CN111540764A - 发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置，该制造方法包括：提供衬底基板；在衬底基板的一侧形成线路层；提供至少一个开关元件和至少一个发光元件；将开关元件和发光元件与线路层电连接；其中，线路层包括第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线；开关元件包括控制端、第一端以及第二端；控制端与脉宽调制信号线电连接，第一端与第一电源信号线电连接，第二端与第二电源信号线电连接；发光元件电连接于第一端与第一电源信号线之间，或者发光元件电连接于第二端与第二电源信号线之间。如此，本发明实施例的技术方案提供了一种新的发光装置的制造方法，且方法步骤简单，制造成本较低。

Description

发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及发光和显示技术领域，尤其涉及一种发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置。
背景技术
随着发光技术和显示技术的不断发展，以mini LED和micro LED为主流的微小型发光二极管显示屏，由于其亮度高、对比度高、解析度高以及色彩饱和度高等优势，逐渐成为各厂商关注的重点。
目前，mini LED和micro LED显示屏等显示装置或发光装置，由数量众多的小尺寸的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)阵列组成，驱动LED的方式包括有源驱动和无源驱动，对于无源驱动的LED阵列，制作成本高，对于有源驱动的LED阵列，常规是电压控制电流的驱动方式，灰阶控制难，功耗高，成本高。
发明内容
本发明提供一种发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置，以提供一种新的发光装置的制造方法，且方法步骤简单，制造成本较低，可采用面板厂现有的设备实现。
第一方面，本发明实施例提供了一种发光装置的制造方法，该制造方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成线路层；
提供至少一个开关元件和至少一个发光元件；
将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接；
其中，所述线路层包括第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线；所述开关元件包括控制端、第一端以及第二端；所述控制端与所述脉宽调制信号线电连接，所述第一端与所述第一电源信号线电连接，所述第二端与所述第二电源信号线电连接；
所述发光元件电连接于所述第一端与所述第一电源信号线之间，或者所述发光元件电连接于所述第二端与所述第二电源信号线之间。
第二方面，本发明实施例还提供了一种发光装置，该发光装置由第一方面提供的任一种发光装置的制造方法形成，该发光装置包括：
衬底基板；
线路层，形成于所述衬底基板的一侧；所述线路层包括第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线；
至少一个开关元件和至少一个发光元件，均与所述线路层电连接；
所述开关元件包括控制端、第一端以及第二端；所述控制端与所述脉宽调制信号线电连接，所述第一端与所述第一电源信号线电连接，所述第二端与所述第二电源信号线电连接；
所述发光元件电连接于所述第一端与所述第一电源信号线之间，或者所述发光元件电连接于所述第二端与所述第二电源信号线之间。
第三方面，本发明实施例还提供了一种背光模组，该背光模组包括第二方面提供的任一种发光装置。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第三方面提供的背光模组，还包括显示面板；
所述显示面板设置于所述背光模组的出光侧。
第五方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括第二方面提供的任一种发光装置，还包括：
对置基板，与所述发光装置对向设置。
第六方面，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括第五方面提供的显示面板，还包括：
保护盖板，设置于所述显示面板的出光侧。
本发明实施例提供的发光装置的制造方法通过设置在提供的衬底基板的一侧形成线路层，提供至少一个开关元件和至少一个发光元件，将开关元件和发光元件与线路层电连接；具体的，线路层包括第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线，开关元件包括控制端、第一端以及第二端，控制端与脉宽调制信号线电连接，第一端与第一电源信号线电连接，第二端与第二电源信号线电连接；发光元件电连接于第一端与第一电源信号线之间，或者发光元件电连接于第二端与第二电源信号线之间，如此，可提供一种应用面板厂的现有设备可实现的发光装置的制造方法；同时，该制造方法中，在线路层中仅形成第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线等信号线，而无需形成开关元件等电路元器件，开关元件和发光元件等相关电路元器件均额外提供，并被电连接至线路层，由此，形成线路层的工艺较简单，使得制造方法整体步骤较简单，制造成本较低。
附图说明
图1为现有技术提供的一种驱动电路示意图；
图2为现有技术提供的另一种驱动电路示意图；
图3为本发明实施例提供的一种发光装置的制造方法的流程示意图；
图4为图3示出的制造方法中，S110结束后的结构示意图；
图5为图3示出的制造方法中，S120结束后的结构示意图；
图6为图3示出的制造方法中，S140结束后的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种发光装置的平面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种分区电路原理示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种分区电路原理示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图16为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图17为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图18为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图19为图3示出的制造方法中，S140的细化流程示意图；
图20为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图21为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图22为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图；
图23为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图；
图24为本发明实施例提供的又一种分区电路原理示意图；
图25为本发明实施例提供的又一种分区电路原理示意图；
图26为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图27为本发明实施例提供的另一种发光装置的制造方法的流程示意图；
图28为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图29为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图；
图30-图34为本发明实施例提供的一种发光装置的制造方法中，线路层对应于单个分区的膜层堆叠平面示意图；
图35为本发明实施例提供的又一种分区电路原理示意图；
图36为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图；
图37为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图；
