CN113224218B - 一种显示面板及制作方法、显示装置 - Google Patents

一种显示面板及制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113224218B
CN113224218B CN202011615859.5A CN202011615859A CN113224218B CN 113224218 B CN113224218 B CN 113224218B CN 202011615859 A CN202011615859 A CN 202011615859A CN 113224218 B CN113224218 B CN 113224218B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bonding
base plate
substrate base
micro
standard
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011615859.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113224218A (zh
Inventor
葛树成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Original Assignee
Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd filed Critical Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Priority to CN202011615859.5A priority Critical patent/CN113224218B/zh
Priority to US17/234,799 priority patent/US11908986B2/en
Publication of CN113224218A publication Critical patent/CN113224218A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113224218B publication Critical patent/CN113224218B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置，其中，显示面板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有多个键合电极；所述键合电极远离所述衬底基板的一侧设置有多个Micro‑LED；所述Micro‑LED与所述键合电极一一对应电连接；在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大和/或相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大，以使与所述Micro‑LED与对应所述键合电极键合。本发明提供了一种显示面板及显示装置，以解决现有Micro‑LED和基板键合易造成键合偏位的问题。

Description

一种显示面板及制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及制作方法、显示装置。
背景技术
微型LED(也称为Micro-LED)显示是将传统的LED结构进行微小化，单个Micro-LED芯片尺寸一般小于50微米，并与像素驱动电路结合，从而实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。Micro-LED保留了传统LED在材料和器件上的优势，比如高亮度、高光效、长寿命、高对比度，以及纳秒级的响应时间等。同时，Micro-LED采用半导体加工工艺进行制备，并且与IC工艺兼容，具有极高的器件加工精度和稳定性，可以实现超高解析度，便于与触觉、听觉、嗅觉等传感器集成，实现高精度空间定位和触觉感知，它被认为是最具潜力的下一代显示技术，但是仍存在很多核心技术难点，比如巨量转移技术。
目前，已有一些巨量转移技术，如STAMP转移键合的方式，STAMP转移键合需要用到关键材料聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)，PDMS 的耐温性是150℃，而目前使Micro-LED和基板键合的工艺是Au-In的共晶工艺，其支撑温度一般为170℃左右，则在Micro-LED的键合过程中，PDMS长时间受热膨胀，膨胀量增大使得Micro-LED与基板之间造成键合偏位。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及制作方法、显示装置，以解决现有 Micro-LED和基板键合容易造成键合偏位的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板；
所述衬底基板上设置有多个键合电极；所述键合电极远离所述衬底基板的一侧设置有多个Micro-LED；所述Micro-LED与所述键合电极一一对应电连接；
在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大和/或相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大，以使与所述Micro-LED与对应所述键合电极键合。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
获取衬底基板；所述衬底基板上设置有多个键合电极；在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大或者相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
获取转移基板上阵列设置的多个Micro-LED；所述Micro-LED与所述转移基板通过转移材料进行贴合；所述转移材料为热膨胀材料；所述Micro-LED在所述转移基板上形成芯片阵列；每个Micro-LED的尺寸相同；相邻所述 Micro-LED之间的间距相同；
将所述Micro-LED与对应所述键合电极键合，使得所述Micro-LED因转移材料发生偏移后，能够与对应的键合电极键合。
本发明中，显示面板的衬底基板设置有多个键合电极，并且在衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，键合电极的尺寸逐渐增大，或者，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，每相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，或者，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，键合电极的尺寸逐渐增大并且每相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，键合电极远离衬底基板的一侧设置有与键合电极一一对应设置的Micro-LED，Micro-LED经由涂覆有转移材料的转移基板与对应键合电极键合，则Micro-LED的位置因转移材料发生偏移后恰能与对应的键合电极键合。本实施例通过提前预判Micro-LED因转移材料发生的位移趋势，将键合电极的位置设置于Micro-LED偏移后的位置或将Micro-LED尺寸做大，使得 Micro-LED能够与对应键合电极键合，提高批量转移效率，解决现有Micro-LED 和基板键合容易造成键合偏位的问题，从而提高了Micro-LED显示面板的工艺效率和产品质量。
附图说明
图1是现有技术中Micro-LED与键合电极键合前的结构示意图；
图2是现有技术中Micro-LED与键合电极键合后的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；
图4是图3中显示面板沿线段b1-b1’的剖面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种Micro-LED与键合电极键合前的结构示意图；
图6是本发明提供的一种转移材料线性膨胀前后的平面结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种Micro-LED的偏移原理图；
