CN114755852B - 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 - Google Patents
背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114755852B CN114755852B CN202210426699.2A CN202210426699A CN114755852B CN 114755852 B CN114755852 B CN 114755852B CN 202210426699 A CN202210426699 A CN 202210426699A CN 114755852 B CN114755852 B CN 114755852B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bonding
- area
- elastic layer
- metal electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
本申请总体来说涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种背板、背板加工方法、背光模组及显示装置，背板具有包括衬底、第一金属电极线及弹性层，微型发光二极管键合偏移后仍能够与位于第一键合区周边的第二键合部连接，保证微型发光二极管与第一金属电极线良好的接触，弹性层延伸至所述第一键合区域所述第二键合区的交接处，当第一键合部在键合变形后，多个第一键合部形成一个整体，并接触挤压其周侧的弹性层，消除第一键合区内的间隙，同时避免键合后呈整体结构的第一键合部对弹性层过度挤压，影响弹性层的平坦性，弹性层可以对微型发光二极管键合缓冲，微型发光二极管不会碎裂，提高微型发光二极管的键合成功率。
Description
技术领域
本申请总体来说涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种背板、背板加工方法、背光模组及显示装置。
背景技术
随着显示行业的快速发展，微型发光二极管(Micro-LED)作为新一代显示技术已经登上时代舞台，比现有的OLED以及LCD技术具有亮度更高、功耗更低、发光效率更好以及寿命更长等特点。
传统的LED显示屏在芯片切割完毕后，直接对整颗LED灯珠进行封装，驱动电路与芯片正负极连接，驱动封装好的灯珠；而Micro-LED在光刻步骤后，并不会直接封装，这是由于封材料会增大灯珠体积，无法实现灯珠间的微距。需要将LED裸芯片颗粒从蓝宝石基板转移到驱动上，将灯珠电极与驱动基板相连，Micro-LED键合过程中容易与键合柱发生偏移，易出现断路情况。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了解决现有Micro-LED键合偏移易发生断路的技术问题，本申请提供一种背板、背板加工方法、背光模组及显示装置。
为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：
一种背板，包括：
衬底，设置多条第一金属电极线；
第一键合区，设于所述第一金属电极线上，且所述第一键合区设置有多个第一键合部；
第二键合区，设置于所述第一金属电极线上，且所述第二键合区设有多个围绕所述第一键合区的第二键合部；
弹性层，设于所述衬底及所述第二键合区，并延伸至所述第一键合区域所述第二键合区的交接处。
进一步的，在本申请方案的一些实施例中，所述第一键合部和所述第二键合部的高度大于所述弹性层厚度。
进一步的，在本申请方案的一些实施例中，所述第一键合部具有上端面及下端面，所述上端面的面积小于所述下端面的面积，所述下端面与所述第一金属电极线连接。
进一步的，在本申请方案的一些实施例中，所述第二键合部在平行所述衬底上表面方向的剖面图呈扇形，且所述扇形的圆心与所述第一键合区的中心重合。
进一步的，在本申请方案的一些实施例中，还包括微型发光二极管，所述微型发光二极管具有键合金属，所述键合金属具有键合面，所述键合面的面积大于所述第一键合区的面积，所述键合面的面积小于所述第一键合区与所述第二键合区的面积之和。
进一步的，在本申请方案的一些实施例中，所述第一键合区为圆形或多边形，所述第二键合区环绕所述第一键合区。
进一步的，在本申请方案的一些实施例中，所述第一键合区内第一键合部的体积t1,所述弹性层与所述衬底在所述第一键合区合围的空间体积t2，所述1.3t2≥t1≥t2。
一种背板加工方法，包括：
在衬底上形成多条第一金属电极线；
在所述第一金属电极线上划分第一键合区及第二键合区，在所述第一键合区设置占位部，在所述第二键合区设置第二键合部；
在所述衬底涂布弹性层，所述弹性层的厚度小于所述第二键合部的高度；
去除所述占位部，并在所述第一键合区间隔设置多个第一键合部，所述第一键合部的高度大于所述弹性层的厚度；
键合微型发光二极管、在所述弹性层涂布绝缘层以及在所述绝缘层形成与所述第一金属电极线交错的多个第二金属电极线。
一种背光模组，安装上述背板。
一种显示装置，安装上述背光模组。
由上述技术方案可知，本申请的背板的优点和积极效果在于：
本申请方案提供一种背板、背板加工方法、背光模组及显示装置，显示装置安装有该背光模组，背光模组安装有该背板，背板通过该背板加工方法加工而成，背板具有包括衬底、第一键合区、第二键合区及弹性层，第一键合区设置有多个第一键合部，第二键合区设置有多个围绕第一键合区的第二键合部，第一键合部用于与微型发光二极管键合连接，微型发光二极管键合偏移后仍能够与位于第一键合区周边的第二键合部连接，保证微型发光二极管与第一金属电极线良好的接触，弹性层延伸至所述第一键合区域所述第二键合区的交接处，当第一键合部在键合变形后，多个第一键合部形成一个整体，并接触挤压其周侧的弹性层，消除第一键合区内的间隙，同时避免键合后呈整体结构的第一键合部对弹性层过度挤压，影响弹性层的平坦性，在微型发光二极管键合过程中，垂直方向上，弹性层可以对微型发光二极管键合缓冲，高度不同的微型发光二极管都可以键合在衬底上，且微型发光二极管不会碎裂，提高微型发光二极管的键合成功率。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据一示例性实施方式示出的一种背板的局部结构示意图。
图2是根据一示例性实施方式示出的另一种背板的局部结构示意图。
图3是根据一示例性实施方式示出的一种背板中第一键合部及第二键合部的示意图。
图4是根据一示例性实施方式示出的一种背板的俯视示意图。
