TWI650855B

TWI650855B - 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法

Info

Publication number: TWI650855B
Application number: TW107104259A
Authority: TW
Inventors: 吳炳昇; 吳昭文
Original assignee: 啟端光電股份有限公司
Priority date: 2017-04-12
Filing date: 2018-02-07
Publication date: 2019-02-11
Also published as: TW201838173A; TW201838171A

Abstract

一種微發光二極體顯示器，包含第一主基板；複數微發光二極體，設於第一主基板之上；第一光阻斷層，設於第一主基板的上方，以定義複數發光區；導光層，設於該些發光區內；及複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體。

Description

頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法

本發明係有關一種發光二極體顯示器，特別是關於一種頂部發光型（top emission）微發光二極體顯示器與底部發光型（bottom emission）微發光二極體顯示器。

微發光二極體（microLED、mLED或μLED）顯示面板為平板顯示器（flat panel display）的一種，其係由尺寸等級為1~10微米之個別精微（microscopic）發光二極體所組成。相較於傳統液晶顯示面板，微發光二極體顯示面板具較大對比度及較快反應時間，且消耗較少功率。微發光二極體與有機發光二極體（OLED）雖然同樣具有低功耗的特性，但是，微發光二極體因為使用三-五族二極體技術（例如氮化鎵），因此相較於有機發光二極體具有較高的亮度（brightness）、較高的發光效能（luminous efficacy）及較長的壽命。

使用薄膜電晶體（TFT）的主動驅動方式為一種普遍使用的驅動機制，其可以和微發光二極體結合以製造顯示面板。但是，薄膜電晶體使用的是互補金屬氧化物半導體（CMOS）製程，而微發光二極體則是使用覆晶（flip chip）技術，兩者會產生熱失配（thermal mismatch）問題，且薄膜電晶體的製程較為複雜。在低灰階顯示時，由於驅動電流很小，會受到微發光二極體的漏電流而影響灰階顯示。

被動驅動方式為另一種驅動機制。傳統的被動式驅動顯示面板，其列驅動電路與行驅動電路係設於顯示面板的邊緣。然而，當顯示面板的尺寸變大或者解析度變高時，造成驅動器的輸出負載過大，過長的延遲時間使得顯示面板無法正常驅動。因此，被動式驅動機制無法適用於大尺寸的微發光二極體顯示面板。

因此，亟需提出一種新穎的微發光二極體顯示面板，特別是大尺寸或高解析度的顯示面板，使其保有微發光二極體的優點且能改善傳統驅動機制的缺點。

由於相鄰微發光二極體之間的距離極小，很容易造成相鄰微發光二極體或相鄰像素之間的互相干擾，例如混色（color mixing），且降低對比度（contrast ratio）。此外，微發光二極體需要藉由連接導線與其他元件或電路作電性連接，這些連接導線通常包含不透明（opaque）材質或反射（reflective）材質，因此會造成不均勻（non-uniform）的顯示問題。

因此，亟需提出一種新穎的微發光二極體顯示器，用以改善傳統微發光二極體顯示器的發光效能。

鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器的結構與製造方法，有效避免干擾、混色或不均勻的顯示問題。

根據本發明實施例之一，頂部發光型微發光二極體顯示器包含第一主基板；底共電極層，設於第一主基板的頂面；複數微發光二極體，設於底共電極層之上；第一光阻斷層，設於底共電極層的上方，以定義複數發光區；導光層，設於該些發光區內；及複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體。

根據本發明又一實施例，底部發光型微發光二極體顯示器包含第一主基板；複數微發光二極體，設於第一主基板之上；第一光阻斷層，設於第一主基板的上方，以定義複數發光區；導光層，設於該些發光區內；複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體；及頂共電極層，設於第一光阻斷層與該些微發光二極體的頂面。

第一圖顯示頂部發光型（top emission）微發光二極體顯示器100的簡化側視圖。在本實施例中，使用接合（bonding）技術，於主基板11的頂面設有複數微發光二極體12，例如紅色微發光二極體12R、綠色微發光二極體12G與藍色微發光二極體12B。該些微發光二極體12所產生的光線從主基板11的頂面向上發射（如箭號所示），因此稱為頂部發光型微發光二極體顯示器。在本說明書中，微發光二極體的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小或更大。

