JP2012182276A - 発光ユニットおよび表示装置 - Google Patents

発光ユニットおよび表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012182276A
JP2012182276A JP2011043710A JP2011043710A JP2012182276A JP 2012182276 A JP2012182276 A JP 2012182276A JP 2011043710 A JP2011043710 A JP 2011043710A JP 2011043710 A JP2011043710 A JP 2011043710A JP 2012182276 A JP2012182276 A JP 2012182276A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
electrode
insulating layer
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011043710A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5754173B2 (ja
Inventor
Katsuhiro Tomota
勝寛 友田
Naoki Hirao
直樹 平尾
Tsuyoshi Biwa
剛志 琵琶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2011043710A priority Critical patent/JP5754173B2/ja
Priority to TW101105637A priority patent/TWI476950B/zh
Priority to EP12156336.5A priority patent/EP2495761B1/en
Priority to EP19171045.8A priority patent/EP3564997A1/en
Priority to KR1020120018034A priority patent/KR101909285B1/ko
Priority to US13/402,137 priority patent/US8686447B2/en
Priority to CN201210045868.4A priority patent/CN102655197B/zh
Publication of JP2012182276A publication Critical patent/JP2012182276A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5754173B2 publication Critical patent/JP5754173B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を低減することの可能な発光ユニットおよびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】発光ユニット１は、３つの発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁体２０と、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに電気的に接続された端子電極３１，３２を備える。３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を備えた発光ユニット、ならびに発光ユニットを備えた表示装置に関する。
近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いとった特徴がある。しかし、数百万個にも及ぶＬＥＤチップを配線基板上に歩留まり良く実装し、結線することが要求される。そのため、簡易なプロセスで高歩留まりを実現できる方法が必要とされている。
例えば、特許文献１に記載の方法では、まず、各色のＬＥＤを同一ピッチで転写用基板上に転写したのち、複数色のＬＥＤごとに樹脂で覆い、発光ユニットを形成する。次に、各発光ユニットを、表示パネル用基板上に行列状に転写する。このようにして、簡易な方法で表示パネルが製造される。
特開２００７−１９４６７号公報
ところで、上記特許文献１に記載の発光ユニットでは、各ＬＥＤで発生した光は、発光ユニットの上面から外部に出力されるだけでなく、発光ユニットの樹脂内も伝播する。このとき、樹脂内を伝播する光が波長の短い青色光であった場合に、青色光が赤色ＬＥＤに入射するときには、赤色ＬＥＤに含まれる材料（例えばポリイミド）が劣化し、赤色ＬＥＤの光出力が変動してしまうという問題があった。また、樹脂内を伝播する光が緑色光であった場合に、緑色光が赤色ＬＥＤに入射するときには、赤色ＬＥＤが緑色光によって励起され、発光することがある。その結果、表示映像にクロストークが生じたり、色温度が変化したり、色再現範囲が減少したりする虞があるという問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を低減することの可能な発光ユニットおよびそれを備えた表示装置を提供することにある。
本発明の発光ユニットは、発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を備えたものである。複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子は、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層を有している。この発光素子は、第１導電型層と電気的に接続された第１電極と、第２導電型層と電気的に接続された第２電極とを有している。さらに、この半導体層は、第１導電型層、活性層および第２導電型層が露出した側面を有しており、半導体層の表面のうち少なくとも活性層の露出面に接する第１絶縁層と、第１絶縁層の表面のうち少なくとも活性層の露出面との対向面に接する金属層とを有している。この金属層は、第１電極および第２電極と電気的に分離されている。
本発明の表示装置は、複数の発光ユニットを有する表示パネルと、映像信号に基づいて各発光ユニットを駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の表示装置において、各発光ユニットは、上記の発光ユニットと同一の構成要素を有している。
本発明の発光ユニットおよび表示装置では、複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子の側面には、少なくとも活性層の露出面に接する第１絶縁層と、第１絶縁層の表面のうち少なくとも活性層の露出面との対向面に接する金属層とが設けられている。これにより、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光は、発光素子の側面に設けられた金属層によって反射され、隣接する発光素子への光入射が妨げられる。ここで、上記の金属層は、第１電極および第２電極と電気的に分離されているので、第１電極と第２電極とが金属層を介してショートする可能性はほとんどない。そのため、側面に設けた金属層が発光素子の耐圧に悪影響を及ぼす可能性もほとんどない。
ところで、本発明において、第１絶縁層および金属層は、少なくとも発光素子の側面全体を覆っていることが好ましい。このようにした場合には、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も、発光素子の側面に設けられた金属層によって反射され、隣接する発光素子への光入射がより一層、妨げられる。
また、本発明において、第１電極が、第１導電型層表面であって、かつ活性層とは反対側の表面に接して形成された金属電極であり、第１絶縁層および金属層が、側面との対向領域から、第１電極との対向領域に渡って形成されていてもよい。このようにした場合には、第１電極の一部と金属層の一部とが第１絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙を介して直接、漏れ出ることが無い。
また、本発明において、第１絶縁層のうち第１電極との対向領域に形成されている部分の表面の一部が、金属層に覆われていない露出面となっており、その露出面から金属層の表面に渡って第２絶縁層が形成されていることが好ましい。さらに、上記の場合に、第１電極の表面の一部が、第１絶縁層、金属層および第２絶縁層に覆われていない露出面となっており、その露出面から、第１絶縁層の表面および第２絶縁層の表面に渡ってパッド電極が形成されていることが好ましい。このようにした場合には、金属層の一部とパッド電極の一部とが第２絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙、さらには、第１電極とパッド電極との間隙を介して漏れ出ることはほとんどない。
また、本発明において、複数種類の発光素子が、青色光を発する発光素子、緑色光を発する発光素子および赤色光を発する発光素子を含んでいる場合には、これら３種類の発光素子のうち少なくとも青色光を発する発光素子および緑色光を発する発光素子が、上記の金属層を有していることが好ましい。
本発明の発光ユニットおよび表示装置によれば、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光を、発光素子の側面に設けられた金属層によって反射し、隣接する発光素子への光入射を妨げるようにしたので、発光ユニット内を伝播する光による悪影響を低減することができる。特に、第１絶縁層および金属層が、少なくとも発光素子の側面全体を覆っている場合には、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も金属層で反射させることができるので、発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を格段に低減することができる。
ところで、本発明の発光ユニットおよび表示装置では、金属層と第１電極とがショートするのを避けるために、金属層と第１電極との間には間隙が存在する。しかし、第１絶縁層および金属層が、半導体層の側面との対向領域から、第１電極との対向領域に渡って形成されている場合には、第１電極の一部と金属層の一部とが第１絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙を介して漏れ出ることが無い。これにより、発光素子の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、発光ユニット内を伝播する光による悪影響を低減することができる。
また、本発明の発光ユニットおよび表示装置において、第１絶縁層の露出面から金属層の表面に渡って第２絶縁層が形成されており、さらに、第１電極の露出面から、第１絶縁層の表面および第２絶縁層の表面に渡ってパッド電極が形成されている場合には、金属層の一部とパッド電極の一部とが第２絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙、さらには、金属層とパッド電極との間隙を介して漏れ出ることはほとんどない。これにより、金属層と第１電極（またはパッド電極）とのショートを確実に防ぎつつ、発光ユニット内を伝播する光による悪影響をさらに低減することができる。
本発明の第１の実施形態に係る発光ユニットの構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図１の光学素子の構成の一例を表す断面図である。 図１の光学素子の構成の他の例を表す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る発光ユニットの構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図４の光学素子の構成の一例を表す断面図である。 図４の光学素子の構成の他の例を表す断面図である。 図５の光学素子の構成の一変形例を表す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を表す斜視図である。 図８の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態（発光ユニット）
素子電極が上下面に設けられている例
２．第２の実施の形態（発光ユニット）
素子電極が下面だけに設けられている例
３．第３の実施の形態（表示装置）
上記実施の形態の発光ユニットが画素として設けられている例
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
まず、本発明の第１の実施の形態に係る発光ユニット１について説明する。図１（Ａ）は、発光ユニット１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の発光ユニット１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光ユニット１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。
（発光素子１０）
発光ユニット１は、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０を備えている。各発光素子１０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上、１未満となっている。
