WO2023090335A1 - 透明電子デバイス、合わせガラス、及び透明電子デバイスの製造方法 - Google Patents

透明電子デバイス、合わせガラス、及び透明電子デバイスの製造方法 Download PDF

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WO2023090335A1
WO2023090335A1 PCT/JP2022/042470 JP2022042470W WO2023090335A1 WO 2023090335 A1 WO2023090335 A1 WO 2023090335A1 JP 2022042470 W JP2022042470 W JP 2022042470W WO 2023090335 A1 WO2023090335 A1 WO 2023090335A1
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transparent
wiring
electronic device
less
transparent substrate
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諒 江口
雄太 石橋
幸宏 垰
将英 古賀
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Ａｇｃ株式会社
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    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

Definitions

  • the present invention relates to a transparent electronic device, laminated glass, and a method for manufacturing a transparent electronic device.
  • Patent Document 1 As disclosed in Patent Document 1, the inventors have developed a transparent display device using fine light emitting diode (LED) elements formed on a transparent substrate as pixels. Such a transparent display device is provided on a transparent member such as a window or a partition of a vehicle or a building, since the rear side can be visually recognized through the transparent display device.
  • a transparent sensing device in which a microsensor is provided on a transparent substrate.
  • transparent electronic devices such as transparent display devices and transparent sensing devices, in which electronic elements are formed on a transparent substrate and the rear side of which is visible.
  • the inventors have found the following problems with such transparent electronic devices.
  • the width of the wiring is narrowed to make the wiring inconspicuous, but there is a limit from the viewpoint of electrical resistance and the like. Therefore, the inventors studied a method of changing the color of the wiring to make the wiring less conspicuous.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides a transparent electronic device in which wiring is less conspicuous.
  • the present invention provides a transparent electronic device having the configuration [1].
  • a transparent substrate having an electronic element disposed on the main surface of the transparent substrate and having an area of 250000 ⁇ m 2 or less; a wiring with a width of 100 ⁇ m or less connected to the electronic element, a surface of the wiring opposite to the transparent substrate is coated with an electroless plating film;
  • the color of the wiring observed from the electroless plated film side satisfies L * ⁇ 50, a * ⁇ 10, and b * ⁇ 10 in the CIE L * a * b * color space.
  • the present invention provides a laminated glass having the configuration of [9].
  • [9] a pair of glass plates;
  • a transparent electronic device provided between the pair of glass plates, and a laminated glass comprising:
  • the transparent electronic device is a transparent substrate; an electronic element formed on the main surface of the transparent substrate and having an area of 250000 ⁇ m 2 or less; a wiring with a width of 100 ⁇ m or less connected to the electronic element, a surface of the wiring opposite to the transparent substrate is coated with an electroless plating film;
  • the color of the wiring observed from the electroless plated film side satisfies L * ⁇ 50, a * ⁇ 10, and b * ⁇ 10 in the CIE L * a * b * color space. laminated glass.
  • the pair of glass plates includes an opaque shielding portion provided on the periphery
  • the transparent electronic device includes an opaque region provided around the transparent region
  • the opaque region of the transparent electronic device The laminated glass according to [9], at least part of which is provided in the shielding portions of the pair of glass plates.
  • the present invention provides a method for manufacturing a transparent electronic device having the configuration [12] below.
  • [12] Disposing an electronic element having an area of 250000 ⁇ m 2 or less on the main surface of the transparent substrate, A method for manufacturing a transparent electronic device, wherein a wiring having a width of 100 ⁇ m or less is connected to the electronic element, covering the surface of the wiring on the side opposite to the transparent substrate with an electroless plating film; The color of the wiring observed from the electroless plated film side satisfies L * ⁇ 50, a * ⁇ 10, and b * ⁇ 10 in the CIE L * a * b * color space.
  • a method for manufacturing a transparent electronic device is
  • FIG. 1 is a schematic partial plan view showing an example of a transparent display device according to a first embodiment
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment
  • 4A to 4C are cross-sectional views showing an example
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of laminated glass according to a second embodiment
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of laminated glass according to a second embodiment
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of the laminated glass according to the second embodiment
  • FIG. 11 is a schematic partial plan view showing an example of a transparent display device according to a third embodiment
  • FIG. 11 is a schematic partial plan view showing an example of a transparent sensing device according to a fourth embodiment
  • 4 is a schematic cross-sectional view of a sensor 70
  • FIG. 5 is a graph showing distributions of chromaticities a * and b * of wiring of transparent display devices according to Examples 1 to 5.
  • FIG. 5 is a graph showing the reflectance of light with a wavelength of 360 to 740 nm by wiring of transparent display devices according to Examples 1 to 5.
  • FIG. 5 is a graph showing the reflectance of light with a wavelength of 360 to 740 nm by wiring of transparent
  • transparent electronic device refers to an electronic element formed on a transparent base material, which allows visual information such as a person or background located on the back side of the electronic device to be visible under a desired usage environment. Refers to electronic devices.
  • transparent display device refers to a display device that allows visual information such as a person or background located on the back side of the display device to be visible under a desired usage environment. It should be noted that being visible is determined at least when the display device is in a non-display state, that is, in a non-energized state.
  • a “transparent display device” is one form of a “transparent electronic device.”
  • transparent sensing device refers to a sensing device that allows visual information such as a person or background located on the back side of the sensing device to be visible under a desired usage environment.
  • sensing device refers to a device that can acquire various types of information using a sensor.
  • transparent sensing device is one form of a “transparent electronic device.”
  • the term “transparent” means that the area of a region through which visible light is transmitted with a haze value of 20 or less is 30% or more, preferably 50% or more, more preferably 50% or more of the entire display region or sensing region. means 70% or more. It may also refer to a transmittance of 1% or more and a haze value of 20 or less. If the transmittance is 1% or more, when viewing the outdoors in the daytime from indoors, the outdoors can be seen with a brightness equal to or higher than that of the indoors, and sufficient visibility can be ensured.
  • transmittance 40% or more, even if the brightness on the front side and the back side of the transparent display device is about the same, the back side of the transparent display device can be visually recognized without substantially any problem. Further, when the haze value is 10 or less, sufficient background contrast can be ensured.
  • transparent refers to whether or not a color is imparted, that is, it may be colorless and transparent, and may be colored and transparent.
  • transmittance refers to the value (%) measured by the method based on ISO9050. A haze value points out the value measured by the method based on ISO14782.
  • FIG. 1 is a schematic partial plan view showing an example of the transparent display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II--II in FIG. It should be noted that the right-handed xyz orthogonal coordinates shown in FIGS. 1 and 2 are, of course, for convenience in explaining the positional relationship of the constituent elements. Normally, the positive direction of the z-axis is vertically upward, and the xy plane is the horizontal plane.
  • the transparent display device includes a transparent substrate 10, a light emitting section 20, an IC (Integrated Circuit) chip 30, wiring 40, and a protective layer 50.
  • a display area 101 in a transparent display device is an area in which an image is displayed, which is composed of a plurality of pixels. Note that the image includes characters.
  • the display area 101 is composed of a plurality of pixels arranged in a row direction (x-axis direction) and a column direction (y-axis direction).
  • FIG. 1 shows a part of the display area 101, showing a total of 4 pixels, 2 pixels each in the row direction and the column direction.
  • one pixel PIX is surrounded by a dashed line.
  • the transparent substrate 10 and protective layer 50 shown in FIG. 2 are omitted.
  • FIG. 1 is a plan view, the light-emitting portion 20 and the IC chip 30 are indicated by dots for easy understanding.
  • each pixel PIX has a light emitting section 20 and an IC chip 30 .
  • the light emitting units 20 and the IC chips 30 are arranged in a matrix with a pixel pitch Px in the row direction (x-axis direction) and a pixel pitch Py in the column direction (y-axis direction).
  • the arrangement form of the pixels PIX that is, the light emitting units 20 is not limited to a matrix as long as they are arranged at a prescribed pixel pitch in a prescribed direction.
  • the light emitting section 20 in each pixel PIX includes at least one light emitting diode element (hereinafter referred to as LED element). That is, the transparent display device according to this embodiment is a display device using an LED element for each pixel PIX, and is called an LED display or the like.
  • LED element light emitting diode element
  • each light emitting unit 20 includes a red LED element 21 , a green LED element 22 , and a blue LED element 23 .
  • the LED elements 21 to 23 correspond to sub-pixels forming one pixel.
  • the transparent display device since each light-emitting section 20 has the LED elements 21 to 23 that emit the three primary colors of light, red, green, and blue, the transparent display device according to this embodiment can display a full-color image.
  • each light emitting unit 20 may include two or more LED elements of similar colors. This makes it possible to expand the dynamics range of the image.
  • the LED elements 21 to 23 are so-called micro LED elements, which are semiconductor chips having an area of 10000 ⁇ m 2 or less, for example.
  • the width (length in the x-axis direction) and the length (length in the y-axis direction) of the LED element 21 on the transparent substrate 10 are, for example, 100 ⁇ m or less, preferably 50 ⁇ m or less, and more preferably 20 ⁇ m. It is below.
  • the lower limits of the width and length of the LED element are, for example, 3 ⁇ m or more due to manufacturing conditions and the like.
  • the dimensions of the LED elements 21 to 23 in FIG. 1, that is, width and length, are the same, they may be different from each other.
  • the area occupied by each of the LED elements 21 to 23 on the transparent substrate 10 is preferably 3000 ⁇ m 2 or less, more preferably 500 ⁇ m 2 or less. It should be noted that the lower limit of the area occupied by one LED element is, for example, 10 ⁇ m 2 or more from various manufacturing conditions.
  • the area of the LED element and the area of the constituent members such as the wiring refer to the area occupied by the constituent members such as the LED element and the wiring in the xy plan view in FIG.
  • the shape of the LED elements 21 to 23 shown in FIG. 1 is rectangular (including square), but is not particularly limited.
  • the LED elements 21 to 23 have, for example, a mirror structure for efficiently extracting light to the viewing side. Therefore, the transmittance of the LED elements 21 to 23 is as low as about 10% or less, for example.
  • the transparent display device according to the present embodiment as described above, micro-sized LED elements 21 to 23 having an area of 10000 ⁇ m 2 or less are used. Therefore, even when observing the transparent display device from a short distance of, for example, several tens of centimeters to 2 meters, the LED elements 21 to 23 are hardly visible.
  • the display area 101 has a narrow area with low transmittance, and the visibility on the back side is excellent.
  • the wiring 40 and the like can be arranged with a high degree of freedom. It should be noted that the “area with low transmittance in the display area 101” is, for example, an area with a transmittance of 20% or less. The same applies hereinafter.
  • the transparent display device according to this embodiment can be used by being attached to a curved transparent plate such as an automobile window glass, or enclosed between two curved transparent plates.
  • the transparent display device according to this embodiment can be curved.
  • the LED elements 21 to 23 are not particularly limited, they are inorganic materials, for example.
  • the red LED element 21 is, for example, AlGaAs, GaAsP, GaP, or the like.
  • the green LED element 22 is, for example, InGaN, GaN, AlGaN, GaP, AlGaInP, ZnSe, or the like.
  • the blue LED element 23 is, for example, InGaN, GaN, AlGaN, ZnSe, or the like.
  • the luminous efficiency that is, the energy conversion efficiency of the LED elements 21 to 23 is, for example, 1% or higher, preferably 5% or higher, and more preferably 15% or higher.
  • the luminous efficiency of the LED elements 21 to 23 is 1% or more, the LED elements 21 to 23 having a very small size can provide sufficient luminance as described above, and can be used as a display device even during the daytime. Further, when the luminous efficiency of the LED element is 15% or more, heat generation is suppressed, and it becomes easy to enclose the LED element inside the laminated glass using the resin adhesive layer.
  • Pixel pitches Px and Py are, for example, 100 to 3000 ⁇ m, preferably 180 to 1000 ⁇ m, and more preferably 250 to 400 ⁇ m. By setting the pixel pitches Px and Py within the above range, high transparency can be achieved while ensuring sufficient display performance. Moreover, it is possible to suppress the diffraction phenomenon that may occur due to the light from the back side of the transparent display device. Also, the pixel density in the display region 101 of the transparent display device according to this embodiment is, for example, 10 ppi or more, preferably 30 ppi or more, and more preferably 60 ppi or more.
  • the area of one pixel PIX is Px ⁇ Py.
  • the area of one pixel is, for example, 1 ⁇ 10 4 ⁇ m 2 to 9 ⁇ 10 6 ⁇ m 2 , preferably 3 ⁇ 10 4 to 1 ⁇ 10 6 ⁇ m 2 , more preferably 6 ⁇ 10 4 to 2 ⁇ 10 5 ⁇ m 2 . be.
  • the area of one pixel may be appropriately selected depending on the size of the display region 101, the application, the viewing distance, and the like.
  • the ratio of the area occupied by the LED elements 21 to 23 to the area of one pixel is, for example, 30% or less, preferably 10% or less, more preferably 5% or less, further preferably 1% or less. If the ratio of the area occupied by the LED elements 21 to 23 to the area of one pixel is 30% or less, the transparency and the visibility on the back side are improved.
  • the three LED elements 21 to 23 are arranged in a row in this order in the positive direction of the x-axis, but the present invention is not limited to this.
  • the arrangement order of the three LED elements 21 to 23 may be changed.
  • the three LED elements 21 to 23 may be arranged in the y-axis direction.
  • the three LED elements 21-23 may be arranged at the vertices of the triangle.
  • each light emitting section 20 includes a plurality of LED elements 21 to 23
  • the distance between the LED elements 21 to 23 in the light emitting section 20 is, for example, 100 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less. be.
  • the LED elements 21 to 23 may be arranged so as to be in contact with each other. As a result, the first power supply branch line 41a can be easily shared, and the aperture ratio can be improved.
  • each light emitting unit 20 includes three LED elements that emit light with different wavelengths, some of the light emitting units 20 have the LED elements arranged side by side in the x-axis direction or the y-axis direction, and other light emitting units 20 , the LED elements of each color may be arranged at the vertices of the triangle.
  • the IC chip 30 is arranged for each pixel PIX and drives the light emitting section 20. Specifically, the IC chip 30 is connected to each of the LED elements 21 to 23 via a drive line 45, and can drive the LED elements 21 to 23 individually.
  • IC chip 30 is, for example, a hybrid IC comprising an analog domain and a logic domain.
  • the analog domain includes, for example, current control circuits, transformer circuits, and the like.
  • the IC chip 30 may be arranged for each of a plurality of pixels, and the plurality of pixels to which each IC chip 30 is connected may be driven. For example, if one IC chip 30 is arranged every four pixels, the number of IC chips 30 can be reduced to 1/4 of the example in FIG. 1, and the area occupied by the IC chips 30 can be reduced.
  • the IC chip 30 is not essential, and a driving method that does not use the IC chip 30, such as passive matrix driving, or a TFT (Thin Film Transistor) instead of the IC chip 30 may be used for driving.
  • the area of the IC chip 30 is, for example, 100000 ⁇ m 2 or less, preferably 10000 ⁇ m 2 or less, more preferably 5000 ⁇ m 2 or less.
