TWI745206B - 發光顯示單元及顯示裝置 - Google Patents

發光顯示單元及顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI745206B
TWI745206B TW109146585A TW109146585A TWI745206B TW I745206 B TWI745206 B TW I745206B TW 109146585 A TW109146585 A TW 109146585A TW 109146585 A TW109146585 A TW 109146585A TW I745206 B TWI745206 B TW I745206B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal layer
light
layer
display unit
patterns
Prior art date
Application number
TW109146585A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202209714A (zh
Inventor
蘇柏仁
林維屏
Original Assignee
錼創顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 錼創顯示科技股份有限公司 filed Critical 錼創顯示科技股份有限公司
Priority to US17/184,513 priority Critical patent/US11652077B2/en
Priority to KR1020210072136A priority patent/KR102543408B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of TWI745206B publication Critical patent/TWI745206B/zh
Publication of TW202209714A publication Critical patent/TW202209714A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

一種發光顯示單元包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層、第一絕緣層、第二絕緣層以及多個微型發光元件。第一金屬層具有多個導電圖案。第二金屬層具有多個轉接圖案。第三金屬層具有多個接墊圖案。第二金屬層位於第一金屬層與第三金屬層之間。第二金屬層的分布密度大於第一金屬層的分布密度，且第一金屬層的分布密度大於第三金屬層的分布密度。第一絕緣層設置在第一金屬層與第二金屬層之間。第二絕緣層設置在第二金屬層與第三金屬層之間。多個微型發光元件設置在第一金屬層背離第二金屬層的一側，且分別電性接合至這些導電圖案。

Description

發光顯示單元及顯示裝置
本發明是有關於一種自發光顯示技術，且特別是有關於一種發光顯示單元及顯示裝置。
近年來，在有機發光二極體（Organic light-emitting diode，OLED）顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下，微型發光二極體顯示器（Micro LED Display）逐漸吸引各科技大廠的投資目光。微型發光二極體顯示器具有與有機發光二極體顯示技術相當的光學表現，例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比，且具有低耗能及材料使用壽命長的優勢。一般來說，微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉置的方式將預先製作好的微型發光二極體晶粒直接轉移到驅動電路背板上。雖然這樣的巨量轉移（Mass transfer）技術在大尺寸的產品製造上有其發展優勢，但生產良率的提升更是目前相關製程技術與設備開發的重要指標。
以現有的技術來說，一種採用硬質靜電吸頭進行晶粒轉置的技術，其對於目標基板（例如電路背板）的接合面平整度有較高的要求（例如平整度小於1微米）。因此，較難滿足大面積轉移的需求。另一種採用軟質圖案化印章進行晶粒轉置的技術，對於目標基板的平整度要求雖不高（例如小於5微米），但承受高溫高壓的製程能力卻較差。因此，不適用於覆晶型（flip-chip type）發光二極體晶片的轉移接合製程。換句話說，能同時兼顧大面積轉移需求與量產性的晶粒轉移技術仍有待開發。
本發明提供一種發光顯示單元，其具有較佳的轉置（轉移放置）良率。
本發明提供一種顯示裝置，其生產良率較佳且整體電路的設計裕度也較大。
本發明的發光顯示單元，包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層、第一絕緣層、第二絕緣層以及多個微型發光元件。第一金屬層具有多個導電圖案。第二金屬層具有電性連接這些導電圖案的多個轉接圖案。第三金屬層具有電性連接這些轉接圖案的多個接墊圖案。第二金屬層位於第一金屬層與第三金屬層之間。第二金屬層的分布密度大於第一金屬層的分布密度，且第一金屬層的分布密度大於第三金屬層的分布密度。第一絕緣層設置在第一金屬層與第二金屬層之間。第二絕緣層設置在第二金屬層與第三金屬層之間。多個微型發光元件設置在第一金屬層背離第二金屬層的一側，且分別電性接合至這些導電圖案。每一個微型發光元件的長度與厚度的比值大於1。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的第一絕緣層具有多個第一接觸窗。多個導電圖案經由這些第一接觸窗與多個轉接圖案電性連接。第二絕緣層具有多個第二接觸窗，這些轉接圖案經由這些第二接觸窗與多個接墊圖案電性連接。第一絕緣層的這些第一接觸窗的數量大於第二絕緣層的這些第二接觸窗的數量。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的多個第一接觸窗與多個第二接觸窗不重疊於多個微型發光元件。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元更包括保護層，設置在第三金屬層背離第二金屬層的一側，且具有多個開口。保護層的這些開口暴露出第三金屬層的部分表面。多個微型發光元件在第三金屬層上的垂直投影重疊於這些開口。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的保護層在厚度方向上的厚度大於第一絕緣層與第二絕緣層各自在厚度方向上的厚度，且第一絕緣層與第二絕緣層各自在厚度方向上的厚度大於等於第一金屬層、第二金屬層與第三金屬層各自在厚度方向上的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的第一金屬層在厚度方向上的厚度小於第二金屬層與第三金屬層各自在厚度方向上的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的第一金屬層與第二金屬層各自在發光顯示單元的出光面上的垂直投影面積與出光面面積的百分比值大於等於70%。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的第三金屬層在發光顯示單元的出光面上的垂直投影面積與出光面面積的百分比值小於50%且大於25%。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元更包括隔離結構層，設置在第一金屬層設有多個微型發光元件的一側。隔離結構層具有多個開口，且這些微型發光元件分別設置在隔離結構層的這些開口內。隔離結構層在厚度方向上的厚度大於等於這些微型發光元件在厚度方向上的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的隔離結構層在厚度方向上的厚度等於保護層在厚度方向上的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的隔離結構層於發光顯示單元的出光面上的垂直投影面積與出光面面積的百分比值大於等於70%。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的多個微型發光元件分別位於發光顯示單元的多個畫素區且每一畫素區具有至少三個微型發光元件。這些畫素區在第一方向上的排列個數為M個，在第二方向上的排列個數為N個。第一方向相交於第二方向，且第二絕緣層的多個第二接觸窗的數量為M+3N個。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元更包括基板與黏著層。基板重疊設置於多個微型發光元件，且這些微型發光元件位於基板與第一金屬層之間。黏著層連接基板、這些微型發光元件與第一金屬層的部分表面。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的第一金屬層還具有多個虛設圖案，且這些虛設圖案電性絕緣於多個導電圖案。
在本發明的一實施例中，上述的發光顯示單元的每一微型發光元件於對應的接墊圖案上的垂直投影範圍內所疊置的膜層結構相同。
