TW202416524A - 遮罩及遮罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性之遮罩及遮罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法及顯示裝置。使用「於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部，且使雷射光穿透遮光部之外周」之遮罩，對設置於基材（21）上之硬化性樹脂膜（22）自基材（21）側照射雷射光，去除該照射部分之硬化性樹脂膜（22）（去除部（23）），於基材（21）上形成由反應率為25%以下之硬化性樹脂膜（22）所構成之特定形狀之單片。藉此，能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性，能夠提高產距時間（tact time）。

Description

遮罩及遮罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法及顯示裝置

本技術係關於一種使各向異性導電膜（ACF：Anisotropic Conductive Film）、接著劑膜（NCF：Non Conductive Film）等連接膜單片化之單片膜之製造方法、及單片膜。又，關於一種經由單片膜而將發光元件連接並排列之顯示裝置之製造方法、及顯示裝置。特別是關於一種使迷你LED（Light Emitting Diode）、微型LED等LED元件連接並排列之顯示裝置之製造方法、及顯示裝置。本申請以2022年9月13日於日本申請之日本專利申請號特願2022-145312為基礎主張優先權，藉由參照該申請而引用至本申請中。

作為下一代顯示器，迷你LED或微型LED顯示器之開發引人注目。迷你LED或微型LED顯示器係將微小之發光元件排列於基板上而構成，因此能夠省略液晶顯示器所必需之背光源，能夠謀求顯示器之薄膜化，又，能夠謀求進一步之廣色域化、高精細化、省耗電化。

於專利文獻1中揭示了一種利用ACF接合LED之工法。於專利文獻1所記載之工法中，係將ACF一起貼附於基板之元件搭載面，因此ACF之接著樹脂及導電粒子會殘存於各LED間距間。因此，於對發光元件陣列要求透光性之情形時，會妨礙光之穿透，而無法獲得優異之透光性。又，於將膜設置於基板整面之情形時，有發生不良時之修復工時增加等對生產性之不良影響之虞。

另一方面，在將ACF僅貼附於LED之正下方之情形時，ACF之接著樹脂及導電粒子不殘存於各LED間距間而不會妨礙光之穿透，因此能夠獲得透光性。

然而，將ACF等連接膜僅貼附於LED之正下方較為困難。例如，在形成連接膜之單片後將單片貼附於基板之情形時，於單片之形狀較差之情形時，單片對於基板或LED之轉印性會變差，製造顯示器之產距時間（tact time）會變差。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]美國申請公開第2015/0255505號說明書

[發明所欲解決之課題]

本技術係鑒於此種以往之實情而提出，提供一種能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性之遮罩及遮罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法及顯示裝置。 [解決課題之技術手段]

本發明人等為了解決上述課題而努力研究，結果發現，藉由以下技術能夠達成上述目的。

[1] 一種遮罩，其於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部，且 使雷射光穿透上述遮光部之外周。 [2] 如[1]中記載之遮罩，其中，上述特定形狀為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。 [3] 一種遮罩之製造方法，其針對形成有遮光膜之透光基板，以於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部之方式去除上述遮光膜。 [4] 一種顯示裝置之製造方法，其具有如下步驟： 形成步驟，其係對設置於基材上之硬化性樹脂膜自上述基材側照射雷射光，去除該照射部分之硬化性樹脂膜，於上述基材上形成由反應率為25%以下之硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片； 轉印步驟，其係將上述特定形狀之單片轉印至配線基板之特定位置或發光元件之電極面；以及 安裝步驟，其係經由上述被轉印之單片，將上述發光元件安裝於上述配線基板。 [5] 如[4]中記載之顯示裝置之製造方法，其中，於上述形成步驟中，介隔形成有上述特定形狀之遮光部之遮罩而照射上述雷射光。 [6] 如[4]中記載之顯示裝置之製造方法，其中，於上述轉印步驟中，自上述基材側照射雷射光而將上述特定形狀之單片轉印至配線基板之特定位置或發光元件之電極面。 [7] 如[4]中記載之顯示裝置之製造方法，其中，上述特定形狀為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。 [8] 如[4]中記載之顯示裝置之製造方法，其係將上述單片排列於上述基材上而成。 [9] 如[8]中記載之顯示裝置之製造方法，其中，上述單片間之距離為10 μm以上。 [10] 一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件； 配線基板，其排列有上述發光元件；以及 硬化膜，其使上述複數個發光元件與上述配線基板連接；且 上述硬化膜係由硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片硬化而成， 上述特定形狀為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。 [11] 如[10]中記載之顯示裝置，其中上述單片間之距離為10 μm以上。 [12] 如[10]中記載之顯示裝置，其係將上述發光元件以構成1像素之子像素單位排列而成。 [13] 如[10]中記載之顯示裝置，其係將上述單片以子像素單位或像素單位排列於上述配線基板上而成。 [發明之效果]

根據本技術，能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性，能夠提高產距時間。

以下，參照圖式，依下述順序對本技術之實施形態詳細地進行說明。 1.單片膜之製造方法 2.單片膜 3.顯示裝置之製造方法 4.顯示裝置 5.實施例

＜1.單片膜之製造方法＞ 本實施形態之單片膜之製造方法係針對設置於基材上之硬化性樹脂膜，自基材側照射雷射光，去除照射部分之硬化性樹脂膜，於基材上形成由硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片。此處，特定形狀之單片之反應率較佳為25%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下。藉此，能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性。

再者，雷射照射前之硬化性樹脂膜或雷射照射後所獲得之單片之反應率之測定例如可使用FT-IR，根據反應基之減少率而求出。於單片較小之情形時，亦可自沖裁出單片之膜之端部測定反應率。又，雷射照射前之單片之反應率之測定例如較佳為自冰箱取出，於室溫在8小時以內進行，雷射照射後之單片之反應率之測定較佳為雷射照射後於室溫在8小時以內進行。

於利用了環氧化合物之反應之硬化性樹脂膜之情形時，例如可如下所述地製作試樣，使用FT-IR測定反應率。首先，於雷射照射後，使用前端銳利之筆式切割器，對殘留於基板上之單片進行取樣，獲得雷射照射後之試樣。其次，將所取樣之試樣置於鑽石砧（diamond cell）上，於鑽石砧上使其薄且平坦，安裝於樣品保持器，設置於裝置本體。

再者，本測定所使用之鑽石砧為2片1組，將試樣夾於2片砧板，繫緊並壓碎。其後，使用1片附有試樣之砧板進行測定。測定時所需要之試樣量為極少量。若試樣量過多，則無法將試樣壓碎得較薄，因此導致於試樣膜厚較厚之狀態下進行測定。其結果為，基準線下降或傾斜，又，峰會飽和，而使光譜之解析變得困難。因此，關於試樣量，較佳為對能夠於鑽石砧上調整成較薄之程度（例如，能夠壓碎為10 μm以下之膜厚之程度）之量進行取樣。

檢測器係藉由事先冷卻而感度大幅上升，因此預先於測定前使用液態氮使檢測器冷卻30 min左右。又，FT-IR之測定條件例如如下所述地進行設定。 測定方式：穿透式 測定溫度：25℃ 測定濕度：60%以下 測定時間：12 sec 檢測器之光譜區域範圍：4000～700 cm ^-1

繼而，將鑽石砧安放於紅外顯微鏡，實施背景測定。藉由將背景測定位置設為試樣測定位置之儘可能近處，會容易得到良好之基準線。繼而，對雷射照射後之試樣照射紅外線，獲得雷射照射後之硬化性樹脂膜之IR光譜。又，與上述雷射照射後之試樣同樣地使用前端銳利之筆式切割器對雷射照射前（單片化前）之硬化性樹脂膜進行取樣，獲得雷射照射前之硬化性樹脂膜之IR光譜。關於反應率，可測定IR光譜之甲基（2930 cm ^-1附近）及環氧基（914 cm ^-1附近）之峰高度，如下述式，以環氧基之峰高度相對於甲基之峰高度之反應前後（雷射照射前後）之比率進行計算。 反應率（%）＝{1－（a/b）/（A/B）}×100 於上述式中，A為反應前之環氧基之峰高度，B為反應前之甲基之峰高度，a為反應後之環氧基之峰高度，b為反應後之甲基之峰高度。再者，在其他峰重疊於環氧基之峰之情形時，將完全硬化（反應率100%）之樣品之峰高度設為0%即可。

又，於利用了(甲基)丙烯酸酯化合物之反應之硬化性樹脂膜之情形時，可與環氧化合物同樣地例如測定紅外吸收光譜之甲基（2930 cm ^-1附近）及(甲基)丙烯醯基（1635 cm ^-1附近）之峰高度，以(甲基)丙烯醯基之峰高度相對於甲基之峰高度之反應前後之比率進行計算。

又，於(甲基)丙烯醯基之峰高度較小或者具有脂環式環氧基或氧雜環丁基之情形時，例如亦可如下所述地製作試樣，藉由HPLC（High Performance Liquid Chromatography）求出反應率。首先，於雷射照射後，使用前端銳利之筆式切割器，對殘留於基板上之單片進行取樣，獲得雷射照射後之試樣。其次，於採取樣品重量0.015 mg以上之後，放入小瓶中並添加作為萃取溶劑之乙腈。萃取溶劑量係於0.025-0.25%之範圍內決定任意之濃度而進行計算。繼而，將小瓶安放於測定裝置本體，例如於下述測定條件下，在雷射照射後，對殘留於基板上之單片進行HPLC之測定。又，與上述雷射照射後之試樣同樣地使用前端銳利之筆式切割器，對雷射照射前（單片化前）之硬化性樹脂膜進行取樣，對雷射照射前之硬化性樹脂膜進行HPLC之測定。 萃取：ACN 0.025-0.25% 機器：UPLC（Waters公司製造） 梯度條件：A60B40（保持1分鐘）→5分鐘後A1B99（保持6分鐘） ※A為水/乙腈＝9：1，B為乙腈 流量：0.4 mL/min 管柱：10 cm 測定溫度：40℃ 注入量：5 μL

可根據利用HPLC得到之層析圖，根據反應前後（雷射照射前後）之反應性成分之衰減率，如下述式，計算出單片之反應率。 反應率（%）＝{1－c/C}×100 於上述式中，C為反應前之反應性成分之峰高度或面積，c為反應後之反應性成分之峰高度或面積。

基材為對雷射光具有穿透性者即可，其中較佳為遍及全波長具有較高之透光率之石英玻璃。硬化性樹脂膜只要為藉由熱、光等能量而硬化者則無特別限定，例如，可自熱硬化型黏合劑、光硬化型黏合劑、熱-光併用硬化型黏合劑等中適當進行選擇。較佳為包含反應起始劑。又，硬化性樹脂膜例如可藉由使用混合、塗佈、乾燥等公知之方法而形成。

[雷射剝離裝置] 作為藉由雷射光之照射而形成特定形狀之單片之裝置，例如可使用雷射剝離（LLO：Laser Lift Off）裝置。雷射剝離裝置係對形成於基材上之材料層照射雷射光，自基材剝離材層者，作為雷射剝離裝置，例如可列舉信越化學工業股份有限公司製造之商品名「Invisi LUM-XTR」等。

圖1係示意性地表示本實施形態之雷射剝離裝置之一例之圖。如圖1所示，雷射剝離裝置10具備：雷射掃描儀11，其掃描雷射光之光軸；遮罩12，其以特定之間距排列有複數個特定形狀之開口；投影透鏡13，其將雷射光縮小投影至供體基板；供體台，其保持供體基板；以及受體台，其保持受體基板。於單片膜之形成中，將於基材21上形成有硬化性樹脂膜22之硬化性樹脂膜基板20作為供體基板保持於供體台，利用受體基板接住自硬化性樹脂膜基板20分離之硬化性樹脂膜之去除部23。

作為雷射裝置，例如可使用使波長180 nm～360 nm之雷射光振盪之準分子雷射。準分子雷射之振盪波長例如為193、248、308、351 nm，可自該等振盪波長中根據硬化性樹脂膜22之材料之光吸收性適宜地進行選擇。又，於在基材21與硬化性樹脂膜22之間設置有剝離材之情形時，可根據剝離材之材料之光吸收性適宜地進行選擇。

雷射掃描儀11例如具有由雙軸之檢流計掃描器（galvano scanner）所構成之掃描鏡，朝向遮罩12上之開口，在X軸方向及Y軸方向上掃描雷射光之光軸，同時控制雷射光之脈衝照射。

於遮罩12中，以特定間距形成有特定尺寸之窗之排列圖案，以使基材21與硬化性樹脂膜22之邊界面中之雷射光之照射成為特定之形狀。針對遮罩，例如藉由鍍鉻而實施圖案，成為遮光部，未實施鍍鉻之窗部分使雷射光穿透，實施了鍍鉻之部分遮斷雷射光。

投影透鏡13將通過遮罩12之圖案之雷射光投影至供體基板。又，供體台具有至少在X軸及Y軸上移動之移動機構，使供體基板之雷射光之照射位置移動。

雷射剝離裝置10構成掃描式縮小投影光學系統，該掃描式縮小投影光學系統由包含雷射掃描儀11、遮罩12、配置於雷射掃描儀11與遮罩12之間之場透鏡、及至少影像側遠心之縮小投影透鏡13的構成所構成。

來自雷射裝置之出射光入射至望遠鏡（telescope）光學系統，傳播至其前方之雷射掃描儀11。即將入射至雷射掃描儀11之前之雷射光以於供體台之X軸及Y軸之移動範圍內之任一位置均大致成為平行光之方式經望遠鏡光學系統調整，針對雷射掃描儀11，按照大致同一尺寸、同一角度（垂直）入射。

通過雷射掃描儀11之雷射光經過場透鏡入射至遮罩12，通過遮罩12之圖案之雷射光入射至投影透鏡13。自投影透鏡13出射之雷射光自基材21側入射，針對基材21與硬化性樹脂膜22之邊界面之特定位置，以遮罩12之開口之形狀準確地進行投影。雷射光自遮罩之開口部被投影至硬化性樹脂膜，將被投影之部分之硬化性樹脂膜22除去，會殘存與遮光部相當之形狀之硬化性樹脂膜。

於基材21與硬化性樹脂膜22之邊界面成像之雷射光之脈衝能量較佳為0.001～2 J，更佳為0.01～1.5 J，進而較佳為0.1～1 J。通量（fluence）較佳為0.001～2 J/cm ²，更佳為0.01～1 J/cm ²，進而較佳為0.05～0.5 J/cm ²。脈衝寬度（照射時間）較佳為0.01～1×10 ⁹微微秒，更佳為0.1～1×10 ⁷微微秒，進而較佳為1～1×10 ⁵微微秒。脈衝頻率較佳為0.1～10000 Hz，更佳為1～1000 Hz，進而較佳為1～100 Hz。照射脈衝數較佳為1～30,000,000。

藉由使用此種雷射剝離裝置，能夠於基材21與硬化性樹脂膜22之邊界面產生衝擊波，將硬化性樹脂膜22之去除部23自基材21剝離，利用基材21上之殘存部高精度及高效率地形成特定形狀之單片，能夠獲得優異之加工性。又，特定形狀之單片因雷射光之照射而受到之影響較小，因此可將單片之反應率設為25%以下、較佳為20%以下、進而較佳為15%以下，能夠獲得優異之轉印性。再者，反應率之測定例如可使用FT-IR而求出。

[具體例1] 作為具體例1示出之單片膜之製造方法係使用開口之窗部為四邊形之遮罩，將硬化性樹脂膜之無用部分自基材剝離，藉由硬化性樹脂膜之殘存部分構成四邊形之單片。

圖2係用以對作為具體例1示出之單片膜之製造方法之一例進行說明之圖，圖2（A）表示於基材上形成有硬化性樹脂膜之硬化性樹脂膜基板，圖2（B）表示在第1方向上將去除部剝離之情況，圖2（C）表示在第2方向上將去除部剝離之情況，圖2（D）表示於基材上形成有硬化性樹脂膜之單片的單片膜。又，圖3（A）係示意性地表示開口之窗部為四邊形之遮罩之一例之圖，圖3（B）係示意性地表示通過遮罩之開口之雷射光之照射之一例之圖。再者，於圖2及圖3中，將遮罩之開口設為1個，但較理想為以特定之間距排列有複數個開口。

首先，如圖2（A）所示，準備於基材31上形成有硬化性樹脂膜32之硬化性樹脂膜基板30。其次，如圖2（B）及圖3（B）所示，使硬化性樹脂膜基板30翻轉，自基材31側照射雷射光，藉由通過遮罩之開口之四邊形窗部之雷射光，將硬化性樹脂膜32之四邊形之去除部33剝離。繼而，如圖3（B）所示，使四邊形之去除部33之範圍在第1方向D1上移動，形成將第1方向D1設為長度方向，將與第1方向D1正交之第2方向D2設為短邊方向之硬化性樹脂膜。

繼而，如圖2（C）及圖3（B）所示，針對將第1方向D1設為長度方向，將與第1方向D1正交之第2方向D2設為短邊方向之硬化性樹脂膜，使四邊形之去除部33之範圍在第2方向D2上移動。藉此，如圖2（D）所示，可形成在第1方向D1上具有特定寬度及在第2方向D2上具有特定寬度之四邊形之單片34。

於使四邊形之去除部33之範圍在第1方向或第2方向上移動時，較佳為使四邊形之去除部33之範圍重疊。藉此，能夠抑制單片加工時產生毛邊，抑制單片轉印時之捲縮或欠缺。

圖4（A）係表示單片加工時產生了毛邊之單片之一例之顯微鏡照片，圖4（B）係表示單片轉印時發生了捲縮或欠缺之單片之一例之顯微鏡照片。於使去除部之範圍移動之情形時，在去除部之範圍之重疊不充分時，有時會如圖4（A）所示，形成在相鄰之去除部之範圍之邊界產生了毛邊之單片41。產生了毛邊之單片41會難以轉印至正確之位置，而成為如圖4（B）所示發生了捲縮之單片42或發生了欠缺之單片43，轉印成功率會下降。

[具體例2] 作為具體例2示出之單片膜之製造方法係使用於開口之窗部內形成有特定形狀之遮光部之遮罩，將單片周圍之硬化性樹脂膜之無用部分自基材剝離，藉由硬化性樹脂膜之殘存部分構成特定形狀之單片。

於具體例2中，用於雷射剝離裝置之遮罩（光罩）於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部，使雷射光穿透遮光部之外周。根據此種構成，藉由向遮罩之開口照射雷射光，能夠將單片周圍之無用部分剝離。又，如下所述，遮光部之形狀較佳為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。藉此，能夠獲得於利用LLO所進行之單片轉印時較少發生捲縮或欠缺之單片。

此種遮罩能夠藉由針對形成有遮光膜之透光基板，以於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部之方式去除遮光膜而獲得。具體而言，可藉由如下步驟製造上述遮罩：曝光步驟，其係準備於石英玻璃基板上形成有蒸鍍了鉻等之遮光膜之空白光罩，將抗蝕劑（感光性樹脂）均勻地塗佈於空白光罩之表面，使用電子束描繪於開口內具有特定形狀之遮光部之圖案；顯影步驟，其係去除藉由電子束曝光後之抗蝕劑（有時亦去除未曝光之部分）；蝕刻步驟，其係利用反應性氣體對露出遮光膜之部分進行乾式蝕刻；以及去除步驟，其係去除剩餘之抗蝕劑。

圖5（A）係示意性地表示於開口之窗部內具有遮光部之遮罩之一例之圖，圖5（B）係示意性地表示通過遮罩之開口之雷射光之照射之一例之圖。再者，於圖5（A）及圖5（B）中，將遮罩之開口設為1個，但較理想為以特定之間距排列有複數個開口。

首先，與具體例1同樣地準備於基材上形成有硬化性樹脂膜之硬化性樹脂膜基板，使硬化性樹脂膜基板翻轉，自基材側照射雷射光，藉由通過遮罩之開口之雷射光，將硬化性樹脂膜之去除部剝離。如圖5（A）所示，遮罩之開口於四邊形之窗部內之中心具有四邊形之遮光部51，因此去除部成為於四邊形之中心具有四邊形之孔之環形。遮光部較佳為散佈於窗部內之中心，不與窗框相連。藉由於窗部內僅殘存遮光部，而能夠於不進行上述向第1方向及第2方向之移動之情況下進行無用部分之去除。繼而，如圖5（B）所示，使四邊形之去除部之範圍在第1方向及與第1方向正交之第2方向上移動，進行相同之操作，藉此於第1方向及第2方向上相鄰地形成相同形狀之四邊形之單片52。

根據作為具體例2示出之單片膜之製造方法，因於遮罩之開口之窗部內具有用以形成單片52之遮光部51，故能夠確實地去除單片52之周圍之硬化性樹脂膜。因此，能夠防止單片加工時發生毛邊，能夠抑制單片轉印時之捲縮或欠缺。

圖6係示意性地表示於開口之窗部內具有複數個遮光部之遮罩之一例之圖。於上述圖5（A）及圖5（B）中，於遮罩之開口之窗內設有1個遮光部，但例如亦可如圖6所示，於開口之窗部內在X軸方向上以特定之間距及在Y軸之方向上以特定之間距形成有複數個遮光部53。窗部之大小（W1×W2）可基於遮罩之大小或雷射光照射之有效範圍之最大值來決定。藉由使用此種遮罩，能夠藉由雷射光之1次照射來形成複數個單片。

[開口之形狀例] 圖7係示意性地表示遮罩之開口之形狀例之圖，圖7（A）表示於開口之窗部內具有矩形遮光部之遮罩，圖7（B）表示於開口之窗部內具有正方形遮光部之遮罩，圖7（C）表示於開口之窗部內具有圓角矩形遮光部之遮罩，圖7（D）表示於開口之窗部內具有圓形遮光部之遮罩。

遮罩之開口可如圖7（A）所示地於開口之窗部內具有矩形之遮光部54A，可如圖7（B）所示地具有正方形之遮光部54B，可如圖7（C）所示地具有圓角矩形之遮光部54C，亦可如圖7（D）所示地具有圓形之遮光部54D。藉此，能夠獲得投影了遮光部之形狀之矩形、正方形、圓角矩形、圓形之單片。又，就單片之加工性及利用LLO所進行之轉印之觀點而言，遮光部之形狀例如較佳為由鈍角（大於90°且小於180°之角）所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓、圓等。於遮光部之形狀中有作為銳角之角之情形時，單片之加工性變差，又，於單片之利用LLO所進行之轉印時單片發生捲縮或欠缺之頻度變高。

＜2.單片膜＞ 本實施形態之單片膜可藉由上述單片膜之製造方法而獲得。即，單片膜具備基材及由硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片。此處，特定形狀之單片之反應率較佳為25%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下。藉此，能夠獲得單片之優異之轉印性。

如上所述，為了抑制利用LLO所進行之單片轉印時發生捲縮或欠缺，單片之形狀較佳為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。又，如上所述，基材為對雷射光具有穿透性者即可，其中較佳為遍及全波長具有較高之透光率之石英玻璃。

單片之尺寸（縱×橫）根據作為連接對象之電子零件或電子零件之電極之尺寸而適當進行設定，單片之面積相對於電子零件之面積之比較佳為0.5～5.0，更佳為0.5～4.0，進而較佳為0.5～2.0。又，單片之厚度較佳為1 μm以上10 μm以下，更佳為1 μm以上6 μm以下，進而較佳為2 μm以上4 μm以下。單片之厚度可使用公知之測微計、數位厚度規、雷射位移計等進行測定，例如可測定10處以上進行平均而算出。單片之尺寸較佳為全部相同，但為了提高連接構造體之設計自由度，亦可存在複數種。

又，基材上之單片間之距離較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。又，單片間之距離之上限較佳為3000 μm以下，更佳為1000 μm以下，進而較佳為500 μm以下。於單片間之距離過小之情形時，單片之轉印變得困難，於單片間之距離過大之情形時，貼附單片之方法變得較佳。單片間之距離可使用顯微鏡觀察（光學顯微鏡、金屬顯微鏡、電子顯微鏡等）進行測量。

[硬化性樹脂膜] 如上所述，硬化性樹脂膜只要為藉由熱、光等能量而硬化者則無特別限定，例如可自熱硬化型黏合劑、光硬化型黏合劑、熱-光併用硬化型黏合劑等中適當進行選擇。

作為熱硬化型黏合劑，例如可列舉：包含環氧化合物及熱陰離子聚合起始劑之熱陰離子聚合型樹脂組成物、包含環氧化合物及熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合型樹脂組成物、包含(甲基)丙烯酸酯化合物及熱自由基聚合起始劑之熱自由基聚合型樹脂組成物等。作為光硬化型黏合劑，例如可列舉：包含環氧化合物及光陽離子聚合起始劑之光陽離子聚合型樹脂組成物、包含(甲基)丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑之光自由基聚合型樹脂組成物等。作為熱-光併用硬化型黏合劑，可列舉熱硬化型黏合劑與光硬化型黏合劑之混合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯化合物意指包含丙烯酸單體（低聚物）及甲基丙烯酸單體（低聚物）之任一者。

（熱陽離子聚合型樹脂組成物） 以下，作為熱硬化型黏合劑之具體例，舉出包含膜形成樹脂、環氧化合物及熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合型樹脂組成物為例進行說明。

作為膜形成樹脂，例如與平均分子量為10000以上之高分子量樹脂相當，就膜形成性之觀點而言，較佳為大致10000～80000之平均分子量。作為膜形成樹脂，可列舉丁醛樹脂、苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂（polyurethane resin）、聚酯聚胺酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等各種樹脂，該等可單獨使用，亦可組合2種以上而使用。該等中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言，較佳為使用丁醛樹脂。膜形成樹脂之含量相對於熱硬化型黏合劑100質量份，較佳為20～70質量份，更佳為30～60質量份以下，進而較佳為45～55質量份。

環氧化合物只要為於分子內具有1個以上之環氧基之環氧化合物則無特別限定，例如可為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等，亦可為胺基甲酸酯改質之環氧樹脂。該等中，可較佳地使用氫化雙酚A縮水甘油醚。作為氫化雙酚A縮水甘油醚之具體例，例如可列舉Mitsubishi Chemical公司製造之商品名「YX8000」。環氧化合物之含量相對於熱硬化型黏合劑100質量份，較佳為30～60質量份，更佳為35～55質量份以下，進而較佳為35～45質量份。

作為熱陽離子聚合起始劑，可採用作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑而公知者，例如為藉由熱而產生能夠使陽離子聚合型化合物陽離子聚合之酸者，可使用公知之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等。該等中，可較佳地使用對溫度表現出良好之潛在性之芳香族鋶鹽。作為芳香族鋶鹽系聚合起始劑之具體例，例如可列舉三新化學工業股份有限公司製造之商品名「SI-60L」。熱陽離子聚合起始劑之含量相對於熱硬化型黏合劑100質量份，較佳為1～20質量份，更佳為5～15質量份以下，進而較佳為8～12質量份。

再者，作為摻合於熱硬化型黏合劑中之其他添加物，視需要可摻合橡膠成分、無機填料、矽烷偶合劑、稀釋用單體、填充劑、軟化劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑等。

橡膠成分只要為緩衝性（衝擊吸收性）較高之彈性體則無特別限定，作為具體例，例如可列舉：丙烯酸橡膠、聚矽氧橡膠、丁二烯橡膠、聚胺酯樹脂（聚胺酯系彈性體）等。作為無機填料，可使用二氧化矽、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等。無機填料可單獨使用亦可併用2種以上。

藉由由此種構成所構成之熱硬化型黏合劑，能夠抑制藉由雷射光而形成單片時之硬化反應，於熱壓接合時能夠藉由熱而快速硬化。

（各向異性導電膜） 又，硬化性樹脂膜較佳為進而含有導電粒子之各向異性導電膜。作為導電粒子，可適當選擇於公知之各向異性導電膜中所使用者來使用。例如可列舉鎳（熔點1455℃）、銅（熔點1085℃）、銀（熔點961.8℃）、金（熔點1064℃）、鈀（熔點1555℃）、錫（熔點231.9℃）、硼化鎳（熔點1230℃）、釕（熔點2334℃）、作為錫合金之焊料等金屬粒子。又，例如可列舉由鎳、銅、銀、金、鈀、錫、硼化鎳、釕等金屬被覆金屬粒子之表面之金屬被覆金屬粒子等。又，例如可列舉由鎳、銅、銀、金、鈀、錫、硼化鎳、釕等金屬被覆包含選自聚醯胺、聚苯并胍胺、苯乙烯及二乙烯苯中之至少1種單體作為單體單位之聚合物等樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子。又，例如可列舉由鎳、銅、銀、金、鈀、錫、硼化鎳、釕等金屬被覆二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯、碳黑、矽玻璃、硼矽酸玻璃、鉛玻璃、鈉鈣玻璃及氧化鋁矽酸鹽玻璃等無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子等。又，金屬被覆樹脂粒子及金屬被覆無機粒子之被覆金屬層可為單層，亦可為異種金屬之複層。

又，例如亦可藉由由樹脂層、或樹脂粒子、無機粒子等絕緣性粒子被覆該等導電粒子而實施絕緣被覆處理。本發明中之導電粒子之粒徑不包括絕緣被覆處理之部分。導電粒子之粒徑根據所安裝之光學元件、配線基板之電極、凸塊之面積等而適當變更，較佳為1～30 μm，更佳為1～10 μm，特佳為1～3 μm。例如，在用於微型LED元件之安裝之情形時，由於電極或凸塊之面積較小，因而導電粒子之粒徑較佳為1～3 μm，更佳為1～2.5 μm，特佳為1～2.2 μm。粒徑可利用顯微鏡觀察（光學顯微鏡、金屬顯微鏡、電子顯微鏡等）測量200個以上而取其平均值。

又，於導電粒子為上述將金屬被覆於樹脂粒子或無機粒子而成之金屬被覆樹脂粒子或金屬被覆無機粒子之情形時，金屬之被覆厚度較佳為0.005 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為10 μm以下，更佳為1 μm以下，進而較佳為0.3 μm以下。該被覆厚度於金屬被覆為複層之情形時為金屬被覆整體之厚度。若金屬之被覆厚度為上述下限以上及上述上限以下，則容易獲得充分之導電性，又，導電粒子不過度變硬，而容易活用上述樹脂粒子或無機粒子之特性。

金屬之被覆厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡（TEM）觀察導電粒子之剖面而測定。關於上述被覆厚度，較佳為將任意5處被覆厚度之平均值作為1個導電粒子之被覆厚度而算出，更佳為將被覆部整體之厚度之平均值作為1個導電粒子之被覆厚度而算出。上述被覆厚度較佳為藉由針對任意10個導電粒子計算出各導電粒子之被覆厚度之平均值而求出。

又，作為導電粒子之形狀，可列舉球狀、橢球體狀、尖狀、不定形狀等形狀。該等中，就容易控制粒徑或粒度分佈之方面而言，較佳為球狀形狀之導電粒子。又，導電粒子為了提高連接性亦可於表面具有突起。

各向異性導電膜較佳為將導電粒子在面方向上排列而構成。藉由導電粒子在面方向上排列而構成，粒子面密度變得均勻，能夠提高導通性及絕緣性。所謂導電粒子在面方向上排列之狀態，例如可列舉具有1個以上以特定間距在特定方向上配置有導電粒子之排列軸之平面晶格圖案，可列舉斜方晶格、六方晶格、正方晶格、矩形晶格、平行體晶格等。又，導電粒子之面方向之排列可為隨機，亦可具有平面晶格圖案不同之複數個區域。

各向異性導電膜之粒子面密度可根據連接對象之電極尺寸而適當進行設計，粒子面密度之下限可設為500個/mm ²以上、20000個/mm ²以上、40000個/mm ²以上、50000個/mm ²以上，粒子面密度之上限可設為1500000個/mm ²以下、1000000個/mm ²以下、500000個/mm ²以下、100000個/mm ²以下。藉此，即便於連接對象之電極尺寸較小之情形時，亦能夠獲得優異之導通性及絕緣性。各向異性導電膜之粒子面密度係於製造時進行膜化時之導電粒子之排列部分之粒子面密度。於根據複數個單片求出粒子個數密度之情形時，可根據自包含單片及間隔之面積中除去單片間之間隔所得之面積以及粒子數而求出粒子面密度。

藉由將各向異性導電膜設為膜狀，會容易將各向異性導電膜設置於基材。就操作性之觀點而言，亦可為於各向異性導電膜之單面或兩面設置有聚對苯二甲酸乙二酯膜等脫模性膜者。又，各向異性導電膜亦可積層不含有導電粒子之接著劑層或黏著劑層，其層數或積層面可配合對象或目的而適當進行選擇。

各向異性導電膜之膜厚可根據所安裝之光學元件或配線基板之電極或凸塊之高度而適當變更，為粒徑之1～10倍以內即可，較佳為1 μm以上10 μm以下，更佳為1 μm以上6 μm以下，進而較佳為2 μm以上4 μm以下。膜厚可使用公知之測微計或數位厚度規進行測定。膜厚例如可測定10處以上進行平均而求出。

作為製造各向異性導電膜之方法，例如可列舉：將各向異性導電接著劑之溶液塗佈於基材上並進行乾燥之方法；或於基材上形成不包含導電粒子之接著層，將導電粒子固定於所獲得之接著層之方法等。

＜3.顯示裝置之製造方法＞ 本實施形態之顯示裝置之製造方法具有如下步驟：形成步驟，其係針對設置於基材上之硬化性樹脂膜，自基材側照射雷射光，去除該照射部分之硬化性樹脂膜，於基材上形成由硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片；轉印步驟，其係將特定形狀之單片轉印至配線基板之特定位置或發光元件之電極面；以及安裝步驟，其係經由被轉印之單片，將發光元件安裝於配線基板。藉此，能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性，能夠謀求產距時間之縮短化。

單片之形狀與配線基板及發光元件之電極之形狀對應而形成，如上所述，為了單片之加工性及抑制於利用LLO所進行之單片轉印時發生捲縮或欠缺，較佳為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓、圓中之至少1種。又，硬化性樹脂膜亦可為各向異性導電膜。

單片可以1像素單位（例如1組RGB之1像素單位）、即複數個發光元件單位進行排列，亦可以構成1像素之子像素單位（例如任意之RGB單位）、即發光元件單位進行排列。藉此，能夠自較高之PPI（Pixels Per Inch）之發光元件陣列至較低之PPI之發光元件陣列進行對應。又，例如於將RGB設為1像素之情形時，將3子像素作為1組或將包含RGB之冗餘電路3子像素在內之合計6子像素作為1組進行排列，因此單片亦可以1組6子像素單位進行排列。

又，單片例如亦可以與發光元件之p側之第1導電型電極或n側之第2導電型電極對應之電極單位進行排列。又，為了提高生產性，單片亦可以不損害透明性之範圍、例如1 mm×1 mm為單位進行排列。

又，於形成步驟中，為了高效率地去除硬化性樹脂膜之無用部，亦可對硬化性樹脂膜進行預處理。作為預處理，例如可列舉發光元件單位或電極單位之單片形狀切口、複數個縱方向之切口及複數個橫方向之切口交叉之格子狀切口等。切口可使用機械方法、化學方法、雷射等進行設置。再者，切口可不深至到達基材之程度，亦可為半切口。藉此，能夠抑制單片發生捲縮。

又，轉印步驟中之單片之轉印方法並無特別限定，例如可列舉：藉由上述雷射剝離法（LLO法）將單片自基材直接轉印、配置於配線基板或發光元件之方法；或使用預先密接有單片之轉印材（印材），自轉印材轉印、配置於配線基板或發光元件之方法。

又，安裝步驟中之發光元件之配置方法並無特別限定，例如可列舉：藉由上述雷射剝離法（LLO法）將發光元件配置於配線基板之方法；或使用預先密接有發光元件之轉印材（印材），自轉印材配置於配線基板之方法。

[第1實施形態] 第1實施形態之顯示裝置之製造方法具有如下步驟：形成步驟（A1），其使用雷射剝離裝置，去除雷射光之照射部分之各向異性導電膜，於基材上形成由各向異性導電膜所構成之特定形狀之單片；轉印步驟（B1），其使用雷射剝離裝置，將特定形狀之單片轉印至配線基板之特定位置；以及安裝步驟（C1），其使用雷射剝離裝置，將發光元件排列於配線基板之特定位置，將發光元件安裝於配線基板。

以下，參照圖8～圖11，對形成特定形狀之單片之形成步驟（A1）、轉印特定形狀之單片之轉印步驟（B1）、及將發光元件安裝於配線基板之安裝步驟（C1）進行說明。

[形成步驟（A1）] 於形成步驟（A1）中，準備設置於基材上之各向異性導電膜，使用上述雷射剝離裝置，自基材側照射雷射光，藉由上述通過遮罩之開口之雷射光，將各向異性導電膜之去除部剝離，而形成單片。單片之形成方法與上述單片膜之製造方法相同，因此，此處省略詳細說明。

圖8係示意性地表示設置於基材之各向異性導電膜之剖面圖。此處，較佳為於各向異性導電膜62之自基材61側起之厚度方向上有不存在導電粒子之區域X。所謂區域X中不存在導電粒子之狀態例如不僅意指導電粒子63之粒子整體不存在於該區域中之狀態，還意指亦不包含導電粒子63之一部分之狀態。換言之，較佳為所有導電粒子63不溢出地存在於除區域X以外之各向異性導電膜62之部分。

再者，就各向異性導電膜62之生產性之觀點而言，較佳為在存在於各向異性導電膜62之自基材61側起之厚度方向上之區域X中，設為各向異性導電膜62所包含之全部導電粒子63之個數之5%以下，更佳為設為1%以下。

各向異性導電膜62之區域X之自基材61側之厚度t可為0～0.05 μm，為了更確實地抑制因剝蝕所致之導電粒子63之劣化，較佳為0～0.1 μm，更佳為0～0.15 μm，特佳為0～0.2 μm。區域X亦可大於0.2 μm。再者，下限大於0即可，指全部導電粒子63之個數之5%為止、較佳為1%為止不到達（不接觸）基材61之狀態。該剖面可根據電子顯微鏡之觀察來確認。

又，就提高耐剝蝕性之觀點而言，導電粒子63較佳為包含熔點為1400℃以上之金屬。就獲取容易性之觀點而言，金屬之熔點之上限較佳為大致3500℃。又，就獲取容易性之觀點而言，構成導電粒子63之金屬較佳為包含鎳、鈀或釕。

又，於使用上述由金屬被覆樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子、或由金屬被覆無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子作為導電粒子63之情形時，為了使剝蝕對樹脂粒子或無機粒子之影響為最小限度，較佳為將金屬之被覆厚度設為0.04 μm以上，更佳為設為0.5 μm以上，特佳為設為0.75 μm以上，最佳為設為0.1 μm以上。該金屬之被覆厚度之上限取決於導電粒子63之直徑，較佳為導電粒子63之直徑之20%或0.5 μm左右。

[轉印步驟（B）] 圖9係示意性地表示使單片膜與配線基板對向之狀態之剖面圖。如圖9所示，首先，於轉印步驟（A）中，使單片膜60與配線基板70對向。

單片膜60具備基材61及由含有導電粒子63之各向異性導電膜所構成之單片64，單片64以發光元件單位排列於基材61表面。基板61為對雷射光具有穿透性者即可，其中較佳為遍及全波長具有較高之透光率之石英玻璃。

單片64之尺寸（縱×橫）根據作為晶片零件之發光元件之尺寸適當進行設定，單片64之面積相對於發光元件之面積之比較佳為0.5～5.0，更佳為0.5～4.0，進而較佳為0.5～2.0。又，單片64之厚度較佳為2～10 μm，更佳為3～8 μm以下，進而較佳為4～6 μm以下。單片之尺寸較佳為全部相同，但為了提高連接構造體之設計自由度，亦可存在多種。藉此，能夠獲得具有憑藉習知之ACP（Anisotropic Conductive Paste）、ACF（Anisotropic Conductive Film）、NCF（Non Conductive Film）、接著劑等之連接所無法達成之優異之透光性、導通性及絕緣性之連接構造體。

又，排列於基材61上之單片間之距離較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。又，單片間之距離之上限較佳為3000 μm以下，更佳為1000 μm以下，進而較佳為500 μm以下。於單片間之距離過小之情形時，單片之轉印變得困難，於單片間之距離過大之情形時，貼附單片之方法變得較佳。單片間之距離可使用顯微鏡觀察（光學顯微鏡、金屬顯微鏡、電子顯微鏡等）進行測量。

配線基板70於基材71上具備第1導電型用電路圖案及第2導電型用電路圖案，以將發光元件以構成1像素之子像素（副像素）單位配置之方式，例如於與p側之第1導電型電極及n側之第2導電型電極對應之位置分別具有第1電極72及第2電極73。又，配線基板70例如形成矩陣配線之資料線、位址線等電路圖案，能夠使與構成1像素之各子像素對應之發光元件開關。1像素例如可由R（紅）G（綠）B（藍）之3個子像素所構成，亦可由RGBW（白）、RGBY（黃）之4個子像素所構成，還可由RG、GB之2個子像素所構成。

又，配線基板70於以透明顯示用途使用之情形時，較佳為透光基板，基材71較佳為玻璃、PET（Polyethylene Terephthalate等。第1電極72及第2電極73較佳為ITO（Indium-Tin-Oxide）、IZO（Indium-Zinc-Oxide）、ZnO（Zinc-Oxide）、IGZO（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）等透明導電膜。

圖10係示意性地表示自基材側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片轉印並排列於配線基板之特定位置的狀態之剖面圖。如圖10所示，於轉印步驟（B）中，使用上述雷射剝離裝置，自基材61側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片64轉印並排列於配線基板70之特定位置。藉由使基材61與基板70對位而進行轉印，能夠使單片64以子像素單位排列於基板70上。

又，在相對於基材61之尺寸而基板70之尺寸較大之情形時，藉由將基材61複數次對位並轉印單片64，能夠將單片64以子像素單位排列於基板70之畫面區域。

各向異性導電膜之單片64之轉印可使用上述雷射剝離裝置。此種轉印方式被稱為雷射剝離，例如為利用藉由雷射而進行之剝蝕之方式。於上述雷射剝離裝置中，將作為供體基板之單片膜60保持於供體台，將作為受體基板之配線基板70保持於受體台。單片膜與配線基板之間之距離較佳為10～20000 μm，更佳為50～1500 μm，進而較佳為80～1000 μm。

作為雷射裝置，例如可使用使波長180 nm～360 nm之雷射光振盪之準分子雷射。準分子雷射之振盪波長例如為193、248、308、351 nm，可自該等振盪波長中根據各向異性導電膜之材料之光吸收性而適宜地進行選擇。

遮罩使用以特定間距形成有特定尺寸之窗之排列之圖案，以使基材61與各向異性導電膜之單片64之邊界面中之投影成為所需之雷射光之排列。針對遮罩，例如藉由鍍鉻而對基材61實施圖案，未實施鍍鉻之窗部分使雷射光穿透，實施了鍍鉻之部分遮斷雷射光。

來自雷射裝置之出射光入射至望遠鏡光學系統，傳播至其前方之雷射掃描儀11。即將入射至雷射掃描儀11之前之雷射光以於供體台之X軸及Y軸之移動範圍內之任一位置均大致成為平行光之方式經望遠鏡光學系統調整，針對雷射掃描儀11，按照大致同一尺寸、同一角度（垂直）入射。

通過雷射掃描儀11之雷射光經過場透鏡入射至遮罩12，通過遮罩12之圖案之雷射光入射至投影透鏡13。自投影透鏡13出射之雷射光自基材61側入射，針對形成於其表面（下表面）之各向異性導電膜之單片64之位置，以遮罩圖案之縮小尺寸準確地進行投影。

照射至各向異性導電膜之單片與基材之界面並成像之雷射光之脈衝能量較佳為0.001～2 J，更佳為0.01～1.5 J，進而較佳為0.1～1 J。通量（fluence）較佳為0.001～2 J/cm ²，更佳為0.01～1 J/cm ²，進而較佳為0.05～0.5 J/cm ²。脈衝寬度（照射時間）較佳為0.01～1×10 ⁹微微秒，更佳為0.1～1×10 ⁷微微秒，進而較佳為1～1×10 ⁵微微秒。脈衝頻率較佳為0.1～10000 Hz，更佳為1～1000 Hz，進而較佳為1～100 Hz。照射脈衝數較佳為1～30,000,000。

藉由使用此種雷射剝離裝置，能夠於基材61與各向異性導電膜之單片64之邊界面中，對被照射雷射光之單片64產生衝擊波，將單片64自基材61剝離，朝向配線基板70提昇，將複數個單片64噴至配線基板70之特定位置。藉此，能夠高精度及高效率地將各向異性導電膜之單片64轉印、排列於配線基板70，能夠謀求產距時間之縮短化。

轉印步驟（B1）後之各向異性導電膜之單片64之反應率較佳為25%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下。藉由使轉印步驟（B1）後之單片64之反應率為25%以下，能夠於安裝步驟（C1）中使發光元件熱壓接合。反應率之測定例如可使用FT-IR而求出。

又，排列於配線基板70之特定位置之單片間之距離與排列於單片膜60之基材61上之單片間之距離同樣地較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。又，單片間之距離之上限較佳為3000 μm以下，更佳為1000 μm以下，進而較佳為500 μm以下。於單片間之距離過小之情形時，將各向異性導電膜貼附於配線基板70整面之方法變得較佳，於單片間之距離過大之情形時，將各向異性導電膜貼附於配線基板70之特定位置之方法變得較佳。單片間之距離可使用顯微鏡觀察（光學顯微鏡、金屬顯微鏡、電子顯微鏡等）進行測量。

[安裝步驟（C1）] 圖11係示意性地表示將發光元件安裝於排列在配線基板之特定位置之單片上的狀態之剖面圖。如圖11所示，於安裝步驟（C1）中，在排列於配線基板70之特定位置之單片64上安裝發光元件80。

發光元件80具備本體81、第1導電型電極82及第2導電型電極83，第1導電型電極82及第2導電型電極83具有配置於同一面側之水平構造。本體81具備例如由n-GaN所構成之第1導電型包覆層、例如由In _xAl _yGa _{1 － x － y}N層所構成之活性層、及例如由p-GaN所構成之第2導電型包覆層，具有所謂雙異質構造。第1導電型電極82藉由鈍化層而形成於第1導電型包覆層之一部分，第2導電型電極83形成於第2導電型包覆層之一部分。若對第1導電型電極82與第2導電型電極83之間施加電壓，則載子集中於活性層，藉由再結合而發生發光。

發光元件80與構成1像素之各子像素對應地排列於基板70上，構成發光元件陣列。1像素例如可由R（紅）G（綠）B（藍）之3個子像素所構成，亦可由RGBW（白）、RGBY（黃）之4個子像素所構成，還可由RG、GB之2個子像素所構成。

作為子像素之排列方法，例如，於RGB之情形時，可列舉：條狀排列、馬賽克排列、三角形排列等。條狀排列係將RGB以縱條狀排列者，能夠謀求高精細化。又，馬賽克排列係將RGB之同一顏色斜向配置者，能夠獲得較條狀排列自然之圖像。又，三角形排列係將RGB排列為三角形，各點每場（field）錯開半間距者，能夠獲得自然之圖像顯示。

於安裝步驟（C1）中，能夠使用上述雷射剝離裝置將發光元件80配置於配線基板70之特定位置。於上述雷射剝離裝置中，將作為供體基板之發光元件保持於供體台，將作為受體基板之配線基板70保持於受體台。發光元件與配線基板之間之距離較佳為10～1000 μm，更佳為50～500 μm，進而較佳為80～200 μm。

作為將發光元件80連接於配線基板70之方法，可適當選擇公知之各向異性導電膜中所使用之熱壓接合、光壓接、熱光併用壓接等連接方法而使用。又，於導電粒子為焊料粒子之情形時，亦可藉由回焊而連接。作為熱壓接合之條件，例如為溫度150℃～260℃、壓力1 MPa～60 MPa、時間5秒～300秒。藉由使各向異性導電膜硬化，而形成硬化膜，在硬化膜不存在於發光元件80間而露出配線基板70之狀態下，能夠將發光元件80各向異性連接於配線基板70上。又，藉由將配線基板70設為透光基板，能夠獲得與將各向異性導電膜貼附於配線基板70之整面之情形相比優異之透光性。

[第1實施形態之變化例] 於上述第1實施形態中之轉印步驟（B1）中，係如圖9及圖10所示，將各向異性導電膜之單片64以作為發光元件單位之子像素單位排列於配線基板70上，但並不限於該等，例如，亦可以例如與發光元件之p側之第1導電型電極或n側之第2導電型電極對應之電極單位進行排列。

圖12係示意性地表示自基板側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片於電極位置轉印並排列於配線基板上的狀態之剖面圖，圖13係示意性地表示將發光元件安裝於以電極單位排列在配線基板之單片上的狀態之剖面圖。如圖12所示，於轉印步驟（B1）中，針對與發光元件80之例如p側之第1導電型電極82及n側之第2導電型電極83分別對應之第1電極72及第2電極73，分別轉印第1單片64A及第2單片64B。

單片64A、64B之尺寸（縱×橫）根據發光元件之電極之尺寸而適當進行設定，與以發光元件單位形成單片之情形同樣，單片之面積相對於電極之面積之比較佳為0.5～5.0，更佳為0.5～4.0，進而較佳為0.5～2.0。又，單片之厚度較佳為2～10 μm，更佳為3～8 μm以下，進而較佳為4～6 μm以下。

如圖13所示，於安裝步驟（C1）中，將發光元件80安裝於以電極單位排列於配線基板70上之單片64A、64B上。藉此，能夠進而提高顯示裝置之透明性。

如以上所說明，根據第1實施形態之顯示裝置之製造方法，能夠藉由雷射光之照射而高精度及高效率地將各向異性導電膜之單片64轉印、排列於配線基板70，因此能夠謀求產距時間之縮短化。又，能夠獲得憑藉以往之ACP、ACF、NCF、接著劑等之連接所無法達成之優異之透光性、導通性及絕緣性，能夠獲得高亮度、高精細之透明顯示器。

[第2實施形態] 第2實施形態之顯示裝置之製造方法具有如下步驟：形成步驟（A2），其使用雷射剝離裝置，去除雷射光之照射部分之各向異性導電膜，於基材上形成由各向異性導電膜所構成之特定形狀之單片；轉印步驟（B2-1），其使用雷射剝離裝置，將特定形狀之單片轉印至發光元件之電極面；再轉印步驟（B2-2），其使用雷射剝離裝置，將轉印有單片之發光元件再轉印至配線基板之特定位置；以及安裝步驟（C2），其將發光元件安裝於配線基板。藉此，能夠獲得單片之優異之加工性及轉印性，能夠謀求產距時間之縮短化。

以下，參照圖14～圖16，對形成特定形狀之單片之形成步驟（A2）、將特定形狀之單片轉印至發光元件之電極面之轉印步驟（B2-1）、將轉印有單片之發光元件再轉印至配線基板之特定位置之再轉印步驟（B2-2）、及將發光元件安裝於配線基板之安裝步驟（C2）進行說明。再者，對與第1實施形態相同之構成標註相同之符號，並省略說明。

[形成步驟（A2）] 形成步驟（A2）因與第1實施形態中之形成步驟（A1）相同，故於此處省略詳細之說明。

[轉印步驟（B2-1）] 圖14係示意性地表示使設置於基材之各向異性導電膜之單片與排列於轉印基板之發光元件對向的狀態之剖面圖。如圖14所示，於轉印步驟（B2）中，使設置於基材61之各向異性導電膜之單片64與轉印基板90對向。單片64係與發光元件50之電極之形狀對應地形成於基材61上。

轉印基板90具備基材91及排列於基材91上之發光元件80。基材91根據下述再轉印步驟（B2-2）之轉印方式而適當進行選擇。例如，於下述再轉印步驟（B2-2）中，在使用利用藉由雷射而進行之剝蝕之轉印方式之情形時，基材91為對雷射光具有穿透性者即可，其中較佳為遍及全波長具有較高之透光率之石英玻璃。又，例如，於下述再轉印步驟（B2-2）中，在將轉印基板90貼合於配線基板20而將發光元件80轉接著之情形時，基材91例如亦可具有聚矽氧橡膠層。

於轉印步驟（B2-1）中，與上述第1實施形態同樣，例如可使用被稱為雷射剝離之利用藉由雷射而進行之剝蝕之轉印方式。

圖15係示意性地表示自基材側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片轉印於排列在轉印基板之發光元件上的狀態之剖面圖。如圖15所示，於轉印步驟（B2-1）中，自基材61側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片64轉印至排列於轉印基板90之發光元件80上。

與上述第1實施形態同樣，各向異性導電膜之單片64之轉印可使用上述雷射剝離裝置。藉由使用雷射剝離裝置，能夠於基材61與各向異性導電膜之單片64之邊界面中，於被照射雷射光之單片64產生衝擊波，將複數個單片64自基材61剝離，朝向排列於轉印基板之發光元件80提昇，將單片64高精度地噴至發光元件80。

[再轉印步驟（B2-2）] 圖16係示意性地表示將轉印有單片之發光元件再轉印於配線基板上的狀態之剖面圖。如圖16所示，於再轉印步驟（B2-2）中，將轉印有單片64之發光元件80再轉印至配線基板70上。作為再轉印之方法，並無特別限定，例如可列舉：藉由雷射剝離法（LLO法）自轉印基板90將轉印有單片64之發光元件80直接轉印、配置於配線基板70之方法；自預先密接有轉印有單片64之發光元件80之轉印基板90將發光元件80轉印、配置於配線基板70之方法等。

又，於再轉印步驟（B2-2）中，較佳為以構成1像素之子像素單位轉印發光元件80。藉此，能夠自較高之PPI（Pixels Per Inch）之發光元件陣列至較低之PPI之發光元件陣列進行對應。

[安裝步驟（C2）] 於安裝步驟（C2）中，經由單片64而安裝排列於配線基板70之特定位置之發光元件80。安裝發光元件80之狀態與圖11所示之第1實施形態相同。將發光元件80連接於配線基板70之方法與第1實施形態相同。藉此，在各向異性導電膜不存在於發光元件80間而露出配線基板70之狀態下，能夠將發光元件80各向異性連接於配線基板70上。又，藉由將配線基板70設為透光基板，能夠獲得與將各向異性導電膜貼附於配線基板70之整面之情形相比優異之透光性。

[第2實施形態之變化例] 於上述第2實施形態中之轉印步驟（B2-1）中，係如圖14及圖15所示，將各向異性導電膜之單片64轉印至發光元件80上，但並不限於該等，例如，亦可將各向異性導電膜之單片以電極單位轉印至發光元件上。即，亦可如圖13所示之第1實施形態之變化例般，分別將第1單片及第2單片轉印並安裝於發光元件80之例如p側之第1導電型電極82及n側之第2導電型電極83。藉此，能夠進而提高顯示裝置之透明性。

如以上所說明，根據第2實施形態之顯示裝置之製造方法，能夠藉由雷射光之照射而高精度及高效率地將各向異性導電膜之單片64轉印、排列於發光元件80，因此能夠謀求產距時間之縮短化。又，能夠獲得憑藉將以往之ACP、ACF、NCF、接著劑等設置於整面之連接所無法達成之優異之透光性、導通性及絕緣性，能夠獲得高亮度、高精細之透明顯示器。

[修復步驟] 於上述實施形態之顯示裝置中，例如有不點亮之發光元件之情形時，能夠於使用上述雷射剝離裝置，除去不點亮之發光元件後，再次將硬化性樹脂膜之單片轉印至該部，進行安裝發光元件之修復。於雷射剝離裝置中，將具備排列有發光元件之配線基板之顯示裝置保持於供體台，自配線基板側照射雷射光，剝離所需之發光元件及單片，利用受體基板接住自配線基板剝離之發光元件及單片。於本實施形態中，配線基板於單片間露出，因此修復較佳為以單片單位進行。

又，於上述實施形態中，係舉出作為顯示器之顯示裝置之製造方法為例，但本技術並不限於此，例如，亦可應用於作為光源之發光裝置之製造方法。

＜4.顯示裝置＞ 本實施形態之顯示裝置可藉由上述顯示裝置之製造方法而獲得。即，顯示裝置具備複數個發光元件、排列發光元件之配線基板、及使複數個發光元件與配線基板連接之硬化膜，硬化膜係使由硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片硬化而成。

單片之形狀較佳為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓、圓中之至少1種。藉此，能夠使基板於單片間露出，能夠獲得優異之透光性或美觀性。

如上述圖11及圖13所示，顯示裝置具備複數個發光元件80、排列發光元件80之基板70、及使複數個發光元件80與基板70連接之硬化膜。

硬化膜係特定形狀之硬化性樹脂膜之單片硬化而成者。基板70上之單片之排列只要可獲得透光性之效果則無特別限定，較佳為與發光元件80對應之子像素單位。藉由將單片以子像素單位進行排列，能夠增加單片間之基板之露出部，能夠獲得非常優異之透光性。又，亦可以一個單片連接子像素單位接近之複數個發光元件80。藉此，能夠縮短安裝速度（加快安裝效率），又，能夠根據基板側之透明性或色調之條件而擴大可容許之規格之範圍。

又，由硬化膜所構成之單片較佳為接著劑膜、含有導電粒子之導電膜、或各向異性導電膜之硬化膜。藉此，即便於未在發光元件80設置有焊料凸塊等連接部位之情形時，亦能夠使複數個發光元件80與基板70連接。又，於發光元件80之電極成為突起狀等，而獲得與基板70之配線之電性連接之情形時，單片亦可不含有導電粒子。

各向異性導電膜之硬化膜較佳為將導電粒子在面方向上排列而構成。藉由導電粒子在面方向上排列而構成，粒子面密度變得均勻，能夠提高導通性及絕緣性。所謂導電粒子在面方向上排列之狀態，例如可列舉具有1個以上以特定間距在特定方向上配置有導電粒子之排列軸之平面晶格圖案，可列舉斜方晶格、六方晶格、正方晶格、矩形晶格、平行體晶格等。又，導電粒子之面方向之排列可為隨機，亦可具有平面晶格圖案不同之複數個區域。

又，各向異性導電膜之硬化膜之粒子面密度可根據發光元件80之電極尺寸而適當進行設計，粒子面密度之下限可設為500個/mm ²以上、20000個/mm ²以上、40000個/mm ²以上、50000個/mm ²以上，粒子面密度之上限可設為1500000個/mm ²以下、1000000個/mm ²以下、500000個/mm ²以下、100000個/mm ²以下。藉此，即便於發光元件80之電極尺寸較小之情形時，亦能夠獲得優異之導通性及絕緣性。

各向異性導電膜之硬化膜之粒子面密度係於製造時進行膜化時之導電粒子之粒子面密度。這無論對隨機配置之部分而言，抑或是對測定排列部分之粒子面密度所得者而言皆為同樣。於根據複數個單片求出粒子個數密度之情形時，可根據自包含單片及間隔之面積中除去單片間之間隔所得之面積以及粒子數而求出粒子面密度。單片亦存在不適合以個數密度表示之情形，亦存在適合以1個單片中之粒子之佔有面積率或粒徑與粒子間中心距離及個數表示之情形。

再者，各向異性導電膜之硬化膜之粒子面密度係於製造時進行膜化時之導電粒子之粒子面密度。這無論對隨機配置之部分而言，抑或是對測定排列部分之粒子面密度所得者而言皆為同樣。於根據複數個單片求出粒子個數密度之情形時，可根據自包含單片及間隔之面積中除去單片間之間隔所得之面積以及粒子數而求出粒子面密度。單片亦存在不適合以個數密度表示之情形，亦存在適合以1個單片中之粒子之佔有面積率或粒徑與粒子間中心距離及個數表示之情形。

每1個單片之導電粒子之數量可根據發光元件80之電極尺寸而適當進行設計，下限例如為2個以上，較佳為4個以上，更佳為10個以上，上限為6000個以下，較佳為500個以下，更佳為100以下。

單片載置（設置）於基板後之可見光之平均穿透率較佳為20%以上，更佳為35%以上，進而較佳為50%以上。藉此，能夠獲得具有優異之透光性或美觀性之顯示裝置。即便於不為不透明之基板之情形時，亦可將單片貼附於毛坯玻璃或評價用透明基板，將其作為參考（Ref）而求出平均穿透率。設置有發光元件之可見光之平均穿透率變得更低。於安裝有發光元件之情形時，在未點亮之狀態下進行測定。可見光之平均穿透率例如可使用紫外可見分光光度計進行測定。

關於相對於發光元件之尺寸之單片之尺寸，只要可獲得導通性，則亦可小於發光元件80之尺寸。又，只要可獲得顯示裝置之透光性之效果，則單片不僅可配置於發光元件之正下方，亦可以存在於周緣部之方式配置。

單片自發光元件80溢出之量較佳為未達30 μm，更佳為未達10 μm，進而較佳為未達5 μm。又，於單片不溢出之情形時，溢出量亦可為零、負數。藉此，能夠獲得與將硬化膜設置於基板之整面之顯示裝置之構成例相比優異之透光率。再者，單片自發光元件80之溢出量係自發光元件80之周緣至單片之周緣為止之距離之最大值。

根據本實施形態之顯示裝置，藉由於硬化膜之單片間具有露出基板70之露出部，能夠獲得憑藉將習知之ACP、ACF、NCF、接著劑等設置於整面之連接所無法達成之優異之透光性、導通性及絕緣性，能夠獲得高亮度、高精細之透明顯示器。

再者，於上述實施形態中，係舉出作為以子像素單位排列有發光元件80之顯示器之顯示裝置為例，但本技術並不限於此，例如，亦可應用於作為光源之發光裝置。發光裝置具備複數個發光元件、排列發光元件之基板、及使複數個發光元件與基板連接之硬化膜，硬化膜由複數個單片所構成，於單片間具有露出基板之露出部。根據此種發光裝置，藉由發光元件80成為微小尺寸，每1個晶圓之晶片之單位面積獲得數量增加，因此能夠謀求低價化，又，能夠獲得發光裝置之薄型化或省能源化等產業上之優點。

又，對上述中作為本技術之適宜之實施形態之一部分之形成步驟進行說明，該形成步驟係對設置於基材上之硬化性樹脂膜自上述基材側照射雷射光，去除該照射部分之硬化性樹脂膜，於上述基材上形成由反應率為25%以下之硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片。

此處，利用雷射光照射所進行之硬化性樹脂膜之去除並非僅意指將硬化性樹脂膜完全剝離或除去，亦包括將硬化性樹脂膜部分地剝離或除去。

又，未必一定要去除，亦可為譬如於後續之單片之轉印步驟中，使有效率之轉印變得容易之利用雷射光照射所進行之硬化性樹脂膜之變質（例如，硬化、軟化等）。當然，亦可將去除與變質加以組合。

又，形成於基材上之特定形狀之單片未必一定要為反應率為25%以下之硬化性樹脂膜，為所需之樹脂膜即可。作為所需之樹脂膜，例如可列舉反應率超過25%之硬化性樹脂膜或熱塑性樹脂膜等非硬化性樹脂膜等。又，亦可為使樹脂膜硬化而成之硬化膜。 [實施例]

＜5.實施例＞ 於本實施例中，將各向異性導電膜加工為單片，對單片之形狀狀態進行評價。又，將單片轉印至玻璃板，對單片之轉印狀態進行評價。再者，本技術並不限定於該等實施例。

各向異性導電膜基板之製作、單片加工之評價、及單片轉印之評價如下所述地進行。

[各向異性導電膜基板之製作] 摻合苯氧基樹脂（商品名：PKHH；巴化學工業股份有限公司製造）42質量份、高純度雙酚A型環氧樹脂（商品名：YL-980；Mitsubishi Chemical股份有限公司製造）40質量份、疏水性二氧化矽（商品名：R202；日本Aerosil股份有限公司製造）10質量份、丙烯酸橡膠（商品名：SG80H；Nagase chemteX股份有限公司製造）3質量份、及陽離子聚合起始劑（商品名：SI-60L；三新化學工業股份有限公司製造）5質量份，塗佈於4英吋之石英玻璃上並使其乾燥，而製作樹脂膜。

藉由日本專利6187665號記載之方法，以樹脂膜之一界面與導電粒子大致一致之方式，將導電粒子（平均粒徑2.2 μm，樹脂核心金屬被覆微粒子，鍍Ni 0.2 μm厚，積水化學工業股份有限公司製造）壓入並轉印於所獲得之樹脂膜，而製作於4英吋之石英玻璃上設置有厚度4.0 μm、粒子面密度580000 pcs/mm ²之各向異性導電膜之各向異性導電膜基板。使各向異性導電膜之俯視下之導電粒子之排列成為六方晶格排列。

[單片加工之評價] （形狀之正常率） 於將各向異性導電膜加工為單片後，自單片（總計10,000 pcs）中隨機選定1000 pcs，藉由利用顯微鏡所進行之目視來計數單片形狀為正常之狀態（無捲縮或欠缺之狀態）者（關於捲縮或欠缺，參照上述圖4（B）所示之發生了捲縮之單片42或發生了欠缺之單片43）。繼而，藉由下述式計算出形狀之正常率。正常率較佳為95%以上。 正常率＝正常之形狀之單片數量/參數×100

（毛邊產生率） 於將各向異性導電膜加工為單片後，針對所有單片（總計10,000 pcs），計數毛邊之產生數量，藉由下述式計算出形狀正常率（關於毛邊，參照圖4（A）所示之產生了毛邊之單片41）。毛邊之產生數量較佳為10%以下。 毛邊產生率＝毛邊產生數量/全部單片數量×100

（反應率） 針對單片之反應率，使用FT-IR（Varian 3100 FT-IR（Excalibur Series）Microscope Varian 600 UMA（FT-IR Microscope））進行測定。首先，於雷射照射後，使用前端銳利之筆式切割器，對殘留於基板上之單片進行取樣，獲得雷射照射後之試樣。其次，使用2片1組之鑽石砧，將所取樣之試樣夾於2片砧板之間繫緊並壓碎，使用1片附有試樣之砧板進行測定。

檢測器係藉由事先冷卻而感度大幅上升，因此預先於測定前使用液態氮使檢測器冷卻30 min左右。又，FT-IR之測定條件係如下所述地進行設定。 測定方式：穿透式 測定溫度：25℃ 測定濕度：60%以下 測定時間：12 sec 檢測器之光譜區域範圍：4000～700 cm ^-1

繼而，將鑽石砧安放於紅外顯微鏡，實施背景測定，對雷射照射後之試樣照射紅外線，雷射照射後，獲得殘留於基板上之單片之IR光譜。又，與上述雷射照射後之試樣同樣地使用前端銳利之筆式切割器對雷射照射前（單片化前）之硬化性樹脂膜進行取樣，獲得雷射照射前之硬化性樹脂膜之IR光譜。關於反應率，測定IR光譜之甲基（2930 cm ^-1附近）及環氧基（914 cm ^-1附近）之峰高度，如下述式，以環氧基之峰高度相對於甲基之峰高度之反應前後（雷射照射前後）之比率進行計算。反應率較佳為25%以下。 反應率（%）＝{1－（a/b）/（A/B）}×100 於上述式中，A為反應前之環氧基之峰高度，B為反應前之甲基之峰高度，a為反應後之環氧基之峰高度，b為反應後之甲基之峰高度。

[單片轉印之評價] 使用雷射剝離裝置（信越化學製造之LUM-XTR），將各向異性導電膜之單片1000 pcs轉印至玻璃基板。如上述圖1所示，雷射剝離裝置例如具備：雷射掃描儀，其掃描雷射光之光軸；遮罩，其以特定之間距排列有複數個特定形狀之開口；投影透鏡，其將雷射光縮小投影至供體基板；供體台，其保持供體基板；以及受體台，其保持受體基板；且將形成有單片之石英玻璃基板保持於供體台，將玻璃基板保持於受體台，單片與玻璃基板之間之距離設為100 μm。

雷射裝置係使用將振盪波長設為248 nm之準分子雷射。雷射光之脈衝能量設為600 J，通量（fluence）設為180 J/cm ²，脈衝寬度（照射時間）設為30000微微秒，脈衝頻率設為0.01 kHz，照射脈衝數針對各單片設為1脈衝。

照射至各向異性導電膜之單片與石英玻璃之界面並成像之雷射光之脈衝能量為0.001～2 J，通量（fluence）為0.001～2 J/cm ²，脈衝寬度（照射時間）為0.01～1×10 ⁹微微秒，脈衝頻率為0.1～10000 Hz，照射脈衝數設為1～30,000,000。

遮罩使用以特定間距形成有特定尺寸之窗之排列之圖案，以使作為供體基板之各向異性導電膜之單片與石英玻璃之邊界面中之投影以橫120 μm間距及縱160 μm間距成為單片之尺寸（橫30 μm×縱40 μm或橫60 μm×縱80 μm）。繼而，朝向遮罩上之開口，在X軸方向及Y軸方向上掃描雷射光之光軸，同時控制雷射光之脈衝照射，將單片轉印至受體台之玻璃基板。

（良品率） 藉由顯微鏡觀察轉印至玻璃基板上之1000 pcs單片，計數轉印形狀良好且轉印良好之單片，藉由下述式計算出單片之良品率。良品率較佳為85%以上。再者，所謂轉印形狀良好，係無捲縮或欠缺之狀態（關於捲縮或欠缺，參照上述圖4（B）所示之發生了捲縮之單片42或發生了欠缺之單片43）。又，所謂轉印良好，係轉印至指定處之狀態（參照下述圖17所示之轉印前後之單片之位置）。 良品數量＝轉印良好品/參數×100

（轉印位置精度） 使用雷射剝離裝置（信越化學製造之LUM-XTR），將1000 pcs單片自石英玻璃重複轉印至石英玻璃25次，以轉印前之單片之位置為基準，評價轉印後發生了多少位置偏移。

圖17係用以對轉印前後之單片之位置偏移進行說明之圖。藉由下述（1）式，計算出各單片之轉印前之基準位置P0（X ₀,Y ₀）至轉印後之位置P1（X ₁,Y ₁）之直線距離d，求出平均值。轉印位置精度之評價係根據直線移動距離之平均值而設為下述A～E之判定。轉印位置精度之評價希望為C判定以上。

A：未達5 μm B：5 μm以上且未達10 μm C：10 μm以上且未達15 μm D：15 μm以上且未達20 μm E：20 μm以上

[點亮試驗之評價] 又，於本實施例中，對使用經加工之單片安裝了μLED元件之安裝體進行點亮評價。安裝體之製作及點亮評價係如下所述地進行。

（安裝體之製作） 圖18係示意性地表示安裝體之製作方法之圖，圖18（A）表示準備單片之步驟，圖18（B）表示將單片轉印於基板之步驟，圖18（C）表示將μLED元件暫時固定之步驟，圖18（D）表示將μLED元件壓接之步驟。圖19係示意性地表示用於點亮試驗之評價基板之平面圖，圖20（A）係示意性地表示μLED元件之電極面之平面圖，圖20（B）係示意性地表示將μLED元件安裝於評價基板之情況之圖。

如圖18（A）所示，首先，於上述石英玻璃101上準備經加工之特定形狀之單片104，如圖18（B）所示，自單片104之背面（石英玻璃101側）照射雷射，將單片104轉印至評價基板107之指定處。單片104之轉印係與上述單片轉印之評價中之LLO同樣地進行。

評價基板107係使用如下者，其於厚度0.5 mm之玻璃基材上形成基底為厚度20 nm之Cr及表面為厚度80 nm之Au的配線圖案，且如圖19所示地具備15組6根梳齒之第1梳型電極107A及6根梳齒之第2梳型電極107B。配線圖案係使用如下者，其如圖19及圖20（B）所示，梳齒之線寬為90 μm，間隔寬度為12 μm或24 μm，每1個通道約為1300 μm×15 ch≒19.3 mm；且將特定形狀之單片轉印至間隔寬度為12 μm之配線間。

其次，如圖18（C）所示，與預先藉由LLO而於凸部排列有μLED元件108之聚二甲基矽氧烷（PDMS）片109對位，於30℃-30 MPa-10 se之條件下貼合，如圖20（B）所示，經由單片104將μLED元件108暫時固定於評價基板107之間隔寬度為12 μm之配線間。

μLED元件108係使用如下者，其如圖20（A）所示，外徑為34 μm×58 μm，第1電極108A及第2電極108B之大小為27 μm×18 μm，第1電極108A與第2電極108B之距離為16 μm。

其次，如圖18（D）所示，藉由150℃-150 N-30 sec之壓接條件下之衝壓，將μLED元件108一起壓接，製作安裝有μLED元件（總計3,600 pcs）之安裝體。

（點亮評價） 對安裝體之第1梳型電極及第2梳型電極施加3.0 V之電壓，針對所有μLED元件（總計3,600 pcs）計數點亮數量，藉由下述式計算出點亮率。點亮率較佳為95%以上。 點亮率＝點亮數量/參數×100

＜實施例1＞ [各向異性導電膜之單片加工] 使用雷射剝離裝置（信越化學製造之LUM-XTR），自上述各向異性導電膜基板之石英玻璃側照射雷射光而將無用部分轉印至毛坯玻璃，於石英玻璃形成各向異性導電膜之單片。如上述圖1所示，雷射剝離裝置例如具備：雷射掃描儀，其掃描雷射光之光軸；遮罩，其以特定之間距排列有複數個特定形狀之開口；投影透鏡，其將雷射光縮小投影至供體基板；供體台，其保持供體基板；以及受體台，其保持受體基板；且將作為供體基板之各向異性導電膜基板保持於供體台，將作為受體基板之毛坯玻璃保持於受體台，將各向異性導電膜與毛坯玻璃之間之距離設為100 μm。

雷射裝置係使用將振盪波長設為248 nm之準分子雷射。雷射光之脈衝能量設為600 J，通量（fluence）設為250 J/cm ²，脈衝寬度（照射時間）設為30000微微秒，脈衝頻率設為0.01 kHz，照射脈衝數針對各單片設為1脈衝。

照射至各向異性導電膜與石英玻璃之界面並成像之雷射光之脈衝能量為0.001～2 J，通量（fluence）為0.001～2 J/cm ²，脈衝寬度（照射時間）為0.01～1×10 ⁹微微秒，脈衝頻率為0.1～10000 Hz，照射脈衝數設為1～30,000,000。

圖21係示意性地表示實施例1之遮罩形狀之平面圖。如圖21所示，於實施例1中，使用具有125 μm×125 μm之四邊形之窗部之遮罩，使雷射光之光點為四邊形形狀。繼而，以遮罩之窗部之縱方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之縱方向之無用部分後，以遮罩之窗部之縱方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之橫方向之無用部分，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫30 μm×縱40 μm之四邊形之單片。

如表1所示，實施例1中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為2%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例1中之單片轉印之良品率為96%，位置精度之評價為C。又，關於實施例1中之點亮試驗之點亮率，由於單片轉印之良品部分之μLED元件點亮了，因此與單片轉印之良品率相同。

＜實施例2＞ 以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫60 μm×縱80 μm之單片。

如表1所示，實施例2中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為0%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例2中之單片轉印之良品率為99%以上，位置精度之評價為C。又，實施例2中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例3＞ 圖22係示意性地表示實施例3之遮罩形狀之平面圖。如圖22所示，於實施例3中，使用具有70 μm×70 μm之四邊形之窗部之遮罩，使雷射光之光點為四邊形形狀。除此以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫30 μm×縱40 μm之四邊形之單片。

如表1所示，實施例3中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為5%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例3中之單片轉印之良品率為93%，位置精度之評價為C。又，實施例3中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例4＞ 圖23係示意性地表示實施例4之遮罩形狀之平面圖。如圖23所示，於實施例4中，使用於125 μm×125 μm之四邊形之窗部內之中心具有橫30 μm×縱40 μm之遮光部之遮罩，使雷射光之光點為於四邊形之中心具有四邊形之影子之形狀。繼而，除了以遮罩之窗部之縱方向或橫方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之無用部分以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫30 μm×縱40 μm之四邊形之單片。

如表1所示，實施例4中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為0%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例4中之單片轉印之良品率為99%以上，位置精度之評價為C。又，實施例4中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例5＞ 圖24係示意性地表示實施例5之遮罩形狀之平面圖。如圖24所示，於實施例5中，使用於158 μm×158 μm之四邊形之窗部內之中心具有橫60 μm×縱80 μm之遮光部之遮罩，使雷射光之光點為於四邊形之中心具有四邊形之影子之形狀。繼而，除了以遮罩之窗部之縱方向或橫方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之無用部分以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫60 μm×縱80 μm之四邊形之單片。

圖25係表示實施例5之四邊形之單片之顯微鏡照片。如圖25所示，實施例5之單片與圖24所示之遮罩之遮光部之四邊形之尺寸大致相同。又，由於藉由LLO將無用部切碎，因而四邊形之單片之外形不為美觀之直線而呈鋸齒狀。

如表1所示，實施例5中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為0%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例5中之單片轉印之良品率為99%以上，位置精度之評價為C。又，實施例5中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例6＞ 圖26係示意性地表示實施例6之遮罩形狀之平面圖。如圖26所示，於實施例6中，使用於80 μm×80 μm之四邊形之窗部內之中心具有橫30 μm×縱40 μm之遮光部之遮罩，使雷射光之光點為於四邊形之中心具有四邊形之影子之形狀。繼而，除了以遮罩之窗部之縱方向或橫方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之無用部分以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫30 μm×縱40 μm之四邊形之單片。

如表1所示，實施例6中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為1%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例6中之單片轉印之良品率為97%，位置精度之評價為C。又，實施例6中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例7＞ 圖27係示意性地表示實施例7之遮罩形狀之平面圖。如圖27所示，於實施例7中，使用於125 μm×125 μm之四邊形之窗部內之中心具有將橫30 μm×縱40 μm之四邊形之角變圓之遮光部之遮罩，使雷射光之光點為於四邊形之中心具有四邊形之角較圓之影子之形狀。繼而，除了以遮罩之窗部之縱方向或橫方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之無用部分以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）將橫30 μm×縱40 μm之四邊形之角變圓之單片。

如表2所示，實施例7中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為0%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例7中之單片轉印之良品率為99%以上，位置精度之評價為C。又，實施例7中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例8＞ 圖28係示意性地表示實施例8之遮罩形狀之平面圖。如圖28所示，於實施例8中，使用於158 μm×158 μm之四邊形之窗部內之中心具有橫60 μm×縱80 μm之橢圓之遮光部之遮罩，使雷射光之光點為於四邊形之中心具有橢圓之影子之形狀。繼而，除了以遮罩之窗部之縱方向或橫方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之無用部分以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫60 μm×縱80 μm之橢圓之單片。

圖29係表示實施例8之橢圓之單片之顯微鏡照片。如圖29所示，實施例8之單片與圖28所示之遮罩之遮光部之橢圓之尺寸大致相同。又，與四邊形之單片相比，橢圓之單片之外形美觀。認為其原因在於，與四邊形之單片相比，按照直線之部分較少。

如表2所示，實施例8中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為0%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例8中之單片轉印之良品率為99%以上，位置精度之評價為B。又，實施例8中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜實施例9＞ 圖30係示意性地表示實施例9之遮罩形狀之平面圖。如圖30所示，於實施例9中，使用於158 μm×158 μm之四邊形之窗部內之中心具有橫80 μm×縱80 μm之圓形之遮光部之遮罩，使雷射光之光點為於四邊形之中心具有圓形之影子之形狀。繼而，除了以遮罩之窗部之縱方向或橫方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之無用部分以外，以與實施例1相同之方式，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫80 μm×縱80 μm之圓形之單片。

圖31係表示實施例9之圓形之單片之顯微鏡照片。如圖31所示，實施例9之單片與圖30所示之遮罩之遮光部之圓形之尺寸大致相同。又，與四邊形之單片相比，圓形之單片之外形美觀。認為其原因在於，與四邊形之單片相比，按照直線之部分較少。

如表2所示，實施例9中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為0%，單片加工之反應率為20%以下。又，實施例9中之單片轉印之良品率為99%以上，位置精度之評價為A。又，實施例9中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

＜比較例1＞ 使用雷射剝離裝置（信越化學製造之LUM-XTR），自貼附於4英吋之石英玻璃之各向異性導電膜側照射雷射光，藉由雷射剝蝕使無用部分昇華，於石英玻璃形成各向異性導電膜之單片。

雷射裝置係使用將振盪波長設為248 nm之準分子雷射。雷射光之脈衝能量設為600 J，通量（fluence）為500 J/cm ²，脈衝寬度（照射時間）設為30000微微秒，脈衝頻率設為0.01 kHz，照射脈衝數針對各單片設為10脈衝。

遮罩係使用具有125 μm×125 μm之四邊形之窗部者，使雷射光之光點為四邊形形狀。繼而，以遮罩之窗部之縱方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之縱方向之無用部分後，以遮罩之窗部之縱方向之四邊形之間距去除各向異性導電膜之橫方向之無用部分，以橫120 μm間距及縱160 μm間距形成100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫30 μm×縱40 μm之四邊形之單片。

如表2所示，比較例1中之單片加工之正常率為100%，單片加工之毛邊產生率為2%，單片加工之反應率為70%以上。又，比較例1中之單片轉印之良品率為0%，位置精度之評價為E。

＜比較例2＞ 嘗試使用設置有20 μm之刀片之刀片切割裝置，將貼附於4英吋之石英玻璃之各向異性導電膜以橫120 μm間距及縱160 μm間距加工出100×100 pcs（總計10,000 pcs）橫60 μm×縱80 μm之單片，但未能進行單片加工。如表2所示，比較例2中之單片加工之正常率為0%。

於表1中，示出實施例1～6之單片加工之評價結果及單片轉印之評價結果，於表2中，示出實施例7～9及比較例1、2之單片加工之評價結果及單片轉印之評價結果。

[表1]

	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	實施例6
製造方法	LLO工法	LLO工法	LLO工法	LLO工法	LLO工法	LLO工法
遮罩形狀	四邊形窗	四邊形窗	四邊形窗	四邊形窗內四邊形遮蔽部	四邊形窗內四邊形遮蔽部	四邊形窗內四邊形遮蔽部
單片尺寸（橫×縱μm）	30×40	60×80	30×40	30×40	60×80	30×40
單片加工	正常率（%）	100	100	100	100	100	100
毛邊產生率（%）	2	0	5	0	0	1
反應率（%）	≦20	≦20	≦20	≦20	≦20	≦20
單片轉印	良品率（%）	96	99≦	93	99≦	99≦	97
位置精度	C	C	C	C	C	C
點亮試驗	位置精度	96	99≦	93	99≦	99≦	97

[表2]

	實施例7	實施例8	實施例9	比較例1	比較例2
製造方法	LLO工法	LLO工法	LLO工法	雷射切割	刀片切割
遮罩形狀	四邊形窗內圓角遮蔽部	四邊形窗內橢圓形遮蔽部	四邊形窗內圓形遮蔽部	-	-
單片尺寸（橫×縱μm）	30×40	60×80	80×80	30×40	60×80
單片加工	正常率（%）	100	100	100	100	0
毛邊產生率（%）	0	0	0	-	-
反應率（%）	≦20	≦20	≦20	70≦	-
單片轉印	良品率（%）	99≦	99≦	99≦	0	-
位置精度	C	B	A	E	-
點亮試驗	點亮率（%）	99≦	99≦	99≦	-	-

比較例1之單片之反應率較高，為70%以上。認為其原因在於，自各向異性導電膜側照射雷射光，用以使無用部昇華之通量或照射脈衝數較大，因此藉由輻射熱亦對周邊之單片造成影響。又，比較例1之單片之反應率較高，因此單片之轉印較為困難。比較例2使用了刀片切割裝置，因此未能製作橫60 μm×縱80 μm之較小單片。

實施例1～9由於使用雷射剝離裝置，自基材側照射雷射光而去除了照射部分之各向異性導電膜，因而能夠使單片之反應率為25%以下。因此，能夠得到優異之單片加工之評價結果及單片轉印之評價結果。又，實施例4～9藉由使用於開口之窗內具有單片形狀之遮光部之遮罩，而能夠抑制毛邊之產生率。認為其原因在於，藉由具有單片形狀之遮光部之遮罩，而能夠確實地去除了單片周緣之各向異性導電膜。又，實施例7～9能夠獲得特別優異之單片轉印之評價結果。認為其由於單片之形狀中無銳角之角，因而能夠抑制單片轉印中發生捲縮或欠缺。又，實施例1～9中之點亮試驗之點亮率與單片轉印之良品率相同。

10:雷射剝離裝置 11:雷射掃描儀 12:遮罩 13:投影透鏡 20:硬化性樹脂膜基板 21:基材 22:硬化性樹脂膜 23:去除部 30:硬化性樹脂膜基板 31:基材 32:硬化性樹脂膜 33:去除部 34:單片 41:產生了毛邊之單片 42:發生了捲縮之單片 43:發生了欠缺之單片 51:遮光部 52:單片 53:遮光部 54A～54D:遮光部 60:單片膜 61:基材 62:各向異性導電膜 63:導電粒子 64:單片 64A:單片 64B:單片 70:配線基板 71:基材 72:第1電極 73:第2電極 80:發光元件 81:本體 82:第1導電型電極 83:第2導電型電極 90:轉印基板 91:基材 101:石英玻璃 104:單片 107:評價基板 107A:第1梳型電極 107B:第2梳型電極 108:μLED元件 108A:第1電極 108B:第2電極 109:PDMS片

[圖1]係示意性地表示本實施形態之雷射剝離裝置之一例之圖。 [圖2]係用以對作為具體例1示出之單片膜之製造方法之一例進行說明之圖，圖2（A）表示於基材上形成有硬化性樹脂膜之硬化性樹脂膜基板，圖2（B）表示在第1方向上將去除部剝離之情況，圖2（C）表示在第2方向上將去除部剝離之情況，圖2（D）表示於基材上形成有硬化性樹脂膜之單片的單片膜。 [圖3]（A）係示意性地表示開口之窗部為四邊形之遮罩之一例之圖，圖3（B）係示意性地表示通過遮罩之開口之雷射光之照射之一例之圖。 [圖4]（A）係表示單片加工時產生了毛邊之單片之一例之顯微鏡照片，圖4（B）係表示單片轉印時發生了捲縮或欠缺之單片之一例之顯微鏡照片。 [圖5]（A）係示意性地表示於開口之窗部內具有遮光部之遮罩之一例之圖，圖5（B）係示意性地表示通過遮罩之開口之雷射光之照射之一例之圖。 [圖6]係示意性地表示於開口之窗部內具有複數個遮光部之遮罩之一例之圖。 [圖7]係示意性地表示遮罩之開口之形狀例之圖，圖7（A）表示於開口之窗部內具有矩形遮光部之遮罩，圖7（B）表示於開口之窗部內具有正方形遮光部之遮罩，圖7（C）表示於開口之窗部內具有圓角矩形遮光部之遮罩，圖7（D）表示於開口之窗部內具有圓形遮光部之遮罩。 [圖8]係示意性地表示設置於基材之各向異性導電膜之剖面圖。 [圖9]係示意性地表示使單片膜與配線基板對向之狀態之剖面圖。 [圖10]係示意性地表示自基材側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片轉印並排列於配線基板之特定位置的狀態之剖面圖。 [圖11]係示意性地表示將發光元件安裝於排列在配線基板之特定位置之單片上的狀態之剖面圖。 [圖12]係示意性地表示自基板側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片於電極位置轉印並排列於配線基板上的狀態之剖面圖。 [圖13]係示意性地表示將發光元件安裝於以電極單位排列在配線基板之單片上的狀態之剖面圖。 [圖14]係示意性地表示使設置於基材之各向異性導電膜之單片與排列於轉印基板之發光元件對向的狀態之剖面圖。 [圖15]係示意性地表示自基材側照射雷射光，將各向異性導電膜之單片轉印於排列在轉印基板之發光元件上的狀態之剖面圖。 [圖16]係示意性地表示將轉印有單片之發光元件再轉印於配線基板上的狀態之剖面圖。 [圖17]係用以對轉印前後之單片之位置偏移進行說明之圖。 [圖18]係示意性地表示安裝體之製作方法之圖，圖18（A）表示準備單片之步驟，圖18（B）表示將單片轉印於基板之步驟，圖18（C）表示將μLED元件暫時固定之步驟，圖18（D）表示將μLED元件壓接之步驟。 [圖19]係示意性地表示用於點亮試驗之評價基板之平面圖。 [圖20]（A）係示意性地表示μLED元件之電極面之平面圖，圖20（B）係示意性地表示將μLED元件安裝於評價基板之情況之圖。 [圖21]係示意性地表示實施例1之遮罩形狀之平面圖。 [圖22]係示意性地表示實施例3之遮罩形狀之平面圖。 [圖23]係示意性地表示實施例4之遮罩形狀之平面圖。 [圖24]係示意性地表示實施例5之遮罩形狀之平面圖。 [圖25]係表示實施例5之四邊形之單片之顯微鏡照片。 [圖26]係示意性地表示實施例6之遮罩形狀之平面圖。 [圖27]係示意性地表示實施例7之遮罩形狀之平面圖。 [圖28]係示意性地表示實施例8之遮罩形狀之平面圖。 [圖29]係表示實施例8之橢圓之單片之顯微鏡照片。 [圖30]係示意性地表示實施例9之遮罩形狀之平面圖。 [圖31]係表示實施例9之圓形之單片之顯微鏡照片。

10:雷射剝離裝置

11:雷射掃描儀

12:遮罩

13:投影透鏡

20:硬化性樹脂膜基板

21:基材

22:硬化性樹脂膜

23:去除部

Claims (13)

1. 一種遮罩，其於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部，且 使雷射光穿透上述遮光部之外周。
2. 如請求項1之遮罩，其中，上述特定形狀為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。
3. 一種遮罩之製造方法，其針對形成有遮光膜之透光基板，以於使雷射光穿透之開口內具有遮擋雷射光之特定形狀之遮光部之方式去除上述遮光膜。
4. 一種顯示裝置之製造方法，其具有如下步驟： 形成步驟，其係對設置於基材上之硬化性樹脂膜自上述基材側照射雷射光，去除該照射部分之硬化性樹脂膜，於上述基材上形成由反應率為25%以下之硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片； 轉印步驟，其係將上述特定形狀之單片轉印至配線基板之特定位置或發光元件之電極面；以及 安裝步驟，其係經由上述被轉印之單片，將上述發光元件安裝於上述配線基板。
5. 如請求項4之顯示裝置之製造方法，其中，於上述形成步驟中，介隔形成有上述特定形狀之遮光部之遮罩而照射上述雷射光。
6. 如請求項4之顯示裝置之製造方法，其中，於上述轉印步驟中，自上述基材側照射雷射光而將上述特定形狀之單片轉印至配線基板之特定位置或發光元件之電極面。
7. 如請求項4之顯示裝置之製造方法，其中，上述特定形狀為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。
8. 如請求項4之顯示裝置之製造方法，其係將上述單片排列於上述基材上而成。
9. 如請求項8之顯示裝置之製造方法，其中，上述單片間之距離為10 μm以上。
10. 一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件； 配線基板，其排列有上述發光元件；以及 硬化膜，其使上述複數個發光元件與上述配線基板連接；且 上述硬化膜係由硬化性樹脂膜所構成之特定形狀之單片硬化而成， 上述特定形狀為選自由鈍角所構成之多邊形、圓角多邊形、橢圓、長圓及圓中之至少1種。
11. 如請求項10之顯示裝置，其中，上述單片間之距離為10 μm以上。
12. 如請求項10之顯示裝置，其係將上述發光元件以構成1像素之子像素單位排列而成。
13. 如請求項10之顯示裝置，其係將上述單片以子像素單位或像素單位排列於上述配線基板上而成。