  • the transmittance of the IC chip 30 is as low as about 20% or less, but if the IC chip 30 of the above size is used, the area of the display area 101 with low transmittance becomes narrower, improving the visibility on the rear side.
  • the area of the TFT is, for example, 500000 ⁇ m 2 or less, preferably 30000 ⁇ m 2 or less.
  • the wiring 40 includes multiple power supply lines 41, ground lines 42, row data lines 43, column data lines 44, and drive lines 45, respectively.
  • the power line 41, ground line 42, and column data line 44 extend in the y-axis direction.
  • the row data line 43 extends in the x-axis direction.
  • the power supply line 41 and the column data line 44 are provided closer to the x-axis negative side than the light emitting unit 20 and the IC chip 30, and the ground line 42 is closer to the light emitting unit 20 and the IC chip 30. is also provided on the positive x-axis side.
  • the power supply line 41 is provided on the negative side of the x-axis with respect to the column data line 44 .
  • the row data line 43 is provided on the y-axis negative direction side relative to the light emitting section 20 and the IC chip 30 .
  • the power supply line 41 includes a first power supply branch line 41a and a second power supply branch line 41b, which will be described later in detail.
  • the ground line 42 has a ground branch line 42a.
  • the row data line 43 has a row data branch line 43a.
  • the column data line 44 has a column data branch line 44a. Each of these branch lines is included in the wiring 40 .
  • each power supply line 41 extending in the y-axis direction is connected to the light emitting section 20 and the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the y-axis direction. More specifically, in each pixel PIX, the LED elements 21 to 23 are arranged side by side in the positive x-axis direction in this order on the positive x-axis side of the power supply line 41 . Therefore, a first power supply branch line 41a branched from the power supply line 41 in the positive direction of the x-axis is connected to the ends of the LED elements 21 to 23 on the positive side of the y-axis.
  • the IC chip 30 is arranged on the negative y-axis side of the LED elements 21 to 23 . Therefore, between the LED element 21 and the column data line 44, a second power supply branch line 41b branched from the first power supply branch line 41a in the negative direction of the y-axis extends linearly. It is connected to the x-axis negative direction side of the positive direction side end.
  • each ground line 42 extending in the y-axis direction is connected to the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the y-axis direction.
  • a ground branch line 42 a branched from the ground line 42 in the x-axis negative direction extends linearly and is connected to the end of the IC chip 30 on the x-axis positive direction side.
  • the ground line 42 is connected to the LED elements 21 to 23 via the ground branch line 42a, the IC chip 30, and the drive line 45.
  • each row data line 43 extending in the x-axis direction is connected to the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the x-axis direction (row direction).
  • a row data branch line 43a branched from the row data line 43 in the positive y-axis direction extends linearly and is connected to the end of the IC chip 30 on the negative y-axis direction.
  • the row data line 43 is connected to the LED elements 21 to 23 via the row data branch line 43a, the IC chip 30, and the drive line 45.
  • each column data line 44 extending in the y-axis direction is connected to the IC chip 30 of each pixel PIX arranged in parallel in the y-axis direction (column direction).
  • a column data branch line 44a branched from the column data line 44 in the x-axis positive direction extends linearly and is connected to the end of the IC chip 30 on the x-axis negative direction side.
  • the column data line 44 is connected to the LED elements 21-23 via the column data branch line 44a, the IC chip 30, and the drive line 45.
  • the drive line 45 connects the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 in each pixel PIX. Specifically, in each pixel PIX, three drive lines 45 are extended in the y-axis direction, and are connected to the ends of the LED elements 21 to 23 on the negative y-axis side and the IC chip 30 on the positive y-axis side. connected to the ends.
  • the arrangement of the power supply line 41, the ground line 42, the row data line 43, the column data line 44, their branch lines, and the drive line 45 shown in FIG. 1 is merely an example, and can be changed as appropriate.
  • at least one of the power line 41 and the ground line 42 may extend in the x-axis direction instead of the y-axis direction.
  • the power supply line 41 and the column data line 44 may be interchanged.
  • FIG. 1 may be vertically inverted or horizontally inverted. Furthermore, row data lines 43, column data lines 44 and their branch lines, and drive lines 45 are not essential.
  • the wiring 40 is made of metal such as chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or They are compounds or laminates thereof. Among these, from the viewpoint of cost, it is preferable to use a metal mainly composed of copper or aluminum, which has a low resistivity. Although not shown in FIG. 1, the surface of the wiring 40 is covered with a displacement plating film PF, which will be described later with reference to FIG. 2, in order to make the wiring 40 inconspicuous.
  • a displacement plating film PF which will be described later with reference to FIG. 2, in order to make the wiring 40 inconspicuous.
  • the width of the wiring 40 in the display area 101 shown in FIG. 1 is, for example, 1 to 300 ⁇ m, preferably 100 ⁇ m or less, and more preferably 3 to 20 ⁇ m. Since the width of the wiring 40 is 100 ⁇ m or less, even when observing the transparent display device from a short distance of, for example, several tens of centimeters to 2 m, the wiring 40 is hardly visible, and the visibility on the back side is excellent. . On the other hand, in the thickness range described later, if the width of the wiring 40 is 1 ⁇ m or more, an excessive increase in the resistance of the wiring 40 can be suppressed, and a voltage drop and a decrease in signal strength can be suppressed. In addition, a decrease in heat conduction due to the wiring 40 can be suppressed.
  • the width of the wiring 40 may be 50 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less.
  • the surface roughness (arithmetic mean roughness) Ra of the wiring 40 is preferably 1 nm or more, more preferably 5 nm or more.
  • the surface roughness Ra of the wiring 40 is preferably 20 nm or less, more preferably 15 nm or less.
  • the electrical resistivity of the wiring 40 is, for example, 1.0 ⁇ 10 ⁇ 6 ⁇ m or less, preferably 2.0 ⁇ 10 ⁇ 8 ⁇ m or less. Also, the thermal conductivity of the wiring 40 is, for example, 150 to 5,500 W/(m ⁇ K), preferably 350 to 450 W/(m ⁇ K).
  • the interval between adjacent wirings 40 in the display area 101 shown in FIG. 1 is, for example, 3 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 30 ⁇ m. If there is an area where the wiring 40 is dense, it may hinder visibility of the back side. If the interval between adjacent wirings 40 is set to 3 ⁇ m or more, such hindrance to visual recognition can be suppressed. On the other hand, if the distance between adjacent wirings 40 is set to 100 ⁇ m or less, sufficient display performance can be secured. Note that if the spacing between the wirings 40 is not constant due to the wirings 40 being curved or the like, the spacing between the adjacent wirings 40 described above refers to the minimum value.
  • the ratio of the area occupied by the wiring 40 to the area of one pixel is, for example, 30% or less, preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and even more preferably 3% or less.
  • the transmittance of the wiring 40 is as low as, for example, 20% or less, or 10% or less. However, if the ratio of the area occupied by the wiring 40 in one pixel is set to 30% or less, the region with low transmittance in the display region 101 becomes narrower, and the visibility on the back side is improved. Further, the total area occupied by the light emitting section 20, the IC chip 30, and the wiring 40 with respect to the area of one pixel is, for example, 30% or less, preferably 20% or less, and more preferably 10% or less.
  • the transparent substrate 10 is an insulating transparent substrate.
  • the transparent substrate 10 has a two-layer structure consisting of a main substrate 11 and an adhesive layer 12 .
  • the main substrate 11 is, for example, a transparent resin, as described later in detail.
  • the adhesive layer 12 is, for example, a transparent resin adhesive such as epoxy, acrylic, olefin, polyimide, or novolak.
  • the main substrate 11 may be a thin glass plate having a thickness of, for example, 200 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or less. Also, the adhesive layer 12 is not essential.
  • polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), olefin resins such as cycloolefin polymer (COP) and cycloolefin copolymer (COC), cellulose, and acetyl.
  • olefin resins such as cycloolefin polymer (COP) and cycloolefin copolymer (COC)
  • cellulose and acetyl.
  • Cellulose resins such as cellulose and triacetyl cellulose (TAC)
  • imide resins such as polyimide (PI)
  • amide resins such as polyamide (PA)
  • PAI polyamide imide
  • PC polycarbonate
  • sulfone resins such as polyethersulfone (PES), paraxylene silicon resins such as polyparaxylene, polyethylene (PE), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyvinyl acetate (PVAc ), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl butyral (PVB) and other vinyl resins, polymethyl methacrylate (PMMA) and other acrylic resins, ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), thermoplastic polyurethane (TPU), etc. urethane-based resins, epoxy-based resins, and the like can be exemplified.
  • PES polyethersulfone
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PVAc polyvinyl acetate
  • PVA polyvinyl alcohol
  • PVB polyvinyl butyral
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer resin
  • TPU thermoplastic
  • polyethylene naphthalate (PEN) and polyimide (PI) are preferable from the viewpoint of improving heat resistance.
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PI polyimide
  • cycloolefin polymer (COP), cycloolefin copolymer (COC), polyvinyl butyral (PVB), and the like are preferable because they have a low birefringence index and can reduce distortion and blurring of an image viewed through a transparent substrate.
  • the above materials may be used singly, or two or more materials may be mixed and used.
  • the main substrate 11 may be configured by stacking flat plates made of different materials.
  • the thickness of the entire transparent substrate 10 is, for example, 1-1000 ⁇ m, preferably 5-200 ⁇ m.
  • the visible light internal transmittance of the transparent substrate 10 is, for example, 50% or more, preferably 70% or more, and more preferably 90% or more.
  • the transparent substrate 10 may have flexibility.
  • the transparent display device can be attached to a curved transparent plate or sandwiched between two curved transparent plates for use. Also, a material that shrinks when heated to 100° C. or higher may be used.
  • the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 are provided on the transparent substrate 10, that is, the adhesive layer 12, and are connected to the wiring 40 arranged on the transparent substrate 10.
  • the wiring 40 is composed of a first metal layer M1 formed on the main substrate 11 and a second metal layer M2 formed on the adhesive layer 12.
  • the visible side surface of the IC chip 30 is coated with a resin containing inorganic pigments such as carbon black or titanium black, organic black pigments, or dyes. At least a portion may be covered. Thereby, the IC chip 30 can be made inconspicuous.
  • the back surface of the IC chip 30 may be covered with the resin, or both surfaces may be covered with the resin.
  • 50% or more of the surface of the visible side of the IC chip 30 may be covered with the wiring 40 and the displacement plating film PF described later may be formed on the surface of the wiring 40 .
  • the diffraction effect is added, and the glossiness of the visible side surface of the IC chip 30 is suppressed. It is more preferable that the ratio of the surface of the IC chip 30 covered by the wiring 40 is 60% or more, and it is even more preferable if it is 70% or more.
  • the thickness of the wiring 40 that is, the sum of the thickness of the first metal layer M1 and the thickness of the second metal layer M2 is, for example, 0.1 to 10 ⁇ m, preferably 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the first metal layer M1 is, for example, about 0.5 ⁇ m
  • the thickness of the second metal layer M2 is, for example, about 3 ⁇ m.
  • the ground line 42 extending in the y-axis direction has a two-layer structure including a first metal layer M1 and a second metal layer M2 because the amount of current is large.
  • the adhesive layer 12 is removed at the site where the ground line 42 is provided, and the second metal layer M2 is formed on the first metal layer M1.
  • the power supply line 41, row data line 43, and column data line 44 shown in FIG. 1 also have a two-layer structure including a first metal layer M1 and a second metal layer M2. have.
  • the power supply line 41, the ground line 42, and the column data line 44 extending in the y-axis direction and the row data line 43 extending in the x-axis direction cross each other.
  • the row data lines 43 are composed only of the first metal layer M1
  • the power supply lines 41, the ground lines 42, and the column data lines 44 are composed only of the second metal layer M2.
  • an adhesive layer 12 is provided between the first metal layer M1 and the second metal layer M2 to insulate the first metal layer M1 and the second metal layer M2.
  • the first power supply branch lines 41a are composed only of the first metal layer M1, and the column data lines 44 It consists only of layer M2.
  • the ground branch line 42a, the drive line 45, and the first power supply branch line 41a are composed only of the second metal layer M2, and cover the ends of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30. is formed in Although not shown in FIG. 2, the second power supply branch line 41b, the row data branch line 43a, and the column data branch line 44a are similarly composed only of the second metal layer M2.
  • the first power supply branch line 41a is composed only of the first metal layer M1 at the intersection with the column data line 44, and is composed only of the second metal layer M2 at other portions.
  • a metal pad made of copper, silver, gold, or the like may be placed on the wiring 40 formed on the transparent substrate 10, and at least one of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 may be placed thereon.
  • the displacement plating film PF is formed so as to cover the entire surface of the second metal layer M2 on the viewing side (that is, the side opposite to the transparent substrate 10) in order to make the wiring 40 inconspicuous.
  • fine irregularities may be formed on the surface of the displacement plating film PF.
  • the displacement plating film PF is not particularly limited as long as it is a film that discolors the wiring 40 so as to make it inconspicuous, but it is, for example, a blackening treatment film.
  • the displacement plating film PF may also be formed so as to cover the entire surface of the first metal layer M1 on the viewing side (that is, the side opposite to the transparent substrate 10).
  • the transparent substrate 10 side may be the viewing side, and the opposite side may be the rear side.
  • the wiring 40 observed from the rear side can be made inconspicuous.
  • the thickness of the displacement plating film PF is not particularly limited, it is, for example, 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the thickness is at least 10 nm or more, a desired color can be exhibited, which is preferable.
  • the thickness of the displacement plating film PF is preferably uniform regardless of the type and position of the base.
  • the difference in thickness of the displacement plating film PF between the surface parallel to the main surface of the wiring 40 and the side surface inclined with respect to the main surface is preferably 40% or less, more preferably 30% or less, and further preferably 20% or less. preferable.
  • the main component of the displacement plating film PF is metal, the wiring 40 becomes less conspicuous as the displacement plating film PF becomes thicker.
  • the displacement plating film PF has a uniform thickness, variations in the resistance value inside the wiring 40 are reduced, and deterioration of high-frequency components and phase shift can be reduced.
  • the displacement plating film PF is made of a metal that has a lower ionization tendency than the underlying second metal layer M2 (or first metal layer M1).
  • the second metal layer M2 (or the first metal layer M1) underlying the displacement plating film PF is a metal containing copper or aluminum as a main component, for example. , Pt, Os, Ir, Re, and Rh.
  • the displacement plating film PF may contain halides such as chlorides of the above metals.
  • Displacement plating does not damage the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 connected to the wiring 40 compared to blackening treatment for forming an oxide film, for example, and leaves a displacement plating film only on the surface of the second metal layer M2. PF can be formed. Moreover, since the width of the wiring 40 hardly changes even when the displacement plating film PF is formed, deterioration of the visibility on the back side can be suppressed. Furthermore, since the displacement plating film PF is a metal film, it is possible to suppress an increase in the resistance and parasitic capacitance of the wiring 40 compared to the blackening treatment for forming an oxide film, for example.
  • a plating film may be provided using reduction plating.
  • an oxidizing agent emits electrons to form a reduction plating film. can be formed. If it is electroless plating, even if it is reduction plating, it is possible to form a plating film without passing an electric current, and it has the same effect as displacement plating.