图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图12是图11中一个键合电极的放大结构示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图14是图3中显示面板沿线段b1-b1’的另一种剖面结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图17是本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
如背景技术提及，STAMP转移键合需要用到关键材料聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)，PDMS的耐温性是150℃，而Micro-LED和基板键合的工艺是Au-In的共晶工艺，其支撑温度一般为170℃左右，该温度大于PDMS的耐温温度，则PDMS受热膨胀导致Micro-LED与基板之间造成键合偏位，如图1所示，图1是现有技术中Micro-LED与键合电极键合前的结构示意图，在将STAMP基板15’带动Micro-LED13’向衬底基板11’压合之前，也即，共晶工艺之前，键合电极12’在衬底基板11’上的位置，与Micro-LED13’在衬底基板11’上的位置一一对应，且键合电极12’能够与待压合前的 Micro-LED13’的位置完全重合，但是当将STAMP基板15’向衬底基板11’压合时，进行共晶工艺，因为PDMS14’受热膨胀，参考图2，图2是现有技术中 Micro-LED与键合电极键合后的结构示意图，Micro-LED13’因PDMS14’受热膨胀发生部分偏移，导致Micro-LED13’与键合电极12’之间的键合面重叠面积较小，甚至错开，影响Micro-LED13’与键合电极12’之间的键合，产生工艺次品，在实现本发明方案的过程中，发明人发现，PDMS为线性、均匀膨胀，则 Micro-LED13’的偏移位置是有规律可循的，可对Micro-LED13’的偏移位置进行预估。
为解决上述问题，可根据Micro-LED的偏移位置对键合电极的位置进行提前调整，具体的，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板；
衬底基板上设置有多个键合电极；键合电极远离衬底基板的一侧设置有多个Micro-LED；Micro-LED与键合电极一一对应电连接；
在平行于衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板的边缘方向上，键合电极的尺寸逐渐增大和/或相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，以使与Micro-LED与对应键合电极键合。
本发明实施例中，显示面板的衬底基板设置有多个键合电极，并且在衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，键合电极的尺寸逐渐增大，或者，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，每相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，或者，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，键合电极的尺寸逐渐增大并且每相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，键合电极远离衬底基板的一侧设置有与键合电极一一对应设置的Micro-LED，Micro-LED经由涂覆有转移材料的转移基板与对应键合电极键合，则Micro-LED的位置因转移材料发生偏移后恰能与对应的键合电极键合。本实施例通过提前预判Micro-LED因转移材料发生的位移趋势，将键合电极的位置设置于Micro-LED偏移后的位置或将Micro-LED尺寸做大，使得 Micro-LED能够与对应键合电极键合，提高批量转移效率，解决现有Micro-LED 和基板键合容易造成键合偏位的问题，从而提高了Micro-LED显示面板的工艺效率和产品质量。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图，图4是图3 中显示面板沿线段b1-b1’的剖面结构示意图，衬底基板11上可设置有多个键合电极12，如图3所示，键合电极12可呈规则阵列排布，也可以呈无规则阵列排布，本实施例对键合电极12的阵列形状不进行限定。可选的，衬底基板11 上还设置有阵列排布的像素驱动电路(图3中未示出)，像素驱动电路与键合电极12一一对应电连接，用于为对应的键合电极12提供供电电压。需要注意的是，为表示清晰，图3中仅示出了衬底基板11和键合电极12，实际其还包含有其他结构，如图4所示，键合电极12远离衬底基板11的一侧还设置有多个 Micro-LED13，Micro-LED13与键合电极12一一对应键合设置，使得 Micro-LED13显示发光。
图5是本发明实施例提供的一种Micro-LED与键合电极键合前的结构示意图，图5中完成共晶键合工艺后的显示面板结构如图4所示，在Micro-LED13 与键合电极键合之前，键合电极12由转移基板15从工艺平台上批量转移出来，键合电极12通过转移材料14与转移基板15贴合，则在Micro-LED13与键合电极12键合之后到达图4所示的位置，图4中定义了标准键合位置2，上述标准键合位置2即为在衬底基板11所在平面内，Micro-LED13的初始位置，本实施例中Micro-LED13的初始位置呈规则阵列排布，经过转移材料14发生线性膨胀后，Micro-LED13的最终位置如图4所示。
图6是本发明提供的一种转移材料线性膨胀前后的平面结构示意图，转移材料14在受热膨胀之前的尺寸为区域14a，例如，转移材料14可以为矩形，矩形的第一边长的尺寸为La’，第二边长的尺寸为Ld’，经过高于耐受温度的加热之后，转移材料14在受热膨胀的尺寸区域14b所示，由图6可知，转移材料 14在膨胀过程中，以材料中心向四周线性均匀膨胀，例如，转移材料14的四个边长发生膨胀，各个边缘分别向外膨胀宽度为La、Lb、Lc和Ld，本实施例中La/La’＝Lb/La’，Lc/Ld’＝Ld/Ld’，则使得对规则阵列排布的Micro-LED13发生偏移的方向和距离进行预估和判断，从而根据偏移的方向和距离设置键合电极12的位置和尺寸，从而使得因键合工艺发生偏移的Micro-LED13能够与对应的键合电极12键合。需要注意的是，本实施例提及的在衬底基板11所在平面的尺寸包括目标物体在衬底基板11所在平面的形状和大小，例如，若两个目标物体在衬底基板11所在平面的尺寸相同，则该两个目标物体在衬底基板11 所在平面的垂直投影完全重合，本实施提及的在衬底基板11所在平面内，目标物体沿某一方向的尺寸为在衬底基板11所在平面内，目标物体沿某一方向的宽度。
继续参考图3，在平行于衬底基板11所在平面内，由衬底基板11的中心O 指向衬底基板11的边缘方向上，键合电极12的尺寸(例如，Ax1、Ax2、Ay1、 Ay2等)可以逐渐增大，经过共晶工艺的Micro-LED13即使位置发生了偏移，也能够与对应的键合电极12键合。本实施例中提及的衬底基板11的中心O，即为在衬底基板11所在平面内，衬底基板11的几何形状的中央位置，是衬底基板11所在平面内各个对称轴之间的交点，也即为衬底基板11的几何中心。
或者，如图7所示，图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距(例如，Bx1、Bx2、By1、By2等)可以逐渐增大，以匹配发生了偏移的Micro-LED13的位置，使与Micro-LED13与对应键合电极键合。
或者，参考图3和图7，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可以逐渐增大，以匹配发生了偏移的Micro-LED13的位置，使与Micro-LED13与对应键合电极12键合，并且为了进一步增大Micro-LED13与对应键合电极12的键合面积，避免上述增大相邻两个键合电极12的中心之间的间距的方式存在计算误差，可由衬底基板 11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，同样依次增大键合电极12的尺寸。本实施例提供的键合电极12的设置方式，进一步增强了Micro-LED13与对应键合电极12键合的可靠性。