第二A圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器200的俯視圖，第二B圖顯示第二A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。相鄰的微發光二極體22之間設有（第一）光阻斷（light blocking）層23A，形成於（第一）主基板21A的頂面，用以避免相鄰微發光二極體22之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。主基板21A與微發光二極體22之間可設有底共電極（bottom common electrode）層28。在本實施例（及後續實施例）中，微發光二極體22可為長方形。例如，長為25微米，寬為10微米。根據本發明實施例的特徵之一，微發光二極體22係垂直縱列設置。亦即，微發光二極體22的長邊平行於顯示器的縱向，且短邊平行於顯示器的橫向。由於人眼感覺垂直發射之光線會多於水平發射之光線，因此所述的設置方向可增加可視角的角度。

本實施例之（第一）光阻斷層23A可為黑矩陣（black matrix, BM）。在第二B圖所示實施例中，首先形成黑樹脂（black resin），再使用光學製程（photo process）及固化（curing）製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。在另一實施例中，使用噴墨印刷（ink-jet printing）技術及固化製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

（第一）光阻斷層23A定義出發光區（emission area）24，亦即，未被（第一）光阻斷層23A覆蓋的區域稱為發光區24。換另一角度來說，發光區24以外的所有區域都覆蓋有（第一）光阻斷層23A。於發光區24內，形成有導光（light guiding）層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。導光材質一般為透明材質，並具高折射係數。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第二B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第二C圖顯示本發明變化型第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器200的剖面圖。相較於第二B圖，第二C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。在第二C圖所示實施例中，首先形成鉻/氧化鉻薄膜，再使用照相蝕刻（photo etching）技術以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

第二D圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器200的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26，例如導電電極，設於微發光二極體22的頂面。根據本發明實施例的特徵之一，每一個發光區24的連接結構26的圖樣（pattern）都相同。連接結構26的材質包含透明材質(例如氧化銦錫)、非透明材質(例如金屬)或反射（reflective）材質。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構26，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第三A圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器300的俯視圖，第三B圖顯示第三A圖的剖面圖。本第二實施例類似於第一實施例，不同的地方在於，第二實施例的（第一）光阻斷層23A設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

（第一）光阻斷層23A定義出發光區24，亦即，未被（第一）光阻斷層23A覆蓋的區域稱為發光區24（或像素區）。換另一角度來說，發光區24以外的所有區域都覆蓋有（第一）光阻斷層23A。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第三B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第三C圖顯示本發明變化型第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器300的剖面圖。相較於第三B圖，第三C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

第三D圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器300的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26，例如導電電極。根據本發明實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構26的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第四A圖顯示本發明第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器400的俯視圖，第四B圖顯示第四A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。每ㄧ微發光二極體22相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含阻斷基板27，位於（第一）主基板21A與第一光阻斷層23A的上方。第二光阻斷層23B形成於阻斷基板27的底面，其覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口（aperture）內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。在另一實施例中，第一光阻斷層23A的開口內徑可大於第二光阻斷層23B的開口內徑。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

於發光區24內，形成有導光層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第四B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第四C圖顯示本發明變化型第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器400的剖面圖。相較於第四B圖，第四C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25覆蓋。

根據本實施例的特徵之一，每一個發光區24內的連接結構（未顯示於圖式）的圖樣都相同。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第五A圖顯示本發明第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器500的俯視圖，第五B圖顯示第五A圖的剖面圖。本第四實施例類似於第三實施例，不同的地方在於，第四實施例的第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

在本實施例中，每ㄧ像素（其包含紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B）相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的底面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域，兩者互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第五B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第五C圖顯示本發明變化型第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器500的剖面圖。相較於第五B圖，第五C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

