JP2001196635A - 発光ダイオードユニット - Google Patents
発光ダイオードユニットInfo
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- JP2001196635A JP2001196635A JP2000004546A JP2000004546A JP2001196635A JP 2001196635 A JP2001196635 A JP 2001196635A JP 2000004546 A JP2000004546 A JP 2000004546A JP 2000004546 A JP2000004546 A JP 2000004546A JP 2001196635 A JP2001196635 A JP 2001196635A
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
ルドを行う。 【解決手段】 LED基板における正電極ストライプ1
2が形成されて成る第1層に、第1接地電極ストライプ
15を形成する。負電極ストライプ13が形成されて成
る第2層に、第2接地電極ストライプ16を形成する。
第1,第2接地電極ストライプ15,16を第3層の平面
接地電極19に電気的に接続する。こうして、より表面
側でEMIをシールドすることによって良好な磁気シー
ルド性を得る。本LEDユニットは自身がEMIシール
ド性を有しているために、LED表示装置を形成する際
に前面を磁気シールド用の金網で覆う必要がない。した
がって、表示品位を損なうことがなく、小型に構成でき
る。
Description
多数使用している場所や集中制御装置等において使用さ
れる発光ダイオード(LED)ユニットに関する。
においては、上記LEDユニットを駆動する際に、LE
D基板の裏面側に形成されたドライバIC(集積回路)等
で発生された電磁妨害雑音(EMI)が表面側(LED側)
に出る。そのために、工場内等のコンピュータを多数使
用している場所や集中制御装置において上記LED表示
板を使用する場合には、上記集中制御装置やコンピュー
タに対して電磁妨害を及ぼさない様に、磁気シールドを
行う必要がある。図7および図8は、従来におけるLE
D表示板の磁気シールド方法を示す。
1面に設けられた開口部にLEDユニット3を嵌め込ん
で構成されている。そして、LEDユニット3の前面を
導電性の金網4で覆い、周囲の板金に電気的に接続する
ことによって、磁気シールドを行っている。
来のLED表示板の磁気シールド方法においては、LE
D表示板1の前面に導電性の金網4を取り付けるため
に、表示品位を損なうという問題がある。尚、表示品位
を損なわない様にするためには、金網4の網目の間隔を
広くすればよい。ところが、表示品位は改善されるので
はあるが、磁気シールド性が低下することになる。
なうことなく効果的に磁気シールドを行うことができる
LEDユニットを提供することにある。
め、第1の発明のLEDユニットは、LEDが搭載され
た基板における上記LED側にストライプ状の第1電極
が平行に配列されて成る第1層を設け,上記第1層の下
側に絶縁膜を介してストライプ状の第2電極が上記第1
電極に交差する方向に平行に配列されて成る第2層を設
けたLEDユニットにおいて、上記各第1電極の間およ
び上記各第2電極の間に、ストライプ状の接地電極を配
列したことを特徴としている。
も表面側(LED側)である第1層および第2層に、スト
ライプ状の接地電極が配列されている。したがって、当
該LED基板の裏面側に設けられているドライバIC等
で発生した上記EMIが、最も表面に近い個所でシール
ドされる。
は、上記各第1電極の間に配列されたストライプ状の接
地電極と上記各第2電極の間に配列されたストライプ状
の接地電極とを、スルーホールによって接続することが
望ましい。
たストライプ状の接地電極と第2層に配設されたストラ
イプ状の接地電極とが協働して接地電極の網目を形成
し、さらに良好な磁気シールド性が得られる。
は、上記第2層の下側に、絶縁膜を介して平面接地電極
を形成して成る第3層を設けることが望ましい。
る最も表面側であって、一面の平面電極が形成可能な上
記第2層の下側に、平面接地電極が配設されている。し
たがって、上記LED基板の表面側において高い磁気シ
ールド性が得られる。
は、上記各ストライプ状の接地電極と上記平面接地電極
とをスルーホールによって接続することが望ましい。
設された各ストライプ状の接地電極と上記第3層に接地
された平面接地電極とが協働して、さらに良好な磁気シ
ールド性が得られる。
EDが搭載された基板における上記LED側にストライ
プ状の第1電極が平行に配列されて成る第1層を設け,
上記第1層の下側に絶縁膜を介してストライプ状の第2
電極が上記第1電極に交差する方向に平行に配列されて
成る第2層を設けたLEDユニットにおいて、上記第2
層の下側に、絶縁膜を介して平面接地電極を形成して成
る第3層を設けたことを特徴としている。
面側(LED側)である第3層に、一面でなる平面接地電
極が配設されている。したがって、当該LED基板の裏
面側に設けられているドライバIC等で発生した上記E
MIが、より表面に近い個所でシールドされる。
態により詳細に説明する。図1は、本実施の形態のLE
Dユニットにおける電極パターンを示す平面透視図であ
る。また、図2は図1における縦断面模式図である。
ス状に配列されたLED11の下側に、一方向に平行に
配列されて各LED11の間に位置するストライプ状の
正電極(以下、正電極ストライプと言う)12が形成され