上述三种键合电极12的设置方式，将键合电极的位置设置于Micro-LED 偏移后的位置或将Micro-LED尺寸做大，使得Micro-LED能够与对应键合电极键合，提高批量转移效率，解决现有Micro-LED和基板键合容易造成键合偏位的问题，从而提高了Micro-LED显示面板的工艺效率和产品质量。
继续参考图3，可选的，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，键合电极12的尺寸可以逐渐增大；多个键合电极12形成沿第一方向 X成行排列，并沿第二方向Y成列排列的矩阵结构；第一方向X和第二方向Y 相交；沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，键合电极12沿第一方向X的尺寸逐渐增大；沿第二方向Y由衬底基板11的中心 O指向衬底基板11的边缘方向，键合电极12沿第二方向Y的尺寸逐渐增大。
本实施例中，键合电极12可呈矩阵结构排布，具体的，键合电极12沿第一方向X成行排列，并沿第二方向Y成列排列，第一方向X和第二方向Y为衬底基板11所在平面中相交的两个方向，便于分别在第一方向X和第二方向Y 两个方向上进行尺寸增大设置，具体的，可设置沿第一方向X由衬底基板11 的中心O指向衬底基板11的边缘方向，键合电极12的尺寸依次为Ay1、Ay2、 Ay3等，并且Ay1、Ay2、Ay3等依次逐渐增大，同理，可设置沿第二方向Y 由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，键合电极12的尺寸依次为Ax1、Ax2、Ax3等，并且Ax1、Ax2、Ax3等依次逐渐增大，本实施例键合电极12呈矩阵设计，便于在第一方向X和第二方向Y上进行尺寸拆分，并分别在两个方向上计算键合电极12需增大的尺寸，便于快速而准确的获取尺寸增大后的键合电极12的尺寸，提高键合电极12的设计和生产效率。可选的，第一方向X与第二方向Y可以相互垂直，更加易于在一方向Y与第二方向Y对键合电极12进行尺寸叠加和设置，降低键合电极12的尺寸设置难度，示例性的，在第一方向X和第二方向Y上分别进行键合电极12的尺寸获取时，键合电极12为矩形，并且包括沿第一方向X延伸的相对两个边缘，以及沿第二方向Y延伸的相对两个边缘，以进一步降低键合电极12的尺寸设置难度。
参考图8，图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，可选的，在衬底基板11所在平面可以定义包含多个标准键合位置2的标准矩阵结构；所有标准键合位置2的尺寸相同；相邻两个标准键合位置2的中心沿第一方向X之间的间距相等；相邻两个标准键合位置2的中心沿第二方向Y之间的间距相等；矩阵结构包括与标准键合位置2一一对应的键合电极12；键合电极12在衬底基板11上的垂直投影覆盖对应的标准键合位置2。
当键合电极12呈矩阵式排布时，本实施例定义一个标准矩阵结构，标准矩阵结构包括多个标准键合位置2，标准键合位置2与键合电极12一一对应设置，该标准键合位置2可以为Micro-LED贴附在转移基板上未进行键合时的位置，并且沿第一方向X上，相邻两个标准键合位置2的中心之间的间距Dx相同，沿第二方向Y上，相邻两个标准键合位置2的中心之间的间距Dy相同，本实施例中，键合电极12可设置较大，例如，沿第一方向X上由衬底基板11中心指向边缘，键合电极12的边长逐渐增大，沿第二方向Y上由衬底基板11中心指向边缘，键合电极12的边长逐渐增大，最终使得键合电极12在衬底基板11 上的垂直投影覆盖对应的标准键合位置2，也即，键合电极12为对应的 Micro-LED预留出偏移的空间，避免键合电极12和Micro-LED键合偏移的问题，提高Micro-LED和键合电极12的键合质量。
继续参考图3，可选的，在衬底基板11所在平面可以定义包含多个标准键合位置2的标准矩阵结构；所有标准键合位置2的尺寸完全相同；相邻两个标准键合位置2的中心沿第一方向X之间的间距为Dx；相邻两个标准键合位置2 的中心沿第二方向Y之间的间距为Dy；矩阵结构包括与标准键合位置2一一对应的键合电极12；键合电极12包括标准部分和增宽部分；标准部分在衬底基板11上的垂直投影覆盖对应标准键合位置2；沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n个键合电极12的增宽部分的尺寸为 Axn＝k*Dxn；其中，k为Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数；Dxn＝n* Dx；沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向,第n个键合电极12的增宽部分的尺寸为Ayn＝k*Dyn；其中，Dyn＝n*Dy。
同理，当键合电极12呈矩阵式排布时，本实施例定义一个标准矩阵结构，标准矩阵结构包括多个标准键合位置2，标准键合位置2与键合电极12一一对应设置，该标准键合位置2可以为Micro-LED贴附在转移基板上未进行键合时的位置，并且沿第一方向X上，相邻两个标准键合位置2的中心之间的间距Dx 相同，沿第二方向Y上，相邻两个标准键合位置2的中心之间的间距Dy相同。如图3所示，本实施例中，在保证由衬底基板11中心指向边缘时，沿第一方向 X上键合电极12的尺寸逐渐增大，沿第二方向Y上键合电极12的尺寸逐渐增大，但是本实施例中键合电极12的尺寸增大具有方向性，也即，键合电极12 沿第一方向X由衬底基板11中心指向边缘方向延长，并且键合电极12沿第二方向Y由衬底基板11中心指向边缘方向延长，也即键合电极12的延长方向与 Micro-LED的偏移方向相同，以进一步增加键合电极12与对应Micro-LED的键合面积。
如图9所示，图9是本发明实施例提供的一种Micro-LED的偏移原理图，转移材料14上贴附有多个Micro-LED13，在未进行共晶键合工艺时，在转移材料14所在平面，设定转移材料14的中心至各个位置的Micro-LED13的距离为D，则距离转移材料14的中心D的Micro-LED13，在进行共晶键合工艺后的偏移量A存在A＝kD的线性关系，k为转移材料14在受热时的线性膨胀系数，本实施例依据此对应关系对Micro-LED13的偏移量和偏移方向进行预估。
具体的，键合电极12包括标准部分121和增宽部分122，标准部分121在衬底基板11上的垂直投影与对应标准键合位置2在衬底基板11上的垂直投影完全重合。增宽部分122能够补偿上述Micro-LED13的偏移量，保证键合电极 12与对应Micro-LED13的键合。沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n个键合电极12的增宽部分的尺寸为Axn＝k*Dxn； Dxn为第n个键合电极12距离衬底基板11中心的距离，也即Dxn＝n*Dx，所以第n个键合电极12的增宽部分的尺寸即为沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n个Micro-LED13的偏移量，例如，当 n＝1时，第1个键合电极12的增宽部分的尺寸为Ax1＝k*Dx，当n＝2时，第2 个键合电极12的增宽部分的尺寸为Ax2＝k*2Dx。同理，第n个键合电极12的增宽部分的尺寸为Ayn＝k*Dyn；其中，Dyn＝n*Dy。本实施例对Micro-LED13 键合过程中的偏移方向和偏移量进行预判，并按照上述偏移方向和偏移量设置增宽部分122，进一步增加键合电极12与对应Micro-LED的键合面积，提高键合精准度，提高显示面板的优品率。
继续参考图3，可选的，沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可以逐渐增大；沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大。因为键合电极12的增宽部分的设计，键合电极12的中心相对于标准键合位置2的中心具有一定的偏移，如图3所示，沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可以逐渐增大，沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大，从而对Micro-LED13在键合过程中的偏移量进行补偿，提高键合质量，保证Micro-LED13在后续工作中正常发光。