根據本實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構（未顯示於圖式）的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第六圖顯示本發明第五實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器600的剖面圖。在本實施例中，頂部發光型微發光二極體顯示器600包含第一主基板21A與第二主基板21B，位於同一水平面但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板。於第一主基板21A與第二主基板21B的頂面分別設有第一光阻斷層23A。類似於第四實施例的結構，頂部發光型微發光二極體顯示器600包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的底面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。如第六圖所示，第一主基板21A與第二主基板21B對應於同一個阻斷基板27，且於第一主基板21A與第二主基板21B的相鄰處，第一主基板21A的第一光阻斷層23A與第二主基板21B的第一光阻斷層23A對應於同一個第二光阻斷層23B。藉此，可將複數微發光二極體顯示面板予以貼合（tiling）起來，形成一個無接縫（seamless）的頂部發光型微發光二極體顯示器600。

第七A圖至第十三B圖顯示本發明實施例之形成頂部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。如第七A圖與第七B圖所示，首先提供（第一）主基板21A，其定義有一發光區24。如第八A圖與第八B圖所示，形成底共電極（bottom common electrode）層28於（第一）主基板21A的頂面。根據本發明實施例的特徵之一，底共電極層28係全面覆蓋發光區24，藉以避免不均勻的顯示問題。

如第九A圖與第九B圖所示，使用結合（bonding）技術，於底共電極層28的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。如第十A圖與第十B圖所示，於發光區24以外的區域形成（第一）光阻斷層23A，用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

如第十一A圖與第十一B圖所示，於發光區24內形成導光層25，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十一B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。值得注意的是，形成（第一）光阻斷層23A的步驟（第十A圖與第十B圖）與形成導光層25的步驟（第十一A圖與第十一B圖）可以互換。

如第十二A圖與第十二B圖所示，形成接觸洞（contact hole）於微發光二極體22的頂面。接著，如第十三A圖與第十三B圖所示，形成複數連接結構26，分別相應連接於該些微發光二極體22。其中，該些連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。藉此，可以避免不均勻的顯示問題。

第十四圖顯示底部發光型（bottom emission）微發光二極體顯示器1400的簡化側視圖。在本實施例中，使用接合（bonding）技術，於主基板11的頂面設有複數微發光二極體12，例如紅色微發光二極體12R、綠色微發光二極體12G與藍色微發光二極體12B。該些微發光二極體12所產生的光線從主基板11的頂面向下發射（如箭號所示），因此稱為底部發光型微發光二極體顯示器。在本說明書中，微發光二極體的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小或更大。

第十五A圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1500的俯視圖，第十五B圖顯示第十五A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。相鄰的微發光二極體22之間設有（第一）光阻斷（light blocking）層23A，形成於（第一）主基板21A的頂面，用以避免相鄰微發光二極體22之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。微發光二極體22與光阻斷層23A之上可設有頂共電極（top common electrode）層28。

本實施例之（第一）光阻斷層23A可為黑矩陣（black matrix, BM）。在第十五B圖所示實施例中，首先形成黑樹脂（black resin），再使用光學製程（photo process）及固化（curing）製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。在另一實施例中，使用噴墨印刷（ink-jet printing）技術及固化製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十五B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第十五C圖顯示本發明變化型第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1500的剖面圖。相較於第十五B圖，第十五C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。在第十五C圖所示實施例中，首先形成鉻/氧化鉻薄膜，再使用照相蝕刻（photo etching）技術以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

第十五D圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1500的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26，設於微發光二極體22與主基板21A之間。根據本發明實施例的特徵之一，每一個發光區24的連接結構26的圖樣（pattern）都相同。連接結構26的材質可為透明材質(例如氧化銦錫)、非透明材質(例如金屬)或反射（reflective）材質。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構26，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第十六A圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1600的俯視圖，第十六B圖顯示第十六A圖的剖面圖。本第七實施例類似於第六實施例，不同的地方在於，第七實施例的（第一）光阻斷層23A設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十六B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第十六C圖顯示本發明變化型第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1600的剖面圖。相較於第十六B圖，第十六C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