图38为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图；
图39为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图；
图40为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图41为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图42为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
相关技术中，采用mini LED或micro LED形成发光装置发光装置除直接用于显示外，还可用作被动发光显示装置的背光。通常，侧入式背光结构中，LED背光是利用一条LED灯带作为背光光源，并利用导光板等光学膜层实现亮度铺展，以及确保较高的背光亮度，如此形成传统的背光模组的结构。随着显示技术的发展，为了实现较高的显示对比度，还可采用直下式分区背光结构，以实现对每个分区的背光亮度的精准调控。现有的直下式分区背光结构，通常可采用无源驱动(Passive Matrix，PM)和有源驱动(Active Matrix，AM)两种驱动模式。
示例性地，图1为现有技术提供的一种驱动电路示意图，示出了一种无源驱动模式的电路结构。参照图1，每串LED(图1中以ch1、ch2、……、chn示出)需要设置一个LED驱动电路，由此导致PM驱动芯片001中的驱动电路的数量较多，且分区数量有限，成本较高。
示例性地，图2为现有技术提供的另一种驱动电路示意图，示出了一种有源驱动模式的电路结构。参照图2，AM模式下，采用电压控制电流的方式，受限于晶体管(图2中以TFT示出)的特性曲线，灰阶控制困难。且采用TFT器件作为驱动管，工艺复杂，器件均一性较差，需要复杂的阈值补偿电路或外部补偿方法。另外，由于TFT驱动管上存在较大的功耗，导致该驱动模式的功耗较高。
针对上述问题，本发明实施例提供一种发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置，通过对发光装置的形成工艺以及发光元件的驱动模式进行改进，以解决上述问题中的至少之一。
下面结合图3-图42对本发明实施例提供的发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置进行示例性说明。
示例性地，图3为本发明实施例提供的一种发光装置的制造方法的流程示意图。参照图3，该发光装置的制造方法包括：
S110、提供衬底基板。
其中，衬底基板对于形成于其上的线路层起到支撑保护的作用。示例性地，衬底基板可包括玻璃基板、印刷电路板基板或柔性电路板基板，以及可包括本领域技术人员可知的其他材质的衬底基板。
可选的，当采用玻璃基板作为衬底基板时，不仅能用面板厂的工艺制备发光装置，而且可降低发光装置的制作成本，在该衬底基板上形成的发光装置的数量可较多，从而衬底基板的利用率较高。
示例性地，该步骤可包括提供符合制程尺寸需求的衬底基板，并清洗干净以及进行干燥，从而为S120中形成线路层作准备。
示例性地，图4为图3示出的制造方法中，S110结束后的结构示意图。参照图4，该衬底基板200的至少一侧表面平整，以为S120中在该侧表面形成线路层作准备。
S120、在衬底基板的一侧形成线路层。
其中，线路层中包括信号线，下文中详述。
示例性地，该步骤可包括采用金属等导体层、有机膜层、无机膜层等，利用蒸发或溅射等工艺，形成线路层。
示例性地，图5为图3示出的制造方法中，S120结束后的结构示意图。参照图5，该步骤结束后，在衬底基板200的一侧表面形成了线路层210。
S130、提供至少一个开关元件和至少一个发光元件。
其中，开关元件用于实现开关控制，发光元件用于发光。
示例性地，开关元件可为结型场效应管(junction FET—JFET)、金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)或薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)；开关元件可为LED，例如mini LED或micro LED，或为本领域技术人员可知的其他类型的发光元件。
示例性地，该步骤可包括提供具有连接引脚的开关元件和发光元件。
S140、将开关元件和发光元件与线路层电连接。
其中，开关元件通过线路层中的信号线可与发光元件电连接，从而实现对发光元件的发光与否以及发光亮度的控制。
示例性地，该步骤可包括，将开关元件电连接至线路层，以及将发光元件电连接至线路层。
示例性地，图6为图3示出的制造方法中，S140结束后的结构示意图。参照图6，开关元件221和发光元件222均电连接至线路层210。
至此，形成发光装置。上述流程中，仅在衬底基板的一侧表面形成包括信号线的线路层，而不形成开关元件；开关元件和发光元被额外提供，并电连接至线路层，由此，该工艺流程较简单，成本较低。同时，线路层可包括导体层、有机膜层和无机膜层，均可采用面板厂现有的蒸镀或溅射设备形成上述膜层，由此，该发光装置的制造方法可在面板厂实现。
在其他实施方式中，当线路层中包括铜层时，铜层可采用蒸镀或溅射的工艺形成，也可采用电化学镀铜的工艺形成，本发明实施例对此不限定。
示例性地，图7为本发明实施例提供的一种发光装置的平面结构示意图，结合图6和图7，发光装置20中，线路层210包括第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213；开关元件221包括控制端2211、第一端2212以及第二端2213；控制端2211与脉宽调制信号线213电连接，第一端2212与第一电源信号线211电连接，第二端2213与第二电源信号线212电连接；发光元件222电连接于第一端2212与第一电源信号线211之间(图7所示)，或者发光元件212电连接于第二端2213与第二电源信号线212之间。
其中，电连接可包括直接电连接和间接电连接，间接电连接的方式中，两电连接的部件或连接端之间还可存在其他的电学元件，例如开关元件或存储元件等，下文中详述。
其中，第一电源信号线211和第二电源信号线212分别用于传输电源信号，以使发光元件222的两端之间产生电势差，从而可被驱动发光。脉宽调制信号线213用于传输脉宽调制(Pulse Width Modulation，PWM)信号，脉宽调制信号的高低电平可控制与之电连接的开关元件221处于打开或关闭状态。开关元件221打开时，与之电连接的发光元件222通电，开关元件221关闭时，与之电连接的发光元件222断电；基于此，开关元件221打开的时长和发光元件222的发光亮度成正比，开关元件221打开的时长越长，发光元件222的发光亮度越亮，从而通过传输至开关元件221的控制端的脉冲宽度调整来调节，发光元件222的亮暗(即显示灰阶)。由此，可通过调节PWM不同的脉冲宽度(也即占空比)，实现对不同显示灰阶的调节。如此，灰阶控制难度较小，调节方式简单，功耗较低；同时，可实现多个分区，且成本较低。
可理解的是，一开关元件221与与之电连接且受控驱动的至少一个发光元件222可视为一个“分区”，本文中也可称为发光分区，或称为背光分区。
继续参照图7，每个分区独立引出一根脉宽调制信号线213(也可称为驱动信号线213)，每根脉宽调制信号线213需单独输入一个PWM驱动信号；每个分区设置一个开关元件，可为1颗MOS芯片，该MOS芯片电连接1颗LED。其中，MOS芯片以及LED可同时打件至衬底基板上。
需要说明的是，图7中示例性地仅示出了一个分区中，设置一个开关元件221和一个发光元件222。在其他实施方式中，一个分区中可设置其他数量的开关元件221和发光元件222；同一发光装置20的不同分区中，开关元件221和发光元件222的数量可相同，也可不同，可根据发光装置及其制造方法的需求设置，例如可以是一个分区中设置一个开关元件221，也可以是一个分区中包括至少两个串联电连接的发光元件222，或者包括至少两个并联电连接的发光元件222，也可以是一个分区中包括至少两个开关元件221，且至少两个开关元件的控制端连接同一个PWM驱动信号等，本发明实施例对此不限定。
下面结合图8-图9，对本发明实施例提供的分区电路结构进行示例性说明。