て成る第1層を設けている。同様に、上記第1層の下側
に、絶縁膜を介して、上記一方向に直交する方向に平行
に配列されて各LED11の間に位置する負電極ストラ
イプ13が形成されて成る第2層を設けている。そし
て、各LED11は、近傍の正電極ストライプ12と負
電極ストライプ13とに直接あるいはスルーホール14
を介して電気的に接続されてマトリックス結線を形成し
ている。
ライプ12に平行に配列されて各正電極ストライプ12
の間に位置する第1接地電極ストライプ15が形成され
ている。同様に、上記第2層には、上記負電極ストライ
プ13に平行に配列されて各負電極ストライプ13の間
に位置する第2接地電極ストライプ16が形成されてい
る。そして、第1,第2接地電極ストライプ15,16
は、スルーホール17を介して互いに電気的に接続され
ている。こうして、LEDユニットの基板内に接地電極
の網目を形成するのである。
介して、基板裏面に形成されているドライバIC18を
駆動するドライバ回路用の一面の平面接地電極19が形
成されて成る第3層を設けている。この平面接地電極1
9には、上記第2層の第2接地電極ストライプ16がス
ルーホール17を介して電気的に接続されている。ま
た、上記第3層の下側には、絶縁膜を介して、上記ドラ
イバ回路に電源を供給するための一面の平面電源電極2
0が形成されて成る第4層を設けている。さらには、上
記第4層の下側には、絶縁膜を介して、ドライバIC1
8を駆動するための上記ドライバ回路21が形成され
て、絶縁膜を介在した第5層および第6層を設けてい
る。こうして、LEDプリント基板が形成される。尚、
ドライバIC18と正電極ストライプ12および負電極
ストライプ13とは、スルーホール(図示せず)によって
電気的に接続されている。
来、LED基板における裏面側のドライバIC18に最
も近い層に形成されているドライバ回路用の平面接地電
極19を、表面(LED11側)に最も近く、且つ、一面
の電極が形成可能な第3層に形成している。したがっ
て、基板裏面側に在るドライバIC18等で発生された
上記EMIを、従来よりも表面に近い個所でシールドす
ることができ、表面から上記EMIを外部に出さないよ
うにすることができるのである。
されている第1層に第1接地電極ストライプ15を形成
し、負電極ストライプ13が形成されている第2層に第
2接地電極ストライプ16を形成し、第1,第2接地電
極ストライプ15,16を第3層に形成した平面接地電
極19に電気的に接続している。したがって、平面接地
電極19よりもさらに表面側で上記EMIをシールドす
ることができ、良好な磁気シールド性を得ることができ
るのである。
を駆動した場合における上記EMIのピーク周波数特性
を示す。また、平面接地電極が裏面側に形成されると共
に第1,第2接地電極ストライプ15,16が形成されて
いない従来のLEDユニットにおける上記EMIのピー
ク周波数特性を図4に示す。本実施の形態におけるLE
Dユニットは、上記従来のLEDユニットと比較して、
ピーク周波数59.78MHzにおけるレベルが−54.
63dBから−62.77dBへ低下しており、上記EM
Iが減少していることが立証された。
Iシールド性を有しているために、上記LED表示板等
のLED表示装置を形成する際にLEDユニットの前面
を磁気シールド用の金網で覆う必要はない。したがっ
て、表示品位を損なうことがなく、小型に構成できるの
である。
いて、上記第1層に形成された第1接地電極ストライプ
15と第2層に形成された第2接地電極ストライプ16
とで構成される網目のピッチが6mm以下である場合に
は、第1,第2接地電極ストライプ15,16は実質平面
接地電極として機能する。そこで、そのような場合に
は、図5に示すように、平面接地電極19を省略するこ
とができる。
ける平面接地電極19および平面電源電極20を省略し
て、第3層および第4層としてドライバ回路21を形成
するのである。したがって、図2に示すLEDユニット
に比してLED基板の層数を減らして、薄層化を図るこ
とができるのである。尚、図5に示すLEDユニットに
おいては、ドライバ回路21用の電源電極および接地電
極としての機能をドライバ回路21自身に持たせてい
る。
ライバICを搭載したドライバ基板とに分離されている
LEDユニットの縦断面を示す。この場合、LED基板
31においては、マトリックス状に配列されたLED3
2の下側には、正電極ストライプ33および第1接地電
極ストライプ34が図2の場合と同様に形成されて成る
第1層を設けている。また、第1層の下側には、負電極
ストライプ35および第2接地電極ストライプ36が図
2の場合と同様に形成されて成る第2層を設けている。
トライプ33と負電極ストライプ35とに電気的に接続
されてマトリックス結線を形成している。また、第1,
第2接地電極ストライプ34,36は、スルーホール3
7を介して互いに電気的に接続されている。
裏面に形成されているドライバIC39を駆動するため
のドライバ回路40が形成されて、絶縁膜を介在した第
1層(表層)および第2層を設けている。そして、LED
基板31とドライバ基板38とは、コネクタ41で電気
的に連結されており、ドライバ基板38側のドライバI
C39によってLED基板31側のLED32を駆動可
能になっている。
基板31内に、上記第1接地電極ストライプ34および
第2接地電極ストライプ36で成る接地電極の網目が形
成されている。したがって、第2接地電極ストライプ3
6を接地することによって表面側で磁気シールドするこ