  • the color of the wiring 40 having the displacement plating film PF formed on its surface (the color of the wiring 40 observed from the side of the displacement plating film PF) is CIE L * a * standardized by the International Commission on Illumination (CIE) in 1976. It can be expressed using the b * color space.
  • the color of the wiring 40 is measured by a reflection colorimeter using a CIE standard light source D65, for example, with the wiring 40 having the displacement plating film PF formed on its surface exposed.
  • the lightness L * of the wiring 40 on which the displacement plating film PF is formed satisfies L * ⁇ 50.
  • the lightness L * of the wiring 40 preferably satisfies L * ⁇ 45.
  • the chromaticities a * and b * of the wiring 40 on which the displacement plating film PF is formed satisfy a * ⁇ 10 and b * ⁇ 10.
  • the chromaticities a * and b * of the wiring 40 preferably satisfy a * ⁇ 5 and b * ⁇ 5.
  • the chromaticities a * and b * preferably satisfy ⁇ 40 ⁇ a * and ⁇ 40 ⁇ b * , more preferably ⁇ 30 ⁇ a * and ⁇ 30 ⁇ b * , and ⁇ 10 ⁇ a * , more preferably -10 ⁇ b * .
  • the wiring 40 is made of, for example, chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or the like. They are metals, their compounds, or laminates.
  • the surface of the wiring 40 on the side where the displacement plating film PF is not formed (the back surface of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 in FIG. 2) has a low reflectance or yellow or red color. Metals with low taste are preferred.
  • the surface is preferably chromium, titanium, molybdenum, tungsten, or an alloy containing these metals.
  • the surface may be an oxide of chromium, titanium, molybdenum, tungsten, copper, aluminum.
  • the wiring 40 can be made inconspicuous even when viewed from the rear side (that is, the transparent substrate 10 side).
  • the chromaticities a * and b * of the surface preferably satisfy ⁇ 40 ⁇ a * and ⁇ 40 ⁇ b * , more preferably ⁇ 30 ⁇ a * and ⁇ 30 ⁇ b * , and ⁇ 10 ⁇ More preferably, a * and -10 ⁇ b * are satisfied.
  • the protective layer 50 is a transparent resin formed on substantially the entire surface of the transparent substrate 10 so as to cover and protect the light emitting section 20 , the IC chip 30 and the wiring 40 .
  • the thickness of the protective layer 50 is, for example, 3-1000 ⁇ m, preferably 200-400 ⁇ m. When the thickness is 200 ⁇ m or more, the durability of the wiring 40 under high temperature and high humidity can be enhanced, and when the thickness is 300 ⁇ m or more, more favorable results can be obtained.
  • the tensile elastic modulus of the protective layer 50 is, for example, 10 GPa or less.
  • a lower tensile modulus of elasticity can reduce the stress generated when the resin expands and contracts due to environmental changes such as temperature and humidity, and can suppress damage to the wiring 40 and deterioration of the displacement plating film PF.
  • the visible light internal transmittance of the protective layer 50 is, for example, 50% or more, preferably 70% or more, and more preferably 90% or more.
  • a vinyl-based resin such as polyethylene (PE), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyvinyl acetate (PVAc), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl butyral (PVB), etc.
  • olefin resins such as cycloolefin polymer (COP) and cycloolefin copolymer (COC), urethane resins such as thermoplastic polyurethane (TPU), polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), Various acrylic resins such as polymethyl methacrylate (PMMA), ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), etc., or thermoplastic resins of copolymers thereof can be exemplified.
  • COP cycloolefin polymer
  • COC cycloolefin copolymer
  • TPU thermoplastic polyurethane
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • acrylic resins such as polymethyl methacrylate (PMMA), ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), etc., or thermoplastic resins of copolymers thereof can be exemplified
  • FIG. 3 to 11 are cross-sectional views showing an example of the method for manufacturing the transparent display device according to the first embodiment.
  • 3 to 11 are sectional views corresponding to FIG.
  • the LED elements 21 to 23 are formed by growing a crystal on a wafer using, for example, a liquid phase growth method, a HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method, a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, and then patterning. obtained by The LED elements 21 to 23 patterned on the wafer are transferred onto the transparent substrate 10 using, for example, microtransfer printing technology.
  • the IC chip 30 patterned on a Si wafer for example, is transferred onto the transparent substrate 10 using the microtransfer printing technique.
  • the photoresist FR1 on the first metal layer M1 is patterned. Remove.
  • the photoresist FR1 at the intersections of the row data lines 43 with the power supply lines 41, the ground lines 42, and the column data lines 44 shown in FIG. 1 is not removed.
  • the portions of the adhesive layer 12 where the photoresist FR1 has been removed are removed by dry etching to expose the first metal layer M1, that is, the lower wiring.
  • the photoresist FR1 on the transparent substrate 10 is completely removed. After that, a plating seed layer (not shown) is formed on substantially the entire surface of the transparent substrate 10 .
  • the photoresist FR2 is removed by patterning from the portion where the upper wiring is to be formed, exposing the seed layer.
  • a second metal layer M2 is formed by plating on the seed layer where the photoresist FR2 has been removed. As a result, the upper layer wiring is formed by the second metal layer M2.
  • a displacement plating film PF is formed on the second metal layer M2 by displacement plating.
  • a protective layer 50 is formed on substantially the entire surface of the transparent substrate 10 to obtain a transparent display device.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing an example of laminated glass according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing an example of laminated glass according to the second embodiment.
  • the laminated glass 200 shown in FIGS. 12 and 13 is used for windshields of automobile window glasses, but is not particularly limited.
  • the laminated glass according to the present embodiment can be used as window glass for moving bodies, ie, vehicles in general, including trains, ships, aircraft, and the like.
  • Window glass includes, for example, rear glass, side glass, roof glass, etc., in addition to the windshield.
  • a black opaque shielding portion 201 is provided on the entire peripheral edge of the laminated glass 200 .
  • the shielding part 201 blocks sunlight and protects the adhesive for assembling the laminated glass 200 to the automobile from ultraviolet rays. Moreover, the shielding portion 201 prevents the adhesive from being visually recognized from the outside.
  • the transparent display device 100 includes a non-display area 102 provided around the display area in addition to the display area 101 shown in FIG.
  • the display area 101 is composed of a large number of pixels and is an area in which an image is displayed, so detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 12 is a plan view, the non-display area 102 and the shielding portion 201 are indicated by dots for easy understanding.
  • a non-display area 102 is an area that does not have pixels and does not display an image.
  • thick wires connected to the power supply lines 41, the ground lines 42, the row data lines 43, and the column data lines 44 shown in FIG. 1 are densely provided.
  • the width of the wiring in the non-display area 102 is, for example, 100-10000 ⁇ m, preferably 100-5000 ⁇ m.
  • the spacing between wirings is, for example, 3 to 5000 ⁇ m, preferably 50 to 1500 ⁇ m.
  • the non-display area 102 is an opaque area and can be seen from inside the vehicle.
  • the design of the laminated glass 200 is degraded. Therefore, in the laminated glass 200 according to the second embodiment, at least part of the non-display area 102 of the transparent display device 100 is provided in the shielding portion 201 .
  • the non-display area 102 provided in the shielding portion 201 is hidden by the shielding portion 201 and cannot be visually recognized. Therefore, compared to the case where the entire non-display area 102 is visible, the design of the laminated glass 200 is improved.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the display area 101 of the transparent display device 100.
  • FIG. 13 the laminated glass 200 according to the second embodiment is obtained by laminating a pair of glass plates 220a and 220b via an intermediate film.
  • the laminated glass 200 includes the transparent display device 100 according to the first embodiment between the pair of glass plates 220a and 220b via intermediate films 210a and 210b.
  • the intermediate films 210a and 210b are made of polyvinyl butyral (PVB), for example.
  • the total thickness of the protective layer 50 and the intermediate film 210a is, for example, 3-1000 ⁇ m, preferably 200-400 ⁇ m.
  • the thickness is 200 ⁇ m or more, the durability of the wiring 40 under high temperature and high humidity can be enhanced, and when the thickness is 300 ⁇ m or more, more favorable results can be obtained.
  • the weighted average of the tensile elastic moduli according to the thicknesses of the protective layer 50 and the intermediate film a is, for example, 10 GPa or less.
  • a lower tensile modulus of elasticity can reduce the stress generated when the resin expands and contracts due to environmental changes such as temperature and humidity, and can suppress damage to the wiring 40 and deterioration of the displacement plating film PF.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing another example of the laminated glass according to the second embodiment.
  • the protective layer 50 in the transparent display device 100 is made of polyvinyl butyral (PVB), for example, and also functions as an intermediate film. Therefore, in the laminated glass 200 shown in FIG. 14, the intermediate film 210a formed on the protective layer 50 in FIG. 13 can be omitted. Thus, the protective layer 50 may also serve as the intermediate film 210a.
  • PVB polyvinyl butyral
  • FIG. 15 is a schematic partial plan view showing an example of the transparent display device according to the third embodiment.
  • the transparent display device according to this embodiment includes a sensor 70 in the display area 101 in addition to the structure of the transparent display device according to the first embodiment shown in FIG. That is, it has a function as a transparent sensing device.
  • the senor 70 is provided between predetermined pixels PIX and connected to the power line 41 and ground line 42 . Data detected by the sensor 70 is output via a data output line 46 extending from the sensor 70 in the y-axis direction.
  • a control signal is input to the sensor 70 via the control signal line 47 extending in the y-axis direction to the sensor 70 to control the sensor 70 .
  • the sensor 70 may be singular or plural. A plurality of sensors 70 may be arranged at predetermined intervals, for example, in the x-axis direction or the y-axis direction.
  • the transparent display device according to the present embodiment is mounted on the windshield of the window glass of an automobile. That is, the transparent display device according to this embodiment can also be applied to the laminated glass according to the second embodiment.
  • the sensor 70 is, for example, an illuminance sensor (for example, a light receiving element) for detecting illuminance inside and outside the vehicle.
  • the luminance of the display area 101 by the LED elements 21 to 23 is controlled according to the illuminance detected by the sensor 70 .
  • the brightness of the display area 101 by the LED elements 21 to 23 is increased as the illuminance outside the vehicle is higher than the illuminance inside the vehicle. Such a configuration further improves the visibility of the transparent display device.
  • the senor 70 may be an infrared sensor (for example, a light receiving element) or an image sensor (for example, a CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) image sensor) for sensing the line of sight of an observer (for example, a driver).
  • the transparent display device is activated only when the sensor 70 senses line of sight.
  • the transparent display device does not block the observer's field of vision unless the observer directs his or her line of sight to the transparent display device, which is preferable.
  • the senor 70 which is an image sensor, may have a function of detecting an observer's motion and, for example, turning on/off a transparent display device or switching a display screen based on the motion.
  • Other configurations are the same as those of the transparent display device according to the first embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic partial plan view showing one example of the transparent sensing device according to the fourth embodiment.
  • the transparent sensing device according to this embodiment in the configuration of the transparent display device according to the first embodiment shown in FIG.
  • This configuration includes a sensor 70 . That is, the transparent sensing device shown in FIG. 16 does not have the light emitting section 20 and does not have a display function.
  • Transparent sensing devices are one aspect of transparent electronic devices. Note that the sensing area of the transparent sensing device may correspond to the display area 101 of the transparent display device 100 .
  • the senor 70 is not particularly limited, it is a CMOS image sensor in the transparent sensing device shown in FIG. That is, the transparent sensing device shown in FIG. 16 has an imaging region 301 composed of a plurality of pixels PIX arranged in the row direction (x-axis direction) and column direction (y-axis direction), and has an imaging function.
  • FIG. 16 shows a part of the imaging region 301, showing a total of 4 pixels, 2 pixels each in the row direction and the column direction.
  • one pixel PIX is surrounded by a dashed line. 16
  • the transparent substrate 10 and the protective layer 50 are omitted in the same manner as in FIG.
  • FIG. 16 is a plan view, the sensors 70 are indicated by dots for easy understanding.
  • one sensor 70 is provided for each pixel PIX, arranged between a power line 41 and a ground line 42 extending in the y-axis direction, and connected to both. Data detected by the sensor 70 is output via a data output line 46 extending from the sensor 70 in the y-axis direction.
  • a control signal is input to the sensor 70 via the control signal line 47 extending in the y-axis direction to the sensor 70 to control the sensor 70 .
  • the control signal is, for example, a synchronization signal, a reset signal, or the like.
  • the power line 41 may be connected to a battery (not shown).
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the sensor 70.
  • the sensor 70 shown in FIG. 17 is a back-illuminated CMOS image sensor.
  • the sensor 70 as an image sensor is also not particularly limited, and may be a front side illuminated CMOS image sensor or a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor.
  • CCD Charge-Coupled Device
  • each sensor 70 includes a wiring layer, a semiconductor substrate, color filters CF1 to CF3, and microlenses ML1 to ML3.
  • an internal wiring IW is formed inside the wiring layer.
  • photodiodes PD1 to PD3 are formed inside the semiconductor substrate.
  • a semiconductor substrate for example, a silicon substrate is formed on the wiring layer.
  • the internal wiring IW formed inside the wiring layer connects the wiring 40 (the power supply line 41, the ground line 42, the data output line 46, and the control signal line 47) and the photodiodes PD1 to PD3.
  • the photodiodes PD1 to PD3 are irradiated with light, currents are output from the photodiodes PD1 to PD3.
  • the currents output from the photodiodes PD1 to PD3 are amplified by amplifier circuits (not shown) and output via the internal wiring IW and the data output line .
  • the color filters CF1 to CF3 are respectively formed on photodiodes PD1 to PD3 formed inside the semiconductor substrate.
  • the color filters CF1 to CF3 are, for example, red filters, green filters, and blue filters, respectively.
  • Microlenses ML1 to ML3 are placed on color filters CF1 to CF3, respectively.
  • the sensor 70 is a microsensor having a minute size of 250000 ⁇ m 2 or less on the transparent substrate 10 .
  • a microsensor is a sensor having a minute size of 250000 ⁇ m 2 or less in plan view.
  • the occupied area of the sensor 70 is, for example, preferably 25000 ⁇ m 2 or less, more preferably 2500 ⁇ m 2 or less. It should be noted that the lower limit of the area occupied by the sensor 70 is, for example, 10 ⁇ m 2 or more due to manufacturing conditions and the like. Note that the shape of the sensor 70 shown in FIG. 16 is rectangular, but is not particularly limited.
  • the transparent sensing device according to this embodiment can also be applied to the laminated glass according to the second embodiment.
  • the sensor 70 can acquire at least one image of the interior and exterior of the vehicle, for example. That is, the transparent sensing device according to this embodiment functions as a drive recorder.
  • a single sensor 70 may be provided in the transparent sensing device according to the fourth embodiment.
  • the sensor 70 in the transparent sensing device according to the fourth embodiment is not limited to an image sensor, and may be an illuminance sensor, an infrared sensor, or the like exemplified in the third embodiment. Additionally, the sensor 70 may be a radar sensor, lidar sensor, or the like. Vehicle window glass equipped with a transparent sensing device using these sensors 70 can monitor, for example, the interior and exterior of the vehicle.