各発光素子１０は、発光ユニット１内に配置されており、例えば、図１（Ａ）に示したように、他の発光素子１０と所定の間隙を介して一列に配置されている。このとき、発光ユニット１は、例えば、発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状となっている。互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間は、例えば、各発光素子１０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子１０のサイズよりも狭くなっていてもよい。
各発光素子１０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０は、緑色帯の光を発する発光素子１０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子１０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子１０Ｂとにより構成されている。例えば、発光ユニット１が発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状となっている場合に、発光素子１０Ｇは、例えば、発光ユニット１の短辺近傍に配置され、発光素子１０Ｂは、例えば、発光ユニット１の短辺のうち発光素子１０Ｇの近接する短辺とは異なる短辺の近傍に配置されている。発光素子１０Ｒは、例えば、発光素子１０Ｇと発光素子１０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。
各発光素子１０は、例えば、図２（Ａ）に示したように、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３を順に積層してなる半導体層を有している。発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子１０Ｒにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。
第２導電型層１３の上面（つまり、光取り出し面Ｓ２）には第２電極１５が設けられている。第２電極１５は、例えば、発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、Ｔｉ（チタン）／Ｐｔ（白金）／Ａｕ（金）からなる。第２電極１５は、例えば、発光素子１０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ（金とゲルマニウムの合金）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕからなる。第２電極１５は、第２導電型層１３に接するとともに第２導電型層１３に電気的に接続されている。つまり、第２電極１５は、第２導電型層１３とオーミック接触している。一方、第１導電型層１１の下面には第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、金属電極である。第１電極１４は、例えば、発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。第１電極１４は、例えば、発光素子１０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。第１電極１４は、第１導電型層１１に接するとともに第１導電型層１１に電気的に接続されている。つまり、第１電極１４は、第１導電型層１１とオーミック接触している。第１電極１４および第２電極１５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図２（Ａ）に示したように、第１電極１４および第２電極１５がともに、単一の電極からなるものとする。第１電極１４および第２電極１５は、例えば、Ａｇ（銀）やＡｌ（アルミニウム）などの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。
各発光素子１０（具体的には半導体層）の側面Ｓ１は、例えば、図２（Ａ）に示したように、積層方向と交差する傾斜面となっており、具体的には、当該発光素子１０の断面が逆台形状となるような傾斜面となっている。このように、側面Ｓ１がテーパー状となっていることにより、正面方向の光取り出し効率を高くすることができる。なお、側面Ｓ１は、例えば、図２（Ｂ）に示したように、積層方向と直交する垂直面となっていてもよい。
各発光素子１０は、例えば、図２（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体を有している。この積層体は、半導体層の側面Ｓ１から下面に渡って形成された層である。この積層体のうち、少なくとも第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、それぞれ、薄い層であり、例えば、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどの薄膜形成プロセスによって形成されたものである。つまり、この積層体のうち、少なくとも第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、スピンコートなどの厚膜形成プロセスや樹脂モールド、ポッティングなどによって形成されたものではない。
第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、少なくとも側面Ｓ１全体を覆っており、側面Ｓ１との対向領域から、第１電極１４との対向領域の一部に渡って形成されている。第１絶縁層１６は、金属層１７と半導体層との電気的な絶縁をとるためのものである。第１絶縁層１６は、側面Ｓ１のうち、発光素子１０の光取り出し面Ｓ２側の端部から、第１電極１４の表面の外縁に渡って形成されている。つまり、第１絶縁層１６は、発光素子１０の側面Ｓ１全体に接して形成されており、さらに、第１電極１４の表面の外縁に接して形成されている。第１絶縁層１６は、活性層１２から発せられる光に対して透明な材料、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。第１絶縁層１６は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第１絶縁層１６は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
金属層１７は、活性層１２から発せられた光を遮蔽もしくは反射するためのものである。金属層１７は、第１絶縁層１６の表面に接して形成されている。金属層１７は、第１絶縁層１６の表面において、光取り出し面Ｓ２側の端部から、第１電極１４側の端部よりも少し後退した箇所まで形成されている。つまり、第１絶縁層１６は、第１電極１４と対向する部分に、金属層１７に覆われていない露出面１６Ａを有している。
金属層１７の光取り出し面Ｓ２側の端部は、第１絶縁層１６の光取り出し面Ｓ２側の端部と同一面（つまり、光取り出し面Ｓ２と同一面）に形成されている。一方、金属層１７の第１電極１４側の端部は、第１電極１４と対向する領域に形成されており、第１絶縁層１６を間にして金属層１７の一部と互いに重なり合っている。つまり、金属層１７は、半導体層、第１電極１４および第２電極１５とは第１絶縁層１６によって絶縁分離（電気的に分離）されている。
金属層１７の第１電極１４側の端部と、金属層１７との間には、第１絶縁層１６の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、金属層１７の第１電極１４側の端部と、第１電極１４とは第１絶縁層１６を介して互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、第１絶縁層１６の厚さは、厚くてもたかだか数μｍ程度である。従って、活性層１２から発せられた光は、上記の間隙を介して直接に、外に漏れ出ることはほとんどない。
金属層１７は、活性層１２から発せられる光を遮蔽もしくは反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。金属層１７は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、金属層１７は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
第２絶縁層１８は、発光ユニット１を実装用の基板（図示せず）に実装したときに、パッド電極１９と実装用の基板とを互いに接合する導電性材料（例えば、半田、めっき、スパッタ金属）と、金属層１７とが互いにショートするのを防止するためのものである。第２絶縁層１８は、金属層１７の表面と、第１絶縁層１６の表面（上記の露出面１６Ａ）に接して形成されている。第２絶縁層１８は、金属層１７の表面全体に形成されるとともに、第１絶縁層１６の露出面１６の全体または一部に形成されている。つまり、第２絶縁層１８は、第１絶縁層１６の露出面１６Ａから金属層１７の表面に渡って形成されており、金属層１７は、第１絶縁層１６および第２絶縁層１８によって覆われている。第２絶縁層１８は、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。また、第２絶縁層１８は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。第２絶縁層１８は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第２絶縁層１８は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
パッド電極１９は、第１電極１４から引き出された電極（つまり引出電極）である。パッド電極１９は、第１電極１４の露出面１４Ａから、第１絶縁層１６の表面および第２絶縁層１８の表面に渡って形成されている。パッド電極１９は、第１電極１４と電気的に接続されており、パッド電極１９の一部が、第２絶縁層１８を介して金属層１７の一部と重なり合っている。つまり、パッド電極１９は、金属層１７とは第２絶縁層１８によって絶縁分離（電気的に分離）されている。パッド電極１９は、活性層１２から発せられる光を高反射率で反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。また、パッド電極１９は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。
パッド電極１９の端部と、金属層１７との間には、第２絶縁層１８の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、パッド電極１９の端部と、金属層１７の第１電極１４側の端部とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、第２絶縁層１８の厚さは、厚くてもたかだか数μｍ程度である。加えて、第１電極１４と、金属層１７の第１電極１４側の端部と、パッド電極１９の端部とが、互いに重なり合っており、第１絶縁層１６および第２絶縁層１８を介して活性層１２から外部に通じる通路は、Ｓ字状に曲がりくねっている。つまり、活性層１２から発せられた光が透過し得る通路がＳ字状に曲がりくねっている。以上のことから、金属層１７の絶縁として用いられる第１絶縁層１６および第２絶縁層１８が、活性層１２から外部に通じる通路になり得るものの、その通路は、極めて狭く、しかもＳ字状となっており、活性層１２から発せられた光が外部に漏れ出ることのほとんどない構造となっているといえる。
なお、活性層１２から発せられた光が直接に他の発光素子１０に入射するのを妨げるという観点からすれば、金属層１７は、第１絶縁層１６の表面のうち少なくとも活性層１２の露出面との対向面に接して形成されていればよく、活性層１２の露出面以外の部分まで覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層１６は、半導体層の表面のうち少なくとも活性層１２の露出面に接して形成されていればよく、側面Ｓ１全体を覆っていなくてもよい。また、金属層１７は、側面Ｓ１のうち、隣接する発光素子１０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ１全体を覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層１６は、側面Ｓ１のうち、隣接する発光素子１０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ１全体を覆っていなくてもよい。なお、金属層１７を介して第１導電型層１１および第２導電型層１３が互いにショートするのを防止する観点から、いずれの場合においても、金属層１７が第１絶縁層１６の表面からはみ出さないことが好ましい。
また、発光ユニット１に含まれる３つの発光素子１０が発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからなる場合に、全ての発光素子１０が上述の積層体を有していることが好ましいが、全ての発光素子１０が上述の積層体を有していなくてもよい。例えば、３つの発光素子１０のうち最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂだけに、上述の積層体が設けられていてもよい。また、例えば、３つの発光素子１０のうち、最も長波長の光を発する発光素子１０Ｒ以外の発光素子１０（具体的には、発光素子１０Ｇ，１０Ｂ）だけに、上述の積層体が設けられていてもよい。
図３（Ａ），（Ｂ）は、上述の積層体が設けられていない発光素子１０の断面構成の一例を表したものである。なお、図３（Ａ），（Ｂ）には、上述の積層体が設けられていない発光素子１０として、最も長波長の光を発する発光素子１０Ｒが例示されている。この発光素子１０は、例えば、図３（Ａ），（Ｂ）に示したように、上述の積層体において金属層１７および第２絶縁層１８が省略された構成となっている。なお、発光素子１０は、場合によっては、第１絶縁層１６およびパッド電極１９さえも省略され、第１電極１４全体が露出する構成となっていてもよい。
