JP2008098290A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光装置10は、金属配線15が形成されたシリコン基板11と、これに実装された発光素子12と、シリコン基板11上に接合され、実装面26から次第に幅が広がるように外側へ傾斜した反射面25が形成された金属板13と、発光素子12を封止する封止樹脂14とを備え、シリコン基板11の実装面26と、反射面25とのなす角度をθ、封止樹脂14の屈折率をnc、空気の屈折率をnaとすると、θはθ<(90°+arcsin(na/nc))/2の関係を満たすことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
また、各種の機器に取り付けるための発光装置としては、例えば、絶縁基板上に一括して発光素子を実装したものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、このような発光装置では、発光素子から発せられた光の出射する角度が、発光素子上に塗布された樹脂と空気との屈折率から決まる臨界角を超える場合、この臨界角を超える光は空気中に取り出すことができない。そのため、発光素子から発せられた光の一部(出射する角度が臨界角を超える光)は、発光装置から取り出すことができずに、発光装置内で横方向に伝搬してしまう。
θc=arcsin(na/nc) (1)
例えば、屈折率が1.5程度の樹脂を用い、発光素子としてLEDを用いた場合、空気の屈折率は実質的に1であるので、LEDから樹脂面に垂直に入射した光とその光の軌跡を0°とした場合、この樹脂面に垂直に入射した光に対して±40°以内の角度で、樹脂面に入射した光は、樹脂と空気との界面で全反射することなく、樹脂から外部に出射する。一方、樹脂面に垂直に入射した光に対して40°〜90°の角度で、樹脂面に入射した光は、全ての樹脂面で全反射し、樹脂の上面から外部に出射することができない。樹脂面で全反射した光は、絶縁基板に吸収されるか、あるいは、樹脂面に平行な面から樹脂の外部に出射する。そのため、このような絶縁基板上に一括して発光素子を実装した発光装置では、特異な照度分布となり、一般的な照明装置としては使用し難かった。
例えば、特許文献2には、反射板の反射面の形状としては、絶縁基板におけるLEDが実装された面から一定の角度で凹部の開口径が広くなる形状が開示されている。
しかしながら、樹脂の屈折率が1.5の場合、LEDから出射した光が、反射面で反射して、樹脂の外部に出射するようにするためには、反射面の角度は65°以下である必要がある。特許文献2に開示されているような形状の反射面を有する発光装置では、絶縁基板におけるLEDが実装された面近傍の角度θが最も大きくなる。LEDから出射した光は、電球から出射した光などと比較すると、より前方に光の強度が分布していることから、このような反射面の形状は光の取り出し効率という点では不利であり、結果的にLEDの反射面としては不適当であった。
例えば、窒化ガリウム系のLEDを用いた照明装置では、窒化ガリウムから出射する青色光を黄色、緑色、赤色などの蛍光体を混ぜた樹脂中を透過させることにより白色光を得ている。そのため、青色光が樹脂中を透過した距離によって、照明装置から出射する光の色が異なることが知られている。したがって、四角錐状の凹部内に窒化ガリウム系のLEDを実装して、照明装置を作製すると、四角錐の稜部分で反射する光と、四角錐の平面の中心線部分で反射する光では色が異なり、この照明装置を白色光源として使用することは難しいという問題があった。
図1は、本発明の発光装置の第一の実施形態を示す概略図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のXで示す領域を拡大した図、(c)は(b)のA−A線に沿う断面図である。
図1中、符号10は発光装置、11はシリコン基板、12は発光素子、13は金属板、14は封止樹脂、15は金属配線、16は金ワイヤ、17は絶縁膜、18は金属酸化膜、19は絶縁樹脂、20は貫通孔封止樹脂、21は貫通孔、22は貫通配線、23ははんだバンプ、24は接着剤、25は反射面、26は実装面、27は凹部、28は金属配線、29は接合部をそれぞれ示している。
この実施形態の発光装置10は、金属配線15が形成されたシリコン基板11と、シリコン基板11に実装された発光素子12と、シリコン基板11上に接着剤24により接着され、かつ、発光素子12が実装された面(以下、「実装面26」と称する。)から次第に幅が広がるように外側へ傾斜した反射面25が形成された金属板13と、発光素子12を封止する封止樹脂14とから概略構成されている。