示例性地，图8为本发明实施例提供的一种分区电路原理示意图。参照图8，第一电源信号线211用于传输第一电源信号PVDD，第二电源信号线212用于传输第二电源信号PVEE，脉宽调制信号线213用于传输脉宽调制信号PWM，发光元件222电连接于开关元件221与第二电源信号线212之间。
示例性地，图9为本发明实施例提供的另一种分区电路原理示意图。参照图9，其与图8的相同之处不再赘述，不同之处在于：发光元件222并非电连接于开关元件221与第二电源信号线212之间，而是电连接于第一电源信号线211与开关元件221之间。
在其他实施方式中，脉宽调制信号PWM还可以通过其他电路元件后，再传输至开关元件221的控制端，例如脉宽调制信号PWM需要经由另一个MOS管后，再由脉宽调制信号线213传输至开关元件221的控制端；或者，第二电源信号线212上还可设置其他电路元件，例如第二电源信号线212上还设置与发光元件串联电连接的另一个具有开关功能的电路元件。
此外，在其他实施方式中，分区电路结构中还可设置本领域技术人员可知的其他电路元件，满足利用脉宽调制信号PWM控制开关元件221的开关时长比，以达到利用脉宽调制信号PWM的占空比控制发光元件222的显示灰阶即可，本发明实施例对此不赘述也不限定。
需要说明的是，图3中仅示例性地示出了S130后于S120执行，但并不构成对本发明实施例提供的发光装置的制造方法的限定。在其他实施方式中，S130还可先于S110和S120执行，本发明实施例对此不限定。
在一实施例中，图10为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。在图6的基础上，参照图10，线路层210包括远离衬底基板200的绑定层2101。基于此，图3中的S140可包括：将开关元件绑定电连接于绑定层，以及将发光元件绑定电连接于绑定层。
其中，绑定也可称为打件或焊接。开关元件与发光元件可同步绑定，也可分开独立地绑定，本发明实施例对此不限定。
示例性地，该步骤具体可包括：在绑定层表面刷锡、固晶、回流焊、清洗、封胶以及烘烤，如此，在确保良好电连接的同时，可提高绑定可靠性，从而有利于确保发光装置具有较稳固的结构，有利于延长其使用寿命。
在一实施例中，为了缩短绑定耗用的时间，可将开关元件与发光元件同步绑定。未达到此目的，将开关元件和发光元件与线路层电连接可包括：利用转运的方式将开关元件和发光元件与线路层电连接。
其中，转运的方式可一次性将数量众多的开关元件和发光元件同时转移到衬底基板的线路层上，由此，可节省时间。
示例性地，图11为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图，示出了转运前衬底基板侧和转运基板侧的结构，以及转运后的两种不同的发光装置的结构。参照图11，转运前在衬底基板200的表面形成有线路层210，与之相对的，在转运基板300朝向衬底基板200的一侧通过粘结层310固定发光元件和开关元件；示例性地，粘结层310可为PI层或热熔胶层。转运过程中，转运基板300逐渐靠近衬底基板200，直至发光元件和开关元件与线路层接触并电连接。转运结束后，可保留转运基板300和粘结层310，转运基板300可复用为封装基板，如图11中的右上图所示；或者，可去除转运基板300和粘结层310，仅将开关元件和发光元件留在线路层上，如图11中的右下图所示。
在其他实施方式中，还可采用本领域技术人员可知的其他方式，实现开关元件和发光元件与线路层的电连接，本发明实施例对此不赘述也不限定。
在一实施例中，线路层还包括至少一层金属层，金属层形成于绑定层与衬底基板之间；第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线形成于任一层金属层中。
其中，金属层的电阻较小，其用于形成信号线时，信号线上的压降较小，从而信号线的远端和近端的信号差异较小，有利于实现发光装置的整个发光面的不同位置处，发光亮度较一致，从而可实现较好的发光效果。
其中，金属层的层数可根据发光装置及其制造方法的需求设置，可为单层、双层、三层或更多层，本发明实施例对此不限定。下面结合图12-图16，以单个分区的膜层结构为例，对线路层中的信号线在金属层中的设置方式进行示例性说明。
示例性地，图12为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。结合图10和图12，线路层210包括一层金属层2102，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213均形成于该金属层2102中。如此设置，可在同一工艺制程中、采用相同的材料、利用相同的膜层形成三种信号线，可节约制程，工艺较简单。
示例性地，图13为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。结合图10和图13，线路层210包括两层金属层2102，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213均形成于靠近衬底基板200的一金属层2102中。在其他实施方式中，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213还可均形成于远离衬底基板200的一金属层2102中。
示例性地，图14为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。结合图10和图14，线路层210包括两层金属层2102，其中，脉宽调制信号线213和第二电源信号线212形成于靠近衬底基板200的金属层2102中，第一电源信号线211形成于远离衬底基板200的一金属层2102中。在其他实施方式中，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213还可采用其他方式配置于两层金属层2102中。
示例性地，对应于图14中示出的发光装置的剖面结构，图1中S120可包括：在衬底基板的一侧依次形成第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层以及绑定层；其中，第一电源信号线形成于第二金属层中，第二电源信号线和脉宽调制信号线形成于第一金属层中，且电绝缘设置。
示例性地，图15为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。结合图10和图15，线路层210包括三层金属层2102，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213分别独立的形成于一层金属层2102中，且按照由远及近的顺序依次靠近衬底基板200。在其他实施方式中，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213还可采用其他方式配置于三层金属层2102中。
上述图12-图14示出的发光装置中，金属层2102与绑定层2101各自独立设置，在其他实施方式中，绑定层2101还可复用远离衬底基板200的金属层2102，下面结合图16进行示例性说明。
示例性地，图16为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。结合图10和图16，线路层210包括三层金属层2102，其中，最远离衬底基板200的金属层2102作为绑定层2101，同时，脉宽调制信号线213形成于该金属层2102中，第一电源信号线211和第二电源信号线212分别独立地形成于另外两层金属层2102中。
示例性地，对应于图16中示出的发光装置的剖面结构，图1中S120可包括：在衬底基板的一侧依次形成第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层(即绑定层)；其中，第一电源信号线形成于第一金属层中，第二电源信号线形成于第二金属层中，脉宽调制信号线形成于第三金属层中。
需要说明的是，图16中发光元件222与第一电源信号线211的连接线穿过第二电源信号线212，实际产品结构中，该连接线与第二电源信号线212通过过孔和覆盖过孔侧壁表面的绝缘层实现电绝缘。
在一实施例中，图17为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。参照图17，线路层210还包括保护层2103；保护层2103形成于绑定层2101与最靠近绑定层2101的金属层2102之间。