本發明的顯示裝置，包括印刷電路板與多個發光顯示單元。這些發光顯示單元電性接合印刷電路板。每一發光顯示單元包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層、第一絕緣層、第二絕緣層以及多個微型發光元件。第一金屬層具有多個導電圖案。第二金屬層具有電性連接這些導電圖案的多個轉接圖案。第三金屬層具有電性連接這些轉接圖案的多個接墊圖案。第二金屬層位於第一金屬層與第三金屬層之間。第二金屬層的分布密度大於第一金屬層的分布密度，且第一金屬層的分布密度大於第三金屬層的分布密度。第一絕緣層設置在第一金屬層與第二金屬層之間。第二絕緣層設置在第二金屬層與第三金屬層之間。多個微型發光元件設置在第一金屬層背離第二金屬層的一側，且分別電性接合至這些導電圖案。每一個微型發光元件的長度與厚度的比值大於1。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的印刷電路板具有多個焊料凸塊，且多個發光顯示單元的多個接墊圖案分別經由這些焊料凸塊與印刷電路板電性接合。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的每一發光顯示單元更包括保護層，設置在第三金屬層背離第二金屬層的一側。保護層直接覆蓋第三金屬層的多個接墊圖案的一部分表面，且保護層的多個開口暴露出這些接墊圖案的另一部分表面。多個焊料凸塊分別伸入保護層的這些開口以連接這些接墊圖案。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的保護層於多個接墊圖案的表面上的垂直投影面積與這些接墊圖案的表面面積的百分比值介於20%至50%之間。
基於上述，在本發明的一實施例的發光顯示單元中，第一金屬層的多個導電圖案分別經由第二金屬層的多個轉接圖案電性連接第三金屬層的多個接墊圖案。透過第二金屬層的分布密度大於第一金屬層的分布密度以及第三金屬層的分布密度，且第一金屬層的分布密度大於第三金屬層的分布密度，可有效增加發光顯示單元設有這些導電圖案的表面平整度，有助於提升微型發光元件的轉置（轉移放置）良率。多個上述的發光顯示單元適於經由各自的多個接墊圖案與印刷電路板電性接合以形成顯示裝置。預先製作好的這些發光顯示單元可簡化印刷電路板上所需的線路層，使得顯示裝置更為輕薄。在顯示裝置的製造過程中，轉移多個發光顯示單元比轉移多個微型發光元件更為有效率且容易，同時還能降低大尺寸顯示裝置的修補難度（例如：可在發光顯示單元上直接進行發光檢測，若有壞點，可直接進行修補，以確保這些發光顯示單元上的微型發光元件的功能正常；接著，再將檢測通過的各發光顯示單元經由各自的多個接墊圖案與印刷電路板電性接合以形成顯示裝置），有助於提升顯示裝置的生產良率。另一方面，透過發光顯示單元的這些金屬層的設置，還可有效增加顯示裝置的整體電路的設計裕度。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本發明的一實施例的發光顯示單元的上視示意圖。圖2是圖1的發光顯示單元的下視示意圖。圖3是圖1的發光顯示單元的剖視示意圖。圖4是圖3的第一金屬層與第一絕緣層的上視示意圖。圖5是圖3的第二金屬層、第三金屬層與第二絕緣層的上視示意圖。圖6是圖1的發光顯示單元的局部區域的放大示意圖。圖7是本發明的一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖8是圖7的顯示裝置的剖視示意圖。特別說明的是，圖3對應於圖1的剖線A-A’；圖6對應於圖1的區域I；圖8對應於圖7的剖線B-B’。
請參照圖1及圖3，發光顯示單元10包括第一金屬層110、第二金屬層120、第三金屬層130、第一絕緣層141、第二絕緣層142及多個微型發光元件LED。第二金屬層120位於第一金屬層110與第三金屬層130之間。第一絕緣層141設置在第一金屬層110與第二金屬層120之間。第二絕緣層142設置在第二金屬層120與第三金屬層130之間。
詳細而言，第一金屬層110具有多個導電圖案CP。第二金屬層120具有多個轉接圖案TP。第三金屬層130具有多個接墊圖案PP。第一絕緣層141具有多個第一接觸窗141c。第二絕緣層142具有多個第二接觸窗142c。第一金屬層110的這些導電圖案CP經由第一絕緣層141的這些第一接觸窗141c與第二金屬層120的這些轉接圖案TP電性連接。第二金屬層120的這些轉接圖案TP經由第二絕緣層142的這些第二接觸窗142c與第三金屬層130的這些接墊圖案PP電性連接。亦即，第一金屬層110的這些導電圖案CP分別電性連接至第三金屬層130的這些接墊圖案PP。
基於導電性的考量，第一金屬層110、第二金屬層120與第三金屬層130的材質可選自鉬、鋁、銅、金、或上述的組合、或其他合適的金屬材料。在本實施例中，這些金屬層的材質可選擇性地相同或不同。第一絕緣層141與第二絕緣層142的材質可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化物、聚醯亞胺（Polyimide）、聚乙烯（Polyethylene）、聚丙烯（Polypropylene）、壓克力材料、陶瓷材料、或其他合適的有機/無機材料。
多個微型發光元件LED設置在第一金屬層110背離第二金屬層120的一側，且分別電性接合至第一金屬層110的多個導電圖案CP。為了增加發光顯示單元10設有這些導電圖案CP的表面平整度，第一金屬層110與第二金屬層120各自的分布密度都大於第三金屬層130的分布密度，且第二金屬層120的分布密度大於第一金屬層110的分布密度。更具體地說，第一金屬層110與第二金屬層120各自在發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影面積與出光面10s表面積的百分比值大於等於70%，如此可有效提升微型發光元件LED的轉置（轉移放置）良率。另一方面，第三金屬層130在發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影面積與出光面10s表面積的百分比值小於50%且大於25%，如此可避免周圍的第二絕緣層142發生剝離（peeling）的現象。
舉例來說，在本實施例中，第一金屬層110於發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影面積與出光面10s表面積的百分比值為70%（如圖4所示），第二金屬層120於發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影面積與出光面10s表面積的百分比值為72%（如圖5所示），而第三金屬層130於發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影面積與出光面10s表面積的百分比值為33%（如圖5所示），但不以此為限。
值得注意的是，在本實施例中，第一絕緣層141的多個第一接觸窗141c與第二絕緣層142的多個第二接觸窗142c在這些金屬層的重疊方向（例如方向Z）上可不重疊於這些微型發光元件LED（如圖6所示），以進一步增加這些導電圖案CP用於接合微型發光元件LED的部分表面的平整度，從而提升微型發光元件LED的轉置良率。
另一方面，透過第一絕緣層141與第二絕緣層142分別在厚度方向（例如方向Z）上的厚度t1與厚度t2大於第一金屬層110、第二金屬層120與第三金屬層130分別在厚度方向上的厚度t3、厚度t4與厚度t5，還可進一步增加這些導電圖案CP用於接合微型發光元件LED的部分表面的平整度，但本發明不以此為限。在其他實施例中，絕緣層與金屬層的膜厚大小關係可根據實際的產品規格（例如整體厚度或可撓性）而調整。例如，前述的厚度t1與厚度t2也可以等於前述的厚度t3、厚度t4與厚度t5。
此外，由於金屬層表面的平整度會隨著自身膜厚的增加而變差，因此，將第一金屬層110的厚度t3限制在一較薄的膜厚範圍（例如大於等於2微米且小於4微米），可進一步確保導電圖案CP的表面平整度。在本實施例中，第二金屬層120的厚度t4與第三金屬層130的厚度t5可介於4微米至8微米之間。也就是說，本實施例的第一金屬層110的厚度t3可選擇性地小於第二金屬層120的厚度t4與第三金屬層130的厚度t5，但不以此為限。在其他實施例中，第一金屬層的膜厚也可等於第二金屬層120（或第三金屬層130）的膜厚。
特別一提的是，第一金屬層110的導電圖案CP可以是多個子層的堆疊結構。在本實施例中，導電圖案CP為第一子層CPa與第二子層CPb的堆疊結構，且第二子層CPb位於第一子層CPa與第一絕緣層141之間。第一子層CPa的材料可選自鉬或金，而第二子層CPb的材料可選自鉬或金以外的金屬材料，例如：鋁、銅、或上述的組合、或其他合適的金屬材料。舉例來說，導電圖案CP的第一子層CPa與第二子層CPb可以分別是鍍金層與銅層，而第一子層CPa可以採用化鈀浸金（electroless palladium immersion gold，EPIG）的製程來實施，但不以此為限。
相似地，第三金屬層130的接墊圖案PP也可以是第一子層PPa與第二子層PPb的堆疊結構，且第二子層PPb位於第二絕緣層142與第一子層PPa之間。由於接墊圖案PP的材料選用以及製作方式相似於前述第一金屬層110的導電圖案CP，因此詳細的說明可參考前述段落，於此不再重述。