（絶縁体２０，端子電極３１，３２）
発光ユニット１は、さらに、図１（Ａ）に示したように、各発光素子１０を覆うチップ状の絶縁体２０と、各発光素子１０に電気的に接続された端子電極３１，３２とを備えている。端子電極３１，３２は、絶縁体２０の底面側に配置されている。
絶縁体２０は、各発光素子１０を、少なくとも各発光素子１０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体２０は、例えば、シリコーン，アクリル，エポキシなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体２０は、一部にポリイミドなどの別材料を含んでいてもよい。絶縁体２０は、各発光素子１０の側面と、各発光素子１０の上面のうち第２電極１５の未形成領域に接して形成されている。絶縁体２０は、各発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体２０の高さは、各発光素子１０の高さよりも高くなっており、絶縁体２０の横幅（短辺方向の幅）は、各発光素子１０の幅よりも広くなっている。絶縁体２０自体のサイズは、例えば１ｍｍ以下となっている。絶縁体２０は、薄片状となっている。絶縁体２０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光ユニット１を転写する際に発光ユニット１が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。
絶縁体２０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子１０の直上に対応する箇所に開口２０Ａを有している。各開口２０Ａの底面には、少なくとも第２電極１５（図１（Ａ），（Ｂ）では図示せず）が露出している。また、絶縁体２０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子１０の直下に対応する箇所にも開口２０Ｂを有している。各開口２０Ｂの底面には、少なくともパッド電極１９（場合によっては第１電極１４）（図１（Ａ），（Ｂ）では図示せず）が露出している。
パッド電極１９（または第１電極１４）は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極３１に接続されている。一方、第２電極１５は、図１（Ａ）に示したバンプ３３および接続部３４を介して端子電極３２に接続されている。バンプ３３は絶縁体２０に埋め込まれた柱状の導電性部材であり、接続部３４は絶縁体２０の上面に形成された帯状の導電性部材である。なお、第２電極１５は、バンプ３３および接続部３４以外の導電性部材を介して端子電極３２と接続されていてもよい。端子電極３１，３２は、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。端子電極３１，３２の表面の一部が、例えば、Ａｕ（金）などの酸化されにくい材料で被覆されていてもよい。
［効果］
次に、本実施の形態の発光ユニット１の効果について説明する。
本実施の形態では、３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂに、上述の積層体が設けられている。これにより、上述の積層体が設けられた発光素子１０内の活性層１２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光は、その発光素子１０の側面に設けられた金属層１７によって反射され、隣接する発光素子１０への光入射が妨げられる。その結果、発光ユニット１の絶縁体２０内を伝播する光による悪影響（例えば、青色光に対する耐光性を有しない樹脂の劣化）を低減することができる。また、３つの発光素子１０のうち少なくとも発光素子１０Ｂ，１０Ｇに、上述の積層体が設けられている場合には、発光素子１０Ｂや発光素子１０Ｇから発せられた光による発光素子１０Ｒの励起も妨げることができる。従って、色温度の変化や、色再現範囲の減少を小さくすることができる。
特に、第１絶縁層１６および金属層１７が、少なくとも発光素子１０の側面Ｓ１全体を覆っている場合には、活性層１２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も金属層１７で反射させることができる。その結果、発光ユニット１の絶縁体２０内を伝播する光による悪影響を格段に低減することができる。
なお、側面Ｓ１に設けられた金属層１７は、第１電極１４および第２電極１５と電気的に分離されているので、第１電極１４と第２電極１５とが金属層１７を介してショートする可能性はほとんどない。そのため、側面Ｓ１に設けられた金属層１７が発光素子１０の耐圧に悪影響を及ぼす可能性もほとんどない。
ところで、本実施の形態では、金属層１７と第１電極１４とがショートするのを避けるために、金属層１７と第１電極１４との間には間隙が存在する。しかし、第１絶縁層１６および金属層１７が、半導体層の側面Ｓ１との対向領域から、第１電極１４との対向領域に渡って形成されており、第１電極１４の一部と金属層１７の一部とが第１絶縁層１６を介して互いに重なり合っている。そのため、活性層１２からの光が、第１電極１４と金属層１７との間隙を介して絶縁体２０に直接、漏れ出ることが無い。これにより、発光素子１０の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、発光ユニット１の絶縁体内を伝播する光による悪影響を低減することができる。
また、本実施の形態では、第１絶縁層１６の露出面１６Ａから金属層１７の表面に渡って第２絶縁層１８が形成されており、さらに、第１電極１４の露出面１４Ａから、第１絶縁層１６の表面および第２絶縁層１８の表面に渡ってパッド電極１９が形成されている。これにより、金属層１７の一部とパッド電極１９の一部とが第２絶縁層１８を介して互いに重なり合うので、活性層１２からの光が、第１電極１４と金属層１７との間隙、さらには、金属層１７とパッド電極１９との間隙を介して、絶縁体２０に漏れ出ることはほとんどない。その結果、金属層１７と第１電極１４（またはパッド電極１９）とのショートを確実に防ぎつつ、発光ユニット１の絶縁体２０内を伝播する光による悪影響をさらに低減することができる。
＜２．第２の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第２の実施の形態に係る発光ユニット２について説明する。図４（Ａ）は、発光ユニット２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の発光ユニット２のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光ユニット２は、上記実施の形態の発光ユニット１と同様、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。
（発光素子４０）
発光ユニット２は、図４（Ａ）に示したように、３つの発光素子４０を備えている。各発光素子４０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上、１未満となっている。
各発光素子４０は、発光ユニット２内に配置されており、例えば、図４（Ａ）に示したように、他の発光素子４０と所定の間隙を介して一列に配置されている。このとき、発光ユニット２は、例えば、発光素子４０の配列方向に延在する細長い形状となっている。互いに隣り合う２つの発光素子４０の隙間は、例えば、各発光素子４０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子４０のサイズよりも狭くなっていてもよい。
各発光素子４０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図４（Ａ）に示したように、３つの発光素子４０は、緑色帯の光を発する発光素子４０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子４０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子４０Ｂとにより構成されている。例えば、発光ユニット２が発光素子４０の配列方向に延在する細長い形状となっている場合に、発光素子４０Ｇは、例えば、発光ユニット２の短辺近傍に配置され、発光素子４０Ｂは、例えば、発光ユニット２の短辺のうち発光素子４０Ｇの近接する短辺とは異なる短辺の近傍に配置されている。発光素子４０Ｒは、例えば、発光素子４０Ｇと発光素子４０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。
各発光素子４０は、例えば、図５（Ａ）に示したように、第１導電型層４１、活性層４２および第２導電型層４３を順に積層してなる半導体層を有している。なお、図５（Ａ）は、図４（Ａ）のＡ−Ａ線と直交する方向で発光素子４０を切断したときの断面構成の一例を表したものである。発光素子４０Ｇ，４０Ｂにおいては、第１導電型層４１、活性層４２および第２導電型層４３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子４０Ｒにおいては、第１導電型層４１、活性層４２および第２導電型層４３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。
各発光素子４０の半導体層において、第２導電型層４３の一部と、活性層４２と、第１導電型層４１とを含む部分が、柱状のメサ部４０−１となっている。半導体層のうちメサ部４０−１の裾野には、第２導電型層４３が露出する平坦面が広がっており、その平坦面の一部に第２電極４５が形成されている。第２電極４５は、金属電極である。第２電極４５は、例えば、発光素子４０Ｇ，４０Ｂにおいては、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。第２電極４５は、例えば、発光素子４０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。第２電極４５は、第２導電型層４３に接するとともに第２導電型層４３に電気的に接続されている。つまり、第２電極４５は、第２導電型層４３とオーミック接触している。なお、第２導電型層４３の上面（つまり半導体のうちメサ部４０−１とは反対側の面）は、光取り出し面Ｓ４となっており、電極などの遮光構造物は何も設けられていない。メサ部４０−１の上面（つまり第１導電型層４１の表面）には第１電極４４が設けられている。第１電極４４は、金属電極である。第１電極４４は、例えば、発光素子４０Ｇ，４０Ｂにおいては、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。第１電極４４は、例えば、発光素子４０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。第１電極４４は、第１導電型層４１に接するとともに第１導電型層４１に電気的に接続されている。つまり、第１電極４４は、第１導電型層４１とオーミック接触している。第１電極４４および第２電極４５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図５（Ａ）に示したように、第１電極４４および第２電極４５がともに、単一の電極からなるものとする。第１電極４４および第２電極４５は、例えば、ＡｇやＡｌなどの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。
メサ部４０−１の側面Ｓ３は、例えば、図５（Ａ）に示したように、積層方向と交差する傾斜面となっており、具体的には、メサ部４０−１の断面が逆台形状となるような傾斜面となっている。このように、側面Ｓ３がテーパー状となっていることにより、正面方向の光取り出し効率を高くすることができる。なお、側面Ｓ３は、例えば、図５（Ｂ）に示したように、積層方向と直交する垂直面となっていてもよい。
各発光素子４０は、例えば、図５（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１絶縁層４６、金属層４７、第２絶縁層４８からなる積層体を有している。この積層体は、メサ部４０−１の側面Ｓ３から上面に渡って形成された層である。第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、それぞれ、薄い層であり、例えば、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどの薄膜形成プロセスによって形成されたものである。つまり、第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、スピンコートなどの厚膜形成プロセスや樹脂モールド、ポッティングなどによって形成されたものではない。
第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、少なくとも側面Ｓ３全体を覆っており、側面Ｓ３との対向領域から、第１電極４４との対向領域の一部に渡って形成されている。第１絶縁層４６は、金属層４７と半導体層との電気的な絶縁をとるためのものである。第１絶縁層４６は、側面Ｓ３のうち、メサ部４０−１の裾野側の端部から、第１電極４４の表面の外縁に渡って形成されている。つまり、第１絶縁層４６は、側面Ｓ３全体に接して形成されており、さらに、第１電極４４の表面の外縁に接して形成されている。第１絶縁層４６は、活性層４２から発せられる光に対して透明な材料、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。第１絶縁層４６は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第１絶縁層４６は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
