CN107994127B - 具有发光区域和反射区域的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种具有发光区域和反射区域的显示装置，在非显示状态中用作镜面。显示装置可以包括布置在与下基板相对的上基板上的反射图案和半透明反射镜层。半透明反射镜层可以与反射图案并排设置。所述显示装置可包括：下基板；在下基板上的发光结构，包括按顺序堆叠的下电极、发光层和上电极；在所述发光结构上的上基板，包括与所述发光结构交叠的发光区域和设置在所述发光区域的外部的反射区域；在所述上基板的面对所述下基板的下表面上的反射图案，与所述上基板的反射区域交叠；以及在所述上基板的下表面上的半透明反射镜层，与所述上基板的发光区域交叠。因此，可以减少反射图像的非连续外观，且可以防止或减少因光的衍射而导致的反射图像劣化。

Description

具有发光区域和反射区域的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年10月26日申请的韩国专利申请No.10-2016-0139992的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种具有用于产生图像的发光区域和在非显示状态中用作镜面的反射区域的显示装置。
背景技术
一般地，诸如监视器、TV、笔记本电脑和数字照相机之类的电子设备包括实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
显示装置可以包括实现具体颜色的发光区域以便于显示图像。显示装置可以在不显示图像的非显示状态中用作镜面。例如，显示装置可以包括反射区域，在反射区域中设置具有高反射率的材料。反射区域可以设置在发光区域之间。
然而，在这种显示装置中，因为反射区域由于发光区域的存在是非连续设置的，当近距离观察从反射区域反射的反射图像时可以感觉或感知到格子(lattice)的感觉(例如非连续外观或可见图案)。还有，在高分辨率显示装置中，由于发光区域与反射区域之间的光的衍射，图像的质量会变差。
发明内容
因此，本发明的实施方式旨在提供一种具有发光区域和反射区域的显示装置，其基本消除了由于相关技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的实施方式的一个目的是提供一种显示装置，其中可以减少反射图像的格子感(例如非连续外观或可见图案)。
本发明的实施方式的另一个目的是提供一种能够防止发光区域与反射区域之间发生光衍射的显示装置。
本发明的实施方式的另外的优点、目的和特征部分地将在下面的描述中阐明，部分地将在所属领域普通技术人员研究了下面的描述之后变得显而易见或者可以从本发明的实施方式的实施中获得获悉。本发明的实施方式的这些目的和其他优点可以由在书面描述及其权利要求书和附图中具体指出的结构实现和达到。
为了实现这些目的和其他优点并且根据本发明的实施方式的意图，正如这里具体体现和广义描述的，提供了一种显示装置，下基板；在所述下基板上的发光结构，所述发光结构包括按顺序堆叠的下电极、发光层和上电极；在所述发光结构上的上基板，所述上基板包括与所述发光结构交叠的发光区域和设置在所述发光区域的外部的反射区域；在所述上基板的面对所述下基板的下表面上的反射图案，所述反射图案与所述上基板的反射区域交叠；以及在所述上基板的下表面上的半透明反射镜层，所述半透明反射镜层与所述上基板的发光区域交叠。
在所述上基板的发光区域中所述半透明反射镜层的可面对所述上基板的上表面可与在所述上基板的反射区域中所述反射图案的可面对所述上基板的上表面共面。
所述半透明反射镜层可延伸到所述反射图案的面对所述下基板的下表面上。
可在所述反射图案的下表面与所述半透明反射镜层之间设置掩模图案。
在所述半透明反射镜层的可面对所述下基板的下表面上可设置半透明反射镜钝化层。
在所述上基板的下表面上可设置上缓冲层。所述反射图案和所述半透明反射镜层可设置在所述上缓冲层的下表面上。
在所述发光结构与所述半透明反射镜层之间可设置滤色器。
所述滤色器可延伸到所述反射图案的下表面上。
为了实现本发明的其它目的，一种显示装置包括：下基板和与所述下基板相对的上基板；在所述下基板上的下电极；在所述下基板上的堤部绝缘层，所述堤部绝缘层覆盖所述下电极的边缘；在所述下电极的由所述堤部绝缘层暴露的表面上的发光层；在所述发光层上的上电极；在所述上基板上的反射图案，所述反射图案与所述堤部绝缘层交叠；以及在所述上基板的由所述反射图案暴露的表面上的半透明反射镜层。
所述反射图案可与所述上基板直接接触，所述半透明反射镜层可在所述反射图案的外部与所述上基板直接接触。
所述半透明反射镜层的边缘可与所述反射图案交叠。
所述半透明反射镜层的边缘可设置在所述上基板与所述反射图案之间。
所述半透明反射镜层可包括与所述反射图案相同的材料。
为了实现本发明的其它目的，一种显示装置包括：下基板；在所述下基板上的发光结构；在所述发光结构上的上基板，所述上基板包括与所述发光结构交叠的发光区域和与所述发光区域隔开的反射区域；以及在所述上基板上的半透明反射镜层，所述半透明反射镜层具有与所述反射区域交叠的凹入部。
附图说明
用来对本发明提供进一步的理解并且结合在本申请中构成本申请的一部分的附图图示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在这些图中：