继续参考图7，可选的，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可以逐渐增大；多个键合电极 12形成沿第一方向X成行排列，并沿第二方向Y成列排列的矩阵结构；第一方向X和第二方向Y相交；沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板 11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大；沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极 12的中心之间的间距逐渐增大。
本实施例可不对键合电极12的尺寸进行加宽设置，而是根据对 Micro-LED13的偏移量的计算，将键合电极12进行同样偏移量的偏移，并且当多个键合电极12形成矩阵阵列时，沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可以逐渐增大，同理，沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大，从而使得Micro-LED13在键合过程中发生偏移后的中心位置恰好与对应的键合电极12的中心重合，可选的，本实施例中键合电极12的尺寸与标准键合位置2的尺寸完全相同，仅位置发生移动，则本实施例在不增大键合电极12的尺寸的同时，改善键合电极12 与对应Micro-LED的键合质量，并且不需要占用相邻键合电极12之间的间隙增宽键合电极12，避免相邻键合电极12之间距离过近。
继续参考图7，可选的，在衬底基板11所在平面可定义包含多个标准键合位置2的标准矩阵结构；所有标准键合位置2的尺寸完全相同；相邻两个标准键合位置2的中心沿第一方向X之间的间距为Dx；相邻两个标准键合位置2的中心沿第二方向Y之间的间距为Dy；矩阵结构包括与标准键合位置2一一对应的键合电极12；沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n个键合电极12相较于第n个标准键合位置2的中心偏移量为 Bxn＝k*Dxn；其中，k为Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数；Dxn＝n* Dx；沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n 个键合电极12相较于第n个标准键合位置2的中心偏移量为Byn＝k*Dyn；其中， Dyn＝n*Dy。
当键合电极12呈矩阵式排布时，本实施例定义一个标准矩阵结构，标准矩阵结构包括多个标准键合位置2，标准键合位置2与键合电极12一一对应设置，该标准键合位置2可以为Micro-LED贴附在转移基板上未进行键合时的位置，并且沿第一方向X上，相邻两个标准键合位置2的中心之间的间距Dx相同，沿第二方向Y上，相邻两个标准键合位置2的中心之间的间距Dy相同。由图9 可对在标准键合位置2的Micro-LED因转移材料发生偏移的偏移量进行预估和计算，并将对应键合电极12的中心按照上述偏移量进行偏移，具体的，沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n个键合电极 12相较于第n个标准键合位置2的中心偏移量为Bxn＝k*Dxn；Dxn为第n个键合电极12距离衬底基板11中心的距离，也即Dxn＝n*Dx，沿第二方向Y由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，第n个键合电极12相较于第n个标准键合位置2的中心偏移量为Byn＝k*Dyn，Dyn为第n个键合电极12距离衬底基板11中心的距离，也即Dyn＝n*Dy。本实施例对Micro-LED键合过程中的偏移方向和偏移量进行预判，并按照上述偏移方向和偏移量对键合电极12 的中心进行设置，使得键合电极12的中心与偏移后的Micro-LED的中心适配，优选的，键合电极12的中心与偏移后的Micro-LED的中心可完全重合，进一步增加键合电极12与对应Micro-LED的键合面积，提高键合精准度，提高显示面板的优品率。
可选的，沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，键合电极12的尺寸可以逐渐增大。本实施例中，在保证由衬底基板11 的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大，并且沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大的前提下，可以适当将每个键合电极12的尺寸进行增大设置，防止一些Micro-LED在键合过程中未按照预设轨迹进行偏移的情况，则即使存在Micro-LED向其他方向发生了偏移，适当增大的键合电极12的尺寸，用于补偿上述Micro-LED的特殊偏移情况，保证键合电极12与对应Micro-LED的键合，提高键合质量。
可选的，键合电极12可以包括正电极和负电极；键合电极12的正电极和负电极沿第一方向X依次排布；沿第一方向X，正电极的尺寸为L1，负电极的尺寸为L2，正电极和负电极之间的间隙的尺寸为U；键合电极12包括标准部分和增宽部分；标准部分在衬底基板11上的垂直投影的面积与对应标准键合位置 2的面积相同；沿第一方向X由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，每个键合电极12的增宽部分的尺寸为
Figure RE-GDA0003115677530000151
如图10所示，图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，实际上，键合电极12包括两部分：正电极12a和负电极12b，同样的， Micro-LED也包含两个电极分别与上述正电极12a和负电极12b对应，所以 Micro-LED的偏移量若通过Micro-LED的中心去判定，可能存在误差，本实施例中，在设置键合电极12的中心与偏移后的Micro-LED的中心重合的基础上，为每个键合电极12设置增宽部分。具体的，如图10所示，键合电极12的正电极12a和负电极沿第一方向X依次排布，则每个键合电极12可以仅沿第一方向 X增加增宽部分122，具体的，如图11和图12所示，图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，图12是图11中一个键合电极的放大结构示意图，如图12所示，本实施例中，正电极12a的尺寸为L1，负电极12b 的尺寸为L2，正电极和负电极之间的间隙的尺寸为U，键合电极12包括标准部分121和增宽部分122，标准部分121在衬底基板11上的垂直投影的面积与对应标准键合位置2的面积相同，增宽部分122与正电极12a和负电极12b的尺寸相关，该增宽部分122的尺寸为
Figure RE-GDA0003115677530000161
上述增宽部分122能够弥补正电极12a和负电极12b在Micro-LED偏移过程中产生的设置误差，保证正电极12a与对应Micro-LED的一个电极的键合质量，同样能保证负电极12b 与对应Micro-LED的另一个电极的键合质量。
图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，可选的，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12 的中心之间的间距可以逐渐增大；多个键合电极12的中心围绕衬底基板11的中心O排布形成环形结构S；由衬底基板11的中心O至衬底基板11的边缘方向上，衬底基板11上包括中心重合的多个环形结构S；沿衬底基板11的中心O 指向环形结构S的方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大。
如图13所示，本实施例中各个键合电极12可呈环形结构排布，具体的，多个键合电极12的中心围绕衬底基板11的中心O排布形成一个环形结构S1，并且由衬底基板11的中心O至衬底基板11的边缘方向上，衬底基板11上可依次设置有多个环形结构S1，多个环形结构S1可均中心重合，沿衬底基板11 的中心O指向环形结构S1的方向上，也即，垂直于环形结构S1的切线的方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距逐渐增大，以适配因键合发生偏移的Micro-LED，保证键合电极12与对应Micro-LED键合，提高显示面板的制作质量。本实施例将衬底基板11上的键合电极12以中心点圆环的方式排布，便于计算键合电极12的偏移量的补偿，提高补偿精度。
