CN108257886B - 检查设备和使用其的检查方法 - Google Patents

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Abstract

一种检查设备和使用其的检查方法，其中所述方法包括：将光通过棱镜照射至检查物体；使用拍摄单元扫描所述检查物体的检查区域；由所述拍摄单元接收从所述检查物体反射的反射光；使用所述拍摄单元将由所述拍摄单元接收的所述反射光转换成光强度；通过将对应于所述光强度的所述检查物体的厚度与所述检查物体的预定厚度进行比较来检测所述检查物体的缺陷。因此，在单元后处理或模块处理之前检查封装层，从而可以提高OLED装置的良品率和生产率。

Description

检查设备和使用其的检查方法
相关申请的交叉引用
本申请要求在2016年12月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0182746的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种检查设备和检查方法，具体地涉及一种用于显示装置的检查设备以及检查方法，更具体地，涉及一种用于检查包括在有机发光显示设备中的部件(例如封装层)的缺陷的检查设备和检查方法。
背景技术
随着信息技术时代的到来，图形化表示电信息信号的显示领域已经在迅速成长。据此，已经开发了更薄、更轻和消耗更少功率的各种不同显示装置。
这样的显示装置包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光显示(OLED)装置等。
具体地，OLED装置具有优于其他显示装置的优点，因为它们是自发光的，并且它们具有更快的响应速度，更高的发光效率，更亮的亮度和更宽的视角。因此，OLED装置引起关注。此外，最近开发出能够发射白光的OLED装置，使得OLED装置具有广泛的应用，例如背光和照明。因此，OLED装置被认为是最重要的显示装置之一。
发明内容
有机发光显示器(OLED)装置包括阳极、阴极和包括设置在阳极与阴极之间的发光层(EML)的有机发光二极管。阳极中的空穴注入到发光层中，并且阴极中的电子注入到发光层中，使得电子和空穴重新结合以在发光层中复合以形成激子，并且从其发射光。
在包括由有机材料形成的发光层的OLED装置中，OLED装置用玻璃、金属或膜封装，以防止水分或氧渗透。通过这样做，可以防止发光层和电极的氧化，并且可以保护OLED装置免受外部施加的机械或物理冲击。因此，OLED装置的封装部非常重要，这是因为来自外部的水分或氧会影响有机发光二极管的寿命或效率。
为了封装有机发光二极管，实施在母基板上形成封装层的工艺，其中有机发光二极管形成在用于形成多个面板的多个单元(cell)中的每一个中。在母基板上形成封装层之后，进行划片处理以将母基板切割成单元。
存在由于在形成用于密封有机发光二极管的封装层的过程期间产生的异物而在所需区域不能形成封装层的问题。如果封装层存在缺陷，则当柔性OLED装置弯曲时产生裂纹。因此，水分或氧渗透到有机发光二极管中，使得有机发光二极管的效率或寿命劣化。由于封装层在母基板被切割之后执行的照明测试期间被检查，所以存在OLED装置的良品率(yield)降低的问题。
如上所述，封装层保护OLED装置，因此保持或维持封装层不被损坏是重要的。因此，保持或维持封装层不仅在其形成过程中而且在随后的过程中不被损坏是重要的。
鉴于上述情况，本公开的发明人发明了一种可以在形成封装层后检查封装层中的缺陷的检查设备，以及使用该检查设备的检查方法。
本公开的一个方面提供一种能够实时检查包括封装层的整个基板并且检查封装层中的缺陷的检查方法和检查设备。
另外，本公开的另一方面提供一种能够在不增加处理时间的情况下检查整个基板的检查设备和检查方法。
应当注意，本公开的目的不限于上述目的，并且本公开的其他目的对于本领域技术人员来说将从下面的描述中变得明显。
根据本公开的一个方面，提供了一种检查方法，包括：将光通过棱镜照射到检查物体；使用拍摄单元扫描检查物体的检查区域，通过拍摄单元接收从检查物体反射的反射光，通过拍摄单元将接收的反射光转换成光强度；以及通过将对应于光强度的检查物体的厚度与检查物体的预定厚度进行比较来检测检查物体的缺陷。
根据本公开的另一方面，提供了一种检查设备，包括：光学检查单元，其包括：棱镜，其构造为将来自光源发射的光分开形成光谱；镜子，其构造为将分开的光朝向检查物体反射；拍摄单元，其构造为接收从检查物体反射的反射光，并将反射光转换成光强度；以及检测单元，其构造为通过将对应于光强度的检查物体的厚度与检查物体的预定厚度进行比较来检测检查物体的缺陷。
将参照附图在详细描述中描述本公开的实施方案。
根据本公开的一个实施方案，能够通过使用根据光强度的厚度检测封装层中的缺陷来容易地检测由于封装层的厚度变化所反映出的缺陷。
根据本公开的一个实施方案，能够基于根据光强度的封装层的厚度来检测封装层中的缺陷，使得由透明膜形成的封装层中的缺陷可以量化。
另外，根据本公开的一个实施方案，可以通过在单元的后处理或模块处理之前检查封装层来提高OLED装置的良品率(yield)和生产率。
另外，根据本公开的一个实施方案，检查设备还可以包括线扫描相机，其包括拍摄单元，使得可以扫描包括封装层的整个基板并且可以检测封装层中的缺陷。
根据本公开的一个实施方案，可以在扫描新的检查区域的同时执行检测检查物体中的缺陷的步骤，从而可以缩短检查时间。
另外，根据本公开的一个实施方案，检查设备可以在不增加处理时间的情况下检查整个基板。
应当注意，本公开的效果不限于上述描述，并且本公开的其它效果对于本领域技术人员来说将从下面的描述中变得显见。
发明内容不是必然地指定所附权利要求的必要特征，因此权利要求的范围不限于此。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本公开实施方案的上述和其它方面、特征和其它优点，其中：
图1是示出根据本公开的一个或更多个实施方案的母基板的平面视图；