其中，保护层2103的材质具有导电性，可实现绑定层2101与金属层2102电连接；同时，其与水氧反应较慢，可对其所覆盖的金属层2102起到保护作用，延缓其性能衰减。
如此设置，在形成有线路层210的衬底基板200于不同的腔室之间进行转移时，可利用保护层2103对其覆盖的金属层2102进行保护，从而避免金属层2102直接暴露于空气中而受水氧侵蚀，从而有利于延缓线路层210性能衰减，有利于确保发光装置的良好性能和性能稳定性。
示例性地，保护层2102相关的形成流程可包括：在金属层2102远离衬底基板200的一侧形成一绝缘层；在该绝缘层中形成过孔，过孔暴露实现线路层需与发光元件和开关元件电连接的位置，在过孔中形成保护层，图案化保护层使得保护层填充在过孔内；在绝缘层远离衬底基板200的一侧，以及绝缘层的过孔内形成与保护层电连接的绑定层2101。可选的，还可预先图案化形成保护层，后再形成绝缘层，本发明实施例对此不限定。
示例性地，保护层2103的材质可为氧化铟锡等透明金属氧化物，或为抗水氧腐蚀能力较强的其他导体，本发明实施例对此不限定。
在其他实施方式中，可复用最靠近绑定层2101的金属层2102为保护层2103，即采用抗水氧腐蚀能力较强的金属形成最靠近绑定层2101的金属层2102，该金属层2102作为其他金属层2102的保护层2103。
在其他实施方式中，还可复用绑定层2101为保护层2103，即采用抗水氧腐蚀能力较强的金属形成绑定层2101，该金属层2102作为其他金属层2102的保护层2103。
在其他实施方式中，当线路层210中仅包括一层金属层2102时，该金属层2102可采用抗水氧腐蚀能力较强的金属形成，同时该金属层可用于绑定发光元件与开关元件；从而，该金属层2102可同时作为保护层2103和绑定层2101。
在一实施例中，继续参照图17，线路层210还包括助焊层2104；助焊层2104形成于绑定层2101背离衬底基板200的一侧。
常规工艺中，助焊层2104可为钢网(paste mask)，是机器贴片时要用到的膜层，其主要功能在于有助于锡膏的沉积，如此可将准确数量的锡膏转移到空PCB板上的准确位置。
本发明实施例中，助焊层2104有利于实现发光元件和开关元件与绑定层可靠连接。示例性地，助焊层2104的材料可为铜、银、金等金属材料，或为本领域技术人员可知的其他助焊材料，本发明实施例对此不限定。
示例性地，工艺制程中，助焊层2104可采用蒸镀或者电镀的方式形成，本发明实施例对此不限定。
示例性地，图18为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。在图17的基础上，参照图18，将开关元件221和发光元件222电连接至线路层210之后，还可将IC/PFC225电连接至线路层210，如此可实现信号的传输，从而实现发光装置发光或显示。
上文中，仅示例性地以开关元件和发光元件电连接于衬底基板的同一侧为例，对发光装置及其制造方法进行了示例性说明。其中，开关元件与发光元件分布于衬底基板的同一侧时，发光元件和开关元件可同时打件，工艺较简单。
在其他实施方式中，开关元件和发光元件还可电连接于衬底基板的不同侧，以改善开关元件对发光元件的出光遮挡，有利于发光元件的出光，下文中结合图19-图21进行示例性说明。
在一实施例中，图19为图3示出的制造方法中，S140的细化流程示意图。结合图3和图19，S140可包括：
S141、在衬底基板形成连接过孔。
其中，第一电源信号线存在第一镂空区，第二电源信号线存在第二镂空区，存在第一镂空区在衬底基板上的垂直投影、第二镂空区在衬底基板上的垂直投影与连接过孔交叠。
为实现该结构，S141之前的，S120可包括：在衬底基板一侧形成第一金属层，在第一金属层中形成贯穿第一金属层的过孔，在第一金属层远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二金属层，在第二金属层中形成与贯穿第二金属层的过孔，该第二金属层中的过孔与第一金属层中的过孔可贯通，在第二金属层远离第一绝缘层的一侧依次形成第二绝缘层和第三金属层，在第二绝缘层和第一绝缘层中形成过孔，以为实现开关元件与第二金属层中的第二电源信号线电连接、开关元件与发光元件电连接、以及发光元件与第一金属层中的第一电源信号线电连接作准备。
其后，S141可包括，在衬底基板中形成贯穿衬底基板的第一连接过孔和第二连接过孔，第一连接过孔用于实现发光元件与开关元件电连接，第二连接过孔用于实现发光元件与第一电源信号线电连接。
在其他实施方式中，当线路层为本领域技术人员可知的其他膜层结构时，S120和S141可根据发光装置及其制造方法的需求进行调整，本发明实施例对此不限定。
可理解的是，由于金属层与绝缘层形成过孔(即图案化)的工艺不同，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，各绝缘层中的过孔可分步形成，也可在一个步骤中统一打过孔形成，本发明实施例对此不限定。
S142、将开关元件和发光元件中的其中一个电连接于线路层背离衬底基板的一侧，另一个通过连接过孔电连接于衬底基板背离线路层的一侧。
如此，可实现发光元件和开关元件位于衬底基板的不同侧。LED等发光元件可多面发光，如果在发光元件的周围存在其他电路元件，例如开关元件，那么发光元件发出的光线中，会存在一些大角度的发光被开关元件挡住。本实施例中，将发光元件与开关元件设置于衬底基板的不同侧，则发光元件发出的光线不会被其他电路元件遮挡，从而有利于发光元件出光。下面结合图20和图21对发光装置的结构进行示例性说明。
示例性地，图20为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图，图21为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。参照图20和图21，该发光装置中，开关元件221电连接于线路层210背离衬底基板200的一侧，发光元件222电连接于衬底基板200背离线路层210的一侧。
在其他实施方式中，还可设置发光元件222电连接于线路层210背离衬底基板200的一侧，开关元件221电连接于衬底基板200背离线路层210的一侧，本发明实施例对此不限定。
示例性地，图22为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图。参照图22，该发光装置中，第一电源信号线211、第二电源信号线212和脉宽调制信号线213的线宽较细，如此可预留较多的空间形成贯穿线路层的过孔。
示例性地，图23为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图。参照图23，该发光装置中，第一电源信号线211和第二电源信号线212同层分区设置，各第一电源信号线211和各第二电源信号线212可采用纵向延伸的细导线电连接至外部电源。基于此，将开关元件和发光元件电连接于衬底基板的相对两侧时，无需在第一电源信号线211和第二电源信号线212上形成额外的过孔。
在其他实施方式中，当第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213采用本领域技术人员可知的其他方式设置时，各信号线上的过孔可根据发光装置及其制造方法的需求设置，满足发光元件与开关元件连接于衬底基板的不同侧即可，本发明实施例对此不限定。
在一实施例中，在图3和图19的基础上，在S120之后，S140之前还包括：
步骤一：在衬底基板背离线路层的一侧、以及在连接过孔中形成连接层。
步骤二：发光元件或开关元件通过连接层中的连接线与线路层电连接。
如此，可实现发光元件和开关元件在衬底基板的不同侧与线路层电连接。
在一实施例中，在衬底基板形成连接过孔包括：利用激光打孔的方式，在衬底基板中形成连接过孔。
其中，激光打孔的方式能量较高，且定位准确；利用激光打孔可高效精确地在衬底基板中形成连接过孔。
在其他实施方式中，还可采用本领域技术人员可知的其他方式在衬底基板中形成连接过孔，本发明实施例对此不限定。
在一实施例中，为了更好地控制通过发光元件的电流大小，还可在开关元件与发光元件的通路上增加电阻，以控制流过发光元件的电流，确保发光元件不会因过载而被损毁。
在实际产品结构中，电阻可在线路层中与信号线同步形成；或者电阻可与发光元件和/或开关元件一起，采用打件的方式，电连接至线路层。下文中，结合图24-图29进行示例性说明。