  • the senor 70 according to the fourth embodiment is not particularly limited as long as it is a microsensor having a minute size of 250000 ⁇ m 2 or less on the transparent substrate 10 .
  • sensor 70 may be a temperature sensor, ultraviolet sensor, radio wave sensor, pressure sensor, sound sensor, speed/acceleration sensor, or the like.
  • Other configurations are the same as those of the transparent display device according to the first embodiment.
  • Examples according to the present invention are shown below, but the present invention should not be construed as being limited to the following examples.
  • the color of the wiring observed from the opposite side of the transparent substrate 10 and the light reflectance due to the wiring were measured during the manufacturing process. Then, each wiring of the manufactured transparent display device was energized to confirm the operation of the LED element and the IC chip.
  • Examples 1 and 2 are comparative examples, and Examples 3 to 6 are examples of the present invention.
  • Example 1 A method for manufacturing the transparent display device according to Example 1 will be described below with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 3, a glass plate having a thickness of 0.7 mm is used as the main substrate 11, and a W-10Ti alloy film having a thickness of 0.1 ⁇ m and a W-10Ti alloy film having a thickness of 0.30 ⁇ m are formed on substantially the entire surface of the main substrate 11. A first metal layer M1 having a three-layer structure including a Cu film and a W-10Ti alloy film having a thickness of 0.1 ⁇ m was formed in this order. After that, the first metal layer M1 was patterned by photolithography to form a lower layer wiring.
  • the portion of the adhesive layer 12 where the photoresist FR1 was removed was removed by dry etching to expose the first metal layer M1, ie, the lower wiring.
  • the photoresist FR1 on the transparent substrate 10 is completely removed. After that, a plating seed layer containing a W-10Ti alloy film with a thickness of 0.1 ⁇ m and a Cu film with a thickness of 0.15 ⁇ m was formed on substantially the entire surface of the transparent substrate 10 .
  • the photoresist FR2 was removed by patterning from the portion where the upper wiring was to be formed, exposing the seed layer.
  • a second metal layer M2 containing Cu and having a thickness of 2.0 to 3.0 ⁇ m was formed as an upper layer wiring by plating on the portion where the photoresist FR2 was removed, that is, the seed layer. .
  • photoresist FR2 is removed. Furthermore, the seed layer exposed by removing the photoresist FR2 was removed by etching. In the transparent display device according to Example 1, the displacement plating film PF was not formed on the second metal layer M2.
  • the color of the wiring 40 and the reflectance of light with a wavelength of 360 to 740 nm were measured by a reflection colorimeter using a CIE standard light source D65.
  • a cycloolefin polymer having a thickness of 300 ⁇ m was placed on substantially the entire surface of the transparent substrate 10 to form a protective layer 50 .
  • a soda-lime glass plate having a thickness of 2.0 mm was arranged on the protective layer 50 shown in FIG. 2, using the protective layer 50 as an intermediate film.
  • the color difference between the wiring 40 and the glass plate 220a was large, and the copper-colored wiring 40 was conspicuous.
  • each wiring 40 of the transparent display device according to Example 1 was energized and the operations of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 were checked, they were found to operate normally.
  • Example 2 In the transparent display device according to Example 2, after the process shown in FIG. 10, the displacement plating film PF was formed on the second metal layer M2 as shown in FIG. Specifically, first, after the step shown in FIG. 10, the transparent substrate 10 was washed with dilute sulfuric acid having a concentration of 1.0% by mass for 0.5 minutes as a pretreatment for displacement plating.
  • a displacement plating solution prepared by adding a small amount of an organic acid having a concentration of 0.05% by mass or less to an aqueous solution of palladium chloride having a concentration of 0.1% by mass in an acidic atmosphere of hydrochloric acid of pH 3.5. It was immersed for minutes to form displacement plating film PF. The transparent substrate 10 removed from the displacement plating solution was immersed in an aqueous solution of triethanolamine having a concentration of 3.5% by mass for 1 minute.
  • the color of the wiring 40 was measured by a reflection colorimeter using a CIE standard light source D65.
  • the protective layer 50 was formed in the same manner as in Example 1, and the glass plate 220a was placed on the protective layer 50 .
  • the transparent display device according to Example 2 although the color difference between the color of the wiring 40 and the color of the glass plate 220a was smaller than that of Example 1, the wiring 40 was still somewhat conspicuous.
  • each wiring 40 of the transparent display device according to Example 2 was energized and the operations of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 were confirmed, they were found to operate normally.
  • Example 3 A transparent display device was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the immersion time in the displacement plating solution was changed to 1.5 minutes.
  • the color of the wiring 40 was measured with a reflection colorimeter using the CIE standard light source D65 for the transparent substrate 10 in the manufacturing process shown in FIG.
  • the color difference between the color of the wiring 40 and the color of the glass plate 220a was smaller than in Examples 1 and 2, and the wiring 40 was not conspicuous.
  • each wiring 40 of the transparent display device according to Example 3 was energized and the operations of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 were confirmed, they were found to operate normally.
  • Example 4 A transparent display device was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the immersion time in the displacement plating solution was changed to 2.5 minutes.
  • the color of the wiring 40 was measured with a reflection colorimeter using the CIE standard light source D65 for the transparent substrate 10 in the manufacturing process shown in FIG.
  • the color difference between the color of the wiring 40 and the color of the glass plate 220a was smaller than those of Examples 1 to 3, and the wiring 40 was inconspicuous.
  • each wiring 40 of the transparent display device according to Example 4 was energized and the operations of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 were confirmed, they were found to operate normally.
  • Example 5 A transparent display device was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the immersion time in the displacement plating solution was changed to 3.5 minutes.
  • the color of the wiring 40 was measured with a reflection colorimeter using the CIE standard light source D65 for the transparent substrate 10 in the manufacturing process shown in FIG.
  • the color difference between the color of the wiring 40 and the color of the glass plate 220a was smaller than those of Examples 1 to 3, and the wiring 40 was inconspicuous.
  • each wiring 40 of the transparent display device according to Example 5 was energized and the operations of the LED elements 21 to 23 and the IC chip 30 were confirmed, they were found to operate normally.
  • Example 5 a durability test was conducted in which the sample was stored in an environment with a temperature of 85°C and a humidity of 85% for 1200 hours.
  • the amount of change in lightness ⁇ L* ⁇ 7
  • the amount of change in chromaticity ⁇ a* 16
  • Example 5 depth direction analysis of the displacement plating film PF formed on the wiring 40 was performed using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). As a result, Pd forming the displacement plating film PF was detected up to a depth of about 70 nm. That is, the thickness of displacement plating film PF is also estimated to be about 70 nm.
  • XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy
  • Example 6 A transparent display device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that the pretreatment for displacement plating (cleaning of the transparent substrate 10 with dilute sulfuric acid having a concentration of 1.0% by mass for 0.5 minutes) was omitted.
  • the color of the wiring 40 was measured with a reflection colorimeter using the CIE standard light source D65 for the transparent substrate 10 in the manufacturing process shown in FIG.
  • the lightness L * of the wiring 40 will be explained.
  • the lightness L * of the wiring 40 exceeded 80, and the wiring 40 was conspicuous.
  • the lightness L * of the wiring 40 satisfied L * ⁇ 50, and the wiring 40 was inconspicuous.
  • the lightness L * of the wirings 40 satisfied L * ⁇ 45, and the wirings 40 were less conspicuous.
