KR102410801B1 - 마이크로 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 발광소자 및 그 제조방법을 공개하였으며, 전도성 기판과 절연 격리를 이용하여, 핀홀 전극의 지지기둥을 형성하고, 공통 전극 병렬 연결 방식을 사용한다. 모듈화된 금속희생층을 테스트 전극으로 하여, 마이크로 발광 소자의 대량 전체 테스트를 실현한다. 마이크로 발광 소자는, 순차적으로 제1 유형 반도체층, 활성층, 제2 유형 반도체층을 포함하고, 상대적인 제1 표면과 제2 표면이 있는 에피택셜 적층과, 상기 에피택셜 적층의 제2 표면 위에 형성되고 상기 제1 유형 반도체층과 연결된 제1 전극과, 상기 에피택셜 적층의 제2 표면 위에 형성되고 상기 제2 유형 반도체층과 연결된 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 및 제 2 전극의 표면에는 각각 제1 연결 영역이 설치되어 있다. 상기 제1 연결 영역은 표면 형태 또는 외관 색상으로 위치한 전극의 기타 영역과 구분할 수 있다.

Description

마이크로 발광소자 및 그 제조방법
본 발명은 반도체 제조에 관련된 것으로, 구체적으로 마이크로 발광소자 및 그 제조방법에 관련된 것이다.
마이크로 LED(Micro LED, p-LED로도 칭함)는 OLED가 자체적으로 발광하고, 얇고, 가볍고, 시야각이 넓고, 반응 시간이 짧으며, 발광 효율이 높은 등 특성 외, 높은 PPI(화소밀도)를 쉽게 실현하고, 체적이 작고, 휴대하기 쉬우며, 에너지 소모가 낮은 등 장점들도 가지고 있다. LED산업에서 많은 회사들이 소자 개발과 응용에 집중하고 있다. LED칩은 매우 작아서, 전극이 프로브보다도 작으므로, 전체 테스트를 어떻게 하느냐 하는 것은 아주 중요한 문제점으로 되고 있다. 종래에는 칩의 일부분을 희생하면서 샘플링하여 테스트하였다. 대량 이송을 실현하기 위하여, 칩은 부상형으로 제조되고, 대응되게 부상 브릿지 테스트가 필요하다. 하지만 브릿지가 쉽게 끊어지거나 전극이 박리(peeling)되는 문제점이 생긴다.
상기 문제에 대하여 본 발명은 적어도 하나의 전극에 금속연결용 연결 영역을 설치하여 마이크로 LED를 전체 테스트하는 목적을 이룰 수 있는 마이크로 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명의 제1 기술방안: 마이크로 발광 다이오드 칩은, 순차적으로 제1 유형 반도체층, 활성층, 제2 유형 반도체층을 포함하고, 상대적인 제1 표면과 제2 표면이 형성된 에피택셜 적층과, 상기 에피택셜 적층의 제2 표면 위에 형성되고 상기 제1 유형 반도체층과 연결된 제1 전극과, 상기 에피택셜 적층의 제2 표면 위에 형성되고 상기 제2 유형 반도체층과 연결된 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극에는 제1 연결 영역이 형성되어 있다.
바람직하게, 상기 제1 전극과 제2 전극은 금속연결선을 제작하는데 사용되어 테스트 전극을 형성한다.
바람직하게, 상기 제1 전극은 전극을 중심으로 안에서 밖으로 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역으로 나뉘고, 상기 3개 영역은 표면 형태 또는 외관 색상으로 구분한다.
바람직하게, 상기 제1 영역은 테스트 영역이고 테스트 전극을 연결하는데 사용된다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 영역의 형상은 다각형, 원형 또는 반원형이다.
바람직하게, 상기 마이크로 발광 다이오드 칩의 두께는 20pm 이내이다.
바람직하게, 상기 마이크로 발광 다이오드 칩의 사이즈는 100㎛ x l00㎛ 이내이다.
바람직하게, 상기 제1 전극과 제2 전극의 총 면적은 상기 칩 면적의 40%보다 작지 않다.
본 발명의 제2 기술방안: 마이크로 발광 다이오드 칩, 지지구조와 전도성 지지기판을 포함하고, 상기 마이크로 발광 다이오드 칩은 발광 에피택셜 적층 및 동일 측에 위치한 제1 전극과 제2 전극을 포함하고, 상기 지지구조는 동시에 상기 제1 전극의 하표면과 지지기판의 상표면을 연결하여 상기 칩이 픽업 대기 상태에 있게 하는 마이크로 발광소자에 있어서, 상기 지지구조는 아래에서부터 위로 접착층, 전도층과 절연층을 포함하고, 상기 전도층의 칩에 가까운 일단에는 전도성 기둥형 구조가 있으며 상기 제1 전극과 접촉한다.
바람직하게, 상기 제1 전극에 전도성 접촉지지기둥을 설치하여, 상기 칩의 제2 표면이 부분적으로 부상되어 픽업 상태가 되도록 한다.
바람직하게, 상기 제1 전극에 전도성 지지기둥이 설치되고, 전극을 중심으로 안에서 밖으로 제1 영역, 제2 영역으로 나뉘고, 제1 영역은 금속연결층이고 금속재료를 사용하며, 제2 영역은 절연보호층이고 절연재료를 사용한다.
바람직하게, 지지기둥의 절연보호층은 전도성 기둥의 측벽을 감싼다.
바람직하게, 전도성 관통홀은 다각형, 원형 또는 반원형이다.
바람직하게, 상기 제2 연결 영역의 면적은 전체 전극의 총 면적의 5% 이하를 차지한다.
바람직하게, 본 발명은 상기 임의의 마이크로 발광 다이오드 칩을 포함하는 발광 다이오드 어레이를 더 제공한다.
상기 임의의 마이크로 발광 다이오드 칩은 디스플레이 장치에 응용할 수 있다.
본 발명의 제3 기술방안: 마이크로 발광소자의 제조방법으로서,
(1) 에피택셜 적층을 형성하는 성장기판을 제공하는 단계;
(2) 상기 에피택셜 적층을 유닛화 하여 일련의 마이크로 발광 유닛을 형성하고, 각 마이크로 발광 유닛의 동일 측에 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계;
(3) 상기 마이크로 발광 유닛의 표면에 절연재료층을 형성하고, 제1 전극과 제2 전극을 노출시키는 단계;
(4) 상기 절연재료에 상기 제2 전극과 접촉하는 금속희생층을 형성하고, 제1 전극의 표면을 노출시키는 단계;
(5) 상기 희생층에 절연보호층을 형성하고, 제1 전극의 일부 표면을 노출시키며, 상기 제1 전극에 전도성 관통홀을 형성하는 단계;
(6) 상기 절연보호층에 상기 전도성 관통홀을 채우는 전도층을 형성하고, 상기 제1 전극과 접촉하는 전도성 기둥을 형성하는 단계;
(7) 상기 전도층은 전도성 접착층을 통해 전도성 기판과 접착시키는 단계;
(8) 성장기판을 제거하는 단계;
(9) 일부 에피택셜층과 절연재료층을 에칭하여 금속희생층을 노출시키는 단계;
(10) 테스트 전류를 유입시키며, 테스트 전원의 일단은 금속희생층과 접촉하고, 타단은 전도성 지지기판과 접촉하여 모듈화 테스트를 진행하는 단계;
(11) 희생층을 제거하고 핀홀 전극이 있는 지지구조를 형성하여 마이크로 발광 유닛이 픽업 상태가 되도록 하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 단계(3)에서 형성된 제1 연결 영역은 연결금속의 제작에 사용되어, 제1 전극과 제2 전극을 칩 밖의 영역으로 인출하여 테스트 전극을 형성하도록 한다.
바람직하게, 상기 단계(4)에서 형성된 금속희생층은 상기 제2 전극과 연결되고, 상기 희생층의 재료는 같으며, TiW, Al, Cu, Ni, Ti 에서 한가지 또는 임의의 조합으로 선택된다.
일부 실시예에서, 단계(4) 완료 후, 한번에 테스트 해야 할 마이크로 발광 다이오드 모듈을 설계하고, 중간 격리 위치의 금속희생층을 제거하는 단계를 진행한다. 제거방법은 습식 또는 건식을 이용한다.
바람직하게, 상기 단계(5)에서는 절연보호층을 형성하고, 제1 전극의 일부 표면을 노출시켜, 제1 전극에 전도성 관통홀을 형성한다. 전도성 관통홀의 패턴은 다각형, 원형 또는 반원형이다.
바람직하게, 상기 단계(6)에서는 상기 절연보호층에 상기 전도성 관통홀을 채우는 전도층을 형성하고, 상기 제1 전극과 접촉하는 전도성 기둥을 형성한다.
바람직하게, 상기 단계(7)에서 상기 전도층은 전도성 첩착층을 통해 전도성 기판과 접착시키고, 전도성 기판은 Si기판 또는 수직 금속연결선을 가지는 기판을 포함한다.
바람직하게, 상기 단계(8)에서는 성장기판을 제거하데, 레이저 박리(LLO), 연마(Grinding) 또는 에칭 등 다양한 방법으로 실현할 수 있다. 구체적인 방법은 성장기판(111)의 재료선택에 의해 결정된다.
바람직하게, 상기 단계(9)에서는 일부 에피택셜층과 절연재료층을 에칭하여 금속희생층을 노출시킨다.
일부 실시예에서, 상기 단계(4)는 한번에 테스트해야 할 마이크로 발광 다이오드 모듈을 설계하고 중간 격리 위치의 금속희생층을 제거한다. 단계(4)로 한정하는 것이 아니라, 단계(9) 이후 실시하는 것도 가능하다.
바람직하게, 상기 단계(10)에서는 테스트 전류를 유입시키며, 테스트 전원의 일단은 상기 금속희생층과 접촉하고, 타단은 상기 전도성 지지기판과 접촉하여 모듈화 테스트를 진행한다.
바람직하게, 상기 단계(11)의 지지구조는 핀홀 전극과 핀홀 전극 밖의 절연재료를 포함한다.
바람직하게, 상기 마이크로 발광 다이오드의 제조방법은, 희생층을 제거하고, 전도성 지지기둥과 상기 에피택셜층의 제1 전극을 연결하여 상기 마이크로 발광 다이오드가 픽업 상태가 되도록 하는 단계(11)를 더 포함한다.
본 발명의 상기 마이크로 발광 다이오드 디바이스는 칩 설계를 통해 마이크로 LED(Micro LED) 에 대해 전체 테스트를 진행할 수 있으며, 동시에 후속 대량 이송 공정에도 영향을 주지 않는다.
본 발명의 기타 특징과 장점들은 이하 설명에서 상세히 기재하도록 한다, 또한, 부분적으로 본 명세서를 통해 자명하게 되거나 본 발명을 실시하면서 이해하게 된다. 본 발명의 목적과 기타 장점들은 명세서, 청구항 및 도면에서 기재한 구조로 실현된다.
도면은 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 것으로 명세서의 일부분을 구성하고, 본 발명의 실시예와 함께 본 발명을 해석하는데 사용되며, 본 발명에 대해 한정하지 않는다. 그리고, 도면 데이터는 개략적인 묘사일 뿐 실제 비례에 따라 그려진 것이 아니다.
도 1은 종래의 일반적인 마이크로 발광 다이오드의 구조도이다.
도 2는 종래의 일반적인 마이크로 발광 다이오드에 사용되는 금속 브릿지의 구조도이다.
도 3은 본 발명에 따라 실시된 마이크로 발광 다이오드의 구조도이며, 그 중 (a)는 마이크로 발광 다이오드 칩의 하표면 패턴이고, (b)는 픽업 대기 상태의 마이크로 발광 다이오드 칩의 측면 단면도이다.
도 4 내지 도 14는 본 발명에 따라 실시되는 마이크로 발광 다이오드 디바이스를 제작하는 과정 흐름도이다.
이하 도면 및 실시예를 결합하여 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명함으로써 본 발명이 어떻게 기술수단을 응용하여 기술적 문제를 해결하고 기술적 효과를 이루는지에 대한 과정을 보여주고자 한다. 설명해야 할 것은, 모순되지 않는 한, 본 발명에서 각 실시예 및 각 실시예의 각 특징은 서로 결합될 수 있고, 결합된 기술방안은 모두 본 발명의 보호범위 내에 있어야 한다.
도 3의 (a)는 제1 바람직한 실시예의 마이크로 발광 다이오드 칩의 하표면 패턴이다. 마이크로 발광 다이오드는 순차적으로 제1 유형 반도체층, 활성층, 제2 유형 반도체층을 포함하고, 상대적인 제1 표면과 제2 표면이 형성된 에피택셜 적층과, 상기 에피택셜 적층의 제2 표면 위에 형성되고 상기 제1 유형 반도체층과 연결된 제1 전극과, 상기 에피택셜 적층의 제2 표면 위에 형성되고 상기 제2 유형 반도체층과 연결된 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 전극을 중심으로 안에서 밖으로 제1 영역(141a), 제2 영역(131a) 및 제3 영역(121a) 으로 나뉘고, 상기 3개 영역은 표면 형태 또는 외관 색상으로 구분할 수 있다. LED 칩(110)은 박막 마이크로형 구조이고, 바람직한 사이즈는 100㎛ x l00㎛ 이내이며, 예를 들면 100㎛ x l00㎛ 또는 100㎛ x 50㎛이고, 일부 응용에서는 50㎛ x 50㎛ 이내일 수도 있으며, 예를 들면 50㎛ x 50㎛ 또는 20㎛ x 10㎛ 또는 10㎛ x 10㎛일 수도 있다. 추가적으로, LED칩(100)은 성장기판을 제거하므로, 칩의 두께(d)가 기본적으로 20㎛ 이내, 예를 들면 15㎛ 또는 10㎛로 유지될 수 있다.
상기 제1 전극과 제2 전극은 금속연결선을 만들어 테스트 전극을 형성하는데 사용된다. 전류를 인가하여 반도체 에피택셜 적층을 통과시키면, 활성층을 액티비팅하여 광선을 방출한다. 활성층이 질화물을 기반으로 하는 재료일 경우, 파란색, 초록색 또는 자외선 광을 방출하고, AlGalnP을 기반으로 하는 재료일 경우, 적, 등, 황색 광의 호박(amber)색 계열의 광을 방출한다.
도 3의 (b)는 제1 바람직한 실시예의 픽업 대기 상태의 마이크로 발광 다이오드 칩의 측면 단면도이고, LED칩(100) 및 지지구조를 포함한다. 상기 LED칩(100)은 에피택셜 적층(110) 및 에피택셜 적층(110) 하표면에 위치한 제1 전극(121)과 제2 전극(122)를 포함하고, LED칩(100) 하표면의 일부 영역(131a와 141a)은 지지기둥 접촉을 형성하여 탑재기판(140) 상의 적당한 위치를 유지하여, 디바이스가 픽업 상태가 되도록 한다.
도 4 내지 도 14는 본 발명에 따라 실시되는 마이크로 발광 다이오드 디바이스를 제조하는 과정 흐름도이다. 이하 도면과 결합하여 본 발명의 마이크로 발광 다이오드 디바이스를 제조하는 과정에 대해 상세히 설명한다.
(1) LED 에피택셜 구조를 제공하여 단일 마이크로 발광 다이오드를 제작한다.
도 4에서 보여준 바와 같이, 제공되는 에피택셜 구조(110)는 일반적으로 성장기판(111)과 그 위에 있는 에피택셜 적층을 포함할 수 있다.
성장기판(110)의 선택은 사파이어, 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 규소, 탄화규소, AsGa 등을 포함하지만 이에 한정되지 않고, 표면구조는 평면구조 또는 패턴화 구조일 수 있으며, 에피택셜 적층은 위에서 아래로 일반적으로 적어도 버퍼층(221), 제1 유형 반도체층(212), 활성층(213), 제2 유형 반도체층(214)를 포함하고, 에피택셜 적층의 구체적인 재료 및 구조층은 실제 수요에 따라 통상적으로 사용되는 구조를 선택할 수 있다. 에피택셜 적층(110)의 표면에는 에칭 영역(215)이 정의되고, 비에칭 영역에는 제1 전극(216)이 형성된다. 에칭 영역은 제2 전극(217)과 절단채널구역(218)을 포함하고, 절단 채널 영역(218)은 전체 발광 에피택셜 적층(110)을 일련의 마이크로 발광 유닛 LED로 나눈다. 계속하여 절단 채널 영역(218)의 제1 유형 반도체층(212)를 에칭하여 채널(150)을 형성함으로써 전체 발광 에피택셜 구조를 일련의 마이크로 LED칩 어레이로 나눈다.
제1 전극(216)과 제2 전극(217)을 제작한다. 구체적으로 노출된 제1 유형 반도체층(212) 표면의 제1 전극 영역에 제2 전극(216)을 제작하고, 각 단일 마이크로 발광 다이오드의 제2 유형 반도체층(214) 표면에 제1 전극(217)을 제작하는 것을 포함한다.
(2) 단일 전극을 절연 격리하여 마이크로 발광 다이오드 칩 모듈을 제작하고 제2 테스트 전극을 연결한다.
도 5에서 보여주는 바와 같이, 각 마이크로 LED칩의 표면에 절연재료층(160)을 피복시키고, 제1 전극(216)과 제2 전극(217)의 일부 표면만 노출시킨다. 바람직하게, 절연재료층(160)은 SiNx 또는 Si02를 사용할 수 있다. 또 바람직하게, 제1 전극(121)과 제2 전극(122)에 절연보호층(160)의 일부 표면까지 연장되는 연장 전극을 제작할 수 있다. 그 중, 제1 전극의 연장 전극은 패키징하기 용이하도록 제2 유형 반도체층 상부의 절연보호층까지 연장되어 제2 전극(122)의 연장 전극과 기본적으로 일치하게 유지될 수 있다.
도 6에서 보여주는 바와 같이, 마이크로 LED칩 어레이에 금속희생층(190)(TiW 또는 Al 등)을 제작하여, 희생층으로 제2 전극에 접촉시키고, 제1 전극 위치에서 제1 전극이 접촉하는 금속희생층을 제거하여 제1 전극을 부분적으로 노출시키며, 제거된 전극속희생층의 면적은 절연층의 개구 면적보다 크거나 같다. 바람직하게, 희생층(190)의 두께는 0.1 ~ 5㎛이고, 재료는 산화물, 질화물 또는 선택적으로 기타 층의 제거된 기타 재료에 대응된 것일 수 있다. 추가적으로, 테스트 모듈에 따라, 어레이의 테스트해야 할 영역 둘레의 채널이 위치한 금속희생층도 제거하고, 영역화된 금속희생층을 형성하고, 전체 모듈화된 금속희생층은 제2 전극에 병렬 연결되어 제2 테스트 전극이 된다.
(3) 전도성 지지기둥을 제작하여 제1 테스트 전극을 연결한다.
도 7에서 보여주는 바와 같이, 마이크로 LED칩 어레이에 절연보호층(131)을 제작하고, 절연층 재료는 SiN, Si02 또는 BCB 일 수 있으며, 금속희생층 전체를 덮고, 제1 전극 개구의 위치를 채운다.
도 8에서 보여주는 바와 같이, 에칭 방식을 이용하여 제1 전극 개구를 더 파서 제1 전극을 노출시키고, 구멍의 측벽은 절연보호층(131)을 이용하여 금속희생측(190)과 격리시키고, 추가적으로, 제1 전극의 형상에 따라 원형 구멍 또는 직사각형 구멍의 핀홀로 만들 수 있으며, 각 핀홀은 금속을 이용하여 제1 전극에 병렬 연결될 수 있다.
도 9에서 보여주는 바와 같이, 전면이 금속연결층(141)으로 채워지는데, 전체 금속연결층은 마이크로 발광 다이오드의 제1 전극에 병열 연결될 수 있고, 추가적으로 제1 전극 상에서 절연보호층과 지지기둥을 이루는데, 기둥의 외면 둘레는 절연보호층이고, 기둥의 중심은 금속연결층이다.
도 10에서 보여주는 바, 금속결합층(142)을 이용하여 전체면이 Si기판 또는 금속기판(140)에 결합되고, 금속결합층(142)은 Al, Sn, Au, Cu, Ni 및 Ti 중 한가지 또는 임의의 조합을 포함한다.
(4)다량 측정
도 11에서 보여주는 바, 사파이어 기판을 분리하고, 레이저 박리(LLO), 연마(Grinding) 또는 에칭 공정 등을 포함하는 다양한 방법으로 제거할 수 있으며, 구체적으로 성장기판(201)의 재료 선택에 따라 결정된다. 칩의 채널에서 건식 에칭으로 불필요한 에피택셜층 및 SiN 등 절연층을 제거하여 TiW희생층을 노출시킨다.
도 12에서 보여주는 바와 같이, 마이크로 LED(Micro LED) 소자에 대해 모듈화 전체 테스트를 진행한다. 추가적으로, 마이크로 발광 다이오드 디바이스마다 모두 테스트 전극을 설계해야 하는 것은 아니다. 만약 전체 마이크로 LED 에피택셜 웨이퍼의 광전특성 균일성이 비교적 좋다면 모듈화를 선택하여 금속희생층 유닛으로 설계할 수 있다. 도 13에서 보여주는 바와 같이, 일부 채널을 에칭한 금속희생층은 개별 구역의 광전특성을 측정하는 것을 통해 전체 LED 외연 웨이퍼의 광전특성을 알 수 있다.
(5)지지구조 형성
도 14에서 보여주는 바와 같이, 희생층(190)을 제거하여 마이크로 LED칩의 제2 표면(하표면)이 부분적으로 부상되게 하고, 전도층 지지기둥(131)을 통해 고정된 마이크로 발광 다이오드 디바이스를 형성하여 칩의 제2 표면이 부분적으로 부상되어 픽업 상태가 되도록 한다.
본 발명이 보여주는 마이크로 발광 다이오드 디바이스는 칩의 설계를 통해 마이크로 LED(Micro LED)에 대하여 전체 테스트를 진행할 수 있고, 동시에 후속 대량 이송 공정에 영향을 주지 않는다.
상기 내용은 본 발명의 바람직한 실시예일뿐 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니다. 본 발명의 사상과 원칙의 범위에서 행한 모든 수정, 등가 치환, 개선 등은 모두 본 발명의 보호 범위 내에 있어야 한다.

Claims (19)

  1. 마이크로 발광 다이오드 칩, 지지구조와 전도성 지지기판을 포함하고,
    상기 마이크로 발광 다이오드 칩은 발광 에피택셜 적층, 및 동일 측에 위치한 제1 전극과 제2 전극을 포함하고, 상기 지지구조는 동시에 상기 제1 전극의 하표면과 전도성 지지기판의 상표면을 연결하여, 상기 칩이 픽업 대기 상태가 되도록 하는 마이크로 발광소자에 있어서,
    상기 지지구조는 아래에서 위로 전도성 접착층, 전도층과 절연층을 포함하고, 상기 전도층의 칩에 가까운 일단에는 기둥형상 구조가 있으며, 상기 전도층의 기둥형상 구조는 상기 제1 전극과 접촉 및 전기적으로 연결되고, 상기 전도층은 상기 전도성 접착층을 통해 전도성 지지기판과 연결되는, 마이크로 발광소자.
  2. 마이크로 발광 다이오드 칩에 있어서,
    지지구조에 연결되고, 상기 지지구조는 전도성 지지기판에 설치 및 전기적으로 연결되고, 상기 전도성 지지기판은 테스트 전원에 연결되고,
    상기 마이크로 발광 다이오드 칩은 발광 에피택셜 적층, 및 동일 측에 위치한 제1 전극과 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 전극을 중심으로 안에서 밖으로 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역으로 나뉘고, 상기 3개 영역은 표면 형태 또는 외관 색상으로 구분하고,
    상기 제1 영역과 제2 영역은 지지 영역이고, 상기 지지 영역은 상기 지지구조와 연결되고,
    상기 제1 영역은 상기 지지구조를 통해 상기 전도성 지지기판에 전기적으로 연결되는, 마이크로 발광 다이오드 칩.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 총 면적은 칩 면적의 40%보다 작지 않은 마이크로 발광 다이오드 칩.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 영역의 형상은 다각형 또는 원형 또는 반원형인 마이크로 발광 다이오드 칩.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2 영역의 형상은 상기 제1 영역의 패턴과 동심으로 대응되는 관계를 가지는 마이크로 발광 다이오드 칩.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기둥형상 구조는 핀홀 전극과 핀홀 전극 밖의 절연재료를 포함하는 마이크로 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 발광 다이오드 칩의 두께는 20㎛ 이내인 마이크로 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 발광 다이오드 칩의 사이즈는 100㎛ x 100㎛ 이내인 마이크로 발광소자
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극에 전도성 지지기둥을 설치하여, 상기 칩의 제2 표면이 부분적으로 부상되어 픽업 대기 상태가 되도록 하는 마이크로 발광소자.
  10. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항의 마이크로 발광 다이오드 칩을 포함한 마이크로 발광 다이오드 어레이.
  11. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항의 마이크로 발광 다이오드 칩을 포함한 디스플레이 장치.
  12. 마이크로 발광소자의 제조방법에서 있어서,
    (1) 에피택셜 적층을 형성하는 성장기판을 제공하는 단계;
    (2) 상기 에피택셜 적층을 유닛화 하여 일련의 마이크로 발광 유닛을 형성하고, 각 마이크로 발광 유닛의 동일 측에 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계;
    (3) 상기 마이크로 발광 유닛의 표면에 절연재료층을 형성하고, 제1 전극과 제2 전극을 노출시키는 단계;
    (4) 상기 절연재료에 상기 제2 전극과 접촉하는 금속희생층을 형성하고, 제1 전극의 표면을 노출하고, 상기 금속희생층은 상기 제2 전극과 접촉시키는 단계;
    (5) 상기 금속희생층에 절연보호층을 형성하고, 제1 전극의 일부 표면을 노출시키며, 상기 제1 전극에 전도성 관통홀을 형성하는 단계;
    (6) 상기 절연보호층에 상기 전도성 관통홀을 채우는 전도층을 형성하고, 상기 제1 전극과 접촉하는 전도성 기둥을 형성하는 단계;
    (7) 상기 전도층은 전도성 접착층을 통해 전도성 기판과 접착시키는 단계;
    (8) 성장기판을 제거하는 단계;
    (9) 일부 에피택셜층과 절연재료층을 에칭하여 금속희생층을 노출시키는 단계;
    (10) 테스트 전류를 유입시키며, 테스트 전원의 일단은 금속희생층과 접촉하고, 타단은 전도성 지지기판과 접촉하여 모듈화 테스트를 진행하는 단계;
    (11) 금속희생층을 제거하고 핀홀전극이 있는 지지구조를 형성하여, 마이크로 발광유닛이 픽업 상태가 되도록 하는 단계를 포함하는 마이크로 발광소자의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 금속희생층의 재료는 동일하고, TiW, Al, Cu, Ni, Ti 에서 한가지 또는 임의의 조합으로 선택되는 마이크로 발광소자의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 절연보호층은 상기 전도성 기둥의 측벽을 감싸는 마이크로 발광소자의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 전도성 관통홀의 패턴은 다각형, 원형 또는 반원형인 마이크로 발광소자의 제조방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 전극에 전도성 지지기둥이 설치되어 있고, 기타 위치의 금속희생층을 에칭하여, 칩의 제2 표면이 부분적으로 부상되어 픽업 상태가 되도록 하는 마이크로 발광소자의 제조방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 지지구조는 핀홀 전극과 핀홀 전극 밖의 절연재료를 포함하는 마이크로 발광소자의 제조방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
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