另一方面，在本實施例中，為了確保每個微型發光元件LED可以有效地轉移放置並電性接合於第一金屬層110的這些導電圖案CP上，各個微型發光元件LED於對應的接墊圖案PP的垂直投影範圍內所疊置的膜層結構都大致上相同。舉例來說，各微型發光元件LED在接合方向（例如方向Z）上所覆蓋的任一膜層（例如第一絕緣層141與第二絕緣層142）或結構（例如導電圖案CP、轉接圖案TP與接墊圖案PP）的厚度都設計為大致上相同。
並且，上述被各微型發光元件LED所覆蓋的任一膜層或結構在平行於微型發光元件LED的頂面LEDs的水平面上的垂直投影輪廓與垂直投影面積都設計為大致上相同。據此，才能確保每個設置微型發光元件LED的表面平整，使得這些微型發光元件LED在轉移放置過程中，能有較高的轉移良率。
在本實施例中，發光顯示單元10還可選擇性地包括隔離結構層150，設置在第一金屬層110設有微型發光元件LED的一側。舉例來說，隔離結構層150是設置在第一金屬層110上，並且覆蓋第一絕緣層141的部分表面以及部分的導電圖案CP的部分表面。隔離結構層150具有多個彼此分隔的開口150a，且這些微型發光元件LED分別設置在這些開口150a內。在本實施例中，這些開口150a分別在方向X與方向Y上排成多列與多行。亦即，這些開口150a是以陣列的形式排列於第一金屬層110上。在本實施例中，這些開口150a於發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影輪廓可以是矩形。
特別一提的是，隔離結構層150於發光顯示單元10的出光面10s上的垂直投影面積與出光面10s表面積的百分比值大於等於70%。如此一來，可以有效地防止相鄰各開口150a內的這些微型發光元件LED被彼此射出的光線所干擾。舉例來說，在本實施例中，隔離結構層150的多個開口150a是採用微影蝕刻製程來製作。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，隔離結構層也可以填滿多個微型發光元件LED之間的空隙。也就是說，隔離結構層也可以不採用微影蝕刻製程來製作。
在本實施例中，隔離結構層150與各開口150a內的任一微型發光元件LED可具有最短距離，例如：在方向Y上的距離d（如圖3所示），且此距離d可以等於或小於50微米。如此一來，這些微型發光元件LED射出的光線中具有較大出射角的光線（即光路徑偏離方向Z較多的光線）可有效地被隔離結構層150吸收或阻擋，藉此有效地防止來自不同畫素區（或開口150a）的光線相互干擾。
隔離結構層150的材質例如包括（黑色或綠色）樹脂材料、摻雜吸收粒子的膠體材料（例如：碳粉、黑膠）、金屬材料（例如：銀、鋁、鈦）、摻雜反射粒子的膠體材料（例如：二氧化矽、二氧化鈦等），但不以此為限。
特別一提的是，隔離結構層150的這些開口150a可定義出發光顯示單元10的多個畫素區，而每一個畫素區的出光亮度與發光顏色可由同一個畫素區內的至少一微型發光元件LED來控制。在本實施例中，同一個開口150a（或畫素區）內所設置的微型發光元件LED數量是以三個為例進行示範性的說明，並不表示本發明以圖式揭示內容為限制。在其他實施例中，同一個開口150a內的微型發光元件LED數量可根據實際的光學設計（例如發光波長）或產品規格（例如出光亮度）而調整為一個、兩個或四個以上。
應注意的是，在本實施例中，隔離結構層150在厚度方向（例如方向Z）上的厚度t6明顯大於微型發光元件LED在厚度方向上的厚度t7，且隔離結構層150的頂面150s相對於導電圖案CP（或第一金屬層110）的表面CPs的高度H1大於微型發光元件LED的頂面LEDs相對於導電圖案CP的表面CPs的高度H2。據此，可避免任一畫素區內的微型發光元件LED發出的光線從相鄰的畫素區出射，造成非預期的混光，導致顯示對比的下降。換句話說，透過隔離結構層150的遮擋（例如吸收或反射），可有效提升發光顯示單元10的顯示品質。
在本實施例中，發光顯示單元10可包括多個第一微型發光元件LED1、多個第二微型發光元件LED2與多個第三微型發光元件LED3，且每一個畫素區（或開口150a）內設有一個第一微型發光元件LED1、一個第二微型發光元件LED2與一個第三微型發光元件LED3。舉例來說，第一微型發光元件LED1、第二微型發光元件LED2與第三微型發光元件LED3的發光顏色分別為紅色、綠色與藍色，並且透過這些微型發光元件的出光強度比例的配置來混合出具有不同灰階的顯示效果。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一微型發光元件LED1、第二微型發光元件LED2與第三微型發光元件LED3的發光顏色彼此相同，並且藉由量子點（quantum dot，QD）材料進行色轉換。
微型發光元件LED包括第一電極E1、第二電極E2與發光結構層ES。舉例來說，發光結構層ES可包含第一型半導體層（未繪示）、發光層（未繪示）、第二型半導體層（未繪示）以及絕緣層（未繪示），其中第一電極E1與第二電極E2位於第一型半導體層或第二型半導體層的同一側，並且貫穿絕緣層以分別電性連接所述第一型半導體層與所述第二型半導體層。也就是說，本實施例的微型發光元件LED為覆晶型（flip-chip type）微型發光二極體元件，但不以此為限。特別注意的是，微型發光元件LED在方向Y的長度與在方向Z上的厚度的比值大於1。
在本實施例中，第一金屬層110的多個導電圖案CP包括多個第一導電圖案CP1、多個第二導電圖案CP2與多個第三導電圖案CP3，且每一個畫素區（或開口150a）設有三個第一導電圖案CP1、一個第二導電圖案CP2與三個第三導電圖案CP3。舉例來說，第一導電圖案CP1、第二導電圖案CP2與第三導電圖案CP3沿著方向Y交替排列，且第二導電圖案CP2沿著方向X從發光顯示單元10的一側延伸至另一側（如圖4所示）。也就是說，沿著方向X排列的多個畫素區的第二導電圖案CP2是彼此相連的。
另一方面，在方向Y上排列的多個畫素區內用於接合具有相同發光顏色的微型發光元件LED的多個第一導電圖案CP1與多個第二導電圖案CP2可電性連接至第二金屬層120的同一個轉接圖案TP，且每一個轉接圖案TP經由對應的一個第二接觸窗142c與第三金屬層130中對應的一個接墊圖案PP電性連接。更具體地說，透過上述多個導電圖案CP與多個轉接圖案TP的電性連接關係，可有效縮減發光顯示單元10所需配置的接墊圖案PP數量，有助於提升發光顯示單元10的接合良率。
也因此，在本實施例中，第一絕緣層141的第一接觸窗141c的數量大於第二絕緣層142的第二接觸窗142c的數量，且第二接觸窗142c的數量等於第三金屬層130的接墊圖案PP的數量。舉例來說，隔離結構層150的多個開口150a所定義的多個畫素區在方向X上排列的數量為M個（例如四個），而在方向Y上排列的數量為N個（例如四個），第二絕緣層142的第二接觸窗142c的數量可以是M+3N個（例如十六個）。更具體地說，第三金屬層130的接墊圖案PP數量可取決於多個畫素區（或開口150a）在方向X與方向Y上的排列數量以及每一個畫素區內所設置的微型發光元件LED數量而定。
進一步而言，第一金屬層110的多個導電圖案CP分別具有用於電性接合多個微型發光元件LED與多個修補用的微型發光元件的多個部分。舉例來說，微型發光元件LED的第一電極E1與第二電極E2適於電性接合至第一導電圖案CP1的一部分CP1a與第二導電圖案CP2的一部分CP2a。特別說明的是，在本實施例中，第二導電圖案CP2的部分CP2a與第三導電圖案CP3的一部分CP3a可作為修補（repair）用的連接墊組。當任一畫素區內的某一個微型發光元件LED在檢測過程中無法被致能時，可藉由預留的連接墊組來接合修補用的微型發光元件（如圖9的微型發光元件LED2r）以替代毀損或失能的微型發光元件LED。據此，可降低發光顯示單元10因部分的微型發光元件LED毀損或失能而被報廢的機率，從而提升發光顯示單元10的生產良率。
值得注意的是，多個導電圖案CP位於開口150a內的部分（例如：第一導電圖案CP1的部分CP1a、第二導電圖案CP2的部分CP2a與第三導電圖案CP3的部分CP3a）在方向Z上完全重疊於第三金屬層130的多個接墊圖案PP。據此，可進一步增加這些導電圖案CP用於接合多個微型發光元件LED的這些部分的表面平整度，有助於提升微型發光元件LED的轉置良率。
另一方面，為了進一步增加發光顯示單元10用於接合微型發光元件LED一側的表面平整度，第一金屬層110與第二金屬層120的至少一者還可選擇性地包括多個虛設圖案（dummy pattern）。舉例來說，在本實施例中，第一金屬層110還具有多個虛設圖案DP，這些虛設圖案DP設置在多個導電圖案CP之間，且電性絕緣於這些導電圖案CP（如圖4所示）。相似地，第二金屬層120還具有多個虛設圖案DP’，這些虛設圖案DP’設置在多個轉接圖案TP之間，且電性絕緣於多個轉接圖案TP（如圖5所示）。