  • FIG. 18 is a graph showing the distribution of the chromaticities a * and b * of the wiring of the transparent display devices according to Examples 1-6.
  • the horizontal axis indicates chromaticity a * and the vertical axis indicates chromaticity b * .
  • the chromaticities a * and b * of the wiring 40 both exceeded 10, and the wiring 40 was conspicuous.
  • the chromaticities a * and b * of the wiring 40 satisfied a * ⁇ 10 and b * ⁇ 10, and the wiring 40 was inconspicuous.
  • the chromaticities a * and b * of the wiring 40 satisfied a * ⁇ 5 and b * ⁇ 5, and the wiring 40 was less conspicuous.
  • FIG. 19 is a graph showing the reflectance of light with a wavelength of 360 to 740 nm due to the wiring of the transparent display devices according to Examples 1 to 6.
  • the horizontal axis indicates the wavelength of light [nm]
  • the vertical axis indicates the reflectance [%].
  • the reflectance of light having a wavelength of 600 nm or more is particularly high, exceeding 80%.
  • the light reflectance is lower than that of the transparent display devices according to Examples 1 and 2 in the entire wavelength range of 360 to 740 nm shown in FIG. 19, and is 40% or less. It has become.
  • the reflectance of light is 30% or less in the entire wavelength range of 360 to 740 nm shown in FIG.
  • the reflectance of light increased sharply in the vicinity of wavelengths of 550 to 600 nm.
  • the transparent display devices according to Examples 4 to 6 a drop in light reflectance was confirmed in the vicinity of wavelengths of 550 to 600 nm.

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Abstract

本発明の一態様に係る透明電子デバイスは、透明基板（１０）と、透明基板（１０）の主面上に配置され、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子（２０）と、電子素子（２０）に接続された幅１００μｍ以下の配線（４０）と、を備える。配線（４０）における透明基板（１０）と反対側の表面は、無電解めっき膜（ＰＦ）によって被覆されており、無電解めっき膜（ＰＦ）側から観察した配線（４０）の色が、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす。

Description

透明電子デバイス、合わせガラス、及び透明電子デバイスの製造方法
　本発明は、透明電子デバイス、合わせガラス、及び透明電子デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１に開示されているように、発明者らは、透明基板上に形成された微細な発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）素子を画素に用いた透明表示デバイスを開発してきた。このような透明表示デバイスは、当該透明表示デバイスを介して背面側を視認可能であるため、例えば車両や建築物の窓あるいはパーティション等の透明部材に設けられる。関連技術として、透明基板上にマイクロセンサが設けられた透明センシングデバイスが知られている。
　本明細書では、透明表示デバイスや透明センシングデバイス等のように、透明基板上に電子素子が形成され、背面側を視認可能な電子デバイスを「透明電子デバイス」と呼ぶ。
国際公開第２０１９／１４６６３４号
　発明者らは、このような透明電子デバイスに関し、以下の問題点を見出した。
　透明電子デバイスでは、配線の幅を狭くして配線を目立たなくしているが、電気抵抗等の観点から限界がある。
　そこで、発明者らは、配線の色を変化させて配線を目立たなくする手法を検討した。
　本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、配線がより目立たない透明電子デバイスを提供する。
　本発明は、［１］の構成を有する透明電子デバイスを提供する。
［１］
　透明基板と、
　前記透明基板の主面上に配置され、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子と、
　前記電子素子に接続された幅１００μｍ以下の配線と、を備え、
　前記配線における前記透明基板と反対側の表面は、無電解めっき膜によって被覆されており、
　前記無電解めっき膜側から観察した前記配線の色が、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす、
透明電子デバイス。
［２］前記無電解めっき膜が、置換めっき膜である［１］に記載の透明電子デバイス。
［３］前記配線が、銅を主成分として含む、［１］又は［２］に記載の透明電子デバイス。
［４］前記無電解めっき膜が、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈのいずれかを主成分として含む、［１］～［３］のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
［５］前記配線の前記表面による波長３６０～７４０ｎｍの光の反射率が、４０％以下である、［１］～［４］のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
［６］前記透明基板上において前記電子素子を覆う透明な保護層をさらに備える、
［１］～［５］のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
［７］前記保護層の厚さが、２００～４００μｍである、［６］に記載の透明電子デバイス。
［８］前記電子素子は、１００００μｍ２以下の面積を有する発光ダイオード素子であり、当該透明電子デバイスが、透明表示デバイスである、［１］～［７］のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
　本発明は、［９］の構成を有する合わせガラスを提供する。
［９］
　一対のガラス板と、
　前記一対のガラス板との間に設けられた透明電子デバイスと、を備えた合わせガラスであって、
　前記透明電子デバイスは、
　透明基板と、
　前記透明基板の主面上に形成され、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子と、
　前記電子素子に接続された幅１００μｍ以下の配線と、を備え、
　前記配線における前記透明基板と反対側の表面は、無電解めっき膜によって被覆されており、
　前記無電解めっき膜側から観察した前記配線の色は、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす、
合わせガラス。
［１０］前記一対のガラス板は、周縁に設けられた不透明な遮蔽部を備え、前記透明電子デバイスは、透明領域の周囲に設けられた不透明領域を備え、前記透明電子デバイスの前記不透明領域の少なくとも一部が、前記一対のガラス板の前記遮蔽部に設けられている、［９］に記載の合わせガラス。
［１１］自動車のウインドウガラスに用いられる、［９］又は［１０］に記載の合わせガラス。
　本発明は、以下［１２］の構成を有する透明電子デバイスの製造方法を提供する。
［１２］
　透明基板の主面上に、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子を配置し、
　前記電子素子に幅１００μｍ以下の配線を接続する、透明電子デバイスの製造方法であって、
　前記配線における前記透明基板と反対側の表面を無電解めっき膜によって被覆し、
　前記無電解めっき膜側から観察した前記配線の色が、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす、
透明電子デバイスの製造方法。
　本発明によれば、配線がより目立たない透明電子デバイスを提供できる。
第１の実施形態に係る透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。 図１におけるＩＩ－ＩＩ切断線による断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。 第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な平面図である。 第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な断面図である。 第２の実施形態に係る合わせガラスの他の一例を示す模式的な断面図である。 第３の実施形態に係る透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。 第４の実施形態に係る透明センシングデバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。 センサ７０の模式断面図である。 例１～５に係る透明表示デバイスの配線の色度ａ＊、ｂ＊の分布を示すグラフである。 例１～５に係る透明表示デバイスの配線による波長３６０～７４０ｎｍの光の反射率を示すグラフである。
　以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本発明が以下の実施形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
　本明細書において「透明電子デバイス」とは、透明基材上に電子素子が形成され、当該電子デバイスの背面側に位置する人物や背景等の視覚情報を、所望の使用環境下で視認可能な電子デバイスを指す。
　本明細書において「透明表示デバイス」とは、表示デバイスの背面側に位置する人物や背景等の視覚情報を、所望の使用環境下で視認可能な表示デバイスを指す。なお、視認可能とは、少なくとも表示デバイスが非表示状態、すなわち通電されていない状態で判定される。「透明表示デバイス」は、「透明電子デバイス」の一形態である。
　同様に、本明細書において「透明センシングデバイス」とは、センシングデバイスの背面側に位置する人物や背景等の視覚情報を、所望の使用環境下で視認可能なセンシングデバイスを指す。「センシングデバイス」とは、センサを利用して、各種情報を取得可能なデバイスを指す。「透明センシングデバイス」は、「透明電子デバイス」の一形態である。
　本明細書において、「透明」とは、ヘイズ値が２０以下にて可視光が透過する領域の面積が、表示領域全体又はセンシング領域全体に対し、３０％以上、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上であることを指す。また、透過率１％以上かつヘイズ値が２０以下であることを指していてもよい。透過率が１％以上であれば、室内から日中の屋外を見た際に、室内と同程度以上の明るさで屋外を見られ、充分な視認性を確保できる。
　また、透過率が４０％以上であれば、透明表示デバイスの前面側と背面側との明るさが同程度であっても、透明表示デバイスの背面側を実質的に問題なく視認できる。また、ヘイズ値が１０以下であれば、背景のコントラストを充分に確保できる。
　「透明」とは、色が付与されているか否かは問わず、つまり無色透明であってもよく、有色透明であってもよい。
　なお、透過率は、ＩＳＯ９０５０に準拠する方法により測定された値（％）を指す。ヘイズ値は、ＩＳＯ１４７８２に準拠する方法により測定された値を指す。
（第１の実施形態）
＜透明表示デバイスの構成＞
　まず、図１及び図２を参照して、第１の実施形態に係る透明表示デバイスの構成について説明する。図１は、第１の実施形態に係る透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ切断線による断面図である。
　なお、当然のことながら、図１及び図２に示した右手系ｘｙｚ直交座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、ｚ軸正向きが鉛直上向き、ｘｙ平面が水平面である。
　図１及び図２に示すように、本実施形態に係る透明表示デバイスは、透明基板１０、発光部２０、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ３０、配線４０、保護層５０を備えている。透明表示デバイスにおける表示領域１０１は、複数の画素から構成され、画像が表示される領域である。なお、画像は文字を含む。図１に示すように、表示領域１０１は、行方向（ｘ軸方向）及び列方向（ｙ軸方向）に並んだ複数の画素から構成されている。図１には、表示領域１０１の一部が示されており、行方向及び列方向に２画素ずつ計４画素が示されている。ここで、１つの画素ＰＩＸが一点鎖線によって囲んで示されている。また、図１では、図２に示した透明基板１０及び保護層５０が省略されている。さらに、図１は平面図だが、理解を容易にするため、発光部２０及びＩＣチップ３０がドット表示されている。
＜発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０の平面配置＞
　まず、図１を参照して、発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０の平面配置について説明する。
　図１に示すように、一点鎖線によって囲まれた画素ＰＩＸが、行方向（ｘ軸方向）に画素ピッチＰｘで、列方向（ｙ軸方向）に画素ピッチＰｙで、マトリクス状に配置されている。ここで、図１に示すように、各画素ＰＩＸは、発光部２０及びＩＣチップ３０を備えている。すなわち、発光部２０及びＩＣチップ３０は、行方向（ｘ軸方向）に画素ピッチＰｘで、列方向（ｙ軸方向）に画素ピッチＰｙで、マトリクス状に配置されている。
　なお、所定の方向に所定の画素ピッチで配置されれば、画素ＰＩＸすなわち発光部２０の配置形式はマトリクス状に限らない。
　図１に示すように、各画素ＰＩＸにおける発光部２０は、少なくとも１つの発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤ素子）を含む。すなわち、本実施形態による透明表示デバイスは、各画素ＰＩＸにＬＥＤ素子を用いる表示デバイスであり、ＬＥＤディスプレイ等と呼ばれる。
　図１の例では、各発光部２０が、赤色系のＬＥＤ素子２１、緑色系のＬＥＤ素子２２、及び青色系のＬＥＤ素子２３を含んでいる。ＬＥＤ素子２１～２３は、１つの画素を構成する副画素（サブピクセル）に対応する。このように、各発光部２０が、光の三原色である赤、緑、青を発光するＬＥＤ素子２１～２３を有するため、本実施形態に係る透明表示デバイスは、フルカラー画像を表示できる。
　なお、各発光部２０は同系色のＬＥＤ素子を２つ以上含んでいてもよい。これにより、画像のダイナミクスレンジを拡大できる。
　ＬＥＤ素子２１～２３は、いわゆるマイクロＬＥＤ素子であり、例えば１００００μｍ２以下の面積を有する半導体チップである。具体的には、透明基板１０上におけるＬＥＤ素子２１の幅（ｘ軸方向の長さ）及び長さ（ｙ軸方向の長さ）はそれぞれ、例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。ＬＥＤ素子２２、２３についても同様である。ＬＥＤ素子の幅及び長さの下限は、製造上の諸条件等から例えば３μｍ以上である。
　なお、図１におけるＬＥＤ素子２１～２３の寸法すなわち幅及び長さは同一であるが、互いに異なっていてもよい。
　また、透明基板１０上においてＬＥＤ素子２１～２３のそれぞれが占める面積は、好ましくは３０００μｍ２以下、より好ましくは５００μｍ２以下である。なお、１つのＬＥＤ素子が占める面積の下限は、製造上の諸条件等から例えば１０μｍ２以上である。ここで、本明細書において、ＬＥＤ素子の面積や配線等の構成部材の面積は、図１におけるｘｙ平面視においてＬＥＤ素子や配線等の構成部材が占める面積を指す。
　なお、図１に示したＬＥＤ素子２１～２３の形状は、矩形状（正方形を含む）であるが、特に限定されない。
　ここで、ＬＥＤ素子２１～２３は、例えば、光を視認側に効率よく取り出すためのミラー構造を有している。そのため、ＬＥＤ素子２１～２３の透過率は、例えば１０％以下程度と低い。しかしながら、本実施形態に係る透明表示デバイスでは、上述の通り、面積１００００μｍ２以下の微小サイズのＬＥＤ素子２１～２３を用いている。そのため、例えば数１０ｃｍ～２ｍ程度の近距離から、透明表示デバイスを観察するような場合でも、ＬＥＤ素子２１～２３はほとんど視認できない。また、表示領域１０１において透過率が低い領域が狭く、背面側の視認性に優れている。その上、配線４０等の配置の自由度も大きい。
　なお、「表示領域１０１において透過率が低い領域」とは、例えば、透過率が２０％以下の領域である。以下同様である。
　また、微小サイズのＬＥＤ素子２１～２３を用いているため、透明表示デバイスを湾曲させても、ＬＥＤ素子が損傷し難い。そのため、本実施形態に係る透明表示デバイスは、自動車用のウインドウガラスのような湾曲した透明板に装着したり、湾曲した２枚の透明板の間に封入したりして使用できる。ここで、透明基板１０として可撓性を有する材料を用いれば、本実施形態に係る透明表示デバイスを湾曲させられる。
　ＬＥＤ素子２１～２３は、特に限定されないが、例えば無機材料である。赤色系のＬＥＤ素子２１は、例えばＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ等である。緑色系のＬＥＤ素子２２は、例えばＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＺｎＳｅ等である。青色系のＬＥＤ素子２３は、例えばＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＺｎＳｅ等である。
　ＬＥＤ素子２１～２３の発光効率すなわちエネルギー変換効率は、例えば１％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは１５％以上である。ＬＥＤ素子２１～２３の発光効率が１％以上であると、上述のように微小サイズのＬＥＤ素子２１～２３でも充分な輝度が得られ、表示デバイスとして日中にも利用できる。また、ＬＥＤ素子の発光効率が１５％以上であると、発熱が抑制され、樹脂接着層を用いた合わせガラス内部への封入が容易になる。
　画素ピッチＰｘ、Ｐｙはそれぞれ、例えば１００～３０００μｍ、好ましくは１８０～１０００μｍ、より好ましくは２５０～４００μｍである。画素ピッチＰｘ、Ｐｙを上記範囲とすれば、充分な表示能を確保しつつ、高い透明性を実現できる。また、透明表示デバイスの背面側からの光によって生じ得る回折現象を抑制できる。
　また、本実施形態に係る透明表示デバイスの表示領域１０１における画素密度は、例えば１０ｐｐｉ以上、好ましくは３０ｐｐｉ以上、より好ましくは６０ｐｐｉ以上である。
