CN111540763B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提出了一种显示面板，其包括：微型发光二极管，微型发光二极管包括主体及自主体的周缘向外延伸的延伸部；阵列基板，微型发光二极管安装于阵列基板；封胶层，封胶层位于阵列基板上，并覆盖微型发光二极管的延伸部。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的高速发展，微型发光二极管显示器(Mini-LED显示器和Micro-LED显示器)已经逐步发展。现有的微型发光二极管显示面板中，微型发光二极管安装于阵列基板，位于阵列基板上的封胶层覆盖于微型发光二极管以防止微型发光二极管脱落。但现有的封胶结构存在强度不够或者降低光学品味的缺点。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，以解决现有微型发光二极管显示面板中封胶强度不够的问题。
本申请提供了一种显示面板，其包括：
微型发光二极管，所述微型发光二极管包括主体及自所述主体的周缘向外延伸的延伸部；
阵列基板，所述微型发光二极管安装于所述阵列基板；
封胶层，所述封胶层位于所述阵列基板上，并覆盖所述微型发光二极管的延伸部。
在本申请的显示面板中，所述延伸部靠近所述主体的邻近所述阵列基板的底部。
在本申请的显示面板中，所述延伸部的靠近所述主体部的第一侧的厚度小于所述延伸部的远离所述主体的第二侧的厚度。
在本申请的显示面板中，所述延伸部包括连接于所述主体的所述底部并向外延伸的连接部及位于所述连接部上的加厚件，所述加厚件靠近所述第二侧，所述封胶层覆盖所述连接部和所述加厚件。
在本申请的显示面板中，所述微型发光二极管包括芯片部，所述芯片部包括所述延伸部及所述主体，所述主体包括底板及位于所述底板上的电极，所述延伸部的所述连接部连接于所述底板并向外延伸，所述电极与所述延伸部的加厚件的材料相同。
在本申请的显示面板中，所述微型发光二极管包括芯片部以及封装所述芯片部的封装部，其中，所述芯片部包括所述主体，所述封装部包括所述延伸部，或，所述芯片部包括所述主体及所述延伸部的所述连接部，所述封装部包括所述延伸部的所述加厚件。
在本申请的显示面板中，在由所述第一侧指向所述第二侧的方向上，所述延伸部的厚度递增。
在本申请的显示面板中，所述主体包括远离所述阵列基板的顶部，所述主体的顶部露出所述封胶层。
本申请提供了一种显示面板的制作方法，其包括：
形成阵列基板；
将微型发光二极管安装于所述阵列基板，其中，所述微型发光二极管包括主体及自所述主体的底部向外延伸的延伸部，所述延伸部的靠近所述主体部的第一侧的厚度小于所述延伸部的远离所述主体的第二侧的厚度；
形成封胶层，所述封胶层覆盖所述微型发光二极管的延伸部并露出所述芯片部远离所述阵列基板的顶部。
本申请还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一种显示面板。
本申请的有益效果为：通过在微型发光二极管的芯片或封装部靠近阵列基板的底部设置延伸部，延伸部与阵列基板上的封胶层配合固定微型发光二极管于阵列基板上，且优选封胶层覆盖延伸部时将芯片远离阵列基板顶部的表面露出，通过这种设置和封装方式可以增强封装固定芯片的能力、提升水汽阻挡能力，从而提高微型发光二极管显示面板的可靠性及产品良率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例一提供的微型发光二极管的第一种结构示意图；
图2为本申请实施例一提供的显示面板的第一种结构示意图；
图3为本申请实施例一提供的微型发光二极管的第二种结构示意图；
图4为本申请实施例一提供的显示面板的第二种结构示意图；
图5为本申请实施例一提供的微型发光二极管的第一半成品的结构示意图；
图6为本申请实施例一提供的微型发光二极管的第二半成品的结构示意图；
图7为本申请实施例二提供的微型发光二极管的结构示意图；
图8为本申请实施例三提供的微型发光二极管的第一种结构示意图；
图9为本申请实施例三提供的微型发光二极管的第二种结构示意图；
图10为本申请实施例四提供的显示面板的阵列基板的结构示意图；
图11为本申请实施例四提供的显示面板的阵列基板与微型发光二极管连接的结构示意图；
图12为本申请实施例四提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1～图9，本申请提供了一种显示面板1000，显示面板1000包括：微型发光二极管10，微型发光二极管10包括主体200及自主体200的周缘向外延伸的延伸部100；阵列基板20，微型发光二极管10安装于阵列基板20；封胶层340，封胶层340位于阵列基板20上，并覆盖微型发光二极管10的延伸部100。