图1是示意性地示出了根据本发明的一个实施方式的显示装置的横截面视图；
图2是示意性地示出了根据本发明的实施方式的显示装置的俯视图；以及
图3到8分别是根据本发明的其他实施方式的显示装置的各种示例。
具体实施方式
下文中，通过下面参照示出了本发明的一些实施方式的附图进行的详细描述将会更清楚地理解与本发明实施方式的上述目的、技术结构和操作效果相关的细节。在这种情形下，提供本发明的实施方式是为了将本发明的技术精神很好地传递给所属领域的技术人员(或由所属领域的技术人员理解)，因而本发明可以以其他形式具体体现而并不局限于下面描述的实施方式。
此外，整个说明书中相同的或者非常相似的元件可以由相同的参考符号表示，且为了方便起见，在这些图中，层和区域的长度和厚度可能增大。将会理解的是，当第一元件被称为在第二元件“上”时，虽然第一元件可以设置在第二元件上以便于与第二元件接触，但是也可以在第一元件与第二元件之间设置第三元件。
在这种情形下，比如“第一”和“第二”之类的术语可以用于将任一个元件与另一个元件区别开来。然而，第一元件和第二元件可以根据所属领域技术人员的方便来任意命名而不脱离本发明实施方式的技术精神。
用在本发明的说明书中的术语仅用于描述具体的实施方式，并不旨在限制本发明的范围。此外，在本发明的说明书中，将会进一步理解的是术语“包含”和“包括”说明了所叙述的特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或它们的结合的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或它们的结合的存在或添加。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义。将会进一步理解的是，诸如那些在通用词典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，不应该以理想化的或者过度形式化的含义来解释，除非本文有明确定义。
图1是示意性地示出了根据本发明的一个实施方式的显示装置的横截面视图。图2是示意性地示出了根据本发明的实施方式的显示装置的俯视图。根据本发明的所有实施方式的显示装置的所有组件均是可操作地连接和配置的。
参见图1和2，根据本发明的实施方式的显示装置可包括下基板110、薄膜晶体管120、发光结构140B，140R，140G和140W、上基板210、反射图案220和半透明反射镜层(half-mirror layer)230。
下基板110可以支撑薄膜晶体管120和发光结构140B，140R，140G和140W。薄膜晶体管120和发光结构140B，140R，140R和140W重复地设置在下基板110上。下基板110可以包括绝缘材料。例如，下基板110可以包括玻璃或塑料。
下基板110可以包括发光区域BEA，REA，GEA和WEA以及一个或多个反射区域RA。反射区域RA可以设置在发光区域BEA，REA，GEA和WEA的外部。发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以彼此间隔开。例如，反射区域RA可以设置在发光区域BEA，REA，GEA和WEA之间。虽然图1和2仅示出了一组，但是在本发明的实施方式中，对于下基板110，发光区域BEA，REA，GEA和WEA以及一个或多个反射区域RA重复地设置。
下基板110可以包括发光区域BEA，REA，GEA和WEA，它们实现(或提供)了彼此不同颜色的光。例如，下基板110可以包括用于实现蓝色(或提供蓝色光)的蓝色发光区域BEA、用于实现红色(或提供红色光)的红色发光区域REA、用于实现绿色(或提供绿色光)的绿色发光区域GEA和用于实现白色(或提供白色光)的白色发光区域WEA。
发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以设置在第一方向X和与第一方向X垂直的第二方向Y上。例如，反射区域RA可以是网格(mesh)形状。第三方向Z可垂直于由第一方向X和第二方向Y限定的平面。例如，下基板110在第三方向Z上的距离可以是下基板110的厚度。设置在第一方向X上的发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以具有不同于设置在第二方向Y上的发光区域BEA，REA，GEA和WEA的关系或布置。例如，在第一方向X上相邻的发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以实现彼此不同的颜色，在第二方向Y上相邻的发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以实现或显示相同的颜色。
发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以在第一方向X和第二方向Y上具有不同的长度。例如，每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以是矩形形状。每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA在第二方向Y上的长度可以比每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA在第一方向X上的长度长。
在第一方向X上相邻的发光区域BEA，REA，GEA和WEA之间的距离可以比每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA在第一方向X上的长度短。反射区域RA在第一方向X上的长度可以比每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA在第一方向X上的长度小。在第二方向Y上相邻的发光区域BEA，REA，GEA和WEA之间的距离可以比每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA在第二方向Y上的长度短。第二方向Y上的反射区域RA的长度可以比每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA在第二方向Y上的长度小。
薄膜晶体管120可以设置在下基板110上。例如，薄膜晶体管120可以与下基板110的面对上基板210的上表面直接接触。例如，每个薄膜晶体管120可以包括与下基板110接触的栅极、在栅极上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的半导体图案、连接到半导体图案的一部分的源极以及连接到半导体图案的另一部分的漏极。每个薄膜晶体管120还可以包括在源极与漏极之间覆盖半导体图案的蚀刻阻挡件(etch stopper)。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的薄膜晶体管120与下基板110直接接触。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置还可以在下基板110与薄膜晶体管120之间包括下缓冲层。下缓冲层可以包括绝缘材料。例如，下缓冲层可以是硅氧化物。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的每个薄膜晶体管120包括在下基板110与半导体图案之间的栅极。然而，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，每个薄膜晶体管120的半导体图案可以设置在下基板110与栅极之间。
根据本发明实施方式的显示装置还可以包括平坦化层130以便于消除由于薄膜晶体管120导致的不同厚度。例如，平坦化层130的面对上基板210的上表面可以是平坦的表面。平坦化层130的上表面可以与下基板110的上表面平行。薄膜晶体管120可以完全由平坦化层130覆盖。平坦化层130可以包括绝缘材料。例如，平坦化层130可以包括硅氧化物。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的薄膜晶体管120与平坦化层130直接接触。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置还可以在薄膜晶体管120与平坦化层130之间包括下钝化层。下钝化层可以包括绝缘材料。下钝化层可以包括不同于平坦化层130的材料。例如，下钝化层可以包括硅氮化物。
发光结构140B，140R，140G和140W可以分别实现具体的颜色。例如，每个发光结构140B，140R，140G和140W可以分别包括按顺序堆叠的下电极141B，141R，141G和141W、发光层142和上电极143。
发光结构140B，140R，140G和140W可以分别设置在下基板110的发光区域BEA，REA，GEA和WEA处。例如，发光结构140B，140R，140G和140W可以包括在下基板110的蓝色发光区域BEA处的蓝色发光结构140B、在下基板110的红色发光区域REA处的红色发光结构140R、在下基板110的绿色发光区域GEA处的绿色发光结构140G和在下基板110的白色发光区域WEA处的白色发光结构140W。
发光结构140B，140R，140G和140W可以通过薄膜晶体管120选择性地产生光。例如，每个发光结构140B，140R，140G和140W的下电极141B，141R，141G和141W可以电连接到与相应的发光区域BEA，REA，GEA和WEA相关的薄膜晶体管120。发光结构140B，140R，140G和140W可以设置在平坦化层130上。例如，平坦化层130可以包括将每个薄膜晶体管120的一部分暴露的接触孔。
下电极141B，141R，141G和141W可以包括具有高反射率的材料。例如，下电极141B，141R，141G和141W可以包括诸如铝(Al)和银(Ag)的至少之一之类的金属。下电极141B，141R，141G和141W可以具有多层结构。例如，下电极141B，141R，141G和141W可以具有如下结构：包括具有高反射率的材料的反射电极位于包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的至少之一之类的透明导电材料的透明电极之间。
每个发光结构140B，140R，140G和140W的下电极141B，141R，141G和141W可以与相邻的发光结构140B，140R，140G和140W的下电极141B，141R，141G和141W电绝缘。例如，下电极141B，141R，141G和141W可以彼此间隔开。