金属層４７は、活性層４２から発せられた光を遮蔽もしくは反射するためのものである。金属層４７は、第１絶縁層４６の表面に接して形成されている。金属層４７は、第１絶縁層４６の表面において、光取り出し面Ｓ４側の端部から、第１電極４４側の端部よりも少し後退した箇所まで形成されている。つまり、第１絶縁層４６は、第１電極４４と対向する部分に、金属層４７に覆われていない露出面４６Ａを有している。
金属層４７の光取り出し面Ｓ４側の端部は、第１絶縁層４６の光取り出し面Ｓ４側の端部上に形成されている。一方、金属層４７の第１電極４４側の端部は、第１電極４４と対向する領域に形成されており、第１絶縁層４６を間にして金属層４７の一部と互いに重なり合っている。つまり、金属層４７は、半導体層、第１電極４４および第２電極４５とは第１絶縁層４６によって絶縁分離（電気的に分離）されている。
金属層４７の第１電極４４側の端部と、金属層４７との間には、第１絶縁層４６の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、金属層４７の第１電極４４側の端部と、第１電極４４とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、第１絶縁層４６の厚さは、厚くてもたかだか数μｍ程度である。従って、活性層４２から発せられた光は、上記の間隙を介して直接に、外に漏れ出ることはほとんどない。
金属層４７は、活性層４２から発せられる光を遮蔽もしくは反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。金属層４７は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、金属層４７は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
第２絶縁層４８は、発光ユニット２を実装用の基板（図示せず）に実装したときに、パッド電極４９と実装用の基板とを互いに接合する導電性材料（例えば、半田、めっき、スパッタ金属）と、金属層４７とが互いにショートするのを防止するためのものである。第２絶縁層４８は、金属層４７の表面と、第１絶縁層４６の表面（上記の露出面４６Ａ）に接して形成されている。第２絶縁層４８は、金属層４７の表面全体に形成されるとともに、第１絶縁層４６の露出面４６Ａの全体または一部に形成されている。つまり、第２絶縁層４８は、第１絶縁層４６の露出面４６Ａから金属層４７の表面に渡って形成されており、金属層４７は、第１絶縁層４６および第２絶縁層４８によって覆われている。第２絶縁層４８は、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。また、第２絶縁層４８は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。第２絶縁層４８は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第２絶縁層４８は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
各発光素子４０は、さらに、メサ部４０−１を覆う埋め込み層４９と、埋め込み層４９内に形成されたバンプ５０，５１と、埋め込み層４９上に形成されたパッド電極５２，５３とを有している。バンプ５０は、第１電極４４と電気的に接続されており、バンプ５０の上面が、例えば、埋め込み層４９の上面と同一面内に形成されている。バンプ５１は、第２電極４５と電気的に接続されており、バンプ５１の上面が、例えば、埋め込み層４９の上面と同一面内に形成されている。パッド電極５２は、バンプ５０に接しており、バンプ５０を介して第１電極４４と電気的に接続されている。パッド電極５３は、バンプ５１に接しており、バンプ５１を介して第２電極４５と電気的に接続されている。バンプ５０，５１およびパッド電極５２，５３は、埋め込み層４９および第２絶縁層４８によって金属層４７とは電気的に分離されている。
埋め込み層４９は、例えば、シリコーン，アクリル，エポキシなどの樹脂材料や、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどの無機材料からなる。なお、埋め込み層４９は、必要に応じて省略することも可能である。バンプ５０，５１は、例えば、Ｃｕ，半田などの金属材料からなる。なお、バンプ５０，５１は、必要に応じて省略することも可能である。パッド電極５２，５３は、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金などの金属材料からなる。また、パッド電極５２，５３は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。
パッド電極５２は、第１電極４４から引き出された電極（つまり引出電極）である。パッド電極５２は、少なくとも第１電極４４との対向領域に形成されており、具体的には、第１電極４４との対向領域と、金属層４７のうち第１電極４４側の端部との対向領域とを含む領域に形成されている。つまり、パッド電極５２の一部が、埋め込み層４９および第２絶縁層４８を介して金属層４７の一部と重なり合っている。
パッド電極５２の端部と、金属層４７との間には、埋め込み層４９および第２絶縁層４８の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、パッド電極５２の端部と、金属層４７の第１電極４４側の端部とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、パッド電極５２の端部と金属層４７との距離（つまり、埋め込み層４９および第２絶縁層４８の厚さ）は、厚くてもたかだか数μｍ程度である。加えて、第１電極４４と、金属層４７の第１電極４４側の端部と、パッド電極５２の端部とが、互いに重なり合っており、第１絶縁層４６、第２絶縁層４８および埋め込み層４９を介して活性層４２から外部に通じる通路は、Ｓ字状に曲がりくねっている。つまり、活性層４２から発せられた光が透過し得る通路がＳ字状に曲がりくねっている。以上のことから、金属層４７の絶縁として用いられる第１絶縁層４６、第２絶縁層４８および埋め込み層４９が、活性層４２から外部に通じる通路になり得るものの、その通路は、極めて狭く、しかもＳ字状となっており、活性層４２から発せられた光が外部に漏れ出ることのほとんどない構造となっているといえる。
なお、活性層４２から発せられた光が直接に他の発光素子４０に入射するのを妨げるという観点からすれば、金属層４７は、第１絶縁層４６の表面のうち少なくとも活性層４２の露出面との対向面に接して形成されていればよく、活性層４２の露出面以外の部分まで覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層４６は、半導体層の表面のうち少なくとも活性層４２の露出面に接して形成されていればよく、側面Ｓ３全体を覆っていなくてもよい。また、金属層４７は、側面Ｓ３のうち、隣接する発光素子４０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ３全体を覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層４６は、側面Ｓ３のうち、隣接する発光素子４０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ３全体を覆っていなくてもよい。
また、発光ユニット２に含まれる３つの発光素子４０が発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂからなる場合に、全ての発光素子４０が上述の積層体を有していることが好ましいが、全ての発光素子４０が上述の積層体を有していなくてもよい。例えば、３つの発光素子４０のうち最も短波長の光を発する発光素子４０Ｂだけに、上述の積層体が設けられていてもよい。また、例えば、３つの発光素子４０のうち、最も長波長の光を発する発光素子４０Ｒだけに、上述の積層体が設けられていてもよい。
図６（Ａ），（Ｂ）は、上述の積層体が設けられていない発光素子４０の断面構成の一例を表したものである。なお、図６（Ａ），（Ｂ）には、上述の積層体が設けられていない発光素子４０として、最も長波長の光を発する発光素子４０Ｒ以外の発光素子４０（具体的には、発光素子４０Ｇ，４０Ｂ）が例示されている。この発光素子４０は、例えば、図６（Ａ），（Ｂ）に示したように、上述の積層体において金属層４７および第２絶縁層４８が省略された構成となっている。
（絶縁体５０，端子電極６１，６２）
発光ユニット２は、さらに、図４（Ａ）に示したように、各発光素子４０を覆うチップ状の絶縁体５０と、各発光素子４０に電気的に接続された端子電極６１，６２とを備えている。端子電極６１，６２は、絶縁体５０の底面側に配置されている。
絶縁体５０は、各発光素子４０を、少なくとも各発光素子４０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体５０は、例えば、シリコーン、アクリル、エポキシなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体５０は、一部にポリイミドなどの別材料を含んでいてもよい。絶縁体５０は、各発光素子４０の側面と、各発光素子４０の上面に接して形成されている。絶縁体５０は、各発光素子４０の配列方向に延在する細長い形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体５０の高さは、各発光素子４０の高さよりも高くなっており、絶縁体５０の横幅（短辺方向の幅）は、各発光素子４０の幅よりも広くなっている。絶縁体５０自体のサイズは、例えば１ｍｍ以下となっている。絶縁体５０は、薄片状となっている。絶縁体５０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光ユニット２を転写する際に発光ユニット２が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。
絶縁体５０は、例えば、図４（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子４０の直下に対応する箇所に開口５０Ａを有している。各開口５０Ａの底面には、少なくともパッド電極５２（図４（Ａ），（Ｂ）では図示せず）が露出している。パッド電極５２は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極６１に接続されている。一方、パッド電極５３は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極６２に接続されている。端子電極６１，６２は、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。端子電極６１，６２の表面の一部が、例えば、Ａｕ（金）などの酸化されにくい材料で被覆されていてもよい。
［効果］
次に、本実施の形態の発光ユニット２の効果について説明する。
本実施の形態では、３つの発光素子４０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子４０Ｂに、上述の積層体が設けられている。これにより、上述の積層体が設けられた発光素子４０内の活性層４２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光は、その発光素子４０の側面に設けられた金属層４７によって反射され、隣接する発光素子４０への光入射が妨げられる。その結果、発光ユニット２の絶縁体５０内を伝播する光による悪影響（例えば、青色光に対する耐光性を有しない樹脂の劣化）を低減することができる。また、３つの発光素子４０のうち少なくとも発光素子４０Ｂ，４０Ｇに、上述の積層体が設けられている場合には、発光素子４０Ｂや発光素子４０Ｇから発せられた光による発光素子４０Ｒの励起も妨げることができる。従って、色温度の変化や、色再現範囲の減少を小さくすることができる。
特に、第１絶縁層４６および金属層４７が、少なくともメサ部４０−１の側面Ｓ３全体を覆っている場合には、活性層４２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も金属層４７で反射させることができる。その結果、発光ユニット２の絶縁体５０内を伝播する光による悪影響を格段に低減することができる。
ところで、側面Ｓ３に設けられた金属層４７は、第１電極４４および第２電極４５と電気的に分離されているので、第１電極４４と第２電極４５とが金属層４７を介してショートする可能性はほとんどない。そのため、側面Ｓ３に設けられた金属層４７が発光素子４０の耐圧に悪影響を及ぼす可能性もほとんどない。
ところで、本実施の形態では、金属層４７と第１電極４４とがショートするのを避けるために、金属層４７と第１電極４４との間には間隙が存在する。しかし、第１絶縁層４６および金属層４７が、メサ部４０−１の側面Ｓ３との対向領域から、第１電極４４との対向領域に渡って形成されており、第１電極４４の一部と金属層４７の一部とが第１絶縁層４６を介して互いに重なり合っている。そのため、活性層４２からの光が、第１電極４４と金属層４７との間隙を介して絶縁体５０に直接、漏れ出ることが無い。これにより、発光素子４０の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、発光ユニット２の絶縁体内を伝播する光による悪影響を低減することができる。
また、本実施の形態では、第１絶縁層４６の露出面４６Ａから金属層４７の表面に渡って第２絶縁層４８が形成されており、さらに、第１電極４４との対向領域と、金属層４７のうち第１電極４４側の端部とを含む領域にパッド電極５２が形成されている。これにより、金属層４７の一部とパッド電極５２の一部とが第２絶縁層４８および埋め込み層４９を介して互いに重なり合うので、活性層４２からの光が、第１電極４４と金属層４７との間隙、さらには、金属層４７とパッド電極５２との間隙を介して、絶縁体５０に漏れ出ることはほとんどない。その結果、金属層４７と第１電極４４（またはパッド電極５２）とのショートを確実に防ぎつつ、発光ユニット２の絶縁体５０内を伝播する光による悪影響をさらに低減することができる。
［第２の実施の形態の変形例］
上記第２の実施の形態では、第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、主としてメサ部４０−１の側面Ｓ３に形成され、発光素子４０の側面全体には設けられていなかったが、発光素子４０の側面全体に設けられていてもよい。例えば、図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８の端部が、発光素子４０の側面のうち、光取り出し面Ｓ４側の端部から、第１電極４４の表面の外縁に渡って形成されていてもよい。
上記第２の実施の形態では、メサ部４０−１を覆う埋め込み層４９が設けられていたが、省略されていてもよい。例えば、図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、埋め込み層４９と、バンプ５０，５１とが省略され、さらに、パッド電極５２が直接、第１電極４４に接するとともに、パッド電極５３が直接、第２電極４５に接するように形成されていてもよい。
＜３．第３の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置３について説明する。表示装置３は、上記実施の形態に係る発光ユニット１または発光ユニット２を表示画素として備えたものである。図８は、表示装置３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置３は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。表示装置３は、例えば、図８に示したように、表示パネル３１０と、表示パネル３１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
（表示パネル３１０）
表示パネル３１０は、実装基板３２０と、透明基板３３０とを互いに重ね合わせたものである。透明基板３３０の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域３Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域３Ｂを有している。
（実装基板３２０）
図９は、実装基板３２０の透明基板３３０側の表面のうち表示領域３Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板３２０の表面のうち表示領域３Ａに対応する領域には、例えば、図９に示したように、複数のデータ配線３２１が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板３２０の表面のうち表示領域３Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線３２２がデータ配線３２１と交差（例えば直交）する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線３２１およびスキャン配線３２２は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。
スキャン配線３２２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板３２０の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。一方、データ配線３２１は、スキャン配線３２２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線３２２の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも後述のパッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂの非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。
データ配線３２１とスキャン配線３２２との交差部分の近傍が表示画素３２３となっており、複数の表示画素３２３が表示領域３Ａ内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素３２３には、複数の発光素子４０を含む発光ユニット１または複数の発光素子４０を含む発光ユニット２が実装されている。なお、図９には、３つの発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは３つの発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂで一つの表示画素３２３が構成されており、発光素子１０Ｒまたは発光素子４０Ｒから赤色の光を、発光素子１０Ｇまたは発光素子４０Ｇから緑色の光を、発光素子１０Ｂまたは発光素子４０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。
発光ユニット１，２には、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂごとに一対の端子電極３１，３２または一対の端子電極６１，６２が設けられている。そして、一方の端子電極３１または端子電極６１がデータ配線３２１に電気的に接続されており、他方の端子電極３２または端子電極６２がスキャン配線３２２に電気的に接続されている。例えば、端子電極３１または端子電極６１は、データ配線３２１に設けられた分枝３２１Ａの先端のパッド電極３２１Ｂに電気的に接続されている。また、例えば、端子電極３２または端子電極６２は、スキャン配線３２２に設けられた分枝３２２Ａの先端のパッド電極３２２Ｂに電気的に接続されている。
各パッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂは、例えば、最表層に形成されており、例えば、図９に示したように、各発光ユニット１，２が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂは、例えば、Ａｕ（金）などの導電性材料からなる。
実装基板３２０には、さらに、例えば、実装基板３２０と透明基板３３０との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域３Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域３Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。
（透明基板３３０）
透明基板３３０は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板３３０において、発光ユニット１，２側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域３Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素３２３との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂから発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。
（駆動回路）
駆動回路は、映像信号に基づいて各表示画素３２３（各発光ユニット１，２）を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素３２３に接続されたデータ配線３２１を駆動するデータドライバと、表示画素３２３に接続されたスキャン配線３２２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板３２０上に実装されていてもよいし、表示パネル３１０とは別体で設けられ、かつ配線（図示せず）を介して実装基板３２０と接続されていてもよい。
［表示装置３の動作・効果］
本実施の形態では、発光ユニット１，２が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線３２１およびスキャン配線３２２を介して駆動（単純マトリクス駆動）される。これにより、データ配線３２１とスキャン配線３２２との交差部分近傍に設けられた発光ユニット１，２に順次、電流が供給され、表示領域３Ａに画像が表示される。
ところで、本実施の形態では、表示画素３２３として、上記実施の形態の発光ユニット１，２が用いられている。これにより、発光ユニット１，２の絶縁体２０，５０内を伝播する光による悪影響（例えば、青色光に対する耐光性を有しない樹脂の劣化）を低減したり、発光素子１０Ｂ，４０Ｂから発せられた光による発光素子１０Ｒ，４０Ｒの励起も妨げることができる。その結果、色温度の変化や、色再現範囲の減少を小さくすることができるので、画像品質の経年劣化を少なくすることができる。
また、本実施の形態において、透明基板３３０の表面が粗面となっている場合には、発光ユニット１，２から斜め方向に発せられた光の一部が粗面で散乱される。これにより、散乱光の一部が透明基板３３０を透過し、外部に射出されるので、発光ユニット１，２から斜め方向に発せられた光が透明基板３３０の裏面で反射されたり、透明基板３３０内に閉じ込められ、迷光が発生したりするのを低減することができる。従って、透明基板３３０に起因する光取り出し効率の低下を抑制することができる。
以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
例えば、上記実施の形態等では、発光ユニット１，２が３つの発光素子１０，４０を含んでいたが、２つの発光素子１０だけを含んでいてもよいし、４つ以上の発光素子１０，４０を含んでいてもよい。
１，２…発光ユニット、３…表示装置、３Ａ…表示領域、３Ｂ…フレーム領域、１０，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒ，４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒ…発光素子、１１，４１…第１導電型層、１２，４２…活性層、１３，４３…第２導電型層、１４，４４…第１電極、１４Ａ，１６Ａ，４４Ａ，４６Ａ…露出面、１５，４５…第２電極、１６，４６…第１絶縁層、１７，４７…金属層、１８，４８…第２絶縁層、１９，５２，５３…パッド電極、２０，５０…絶縁体、２０Ａ，２０Ｂ…開口、３１，３２，６１，６２…端子電極、３３，５０，５１…バンプ、３４…接続部、４０−１…メサ部、４９…埋め込み層、３１０…表示パネル、３２０…実装基板、３３０…透明基板、３２１…データ配線、３２１Ａ，３２２Ａ…分枝、３２２…スキャン配線、３２３…表示画素、Ｓ１，Ｓ３…光取り出し面、Ｓ２，Ｓ４…側面。

Claims (10)

  1. 発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を備え、
    前記複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子は、
    第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなり、かつ前記第１導電型層、前記活性層および前記第２導電型層が露出した側面を有する半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続された第２電極と、
    前記半導体層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面に接する第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面との対向面に接し、かつ前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された金属層と
    を有する
    発光ユニット。
  2. 前記第１絶縁層および前記金属層は、少なくとも前記側面全体を覆っている
    請求項１に記載の発光ユニット。
  3. 前記第１絶縁層は、ＣＶＤ、蒸着またはスパッタにより形成されたものである
    請求項２に記載の発光ユニット。
  4. 前記第１電極は、前記第１導電型層の表面であって、かつ前記活性層とは反対側の表面に接して形成された金属電極であり、
    前記第１絶縁層および前記金属層は、前記側面との対向領域から、前記第１電極との対向領域に渡って形成されている
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
  5. 前記第１絶縁層のうち前記第１電極との対向領域に形成されている部分の表面の一部が、前記金属層に覆われていない露出面となっており、
    前記複数種類の発光素子のうち前記第１絶縁層および前記金属層を有する発光素子は、前記露出面から前記金属層の表面に渡って形成された第２絶縁層を有する
    請求項４に記載の発光ユニット。
  6. 前記第１電極は、前記第１絶縁層および前記金属層に覆われていない露出面を有し、
    前記複数種類の発光素子のうち前記第１絶縁層および前記金属層を有する発光素子は、前記第１電極の露出面から、前記第１絶縁層の表面および前記第２絶縁層の表面に渡って形成されたパッド電極を有する
    請求項５に記載の発光ユニット。
  7. 前記第１電極は、前記第１絶縁層および前記金属層に覆われていない露出面を有し、
    前記複数種類の発光素子のうち前記第１絶縁層および前記金属層を有する発光素子は、前記第１電極の露出面に電気的に接続されると共に、前記第１電極との対向領域および前記金属層の一部との対向領域に形成されたパッド電極を有する
    請求項５に記載の発光ユニット。
  8. 前記複数種類の発光素子は、青色光を発する発光素子、緑色光を発する発光素子および赤色光を発する発光素子を含み、
    これら３種類の発光素子のうち少なくとも青色光を発する発光素子および緑色光を発する発光素子が、前記半導体層、前記第１電極、前記第２電極、前記第１絶縁層および前記金属層を有する
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
  9. 各発光素子を同一部材で囲む絶縁体をさらに備えた
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
  10. 複数の発光ユニットを有する表示パネルと、
    映像信号に基づいて各発光ユニットを駆動する駆動回路と
    を備え、
    各発光ユニットは、発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を有し、
    前記複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子は、
    第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなり、かつ前記第１導電型層、前記活性層および前記第２導電型層が露出した側面を有する半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続された第２電極と、
    前記半導体層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面に接する第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面との対向面に接し、かつ前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された金属層と
    を有する
    表示装置。
JP2011043710A 2011-03-01 2011-03-01 発光ユニットおよび表示装置 Active JP5754173B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011043710A JP5754173B2 (ja) 2011-03-01 2011-03-01 発光ユニットおよび表示装置
EP12156336.5A EP2495761B1 (en) 2011-03-01 2012-02-21 Light emitting unit and display device
EP19171045.8A EP3564997A1 (en) 2011-03-01 2012-02-21 Light emitting unit and display device
TW101105637A TWI476950B (zh) 2011-03-01 2012-02-21 發光單元及顯示裝置
KR1020120018034A KR101909285B1 (ko) 2011-03-01 2012-02-22 발광 유닛 및 표시 장치
US13/402,137 US8686447B2 (en) 2011-03-01 2012-02-22 Light emitting unit and display device
CN201210045868.4A CN102655197B (zh) 2011-03-01 2012-02-23 发光单元和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011043710A JP5754173B2 (ja) 2011-03-01 2011-03-01 発光ユニットおよび表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012182276A true JP2012182276A (ja) 2012-09-20
JP5754173B2 JP5754173B2 (ja) 2015-07-29

Family

ID=45656286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011043710A Active JP5754173B2 (ja) 2011-03-01 2011-03-01 発光ユニットおよび表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8686447B2 (ja)
EP (2) EP2495761B1 (ja)
JP (1) JP5754173B2 (ja)
KR (1) KR101909285B1 (ja)
CN (1) CN102655197B (ja)
TW (1) TWI476950B (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014093509A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2014154727A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2014183109A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子保持構造体
JP2014187323A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2014239171A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 ソニー株式会社 発光素子ウェーハ、発光素子、電子機器及び発光素子ウェーハの製造方法
JP2015028984A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2015032809A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 ソニー株式会社 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器
JP2015119063A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 日亜化学工業株式会社 発光素子
WO2015151401A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ソニー株式会社 半導体ユニット、半導体素子、発光装置、表示装置、半導体素子の製造方法
WO2015194095A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Sony Corporation Semiconductor device, package device, light-emitting panel apparatus, wafer and method of producing a semiconductor device
JP2016503958A (ja) * 2012-12-10 2016-02-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 発光素子反射バンク構造
WO2016153213A1 (ko) * 2015-03-26 2016-09-29 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
JP2016213441A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 ミクロ メサ テクノロジー カンパニー リミテッド マイクロ発光ダイオード
JP2016219780A (ja) * 2015-05-21 2016-12-22 ミクロ メサ テクノロジー カンパニー リミテッド マイクロ発光ダイオード
US10168004B2 (en) 2013-10-01 2019-01-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light emitting apparatus, light emitting unit, display apparatus, electronic device and light emitting element
JP2019012804A (ja) * 2017-07-03 2019-01-24 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ照明装置
KR20200068735A (ko) * 2018-03-22 2020-06-15 시아먼 산안 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 캄파니 리미티드 마이크로 발광소자 및 그 제조방법
JP2020191455A (ja) * 2015-03-20 2020-11-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子および半導体デバイス
US11158767B2 (en) 2015-03-30 2021-10-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light-emitting element, light-emitting unit, light-emitting panel device, and method for driving light-emitting panel device
JP7503080B2 (ja) 2019-06-19 2024-06-19 コンプテック ソリューションズ オーユー 光電子デバイス

Families Citing this family (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
WO2012027458A1 (en) 2010-08-26 2012-03-01 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
US9076923B2 (en) * 2012-02-13 2015-07-07 Epistar Corporation Light-emitting device manufacturing method
DE102013103216A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierender Halbleiterchip
US9082926B2 (en) * 2013-06-18 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor optical emitting device with metallized sidewalls
CN103367618B (zh) * 2013-07-19 2016-04-13 深圳大道半导体有限公司 带光反射层的半导体发光芯片
JP6354285B2 (ja) * 2014-04-22 2018-07-11 オムロン株式会社 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法
CN106716610B (zh) 2014-06-18 2020-03-27 艾克斯瑟乐普林特有限公司 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法
CN107078088B (zh) 2014-06-18 2021-04-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装的高频装置及阵列
US10224460B2 (en) 2014-06-18 2019-03-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9865600B2 (en) 2014-06-18 2018-01-09 X-Celeprint Limited Printed capacitors
US9761754B2 (en) 2014-06-18 2017-09-12 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing GaN and related materials for micro assembly
FR3023065B1 (fr) * 2014-06-27 2017-12-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique a jonction p-n permettant une ionisation de dopants par effet de champ
TWI634675B (zh) * 2014-07-14 2018-09-01 新世紀光電股份有限公司 發光元件結構
MY182253A (en) 2014-07-20 2021-01-18 X Celeprint Ltd Apparatus and methods for micro-transfer-printing
WO2016030422A1 (en) 2014-08-26 2016-03-03 X-Celeprint Limited Micro assembled hybrid displays and lighting elements
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9468050B1 (en) 2014-09-25 2016-10-11 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US20230261153A9 (en) * 2014-10-31 2023-08-17 eLux Inc. Encapsulated Light Emitting Diodes for Selective Fluidic Assembly
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10804426B2 (en) * 2014-10-31 2020-10-13 ehux, Inc. Planar surface mount micro-LED for fluidic assembly
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10269776B2 (en) 2014-12-16 2019-04-23 PlayNitride Inc. Light emitting device
TWI619271B (zh) * 2014-12-16 2018-03-21 錼創科技股份有限公司 發光元件
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
KR20160141063A (ko) * 2015-05-27 2016-12-08 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 그 제조 방법
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10102794B2 (en) 2015-06-09 2018-10-16 X-Celeprint Limited Distributed charge-pump power-supply system
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
DE102015112556B4 (de) * 2015-07-30 2024-03-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Videowand-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
KR102205693B1 (ko) * 2016-08-04 2021-01-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2017034268A1 (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
CN106486572B (zh) 2015-09-02 2020-04-28 新世纪光电股份有限公司 发光二极管芯片
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
TWI681508B (zh) 2016-02-25 2020-01-01 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
CN107768487A (zh) 2016-08-18 2018-03-06 新世纪光电股份有限公司 巨量转移电子元件的方法
TWI783385B (zh) * 2016-08-18 2022-11-11 新世紀光電股份有限公司 微型發光二極體及其製造方法
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10157880B2 (en) 2016-10-03 2018-12-18 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with volatile adhesive layer
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
WO2018091459A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
WO2018139877A1 (ko) * 2017-01-25 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
KR102060471B1 (ko) * 2017-02-01 2019-12-30 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
TWI613488B (zh) * 2017-06-19 2018-02-01 友達光電股份有限公司 顯示面板與形成微組件支架的方法
CN107256871B (zh) 2017-06-27 2019-09-27 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板和显示装置
CN107359175B (zh) * 2017-07-25 2020-02-11 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板和显示装置
US10832935B2 (en) 2017-08-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-level micro-device tethers
JP2019096663A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
US10707266B2 (en) * 2017-11-23 2020-07-07 Century Micro Display Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Micro LED display panel with double-sides display
TWD191816S (zh) 2017-12-12 2018-07-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體晶片
KR102603411B1 (ko) 2017-12-18 2023-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치
US10832934B2 (en) 2018-06-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-layer tethers for micro-transfer printing
KR102136579B1 (ko) * 2018-07-27 2020-07-22 서울대학교산학협력단 표시 장치
WO2020080153A1 (ja) * 2018-10-19 2020-04-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子および画像表示装置
KR102673060B1 (ko) * 2018-12-24 2024-06-10 삼성전자주식회사 마이크로 led 소자 및 마이크로 led 제조 방법
TWI816727B (zh) 2018-12-26 2023-10-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體顯示器
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
BR112021022862A2 (pt) * 2019-05-14 2021-12-28 Seoul Viosys Co Ltd Chip emissor de luz e pacote emissor de luz compreendendo o mesmo
CN112582509B (zh) * 2019-09-30 2022-07-08 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板
KR20210073677A (ko) * 2019-12-10 2021-06-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7445483B2 (ja) * 2020-03-25 2024-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102506449B1 (ko) * 2020-04-23 2023-03-07 삼성전자주식회사 표시 장치
KR20220003280A (ko) * 2020-07-01 2022-01-10 주식회사 에스엘바이오닉스 반도체 발광소자
KR20220046066A (ko) * 2020-10-06 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220108843A (ko) * 2021-01-27 2022-08-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 발광 소자를 포함하는 발광 소자 유닛, 및 표시 장치
CN115602661B (zh) * 2021-07-08 2024-05-17 重庆康佳光电科技有限公司 一种检测装置以及发光元件的检测方法
DE102022101579A1 (de) * 2022-01-24 2023-07-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08102549A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JPH11340514A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Nichia Chem Ind Ltd フリップチップ型光半導体素子
JP2003347589A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄチップ
JP2006086191A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2009295611A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229160B1 (en) * 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
US5952681A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6590283B1 (en) * 2000-02-28 2003-07-08 Agere Systems Inc. Method for hermetic leadless device interconnect using a submount
JP2001281576A (ja) * 2000-03-29 2001-10-10 Fuji Photo Optical Co Ltd Ｌｅｄビーム光源及び走査露光装置
JP2002207463A (ja) * 2000-11-13 2002-07-26 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
US6630689B2 (en) * 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
US6841802B2 (en) * 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
JP4082242B2 (ja) * 2003-03-06 2008-04-30 ソニー株式会社 素子転写方法
KR100576856B1 (ko) * 2003-12-23 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP4330476B2 (ja) * 2004-03-29 2009-09-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
KR100862453B1 (ko) * 2004-11-23 2008-10-08 삼성전기주식회사 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자
KR100624448B1 (ko) * 2004-12-02 2006-09-18 삼성전기주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20060077801A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
JP4992282B2 (ja) * 2005-06-10 2012-08-08 ソニー株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器
WO2007027186A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 M.E.C. Technology, Inc. A high brightness light emitting diode and method of making same
