CN115274937A - 用于制造显示装置的设备和方法 - Google Patents

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宋大镐
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Abstract

提供了一种显示装置的制造设备和制造方法，所述显示装置的制造设备包括：第一单元，用于将生长基底上的多个发光元件转移到第一膜；第二单元，用于将第一膜延展；第三单元，用于将所述多个发光元件再转移到第二膜；第四单元，用于确定第二膜上的多个发光元件的位置；第五单元，用于将第二膜上的多个发光元件分箱，并且确定来自多个发光元件之中的有效光源；第六单元，被用于在基底上形成多个像素，每个像素包括第一接合电极；第七单元，用于在将一个发光元件转移到一个像素的第一接合电极之后去除第二膜；以及第八单元，用于在一个发光元件上形成第二电极。

Description

用于制造显示装置的设备和方法
本申请要求于2021年4月30日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0056925号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例的多个方面涉及用于制造显示装置的设备和方法。
背景技术
最近，随着已对信息显示的兴趣的增加，正持续进行对显示装置的研究和开发。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例涉及用于制造显示装置的设备和方法，在所述设备中一个发光元件可以一次单独地转移到一个像素。
根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示装置的制造设备包括：第一单元，被构造为将生长基底上的多个发光元件转移到第一膜，以使多个发光元件彼此间隔开第一距离；第二单元，被构造为将第一膜延展，以使第一膜上的多个发光元件中的每个与相邻发光元件间隔开比第一距离大的第二距离；第三单元，被构造为将多个发光元件再转移到第二膜；第四单元，被构造为通过向第二膜上的多个发光元件照射引导激光束来确定多个发光元件的位置；第五单元，被构造为将第二膜上的多个发光元件分箱，并且确定来自多个发光元件之中的有效光源；第六单元，被构造为在基底上形成多个像素，每个像素包括一个或更多个晶体管、电连接到来自一个或更多个晶体管之中的晶体管的第一电极和在第一电极上的第一接合电极；第七单元，被构造为在通过使用激光发射照射激光束来将一个发光元件转移到一个像素的第一接合电极之后去除第二膜；以及第八单元，被构造为在一个发光元件上形成第二电极。
在实施例中，多个发光元件中的每个可以包括在长度方向上的第一端部和第二端部，第一端部可以被构造为接触第一电极上的第一接合电极以电连接到第一电极，并且第二端部可以被构造为接触第二电极以电连接到第二电极。
在实施例中，多个发光元件中的每个可以包括：第二接合电极，位于第一端部处，并且被构造为接触第一接合电极以电连接到第一接合电极；辅助层，位于第二端部处，并且被构造为接触第二电极以电连接到第二电极；第二半导体层，位于第二接合电极上；第一半导体层，位于辅助层与第二半导体层之间；以及活性层，位于第一半导体层与第二半导体层之间。第一半导体层可以是掺杂有N型杂质的N型半导体层，并且第二半导体层可以是掺杂有P型杂质的P型半导体层。
在实施例中，多个发光元件中的每个的第一端部可以在第一单元中接触第一膜；并且第一单元可以被构造为将多个发光元件中的每个的第二端部与生长基底分离，以暴露多个发光元件中的每个的第二端部。
在实施例中，第二距离可以为10μm或更大，并且可以比激光发射的尺寸大。
在实施例中，第一膜可以包括可延展的材料，并且可以包括第一接合层和在第一接合层上的第一基体基底；第一接合层可以接触多个发光元件中的每个的第一端部，并且可以包括具有粘性的材料；并且第一基体基底可以支撑接触第一接合层的多个发光元件，并且可以包括聚烯烃、聚氯乙烯(PVC)、弹性体硅树脂、弹性体聚氨酯和弹性体聚异戊二烯中的至少一种。
在实施例中，第一膜可以被延展，使得多个发光元件的密度与多个像素的第一接合电极的密度对应。
在实施例中，第四单元可以包括图像传感器，并且第四单元可以被构造为基于照射到多个发光元件和第二膜的引导激光束是否流到图像传感器来确定多个发光元件的位置。
在实施例中，多个发光元件中的每个还可以包括在第二半导体层与第二接合电极之间的反射电极；并且反射电极可以被构造为反射照射到多个发光元件的引导激光束，以防止引导激光束穿过其上定位有多个发光元件的第二膜。
在实施例中，第一单元可以被构造为使用激光剥离方法或化学剥离方法将生长基底与多个发光元件分离，以暴露多个发光元件中的每个的第二端部。
在实施例中，在第三单元中，第二膜可以位于多个发光元件中的每个的暴露的第二端部的上部处；并且第三单元可以被构造为将多个发光元件再转移到第二膜，使得多个发光元件中的每个的第二端部接触第二膜。
在实施例中，第七单元可以被构造为将一个像素的第一接合电极和一个发光元件的第二接合电极彼此接合。
在实施例中，在第八单元中，一个发光元件的第二端部可以被暴露；并且第八单元被可以构造为形成覆盖一个发光元件的部分的堤，并且在堤上形成第二电极。
在实施例中，第七单元可以被构造为通过一个激光发射将一个发光元件转移到一个像素的第一接合电极。
在实施例中，生长基底可以包括：第一生长基底，在第一生长基底上生长一个或更多个第一发光元件，第一发光元件被构造为发射红色光；第二生长基底，在第二生长基底上生长一个或更多个第二发光元件，第二发光元件被构造为发射绿色光；以及第三生长基底，在第三生长基底上生长一个或更多个第三发光元件，第三发光元件被构造为发射蓝色光。
在实施例中，来自一个或更多个第一发光元件之中的第一发光元件可以经过第一单元至第七单元被转移到来自多个像素之中的第一像素的第一接合电极；来自一个或更多个第二发光元件之中的第二发光元件可以经过第一单元至第七单元被转移到来自多个像素之中的第二像素的第一接合电极；并且来自一个或更多个第三发光元件之中的第三发光元件可以经过第一单元至第七单元被转移到来自多个像素之中的第三像素的第一接合电极。
在实施例中，多个像素中的每个可以包括发射区域和与发射区域相邻的非发射区域，在发射区域中将定位有一个发光元件；第八单元可以被构造为在多个像素中的每个的第二电极上形成上基底；并且上基底可以包括：光转换图案层，位于第二电极的上部处，以与来自多个像素之中的对应像素的发射区域对应；以及光阻挡图案，位于第二电极的上部处，以与来自多个像素之中的对应像素的非发射区域对应。
根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示装置的制造方法包括：将在生长基底上生长的多个发光元件转移到第一膜上，以使多个发光元件彼此间隔开第一距离；通过使用延展装置将第一膜延展，以使第一膜上的多个发光元件中的每个与相邻发光元件间隔开比第一距离大的第二距离；将在第一膜上彼此间隔开第二距离的多个发光元件再转移到第二膜；通过照射引导激光束来确定第二膜上的多个发光元件的位置；去除来自第二膜上的多个发光元件之中的无效光源，并且将多个发光元件分箱；在基底上形成多个像素，多个像素中的每个包括一个或更多个晶体管、电连接到来自一个或更多个晶体管之中的晶体管的第一电极以及第一电极上的接合电极；通过使用激光发射照射激光束，将第二膜上的多个发光元件中的每个转移到来自多个像素之中的对应像素的对应接合电极；将被转移的发光元件中的每个接合到对应像素的对应接合电极；以及在被转移的发光元件中的每个上形成第二电极。
在实施例中，第二距离可以为10μm或更大，并且可以比激光发射的尺寸大。
在实施例中，第一膜可以被延展，使得多个发光元件的密度与所述多个像素的接合电极的密度对应。
根据本公开的一个或更多个实施例，通过将发光元件转移到第一膜，使第一膜延展，然后确保相邻发光元件之间的足够距离以一次一个地用单个激光发射将仅一个发光元件转移到每个像素的接合电极上，可以能够提供一种用于制造显示装置的设备和方法，在所述设备和方法中可以减少在转移工艺期间可能丢失的发光元件的数量。
另外，根据本公开的一个或更多个实施例，可以提供一种用于制造显示装置的设备和方法，在所述设备和方法中通过一次将一个发光元件转移到一个像素的接合电极上来降低工艺缺陷率。
此外，根据本公开的一个或更多个实施例，通过将第一膜上的发光元件再转移到第二膜，然后照射引导激光以确定发光元件的位置，可以提供一种用于制造显示装置的设备和方法，在所述设备和方法中可以容易地控制在将每个发光元件转移到接合电极上时使用的激光发射的位置。
然而，本公开的方面和特征不限于上述方面和特征，其他方面和特征可以包括在本说明书中。
附图说明
通过以下参照附图的说明性的非限制性示例实施例的详细描述，本公开的以上和其他方面和特征将被更加清楚地理解。
图1示出了根据本公开的实施例的显示装置的制造设备的示意图。
图2至图3示意性地示出了在图1的生长基底上生长的发光元件。
图4至图5示意性地示出了将发光元件转移到图1的第一单元中的第一膜的方法。
图6至图8示意性地示出了使图1的第二单元中的第一膜延展的方法。
图9至图10示意性地示出了将发光元件再转移到图1的第三单元中的第二膜的方法。
图11示意性地示出了确定图1的第四单元中的第二膜上的发光元件的位置的方法。
图12示意性地示出了对在图1的第五单元中的第二膜上的发光元件进行分箱的方法。
图13至图14示意性地示出了将第二膜上的发光元件转移到图1的第七单元中的每个像素的第二接合电极上的方法。
图15至图16示意性地示出了在图1的第八单元中的发光元件上形成堤和第二电极的方法。
图17至图18示意性地示出了通过使用图1的显示装置的制造设备在像素中设置的发光元件。
图19A示出了通过使用图1中所示的显示装置的制造设备最终完成的显示装置的示意性透视图。
图19B示出了图19A的显示装置的示意性剖视图。
图20示出了根据本公开的实施例的显示面板的示意性俯视平面图。
图21至图22示出了根据本公开的一个或更多个实施例的显示面板的示意性剖视图。
图23示出了根据实施例的包括在图20中所示的每个像素中的构成元件之间的电连接关系的电路图。
图24示意性地示出了图23中所示的像素的晶体管(例如，第一晶体管)与发光元件之间的连接结构的示意性剖视图。
图25至图26示出了根据本公开的一个或更多个实施例的像素的示意性剖视图。
图27示出了沿着图20的线I-I’截取的剖视图。
图28示出了图20的显示装置的制造方法的流程图。
图29至图32示出了根据本公开的实施例的显示装置的应用示例。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，在附图中同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的方式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其冗余描述。
当可以不同地实现某个实施例时，具体的工艺顺序可以不同于描述的顺序。例如，可以同时或基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于解释，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语除了包括图中描绘的方位之外，还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果翻转图中的装置，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件于是将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且，应当相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个居间元件或层。类似地，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，该元件、区域或层可以直接电连接到所述另一元件、区域或层，或者可以间接电连接到所述另一元件、区域或层且一个或更多个居间层、区域或元件在它们之间。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本公开的限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一”和“一个(种/者)”意图也包括复数形式。还将理解的是，当术语“包含”、“包括”、“具有”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B或者A和B。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时，这样的表述修饰整列元件而不修饰所述列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变型。
如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景下和/或本说明书中的含义一致的含义，而不应以理想化或者过于形式化的意义来解释，除非在这里明确如此定义。
图1示出了根据本公开的实施例的显示装置的制造设备1的示意图。图2至图3示意性地示出了在图1的生长基底101上生长的发光元件LD。图4至图5示意性地示出了将发光元件LD转移到图1的第一单元100中的第一膜10的方法。图6至图8示意性地示出了使在图1的第二单元200中的第一膜10延展的方法。图9至图10示意性地示出了将发光元件LD再转移到图1的第三单元300中的第二膜20的方法。图11示意性地示出了确定图1的第四单元400中的第二膜20上的发光元件LD的位置的方法。图12示意性地示出了对在图1的第五单元500中的第二膜20上的发光元件LD进行分箱的方法。图13至图14示意性地示出了将第二膜20上的发光元件LD转移到图1的第七单元700中的每个像素的第二接合电极BDE2上的方法。图15至图16示意性地示出了在图1的第八单元800中的发光元件LD上形成堤BNK和第二电极CE的方法。
为了更好地理解和易于描述，在图1至图16中，生长基底101的厚度方向和发光元件LD的长度方向被示出为第三方向DR3。
参照图1至图16，根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的制造设备1可以包括第一单元100至第八单元800(例如，第一台区域(或第一腔室)至第八台区域(或第八腔室))。单独的输送构件、连接构件等可以定位在各个单元之间以连接各个单元。
显示装置的制造设备1除了包括上述单元之外还可以包括其他单元。在实施例中，显示装置的制造设备1可以包括用于制造用于显示图像的显示装置的所有合适的设备和结构。
在实施例中，第一单元100可以包括用于将从装载单元(例如，装载装置)输送的生长基底101上的发光元件LD转移到第一膜10的转移单元(例如，转移装置)。单独的移动构件(诸如以输送机等为例)可以安装在装载单元中，以将生长基底101输送到第一单元100。
如图2和图3中所示，发光元件LD可以被制造并定位在生长基底101上。
生长基底101可以形成为导电基底或绝缘基底。例如，生长基底101可以包括蓝宝石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种(例如，可以由蓝宝石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种制成)。
每个发光元件LD可以根据在第一端部EP1与第二端部EP2之间流动的电流根据电子和空穴的复合来发射光。因此，每个发光元件LD可以用作包括像素PXL的各种发光装置的光源(或发光源)。
每个发光元件LD可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。在一些实施例中，发光元件LD还可以包括辅助层15。辅助层15可以定位在第一半导体层11上。每个发光元件LD可以被实现为其中辅助层15、第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13顺序地堆叠在生长基底101上的竖直型发光层叠体。
发光元件LD可以被设置为具有在一个方向上延伸的形状。当发光元件LD的延伸方向是长度方向时，发光元件LD可以沿着长度方向包括第一端部EP1和第二端部EP2。在实施例中，长度方向可以与生长基底101的厚度方向(例如，第三方向DR3)平行或基本上平行。定位在第二半导体层13上的第一接合电极BDE1可以定位在发光元件LD的第一端部EP1处，辅助层15可以定位在发光元件LD的第二端部EP2处。然而，本公开不限于此，在一些实施例中，可以省略辅助层15，在这种情况下，第一半导体层11可以定位在发光元件LD的第二端部EP2处。
例如，发光元件LD可以包括被制造为具有纳米级至微米级的直径和/或长度L的发光二极管(LED)。发光元件LD的尺寸可以根据(例如，为满足)发光元件LD应用到的照明装置和自发光显示装置的要求或设计条件而不同地修改。
在一些实施例中，辅助层15可以堆叠在生长基底101上，并且可以包括掺杂有杂质的氮化镓(GaN)半导体材料。辅助层15可以被设置为保护活性层12免受在制造发光元件LD(诸如以竖直发光元件LD为例)的方法中由激光剥离工艺引起的光的影响，但是本公开不限于此。可以选择性地设置辅助层15。例如，当发光元件LD与生长基底101分离时，辅助层15可以保留在生长基底101上。另外，在一些实施例中，辅助层15可以包括(例如，可以是)与第一半导体层11一体地形成的半导体层。在这种情况下，辅助层15可以包括(例如，可以是)N型半导体层。
例如，第一半导体层11可以包括至少一个N型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种的半导体材料，并且可以是掺杂有第一导电掺杂剂(或N型掺杂剂)(诸如以Si、Ge、Sn等为例)的N型半导体层。然而，包括在第一半导体层11中的材料不限于此，第一半导体层11可以包括各种合适的材料(例如，可以由各种合适的材料制成)。在本公开的实施例中，第一半导体层11可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(或N型掺杂剂)的氮化镓(GaN)半导体材料。在一些实施例中，第一半导体层11可以与辅助层15一起形成发光元件LD中的每个的N型半导体层。
活性层12设置在第一半导体层11上，并且可以是电子和空穴彼此复合的区域。当电子和空穴在活性层12中彼此复合时，它们可以转换到低能级，因此，可以产生具有与其对应的波长的光。活性层12可以包括例如具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的构成式的半导体材料(例如，可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的构成式的半导体材料制成)，并且可以被形成为具有单量子阱结构或多量子阱结构。例如，当活性层12由多量子阱结构形成时，活性层12可以具有其中构成一个单元的势垒层、应变增强层和阱层周期性地重复堆叠的结构。然而，活性层12的结构和材料不限于上述结构和材料。活性层12可以包括接触第一半导体层11的第一表面和接触第二半导体层13的第二表面。
第二半导体层13设置在活性层12的第二表面上，并且在活性层12中提供空穴。第二半导体层13可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个P型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(或P型掺杂剂)(诸如以Mg、Zn、Ca、Sr和/或Ba为例)的P型半导体层。然而，包括在第二半导体层13中的材料不限于此，第二半导体层13可以由各种合适的材料形成。在本公开的实施例中，第二半导体层13可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(或P型掺杂剂)的氮化镓(GaN)半导体材料。
每个发光元件LD可以包括定位在第二半导体层13上的对应的第一接合电极BDE1。第一接合电极BDE1可以接合到每个像素的第一电极AE上的第二接合电极BDE2，以使发光元件LD和每个像素PXL的第一电极AE彼此电连接。第一接合电极BDE1可以包括共晶金属(例如，可以由共晶金属制成)。例如，第一接合电极BDE1可以包括包含锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)的组合(例如，由锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)的组合制成)的SAC305焊料，或者包括金(Au)和锡(Sn)的组合(例如，由金(Au)和锡(Sn)的组合制成)的Au-Sn焊料，但本公开不限于此。
根据实施例，每个发光元件LD可以设置有定位在第二半导体层13与第一接合电极BDE1之间的单独的反射电极RMTL，以在发光元件LD的上方向上反射从第四单元400照射的引导激光束。
反射电极RMTL可以包括具有合适的反射率(例如，预定的反射率)的导电材料(例如，可以由具有合适的反射率(例如，预定的反射率)的导电材料制成)。导电材料可以包括不透明金属。不透明金属可以包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)和/或其合金，但是反射电极RMTL的材料不限于上述材料。
每个发光元件LD还可以包括绝缘膜IL。然而，在一些实施例中，可以省略绝缘膜IL，并且/或者绝缘膜IL可以被设置为仅覆盖发光元件LD的一部分。
绝缘膜IL可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜IL可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化铪(HfOx)、氧化钛锶(SrTiOx)、氧化钴(CoxOy)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnOx)、氧化钌(RuOx)、氧化镍(NiO)、氧化钨(WOx)、氧化钽(TaOx)、氧化钆(GdOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钒(VxOy)、ZnO:Al、ZnO:B、InxOy:H、氧化铌(NbxOy)、氟化镁(MgFx)、氟化铝(AlFx)、alucone聚合物膜、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铝(AlNx)、氮化镓(GaN)、氮化钨(WN)、氮化铪(HfN)、氮化铌(NbN)、氮化钆(GdN)、氮化锆(ZrN)和氮化钒(VN)中的一种或更多种，但本公开不限于此。并且可以使用具有绝缘性质的各种合适的材料作为绝缘膜IL的材料。
绝缘膜IL可以以单层(或单层膜)的形式设置，或者可以以包括双层的多层(或多层膜)的形式设置。例如，当绝缘膜IL被构造为包括顺序地堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层的双层时，第一绝缘层和第二绝缘层可以包括彼此不同的材料(或物质)(例如，可以由彼此不同的材料(或物质)制成)，并且可以通过彼此不同的工艺形成。在一些实施例中，第一绝缘层和第二绝缘层可以包括彼此相同的材料以通过连续工艺形成。
绝缘膜IL可以防止或基本上防止当活性层12接触除第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料时可能发生的电短路。绝缘膜IL可以减少发光元件LD的表面缺陷，以改善发光元件LD的寿命和发光效率。另外，当多个发光元件LD紧密地设置在生长基底101上时，绝缘膜IL可以防止或基本上防止可能在发光元件LD之间发生的不希望的短路。然而，本公开不限于此，并且只要活性层12可以防止或基本上防止引起与外部导电材料的短路，就可以根据需要或期望设置或者不设置绝缘膜IL。
绝缘膜IL可以以完全地围绕第二半导体层13、活性层12、第一半导体层11和辅助层15的外周向表面(例如，环绕第二半导体层13、活性层12、第一半导体层11和辅助层15的外周向表面的外围)的形式设置，但是本公开不限于此。绝缘膜IL可以不围绕第一接合电极BDE1的外周向表面，使得第一接合电极BDE1可以暴露于外部以与第二接合电极BDE2接合。
形成在生长基底101上的多个发光元件LD可以通过使用激光等沿着切割线被切割或者可以通过蚀刻工艺单独地分离，多个发光元件LD可以在其中它们可以通过激光剥离工艺与生长基底101分离的状态下。
在图2中，“P”是指在生长基底101上的发光元件LD之间的间距间隔，“S”是指发光元件LD之间(例如，发光元件LD中的相邻发光元件之间)的分离距离，“W”是指发光元件LD的宽度。图2示出了发光元件LD的剖面形状是四边形形状，但是本公开不限于此，可以根据在生长基底101上执行的制造方法形成除了四边形形状的剖面之外的剖面(例如，圆形剖面)形状。
在下文中，将更详细地描述其中每个发光元件LD选择性地包括辅助层15并且辅助层15是掺杂有杂质的半导体层的示例，该半导体层电连接到将在下面参照图16更详细地描述的第二电极CE。
在一些实施例中，在将生长基底101上制造的发光元件LD输送到第一单元100之前，检查单元(例如，检查台)可以确定发光元件LD中是否存在缺陷。检查单元可以包括相机、照明装置和良好/不良确定器(例如，坏/不良确定处理器)。相机可以扫描用于在竖直方向(或发光元件LD的上方向)上对准和检查生长基底101的图像。照明装置可以照射适当的光，使得生长基底101的每个发光元件LD在通过相机扫描期间是可见的。这里，照明装置可以被设置为与相机间隔开。良好/不良确定器控制相机和照明装置以根据合适的检查算法(例如，预定的检查算法)检查生长基底101上的发光元件LD的外观。换言之，良好/不良确定器可以通过比较通过相机扫描的发光元件LD的图像和良好的发光元件LD的图像的图案来确定良好芯片和不良芯片。在这种情况下，作为通过相机扫描的发光元件LD的分析的结果，良好/不良确定器可以生成指示良好芯片和不良芯片的地图数据。然而，针对生长基底101上的发光元件LD的良好或不良的确定不限于此。
生长基底101上的对其已经完成了良好或不良确定的发光元件LD可以被输送到第一单元100。
第一单元100通过将第一膜10布置在生长基底101上的发光元件LD上来将第一膜10和发光元件LD彼此连接(例如，结合或附着)。第一膜10可以被构造为在执行后续工艺(例如，诸如在TFT阵列基底(例如，图13中的“ARY”，其可以是包括基底SUB、像素电路层PCL、第一电极AE和第二接合电极BDE2的结构)上转移(或布置)发光元件LD的工艺)之前在期望的位置处(例如，在预定的位置处)提供发光元件LD。
在实施例中，第一膜10(例如，供体膜)可以包括可延展材料(或物质)(例如，可以由可延展材料(或物质)制成)。可延展材料可以是例如聚烯烃、聚氯乙烯(PVC)、弹性体硅树脂、弹性体聚氨酯、弹性体聚异戊二烯等，但本公开不限于此。
第一膜10可以包括第一基体基底10b和设置在第一基体基底10b上的第一接合层10a。
第一基体基底10b可以是透明的使得从光源发射的光可以透射过第一基体基底10b，并且可以包括具有适当光学性质和足够机械稳定性的材料(例如，可以由具有适当光学性质和足够机械稳定性的材料制成)。例如，第一基体基底10b可以包括(例如，可以为)玻璃基底、石英基底和/或合成树脂基底，所述合成树脂基底包括具有优异光透射率的透明聚合物材料(例如，由具有优异光透射率的透明聚合物材料制成)(诸如以聚酯、聚丙烯酸、聚环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯为例)。然而，本公开不限于此。
第一接合层10a可以包括用于接合发光元件LD的转移材料(例如，可以由用于接合发光元件LD的转移材料制成)(诸如以粘合材料为例)。第一接合层10a可以包括例如聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。包括在第一接合层10a中的粘合材料可以是当向其施加紫外(UV)光或热时其粘性改变的材料，因此，第一接合层10a可以容易地从转移材料分离。然而，包括在第一接合层10a中的材料不限于上述材料。
在实施例中，第一接合层10a可以包括在第三方向DR3上具有约5μm至100μm的厚度的高模量硅树脂粘合剂，第一基体基底10b可以包括在第三方向DR3上具有约50μm至1000μm的厚度的聚氯乙烯(PVC)。
第一单元100可以将第一膜10和生长基底101设置为彼此相邻，使得第一膜10的第一接合层10a面对生长基底101上的发光元件LD的上部。因此，形成在生长基底101上的多个发光元件LD可以粘合到第一膜10的第一接合层10a。
在第一单元100中，如图4中所示，发光元件LD中的每个的第二端部EP2可以接触生长基底101，发光元件LD中的每个的第一端部EP1可以接触第一膜10的第一接合层10a。换言之，在第一单元100中，发光元件LD中的每个的辅助层15可以接触生长基底101，发光元件LD中的每个的第一接合电极BDE1可以接触第一膜10。
参照图5，在第一单元100中，可以通过合适的方法(诸如以激光剥离(LLO)工艺或化学剥离(CLO)工艺为例)将生长基底101与多个发光元件LD分离。然而，生长基底101的分离方法不限于此。
可以将与生长基底101分离的发光元件LD的位置临时固定在第一接合层10a上。例如，多个发光元件LD可以彼此相距第一距离D1(或未变形距离)地设置。换言之，发光元件LD中的每个可以在第一膜10的第一接合层10a上与相邻发光元件LD间隔开第一距离D1。在实施例中，第一距离D1可以指在第一膜10上彼此相邻的发光元件LD之间的最短分离距离。例如，发光元件LD中的每个可以在第一膜10上在一个方向(例如，平面上的水平方向或竖直方向)上与同其相邻的对应发光元件LD间隔开第一距离D1。
与生长基底101分离并被转移到第一膜10的发光元件LD可以被输送到第二单元200。
第二单元200可以通过使用如图8中所示的延展装置50使第一膜10延展。例如，可以在二维方向上使第一膜10延展，二维方向包括第一方向(例如，图7中的水平方向)和与第一方向垂直或基本上垂直的第二方向(例如，图7中的竖直方向)。如图6和图7中所示，随着第一膜10被延展，固定在第一膜10上的多个发光元件LD之间的第一距离D1增加到第二距离D2(或变形距离)。在实施例中，第二单元200可以通过使用延展装置50来使第一膜10二维地延展，使得固定在第一膜10上的多个发光元件LD中的每个可以与相邻发光元件LD间隔开第二距离D2，第二距离D2比第一距离D1大(或宽)。这里，第二距离d2可以是10μm或更大，并且可以被设定为当在第七单元700中通过激光发射(laser shot，LSS)将发光元件LD中的每个转移到TFT阵列基底ARY时不影响相邻发光元件LD的合适距离。第二距离D2的尺寸可以比激光发射的尺寸大。换言之，第二单元200使第一膜10二维地延展，以在第七单元700中将通过一次激光发射(LSS)转移到TFT阵列基底ARY的发光元件LD的数量限制为一个。
上述延展装置50可以包括一对延展器210和220，延展器210和220在第一膜10的宽度方向上分别使多个发光元件LD固定到的第一膜10的端部延伸。一对延展器210和220的形状和设置可以彼此对称或基本上对称。一对延展器210和220可以包括固定到第一膜10的一端(例如，左侧)的第一延展器210和固定到第一膜10的另一端(例如，右侧)的第二延展器220。
第一延展器210可以包括与第一膜10的一端的上表面接触的第1-1延展器210a和与第一膜10的所述一端的下表面接触的第1-2延展器210b。第二延展器220可以包括与第一膜10的另一端的上表面接触的第2-1延展器220a和与第一膜10的所述另一端的下表面接触的第2-2延展器220b。
上述第一延展器210和第二延展器220可以包括不会划伤第一膜10的表面的各种材料之中的合适的材料(例如，可以由不会划伤第一膜10的表面的各种材料之中的合适的材料制成)。例如，金属(诸如不锈钢)或耐热塑料(诸如胶木)可以用于第一延展器210和第二延展器220，但是本公开不限于此。
如图8中所示，在第一延展器210和第二延展器220固定到第一膜10的相应端之后，第一延展器210和第二延展器220可以在由箭头指示的方向(例如，第一膜10的宽度方向)上移动，使得第一膜10可以延展。然而，使第一膜10延展的方法不限于此。
固定在第一膜10上的发光元件LD之间的距离通过由第一膜10的延展产生的张力从第一距离D1延伸到第二距离D2。在实施例中，第一膜10可以被延展为具有与其中多个发光元件LD中的每个形成在TFT阵列基底ARY上的像素PXL(例如，或子像素)的第二接合电极BDE2的密度对应的密度。另外，延展操作可以被重复执行以获得其上设置有具有期望密度的发光元件LD的第一膜10。
通过在第二单元200中使用延展装置50而延展的第一膜10可以被输送到第三单元300。
第三单元300将第二膜20设置在定位于延展的第一膜10上的发光元件LD上，以将发光元件LD再转移到第二膜20，然后去除第一膜10。
第二膜20可以被设置为将发光元件LD中的每个的第一接合电极BDE1暴露于外部。在实施例中，第二膜20可以包括可以通过对激光束反应而容易地与发光元件LD中的每个分离的材料(例如，可以由可以通过对激光束有反应而容易地与发光元件LD中的每个分离的材料制成)。
在实施例中，第二膜20(例如，接合膜)可以包括第二基体基底22和设置在第二基体基底22上的第二接合层21。
第二基体基底22可以是透明的使得从光源发射的光可以透射过第二基体基底22，并且可以包括具有适当光学性质和足够机械稳定性的材料(例如，可以由具有适当光学性质和足够机械稳定性的材料制成)。第二接合层21可以包括用于接合作为再转移材料的发光元件LD的粘合材料(例如，可以由用于接合作为再转移材料的发光元件LD的粘合材料制成)。第二接合层21可以包括具有合适的粘性的材料，并且该材料可以被选择为可以在后续工艺中通过激光照射容易地与发光元件LD分离的材料。
第三单元300可以将第二膜20和第一膜10设置为彼此相邻，使得第二膜20的第二接合层21面对延展的第一膜10上的发光元件LD的上部。因此，设置在延展的第一膜10上的多个发光元件LD可以粘合到第二膜20的第二接合层21。
如图9中所示，在第三单元300中，发光元件LD中的每个的第一端部EP1可以接触第一膜10，发光元件LD中的每个的第二端部EP2可以接触第二膜20的第二接合层21。换言之，在第三单元300中，发光元件LD中的每个的第一接合电极BDE1可以接触第一膜10，发光元件LD中的每个的辅助层15可以接触第二膜20。
参照图10，在第三单元300中，可以通过物理方法使第一膜10与发光元件LD分离。另外，在第三单元300中，在通过照射(辐射)到第一膜10的上表面的激光束或热量来削弱第一接合层10a的粘性之后，第一膜10可以与发光元件LD分离。在这种情况下，发光元件LD中的每个的第一接合电极BDE1可以被暴露。
可以将与第一膜10分离的发光元件LD临时固定在第二接合层21上。再转移到第二膜20的发光元件LD中的每个可以被设置为在第二膜20上与相邻发光元件LD间隔开第二距离(见图6中的“D2”)。
与第一膜10分离并再转移到第二膜20的发光元件LD可以被输送到第四单元400。
第四单元400可以通过将引导激光束照射到再转移到第二膜20的发光元件LD上来检查发光元件LD的位置。例如，在第四单元400中，图像传感器IMC可以设置在第二膜20的后表面上，以根据照射到第二膜20和发光元件LD的引导激光束是否流入来确定第二膜20上的发光元件LD的位置。
照射到发光元件LD的引导激光束被反射电极RMTL向上反射，引导激光束不穿过第二膜20的其处(例如，其中或其上)定位有发光元件LD的一个区域，因此，光可以不流到图像传感器IMC中。在第二膜20的其中未定位发光元件LD的另一区域处(例如，中或上)，因为发光元件LD未定位于其上，所以引导激光束可以穿过第二膜20以流到图像传感器IMC中。
图像传感器IMC可以输出与通过第二膜20接收的光对应的电信号作为感测信号。由图像传感器IMC输出的感测信号可以用于识别第二膜20上的发光元件LD的位置。
可以检查第四单元400中的发光元件LD的位置，从而通过将在第七单元700中使用的激光发射的中心(或中央)控制为定位在发光元件LD中的每个处来减少第七单元700中使用的激光发射的未击中。当激光发射的中心定位在发光元件LD中的每个处时并且当发光元件LD中的每个被转移到TFT阵列基底ARY时，可以能够防止或基本上防止相邻发光元件LD被转移到TFT阵列基底ARY的同一像素(或防止第二接合电极BDE2被转移到TFT阵列基底ARY的同一第一电极AE上)。
在第四单元400中第二膜20上的其位置被确定的发光元件LD可以被输送到第五单元500。
第五单元500可以通过对各种亮度和颜色的发光元件LD进行分箱(binning)(即，根据发光元件LD的特性来对其进行分类)来对它们进行分组，以改善诸如每个像素的亮度和颜色均匀性的光学均匀性特性。另外，第五单元500最终确定来自第二膜20上的发光元件LD之中的有缺陷的发光元件LD(或非有效光源)，以将激光束照射到有缺陷的发光元件LD，使得有缺陷的发光元件LD可以与第二膜20分离。因此，如图12中所示，可以仅将作为有效光源的发光元件LD最终定位在第二膜20上。
在第五单元500中被分箱的发光元件LD可以被输送到第七单元700。
同时，第六单元600可以形成多个像素PXL的TFT阵列基底ARY。更详细地，第六单元600形成包括基底SUB、像素电路层PCL、第一电极AE和第二接合电极BDE2的TFT阵列基底ARY。TFT阵列基底ARY可以包括像素PXL中的每个的基底SUB、形成在基底SUB上的像素电路层PCL、形成在像素电路层PCL上的第一电极AE和形成在第一电极AE上的第二接合电极BDE2。
第一电极AE可以电连接到设置在像素电路层PCL中的至少一个晶体管，以通过后续工艺(将发光元件LD与第二接合电极BDE2接合的工艺)电连接到发光元件LD。
第一电极AE可以包括具有合适的反射率(例如，预定的反射率)的导电材料(或物质)(例如，可以由具有合适的反射率(例如，预定的反射率)的导电材料(或物质)制成)，以在期望的方向上引导从发光元件LD发射的光。导电材料可以包括用于在期望的方向(例如，显示装置的图像显示方向)上反射从发光元件LD发射的光的不透明金属。不透明金属可以包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)和/或其合金。在一些实施例中，第一电极AE也可以包括透明导电材料(或物质)。透明导电材料(或物质)可以包括导电氧化物(诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)为例)和导电聚合物(诸如以聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)为例)。当第一电极AE包括透明导电材料(或物质)时，还可以添加包括不透明金属(例如，由不透明金属制成)的单独导电层，以在显示装置的图像显示方向上反射从发光元件LD中的每个发射的光。然而，第一电极AE的材料不限于上述材料。
第一电极AE可以被设置和/或形成为单层，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第一电极AE可以被设置和/或形成为其中金属、合金、导电氧化物或导电聚合物中的两种或更多种堆叠的多层的层。第一电极AE可以形成为双层或更多层的多层，以最小化或减少在信号(或电压)传输到发光元件LD的第一端部EP1时由于信号延迟导致的失真。
第二接合电极BDE2是将第一电极AE和发光元件LD彼此电连接的介质，并且可以接合到发光元件LD的第一接合电极BDE1。第二接合电极BDE2可以包括与第一接合电极BDE1的材料相同或基本上相同的材料(例如，可由与第一接合电极BDE1相同或基本上相同的材料制成)，但本公开不限于此。在一些实施例中，第二接合电极BDE2可以包括具有恒定或基本上恒定的反射率的导电材料(或物质)(例如，可以由具有恒定或基本上恒定的反射率的导电材料(或物质)制成)。导电材料(或物质)可以包括用于在期望的方向上反射从发光元件LD的活性层12发射的光的不透明金属。不透明金属可以包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)和/或其合金。
形成在第六单元600中的TFT阵列基底ARY可以被输送到第七单元700。
如图13中所示，第七单元700将从第五单元500输送的第二膜20上发光元件LD定位在多个像素PXL的TFT阵列基底ARY上方，然后将发光元件LD转移到TFT阵列基底ARY上。另外，第七单元700将TFT阵列基底ARY中的一些组件与发光元件LD接合，并去除第二膜20。
第七单元700可以将第二膜20上的发光元件LD中的每个单独地转移到TFT阵列基底ARY上的期望位置(例如，预定的位置)(例如，转移到对应像素PXL的对应第一电极AE上的第二接合电极BDE2的上部)。
第七单元700通过使用激光发射将激光束(或激光)照射到第二膜20上的发光元件LD中的每个。在这种情况下，控制激光发射的位置，使得激光发射的中心与发光元件LD对应。作为示例，当在TFT阵列基底ARY上设置20个像素PXL时，第七单元700可以向第二膜20照射具有20次激光发射的激光束，以将一个发光元件LD转移到20个像素PXL中的每个的第二接合电极BDE2的上部。换言之，第七单元700可以用单个激光发射将激光束照射到第二膜20上的一个发光元件LD，以将所述一个发光元件LD转移到一个像素PXL的第二接合电极BDE2上。因此，可以针对每个像素PXL单独地转移一个发光元件LD。
如图14中所示，在将一个对应的发光元件LD转移到像素PXL中的每个之后，第七单元700在TFT阵列基底ARY的后表面上照射激光束(例如，红外激光束IR)，以将发光元件LD中的每个的第一接合电极BDE1接合到TFT阵列基底ARY的对应的第二接合电极BDE2。更详细地，当照射激光束以将发光元件LD中的每个的第一接合电极BDE1接合到TFT阵列基底ARY的对应的第二接合电极BDE2时，可以在第一接合电极BDE1与第二接合电极BDE2之间产生并生长金属间化合物。由于金属间化合物，每个像素PXL的发光元件LD和第一电极AE可以彼此电连接。然而，第一接合电极BDE1和第二接合电极BDE2的接合方法不限于此。接合方法可以是各向异性导电膜(AFC)接合方法、超声波接合方法、球栅阵列(BGA)方法、热压接合(TC)方法等。
第七单元700将激光束照射在第二膜20的上表面上，以使接合到TFT阵列基底ARY的一部分的发光元件LD和第二膜20分离。因此，发光元件LD可以最终转移到TFT阵列基底ARY上。然而，去除第二膜20的方法不限于此。如上所述，当去除第二膜20时，可以暴露定位在与TFT阵列基底ARY接合的发光元件LD中的每个的第二端部EP2处的辅助层15。
在第七单元700中，接合到TFT阵列基底ARY的发光元件LD可以被输送到第八单元800。
在第八单元800中，在发光元件LD上形成堤BNK和第二电极CE。
更详细地，如图15中所示，在第八单元800中，在多个发光元件LD被转移到的TFT阵列基底ARY上形成堤BNK。堤BNK被构造为包括至少一种光阻挡材料和/或反射材料(或散射材料)，以防止或基本上防止光在相邻像素PXL之间泄漏的缺陷。在一些实施例中，堤BNK可以包括(例如，可以是)包含有机材料的有机绝缘膜。例如，堤BNK可以形成为包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等(例如，由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成)的有机绝缘膜。在一些实施例中，堤BNK可以防止或基本上防止氧和湿气渗透到发光元件LD中。
堤BNK可以形成在发光元件LD上以充分覆盖发光元件LD，然后可以被蚀刻以暴露定位在发光元件LD中的每个的第二端部EP2处的辅助层15。
在第八单元800中，如图16中所示，可以在第二端部EP2被暴露的发光元件LD上完全地形成第二电极CE。
第二电极CE可以完全地形成在发光元件LD中的每个的第二端部EP2和堤BNK上。第二电极CE可以接触发光元件LD中的每个的第二端部EP2，以电连接到发光元件LD中的每个的第二端部EP2。例如，第二电极CE可以电连接到定位在发光元件LD中的每个的第二端部EP2处的辅助层15。
第二电极CE可以包括各种合适的透明导电材料(例如，可以由各种合适的透明导电材料制成)，以无损失地透射从发光元件LD发射的光。例如，第二电极CE可以包括各种合适的透明导电材料(或物质)中的至少一种(诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)为例)，并且可以形成为透明或基本上透明或者半透明的以满足合适或期望的光透射率(例如，预定的光透射率)。然而，第二电极CE的材料不限于上述材料。
在第八单元800中，还可以在第二电极CE上形成用于保护第二电极CE的一个或更多个钝化层以及/或者一个或更多个绝缘层。
根据上述实施例中的一个或更多个的显示装置的制造设备1可以在第二单元200中将第一膜10延展以确保发光元件LD之间的距离，可以在第四单元400中精确地确定发光元件LD的位置，然后可以在第七单元700中一次用一个激光发射将一个发光元件LD转移到一个像素PXL。换言之，根据一个或更多个实施例的制造设备1可以一次仅将一个发光元件LD转移到TFT阵列基底ARY的一个像素PXL，因此，可以减少在转移工艺中损失的发光元件LD的数量。
另外，根据上述实施例中的一个或更多个的显示装置的制造设备1允许一次将一个发光元件LD转移到一个像素PXL的第二接合电极BDE2上，因此，可以降低在转移工艺期间可能发生的工艺缺陷率。
此外，根据上述实施例中的一个或更多个的显示装置的制造设备1在第四单元400中照射引导激光束，以通过使用从图像传感器IMC输出的感测信号来精确地确定第二膜20上的发光元件LD的位置，所以可以更容易地控制用于将发光元件LD中的每个转移到TFT阵列基底ARY上的激光发射的位置，以一次单独地将一个发光元件LD转移到对应的像素PXL。
图17和图18示意性地示出了通过使用图1的显示装置的制造设备1而在像素PXL中设置的发光元件LD。
参照图1至图18，多个像素PXL可以包括TFT阵列基底ARY。
TFT阵列基底ARY可以包括基底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL的一部分。显示元件层DPL的一部分可以包括(例如，可以是)第一电极AE，第二接合电极BDE2可以定位在第一电极AE上。可以针对每个像素PXL设置第一电极AE。像素电路层PCL可以包括至少一个晶体管T和至少一个存储电容器Cst。
在实施例中，像素PXL可以包括第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3。第一像素PXL1可以是红色像素，第二像素PXL2可以是绿色像素，第三像素PXL3可以是蓝色像素。
可以在像素PXL中的每个中提供(或设置)一个发光元件LD。例如，可以在第一像素PXL1中设置一个第一发光元件LD1，可以在第二像素PXL2中设置一个第二发光元件LD2，可以在第三像素PXL3中设置一个第三发光元件LD3。
第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以发射彼此不同颜色的光。例如，第一发光元件LD1可以发射红色光，第二发光元件LD2可以发射绿色光，第三发光元件LD3可以发射蓝色光。然而，本公开不限于此，在一些实施例中，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以发射彼此相同颜色的光。例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3均可以发射蓝色光。
可以在对应的生长基底101上制造第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的每个，然后可以通过显示装置的制造设备1将第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的每个转移到TFT阵列基底ARY的对应像素PXL。
可以在第一生长基底101a上制造第一发光元件LD1，然后第一发光元件LD1可以经过显示装置的制造设备1的第一单元100至第七单元700，以被转移到TFT阵列基底ARY的对应的第一像素PXL1的第二接合电极BDE2。
可以在第二生长基底101b上制造第二发光元件LD2，然后第二发光元件LD2可以经过显示装置的制造设备1的第一单元100至第七单元700，以被转移到TFT阵列基底ARY的对应的第二像素PXL2的第二接合电极BDE2。
可以在第三生长基底101C上制造第三发光元件LD3，然后第三发光元件LD3可以经过显示装置的制造设备1的第一单元100至第七单元700，以被转移到TFT阵列基底ARY的对应的第三像素PXL3的第二接合电极BDE2。
图19A示出了通过使用图1中所示的显示装置的制造设备1最终完成的显示装置DD的示意性透视图。图19B示出了图19A的显示装置DD的示意性剖视图。图20示出了根据本公开的实施例的显示面板DP的示意性俯视平面图。图21和图22示出了根据本公开的一个或更多个实施例的显示面板DP的示意性剖视图。
参照图1以及图19A至图22，显示装置DD可以包括显示面板DP和窗WD。
显示装置DD可以以各种合适的形状设置，作为示例，显示装置DD可以以具有两对边的矩形板形状设置，每对边包括彼此平行或基本平行的边，但是本公开不限于此。当显示装置DD以矩形板形状设置时，两对边中的一对边可以被设置为比两对边中的另一对边长。在附图中，显示装置DD被示出为具有由直线形成的成角度的拐角，但是本公开不限于此。在一些实施例中，以矩形板的形状设置的显示装置DD可以具有一条长边和一条短边在其处彼此接触的具有倒圆或弯曲形状的拐角部。
在实施例中，为了便于说明，示出了其中显示装置DD具有矩形形状的情况，该矩形形状具有一对长边和一对短边，长边的延伸方向被指示为第二方向DR2，短边的延伸方向被指示为第一方向DR1，显示装置DD的厚度方向被指示为第三方向DR3。第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以分别指由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的不同方向。
在实施例中，显示装置DD的至少一部分可以具有柔性，显示装置DD可以在具有柔性的部分处被折叠。显示装置DD可以包括用于显示图像的显示区域DD_DA和设置在显示区域DD_DA的至少一侧处(例如，中或上)的非显示区域DD_NDA。非显示区域DD_NDA是其中不显示图像的区域。在一些实施例中，显示区域DD_DA的形状和非显示区域DD_NDA的形状可以被对应地设计。
在一些实施例中，显示装置DD可以包括感测区域和非感测区域。显示装置DD可以通过感测区域显示图像，并且还可以检测在显示表面(或输入表面)上进行的触摸输入，或者可以检测从前方入射的光。非感测区域可以围绕感测区域(例如，环绕感测区域的外围)，但是本公开不限于此。在一些实施例中，显示区域DD_DA的部分区域可以与感测区域对应。
显示面板DP可以显示图像。作为显示面板DP的示例，可以使用自发射显示面板(诸如以使用有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示面板(OLED面板)、使用超小发光二极管作为发光元件的纳米级LED显示面板、或使用量子点和有机发光二极管的量子点有机发光显示面板(QDOLED面板)为例)。然而，本公开不限于此，作为显示面板DP的另一示例，可以使用非发射显示面板(诸如以液晶显示面板(LCD面板)、电泳显示面板(EPD面板)或电润湿显示面板(EWD面板)为例)。当非发射显示面板用作显示面板DP时，显示装置DD可以设置有向显示面板DP供应光的单独光源(诸如以背光或背光单元为例)。
显示面板DP可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个像素PXL。
基底SUB可以由具有近似矩形形状的一个区域形成。然而，设置在基底SUB中的区域的数量可以与上述示例不同，基底SUB的形状可以根据设置在基底SUB中的区域而具有不同的形状。
基底SUB可以包括绝缘材料(例如，可以由绝缘材料制成)(诸如以玻璃或树脂为例)。另外，基底SUB可以包括柔性材料(例如，可以由柔性材料制成)以可弯曲和/或可折叠，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，柔性材料可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，包括在基底SUB中的材料不限于上述示例。
基底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其处(例如，中或上)设置像素PXL以显示图像的区域，非显示区域NDA可以是其中未设置有像素PXL并且不显示图像的区域。
基底SUB(或显示面板DP)的显示区域DA与显示装置DD的显示区域DD_DA对应，基底SUB(或显示面板DP)的非显示区域NDA可以与显示装置DD的非显示区域DD_NDA对应。非显示区域NDA可以与显示装置DD的边框区域对应。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧处(例如，中或上)。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的外周(或边缘)(例如，环绕显示区域DA的外周(或边缘)的外围)。非显示区域NDA可以设置有连接到像素PXL的布线部的部分和连接到布线部分的所述部分以驱动像素PXL的驱动器。
布线部的部分可以将驱动器电连接到像素PXL。布线部的部分向像素PXL中的每个提供信号，并且可以包括(例如，可以是)连接到像素PXL的信号线(诸如以连接到扫描线、数据线等的扇出线为例)。
像素PXL可以设置在基底SUB的显示区域DA处(例如，中或上)。像素PXL中的每个可以是显示图像的最小单元。像素PXL可以包括发射白色光和/或彩色光的发光元件。像素PXL中的每个可以发射来自红色、绿色和蓝色之中的一种颜色的光，但是本公开不限于此，像素PXL中的每个可以发射任何合适颜色(诸如以青色、品红色或黄色为例)的光。
像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的行并且沿着在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素PXL的布置形式不特别限于此，像素PXL可以以各种合适的形式布置。在附图中，像素PXL被示出为具有矩形形状，但是本公开不限于此，像素PXL可以以各种合适的形状设置。另外，当设置多个像素PXL时，像素PXL可以被设置为具有彼此不同的面积(或尺寸)。例如，在其中像素PXL发射不同颜色的光的情况下，发射彼此相同颜色的光的像素PXL可以被设置为具有与其他像素的面积(或尺寸)或形状不同的面积(或尺寸)或不同的形状。
驱动器可以通过布线部向每个像素PXL提供信号(例如，预定的信号)和电源(例如，预定的电源)，从而控制像素PXL的驱动。
如图21中所示，显示面板DP可以包括顺序地定位在基底SUB上的像素电路层PCL、显示元件层DPL和覆盖层CVL。
像素电路层PCL设置在基底SUB上，并且可以包括多个晶体管、连接到晶体管的信号线以及电力线(例如，预定的电力线)。例如，每个晶体管可以具有其中半导体层、栅电极、第一端子和第二端子顺序地堆叠且绝缘层置于它们之间的结构。半导体层可以包括非晶硅、多晶硅、低温多晶硅和/或有机半导体。栅电极、第一端子和第二端子可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和钼(Mo)中的一种，但是本公开不限于此。另外，像素电路层PCL可以包括各种合适的绝缘层中的一个或更多个。
显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上。显示元件层DPL可以包括发射光的发光元件LD。发光元件LD可以具有与上面参照图1至图18描述的发光元件LD之一的结构相同或基本上相同的结构。
覆盖层CVL可以选择性地设置在显示元件层DPL上。覆盖层CVL可以包括(例如，可以为)封装基底或多层封装膜。当覆盖层CVL为封装膜的形式时，它可以包括无机膜和/或有机膜。例如，覆盖层CVL可以具有其中无机膜、有机膜和无机膜顺序地堆叠的结构。覆盖层CVL可以防止或基本上防止外部空气和湿气渗入到显示元件层DPL和像素电路层PCL中。
在一些实施例中，如图22中所示，光转换图案层LCP可以选择性地设置在覆盖层CVL上。光转换图案层LCP可以使用量子点来改变从显示元件层DPL发射的光的波长(或颜色)，并且可以使用滤色器来选择性地透射特定波长(或特定颜色)的光。下面将参照图25和图26更详细地描述光转换图案层LCP。
用于保护显示面板DP的暴露的表面的窗WD可以设置在显示面板DP上。窗WD可以保护显示面板DP免受外部冲击，并且可以向用户提供输入表面和/或显示表面。窗WD可以通过使用光学透明粘合剂OCA与显示面板DP组合(例如，可以通过使用光学透明粘合剂OCA附着到显示面板DP)。
窗WD可以具有选自玻璃基底、塑料膜和/或塑料基底的多层结构。这种多层结构可以通过连续工艺或使用粘合层的粘合工艺形成。窗WD可以是完全地或部分地柔性的。
触摸传感器(或输入感测层)可以设置在显示面板DP与窗WD之间。触摸传感器可以直接设置在显示面板DP的其上显示图像的表面上，以接收用户的触摸输入。
图23示出了根据实施例的包括在图20中所示的每个像素PXL中的构成元件之间的电连接关系的电路图。
例如，图23示出了根据实施例的包括在应用于有源矩阵型显示装置的像素PXL中的构成元件之间的电连接关系。然而，根据本公开的实施例的包括在像素PXL中的构成元件的类型不限于此。
在图23中，包括在图20中所示的像素PXL中的构成元件以及其中设置有构成元件的区域被综合地称为像素PXL。图23中所示的像素PXL可以是设置在图20的显示面板DP(或者图19A和图19B的显示装置DD)处(例如，中或上)的像素PXL中的一个，像素PXL可以具有彼此相同或基本上相同(或相似)的结构。
参照图1至图23，像素PXL可以包括产生具有与数据信号对应的亮度的光的发光单元EMU(例如，发光部分或发光装置)。另外，像素PXL还可以选择性地包括用于驱动发光单元EMU的像素电路PXC。
在一些实施例中，发光单元EMU可以包括连接在第一驱动电源VDD的电压施加到的第一电力线PL1与第二驱动电源VSS的电压施加到的第二电力线PL2之间的发光元件LD。例如，发光单元EMU可以包括连接在第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件LD。在实施例中，第一电极AE可以是阳极，第二电极CE可以是阴极。
包括在发光单元EMU中的发光元件LD可以包括通过第一电极AE连接到第一驱动电源VDD的第一端部和通过第二电极CE连接到第二驱动电源VSS的第二端部。第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有彼此不同的电位。例如，第一驱动电源VDD可以被设定为高电位电源，第二驱动电源VSS可以被设定为低电位电源。在这种情况下，在像素PXL的发光时段期间，第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS之间的电位差可以被设定为等于或高于发光元件LD的阈值电压。
如上所述，连接在分别供应不同电位的电压的第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件LD可以构成有效光源，并且可以实现每个像素PXL的发光单元EMU。
发光元件LD可以发射具有与通过像素电路PXC供应的驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧时段期间，像素电路PXC可以向发光单元EMU供应与对应帧数据的灰度值对应的驱动电流。供应到发光单元EMU的驱动电流可以在发光元件LD中流动。因此，当发光元件LD发射具有与驱动电流对应的亮度的光时，发光单元EMU可以发射光。
像素电路PXC可以连接到像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。例如，当像素PXL设置在显示面板DP(或基底SUB)的显示区域DA的第i行(i为正整数)和第j列(j为正整数)时，像素PXL的像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。在一些实施例中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。但是，像素电路PXC的结构不限于图23中所示的实施例的结构。
第一晶体管T1可以是用于控制施加到发光单元EMU的驱动电流的驱动晶体管，并且可以连接在发光单元EMU与第一驱动电源VDD之间。更详细地，第一晶体管T1的第一端子可以连接(或结合)到发光单元EMU，第一晶体管T1的第二端子可以通过第一电力线PL1连接到第一驱动电源VDD，第一晶体管T1的栅电极可以连接(或结合)到第一节点N1。第一晶体管T1可以根据连接到第一节点N1的电压来控制从第一驱动电源VDD流到发光单元EMU的驱动电流的量。
第二晶体管T2可以是响应于施加到扫描线Si的扫描信号而选择像素PXL以激活像素PXL的开关晶体管，并且可以连接在数据线Dj与第一节点N1之间。第二晶体管T2的第一端子可以连接(或结合)到数据线Dj，第二晶体管T2的第二端子可以连接(或结合)到第一节点N1，第二晶体管T2的栅电极可以连接(或结合)到扫描线Si。第二晶体管T2的第一端子和第二端子是不同的端子，例如，当第一端子是源电极时，第二端子可以是漏电极。
第二晶体管T2在从扫描线Si供应能够使第二晶体管T2导通的电压(例如，低电压)的扫描信号时导通，以使数据线Dj与第一节点N1彼此电连接。在这种情况下，对应帧的数据信号供应到数据线Dj，因此，数据信号传输到第一节点N1。传输到第一节点N1的数据信号充入在存储电容器Cst中。
存储电容器Cst的一个电极可以连接(或结合)到第一驱动电源VDD，存储电容器Cst的另一个电极可以连接(或结合)到第一节点N1。存储电容器Cst可以充有与供应到第一节点N1的数据信号对应的数据电压，并且可以保持或基本上保持所述充电电压，直到下一帧的数据信号被供应。
图23示出了像素电路PXC，像素电路PXC包括用于将数据信号传输到像素PXL中的第二晶体管T2、用于存储数据信号的存储电容器Cst和用于向发光元件LD供应与数据信号对应的驱动电流的第一晶体管T1。
然而，本公开不限于此，如本领域普通技术人员将理解的，像素电路PXC的结构可以被不同地修改。
图24示意性地示出了图23中所示的像素PXL的晶体管T(例如，第一晶体管T1)与发光元件LD(例如，发光单元EMU)之间的连接结构的示意性剖视图。
在图24中，为了更好地理解和易于说明，剖视图中基底SUB的厚度方向由第三方向DR3表示。
另外，两个元件之间的术语“连接”可以全面地指电连接和物理连接两者，但是本公开不限于此。
此外，短语“形成和/或设置在同一层处(例如，中或上)”可以意指在同一工艺中形成，短语“形成和/或设置在另一层处(例如，中或上)”可以意指在不同工艺中形成，但是本公开不限于此。
在图24中，为了方便，示出了一个像素PXL的简化结构，但是本公开不限于此。
参照图1至图18以及图24，根据实施例的每个像素PXL可以设置和/或定位在设置于基底SUB上的对应像素区域PXA处(例如，中或上)。像素区域PXA是显示区域DA的区域，并且可以包括发射区域EMA和非发射区域NEMA。
如上所述，像素PXL可以包括基底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
一个或更多个绝缘层以及一个或更多个导电层可以设置在基底SUB上。绝缘层可以包括例如顺序地设置在基底SUB上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和钝化层PSV。导电层可以包括定位在绝缘层之间的一个或更多个导电层。
因为基底SUB可以具有与上面参照图20描述的基底SUB的构造相同或基本相同的构造，所以可以不重复其冗余描述。
像素电路层PCL可以包括缓冲层BFL、像素电路PXC和钝化层PSV，像素电路PXC包括设置在缓冲层BFL上的晶体管T。
缓冲层BFL可以设置和/或形成在基底SUB的一个表面上。缓冲层BFL可以防止或基本上防止杂质扩散到包括在像素电路PXC中的晶体管T中。缓冲层BFL可以包括包含无机材料的无机绝缘膜。缓冲层BFL可以包括各种合适的无机材料(诸如以氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和/或氧化铝(AlOx)为例)中的至少一种。缓冲层BFL可以被设置为单层，但是本公开不限于此，缓冲层BFL可以被设置为双层或更多层的多层。当缓冲层BFL被设置为多个层时，其各个层可以包括彼此相同或基本上相同的材料或者彼此不同的材料(例如，可以由彼此相同或基本上相同的材料或者彼此不同的材料制成)。然而，本公开不限于此，在一些实施例中，可以根据基底SUB的材料和工艺条件等省略缓冲层BFL。
晶体管T可以包括用于控制发光元件LD的驱动电流的驱动晶体管和电连接到驱动晶体管的开关晶体管。这里，驱动晶体管可以是上面参照图23描述的第一晶体管T1，开关晶体管可以是上面参照图23描述的第二晶体管T2。为了方便，图24仅示出了与第一晶体管T1对应的驱动晶体管T。
驱动晶体管T可以包括半导体图案SCL、栅电极GE、第一端子ET1和第二端子ET2。第一端子ET1可以是源电极和漏电极中的一者，第二端子ET2可以是源电极和漏电极中的另一者。例如，第一端子ET1可以是源电极，第二端子ET2可以是漏电极。
半导体图案SCL可以设置和/或形成在缓冲层BFL上。半导体图案SCL可以包括与第一端子ET1接触的第一接触区域和与第二端子ET2接触的第二接触区域。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。沟道区域可以与晶体管T的栅电极GE叠置。半导体图案SCL可以是包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等(例如，由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等制成)的半导体图案。例如，作为未掺杂杂质的半导体图案的沟道区域可以是本征半导体。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。作为杂质，例如，P型杂质可以被使用，但是本公开不限于此。
栅极绝缘层GI可以设置和/或形成在半导体图案SCL上。
栅极绝缘层GI可以完全地设置在半导体图案SCL和缓冲层BFL上，以覆盖半导体图案SCL和缓冲层BFL。栅极绝缘层GI可以是包括无机材料的无机绝缘膜。例如，栅极绝缘层GI可以包括各种合适的无机材料(诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和/或氧化铝(AlOx))中的至少一种。然而，栅极绝缘层GI的材料不限于上述材料。在一些实施例中，栅极绝缘层GI可以形成为包括有机材料的有机绝缘膜。栅极绝缘层GI可以被设置为单层，但是本公开不限于此，在一些实施例中，栅极绝缘层GI可以被设置为双层或更多层的多层。
栅电极GE可以设置和/或形成在栅极绝缘层GI上，以与半导体图案SCL的沟道区域对应。栅电极GE可以定位在栅极绝缘层GI上，以与半导体图案SCL的沟道区域叠置。在实施例中，栅电极GE可以形成为具有选自由铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)和其合金组成的组中的单种或混合物的单层结构。在另一实施例中，为了减小布线电阻，栅电极GE可以形成为具有包括作为低电阻材料的钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和/或银(Ag)的双层或多层结构。
层间绝缘层ILD可以设置和/或形成在栅电极GE上。
层间绝缘层ILD可以包括与栅极绝缘层GI的材料相同的材料，或者可以包括选自上面作为栅极绝缘层GI的示例组成材料示出的材料的一种或多种合适的材料。
第一端子ET1和第二端子ET2中的每个可以设置和/或形成在层间绝缘层ILD上，并且可以通过顺序地穿过(例如，顺序地穿透)栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的接触孔接触半导体图案SCL的第一接触区域或第二接触区域。例如，第一端子ET1可以接触半导体图案SCL的第一接触区域，并且第二端子ET2可以接触半导体图案SCL的第二接触区域。第一端子ET1和第二端子ET2中的每个可以包括与栅电极GE的材料相同的材料，或可以包括选自上面作为栅电极GE的示例组成材料示出的材料的一种或更多种合适的材料。
如上所述，驱动晶体管T的第一端子ET1和第二端子ET2可以是通过顺序地穿透栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的接触孔接触半导体图案SCL以电连接到半导体图案SCL的单独的电极，但是本公开不限于此。在一些实施例中，驱动晶体管T的第一端子ET1可以是与半导体图案SCL的沟道区域的一侧相邻第一接触区域，驱动晶体管T的第二端子ET2可以是与沟道区域的另一侧(例如，相对侧)相邻的第二接触区域。在这种情况下，驱动晶体管T的第一端子ET1可以通过单独的连接构件(诸如以桥电极为例)电连接到发光元件LD。
在实施例中，驱动晶体管T可以被构造为低温多晶硅薄膜晶体管，但是本公开不限于此。在一些实施例中，驱动晶体管T可以被构造为氧化物半导体薄膜晶体管。另外，作为示例描述了其中驱动晶体管T是具有顶栅结构的薄膜晶体管的情况，但是本公开不限于此，并且驱动晶体管T的结构可以根据需要或期望而被不同地修改。
尽管未在图24中直接示出，但是像素电路层PCL还可以包括电连接到驱动晶体管T的各种信号线(诸如以扫描线和数据线为例)和电力线(诸如以第一电力线和第二电力线为例)。例如，电力线可以是上面参照图23描述的第一电力线PL1和第二电力线PL2。第一电力线PL1和第二电力线PL2中的每条可以包括导电材料(或物质)。例如，在一些实施例中，第一电力线PL1和第二电力线PL2中的每条可以形成为具有从由铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)和其合金组成的组中选择的单种或混合物的单层(或单膜)结构。作为另一示例，在一些实施例中，为了减小布线电阻，第一电力线PL1和第二电力线PL2中的每条可以形成为具有包括作为低电阻材料的钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和/或银(Ag)的双层(或双膜)或者多层(或多膜)结构。例如，第一电力线PL1和第二电力线PL2中的每条可以由以钛(Ti)/铜(Cu)的顺序堆叠的双层(或双膜)形成。
钝化层PSV可以设置和/或形成在驱动晶体管T上。
钝化层PSV(也被称为“保护层”或“过孔层”)可以是包括无机材料的无机绝缘膜，或包括有机材料的有机绝缘膜。无机绝缘膜可以包括例如各种合适的无机材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)和/或氧化铝(AlOx))中的至少一种。有机绝缘膜可以包括例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
在一些实施例中，钝化层PSV可以包括与层间绝缘层ILD的材料相同的材料，但是本公开不限于此。钝化层PSV可以被设置为单层，但是在一些实施例中，钝化层PSV可以被设置为双层或更多层的多层。
钝化层PSV可以被部分地开口以使驱动晶体管T的第一端子ET1暴露于外部。换言之，开口或接触孔可以形成在钝化层PSV中以暴露驱动晶体管T的第一端子ET1。
显示元件层DPL可以设置和/或形成在钝化层PSV上。
显示元件层DPL可以包括第一电极AE、第二接合电极BDE2、发光元件LD和第二电极CE。
第一电极AE可以设置和/或形成在像素电路层PCL上。第一电极AE定位在发光元件LD下面(例如，底下)，并且可以电连接到发光元件LD的第一端部EP1。第二电极CE设置在发光元件LD上，并且可以电连接到发光元件LD的第二端部EP2。当在剖视图中观看时，第一电极AE和第二电极CE可以在第三方向DR3上彼此面对，且发光元件LD置于第一电极AE与第二电极CE之间。
第一电极AE可以通过穿透钝化层PSV的接触孔电连接到驱动晶体管T的第一端子ET1。在实施例中，第一电极AE可以是阳极。因为第一电极AE与上面参照图1至图16描述的第一电极AE相同或基本上相同，所以可以不重复其冗余描述。
第二接合电极BDE2可以定位在第一电极AE上。
第二接合电极BDE2可以是接合到发光元件LD的第一接合电极BDE1以将电连接到驱动晶体管T的第一电极AE电连接到发光元件LD的介质。第二接合电极BDE2可以具有与上面参照图1至图16描述的第二接合电极BDE2的构造相同或基本上相同的构造，因此，可以不重复其冗余描述。
发光元件LD可以在第一电极AE上定位在第二接合电极BDE2上。在实施例中，每个像素PXL可以包括一个发光元件LD。换言之，一个发光元件LD可以被设置为一个像素PXL的光源。
发光元件LD可以被实现为其中第一接合电极BDE1、反射电极RMTL、第二半导体层13、活性层12、第一半导体层11和辅助层15沿着第三方向DR3顺序地堆叠的竖直型发光层叠体。在这种情况下，第一接合电极BDE1可以定位在发光元件LD的第一端部EP1处，辅助层15可以定位在发光元件LD的第二端部EP2处。在这种情况下，第一接合电极BDE1可以直接接触第二接合电极BDE2以与第二接合电极BDE2接合。辅助层15可以直接接触第二电极CE以电连接到第二电极CE。
发光元件LD还可以包括覆盖竖直型发光层叠体的外周向表面的绝缘膜IL。
在第七单元700中被再转移到转移基底(例如，第二膜20)的发光元件LD通过输送器被移动到第二接合电极BDE2的上部以与像素PXL的发射区域EMA对应，然后可以通过由激光发射照射的激光束转移到第二接合电极BDE2上。
可以使用接合方法来使发光元件LD和第一电极AE电连接。
如上所述，发光元件LD可以被转移到第二接合电极BDE2上以与像素PXL的发射区域EMA对应，从而使第二接合电极BDE2和发光元件LD的第一接合电极BDE1接触，然后可以执行接合工艺，使得第一接合电极BDE1和第二接合电极BDE2可以彼此电连接。因此，发光元件LD和第一电极AE可以彼此电连接。
堤BNK可以完全地形成在第二接合电极BDE2和发光元件LD上。
堤BNK可以定位在非发射区域NEMA处(例如，中或上)，以构成划分像素PXL的发射区域EMA的像素限定膜。堤BNK可以包括至少一种光阻挡材料和/或反射材料(或散射材料)，以防止或基本上防止光在相邻像素PXL之间泄漏的缺陷。在一些实施例中，堤BNK可以是包括有机材料的有机绝缘膜。例如，堤BNK可以形成为包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机绝缘膜(例如，由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机绝缘膜制成)。另外，在一些实施例中，堤BNK可以包括透明材料。透明材料可以包括例如聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等，但是本公开不限于此。根据另一实施例，反射材料层可以单独地设置和/或形成在堤BNK上，以进一步改善从像素PXL发射的光的效率。
在实施例中，堤BNK可以暴露定位在发光元件LD的第二端部EP2处(例如，中或上)的辅助层15。
第二电极CE可以设置和/或形成在接合到第一电极AE的发光元件LD上。
第二电极CE可以完全地形成在堤BNK和发光元件LD的第二端部EP2上。第二电极CE可以接触发光元件LD的第二端部EP2，以电连接到发光元件LD的第二端部EP2。例如，第二电极CE可以电连接到定位在发光元件LD的第二端部EP2处(例如，中或上)的辅助层15。
第二电极CE可以电连接到第二电力线PL2。因此，施加到第二电力线PL2的第二驱动电源VSS的电压可以传输到第二电极CE。在实施例中，第二电极CE可以是阴极。
在一些实施例中，覆盖层CVL可以设置和/或形成在第二电极CE上。
覆盖层CVL可以是包括多个层(例如，由多个层制成)的封装基底或封装层。在这种情况下，覆盖层CVL可以防止或基本上防止外部的氧和湿气被引入到显示元件层DPL和像素电路层PCL中。在一些实施例中，覆盖层CVL可以是减少因设置在覆盖层CVL下面(例如，底下)的构成元件引起的台阶的平坦化层。
图25和图26示出了根据本公开的一个或更多个实施例的像素PXL的示意性剖视图。
除了光转换图案层LCP可以进一步设置在图25和图26中所示的像素PXL的显示元件层DPL上之外，图25和图26中所示的像素PXL可以分别与图24中所示的像素PXL相同或基本上相同(或相似)。
图25和图26示出了关于光转换图案层LCP的位置的彼此不同的实施例。例如，图25示出了其中包括光转换图案层LCP的上基底U_SUB通过使用粘合层的粘合工艺定位在显示元件层DPL上的实施例，图26示出了通过连续工艺在显示元件层DPL上形成光转换图案层LCP的实施例。
因此，可以更详细地主要描述图25和图26的实施例与上述实施例之间的差异，并且可以不重复冗余描述。
首先，参照图1至图16、图24以及图25，上基底U_SUB可以设置在像素PXL的显示元件层DPL上。
上基底U_SUB可以设置在显示元件层DPL上，以覆盖像素区域PXA。
上基底U_SUB可以包括基体层BSL、光转换图案层LCP和光阻挡图案LBP。
基体层BSL可以是刚性基底或柔性基底，基体层BSL的材料或物理性质没有特别限制。基体层BSL可以包括与基底SUB的材料相同的材料(例如，可以由与基底SUB的材料相同的材料制成)，或者可以包括与基底SUB的材料不同的材料(例如，可以由与基底SUB的材料不同的材料制成)。
光转换图案层LCP可以设置在基体层BSL的一个表面上，以与像素PXL的发射区域EMA对应。光转换图案层LCP可以包括颜色转换层CCL和与合适的颜色(例如，预定的颜色)对应的滤色器CF。
颜色转换层CCL可以包括与合适的颜色(例如，预定的颜色)对应的颜色转换颗粒QD。滤色器CF可以选择性地透射合适的颜色(例如，预定的颜色)的光。
颜色转换层CCL设置在绝缘层INS的一个表面上以面对发光元件LD，并且可以包括颜色转换颗粒QD以将从发光元件LD发射的光转换为特定颜色的光。例如，当发光元件LD发射蓝基光(在下文中被称为“蓝色光”)时，颜色转换层CCL可以包括将蓝色光转换为白色光的白色量子点的颜色转换颗粒QD。这里，白色量子点的颜色转换颗粒QD可以包括红色量子点和绿色量子点，以将发光元件LD的蓝色光转换为白色光。然而，颜色转换层CCL的构造不限于上述示例。
滤色器CF设置在基体层BSL的一个表面上以面对颜色转换层CCL，并且可以选择性地将在颜色转换层CCL中被转换的白色光透射为红色光、绿色光或蓝色光。当像素PXL是红色像素时，滤色器CF可以包括红色滤色器。当像素PXL是绿色像素时，滤色器CF可以包括绿色滤色器。另外，当像素PXL是蓝色像素时，滤色器CF可以包括蓝色滤色器。
包括颜色转换层CCL和滤色器CF的光转换图案层LCP可以定位在像素PXL的发射区域EMA处(例如，中或上)，以与发光元件LD对应。
绝缘层INS可以设置和/或形成在滤色器CF与颜色转换层CCL之间。
绝缘层INS可以定位在滤色器CF上以覆盖滤色器CF，从而保护滤色器CF。绝缘层INS可以是包括无机材料的无机绝缘膜或包括有机材料的有机绝缘膜。
光阻挡图案LBP可以被定位为与光转换图案层LCP相邻。在实施例中，光阻挡图案LBP可以设置在基体层BSL的一个表面上，以与像素PXL的非发射区域NEMA对应。光阻挡图案LBP可以与显示元件层DPL的堤BNK对应。
光阻挡图案LBP可以包括第一光阻挡图案LBP1和第二光阻挡图案LBP2。
第一光阻挡图案LBP1可以定位在基体层BSL的一个表面上，并且可以被定位为与滤色器CF相邻。第一光阻挡图案LBP1可以包括来自各种合适类型的黑色矩阵材料之中的至少一种黑色矩阵材料(例如，本领域技术人员已知的至少一种光阻挡材料)和/或特定颜色的滤色器材料。
在一些实施例中，第一光阻挡图案LBP1可以以多层结构来设置，在多层结构中，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之中的用于选择性地透射彼此不同颜色的光的两个或更多个滤色器彼此叠置。例如，第一光阻挡图案LBP1可以被设置为包括红色滤色器、设置在红色滤色器上并与红色滤色器叠置的绿色滤色器、以及设置在绿色滤色器上并与绿色滤色器叠置的蓝色滤色器。换言之，第一光阻挡图案LBP1可以被设置为具有其中红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器顺序地堆叠的结构。在这种情况下，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器可以用作用于阻挡像素区域PXA的非发射区域NEMA中的光透射的第一光阻挡图案LBP1。
绝缘层INS可以设置和/或形成在第一光阻挡图案LBP1上。绝缘层INS可以完全地定位在第一光阻挡图案LBP1和滤色器CF上。
第二光阻挡图案LBP2可以设置和/或形成在绝缘层INS的一个表面上，以便与第一光阻挡图案LBP1对应。第二光阻挡图案LBP2可以是黑色矩阵。第一光阻挡图案LBP1和第二光阻挡图案LBP2可以包括彼此相同的材料。在实施例中，第二光阻挡图案LBP2可以是最终限定像素PXL的发射区域EMA的结构。例如，第二光阻挡图案LBP2可以包括(例如，可以是)最终限定发射区域EMA的坝结构，在供应包括颜色转换颗粒QD的颜色转换层CCL的工艺中颜色转换层CCL可以供应到发射区域EMA。
上基底U_SUB可以定位在覆盖层CVL上，以与显示元件层DPL组合(例如，附着到显示元件层DPL)。在这种情况下，覆盖层CVL可以包括用于增强显示元件层DPL与上基底U_SUB之间的粘合力的透明粘合层。
在一些实施例中，如图25中所示，上基底U_SUB还可以包括完全地形成在颜色转换层CCL和第二光阻挡图案LBP2上的盖层CPL。
盖层CPL可以包括各种合适的无机材料(诸如以氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和/或氧化铝(AlOx)为例)中的至少一种。盖层CPL定位在颜色转换层CCL上以保护颜色转换层CCL免受外部湿气的影响，从而进一步改善颜色转换层CCL的可靠性。
如上所述，根据本公开实施例的显示装置可以通过将光转换图案层LCP设置在发光元件LD上以通过光转换图案层LCP发射具有优异颜色再现性的光来改善发光效率。
在一些实施例中，当设置在像素PXL中的发光元件LD是发射红基光的红色发光元件时，颜色转换层CCL可以不设置在其上。在一些实施例中，当设置在像素PXL中的发光元件LD是发射绿基光的绿色发光元件时，颜色转换层CCL可以不设置在其上。在一些实施例中，当设置在像素PXL中的发光元件LD是发射蓝基光的蓝色发光元件时，颜色转换层CCL可以不设置在其上。
如上所述，包括光转换图案层LCP的上基底U_SUB可以形成在显示元件层DPL上，但是本公开不限于此。
在一些实施例中，光转换图案层LCP可以形成在设置有像素PXL的基底SUB的一个表面上。更详细地，如图26中所示，光转换图案层LCP和光阻挡图案LBP可以形成在设置有像素PXL的基底SUB上。
在这种情况下，光阻挡图案LBP和光转换图案层LCP可以形成在设置有像素PXL的基底SUB上，以覆盖像素PXL的发光元件LD。在实施例中，光阻挡图案LBP和光转换图案层LCP可以设置和/或形成在覆盖层CVL上。光阻挡图案LBP可以与像素PXL的非发射区域NEMA对应，光转换图案层LCP可以与像素PXL的发射区域EMA对应。
光阻挡图案LBP可以包括用于防止或基本上防止其中光在相邻像素PXL之间泄漏的光泄漏缺陷的光阻挡材料。在这种情况下，光阻挡图案LBP可以是黑色矩阵。光阻挡图案LBP可以防止或基本上防止分别从相邻像素PXL发射的光的混合。光阻挡图案LBP可以包括(例如，可以是)最终限定发射区域EMA的结构(例如，坝部分)，在将颜色转换层CCL供应到像素PXL的工艺中颜色转换层CCL可以供应到发射区域EMA。
颜色转换层CCL可以供应到像素PXL的由光阻挡图案LBP限定的发射区域EMA中，并且可以将从发光元件LD发射的光转换为期望的光(例如，预定的光)。
盖层CPL可以完全地设置和/或形成在光阻挡图案LBP和颜色转换层CCL上。
滤色器CF可以定位在盖层CPL的一个表面上，以与颜色转换层CCL对应。滤色器CF可以面对颜色转换层CCL，且盖层CPL置于滤色器CF与颜色转换层CCL之间。滤色器CF可以与颜色转换层CCL一起构成光转换图案层LCP。光转换图案层LCP可以定位在像素PXL的发射区域EMA处(例如，中或上)，并且可以与发光元件LD对应。
图27示出了沿着图20的线I-I’截取的剖视图。
在下文中，可以更详细地主要描述图27中所示的第一像素PXL1至第三像素PXL3与上述实施例的第一像素PXL1至第三像素PXL3之间的差异，并且可以不重复其冗余描述。在图27中，相同的附图标记表示与上述实施例的构成元件相同或基本上相同的构成元件，类似的附图标记表示与上述实施例的构成元件类似的构成元件，并且可以不重复对构成元件的冗余描述。
在图27中，为了便于说明，仅示出了第一像素PXL1至第三像素PXL3中的每个的部分构造。
参照图1、图20和图27，第一像素PXL1(或第一子像素)、第二像素PXL2(或第二子像素)和第三像素PXL3(或第三子像素)可以沿着第一方向DR1布置。第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个可以具有与上面参照图24或图25描述的像素PXL的构造相同或基本上相同的构造。
基底SUB的显示区域DA可以包括设置(或形成)有第一像素PXL1的第一像素区域PXA1、设置(或形成)有第二像素PXL2的第二像素区域PXA2和设置(或形成)有第三像素PXL3的第三像素区域PXA3。在实施例中，第一像素PXL1可以是红色像素，第二像素PXL2可以是绿色像素，第三像素PXL3可以是蓝色像素。然而，本公开不限于此，在一些实施例中，第二像素PXL2可以是红色像素，第一像素PXL1可以是绿色像素，第三像素PXL3可以是蓝色像素。根据另一实施例，第三像素PXL3可以是红色像素，第一像素PXL1可以是绿色像素，第二像素PXL2可以是蓝色像素。
第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个可以包括发射区域EMA。另外，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个可以包括与对应像素PXL的发射区域EMA相邻的非发射区域NEMA。堤BNK(例如，分隔壁)可以定位在非发射区域NEMA处(例如，中或上)。
第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个可以包括基底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
第一像素PXL1的显示元件层DPL可以包括第一电极AE、第二接合电极BDE2、堤BNK、第一发光元件LD1和第二电极CE。堤BNK和第二电极CE中的每个可以针对第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3公共地设置。例如，堤BNK和第二电极CE中的每个可以是针对相邻像素PXL设置的公共层(例如，公共膜)。
第二接合电极BDE2可以接合到第一发光元件LD1的第一接合电极BDE1，以使第一发光元件LD1和第一电极AE彼此电连接。
在显示装置的制造设备1的第七单元700中，一个第一发光元件LD1可以通过单次激光照射而转移到第一像素PXL1的第二接合电极BDE2上。因此，一个第一发光元件LD1可以接合到第一像素PXL1的第一电极AE。在实施例中，可以向第一像素PXL1提供一个第一发光元件LD1。
上基底U_SUB可以定位在第一像素PXL1的显示元件层DPL上。上基底U_SUB可以包括光转换图案层LCP、光阻挡图案LBP和基体层BSL。光转换图案层LCP可以包括定位在基体层BSL的一个表面上的第一滤色器CF1和定位在第一滤色器CF1上的第一颜色转换层CCL1，且绝缘层INS置于第一滤色器CF1与第一颜色转换层CCL1之间。这里，第一颜色转换层CCL1可以包括第一颜色转换颗粒QD1。第一滤色器CF1可以是红色滤色器。上述第一滤色器CF1和第一颜色转换层CCL1可以定位在第一像素PXL1的发射区域EMA处(例如，中或上)。
第二像素PXL2的显示元件层DPL可以包括第一电极AE、第二接合电极BDE2、堤BNK、第二发光元件LD2和第二电极CE。
第二接合电极BDE2可以接合到第二发光元件LD2的第一接合电极BDE1，以使第二发光元件LD2和第一电极AE彼此电连接。
在显示装置的制造设备1的第七单元700中，一个第二发光元件LD2可以通过单次激光照射而转移到第二像素PXL2的第二接合电极BDE2上。因此，一个第二发光元件LD2可以接合到第二像素PXL2的第一电极AE。在实施例中，可以向第二像素PXL2提供一个第二发光元件LD2。
上基底U_SUB可以定位在第二像素PXL2的显示元件层DPL上。上基底U_SUB可以包括光转换图案层LCP、光阻挡图案LBP和基体层BSL。光转换图案层LCP可以包括定位在基体层BSL的一个表面上的第二滤色器CF2和定位在第二滤色器CF2上的第二颜色转换层CCL2，绝缘层INS置于第二滤色器CF2与第二颜色转换层CCL2之间。第二颜色转换层CCL2可以包括第二颜色转换颗粒QD2。第二滤色器CF2可以是绿色滤色器。上述第二滤色器CF2和第二颜色转换层CCL2可以定位在第二像素PXL2的发射区域EMA处(例如，中或上)。
第三像素PXL3的显示元件层DPL可以包括第一电极AE、第二接合电极BDE2、堤BNK、第三发光元件LD3和第二电极CE。
第二接合电极BDE2可以接合到第三发光元件LD3的第一接合电极BDE1，以使第三发光元件LD3和第一电极AE彼此电连接。
在显示装置的制造设备1的第七单元700中，一个第三发光元件LD3可以通过单次激光照射而转移到第三像素PXL3的第二接合电极BDE2上。因此，一个第三发光元件LD3可以接合到第三像素PXL3的第一电极AE。在实施例中，可以向第三像素PXL3提供一个第三发光元件LD3。
上基底U_SUB可以定位在第三像素PXL3的显示元件层DPL上。上基底U_SUB可以包括光转换图案层LCP、光阻挡图案LBP和基体层BSL。光转换图案层LCP可以包括第三滤色器CF3和第三颜色转换层CCL3。第三颜色转换层CCL3可以包括第三颜色转换颗粒QD3。第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。上述第三滤色器CF3和第三颜色转换层CCL3可以定位在第三像素PXL3的发射区域EMA处(例如，中或上)。
图28示出了图20的显示装置DD的制造方法的流程图。
在下文中，将参照图28以及上面参照图1至图16、图20和图24描述的实施例示意性地描述根据本公开的实施例的显示装置DD的制造方法。
参照图1至图3、图20以及图28，在生长基底101上生长多个发光元件LD(ST10)。
可以执行针对辅助层15、第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的蚀刻工艺。为了形成单独分离的发光元件LD，可以在其中辅助层15、第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13顺序地堆叠的发光层叠体上设置掩模，然后可以执行蚀刻工艺以使发光层叠体以纳米级或微米级的间隔图案化。可以在从第二半导体层13朝向辅助层15的方向上执行蚀刻工艺。
之后，可以通过装载单元将其上生长有多个发光元件LD的生长基底101输送到第一单元100。
参照图1至图5、图20以及图28，在将第一膜10设置在生长基底101上并且将生长基底101上的发光元件LD转移到第一膜10上之后，例如通过诸如激光剥离工艺或化学剥离工艺的合适方法将生长基底101分离(例如，去除)(ST20)。
可以将与生长基底101分离的发光元件LD被转移到其上的第一膜10输送到第二单元200。
参照图1至图8、图20以及图28，使用延展装置50使第一膜10延展(ST30)，使得第一膜10上的发光元件LD分别与相邻发光元件LD间隔开第二距离D2。
可以将延展的第一膜10和定位在其上的发光元件LD输送到第三单元300。
参照图1至图10、图20以及图28，在将第二膜20设置在延展的第一膜10上之后，将第一膜10上的发光元件LD再转移到第二膜20上(ST40)。
之后，通过使用物理方法等将第一膜10与发光元件LD分离。随后，可以将再转移到第二膜20上的发光元件LD输送到第四单元400。
参照图1至图11、图20以及图28，例如，通过在再转移到第二膜20上的发光元件LD之上照射引导激光来确定第二膜20上的发光元件LD的位置(ST50)。
例如，可以在第二膜20下面设置图像传感器IMC，以根据是否引入穿过第二膜20的光来确定发光元件LD的位置。
之后，可以将第二膜20输送到第五单元500。
参照图1至图12、图20以及图28，例如，通过将第二膜20上的发光元件LD分箱来确定最终有效发光元件LD(ST60)。
例如，可以将仅包括最终有效发光元件LD的第二膜20输送到第七单元700。
参照图1、图20、图24和图28，在第六单元600中形成TFT阵列基底ARY(ST70)。
在实施例中，TFT阵列基底ARY可以包括基底SUB、设置在基底SUB上并包括驱动晶体管T的像素电路层PCL、电连接到驱动晶体管T的第一电极AE以及定位在第一电极AE上的第二接合电极BDE2。
参照图1至图13、图20、图24以及图28，在将第二膜20设置在TFT阵列基底ARY上之后，例如，通过使用激光发射向每个发光元件LD照射激光束，将一个发光元件LD转移到对应的一个像素PXL的发射区域EMA(ST80)。
参照图1至图14、图20、图24以及图28，将发光元件LD的第一接合电极BDE1和TFT阵列基底ARY的第二接合电极BDE2彼此接合(ST90)。
可以通过使用本领域技术人员已知的各种合适的方法将第二膜20从发光元件LD去除。
参照图1至图16、图20、图24以及图28，去除第二膜20，并且在暴露的发光元件LD上形成堤BNK和第二电极CE(ST100)。
可以在发光元件LD上形成堤BNK，并且可以通过蚀刻工艺部分地去除堤BNK，以将发光元件LD中的每个的第二端部EP2暴露于外部。上述蚀刻工艺可以是干蚀刻工艺，但是本公开不限于此。
可以在堤BNK和发光元件LD中的每个的被堤BNK暴露于外部的第二端部EP2上完全地形成第二电极CE。第二电极CE可以接触发光元件LD中的每个的第二端部EP2以与其电连接。
通过上述工艺，一次将一个发光元件LD转移到一个像素PXL，使得发光元件LD和一个像素PXL的第一电极AE可以彼此电连接。
当显示装置DD是其中显示表面被应用于其至少一个表面的装置(诸如以智能电话、电视、平板PC、移动电话、图像电话、电子书阅读器、台式PC、膝上型PC、上网本计算机、工作站、服务器、PDA、便携式多媒体播放器(PMP)、MP3播放器、医疗装置、相机或可穿戴装置为例)时，本公开的一个或更多个实施例可以应用于此。
在下文中，将参照图29至图32描述根据一个或更多个实施例的显示装置DD的应用领域。
图29至图32示出了根据本公开的实施例的显示装置的应用示例。
首先，参照图1、图19、图20和图29，显示装置DD可以应用于包括显示部1220和带部1240的智能手表1200。
智能手表1200是可穿戴电子装置，并且可以具有将带部1240安装在用户手腕上的结构。这里，将显示装置DD应用于显示部1220，使得可以向用户提供包括时间信息的图像数据。
参照图1、图19、图20和图30，显示装置DD可以应用于汽车显示器1300。这里，汽车显示器1300可以指设置在车辆内部和/或外部以提供图像数据的电子装置。
例如，显示装置DD可以应用于设置在车辆内部或外部的信息娱乐面板1310、仪表(cluster)1320、幅驾驶员显示器1330、平视显示器1340、侧视镜显示器1350和后座显示器1360中的至少一个。
参照图1、图19、图20和图31，显示装置DD可以应用于包括框架170和镜片部171的智能眼镜。智能眼镜是可以佩戴在用户面部上的可穿戴电子装置，并且可以具有其中框架170的一部分被折叠或展开的结构。例如，智能眼镜可以是用于增强现实(AR)的可穿戴装置。
框架170可以包括用于支撑镜片部171的壳体170b和用于用户佩戴的腿部170a。腿部170a可以通过铰链连接到(例如，结合到或附着到)壳体170b以被折叠或展开。
电池、触摸板、麦克风和相机可以嵌入框架170中。另外，输出光的投影仪、控制光信号的处理器等可以嵌入框架170中。
镜片部171可以是透射光或反射光的光学构件。镜片部171可以包括玻璃、透明合成树脂等。
另外，镜片部171可以通过镜片部171的后表面(例如，指向用户眼睛的方向的表面)通过从框架170的投影仪发送的光信号来反射图像，使得它可以能够允许用户的眼睛识别图像。例如，如图31中所示，用户可以识别在镜片部171上显示的诸如时间和日期的信息。换言之，镜片部171可以是一种类型的显示装置，根据一个或更多个实施例的显示装置DD可以应用于镜片部171。
参照图1、图19、图20和图32，显示装置DD可以应用于包括头戴带180和显示器容纳壳181的头戴式显示器(HMD)。头戴式显示器是可以佩戴在用户头部上的可穿戴电子装置。
头戴带180连接到显示器容纳壳181以固定显示器容纳壳181。在图32中，头戴带180被示出为围绕用户头部的上侧及其两侧(例如，环绕用户头部的上侧及其两侧的外围)，但是本公开不限于此。头戴带180可以用于将头戴式显示器固定到用户的头部，并且可以以合适的形式(诸如以眼镜架或头盔为例形成)。
显示器容纳壳181容纳显示装置DD，并且可以包括至少一个镜片。所述至少一个镜片是向用户提供图像的部件。例如，根据一个或更多个实施例的显示装置DD可以应用于在显示器容纳壳181中实现的左眼镜片和右眼镜片。
尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易领会的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在实施例中能够进行各种修改。将理解的是，除非另有描述，否则每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，如同本领域普通技术人员将明显是，除非另外具体指出，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的例示，并且不将被解释为限于这里公开的具体实施例，并且对公开的实施例的各种修改以及其他示例实施例旨在包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置的制造设备，所述制造设备包括：
第一单元，被构造为将生长基底上的多个发光元件转移到第一膜，以使所述多个发光元件彼此间隔开第一距离；
第二单元，被构造为将所述第一膜延展，以使所述第一膜上的所述多个发光元件中的每个与相邻发光元件间隔开比所述第一距离大的第二距离；
第三单元，被构造为将所述多个发光元件再转移到第二膜；
第四单元，被构造为通过向所述第二膜上的所述多个发光元件照射引导激光束来确定所述多个发光元件的位置；
第五单元，被构造为将所述第二膜上的所述多个发光元件分箱，并且确定来自所述多个发光元件之中的有效光源；
第六单元，被构造为在基底上形成多个像素，每个像素包括一个或更多个晶体管、电连接到来自所述一个或更多个晶体管之中的晶体管的第一电极和在所述第一电极上的第一接合电极；
第七单元，被构造为在通过使用激光发射照射激光束来将一个发光元件转移到一个像素的所述第一接合电极之后去除所述第二膜；以及
第八单元，被构造为在所述一个发光元件上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的制造设备，其中，
所述多个发光元件中的每个包括在长度方向上的第一端部和第二端部，
所述第一端部被构造为接触所述第一电极上的所述第一接合电极以电连接到所述第一电极，并且
所述第二端部被构造为接触所述第二电极以电连接到所述第二电极。
3.根据权利要求2所述的制造设备，其中，所述多个发光元件中的每个包括：
第二接合电极，位于所述第一端部处，并且被构造为接触所述第一接合电极以电连接到所述第一接合电极；
辅助层，位于所述第二端部处，并且被构造为接触所述第二电极以电连接到所述第二电极；
第二半导体层，位于所述第二接合电极上；
第一半导体层，位于所述辅助层与所述第二半导体层之间；以及
活性层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并且
其中，所述第一半导体层是掺杂有N型杂质的N型半导体层，并且所述第二半导体层是掺杂有P型杂质的P型半导体层。
4.根据权利要求3所述的制造设备，其中，
所述多个发光元件中的每个的所述第一端部在所述第一单元中接触所述第一膜；并且
所述第一单元被构造为将所述多个发光元件中的每个的所述第二端部与所述生长基底分离，以暴露所述多个发光元件中的每个的所述第二端部。
5.根据权利要求3所述的制造设备，其中，
所述第二距离为10μm或更大，并且比所述激光发射的尺寸大。
6.根据权利要求4所述的制造设备，其中，
所述第一膜包括可延展的材料，并且包括第一接合层和在所述第一接合层上的第一基体基底；
所述第一接合层接触所述多个发光元件中的每个的所述第一端部，并且包括具有粘性的材料；并且
所述第一基体基底支撑接触所述第一接合层的所述多个发光元件，并且包括聚烯烃、聚氯乙烯、弹性体硅树脂、弹性体聚氨酯和弹性体聚异戊二烯中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的制造设备，其中，
所述第一膜被延展，使得所述多个发光元件的密度与所述多个像素的所述第一接合电极的密度对应。
8.根据权利要求4所述的制造设备，其中，所述第四单元包括图像传感器，并且
其中，所述第四单元被构造为根据照射到所述多个发光元件和所述第二膜的所述引导激光束是否流到所述图像传感器来确定所述多个发光元件的所述位置。
9.根据权利要求8所述的制造设备，其中：
所述多个发光元件中的每个还包括在所述第二半导体层与所述第二接合电极之间的反射电极；并且
所述反射电极被构造为反射照射到所述多个发光元件的所述引导激光束，以防止所述引导激光束穿过其上定位有所述多个发光元件的所述第二膜。
10.根据权利要求4所述的制造设备，其中，
所述第一单元被构造为使用激光剥离方法或化学剥离方法将所述生长基底与所述多个发光元件分离，以暴露所述多个发光元件中的每个的所述第二端部。
11.根据权利要求10所述的制造设备，其中：
在所述第三单元中，所述第二膜位于所述多个发光元件中的每个的暴露的所述第二端部的上部处；并且
所述第三单元被构造为将所述多个发光元件再转移到所述第二膜，使得所述多个发光元件中的每个的所述第二端部接触所述第二膜。
12.根据权利要求8所述的制造设备，其中，
所述第七单元被构造为将所述一个像素的所述第一接合电极和所述一个发光元件的所述第二接合电极彼此接合。
13.根据权利要求12所述的制造设备，其中：
在所述第八单元中，所述一个发光元件的所述第二端部被暴露；并且
所述第八单元被构造为形成覆盖所述一个发光元件的部分的堤，并且在所述堤上形成所述第二电极。
14.根据权利要求13所述的制造设备，其中，
所述第七单元被构造为通过一个激光发射将所述一个发光元件转移到所述一个像素的所述第一接合电极。
15.根据权利要求14所述的制造设备，其中，所述生长基底包括：
第一生长基底，在所述第一生长基底上生长一个或更多个第一发光元件，所述第一发光元件被构造为发射红色光；
第二生长基底，在所述第二生长基底上生长一个或更多个第二发光元件，所述第二发光元件被构造为发射绿色光；以及
第三生长基底，在所述第三生长基底上生长一个或更多个第三发光元件，所述第三发光元件被构造为发射蓝色光。
16.根据权利要求15所述的制造设备，其中：
来自所述一个或更多个第一发光元件之中的第一发光元件经过所述第一单元至所述第七单元被转移到来自所述多个像素之中的第一像素的所述第一接合电极；
来自所述一个或更多个第二发光元件之中的第二发光元件经过所述第一单元至所述第七单元被转移到来自所述多个像素之中的第二像素的所述第一接合电极；并且
来自所述一个或更多个第三发光元件之中的第三发光元件经过所述第一单元至所述第七单元被转移到来自所述多个像素之中的第三像素的所述第一接合电极。
17.根据权利要求3所述的制造设备，其中：
所述多个像素中的每个包括发射区域和与所述发射区域相邻的非发射区域，在所述发射区域中将定位有一个发光元件；
所述第八单元被构造为在所述多个像素中的每个的所述第二电极上形成上基底；并且
所述上基底包括：光转换图案层，位于所述第二电极的上部处，以与来自所述多个像素之中的对应像素的所述发射区域对应；以及光阻挡图案，位于所述第二电极的上部处，以与来自所述多个像素之中的所述对应像素的所述非发射区域对应。
18.一种显示装置的制造方法，所述制造方法包括：
将在生长基底上生长的多个发光元件转移到第一膜上，以使所述多个发光元件彼此间隔开第一距离；
通过使用延展装置将所述第一膜延展，以使所述第一膜上的所述多个发光元件中的每个与相邻发光元件间隔开比所述第一距离大的第二距离；
将在所述第一膜上彼此间隔开所述第二距离的所述多个发光元件再转移到第二膜；
通过照射引导激光束来确定所述第二膜上的所述多个发光元件的位置；
去除来自所述第二膜上的所述多个发光元件之中的无效光源，并且将所述多个发光元件分箱；
在基底上形成多个像素，所述多个像素中的每个包括一个或更多个晶体管、电连接到来自所述一个或更多个晶体管之中的晶体管的第一电极和在所述第一电极上的接合电极；
通过使用激光发射照射激光束，将所述第二膜上的所述多个发光元件中的每个转移到来自所述多个像素之中的对应像素的对应接合电极；
将被转移的所述发光元件中的每个接合到所述对应像素的所述对应接合电极；以及
在所述被转移的发光元件中的每个上形成第二电极。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，
所述第二距离为10μm或更大，并且比所述激光发射的尺寸大。
20.根据权利要求19所述的制造方法，其中，所述第一膜被延展，使得所述多个发光元件的密度与所述多个像素的所述接合电极的密度对应。
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