進一步而言，發光顯示單元10還可包括黏著層200與基板300。黏著層200設置在多個微型發光元件LED與基板300之間，並且連接基板300、第一絕緣層141的部分表面、第一金屬層110的部分表面、多個微型發光元件LED與隔離結構層150。特別說明的是，基板300背離黏著層200的一側表面可定義出發光顯示單元10的出光面10s。黏著層200的材料包括光學膠帶（Optical Clear Adhesive，OCA）、光學透明樹脂（Optical Clear Resin，OCR）、或其他合適的光學級膠材。值得一提的是，透過第一金屬層110的多個虛設圖案DP以及第二金屬層120的多個虛設圖案DP’的設置，還可避免在基板300的貼合過程中，基板300與黏著層200的交界面發生氣泡的堆積，有助於提升發光顯示單元10的生產良率。
基板300由一透明的材料組成，例如是玻璃、藍寶石或環氧樹脂，而基板300的厚度大於100微米，例如250微米。此處，具有較厚厚度的基板300可視為一導光層，可均勻混合位在同一畫素區（即開口150a）內的多個微型發光元件LED所發出的光線（例如紅光、綠光與藍光），有助於提升各畫素區的出光均勻度。
特別一提的是，本實施例的發光顯示單元10適於拼接出多種顯示尺寸與非矩形輪廓的顯示裝置。舉例來說，在一實施例的顯示裝置1中，多個（例如十二個）發光顯示單元10可電性接合至同一印刷電路板（printed circuit board，PCB）100上（如圖7所示）。需說明的是，圖7的顯示裝置1的印刷電路板100是以一個為例示出，並不表示本發明以圖式揭示內容為限制。在其他實施例中，顯示裝置的印刷電路板數量及其尺寸大小也可根據實際的設計需求（例如顯示裝置在視線方向上的外輪廓）而調整。
請同時參照圖2、圖7及圖8，為了降低發光顯示單元10在與印刷電路板100的接合過程中因過度擠壓而毀損（例如：金屬層的線路斷裂或絕緣層的膜層破裂）的風險，發光顯示單元10還可選擇性地包括保護層160，設置在第三金屬層130背離第二金屬層120的一側。此保護層160具有對應多個接墊圖案PP的多個開口160a，以暴露出這些接墊圖案PP的部分表面。特別注意的是，各畫素區內的多個微型發光元件LED在第三金屬層130上的垂直投影都重疊於保護層160的這些開口160a，據此能確保發光顯示單元10用於接合各個微型發光元件LED的表面具有大致上相同的平整度。
舉例來說，印刷電路板100上設有阻擋層105、多個連接墊BP以及對應這些連接墊BP設置的多個焊料凸塊SB。阻擋層105設置在這些連接墊BP之間，且用以承接發光顯示單元10的保護層160。這些焊料凸塊SB設置在阻擋層105之間，並且適於伸入發光顯示單元10的保護層160的多個開口160a以電性接合發光顯示單元10的多個接墊圖案PP。更具體地說，發光顯示單元10的多個接墊圖案PP是經由這些焊料凸塊SB而接合於多個連接墊BP以電性連接印刷電路板100。保護層160的材料例如包括（黑色或綠色）樹脂材料、摻雜吸收粒子的膠體材料（例如：碳粉、黑膠）、或其他合適的有機材料。
值得一提的是，透過發光顯示單元10的保護層160以及印刷電路板100的阻擋層105的配合關係，可避免在發光顯示單元10接合至印刷電路板100的過程中，因受熱而處於熔融狀態的焊料凸塊SB溢流至相鄰的連接墊BP而造成部分的連接墊BP之間的電性短路。換句話說，可提升發光顯示單元10與印刷電路板100的接合良率。
在本實施例中，保護層160在厚度方向（例如方向Z）上的厚度t8可選擇性地大於第一絕緣層141的厚度t1與第二絕緣層142的厚度t2。據此，可進一步增加發光顯示單元10在設有保護層160一側的表面平整度。另一方面，在本實施例中，保護層160與隔離結構層150的材質可選擇性地相同，且透過保護層160的厚度t8等於隔離結構層150的厚度t6，可讓發光顯示單元10的應力分布較為平均，有助於提升發光顯示單元10的可撓性（flexibility）。舉例來說，保護層160的厚度t8可介於10微米至20微米的範圍內。
另一方面，保護層160於接墊圖案PP的表面PPs上的垂直投影面積與接墊圖案PP的表面PPs面積的百分比值可介於20%至50%之間，以避免接墊圖案PP周圍的第二絕緣層142發生剝離的現象，並且為部分的第三金屬層130提供適當的保護。舉例來說，在本實施例中，第三金屬層130的接墊圖案PP在XY平面上的垂直投影輪廓為圓形，且其在XY平面的任一方向上具有寬度W1（即圓徑）。相似地，保護層160的開口160a所占區域在XY平面上的垂直投影輪廓為圓形，且其在XY平面的任一方向上具有寬度W2（即圓徑），其中保護層160的開口160a的寬度W2可小於接墊圖案PP的寬度W1。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，保護層160的開口160a的寬度W2也可等於接墊圖案PP的寬度W1。亦即，保護層160定義開口160a的表面可切齊接墊圖案PP的外緣。
由於發光顯示單元10上設有電性連接於多個微型發光元件LED與印刷電路板100之間的多個金屬層，因此可簡化印刷電路板100上的膜層數量。換句話說，可有效增加顯示裝置1的整體電路的設計裕度。另一方面，當顯示裝置1的尺寸增加時，利用不同數量且預先製作好的發光顯示單元10來進行轉置，可簡化顯示裝置1的製造流程，同時還能降低大尺寸顯示裝置1的修補難度，有助於提升顯示裝置1的生產良率。
圖9是本發明的另一實施例的發光顯示單元的上視示意圖。請參照圖9，本實施例的發光顯示單元10R與圖1的發光顯示單元10的差異在於：本實施例的發光顯示單元10R為經修補後的發光顯示單元。舉例來說，當發光顯示單元10的一個畫素區內的第二微型發光元件LED2在製程中被檢測出為失能或毀損的微型發光元件LED2x時，可利用預留的連接墊組（例如第二導電圖案CP2的部分CP2a與第三導電圖案CP3的部分CP3a）來接合修補用的微型發光元件LED2r以取代毀損或失能的微型發光元件LED2x。
應可理解的是，在修補用的微型發光元件LED2r接合至修補用的連接墊組之前，被檢測為失能或毀損的微型發光元件LED2x可先行自發光顯示單元上移除。也可以是，在修補用的微型發光元件LED2r接合至修補用的連接墊組之後，再將被檢測為失能或毀損的微型發光元件LED2x自發光顯示單元上移除。然而，本發明不以此為限，在其他實施例中，發光顯示單元的修補製程可不包括失能或毀損的微型發光元件的移除步驟。換句話說，被替換的微型發光元件仍可保留在經修補後的發光顯示單元上。
綜上所述，在本發明的一實施例的發光顯示單元中，第一金屬層的多個導電圖案分別經由第二金屬層的多個轉接圖案電性連接第三金屬層的多個接墊圖案。透過第二金屬層的分布密度大於第一金屬層的分布密度以及第三金屬層的分布密度，且第一金屬層的分布密度大於第三金屬層的分布密度，可有效增加發光顯示單元設有這些導電圖案的表面平整度，有助於提升微型發光元件的轉置（轉移放置）良率。多個上述的發光顯示單元適於經由各自的多個接墊圖案與印刷電路板電性接合以形成顯示裝置。預先製作好的這些發光顯示單元可簡化印刷電路板上所需的線路層，使得顯示裝置更為輕薄。在顯示裝置的製造過程中，轉移多個發光顯示單元比轉移多個微型發光元件更為有效率且容易，同時還能降低大尺寸顯示裝置的修補難度（例如：可在發光顯示單元上直接進行發光檢測，若有壞點，可直接進行修補，以確保這些發光顯示單元上的微型發光元件的功能正常；接著，再將檢測通過的各發光顯示單元經由各自的多個接墊圖案與印刷電路板電性接合以形成顯示裝置），有助於提升顯示裝置的生產良率。另一方面，透過發光顯示單元的這些金屬層的設置，還可有效增加顯示裝置的整體電路的設計裕度。
1:顯示裝置 10、10R:發光顯示單元 10s:出光面 100:印刷電路板 105:阻擋層 110:第一金屬層 120:第二金屬層 130:第三金屬層 141:第一絕緣層 141c:第一接觸窗 142:第二絕緣層 142c:第二接觸窗 150:隔離結構層 150a、160a:開口 150s:頂面 160:保護層 200:黏著層 300:基板 BP:連接墊 CP、CP1、CP2、CP3:導電圖案 CPa、CPb、PPa、PPb:子層 CPs、PPs:表面 CP1a、CP2a、CP3a:部分 d:距離 DP、DP’:虛設圖案 E1:第一電極 E2:第二電極 ES:發光結構層 H1、H2:高度 LED、LED1、LED2、LED3、LED2r、LED2x:微型發光元件 LEDs:頂面 PP:接墊圖案 SB:焊料凸塊 t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8:厚度 TP:轉接圖案 W1、W2:寬度 X、Y、Z:方向 A-A’、B-B’:剖線 I:區域
圖1是本發明的一實施例的發光顯示單元的上視示意圖。 圖2是圖1的發光顯示單元的下視示意圖。 圖3是圖1的發光顯示單元的剖視示意圖。 圖4是圖3的第一金屬層與第一絕緣層的上視示意圖。 圖5是圖3的第二金屬層、第三金屬層與第二絕緣層的上視示意圖。 圖6是圖1的發光顯示單元的局部區域的放大示意圖。 圖7是本發明的一實施例的顯示裝置的上視示意圖。 圖8是圖7的顯示裝置的剖視示意圖。 圖9是本發明的另一實施例的發光顯示單元的上視示意圖。
10:發光顯示單元
10s:出光面
110:第一金屬層
120:第二金屬層
130:第三金屬層
141:第一絕緣層
141c:第一接觸窗
142:第二絕緣層
142c:第二接觸窗
150:隔離結構層
150a、160a:開口
150s:頂面
160:保護層
200:黏著層
300:基板
CP、CP1、CP2、CP3:導電圖案
CPa、CPb、PPa、PPb:子層
CPs、PPs:表面