本申请通过在微型发光二极管靠近阵列基板的底部设置延伸部，延伸部与阵列基板上的封胶层配合固定微型发光二极管于阵列基板上，且优选封胶层覆盖延伸部时将芯片远离阵列基板顶部的表面露出，通过这种延伸部设置和封胶层设置方式可以增强封装固定芯片的能力、提升水汽阻挡能力，从而提高微型发光二极管显示面板的可靠性及产品良率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1、图2、图3、图4、图5、图6，本申请提供了一种显示面板1000，显示面板1000包括：微型发光二极管10，微型发光二极管10包括主体200及自主体200的周缘向外延伸的延伸部100；阵列基板20，微型发光二极管10安装于阵列基板20；封胶层340，封胶层340位于阵列基板20上，并覆盖微型发光二极管10的延伸部100。
需要说明的是，微型发光二极管10包括主体200及自主体200的周缘向外延伸的延伸部100，这里的周缘是指主体200周围的边缘，例如主体200为圆柱形时，可以从圆柱形主体200周围的边缘四周向外延伸，或者可以从圆柱形主体200周围的边缘部分区域向外延伸。
请参阅图5，图5示意了微型发光二极管10的第一半成品2000的结构，微型发光二极管10包括图5中示意的第一半成品2000的结构以及在图1、图2、图6中示意的结构，在此举例说明微型发光二极管10的第一半成品2000的结构，但不限于此。具体的，微型发光二极管10的第一半成品2000的结构包括：基底111、n型GaN部112、p型GaN部113，基底111可以为蓝宝石基底，n型GaN部112设置于基底111上，p型GaN部113设置于n型GaN部112上，但不限于此。
请参阅图6，图6示意了微型发光二极管10不包括延伸部时的第二半成品3000的结构，微型发光二极管10包括图6中示意的第二半成品3000的结构以及在图1、图2中示意的结构，在此举例说明微型发光二极管10的第二半成品2000的结构，但不限于此。在微型发光二极管10的第一半成品2000完成后进行后续制造流程形成微型发光二极管10的第二半成品3000。具体的，微型发光二极管10的第二半成品3000的结构包括：基底111、n型GaN部112、p型GaN部113、电极114～115，基底111可以为蓝宝石基底，n型GaN部112设置于基底111上，p型GaN部113设置于n型GaN部112上，电极114～115设置于基底111上，电极114为n电极连接于n型GaN部112，电极115为p电极连接于p型GaN部113，但不限于此。
需要说明的是，虽然在此处举例说明了微型发光二极管10或者微型发光二极管10的第一半成品2000、第二半成品3000的结构或材料，但不限于此。
请参阅图1、图2、图3、图4，图2为本实施例第一种显示面板1000的结构示意图，图1为图2中微型发光二极管10的放大结构示意图；图4为本实施例第二种显示面板1000的结构示意图，图3为图4中微型发光二极管10的放大结构示意图.
在本实施例中，主体200包括顶部210和底部110，延伸部100靠近主体200的邻近阵列基板20的底部110。在一些实施例中，延伸部100可以与阵列基板20接触，主体200的底部110可以与阵列基板20接触。
在一些实施例中，如图1、图2所示，延伸部100的靠近主体200的第一侧A的厚度小于延伸部100的远离主体200的第二侧B的厚度。
在一些实施例中，如图3、图4所示，在由第一侧A指向第二侧B的方向上，延伸部100的厚度递增。
在一些实施例中，如图1、图2、图3、图4所示，延伸部100包括连接于主体200的底部110并向外延伸的连接部120及位于连接部120上的加厚件130，加厚件130靠近第二侧B，封胶层340覆盖连接部120和加厚件130。具体的，在一些实施例中，主体200的底部110为微型发光二极管10的第一半成品2000、第二半成品3000的基底111，例如为蓝宝石基底。
在一些实施例中，如图1、图2、图3、图4所示，主体200包括远离阵列基板20的顶部210，主体200的顶部210露出封胶层340，可以防止封胶层340对光学的影响。但不限于主体200的顶部210露出封胶层340，在一些实施例中，主体200的顶部210可以被封胶层340覆盖。
在本实施例中，请通过在微型发光二极管设置延伸部，延伸部与阵列基板上的封胶层配合固定微型发光二极管于阵列基板上，延伸部可以提供微型发光二极管脱落时的回拉力而起到防止脱落的效果，且优选封胶层覆盖延伸部时将主体远离阵列基板顶部的表面露出，通过这种延伸部设置和封胶层设置方式可以增强封装固定芯片的能力、提升水汽阻挡能力，从而提高微型发光二极管显示面板的可靠性及产品良率。
实施例二
请参阅图7，基于实施例一，本实施例进一步说明了微型发光二极管10的延伸部100的结构，微型发光二极管10包括芯片部500，芯片部500包括延伸部100及主体200，主体200包括底板140及位于底板140上的电极220，延伸部100的连接部120连接于底板140并向外延伸，电极220与延伸部100的加厚件130的材料相同。
具体的，图7中电极220与图6中微型发光二极管10的第二半成品3000的电极114或/和115为同一电极，在此实施例为了便于说明分开标识。具体的，延伸部100的加厚件130可以与图6中微型发光二极管10的第二半成品3000的电极114或/和115材料相同，例如在完成微型发光二极管10的第一半成品2000后在形成电极114或/和115时，通过清洗、沉积、涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离等工艺图案化金属同时形成加厚件130、电极114或/和115。在此实施例中加厚件130与电极114或/和115一体形成，此时加厚件130为金属材料，可以不用单独增加工艺来制造加厚件130，减小了工艺步骤。
在本实施例中，通过在微型发光二极管设置延伸部，延伸部与阵列基板上的封胶层配合固定微型发光二极管于阵列基板上，延伸部的加厚件与在微型发光二极管的第二半成品3000中电极114或/和115相同材料制成，延伸部可以提供微型发光二极管脱落时的回拉力而起到防止脱落的效果，通过这种延伸部设置和封胶层设置方式可以增强封装固定芯片的能力、提升水汽阻挡能力，从而提高微型发光二极管显示面板的可靠性及产品良率。
实施例三
请参阅图8、图9，基于实施例一，本实施例区别于实施例二进一步说明了微型发光二极管10的延伸部100的结构，微型发光二极管10包括芯片部500以及封装芯片部500的封装部300，其中，芯片部500包括主体200，封装部300包括延伸部100，或，芯片部500包括主体200及延伸部100的连接部120，封装部300包括延伸部100的加厚件130。
具体的，请参阅图8，在一些实施例中，微型发光二极管10包括芯片部500以及封装芯片部500的封装部300，其中，芯片部500包括主体200，封装部300包括延伸部100。即封装部300封装芯片部500的同时形成了延伸部100，延伸部100包括连接于主体200的底部110并向外延伸的连接部120及位于连接部120上的加厚件130，加厚件130靠近第二侧B。
具体的，请参阅图9，在一些实施例中，微型发光二极管10包括芯片部500以及封装芯片部500的封装部300，其中，芯片部500包括主体200及延伸部100的连接部120，封装部300包括延伸部100的加厚件130。具体的，封装部300封装芯片部500的同时形成了延伸部100的加厚件130，加厚件130靠近第二侧B。例如封装部300形成时同时具有封装芯片的和加厚件的两部分。
在一些实施中，封装部300与延伸部100或延伸部100的加厚件130一体形成，在一些实施中，延伸部100或延伸部100的加厚件130为封装部300的材料，可以不用单独增加工艺来制造延伸部100或延伸部100的加厚件130，减小了工艺步骤。
在本实施例中封装部封装的芯片部可以为一个或一个以上的芯片部，或者为一种或一种以上的芯片部，在此不做限定。
在本实施例中，通过在微型发光二极管设置延伸部，延伸部与阵列基板上的封胶层配合固定微型发光二极管于阵列基板上，封装部300包括延伸部100或延伸部100的加厚件130，延伸部可以提供微型发光二极管脱落时的回拉力而起到防止脱落的效果，通过这种设置方式可以增强封装固定芯片的能力、提升水汽阻挡能力，从而提高微型发光二极管显示面板的可靠性及产品良率。
综合上述实施例，在一些实施例中，延伸部100或延伸部100的加厚件130还可以通过其他方法制作而成，例如可以通过增加新的制作工艺步骤形成延伸部100或延伸部100的加厚件130。例如延伸部100的连接部120和加厚件130都为相同材料，例如延伸部100的连接部120和加厚件130、以及主体200的底部110都为相同材料，例如延伸部100的连接部120和加厚件130由主体200的底部110通过切割等方式延伸形成，例如延伸部100的连接部120和加厚件130、以及主体200的底部110都为基底110的材料。
综合上述实施例，延伸部100自主体200的周缘向外延伸的长度可以为20～1000um，延伸部100的厚度可以为20～500um，但不限定于此，只要延伸部100不影响微型发光二极管10的发光角度。
封胶层340的厚度可以为10～500um，但不限定于此，只要封胶层340在阵列基板上覆盖延伸部100。优选主体200的顶部210露出封胶层340，但不限于此，在一些实施例中，主体200的顶部210可以被封胶层340覆盖。
综合上述实施例，上述实施例中的微型发光二极管10可以为Mini-LED、Micro-LED等。
综合上述实施例，上述实施例中的显示面板可以直接显示图像，即不需要液晶盒等结构就可以显示图像，但不限于此。
综合上述实施例，上述实施例中的显示面板还可以包括液晶盒等结构，上述实施例中的显示面板为显示面板中的背光模组结构，但不限于此。
实施例四
请参阅图10、图11、图12，本申请提供了一种显示面板的制造方法，显示面板的制造方法包括：
S1，形成阵列基板，如图10所示，通过半导体制作流程：清洗、沉积、涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离等多次制程制作出阵列基板20，以待与上述实施例中的微型发光二极管10打件接触。阵列基板20包括基底310、打件金属层320、绝缘层330等结构，打件金属层320设置于基底310上，绝缘层330设置于打件金属层320上并具有通孔331露出打件金属电极332，打件金属电极332在后续工艺中与上述微型发光二极管10电性连接。本实施例中阵列基板20的结构不限于此，例如还可以具有驱动走线、层间绝缘层、有源层等结构。
S2，将微型发光二极管安装于阵列基板，如图11所示，将上述微型发光二极管10安装于阵列基板20，将上述微型发光二极管10与阵列基板20的打件金属电极332电性连接。其中，微型发光二极管10包括主体200及自所述主体200的底部110向外延伸的延伸部100，延伸部100的靠近主体200的第一侧A的厚度小于延伸部100的远离主体200的第二侧B的厚度；
S3，形成封胶层，如图12所示，封胶层340覆盖微型发光二极管10的延伸部100并露出芯片部500远离阵列基板20的顶部210。
本申请还提供了一种显示装置，显示装置包括上述任一种的显示面板。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
微型发光二极管，所述微型发光二极管包括主体及自所述主体的周缘向外延伸的延伸部；
阵列基板，所述微型发光二极管安装于所述阵列基板；
封胶层，所述封胶层位于所述阵列基板上，并覆盖所述微型发光二极管的延伸部；
其中，所述延伸部靠近所述主体的邻近所述阵列基板的底部；所述延伸部的靠近所述主体的第一侧的厚度小于所述延伸部的远离所述主体的第二侧的厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述延伸部包括连接于所述主体的所述底部并向外延伸的连接部及位于所述连接部上的加厚件，所述加厚件靠近所述第二侧，所述封胶层覆盖所述连接部和所述加厚件。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述微型发光二极管包括芯片部，所述芯片部包括所述延伸部及所述主体，所述主体包括底板及位于所述底板上的电极，所述延伸部的所述连接部连接于所述底板并向外延伸，所述电极与所述延伸部的加厚件的材料相同。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述微型发光二极管包括芯片部以及封装所述芯片部的封装部，其中，所述芯片部包括所述主体，所述封装部包括所述延伸部，或，所述芯片部包括所述主体及所述延伸部的所述连接部，所述封装部包括所述延伸部的所述加厚件。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在由所述第一侧指向所述第二侧的方向上，所述延伸部的厚度递增。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述主体包括远离所述阵列基板的顶部，所述主体的顶部从所述封胶层露出。
7.一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
形成阵列基板；
将微型发光二极管安装于所述阵列基板，其中，所述微型发光二极管包括主体及自所述主体的底部向外延伸的延伸部，所述延伸部的靠近所述主体的第一侧的厚度小于所述延伸部的远离所述主体的第二侧的厚度；
形成封胶层，所述封胶层覆盖所述微型发光二极管的延伸部并露出所述微型发光二极管远离所述阵列基板的顶部。
8.一种显示装置，包括如权利要求1-6任一项所述的显示面板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183686A (zh) * 2014-09-09 2014-12-03 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管器件及其制作方法
CN107705713A (zh) * 2017-10-13 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110444547A (zh) * 2019-07-29 2019-11-12 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种微型发光二极管阵列显示背板及其制造方法
CN110797369A (zh) * 2018-05-28 2020-02-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型发光二极管显示面板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183686A (zh) * 2014-09-09 2014-12-03 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管器件及其制作方法
CN107705713A (zh) * 2017-10-13 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110797369A (zh) * 2018-05-28 2020-02-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型发光二极管显示面板
CN110444547A (zh) * 2019-07-29 2019-11-12 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种微型发光二极管阵列显示背板及其制造方法

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