图5是根据一示例性实施方式示出一种背板的截面示意图。
其中，附图标记说明如下：
100-衬底；200-第一金属电极线；210-第一键合区；211-第一键合部；220-第二键合区；221-第二键合部；230-键合覆盖区；300-弹性层；400-微型发光二极管；500-绝缘层；600-电极图层；700-第二金属电极线。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围，因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
随着显示行业的快速发展，微型发光二极管(Micro-LED)作为新一代显示技术已经登上时代舞台，比现有的OLED以及LCD技术具有亮度更高、功耗更低、发光效率更好以及寿命更长等特点。
传统的LED显示屏在芯片切割完毕后，直接对整颗LED灯珠进行封装，驱动电路与芯片正负极连接，驱动封装好的灯珠；而Micro-LED在光刻步骤后，并不会直接封装，这是由于封材料会增大灯珠体积，无法实现灯珠间的微距。需要将LED裸芯片颗粒从蓝宝石基板转移到驱动上，将灯珠电极与驱动基板相连，Micro-LED键合过程中容易与键合柱发生偏移，易出现断路情况，Micro-LED存在大小不同的情况，高度较低的LED无法与键合金属接触或是接触不紧密，从而造成键合成功率低，另外在键合过程中需要对LED施加压力，由于MicroLED较脆，在进行加压键合过程中可能会导致MicroLED碎裂，从而影响键合成功率。
为了解决现有Micro-LED键合过程中易发生的上述技术问题，本申请提供一种背板、背板加工方法、背光模组及显示装置，显示装置安装有该背光模组，背光模组安装有该背板，背板通过该背板加工方法加工而成，背板具有包括衬底100、第一键合区210、第二键合区220及弹性层300，第一键合区210设置有多个第一键合部211，第二键合区220设置有多个围绕第一键合区210的第二键合部221，第一键合部211用于与微型发光二极管400、键合连接，键合偏移的微型发光二极管400可以与位于第一键合区210周边的第二键合部221连接，保证微型发光二极管400与第一金属电极线200良好的接触，弹性层300延伸至所述第一键合区210域所述第二键合区220的交接处，当第一键合部211在键合变形后，多个第一键合部211形成一个整体，并接触挤压其周侧的弹性层300，消除第一键合区210内的间隙，同时避免键合后呈整体结构的第一键合部211对弹性层300过度挤压，影响弹性层300的平坦性，在微型发光二极管400键合过程中，垂直方向上，弹性层300可以对微型发光二极管400键合缓冲，高度不同的微型发光二极管400都可以键合在衬底100上，且微型发光二极管400不会碎裂，提高微型发光二极管400的键合成功率。
图1是根据一示例性实施方式示出的一种背板的局部结构示意图，图2是根据一示例性实施方式示出的另一种背板的局部结构示意图，图3是根据一示例性实施方式示出的一种背板中第一键合部211及第二键合部221的示意图，图4是根据一示例性实施方式示出的一种背板的俯视示意图，图5是根据一示例性实施方式示出一种背板的截面示意图。
本申请方案提供一种背板、背板加工方法、背光模组及显示装置，显示装置安装有该背光模组，背光模组安装有该背板，背板通过该背板加工方法加工而成。
本申请方案中，背板包括衬底100，衬底100设置多条第一金属电极线200，多条第一金属电极线200平行设置，第一金属电极线200上划分有第一键合区210及第二键合，第一键合区210内设置有多个第一键合部211，第二键合区220内设置有多个围绕第一键合区210的第二键合部221，弹性层300覆盖背板及第一金属电极线200，弹性层300在第二键合部221的上方及第一键合区210无覆盖，本申请方案中，弹性层300延伸至第二键合区220域第一键合区210的交界处，微型发光二极管400键合在第一键合部211及部分第二键合部221，弹性层300覆盖衬底100和第一金属电极线200，弹性层300在第一键合区210及第二键合部221上无覆盖，绝缘层500覆盖弹性层300；多条第二金属电极线700位于绝缘层500上且与第一金属电极线200垂直交错设置；每个电极图层600用于连接微型发光二极管400和对应的第二金属电极线700，电极图层600可以构成微型发光二极管400和第二金属电极线700之间的电性导通。
参考图1所示，背板包括衬底100及形成于衬底100上的第一金属电极线200，第一金属电极线200上划分有第一键合区210(图1中虚线圆圈示意区域)和第二键合区220(第一金属电极线200上虚线圆圈以外的区域)，第一键合区210设置有第一键合部211，第二键合区220设置有围绕第一键合区210的第二键合部221，背板上涂布弹性层300，弹性层300覆盖衬底100及第一金属电极线200，在第一键合区210未覆盖弹性层300，弹性层300的厚度小于或等于第一键合部211及第二键合部221的高度。
在图1示例中，第一键合部211和第二键合部221均为圆柱状，第一键合区210为圆形，多个第一键合部211间隔均匀布于第一键合区210，第二键合部221阵列设置于第二键合区220。
本申请方案中，第一键合部211和第二键合部221采用金属材质，优选锌，微型发光二极管400底部具有键合金属，键合金属具有键合面，键合面的面积大于第一键合区210的面积，键合面的面积小于第一键合区210与第二键合区220的面积之和。压贴键合过程中，微型发光二极管400在转移过程中若发生轻微偏移，仍然可以实现与底部第一(第二)键合部键合，防止断路情况的发生，由于微型发光二极管400在垂直方向上受到弹性层300的缓冲作用，即使高度较低的微型发光二极管400也可以接触到键合的金属柱，另外受缓冲力作用大大降低了微型发光二极管400的受冲击力的大小，从而降低了碎裂的风险，提升了键合良率。
本申请方案中，弹性层300为高温弹性胶，可选UV胶或光阻等材料。
参考图2-5所示，第一键合区210呈圆形，第一键合部211呈圆台结构，第一键合部211的上端的面积小于下端面的面积，第一键合部211的下端面与第一金属电极线200连接，在微型发光二极管400安装键合过程中，第一键合部211会热熔，圆台状的第一键合部211可以保证第一键合部211键合过程中的稳定性。
在其它实施例中，第一键合区210也可以呈多边形，第二键合区220环绕第一键合区210设置，或第一键合区210的周侧具有第二键合区220。