d:距離
E1:第一電極
E2:第二電極
ES:發光結構層
H1、H2:高度
LED:微型發光元件
LEDs:頂面
PP:接墊圖案
t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8:厚度
TP:轉接圖案
X、Y、Z:方向
A-A’:剖線

Claims (19)

  1. 一種發光顯示單元，包括： 一第一金屬層，具有多個導電圖案； 一第二金屬層，具有多個轉接圖案，該些轉接圖案電性連接該些導電圖案； 一第三金屬層，具有多個接墊圖案，該些接墊圖案電性連接該些轉接圖案，該第二金屬層位於該第一金屬層與該第三金屬層之間，其中該第二金屬層的分布密度大於該第一金屬層的分布密度，且該第一金屬層的分布密度大於該第三金屬層的分布密度； 一第一絕緣層，設置在該第一金屬層與該第二金屬層之間； 一第二絕緣層，設置在該第二金屬層與該第三金屬層之間；以及 多個微型發光元件，設置在該第一金屬層背離該第二金屬層的一側，且分別電性接合至該些導電圖案，其中每一該微型發光元件的長度與厚度的比值大於1。
  2. 如請求項1所述的發光顯示單元，其中該第一絕緣層具有多個第一接觸窗，該些導電圖案經由該些第一接觸窗與該些轉接圖案電性連接，該第二絕緣層具有多個第二接觸窗，該些轉接圖案經由該些第二接觸窗與該些接墊圖案電性連接，其中該第一絕緣層的該些第一接觸窗的數量大於第二絕緣層的該些第二接觸窗的數量。
  3. 如請求項2所述的發光顯示單元，其中該些第一接觸窗與該些第二接觸窗不重疊於該些微型發光元件。
  4. 如請求項1所述的發光顯示單元，更包括： 一保護層，設置在該第三金屬層背離該第二金屬層的一側，且具有多個開口，該保護層的該些開口暴露出該第三金屬層的部分表面，其中該些微型發光元件在該第三金屬層上的垂直投影重疊於該些開口。
  5. 如請求項4所述的發光顯示單元，其中該保護層在一厚度方向上的厚度大於該第一絕緣層與該第二絕緣層各自在該厚度方向上的厚度，且該第一絕緣層與該第二絕緣層各自在該厚度方向上的厚度大於等於該第一金屬層、該第二金屬層與該第三金屬層各自在該厚度方向上的厚度。
  6. 如請求項1所述的發光顯示單元，其中該第一金屬層在一厚度方向上的厚度小於該第二金屬層與該第三金屬層各自在該厚度方向上的厚度。
  7. 如請求項1所述的發光顯示單元，其中該第一金屬層與該第二金屬層各自在該發光顯示單元的一出光面上的垂直投影面積與該出光面面積的百分比值大於等於70%。
  8. 如請求項1所述的發光顯示單元，其中該第三金屬層在該發光顯示單元的一出光面上的垂直投影面積與該出光面面積的百分比值小於50%且大於25%。
  9. 如請求項1所述的發光顯示單元，更包括： 一隔離結構層，設置在該第一金屬層設有該些微型發光元件的一側，該隔離結構層具有多個開口，且該些微型發光元件分別設置在該隔離結構層的該些開口內，其中該隔離結構層在一厚度方向上的厚度大於等於該些微型發光元件在該厚度方向上的厚度。
  10. 如請求項9所述的發光顯示單元，其中該隔離結構層在一厚度方向上的厚度等於該保護層在該厚度方向上的厚度。
  11. 如請求項9所述的發光顯示單元，其中該隔離結構層於該發光顯示單元的一出光面上的垂直投影面積與該出光面面積的百分比值大於等於70%。
  12. 如請求項2所述的發光顯示單元，其中該些微型發光元件分別位於該發光顯示單元的多個畫素區且每一該畫素區具有至少三個該些微型發光元件，該些畫素區在一第一方向上的排列個數為M個，在一第二方向上的排列個數為N個，該第一方向相交於該第二方向，且該第二絕緣層的該些第二接觸窗的數量為M+3N個。
  13. 如請求項1所述的發光顯示單元，更包括： 一基板，重疊設置於該些微型發光元件，且該些微型發光元件位於該基板與該第一金屬層之間；以及 一黏著層，連接該基板、該些微型發光元件與該第一金屬層的部分表面。
  14. 如請求項1所述的發光顯示單元，其中該第一金屬層還具有多個虛設圖案，且該些虛設圖案電性絕緣於該些導電圖案。
  15. 如請求項1所述的發光顯示單元，其中每一該微型發光元件於對應的該接墊圖案上的垂直投影範圍內所疊置的膜層結構相同。
  16. 一種顯示裝置，包括： 一印刷電路板；以及 多個發光顯示單元，電性接合該印刷電路板，且每一該發光顯示單元包括： 一第一金屬層，具有多個導電圖案； 一第二金屬層，具有多個轉接圖案，該些轉接圖案電性連接該些導電圖案； 一第三金屬層，具有多個接墊圖案，該些接墊圖案電性連接該些轉接圖案，該第二金屬層位於該第一金屬層與該第三金屬層之間，其中該第二金屬層的分布密度大於該第一金屬層的分布密度，且該第一金屬層的分布密度大於該第三金屬層的分布密度； 一第一絕緣層，設置在該第一金屬層與該第二金屬層之間； 一第二絕緣層，設置在該第二金屬層與該第三金屬層之間；以及 多個微型發光元件，設置在該第一金屬層背離該第二金屬層的一側，且分別電性接合至該些導電圖案，其中每一該微型發光元件的長度與厚度的比值大於1。
  17. 如請求項16所述的顯示裝置，其中該印刷電路板具有多個焊料凸塊，且該些發光顯示單元的該些接墊圖案分別經由該些焊料凸塊與該印刷電路板電性接合。
  18. 如請求項17所述的顯示裝置，其中各該發光顯示單元更包括： 一保護層，設置在該第三金屬層背離該第二金屬層的一側，該保護層直接覆蓋該第三金屬層的該些接墊圖案的一部分表面，且該保護層的多個開口暴露出該些接墊圖案的另一部分表面，其中該些焊料凸塊分別伸入該保護層的該些開口以連接該些接墊圖案。
  19. 如請求項18所述的顯示裝置，其中該保護層於該些接墊圖案的一表面上的垂直投影面積與該些接墊圖案的該表面面積的百分比值介於20%至50%之間。
TW109146585A 2020-08-24 2020-12-29 發光顯示單元及顯示裝置 TWI745206B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/184,513 US11652077B2 (en) 2020-08-24 2021-02-24 Light-emitting display unit and display apparatus
KR1020210072136A KR102543408B1 (ko) 2020-08-24 2021-06-03 발광 디스플레이 유닛 및 디스플레이 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063069693P 2020-08-24 2020-08-24
US63/069,693 2020-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI745206B true TWI745206B (zh) 2021-11-01
TW202209714A TW202209714A (zh) 2022-03-01

Family

ID=74997368

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109142527A TWI764404B (zh) 2020-08-24 2020-12-03 拼接式微型發光二極體顯示面板
TW111113636A TWI823332B (zh) 2020-08-24 2020-12-03 拼接式微型發光二極體顯示面板
TW109142526A TWI757996B (zh) 2020-08-24 2020-12-03 微型發光二極體顯示矩陣模組
TW109145631A TWI753715B (zh) 2020-08-24 2020-12-23 顯示裝置
TW109146585A TWI745206B (zh) 2020-08-24 2020-12-29 發光顯示單元及顯示裝置
TW110102043A TWI751000B (zh) 2020-08-24 2021-01-20 顯示裝置及其製造方法
TW110111460A TWI765629B (zh) 2020-08-24 2021-03-30 微型發光二極體顯示器以及其控制器

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109142527A TWI764404B (zh) 2020-08-24 2020-12-03 拼接式微型發光二極體顯示面板
TW111113636A TWI823332B (zh) 2020-08-24 2020-12-03 拼接式微型發光二極體顯示面板
TW109142526A TWI757996B (zh) 2020-08-24 2020-12-03 微型發光二極體顯示矩陣模組
TW109145631A TWI753715B (zh) 2020-08-24 2020-12-23 顯示裝置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110102043A TWI751000B (zh) 2020-08-24 2021-01-20 顯示裝置及其製造方法
TW110111460A TWI765629B (zh) 2020-08-24 2021-03-30 微型發光二極體顯示器以及其控制器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11652077B2 (zh)