根据本发明实施方式的显示装置还可以在相邻的下电极141B，141R，141G和141W之间包括堤部(bank)绝缘层150。堤部绝缘层150可以填充相邻的下电极141B，141R，141G和141W之间的空间。例如，堤部绝缘层150可以与下基板110的反射区域RA交叠。堤部绝缘层150可以覆盖每个下发光电极141B，141R，141G和141W的边缘。堤部绝缘层150可以包括绝缘材料。例如，堤部绝缘层150可以包括有机绝缘材料，比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和光丙烯(photo-acryl)中的至少一种。
可以在相应的发光结构140B，140R，140G和140W的下发光电极141B，141R，141G和141W的由堤部绝缘层150暴露的一部分上设置发光层142。例如，发光层142可以设置在下发光电极141B，141R，141G和141W的位于下基板110的相应发光区域BEA，REA，GEA和WEA处的表面上。
发光层142可以产生亮度与相应发光结构140B，140R，140G和140W的下电极141B，141R，141G和141W与上电极143之间的电压差相对应的光。例如，发光层142可以包括具有发光材料的发光材料层(EML)。发光材料可以包括有机材料、无机材料或者混合材料。例如，根据本发明实施方式的显示装置可以是具有有机发光层的有机发光显示装置。
发光层142可以具有多层结构以便于增大发光功效。例如，发光层142还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
上电极143可以设置在发光层142上。在本发明的实施方式中，上电极143可以包括导电材料。在本发明的实施方式中，上电极143可以包括透明材料。在本发明的实施方式中，上电极143可以包括透明导电材料。上电极143可以包括不同于下电极141B，141R，141G和141W的材料。例如，下电极141B，141R，141G和141W可以是阳极，上电极143可以是阴极。
上基板210可以与下基板110相对。例如，上基板210可以设置在发光结构140B，140R，140G和140W上。在本发明的实施方式中，上基板210可以包括绝缘材料。在本发明的实施方式中，上基板210可以包括透明材料。在本发明的实施方式中，上电极210可以包括透明绝缘材料。例如，上基板210可以包括玻璃或塑料。
上基板210可以包括发光区域BEA，REA，GEA和WEA以及一个或多个反射区域RA。在本发明的实施方式中，对于上基板210，发光区域BEA，REA，GEA和WEA以及一个或多个反射区域RA重复地设置。上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以分别与下基板110的发光区域BEA，REA，GEA和WEA交叠。例如，上基板210可以包括与蓝色发光结构140B交叠的蓝色发光区域BEA、与红色发光结构140R交叠的红色发光区域REA、与绿色发光结构140G交叠的绿色发光区域GEA和与白色发光结构140W交叠的白色发光区域WEA。上电极210的反射区域RA可以与下基板110的反射区域RA交叠。例如，上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA可以分别由上基板210的反射区域RA围绕。
在上基板210的反射区域RA上可以设置反射图案220。反射图案220可以与下基板110的反射区域RA交叠。例如，反射图案220可以与堤部绝缘层150交叠。上基板210的反射区域RA可以由反射图案220覆盖。例如，反射图案220可以是网格形状。反射图案220可以设置在下基板110与上基板210之间。例如，反射图案220可以设置在上基板210的面对下基板110的下表面上。
反射图案220可以反射入射光。反射图案220可以包括具有高反射率的材料。反射图案220可以包括与下电极141B，141R，141G和141W的反射电极的材料相同的材料。例如，反射图案220可以包括金属，比如铝(Al)和银(Ag)中的至少一种。
可以在上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA上设置半透明反射镜层230。上基板210的由反射图案220暴露的下表面可以由半透明反射镜层230覆盖。在本发明的实施方式中，反射图案220的多个部分可以分别与上基板210的多个部分接触。
半透明反射镜层230可以部分地反射外部入射光。例如，入射在半透明反射镜层230上的仅大约一半的外部光可以被透过。在本发明的实施方式中，可以被透射的外部光的量可以大于一半或小于一半。半透明反射镜层230可以包括反射材料。半透明反射镜层230的厚度可以小于反射图案220的厚度。半透明反射镜层230可以包括与反射图案220的材料相同的材料。例如，半透明反射镜层230可以包括金属，比如铝(Al)和银(Ag)中的至少一种。
根据本发明实施方式的显示装置可以包括半透明反射镜层230，半透明反射镜层230覆盖上基板210的由反射图案220暴露的表面。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，在没有显示图像的非显示状态中，外部入射光不仅可以在上基板210的反射区域RA处被反射，而且可以在上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA处被反射。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以大大减少非显示状态中反射图像的格子感(例如非连续外观或可见图案)。
还有，根据本发明实施方式的显示装置可以包括其中反射图案220和半透明反射镜层230可以并排设置的上基板210。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以防止或减少上基板210的相邻反射区域RA之间的光衍射。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以防止或减小因光衍射造成的图像劣化。
上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA中半透明反射镜层230的面对上基板210的上表面可以与上基板210的反射区域RA中反射图案220的面对上基板210的上表面共面。即，在根据本发明实施方式的显示装置中，反射图案220的上表面可以与上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA中半透明反射镜层230的上表面连续。例如，在根据本发明实施方式的显示装置中，反射图案220的多个部分可以与上基板210的反射区域RA直接接触，半透明反射镜层230可以与上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA直接接触。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，因反射图案220产生的反射图像和银半透明反射镜层230产生的反射图像在非显示状态中可以具有相同的焦点或者反射率。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以进一步减少非显示状态中反射图像的格子感。
半透明反射镜层230或其多个部分可以延伸到反射图案220的面对下基板110的下表面上。即，形成根据本发明实施方式的显示装置的方法可包括在上基板210的反射区域RA上形成反射图案220的步骤以及在形成有反射图案220的上基板210的整个表面上形成半透明反射镜层230的步骤。在本发明的实施方式中，反射图案220可以被半透明反射镜层230容纳。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以简化包括反射图案220和半透明反射镜层230的上基板210的生产工艺。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以减少反射图像的格子感，并且可以在生产效率没有明显变化的条件下防止或减少由于光的衍射导致的图像劣化。
在根据本发明实施方式的显示装置中，发光结构140B，140R，140G和140W可以实现相同的颜色。例如，每个发光结构140B，140R，140G和140W可以包括由相同材料形成的发光层142。例如，每个发光结构140B，140R，140G和140W的发光层142可以彼此连接。发光结构140B，140R，140G和140W的发光层142可以延伸到堤部绝缘层150上。例如，发光层142可以实现或发射白色。每个发光结构140B，140R，140G和140W的上电极143可以沿着发光层142延伸。例如，发光结构140B，140R，140G和140W的上电极143可以彼此连接。
根据本发明实施方式的显示装置还可以包括滤色器240B，240R和240G以便于在发光区域BEA，REA，GEA和WEA中实现相应的颜色。滤色器240B，240R和240G可以不设置在与发光结构140B，140R，140G和140W的发光层142实现相同颜色的发光区域BEA，REA，GEA和WEA处。例如，滤色器240B，240R和240G可以包括用于实现蓝色的蓝色滤色器240B、用于实现红色的红色滤色器240R和用于实现绿色的绿色滤色器240G。
滤色器240B，240R和240G可以设置在发光结构140B，140R，140G和140W与半透明反射镜层230之间。例如，滤色器240B，240R和240R可以靠近半透明反射镜层230设置。每个滤色器240B，240R和240G的边缘可以延伸到反射图案220的下表面上。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以不形成用于防止或减少由于滤色器的存在而导致的颜色混合的黑矩阵。
在根据本发明实施方式的显示装置中，其中形成有反射图案220和半透明反射镜层230的上基板210可以通过粘结剂层300连接到其中形成有发光结构140B，140R，140G和140W的下基板110。因此，根据本发明实施方式的显示装置还可以包括在发光结构140B，140R，140G和140W上的器件钝化层160和在滤色器240B，240R和240G上的上钝化层250。
因此，根据本发明实施方式的显示装置可以包括覆盖上基板的与发光结构140B，140R，140G和140W交叠的区域的半透明反射镜层230以及覆盖上基板210的与堤部绝缘层150交叠的区域的反射图案220，以便于可以减少反射图像的格子感并可以防止或减少因光的衍射导致的图像劣化。在根据本发明实施方式的显示装置中，因为从每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA发射的光穿过半透明反射镜层230，所以可以降低每个发光区域BEA，REA，GEA和WEA的每单位面积的亮度。然而，在根据本发明实施方式的显示装置中，上基板210的整个区域在非显示状态中可用作镜面。此外，根据本发明实施方式的显示装置通过将上基板210的反射区域RA限制为仅与堤部绝缘层150交叠的区域，可以使上基板210的发光区域BEA，REA，GEA和WEA最大化，如图2中所示。因此，在根据本发明实施方式的显示装置中，可以增大总体的发光功效。
在本发明的一个实施方式中，半透明反射镜层230可以具有相对于上基板210的下表面的凹入部。半透明反射镜层230的凹入部与反射区域RA交叠。在本发明的一个实施方式中，反射图案220可以容纳在半透明反射镜层230的凹入部中。在本发明的一个实施方式中，半透明反射镜层230可以具有相对于上基板210的下表面的非凹入部。半透明反射镜层230的非凹入部与发光区域(例如BEA)交叠。在本发明的一个实施方式中，半透明反射镜层230的非凹入部可以与上基板210直接接触。在本发明的一个实施方式中，半透明反射镜层230的非凹入部的形状可以是矩形(例如见图2)。在本发明的一个实施方式中，可以在半透明反射镜层230的非凹入部中设置滤色器(例如240B)。在本发明的一个实施方式中，半透明反射镜层230的凹入部可以围绕半透明反射镜层230的非凹入部(例如见图2)。在本发明的一个实施方式中，半透明反射镜层230的非凹入部和反射图案220可以在上基板210上共面。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的半透明反射镜层230与滤色器240B，240R和240G直接接触。然而，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，可以在半透明反射镜层230的下表面上设置半透明反射镜钝化层260，在半透明反射镜钝化层260上可以设置滤色器240B，240R和240G，如图3中所示。半透明反射镜钝化层260可以包括能够防止或减少反射图案220和半透明反射镜层230的氧化的材料。例如半透明反射镜钝化层260可以是硅氧化物和/或硅氮化物。半透明反射镜钝化层260可以具有多层结构。因此，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，可以防止或减少由于反射图案220和半透明反射镜层230的氧化而导致的特性退化。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的反射图案220和半透明反射镜层230与上基板210直接接触。然而，根据本发明另一个实施方式的显示装置还可以包括与上基板210的下表面接触的上缓冲层270，如图4中所示。反射图案220和半透明反射镜层230可以设置在上缓冲层270上。上缓冲层270可以包括能够增强反射图案220与上基板210之间以及半透明反射镜层230与上基板210之间的粘结性的材料。例如，上缓冲层270可以包括ITO或IZO。因此，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，可以稳定实施由反射图案220和半透明反射镜层230带来的镜面功能。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的反射图案220的下表面与半透明反射镜层230直接接触。然而，根据本发明另一个实施方式的显示装置还可以包括在反射图案220的下表面与半透明反射镜层230之间的掩模图案280，如图5中所示。即，形成根据本发明另一个实施方式的显示装置的方法可包括使用掩模图案280形成反射图案220的步骤以及在没有移除掩模图案280的上基板210上形成半透明反射镜层230的步骤。因此，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，可以进一步提高生产效率。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的半透明反射镜层230延伸到反射图案220的下表面上。然而，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，半透明反射镜层230的边缘可以与反射图案220的边缘交叠。例如，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，半透明反射镜层230的边缘可以设置在上基板210与反射图案220之间，如图6中所示。即，形成根据本发明另一个实施方式的显示装置的方法可以包括在上基板210上形成半透明反射镜层230的步骤以及在半透明反射镜层230上形成反射图案220的步骤。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的滤色器240B，240R和240G设置在其中形成有半透明反射镜层230的上基板210上。然而，根据本发明另一个实施方式的显示装置可以包括靠近发光结构140B，140R，140G和140W的滤色器170B，170R和170G，如图7中所示。根据本发明另一个实施方式的显示装置还可以包括在滤色器170B，170R和170G上的中间钝化层180。中间钝化层180可以防止或减少形成滤色器170B，170R和170G的步骤对发光结构140B，140R，140G和140W造成的损坏。
描述了根据本发明实施方式的显示装置的发光结构140B，140R，140G和140W实现或提供了相同的颜色。然而，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，在相应发光区域BEA，REA，GEA和WEA处的每个发光结构140B，140R，140G和140W可以包括与相邻的发光结构140B，140R，140G和140W隔开的发光层142B，142R，142G和142W，如图8中所示。例如，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，蓝色发光结构140B可以包括蓝色发光层142B，红色发光结构140R可以包括红色发光层142R，绿色发光结构140G可以包括绿色发光层142G，白色发光结构140W可以包括白色发光层142W。发光层142B，142R，142G和142W可以在堤部绝缘层150上隔开。因此，在根据本发明另一个实施方式的显示装置中，可以不使用滤色器。
根据本发明的这些实施方式的显示装置可以减少反射图像的格子感(例如非连续外观或可见图案)。此外，在根据本发明的这些实施方式的显示装置中，可以防止或减少由于光的衍射导致的图像劣化。因此，在根据本发明的这些实施方式的显示装置中，可以提高图像的质量。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上的发光结构，所述发光结构包括按顺序堆叠的下电极、发光层和上电极；
在所述下基板上的堤部绝缘层，所述堤部绝缘层覆盖所述下电极的边缘；
在所述发光结构上的上基板，所述上基板包括与所述发光结构交叠的发光区域和与所述发光区域分开的反射区域；
在所述上基板和所述堤部绝缘层之间的反射图案，所述反射图案与所述上基板的反射区域交叠；
在所述上基板和所述发光结构之间的半透明反射镜层，所述半透明反射镜层与所述上基板的发光区域交叠；以及
在所述发光结构和所述半透明反射镜层之间的半透明反射镜钝化层，
其中，所述半透明反射镜层和所述半透明反射镜钝化层中的每一个包括与所述反射图案交叠的部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述上基板的发光区域中所述半透明反射镜层的面对所述上基板的上表面与在所述上基板的反射区域中所述反射图案的面对所述上基板的上表面共面。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述反射图案的下表面与所述半透明反射镜层之间的掩模图案。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述上基板与所述反射图案之间的上缓冲层，
其中所述上缓冲层在所述上基板与所述半透明反射镜层之间延伸。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述发光结构与所述半透明反射镜层之间的滤色器。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述滤色器延伸到所述反射图案的面对所述下基板的下表面上。
7.一种显示装置，包括：
下基板和与所述下基板相对的上基板；
在所述下基板上的下电极；
在所述下基板上的堤部绝缘层，所述堤部绝缘层覆盖所述下电极的边缘；
在所述下电极的由所述堤部绝缘层暴露的表面上的发光层；
在所述发光层上的上电极；
在所述上基板和所述堤部绝缘层之间的反射图案，所述反射图案与所述堤部绝缘层交叠；
在所述上基板和所述上电极之间的半透明反射镜层，所述半透明反射镜层与所述上基板的被所述反射图案暴露的部分交叠；以及
在所述上电极和所述反射图案之间并且在所述上电极和所述半透明反射镜层之间的半透明反射镜钝化层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述反射图案与所述上基板直接接触，所述半透明反射镜层在所述反射图案的外部与所述上基板直接接触。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层的边缘与所述反射图案交叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层的边缘设置在所述上基板与所述反射图案之间。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层包括与所述反射图案相同的材料。
12.一种显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上的发光结构；
在所述发光结构上的上基板，所述上基板包括与所述发光结构交叠的发光区域和与所述发光区域隔开的反射区域；
在所述上基板和所述下基板之间的反射图案，所述反射图案与所述上基板的所述反射区域交叠；
在所述上基板和所述发光结构之间的半透明反射镜层，所述半透明反射镜层包括与所述上基板的所述发光区域交叠的部分；以及
在所述发光结构和所述反射图案之间并且在所述发光结构和所述半透明反射镜层之间的半透明反射镜钝化层，
其中，所述半透明反射镜层具有与所述反射区域交叠的凹入部。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述反射图案容纳在所述半透明反射镜层的凹入部中。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层还包括与所述发光区域交叠的非凹入部，并且
其中所述半透明反射镜层的非凹入部与所述上基板直接接触。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层的非凹入部是矩形形状。
16.根据权利要求14所述的显示装置，还包括设置在所述半透明反射镜层的非凹入部中的滤色器。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层的凹入部围绕所述半透明反射镜层的非凹入部。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述半透明反射镜层的非凹入部和所述反射图案在所述上基板上是共面的。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102168720B1 (ko) * 2018-07-24 2020-10-22 엘지디스플레이 주식회사 미러 기능을 갖는 표시장치
CN110767678B (zh) * 2018-08-06 2024-03-29 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示屏及显示终端
TWI708101B (zh) * 2019-07-05 2020-10-21 友達光電股份有限公司 畫素結構及顯示裝置
CN111354871A (zh) * 2020-03-11 2020-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极体显示面板、彩膜基板及其制作方法
TWI784679B (zh) * 2021-08-19 2022-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060134316A (ko) * 2005-06-22 2006-12-28 삼성전자주식회사 액정표시장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8334012B2 (en) * 2004-12-20 2012-12-18 Palo Alto Research Center Incorporated Method for preprinting and/or reliquifying subpixels to achieve color uniformity in color filters
JP4905105B2 (ja) * 2006-04-28 2012-03-28 株式会社豊田自動織機 表示装置
JP5315761B2 (ja) * 2008-04-15 2013-10-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101013369B1 (ko) * 2008-07-03 2011-02-14 삼성전자주식회사 휴대 단말기의 표시 장치
TW201031254A (en) 2009-02-13 2010-08-16 Tpo Displays Corp Illumination device, method of fabricating the same, and system for displaying images utilizing the same
JP5531744B2 (ja) * 2010-04-13 2014-06-25 住友電気工業株式会社 半導体ウエハ、受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置、および半導体ウエハの製造方法
KR101976068B1 (ko) * 2012-12-06 2019-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103268921B (zh) 2012-12-31 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 制造woled的方法、woled及显示设备
KR102031648B1 (ko) * 2013-04-18 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102184677B1 (ko) 2014-01-13 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104979375A (zh) 2015-05-28 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR102534107B1 (ko) 2016-03-24 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060134316A (ko) * 2005-06-22 2006-12-28 삼성전자주식회사 액정표시장치

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