示例性地，图24为本发明实施例提供的又一种分区电路原理示意图，图25为本发明实施例提供的又一种分区电路原理示意图。参照图24和图25，电阻223与发光元件222串联电连接于第一电源信号线211与第二电源信号线212之间。
其中，该电阻223作为限流电阻223。限流电阻223用于降低通路上的电流，达到电流保护的作用。采用欧姆定律对该电阻223的限流作用进行理解可为：当发光元件222发生短路时，通路上的电压变大，那么电流就会飙升；本实施例中通过设置电阻223，利用电阻223上产生的压降，使电流不至于飙升，从而达到限流以保护发光元件222的作用。
示例性地，通路上的电流，也即流经发光元件222的电流I与限流电阻223的阻值R之间的关系可为：
I＝(PVDD-PVEE-VLED)/(R+Rmos)；
式中，PVDD代表第一电源信号线211传输的第一电源信号(也称为第一电位)，PVEE代表第二电源信号线212传输的第二电源信号(也称为第二电位)，VLED代表发光元件222的阈值电压，Rmos代表开关元件221的开态电阻。
如此，电阻223的阻值可根据上式选取，以便实现有效限流保护的作用。
此外，当开关元件221采用p型MOS管时，电阻223位于MOS管的漏极，更有利于保证MOS管的开启状态。具体的，因为电阻223上存在压降，当电流较大时，电阻223上的压降会较大，如果放在MOS管的源极，当压降增大时，MOS管的栅极与其源极之间的电压差就会较小，当电压差减小到小于MOS管的阈值电压时，MOS管就会关闭；而将电阻223设置在MOS管的漏极，则不会存在该问题。
在此基础上，MOS管采用PMOS或NMOS均可行，限流电阻223的阻值根据远近端的电压降差异以及功耗要求综合决定，一般来说限流电阻223的阻值等于或者小于1000欧姆，下文中结合图36和图37详述。
示例性地，图26为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图，示出了电阻形成于线路层中的发光装置的结构。参照图26，线路层210还包括电阻223，电阻223与第一电源信号线211、第二电源信号线212和脉宽调制信号线213中的至少之一采用相同的材料、在同一工艺制程中形成。
如此设置，可使发光装置的膜层数量较少，厚度较薄；同时，不增加额外的工艺步骤，可使工艺步骤较少，制造方法整体较简单。
示例性地，图26中示出了电阻223与第一电源信号线211同层形成。在其他实施方式中，电阻223还可形成于线路层210中的其他导电层(包括金属层、绑定层和保护层)中，本发明实施例对此不限定。
在一实施例中，图27为本发明实施例提供的另一种发光装置的制造方法的流程示意图。在图3的基础上，参照图27，该制造方法还可包括：
S151、提供电阻。
示例性地，该电阻可为阻值可变的电阻或阻值固定的电阻，本发明实施例对此不限定。
S152、将电阻电连接于线路层。
示例性地，该步骤可包括将电阻打件电连接于线路层中的绑定层。
相关技术中，打件后的质量检测一般采用人眼观察的方式进行。可能会存在发光元件损坏，例如其短路坏死而人眼无法觉察的情况。此时，存在短路风险的发光元件打件至线路层上，发光元件在通路中表现出一定的电阻特性，可起到电阻分压的作用。若发光元件短路，则该分压作用不复存在，如此导致电流增大，从而热功率增大，会存在过热的问题。本实施例中，通过打件一个限流电阻，可利用限流电阻限制电流增大的幅度，从而可改善上述因发光元件短路而导致的过热的问题。
其中，电阻与发光元件串联电连接于第一电源信号线与第二电源信号线之间，如图24或图25所示。
示例性地，图28为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。参照图28，电阻223可电连接于发光元件222与第一电源信号线211之间。
示例性地，图29为本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面结构示意图。参照图29，电阻223可电连接于第二电源信号线212与控制元件221的第一端之间。
在其他实施方式中，电阻223还可采用本领域技术人员可知的其他方式，实现与发光元件222串联电连接于第一电源信号线211和第二电源信号线212之间，本发明实施例对此不限定。
下面结合图30-图34，以第一电源信号线和第二电源信号线同层设置为例，示例性地说明线路层的形成过程。
示例性地，图30-图34为本发明实施例提供的一种发光装置的制造方法中，线路层对应于单个分区的膜层堆叠平面示意图，该膜层堆叠结构中，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213同层形成，且该分区连接1个开关元件、4个发光元件以及1个电阻。
示例性地，图30示出了第一金属层的版图(layout图)，其包括绝缘设置的第一电源信号线211、第二电源信号线212、脉宽控制信号线213以及预留的用于连接开关元件的第一衬垫组241、预留的用于连接发光元件的第二衬垫组242和预留的用于连接电阻的第三衬垫组243；其中，第一衬垫组241中用于电连接开关元件的第一端的衬垫与第二电源信号线212电连接，第三衬垫组243中的一衬垫与第一电源信号线211电连接。
示例性地，图31示出了在第一金属层上覆盖第一绝缘层后的膜层堆叠示意图，第一绝缘层包括多个过孔，过孔暴露出图30中的上述三个衬垫组。
示例性地，图32示出了在第一绝缘层上形成第二金属层后的膜层堆叠示意图，第二金属层中形成多条金属走线。结合图30，多条金属走线分别用于将脉宽调制信号线213与第一衬垫组241中用于电连接开关元件的控制端的衬垫电连接、用于将第一衬垫组241中用于电连接开关元件的第二端的衬垫与第二衬垫组242中的一衬垫电连接、用于将第二衬垫组242中的其他衬垫分别成对电连接以及用于将第二衬垫组242中的剩余未被连接的衬垫与第三衬垫组243中剩余未被连接的衬垫电连接。
示例性地，图33示出了在第二金属层上形成保护层以及第二绝缘层后的膜层堆叠示意图，第二绝缘层包括多个过孔，过孔暴露出图30和图32中的上述三个衬垫组，保护层用于覆盖上述三个衬垫组。
示例性地，图34示出了在保护层上形成绑定层后的膜层堆叠示意图，绑定层中包括多个绑定块，分别与保护层中的多个分立的保护块一一对应覆盖，以实现电连接。
其后，在第一衬垫组241的位置对应绑定开关元件，在第二衬垫组242的位置对应绑定发光元件，在第三衬垫组243的位置对应绑定电阻。
至此，形成发光装置。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供了一种发光装置，该发光装置可采用上述实施方式提供的任一种发光装置的制造方法制作而成。因此，该发光装置也具有上述实施方式中的发光装置的制造方法所具有的技术效果，相同之处可参照上文中对发光装置的制造方法的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
示例性地，可继续参照图6和图7，该发光装置20包括：衬底基板200；线路层210，形成于衬底基板200的一侧；线路层210包括第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213；至少一个开关元件221和至少一个发光元件222，均与线路层210电连接；开关元件221包括控制端2211、第一端2212以及第二端2213；控制端2211与脉宽调制信号线213电连接，第一端2212与第一电源信号线211电连接，第二端2213与第二电源信号线212电连接；发光元件222电连接于第一端2212与第一电源信号线211之间，或者发光元件222电连接于第二端2213与第二电源信号线212之间。
如此设置，线路层210中仅包括信号线，而不形成开关元件；开关元件和发光元被额外提供，并电连接至线路层，由此，该工艺流程较简单，成本较低。
同时，可通过调节脉宽调制信号PWM的不同脉冲宽度(也即占空比)，实现对不同显示灰阶的调节。如此，灰阶控制难度较小，调节方式简单，功耗较低；同时，可实现多个分区，且成本较低。
在一实施例中，图35为本发明实施例提供的又一种分区电路原理示意图。参照图35，或者继续参照图8-图9以及图24-图25任一图，第一电源信号线211和第二电源信号线212中的其中之一用于传输第一电位PVDD，另一用于传输第二电位PVEE；第一电位PVDD等于或者大于发光元件222的阈值电压，第二电位PVEE等于零电位。
如此设置，可使电连接于第一电源信号线211和第二电源信号线212之间的发光元件222的两端存在大于其阈值电压的电势差，从而发光元件222可被驱动而正常发光。
同时，第二电位PVEE设置为零电位，可使流经发光元件222的电流的计算方式较简单，易于实现对其电流的调控，从而易于实现对其显示灰阶的控制。
可理解的是，第一电源信号线211和第二电源信号线212传输的电位信号的高低，可根据发光元件222的放置方向设置，其阳极接收高电位，阴极接收低电位，以确保发光元件222可导通，从而发光元件222可受驱动而发光。
在一实施例中，继续参照图10，线路层210包括远离衬底基板200的绑定层2101，开关元件221和发光元件222均电连接于绑定层2101。
如此设置，可利用绑定层2101实现对线路层210中的信号线与开关元件221和发光元件222的可靠连接，从而有利于确保发光装置具有较稳固的结构，有利于延长其使用寿命。
在一实施例中，继续参照图12-图16任一图，线路层210还包括至少一层金属层2102，金属层2102位于衬底基板200与绑定层2101之间；第一电源信号线211、第二电源信号线212和脉宽调制信号线213位于任一层金属层2102中。
其中，金属层2102的电阻较小，通过在任一层金属层2102中形成信号线，有利于降低信号线远端和近端的电位信号差异，从而有利于提高发光均匀性。
同时，金属层2102的层数可根据发光装置的需求灵活设置，以及各信号线在金属层中的分布可根据发光装置的需求灵活设置。
在一实施例中，继续参照图17或图18，线路层210还包括保护层2103；保护层2103位于绑定层2101与最靠近绑定层2101的金属层2102之间。
其中，保护层2103的材质具有导电性，可实现绑定层2101与金属层2102电连接；同时，其与水氧反应较慢，可对其所覆盖的金属层2102起到保护作用，延缓其性能衰减。
在其他实施方式中，保护层2103可复用最靠近绑定层2101的金属层2102；或者保护层2103可复用绑定层2101。
如此设置，可使线路层210的膜层结构较简单，膜层数量较少，从而线路层210以及发光装置整体的厚度较薄，有利于实现发光装置的薄型化设计。
在一实施例中，继续参照图20或图21，衬底基板200包括连接过孔；开关元件221和发光元件222中的其中一个设置于线路层210背离衬底基板200的一侧，另一个设置于衬底基板200背离线路层210的一侧，且通过连接过孔与线路层210电连接。
如此设置，可使开关元件221均位于衬底基板200的同一侧，发光元件222均位于不同于开关元件221所在侧的另一侧，从而可避免开关元件221对发光元件222出射的光线中的大角度光线的遮挡，有利于提高发光元件222的出光。
在一实施例中，继续参照图24或图25，发光装置还可包括电阻223，电阻223与发光元件222串联电连接于第一电源信号线211与第二电源信号线212之间。
其中，与发光元件222串联的电阻具有限流的作用，从而可对发光元件222起到限流保护作用。
实际产品结构中，电阻223形成于线路层210中，如图26所示。电阻223可与第一电源信号线211、第二电源信号线212和脉宽调制信号线213中的至少之一采用相同的材料、在同一工艺制程中形成。如此设置，可使发光装置的膜层数量较少，厚度较薄；同时，不增加额外的工艺步骤，可使工艺步骤较少，制造方法整体较简单，成本较低。
或者，电阻223可额外提供，并采用打件的方式实现与线路层210的电连接，如图28或图29所示。
如此设置，可使线路层210的走线较简单。同时，电阻223的阻值可选可调，便于实现发光装置中的电阻阻值的灵活控制。
在一实施例中，图36为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图。参照图36，该发光装置20还可包括驱动电路250，驱动电路250位于发光装置的一侧边缘，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213均与驱动电路250电连接；电阻223包括第一电阻和第二电阻，第一电阻设置于第二电阻靠近驱动电路250的一侧，第一电阻的阻值为R，第二电阻的阻值为R0，第一电阻与第二电阻之间的第一电源信号线211上的压降为△V，第二电阻接收的电位为V，流经第一电阻的电流与第二电阻的电流差值为C，则：
Figure BDA0002521235080000271
其中，C为常数。
其中，第二电源信号线212上的远端和近端压降忽略不计。以图36示出的方位为例，由于第一电源信号(即PVDD)由底部驱动电路250提供，并沿纵向延伸的第一电源信号线211传输，越远离驱动电路250，第一电源信号线211上的阻抗越大，导致第一电源信号降低，即PVDD下降，也即存在IR drop问题，如此导致发光装置的发光面内，靠近驱动电路250的区域与远离驱动电路250的区域中，发光元件222的发光亮度存在差异，即发光装置的亮度均一性较差。
本发明实施例通过设置限流电阻223，一方面可有效防止电流过大而引起发光元件222损毁；另一方面，针对IR drop问题，对远端(即远离驱动电路250)和近端(即靠近驱动电路250)的电阻223进行差异化设计，具体的，设置近端限流电阻的阻值小于远端限流电阻的阻值，可利用不同区域中电阻的压降叠加第一电源信号线上的阻抗压降，从而补偿第一电源信号线211由近及远的电阻差异，使得不同区域处，流经发光元件222的电流可保持一致，从而发光装置的整体亮度均匀性较好。
示例性地，远端电压为V，IR Drop为ΔV，远端限流电阻为R0，近端限流电阻为R，则要求远端与近端的电流相等时，
Figure BDA0002521235080000281
在产品实际工作过程中，远端与近端的电流差异可在误差范围内相等，如果要求远端与近端的电流差异在±5mA范围每，则需满足：
Figure BDA0002521235080000282
推导可得：
Figure BDA0002521235080000283
由此，在实现亮度均一性较好的同时，还可降低限流电阻导致的无效功耗，从而有利于避免电源的耗费。
示例性地，限流电阻可以通过选择不同阻值的分离元件实现，即可通过将不同阻值的电阻打件至线路层中的不同位置实现；也可通过面板设计实现，即通过线路层中的膜层设计实现。
示例性地，面板设计的方法可包括下列至少一种方式：
方式一：设置不同长度的信号线，实现方式可包括将信号线设计为直线、折线、曲线或蛇形绕线等，以实现不同阻值的电阻设计；示例性地，线宽和信号线材料一致的情况下，蛇形绕线的电阻阻值大于直线的电阻阻值。
方式二：设置不同材料的导体层，实现方式可包括设置金属层、金属氧化物层、多晶硅层等不同材料的膜层，以实现电阻的阻值的差异化设计；示例性地，线宽和线长一致的情况下，金属层的电阻阻值最小，金属氧化层层的电阻阻值次之，多晶硅层的电阻阻值最大。
方式三：设置不同厚度的走线，实现方式可包括设置单层金属、双层金属、多层金属等不同层数的金属，以实现电阻阻值的差异化设计；示例性地，单层金属的电阻阻值大于多层金属的电阻阻值。
在其他实施方式中，还可采用本领域技术人员可知的其他方式，实现电阻阻值的差异化设计，本发明实施例对此不赘述也不限定。
在一实施例中，图37为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图。在图36的基础上，参照图37，与各开关元件221电连接的各发光元件222均串联至少一个电阻223。
如此设置，可使开关元件211、发光元件212以及电阻213在各分区内的排布方式均相同，从而降低发光装置的设计和制作难度。
在一实施例中，衬底基板200包括玻璃基板、印刷电路板基板或柔性电路板基板。
如此，衬底基板200可根据发光装置的需求灵活设置其类型。
其中，选用玻璃基板作为衬底基板200，玻璃基板的厚度可做到0.5mm-1mm，从而有利于实现发光装置的轻薄化设计。同时，玻璃基板的热膨胀系数相对较小，绑定步骤中定位精确，有利于绑定尺寸较小的发光元件和开关元件，从而有利于提高发光元件的排布密度。
其中，印刷电路板基板和柔性电路板基板上的信号线所在导体层可实现较厚的厚度，从而信号线的阻抗较小，有利于实现发光装置的亮度一致性。
在其他实施方式中，衬底基板200还可为本领域技术人员可知的其他类型的衬底基板，本发明实施例对此不限定。
在一实施例中，图38为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图。参照图38，第一电源信号线211呈网格状走线，和/或第二电源信号线212呈网格状走线(图38中未示出)；网格状走线在衬底基板200上的垂直投影包围开关元件221和与该开关元件221电连接的发光元件222。
如此设置，可减小信号线的电阻，有利于降低IR drop，从而发光装置的亮度均一性较好；同时，发光元件222和开关元件221的周边信号线布局相同，各信号线对发光元件222和开关元件221的影响相同，有利于使得开关元件221的发光性能相同，从而发光装置的亮度均一性较好。
需要说明的是，图38中仅以第一电源信号线211为例，示出了网格状走线；第二电源信号线可仿照此设置，并分别与各开关元件221或发光元件222电连接，同样有利于提高发光装置的亮度均一性，本发明实施例对此不赘述。
此外，第一电源信号线211和第二电源信号线212以空间所限的最大线宽走线，以尽量减小电阻，如图30-图34所示。具体的，第一电源信号线211和第二电源信号线212的走线距离发光元件或者开关元件的边缘的空间距离可等于或者大于3um，在一个分区内，除去开关元件、发光元件以及脉宽调制信号线之外的位置，均可用于布局第一电源信号线211和第二电源信号线212。
可理解的是，当第一电源信号线211和第二电源信号线212位于同一金属层时，上述网格状走线可通过相同类型信号线跨层电连接实现，可利用相同金属层进行跨层，或利用各不同的金属层进行跨层，本发明实施例对此不限定。
在一实施例中，图39为本发明实施例提供的又一种发光装置的平面结构示意图。在图38的基础上，参照图39，衬底基板200包括发光区201和围绕发光区201的非发光区202；发光元件222和开关元件221设置于发光区201中，第一电源信号线211、第二电源信号线212以及脉宽调制信号线213均由发光区201延伸至非发光区202中；发光装置20还包括设置于非发光区202中、且位于发光区201的不同侧的至少两个第一连接端子231；延伸至同一侧的第一电源信号线211与同一第一连接端子231电连接，各第一连接端子231首尾依次电连接；以及包括设置于非发光区202中、且位于发光区201的不同侧的至少两个第二连接端子(图39中未示出)；延伸至同一侧的第二电源信号线212与同一第二连接端子电连接，各第二连接端子首尾依次电连接。
如此设置，可利用至少两个第一连接端子231同时向第一电源信号线211提供第一电源信号，和/或利用至少两个第二连接端子同时向第二电源信号线提供第二电源信号，如此，各不同位置处的信号线上的信号差异较小，即利用至少两个第一连接端子和/或第二连接端子提供信号，可降低信号延迟，减少远端和近端的充电的差异，有利于提供发光装置的亮度均一性。
需要说明的是，图39中仅以第一电源信号线211和第一连接端子231为例，示出了网格状走线和多端引出信号的结构；第二电源信号线和第二连接端子可仿照此设置，也有利于提高发光装置的亮度均一性，本发明实施例对此不赘述。
在一实施例中，第一电源信号线211、第二电源信号线212和脉宽调制信号线213的延伸方向均相同。
如此设置，可使三者平行走线，有利于降低信号线相互交叠而存在的寄生电容，从而有利于实现发光装置的精准控制。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供了一种背光模组，该背光模组可包括上述实施方式提供的任一种发光装置。因此，该背光模组也具有上述实施方式中的发光装置及其制造方法所具有的技术效果，相同之处可参照上文中对发光装置及其制造方法的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
示例性地，该发光装置可作为背光模组的光源，用于实现背光模组的亮度分区控制，从而将该背光模组应用于显示装置时，其可为显示面板分区提供背光，由于实现较高的图像亮度对比度，即有利于提高图像显示质量，实现显示高动态范围图像(High-DynamicRange，HDR)。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的背光模组，因此，该显示装置可应用上述实施方式中的背光模组实现HDR显示，有利于提高图像显示质量。
示例性地，图40为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参照图40，该显示装置40除包括背光模组(以发光装置20示出)之外，还包括显示面板420；显示面板420设置于背光模组的出光侧。
其中，显示面板420可对发光装置20出射的光线进行调制，以呈现带显示画面。
示例性地，该显示面板420可为液晶显示面板或本领域技术人员可知的其他类型的被动发光显示面板，本发明实施例对此不限定。
上述实施方式中，发光装置20可作为被动发光的显示面板420的背光源。在其他实施方式中，上述发光装置20也可直接用于显示，下文中结合图41和图42进行示例性地说明。
示例性地，图41为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，该显示面板为主动发光的显示面板。参照图41，该显示面板30包括上述实施方式提供的任一种发光装置20，还可包括对置基板310，对置基板310与发光装置20对向设置。
其中，对置基板310可为封装结构310，该封装结构310可用于阻隔水氧，以减缓膜层性能衰减，增长显示面板30的稳定性，以延长其寿命。示例性地，该封装结构310可为封装基板或薄膜封装层。
在其他实施方式中，显示面板还可包括本领域技术人员可知的其他功能部件或结构部件，本发明实施例对此不赘述也不限定。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的显示面板，因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的技术效果，相同之处可参照上文中对发光装置和显示面板的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
示例性地，图42为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图，该显示装置为主动发光显示装置。参照图42，该显示装置40还可包括保护盖板410，该保护盖板410设置于显示面板30的出光侧。
示例性地，保护盖板410可用于防止撞击损伤，增强显示装置40的稳固性，延长其使用寿命。
示例性地，该显示装置40可为手机。在其他实施方式中，该显示装置还可为电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)、车载显示屏、车载触控屏或本领域技术人员可知的其他类型的电子设备、或具有显示功能的装置或部件，本发明实施例对此不赘述也不限定。
在其他实施方式中，显示装置还可包括柔性印刷电路板、系统芯片以及保护盖板等本领域技术人员可知的其他功能部件或结构部件，本发明实施例对此不赘述也不限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (28)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成线路层；
提供至少一个开关元件和至少一个发光元件；
将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接；
其中，所述线路层包括第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线；所述开关元件包括控制端、第一端以及第二端；所述控制端与所述脉宽调制信号线电连接，所述第一端与所述第一电源信号线电连接，所述第二端与所述第二电源信号线电连接；
所述发光元件电连接于所述第一端与所述第一电源信号线之间，或者所述发光元件电连接于所述第二端与所述第二电源信号线之间。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述线路层包括远离所述衬底基板的绑定层；将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接包括：
将所述开关元件绑定电连接于所述绑定层，以及将所述发光元件绑定电连接于所述绑定层。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接包括：
利用转运的方式将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接。
4.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述线路层还包括至少一层金属层，所述金属层形成于所述绑定层与所述衬底基板之间；
所述第一电源信号线、所述第二电源信号线以及所述脉宽调制信号线形成于任一层所述金属层中。
5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述线路层还包括保护层；
所述保护层形成于所述绑定层与最靠近所述绑定层的所述金属层之间；
或者复用最靠近所述绑定层的所述金属层为保护层；
或者复用所述绑定层为保护层。
6.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述线路层还包括助焊层；
所述助焊层形成于所述绑定层背离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接包括：
在所述衬底基板形成连接过孔；其中，所述第一电源信号线存在第一镂空区，所述第二电源信号线存在第二镂空区，存在所述第一镂空区在所述衬底基板上的垂直投影、所述第二镂空区在所述衬底基板上的垂直投影与所述连接过孔交叠；
将所述开关元件和所述发光元件中的其中一个电连接于所述线路层背离所述衬底基板的一侧，另一个通过所述连接过孔电连接于所述衬底基板背离所述线路层的一侧。
8.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板的一侧形成线路层之后，将所述开关元件和所述发光元件与所述线路层电连接之前还包括：
在所述衬底基板背离所述线路层的一侧、以及在所述连接过孔中形成连接层；
所述发光元件或所述开关元件通过所述连接层中的连接线与所述线路层电连接。
9.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板形成连接过孔包括：
利用激光打孔的方式，在所述衬底基板中形成所述连接过孔。
10.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述线路层还包括电阻，所述电阻与所述发光元件串联电连接于所述第一电源信号线与所述第二电源信号线之间；
所述电阻与所述第一电源信号线、所述第二电源信号线和所述脉宽调制信号线中的至少之一采用相同的材料、在同一工艺制程中形成。
11.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，还包括：
提供电阻；
将所述电阻电连接于所述线路层；
其中，所述电阻与所述发光元件串联电连接于所述第一电源信号线与所述第二电源信号线之间。
12.一种发光装置，其特征在于，应用权利要求1-11任一项所述的发光装置的制造方法形成，所述发光装置包括：
衬底基板；
线路层，形成于所述衬底基板的一侧；所述线路层包括第一电源信号线、第二电源信号线以及脉宽调制信号线；
至少一个开关元件和至少一个发光元件，均与所述线路层电连接；
所述开关元件包括控制端、第一端以及第二端；所述控制端与所述脉宽调制信号线电连接，所述第一端与所述第一电源信号线电连接，所述第二端与所述第二电源信号线电连接；
所述发光元件电连接于所述第一端与所述第一电源信号线之间，或者所述发光元件电连接于所述第二端与所述第二电源信号线之间。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述第一电源信号线和所述第二电源信号线中的其中之一用于传输第一电位，另一用于传输第二电位；
所述第一电位等于或者大于所述发光元件的阈值电压，所述第二电位等于零电位。
14.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述线路层包括远离所述衬底基板的绑定层，所述开关元件和所述发光元件均电连接于所述绑定层。
15.根据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述所述线路层还包括至少一层金属层，所述金属层位于所述衬底基板与所述绑定层之间；
所述第一电源信号线、所述第二电源信号线和所述脉宽调制信号线位于任一层所述金属层中。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于，所述线路层还包括保护层；
所述保护层位于所述绑定层与最靠近所述绑定层的所述金属层之间，或者
所述保护层复用最靠近所述绑定层的所述金属层；或者
所述保护层复用所述绑定层。
17.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述衬底基板包括连接过孔；
所述开关元件和所述发光元件中的其中一个设置于所述线路层背离所述衬底基板的一侧，另一个设置于所述衬底基板背离所述线路层的一侧，且通过所述连接过孔与所述线路层电连接。
18.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，还包括电阻，所述电阻形成于所述线路层中，或者所述电阻与所述线路层电连接；以及
所述电阻与所述发光元件串联电连接于所述第一电源信号线与所述第二电源信号线之间。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路位于所述发光装置的一侧边缘，所述第一电源信号线、所述第二电源信号线以及所述脉宽调制信号线均与所述驱动电路电连接；
所述电阻包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻设置于所述第二电阻靠近所述驱动电路的一侧，所述第一电阻的阻值为R，所述第二电阻的阻值为R0，所述第一电阻与所述第二电阻之间的第一电源信号线上的压降为△V，所述第二电阻接收的电位为V，流经第一电阻的电流与第二电阻的电流差值为C，则：
Figure FDA0002521235070000051
其中，C为常数。
20.根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，与各所述开关元件电连接的各所述发光元件均串联至少一个所述电阻。
21.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述衬底基板包括玻璃基板、印刷电路板基板或柔性电路板基板。
22.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述第一电源信号线呈网格状走线，和/或
所述第二电源信号线呈网格状走线；
所述网格状走线在所述衬底基板上的垂直投影包围所述开关元件和与该开关元件电连接的所述发光元件。
23.根据权利要求22所述的发光装置，其特征在于，所述衬底基板包括发光区和围绕所述发光区的非发光区；
所述发光元件和所述开关元件设置于所述发光区中，所述第一电源信号线、所述第二电源信号线以及所述脉宽调制信号线均由所述发光区延伸至所述非发光区中；
还包括设置于所述非发光区中、且位于所述发光区的不同侧的至少两个第一连接端子；
延伸至同一侧的所述第一电源信号线与同一所述第一连接端子电连接，各所述第一连接端子首尾依次电连接；
以及包括设置于所述非发光区中、且位于所述发光区的不同侧的至少两个第二连接端子；
延伸至同一侧的所述第二电源信号线与同一所述第二连接端子电连接，各所述第二连接端子首尾依次电连接。
24.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述第一电源信号线、所述第二电源信号线和所述脉宽调制信号线的延伸方向均相同。
25.一种背光模组，其特征在于，包括权利要求12-24任一项所述的发光装置。
26.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求25所述的背光模组，还包括显示面板；
所述显示面板设置于所述背光模组的出光侧。
27.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求12-24任一项所述的发光装置，还包括：
对置基板，与所述发光装置对向设置。
28.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求27所述的显示面板。
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