KR (1) KR102543408B1 (zh)
CN (6) CN112530926B (zh)
TW (7) TWI764404B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113224218B (zh) * 2020-12-30 2023-01-20 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
TWI763441B (zh) * 2021-04-16 2022-05-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN113327536B (zh) * 2021-06-11 2022-09-27 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示设备
TWI792432B (zh) * 2021-07-22 2023-02-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光顯示裝置
CN113451351B (zh) * 2021-07-22 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型发光显示设备
JP2023028604A (ja) * 2021-08-19 2023-03-03 株式会社ジャパンディスプレイ 保持基板および表示装置の製造方法
CN113658518B (zh) * 2021-08-24 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
US20230140197A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method of electronic device
TWI799068B (zh) * 2022-01-10 2023-04-11 友達光電股份有限公司 拼接顯示裝置
TWI813261B (zh) * 2022-04-19 2023-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
TWI818692B (zh) * 2022-08-24 2023-10-11 友達光電股份有限公司 驅動背板
CN115472095B (zh) * 2022-08-25 2024-02-09 惠科股份有限公司 显示装置及其制备方法
TWI817865B (zh) * 2022-12-12 2023-10-01 星亞視覺股份有限公司 Led顯示裝置及其led顯示單元
TWI817893B (zh) * 2023-01-18 2023-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板與顯示裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201631800A (zh) * 2013-11-18 2016-09-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US20190198715A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lg Display Co., Ltd. Micro LED Display Panel and Method of Manufacturing the Same
US20190327827A1 (en) * 2018-04-19 2019-10-24 Innolux Corporation Light-emitting module and display device
US20200176655A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha Image display element

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897855B1 (en) * 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
US6870519B2 (en) * 2001-03-28 2005-03-22 Intel Corporation Methods for tiling multiple display elements to form a single display
JP2002344135A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Toppan Printing Co Ltd 配線板製造用絶縁層転写シート及びビルドアッププリント配線板及びその製造方法
JP4887587B2 (ja) * 2001-08-01 2012-02-29 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP2003255850A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Pioneer Electronic Corp 表示パネル基板及び表示装置
JP2005140938A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Sony Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP2005142054A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器
JP2006091850A (ja) * 2004-07-22 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示パネルの検査装置
KR20070006458A (ko) * 2005-07-08 2007-01-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리, 및이를 구비한 표시 장치
JP2008268717A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Renesas Technology Corp 画像表示装置の駆動回路および画像表示方法
JP5037221B2 (ja) * 2007-05-18 2012-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び電子機器
KR101476422B1 (ko) * 2008-06-30 2014-12-26 서울반도체 주식회사 인쇄회로기판 및 그를 이용한 ｌｅｄ 모듈
US20110043541A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Cok Ronald S Fault detection in electroluminescent displays
US8619103B2 (en) * 2011-01-31 2013-12-31 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device multilevel-drive chromaticity-shift compensation
JP5821279B2 (ja) * 2011-05-24 2015-11-24 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード駆動装置
KR101966393B1 (ko) * 2011-11-18 2019-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US9633905B2 (en) * 2012-04-20 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor fin structures and methods for forming the same
KR101947165B1 (ko) * 2012-10-16 2019-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 회로 필름의 회전 장치
CN102982744B (zh) * 2012-12-17 2014-09-24 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管led显示模组
CN103745683B (zh) * 2013-09-27 2016-09-21 中傲智能科技（苏州）有限公司 基于hdmi接口的led显示屏控制系统
KR102098870B1 (ko) 2013-10-30 2020-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
TWM480747U (zh) * 2013-12-10 2014-06-21 Apex Opto Corp Ｌｅｄ點矩陣顯示器
CN103730090B (zh) * 2014-01-13 2015-10-14 西北工业大学 Oled发光效率经时衰减的数字补偿校正电路及方法
JP6133227B2 (ja) * 2014-03-27 2017-05-24 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
CN104021773B (zh) * 2014-05-30 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示器件的亮度补偿方法、亮度补偿装置及显示器件
US10535640B2 (en) * 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10192950B2 (en) * 2015-01-06 2019-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and multi-display device including the same
CN106033156B (zh) * 2015-03-12 2019-11-05 中强光电股份有限公司 显示装置及显示方法
US11061276B2 (en) * 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
CN105094491B (zh) * 2015-08-24 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制作方法、驱动方法和触控显示装置
WO2017043216A1 (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 シャープ株式会社 画像表示装置
CN106684108B (zh) * 2015-11-05 2019-10-08 群创光电股份有限公司 发光二极管显示设备
DE102016103324A1 (de) * 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Videowand-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Videowand-Moduls
CN107293255B (zh) * 2016-04-05 2019-07-26 上海和辉光电有限公司 显示装置及其驱动方法
KR102547686B1 (ko) * 2016-04-11 2023-06-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
JP6612189B2 (ja) * 2016-06-24 2019-11-27 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置、および、配線基板の製造方法
TWI602306B (zh) * 2016-07-05 2017-10-11 Innolux Corp 陣列基板結構與顯示裝置
JP6727047B2 (ja) * 2016-07-12 2020-07-22 三菱電機株式会社 表示装置
TW201814880A (zh) * 2016-09-26 2018-04-16 啟端光電股份有限公司 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法
US10467952B2 (en) * 2016-10-12 2019-11-05 Shaoher Pan Integrated light-emitting diode arrays for displays
KR102565752B1 (ko) * 2016-12-28 2023-08-11 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치와 그 구동 장치
TWI607559B (zh) * 2017-01-10 2017-12-01 錼創科技股份有限公司 顯示面板
CN112162656A (zh) * 2017-06-29 2021-01-01 上海耕岩智能科技有限公司 一种生物特征识别方法和装置
US10522524B2 (en) * 2017-06-30 2019-12-31 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
CN109216525B (zh) * 2017-07-04 2021-08-10 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 发光模块及显示装置
KR102514755B1 (ko) 2017-07-10 2023-03-29 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법
WO2019026858A1 (ja) * 2017-07-31 2019-02-07 大日本印刷株式会社 表示パネルおよび表示装置
US10546913B2 (en) * 2017-08-01 2020-01-28 Innolux Corporation Tile display devices and display devices
TWI639230B (zh) * 2017-08-03 2018-10-21 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN206977607U (zh) * 2017-08-11 2018-02-06 南京美卡数字科技有限公司 一种三维图形处理中的立体图像显示装置
KR102427082B1 (ko) * 2017-12-15 2022-07-29 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치 및 그 구동방법
CN110033709A (zh) * 2018-01-11 2019-07-19 启端光电股份有限公司 微发光二极管显示面板
KR20200123089A (ko) * 2018-02-20 2020-10-28 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 p-보로노페닐알라닌 유도체 및 그것을 포함하는 조성물, 그리고 그들을 제조하기 위한 키트
CN208315549U (zh) * 2018-03-07 2019-01-01 深圳市玲涛光电科技有限公司 发光装置
US10950685B2 (en) * 2018-03-29 2021-03-16 Innolux Corporation Tiled electronic device
CN110349981B (zh) * 2018-04-02 2022-11-18 上海耕岩智能科技有限公司 一种显示屏集成红外像素的光侦测装置
CN108573992A (zh) * 2018-05-08 2018-09-25 业成科技（成都）有限公司 显示面板、制备方法及应用该显示面板的电子装置
WO2019225708A1 (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 大日本印刷株式会社 表示装置用配線基板および表示装置、ならびに配線基板とその作製方法
US10763249B2 (en) * 2018-05-31 2020-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device
CN208189154U (zh) * 2018-06-13 2018-12-04 云谷（固安）科技有限公司 一种拉伸显示屏及显示装置
US10714001B2 (en) * 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
KR102535148B1 (ko) * 2018-07-18 2023-05-22 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 이용한 대형 디스플레이 장치
CN110838500B (zh) * 2018-08-17 2023-02-28 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置
CN110875346A (zh) * 2018-09-04 2020-03-10 启端光电股份有限公司 顶部与底部发光型微发光二极管显示器及其形成方法
CN111028697A (zh) * 2018-10-09 2020-04-17 财团法人工业技术研究院 拼接显示装置
CN111105720A (zh) * 2018-10-09 2020-05-05 财团法人工业技术研究院 拼接显示装置
CN111081694B (zh) * 2018-10-18 2022-03-22 群创光电股份有限公司 电子装置、拼接电子设备与其操作方法