第十六D圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1600的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26。根據本發明實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構26的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第十七A圖顯示本發明第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1700的俯視圖，第十七B圖顯示第十七A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。每ㄧ微發光二極體22相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含阻斷基板27，位於（第一）主基板21A的下方。第二光阻斷層23B形成於阻斷基板27的頂面，其覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口（aperture）內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。在另一實施例中，第一光阻斷層23A的開口內徑可大於第二光阻斷層23B的開口內徑。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十七B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第十七C圖顯示本發明變化型第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1700的剖面圖。相較於第十七B圖，第十七C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25覆蓋。

第十八A圖顯示本發明第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1800的俯視圖，第十八B圖顯示第十八A圖的剖面圖。本第九實施例類似於第八實施例，不同的地方在於，第九實施例的第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

在本實施例中，每ㄧ像素（其包含紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B）相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的頂面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域，兩者互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十八B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第十八C圖顯示本發明變化型第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1800的剖面圖。相較於第十八B圖，第十八C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

第十九圖顯示本發明第十實施例之底部發光型微發光二極體顯示器1900的剖面圖。在本實施例中，底部發光型微發光二極體顯示器1900包含第一主基板21A與第二主基板21B，位於同一水平面但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板。於第一主基板21A與第二主基板21B的頂面分別設有第一光阻斷層23A。類似於第九實施例的結構，底部發光型微發光二極體顯示器1900包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的頂面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。如第十九圖所示，第一主基板21A與第二主基板21B對應於同一個阻斷基板27，且於第一主基板21A與第二主基板21B的相鄰處，第一主基板21A的第一光阻斷層23A與第二主基板21B的第一光阻斷層23A對應於同一個第二光阻斷層23B。藉此，可將複數微發光二極體顯示面板予以貼合（tiling）起來，形成一個無接縫（seamless）的底部發光型微發光二極體顯示器1900。

第二十A圖至第二十六B圖顯示本發明實施例之形成底部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。如第二十A圖與第二十B圖所示，首先提供（第一）主基板21A，其定義有一發光區24。如第二十一A圖與第二十一B圖所示，形成複數連接結構26。其中，該些連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。藉此，可以避免不均勻的顯示問題。

如第二十二A圖與第二十二B圖所示，使用結合（bonding）技術，於連接結構26的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。如第二十三A圖與第二十三B圖所示，於發光區24以外的區域形成（第一）光阻斷層23A，用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

如第二十四A圖與第二十四B圖所示，於發光區24內形成導光層25，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第二十四B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。值得注意的是，形成（第一）光阻斷層23A的步驟（第二十三A圖與第二十三B圖）與形成導光層25的步驟（第二十四A圖與第二十四B圖）可以互換。

如第二十五A圖與第二十五B圖所示，形成接觸洞（contact hole）於微發光二極體22的頂面。接著，如第二十六A圖與第二十六B圖所示，形成頂共電極（top common electrode）層28於導光層25的上方。根據本發明實施例的特徵之一，頂共電極層28係全面覆蓋發光區24，藉以避免不均勻的顯示問題。

第二十七圖顯示本發明第十一實施例之底部發光型微發光二極體顯示器2000的剖面圖。相較於第十九圖所示實施例，本實施例之底部發光型微發光二極體顯示器2000更包含至少一遮蔽層30，用以遮蔽電磁干擾(Electromagnetic Interference，簡稱EMI)。在一實施例中，遮蔽層30的材質可為透明導電材質，例如透明導電氧化物(transparent conductive oxides) ，其可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)等。

遮蔽層30可設於第一主基板21A的上表面與第一光阻斷層23A之間，藉由絕緣層29與頂共電極層28電性隔離，且藉由絕緣層31與連接結構26電性隔離。類似的情形，遮蔽層30可設於第二主基板21B的上表面與第一光阻斷層23A之間，藉由絕緣層29與頂共電極層28電性隔離，且藉由絕緣層31與連接結構26電性隔離。遮蔽層30也可設於阻斷基板27的上表面與第二光阻斷層23B之間。一般來說，遮蔽層30可設於上述三個地方的其中一個或多個。

遮蔽層30也可應用於頂部發光型微發光二極體顯示器。第二十八圖顯示本發明第十二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器2100的剖面圖。相較於第六圖所示實施例，本實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器2100更包含至少一遮蔽層30，用以遮蔽電磁干擾(EMI)。在一實施例中，遮蔽層30的材質可為透明導電材質，例如透明導電氧化物，其可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)等。在本實施例中，遮蔽層30可設於阻斷基板27的下表面與第二光阻斷層23B之間。