第二键合区220环绕第一键合区210设置，在本领域技术人员的理解下，可以将第二键合区220设置为环形，第二键合区220内设置有多个围绕第一键合区210的第二键合部221，为了保障在微型发光二极管400偏移时仍与第一金属电机条稳定连接，第二键合部221在横向方向的截面为扇形，横向方向为平行衬底100上表面的方向，扇形的圆形与第一键合区210的中心重合。
参考图3所示，第一键合区210的中心处设置有一个第一键合部211，第一键合部211呈圆台结构，第一键合部211的轴心与第一键合区210的中心重合，在第一键合部211的周侧又均布有多个第一键合部211，即围绕位于中心的第一键合部211再环形阵列设置多个第一键合部211，第二键合部221设置多个，每一个第二键合部221对应有一个第一键合部211，即第二键合部221与环形阵列中的第一键合部211数量相同，在微型发光二极管400发生偏移时，无论朝向哪个方向偏移，微型发光二极管400与第二键合部221的接触面积逐渐增大，避免第一金属电极线200断路。
第二键合部221横截面形成的扇形中心线(即将扇形均分的半径线r2)经过其对应的第一键合部211轴心(如r1标示起点)以及位于第一键合区210中心的第一键合部211的轴心，使第二键合部221在空间结构上与第一键合部211对应，也可以将第二键合部221认为是第一键合部211在第二键合区220内的延伸，保证微型发光二极管400偏移后仍可以与第一金属电极线200稳定接触。
在微型发光二极管400键合位置准确的情况下，键合覆盖区230完全覆盖第一键合区210，并与第二键合部221中各第二键合部221的部分连接。
第一键合区210内所有第一键合部211的体积之和为t1,弹性层300与衬底100在第一键合区210合围的空间体积为t2，1.3t2≥t1≥t2，在微型发光二极管400键合过程中，多个第一键合部211形成一个整体，并接触挤压其周侧的弹性层300，消除第一键合区210内的间隙，同时避免键合后呈整体结构的第一键合部211对弹性层300过度挤压，影响弹性层300的平坦性。
本申请还提供一种背板的加工方法，可加工上述背板，包括：
a.在衬底100上形成多条第一金属电极线200；
具体的，通过成膜黄光刻蚀工艺先形成多条第一金属电极线200，多条第一金属电极线200平行设置。
b.在第一金属电极线200上划分第一键合区210及第二键合区220，在第一键合区210设置占位部，在第二键合区220设置第二键合部221；
具体的，在第一金属电极线200上方可以通过成膜工艺形成用于键合的第二键合部221，第二键合部221可以是金属Sn或其低熔点合金等，在第一键合区210沉积占位部，第一键合区210的宽度不超过微型发光二极管400底部键合金属的宽度或直径；
c.在衬底100涂布弹性层300，弹性层300的厚度小于第二键合部221的高度；
具体的，在衬底100形成整面性的耐高温弹性材料，耐高温弹性材料可以是弹性的胶，可以是UV胶或光阻等材料，然后通过刻蚀处理使得第二键合部221及占位部裸露；第二键合部221的高度大于弹性层300的厚度。
d.去除所述占位部，并在第一键合区210间隔设置多个第一键合部211，第一键合部211的高度大于所述弹性层300的厚度；
具体的通过刻蚀工艺去除占位部，第一键合部211可以是金属Sn或其低熔点合金，第一键合部211与第二键合部221高度相同。
e.键合微型发光二极管400、在所述弹性层300涂布绝缘层500以及在所述绝缘层500形成与所述第一金属电极线200交错的多个第二金属电极线700。
通过转移技术将微型发光二极管400与键合部进行对位压贴，加热背板使得微型发光二极管400与键合部键合；通过镀膜技术形成一层整面性的平坦化绝缘层500，通过刻蚀技术露出微型发光二极管400的顶部；通过成膜黄光刻蚀工艺形成第二金属电极线700；通过成膜黄光刻蚀工艺形成连接第二金属电极线700和Mciro LED顶部的电极图层600。
本申请还提供一种背光模组，安装上述背板。
本申请还提供一种显示装置，安装上述背光模组。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明总的发明构思的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种背板，其特征在于，包括：
衬底，设置多条第一金属电极线；
第一键合区，设于所述第一金属电极线上，且所述第一键合区设置有多个第一键合部；
第二键合区，设置于所述第一金属电极线上，且所述第二键合区设有多个围绕所述第一键合区的第二键合部；
弹性层，设于所述衬底及所述第二键合区，并延伸至所述第一键合区与所述第二键合区的交接处；
所述第二键合部在平行所述衬底上表面方向的剖面图呈扇形，且所述扇形的圆心与所述第一键合区的中心重合。
2.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一键合部和所述第二键合部的高度大于所述弹性层厚度。
3.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一键合部具有上端面及下端面，所述上端面的面积小于所述下端面的面积，所述下端面与所述第一金属电极线连接。
4.如权利要求1所述的背板，其特征在于，还包括微型发光二极管，所述微型发光二极管具有键合金属，所述键合金属具有键合面，所述键合面的面积大于所述第一键合区的面积，所述键合面的面积小于所述第一键合区与所述第二键合区的面积之和。
5.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一键合区为圆形或多边形，所述第二键合区环绕所述第一键合区。
6.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一键合区内所有第一键合部的体积之和为t1,所述弹性层与所述衬底在所述第一键合区合围的空间体积为t2，1.3t2≥t1≥t2。
7.一种背板加工方法，应用于如权利要求1-6任一项所述的背板，其特征在于，包括：
在衬底上形成多条第一金属电极线；
在所述第一金属电极线上划分第一键合区及第二键合区，在所述第一键合区设置占位部，在所述第二键合区设置第二键合部；
在所述衬底涂布弹性层，所述弹性层的厚度小于所述第二键合部的高度；
去除所述占位部，并在所述第一键合区间隔设置多个第一键合部，所述第一键合部的高度大于所述弹性层的厚度；
键合微型发光二极管、在所述弹性层涂布绝缘层以及在所述绝缘层形成与所述第一金属电极线交错的多个第二金属电极线。
8.一种背光模组，其特征在于，安装有权利要求1-6任一所述的背板。
