JP2014187323A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性が高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、III族窒化物半導体を含む半導体膜１０と、半導体膜１０の第１の面１０ｂに接続された電極１２と、第１の面１０ｂにおける電極１２以外の領域及び半導体膜１０の端面１０ｃを覆うパッシベーション膜１３と、半導体膜１０の第１の面１０ｂ及び電極１２の側面を覆い、半導体膜１０の第２の面１０ａを露出させる封止樹脂体１５と、パッシベーション膜１３と封止樹脂体１５との間に設けられた中間膜１４と、を備える。中間膜１４の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力の差の絶対値は、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力の差の絶対値よりも小さい。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。

近年、III族窒化物半導体を用いたＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）が開発されている。このようなＬＥＤは、例えば、結晶成長用基板上に窒化ガリウム層（ＧａＮ層）等の半導体層からなる積層体を形成し、この積層体をパッシベーション膜で覆い、樹脂体で埋め込んだ後、結晶成長用基板を除去し、蛍光体層を形成することにより、製造される。

特開２００８−２５８３３４号公報

本発明の実施形態の目的は、信頼性が高い半導体発光装置を提供することである。

実施形態に係る半導体発光装置は、III族窒化物半導体を含む半導体膜と、前記半導体膜の第１の面に接続された電極と、前記第１の面における前記電極以外の領域及び前記半導体膜の端面を覆うパッシベーション膜と、前記半導体膜の前記第１の面及び前記電極の側面を覆い、前記半導体膜の第２の面を露出させる封止樹脂体と、前記パッシベーション膜と前記封止樹脂体との間に設けられた中間膜と、を備える。前記中間膜の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値は、前記パッシベーション膜の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値よりも小さい。

第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。 第２の実施形態に係る半導体発光装置の中間膜を例示する断面図である。 第３の実施形態に係る半導体発光装置の中間膜を例示する断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図である。

図１に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、半導体膜１０が設けられている。半導体膜１０は、III族窒化物半導体、例えば、ガリウム窒化物（ＧａＮ）を含む半導体膜であり、発光層（図示せず）を含む複数の層が積層されて構成されている。半導体膜１０の上面１０ａは、光が出射される面であり、平坦である。半導体膜１０の下面１０ｂは段差（図示せず）によって２つの領域に区画されており、各領域は平坦である。なお、図１においては、段差によって区画された一方の領域のみを示しており、他方の領域は紙面の手前側に位置するため図示していない。更に、半導体膜１０の端面１０ｃは、半導体膜１０の結晶方位によって決まる角度で傾斜している。

半導体膜１０の下面１０ｂ上には、例えば銅（Ｃｕ）からなる再配線層１１が設けられており、半導体膜１０の一部の領域に接続されている。また、再配線層１１の下面上には、例えば銅からなる電極１２が設けられており、再配線層１１に接続されている。なお、半導体発光装置１においては、再配線層１１及び電極１２からなる組は、ｐ側電極及びｎ側電極として２組設けられている。組同士は相互に絶縁されつつ、半導体膜１０の下面における段差によって区画された２つの領域にそれぞれ接続されている。但し、図１においては、１組の再配線層１１及び電極１２のみを示している。

また、半導体膜１０の下面１０ｂ及び端面１０ｃを覆うように、パッシベーション膜１３が設けられている。パッシベーション膜１３は絶縁材料からなり、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）からなる。パッシベーション膜１３は、半導体膜１０の下面１０ｂにおける再配線層１１が接続された領域上には設けられておらず、従って、半導体膜１０と再配線層１１との間には介在していない。また、パッシベーション膜１３は半導体膜１０の端面１０ｃに沿って延び、その端部は半導体膜１０の上面１０ａを越えて上面１０ａよりも上方の位置まで延出している。

更に、パッシベーション膜１３を覆うように、中間膜１４が設けられている。中間膜１４の材料は特に限定されず、無機材料若しくは有機材料等からなる絶縁膜であってもよく、金属からなる導電膜であってもよい。但し、中間膜１４を導電膜とする場合は、中間膜１４が再配線層１１及び電極１２に接続されないように配置する。例えば、中間膜１４として、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）及びチタン（Ｔｉ）等からなる金属膜を用いてもよい。この場合、中間膜１４は、半導体膜１０の発光層から下方又は側方に出射した光を上面１０ａに向けて反射する反射膜として機能する。また、中間膜１４は、外部から半導体発光装置１に入射した光が半導体膜１０に到達することを防止する遮光膜としても機能する。

中間膜１４の下方には、例えばエポキシ樹脂からなる封止樹脂体１５が設けられている。封止樹脂体１５は、半導体膜１０の下面１０ｂ及び端面１０ｃ、パッシベーション膜１３における上面１０ａよりも下方に位置する部分、中間膜１４における端面以外の部分、再配線層１１の全体、並びに、電極１２の側面を覆っている。

一方、半導体膜１０の上面１０ａ上には、蛍光体（図示せず）が分散された樹脂材料からなる蛍光体膜１６が設けられている。蛍光体膜１６は、半導体膜１０の上面１０ａ及びパッシベーション膜１３における上面１０ａよりも上方に位置する部分を覆っている。

このように、中間膜１４はパッシベーション膜１３と封止樹脂体１５との間に配置されている。そして、封止樹脂体１５の内部応力を基準として、中間膜１４の内部応力の絶対値はパッシベーション膜１３の内部応力の絶対値よりも小さい。換言すれば、中間膜１４の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値は、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値よりも小さい。

パッシベーション膜１３及び中間膜１４（以下、総称して対象膜」ともいう）の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値は、各パラメータを以下のように定義するとき、下記数式１によって求めることができる。なお、括弧内は単位である。

対象膜の内部応力と封止樹脂体の内部応力との差の絶対値：｜σｎ（Ｐａ／Ｋ）｜
対象膜の熱膨張係数：αｎ（１／Ｋ）
封止樹脂体の熱膨張係数：α０（１／Ｋ）
対象膜のヤング率：Ｅｎ（Ｐａ）
対象膜のポアソン比の差：ｖｎ

一例を挙げると、パッシベーション膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）からなり、その厚さは４００ｎｍ（ナノメートル）である。中間膜１４は、クロム、ニッケル又はチタンからなり、その厚さは１００ｎｍである。封止樹脂体１５は、例えば、エポキシ樹脂からなり、その厚さは１ｍｍ（ミリメートル）である。エポキシ樹脂の熱膨張係数α０は、７×１０^−６（１／Ｋ）である。各パラメータの具体的な値については後述するが、これにより、中間膜１４の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値が、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値よりも小さくなる。

次に、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。
なお、説明の便宜上、図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）においては、上下方向が図１の上下方向とは逆になっている。

先ず、図２（ａ）に示すように、結晶成長用基板としてシリコンウェーハ１００を用意する。次に、シリコンウェーハ１００上に、III族窒化物半導体、例えばガリウム窒化物（ＧａＮ）からなる半導体膜１０ｚを結晶成長させる。半導体膜１０ｚは連続膜である。また、半導体膜１０ｚ上の必要な領域に電極層（図示せず）を形成する。

次に、図２（ｂ）に示すように、エッチングにより半導体膜１０ｚを選択的に除去して、複数の半導体膜１０に区画する。このとき、エッチングをオーバーエッチングとして、シリコンウェーハ１００における半導体膜１０間の領域を掘り込み、溝１００ａを形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように、全面にシリコン酸化物を堆積させて、パッシベーション膜１３を形成する。パッシベーション膜１３は溝１００ａ内にも形成されるため、パッシベーション膜１３の一部は、シリコンウェーハ１００と半導体膜１０との界面を越えてシリコンウェーハ１００側に進出する。

次に、図２（ｄ）に示すように、全面に、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）等の金属を、蒸着法又はスパッタ法等によって全面に堆積させることにより、中間膜１４を形成する。

次に、図３（ａ）に示すように、中間膜１４及びパッシベーション膜１３を選択的に除去し、半導体膜１０を局所的に露出させる。次に、半導体膜１０の露出部分上に、例えば銅（Ｃｕ）からなる再配線層１１を形成する。次に、再配線層１１上に、例えば銅からなる電極１２を形成する。このとき、中間膜１４を金属によって形成した場合は、再配線層１１及び電極１２が中間膜１４に接触しないようにする。なお、１つの半導体膜１０上には、再配線層１１及び電極１２からなる組が２組形成されるが、図３（ａ）〜（ｄ）においては、図示の便宜上、１組のみ図示している。

次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂を、シリコンウェーハ１００上に、その上に形成された構造物、すなわち、半導体膜１０、パッシベーション膜１３、中間膜１４、再配線層１１及び電極１２を覆うように塗布する。次に、例えば１６０℃の温度に加熱することにより、この樹脂材料及びシリコン酸化物からなるパッシベーション膜１３を焼成する。これにより、樹脂材料が固化して封止樹脂体１５が形成される。

次に、図３（ｃ）に示すように、シリコンウェーハ１００を除去する。これにより、半導体膜１０及びパッシベーション膜１３が露出する。シリコンウェーハ１００は、研削、アルカリ性溶液によるウェットエッチング、エッチングガスを用いたドライエッチング等の方法により除去する。このとき、パッシベーション膜１３が１００℃程度まで加熱される場合がある。

次に、図３（ｄ）に示すように、半導体膜１０及びパッシベーション膜１３の露出面上に、蛍光体を分散させた樹脂材料を塗布し、焼成する。焼成温度は、例えば１７０°とする。これにより、蛍光体膜１６が形成される。

次に、ダイシングラインＤに沿って、蛍光体膜１６、半導体膜１０及び封止樹脂体１５等からなる構造体をダイシングする。これにより、この構造体が半導体膜１０毎に個片化され、図１に示す半導体発光装置１が製造される。

次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、パッシベーション膜１３と封止樹脂体１５との間に中間膜１４を設けている。中間膜１４の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値は、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値よりも小さい。このため、中間膜１４は、パッシベーション膜１３と封止樹脂体１５との間の応力緩和膜として機能し、封止樹脂体１５から印加される応力により、パッシベーション膜１３にクラックが生じることを防止できる。

例えば、完成後の半導体発光装置１において、点灯及び消灯の繰り返しによって半導体発光装置１の内部に熱ストレスが発生しても、長期間にわたって機械的な信頼性を確保することができる。

また、半導体発光装置１の製造プロセスにおいて熱ストレスを受けても、パッシベーション膜１３が損傷を受けることを防止できる。例えば、蛍光体膜１６を焼成するための熱処理工程において、パッシベーション膜１３にクラックが生じることを防止できる。また、シリコンウェーハ１００を除去する工程において、パッシベーション膜１３及び封止樹脂体１５が加熱されても、この加熱による熱応力によってパッシベーション膜１３が損傷を受けることを抑制できる。

また、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、中間膜１４が反射膜及び遮光膜として機能するため、光の取り出し効率が高い。更に、パッシベーション膜１３が半導体膜１０の上面１０ａよりも上方まで延出しているため、中間膜１４も半導体膜１０の上面１０ａと同じ高さ付近まで延在している。このため、上述の応力緩和効果、並びに、反射及び遮光の効果をより高めることができる。

なお、本実施形態においては、結晶成長用基板としてシリコンウェーハを用いる例を示したが、これには限定されず、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板又はＺｎＯ基板を用いてもよい。また、本実施形態においては、中間膜１４を反射及び遮光膜として形成したが、これには限定されない。

次に、第２の実施形態について説明する。
図４は、本実施形態に係る半導体発光装置の中間膜を例示する断面図である。
図４に示すように、本実施形態においては、中間膜１４を、パッシベーション膜１３から封止樹脂体１５に向かって、２層の部分層１４ａ及び１４ｂがこの順に積層された２層膜とする。

そして、封止樹脂体１５の内部応力を基準として、パッシベーション膜１３、部分層１４ａ及び部分層１４ｂの内部応力は、一方向に変化している。
すなわち、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１３｜とし、部分層１４ａの内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１４ａ｜とし、部分層１４ｂの内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１４ｂ｜としたとき、下記数式２が成立する。なお、各層の内部応力は、上記数式１により求めることができる。

一例を挙げると、前述の第１の実施形態と同様に、パッシベーション膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）からなり、その厚さは４００ｎｍである。封止樹脂体１５は、エポキシ樹脂からなり、その厚さは１ｍｍ（ミリメートル）である。そして、部分層１４ａは、ニッケル（Ｎｉ）からなり、その厚さは１００ｎｍである。部分層１４ｂは、クロム（Ｃｒ）からなり、その厚さは１００ｎｍである。すなわち、パッシベーション膜１３から封止樹脂体１５までの膜構成を、（ＳｉＯ_２／Ｎｉ／Ｃｒ／エポキシ樹脂）と表記することができる。各パラメータの具体的な値については後述するが、これにより、上記数式２を満たす。

本実施形態によれば、中間膜１４を２層膜とし、封止樹脂体との内部応力の差を段階的に変化させることにより、応力緩和効果をより一層高めることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。

次に、第３の実施形態について説明する。
図５は、本実施形態に係る半導体発光装置の中間膜を例示する断面図である。
図５に示すように、本実施形態においては、中間膜１４を、パッシベーション膜１３から封止樹脂体１５に向かって、３層の部分層１４ａ、１４ｂ及び１４ｃがこの順に積層された３層膜とする。

そして、封止樹脂体１５の内部応力を基準として、パッシベーション膜１３、部分層１４ａ、部分層１４ｂ及び部分層１４ｃの内部応力は、一方向に変化している。
すなわち、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１３｜とし、部分層１４ａの内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１４ａ｜とし、部分層１４ｂの内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１４ｂ｜とし、部分層１４ｃの内部応力と封止樹脂体１５の内部応力との差の絶対値を｜σ_１４ｃ｜としたとき、下記数式３が成立する。なお、各層の内部応力は、上記数式１により求めることができる。

一例を挙げると、前述の第２の実施形態と同様に、パッシベーション膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）からなり、その厚さは４００ｎｍである。封止樹脂体１５は、エポキシ樹脂からなり、その厚さは１ｍｍである。部分層１４ａはニッケル（Ｎｉ）からなり、その厚さは１００ｎｍである。部分層１４ｂはクロム（Ｃｒ）からなり、その厚さは１００ｎｍである。そして、部分層１４ｃはチタン（Ｔｉ）からなり、その厚さは１００ｎｍである。すなわち、パッシベーション膜１３から封止樹脂体１５までの膜構成を、（ＳｉＯ_２／Ｎｉ／Ｃｒ／Ｔｉ／エポキシ樹脂）と表記することができる。各パラメータの具体的な値については後述するが、これにより、上記数式３を満たす。

本実施形態によれば、中間膜１４を３層膜とし、封止樹脂体との内部応力の差を段階的に変化させることにより、応力緩和効果を第２の実施形態よりも高めることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第２の実施形態と同様である。

なお、前述の第２及び第３の実施形態においては、それぞれ、中間膜１４を２層膜及び３層膜とする例を示したが、これには限定されず、中間膜１４は４層膜以上としてもよい。この場合、各部分層の関係は、一般的に以下のように表現することができる。
すなわち、中間膜を構成する複数の部分層のうち、最もパッシベーション膜１３側に配置された部分層の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力の差の絶対値は、パッシベーション膜１３の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力の差の絶対値よりも小さく、相対的に封止樹脂体１５側に配置された部分層の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力の差の絶対値は、相対的にパッシベーション膜１３側に配置された部分層の内部応力と封止樹脂体１５の内部応力の差の絶対値よりも小さい。

但し、部分層として、臨界膜厚を超える厚さの層が含まれているときは、この層は考慮せずに、封止樹脂体との内部応力の差を段階的に変化させる。一般に、内部応力が発生している層は、一定の膜厚よりも薄ければ割れず、厚ければ割れ、割れない膜厚範囲の上限を「臨界膜厚」という。中間膜内に臨界膜厚を超える厚さの部分層が含まれていると、この部分層は割れて内部応力が開放されるため、この部分層については、上述の積層順序と内部応力の順序との関係は適用されない。

次に、本実施形態の実施例について説明する。
前述の第１の実施形態において説明した方法により、半導体発光装置を実際に作製し、その製造プロセスにおいて、パッシベーション膜１３にクラックが発生したか否かを評価した。評価したサンプルは、下記（１）〜（６）の６種類とした。但し、いずれのサンプルも、パッシベーション膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）からなる厚さが４００ｎｍの膜とし、封止樹脂体１５は、エポキシ樹脂からなる厚さが１ｍｍの膜とした。すなわち、下記（１）〜（６）において、「ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）」はパッシベーション膜１３を示し、「エポキシ樹脂（１ｍｍ）」は封止樹脂体１５を示す。

（１）実施例１
ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）／Ｃｒ（１００ｎｍ）／エポキシ樹脂（１ｍｍ）
（２）実施例２
ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）／Ｎｉ（１００ｎｍ）／エポキシ樹脂（１ｍｍ）
（３）実施例３
ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）／エポキシ樹脂（１ｍｍ）
（４）実施例４
ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）／Ｎｉ（１００ｎｍ）／Ｃｒ（１００ｎｍ）／エポキシ樹脂（１ｍｍ）
（５）実施例５
ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）／Ｎｉ（１００ｎｍ）／Ｃｒ（１００ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）／エポキシ樹脂（１ｍｍ）
（６）比較例１
ＳｉＯ_２（４００ｎｍ）／（中間膜なし）／エポキシ樹脂（１ｍｍ）

各材料の物性及び上記数式１により算出した内部応力を表１に示す。

実験の結果、実施例１〜５においては、パッシベーション膜１３に割れは認められなかった。これに対して、比較例１においては、蛍光体膜１６を焼成するための熱処理において、パッシベーション膜１３にクラックが発生した。

以上説明した実施形態によれば、信頼性が高い半導体発光装置を実現することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１：半導体発光装置、１０、１０ｚ：半導体膜、１０ａ：上面、１０ｂ：下面、１０ｃ：端面、１１：再配線層、１２：電極、１３：パッシベーション膜、１４：中間膜、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ：部分層、１５：封止樹脂体、１６：蛍光体膜、１００：シリコンウェーハ、１００ａ：溝、Ｄ：ダイシングライン

Claims (8)

1. III族窒化物半導体を含む半導体膜と、
   前記半導体膜の第１の面に接続された電極と、
   前記第１の面における前記電極以外の領域及び前記半導体膜の端面を覆い、シリコン酸化物を含むパッシベーション膜と、
   前記半導体膜の前記第１の面及び前記電極の側面を覆い、前記半導体膜の第２の面を露出させ、エポキシ樹脂を含む封止樹脂体と、
   前記パッシベーション膜と前記封止樹脂体との間に設けられ、クロム、ニッケル及びチタンからな群より選択された１以上の金属を含む中間膜と、
   前記第２の面を覆う蛍光体膜と、
   を備え、
   前記中間膜は、前記パッシベーション膜から前記封止樹脂体に向かって積層された複数の部分層を有し、
   前記複数の部分層のうち、
   最も前記パッシベーション膜に配置された前記部分層の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値は、前記パッシベーション膜の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値よりも小さく、
   相対的に前記封止樹脂体側に配置された前記部分層の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値は、相対的に前記パッシベーション膜側に配置された前記部分層の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値よりも小さく、
   前記パッシベーション膜は、前記半導体膜の端面に沿って前記第２の面を越える位置まで延出している半導体発光装置。
2. III族窒化物半導体を含む半導体膜と、
   前記半導体膜の第１の面に接続された電極と、
   前記第１の面における前記電極以外の領域及び前記半導体膜の端面を覆うパッシベーション膜と、
   前記半導体膜の前記第１の面及び前記電極の側面を覆い、前記半導体膜の第２の面を露出させる封止樹脂体と、
   前記パッシベーション膜と前記封止樹脂体との間に設けられた中間膜と、
   を備え、
   前記中間膜の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値は、前記パッシベーション膜の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値よりも小さい半導体発光装置。
3. 前記中間膜は、前記パッシベーション膜から前記封止樹脂体に向かって積層された複数の部分層を有し、
   前記複数の部分層のうち、
   最も前記パッシベーション膜に配置された前記部分層の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値は、前記パッシベーション膜の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値よりも小さく、
   相対的に前記封止樹脂体側に配置された前記部分層の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値は、相対的に前記パッシベーション膜側に配置された前記部分層の内部応力と前記封止樹脂体の内部応力の差の絶対値よりも小さい請求項２記載の半導体発光装置。
4. 前記パッシベーション膜は、前記半導体膜の端面に沿って前記第２の面を越える位置まで延出している請求項２または３に記載の半導体発光装置。
5. 前記中間膜は金属からなり、前記電極に接しないように配置されている請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
6. 前記中間膜は、クロム、ニッケル及びチタンからな群より選択された１以上の金属を含む請求項５記載の半導体発光装置。
7. 前記パッシベーション膜はシリコン酸化物を含み、前記封止樹脂体はエポキシ樹脂を含む請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
8. 前記第２の面を覆う蛍光体膜をさらに備えた請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

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