继续参考图13，可选的，键合电极12均可以包括直线型的第一边缘S2；第一边缘S2与键合电极12所在环形结构S1的切线平行设置。如图13所示，键合电极12优选包含有一条直线型的第一边缘S2，更加便于计算键合电极12 的偏移量，例如，可以第一边缘S2作为计算键合电极偏移量的标准，而不是以键合电极12的中心作为计算键合电极偏移量的标准，例如，可将上述第一边缘 S2与所在环形结构S1相切设置，便于进行键合电极12的设置，提高键合电极 12的偏移量的补偿精度。
继续参考图13，可选的，在衬底基板11所在平面可以定义多个标准环形结构；每个标准环形结构包括多个标准键合位置2；所有标准键合位置2的尺寸完全相同；沿衬底基板11的中心O指向环形结构的方向上，相邻两个标准键合位置2的中心的间距为Dm；每个环形结构包括与标准键合位置2一一对应的键合电极12；沿衬底基板11的中心O指向环形结构的方向上，第n个键合电极12相较于第n个标准键合位置2的中心偏移量为Cmn＝k*Dmn；其中，k为 Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数；Dmn＝n*Dm。
当键合电极12呈环形结构排布时，本实施例定义一个标准环形结构，标准环形结构包括多个标准键合位置2，标准键合位置2与键合电极12一一对应设置，该标准键合位置2可以为Micro-LED贴附在转移基板上未进行键合时的位置，并且沿衬底基板11的中心O指向环形结构的方向上，相邻两个标准键合位置2的中心的间距为Dm。沿衬底基板11的中心O指向环形结构的方向上，第n 个键合电极12相较于第n个标准键合位置2的中心偏移量为Cmn＝k*Dmn，Dmn 为第n个键合电极12的中心与衬底基板11的中心O的距离，也即，Dmn＝n*Dm。本实施例对Micro-LED键合过程中的偏移方向和偏移量进行预判，并按照上述偏移方向和偏移量对键合电极12的中心进行设置，使得键合电极12的中心与偏移后的Micro-LED的中心适配，优选的，键合电极12的中心与偏移后的 Micro-LED的中心可完全重合，进一步增加键合电极12与对应Micro-LED的键合面积，提高键合精准度，提高显示面板的优品率。并且上述环形结构设置，进一步便于偏移量的计算，提升键合电极12的布局效果。
可选的，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可以逐渐增大；并且由衬底基板11的中心O 指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距呈等差数列，或者相邻两个键合电极12的中心之间的间距呈高阶等差数列。
Micro-LED跟随转移材料的膨胀系数为线性，则由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距可呈等差数列，顺应转移材料膨胀规律，本实施例根据转移材料膨胀规律对键合电极12进行错位设置，便于键合电极12与对应的键合后的Micro-LED位置匹配，保证Micro-LED的正常点亮。
此外，因为相邻两个键合电极12之间的间隙空间有限，当键合电极12阵列较大时，本实施例可设置由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，相邻两个键合电极12的中心之间的间距呈高阶等差数列，在保证键合电极12与对应的键合后的Micro-LED位置匹配的前提下，避免相邻键合电极12 之间间距较小。
图14是图3中显示面板沿线段b1-b1’的另一种剖面结构示意图，可选的， Micro-LED13的侧壁可以设置有吸光材料16；吸光材料16可以为线性热膨胀材料。
在Micro-LED13通过转移基板转移过程中，转移基板通过转移材料贴附 Micro-LED13，如图14所示，Micro-LED13的侧壁可设置有吸光材料16，该吸光材料16为线性热膨胀材料，能够跟随Micro-LED13被转移基板转移，因为本实施例中键合电极12的尺寸大于Micro-LED13，所以键合电极12与 Micro-LED13键合之后，有部分键合电极12露出，容易对Micro-LED13发出的光进行反射，影响显示面板的发光效果，本实施例将吸光材料16设置于Micro-LED13的侧壁，在完成共晶键合工艺后，吸光材料16发生膨胀，可遮挡键合电极12大于Micro-LED13的范围，吸收反射光线，提高面板显示质量。并且吸光材料16转移材料的膨胀而膨胀，避免在转移材料膨胀过程中 Micro-LED13过早脱落，无法实现键合的情况，提高键合电极12与对应 Micro-LED的键合质量。
可选的，由衬底基板11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，Micro-LED 的出光面设置的吸光材料16的厚度可以逐渐增大，越靠近转移基板的边缘的转移材料的膨胀量越大，相应的，Micro-LED13的偏移量越大，所以由衬底基板 11的中心O指向衬底基板11的边缘方向上，键合电极12的尺寸逐渐增大，键合电极12大于Micro-LED13的部分逐渐增大，则设置吸光材料16的厚度越大，吸光材料16膨胀后体积更大，以对键合电极12进行遮挡，防止键合电极12反光，提高显示质量。
可选的，吸光材料16的线性热膨胀系数与Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数可以相同。则吸光材料16与Micro-LED进行键合的转移材料同步产生线性膨胀，从而避免Micro-LED与转移材料之间发生相对移动，避免 Micro-LED因与转移材料发生相对移动而脱落，提高键合电极12与对应 Micro-LED的键合质量。
可选的，吸光材料16可以为发泡塑料或光致变形高分子材料中的至少一种，如吸光材料16可以包含三苯基甲烷衍生物的高分子材料，发泡塑料或光致变形高分子材料为可膨胀的遮光材料，当吸光材料16由该类可膨胀的遮光材料形成时，可在高温，或者与其他气体反应，或者通过UV光照等条件下发生膨胀，通过体积增大遮挡键合电极12，以提高面板显示效果。
本发明实施例还提供一种显示装置。图15是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图15所示，本发明实施例提供的显示装置包括本发明任意实施例的显示面板1。电子设备可以为如图15中所示的手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等，本实施例对此不作特殊限定。
基于同一构思，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法。图16是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图，如图16所示，本实施例的方法包括如下步骤：
步骤S110、获取衬底基板；衬底基板上设置有多个键合电极；在平行于衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板的边缘方向上，键合电极的尺寸逐渐增大或者相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大。
步骤S120、获取转移基板上阵列设置的多个Micro-LED；Micro-LED与转移基板通过转移材料进行贴合；转移材料为热膨胀材料；Micro-LED在转移基板上形成芯片阵列；每个Micro-LED的尺寸相同；相邻Micro-LED之间的间距相同。
本实施例中，转移基板上阵列设置的多个Micro-LED，在未进行共晶键合工艺时，每个Micro-LED的位置即为标准键合位置。
步骤S130、将Micro-LED与对应键合电极键合，使得Micro-LED因转移材料发生偏移后，能够与对应的键合电极键合。
本发明实施例中，显示面板的衬底基板设置有多个键合电极，并且在衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，键合电极的尺寸逐渐增大，或者，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，每相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，或者，由衬底基板的中心指向衬底基板边缘的方向上，键合电极的尺寸逐渐增大并且每相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，键合电极远离衬底基板的一侧设置有与键合电极一一对应设置的Micro-LED，Micro-LED经由涂覆有转移材料的转移基板与对应键合电极键合，则Micro-LED的位置因转移材料发生偏移后恰能与对应的键合电极键合。本实施例通过提前预判Micro-LED因转移材料发生的位移趋势，将键合电极的位置设置于Micro-LED偏移后的位置或将Micro-LED尺寸做大，使得 Micro-LED能够与对应键合电极键合，提高批量转移效率，解决现有Micro-LED 和基板键合容易造成键合偏位的问题，从而提高了Micro-LED显示面板的工艺效率和产品质量。
在本实施例的一示例中，在平行于衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板的边缘方向上，相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大，图17是本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图，如图 17所示，本实施例的方法包括如下步骤：
步骤S210、在衬底基板所在平面定义包含多个标准键合位置的标准阵列结构；各个标准键合位置与芯片阵列的Micro-LED一一对应且尺寸相同；相邻两个标准键合位置的中心之间的间距与相邻Micro-LED之间的间距相同。
步骤S220、将标准阵列结构根据转移材料的膨胀系数模拟拉伸得到目标阵列结构；目标阵列结构中，由衬底基板的中心指向衬底基板的边缘方向上，相邻两个键合位置的中心之间的间距逐渐增大。
步骤S230、在衬底基板上，按照目标阵列结构中的键合位置设置一一对应的键合电极。
步骤S240、获取转移基板上阵列设置的多个Micro-LED。
步骤S250、将Micro-LED与对应键合电极键合，使得Micro-LED因转移材料发生偏移后，能够与对应的键合电极键合。
本实施例中，在形成键合电极之前，通过定义包括多个标准键合位置的标准阵列结构，该标准阵列结构为Micro-LED跟随转移材料膨胀之前的芯片阵列，并将该标准阵列结构根据转移材料的膨胀系数模拟拉伸得到目标阵列结构，该目标阵列即为Micro-LED跟随转移材料产生偏移量之后的芯片阵列，所以直接将键合电极按照目标阵列中的键合位置进行设置，有效避免Micro-LED和键合电极无法键合的问题，提高Micro-LED显示面板的工艺效率和产品质量。
在本实施例的另一示例中，可选的，衬底基板上设置有多个键合电极，可以包括：在衬底基板上形成种子层；通过电镀工艺在种子层上形成多个键合电极；在平行于衬底基板所在平面内，由衬底基板的中心指向衬底基板的边缘方向上，键合电极的尺寸逐渐增大。本实施例可采用电镀工艺在种子层上电镀多个键合电极，需要注意的是，电镀的电流从种子层的边缘注入，若每个键合电极的尺寸相同，在电镀过程中，靠近边缘的键合电极要比靠近中心的键合电极厚，本实施例对电镀孔阵列进行设置，使得由衬底基板的中心指向衬底基板的边缘方向上，键合电极的尺寸逐渐增大，则靠近边缘的键合电极的厚度可有效降低，在实现键合电极由衬底基板中心至边缘方向上依次增大，以匹配发生偏移后的Micro-LED的同时，便于实现整个显示面板上的键合电极的厚度的均匀性，从而进一步实现显示面板的发光均匀性。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (21)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；
所述衬底基板上设置有多个键合电极；所述键合电极远离所述衬底基板的一侧设置有多个Micro-LED；所述Micro-LED与所述键合电极一一对应电连接；
所述Micro-LED通过线性热膨胀材料的转移材料转移到所述衬底基板上，在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大和/或相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大，以使与所述Micro-LED与对应所述键合电极键合。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大；
多个所述键合电极形成沿第一方向成行排列，并沿第二方向成列排列的矩阵结构；所述第一方向和所述第二方向相交；
沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，所述键合电极沿第一方向的尺寸逐渐增大；
沿所述第二方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，所述键合电极沿第二方向的尺寸逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述衬底基板所在平面定义包含多个标准键合位置的标准矩阵结构；所有所述标准键合位置的尺寸相同；相邻两个标准键合位置的中心沿所述第一方向之间的间距相等；相邻两个标准键合位置的中心沿所述第二方向之间的间距相等；
所述矩阵结构包括与所述标准键合位置一一对应的键合电极；所述键合电极在所述衬底基板上的垂直投影覆盖对应的所述标准键合位置。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述衬底基板所在平面定义包含多个标准键合位置的标准矩阵结构；所有所述标准键合位置的尺寸完全相同；相邻两个标准键合位置的中心沿所述第一方向之间的间距为Dx；相邻两个标准键合位置的中心沿所述第二方向之间的间距为Dy；
所述矩阵结构包括与所述标准键合位置一一对应的键合电极；所述键合电极包括标准部分和增宽部分；所述标准部分在所述衬底基板上的垂直投影覆盖对应所述标准键合位置；
沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，第n个键合电极的增宽部分的尺寸为Axn＝k*Dxn；其中，k为所述Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数；Dxn＝n*Dx；
沿所述第二方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向,第n个键合电极的增宽部分的尺寸为Ayn＝k*Dyn；其中，Dyn＝n*Dy。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
沿所述第二方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
多个所述键合电极形成沿第一方向成行排列，并沿第二方向成列排列的矩阵结构；所述第一方向和所述第二方向相交；
沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
沿所述第二方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在所述衬底基板所在平面定义包含多个标准键合位置的标准矩阵结构；所有所述标准键合位置的尺寸完全相同；相邻两个标准键合位置的中心沿所述第一方向之间的间距为Dx；相邻两个标准键合位置的中心沿所述第二方向之间的间距为Dy；
所述矩阵结构包括与所述标准键合位置一一对应的键合电极；沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，第n个键合电极相较于第n个标准键合位置的中心偏移量为Bxn＝k*Dxn；其中，k为所述Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数；Dxn＝n*Dx；
沿所述第二方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向，第n个键合电极相较于第n个标准键合位置的中心偏移量为Byn＝k*Dyn；其中，Dyn＝n*Dy。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述键合电极包括正电极和负电极；所述键合电极的正电极和负电极沿所述第一方向依次排布；沿所述第一方向，所述正电极的尺寸为L1，所述负电极的尺寸为L2，所述正电极和所述负电极之间的间隙的尺寸为U；
所述键合电极包括标准部分和增宽部分；所述标准部分在所述衬底基板上的垂直投影的面积与对应所述标准键合位置的面积相同；沿所述第一方向由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，每个键合电极的增宽部分的尺寸为
Figure FDA0003809762060000041
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
多个所述键合电极的中心围绕所述衬底基板的中心排布形成环形结构；由所述衬底基板的中心至所述衬底基板的边缘方向上，所述衬底基板上包括中心重合的多个环形结构；
沿所述衬底基板的中心指向所述环形结构的方向上，相邻两个键合电极的中心之间的间距逐渐增大。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述键合电极均包括直线型的第一边缘；所述第一边缘与所述键合电极所在环形结构的切线平行设置。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，在所述衬底基板所在平面定义多个标准环形结构；每个标准环形结构包括多个标准键合位置；所有所述标准键合位置的尺寸完全相同；沿所述衬底基板的中心指向所述环形结构的方向上，相邻两个标准键合位置的中心的间距为Dm；
每个所述环形结构包括与所述标准键合位置一一对应的键合电极；沿所述衬底基板的中心指向所述环形结构的方向上，第n个键合电极相较于第n个标准键合位置的中心偏移量为Cmn＝k*Dmn；其中，k为所述Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数；Dmn＝n*Dm。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
并且由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距呈等差数列，或者相邻两个所述键合电极的中心之间的间距呈高阶等差数列。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述Micro-LED的侧壁设置有吸光材料；所述吸光材料为线性热膨胀材料。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述Micro-LED的侧壁设置的吸光材料的厚度逐渐增大。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述吸光材料的线性热膨胀系数与所述Micro-LED进行键合的转移材料的线性膨胀系数相同。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述吸光材料为发泡塑料或光致变形高分子材料中的至少一种。
18.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-17任一项所述的显示面板。
19.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
获取衬底基板；所述衬底基板上设置有多个键合电极；在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大或者相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
获取转移基板上阵列设置的多个Micro-LED；所述Micro-LED与所述转移基板通过转移材料进行贴合；所述转移材料为热膨胀材料；所述Micro-LED在所述转移基板上形成芯片阵列；每个Micro-LED的尺寸相同；相邻所述Micro-LED之间的间距相同；
将所述Micro-LED与对应所述键合电极键合，使得所述Micro-LED因转移材料发生偏移后，能够与对应的键合电极键合。
20.根据权利要求19所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，相邻两个所述键合电极的中心之间的间距逐渐增大；
所述显示面板的制作方法还包括：
在所述衬底基板所在平面定义包含多个标准键合位置的标准阵列结构；各个所述标准键合位置与所述芯片阵列的Micro-LED一一对应且尺寸相同；相邻两个标准键合位置的中心之间的间距与相邻所述Micro-LED之间的间距相同；
将所述标准阵列结构根据所述转移材料的膨胀系数模拟拉伸得到目标阵列结构；所述目标阵列结构中，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，相邻两个所述键合位置的中心之间的间距逐渐增大；
所述获取衬底基板包括：在所述衬底基板上，按照所述目标阵列结构中的键合位置设置一一对应的键合电极。
21.根据权利要求19所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述衬底基板上设置有多个键合电极，包括：
在所述衬底基板上形成种子层；
通过电镀工艺在所述种子层上形成多个键合电极；在平行于所述衬底基板所在平面内，由所述衬底基板的中心指向所述衬底基板的边缘方向上，所述键合电极的尺寸逐渐增大。
CN202011615859.5A 2020-12-30 2020-12-30 一种显示面板及制作方法、显示装置 Active CN113224218B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011615859.5A CN113224218B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 一种显示面板及制作方法、显示装置
US17/234,799 US11908986B2 (en) 2020-12-30 2021-04-20 Display panel and manufacturing method thereof and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011615859.5A CN113224218B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 一种显示面板及制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113224218A CN113224218A (zh) 2021-08-06
CN113224218B true CN113224218B (zh) 2023-01-20

Family

ID=77063022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011615859.5A Active CN113224218B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 一种显示面板及制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11908986B2 (zh)
CN (1) CN113224218B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114755852B (zh) * 2022-04-21 2024-03-29 南京京东方显示技术有限公司 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111133498A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111883553A (zh) * 2020-09-11 2020-11-03 东南大学 无需巨量转移操作的Micro LED显示面板制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3437107B2 (ja) * 1999-01-27 2003-08-18 シャープ株式会社 樹脂封止型半導体装置
CN102683524A (zh) * 2012-05-25 2012-09-19 杭州士兰明芯科技有限公司 倒装led芯片结构及其制备方法
TWI581460B (zh) * 2015-09-04 2017-05-01 錼創科技股份有限公司 發光元件及其製作方法
CN109417672A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 思睿逻辑国际半导体有限公司 Mems设备和方法
CN109326685B (zh) * 2017-08-01 2023-03-03 群创光电股份有限公司 显示装置的制造方法
US20190043843A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
US10861773B2 (en) * 2017-08-30 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US11417569B2 (en) * 2017-09-18 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure having integrated circuit component with conductive terminals of different dimensions