US11482650B2 (en) * 2018-11-07 2022-10-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device including light shielding layer
CN209215803U (zh) * 2018-11-08 2019-08-06 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种显示组件及其电子设备
CN111179765B (zh) * 2018-11-12 2021-09-10 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置
CN109378370B (zh) * 2018-12-05 2020-08-25 合肥京东方光电科技有限公司 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法
CN109584730B (zh) * 2018-12-18 2024-04-02 深圳市奥拓电子股份有限公司 拼接显示屏
CN111343794A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 同扬光电（江苏）有限公司 柔性线路板结构及其制作方法
US11942334B2 (en) * 2018-12-21 2024-03-26 Intel Corporation Microelectronic assemblies having conductive structures with different thicknesses
CN110233200B (zh) * 2019-05-13 2024-03-05 厦门云天半导体科技有限公司 一种Micro LED的三维集成结构和制作方法
CN110379322A (zh) * 2019-07-15 2019-10-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示模组及显示装置
CN110491896B (zh) * 2019-08-16 2022-01-04 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件显示装置及其制造方法
CN210666266U (zh) * 2019-08-20 2020-06-02 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置及背光模组
CN110783324B (zh) * 2019-09-19 2021-03-16 季华实验室 高密度Micro LED夹层结构有源驱动显示单元
CN111430403B (zh) * 2020-03-31 2022-11-22 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111540764A (zh) * 2020-06-02 2020-08-14 上海天马微电子有限公司 发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201631800A (zh) * 2013-11-18 2016-09-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US20190198715A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lg Display Co., Ltd. Micro LED Display Panel and Method of Manufacturing the Same
US20190327827A1 (en) * 2018-04-19 2019-10-24 Innolux Corporation Light-emitting module and display device
US20200176655A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha Image display element

Also Published As

Publication number Publication date
TW202209279A (zh) 2022-03-01
TWI751000B (zh) 2021-12-21
KR102543408B1 (ko) 2023-06-14
CN112530926A (zh) 2021-03-19
TW202209714A (zh) 2022-03-01
TW202230775A (zh) 2022-08-01
US20220059510A1 (en) 2022-02-24
TW202209287A (zh) 2022-03-01
CN112670312A (zh) 2021-04-16
CN112530926B (zh) 2023-04-18
TWI753715B (zh) 2022-01-21
TWI757996B (zh) 2022-03-11
KR20220025653A (ko) 2022-03-03
TWI823332B (zh) 2023-11-21
CN112599510B (zh) 2022-11-08
CN112713142A (zh) 2021-04-27
TWI764404B (zh) 2022-05-11
TW202209725A (zh) 2022-03-01
CN113035079B (zh) 2023-04-18
TWI765629B (zh) 2022-05-21
CN112786577A (zh) 2021-05-11
CN112786577B (zh) 2023-04-18
TW202209282A (zh) 2022-03-01
US11652077B2 (en) 2023-05-16
CN112670312B (zh) 2023-05-02
CN113035079A (zh) 2021-06-25
TW202209286A (zh) 2022-03-01
CN112713142B (zh) 2023-05-16
CN112599510A (zh) 2021-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI745206B (zh) 發光顯示單元及顯示裝置
CN110211987B (zh) 发光二极管面板
US7554126B2 (en) Semiconductor light-emitting element, manufacturing method and mounting method of the same and light-emitting device
JP5652252B2 (ja) 発光装置、照明装置および表示装置
US7683539B2 (en) Light emitting device package and method for manufacturing the same
US11289633B2 (en) LED array package and manufacturing method thereof
US9159892B2 (en) LED light source device and manufacturing method for the same
JP5437489B2 (ja) 電子装置
WO2020116207A1 (ja) マイクロｌｅｄ実装構造、マイクロｌｅｄディスプレイ及びマイクロｌｅｄディスプレイの製造方法
JP2004304161A (ja) 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
WO2021190052A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN211789018U (zh) 显示面板及具有该显示面板的显示装置
CN109216525B (zh) 发光模块及显示装置
TW202025516A (zh) 發光二極體顯示器
JP2002368289A (ja) 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法
JP2008098290A (ja) 発光装置およびその製造方法
TWI782401B (zh) 發光陣列結構及顯示器
TWI783724B (zh) 顯示面板
TWI835265B (zh) 發光顯示單元及顯示裝置
CN217086613U (zh) 一种微型led芯片检测结构
US11588084B2 (en) Method and structure for die bonding using energy beam
TWI835978B (zh) 發光裝置
US20220392876A1 (en) Light emitting device
WO2023236186A1 (zh) 发光基板、显示装置和拼接显示装置
JP2023523758A (ja) 積層構造体、表示スクリーン、および表示装置