JP5255776B2 (ja) * 2006-03-21 2013-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5162909B2 (ja) * 2006-04-03 2013-03-13 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP4535053B2 (ja) * 2006-10-12 2010-09-01 ソニー株式会社 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器
JP5223102B2 (ja) * 2007-08-08 2013-06-26 豊田合成株式会社 フリップチップ型発光素子
KR101519985B1 (ko) * 2008-09-11 2015-05-15 삼성디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 이를 갖는 표시장치
US8963175B2 (en) * 2008-11-06 2015-02-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2010245365A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Sony Corp 半導体発光素子組立体の製造方法、半導体発光素子、電子機器、及び、画像表示装置
TWI499347B (zh) * 2009-12-31 2015-09-01 Epistar Corp 發光元件
CN101872824A (zh) * 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08102549A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JPH11340514A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Nichia Chem Ind Ltd フリップチップ型光半導体素子
JP2003347589A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄチップ
JP2006086191A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2009295611A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014093509A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2016503958A (ja) * 2012-12-10 2016-02-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 発光素子反射バンク構造
JP2014154727A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2014183109A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子保持構造体
JP2014187323A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2014239171A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 ソニー株式会社 発光素子ウェーハ、発光素子、電子機器及び発光素子ウェーハの製造方法
JP2015028984A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2015032809A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 ソニー株式会社 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器
US9716127B2 (en) 2013-08-07 2017-07-25 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light-emitting element having an optical function film including a reflection layer
US10823337B2 (en) 2013-10-01 2020-11-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light emitting apparatus, light emitting unit, display apparatus, electronic device and light emitting element
US10168004B2 (en) 2013-10-01 2019-01-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light emitting apparatus, light emitting unit, display apparatus, electronic device and light emitting element
JP2015119063A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 日亜化学工業株式会社 発光素子
WO2015151401A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ソニー株式会社 半導体ユニット、半導体素子、発光装置、表示装置、半導体素子の製造方法
US10937929B2 (en) 2014-03-31 2021-03-02 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor unit, semiconductor device, light-emitting apparatus, display apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP2016004892A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 ソニー株式会社 半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法
WO2015194095A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Sony Corporation Semiconductor device, package device, light-emitting panel apparatus, wafer and method of producing a semiconductor device
US10516080B2 (en) 2014-06-17 2019-12-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor device and apparatus for improved light emission
JP2020191455A (ja) * 2015-03-20 2020-11-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子および半導体デバイス
US10381519B2 (en) 2015-03-26 2019-08-13 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting apparatus
WO2016153213A1 (ko) * 2015-03-26 2016-09-29 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US11158767B2 (en) 2015-03-30 2021-10-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light-emitting element, light-emitting unit, light-emitting panel device, and method for driving light-emitting panel device
JP2016213441A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 ミクロ メサ テクノロジー カンパニー リミテッド マイクロ発光ダイオード
JP2016219780A (ja) * 2015-05-21 2016-12-22 ミクロ メサ テクノロジー カンパニー リミテッド マイクロ発光ダイオード
JP2019012804A (ja) * 2017-07-03 2019-01-24 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP7011411B2 (ja) 2017-07-03 2022-01-26 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ照明装置
KR20200068735A (ko) * 2018-03-22 2020-06-15 시아먼 산안 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 캄파니 리미티드 마이크로 발광소자 및 그 제조방법
JP2021508937A (ja) * 2018-03-22 2021-03-11 廈門市三安光電科技有限公司Ｘｉａｍｅｎ Ｓａｎ’Ａｎ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． マイクロ発光デバイス及びその作製方法
JP7064587B2 (ja) 2018-03-22 2022-05-10 廈門市三安光電科技有限公司 マイクロ発光デバイス及びその作製方法
KR102410801B1 (ko) * 2018-03-22 2022-06-22 시아먼 산안 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 캄파니 리미티드 마이크로 발광소자 및 그 제조방법
JP7503080B2 (ja) 2019-06-19 2024-06-19 コンプテック ソリューションズ オーユー 光電子デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
EP2495761A3 (en) 2015-07-01
TW201304186A (zh) 2013-01-16
CN102655197A (zh) 2012-09-05
TWI476950B (zh) 2015-03-11
KR20120099585A (ko) 2012-09-11
EP2495761A2 (en) 2012-09-05
EP3564997A1 (en) 2019-11-06
JP5754173B2 (ja) 2015-07-29
EP2495761B1 (en) 2019-06-19
CN102655197B (zh) 2016-12-14
US20120223345A1 (en) 2012-09-06
US8686447B2 (en) 2014-04-01
KR101909285B1 (ko) 2018-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5754173B2 (ja) 発光ユニットおよび表示装置
US10490533B2 (en) Light emitting apparatus, illumination apparatus and display apparatus
US8928009B2 (en) Light emitting device, illuminating device, and display device
JP5980866B2 (ja) 光源モジュール及びその製造方法、並びに光源モジュールを備えたバックライトユニット
US11056622B2 (en) Light source module and backlight unit having the same
WO2016157850A1 (ja) 発光素子、発光ユニット、発光パネル装置、および発光パネル装置の駆動方法
TWI533062B (zh) 光源模組、其製造方法以及包含上述的背光單元
CN211605176U (zh) 发光芯片
US10937929B2 (en) Semiconductor unit, semiconductor device, light-emitting apparatus, display apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
US11444228B2 (en) Light emitting device and display apparatus
WO2020080153A1 (ja) 発光素子および画像表示装置
US12021172B2 (en) Light-emitting element and image displaying apparatus
KR20170052900A (ko) 고효율 발광 소자
KR20150056025A (ko) 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140701

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150511

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5754173

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250