そして、シリコン基板11の実装面26と、金属板13の反射面25とのなす角度をθ、封止樹脂14の屈折率をnc、空気の屈折率をnaとすると、θはθ<(90°+arcsin(na/nc))/2の関係を満たしており、θは40°≦θ<(90°+arcsin(na/nc))/2の関係を満たすことがより好ましく、θは45°以上、60°以下であることが最も好ましい。
θがθ<(90°+arcsin(na/nc))/2の関係を満たしていれば、金属板13の反射面25は発光素子12から発せられた光を反射して、この光を効率的に封止樹脂14の外部に出射することができる。角度θが45°以上、60°以下であれば、最も効率的に発光素子12から発せられた光を封止樹脂14の外部に出射することができる。
シリコン基板11の一方の面11aに絶縁膜17を介して金属配線15が形成され、シリコン基板11の他方の面11bに絶縁膜17を介して金属配線28が形成されている。さらに、貫通孔21内には絶縁膜17を介して、シリコン基板11を厚み方向に貫通し、シリコン基板11の一方の面11aに形成された金属配線15と、他方の面11bに形成された金属配線28とを電気的に接続する貫通配線22が設けられている。
シリコン基板11の他方の面11b側に形成された金属配線28は、はんだバンプ23を設けるための接合部29を除いて、絶縁樹脂19に覆われている。
発光素子12としては、例えば、窒化ガリウム(GaN)系の発光ダイードなどが用いられる。
封止樹脂14としては、熱硬化性の透明樹脂が用いられ、このような透明樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。この封止樹脂14には、発光素子12から発せられた光の少なくとも一部を吸収して発光する顔料または蛍光体などの蛍光物質が添加されていてもよい。
金属酸化膜18としては、プラズマCVD法などにより、金属板13の表面に形成される二酸化ケイ素(SiO2)、二酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)などの金属酸化物の群から選択された1種からなる膜が挙げられる。金属板13の表面に金属酸化膜18を設けることにより、金属板13はウエハプロセスで用いられる酸およびアルカリに対する耐性が向上する。金属酸化膜18を形成する金属酸化物の中でも、ウエハプロセスとの親和性に優れることから、二酸化ケイ素(SiO2)が好ましい。
貫通孔封止樹脂20としては、ソルダレジストを真空チャンバ内で形成後、大気開放することにより、貫通孔21内に樹脂層を形成する方法が用いられる。この貫通孔封止樹脂20は、貫通孔21内に貫通配線22を形成した後、貫通配線22の中心線部分に空隙が存在する場合、強度の低下を防止するなどの目的で、貫通配線22の空隙内に充填される。
金属配線28をなす金属としては、高い反射率を必要としないので、貫通孔21内へのメッキ形成が容易な銅が用いられる。
シリコン基板11を熱酸化して、シリコン基板11の一方の面11aに二酸化ケイ素からなる絶縁膜17を形成する。
次いで、図2に示すように、シリコン基板11の絶縁膜17上に所定の配置で等間隔に、多数の金属配線15を形成する。なお、金属配線15は、シリコン基板11に実装される1つの発光素子12に対応するように、間隔を置いて対向するように配された金属配線15Aと金属配線15Bが1つのブロックをなしている。金属配線15を形成する方法としては、メッキ法、真空蒸着法、所望のパターンに加工した銅箔をシリコン基板11の絶縁膜17に貼り合わせる方法、シリコン基板11の絶縁膜17上に銅ペーストや銀ペーストを印刷して加熱硬化させる方法などが用いられる。
次いで、金属配線15の一部を、シリコン基板11の他方の面11bから露出するように、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching、RIE)などのドライエッチングによって、シリコン基板11の他方の面11bから金属配線15に至る貫通孔21を形成する。
なお、図3に示す金属板13の反射面25と、金属板13の接合面13aとのなす角度θは、上述のシリコン基板11の実装面26と、金属板13の反射面25とのなす角度θと同一である。
次いで、プラズマCVD法などにより、金属板13の表面に金属酸化膜18を形成する。
このとき、金属配線15の発光素子12を実装する部分が金属板13の貫通孔30の中央部に配されるようにするとともに、金属板13の貫通孔30と、シリコン基板11の金属配線15との組み合わせが最大数となるようにする。
シリコン基板11を研磨する際、金属板11はシリコン基板11の支持体として、シリコン基板11の欠けや割れを防止する手段としての役割を果たす。
次いで、エッチングにより、貫通孔21内の金属配線15の表面に形成された絶縁膜を除去し、貫通孔21内に金属配線15の一部を露出させる。
貫通配線22を形成した後、貫通配線22の中心線部分に空隙が存在する場合、貫通配線22の空隙内に、貫通孔封止樹脂20を充填する。
次いで、金属配線28における接合部29を除く部分を、一般的なソルダレジストなどの絶縁樹脂19によって覆う。
次いで、金属配線28の接合部29に、はんだバンプ23を形成する。
次いで、発光素子12が実装された凹部27内に、封止樹脂14を充填した後、この封止樹脂14を硬化させる。
最後に、シリコン基板11、金属板13、発光素子12、封止樹脂14などからなる構造物を、所定の大きさや形状に切り出すことにより、図1に示すような構造の発光装置10を得る。
また、金属板13と一体化したシリコン基板11を、所定の厚みとなるように研磨する際、金属板11はシリコン基板11の支持体としての役割を果たすので、シリコン基板11の欠けや割れを防止することができるから、歩留まりを向上することができる。
さらに、1000個以上の発光素子12を一工程でシリコン基板11に実装できる上に、貫通配線22を介して金属配線15と電気的に接続する金属配線28を、シリコン基板11の他方の面11bに形成していることから、発光素子12の実装後、任意の個数ずつ、発光装置10を切り出せるため、実装コストを低減できる。また、発光装置10を切り出す際、任意の形状に切り出せるため、所望の大きさの発光装置を得ることができる。
図4は、本発明の発光装置の第二の実施形態を示す概略断面図である。
図4において、図1に示した発光装置10と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
この実施形態の発光装置40が、上述の発光装置10と異なる点は、貫通孔21内には貫通配線22のみが形成されている点である。
Claims (7)
- 金属配線が形成されたシリコン基板と、該シリコン基板に実装された発光素子と、前記シリコン基板上に配され、かつ、前記発光素子を囲み、前記発光素子が実装された面から次第に幅が広がるように外側へ傾斜した反射面が形成された金属板と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを備えた発光装置であって、
前記シリコン基板の前記発光素子側の面と、前記反射面とのなす角度をθ、前記封止樹脂の屈折率をnc、空気の屈折率をnaとすると、前記θはθ<(90°+arcsin(na/nc))/2の関係を満たすことを特徴とする発光装置。 - 前記θは、40°≦θ<(90°+arcsin(na/nc))/2の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記金属配線および/または前記金属板はアルミニウム、ニッケル、銀、スズ、白金、パラジウムの群から選択された1種であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記反射面に二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウムの群から選択された1種からなる金属酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記シリコン基板を厚み方向に貫通し、前記シリコン基板の表面および裏面に形成された金属配線を接続する貫通配線が設けられたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 金属配線が形成されたシリコン基板と、該シリコン基板に実装された発光素子と、前記シリコン基板上に接合され、かつ、前記発光素子が実装された面から次第に幅が広がるように外側へ傾斜した反射面が形成された金属板と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを備えた発光装置の製造方法であって、
前記シリコン基板の一方の面に、ウエハプロセスにより多数の金属配線を形成する工程と、前記金属板に前記反射面を有する多数の貫通孔を形成する工程と、前記金属配線の前記発光素子を実装する部分が前記貫通孔の中央部に配されるように、前記シリコン基板と前記金属板とを接合する工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記シリコン基板と前記金属板とを接合する工程の後に、前記金属板を支持体として、前記シリコン基板を研磨する工程を有することを特徴とする請求項6に記載の発光装置の製造方法。
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