第二十九圖顯示本發明第十三實施例之底部發光型微發光二極體顯示器2900的剖面圖。相較於第十五B圖所示第六實施例，本實施例更包含防泛光(anti-floodlight)層32，設於第一主基板21A的底面且位於相鄰微發光二極體22之間，亦即設於(第一)光阻斷層23A相對應於第一主基板21A的另一側。第三十圖顯示本發明變化型第十三實施例之底部發光型微發光二極體顯示器2900的剖面圖。相較於第十五C圖所示變化型第六實施例，本實施例更包含防泛光層32，設於第一主基板21A的底面且位於相鄰微發光二極體22之間，亦即設於(第一)光阻斷層23A相對應於第一主基板21A的另一側。

微發光二極體22所產生的光線進入第一主基板21A後，部分會穿透第一主基板21A，部分會因全反射效應而沿著第一主基板21A作橫向擴散，因而干擾相鄰微光發二極體22或像素，造成泛光(floodlight)問題。本實施例的防泛光層32可吸收橫向擴散的光線，有效防止泛光問題。

本實施例的防泛光層32可包含黑矩陣(BM)。在一例子中，首先形成鉻/氧化鉻薄膜，再使用照相蝕刻（photo etching）技術以形成防泛光層32的黑矩陣。在另一例子中，首先形成黑樹脂（black resin），再使用光學製程（photo process）及固化（curing）製程以形成防泛光層32的黑矩陣。在又一例子中，使用噴墨印刷（ink-jet printing）技術及固化製程以形成防泛光層32的黑矩陣。防泛光層32除了可直接形成於第一主基板21A的表面，也可先形成於另一基板後，再貼附於第一主基板21A的表面。

前述防泛光層32設於相鄰微發光二極體22之間，然而防泛光層32也可設於相鄰像素之間。第三十一圖顯示本發明第十四實施例之底部發光型微發光二極體顯示器3100的剖面圖。相較於第十六B圖所示第七實施例，本實施例更包含防泛光層32，設於第一主基板21A的底面且位於相鄰像素之間，亦即設於(第一)光阻斷層23A相對應於第一主基板21A的另一側。第三十二圖顯示本發明變化型第十四實施例之底部發光型微發光二極體顯示器3100的剖面圖。相較於第十六C圖所示變化型第七實施例，本實施例更包含防泛光層32，設於第一主基板21A的底面且位於相鄰像素之間，亦即設於(第一)光阻斷層23A相對應於第一主基板21A的另一側。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

100 頂部發光型微發光二極體顯示器 200 頂部發光型微發光二極體顯示器 300 頂部發光型微發光二極體顯示器 400 頂部發光型微發光二極體顯示器 500 頂部發光型微發光二極體顯示器 600 頂部發光型微發光二極體顯示器 1400 底部發光型微發光二極體顯示器 1500 底部發光型微發光二極體顯示器 1600 底部發光型微發光二極體顯示器 1700 底部發光型微發光二極體顯示器 1800 底部發光型微發光二極體顯示器 1900 底部發光型微發光二極體顯示器 2000 底部發光型微發光二極體顯示器 2100 頂部發光型微發光二極體顯示器 2900 底部發光型微發光二極體顯示器 3100 底部發光型微發光二極體顯示器 11 主基板 12 微發光二極體 12R 紅色微發光二極體 12G 綠色微發光二極體 12B 藍色微發光二極體 21A 第一主基板 21B 第二主基板 22 微發光二極體 22R 紅色微發光二極體 22G 綠色微發光二極體 22B 藍色微發光二極體 23A 第一光阻斷層 23B 第二光阻斷層 24 發光區 25 導光層 26 連接結構 27 阻斷基板 28 (底/頂)共電極層 29 絕緣層 30 遮蔽層 31 絕緣層 32 防泛光層 d1 開口內徑 d2 開口內徑

第一圖顯示頂部發光型微發光二極體顯示器的簡化側視圖。第二A圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第二B圖顯示第二A圖的剖面圖。第二C圖顯示本發明變化型第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第二D圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。第三A圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第三B圖顯示第三A圖的剖面圖。第三C圖顯示本發明變化型第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第三D圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。第四A圖顯示本發明第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第四B圖顯示第四A圖的剖面圖。第四C圖顯示本發明變化型第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第五A圖顯示本發明第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第五B圖顯示第五A圖的剖面圖。第五C圖顯示本發明變化型第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第六圖顯示本發明第五實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第七A圖至第十三B圖顯示本發明實施例之形成頂部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。第十四圖顯示底部發光型微發光二極體顯示器的簡化側視圖。第十五A圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第十五B圖顯示第十五A圖的剖面圖。第十五C圖顯示本發明變化型第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第十五D圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。第十六A圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第十六B圖顯示第十六A圖的剖面圖。第十六C圖顯示本發明變化型第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第十六D圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。第十七A圖顯示本發明第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第十七B圖顯示第十七A圖的剖面圖。第十七C圖顯示本發明變化型第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第十八A圖顯示本發明第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。第十八B圖顯示第十八A圖的剖面圖。第十八C圖顯示本發明變化型第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第十九圖顯示本發明第十實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第二十A圖至第二十六B圖顯示本發明實施例之形成底部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。第二十七圖顯示本發明第十一實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第二十八圖顯示本發明第十二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第二十九圖顯示本發明第十三實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第三十圖顯示本發明變化型第十三實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第三十一圖顯示本發明第十四實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。第三十二圖顯示本發明變化型第十四實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。

Claims

一種頂部發光型微發光二極體顯示器，包含：一第一主基板；一底共電極層，設於該第一主基板的頂面；複數微發光二極體，設於該底共電極層之上；一第一光阻斷層，設於該底共電極層的上方，以定義複數發光區；一導光層，設於該些發光區內；複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體；一阻斷基板，位於該第一主基板與該第一光阻斷層的上方；一第二光阻斷層，形成於該阻斷基板的底面，該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域，其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區，該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊；及一遮蔽層，設於該阻斷基板與該第二光阻斷層之間，用以遮蔽電磁干擾。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構具相同圖樣。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含透明材質。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含非透明材質。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度大於該導光層的厚度。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度小於該導光層的厚度，該第一光阻斷層與該導光層相鄰的區域互相部分重疊，且該第一光阻斷層被該導光層部分覆蓋。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中每一該發光區相應於一微發光二極體。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中每一該發光區相應於一紅色微發光二極體、一綠色微發光二極體與一藍色微發光二極體。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該連接結構全面形成於該發光區內。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的開口內徑異於該第二光阻斷層的開口內徑。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第二光阻斷層為黑矩陣。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該阻斷基板的材質包含透光材質。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，更包含：一第二主基板，與該第一主基板位於同一水平面，但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板，該第一主基板與該第二主基板之上分別設有第一光阻斷層；其中該第一主基板與該第二主基板對應於同一個阻斷基板，且於該第一主基板與該第二主基板的相鄰處，該第一主基板的第一光阻斷層與該第二主基板的第一光阻斷層對應於同一個第二光阻斷層。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該遮蔽層包含透明導電材質。
根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些微發光二極體為長方形，且垂直縱列設置。
一種形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，包含：提供一第一主基板；形成複數微發光二極體於該第一主基板之上；形成第一光阻斷層於該第一主基板的上方，以定義複數發光區；形成一導光層於該些發光區內；形成複數連接結構於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體；形成一阻斷基板，位於該第一主基板與該第一光阻斷層的上方；形成一第二光阻斷層，形成於該阻斷基板的底面，該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域，其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區，該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊；及形成一遮蔽層，設於該阻斷基板與該第二光阻斷層之間，用以遮蔽電磁干擾。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構具相同圖樣。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含透明材質。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含非透明材質。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該些微發光二極體之前，更全面形成一導電層於該第一主基板的複數發光區內。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該些連接結構之前，更形成接觸洞於該些微發光二極體的頂面。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含：形成黑樹脂；及使用光學製程及固化製程處理該黑樹脂，以形成黑矩陣光阻斷層。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含：使用噴墨印刷技術及固化製程以形成黑矩陣光阻斷層。
根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含：形成鉻/氧化鉻薄膜；及使用照相蝕刻技術處理該鉻/氧化鉻薄膜，以形成黑矩陣光阻斷層。
一種底部發光型微發光二極體顯示器，包含：一第一主基板；複數微發光二極體，設於該第一主基板之上；一第一光阻斷層，設於該第一主基板的上方，以定義複數發光區；一導光層，設於該些發光區內；複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體；一頂共電極層，設於該第一光阻斷層與該些微發光二極體的頂面；一阻斷基板，位於該第一主基板的下方；一第二光阻斷層，形成於該阻斷基板的頂面，該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域，其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區，該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊；及一遮蔽層，設於該阻斷基板與該第二光阻斷層之間，用以遮蔽電磁干擾。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構具相同圖樣。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含透明材質。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含非透明材質。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度大於該導光層的厚度。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度小於該導光層的厚度，該第一光阻斷層與該導光層相鄰的區域互相部分重疊，且該第一光阻斷層被該導光層部分覆蓋。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中每一該發光區相應於一微發光二極體。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中每一該發光區相應於一紅色微發光二極體、一綠色微發光二極體與一藍色微發光二極體。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該連接結構全面形成於該發光區內。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一第二遮蔽層，設於該第一主基板與該第一光阻斷層之間，用以遮蔽電磁干擾。
根據申請專利範圍第40項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第二遮蔽層包含透明導電材質。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的開口內徑異於該第二光阻斷層的開口內徑。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第二光阻斷層為黑矩陣。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該阻斷基板的材質包含透光材質。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該遮蔽層包含透明導電材質。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含：一第二主基板，與該第一主基板位於同一水平面，但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板，該第一主基板與該第二主基板之上分別設有第一光阻斷層；其中該第一主基板與該第二主基板對應於同一個阻斷基板，且於該第一主基板與該第二主基板的相鄰處，該第一主基板的第一光阻斷層與該第二主基板的第一光阻斷層對應於同一個第二光阻斷層。
根據申請專利範圍第46項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一第三遮蔽層，設於該第二主基板與該第一光阻斷層之間，用以遮蔽電磁干擾。
根據申請專利範圍第47項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第三遮蔽層包含透明導電材質。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些微發光二極體為長方形，且垂直縱列設置。
根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一防泛光層，設於該第一主基板的底面，且位於相鄰微發光二極體或像素之間。
根據申請專利範圍第50項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該防泛光層設於該第一光阻斷層相對應於該第一主基板的另一側。
根據申請專利範圍第50項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該防泛光層包含黑矩陣。
根據申請專利範圍第52項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該黑矩陣包含鉻/氧化鉻、黑樹脂或噴墨。
一種形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，包含：提供一第一主基板；形成複數連接結構於複數發光區內；形成複數微發光二極體電性連接於該些連接結構之上；形成第一光阻斷層於該第一主基板的上方，以定義該些發光區，其涵蓋該些連接結構；形成一導光層於該些發光區內；形成一阻斷基板，位於該第一主基板的下方；形成一第二光阻斷層，形成於該阻斷基板的頂面，該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域，其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區，該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊；及形成一遮蔽層，設於該阻斷基板與該第二光阻斷層之間，用以遮蔽電磁干擾。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構具相同圖樣。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含透明材質。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含非透明材質。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該導光層或該第一光阻斷層之後，更全面形成一導電層於該第一主基板的複數發光區內。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該導電層之前，更形成接觸洞於該些微發光二極體的頂面。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含：形成黑樹脂；及使用光學製程及固化製程處理該黑樹脂，以形成黑矩陣光阻斷層。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含：使用噴墨印刷技術及固化製程以形成黑矩陣光阻斷層。
根據申請專利範圍第54項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含：形成鉻/氧化鉻薄膜；及使用照相蝕刻技術處理該鉻/氧化鉻薄膜，以形成黑矩陣光阻斷層。