　また、１画素ＰＩＸの面積はＰｘ×Ｐｙである。１画素の面積は、例えば１×１０４μｍ２～９×１０６μｍ２、好ましくは３×１０４～１×１０６μｍ２、より好ましくは６×１０４～２×１０５μｍ２である。１画素の面積を１×１０４μｍ２～９×１０６μｍ２とすれば、適切な表示能を確保しつつ、表示デバイスの透明性を向上させられる。１画素の面積は、表示領域１０１のサイズ、用途、視認距離等によって適宜選択すればよい。
　１画素の面積に対してＬＥＤ素子２１～２３が占める面積の割合は、例えば３０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは１％以下である。１画素の面積に対してＬＥＤ素子２１～２３が占める面積の割合を３０％以下であれば、透明性及び背面側の視認性が向上する。
　図１では、各画素において、３つのＬＥＤ素子２１～２３が、この順にｘ軸正方向に一列に並べて配置されているが、これに限定されない。例えば、３つのＬＥＤ素子２１～２３の配置順を変更してもよい。また、３つのＬＥＤ素子２１～２３を、ｙ軸方向に並べてもよい。あるいは、３つのＬＥＤ素子２１～２３を三角形の頂点に配置してもよい。
　また、図１に示すように、各発光部２０が複数のＬＥＤ素子２１～２３を備えている場合、発光部２０におけるＬＥＤ素子２１～２３同士の間隔は、例えば１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下である。また、ＬＥＤ素子２１～２３同士は、互いに接するように配置されていてもよい。これにより、第１電源分岐線４１ａを共通化し易くなり、開口率を向上させられる。
　なお、図１の例では、各発光部２０における複数のＬＥＤ素子の配置順、配置方向等は互いに同じだが、異なっていてもよい。また、各発光部２０が波長の異なる光を発する３つのＬＥＤ素子を含む場合、一部の発光部２０では、ＬＥＤ素子をｘ軸方向又はｙ軸方向に並べて配置し、他の発光部２０では、各色のＬＥＤ素子を三角形の頂点に配置してもよい。
　図１の例では、ＩＣチップ３０は、画素ＰＩＸごとに配置され、発光部２０を駆動する。具体的には、ＩＣチップ３０は、ＬＥＤ素子２１～２３のそれぞれに駆動線４５を介して接続されており、ＬＥＤ素子２１～２３を個別に駆動できる。ＩＣチップ３０は、例えば、アナログ領域と論理領域とを備えたハイブリッドＩＣである。アナログ領域は、例えば、電流制御回路及び変圧回路等を含んでいる。
　なお、ＩＣチップ３０を複数の画素ごとに配置し、各ＩＣチップ３０が接続された複数の画素を駆動してもよい。例えば、ＩＣチップ３０を４画素ごとに１個配置すれば、ＩＣチップ３０の個数を図１の例の１／４に削減し、ＩＣチップ３０が占める面積を削減できる。また、ＩＣチップ３０は必須ではなく、パッシブマトリクス駆動のように、ＩＣチップ３０を利用しない駆動方式や、ＩＣチップ３０に代わりＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いて駆動してもよい。
　ＩＣチップ３０の面積は、例えば１０００００μｍ２以下、好ましくは１００００μｍ２以下、より好ましくは５０００μｍ２以下である。ＩＣチップ３０の透過率は２０％以下程度と低いが、上記のサイズのＩＣチップ３０を用いれば、表示領域１０１において透過率が低い領域が狭くなり、背面側の視認性が向上する。
　ＩＣチップ３０に代わりＴＦＴを用いる場合、ＴＦＴの面積は、例えば５０００００μｍ２以下、好ましくは３００００μｍ２以下である。
　図１に示すように、配線４０は、電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、列データ線４４、及び駆動線４５を複数ずつ備えている。
　図１の例では、電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４はｙ軸方向に延設されている。他方、行データ線４３は、ｘ軸方向に延設されている。
　また、各画素ＰＩＸにおいて、電源線４１及び列データ線４４は、発光部２０及びＩＣチップ３０よりもｘ軸負方向側に設けられており、グランド線４２は、発光部２０及びＩＣチップ３０よりもｘ軸正方向側に設けられている。ここで、電源線４１は、列データ線４４よりもｘ軸負方向側に設けられている。また、各画素ＰＩＸにおいて、行データ線４３は、発光部２０及びＩＣチップ３０よりもｙ軸負方向側に設けられている。
　さらに、詳細には後述するが、図１に示すように、電源線４１は、第１電源分岐線４１ａ及び第２電源分岐線４１ｂを備えている。グランド線４２は、グランド分岐線４２ａを備えている。行データ線４３は、行データ分岐線４３ａを備えている。列データ線４４は、列データ分岐線４４ａを備えている。これら各分岐線は、配線４０に含まれる。
　図１に示すように、ｙ軸方向に延設された各電源線４１は、ｙ軸方向に並設された各画素ＰＩＸの発光部２０及びＩＣチップ３０に接続されている。より詳細には、各画素ＰＩＸにおいて、電源線４１よりもｘ軸正方向側において、ＬＥＤ素子２１～２３がこの順にｘ軸正方向に並設されている。そのため、電源線４１からｘ軸正方向に分岐した第１電源分岐線４１ａが、ＬＥＤ素子２１～２３のｙ軸正方向側端部に接続されている。
　また、各画素ＰＩＸにおいて、ＩＣチップ３０は、ＬＥＤ素子２１～２３のｙ軸負方向側に配置されている。そのため、ＬＥＤ素子２１と列データ線４４との間において、第１電源分岐線４１ａからｙ軸負方向に分岐した第２電源分岐線４１ｂが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｙ軸正方向側端部のｘ軸負方向側に接続されている。
　図１に示すように、ｙ軸方向に延設された各グランド線４２は、ｙ軸方向に並設された各画素ＰＩＸのＩＣチップ３０に接続されている。具体的には、グランド線４２からｘ軸負方向に分岐したグランド分岐線４２ａが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｘ軸正方向側端部に接続されている。
　ここで、グランド線４２は、グランド分岐線４２ａ、ＩＣチップ３０、及び駆動線４５を介して、ＬＥＤ素子２１～２３に接続されている。
　図１に示すように、ｘ軸方向に延設された各行データ線４３は、ｘ軸方向（行方向）に並設された各画素ＰＩＸのＩＣチップ３０に接続されている。具体的には、行データ線４３からｙ軸正方向に分岐した行データ分岐線４３ａが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｙ軸負方向側端部に接続されている。
　ここで、行データ線４３は、行データ分岐線４３ａ、ＩＣチップ３０、及び駆動線４５を介して、ＬＥＤ素子２１～２３に接続されている。
　図１に示すように、ｙ軸方向に延設された各列データ線４４は、ｙ軸方向（列方向）に並設された各画素ＰＩＸのＩＣチップ３０に接続されている。具体的には、列データ線４４からｘ軸正方向に分岐した列データ分岐線４４ａが、直線状に延設され、ＩＣチップ３０のｘ軸負方向側端部に接続されている。
　ここで、列データ線４４は、列データ分岐線４４ａ、ＩＣチップ３０、及び駆動線４５を介して、ＬＥＤ素子２１～２３に接続されている。
　駆動線４５は、各画素ＰＩＸにおいて、ＬＥＤ素子２１～２３とＩＣチップ３０とを接続している。具体的には、各画素ＰＩＸにおいて、３本の駆動線４５がｙ軸方向に延設され、それぞれがＬＥＤ素子２１～２３のｙ軸負方向側端部とＩＣチップ３０のｙ軸正方向側端部とを接続している。
　なお、図１に示した電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、列データ線４４、及びそれらの分岐線、並びに駆動線４５の配置はあくまでも一例であり、適宜変更可能である。例えば、電源線４１及びグランド線４２の少なくとも一方が、ｙ軸方向でなくｘ軸方向に延設されていてもよい。また、電源線４１と列データ線４４とを入れ換えた構成でもよい。
　また、図１に示した構成全体を、上下反転させた構成あるいは左右反転させた構成等でもよい。
　さらに、行データ線４３、列データ線４４、及びそれらの分岐線、並びに駆動線４５は必須ではない。
　配線４０は、例えばクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属、もしくは、それらの化合物、もしくは、積層物である。このうち、コスト的な観点から、低抵抗率である銅又はアルミニウムを主成分とする金属であることが好ましい。
　なお、図１には図示されていないが、配線４０の表面は、配線４０を目立たなくするため、図２を参照して後述する置換めっき膜ＰＦによって被覆されている。
　図１に示した表示領域１０１における配線４０の幅は、いずれも例えば１～３００μｍ、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは３～２０μｍである。配線４０の幅が１００μｍ以下であるため、例えば数１０ｃｍ～２ｍ程度の近距離から、透明表示デバイスを観察するような場合でも、配線４０はほとんど視認できず、背面側の視認性に優れている。他方、後述する厚さの範囲の場合、配線４０の幅を１μｍ以上であれば、配線４０の抵抗の過度な上昇を抑制し、電圧降下や信号強度の低下を抑制できる。また、配線４０による熱伝導の低下も抑制できる。
　ここで、図１に示すように、配線４０が主にｘ軸方向及びｙ軸方向に延びている場合、透明表示デバイスの外部から照射された光によってｘ軸方向及びｙ軸方向に延びた十字回折像が発生し、透明表示デバイスの背面側の視認性が低下する場合がある。各配線の幅を狭くして、この回折を抑制し、背面側の視認性をさらに向上させられる。回折を抑制する観点から、配線４０の幅を５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下としてもよい。
　配線４０の表面に凹凸が形成されていると、正反射が抑制され、配線４０が目立たなくなる。そのため、配線４０の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がさらに好ましい。他方、耐久性の観点からは、置換めっき膜ＰＦ下の配線４０の表面粗さＲａは、小さい方が好ましい。例えば、配線４０の表面粗さＲａは、２０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましい。
　配線４０の電気抵抗率は、例えば１．０×１０－６Ωｍ以下、好ましくは２．０×１０－８Ωｍ以下である。また、配線４０の熱伝導率は、例えば１５０～５，５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）、好ましくは３５０～４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
　図１に示した表示領域１０１における隣接する配線４０同士の間隔は、例えば３～１００μｍ、好ましくは５～３０μｍである。配線４０が密になっている領域があると、背面側の視認を妨げる場合がある。隣接する配線４０同士の間隔を３μｍ以上とすれば、そのような視認の妨げを抑制できる。他方、隣接する配線４０同士の間隔を１００μｍ以下とすれば、充分な表示能を確保できる。
　なお、配線４０が湾曲していること等によって配線４０同士の間隔が一定でない場合、上述の隣接する配線４０同士の間隔は、その最小値を指す。
　１画素の面積に対して配線４０が占める面積の割合は、例えば３０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。配線４０の透過率は、例えば２０％以下、あるいは１０％以下と低い。しかしながら、１画素において配線４０が占める面積の割合を３０％以下とすれば、表示領域１０１において透過率の低い領域が狭くなり、背面側の視認性が向上する。
　さらに、１画素の面積に対して発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０が占める面積の合計は、例えば３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下である。
＜透明表示デバイスの断面構成＞
　次に、図２を参照して、本実施形態に係る透明表示デバイスの断面構成について説明する。
　透明基板１０は、絶縁性を有する透明な基板である。図２の例では、透明基板１０は、主基板１１及び接着剤層１２である２層構造を有している。
　主基板１１は、詳細には後述するように、例えば透明樹脂である。
　接着剤層１２は、例えばエポキシ系、アクリル系、オレフィン系、ポリイミド系、ノボラック系等の透明樹脂接着剤である。
　なお、主基板１１は、厚さが例えば２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下等の薄いガラス板でもよい。また、接着剤層１２は、必須ではない。
　主基板１１を構成する透明樹脂として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のオレフィン系樹脂、セルロース、アセチルセルロース、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のセルロース系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等のイミド系樹脂、ポリアミド（ＰＡ）等のアミド系樹脂、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）等のアミドイミド系樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）等のカーボネート系樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等のスルホン系樹脂、ポリパラキシレン等のパラキシレンケイ系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のビニル系樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等のウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂等を例示できる。
　上記の主基板１１に用いられる材料のうち、耐熱性向上の観点からはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）が好ましい。また、複屈折率が低く、透明基板を通して見た像の歪みや滲みを低減できる点では、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等が好ましい。
　上記材料を単一で用いても、２種以上の材料を混合して用いてもよい。さらに、異なる材料の平板を積層させて主基板１１を構成してもよい。
　透明基板１０全体の厚さは、例えば１～１０００μｍ、好ましくは５～２００μｍである。透明基板１０の可視光の内部透過率は、例えば５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上である。
　また、透明基板１０は可撓性を有していてもよい。これにより、例えば透明表示デバイスを湾曲した透明板に装着したり、湾曲した２枚の透明板の間に挟んで使用したりできる。また、１００℃以上に加熱した際に収縮する材料であってもよい。
　図２に示すように、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０は、透明基板１０すなわち接着剤層１２上に設けられており、透明基板１０上に配置された配線４０と接続されている。図２の例では、配線４０は、主基板１１上に形成された第１メタル層Ｍ１、接着剤層１２上に形成された第２メタル層Ｍ２から構成されている。
　図２において、ＩＣチップ３０の視認側表面での光の反射を抑制するため、カーボンブラックやチタンブラック等の無機顔料、有機黒色顔料や染料を含んだ樹脂によって、ＩＣチップ３０の視認側表面の少なくとも一部を覆ってもよい。それにより、ＩＣチップ３０を目立たなくできる。ＩＣチップ３０の背面側表面を上記樹脂によって覆ってもよく、両方の表面を上記樹脂によって覆ってもよい。
　あるいは、ＩＣチップ３０の視認側表面の５０％以上を配線４０で覆い、当該配線４０の表面に後述する置換めっき膜ＰＦを形成してもよい。このような構成によって、回折効果も加わって、ＩＣチップ３０の視認側表面の光沢が抑えられる。ＩＣチップ３０の表面を配線４０によって覆う比率が、６０％以上であれば、より好ましく、７０％以上であれば、さらに好ましい。
　配線４０の厚さすなわち第１メタル層Ｍ１の厚さと第２メタル層Ｍ２の厚さとの合計は、例えば０．１～１０μｍ、好ましくは０．５～５μｍである。第１メタル層Ｍ１の厚さは、例えば０．５μｍ程度、第２メタル層Ｍ２の厚さは、例えば３μｍ程度である。
　詳細には、図２に示すように、ｙ軸方向に延設されたグランド線４２は、電流量が多いため、第１メタル層Ｍ１及び第２メタル層Ｍ２を含む２層構造を有している。すなわち、グランド線４２が設けられた部位では、接着剤層１２が除去され、第１メタル層Ｍ１上に第２メタル層Ｍ２が形成されている。図２には示されていないが、図１に示した電源線４１、行データ線４３、及び列データ線４４も、同様に、第１メタル層Ｍ１及び第２メタル層Ｍ２を含む２層構造を有している。
　ここで、図１に示すように、ｙ軸方向に延設された電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４と、ｘ軸方向に延設された行データ線４３とは、交差している。図２には図示されていないが、この交差部では、行データ線４３は第１メタル層Ｍ１のみから構成され、電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４は第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。そして、この交差部では、第１メタル層Ｍ１と第２メタル層Ｍ２との間に接着剤層１２が設けられ、第１メタル層Ｍ１と第２メタル層Ｍ２とが絶縁されている。
　同様に、図１に示した列データ線４４と第１電源分岐線４１ａとの交差部では、第１電源分岐線４１ａが第１メタル層Ｍ１のみから構成され、列データ線４４が第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。
　また、図２の例では、グランド分岐線４２ａ、駆動線４５、及び第１電源分岐線４１ａは第２メタル層Ｍ２のみから構成され、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の端部を覆うように形成されている。図２には示されていないが、第２電源分岐線４１ｂ、行データ分岐線４３ａ、及び列データ分岐線４４ａも、同様に、第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。
　なお、第１電源分岐線４１ａは、上述の通り、列データ線４４との交差部では第１メタル層Ｍ１のみから構成され、それ以外の部位では第２メタル層Ｍ２のみから構成されている。また、透明基板１０上に形成された配線４０上に、銅、銀、金製等の金属パッドを配置し、その上にＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の少なくとも一方を配置してもよい。
　図２に示すように、置換めっき膜ＰＦは、配線４０を目立たなくするために、第２メタル層Ｍ２の視認側（すなわち透明基板１０と反対側）の表面全体を覆うように形成されている。ここで、置換めっき膜ＰＦの表面に微細な凹凸が形成されていてもよい。置換めっき膜ＰＦは、目立たなくなるように配線４０を変色させる膜であれば、特に限定されないが、例えば黒化処理膜である。
　なお、置換めっき膜ＰＦは、第１メタル層Ｍ１の視認側（すなわち透明基板１０と反対側）の表面全体も覆うように形成されてもよい。また、図２において、透明基板１０側を視認側とし、その反対側を背面側としてもよい。その場合、背面側から観察した配線４０を目立たなくできる。
　置換めっき膜ＰＦの厚さは、特に限定されないが、例えば２００ｎｍ以下であり、１００ｎｍ以下が好ましい。少なくとも１０ｎｍ以上であれば所望の色を呈することができ、好ましい。
　また、置換めっき膜ＰＦの厚さは、下地の種類や位置に寄らず均一であることが好ましい。例えば、配線４０の主面に平行な面と主面に対して傾斜した側面における置換めっき膜ＰＦの厚さの差は、４０％以下が好ましく、３０％以下がより好ましく、２０％以下がさらに好ましい。当該範囲であれば、置換めっき膜ＰＦの主成分が金属であるため、置換めっき膜ＰＦの厚さが大きくなる程、配線４０が目立たなくなる。また、置換めっき膜ＰＦの厚さが均一になれば、配線４０内部での抵抗値のばらつきが小さくなり、高周波成分の劣化、位相のずれを低減できる。
　置換めっきの原理上、置換めっき膜ＰＦは、下地の第２メタル層Ｍ２（もしくは第１メタル層Ｍ１）の金属よりもイオン化傾向が小さい金属である。
　上述の通り、置換めっき膜ＰＦの下地の第２メタル層Ｍ２（もしくは第１メタル層Ｍ１）は、例えば銅やアルミニウムを主成分とする金属であるため、置換めっき膜ＰＦは、例えばＰｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ等の金属を主成分とする。また、置換めっき膜ＰＦは、上記金属の塩化物等のハロゲン化物を含有してもよい。
　置換めっきは、例えば酸化膜を形成する黒化処理に比べ、配線４０に接続されたＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０にダメージを与えず、第２メタル層Ｍ２の表面上のみに置換めっき膜ＰＦを形成できる。
　また、置換めっき膜ＰＦを形成しても配線４０の幅はほとんど変化しないため、背面側の視認性の悪化を抑制できる。
　さらに、置換めっき膜ＰＦは、金属膜であるため、例えば酸化膜を形成する黒化処理に比べ、配線４０の抵抗や寄生容量の増加を抑制できる。
　なお、ここでは無電解めっきのうち置換めっきを例に説明したが、還元めっきを用いてめっき膜を設けてもよい。還元めっきの原理上、酸化剤が電子を放出して還元めっき膜を形成するため、下地の第２メタル層Ｍ２（もしくは第１メタル層Ｍ１）のイオン化傾向やその大小に関わらず、めっき膜を形成できる。無電解めっきであれば、還元めっきであっても、電流を流さずにめっき膜を形成でき、置換めっきと同様の効果を奏する。
　表面に置換めっき膜ＰＦが形成された配線４０の色（置換めっき膜ＰＦ側から観察した配線４０の色）は、１９７６年に国際照明委員会（ＣＩＥ）によって規格化されたＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間を用いて表現できる。
　配線４０の色は、表面に置換めっき膜ＰＦが形成された配線４０を露出させた状態で、例えばＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって測定する。
　置換めっき膜ＰＦが形成された配線４０の明度Ｌ＊は、Ｌ＊≦５０を満たす。配線４０の明度Ｌ＊は、Ｌ＊≦４５を満たすことが好ましい。
　置換めっき膜ＰＦが形成された配線４０の色度ａ＊、ｂ＊は、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす。配線４０の色度ａ＊、ｂ＊は、ａ＊≦５、ｂ＊≦５を満たすことが好ましい。また、色度ａ＊、ｂ＊は、－４０≦ａ＊、－４０≦ｂ＊を満たすことが好ましく、－３０≦ａ＊、－３０≦ｂ＊を満たすことがより好ましく、－１０≦ａ＊、－１０≦ｂ＊を満たすことがさらに好ましい。
　上述の通り、配線４０は、例えばクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属、もしくは、それらの化合物、もしくは、積層物である。
　ここで、配線４０において置換めっき膜ＰＦが形成されていない側の表面（図２における第１メタル層Ｍ１及び第２メタル層Ｍ２の背面側表面）は、反射率が低い、もしくは、黄色や赤味の少ない金属が好ましい。具体的には、当該表面が、クロム、チタン、モリブデン、タングステン、もしくは、それらの金属を含む合金が好ましい。あるいは、当該表面が、クロム、チタン、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウムの酸化物であってもよい。これにより、背面側（すなわち透明基板１０側）から観察した場合にも、配線４０を目立たなくできる。当該表面の色度ａ＊、ｂ＊は、－４０≦ａ＊、－４０≦ｂ＊を満たすことが好ましく、－３０≦ａ＊、－３０≦ｂ＊を満たすことがより好ましく、－１０≦ａ＊、－１０≦ｂ＊を満たすことがさらに好ましい。
　保護層５０は、発光部２０、ＩＣチップ３０、及び配線４０を覆って保護するように、透明基板１０上の略全面に形成された透明樹脂である。
　保護層５０の厚さは、例えば３～１０００μｍ、好ましくは２００～４００μｍである。２００μｍ以上とすれば、高温高湿下における配線４０の耐久性を高められ、３００μｍ以上とすれば、さらに好ましい結果が得られる。
　保護層５０の引張弾性率は、例えば１０ＧＰａ以下である。引張弾性率が低い方が、温度や湿度等の環境変化に応じて発生する樹脂の膨張、収縮時の応力を低減でき、配線４０の破損や置換めっき膜ＰＦの劣化を抑制できる。
　保護層５０の可視光の内部透過率は、例えば５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上である。
　保護層５０を構成する透明樹脂として、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のビニル系樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のオレフィン系樹脂、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等のウレタン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の各種アクリル系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）等、もしくは、それらの共重合体の熱可塑性樹脂を例示できる。
＜透明表示デバイスの製造方法＞
　次に、図２～図１１を参照して、第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例について説明する。図３～図１１は、第１の実施形態に係る透明表示デバイスの製造方法の一例を示す断面図である。図３～図１１は、図２に対応した断面図である。
　まず、図３に示すように、主基板１１の一方の主面上の略全面に第１メタル層Ｍ１を成膜した後、第１メタル層Ｍ１をフォトリソグラフィによってパターニングし、下層配線を形成する。具体的には、図１に示した電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、及び列データ線４４等が形成される位置に、第１メタル層Ｍ１によって下層配線を形成する。
　なお、電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４における行データ線４３との交差部には下層配線を形成しない。
　次に、図４に示すように、第１メタル層Ｍ１が形成された主基板１１の主面の略全面に接着剤層１２を成膜した後、タック性を有する接着剤層１２上に（すなわち透明基板１０上に）、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０を実装する。
　ここで、ＬＥＤ素子２１～２３は、例えば液相成長法、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法等を用いて、ウェハ上に結晶を成長させた後、パターニングによって得られる。ウェハ上にパターニングされたＬＥＤ素子２１～２３を、例えばマイクロトランスファープリンティング技術を用いて、透明基板１０上に転写する。また、ＩＣチップ３０についてもＬＥＤ素子２１～２３と同様に、例えばＳｉウェハ上にパターニングされたＩＣチップ３０を、マイクロトランスファープリンティング技術を用いて、透明基板１０上に転写する。
　次に、図５に示すように、主基板１１及び接着剤層１２を含む透明基板１０上の略全面にフォトレジストＦＲ１を成膜した後、第１メタル層Ｍ１上のフォトレジストＦＲ１をパターニングによって除去する。ここで、図１に示した行データ線４３における電源線４１、グランド線４２、及び列データ線４４との交差部のフォトレジストＦＲ１は除去されない。
　次に、図６に示すように、フォトレジストＦＲ１が除去された部位の接着剤層１２をドライエッチングによって除去し、第１メタル層Ｍ１すなわち下層配線を露出させる。
　次に、図７に示すように、透明基板１０上のフォトレジストＦＲ１を全て除去する。その後、透明基板１０上の略全面に図示しないめっき用シード層を形成する。
　次に、図８に示すように、透明基板１０上の略全面にフォトレジストＦＲ２を成膜した後、上層配線を形成する部位のフォトレジストＦＲ２をパターニングによって除去し、シード層を露出させる。
　次に、図９に示すように、フォトレジストＦＲ２が除去された部位すなわちシード層上に、めっきによって第２メタル層Ｍ２を形成する。これによって、第２メタル層Ｍ２によって上層配線が形成される。
　次に、図１０に示すように、フォトレジストＦＲ２を除去する。さらに、フォトレジストＦＲ２の除去によって露出したシード層を、エッチングによって除去する。
　次に、図１１に示すように、第２メタル層Ｍ２上に置換めっきにより置換めっき膜ＰＦを形成する。
　最後に、図２に示すように、透明基板１０上の略全面に保護層５０を形成し、透明表示デバイスが得られる。
（第２の実施形態）
＜透明表示デバイスを備える合わせガラスの構成＞
　次に、図１２、図１３を参照して、第２の実施形態に係る合わせガラスの構成について説明する。図１２は、第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な平面図である。図１３は、第２の実施形態に係る合わせガラスの一例を示す模式的な断面図である。
　図１２、図１３に示された合わせガラス２００は、自動車のウインドウガラスのうちフロントガラスに用いられるが、特に限定されない。例えば、本実施形態に係る合わせガラスは、電車、船舶、航空機等を含む移動体すなわち車両全般の窓ガラスに使用できる。窓ガラスは、フロントガラス以外に、例えば、リアガラス、サイドガラス、ルーフガラス等を含む。
　まず、図１２を参照して、合わせガラス２００の平面構成について説明する。
　図１２に示すように、合わせガラス２００の周縁全体に例えば黒色で不透明な遮蔽部２０１が設けられている。遮蔽部２０１は、日光を遮蔽し、合わせガラス２００を自動車に組み付けるための接着剤を紫外線から保護する。また、遮蔽部２０１によって、当該接着剤が外部から視認できなくなる。
　図１２に示すように、透明表示デバイス１００は、図１に示した表示領域１０１に加え、表示領域の周囲に設けられた非表示領域１０２を備えている。ここで、表示領域１０１は、第１の実施形態において説明した通り、多数の画素から構成され、画像が表示される領域であるため、詳細な説明を省略する。
　なお、図１２は平面図だが、理解を容易にするため、非表示領域１０２及び遮蔽部２０１がドット表示されている。
　非表示領域１０２は、画素を備えておらず、画像が表示されない領域である。非表示領域１０２には、図１に示した電源線４１、グランド線４２、行データ線４３、及び列データ線４４に接続された太幅の配線が密集して設けられている。非表示領域１０２における配線の幅は、例えば１００～１００００μｍ、好ましくは１００～５０００μｍである。配線同士の間隔は、例えば３～５０００μｍ、好ましくは５０～１５００μｍである。
　そのため、表示領域１０１が透明領域であるのに対し、非表示領域１０２は不透明領域であって、車内から視認できてしまう。ここで、非表示領域１０２が視認できると、合わせガラス２００の意匠性が低下する。そこで、第２の実施形態に係る合わせガラス２００では、透明表示デバイス１００の非表示領域１０２の少なくとも一部が、遮蔽部２０１に設けられている。遮蔽部２０１に設けられた非表示領域１０２は、遮蔽部２０１に隠れ、視認できない。そのため、非表示領域１０２の全体を視認できる場合よりも、合わせガラス２００の意匠性が向上する。
　次に、図１３を参照して、合わせガラス２００の断面構成について説明する。図１３は、透明表示デバイス１００の表示領域１０１における断面図である。
　図１３に示すように、第２の実施形態に係る合わせガラス２００は、中間膜を介して一対のガラス板２２０ａ、２２０ｂを貼り合わせたものである。そして、合わせガラス２００は、この一対のガラス板２２０ａ、２２０ｂの間に、中間膜２１０ａ、２１０ｂを介して第１の実施形態に係る透明表示デバイス１００を備えている。中間膜２１０ａ、２１０ｂは、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）から構成されている。
　ここで、保護層５０と中間膜２１０ａの厚みの合計が、例えば３～１０００μｍ、好ましくは２００～４００μｍである。２００μｍ以上とすれば、高温高湿下における配線４０の耐久性を高められ、３００μｍ以上とすれば、さらに好ましい結果が得られる。この場合、保護層５０と中間膜ａの厚さに応じた引張弾性率の加重平均は、例えば１０ＧＰａ以下である。引張弾性率が低い方が、温度や湿度等の環境変化に応じて発生する樹脂の膨張、収縮時の応力を低減でき、配線４０の破損や置換めっき膜ＰＦの劣化を抑制できる。
　ここで、図１４は、第２の実施形態に係る合わせガラスの他の一例を示す模式的な断面図である。図１４に示した合わせガラス２００では、透明表示デバイス１００における保護層５０が、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）から構成され、中間膜としての機能も有している。そのため、図１４に示した合わせガラス２００では、図１３において保護層５０上に形成された中間膜２１０ａを省略できる。このように、保護層５０が、中間膜２１０ａを兼ねていてもよい。
（第３の実施形態）
＜透明表示デバイスの構成＞
　次に、図１５を参照して、第３の実施形態に係る透明表示デバイスの構成について説明する。図１５は、第３の実施形態に係る透明表示デバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。図１５に示すように、本実施形態に係る透明表示デバイスは、図１に示した第１の実施形態に係る透明表示デバイスの構成に加え、表示領域１０１にセンサ７０を備えている。すなわち、透明センシングデバイスとしての機能を有している。
　図１５に示した例では、センサ７０は所定の画素ＰＩＸ間に設けられており、電源線４１及びグランド線４２に接続されている。また、センサ７０からｙ軸方向に延びたデータ出力線４６を介して、センサ７０による検出データが出力される。他方、センサ７０までｙ軸方向に延びた制御信号線４７を介して、制御信号がセンサ７０に入力され、センサ７０が制御される。センサ７０は、単数でも複数でもよい。複数のセンサ７０が所定の間隔で、例えばｘ軸方向もしくはｙ軸方向に配置されていてもよい。
　以下の説明では、本実施形態に係る透明表示デバイスが自動車の窓ガラスのうちフロントガラスに搭載されている場合について説明する。すなわち、本実施形態に係る透明表示デバイスは、第２の実施形態に係る合わせガラスにも適用できる。
　センサ７０は、例えば、車内及び車外の照度を検知するための照度センサ（例えば受光素子）である。例えば、センサ７０が検知した照度に応じて、ＬＥＤ素子２１～２３による表示領域１０１の輝度を制御する。例えば、車内の照度に対して車外の照度が大きい程、ＬＥＤ素子２１～２３による表示領域１０１の輝度も大きくする。このような構成によって、透明表示デバイスの視認性がより向上する。
　また、センサ７０は、観察者（例えば運転者）の視線を感知するための赤外線センサ（例えば受光素子）やイメージセンサ（例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）イメージセンサ）でもよい。例えば、センサ７０が視線を感知した場合のみ、透明表示デバイスを駆動する。例えば、透明表示デバイスを図１７に示した合わせガラスに用いた場合、観察者が透明表示デバイスに視線を向けない限り、透明表示デバイスが観察者の視界を遮らなくなるため、好ましい。あるいは、イメージセンサであるセンサ７０によって、観察者の動作を検出し、当該動作に基づいて、例えば透明表示デバイスをオン・オフしたり、表示画面を切り換える機能を有したりしてもよい。
　その他の構成は第１の実施形態に係る透明表示デバイスと同様である。
（第４の実施形態）
＜透明センシングデバイスの構成＞
　次に、図１６を参照して、第４の実施形態に係る透明センシングデバイスの構成について説明する。図１６は、第４の実施形態に係る透明センシングデバイスの一例を示す模式的な部分平面図である。
　図１６に示すように、本実施形態に係る透明センシングデバイスは、図１に示した第１の実施形態に係る透明表示デバイスの構成において、各画素ＰＩＸに発光部２０及びＩＣチップ３０に代えてセンサ７０を備えた構成である。すなわち、図１６に示した透明センシングデバイスは、発光部２０を備えず、表示機能を有しない。透明センシングデバイスは、透明電子デバイスの一態様である。なお、透明センシングデバイスにおけるセンシング領域は、透明表示デバイス１００における表示領域１０１に相当させてもよい。
　センサ７０は特に限定されないが、図１６に示した透明センシングデバイスでは、ＣＭＯＳイメージセンサである。すなわち、図１６に示した透明センシングデバイスは、行方向（ｘ軸方向）及び列方向（ｙ軸方向）に並んだ複数の画素ＰＩＸから構成された撮像領域３０１を備え、撮像機能を有する。図１６には、撮像領域３０１の一部が示されており、行方向及び列方向に２画素ずつ計４画素が示されている。ここで、１つの画素ＰＩＸが一点鎖線によって囲んで示されている。また、図１６では、図１と同様に、透明基板１０及び保護層５０が省略されている。また、図１６は平面図だが、理解を容易にするため、センサ７０をドット表示する。
　図１６に示した例では、センサ７０は各画素ＰＩＸに１つずつ設けられており、ｙ軸方向に延びた電源線４１及びグランド線４２の間に配置され、両者に接続されている。また、センサ７０からｙ軸方向に延びたデータ出力線４６を介して、センサ７０による検出データが出力される。他方、センサ７０までｙ軸方向に延びた制御信号線４７を介して、制御信号がセンサ７０に入力され、センサ７０が制御される。制御信号は例えば、同期信号やリセット信号等である。
　なお、電源線４１が、図示しない電池に接続されていてもよい。
　ここで、図１７は、センサ７０の模式断面図である。図１７に示したセンサ７０は、裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサである。なお、イメージセンサとしてのセンサ７０も特に限定されず、表面照射型ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサでもよい。
　図１７に示すように、各センサ７０は、配線層、半導体基板、カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３、マイクロレンズＭＬ１～ＭＬ３を備えている。ここで、配線層の内部には内部配線ＩＷが形成されている。また、半導体基板の内部にはフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３が形成されている。
　配線層上に半導体基板（例えばシリコン基板）が形成されている。配線層の内部に形成された内部配線ＩＷは、配線４０（電源線４１、グランド線４２、データ出力線４６、及び制御信号線４７）とフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３とを接続している。フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３に光が照射されると、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３から電流が出力される。フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３から出力された電流は、それぞれ図示しないアンプ回路によって増幅され、内部配線ＩＷ及びデータ出力線４６を介して出力される。
　カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３は、半導体基板の内部に形成されたフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３上にそれぞれ形成されている。カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３は、例えばそれぞれ赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタである。
　マイクロレンズＭＬ１～ＭＬ３は、カラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３上にそれぞれ載置されている。凸レンズであるマイクロレンズＭＬ１～ＭＬ３によって集光された光が、それぞれカラーフィルタＣＦ１～ＣＦ３を介して、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３に入射する。
　本実施形態に係るセンサ７０は、透明基板１０上における占有面積が２５００００μｍ２以下の微小サイズを有するマイクロセンサである。換言すると、本明細書において、マイクロセンサとは、平面視での面積が２５００００μｍ２以下の微小サイズを有するセンサである。センサ７０の占有面積は、例えば、好ましくは２５０００μｍ２以下、より好ましくは２５００μｍ２以下である。なお、センサ７０が占有面積の下限は、製造上の諸条件等から例えば１０μｍ２以上である。
　なお、図１６に示したセンサ７０の形状は、矩形状であるが、特に限定されない。
　本実施形態に係る透明センシングデバイスは、第２の実施形態に係る合わせガラスにも適用できる。本実施形態に係る透明センシングデバイスが車両（例えば自動車）の窓ガラスのうちフロントガラスに搭載されている場合、センサ７０によって、例えば、車内及び車外の少なくともいずれかの画像を取得できる。すなわち、本実施形態に係る透明センシングデバイスは、ドライブレコーダとしての機能を有する。
　なお、第４の実施形態に係る透明センシングデバイスにおけるセンサ７０は、単数でもよい。また、第４の実施形態に係る透明センシングデバイスにおけるセンサ７０も、イメージセンサに限らず、第３の実施形態において例示した照度センサ、赤外線センサ等でもよい。さらに、センサ７０は、レーダセンサ、Ｌｉｄａｒセンサ等でもよい。これらのセンサ７０を用いた透明センシングデバイスが搭載された車両用窓ガラスによって、例えば車内や車外をモニタリングできる。
　すなわち、第４の実施形態に係るセンサ７０は、透明基板１０上における占有面積が２５００００μｍ２以下の微小サイズを有するマイクロセンサであれば、特に限定されない。例えば、センサ７０は、温度センサ、紫外線センサ、電波センサ、圧力センサ、音センサ、速度／加速度センサ等でもよい。
　その他の構成は第１の実施形態に係る透明表示デバイスと同様である。
　以下に、本発明に係る実施例を示すが、本発明は、以下の実施例に限定して解釈されるものではない。
　例１～６に係る透明表示デバイスにおいて、透明基板１０の反対側から観察した配線の色及び配線による光の反射率を製造過程で測定した。そして、製造した透明表示デバイスの各配線に通電し、ＬＥＤ素子及びＩＣチップの動作を確認した
　例１、２は比較例、例３～６は本発明の実施例である。
＜例１＞
　以下に、図２～図１０を参照して、例１に係る透明表示デバイスの製造方法について説明する。
　まず、図３に示すように、厚さ０．７ｍｍのガラス板を主基板１１として用い、主基板１１上の略全面に厚さ０．１μｍのＷ－１０Ｔｉ合金膜、厚さ０．３０μｍのＣｕ膜、及び厚さ０．１μｍのＷ－１０Ｔｉ合金膜を含む３層構造の第１メタル層Ｍ１をこの順に成膜した。その後、第１メタル層Ｍ１をフォトリソグラフィによってパターニングし、下層配線を形成した。
　次に、図４に示すように、主基板１１上の略全面にエポキシ樹脂である接着剤層１２を成膜した後、タック性を有する接着剤層１２上にＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０を実装した。
　次に、図５に示すように、主基板１１及び接着剤層１２を含む透明基板１０上の略全面にフォトレジストＦＲ１を成膜した後、第１メタル層Ｍ１、ＩＣチップ３０上のフォトレジストＦＲ１をパターニングによって除去した。
　次に、図６に示すように、フォトレジストＦＲ１が除去された部位の接着剤層１２をドライエッチングによって除去し、第１メタル層Ｍ１すなわち下層配線を露出させた。
　次に、図７に示すように、透明基板１０上のフォトレジストＦＲ１を全て除去する。その後、透明基板１０上の略全面に厚さ０．１μｍのＷ－１０Ｔｉ合金膜及び厚さ０．１５μｍのＣｕ膜を含むめっき用シード層を形成した。
　次に、図８に示すように、透明基板１０上の略全面にフォトレジストＦＲ２を成膜した後、上層配線を形成する部位のフォトレジストＦＲ２をパターニングによって除去し、シード層を露出させた。
　次に、図９に示すように、フォトレジストＦＲ２が除去された部位すなわちシード層上に、めっきによってＣｕを含む厚さ２．０～３．０μｍの第２メタル層Ｍ２を上層配線として形成した。
　次に、図１０に示すように、フォトレジストＦＲ２を除去する。さらに、フォトレジストＦＲ２の除去によって露出したシード層を、エッチングによって除去した。
　例１に係る透明表示デバイスでは、置換めっき膜ＰＦを第２メタル層Ｍ２に形成しなかった。
　この図１０に示す製造過程の透明基板１０について、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって、配線４０の色及び波長３６０～７４０ｎｍの光の反射率を測定した。配線４０の色は、定性的には銅色であって、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝８７、色度ａ＊＝１３、色度ｂ＊＝１７であった。
　次に、図２に示すように、透明基板１０上の略全面に厚さ３００μｍのシクロオレフィンポリマーを配置し、保護層５０を形成した。
　最後に、図１４に示す場合と同様に、保護層５０を中間膜として、図２に示す保護層５０上に厚さ２．０ｍｍのソーダライムガラス板を配置した。ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって、このソーダライムガラス板の色を測定したところ、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝９６、色度ａ＊＝－１、色度ｂ＊＝０であった。
　例１に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色とガラス板２２０ａの色との色差が大きく、銅色を呈する配線４０が目立った。
　例１に係る透明表示デバイスの各配線４０に通電し、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の動作を確認したところ、正常に動作した。
＜例２＞
　例２に係る透明表示デバイスでは、図１０に示す工程の後、図１１に示すように、置換めっき膜ＰＦを第２メタル層Ｍ２に形成した。
　具体的には、まず、図１０に示す工程の後、置換めっきの前処理として、０．５分間、濃度１．０質量％の希硫酸によって透明基板１０を洗浄した。
　次に、ｐＨ３．５の塩酸酸性雰囲気下の濃度０．１質量％の塩化パラジウム水溶液に、濃度０．０５質量％以下の有機酸を微量添加した置換めっき液に、透明基板１０を０．５分間浸漬させ、置換めっき膜ＰＦを形成した。置換めっき液から取り出した透明基板１０を濃度３．５質量％のトリエタノールアミン水溶液に１分間浸漬させた。
　この図１１に示す製造過程の透明基板１０について、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって配線４０の色を測定した。配線４０の色は、定性的にはややくすんだ銅色であって、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝８１、色度ａ＊＝１６、色度ｂ＊＝１９であった。
　その後、例１と同様に、保護層５０を形成し、保護層５０上にガラス板２２０ａを配置した。
　例２に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色とガラス板２２０ａの色との色差が、例１に比べて小さくなったものの、まだ配線４０がやや目立った。
　例２に係る透明表示デバイスの各配線４０に通電し、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の動作を確認したところ、正常に動作した。
＜例３＞
　置換めっき液への浸漬時間を１．５分に変更した以外は例２と同様に透明表示デバイスを製造した。
　例２と同様に、図１１に示す製造過程の透明基板１０について、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって配線４０の色を測定した。配線４０の色は、定性的には焦茶色に近く、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝４８、色度ａ＊＝１０、色度ｂ＊＝７であった。
　例３に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色とガラス板２２０ａの色との色差が、例１、２に比べて小さくなり、配線４０が目立たなかった。
　例３に係る透明表示デバイスの各配線４０に通電し、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の動作を確認したところ、正常に動作した。
＜例４＞
　置換めっき液への浸漬時間を２．５分に変更した以外は例２と同様に透明表示デバイスを製造した。
　例２と同様に、図１１に示す製造過程の透明基板１０について、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって配線４０の色を測定した。配線４０の色は、定性的には黒色に近く、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝４３、色度ａ＊＝０、色度ｂ＊＝０であった。
　例４に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色とガラス板２２０ａの色との色差が、例１～３に比べて小さく、配線４０が目立たなかった。
　例４に係る透明表示デバイスの各配線４０に通電し、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の動作を確認したところ、正常に動作した。
＜例５＞
　置換めっき液への浸漬時間を３．５分に変更した以外は例２と同様に透明表示デバイスを製造した。
　例２と同様に、図１１に示す製造過程の透明基板１０について、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって配線４０の色を測定した。配線４０の色は、定性的には黒色に近く、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝４４、色度ａ＊＝－４、色度ｂ＊＝－２であった。また、配線４０の表面粗さＲａを測定したところ、Ｒａ＝１７ｎｍであった。
　例５に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色とガラス板２２０ａの色との色差が、例１～３に比べて小さく、配線４０が目立たなかった。
　例５に係る透明表示デバイスの各配線４０に通電し、ＬＥＤ素子２１～２３及びＩＣチップ３０の動作を確認したところ、正常に動作した。
　例５については、温度８５℃湿度８５％の環境に１２００時間保存する耐久試験を実施した。耐久試験を実施した後、配線４０の色を測定したところ、配線４０の色は、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝３７、色度ａ＊＝１２、色度ｂ＊＝３０であった。耐久試験前後での明度の変化量ΔＬ＊＝－７、色度の変化量Δａ＊＝１６、色度の変化量Δｂ＊＝３２であった。
　さらに、例５については、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：X-ray Photoelectron Spectroscopy）を用いて、配線４０上に形成された置換めっき膜ＰＦの深さ方向分析を行った。その結果、約７０ｎｍの深さまで置換めっき膜ＰＦを構成するＰｄが検出された。すなわち、置換めっき膜ＰＦの厚さも約７０ｎｍと推察される。
＜例６＞
　置換めっきの前処理（０．５分間、濃度１．０質量％の希硫酸による透明基板１０の洗浄）を省略した以外は例５と同様に透明表示デバイスを製造した。
　例２と同様に、図１１に示す製造過程の透明基板１０について、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５を用いた反射測色計によって配線４０の色を測定した。配線４０の色は、定性的には黒色に近く、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝３８、色度ａ＊＝－３、色度ｂ＊＝－５であった。また、配線４０の表面粗さＲａを測定したところ、Ｒａ＝９ｎｍであった。
　例６についても、温度８５℃湿度８５％の環境に１２００時間保存する耐久試験を実施した。耐久試験を実施した後、配線４０の色を測定したところ、配線４０の色は、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、明度Ｌ＊＝４２、色度ａ＊＝－８、色度ｂ＊＝－１０であった。耐久試験前後での明度の変化量ΔＬ＊＝５、色度の変化量Δａ＊＝－５、色度の変化量Δｂ＊＝－５であった。
　例６では、例５に比べ、明度の変化量ΔＬ＊、色度の変化量Δａ＊、色度の変化量Δｂ＊の絶対値がいずれも小さく、特に色度の変化量Δｂ＊を劇的に抑制できた。
＜配線の明度Ｌ＊について＞
　以上の結果を踏まえ、配線４０の明度Ｌ＊について説明する。
　例１、２に係る透明表示デバイスでは、配線４０の明度Ｌ＊がいずれも８０を超えており、配線４０が目立った。
　これに対し、例３～６に係る透明表示デバイスでは、配線４０の明度Ｌ＊が、Ｌ＊≦５０を満たし、配線４０が目立たなかった。さらに、例４～６に係る透明表示デバイスの配線４０では、配線４０の明度Ｌ＊が、Ｌ＊≦４５を満たし、配線４０がより目立たなかった。
＜配線の色度ａ＊、ｂ＊について＞
　次に、配線４０の色度ａ＊、ｂ＊について説明する。
　ここで、図１８は、例１～６に係る透明表示デバイスの配線の色度ａ＊、ｂ＊の分布を示すグラフである。図１８において、横軸は色度ａ＊、縦軸は色度ｂ＊を示している。
　図１８に示すように、例１、２に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色度ａ＊、ｂ＊がいずれも１０を超えており、配線４０が目立った。
　これに対し、例３～６に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色度ａ＊、ｂ＊がａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たし、配線４０が目立たなかった。さらに、例４～６に係る透明表示デバイスでは、配線４０の色度ａ＊、ｂ＊がａ＊≦５、ｂ＊≦５を満たし、配線４０がより目立たなかった。
＜配線による光の反射率について＞
　次に、配線による光の反射率について説明する。
　ここで、図１９は、例１～６に係る透明表示デバイスの配線による波長３６０～７４０ｎｍの光の反射率を示すグラフである。図１９において、横軸は光の波長［ｎｍ］、縦軸は反射率［％］を示している。
　図１９に示すように、例１、２に係る透明表示デバイスでは、特に波長６００ｎｍ以上の光の反射率が高く、反射率が８０％を超えている。
　これに対し、例３～６に係る透明表示デバイスでは、図１９に示す波長３６０～７４０ｎｍの全波長領域において、例１、２に係る透明表示デバイスよりも光の反射率が低く、４０％以下になっている。さらに、例４～６に係る透明表示デバイスでは、図１９に示す波長３６０～７４０ｎｍの全波長領域において、光の反射率が３０％以下になっている。
　なお、図１９に示すように、例１、２に係る透明表示デバイスでは、波長５５０～６００ｎｍ付近において、光の反射率が急激に上昇した。これに対し、例４～６に係る透明表示デバイスでは、波長５５０～６００ｎｍ付近において、光の反射率の落ち込みが確認された。
　なお、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更できる。
　この出願は、２０２１年１１月１９日に出願された日本出願特願２０２１－１８８４６１を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１０　透明基板
１１　主基板
１２　接着剤層
２０　発光部
２１～２３　ＬＥＤ素子
３０　ＩＣチップ
４０　配線
４１　電源線
４１ａ　第１電源分岐線
４１ｂ　第２電源分岐線
４２　グランド線
４２ａ　グランド分岐線
４３　行データ線
４３ａ　行データ分岐線
４４　列データ線
４４ａ　列データ分岐線
４５　駆動線
４６　データ出力線
４７　制御信号線
５０　保護層
７０　センサ
１００　透明表示デバイス
１０１　表示領域
１０２　非表示領域
２００　合わせガラス
２０１　遮蔽部
２１０ａ、２１０ｂ　中間膜
２２０ａ、２２０ｂ　ガラス板
３０１　撮像領域
ＣＦ１～ＣＦ３　カラーフィルタ
ＦＲ１、ＦＲ２　フォトレジスト
ＩＷ　内部配線
Ｍ１　第１メタル層
Ｍ２　第２メタル層
ＭＬ１～ＭＬ３　マイクロレンズ
ＰＤ１～ＰＤ３　フォトダイオード
ＰＦ　置換めっき膜
ＰＩＸ　画素

Claims (12)

  1. 　透明基板と、
    　前記透明基板の主面上に配置され、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子と、
    　前記電子素子に接続された幅１００μｍ以下の配線と、を備え、
    　前記配線における前記透明基板と反対側の表面は、無電解めっき膜によって被覆されており、
    　前記無電解めっき膜側から観察した前記配線の色が、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす、
    透明電子デバイス。
  2. 　前記無電解めっき膜が、置換めっき膜である、
    請求項１に記載の透明電子デバイス。
  3. 　前記配線が、銅を主成分として含む、
    請求項１又は２に記載の透明電子デバイス。
  4. 　前記無電解めっき膜が、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈのいずれかを主成分として含む、
    請求項１～３のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
  5. 　前記配線の前記表面による波長３６０～７４０ｎｍの光の反射率が、４０％以下である、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
  6. 　前記透明基板上において前記電子素子を覆う透明な保護層をさらに備える、
    請求項１～５のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
  7. 　前記保護層の厚さが、２００～４００μｍである、
    請求項６に記載の透明電子デバイス。
  8. 　前記電子素子は、１００００μｍ２以下の面積を有する発光ダイオード素子であり、
    　当該透明電子デバイスが、透明表示デバイスである、
    請求項１～７のいずれか一項に記載の透明電子デバイス。
  9. 　一対のガラス板と、
    　前記一対のガラス板との間に設けられた透明電子デバイスと、を備えた合わせガラスであって、
    　前記透明電子デバイスは、
    　透明基板と、
    　前記透明基板の主面上に配置され、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子と、
    　前記電子素子に接続された幅１００μｍ以下の配線と、を備え、
    　前記配線における前記透明基板と反対側の表面は、無電解めっき膜によって被覆されており、
    　前記無電解めっき膜側から観察した前記配線の色が、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす、
    合わせガラス。
  10. 　前記一対のガラス板は、周縁に設けられた不透明な遮蔽部を備え、
    　前記透明電子デバイスは、透明領域の周囲に設けられた不透明領域を備え、
    　前記透明電子デバイスの前記不透明領域の少なくとも一部が、前記一対のガラス板の前記遮蔽部に設けられている、
    請求項９に記載の合わせガラス。
  11. 　自動車のウインドウガラスに用いられる、
    請求項９又は１０に記載の合わせガラス。
  12. 　透明基板の主面上に、２５００００μｍ２以下の面積を有する電子素子と幅１００μｍ以下の配線とを配置して接続する、透明電子デバイスの製造方法であって、
    　前記配線における前記透明基板と反対側の表面を無電解めっき膜によって被覆し、
    　前記無電解めっき膜側から観察した前記配線の色が、ＣＩＥ　Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間において、Ｌ＊≦５０、ａ＊≦１０、ｂ＊≦１０を満たす、
    透明電子デバイスの製造方法。
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