9.一种显示装置，其特征在于，安装有权利要求8所述背光模组。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210426699.2A CN114755852B (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210426699.2A CN114755852B (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114755852A CN114755852A (zh) | 2022-07-15 |
| CN114755852B true CN114755852B (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=82332104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210426699.2A Active CN114755852B (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114755852B (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1181620A (zh) * | 1996-09-11 | 1998-05-13 | 索尼株式会社 | 引线键合方法 |
| JP2003059555A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法 |
| CN111430405A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-17 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种led结构及led阵列的巨量转移方法 |
| JP2020150052A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | キヤノン株式会社 | 半導体発光装置、露光ヘッド及び画像形成装置 |
| CN111987034A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-11-24 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管转移方法 |
| CN112397494A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-23 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管显示背板及其制造方法 |
| CN212725367U (zh) * | 2020-09-24 | 2021-03-16 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示背板 |
| CN112820752A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法 |
| CN113035746A (zh) * | 2021-02-25 | 2021-06-25 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于大尺寸芯片的金丝球焊键合装置 |
| CN113224218A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-08-06 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 |
| CN113451352A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-09-28 | 深圳市思坦科技有限公司 | 芯片弱化结构及其制作方法、巨量转移方法、显示面板 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7964888B2 (en) * | 2007-04-18 | 2011-06-21 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting device packages and methods |
| US10868217B2 (en) * | 2018-03-07 | 2020-12-15 | Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. | LED chips, method of manufacturing the same, and display panels |
| JP7464540B2 (ja) * | 2019-08-16 | 2024-04-09 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示バックプレーン及びその製造方法、表示装置 |
| CN110690244B (zh) * | 2019-10-15 | 2021-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背板、显示面板以及微发光二极管的转移方法 |
-
2022
- 2022-04-21 CN CN202210426699.2A patent/CN114755852B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1181620A (zh) * | 1996-09-11 | 1998-05-13 | 索尼株式会社 | 引线键合方法 |
| JP2003059555A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法 |
| JP2020150052A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | キヤノン株式会社 | 半導体発光装置、露光ヘッド及び画像形成装置 |
| CN112820752A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法 |
