WO2023243546A1 - 樹脂組成物、物品、及びフレキシブル透明電子デバイスの製造方法 - Google Patents

樹脂組成物、物品、及びフレキシブル透明電子デバイスの製造方法 Download PDF

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WO2023243546A1
WO2023243546A1 PCT/JP2023/021440 JP2023021440W WO2023243546A1 WO 2023243546 A1 WO2023243546 A1 WO 2023243546A1 JP 2023021440 W JP2023021440 W JP 2023021440W WO 2023243546 A1 WO2023243546 A1 WO 2023243546A1
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WO
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flexible transparent
ultraviolet
release layer
resin composition
electronic device
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PCT/JP2023/021440
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幸宏 垰
賢治 藤田
裕 野尻
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Ａｇｃ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a resin composition, an article, and a method for manufacturing a flexible transparent electronic device.
  • Patent Document 1 As disclosed in Patent Document 1, the inventors have developed a transparent display device that uses light emitting diode (LED) elements formed on a transparent substrate as pixels. Such a transparent display device is used for, for example, a windshield of an automobile, since the back side can be viewed through the transparent display device. Furthermore, as disclosed in Patent Document 1, the inventors have also developed a transparent sensing device in which a microsensor is provided on a transparent substrate.
  • LED light emitting diode
  • an electronic device such as a transparent display device or a transparent sensing device in which an electronic element is formed on a transparent substrate and whose back side is visible is referred to as a "transparent electronic device.”
  • a transparent electronic device if the transparent substrate is flexible, a “flexible transparent electronic device" can be obtained.
  • the peeling layer formed between the glass support substrate and the flexible transparent substrate is irradiated with ultraviolet laser light to peel the flexible transparent electronic device from the glass support substrate.
  • a method is called a laser lift-off (LLO) method. Since the peeling layer is formed between the glass support substrate and the flexible transparent substrate, damage to the flexible transparent substrate (ie, flexible transparent electronic device) due to irradiation with ultraviolet laser light can be suppressed.
  • the release layer remains attached to the flexible transparent electronic device (specifically, the flexible transparent substrate) that has been removed from the glass support substrate.
  • the release layer remaining on the flexible transparent substrate is removed with an alkaline solution.
  • the release layer disclosed in Patent Document 1 contains a thermosetting resin, the release layer is cured by heating or the like during the process of forming a flexible transparent electronic device on a glass support substrate. Therefore, a peeling layer containing a thermosetting resin has a problem of poor removability with an alkaline solution.
  • the inventors focused on an ultraviolet curing resin that does not undergo curing by heating or the like as the resin contained in the release layer.
  • the release layer contains an ultraviolet absorber for exhibiting releasability upon irradiation with ultraviolet laser light.
  • the ultraviolet absorber absorbs the ultraviolet laser light and the release layer is decomposed.
  • the ultraviolet absorber absorbs too much ultraviolet rays for curing the ultraviolet curable resin, the ultraviolet curable resin will not be cured and a release layer cannot be formed. That is, the curing properties of the release layer become insufficient.
  • the present invention has been made in view of these circumstances, and provides a resin composition containing an ultraviolet curable resin, which is used for a release layer that has curability, peelability, and removability. It is something to do.
  • the resin composition according to one aspect of the present invention is Forming a flexible transparent electronic device on a glass support substrate via a release layer, irradiating the release layer with ultraviolet laser light through the glass support substrate and peeling the flexible transparent electronic device from the glass support substrate, used for manufacturing a flexible transparent electronic device;
  • a resin composition for forming the release layer an ultraviolet curing resin having a hydrophilic group; an ultraviolet absorber that absorbs the ultraviolet laser beam, The absorbance of the ultraviolet absorber for the ultraviolet laser beam is 0.7 or more per 1 ⁇ m of optical path length, The ultraviolet absorber has an absorbance of 0.3 or less per 1 ⁇ m of optical path length with respect to ultraviolet rays irradiated to cure the ultraviolet curable resin.
  • the article according to one aspect of the present invention is a glass support substrate; a release layer formed on the glass support substrate, An article for peeling a flexible transparent electronic device formed on the release layer from the glass support substrate by irradiating the release layer with ultraviolet laser light through the glass support substrate,
  • the resin composition for forming the release layer an ultraviolet curing resin having a hydrophilic group; an ultraviolet absorber that absorbs the ultraviolet laser beam,
  • the absorbance of the ultraviolet absorber for the ultraviolet laser beam is 0.7 or more per 1 ⁇ m of optical path length,
  • the ultraviolet absorber has an absorbance of 0.3 or less per 1 ⁇ m of optical path length with respect to ultraviolet rays irradiated to cure the ultraviolet curable resin.
  • a method for manufacturing a flexible transparent electronic device includes: Forming a flexible transparent electronic device on a glass support substrate via a release layer, A method for manufacturing a flexible transparent electronic device, the method comprising: irradiating the release layer with an ultraviolet laser beam through the glass support substrate to peel the flexible transparent electronic device from the glass support substrate,
  • the release layer is an ultraviolet curing resin having a hydrophilic group; an ultraviolet absorber that absorbs the ultraviolet laser beam, The absorbance of the ultraviolet absorber for the ultraviolet laser beam is 0.7 or more per 1 ⁇ m of optical path length, The ultraviolet absorber has an absorbance of 0.3 or less per 1 ⁇ m of optical path length with respect to ultraviolet rays irradiated to cure the ultraviolet curable resin.
  • a resin composition that includes an ultraviolet curable resin and is used for a release layer that has curability, peelability, and removability.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment. It is a typical top view showing an example of laminated glass concerning a 2nd embodiment. It is a typical sectional view showing an example of laminated glass concerning a 2nd embodiment. It is a typical sectional view showing other examples of laminated glass concerning a 2nd embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic partial plan view showing an example of a flexible transparent display device according to a third embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic partial plan view showing an example of a flexible transparent sensing device according to a fourth embodiment.
  • 3 is a schematic cross-sectional view of a sensor 70.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a flexible transparent display device according to a first embodiment.
  • It is a typical top view
  • a “transparent electronic device” refers to an electronic device in which electronic elements are formed on a transparent substrate, and visual information such as a person or background located on the back side of the electronic device can be viewed under a desired usage environment. Points to the device.
  • the term “transparent display device” refers to a display device that allows visual information such as a person or background located on the back side of the display device to be viewed under a desired usage environment. Note that whether or not it is visible is determined at least when the display device is in a non-display state, that is, in a state where it is not energized.
  • a “transparent display device” is one form of a “transparent electronic device.”
  • a “transparent sensing device” refers to a sensing device that allows visual information such as a person or background located on the back side of the sensing device to be visually recognized under a desired usage environment.
  • a “sensing device” refers to a device that can obtain various information using a sensor.
  • a “transparent sensing device” is one form of a “transparent electronic device.”
  • transparent refers to visible light transmittance of 40% or more, preferably 60% or more, more preferably 70% or more. Further, it may also mean that the transmittance is 5% or more and the haze value is 10 or less. If the transmittance is 5% or more, when viewing the outdoors during the day from indoors, the outdoors can be seen with brightness comparable to or higher than indoors, and sufficient visibility can be ensured.
  • FIG. 1 is a schematic partial plan view showing an example of a flexible transparent display device.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG. 1. Note that, as a matter of course, the right-handed xyz orthogonal coordinates shown in FIGS. 1 and 2 are for convenience in explaining the positional relationships of the components. Usually, the positive direction of the z-axis is vertically upward, and the xy plane is a horizontal plane.
  • the flexible transparent display device 100 shown in FIGS. 1 and 2 is a flexible transparent electronic device that includes a flexible transparent substrate 10, a light emitting section 20, an IC (Integrated Circuit) chip 30, wiring 40, and a protective layer 50.
  • a display area 101 in the flexible transparent display device 100 shown in FIG. 1 is composed of a plurality of pixels, and is an area where an image is displayed. Note that the image includes characters.
  • the display area 101 is composed of a plurality of pixels arranged in a row direction (x-axis direction) and a column direction (y-axis direction).
  • FIG. 1 shows a part of the display area 101, and a total of four pixels are shown, two pixels each in the row direction and column direction.
  • FIG. 1 is a plan view, the light emitting section 20 and the IC chip 30 are shown as dots to facilitate understanding.
  • each pixel PIX includes a light emitting section 20 and an IC chip 30.
  • the flexible transparent display device can be used by being attached to a curved transparent plate such as an automobile window glass, or by being enclosed between two curved transparent plates.
  • the flexible transparent substrate 10 is flexible (has flexibility), the flexible transparent display device can be curved.
  • the LED elements 21 to 23 are made of, for example, an inorganic material, although they are not particularly limited.
  • the red LED element 21 is made of, for example, AlGaAs, GaAsP, GaP, or the like.
  • the green LED element 22 is made of, for example, InGaN, GaN, AlGaN, GaP, AlGaInP, ZnSe, or the like.
  • the blue LED element 23 is made of, for example, InGaN, GaN, AlGaN, ZnSe, or the like.
  • the luminous efficiency that is, the energy conversion efficiency of the LED elements 21 to 23 is, for example, 1% or more, preferably 5% or more, and more preferably 15% or more.
  • the luminous efficiency of the LED elements 21 to 23 is 1% or more, sufficient brightness can be obtained even with the micro-sized LED elements 21 to 23 as described above, and they can be used as display devices even during the day.
  • the luminous efficiency of the LED element is 15% or more, heat generation is suppressed and it becomes easy to encapsulate the LED element inside the laminated glass using the resin adhesive layer.
  • the pixel pitches Px and Py are each, for example, 100 to 3000 ⁇ m, preferably 180 to 1000 ⁇ m, and more preferably 250 to 400 ⁇ m.
  • the pixel pitches Px and Py are each, for example, 100 to 3000 ⁇ m, preferably 180 to 1000 ⁇ m, and more preferably 250 to 400 ⁇ m.
  • the pixel pitches Px and Py are within the above range, high transparency can be achieved while ensuring sufficient display performance. Further, it is possible to suppress a diffraction phenomenon that may occur due to light from the back side of the flexible transparent display device.
  • the pixel density in the display area 101 of the flexible transparent display device is, for example, 10 ppi or more, preferably 30 ppi or more, and more preferably 60 ppi or more.
  • the area of one pixel PIX is Px ⁇ Py.
  • the area of one pixel is, for example, 1 ⁇ 10 4 ⁇ m 2 to 9 ⁇ 10 6 ⁇ m 2 , preferably 3 ⁇ 10 4 to 1 ⁇ 10 6 ⁇ m 2 , more preferably 6 ⁇ 10 4 to 2 ⁇ 10 5 ⁇ m 2 . be. If the area of one pixel is 1 ⁇ 10 4 ⁇ m 2 to 9 ⁇ 10 6 ⁇ m 2 , the transparency of the display device can be improved while ensuring appropriate display performance.
  • the area of one pixel may be appropriately selected depending on the size of the display area 101, its purpose, viewing distance, and the like.
  • the ratio of the area occupied by the LED elements 21 to 23 to the area of one pixel is, for example, 30% or less, preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and even more preferably 1% or less.
  • the ratio of the area occupied by the LED elements 21 to 23 to the area of one pixel is 30% or less, transparency and visibility on the back side are improved.
  • three LED elements 21 to 23 are arranged in this order in a line in the positive direction of the x-axis in each pixel, but the invention is not limited to this.
  • the arrangement order of the three LED elements 21 to 23 may be changed.
  • the three LED elements 21 to 23 may be arranged in the y-axis direction.
  • three LED elements 21 to 23 may be arranged at the vertices of a triangle.
  • each light emitting section 20 includes a plurality of LED elements 21 to 23
  • the distance between the LED elements 21 to 23 in the light emitting section 20 is, for example, 100 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less. be.
  • the LED elements 21 to 23 may be arranged so as to be in contact with each other. This makes it easier to share the first power supply branch line 41a and improves the aperture ratio.
  • each light emitting section 20 includes three LED elements that emit light of different wavelengths, in some light emitting sections 20, the LED elements are arranged side by side in the x-axis direction or in the y-axis direction, and in other light emitting sections 20, the LED elements are arranged side by side in the x-axis direction or the y-axis direction. , LED elements of each color may be arranged at the vertices of the triangle.
  • the IC chip 30 is an electronic element that is arranged for each pixel PIX and drives the light emitting section 20. Specifically, the IC chip 30 is connected to each of the LED elements 21 to 23 via a drive line 45, and can drive the LED elements 21 to 23 individually. Note that the IC chip 30 may be arranged for each of a plurality of pixels, and each IC chip 30 may drive the plurality of pixels to which it is connected. For example, if one IC chip 30 is arranged for every four pixels, the number of IC chips 30 can be reduced to 1/4 of the example in FIG. 1, and the area of the IC chip 30 can be reduced.
  • the area of the IC chip 30 is, for example, 100,000 ⁇ m 2 or less, preferably 10,000 ⁇ m 2 or less, and more preferably 5,000 ⁇ m 2 or less.
  • the transmittance of the IC chip 30 is low, about 20% or less, by using the IC chip 30 of the above-mentioned size, the region with low transmittance in the display area 101 becomes narrower, and visibility on the back side is improved.
  • the IC chip 30 is, for example, a hybrid IC having an analog area and a logic area.
  • the analog domain includes, for example, a current control circuit, a transformer circuit, and the like.
  • an LED element with an IC chip in which the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 are packaged together with resin may be used.
  • a circuit including a thin film transistor (TFT) may be used instead of the IC chip 30.
  • the IC chip 30 is not essential.
  • a microsensor may be mounted on the IC chip 30. That is, the flexible transparent display device may also be a flexible transparent sensing device. Details of the microsensor will be described later in the fourth embodiment.
  • the wiring 40 according to this embodiment is a display wiring, and as shown in FIG. 1, includes a plurality of power supply lines 41, a ground line 42, a row data line 43, a column data line 44, and a plurality of drive lines 45.
  • the power supply line 41, the ground line 42, and the column data line 44 extend in the y-axis direction.
  • the row data line 43 extends in the x-axis direction.
  • each power line 41 extending in the y-axis direction is connected to the light emitting section 20 and IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the y-axis direction. More specifically, in each pixel PIX, the LED elements 21 to 23 are arranged in parallel in this order in the x-axis positive direction on the side of the x-axis positive direction with respect to the power supply line 41. Therefore, a first power branch line 41a branched from the power line 41 in the positive direction of the x-axis is connected to the ends of the LED elements 21 to 23 on the positive direction of the y-axis.
  • the IC chip 30 is arranged on the negative y-axis side of the LED elements 21 to 23. Therefore, between the LED element 21 and the column data line 44, a second power supply branch line 41b branched from the first power supply branch line 41a in the negative direction of the y-axis is linearly extended, and the y-axis of the IC chip 30 is It is connected to the x-axis negative direction side of the positive direction end.
  • each ground line 42 extending in the y-axis direction is connected to the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the y-axis direction.
  • a ground branch line 42a branched from the ground line 42 in the negative x-axis direction extends linearly and is connected to the end of the IC chip 30 on the positive x-axis side.
  • the ground line 42 is connected to the LED elements 21 to 23 via a ground branch line 42a, the IC chip 30, and a drive line 45.
  • each row data line 43 extending in the x-axis direction is connected to the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the x-axis direction (row direction).
  • a row data branch line 43a branched from the row data line 43 in the positive direction of the y-axis extends linearly and is connected to an end of the IC chip 30 on the negative direction of the y-axis.
  • the row data line 43 is connected to the LED elements 21 to 23 via a row data branch line 43a, an IC chip 30, and a drive line 45.
  • each column data line 44 extending in the y-axis direction is connected to the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the y-axis direction (column direction).
  • a column data branch line 44 a branched from the column data line 44 in the positive x-axis direction extends linearly and is connected to the end of the IC chip 30 on the negative x-axis side.
  • the column data line 44 is connected to the LED elements 21 to 23 via a column data branch line 44a, an IC chip 30, and a drive line 45.
  • the drive line 45 connects the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 in each pixel PIX. Specifically, in each pixel PIX, three drive lines 45 extend in the y-axis direction, and each connects the ends of the LED elements 21 to 23 on the negative y-axis side and the positive y-axis side of the IC chip 30. The ends are connected.
  • the arrangement of the power supply line 41, the ground line 42, the row data line 43, the column data line 44, their branch lines, and the drive line 45 shown in FIG. 1 is merely an example, and can be changed as appropriate.
  • at least one of the power supply line 41 and the ground line 42 may extend in the x-axis direction instead of in the y-axis direction.
  • a configuration may be adopted in which the power supply line 41 and the column data line 44 are exchanged.
  • FIG. 1 may be vertically inverted or horizontally inverted. Furthermore, the entire structure shown in FIG. 1 may be vertically inverted or horizontally inverted. Further, row data line 43, column data line 44, branch lines thereof, and drive line 45 are not essential.
  • the wiring 40 is made of metal such as copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au), for example. Among these, from the viewpoint of cost, metals whose main components are copper or aluminum, which have low resistivity, are preferable. Further, the wiring 40 may be coated with a material such as titanium (Ti), molybdenum (Mo), copper oxide, or carbon for the purpose of reducing reflectance. Furthermore, irregularities may be formed on the surface of the coated material.
  • the width of the wiring 40 in the display area 101 shown in FIG. 1 is, for example, 1 to 100 ⁇ m, preferably 3 to 20 ⁇ m. Since the width of the wiring 40 is 100 ⁇ m or less, the wiring 40 is almost invisible even when observing the flexible transparent display device from a short distance of, for example, several tens of cm to 2 meters, and visibility on the back side is excellent. There is. On the other hand, in the case of the thickness range described below, if the width of the wiring 40 is 1 ⁇ m or more, an excessive increase in the resistance of the wiring 40 can be suppressed, and a voltage drop and a decrease in signal strength can be suppressed. Further, a decrease in heat conduction due to the wiring 40 can also be suppressed.
  • the wiring 40 when the wiring 40 mainly extends in the x-axis direction and the y-axis direction, the wiring 40 is caused to extend in the x-axis direction and the y-axis direction by the light irradiated from the outside of the flexible transparent display device.
  • a cross diffraction image is generated, which may reduce visibility on the back side of the flexible transparent display device.
  • the width of each wiring is narrowed to suppress this diffraction, visibility on the back side will further improve.
  • the width of the wiring 40 may be 50 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less, and more preferably 5 ⁇ m or less.
  • the electrical resistivity of the wiring 40 is, for example, 1.0 ⁇ 10 ⁇ 6 ⁇ m or less, preferably 2.0 ⁇ 10 ⁇ 8 ⁇ m or less. Further, the thermal conductivity of the wiring 40 is, for example, 150 to 5500 W/(m ⁇ K), preferably 350 to 450 W/(m ⁇ K).
  • the interval between adjacent wirings 40 in the display area 101 shown in FIG. 1 is, for example, 3 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 30 ⁇ m. If there is a region where the wiring 40 is dense, visibility of the back side may be hindered. If the interval between adjacent wirings 40 is set to 3 ⁇ m or more, such obstruction to visual recognition can be suppressed. On the other hand, if the interval between adjacent wirings 40 is 100 ⁇ m or less, sufficient display performance can be ensured. Note that if the distance between the wires 40 is not constant because the wires 40 are curved or the like, the above-mentioned distance between adjacent wires 40 refers to the minimum value.
  • the ratio of the area occupied by the wiring 40 to the area of one pixel is, for example, 30% or less, preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and still more preferably 3% or less.
  • the transmittance of the wiring 40 is low, for example, 20% or less, or 10% or less. However, if the proportion of the area occupied by the wiring 40 in one pixel is 30% or less, the area of low transmittance in the display area 101 becomes narrower, and visibility on the back side improves. Further, the total area occupied by the light emitting section 20, the IC chip 30, and the wiring 40 with respect to the area of one pixel is, for example, 30% or less, preferably 20% or less, and more preferably 10% or less.
  • Transparent resins constituting the main substrate 11 include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), olefin resins such as cycloolefin polymer (COP) and cycloolefin copolymer (COC), cellulose, and acetyl.
  • Cellulose resins such as cellulose and triacetylcellulose (TAC)
  • imide resins such as polyimide (PI)
  • amide resins such as polyamide (PA)
  • PAI polyamide-imide
  • PC polycarbonate
  • the overall thickness of the flexible transparent substrate 10 is, for example, 1 to 1000 ⁇ m, preferably 5 to 200 ⁇ m.
  • the internal transmittance of visible light of the flexible transparent substrate 10 is, for example, 50% or more, preferably 70% or more, and more preferably 90% or more. Further, since the flexible transparent substrate 10 is flexible, for example, a flexible transparent display device can be attached to a curved transparent plate or used by being sandwiched between two curved transparent plates.
  • the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 are provided on the flexible transparent substrate 10, that is, the adhesive layer 12, and are connected to wiring 40 arranged on the flexible transparent substrate 10.
  • the wiring 40 includes a first metal layer M1 formed on the main substrate 11 and a second metal layer M2 formed on the adhesive layer 12.
  • the thickness of the wiring 40 that is, the total thickness of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 is, for example, 0.1 to 10 ⁇ m, preferably 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the first metal layer M1 is, for example, about 0.5 ⁇ m
  • the thickness of the second metal layer M2 is, for example, about 3 ⁇ m.
  • the power line 41, the ground line 42, and the column data line 44 extending in the y-axis direction intersect with the row data line 43 extending in the x-axis direction.
  • the row data line 43 is composed only of the first metal layer M1
  • the power supply line 41, ground line 42, and column data line 44 are composed only of the second metal layer M2.
  • an adhesive layer 12 is provided between the first metal layer M1 and the second metal layer M2, so that the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are insulated.
  • the column data line 44 and the first power branch line 41a shown in FIG. is composed of only layer M2.
  • the ground branch line 42a, the drive line 45, and the first power supply branch line 41a are composed of only the second metal layer M2, and are designed to cover the ends of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30. is formed.
  • the second power supply branch line 41b, row data branch line 43a, and column data branch line 44a are similarly composed only of the second metal layer M2.
  • the first power supply branch line 41a is composed of only the first metal layer M1 at the intersection with the column data line 44, and composed only of the second metal layer M2 at other parts.
  • metal pads made of copper, silver, gold, etc. may be arranged on the wiring 40 formed on the flexible transparent substrate 10, and at least one of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 may be arranged thereon. good.
  • the protective layer 50 is a transparent resin formed on substantially the entire surface of the flexible transparent substrate 10 so as to cover and protect the light emitting section 20, the IC chip 30, and the wiring 40.
  • the thickness of the protective layer 50 is, for example, 3 to 1000 ⁇ m, preferably 5 to 200 ⁇ m.
  • the elastic modulus of the protective layer 50 is, for example, 10 GPa or less. The lower the elastic modulus, the more impact can be absorbed during peeling, and the damage to the protective layer 50 can be suppressed.
  • the internal transmittance of visible light of the protective layer 50 is, for example, 50% or more, preferably 70% or more, and more preferably 90% or more.
  • vinyl resins such as polyethylene (PE), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyvinyl acetate (PVAc), polyvinyl alcohol (PVA), and polyvinyl butyral (PVB) are used.
  • FIGS. 3 to 13 are cross-sectional views showing an example of the method for manufacturing the flexible transparent display device according to the first embodiment.
  • 3 to 13 are cross-sectional views corresponding to FIG. 2.
  • the peeling layer 2 is provided to peel the flexible transparent display device 100 from the glass support substrate 1 as described later.
  • the resin composition for forming the peeling layer 2 includes an ultraviolet curing resin and an ultraviolet absorber that absorbs ultraviolet laser light for peeling. Moreover, the resin composition further contains a photopolymerization initiator.
  • the absorbance of the ultraviolet absorber with respect to the ultraviolet laser beam LB for peeling shown in FIG. 13, which will be described later, is 0.7 or more per 1 ⁇ m of optical path length. Therefore, as shown in FIG. 13, when the release layer 2 is irradiated with the ultraviolet laser beam LB, the ultraviolet absorber absorbs the ultraviolet laser beam, and part or all of the release layer 2 is decomposed. As a result, the flexible transparent display device 100 is peeled off from the glass support substrate 1.
  • the peeling layer 2 absorbs the ultraviolet laser beam LB, the ultraviolet laser beam LB is difficult to reach the flexible transparent substrate 10. Therefore, damage to the flexible transparent substrate 10 due to irradiation with the ultraviolet laser beam LB and damage to electronic elements etc. caused by the impact can be suppressed.
  • the wavelength of the ultraviolet laser beam LB for peeling is, for example, 355 nm (YAG harmonic), 308 nm (XeCl), or 248 nm (KrF).
  • the absorbance of the ultraviolet absorber for curing ultraviolet light is 0.3 or less per 1 ⁇ m of optical path length. That is, absorption of the curing ultraviolet rays by the ultraviolet absorber contained in the resin composition for forming the release layer 2 is suppressed. Therefore, when the resin composition for forming the release layer 2 is irradiated with ultraviolet rays for curing, the ultraviolet curable resin is cured and the release layer 2 is formed. Since the release layer 2 does not contain a thermosetting resin, curing does not proceed due to heating or the like.
  • the wavelength of the ultraviolet light for curing is, for example, 365 nm, 385 nm, 395 nm, or 405 nm.
  • the ultraviolet curable resin contained in the resin composition for forming the release layer 2 has, for example, a radical polymerization reactive group as a photopolymerization reactive group, and is, for example, an acrylate ultraviolet curable resin or a methacrylate ultraviolet curable resin. be.
  • the ultraviolet curable resin contained in the resin composition for forming the release layer 2 may have, for example, an anionic polymerization reactive group or a cationic polymerization reactive group as a photopolymerization reactive group, such as a glycidyl group or an oxetanyl group.
  • Epoxy-based ultraviolet curing resin may also be used.
  • the content of photopolymerization reactive groups in the ultraviolet curable resin contained in the resin composition for forming the release layer 2 is, for example, 200 to 400 g/mol. If the content of photopolymerization reactive groups is 200 g/mol or more, the release layer 2 will not dissolve in organic solvents such as acetone, isopropyl alcohol, and N-methylpyrrolidone (NMP), and the release layer 2. Solvent resistance is improved.
  • the organic solvent is used, for example, in the process of forming the flexible transparent electronic device 100 on the glass support substrate 1.
  • the content of photopolymerization reactive groups is 400 g/mol or less, the release layer 2 will be dissolved in the alkaline solution, and the removability of the release layer 2 will be improved.
  • the network chain concentration of the release layer 2 made of a cured resin composition is, for example, 1,000,000 mol/m 3 or less.
  • the network chain concentration is 1,000,000 mol/m 3 or less, the release layer 2 is dissolved in the alkaline solution, and the removability of the release layer 2 is improved. If the network chain concentration of the release layer 2 is 500000 mol/m 3 or less, the removability of the release layer 2 is further improved. Details of the method for measuring network chain concentration will be explained in Examples.
  • the amount of the ultraviolet absorber added is, for example, 1 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the ultraviolet curable resin and solvent in the resin composition. Preferably it is 2 to 50 parts by mass.
  • the amount of the photopolymerization initiator added is, for example, 0.1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the ultraviolet curable resin and solvent in the resin composition. Preferably it is 0.5 to 5 parts by mass.
  • the release layer 2 preferably has a lower transmittance of the ultraviolet laser beam LB than, for example, the flexible transparent substrate 10 (particularly the main substrate 11). Note that the release layer 2 does not need to be transparent because it is removed.
  • the main substrate 11 is formed, for example, by coating the release layer 2 with a resin composition for forming the main substrate 11 and curing the resin composition. Note that the main substrate 11 in the form of a film may be attached onto the release layer 2.
  • the inventors used various organic compounds with a molecular weight of less than 100 (for example, diluting solvent ) of the solubility parameters (SP values) (hereinafter referred to as "mass weighted average SP values") was used. If the mass-weighted average SP value of the organic compound with a molecular weight of less than 100 contained in the resin composition for forming the main substrate 11 is, for example, 11 or more, permeation of the resin composition into the release layer 2 is suppressed.
  • SP value of each organic compound the calculated value by Hansen reported in 1967 and the calculated value by Fedors reported in 1974 are known.
  • the unit of SP value is the commonly used unit [(cal/cm 3 ) 1/2 ].
  • the adhesive layer 12 in the area where the photoresist FR1 has been removed is removed by dry etching to expose the first metal layer M1, that is, the lower wiring.
  • the entire photoresist FR1 on the flexible transparent substrate 10 is removed. Thereafter, a plating seed layer (not shown) is formed on substantially the entire surface of the flexible transparent substrate 10.
  • the glass support substrate 1 is irradiated with ultraviolet laser light LB such as an excimer laser from the lower side of the drawing, and the flexible transparent display device 100 formed on the glass support substrate 1 is exposed to the glass support substrate 1. Peel off from 1.
  • the peeling layer 2 is decomposed by the ultraviolet laser beam LB transmitted through the glass support substrate 1, and the flexible transparent display device 100 can be peeled off from the glass support substrate 1.
  • the entire glass support substrate 1 can be irradiated with the ultraviolet laser beam LB.
  • the wavelength of the ultraviolet laser beam LB is, for example, 400 nm or less.
  • the ultraviolet laser light LB for example, excimer laser light having a wavelength of 308 nm (XeCl) or 248 nm (KrF) is used.
  • the peeling layer 2 remaining on the flexible transparent display device 100 (specifically, the flexible transparent substrate 10) after peeling is removed by, for example, an alkaline solution. Through the above steps, the flexible transparent display device 100 can be manufactured.
  • the release layer 2 that is, the resin composition for forming the release layer 2 includes an ultraviolet curable resin and an ultraviolet absorber.
  • the absorbance of the ultraviolet absorber with respect to the ultraviolet laser beam LB for peeling is 0.7 or more per 1 ⁇ m of optical path length, the peeling layer 2 has excellent peelability.
  • the absorbance of the ultraviolet absorber with respect to the curing ultraviolet light is 0.3 or less per 1 ⁇ m of optical path length, absorption of the curing ultraviolet light by the ultraviolet absorber is suppressed, and the release layer 2 also has excellent curability. Furthermore, since the ultraviolet curing resin has a hydrophilic group, the peeling layer 2 has excellent removability with an alkaline solution. In this way, the release layer 2 used for manufacturing the flexible transparent display device according to this embodiment has curability, peelability, and removability.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing an example of a laminated glass according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminated glass according to the second embodiment.
  • the laminated glass 200 shown in FIGS. 14 and 15 is used as a windshield among automobile window glasses, but is not particularly limited thereto.
  • a black shielding portion 201 for example, is provided around the entire periphery of the laminated glass 200.
  • the shielding part 201 blocks sunlight and protects the adhesive for assembling the laminated glass 200 to the automobile from ultraviolet rays. Moreover, the shielding part 201 makes the adhesive invisible from the outside.
  • the non-display area 102 is an area that does not have pixels and no image is displayed.
  • thick wires connected to the power supply line 41, the ground line 42, the row data line 43, and the column data line 44 shown in FIG. 1 are densely provided.
  • the width of the wiring in the non-display area 102 is, for example, 100 to 10,000 ⁇ m, preferably 100 to 5,000 ⁇ m.
  • the spacing between the wirings is, for example, 3 to 5000 ⁇ m, preferably 50 to 1500 ⁇ m.
  • the non-display area 102 is opaque and can be seen from inside the vehicle.
  • the design of the laminated glass 200 will be degraded. Therefore, in the laminated glass 200 according to the second embodiment, at least a part of the non-display area 102 of the flexible transparent display device 100 is provided in the shielding part 201.
  • the non-display area 102 provided in the shielding part 201 is hidden by the shielding part 201 and cannot be visually recognized. Therefore, the design of the laminated glass 200 is improved compared to the case where the entire non-display area 102 is visible.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the display area 101 of the flexible transparent display device 100.
  • a laminated glass 200 according to the second embodiment is obtained by bonding a pair of glass plates 220a and 220b with an interlayer interposed therebetween.
  • the laminated glass 200 includes the flexible transparent display device 100 according to the first embodiment between the pair of glass plates 220a and 220b with intermediate films 210a and 210b interposed therebetween.
  • the intermediate films 210a and 210b are made of polyvinyl butyral (PVB), for example.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing another example of the laminated glass according to the second embodiment.
  • the protective layer 50 in the flexible transparent display device 100 is made of, for example, polyvinyl butyral (PVB) and also functions as an interlayer film. Therefore, in the laminated glass 200 shown in FIG. 16, the intermediate film 210a formed on the protective layer 50 in FIG. 15 can be omitted.
  • PVB polyvinyl butyral
  • FIG. 17 is a schematic partial plan view showing an example of a flexible transparent display device according to the third embodiment.
  • the flexible transparent display device according to this embodiment includes a sensor 70 in the display area 101 in addition to the structure of the flexible transparent display device according to the first embodiment shown in FIG.
  • the sensor 70 is provided between predetermined pixels PIX, and is connected to the power supply line 41 and the ground line 42. Further, detection data from the sensor 70 is outputted via a data output line 46 extending from the sensor 70 in the y-axis direction. On the other hand, a control signal is input to the sensor 70 via the control signal line 47 extending in the y-axis direction to the sensor 70, and the sensor 70 is controlled.
  • the sensor 70 may be singular or plural.
  • a plurality of sensors 70 may be arranged at predetermined intervals, for example, in the x-axis direction or the y-axis direction.
  • the flexible transparent display device according to the present embodiment is mounted on a windshield among the window glasses of an automobile. That is, the flexible transparent display device according to this embodiment can also be applied to the laminated glass according to the second embodiment.
  • the sensor 70 is, for example, an illuminance sensor (for example, a light receiving element) for detecting the illuminance inside and outside the vehicle.
  • the brightness of the display area 101 by the LED elements 21 to 23 is controlled according to the illuminance detected by the sensor 70. For example, as the illuminance outside the vehicle is greater than the illuminance inside the vehicle, the brightness of the display area 101 by the LED elements 21 to 23 is also increased. Such a configuration further improves the visibility of the flexible transparent display device.
  • the senor 70 may be an infrared sensor (for example, a light receiving element) or an image sensor (for example, a CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) image sensor) for sensing the line of sight of an observer (for example, a driver).
  • the flexible transparent display device is activated only when the sensor 70 senses a line of sight.
  • a flexible transparent display device is used in the laminated glass shown in FIG. 14, it is preferable because the flexible transparent display device does not block the viewer's view unless the viewer directs his/her line of sight to the flexible transparent display device.
  • the sensor 70 which is an image sensor, may detect the viewer's motion, and based on the motion, for example, the flexible transparent display device may be turned on and off, or the display screen may be switched.
  • the sensor 70 which is an image sensor, may detect the viewer's motion, and based on the motion, for example, the flexible transparent display device may be turned on and off, or the display screen may be switched.
  • the other configurations are the same as the flexible transparent display device according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic partial plan view showing an example of the flexible transparent sensing device according to the fourth embodiment.
  • the flexible transparent sensing device shown in FIG. 18 is a flexible transparent electronic device having a configuration in which each pixel PIX is provided with a sensor 70 in place of the light emitting section 20 and the IC chip 30 in the configuration of the flexible transparent display device shown in FIG. It is. That is, the flexible transparent sensing device shown in FIG. 18 does not include the light emitting section 20 and does not have a display function.
  • the sensor 70 is not particularly limited, in the flexible transparent sensing device shown in FIG. 18, it is a CMOS image sensor. That is, the flexible transparent sensing device shown in FIG. 18 includes an imaging area 301 composed of a plurality of pixels PIX arranged in a row direction (x-axis direction) and a column direction (y-axis direction), and has an imaging function. ing.
  • FIG. 18 shows a part of the imaging area 301, and a total of four pixels are shown, two pixels each in the row direction and column direction. Here, one pixel PIX is shown surrounded by a dashed line.
  • the flexible transparent substrate 10 and the protective layer 50 are omitted, similar to FIG. 1.
  • FIG. 18 is a plan view, the sensor 70 is displayed as a dot for easy understanding.
  • one sensor 70 is provided for each pixel PIX, and is arranged between a power line 41 and a ground line 42 extending in the y-axis direction, and is connected to both. Further, detection data from the sensor 70 is outputted via a data output line 46 extending from the sensor 70 in the y-axis direction.
  • a control signal is input to the sensor 70 via the control signal line 47 extending in the y-axis direction to the sensor 70, and the sensor 70 is controlled.
  • the control signal is, for example, a synchronization signal or a reset signal.
  • the power line 41 may be connected to a battery (not shown).
  • each sensor 70 includes a wiring layer, a semiconductor substrate, color filters CF1 to CF3, and microlenses ML1 to ML3.
  • internal wiring IW is formed inside the wiring layer.
  • photodiodes PD1 to PD3 are formed inside the semiconductor substrate.
  • a semiconductor substrate for example, a silicon substrate is formed on the wiring layer.
  • Internal wiring IW formed inside the wiring layer connects wiring 40 (power line 41, ground line 42, data output line 46, and control signal line 47) and photodiodes PD1 to PD3.
  • wiring 40 power line 41, ground line 42, data output line 46, and control signal line 47
  • photodiodes PD1 to PD3 When photodiodes PD1 to PD3 are irradiated with light, current is output from photodiodes PD1 to PD3.
  • the currents output from the photodiodes PD1 to PD3 are each amplified by an amplifier circuit (not shown) and output via the internal wiring IW and the data output line 46.
  • Color filters CF1 to CF3 are formed on photodiodes PD1 to PD3, respectively, formed inside a semiconductor substrate.
  • Color filters CF1 to CF3 are, for example, a red filter, a green filter, and a blue filter, respectively.
  • Microlenses ML1 to ML3 are placed on color filters CF1 to CF3, respectively.
  • the sensor 70 is a microsensor having a minute size, for example, an area on the flexible transparent substrate 10 of 250,000 ⁇ m 2 or less.
  • a microsensor is a sensor having a minute size with an area of 250,000 ⁇ m 2 or less in plan view.
  • the area of the sensor 70 is, for example, preferably 25000 ⁇ m 2 or less, more preferably 2500 ⁇ m 2 or less.
  • the lower limit of the area of the sensor 70 is, for example, 10 ⁇ m 2 or more due to various manufacturing conditions.
  • the shape of the sensor 70 shown in FIG. 18 is rectangular, but is not particularly limited.
  • the flexible transparent sensing device according to this embodiment can also be applied to the laminated glass according to the second embodiment.
  • the sensor 70 can acquire, for example, an image of at least one of the interior of the vehicle and the exterior of the vehicle. That is, the flexible transparent sensing device according to this embodiment has a function as a drive recorder.
  • the flexible transparent sensing device according to the fourth embodiment may have a single sensor 70.
  • the sensor 70 in the flexible transparent sensing device according to the fourth embodiment is not limited to an image sensor, but may be an illuminance sensor, an infrared sensor, or the like exemplified in the third embodiment.
  • the sensor 70 may be a radar sensor, a Lidar sensor, or the like. With a vehicle window glass equipped with a flexible transparent sensing device using these sensors 70, it is possible to monitor the interior and exterior of the vehicle, for example.
  • the senor 70 according to the fourth embodiment is not particularly limited as long as it is a microsensor having a minute size of 250000 ⁇ m 2 or less in area on the flexible transparent substrate 10.
  • the sensor 70 may be a temperature sensor, an ultraviolet sensor, a radio wave sensor, a pressure sensor, a sound sensor, a speed/acceleration sensor, or the like.
  • the other configurations are the same as the flexible transparent display device according to the first embodiment.
  • Examples according to the present invention are shown below, but the present invention is not interpreted as being limited to the following examples.
  • Examples 1 to 6, 10, and 11 are examples of the present invention.
  • Examples 7 to 9 are comparative examples.
  • Table 1 shows the resin type of the release layer 2 according to Examples 1 to 9, the absorbance per 1 ⁇ m optical path length of the ultraviolet absorber for laser light, the presence or absence of hydrophilic groups, the content of photopolymerization reactive groups (g/mol), and the mesh size. Chain concentration (mol/m 3 ) and evaluation results (peelability and removability) are shown together.
  • a resin composition for a release layer was coated on the glass support substrate 1 using a spin coater to form a coating film.
  • a glass support substrate a glass substrate AN100 manufactured by AGC Co., Ltd. and having a thickness of 0.7 mm was used.
  • the resin composition for the release layer contains an ultraviolet curable resin, a leveling agent, an ultraviolet absorber, a photopolymerization initiator, and a diluting solvent.
  • the coating film was heated at 120° C. for 5 minutes in the atmosphere to volatilize the diluent solvent, and then irradiated with ultraviolet light with a wavelength of 365 nm at an integrated light intensity of 1000 mJ/cm 2 to cure the acrylic resin. Furthermore, this coating film was heated at 200° C. for 30 minutes to form a release layer 2 of acrylic resin on the glass support substrate 1.
  • the network chain concentration of release layer 2 was 415,000 mol/m 3 .
  • the network chain concentration was calculated using the modified Flory-Rehner equation shown below.
  • the network chain concentration can be obtained by evaluating the removability described below.
  • ⁇ is the network chain concentration (mol/m 3 )
  • g is the volume fraction of the resin in the release layer 2 before swelling
  • V is the molecular volume (molecular weight/density) of the swelling solution (m 3 /mol)
  • ⁇ represents the interaction constant between the release layer 2 and the swelling solution
  • VR represents the volume fraction of the resin in the release layer 2 after swelling.
  • the swelling solution is an alkaline solution for removing the release layer 2.
  • a resin composition for a flexible transparent substrate was coated on the release layer 2 using a spin coater to form a coating film.
  • the resin composition contains an ultraviolet curable resin, a leveling agent, a photopolymerization initiator, and a diluting solvent.
  • the resin composition contains 49% by mass of acrylic resin A-DCP manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. and 21% by mass of acrylic resin A-DPH manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. as ultraviolet curable resins.
  • the resin composition also contains 15% by mass of methanol (molecular weight 32) manufactured by Kanto Kagaku Co., Ltd. and 15% by mass of propylene glycol monomethyl ether (molecular weight 90) manufactured by Kanto Kagaku Co., Ltd. as a diluting solvent. That is, the content of the diluent solvent (organic compound with a molecular weight of less than 100) in the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 1 is 30% by mass.
  • the SP value of methanol is 14.3 (value calculated by Hansen)
  • the resin composition contained 100 parts by mass of the ultraviolet curable resin and organic solvent in total, 0.1 part by mass of BYK-361N manufactured by BYK as a leveling agent, and IGM Resins B.I. V. Contains 5 parts by mass of Omnirad 184 manufactured by Co., Ltd.
  • Example 2 The procedure was the same as in Example 1 except that the amount of the ultraviolet absorber added to the resin composition for the release layer was changed. Specifically, the amount of UV absorber Tinuvin 400 manufactured by BASF was changed from 6 parts by mass to 4 parts by mass, and the amount of Tinuvin 479 manufactured by BASF was changed from 3 parts by mass to 2 parts by mass. Along with this, as shown in Table 1, in the resin composition for a release layer according to Example 2, the absorbance of the ultraviolet absorber with respect to ultraviolet laser light decreased to 0.7 per 1 ⁇ m of optical path length.
  • Example 3 The procedure was the same as in Example 1 except that the blending ratio of the acrylic resin in the resin composition for the release layer was changed. Specifically, the blending amounts of two types of acrylic resins 8KQ-2001/7KQ-7041 manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd. were changed from 30% by mass/20% by mass to 40% by mass/10% by mass. Accordingly, as shown in Table 1, in the resin composition for a release layer according to Example 3, the content of photopolymerization reactive groups, that is, radical polymerization reactive groups in the ultraviolet curable resin increased to 400 g/mol. Further, the network chain concentration of the release layer 2 according to Example 3 increased to 440000 mol/m 3 .
  • Example 4 The procedure was the same as in Example 1 except that the blending ratio of the acrylic resin in the resin composition for the release layer was changed. Specifically, the blending amounts of two types of acrylic resins 8KQ-2001/7KQ-7041 manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd. were changed from 30% by mass/20% by mass to 20% by mass/30% by mass. Accordingly, as shown in Table 1, in the resin composition for a release layer according to Example 4, the content of photopolymerization reactive groups, ie, radical polymerization reactive groups, in the ultraviolet curable resin decreased to 200 g/mol. Further, the network chain concentration of the release layer 2 according to Example 4 was reduced to 390000 mol/m 3 .
  • Example 5 The procedure was the same as in Example 1 except that the type of acrylic resin in the resin composition for the release layer was changed. Specifically, the entire amount of acrylic resin 7KQ-7041 manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd. in Example 1 was replaced with acrylic resin A-DPH manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. Along with this, as shown in Table 1, the network chain concentration of the release layer 2 according to Example 5 increased to 900000 mol/m 3 .
  • Example 6 The procedure was the same as in Example 1 except that the amount of the ultraviolet absorber added to the resin composition for the release layer was changed. Specifically, the amount of UV absorber Tinuvin 400 manufactured by BASF was changed from 6 parts by mass to 9 parts by mass, and the amount of Tinuvin 479 manufactured by BASF was changed from 3 parts by mass to 0 parts by mass. That is, only Tinuvin 400, which is a liquid ultraviolet absorber, was added. Along with this, as shown in Table 1, in the resin composition for a release layer according to Example 6, the absorbance of the ultraviolet absorber for ultraviolet laser light decreased to 0.9 per 1 ⁇ m of optical path length.
  • Example 7 In the resin composition for the release layer, the novolac resin, which is a thermosetting resin, was changed from the acrylic resin, which is an ultraviolet curable resin. Specifically, the total amount of 50% by mass of the acrylic resin in Example 1 was replaced with a novolac resin TR4020G manufactured by Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd. This resin composition for the release layer does not contain a photopolymerization initiator. The coating film was heated at 170° C. for 5 minutes in the atmosphere to harden the novolac resin, and a release layer 2 of novolac resin was formed on the glass support substrate 1 . The rest was the same as in Example 1.
  • Example 8> The procedure was the same as in Example 1 except that the amount of the ultraviolet absorber added to the resin composition for the release layer was changed. Specifically, the amount of UV absorber Tinuvin 400 manufactured by BASF was changed from 6 parts by mass to 2 parts by mass, and the amount of Tinuvin 479 manufactured by BASF was changed from 3 parts by mass to 1 part by mass. Along with this, as shown in Table 1, in the resin composition for a release layer according to Example 8, the absorbance of the ultraviolet absorber with respect to ultraviolet laser light decreased to 0.4 per 1 ⁇ m of optical path length.
  • Example 9 The procedure was the same as in Example 1 except that the type and blending ratio of the acrylic resin in the resin composition for the release layer were changed.
  • the resin composition for the release layer according to Example 9 contained 35% by mass of acrylic resin A-DCP manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. and 15% by mass of acrylic resin A-DPH manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. as ultraviolet curable resins. do. Both acrylic resin A-DCP and acrylic resin A-DPH manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. do not have hydrophilic groups.
  • the peeling layers 2 obtained in Examples 1 to 11 were evaluated to see if they could be peeled off from the glass support substrate 1 using the LLO method.
  • An excimer laser annealing device manufactured by Lightec Corporation was used, and XeCl with an oscillation wavelength of 308 nm was used as a laser light source.
  • the irradiation energy density of the ultraviolet laser beam LB was 750 mJ/cm 2 .
  • the circle mark indicates that the release layer 2 was peeled off without resistance.
  • the symbol ⁇ indicates that the peeling layer 2 was peeled off even though there was resistance.
  • An x mark indicates that no peeling occurred.
  • the content of photopolymerization reactive groups, ie, radical polymerization reactive groups, in the ultraviolet curable resin increased to 400 g/mol. Therefore, the release layer according to Example 3 had lower removability than the release layer according to Example 1.
  • the release layer according to Example 4 had good peelability and removability.
  • the content of photopolymerization reactive groups, ie, radical polymerization reactive groups, in the ultraviolet curable resin was reduced to 200 g/mol. Therefore, the release layer according to Example 4 had lower solvent resistance than the release layer according to Example 1, and whitening was observed at the stage before peeling.
  • the network chain concentration increased to 900000 mol/m 3 . Therefore, the release layer according to Example 5 had lower removability than the release layer according to Example 1.
  • the absorbance of the ultraviolet absorber for ultraviolet laser light decreased to 0.9 per 1 ⁇ m of optical path length. Therefore, the release layer according to Example 6 had lower releasability than the release layer according to Example 1. Since the resin composition for the release layer according to Example 7 was a novolak resin, the release layer could not be removed even when immersed in an alkaline solution for a long time.
  • the absorbance of the ultraviolet absorber with respect to ultraviolet laser light decreased to 0.4 per 1 ⁇ m of optical path length. Therefore, the release layer according to Example 8 could not be removed even when irradiated with ultraviolet laser light. Since the resin composition for a release layer according to Example 9 did not have a hydrophilic carboxyl group, the release layer could not be removed even when immersed in an alkaline solution for a long time.
  • Example 10 the resin composition for the flexible transparent substrate was changed instead of the resin composition for the release layer.
  • Example 10 The procedure was the same as in Example 1 except that the ratio of the acrylic resin to the diluting solvent in the resin composition for a flexible transparent substrate was changed.
  • the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 10 contained 43% by mass of acrylic resin A-DCP manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. and 19% by mass of acrylic resin A-DPH manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. as ultraviolet curable resins. contains. Further, the resin composition contains 19% by mass of methanol manufactured by Kanto Kagaku Co., Ltd.
  • the content of the diluent solvent (organic compound with a molecular weight of less than 100) in the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 10 was 38% by mass.
  • the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 10 more easily penetrates into the release layer than the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 1. Therefore, the release layer according to Example 10 had lower releasability and removability than the release layer according to Example 1.
  • the resin composition for the release layer according to Example 10 is the same as the resin composition for the release layer according to Example 1. In this way, if the resin composition for the flexible transparent substrate formed on the release layer is changed, the releasability and removability of the release layer will change.
  • the mass weighted average SP value of the diluent solvent (organic compound with a molecular weight of less than 100) in the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 10 is the same as in Example 1.
  • the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 11 also penetrates into the release layer more easily than the resin composition for a flexible transparent substrate according to Example 1. Therefore, the release layer according to Example 11 had lower peelability and removability than the release layer according to Example 1.
  • the resin composition for the release layer according to Example 11 is also the same as the resin composition for the release layer according to Example 1.

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Abstract

剥離層（２）を介してガラス支持基板（１）上にフレキシブル透明電子デバイス（１００）を形成し、ガラス支持基板（１）を介して剥離層（２）に紫外線レーザ光（ＬＢ）を照射し、ガラス支持基板（１）からフレキシブル透明電子デバイス（１００）を剥離する、フレキシブル透明電子デバイス（１００）の製造に用いられ、剥離層（２）を形成するための樹脂組成物である。親水基を含有する紫外線硬化樹脂と、紫外線レーザ光（ＬＢ）を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、紫外線レーザ光（ＬＢ）に対する紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下である。

Description

樹脂組成物、物品、及びフレキシブル透明電子デバイスの製造方法
　本発明は、樹脂組成物、物品、及びフレキシブル透明電子デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１に開示されているように、発明者らは、透明基板上に形成された発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）素子を画素に用いた透明表示デバイスを開発している。このような透明表示デバイスは、当該透明表示デバイスを介して背面側を視認可能であるため、例えば自動車のフロントガラス等に用いられる。また、特許文献１に開示されているように、発明者らは、透明基板上にマイクロセンサが設けられた透明センシングデバイスも開発している。
　本明細書では、透明表示デバイスや透明センシングデバイス等のように、透明基板上に電子素子が形成され、背面側を視認可能な電子デバイスを「透明電子デバイス」と呼ぶ。透明電子デバイスにおいて、透明基板がフレキシブルであれば、「フレキシブル透明電子デバイス」が得られる。
　特許文献１に開示されているように、フレキシブル透明電子デバイスを製造する際、ガラス支持基板上に剥離層、フレキシブル透明基板、及び電子素子を順次形成する。その後、フレキシブル透明基板及び電子素子を含むフレキシブル透明電子デバイスをガラス支持基板から剥離する。
　具体的には、ガラス支持基板とフレキシブル透明基板との間に形成された剥離層に紫外線レーザ光を照射し、フレキシブル透明電子デバイスをガラス支持基板から剥離する。このような手法は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser lift-off）法と呼ばれる。ガラス支持基板とフレキシブル透明基板との間に剥離層が形成されているため、紫外線レーザ光の照射によるフレキシブル透明基板（すなわちフレキシブル透明電子デバイス）の損傷を抑制できる。
国際公開第２０２１／１３２１０６号
　ガラス支持基板から剥離されたフレキシブル透明電子デバイス（具体的には、フレキシブル透明基板）には、剥離層の一部又は全部が付着し、残留している。フレキシブル透明基板に残留した剥離層は、アルカリ溶液によって除去される。
　発明者らは、特許文献１に開示された剥離層に関し、以下の問題点を見出した。
　特許文献１に開示された剥離層は熱硬化性樹脂を含むため、ガラス支持基板上にフレキシブル透明電子デバイスを形成する工程における加熱等によって剥離層の硬化が進行してしまう。そのため、熱硬化性樹脂を含む剥離層は、アルカリ溶液による除去性に劣るという問題があった。
　そこで、発明者らは、剥離層が含む樹脂として、加熱等によって硬化が進行しない紫外線硬化樹脂に着目した。
　ここで、剥離層は、紫外線レーザ光の照射による剥離性を発現させるための紫外線吸収剤を含有する。剥離層に紫外線レーザ光が照射されると、紫外線吸収剤が紫外線レーザ光を吸収し、剥離層が分解される。他方、紫外線吸収剤が、紫外線硬化樹脂を硬化させるための紫外線を吸収し過ぎると、紫外線硬化樹脂が硬化せず、剥離層を形成できない。すなわち、剥離層の硬化性が不充分になる。
　本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、紫外線硬化樹脂を含む樹脂組成物であって、硬化性、剥離性、及び除去性を兼ね備えた剥離層に用いる樹脂組成物を提供するものである。
　本発明の一態様に係る樹脂組成物は、
　剥離層を介してガラス支持基板上にフレキシブル透明電子デバイスを形成し、
　前記ガラス支持基板を介して前記剥離層に紫外線レーザ光を照射し、前記ガラス支持基板から前記フレキシブル透明電子デバイスを剥離する、フレキシブル透明電子デバイスの製造に用いられ、
　前記剥離層を形成するための樹脂組成物であって、
　親水基を有する紫外線硬化樹脂と、
　前記紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、
　前記紫外線レーザ光に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、
　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下であるものである。
　本発明の一態様に係る物品は、
　ガラス支持基板と、
　前記ガラス支持基板上に形成された剥離層と、を備え、
　前記ガラス支持基板を介して前記剥離層に紫外線レーザ光が照射され、前記剥離層上に形成されたフレキシブル透明電子デバイスを前記ガラス支持基板から剥離するための物品であって、
　前記剥離層を形成するための樹脂組成物が、
　親水基を有する紫外線硬化樹脂と、
　前記紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、
　前記紫外線レーザ光に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、
　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下であるものである。
　本発明の一態様に係るフレキシブル透明電子デバイスの製造方法は、
　剥離層を介してガラス支持基板上にフレキシブル透明電子デバイスを形成し、
　前記ガラス支持基板を介して前記剥離層に紫外線レーザ光を照射し、前記ガラス支持基板から前記フレキシブル透明電子デバイスを剥離する、フレキシブル透明電子デバイスの製造方法であって、
　前記剥離層が、
　親水基を有する紫外線硬化樹脂と、
　前記紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、
　前記紫外線レーザ光に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、
　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下であるものである。
　本発明によれば、紫外線硬化樹脂を含む樹脂組成物であって、硬化性、剥離性、及び除去性を兼ね備えた剥離層に用いる樹脂組成物を提供できる。
フレキシブル透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。 図１におけるＩＩ－ＩＩ切断線による断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な平面図である。 第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な断面図である。 第２の実施形態に係る合わせガラスの他の一例を示す模式的な断面図である。 第３の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。 第４の実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。 センサ７０の模式断面図である。
　以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本発明が以下の実施形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
　本明細書において「透明電子デバイス」とは、透明基板上に電子素子が形成され、当該電子デバイスの背面側に位置する人物や背景等の視覚情報を、所望の使用環境下で視認可能な電子デバイスを指す。
　本明細書において「透明表示デバイス」とは、表示デバイスの背面側に位置する人物や背景等の視覚情報を、所望の使用環境下で視認可能な表示デバイスを指す。なお、視認可能か否かは、少なくとも表示デバイスが非表示状態、すなわち通電されていない状態で判定される。「透明表示デバイス」は、「透明電子デバイス」の一形態である。
　同様に、本明細書において「透明センシングデバイス」とは、センシングデバイスの背面側に位置する人物や背景等の視覚情報を、所望の使用環境下で視認可能なセンシングデバイスを指す。「センシングデバイス」とは、センサを利用して、各種情報を取得可能なデバイスを指す。「透明センシングデバイス」は、「透明電子デバイス」の一形態である。
　本明細書において、「透明」とは、可視光の透過率が４０％以上、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上であることを指す。また、透過率が５％以上かつヘイズ値が１０以下であることを指していてもよい。透過率が５％以上であれば、室内から日中の屋外を見た際に、室内と同程度以上の明るさで屋外を見ることができ、充分な視認性を確保できる。
　また、透過率が４０％以上であれば、透明表示デバイスの前面側と背面側との明るさが同程度であっても、透明表示デバイスの背面側を実質的に問題なく視認できる。また、ヘイズ値が１０以下であれば、背景のコントラストを充分に確保できる。
　「透明」とは、色が付与されているか否かは問わず、つまり無色透明であってもよく、有色透明であってもよい。
　なお、透過率は、ＩＳＯ９０５０に準拠する方法により測定された値（％）を指す。ヘイズ値は、ＩＳＯ１４７８２に準拠する方法により測定された値を指す。
（第１の実施形態）
＜フレキシブル透明表示デバイスの構成＞
　まず、図１及び図２を参照して、第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法を用いて製造されるフレキシブル透明表示デバイスの構成について説明する。図１は、フレキシブル透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ切断線による断面図である。
　なお、当然のことながら、図１及び図２に示した右手系ｘｙｚ直交座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、ｚ軸正向きが鉛直上向き、ｘｙ平面が水平面である。
　図１及び図２に示したフレキシブル透明表示デバイス１００は、フレキシブル透明基板１０、発光部２０、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ３０、配線４０、保護層５０を備えたフレキシブル透明電子デバイスである。図１に示したフレキシブル透明表示デバイス１００における表示領域１０１は、複数の画素から構成され、画像が表示される領域である。なお、画像は文字を含む。図１に示すように、表示領域１０１は、行方向（ｘ軸方向）及び列方向（ｙ軸方向）に並んだ複数の画素から構成されている。図１には、表示領域１０１の一部が示されており、行方向及び列方向に２画素ずつ計４画素が示されている。ここで、１つの画素ＰＩＸが一点鎖線によって囲んで示されている。また、図１では、図２に示したフレキシブル透明基板１０及び保護層５０が省略されている。さらに、図１は平面図だが、理解を容易にするため、発光部２０及びＩＣチップ３０がドット表示されている。
＜発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０の平面配置＞
　まず、図１を参照して、発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０の平面配置について説明する。
　図１に示すように、一点鎖線によって囲まれた画素ＰＩＸが、行方向（ｘ軸方向）に画素ピッチＰｘで、列方向（ｙ軸方向）に画素ピッチＰｙで、マトリクス状に配置されている。ここで、図１に示すように、各画素ＰＩＸは、発光部２０及びＩＣチップ３０を備えている。すなわち、発光部２０及びＩＣチップ３０は、行方向（ｘ軸方向）に画素ピッチＰｘで、列方向（ｙ軸方向）に画素ピッチＰｙで、マトリクス状に配置されている。
　なお、所定の方向に所定の画素ピッチで配置されれば、画素ＰＩＸすなわち発光部２０の配置形式はマトリクス状に限らない。
　図１に示すように、各画素ＰＩＸにおける発光部２０は、少なくとも１つの発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤ素子）を含む。すなわち、フレキシブル透明表示デバイスは、各画素ＰＩＸにＬＥＤ素子を用いる表示デバイスであり、ＬＥＤディスプレイ等と呼ばれる。
　図１の例では、各発光部２０が、電子素子として、赤色系のＬＥＤ素子２１、緑色系のＬＥＤ素子２２、及び青色系のＬＥＤ素子２３を含んでいる。ＬＥＤ素子２１～２３は、１つの画素を構成する副画素（サブピクセル）に対応する。このように、各発光部２０が、光の三原色である赤、緑、青を発光するＬＥＤ素子２１～２３を有するため、当該フレキシブル透明表示デバイスは、フルカラー画像を表示できる。
　なお、各発光部２０は同系色のＬＥＤ素子を２つ以上含んでいてもよい。これにより、画像のダイナミクスレンジを拡大できる。
　ＬＥＤ素子２１～２３は、いわゆるマイクロＬＥＤ素子であり、例えば１００００μｍ２以下の面積を有する半導体チップである。具体的には、フレキシブル透明基板１０上におけるＬＥＤ素子２１の幅（ｘ軸方向の長さ）及び長さ（ｙ軸方向の長さ）はそれぞれ、例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。ＬＥＤ素子２２、２３についても同様である。ＬＥＤ素子の幅及び長さの下限は、製造上の諸条件等から例えば３μｍ以上である。
　なお、図１におけるＬＥＤ素子２１～２３の寸法すなわち幅及び長さは同一であるが、互いに異なっていてもよい。
　また、フレキシブル透明基板１０上においてＬＥＤ素子２１～２３のそれぞれが占める面積は、好ましくは３０００μｍ２以下、より好ましくは５００μｍ２以下である。なお、１つのＬＥＤ素子が占める面積の下限は、製造上の諸条件等から例えば１０μｍ２以上である。ここで、本明細書において、ＬＥＤ素子の面積や配線等の構成部材の面積は、図１におけるｘｙ平面視においてＬＥＤ素子や配線等の構成部材が占める面積を指す。
　なお、図１に示したＬＥＤ素子２１～２３の形状は、矩形状（正方形を含む）であるが、特に限定されない。
　ここで、ＬＥＤ素子２１～２３は、例えば、光を視認側に効率よく取り出すためのミラー構造を有している。そのため、ＬＥＤ素子２１～２３の透過率は、例えば１０％以下程度と低い。しかしながら、当該フレキシブル透明表示デバイスでは、上述の通り、例えば面積１００００μｍ２以下の微小サイズのＬＥＤ素子２１～２３を用いている。そのため、例えば数１０ｃｍ～２ｍ程度の近距離から、フレキシブル透明表示デバイスを観察するような場合でも、ＬＥＤ素子２１～２３はほとんど視認できない。また、表示領域１０１において透過率が低い領域が狭く、背面側の視認性に優れている。その上、配線４０等の配置の自由度も大きい。
　なお、「表示領域１０１において透過率が低い領域」とは、例えば、透過率が２０％以下の領域である。以下同様である。
　また、微小サイズのＬＥＤ素子２１～２３を用いているため、フレキシブル透明表示デバイスを湾曲させても、ＬＥＤ素子が損傷し難い。そのため、当該フレキシブル透明表示デバイスは、自動車用のウインドウガラスのような湾曲した透明板に装着したり、湾曲した２枚の透明板の間に封入したりして使用できる。ここで、フレキシブル透明基板１０がフレキシブルである（可撓性を有する）ため、フレキシブル透明表示デバイスを湾曲させられる。
　ＬＥＤ素子２１～２３は、特に限定されないが、例えば無機材料である。赤色系のＬＥＤ素子２１は、例えばＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ等である。緑色系のＬＥＤ素子２２は、例えばＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＺｎＳｅ等である。青色系のＬＥＤ素子２３は、例えばＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＺｎＳｅ等である。
　ＬＥＤ素子２１～２３の発光効率すなわちエネルギー変換効率は、例えば１％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは１５％以上である。ＬＥＤ素子２１～２３の発光効率が１％以上であると、上述のように微小サイズのＬＥＤ素子２１～２３でも充分な輝度が得られ、表示デバイスとして日中にも利用できる。また、ＬＥＤ素子の発光効率が１５％以上であると、発熱が抑制され、樹脂接着層を用いた合わせガラス内部への封入が容易になる。
　画素ピッチＰｘ、Ｐｙはそれぞれ、例えば１００～３０００μｍ、好ましくは１８０～１０００μｍ、より好ましくは２５０～４００μｍである。画素ピッチＰｘ、Ｐｙを上記範囲とすれば、充分な表示能を確保しつつ、高い透明性を実現できる。また、フレキシブル透明表示デバイスの背面側からの光によって生じ得る回折現象を抑制できる。
　また、当該フレキシブル透明表示デバイスの表示領域１０１における画素密度は、例えば１０ｐｐｉ以上、好ましくは３０ｐｐｉ以上、より好ましくは６０ｐｐｉ以上である。
　また、１画素ＰＩＸの面積はＰｘ×Ｐｙである。１画素の面積は、例えば１×１０４μｍ２～９×１０６μｍ２、好ましくは３×１０４～１×１０６μｍ２、より好ましくは６×１０４～２×１０５μｍ２である。１画素の面積を１×１０４μｍ２～９×１０６μｍ２とすれば、適切な表示能を確保しつつ、表示デバイスの透明性を向上させられる。１画素の面積は、表示領域１０１のサイズ、用途、視認距離等によって適宜選択すればよい。
　１画素の面積に対してＬＥＤ素子２１～２３が占める面積の割合は、例えば３０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは１％以下である。１画素の面積に対してＬＥＤ素子２１～２３が占める面積の割合を３０％以下であれば、透明性及び背面側の視認性が向上する。
　図１では、各画素において、３つのＬＥＤ素子２１～２３が、この順にｘ軸正方向に一列に並べて配置されているが、これに限定されない。例えば、３つのＬＥＤ素子２１～２３の配置順を変更してもよい。また、３つのＬＥＤ素子２１～２３を、ｙ軸方向に並べてもよい。あるいは、３つのＬＥＤ素子２１～２３を三角形の頂点に配置してもよい。
　また、図１に示すように、各発光部２０が複数のＬＥＤ素子２１～２３を備えている場合、発光部２０におけるＬＥＤ素子２１～２３同士の間隔は、例えば１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下である。また、ＬＥＤ素子２１～２３同士は、互いに接するように配置されていてもよい。これにより、第１電源分岐線４１ａを共通化し易くなり、開口率が向上する。
　なお、図１の例では、各発光部２０における複数のＬＥＤ素子の配置順、配置方向等は互いに同じだが、異なっていてもよい。また、各発光部２０が波長の異なる光を発する３つのＬＥＤ素子を含む場合、一部の発光部２０では、ＬＥＤ素子をｘ軸方向又はｙ軸方向に並べて配置し、他の発光部２０では、各色のＬＥＤ素子を三角形の頂点に配置してもよい。
　図１の例では、ＩＣチップ３０は、画素ＰＩＸごとに配置され、発光部２０を駆動する電子素子である。具体的には、ＩＣチップ３０は、ＬＥＤ素子２１～２３のそれぞれに駆動線４５を介して接続されており、ＬＥＤ素子２１～２３を個別に駆動できる。
　なお、ＩＣチップ３０を複数の画素ごとに配置し、各ＩＣチップ３０が接続された複数の画素を駆動してもよい。例えば、ＩＣチップ３０を４画素ごとに１個配置すれば、ＩＣチップ３０の個数を図１の例の１／４に削減し、ＩＣチップ３０の面積を削減できる。
　ＩＣチップ３０の面積は、例えば１０００００μｍ２以下、好ましくは１００００μｍ２以下、より好ましくは５０００μｍ２以下である。ＩＣチップ３０の透過率は２０％以下程度と低いが、上記のサイズのＩＣチップ３０を用いることによって、表示領域１０１において透過率が低い領域が狭くなり、背面側の視認性が向上する。
　ＩＣチップ３０としては、例えば、アナログ領域と論理領域とを備えたハイブリッドＩＣである。アナログ領域は、例えば、電流制御回路及び変圧回路等を含んでいる。
　なお、ＬＥＤ素子２１～２３とＩＣチップ３０とが一緒に樹脂によってパッケージされたＩＣチップ付ＬＥＤ素子を用いてもよい。また、ＩＣチップ３０に代えて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を含んだ回路を用いてもよい。さらに、ＩＣチップ３０は必須ではない。
　他方、ＩＣチップ３０にマイクロセンサが搭載されていてもよい。すなわち、当該フレキシブル透明表示デバイスは、同時にフレキシブル透明センシングデバイスであってもよい。マイクロセンサの詳細については、第４の実施形態において後述する。
　本実施形態に係る配線４０は表示用配線であって、図１に示すように、電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、列データ線４４、及び駆動線４５を複数ずつ備えている。
　図１の例では、電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４はｙ軸方向に延設されている。他方、行データ線４３は、ｘ軸方向に延設されている。
　また、各画素ＰＩＸにおいて、電源線４１及び列データ線４４は、発光部２０及びＩＣチップ３０よりもｘ軸負方向側に設けられており、グランド線４２は、発光部２０及びＩＣチップ３０よりもｘ軸正方向側に設けられている。ここで、電源線４１は、列データ線４４よりもｘ軸負方向側に設けられている。また、各画素ＰＩＸにおいて、行データ線４３は、発光部２０及びＩＣチップ３０よりもｙ軸負方向側に設けられている。
　さらに、詳細には後述するが、図１に示すように、電源線４１は、第１電源分岐線４１ａ及び第２電源分岐線４１ｂを備えている。グランド線４２は、グランド分岐線４２ａを備えている。行データ線４３は、行データ分岐線４３ａを備えている。列データ線４４は、列データ分岐線４４ａを備えている。これら各分岐線は、配線４０に含まれる。
　図１に示すように、ｙ軸方向に延設された各電源線４１は、ｙ軸方向に並設された各画素ＰＩＸの発光部２０及びＩＣチップ３０に接続されている。より詳細には、各画素ＰＩＸにおいて、電源線４１よりもｘ軸正方向側において、ＬＥＤ素子２１～２３がこの順にｘ軸正方向に並設されている。そのため、電源線４１からｘ軸正方向に分岐した第１電源分岐線４１ａが、ＬＥＤ素子２１～２３のｙ軸正方向側端部に接続されている。
　また、各画素ＰＩＸにおいて、ＩＣチップ３０は、ＬＥＤ素子２１～２３のｙ軸負方向側に配置されている。そのため、ＬＥＤ素子２１と列データ線４４との間において、第１電源分岐線４１ａからｙ軸負方向に分岐した第２電源分岐線４１ｂが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｙ軸正方向側端部のｘ軸負方向側に接続されている。
　図１に示すように、ｙ軸方向に延設された各グランド線４２は、ｙ軸方向に並設された各画素ＰＩＸのＩＣチップ３０に接続されている。具体的には、グランド線４２からｘ軸負方向に分岐したグランド分岐線４２ａが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｘ軸正方向側端部に接続されている。
　ここで、グランド線４２は、グランド分岐線４２ａ、ＩＣチップ３０、及び駆動線４５を介して、ＬＥＤ素子２１～２３に接続されている。
　図１に示すように、ｘ軸方向に延設された各行データ線４３は、ｘ軸方向（行方向）に並設された各画素ＰＩＸのＩＣチップ３０に接続されている。具体的には、行データ線４３からｙ軸正方向に分岐した行データ分岐線４３ａが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｙ軸負方向側端部に接続されている。
　ここで、行データ線４３は、行データ分岐線４３ａ、ＩＣチップ３０、及び駆動線４５を介して、ＬＥＤ素子２１～２３に接続されている。
　図１に示すように、ｙ軸方向に延設された各列データ線４４は、ｙ軸方向（列方向）に並設された各画素ＰＩＸのＩＣチップ３０に接続されている。具体的には、列データ線４４からｘ軸正方向に分岐した列データ分岐線４４ａが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｘ軸負方向側端部に接続されている。
　ここで、列データ線４４は、列データ分岐線４４ａ、ＩＣチップ３０、及び駆動線４５を介して、ＬＥＤ素子２１～２３に接続されている。
　駆動線４５は、各画素ＰＩＸにおいて、ＬＥＤ素子２１～２３とＩＣチップ３０とを接続している。具体的には、各画素ＰＩＸにおいて、３本の駆動線４５がｙ軸方向に延設され、それぞれがＬＥＤ素子２１～２３のｙ軸負方向側端部とＩＣチップ３０のｙ軸正方向側端部とを接続している。
　なお、図１に示した電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、列データ線４４、及びそれらの分岐線、並びに駆動線４５の配置はあくまでも一例であり、適宜変更可能である。例えば、電源線４１及びグランド線４２の少なくとも一方が、ｙ軸方向でなくｘ軸方向に延設されていてもよい。また、電源線４１と列データ線４４とを入れ換えた構成でもよい。
　また、図１に示した構成全体を、上下反転させた構成あるいは左右反転させた構成等でもよい。さらに、図１に示した構成全体を、上下反転させた構成あるいは左右反転させた構成等でもよい。
　さらに、行データ線４３、列データ線４４、及びそれらの分岐線、並びに駆動線４５は必須ではない。
　配線４０は、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属である。このうち、コスト的な観点から、低抵抗率である銅又はアルミニウムを主成分とする金属であることが好ましい。また、配線４０は、反射率を低減することを目的として、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、酸化銅、カーボン等の材料で被覆されていてもよい。また、被覆した材料の表面に凹凸が形成されていてもよい。
　図１に示した表示領域１０１における配線４０の幅は、いずれも例えば１～１００μｍ、好ましくは３～２０μｍである。配線４０の幅が１００μｍ以下であるため、例えば数１０ｃｍ～２ｍ程度の近距離から、フレキシブル透明表示デバイスを観察するような場合でも、配線４０はほとんど視認できず、背面側の視認性に優れている。他方、後述する厚さの範囲の場合、配線４０の幅を１μｍ以上であれば、配線４０の抵抗の過度な上昇を抑制し、電圧降下や信号強度の低下を抑制できる。また、配線４０による熱伝導の低下も抑制できる。
　ここで、図１に示すように、配線４０が主にｘ軸方向及びｙ軸方向に延びている場合、フレキシブル透明表示デバイスの外部から照射された光によってｘ軸方向及びｙ軸方向に延びた十字回折像が発生し、フレキシブル透明表示デバイスの背面側の視認性が低下する場合がある。各配線の幅を狭くして、この回折を抑制すれば、背面側の視認性がさらに向上する。回折を抑制する観点から、配線４０の幅を５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下としてもよい。
　配線４０の電気抵抗率は、例えば１．０×１０－６Ωｍ以下、好ましくは２．０×１０－８Ωｍ以下である。また、配線４０の熱伝導率は、例えば１５０～５５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）、好ましくは３５０～４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
　図１に示した表示領域１０１における隣接する配線４０同士の間隔は、例えば３～１００μｍ、好ましくは５～３０μｍである。配線４０が密になっている領域があると、背面側の視認を妨げる場合がある。隣接する配線４０同士の間隔を３μｍ以上とすれば、そのような視認の妨げを抑制できる。他方、隣接する配線４０同士の間隔を１００μｍ以下とすれば、充分な表示能を確保できる。
　なお、配線４０が湾曲していること等によって配線４０同士の間隔が一定でない場合、上述の隣接する配線４０同士の間隔は、その最小値を指す。
　１画素の面積に対して配線４０が占める面積の割合は、例えば３０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。配線４０の透過率は、例えば２０％以下、あるいは１０％以下と低い。しかしながら、１画素において配線４０が占める面積の割合を３０％以下とすれば、表示領域１０１において透過率の低い領域が狭くなり、背面側の視認性が向上する。
　さらに、１画素の面積に対して発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０が占める面積の合計は、例えば３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下である。
＜フレキシブル透明表示デバイスの断面構成＞
　次に、図２を参照して、フレキシブル透明表示デバイスの断面構成について説明する。
　フレキシブル透明基板１０は、絶縁性を有する透明な基板である。図２の例では、フレキシブル透明基板１０は、主基板１１及び接着剤層１２である２層構造を有している。
　主基板１１は、詳細には後述するように、例えば透明樹脂である。
　接着剤層１２は、例えばエポキシ系、アクリル系、オレフィン系、ポリイミド系、ノボラック系等の透明樹脂接着剤である。
　なお、主基板１１は、厚さが例えば２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下等の薄いガラス板でもよい。また、接着剤層１２は、必須ではない。
　主基板１１を構成する透明樹脂として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のオレフィン系樹脂、セルロース、アセチルセルロース、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のセルロース系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等のイミド系樹脂、ポリアミド（ＰＡ）等のアミド系樹脂、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）等のアミドイミド系樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）等のカーボネート系樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等のスルホン系樹脂、ポリパラキシレン等のパラキシレン系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のビニル系樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等のウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂等を例示できる。
　上記の主基板１１に用いられる材料のうち、耐熱性向上の観点からはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）が好ましい。また、複屈折率が低く、透明基板を通して見た像の歪みや滲みを低減できる点では、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等が好ましい。
　上記材料を単一で用いても、２種以上の材料を混合して用いてもよい。さらに、異なる材料の平板を積層させて主基板１１を構成してもよい。
　フレキシブル透明基板１０全体の厚さは、例えば１～１０００μｍ、好ましくは５～２００μｍである。フレキシブル透明基板１０の可視光の内部透過率は、例えば５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上である。
　また、フレキシブル透明基板１０はフレキシブルであるため、例えばフレキシブル透明表示デバイスを湾曲した透明板に装着したり、湾曲した２枚の透明板の間に挟んで使用したりできる。
　図２に示すように、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０は、フレキシブル透明基板１０すなわち接着剤層１２上に設けられており、フレキシブル透明基板１０上に配置された配線４０と接続されている。図２の例では、配線４０は、主基板１１上に形成された第１メタル層Ｍ１、及び接着剤層１２上に形成された第２メタル層Ｍ２から構成されている。
　配線４０の厚さすなわち第１メタル層Ｍ１の厚さと第２メタル層Ｍ２の厚さとの合計は、例えば０．１～１０μｍ、好ましくは０．５～５μｍである。第１メタル層Ｍ１の厚さは、例えば０．５μｍ程度、第２メタル層Ｍ２の厚さは、例えば３μｍ程度である。
　詳細には、図２に示すように、ｙ軸方向に延設されたグランド線４２は、電流量が多いため、第１メタル層Ｍ１及び第２メタル層Ｍ２を含む２層構造を有している。すなわち、グランド線４２が設けられた部位では、接着剤層１２が除去され、第１メタル層Ｍ１上に第２メタル層Ｍ２が形成されている。図２には示されていないが、図１に示した電源線４１、行データ線４３、及び列データ線４４も、同様に、第１メタル層Ｍ１及び第２メタル層Ｍ２を含む２層構造を有している。
　ここで、図１に示すように、ｙ軸方向に延設された電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４と、ｘ軸方向に延設された行データ線４３とは、交差している。図２には図示されていないが、この交差部では、行データ線４３は第１メタル層Ｍ１のみから構成され、電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４は第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。そして、この交差部では、第１メタル層Ｍ１と第２メタル層Ｍ２との間に接着剤層１２が設けられ、第１メタル層Ｍ１と第２メタル層Ｍ２とが絶縁されている。
　同様に、図１に示した列データ線４４と第１電源分岐線４１ａとの交差部では、第１電源分岐線４１ａが第１メタル層Ｍ１のみから構成され、列データ線４４が第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。
　また、図２の例では、グランド分岐線４２ａ、駆動線４５、及び第１電源分岐線４１ａは第２メタル層Ｍ２のみから構成され、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の端部を覆うように形成されている。図２には示されていないが、第２電源分岐線４１ｂ、行データ分岐線４３ａ、及び列データ分岐線４４ａも、同様に、第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。
　なお、第１電源分岐線４１ａは、上述の通り、列データ線４４との交差部では第１メタル層Ｍ１のみから構成され、それ以外の部位では第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。また、フレキシブル透明基板１０上に形成された配線４０上に、銅、銀、金製等の金属パッドを配置し、その上にＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の少なくとも一方を配置してもよい。
　保護層５０は、発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０を覆って保護するように、フレキシブル透明基板１０上の略全面に形成された透明樹脂である。
　保護層５０の厚さは、例えば３～１０００μｍ、好ましくは５～２００μｍである。
　保護層５０の弾性率は、例えば１０ＧＰａ以下である。弾性率が低い方が、剥離時の衝撃を吸収でき、保護層５０の破損を抑制できる。
　保護層５０の可視光の内部透過率は、例えば５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上である。
　保護層５０を構成する透明樹脂として、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のビニル系樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のオレフィン系樹脂、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等のウレタン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の各種アクリル系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）等、もしくは、それらの共重合体の熱可塑性樹脂を例示できる。
＜フレキシブル透明表示デバイスの製造方法＞
　次に、図３～図１３を参照して、第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例について説明する。図３～図１３は、第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。図３～図１３は、図２に対応した断面図である。
　まず、図３に示すように、ガラス支持基板１上の略全面に剥離層２及び主基板１１を順次形成する。ここで、ガラス支持基板１、剥離層２、及び主基板１１について説明する。
　ガラス支持基板１は、ガラス支持基板１に形成されるフレキシブル透明表示デバイス１００を支持すると共に、搬送するためのガラス基板である。
　剥離層２は、後述するようにフレキシブル透明表示デバイス１００をガラス支持基板１から剥離するために設けられている。剥離層２を形成するための樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂と、剥離用の紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤とを含む。また、当該樹脂組成物は、光重合開始剤をさらに含んでいる。
　ここで、後述する図１３に示す剥離用の紫外線レーザ光ＬＢに対する紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上である。そのため、図１３に示すように、剥離層２に紫外線レーザ光ＬＢが照射されると、紫外線吸収剤が紫外線レーザ光を吸収し、剥離層２の一部又は全体が分解される。その結果、ガラス支持基板１からフレキシブル透明表示デバイス１００が剥離される。
　また、剥離層２が紫外線レーザ光ＬＢを吸収するため、紫外線レーザ光ＬＢがフレキシブル透明基板１０に到達し難い。そのため、紫外線レーザ光ＬＢの照射によるフレキシブル透明基板１０の損傷やその衝撃に伴う電子素子等へのダメージを抑制できる。
　後述するように、剥離用の紫外線レーザ光ＬＢの波長は、例えば３５５ｎｍ（ＹＡＧ高調波）、３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）や２４８ｎｍ（ＫｒＦ）である。
　他方、硬化用の紫外線に対する紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下である。すなわち、剥離層２を形成するための樹脂組成物に含まれる紫外線吸収剤による硬化用の紫外線の吸収が抑制されている。そのため、剥離層２を形成するための樹脂組成物に硬化用の紫外線を照射すると、紫外線硬化樹脂が硬化し、剥離層２が形成される。
　剥離層２が熱硬化性樹脂を含まないため、加熱等によって硬化が進行しない。
　硬化用の紫外線の波長は、例えば３６５ｎｍ、３８５ｎｍ、３９５ｎｍ、４０５ｎｍである。
　なお、硬化用の紫外線に対する光重合開始剤の吸光度は、例えば光路長１μｍ当たり０．３以上である。
　紫外線吸収剤及び光重合開始剤の吸光度は、例えばＪＩＳ　Ｋ０１１５に準拠して測定される。
　剥離層２を形成するための樹脂組成物に含まれる紫外線硬化樹脂は、親水基を有している。そのため、剥離層２は、アルカリ溶液、もしくは、酸溶液による除去性に優れている。親水基は、例えば、カルボキシル基、ヒドロキシ基、リン酸基、ニトロ基、スルホ基、アミノ基、及びアミド基からなる群から選択される少なくとも一種の親水基である。特に、カルボキシル基、ヒドロキシ基、リン酸基、ニトロ基、及び、スルホ基からなる群から選択される少なくとも一種の親水基を有する場合、剥離後にアルカリ溶液によって溶解、除去できる。特に、ヒドロキシ基の比率が高いと、加熱プロセスに対する安定性が高く、フォトリソグラフィー等のプロセスに対する適合性も高く、より好ましい。また、アミノ基、アミド基を有する場合、剥離後に酸溶液によって溶解、除去できる。
　以上に説明したように、剥離層２は、硬化性、剥離性、及び除去性を兼ね備えている。
　剥離層２を形成するための樹脂組成物に含まれる紫外線硬化樹脂は、例えば、光重合反応基としてラジカル重合反応基を有するものであり、例えば、アクリレート系紫外線硬化樹脂又はメタクリレート系紫外線硬化樹脂である。剥離層２を形成するための樹脂組成物に含まれる紫外線硬化樹脂は、例えば、光重合反応基としてアニオン重合反応基又はカチオン重合反応基を有するものでもよく、例えば、グリシジル基やオキセタニル基を含むエポキシ系紫外線硬化樹脂でもよい。
　剥離層２を形成するための樹脂組成物に含まれる紫外線硬化樹脂における光重合反応基の含有量は、例えば２００～４００ｇ／ｍｏｌである。光重合反応基の含有量が２００ｇ／ｍｏｌ以上であれば、剥離層２がアセトン、イソプロピルアルコール、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ：N-methylpyrrolidone）等の有機溶剤に溶解せず、剥離層２の耐溶剤性が向上する。有機溶剤は、例えば、ガラス支持基板１上にフレキシブル透明電子デバイス１００を形成する工程において使用される。
　他方、光重合反応基の含有量が４００ｇ／ｍｏｌ以下であれば、剥離層２がアルカリ溶液に溶解し、剥離層２の除去性が向上する。
　実施例において後述するように、樹脂組成物に含まれる紫外線硬化樹脂における光重合反応基の含有量は、光重合反応基を有する樹脂と光重合反応基を有さない樹脂との混合比を変化させれば、調整できる。
　他方、樹脂組成物に含まれる紫外線硬化樹脂における光重合反応基の含有量は、例えばプロトン核磁気共鳴を用いた定量分析を用いて測定される。
　樹脂組成物を硬化させた剥離層２の網目鎖濃度は、例えば、１００００００ｍｏｌ／ｍ３以下である。網目鎖濃度が１００００００ｍｏｌ／ｍ３以下であれば、剥離層２がアルカリ溶液に溶解し、剥離層２の除去性が向上する。剥離層２の網目鎖濃度が、５０００００ｍｏｌ／ｍ３以下であれば、剥離層２の除去性がさらに向上する。
　網目鎖濃度の測定方法の詳細は、実施例において説明する。
　剥離層２の厚さは、例えば１～２０μｍ、好ましくは２～１０μｍである。
　また、剥離層２の表面粗さＲａは、例えば０．５μｍ以下、好ましくは０．０１μｍ以下である。剥離層２の表面粗さＲａは、剥離層２上に形成される主基板１１の表面粗さに影響する。そして、剥離層２の表面粗さＲａが小さい程、主基板１１に形成される第１メタル層Ｍ１を精度良くパターニングできる（図４参照）。
　剥離層２の表面粗さＲａは、例えばＪＩＳ　Ｂ０６０１に準拠して測定される。
　紫外線吸収剤の添加量は、樹脂組成物における紫外線硬化樹脂と溶媒との合計を１００質量部として、例えば１～７０質量部である。好ましくは２～５０質量部である。
　光重合開始剤の添加量は、樹脂組成物における紫外線硬化樹脂と溶媒との合計を１００質量部として、例えば０．１～２０質量部である。好ましくは０．５～５質量部である。
　剥離層２は、好ましくは、例えばフレキシブル透明基板１０（特に主基板１１）よりも紫外線レーザ光ＬＢの透過率が小さい。なお、剥離層２は、除去されるため、透明である必要はない。
　剥離層２に含まれる紫外線吸収剤として、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、トリアジン系、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の有機系紫外線吸収剤、酸化チタン、酸化亜鉛等の無機系紫外線吸収剤を例示できる。
　紫外線吸収剤は、液体状でも粒子状（粉末状）でもよい。剥離層２が粉末状の紫外線吸収剤を含む方が、剥離性が向上する。また、紫外線吸収剤が液体状であっても、重合官能基を備えた有機樹脂であり、剥離層２を形成時に硬化することで固体となる材料であれば、粉末状の紫外線吸収剤の場合と同様に剥離性が向上する。ここで、レーザリフトオフ時のレーザ照射部からの伝熱によって、レーザ照射部周辺の剥離層２の温度も上昇する。また、レーザリフトオフは、剥離による帯電を防止するため、一定の湿度環境下にて行われるが、結露を防止するためにガラス支持基板１（及び剥離層２）を冷却できない。このような観点から、粒子状の紫外線吸収剤の軟化点もしくはガラス転移点は、５０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましい。
　粒子状の紫外線吸収剤の平均粒径（Ｄ５０）は、一般的には１０μｍ以下が好ましいが、さらに具体的には剥離層２の膜厚と比較して直径が小さいことが好ましい。また、剥離層２に分散された状態での紫外線吸収剤の平均粒径（Ｄ５０）は、照射する紫外線の波長よりも小さいサイズであることがより好ましい。
　主基板１１は、例えば主基板１１を形成するための樹脂組成物を剥離層２上にコーティングし、硬化させることよって形成される。
　なお、フィルム状の主基板１１を剥離層２上に貼り付けてもよい。
　主基板１１を形成するための樹脂組成物は、例えば分子量１００未満の有機化合物（例えば希釈溶媒）を４０質量％未満含有する。主基板１１を形成するための樹脂組成物における分子量１００未満の有機化合物の含有量が４０質量％未満であれば、当該樹脂組成物の剥離層２への浸透が抑制される。
　樹脂組成物における分子量１００未満の有機化合物の含有量は、例えばガスクロマトグラフ質量分析装置（ＧＣ－ＭＳ：Gas Chromatography-Mass Spectrometry）を用いて測定される。
　また、発明者らは、主基板１１を形成するための樹脂組成物の剥離層２への浸透性を評価する指標として、当該樹脂組成物に含まれる分子量１００未満の各有機化合物（例えば希釈溶媒）の溶解パラメータ（ＳＰ値）の質量加重平均値（以下、「質量加重平均ＳＰ値」と呼ぶ）を用いた。主基板１１を形成するための樹脂組成物に含まれる分子量１００未満の有機化合物の質量加重平均ＳＰ値が例えば１１以上であれば、当該樹脂組成物の剥離層２への浸透が抑制される。
　ここで、各有機化合物のＳＰ値としては、１９６７年に報告されたHansenによる算出値や１９７４年に報告されたFedorsによる算出値が知られている。ＳＰ値の単位は慣用的に用いられている［（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２］である。
　樹脂組成物における分子量１００未満の有機化合物の質量加重平均ＳＰ値は、分子量１００未満の各有機化合物のＳＰ値及び含有量から算出される。例えば、樹脂組成物が含有する分子量１００未満の有機化合物が、希釈溶媒Ａ、Ｂ、Ｃであり、それぞれのＳＰ値をＳＰａ、ＳＰｂ、ＳＰｃ、それぞれの含有量をＭａ、Ｍｂ、Ｍｃとする。その場合、質量加重平均ＳＰ値ＳＰ＊は、以下の式で表される。
　ＳＰ＊＝（ＳＰａ×Ｍａ＋ＳＰｂ×Ｍｂ＋ＳＰｃ×Ｍｃ）／（Ｍａ＋Ｍｂ＋Ｍｃ）
　ここで、主基板１１を形成するため樹脂組成物が剥離層２に浸透すると、主基板１１の性能や厚さに悪影響を及ぼすと共に、剥離層２の剥離性及び除去性も低下する。換言すると、当該樹脂組成物の剥離層２への浸透を抑制できれば、主基板１１において所望の性能や厚さが得られると共に、剥離層２において剥離性及び除去性の低下が抑制される。
　次に、図４に示すように、主基板１１上の略全面に第１メタル層Ｍ１を成膜した後、第１メタル層Ｍ１をフォトリソグラフィーによってパターニングし、下層配線を形成する。具体的には、図１に示した電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、及び列データ線４４等が形成される位置に、第１メタル層Ｍ１によって下層配線を形成する。
　なお、電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４おける行データ線４３との交差部には下層配線を形成しない。
　次に、図５に示すように、主基板１１上の略全面に接着剤層１２を成膜した後、タック性を有する接着剤層１２上にＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０を実装する。
　次に、図６に示すように、主基板１１及び接着剤層１２を含むフレキシブル透明基板１０上の略全面にフォトレジストＦＲ１を成膜した後、第１メタル層Ｍ１上のフォトレジストＦＲ１をパターニングによって除去する。ここで、図１に示した行データ線４３における電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４との交差部のフォトレジストＦＲ１は除去されない。
　次に、図７に示すように、フォトレジストＦＲ１が除去された部位の接着剤層１２をドライエッチングによって除去し、第１メタル層Ｍ１すなわち下層配線を露出させる。
　次に、図８に示すように、フレキシブル透明基板１０上のフォトレジストＦＲ１を全て除去する。その後、フレキシブル透明基板１０上の略全面に図示しないめっき用シード層を形成する。
　次に、図９に示すように、フレキシブル透明基板１０上の略全面にフォトレジストＦＲ２を成膜した後、上層配線を形成する部位のフォトレジストＦＲ２をパターニングによって除去し、シード層を露出させる。
　次に、図１０に示すように、フォトレジストＦＲ２が除去された部位すなわちシード層上に、めっきによって第２メタル層Ｍ２を形成する。これによって、第２メタル層Ｍ２によって上層配線が形成される。
　次に、図１１に示すように、フォトレジストＦＲ２を除去する。さらに、フォトレジストＦＲ２の除去によって露出したシード層を、エッチングによって除去する。
　次に、図１２に示すように、フレキシブル透明基板１０上の略全面に保護層５０を形成する。これによって、ガラス支持基板１上に剥離層２を介してフレキシブル透明表示デバイス１００が形成される。図１２は、本実施形態に係る物品を示している。図１２に示すように、本実施形態に係る物品では、ガラス支持基板１とフレキシブル透明表示デバイス１００との間に、剥離層２が形成されている。
　最後に、図１３に示すように、ガラス支持基板１の図面下側からエキシマレーザ等の紫外線レーザ光ＬＢを照射し、ガラス支持基板１上に形成されたフレキシブル透明表示デバイス１００を、ガラス支持基板１から剥離する。ガラス支持基板１を透過した紫外線レーザ光ＬＢによって剥離層２が分解され、フレキシブル透明表示デバイス１００をガラス支持基板１から剥離できる。
　例えば、紫外線レーザ光ＬＢのラインビームを走査させることによって、ガラス支持基板１全体に紫外線レーザ光ＬＢを照射できる。紫外線レーザ光ＬＢの波長は、例えば４００ｎｍ以下である。紫外線レーザ光ＬＢとして、例えば波長３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）や波長２４８ｎｍ（ＫｒＦ）等のエキシマレーザ光が用いられる。
　剥離後にフレキシブル透明表示デバイス１００（具体的には、フレキシブル透明基板１０）に残留した剥離層２は、例えばアルカリ溶液によって除去される。
　以上の工程によって、フレキシブル透明表示デバイス１００を製造できる。
　本実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法では、剥離する前のガラス支持基板１とフレキシブル透明基板１０との間に、紫外線レーザ光ＬＢを吸収する剥離層２が形成されている。紫外線レーザ光ＬＢを照射した際に、フレキシブル透明基板１０ではなく剥離層２が分解し、ガラス支持基板１からフレキシブル透明表示デバイス１００が剥離される。また、剥離層２が紫外線レーザ光ＬＢを吸収するため、紫外線レーザ光ＬＢがフレキシブル透明基板１０に到達し難い。そのため、レーザ光の照射によるフレキシブル透明基板１０の損傷やその衝撃に伴う電子素子等へのダメージを抑制できる。
　また、本実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造方法では、剥離層２すなわち剥離層２を形成するための樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂と紫外線吸収剤とを含む。ここで、剥離用の紫外線レーザ光ＬＢに対する紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であるため、剥離層２は剥離性に優れる。
　他方、硬化用の紫外線に対する紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下であるため、紫外線吸収剤による硬化用の紫外線の吸収が抑制され、剥離層２は硬化性にも優れる。
　さらに、紫外線硬化樹脂が親水基を有しているため、剥離層２は、アルカリ溶液による除去性に優れている。
　このように、本実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの製造に用いる剥離層２は、硬化性、剥離性、及び除去性を兼ね備えている。
（第２の実施形態）
＜フレキシブル透明表示デバイスを備える合わせガラスの構成＞
　次に、図１４、図１５を参照して、第２の実施形態に係る合わせガラスの構成について説明する。図１４は、第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な平面図である。図１５は、第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な断面図である。図１４、図１５に示された合わせガラス２００は、自動車のウインドウガラスのうちフロントガラスに用いられるが、特に限定されない。
　まず、図１４を参照して、合わせガラス２００の平面構成について説明する。
　図１４に示すように、合わせガラス２００の周縁全体に例えば黒色の遮蔽部２０１が設けられている。遮蔽部２０１は、日光を遮蔽し、合わせガラス２００を自動車に組み付けるための接着剤を紫外線から保護する。また、遮蔽部２０１によって、当該接着剤が外部から視認できなくなる。
　図１４に示すように、フレキシブル透明表示デバイス１００は、図１に示した表示領域１０１に加え、表示領域の周囲に設けられた非表示領域１０２を備えている。ここで、表示領域１０１は、第１の実施形態において説明した通り、多数の画素から構成され、画像が表示される領域であるため、詳細な説明を省略する。
　なお、図１４は平面図だが、理解を容易にするため、非表示領域１０２及び遮蔽部２０１がドット表示されている。
　非表示領域１０２は、画素を備えておらず、画像が表示されない領域である。非表示領域１０２には、図１に示した電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、及び列データ線４４に接続された太幅の配線が密集して設けられている。非表示領域１０２における配線の幅は、例えば１００～１００００μｍ、好ましくは１００～５０００μｍである。配線同士の間隔は、例えば３～５０００μｍ、好ましくは５０～１５００μｍである。
　そのため、表示領域１０１が透明なのに対し、非表示領域１０２は不透明であって、車内から視認できてしまう。ここで、非表示領域１０２が視認できると、合わせガラス２００の意匠性が低下する。そこで、第２の実施形態に係る合わせガラス２００では、フレキシブル透明表示デバイス１００の非表示領域１０２の少なくとも一部が、遮蔽部２０１に設けられている。遮蔽部２０１に設けられた非表示領域１０２は、遮蔽部２０１に隠れ、視認できない。そのため、非表示領域１０２の全体を視認できる場合よりも、合わせガラス２００の意匠性が向上する。
　次に、図１５を参照して、合わせガラス２００の断面構成について説明する。図１５は、フレキシブル透明表示デバイス１００の表示領域１０１における断面図である。
　図１５に示すように、第２の実施形態に係る合わせガラス２００は、中間膜を介して一対のガラス板２２０ａ、２２０ｂを貼り合わせたものである。そして、合わせガラス２００は、この一対のガラス板２２０ａ、２２０ｂの間に、中間膜２１０ａ、２１０ｂを介して第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイス１００を備えている。中間膜２１０ａ、２１０ｂは、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）から構成されている。
　ここで、図１６は、第２の実施形態に係る合わせガラスの他の一例を示す模式的な断面図である。図１６に示した合わせガラス２００では、フレキシブル透明表示デバイス１００における保護層５０が、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）から構成され、中間膜としての機能も有している。そのため、図１６に示した合わせガラス２００では、図１５において保護層５０上に形成された中間膜２１０ａを省略できる。
（第３の実施形態）
＜フレキシブル透明表示デバイスの構成＞
　次に、図１７を参照して、第３の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの構成について説明する。図１７は、第３の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。図１７に示すように、本実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスは、図１に示した第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスの構成に加え、表示領域１０１にセンサ７０を備えている。
　図１７に示した例では、センサ７０は所定の画素ＰＩＸ間に設けられており、電源線４１及びグランド線４２に接続されている。また、センサ７０からｙ軸方向に延びたデータ出力線４６を介して、センサ７０による検出データが出力される。他方、センサ７０までｙ軸方向に延びた制御信号線４７を介して、制御信号がセンサ７０に入力され、センサ７０が制御される。センサ７０は、単数でも複数でもよい。複数のセンサ７０が所定の間隔で、例えばｘ軸方向もしくはｙ軸方向に配置されていてもよい。
　以下の説明では、本実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスが自動車のウインドウガラスのうちフロントガラスに搭載されている場合について説明する。すなわち、本実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスは、第２の実施形態に係る合わせガラスにも適用できる。
　センサ７０は、例えば、車内及び車外の照度を検知するための照度センサ（例えば受光素子）である。例えば、センサ７０が検知した照度に応じて、ＬＥＤ素子２１～２３による表示領域１０１の輝度を制御する。例えば、車内の照度に対して車外の照度が大きい程、ＬＥＤ素子２１～２３による表示領域１０１の輝度も大きくする。このような構成によって、フレキシブル透明表示デバイスの視認性がより向上する。
　また、センサ７０は、観察者（例えば運転者）の視線を感知するための赤外線センサ（例えば受光素子）やイメージセンサ（例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）イメージセンサ）であってもよい。例えば、センサ７０が視線を感知した場合のみ、フレキシブル透明表示デバイスを駆動する。例えば、フレキシブル透明表示デバイスを図１４に示した合わせガラスに用いた場合、観察者がフレキシブル透明表示デバイスに視線を向けない限り、フレキシブル透明表示デバイスが観察者の視界を遮らなくなるため、好ましい。あるいは、イメージセンサであるセンサ７０によって、観察者の動作を検出し、当該動作に基づいて、例えばフレキシブル透明表示デバイスをオン・オフしたり、表示画面を切り換えたりしてもよい。
　その他の構成は第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスと同様である。
（第４の実施形態）
＜フレキシブル透明センシングデバイスの構成＞
　次に、図１８を参照して、第４の実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスの構成について説明する。図１８は、第４の実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。図１８に示したフレキシブル透明センシングデバイスは、図１に示したフレキシブル透明表示デバイスの構成において、各画素ＰＩＸに発光部２０及びＩＣチップ３０に代えてセンサ７０を備えた構成を有するフレキシブル透明電子デバイスである。すなわち、図１８に示したフレキシブル透明センシングデバイスは、発光部２０を備えず、表示機能を有していない。
　センサ７０は特に限定されないが、図１８に示したフレキシブル透明センシングデバイスでは、ＣＭＯＳイメージセンサである。すなわち、図１８に示したフレキシブル透明センシングデバイスは、行方向（ｘ軸方向）及び列方向（ｙ軸方向）に並んだ複数の画素ＰＩＸから構成された撮像領域３０１を備え、撮像機能を有している。図１８には、撮像領域３０１の一部が示されており、行方向及び列方向に２画素ずつ計４画素が示されている。ここで、１つの画素ＰＩＸが一点鎖線によって囲んで示されている。また、図１８では、図１と同様に、フレキシブル透明基板１０及び保護層５０が省略されている。また、図１８は平面図だが、理解を容易にするため、センサ７０がドット表示されている。
　図１８に示した例では、センサ７０は各画素ＰＩＸに１つずつ設けられており、ｙ軸方向に延びた電源線４１及びグランド線４２の間に配置され、両者に接続されている。また、センサ７０からｙ軸方向に延びたデータ出力線４６を介して、センサ７０による検出データが出力される。他方、センサ７０までｙ軸方向に延びた制御信号線４７を介して、制御信号がセンサ７０に入力され、センサ７０が制御される。制御信号は例えば、同期信号やリセット信号等である。
　なお、電源線４１が、図示しない電池に接続されていてもよい。
　ここで、図１９は、センサ７０の模式断面図である。図１９に示したセンサ７０は、裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサである。なお、イメージセンサとしてのセンサ７０も特に限定されず、表面照射型ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサでもよい。
　図１９に示すように、各センサ７０は、配線層、半導体基板、カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３、マイクロレンズＭＬ１～ＭＬ３を備えている。ここで、配線層の内部には内部配線ＩＷが形成されている。また、半導体基板の内部にはフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３が形成されている。
　配線層上に半導体基板（例えばシリコン基板）が形成されている。配線層の内部に形成された内部配線ＩＷは、配線４０（電源線４１、グランド線４２、データ出力線４６、及び制御信号線４７）とフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３とを接続している。フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３に光が照射されると、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３から電流が出力される。フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３から出力された電流は、それぞれ図示しないアンプ回路によって増幅され、内部配線ＩＷ及びデータ出力線４６を介して出力される。
　カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３は、半導体基板の内部に形成されたフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３上にそれぞれ形成されている。カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３は、例えばそれぞれ赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタである。
　マイクロレンズＭＬ１～ＭＬ３は、カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３上にそれぞれ載置されている。凸レンズであるマイクロレンズＭＬ１～ＭＬ３によって集光された光が、それぞれカラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３を介して、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３に入射する。
　本実施形態に係るセンサ７０は、例えばフレキシブル透明基板１０上における面積が２５００００μｍ２以下の微小サイズを有するマイクロセンサである。換言すると、本明細書において、マイクロセンサとは、平面視での面積が２５００００μｍ２以下の微小サイズを有するセンサである。センサ７０の面積は、例えば、好ましくは２５０００μｍ２以下、より好ましくは２５００μｍ２以下である。なお、センサ７０が面積の下限は、製造上の諸条件等から例えば１０μｍ２以上である。
　なお、図１８に示したセンサ７０の形状は、矩形状であるが、特に限定されない。
　本実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスは、第２の実施形態に係る合わせガラスにも適用できる。本実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスが車両（例えば自動車）のウインドウガラスのうちフロントガラスに搭載されている場合、センサ７０によって、例えば、車内及び車外の少なくともいずれかの画像を取得できる。すなわち、本実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスは、ドライブレコーダとしての機能を有する。
　なお、第４の実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスにおけるセンサ７０は、単数でもよい。また、第４の実施形態に係るフレキシブル透明センシングデバイスにおけるセンサ７０も、イメージセンサに限らず、第３の実施形態において例示した照度センサ、赤外線センサ等でもよい。さらに、センサ７０は、レーダセンサ、Ｌｉｄａｒセンサ等でもよい。これらのセンサ７０を用いたフレキシブル透明センシングデバイスが搭載された車両用ウインドウガラスによって、例えば車内や車外をモニタリングできる。
　すなわち、第４の実施形態に係るセンサ７０は、フレキシブル透明基板１０上における面積が２５００００μｍ２以下の微小サイズを有するマイクロセンサであれば、特に限定されない。例えば、センサ７０は、温度センサ、紫外線センサ、電波センサ、圧力センサ、音センサ、速度／加速度センサ等であってもよい。
　その他の構成は第１の実施形態に係るフレキシブル透明表示デバイスと同様である。
　以下に、本発明に係る例を示すが、本発明は、以下の例に限定して解釈されるものではない。例１～６、１０、１１が、本発明の実施例である。例７～９は、比較例である。
　表１に、例１～９に係る剥離層２の樹脂種、レーザ光に対する紫外線吸収剤の光路長１μｍ当たりの吸光度、親水基の有無、光重合反応基の含有量（ｇ／ｍｏｌ）、網目鎖濃度（ｍｏｌ／ｍ３）、及び評価結果（剥離性及び除去性）をまとめて示す。
＜例１＞
［剥離層２の形成］
　まず、ガラス支持基板１上に、剥離層用の樹脂組成物をスピンコータによってコーティングし、塗膜を形成した。ガラス支持基板１として、厚さ０．７ｍｍのＡＧＣ社製のガラス基板ＡＮ１００を使用した。
　剥離層用の樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂、レベリング剤、紫外線吸収剤、光重合開始剤、及び希釈溶媒を含有する。
　当該樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂として大成ファインケミカル社製アクリル樹脂８ＫＱ－２００１を３０質量％及び同社製アクリル樹脂７ＫＱ－７０４１を２０質量％含有する。ここで、アクリル樹脂８ＫＱ－２００１及び７ＫＱ－７０４１は、いずれも親水基であるカルボキシル基を有す。他方、アクリル樹脂８ＫＱ－２００１は５００ｇ／ｍｏｌのラジカル重合反応基を有すが、アクリル樹脂７ＫＱ－７０４１はラジカル重合反応基を有さない。そのため、例１に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線硬化樹脂における光重合反応基すなわちラジカル重合反応基の含有量が、３００ｇ／ｍｏｌである。
　当該樹脂組成物は、希釈溶剤として関東化学社製プロピレングリコールモノメチルエーテルを５０質量％含有する。
　当該樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂と有機溶媒との合計を１００質量部として、レベリング剤としてＢＹＫ社製ＢＹＫ－ＵＶ３５３５を０．３質量部、紫外線吸収剤としてＢＡＳＦ社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４００を６質量部、Ｔｉｎｕｖｉｎ４７９を３質量部、光重合開始剤としてＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製Ｏｍｎｉｒａｄ９０７を３質量部含有する。紫外線吸収剤のＴｉｎｕｖｉｎ４００は液状、Ｔｉｎｕｖｉｎ４７９は平均粒径（Ｄ５０）が０．５μｍの粒子状である。
　紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり１であった。
　大気下において、この塗膜を１２０℃で５分間加熱して希釈溶媒を揮発させた後、波長３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２の積算光量で照射し、アクリル樹脂を硬化させた。さらに、この塗膜を２００℃で３０分間加熱し、ガラス支持基板１上にアクリル樹脂の剥離層２を形成した。
　剥離層２の網目鎖濃度は、４１５０００ｍｏｌ／ｍ３であった。
　網目鎖濃度は、以下に示す修正Flory-Rehner式を用いて算出した。網目鎖濃度は、後述する除去性の評価を行うことによって得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　ここで、νは網目鎖濃度（ｍｏｌ／ｍ３）、ｇは膨潤前の剥離層２における樹脂の体積分率、Ｖは膨潤溶液の分子容（分子量／密度）（ｍ３／ｍｏｌ）、μは剥離層２と膨潤溶液との相互作用定数、ＶＲは膨潤後の剥離層２における樹脂の体積分率を示す。膨潤溶液は剥離層２を除去するためのアルカリ溶液である。
　ここで、膨潤前の剥離層２は中実構造であるため、膨潤前の剥離層２における樹脂の体積分率ｇを１とした。
　膨潤溶液（アルカリ溶液）の分子容Ｖについては、水と同等とみなし、１８×１０－６とした。
　剥離層２と膨潤溶液との相互作用定数μは、０．４で固定値とした。
　膨潤後の剥離層２における樹脂の体積分率ＶＲは、膨潤溶液（アルカリ溶液）及び樹脂の比重をいずれも１として、（膨潤前の剥離層２の質量）／（膨潤後の剥離層２の質量）とした。膨潤後の剥離層２の質量は、後述する除去性の評価後に乾燥させた剥離層２の質量とした。
［フレキシブル透明基板１０の形成］
　次に、剥離層２上に、フレキシブル透明基板用の樹脂組成物をスピンコータによってコーティングし、塗膜を形成した。当該樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂、レベリング剤、光重合開始剤、及び希釈溶媒を含有する。
　当該樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂として新中村化学工業社製アクリル樹脂Ａ－ＤＣＰを４９質量％及び同社製アクリル樹脂Ａ－ＤＰＨを２１質量％含有する。また、当該樹脂組成物は、希釈溶剤として関東化学社製メタノール（分子量３２）を１５質量％及び同社製プロピレングリコールモノメチルエーテル（分子量９０）を１５質量％含有する。すなわち、例１に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物における希釈溶媒（分子量１００未満の有機化合物）の含有量は３０質量％である。
　ここで、メタノールのＳＰ値は１４．３（Hansenによる算出値）であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルのＳＰ値は１０．４（Fedorsによる算出値）である。そのため、例１に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物における希釈溶媒（分子量１００未満の有機化合物）の質量加重平均ＳＰ値は（１４．３×０．１５＋１０．４×０．１５）／（０．１５＋０．１５）＝１２であった。
　当該樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂と有機溶媒との合計を１００質量部として、レベリング剤としてＢＹＫ社製ＢＹＫ－３６１Ｎを０．１質量部、光重合開始剤としてＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製Ｏｍｎｉｒａｄ１８４を５質量部含有する。
　大気下において、この塗膜を１２０℃で５分間加熱して希釈溶媒を揮発させた後、波長３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射エネルギー密度で照射し、アクリル樹脂を硬化させた。さらに、この塗膜を１４０℃で１０分間加熱し、剥離層２上にアクリル樹脂のフレキシブル透明基板１０を形成した。
＜例２＞
　剥離層用の樹脂組成物に添加する紫外線吸収剤の添加量を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、紫外線吸収剤であるＢＡＳＦ社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４００の添加量を６質量部から４質量部に変更し、同社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４７９の添加量を３質量部から２質量部に変更した。
　これに伴い、表１に示すように、例２に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり０．７に低下した。
＜例３＞
　剥離層用の樹脂組成物におけるアクリル樹脂の配合比を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、大成ファインケミカル社製の２種類のアクリル樹脂８ＫＱ－２００１／７ＫＱ－７０４１の配合量を３０質量％／２０質量％から４０質量％／１０質量％に変更した。
　これに伴い、表１に示すように、例３に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線硬化樹脂における光重合反応基すなわちラジカル重合反応基の含有量が４００ｇ／ｍｏｌに増加した。また、例３に係る剥離層２の網目鎖濃度は、４４００００ｍｏｌ／ｍ３に上昇した。
＜例４＞
　剥離層用の樹脂組成物におけるアクリル樹脂の配合比を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、大成ファインケミカル社製の２種類のアクリル樹脂８ＫＱ－２００１／７ＫＱ－７０４１の配合量を３０質量％／２０質量％から２０質量％／３０質量％に変更した。
　これに伴い、表１に示すように、例４に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線硬化樹脂における光重合反応基すなわちラジカル重合反応基の含有量が２００ｇ／ｍｏｌに減少した。また、例４に係る剥離層２の網目鎖濃度は、３９００００ｍｏｌ／ｍ３に低下した。
＜例５＞
　剥離層用の樹脂組成物におけるアクリル樹脂の種類を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、例１における大成ファインケミカル社製アクリル樹脂７ＫＱ－７０４１の全量を新中村化学工業社製アクリル樹脂Ａ－ＤＰＨに置換した。
　これに伴い、表１に示すように、例５に係る剥離層２の網目鎖濃度は、９０００００ｍｏｌ／ｍ３に上昇した。
＜例６＞
　剥離層用の樹脂組成物に添加する紫外線吸収剤の添加量を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、紫外線吸収剤であるＢＡＳＦ社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４００の添加量を６質量部から９質量部に変更し、同社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４７９の添加量を３質量部から０質量部に変更した。すなわち、液状の紫外線吸収剤であるＴｉｎｕｖｉｎ４００のみを添加した。
　これに伴い、表１に示すように、例６に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり０．９に低下した。
＜例７＞
　剥離層用の樹脂組成物における紫外線硬化樹脂であるアクリル樹脂から熱硬化性樹脂であるノボラック樹脂を変更した。具体的には、例１における合計５０質量％のアクリル樹脂の全量を旭有機材工業社製ノボラック樹脂ＴＲ４０２０Ｇに置換した。この剥離層用の樹脂組成物は、光重合開始剤は含有しない。
　大気下において、塗膜を１７０℃で５分間加熱し、ノボラック樹脂を硬化させ、ガラス支持基板１上にノボラック樹脂の剥離層２を形成した。
　それ以外は、例１と同様とした。
＜例８＞
　剥離層用の樹脂組成物に添加する紫外線吸収剤の添加量を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、紫外線吸収剤であるＢＡＳＦ社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４００の添加量を６質量部から２質量部に変更し、同社製Ｔｉｎｕｖｉｎ４７９の添加量を３質量部から１質量部に変更した。
　これに伴い、表１に示すように、例８に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり０．４に低下した。
＜例９＞
　剥離層用の樹脂組成物におけるアクリル樹脂の種類及び配合比を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、例９に係る剥離層用の樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂として新中村化学工業社製アクリル樹脂Ａ－ＤＣＰを３５質量％及び同社製アクリル樹脂Ａ－ＤＰＨを１５質量％含有する。新中村化学工業社製アクリル樹脂Ａ－ＤＣＰ及びアクリル樹脂Ａ－ＤＰＨは、いずれも親水基を有さない。
［剥離性の評価］
　例１～１１で得られた剥離層２について、ＬＬＯ法を用いてガラス支持基板１から剥離できるか否かを評価した。ライテック社製のエキシマレーザニールデバイスを用い、レーザ光源には発振波長３０８ｎｍのＸｅＣｌを用いた。紫外線レーザ光ＬＢの照射エネルギー密度は、７５０ｍＪ／ｃｍ２とした。
　表１において、○印は剥離層２が抵抗無く剥離したことを示す。△印は剥離層２が抵抗が有りながらも剥離したことを示す。×印は剥離しなかったことを示す。
［除去性の評価］
　例１～１１において、ガラス支持基板１から剥離した後にフレキシブル透明基板１０に付着し、残留した剥離層２のアルカリ溶液による除去性について評価した。剥離層２が残留したフレキシブル透明基板１０を２０℃の５質量％水酸化カリウム水溶液に３０分間浸漬させた後、剥離層２がフレキシブル透明基板１０から除去されたか否かを目視で判定した。
　表１において、○印は剥離層２を除去できたことを示す。△印は浸漬時間を延長すれば、剥離層２を除去できたことを示す。×印は浸漬時間を延長しても、剥離層２を除去できなかったことを示す。
　表１を参照して、例１～９に係る剥離層の評価結果について説明する。
　例１に係る剥離層は、剥離性及び除去性はいずれも良好であった。
　例２に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり０．７に低下した。そのため、例２に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、剥離性が低下した。
　例３に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線硬化樹脂における光重合反応基すなわちラジカル重合反応基の含有量が４００ｇ／ｍｏｌに増加した。そのため、例３に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、除去性が低下した。
　例４に係る剥離層は、剥離性及び除去性はいずれも良好であった。他方、例４に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線硬化樹脂における光重合反応基すなわちラジカル重合反応基の含有量が２００ｇ／ｍｏｌに減少した。そのため、例４に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、耐溶剤性が低下し、剥離前の段階において白変が確認された。
　例５に係る剥離層では、網目鎖濃度が９０００００ｍｏｌ／ｍ３に上昇した。そのため、例５に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、除去性が低下した。
　例６に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり０．９に低下した。そのため、例６に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、剥離性が低下した。
　例７に係る剥離層用の樹脂組成物はノボラック樹脂であるため、アルカリ溶液に長時間浸漬させても、剥離層を除去できなかった。
　例８に係る剥離層用の樹脂組成物では、紫外線レーザ光に対する紫外線吸収剤の吸光度は、光路長１μｍ当たり０．４に低下した。そのため、例８に係る剥離層は、紫外線レーザ光を照射しても剥離できなかった。
　例９に係る剥離層用の樹脂組成物は親水基であるカルボキシル基を有さないため、アルカリ溶液に長時間浸漬させても、剥離層を除去できなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　以下に示す例１０及び例１１においては、剥離層用の樹脂組成物ではなく、フレキシブル透明基板用の樹脂組成物を変化させた。
＜例１０＞
　フレキシブル透明基板用の樹脂組成物におけるアクリル樹脂と希釈溶媒との比率を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、例１０に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物は、紫外線硬化樹脂として新中村化学工業社製アクリル樹脂Ａ－ＤＣＰを４３質量％及び同社製アクリル樹脂Ａ－ＤＰＨを１９質量％含有する。また、当該樹脂組成物は、希釈溶剤として関東化学社製メタノールを１９質量％及び同社製プロピレングリコールモノメチルエーテルを１９質量％含有する。すなわち、例１０に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物における希釈溶媒（分子量１００未満の有機化合物）の含有量は３８質量％である。
　それに伴い、例１０に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物は、例１に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物に比べ、剥離層に浸透し易くなる。そのため、例１０に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、剥離性及び除去性が低下した。なお、例１０に係る剥離層用の樹脂組成物は、例１に係る剥離層用の樹脂組成物と同じである。このように、剥離層上に形成するフレキシブル透明基板用の樹脂組成物を変更すると、剥離層の剥離性及び除去性が変化する。
　なお、例１０に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物における希釈溶媒（分子量１００未満の有機化合物）の質量加重平均ＳＰ値は例１と同様である。
＜例１１＞
　フレキシブル透明基板用の樹脂組成物における希釈溶媒の比率を変更した以外は、例１と同様とした。具体的には、例１における希釈溶媒である関東化学社製メタノールの全量を関東化学社製１－ブタノール（分子量７４）に置換した。ここで、１－ブタノールのＳＰ値は１１．３（Hansenによる算出値）である。
　それに伴い、例１１に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物における希釈溶媒（分子量１００未満の有機化合物）の質量加重平均ＳＰ値が（１１．３×０．１５＋１０．４×０．１５）／（０．１５＋０．１５）＝１１に変化した。
　それに伴い、例１１に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物も、例１に係るフレキシブル透明基板用の樹脂組成物に比べ、剥離層に浸透し易くなる。そのため、例１１に係る剥離層は、例１に係る剥離層に比べ、剥離性及び除去性が低下した。なお、例１１に係る剥離層用の樹脂組成物も、例１に係る剥離層用の樹脂組成物と同じである。
　なお、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更できる。
　この出願は、２０２２年６月１４日に出願された日本出願特願２０２２－０９５９２７を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１　ガラス支持基板
２　剥離層
１０　フレキシブル透明基板
１１　主基板
１２　接着剤層
２０　発光部
２１～２３　ＬＥＤ素子
３０　ＩＣチップ
４０　配線
４１　電源線
４１ａ　第１電源分岐線
４１ｂ　第２電源分岐線
４２　グランド線
４２ａ　グランド分岐線
４３　行データ線
４３ａ　行データ分岐線
４４　列データ線
４４ａ　列データ分岐線
４５　駆動線
４６　データ出力線
４７　制御信号線
５０　保護層
７０　センサ
１００　フレキシブル透明表示デバイス
１０１　表示領域
１０２　非表示領域
２００　合わせガラス（ウインドウガラス）
２０１　遮蔽部
２１０ａ、２１０ｂ　中間膜
２２０ａ、２２０ｂ　ガラス板
３０１　撮像領域
ＣＦ１～ＣＦ３　カラーフィルタ
ＦＲ１、ＦＲ２　フォトレジスト
ＩＷ　内部配線
Ｍ１　第１メタル層
Ｍ２　第２メタル層
ＭＬ１～ＭＬ３　マイクロレンズ
ＰＤ１～ＰＤ３　フォトダイオード
ＰＩＸ　画素

Claims (14)

  1. 　剥離層を介してガラス支持基板上にフレキシブル透明電子デバイスを形成し、
    　前記ガラス支持基板を介して前記剥離層に紫外線レーザ光を照射し、前記ガラス支持基板から前記フレキシブル透明電子デバイスを剥離する、フレキシブル透明電子デバイスの製造に用いられ、
    　前記剥離層を形成するための樹脂組成物であって、
    　親水基を有する紫外線硬化樹脂と、
    　前記紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、
    　前記紫外線レーザ光に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、
    　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下である、
    樹脂組成物。
  2. 　前記親水基が、カルボキシル基、ヒドロキシ基、リン酸基、ニトロ基、スルホ基、アミノ基、及びアミド基からなる群から選択される少なくとも一種の親水基である、
    請求項１に記載の樹脂組成物。
  3. 　前記紫外線硬化樹脂における光重合反応基の含有量が、２００～４００ｇ／ｍｏｌである、
    請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
  4. 　前記光重合反応基が、ラジカル重合反応基、アニオン重合反応基、及びカチオン重合反応基からなる群から選択される少なくとも一種の光重合反応基である、
    請求項３に記載の樹脂組成物。
  5. 　前記紫外線硬化樹脂が、アクリレート系紫外線硬化樹脂又はメタクリレート系紫外線硬化樹脂である、
    請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
  6. 　光重合開始剤をさらに含み、
    　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する前記紫外線に対する前記光重合開始剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以上である、
    請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
  7. 　前記紫外線吸収剤が、常温にて固体である粒子状の紫外線吸収剤を含む、
    請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
  8. 　ガラス支持基板と、
    　前記ガラス支持基板上に形成された剥離層と、を備え、
    　前記ガラス支持基板を介して前記剥離層に紫外線レーザ光が照射され、前記剥離層上に形成されたフレキシブル透明電子デバイスを前記ガラス支持基板から剥離するための物品であって、
    　前記剥離層を形成するための樹脂組成物が、
    　親水基を有する紫外線硬化樹脂と、
    　前記紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、
    　前記紫外線レーザ光に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、
    　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下である、
    物品。
  9. 　前記剥離層の網目鎖濃度が、１００００００ｍｏｌ／ｍ３以下である、
    請求項８に記載の物品。
  10. 　前記フレキシブル透明電子デバイスを構成するフレキシブル透明基板が、前記剥離層上に形成されている、
    請求項８又は９に記載の物品。
  11. 　前記フレキシブル透明電子デバイスを構成する電子素子が、前記フレキシブル透明基板上に形成されている、
    請求項１０に記載の物品。
  12. 　剥離層を介してガラス支持基板上にフレキシブル透明電子デバイスを形成し、
    　前記ガラス支持基板を介して前記剥離層に紫外線レーザ光を照射し、前記ガラス支持基板から前記フレキシブル透明電子デバイスを剥離する、フレキシブル透明電子デバイスの製造方法であって、
    　前記剥離層を形成するための樹脂組成物が、
    　親水基を有する紫外線硬化樹脂と、
    　前記紫外線レーザ光を吸収する紫外線吸収剤と、を含み、
    　前記紫外線レーザ光に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．７以上であり、
    　前記紫外線硬化樹脂を硬化させるために照射する紫外線に対する前記紫外線吸収剤の吸光度が、光路長１μｍ当たり０．３以下である、
    フレキシブル透明電子デバイスの製造方法。
  13. 　前記フレキシブル透明電子デバイスを形成する際、前記フレキシブル透明電子デバイスを構成するフレキシブル透明基板を、前記剥離層上に形成し、
    　前記フレキシブル透明基板を形成するための基板用樹脂組成物が、分子量１００未満の有機化合物を４０質量％未満含有する、
    請求項１２に記載のフレキシブル透明電子デバイスの製造方法。
  14. 　前記フレキシブル透明電子デバイスを形成する際、前記フレキシブル透明電子デバイスを構成するフレキシブル透明基板を、前記剥離層上に形成し、
    　前記フレキシブル透明基板を形成するための基板用樹脂組成物が分子量１００未満の有機化合物を含有し、当該有機化合物のＳＰ値の質量加重平均値が、１１（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２以上である、
    請求項１２又は１３に記載のフレキシブル透明電子デバイスの製造方法。
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