US10186549B1 (en) * 2017-09-20 2019-01-22 Asm Technology Singapore Pte Ltd Gang bonding process for assembling a matrix of light-emitting elements
US10818624B2 (en) * 2017-10-24 2020-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and method for manufacturing the same
DE102017128568A1 (de) * 2017-12-01 2019-06-06 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit einer vielzahl von externen kontakten, chip-anordnung und verfahren zum überprüfen einer ausrichtung einer position eines halbleiterchips
US10658349B1 (en) * 2018-01-26 2020-05-19 Facebook Technologies, Llc Interconnect using embedded carbon nanofibers
TWI659486B (zh) * 2018-04-18 2019-05-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 轉移載板與晶粒載板
CN110391165B (zh) * 2018-04-18 2021-09-14 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 转移载板与晶粒载板
US10732747B2 (en) * 2018-05-24 2020-08-04 Innolux Corporation Display device
CN109326549B (zh) * 2018-09-19 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法
US10892257B2 (en) * 2019-01-21 2021-01-12 Innolux Corporation Foldable display device
CN112151665B (zh) * 2019-06-27 2022-03-08 成都辰显光电有限公司 微发光二极管器件及其制备方法、显示面板及其制作方法
KR20210047695A (ko) * 2019-10-22 2021-04-30 삼성전자주식회사 발광 다이오드와 백플레인과 이들을 포함하는 led 디스플레이
WO2021102659A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微器件转移装置及方法
CN210982989U (zh) 2019-11-29 2020-07-10 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置
CN111192869B (zh) * 2020-01-08 2022-08-02 錼创显示科技股份有限公司 基板和显示设备
CN111987034A (zh) * 2020-07-28 2020-11-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管转移方法
CN112599510B (zh) * 2020-08-24 2022-11-08 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示矩阵模块
CN111952332B (zh) * 2020-09-24 2023-10-27 深圳市奥视微科技有限公司 微显示器件的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111133498A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111883553A (zh) * 2020-09-11 2020-11-03 东南大学 无需巨量转移操作的Micro LED显示面板制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210242383A1 (en) 2021-08-05
CN113224218A (zh) 2021-08-06
US11908986B2 (en) 2024-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102595086B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110459577B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
EP3321785B1 (en) Embedded touch screen and organic light-emitting diode display device
US20220310721A1 (en) Display panel, manufacturing method thereof and display device
US20210333943A1 (en) Touch substrate and manufacturing method thereof, touch display panel and touch display apparatus
CN113224218B (zh) 一种显示面板及制作方法、显示装置
US20220130747A1 (en) Light-emitting substrate and display apparatus
CN105224117B (zh) 触控显示屏及其制造方法
US20240063360A1 (en) Drive circuit substrate, led display panel and method of forming the same, and display device
US20210089171A1 (en) Touch substrate, method of forming the same, and touch display device
CN113206139B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113380849A (zh) 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN108712814B (zh) 灯源线路板、灯源及灯源线路板制作方法
CN109558025B (zh) 一种触控面板、其制作方法及显示装置
CN108598131B (zh) 发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法
TWI676307B (zh) 有機電致發光裝置及其製備方法
WO2019184911A1 (zh) 柔性显示面板及其制作方法、显示装置
CN113394356B (zh) 显示基板及显示装置
CN113851601B (zh) 一种有机发光显示面板及电子设备
US11271064B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device
CN113327939B (zh) 阵列基板和显示面板
EP4203049A1 (en) Display substrate and preparation method therefor
CN112531001B (zh) 显示面板及制作方法、显示装置
CN113241014B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN214203632U (zh) 转移设备和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant