CN109273490B - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括：COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、阵列基板以及触控面板，阵列基板包括PI层以及位于PI层上的多个像素电路；第一FPC基板固定在COF基板的第一侧，COF基板的第二侧固定在PI层的边缘，第二FPC基板固定在触控面板的边缘，第二FPC基板与COF基板位于显示面板相对的两侧；第一FPC基板上设置有电源管理集成电路，第二FPC基板上设置有触控集成电路，且COF基板上还设置有驱动集成电路；每个像素电路中均包含有一个发光二极管，像素电路用于接收电源管理集成电路或者驱动集成电路输出的VDD电压以及触控集成电路输出的VSS电压，控制发光二极管发光。本发明可以提高显示面板的亮度。

Description

一种显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着三星S8/Note8柔性OLED显示屏手机系列的大获成功，特别是Iphone X也采用了OLED显示屏,表明柔性显示是未来极具竞争优势的显示技术。然而因OLED显示屏内部电源走线不可避免的会引入电阻，当电源走线上有电流时，会产生电压降，这些电流用于驱动显示屏内部的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)发光，电源走线上产生的电压降会导致显示屏内部的TFT的电流有变化，使得显示屏的亮度也会不均匀。
一般OLED显示屏的电源布线如图1所示，图2为OLED显示屏上像素发光时的电流图，图3为OLED显示屏中VDD电压的布线图，图4为OLED显示屏中VSS电压的布线图。图3、4中，1’为阵列基板，2’为金属线，3’为COF(覆晶薄膜)，4’和8’均为FPC(柔性电路板)，5’为驱动集成电路(Driver Integrated Circuit，DIC)，6’和9’均为连接器，7’为电源管理集成电路(Power Management Integrated Circuit，PMIC)，10’为触控集成电路(Touch IntegratedCircuit，TIC)。由于显示屏上VDD电压接入端和VSS电压接入端分布在显示屏上相对的两侧，如图1所示，VDD电压和VSS电压均由靠近VDD电压接入端的电源管理集成电路供电，这样会导致电源管理集成电路与VSS电压接入端之间的金属走线的有效长度大于电源管理集成电路与VDD电压接入端之间的金属走线的有效长度，由于金属走线上存在电阻，所以VSS电压接入端的电压降(IR drop)总是比VDD电压接入端的电压降高，而且在不同像素上，VDD电压因金属走线的电阻而减小的量和VSS电压因金属走线的电阻而升高的量也不同，例如从像素P(n+1)到像素P(n-1)的方向，越靠近驱动集成电路的像素，其对应的VSS电压端的电压降在整个电源走线上的电压降所占的比重越来越大，远离驱动集成电路的的像素，其对应的VDD电压端的电压降在整个电源走线上的电压降所占的比重越来越大，而且VDD电压端的电压降引起的亮度变化是非线性的。VSS电压的电压降和VDD电压的电压降会使得像素两端的有效电压减小，导致像素发光亮度会减小，当VSS电压的电压降绝对值越大，则像素的发光亮度就会越小。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板及其制备方法，可以提高显示面板的亮度。
本发明提供的一种显示面板，包括：COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、阵列基板以及位于所述阵列基板上的触控面板，所述阵列基板包括PI层以及位于所述PI层上的多个像素电路；
所述第一FPC基板固定在所述COF基板的第一侧，所述COF基板的第二侧固定在所述PI层上，所述第二FPC基板固定在所述触控面板的边缘，所述第二FPC基板与所述COF基板位于显示面板相对的两侧；
所述第一FPC基板上设置有电源管理集成电路，所述第二FPC基板上设置有触控集成电路，且所述COF基板上还设置有驱动集成电路；
每个像素电路中均包含有一个发光二极管，且所述像素电路分别与所述电源管理集成电路、所述驱动集成电路以及所述触控集成电路电性连接，所述像素电路用于接收所述电源管理集成电路或者所述驱动集成电路输出的VDD电压以及所述触控集成电路输出的VSS电压，并将所述VDD电压输送至所述发光二极管的阳极，以及将所述VSS电压输送至所述发光二极管的阴极，控制所述发光二极管发光。
优选地，所述像素电路还包含有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源管理集成电路和所述驱动集成电路电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述发光二极管的阳极连接。
优选地，所述像素电路包括：位于所述PI层上的有源层、位于所述有源层上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的多个栅极和层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述多个栅极，所述层间绝缘层上制备有多个源极和多个漏极，所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上设置有多个第一过孔，所述多个源极和所述多个漏极均穿过所述多个第一过孔与所述有源层连接；
其中，所述多个源极、所述多个漏极、所述多个栅极，以及所述有源层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层划分为所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管。
优选地，在所述层间绝缘层的上方还制备有平坦层，所述平坦层覆盖所述多个源极和所述多个漏极；
在所述平坦层的上方制备有所述发光二极管。
优选地，所述发光二极管包括阳极、位于所述阳极上方的发光层、位于所述发光层上方的阴极；
所述平坦层的上方还制备有像素定义层，所述像素定义层包围所述发光二极管且将所述阴极露出；
所述平坦层上设置有第二过孔，所述阳极穿过所述第二过孔与所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接。
优选地，在所述第一薄膜晶体管的源极上方的平坦层和像素定义层上还设置有第三过孔，在所述像素定义层上还制备有第一金属线，所述第一金属线通过所述第三过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电性连接，且所述第一金属线还与到与电源管理集成电路电性连接；
在所述像素定义层的上方制备有封装层，所述封装层上制备有第二金属线，且所述封装层上还设置有第四过孔，所述第二金属线通过所述第四过孔与所述阴极电性连接；
所述触控面板通过框胶与所述封装层粘接在一起；
所述第二金属线还绕过所述触控面板的边缘与所述触控面板的绑定区绑定，所述触控面板的绑定区与所述触控集成电路电性连接。
优选地，所述第一FPC基板上还设置有第一连接器，所述第二FPC基板上还设置有第二连接器；
所述驱动集成电路以及所述电源管理集成电路通过所述第一连接器与处理器电性连接；
所述触控集成电路通过所述第二连接器与处理器电性连接。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括下述步骤：
在PI层上制备多个像素电路，形成阵列基板；每个像素电路中均包含有一个发光二极管，所述像素电路用于将VDD电压输送至所述发光二极管的阳极，以及将VSS电压输送至所述发光二极管的阴极，控制所述发光二极管发光；
将设置有电源管理集成电路的第一FPC基板固定在设置有驱动集成电路的COF基板的第一侧，并将所述COF基板的第二侧固定在所述PI层上，将所述电源管理集成电路以及所述驱动集成电路与所述像素电路建立电性连接；所述电源管理集成电路和所述驱动集成电路均用于输出VDD电压；
将边缘固定有第二FPC基板的触控面板粘接到所述阵列基板上，使得所述第二FPC基板与所述COF基板位于显示面板相对的两侧，所述第二FPC基板上设置有用于输出VSS电压的触控集成电路；
将所述触控集成电路与所述像素电路建立电性连接。
优选地，所述像素电路还包含有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源管理集成电路和所述驱动集成电路电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述发光二极管的阳极连接；
在PI层上制备多个像素电路，包括下述步骤：
在PI层上制备有源层，并在所述有源层上制备栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备多个栅极以及层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述多个栅极；
图形化所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层，在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上形成多个第一过孔；