とができ、表面から上記EMIを外部に出さないように
することができるのである。
第1接地電極ストライプ15および第2接地電極ストラ
イプ16を削除した構成を有するLEDユニットの場合
も、より表面に近い第3層で平面接地電極19によって
上記EMIを表面に出ないようにシールドできる。
LEDユニットは、LED基板の第1層におけるストラ
イプ状の各第1電極の間と第2層におけるストライプ状
の各第2電極の間とに、ストライプ状の接地電極を配列
したので、裏面側に設けられているドライバIC等で発
生した上記EMIを、最も表面に近い個所で上記表面に
出ないように効果的にシールドできる。
D表示装置を形成する際に、上記LEDユニットの前面
を磁気シールド用の金網で覆う必要がない。したがっ
て、表示品位を損なうことがなく、当該LED表示装置
をコンパクトにできる。
は、上記各第1電極の間に配列されたストライプ状の接
地電極と上記各第2電極の間に配列されたストライプ状
の接地電極とを、スルーホールによって接続すれば、上
記両ストライプ状の接地電極を協働させて接地電極の網
目を形成することができ、さらに良好な磁気シールド性
を得ることができる。
は、上記第2層の下側に、絶縁膜を介して平面接地電極
を形成して成る第3層を設ければ、上記表面側において
高い磁気シールド性を得ることができる。
は、上記各ストライプ状の接地電極と上記平面接地電極
とをスルーホールによって接続すれば、上記両ストライ
プ状の接地電極と上記平面接地電極とを協働させて、さ
らに良好な磁気シールド性を得ることができる。
ED基板におけるストライプ状の第1電極が形成されて
成る第1層およびストライプ状の第2電極が形成されて
成る第2層の下側に、平面接地電極が形成されて成る第
3層を設けたので、裏面側に設けられているドライバI
C等で発生した上記EMIを、より表面に近い個所で上
記表面に出ないように効果的にシールドできる。
D表示装置を形成する際に、上記LEDユニットの前面
を磁気シールド用の金網で覆う必要がない。したがっ
て、表示品位を損なうことがなく、当該LED表示装置
をコンパクトにできる。
ーンを示す平面透視図である。
おけるEMIのピーク周波数特性を示す図である。
ク周波数特性を示す図である。
図である。
断面模式図である。
法の説明図である。
13,35…負電極ストライプ、14,17,37…
スルーホール、 15,34…第1接地電極ストラ
イプ、16,36…第2接地電極ストライプ、 18,3
9…ドライバIC、19…平面接地電極、
20…平面電源電極、21,40…ドライバ回路、
31…LED基板、38…ドライバ基板、
41…コネクタ。
Claims (5)
- 【請求項1】 発光ダイオードが搭載された基板におけ
る上記発光ダイオード側にストライプ状の第1電極が平
行に配列されて成る第1層を設け、上記第1層の下側に
絶縁膜を介してストライプ状の第2電極が上記第1電極
に交差する方向に平行に配列されて成る第2層を設けた
発光ダイオードユニットにおいて、 上記各第1電極の間および上記各第2電極の間に、スト
ライプ状の接地電極を配列したことを特徴とする発光ダ
イオードユニット。 - 【請求項2】 請求項1に記載の発光ダイオードユニッ
トにおいて、 上記各第1電極の間に配列されたストライプ状の接地電
極と、上記各第2電極の間に配列されたストライプ状の
接地電極とは、スルーホールによって接続されているこ
とを特徴とする発光ダイオードユニット。 - 【請求項3】 請求項1あるいは請求項2に記載の発光
ダイオードユニットにおいて、 上記第2層の下側に、絶縁膜を介して平面接地電極を形
成して成る第3層を設けたことを特徴とする発光ダイオ
ードユニット。 - 【請求項4】 請求項3に記載の発光ダイオードユニッ
トにおいて、 上記各ストライプ状の接地電極と上記平面接地電極と
は、スルーホールによって接続されていることを特徴と
する発光ダイオードユニット。 - 【請求項5】 発光ダイオードが搭載された基板におけ
る上記発光ダイオード側にストライプ状の第1電極が平
行に配列されて成る第1層を設け、上記第1層の下側に
絶縁膜を介してストライプ状の第2電極が上記第1電極
に交差する方向に平行に配列されて成る第2層を設けた
発光ダイオードユニットにおいて、 上記第2層の下側に、絶縁膜を介して平面接地電極を形
成して成る第3層を設けたことを特徴とする発光ダイオ
ードユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000004546A JP3715855B2 (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 発光ダイオードユニット |
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Publication Number | Publication Date |
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JP3715855B2 JP3715855B2 (ja) | 2005-11-16 |
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2000
- 2000-01-13 JP JP2000004546A patent/JP3715855B2/ja not_active Expired - Fee Related
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