图2是图1所示的区域A的放大图；
图3是沿图2的线X-Y的截面图；
图4是用于示出根据本公开的实施方案的有机发光面板的制造和检查程序的流程图；
图5是示出根据本公开的实施方案的检查设备的视图；
图6是示出根据本公开的实施方案的光学检查单元的视图；以及
图7是用于示出根据本公开的实施方案的用于检测检查物体的缺陷的方法的侧视图。
具体实施方式
本公开实施方案的优点和特征及其实现方法将从下文中参照附图描述变得明显。然而，本公开不限于本文中公开的实施方案，而是可以以各种不同方式来实施。实施方案被提供用于使本公开内容详尽，并且用于向本领域技术人员全面传达本发明的范围。应注意，本公开的范围仅由权利要求限定。
附图中给出的元件的外形、尺寸、比例、角度、数量仅仅是说明性的，并且没有限制。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。此外，在描述本公开时，可以省略对公知技术的描述，以免不必要地模糊本公开的要点。应注意，在说明书和权利要求书中使用的术语“包含”、“具有”、“包括”等不应理解为限于其后所列含义，除非另有具体所指。在涉及单数名词而使用不定冠词或定冠词的情况下，包括那个名词的复数，除非另有具体所指。
在描述元件时，即使未包括明确说明，也理解为包括能达到其效果的误差裕度。
在描述位置关系时，如“元件B上的元件A”、“元件B上方的元件A”、“元件B下方的元件A”、以及“相邻于元件B的元件A”可以允许在元件A与B之间设置另一元件C，除非另有说明，例如明确使用术语“直接地”或“紧接地”。
在描述时间关系时，术语例如“之后”、“随后”、“紧接”、以及“之前”不限于“之后直接”、“随后直接”、“紧接立即”、“之前立即”等，除非另有所指。
说明书和权利要求中的术语第一、第二、第三等用于区分相似元件，而不一定用于描述次序或时间顺序。这些术语仅用于区分一个元件与其他元件。因此，如本文中所使用的，在本公开的技术构思中，第一元件可以是第二元件。
本公开的各个实施方案的特征可以部分地或完全地结合。可以以技术上本领域技术人员可以完全理解的各种方式相互作用和操作。可以独立或结合地执行各种实施方案。
下文中，将参照附图描述根据本公开的实施方案的检查设备和使用该检查设备的检查方法。在下面的描述中，将描述具有形成有机发光面板的多个单元的母基板作为检查物体的一个实施方案。
图1是示出根据本公开的实施方案的母基板的视图。
参照图1，母基板100包括每个分别对应于各自有机发光面板的多个单元10。也就是说，多个单元10被切割成单独的单元，以形成多个有机发光面板或OLED设备。“母基板”100指的是如图1所示的在将多个单元10切分成单独单元之前的整个设备或者装置，并包括基板11，以及形成在基板11上的单元10。
尽管在图1中单元10被示为具有矩形形状，但这仅仅是说明性的。单元10可以具有各种形状，例如圆形。在每个单元10周围形成有用于将单元10彼此分开的划线SL。划线SL可以实际上被绘制在基板11上，或者可以通过对准标记或单元10周围的任何标记来限定虚拟划线SL。
在每个单元10的显示区域中，设置有像素驱动电路和有机发光二极管。像素驱动电路可以包括薄膜晶体管(TFT)、电容器等。有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极。
在下文中，将详细描述单元10和每个单元10中的封装层以及划线SL的位置。
图2是图1所示的区域A的放大图。区域A包括两个单元10_L和10_R。
参照图2，第一单元10_L和第二单元10_R被示出为在其之间具有划线SL。第一单元10_L和第二单元10_R中的每一个可以被称为显示区域。
在第一单元10_L和第二单元10_R中的每一个中，在基板11上形成有像素驱动电路和有机发光二极管。为了保护像素驱动电路和有机发光二极管，封装层20被设置成围绕第一单元10_L和第二单元10_R中的每一个。划线SL被限定在第一单元10_L与第二单元10_R之间。在基板11上形成封装层20之后，可以沿划线SL切割基板11。
图3是沿图2的线X-Y截取的截面图。将结合图2参照图3进行说明。
基板11由绝缘材料形成以支承OLED装置的各种部件。此外，基板11可以由具有柔性的材料如玻璃或塑料形成。例如，柔性材料可以包括聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)，硅-丙烯酸类树脂(silicon-acryl resin)等。此外，当在柔性显示装置中易于实现的有机发光二极管应用于汽车照明或汽车显示装置时，增加了设计自由度以允许根据汽车的结构或外观进行各种设计。
另外，根据本公开的实施方案的OLED装置可以应用于各种显示装置，包括TV、移动装置、平板PC、监视器、笔记本电脑、汽车显示装置等。另外，OLED装置也可以应用于可穿戴显示装置、可折叠显示装置、可卷式(rollable)显示装置、可弯曲显示装置等。另外，如果基板11是柔性基板，则OLED装置可以应用于弯曲显示装置、可折叠显示装置、可卷式显示装置、可弯曲显示装置、汽车显示装置等。
在基板11上形成有缓冲层12以保护OLED装置的各种部件免受来自基板11外部的水分(H2O)或氧(O2)的渗透。缓冲层12可以但不限于由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成。
缓冲层12可以包括第一缓冲层和/或第二缓冲层。第一缓冲层可以延迟水分和/或氧的扩散渗透到基底11中，并且第一缓冲层可以是多缓冲层。第一缓冲层可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或交替堆叠的硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层形成。可替选地，第一缓冲层可以由具有硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和硅氮氧化物(SiOxNx)的多层形成。第二缓冲层可以保护薄膜晶体管的有源层并且抑制各种种类的缺陷。第二缓冲层可以是有源缓冲层。第二缓冲层可以由非晶硅(a-Si)等形成。缓冲层12可以包括第一缓冲层和第二缓冲层两者，或者可以包括第一缓冲层和第二缓冲层之一。缓冲层12可以根据基板11的类型和材料、要应用于OLED装置的薄膜晶体管的类型等来确定，并且在一些实施中可以省略。
在缓冲层12上设置有第一绝缘层13。由于第一绝缘层13可以形成在设置在缓冲层12上的栅电极上，所以其也可以被称为栅极绝缘膜。
在第一绝缘层13上设置有源电极和漏电极14。源电极和漏电极14可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)之一、它们中的两种或更多种的合金、或其多层形成。源电极和漏电极14可以用作连接电极，用于将从外部通过焊盘单元40施加的电压传输至设置在单元10中的像素驱动电路。例如，其可以是但不限于高电位电压(VDD)、低电位电压(VSS)或数据电压(Vdata)。当连接电极是低电位电压线时，在非显示区域中的源电极和漏电极14可以电连接至包括在有机发光二极管中的阴极。
焊盘40可以是但不限于经由相同的工艺由与阳极17相同的材料形成。焊盘40可以通过源电极和漏电极14上的第二绝缘层15中的接触孔与源电极和漏电极14接触。驱动器IC、柔性印刷电路板(FPCB)、塑料上芯片(COP)或膜上芯片(COF)可以附接至焊盘40。
第二绝缘层15设置在源电极和漏电极14上。第一绝缘层13和第二绝缘层15可以从形成在单元10中的显示区域延伸。
第一绝缘层13和第二绝缘层15可以由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNx)的单层形成。可替选地，第一绝缘层13和第二绝缘层15可以由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和硅氮氧化物(SiOxNx)的多层形成。
在第二绝缘层15上，设置有平坦化层16，其平坦化由形成在单元10中的薄膜晶体管等产生的台阶。平坦化层16可以但不限于由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯中之一形成。
在平坦化层16上设置有阳极17。阳极17可以通过第二绝缘层15中的接触孔与源电极和漏电极14接触。阳极17也可以用作连接电极用于将通过焊盘单元40从外部施加的电压传输至单元10的内部。例如，其可以是但不限于高电位电压(VDD)、低电位电压(VSS)或数据电压(Vdata)。
在形成在单元10中的阳极17上设置有堤部18。堤部18可以但不限于由聚酰亚胺、丙烯酸(类)树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂形成。并且，在堤部18上和阳极17的未被堤部18覆盖的部分上设置有有机发光层。阴极设置在有机发光层和堤部18上。
可以在堤部18上设置间隔物。间隔物可以防止由精细金属掩模(FMM)产生的对有机发光二极管的损坏，所述精细金属掩模在对包括在有机发光二极管的发光单元中的有机发光层进行图案化的过程期间使用。
堤部18形成在阳极17的形成在单元10外部的部分上，并且在堤部18上设置有封装层20，使得单元10被密封。封装层20包括第一封装层21、第二封装层22和第三封装层23。封装层20可以由至少两个封装层组成，并且封装层20的数量不受限制。
第一封装层21和第三封装层23可以由无机材料形成。例如，第一封装层21和第三封装层23可以由但不限于由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)以及硅氮氧化物(SiOxNy)的一层或更多层形成。另外，第一封装层21和第三封装层23可以但不限于通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来形成。
可以在第三封装层23上进一步设置由无机材料形成的至少一个封装层。例如，无机材料可以但不限于由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)以及硅氮氧化物(SiOxNy)的一层或更多层形成。
第二封装层22可以防止由可能在所述工艺期间产生的异物或颗粒造成的问题。因此，第二封装层22可以是颗粒覆盖层(particle cover layer，PCL)。例如，如果由无机材料形成的第三封装层23设置在附接有颗粒的第一封装层21的表面上而没有第二封装层22时，则在颗粒周围可能存在间隙，因为无机材料与第一封装层21的表面上的颗粒没有很强的粘合力。因此，封装层20由于该间隙而可能被剥离。因此，当第一封装层21由于异物或颗粒产生的裂纹而有缺陷时，异物或颗粒可以被第二封装层22覆盖。也就是说，由有机材料形成的第二封装层22设置在第一封装层21与第三封装层23之间，使得能够通过覆盖颗粒和颗粒周围而防止封装层20被剥离。
第二封装层22可以由有机材料形成并且可以形成为透明膜。例如，第二封装层22可以由但不限于由硅碳氧化物(SiOCz)、丙烯酸树脂和环氧树脂之一形成。
第二封装层22可以但不限于由丝网印刷(screen printing)或喷墨印刷(inkjetprinting)形成。喷墨印刷是通过喷墨头的喷嘴排出材料的滴(droplets)并且将材料分散并且涂布到第二封装层22上的技术。通过借助喷墨印刷形成第二封装层22，与通过丝网印刷形成的相比，可以减少第二封装层22的厚度。因此，当通过喷墨印刷形成封装层时，封装层变薄，这对于实施可折叠显示装置、可弯曲显示装置或可卷式显示装置是有利的。另外，在形成第二封装层22时，容易控制第二封装层22的位置，这对于实现窄边框是有利的。
当通过喷墨印刷形成第二封装层22时，使用具有类似于水的粘度的材料，使得其易于流动。因此，可以围绕单元10设置坝部19以限制第二封装层22中的形成区域。坝部19可以抑制第二封装层22的溢流。坝部19可以取决于由第二封装层22所施加的高度和坝部19的高度而具有单一结构或双结构。坝部19可以由与形成在显示区域中的一个或更多个绝缘图案相同的材料形成。例如，坝部19可以由与堤部18相同的材料形成。坝部19可以是但不限于形成为具有与堤部18和间隔物相同的材料的双层。尽管图3中示出了两个坝部19，但是坝部的数量不限于两个。例如，可以形成一个或更多个坝部，而不限制坝部的数量。
期望增加第二封装层22的高度以防止异物被剥离。然而，随着第二封装层22的高度增加，坝部19的数量或坝部19的高度也必须增加。并且，如果不能调整用于形成第二封装层22所施加的有机材料的量，则有机材料流过坝部19以侵入划线SL、焊盘部分40或弯曲区域。因此，需要检测第二封装层22的溢流。
另外，当通过将基板切割成单元10而形成的有机发光面板用于可折叠显示装置、可弯曲显示装置或可卷式显示装置时，存在其中有机发光面板的一部分弯曲或折叠的弯曲区域。当在弯曲区域中的封装层20中产生缺陷时，在弯曲或折叠有机发光面板的一部分的过程中，在封装层20中产生裂纹。封装层20中的缺陷或裂纹会提供水分或氧经由其渗透到有机发光面板中的路径。
另外，当在封装层20上形成多个触摸电极以构造触摸功能时，产生由于封装层20中的缺陷而在触摸电极之间形成短路的问题。
另外，当通过喷墨印刷形成第二封装层22时，如果喷嘴堵塞或墨未充分展开，则第一封装层21可能无法被第二封装层22完全覆盖。在这样的情况下，可以确定第二封装层22未被施加或未被充分施加。因此，需要检测由透明膜形成的第二封装层22未被施加或未被充分施加时产生的缺陷。
另外，当通过喷墨印刷形成第二封装层22时可能发生的缺陷包括例如：由于颗粒而产生的缺陷；由于墨的差的散布导致的封装层的缺陷的形成；由于通过从喷嘴排出的墨的量的增加或减少引起的第二封装层22的不充分或过度的施加而产生的缺陷；当第二封装层22由于喷墨的堵塞而没有被施加或不充分施加时引起的缺陷；由于用于固化第二封装层22的固化条件的变化而引起的缺陷；由于第二封装层22的溢流而引起的缺陷等。这些缺陷导致在第二封装层22上具有包括线形、或圆形形状的各种形状的不规则。
由于还没有用于检测第二封装层22中的上述缺陷的检查方法或检查设备，所以这样的缺陷在单元的后处理或模块处理之后被检测，其是在将基板切割成单元后检查面板的处理。这导致OLED装置的良品率或生产率的降低。此外，如果通过肉眼在模块处理后检查第二封装层22，则难以检测作为透明膜的第二封装层22中的微小缺陷。此外，操作人员的技能、经验和专心度影响OLED装置的检查结果，因此肉眼的检查结果可能不可靠。此外，由于手动进行肉眼检查，因此需要长时间进行OLED装置的检查，使得OLED装置的良品率或生产率降低。
因此，为了提高OLED装置的效率、寿命、可靠性、良品率和生产率，在单元后处理或模块处理之前检测封装层20中的缺陷是非常重要的。此外，需要一种用于检查透明膜中的缺陷的方法，其难以通过肉眼或通过典型的目视技术来检测。在这样的情况下，将参照图4至图7描述能够在单元的后处理或模块处理之前检测封装层20中的缺陷并且检测透明膜中的缺陷的检查设备和检查方法。
图4是用于示出根据本公开的一个或更多个实施方案的有机发光面板的制造和检查程序的流程图。将参照图1至图3描述有机发光面板的制造过程，并且将描述根据有机发光面板的制造过程的检查方法。
在包括在基板11中的每个单元10的显示区域中，形成有像素驱动电路和有机发光二极管(ED)。像素驱动电路可以包括薄膜晶体管(TFT)、电容器等。有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极。有机发光层可以发射红光、绿光或蓝光，并且可以使用作为磷光材料或荧光材料的有机发光材料形成。可替选地，发光层可以包括量子点(QD)。
然后，在有机发光二极管上形成封装层20以密封单元10。此时，封装层20可以是单层或由两层或更多层形成的多层。
然后，在有机发光二极管上形成封装层之后，检查封装层中是否存在缺陷。封装层可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层中的所有层。可以省略第三封装层。
在形成封装层20之后，检查封装层20中的第二封装层以检测是否存在缺陷。检查在其它层中的第二封装层22，这是因为第二封装层22因厚度差而频繁地引起缺陷。然而，这仅仅是示例性的。也可以检查第一封装层和第三封装层。
如果确定封装层20中存在缺陷，则该过程反馈到形成封装层20的过程以去除或解决封装层20中的缺陷。因此，在形成封装层20之后立即执行检查，使得一旦检测到封装层20中的缺陷，就将反馈信号发送至用于形成封装层20的处理设备。因此，能够解决封装层20的缺陷以提高良品率。此外，能够防止在随后的面板检查或目视检查中可能发生的不足，从而降低处理成本。
如果在检查之后确定封装层20良好，则可以在封装层20上进一步设置阻挡膜。阻挡膜可以是具有偏振功能的偏振板。可以省略阻挡膜。
然后，执行切割基板11的步骤。将基板11沿着划线SL切割成多个有机发光面板。与基板11分开的每个有机发光面板可以是能够用作显示装置的最小单元。
然后，向有机发光面板施加电信号，以执行用于检测诸如斑或点缺陷、线缺陷等的缺陷图像的面板检查。如果在形成封装层20之后不执行检查封装层20的步骤，则在检查有机发光面板的步骤中检测缺陷。如本文所使用的，形成封装层20的步骤可以称为单元的预处理，而在形成封装层20并且检查面板之后切割基板的步骤可以称为后处理。
面板检查完成后，进行模块处理。模块处理通过将光学膜、印刷电路板和驱动器IC附接至有机发光面板来提高图像质量，并且向有机发光面板施加外部信号以驱动各个有机发光二极管。
在模块处理完成之后，对有机发光面板进行外部目视检查(visual inspection)步骤。目视检查是在模块处理期间确定部件是否被适当地附接的过程。目视检查可以包括有机发光面板的整体图像检查和老化后可能发生的可靠性检查。如果在封装层20中存在缺陷，则可以在目视检查中检测由于封装层20中的缺陷或裂纹引起的图像和可靠性缺陷。
因此，通过在形成封装层20之后以及在单元的后处理之前或在模块处理之前检测封装层20中的缺陷，可以将反馈信号实时发送到形成封装层20的处理设备。因此，可以检验在面板检查或目视检查期间的缺陷，以降低成本并提高良品率或生产率。
接下来，将描述能够检测封装层20中的缺陷的检查设备。
图5是示出根据本公开的实施方案的检查设备的图。
图5是用于检测检查物体在封装层中的缺陷的检查设备。将作为检查物体的示例来描述图1所示的母基板100。
检查设备200可以包括：平台210；用于使光学检查单元240沿x轴方向移动的x轴移动轨道211；用于保持检查物体的保持器220；以及用于使保持器220沿x轴方向移动的保持器移动轨道212。
在移动轨道211上设置有用于安装光学检查单元240的水平结构230。水平结构230可以包括y轴移动轨道231，光学检查单元240能够通过该y轴移动轨道231沿y轴方向移动。水平结构230也可以称为台架(gantry)。水平结构230可以与检查物体一起沿x轴、y轴和z轴方向移动。在水平结构230的下方设置有使水平结构230沿x轴、y轴和z轴方向移动的驱动单元。例如，驱动单元可以是但不限于线性电机。
可以使用多个光学检查单元240一部分一部分地检测检查物体的扫描区域，从而节省检查物体即封装层的检查时间。可以提供三个或更多个光学检查单元240。
为了在检查期间抑制外部环境对光学检查单元240的影响，可以安装作为手套箱的氮(N2)气氛的室以容纳检查设备200。
光学检查单元240可以根据所需使检查物体在x轴以及由y轴移动轨道231在y轴上移动，并且检查包括在检查物体中的封装层中的缺陷。由光学检查单元240测量的数据通过连接至光学检查单元240的光缆251传输至检测单元248。检测单元248可以包括：图像处理器，其提取被摄体的图像，并将由光学检查单元240接收到的检查物体的厚度与检查物体的预定厚度进行比较；以及确定器，其基于厚度差来确定是否存在缺陷。此外，检测单元248可以包括显示确定结果的显示单元。显示单元可以是例如计算机。
此外，检查设备200可以包括安装在水平结构230上的对准相机，使得当检查物体被放置在保持器220上，对准相机感测检查物体或基板上的对准标记，并且在使保持器220沿y轴方向和θ方向移动时，使光学检查单元240与检查物体对准。另外，在保持器220的下方设置有用于使保持器220沿y轴方向和θ方向移动的驱动单元。例如，驱动单元可以是但不限于线性电机。
检查设备200可以包括自动调焦单元，其安装在水平结构230上使得其可以实时地调整检查物体上的焦点，焦点可以在光学检查单元240与检查物体一起移动时通过调整据检查物体的距离而改变。
如前所述，封装层20可以由硅基材料或聚合物材料形成，并且可以是透明膜。用肉眼难以检查透明膜，并且即使使用一般的检查设备也难以检查透明膜的存在。因此，光学检查单元240用于检测透明膜中的缺陷。
图6是示出根据本公开的实施方案的光学检查单元的视图。图7是用于示出根据本公开的实施方案的检测检查物体的缺陷的方法的视图。将结合图1和图2描述检查设备和检查方法。
包括在检查设备200中的光学检查单元240包括光源245、镜筒241和拍摄单元243。
拍摄单元243可以是线扫描相机。线扫描相机可以一次扫描50mm×1,500mm的区域，并且可以在其移动时观察检查物体250。因此，其可以沿着周边检查每个单元10，以检查或确定检查物体中的缺陷。因此，可以通过作为拍摄单元243的线扫描相机检查整个基板，并且由此可以检查包含在整个基板中的封装层中即检查物体250的缺陷。由于可能需要长时间来检查母基板100上的每个单元，所以可以使用多个光学检查单元240通过将其分成几组来检查母基板100上的检查物体250，以便减少处理时间。因此，根据本公开的一个或更多个实施方案的检查设备可以在不增加处理时间的情况下检查整个基板。
作为拍摄单元243的线扫描相机(line scan camera)显示彩色图像。因此，其具有检查物体250形成为透明膜或者包括透明膜的情况下能够容易地检测缺陷的优点。
镜筒241可以包括至少一个透镜或滤光器。滤光器可以是用于通过波长将来自光源245的光分开的带通滤光器(band pass filter)。来自光源245的光可以通过带通滤光器分成不同波长的光。例如，可以生成分别对应于红色、绿色、蓝色和红外线的波长的光。另外，包括在镜筒241中的至少一个透镜可以是放大透镜和用于聚光的聚光透镜或采光透镜等。例如，放大透镜可以包括高倍率透镜。
来自光源245的光的波长可以是可见光到红外光的波长，并且可以在400nm至900nm的范围内。光源245可以增加波长的范围，以包括可见光和红外光，并且可以对于检查物体使用可见光范围之外的红外线，从而提高能见范围(visibility)。可以提供多于一个的光源245。多个光源可以分别是红色、绿色、蓝色和白色光源。
另外，棱镜246、镜子247和透镜242被添加至光学检查单元240中以检测作为透明膜的封装层中的缺陷。这将参照图1、图2和图5进行描述。
参照图6，来自光源245的光被透射至棱镜246。
来自光源245的光的入射角度可以与检查物体250的水平面成10度至90度。光源245还可以包括倾斜单元，该倾斜单元是角度调整单元，以调整光线的入射角度。可替选地，光源245的角度调整单元可以用于对于检查物体250的不同材料调整不同反射角度。
光源245可以设置在镜筒241的两侧上。在两个光源245之一不正常的情况下，可以使用另一个。两个光源245中的每一个包括作为角度调整单元的倾斜单元。
棱镜246将来自光源245的光分开形成光谱。在这样的情况下，可以通过棱镜246来增加光的波长范围。当使用分束器(beam splitter)代替棱镜246时，可能会出现来自光源245的光的一部分被反射而其他部分被透射的问题，因此到检查物体250上的入射光的量减少，使得波长范围变小。
通过棱镜246分开的光被镜子247反射。镜子247可以是半反射镜(或半透半反镜)。半反射镜具有使入射光的一半透射并且使入射光的一半反射的性质。镜子247还可以包括作为角度调整单元的倾斜单元，以增加从光源245照射到检查物体250上的光的强度。
光被镜子247朝向检查物体250反射。也就是说，来自光源245的光通过棱镜246，并被镜子247朝向检查物体250反射。检查物体250是母基板100，更详细地，可以是在母基板100上的每个单元10中形成的封装层20。
由检查物体250反射的光穿过透镜镜筒241并被透射至拍摄单元243。拍摄单元243扫描检查物体250并接收反射光以将反射光转换成光强度。
参照图5，检测单元248提取检查物体250的图像，并且根据光强度将检查物体250的预定厚度与检查物体250的厚度进行比较，从而检测检查物体250是否存在缺陷。检测单元248提取由拍摄单元243接收的对于对应于红色、绿色和蓝色的波长中的每一个波长的检查物体250的图像。然后，检测单元248将由拍摄单元243接收到的检查物体250的光强度转换成检查物体250的厚度。如果检查物体250存在缺陷，则光强度与检查物体250的预定光强度相比变大，因此检查物体250的厚度存在差异。在这样的情况下，通过制造至少五个样品，获得样品中的每一个的光强度，然后获取根据光强度的厚度来获得检查物体的预定厚度。根据光强度的厚度应该在检查物体250的任意区域中可获得。在检测单元248中，可以存储与检查物体的光的预定强度相关联的厚度。
透镜242可以设置在镜子247上或下方。设置在镜子247下方的透镜242可以具有与作为拍摄单元243的线扫描相机的像素数量相对应的像素数量。例如，如果线扫描相机的像素数量为4000，则透镜构造为对应于4,000像素。在这样的情况下，透镜242可以被称为4K透镜。当将镜头242和作为拍摄单元243的线扫描相机组合在一起时，可以提高检查物体250的图像的可视性。
透镜242也可以设置在镜子247的上方。也就是说，当透镜242设置在镜筒241中时，在镜筒241中不应该设置附加的透镜。当透镜242设置在镜筒241中时，镜筒241用于将透镜242连接至拍摄单元243，并且镜筒241中的透镜242用于使已经通过镜子247的光透射至拍摄单元243。
可以在光源245周围进一步设置辅助相机。辅助相机可以用于监视检查物体250的厚度，而不用于检查检查物体250。
因此，根据本公开的实施方案的光学检查单元240通过棱镜246将光分开形成光谱，增加检测物体250在多个波长处的反射率，并且通过镜子247增加光强度。因此，能够测量透明膜即检查物体250的厚度，从而能够容易地检测检查物体250的缺陷。可以通过设置在镜子247上方或下方的透镜242来改善检查物体250的图像的可视性。
通过设置包括在光学检查单元240中的拍摄单元243，能够检测在其上形成封装层的整个基板中的缺陷。然后，通过将作为检查物体250的封装层的厚度转换为根据光强度的厚度，能够在检查物体250为透明膜时量化透明膜的缺陷。
将参照图6和图7描述检查物体中的缺陷的方法。
参照图7，来自光源245的红色、绿色、蓝色和白色光照射在基板11上的检查物体250。
参照图6，来自光源245的光被镜子247朝向检查物体250反射。从检查物体250反射的反射光再次通过镜子247，并被透射至拍摄单元。在图7中，虚线表示表面反射，单点划线表示界面反射。当光从检查物体250反射时，表面反射和界面反射合成，使得检查物体250的光强度发生变化。在拍摄单元243扫描检查物体250时，将从检查物体250反射的反射光转换成光强度。
当使用光扫描检查物体250时，光从检查物体250连续地反射。拍摄单元243收集从检查物体250连续反射的光并连续输出光电流。光电流的强度与光强度成比例地变化。因此，可以从光电流的变化中知道光强度的变化。取决于作为检查物体250的封装层的特性，光从检查物体250不同地反射，并且光强度根据封装层中的缺陷而改变。通过使用该方法通过检测检查物体250的光强度并且根据光强度检测检查物体250的厚度，能够有效地检查封装层中是否存在缺陷。
当通过上述方法检查检查物体250中的缺陷时，检测检查物体250中的缺陷所花费的时间可以等于扫描检查物体250所花费的时间。这是因为检测单元248在检查物体250的扫描时间期间检测检查物体250中的缺陷。具体而言，光学检查单元240沿着检查物体250的检查区域在x轴或y轴方向上扫描一次。随后，在沿着下一个检查区域的扫描期间，执行将先前扫描的检查区域的数据与存储在检测单元248中的数据和分析数据进行比较的处理，以确定是否存在缺陷。因此，可以减少检查物体250的检查时间。
根据本公开的实施方案，能够通过用根据光强度的厚度检测作为检查物体250的封装层中的缺陷，来有效地检测当检查物体250为透明膜时的缺陷。
另外，根据本公开的实施方案，当通过喷墨印刷形成作为检查物体250的封装层时，能够检测当在基板上未被施加或未被充分施加封装层时可能发生的缺陷。通过这样做，可以在单元的后处理或模块处理之前预先检测封装层中的缺陷。因此，可以提高OLED装置的良品率和生产率。
根据本公开的实施方案，能够通过使用根据光强度转换的厚度检测封装层中的缺陷来检测由于封装层的厚度变化引起的缺陷。也就是说，如果通过喷墨印刷形成封装层，则可以检测由于颗粒引起的缺陷；当由于喷墨的喷嘴堵塞引起的封装层未被施加或未被充分施加时引起的缺陷；由于墨的不良散布而引起的封装层的缺陷形成；由于从喷嘴排出的墨的量的增加或减少造成封装层的不充分或过度施加而引起的缺陷；由于用于固化封装层的固化条件的变化而引起的缺陷；由于封装层的溢流等而引起的缺陷等。
根据本公开的实施方案，可以在扫描新的检查区域的同时执行检测检查物体中的缺陷的步骤，从而可以缩短检查时间。
本公开的实施方案还可以描述如下：
根据本公开的实施方案，一种检查方法包括：将光通过棱镜照射到检查物体；使用拍摄单元扫描检查物体的检查区域，通过拍摄单元接收从检查物体反射的反射光；将反射光转换成光强度；以及通过将对应于光强度的检查物体的厚度与检查物体的预定厚度进行比较来检测检查物体的缺陷。因此，在单元的后处理或模块处理之前检查封装层，从而可以提高OLED装置或设备的良品率和生产率。
所述方法可以进一步包括：通过棱镜将来自光源的光分开形成光谱；通过镜子使分开的光朝向检查物体反射；以及使来自检查物体的反射光通过镜子。
来自光源的光的波长可以包括在400nm至900nm的范围内。
镜子可以包括半反射镜。
拍摄单元可以包括线扫描相机。
可以在扫描检查物体的不同检查区域的同时实施通过将对应于光强度的检查物体的厚度与检查物体的预定厚度进行比较来检测检查物体的缺陷。
检查物体可以包括有机发光面板的封装层。
检查物体可以包括有机发光面板的透明膜。
可以在所述有机发光面板的后处理步骤之前执行所述检查方法。
所述将光照射至所述检查物体还可以包括经在所述镜子上方或者下方的透镜照射所述光。
根据本公开的一个方面，检查设备包括：光学检查单元，其包括构造为将来自光源发射的光分开形成光谱的棱镜；镜子，其构造为使分开的光朝向检查物体反射；拍摄单元，其构造为接收从检查物体反射的反射光并将反射光转换成光强度；以及检测单元，其构造为通过将对应于光强度的检查物体的厚度与检查物体的预定厚度进行比较来检测检查物体的缺陷。因此，能够用根据照射到检查物体上的光强度的厚度容易地检测检查物体的缺陷。
从光源发射的光的波长可以包括在400nm至900nm的范围内。
镜子可以包括半反射镜。
镜子可以包括角度调整单元。
检查物体可以包括有机发光面板的封装层。
封装层可以包括颗粒覆盖层。
检查物体可以包括有机发光面板的透明膜。
拍摄单元可以包括线扫描相机并且显示彩色图像。
该设备还可以包括：构造为将检查物体与光学检查单元对准的对准相机。
该设备还可以包括：自动调焦单元，其构造为当光学检查单元沿着检查物体的检查区域移动时，调整光学检查单元相对于检查物体的焦点。
该设备还可以包括具有与拍摄单元的像素数量对应的像素数量的透镜。
检测单元可以将光强度转换成对应于光强度的检查物体的厚度。
所述检查设备可以设置在用于有机发光面板的后处理的设备之前。
截止目前，已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方案。然而，本公开不限于示例性实施方案，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下对其进行修改和变化。因此，本文中所述的示例性实施方案仅仅是说明性的，并且不旨在限制本公开的范围。本公开的技术构思不受示例性实施方案限制。因此，应理解，上述实施方案在所有方面不是限制性的而是说明性的。本公开寻求的保护范围仅由所附权利要求限定，并且其所有等同内容应解释为在本公开的本质范围内。
可以结合以上描述的各个不同的实施方式来提供进一步的实施方式。根据以上的详细的说明书的启示可以做出所述的或者其他的改变。总的说来，在本申请的权利要求中，所使用的术语不应该被用来将权利要求解释限制为说明书和权利要求中所公开的具体实施方式，而应该被解释为与包含与权利要求所赋予的等同的整个范围一起的全部可能的实施方式。因此，权利要求不限于本公开的内容。

Claims (19)

1.一种检查封装层中的缺陷的方法，包括：
将光通过棱镜照射至所述封装层；
使用拍摄单元扫描所述封装层的检查区域；
由所述拍摄单元接收从所述封装层反射的反射光；
将由所述拍摄单元接收的所述反射光转换成光强度；
通过将所述封装层的对应于所述光强度的厚度与所述封装层的预定厚度进行比较来检测所述封装层的缺陷，
其中所述封装层为透明膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括：
通过所述棱镜将来自光源的光分开形成光谱；
通过镜子将所分开的光朝向所述封装层反射；以及
使来自所述封装层的反射光通过所述镜子。
3.根据权利要求2所述的方法，其中来自所述光源的光的波长在400nm至900nm的范围内。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述镜子包括半反射镜。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述拍摄单元包括线扫描相机。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在扫描所述封装层的不同的检查区域的同时实施所述通过将所述封装层的对应于所述光强度的厚度与所述封装层的预定厚度进行比较来检测所述封装层的缺陷。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在有机发光面板的后处理之前执行所述检查方法。
8.根据权利要求2所述的方法，其中所述将光照射至所述封装层还包括经在所述镜子上方或者下方的透镜照射所述光。
9.一种用于检查有机发光面板的封装层中的缺陷的检查设备，包括：
光学检查单元，包括：
棱镜，其构造为将由光源发射的光分开形成光谱；
镜子，其构造为使所分开的光朝向所述封装层反射；
拍摄单元，其构造为接收从所述封装层反射的反射光，并且将所述反射光转换成光强度；以及
检测单元，其构造为通过将所述封装层的对应于所述光强度的厚度与所述封装层的预定厚度进行比较来检测所述封装层的缺陷，
其中所述封装层为透明膜。
10.根据权利要求9所述的设备，其中从所述光源发射的所述光的波长在400nm至900nm的范围内。
11.根据权利要求9所述的设备，其中所述镜子包括半反射镜。
12.根据权利要求9所述的设备，其中所述镜子包括角度调整单元。
13.根据权利要求9所述的设备，其中所述封装层包括颗粒覆盖层。
14.根据权利要求9所述的设备，其中所述拍摄单元包括线扫描相机并且显示彩色图像。
15.根据权利要求9所述的设备，还包括：对准相机，其构造为使所述封装层与所述光学检查单元对准。
16.根据权利要求9所述的设备，还包括：自动调焦单元，其构造为当所述光学检查单元沿着所述封装层的检查区域移动时，调整所述光学检查单元相对于所述封装层的焦点。
17.根据权利要求9所述的设备，还包括：透镜，其具有对应于所述拍摄单元的像素数量的像素数量。
18.根据权利要求9所述的设备，其中所述检测单元将所述光强度转换为所述封装层的对应于所述光强度的厚度。
19.根据权利要求9至18中任一项所述的设备，其中所述检查设备设置在用于所述有机发光面板的后处理设备之前。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR20200082738A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함한 표시 장치 및 이의 불량 검출 방법
CN111863868B (zh) * 2019-04-25 2023-01-13 宁波舜宇光电信息有限公司 屏下摄像组件及相应的有机发光二极管显示屏和终端设备
KR20200128309A (ko) 2019-05-03 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN111351637B (zh) * 2020-03-20 2021-02-05 广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心） 一种有机电致发光器件寿命测试与评价方法
WO2021189259A1 (zh) * 2020-03-24 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 Oled屏幕点缺陷判定方法、装置、存储介质及电子设备
KR102420993B1 (ko) * 2020-06-30 2022-07-15 참엔지니어링(주) 리페어 장치
US11506633B2 (en) * 2020-07-24 2022-11-22 Dell Products L.P. System and method for service life management based on proactive remediation of corrosion enhancing defects
KR102347200B1 (ko) 2020-10-08 2022-01-06 주식회사 온옵틱스 모노카메라와 편광광원을 이용한 비등방성 물질 검사장치 및 검사방법
KR102347199B1 (ko) 2020-10-08 2022-01-06 주식회사 온옵틱스 편광카메라와 편광광원을 이용한 비등방성 물질 검사장치 및 검사방법
KR102449037B1 (ko) * 2020-12-28 2022-09-29 서강대학교산학협력단 물질 접합구조 측정시스템 및 이를 이용한 측정방법
CN113305098B (zh) * 2021-05-25 2022-11-29 云南电网有限责任公司电力科学研究院 一种均压电极垢样检测及去除装置和使用方法
KR20230132671A (ko) * 2022-03-08 2023-09-18 삼성디스플레이 주식회사 표시패널의 제조방법
DE102022113313A1 (de) * 2022-05-25 2023-11-30 Mb Automation Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und verfahren zum sensorbasierten inspizieren eines objekts
CN114812452A (zh) * 2022-06-14 2022-07-29 芜湖东旭光电科技有限公司 玻璃基板检测系统、方法、装置、电子设备及存储介质
KR102591746B1 (ko) * 2023-07-05 2023-10-20 큐알티 주식회사 반도체 테스트 장치 및 그를 이용한 반도체 테스트방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1191967A (zh) * 1997-02-18 1998-09-02 松下电器产业株式会社 用于表面检查的装置和方法
KR20090107314A (ko) * 2008-04-08 2009-10-13 한국영상기술(주) 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10044308A1 (de) * 2000-09-07 2002-03-21 Leica Microsystems Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von Fluoreszenzlicht bei der konfokalen Rastermikroskopie
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
FR2871581B1 (fr) * 2004-06-15 2006-09-08 Arvinmeritor Light Vehicle Sys Systeme de detection d'un obstacle et procede de detection d'un obstacle
KR20110096382A (ko) * 2010-02-22 2011-08-30 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 패널의 증착 및 검사 장치와 그것을 이용한 증착 및 검사방법
KR20150019886A (ko) * 2013-08-16 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1191967A (zh) * 1997-02-18 1998-09-02 松下电器产业株式会社 用于表面检查的装置和方法
KR20090107314A (ko) * 2008-04-08 2009-10-13 한국영상기술(주) 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법

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