在所述层间绝缘层上制备多个源极和多个漏极，所述多个源极和所述多个漏极分别通过所述多个第一过孔与所述有源层连接；其中，所述多个源极、所述多个漏极、所述多个栅极，以及所述有源层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层划分为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
在所述层间绝缘层的上方制备平坦层，所述平坦层覆盖所述多个源极和所述多个漏极；
图形化所述平坦层，在所述平坦层上形成第二过孔，并在所述平坦层上制备阳极和像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极，且所述阳极通过所述第二过孔与所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接；
图形化所述像素定义层，在所述像素定义层上形成缺口，且所述缺口位于所述阳极的上方；
在所述像素定义层的缺口内，依次制备发光层和阴极，所述阳极、所述发光层以及所述阴极构成所述发光二极管。
优选地，将所述电源管理集成电路以及所述驱动集成电路与所述像素电路建立电性连接，包括下述步骤：
图形化所述像素定义层和所述平坦层，在所述像素定义层和所述平坦层上形成第三过孔；
在所述像素定义层上制备第一金属线，且所述第一金属线通过所述第三过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电性连接；
在所述像素定义层上制备封装层，且所述封装层覆盖阴极，露出所述第一金属线；
将所述第一金属线与所述COF基板的绑定区进行绑定；其中，所述COF基板的绑定区与所述电源管理集成电路以及所述驱动集成电路电性连接；
将所述触控集成电路与所述像素电路建立电性连接，包括下述步骤：
在所述封装层上形成第四过孔，并在所述封装层上制备第二金属线，所述第二金属线通过所述第四过孔与所述阴极电性连接，且所述第二金属线沿着所述封装层的边缘向上延伸；
在所述封装层上涂布框胶，并降触控面板通过框胶与所述封装层粘接在一起；
将所述第二金属线绕过所述触控面板的边缘与所述触控面板的绑定区进行绑定；其中，所述触控面板的绑定区与所述触控集成电路电性连接。
实施本发明，具有如下有益效果：触控集成电路与驱动集成电路以及电源管理集成电路分布在显示面板的两端，由于在显示面板中，VDD电压接入端和VSS电压接入端也分布在显示面板上相对的两侧。因此，将触控集成电路与显示面板上VSS电压输入端连接，由触控集成电路输送VSS电压，将驱动集成电路和电源管理集成电路与显示面板上VDD电压输入端连接，由驱动集成电路或者电源管理集成电路输送VDD电压，可以减小输送VSS电压对应的金属走线的有效长度，进而降低VSS电压的电压降绝对值，这样可以提高发光二极管两端的VDD电压与VSS电压之间的差值，进而提高显示面板的亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是背景技术中OLED显示面板中电源电压的布线图。
图2是背景技术中OLED显示屏中像素的发光电路。
图3是背景技术中OLED显示屏中VDD电压的布线图。
图4是背景技术中OLED显示屏中VSS电压的布线图。
图5是本发明提供的显示面板的结构示意图。
图6是本发明提供的VSS电压的布线图。
图7是本发明提供的显示面板中的电源电压的布线图。
图8是本发明提供的显示面板的阵列基板的结构示意图。
图9是本发明提供的层间绝缘层和栅极绝缘层上的第一过孔的示意图。
图10是本发明提供的平坦层上的第二过孔的示意图。
图11是本发明提供的平坦层和像素定义层上的第三过孔以及像素定义层上的缺口示意图。
图12是本发明提供的封装层上第四过孔的示意图。
具体实施方式
本发明提供一种显示面板，如图5所示，该显示面板包括：COF(Chip On Flex，or，Chip On Film，常称覆晶薄膜)基板21、第一FPC基板22、第二FPC基板26、阵列基板3以及位于阵列基板3上的触控面板18，阵列基板3包括PI(聚酰亚胺)层以及位于PI层1上的多个像素电路。
第一FPC基板22固定在COF基板21的第一侧，COF基板21的第二侧固定在PI层1上，第二FPC基板26固定在触控面板18的边缘，第二FPC基板26与COF基板21位于显示面板相对的两侧。
第一FPC基板22上设置有电源管理集成电路25(Power Management IntegratedCircuit，PMIC)，第二FPC基板26上设置有触控集成电路28(Touch Integrated Circuit，TIC)，且COF基板21上还设置有驱动集成电路23(Driver Integrated Circuit，DIC)。
每个像素电路中均包含有一个发光二极管，且像素电路分别与电源管理集成电路25、驱动集成电路23以及触控集成电路28电性连接，像素电路用于接收电源管理集成电路25或者驱动集成电路23输出的VDD电压(电源电压)以及触控集成电路28输出的VSS电压(公共接地端电压)，并将VDD电压输送至发光二极管的阳极10，以及将VSS电压输送至发光二极管的阴极12，控制发光二极管发光。
这里，需要说明的是，当显示面板正常工作时，由电源管理集成电路25输出VDD电压，当显示面板处于睡眠或者省电模式时，由驱动集成电路23输出VDD电压。
结合图6和7，图6中，19为触控面板的绑定区，21为VSS电压的金属走线，VSS电压的金属走线通过触控面板的绑定区与触控集成电路28电性连接。结合图6和7可知，触控集成电路28与驱动集成电路23以及电源管理集成电路25分布在显示面板的两端。由于在显示面板中，每个像素电路的VDD电压接入端均通过同一根金属线连接，该金属线作为第一金属线，每个像素电路的VSS电压接入端通过另一根金属线连接，该金属线作为第二金属线，第一金属线的电压输入端和第二金属线的电压输入端分布在显示面板上相对的两侧。由于触控集成电路28与驱动集成电路23以及电源管理集成电路25分布在显示面板的相对的两侧，因此，将触控集成电路28与第二金属线的电压输入端连接，由触控集成电路28输送VSS电压，将驱动集成电路23和电源管理集成电路25与第一金属线的电压输入端连接，由驱动集成电路23或者电源管理集成电路25输送VDD电压，可以减小输送VSS电压对应的金属走线的有效长度，减小了VSS电压对应的金属走线与VDD电压对应的金属走线之间有效长度的差距，这样可以使得VDD电压对应的金属走线与VSS电压对应的金属走线上的电阻也比较接近，也使得VDD电压的电压降的绝对值与VSS电压的电压降的绝对值比较接近。
减少VSS电压的电压降的绝对值，这样可以提高发光二极管两端的VDD电压与VSS电压之间的差值，进而提高显示面板的亮度。
并且，本发明节省了驱动集成电路23和电源管理集成电路25与第二金属线之间的金属走线，节省了显示面板的空间。
此外，由于本发明节省了驱动集成电路23和电源管理集成电路25与第二金属线之间的金属走线，使得不同像素电路的发光二极管的亮度变化，与第二金属线和驱动集成电路23和电源管理集成电路25之间的距离无关。
像素电路还包含有图2所示的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和开关控制模块。
第一薄膜晶体管T1的源极与电源管理集成电路25和驱动集成电路23电性连接，第一薄膜晶体管T1的漏极与第二薄膜晶体管T2的源极连接，第二薄膜晶体管T2的漏极与第三薄膜晶体管T3的源极连接，第三薄膜晶体管T3的漏极与发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode，有源发光二极管)的阳极10连接。
开关控制模块用于根据设定的逻辑控制第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2以及第三薄膜晶体管T3的打开或者关闭。
进一步地，像素电路包括图8所示的：位于PI层1上的有源层2、位于有源层2上的栅极绝缘层4、位于栅极绝缘层4上的多个栅极6和层间绝缘层5，层间绝缘层5覆盖多个栅极6，层间绝缘层5上制备有多个源极和多个漏极，层间绝缘层5和栅极绝缘层4上设置有多个图9所示的第一过孔51，多个源极和多个漏极均穿过多个第一过孔51与有源层2连接。
其中，多个源极、多个漏极、多个栅极6，以及有源层2、栅极绝缘层4和层间绝缘层5划分为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。图8中，71、72分别为第一薄膜晶体管的源极和漏极，73、74分别为第二第薄膜晶体管的源极和漏极，75、76分别为第三薄膜晶体管的源极和漏极。
进一步地，在层间绝缘层5的上方还制备有平坦层8，平坦层8覆盖多个源极和多个漏极；在平坦层8的上方制备有发光二极管。
发光二极管包括阳极10、位于阳极10上方的发光层11、位于发光层11上方的阴极12。
平坦层8的上方还制备有像素定义层9，像素定义层9包围发光二极管且将阴极12露出。
平坦层8上设置有图10所示的第二过孔81，阳极10穿过第二过孔81与第三薄膜晶体管的漏极电性连接。
进一步地，在第一薄膜晶体管的源极上方的平坦层8和像素定义层9上还设置有图11所示的第三过孔92，在像素定义层9上还制备有第一金属线13，第一金属线13通过第三过孔92与第一薄膜晶体管的源极电性连接，且第一金属线13还与到与电源管理集成电路25电性连接。具体的，第一金属线13绑定到COF基板的绑定区(图8中标号15所示)，COF基板的绑定区与电源管理集成电路25以及驱动管理电路23电性连接。
在像素定义层9的上方制备有封装层14，封装层14上制备有第二金属线16，且封装层14上还设置有第四过孔141，第二金属线16通过图12所示的第四过孔141与阴极12电性连接。
触控面板18通过框胶与封装层14粘接在一起。
第二金属线16还绕过触控面板18的边缘与触控面板的绑定区(图8中标号19所示)绑定，触控面板的绑定区与触控集成电路28电性连接。
如图5所示，第一FPC基板22上还设置有第一连接器24，第二FPC基板26上还设置有第二连接器27。
驱动集成电路23以及电源管理集成电路25通过第一连接器24与处理器电性连接；触控集成电路28通过第二连接器27与处理器电性连接。处理器可以是手机处理器，用于输送数据信号(例如显示画面的信号)。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，该方法包括下述步骤：
在PI层1上制备多个像素电路，形成阵列基板3；每个像素电路中均包含有一个发光二极管，像素电路用于将VDD电压输送至发光二极管的阳极10，以及将VSS电压输送至发光二极管的阴极12，控制发光二极管发光；
将设置有电源管理集成电路25的第一FPC基板22固定在设置有驱动集成电路23的COF基板21的第一侧，并将COF基板21的第二侧固定在PI层1上，将电源管理集成电路25以及驱动集成电路23与像素电路建立电性连接；电源管理集成电路25和驱动集成电路23均用于输出VDD电压；
将边缘固定有第二FPC基板26的触控面板18粘接到阵列基板3上，使得第二FPC基板26与COF基板21位于显示面板相对的两侧，第二FPC基板26上设置有用于输出VSS电压的触控集成电路28；
将触控集成电路28与像素电路建立电性连接。
进一步地，像素电路还包含有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
第一薄膜晶体管的源极与电源管理集成电路25和驱动集成电路23电性连接，第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的源极连接，第二薄膜晶体管的漏极与第三薄膜晶体管的源极连接，第三薄膜晶体管的漏极与发光二极管的阳极10连接；
在PI层1上制备多个像素电路，包括下述步骤：
在PI层1上制备有源层2，并在有源层2上制备栅极绝缘层4；
在栅极绝缘层4上制备多个栅极6以及层间绝缘层5，层间绝缘层5覆盖多个栅极6；
图形化栅极绝缘层4和层间绝缘层5，在栅极绝缘层4和层间绝缘层5上形成多个图9所示的第一过孔51；
在层间绝缘层5上制备多个源极和多个漏极，多个源极和多个漏极分别通过多个第一过孔51与有源层2连接；其中，多个源极、多个漏极、多个栅极6，以及有源层2、栅极绝缘层4和层间绝缘层5划分为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
在层间绝缘层5的上方制备平坦层8，平坦层8覆盖多个源极和多个漏极；
图形化平坦层8，在平坦层8上形成图10所示的第二过孔81，并在平坦层8上制备阳极10和像素定义层9，像素定义层9覆盖阳极10，且阳极10通过第二过孔81与第三薄膜晶体管的漏极电性连接；
图形化像素定义层9，在像素定义层9上形成图11所示的缺口91，且缺口91位于阳极10的上方；
在像素定义层9的缺口91内，依次制备发光层11和阴极12，阳极10、发光层11以及阴极12构成发光二极管。
进一步地，将电源管理集成电路25以及驱动集成电路23与像素电路建立电性连接，包括下述步骤：
图形化像素定义层9和平坦层8，在像素定义层9和平坦层8上形成图11所示的第三过孔92；
在像素定义层9上制备第一金属线13，且第一金属线13通过第三过孔92与第一薄膜晶体管的源极电性连接；
在像素定义层9上制备封装层14，且封装层14覆盖阴极12，露出第一金属线13；
将第一金属线13与COF基板21的绑定区进行绑定；其中，COF基板21的绑定区与电源管理集成电路25以及驱动集成电路23电性连接；
将触控集成电路28与像素电路建立电性连接，包括下述步骤：
在封装层14上形成图12所示的第四过孔141，并在封装层14上制备第二金属线16，第二金属线16通过第四过孔141与阴极12电性连接，且第二金属线16沿着封装层14的边缘向上延伸；
在封装层14上涂布框胶，并降触控面板18通过框胶与封装层14粘接在一起；
将第二金属线16绕过触控面板18的边缘与触控面板18的绑定区进行绑定；其中，触控面板18的绑定区与触控集成电路28电性连接。
在将触控面板18粘接到封装层14之前，可以在触控面板18的边缘切割一个缺口，在将触控面板18粘接到封装层14上时，将第二金属线16与该缺口对齐，使得第二金属线16穿过该缺口与触控面板18表面的绑定区进行绑定。
综上所述，本发明提供的显示面板可以是可折叠显示面板，本发明降低VSS电压的电压降的绝对值，这样可以提高发光二极管两端的VDD电压与VSS电压之间的差值，进而提高显示面板的亮度，以及节省显示面板上金属走线的布线空间。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、阵列基板以及位于所述阵列基板上的触控面板，所述阵列基板包括PI层以及位于所述PI层上的多个像素电路；
所述第一FPC基板固定在所述COF基板的第一侧，所述COF基板的第二侧固定在所述PI层上，所述第二FPC基板固定在所述触控面板的边缘，所述第二FPC基板与所述COF基板位于显示面板相对的两侧；
所述第一FPC基板上设置有电源管理集成电路，所述第二FPC基板上设置有触控集成电路，且所述COF基板上还设置有驱动集成电路；
每个像素电路中均包含有一个发光二极管，且所述像素电路分别与所述电源管理集成电路、所述驱动集成电路以及所述触控集成电路电性连接，所述像素电路用于接收所述电源管理集成电路或者所述驱动集成电路输出的VDD电压以及所述触控集成电路输出的VSS电压，并将所述VDD电压输送至所述发光二极管的阳极，以及将所述VSS电压输送至所述发光二极管的阴极，控制所述发光二极管发光；
其中，所述像素电路还包含有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源管理集成电路和所述驱动集成电路电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述发光二极管的阳极连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括：位于所述PI层上的有源层、位于所述有源层上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的多个栅极和层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述多个栅极，所述层间绝缘层上制备有多个源极和多个漏极，所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上设置有多个第一过孔，所述多个源极和所述多个漏极均穿过所述多个第一过孔与所述有源层连接；
其中，所述多个源极、所述多个漏极、所述多个栅极，以及所述有源层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层划分为所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述层间绝缘层的上方还制备有平坦层，所述平坦层覆盖所述多个源极和所述多个漏极；
在所述平坦层的上方制备有所述发光二极管。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光二极管包括阳极、位于所述阳极上方的发光层、位于所述发光层上方的阴极；
所述平坦层的上方还制备有像素定义层，所述像素定义层包围所述发光二极管且将所述阴极露出；
所述平坦层上设置有第二过孔，所述阳极穿过所述第二过孔与所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述第一薄膜晶体管的源极上方的平坦层和像素定义层上还设置有第三过孔，在所述像素定义层上还制备有第一金属线，所述第一金属线通过所述第三过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电性连接，且所述第一金属线还与到与电源管理集成电路电性连接；
在所述像素定义层的上方制备有封装层，所述封装层上制备有第二金属线，且所述封装层上还设置有第四过孔，所述第二金属线通过所述第四过孔与所述阴极电性连接；
所述触控面板通过框胶与所述封装层粘接在一起；
所述第二金属线还绕过所述触控面板的边缘与所述触控面板的绑定区绑定，所述触控面板的绑定区与所述触控集成电路电性连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一FPC基板上还设置有第一连接器，所述第二FPC基板上还设置有第二连接器；
所述驱动集成电路以及所述电源管理集成电路通过所述第一连接器与处理器电性连接；
所述触控集成电路通过所述第二连接器与处理器电性连接。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
在PI层上制备多个像素电路，形成阵列基板；每个像素电路中均包含有一个发光二极管，所述像素电路用于将VDD电压输送至所述发光二极管的阳极，以及将VSS电压输送至所述发光二极管的阴极，控制所述发光二极管发光；
将设置有电源管理集成电路的第一FPC基板固定在设置有驱动集成电路的COF基板的第一侧，并将所述COF基板的第二侧固定在所述PI层上，将所述电源管理集成电路以及所述驱动集成电路与所述像素电路建立电性连接；所述电源管理集成电路和所述驱动集成电路均用于输出VDD电压；
将边缘固定有第二FPC基板的触控面板粘接到所述阵列基板上，使得所述第二FPC基板与所述COF基板位于显示面板相对的两侧，所述第二FPC基板上设置有用于输出VSS电压的触控集成电路；
将所述触控集成电路与所述像素电路建立电性连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述像素电路还包含有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源管理集成电路和所述驱动集成电路电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述发光二极管的阳极连接；
在PI层上制备多个像素电路，包括下述步骤：
在PI层上制备有源层，并在所述有源层上制备栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备多个栅极以及层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述多个栅极；
图形化所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层，在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上形成多个第一过孔；
在所述层间绝缘层上制备多个源极和多个漏极，所述多个源极和所述多个漏极分别通过所述多个第一过孔与所述有源层连接；其中，所述多个源极、所述多个漏极、所述多个栅极，以及所述有源层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层划分为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
在所述层间绝缘层的上方制备平坦层，所述平坦层覆盖所述多个源极和所述多个漏极；
图形化所述平坦层，在所述平坦层上形成第二过孔，并在所述平坦层上制备阳极和像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极，且所述阳极通过所述第二过孔与所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接；
图形化所述像素定义层，在所述像素定义层上形成缺口，且所述缺口位于所述阳极的上方；
在所述像素定义层的缺口内，依次制备发光层和阴极，所述阳极、所述发光层以及所述阴极构成所述发光二极管。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，将所述电源管理集成电路以及所述驱动集成电路与所述像素电路建立电性连接，包括下述步骤：
图形化所述像素定义层和所述平坦层，在所述像素定义层和所述平坦层上形成第三过孔；
在所述像素定义层上制备第一金属线，且所述第一金属线通过所述第三过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电性连接；
在所述像素定义层上制备封装层，且所述封装层覆盖阴极，露出所述第一金属线；
将所述第一金属线与所述COF基板的绑定区进行绑定；其中，所述COF基板的绑定区与所述电源管理集成电路以及所述驱动集成电路电性连接；
将所述触控集成电路与所述像素电路建立电性连接，包括下述步骤：
在所述封装层上形成第四过孔，并在所述封装层上制备第二金属线，所述第二金属线通过所述第四过孔与所述阴极电性连接，且所述第二金属线沿着所述封装层的边缘向上延伸；
在所述封装层上涂布框胶，并降触控面板通过框胶与所述封装层粘接在一起；
将所述第二金属线绕过所述触控面板的边缘与所述触控面板的绑定区进行绑定；其中，所述触控面板的绑定区与所述触控集成电路电性连接。
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