| CN111430405A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-17 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种led结构及led阵列的巨量转移方法 |
| CN111987034A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-11-24 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管转移方法 |
| CN212725367U (zh) * | 2020-09-24 | 2021-03-16 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示背板 |
| CN112397494A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-23 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管显示背板及其制造方法 |
| CN113224218A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-08-06 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 |
| CN113035746A (zh) * | 2021-02-25 | 2021-06-25 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于大尺寸芯片的金丝球焊键合装置 |
| CN113451352A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-09-28 | 深圳市思坦科技有限公司 | 芯片弱化结构及其制作方法、巨量转移方法、显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114755852A (zh) | 2022-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8395170B2 (en) | Light emitting device package and light unit having the same | |
| US8052307B2 (en) | Lens and light emitting apparatus having the same | |
| CN102376854B (zh) | 发光器件和照明系统 | |
| US8048696B2 (en) | Light emitting diode devices and manufacturing method thereof | |
| US7683539B2 (en) | Light emitting device package and method for manufacturing the same | |
| US11289633B2 (en) | LED array package and manufacturing method thereof | |
| US20090134408A1 (en) | Light emitting diode package, method of fabricating the same and backlight assembly including the same | |
| JP2007035951A (ja) | 発光装置 | |
| CN1083109C (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
| CN113345829A (zh) | 微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法 | |
| TW201208153A (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
| KR20160146367A (ko) | 자외선 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치 | |
| US9112126B2 (en) | Light emitting device package, lighting device including the same, and image display device | |
| KR20070121423A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN114755852B (zh) | 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 | |
| TWI758033B (zh) | 微發光二極體顯示器及其封裝方法 | |
| KR20080028099A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN112397491A (zh) | 微型发光二极管显示元件及其制造方法 | |
| KR20040089571A (ko) | Ｌｅｄ 램프 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR20220004001A (ko) | 시트 조명 및 이의 제조방법 | |
| KR101849712B1 (ko) | 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치 | |
| CN111540763B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| US11804585B2 (en) | Lamp using semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| CN118053945A (zh) | Led器件的制备方法及led器件 | |
| CN116565070A (zh) | 一种微型发光二极管芯片结构以及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |