ、第１の電極１０８Ａと第２の電極１０８Ｂとの距離が１６μｍであるものを用いた。
　次に、図１８（Ｄ）に示すように、１５０℃－１５０Ｎ－３０ｓｅｃの圧着条件のプレスにてμＬＥＤ素子１０８を一括圧着させ、μＬＥＤ素子（Total 3,600pcs）を実装した実装体を作製した。
　（点灯評価）
　実装体の第１の櫛型電極と第２の櫛型電極とに３．０Ｖの電圧を印加し、すべてのμＬＥＤ素子（Total 3,600pcs）に対して点灯数をカウントし、下記式にて点灯率を算出した。点灯率は、９５％以上であることが好ましい。
　点灯率＝点灯数／母数×１００
　＜実施例１＞
　［異方性導電フィルムの個片加工］
　レーザーリフトオフ装置（信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ）を用いて、前述した異方性導電フィルム基板の石英ガラス側からレーザー光を照射して不要部分を素ガラスに転写し、石英ガラスに異方性導電フィルムの個片を形成した。前述した図１に示すように、レーザーリフトオフ装置は、例えば、レーザー光の光軸を走査するレーザースキャナと、所定のピッチにて所定の形状の開口が複数配列されたマスクと、レーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズと、ドナー基板を保持するドナーステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージとを備えており、ドナー基板である異方性導電フィルム基板をドナーステージに保持し、レセプター基板である素ガラスをレセプターステージに保持し、異方性導電フィルムと素ガラスとの間の距離を１００μｍとした。
　レーザー装置は、発振波長を２４８ｎｍとするエキシマレーザーを用いた。レーザー光のパルスエネルギーは６００Ｊ、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は２５０Ｊ／ｃｍ２、パルス幅（照射時間）は３００００ピコ秒、パルス周波数は０．０１ｋＨｚ、照射パルス数は各個片につき１パルスとした。
　異方性導電フォルムと石英ガラスとの界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、０．００１～２Ｊであり、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、０．００１～２Ｊ／ｃｍ２であり、パルス幅（照射時間）は、０．０１～１×１０９ピコ秒であり、パルス周波数は、０．１～１００００Ｈｚであり、照射パルス数は、１～３０，０００，０００とした。
　図２１は、実施例１のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２１に示すように、実施例１では、１２５μｍ×１２５μｍの四角形の窓部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの縦方向の不要部分を除去した後、マスクの窓部の縦方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの横方向の不要部分を除去し、横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表１に示すように、実施例１における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は２％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例１における個片転写の良品率は９６％、位置精度の評価はＣであった。また、実施例１における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品部分のμＬＥＤ素子が点灯したため、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例２＞
　実施例１と同様にして、横６０μｍ×縦８０μｍの個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表１に示すように、実施例２における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は０％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例２における個片転写の良品率は９９％以上、位置精度の評価はＣであった。また、実施例２における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例３＞
　図２２は、実施例３のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２２に示すように、実施例３では、７０μｍ×７０μｍの四角形の窓部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形形状とした。これ以外は、実施例１と同様にして、横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表１に示すように、実施例３における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は５％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例３における個片転写の良品率は９３％、位置精度の評価はＣであった。また、実施例３における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例４＞
　図２３は、実施例４のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２３に示すように、実施例４では、１２５μｍ×１２５μｍの四角形の窓部内の中心に横３０μｍ×縦４０μｍの遮光部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形の中心に四角形の影を有する形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向又は横方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの不要部分を除去した以外は、実施例１と同様にして、横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表１に示すように、実施例４における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は０％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例４における個片転写の良品率は９９％以上、位置精度の評価はＣであった。また、実施例４における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例５＞
　図２４は、実施例５のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２４に示すように、実施例５では、１５８μｍ×１５８μｍの四角形の窓部内の中心に横６０μｍ×縦８０μｍの遮光部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形の中心に四角形の影を有する形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向又は横方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの不要部分を除去した以外は、実施例１と同様にして、横６０μｍ×縦８０μｍの四角形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　図２５は、実施例５の四角形の個片を示す顕微鏡写真である。図２５に示すように、実施例５の個片は、図２４に示すマスクの遮光部の四角形のサイズとほぼ同じであった。また、四角形の個片は、ＬＬＯにより不要部を千切るため、外形が綺麗な直線ではなく、ギザギザであった。
　表１に示すように、実施例５における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は０％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例５における個片転写の良品率は９９％以上、位置精度の評価はＣであった。また、実施例５における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例６＞
　図２６は、実施例６のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２６に示すように、実施例６では、８０μｍ×８０μｍの四角形の窓部内の中心に横３０μｍ×縦４０μｍの遮光部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形の中心に四角形の影を有する形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向又は横方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの不要部分を除去した以外は、実施例１と同様にして、横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表１に示すように、実施例６における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は１％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例６における個片転写の良品率は９７％、位置精度の評価はＣであった。また、実施例６における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例７＞
　図２７は、実施例７のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２７に示すように、実施例７では、１２５μｍ×１２５μｍの四角形の窓部内の中心に横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の角を丸くした遮光部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形の中心に四角形の角が丸い影を有する形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向又は横方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの不要部分を除去した以外は、実施例１と同様にして、横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の角を丸くした個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表２に示すように、実施例７における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は０％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例７における個片転写の良品率は９９％以上、位置精度の評価はＣであった。また、実施例７における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例８＞
　図２８は、実施例８のマスク形状を模式的に示す平面図である。図２８に示すように、実施例８では、１５８μｍ×１５８μｍの四角形の窓部内の中心に横６０μｍ×縦８０μｍの楕円の遮光部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形の中心に楕円の影を有する形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向又は横方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの不要部分を除去した以外は、実施例１と同様にして、横６０μｍ×縦８０μｍの楕円の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　図２９は、実施例８の楕円の個片を示す顕微鏡写真である。図２９に示すように、実施例８の個片は、図２８に示すマスクの遮光部の楕円のサイズとほぼ同じであった。また、楕円の個片は、四角形の個片に比べ、外形が綺麗であった。これは、四角形の個片に比べ、直線に準ずる部分が少ないためであると考えられる。
　表２に示すように、実施例８における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は０％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例８における個片転写の良品率は９９％以上、位置精度の評価はＢであった。また、実施例８における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜実施例９＞
　図３０は、実施例９のマスク形状を模式的に示す平面図である。図３０に示すように、実施例９では、１５８μｍ×１５８μｍの四角形の窓部内の中心に横８０μｍ×縦８０μｍの円形の遮光部を有するマスクを用い、レーザー光のスポットを四角形の中心に円形の影を有する形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向又は横方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの不要部分を除去した以外は、実施例１と同様にして、横８０μｍ×縦８０μｍの円形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　図３１は、実施例９の円形の個片を示す顕微鏡写真である。図３１に示すように、実施例９の個片は、図３０に示すマスクの遮光部の円形のサイズとほぼ同じであった。また、円形の個片は、四角形の個片に比べ、外形が綺麗であった。これは、四角形の個片に比べ、直線に準ずる部分が少ないためであると考えられる。
　表２に示すように、実施例９における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は０％、個片加工の反応率は２０％以下であった。また、実施例９における個片転写の良品率は９９％以上、位置精度の評価はＡであった。また、実施例９における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　＜比較例１＞
　レーザーリフトオフ装置（信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ）を用いて、レーザー光を４インチの石英ガラスに貼付された異方性導電フィルム側から照射して不要部分をレーザーアブレーションにより昇華させ、石英ガラスに異方性導電フィルムの個片を形成した。
　レーザー装置は、発振波長を２４８ｎｍとするエキシマレーザーを用いた。レーザー光のパルスエネルギーは６００Ｊ、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は５００Ｊ／ｃｍ２、パルス幅（照射時間）は３００００ピコ秒、パルス周波数は０．０１ｋＨｚ、照射パルス数は各個片につき１０パルスとした。
　マスクは、１２５μｍ×１２５μｍの四角形の窓部を有するものを用い、レーザー光のスポットを四角形形状とした。そして、マスクの窓部の縦方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの縦方向の不要部分を除去した後、マスクの窓部の縦方向の四角形のピッチで異方性導電フィルムの横方向の不要部分を除去し、横３０μｍ×縦４０μｍの四角形の個片を横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）形成した。
　表２に示すように、比較例１における個片加工の正常率は１００％、個片加工のバリ発生率は２％、個片加工の反応率は７０％以上であった。また、比較例１における個片転写の良品率は０％、位置精度の評価はＥであった。
　＜比較例２＞
　２０μｍのブレードを設置したブレードダイシング装置を用いて、４インチの石英ガラスに貼付された異方性導電フィルムを横１２０μｍピッチ及び縦１６０μｍピッチで横６０μｍ×縦８０μｍの個片を１００×１００ｐｃｓ（Total 10,000pcs）加工することを試みたが、個片加工できなかった。表２に示すように、比較例２における個片加工の正常率は０％であった。
　表１に、実施例１～６の個片加工の評価結果及び個片転写の評価結果を示し、表２に、実施例７～９及び比較例１、２の個片加工の評価結果及び個片転写の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　比較例１は、個片の反応率が７０％以上と高かった。これは、異方性導電フィルム側からレーザー光を照射し、不要部を昇華させるためのフルーエンスや照射パルス数が大きいため、輻射熱により周辺の個片にも影響を与えてしまったためと考えられる。また、比較例１は、個片の反応率が高いため、個片の転写が困難であった。比較例２は、ブレードダイシング装置を用いているため、横６０μｍ×縦８０μｍの小さな個片を作製することができなかった。
　実施例１～９は、レーザーリフトオフ装置を用いて、基材側からレーザー光を照射して照射部分の異方性導電膜を除去しているため、個片の反応率を２５％以下とすることができた。このため、優れた個片加工の評価結果及び個片転写の評価結果を得ることができた。また、実施例４～９は、開口の窓内に個片の形状の遮光部を有するマスクを用いることにより、バリの発生率を抑制することができた。これは、個片の形状の遮光部を有するマスクにより個片周縁の異方性導電膜を確実に除去することができたためと考えられる。また、実施例７～９は、特に優れた個片転写の評価結果を得ることができた。これは、個片の形状に鋭角な角がないため、個片転写にける捲れや欠けの発生を抑制することができたものと考えられる。また、実施例１～９における点灯試験の点灯率は、個片転写の良品率と同様であった。
　１０　レーザーリフトオフ装置、　１１レーザースキャナ、１２　マスク、１３　投影レンズ、２０　硬化性樹脂膜基板、２１　基材、２２　硬化性樹脂膜、２３　除去部、３０　硬化性樹脂膜基板、３１　基材、３２　硬化性樹脂膜、３３　除去部、３４　個片、４１　バリが発生した個片、４２　捲れが発生した個片、４３　欠けが発生した個片、５１　遮光部、５２　個片、５３　遮光部、５４Ａ～５４Ｄ　遮光部、６０　個片フィルム、６１　基材、６２　異方性導電膜、６３　導電粒子、６４　個片、６４Ａ　個片、６４Ｂ　個片、７０　配線基板、７１　基材、７２　第１電極、７３　第２電極、８０　発光素子、８１　本体、８２　第１導電型電極、８３　第２導電型電極、９０　転写基板、９１　基材、１０１　石英ガラス、１０４　個片、　１０７　評価基板、１０７Ａ　第１の櫛型電極、１０７Ｂ　第２の櫛型電極、１０８　μＬＥＤ素子、１０８Ａ　第１の電極、１０８Ｂ　第２の電極、１０９　ＰＤＭＳシート
 

Claims (13)

  1. 　レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有し、
    　前記遮光部の外周にレーザー光を透過させるマスク。
  2. 　前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である請求項１記載のマスク。
  3. 　遮光膜が形成された透光基板に対し、レーザー光を透過させる開口内にレーザー光を遮光させる所定形状の遮光部を有するように、前記遮光膜を除去するマスクの製造方法。
  4. 　基材上に設けられた硬化性樹脂膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の硬化性樹脂膜を除去し、前記基材上に反応率が２５％以下である硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、
    　前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる転写工程と、
    　前記転写された個片を介して、前記発光素子を前記配線基板に実装させる実装工程と
    　を有する表示装置の製造方法。
  5. 　前記形成工程では、前記所定形状の遮光部が形成されたマスクを介して前記レーザー光を照射する請求項４記載の表示装置の製造方法。
  6. 　前記転写工程では、前記基材側からレーザー光を照射して前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる請求項４記載の表示装置の製造方法。
  7. 　前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である請求項４記載の表示装置の製造方法。
  8. 　前記個片が、前記基材上に配列されてなる請求項４記載の表示装置の製造方法。
  9. 　前記個片間の距離が、１０μｍ以上である請求項８記載の表示装置の製造方法。
  10. 　複数の発光素子と、
    　前記発光素子を配列する配線基板と、
    　前記複数の発光素子と前記配線基板とを接続させた硬化膜とを備え、
    　前記硬化膜が、硬化性樹脂膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、
    　前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である表示装置。
  11. 　前記個片間の距離が、１０μｍ以上である請求項１０記載の表示装置。
  12. 　前記発光素子が、１画素を構成するサブピクセル単位で配列されてなる請求項１０記載の表示装置。
  13. 　前記個片が、前記配線基板上にサブピクセル単位若しくはピクセル単位で配列されてなる請求項１０記載の表示装置。
     
     
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