TWI706537B - 自發光元件及發光裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種自發光元件包括發光二極體以及輔助結構。發光二極體包括第一型半導體、第二型半導體、第一接墊以及第二接墊。第二型半導體沿著垂直第一型半導體的底面的垂直方向重疊於第一型半導體。第一接墊連接第一型半導體。第二接墊連接第二型半導體。輔助結構包括覆蓋部、保護部以及第一錨定部。覆蓋部於垂直方向上重疊發光二極體。保護部於垂直方向上不重疊於發光二極體。保護部沿著垂直方向的正投影面積大於或等於發光二極體沿著垂直方向的正投影面積。第一錨定部與保護部分別位於發光二極體的不同側。

Description

自發光元件及發光裝置的製造方法
本發明是有關於一種包括輔助結構以及發光二極體之自發光元件，且特別是有關於一種自發光元件及發光裝置的製造方法。
發光二極體(Light Emitting Diode；LED)為一種發光元件，因其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩飽和度等特性，因而適用於構建微型發光二極體(micro-LEDs)顯示面板之畫素結構。
將發光二極體搬運到具有畫素電路之驅動背板上的技術稱為巨量轉移(Mass Transfer)。然而，現有技術在轉移發光二極體時，容易因晶粒良率及諸多因素造成發光二極體顯示面板的缺陷，導致發光裝置中的部分子畫素不能正常運作。因此，需要對發光裝置進行繁雜且耗時長的修復製程，以修復不能正常運作的子畫素。
本發明提供一種自發光元件，能減少修復發光裝置所需的時間以及材料成本。
本發明提供一種發光裝置的製造方法，能減少修復發光裝置所需的時間以及材料成本。
本發明的一實施例提供一種自發光元件包括發光二極體以及輔助結構。發光二極體包括第一型半導體、第二型半導體、主動層、第一接墊以及第二接墊。第二型半導體沿著垂直第一型半導體的底面的垂直方向重疊於第一型半導體。主動層設置於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一接墊連接第一型半導體。第二接墊連接第二型半導體。輔助結構包括覆蓋部、保護部以及第一錨定部。覆蓋部於垂直方向上重疊發光二極體。保護部於垂直方向上不重疊於發光二極體。保護部沿著垂直方向的正投影面積大於或等於發光二極體沿著垂直方向的正投影面積。第一錨定部與保護部分別位於發光二極體的不同側。
本發明的一實施例提供一種發光裝置的製造方法，包括以下步驟。提供畫素電路基板，其中畫素電路基板包括多個驅動結構，各驅動結構包括第一電極以及第二電極。執行第一轉置製程，以提供第一發光元件於其中一個驅動結構上，其中第一發光元件如前述的自發光元件。電性連接第一發光元件的第一接墊與其中一個驅動結構的第一電極。電性連接第一發光元件的第二接墊與其中一個驅動結構的第二電極。執行第二轉置製程，以提供 第二發光元件於其中另一個驅動結構上，其中第二發光元件如前述的自發光元件。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、20、30、40:發光裝置
100、100a、100b:畫素電路基板
200、200b、200d:第一發光元件
200a、200c、200e:第二發光元件
200m、200m’:繫連材料
210:發光二極體
220:輔助結構
222:覆蓋部
224:保護部
224a:第一層
224b:第二層
226:第一錨定部
226a:第二錨定部
232:第一連接結構
234:第二連接結構
B:底面
CL:導電層
CL1:第一導電層
CL2:第二導電層
D:方向
E1:第一電極
E2:第二電極
EL:主動層
L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7:自發光元件
I:絕緣層
ISB:中介基板
P1:第一接墊
P2:第二接墊
PL:平坦層
PX:驅動結構
S1:第一側
S2:第二側
S3:第三側
S4:第四側
SB:基底
SE1:第一輔助電極
SE2:第二輔助電極
SL:犧牲層
SM1:第一型半導體
SM2:第二型半導體
T:黏著層
T1、T2:轉置裝置
W1、W2:間距
W3、W4:寬度
圖1A至圖1C是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。
圖2A是圖1B剖面線aa’的剖面示意圖。
圖2B是圖1C剖面線aa’的剖面示意圖。
圖2C是圖1C剖面線bb’的剖面示意圖。
圖3A至圖3C是依照本發明的一實施例的一種轉置裝置提取第一發光元件的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖6是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖8是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖9是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖10是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖11是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
圖12A至圖12C是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。
圖13A是圖12A剖面線cc’的剖面示意圖。
圖13B是圖12B剖面線cc’的剖面示意圖。
圖13C是圖12B剖面線dd’的剖面示意圖。
圖13D是圖12C剖面線cc’的剖面示意圖。
圖13E是圖12C剖面線dd’的剖面示意圖。
圖14是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
圖15A至圖15C是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。
圖16A是圖15A剖面線ee’的剖面示意圖。
圖16B是圖15B剖面線ee’的剖面示意圖。
圖16C是圖15B剖面線ff’的剖面示意圖。
圖16D是圖15C剖面線ee’的剖面示意圖。
圖16E是圖15C剖面線ff’的剖面示意圖。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同或類似的附圖標記表示相同或類似的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，前述元件可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者位於前述元件與另一元件之間的中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，前述元件與另一元件之間不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇可接受的偏差範圍或標準偏差。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學 術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1A至圖1C是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。圖2A是圖1B剖面線aa’的剖面示意圖。圖2B是圖1C剖面線aa’的剖面示意圖。圖2C是圖1C剖面線bb’的剖面示意圖。為了方便說明，圖1A至圖1C省略繪示圖2A至圖2C中的部分構件。
請參考圖1A，提供畫素電路基板100。畫素電路基板100包括基底SB以及位於基底SB上的多個驅動結構PX，各驅動結構PX包括第一電極E1以及第二電極E2。在本實施例中，畫素電路基板100還包括第一輔助電極SE1以及第二輔助電極SE2。第一輔助電極SE1與第一電極E1電性連接。第一輔助電極SE1與第一電極E1於結構上分離但兩者等電位。第二輔助電極SE2與第二電極E2電性連接。第二輔助電極SE2與第二電極E2於結構上分離但兩者等電位。雖然圖1A只繪出了十二個驅動結構PX，但本發明不以此為限。驅動結構PX的數量可以依照實際需求而定。
第一電極E1、第二電極E2、第一輔助電極SE1以及第二輔助電極SE2的材料包括金屬(例如鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅或上述金屬之合金)、金屬氧化 物(例如銦錫氧化物)或其他導電材料。
請參考圖1B以及圖2A，執行第一轉置製程，以提供第一發光元件200於其中一個驅動結構PX上。為了方便說明，圖1B省略繪出了轉置裝置T1。
在本實施例中，第一轉置製程例如為巨量轉移，且執行第一轉置製程，以提供多個第一發光元件200於多個驅動結構PX上。第一轉置製程例如是利用轉置裝置T1移動第一發光元件200。轉置裝置T1提取第一發光元件200的方法例如為靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他方法，然而本發明不限於此。執行完第一轉置製程後，移除轉置裝置T1。
在本實施例中，第一發光元件200為自發光元件，且包括發光二極體210以及輔助結構220。發光二極體210包括第一型半導體SM1、第二型半導體SM2、第一接墊P1以及第二接墊P2。在本實施例中，第一發光元件200還包括第一連接結構232以及第二連接結構234，且發光二極體210還包括主動層EL。
第二型半導體SM2沿著垂直第一型半導體SM1的底面B的垂直方向D重疊於第一型半導體SM1。在本實施例中，第二型半導體SM2、主動層EL以及第一型半導體SM1依序堆疊。主動層EL設置於第一型半導體層SM1與第二型半導體層SM2之間。
第一型半導體SM1與第二型半導體SM2中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。第一型半導體SM1與第二型半導體SM2的材料例如包括氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵 (InGaN)、砷化鎵(GaAs)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。主動層EL例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：單量子井(SQW)、多量子井(MQW)或其它的量子井。P型摻雜的半導體層提供的電洞與N型摻雜的半導體層提供的電子可以在主動層EL結合，並以光的模式釋放出能量。在一些實施例中，主動層EL的材料例如包括氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化銦鋁鎵(InAlGaAs)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料。
輔助結構220包括覆蓋部222、保護部224以及第一錨定部226。輔助結構220的材料包括介電材料(例如氮化矽、氧化矽或其他介電材料)、半導體材料、導體材料或上述任兩種材料的堆疊。在本實施例中，輔助結構220還包括絕緣層I。
絕緣層I覆蓋第二型半導體SM2、主動層EL以及第一型半導體SM1，且暴露出部分第二型半導體SM2以及部分第一型半導體SM1。第一接墊P1連接第一型半導體SM1。第二接墊P2連接第二型半導體SM2。第一接墊P1以及第二接墊P2包括導電材料。在本實施例中，發光二極體210為水平式發光二極體，且第一接墊P1以及第二接墊P2位於發光二極體210的同一側。
覆蓋部222於垂直方向D上重疊發光二極體210。舉例來說，覆蓋部222於垂直方向D上重疊於第一型半導體SM1的底面B。在本實施例中，覆蓋部222覆蓋第一型半導體SM1的底面 B及側面(包括第一側S1與第二側S2)。
保護部224於垂直方向D上不重疊於發光二極體210。舉例來說，保護部224位於發光二極體210的第一側S1，且保護部224自發光二極體210的第一側S1向外延伸。保護部224沿著垂直方向D的正投影面積大於或等於發光二極體210沿著垂直方向D的正投影面積。
第一錨定部226與保護部224分別位於發光二極體210的不同側。舉例來說，第一錨定部226位於發光二極體210的第二側S2，且第一錨定部226自發光二極體210的第二側S2向外延伸。第一發光元件200在巨量轉移前，第一發光元件200與中介基板或生長基板連接。在將第一發光元件200自中介基板或生長基板取起時，第一發光元件200與中介基板或生長基板之間的連接處斷開，並形成第一錨定部226。在本實施例中，第一錨定部226沿著垂直方向D的正投影面積小於保護部224沿著垂直方向D的正投影面積。
第一連接結構232以及第二連接結構234分別位於第一接墊P1以及第二接墊P2上。第一連接結構232以及第二連接結構234例如為銲料。
在本實施例中，執行第一轉置製程後，電性連接第一發光元件200的第一接墊P1與驅動結構PX的第一電極E1。執行第一轉置製程後，電性連接第一發光元件200的第二接墊P2與驅動結構PX的第二電極E2。
第一發光元件200的第一接墊P1以及第一發光元件200的第二接墊P2朝向畫素電路基板100。在本實施例中，電性連接第一發光元件200的第一接墊P1與第一電極E1的方法以及電性連接第一發光元件200的第二接墊P2與第二電極E2的方法例如包括共晶接合或其他類似的方法，但本發明不以此為限。
第一發光元件200的保護部224重疊於驅動結構PX的第一輔助電極SE1以及驅動結構PX的第二輔助電極SE2。在一些實施例中，第一電極E1與第一輔助電極SE1之間的間距W1以及第二電極E2與第二輔助電極SE2之間的間距W2大於發光二極體210的寬度W3，且間距W1以及間距W2小於保護部224的寬度W4，藉此，保護部224較容易覆蓋第一輔助電極SE1與第二輔助電極SE2，但本發明不以此為限。
在本實施例中，執行第一轉置製程後，第一發光元件200沒有成功地設置於部分的驅動結構PX上。舉例來說，第一轉置製程一次移動了多個(例如十二個)第一發光元件200，然而，其中兩個第一發光元件200在轉置過程中掉落，導致其中兩個驅動結構PX上沒有設置第一發光元件200。
請參考圖1C、圖2B以及圖2C，執行第二轉置製程，以提供第二發光元件200a於另一個驅動結構PX(沒有成功地設置第一發光元件200之驅動結構PX)上。為了方便說明，圖1C省略繪出了轉置裝置T2以及未與畫素電路基板100連接之第二發光元件200a。
在本實施例中，第二轉置製程例如為巨量轉移，且執行第二轉置製程，以提供多個第二發光元件200a於多個驅動結構PX上。舉例來說，第二轉置製程一次移動了多個(例如十二個)第二發光元件200a。第二轉置製程例如是利用轉置裝置T2移動第二發光元件200a，轉置裝置T2提取第二發光元件200a的方法例如為靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他類似的方發。執行完第二轉置製程後，移除轉置裝置T2。
在本實施例中，第二發光元件200a為自發光元件，且包括發光二極體210以及輔助結構220。發光二極體210包括第一型半導體SM1、第二型半導體SM2、第一接墊P1以及第二接墊P2。在本實施例中，第一發光元件200還包括第一連接結構232以及第二連接結構234，且發光二極體210還包括主動層EL。第二發光元件200a與第一發光元件200具有類似的結構，因此，於此不再贅述。
第二轉置製程對應於畫素電路基板100的位置偏離於第一轉置製程對應於畫素電路基板100的位置。在本實施例中，第一轉置製程使第一發光元件200的第一連接結構232以及第二連接結構234分別接觸畫素電路基板100的第一電極E1以及第二電極E2，而第二轉置製程使第二發光元件200a的第一連接結構232以及第二連接結構234分別接觸畫素電路基板100的第一輔助電極SE1以及第二輔助電極SE2。
請參考圖2B，於成功地設置了第一發光元件200之驅動 結構PX上，第二發光元件200a會被第一發光元件200的保護部224隔絕，使第二發光元件200a的第一連接結構232以及第二連接結構234沒有辦法接觸畫素電路基板100的第一輔助電極SE1以及第二輔助電極SE2。
請參考圖2C，於未成功地設置了第一發光元件200之驅動結構PX上，第二發光元件200a的第一連接結構232以及第二連接結構234分別接觸畫素電路基板100的第一輔助電極SE1以及第二輔助電極SE2。
在本實施例中，執行第二轉置製程後，電性連接第二發光元件200a的第一接墊P1與驅動結構PX的第一輔助電極SE1。執行第二轉置製程後，電性連接第二發光元件200a的第二接墊P2與驅動結構PX的第二輔助電極SE2。
第二發光元件200a的第一接墊P1以及第二發光元件200a的第二接墊P2朝向畫素電路基板100。在本實施例中，電性連接第二發光元件200a的第一接墊P1與第一輔助電極SE1的方法以及電性連接第二發光元件200a的第二接墊P2與第二輔助電極SE2的方法例如包括共晶接合或其他類似的方法，但本發明不以此為限。
由於在成功地設置了第一發光元件200之驅動結構PX上，第二發光元件200a沒辦法與畫素電路基板100的第一輔助電極SE1以及第二輔助電極SE2接合，因此，第二發光元件200a不會留在成功地設置了第一發光元件200之驅動結構PX。被第一 發光元件200的保護部224擋住之第二發光元件200a會留在轉置裝置T2上。由於留在轉置裝置T2上之第二發光元件200a可以用於下一次轉置製程，因此，能夠減少修復發光裝置10所需的材料成本。此外，由於第二轉置製程能夠一次於多個未成功地設置了第一發光元件200之驅動結構PX上設置第二發光元件200a，因此，能夠減少修復發光裝置10所需的時間成本。
在本實施例中，各驅動結構PX的第一輔助電極SE1與第一電極E1等電位，且第二輔助電極SE2與第二電極E2等電位。因此，不論設置於驅動結構PX上的是第一發光元件200還是第二發光元件200a，發光裝置10都能正常運作。
圖3A至圖3C是依照本發明的一實施例的一種轉置裝置提取第一發光元件的剖面示意圖。
請參考圖3A，第一發光元件200與中介基板ISB透過繫連材料200m連接。在本實施例中，繫連材料200m與中介基板ISB之間還具有犧牲層SL，犧牲層SL的材料例如為矽基板、有機材料或其他為容易蝕刻(濕式蝕刻或乾式蝕刻)的材料。
請參考圖3B，移除犧牲層SL。移除犧牲層SL例如為濕式或者乾式蝕刻。
請參考圖3C，利用轉置裝置T1提取第一發光元件200。在將第一發光元件200自中介基板ISB取起時，第一發光元件200與中介基板或生長基板之間的連接處(繫連材料200m)斷開，並於第一發光元件200上留下包括覆蓋部222、保護部224以及第一 錨定部226的輔助結構220。部分繫連材料200m’則殘留於中介基板ISB上。
雖然在圖3A至圖3C中繪示了一種犧牲層SL以及繫連材料200m的結構，但本發明不以此為限。在其他實施例中，犧牲層SL以及繫連材料200m也可以為其他形狀，使第一發光元件200上之輔助結構220為其他的形狀。
利用轉置裝置T2提取第二發光元件200a的方式類似於利用轉置裝置T1提取第一發光元件200的方式，因此於此不再贅述。
圖4是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖4的自發光元件L1的結構例如與圖2B的第一發光元件200以及第二發光元件200a類似，差異在於：自發光元件L1的第一錨定部226位於發光二極體210的第三側S3。第三側S3連接第一側S1與第二側S2。
圖5是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖5的自發光元件L2的結構例如與圖4的自發光元件L1類似，差異在於：自發光元件L2更包括第二錨定部226a，且第二錨定部226a位於發光二極體210的第四側S4。第四側S4相對於第三側S3。
在本實施例中，第一錨定部226與第二錨定部226a分別 位於發光二極體210的不同側，且第二錨定部226a與保護部224分別位於發光二極體210的不同側。
圖6是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
自發光元件L3的結構例如與前述實施例中第一發光元件200以及第二發光元件200a類似，差異在於：自發光元件L3之覆蓋部222沿著垂直方向D的正投影面積小於發光二極體210沿著垂直方向D的正投影面積。
圖7是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖7的自發光元件L4的結構例如與圖2B的第一發光元件200以及第二發光元件200a類似，差異在於：自發光元件L4不具有絕緣層I。
輔助結構220包括覆蓋部222、保護部224以及第一錨定部226。自發光元件L4的輔助結構220的覆蓋部222形成於第一型半導體SM1、主動層EL以及第二型半導體SM2上，且覆蓋部222具有暴露出第一型半導體SM1以及第二型半導體SM2的開口。第一接墊P1以及第二接墊P2透過覆蓋部222的開口而分別與第一型半導體SM1以及第二型半導體SM2連接。換句話說，在本實施例中，覆蓋部222取代了絕緣層I。在本實施例中，輔助結構220的材料包括介電材料(例如氮化矽、氧化矽或其他介電材料)。
覆蓋部222於垂直方向D上重疊發光二極體210。舉例來說，覆蓋部222於垂直方向D上重疊於部分第一型半導體SM1以及部分第二型半導體SM1。
保護部224於垂直方向D上不重疊於發光二極體210。舉例來說，保護部224位於發光二極體210的第一側S1，且保護部224自發光二極體210的第一側S1向外延伸。
第一錨定部226與保護部224分別位於發光二極體210的不同側。
雖然在本實施例中，第一錨定部226位於發光二極體210的第二側S2，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一錨定部226位於發光二極體210的第三側S3。
在其他實施例中，輔助結構220還包括第二錨定部226a，且第二錨定部226a位於發光二極體210的第四側S4。
圖8是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖8的自發光元件L5的結構例如與圖2B的第一發光元件200以及第二發光元件200a類似，差異在於：自發光元件L5的保護部224與絕緣層I屬於同一膜層。
在本實施例中，保護部224與絕緣層I屬於同一膜層，且覆蓋部222與第一錨定部226屬於另一膜層。
圖9是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖9的自發光元件L6的結構例如與圖8的自發光元件L5類似，差異在於：自發光元件L6的保護部224為雙層結構。
在本實施例中，保護部224包括與絕緣層I同一膜層的第一層224a以及與覆蓋部222同一膜層的第二層224b。
圖10是依照本發明的一實施例的一種自發光元件的上視示意圖。
圖10的自發光元件L7的結構例如與圖9的自發光元件L6類似，差異在於：自發光元件L7之覆蓋部222沿著垂直方向D的正投影面積小於發光二極體210沿著垂直方向D的正投影面積。
圖11是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
圖11的發光裝置20的結構例如與圖1C的發光裝置10類似，差異在於：發光裝置20的第一輔助電極SE1與第一電極E1於結構上相連且兩者等電位，第二輔助電極SE2與第二電極E2於結構上相連且兩者等電位。
圖12A至圖12C是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。圖13A是圖12A剖面線cc’的剖面示意圖。圖13B是圖12B剖面線cc’的剖面示意圖。圖13C是圖12B剖面線dd’的剖面示意圖。圖13D是圖12C剖面線cc’的剖面示意圖。圖13E是圖12C剖面線dd’的剖面示意圖。為了方便說明，圖12A至圖12C省略繪示圖13A至圖13E中的部分構件。
請參考圖12A與圖13A，提供畫素電路基板100a。畫素 電路基板100a包括基底SB以及位於基底SB上的多個驅動結構PX，各驅動結構PX包括第一電極E1、第二電極E2。在本實施例中，畫素電路基板100a還包括第一輔助電極SE1。
執行第一轉置製程，以提供第一發光元件200b於其中一個驅動結構PX上。為了方便說明，圖12A省略繪出了轉置裝置T1。
在本實施例中，第一轉置製程例如為巨量轉移，且執行第一轉置製程，以提供多個第一發光元件200b於多個驅動結構PX上。第一轉置製程例如是利用轉置裝置T1移動第一發光元件200b，轉置裝置T1提取第一發光元件200b的方法例如為靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他類似的方法。執行完第一轉置製程後，移除轉置裝置T1。
在本實施例中，第一發光元件200b為自發光元件，且包括發光二極體210以及輔助結構220。發光二極體210包括第一型半導體SM1、第二型半導體SM2、第一接墊P1以及第二接墊P2。在本實施例中，第一發光元件200還包括第一連接結構232，且發光二極體210還包括主動層EL。
輔助結構220包括覆蓋部222、保護部224以及第一錨定部226。在本實施例中，輔助結構220還包括絕緣層I。
絕緣層I覆蓋第二型半導體SM2、主動層EL以及第一型半導體SM1，且暴露出部分第二型半導體SM2以及部分第一型半導體SM1。第一接墊P1連接第一型半導體SM1。第二接墊P2連 接第二型半導體SM2。第一接墊P1以及第二接墊P2包括導電材料。在本實施例中，發光二極體210為垂直式發光二極體，且第一接墊P1與第二接墊P2分別位於發光二極體210的不同側。
覆蓋部222於垂直方向D上重疊發光二極體210。舉例來說，覆蓋部222於垂直方向D上重疊於第一型半導體SM1的底面B。
保護部224於垂直方向D上不重疊於發光二極體210。舉例來說，保護部224位於發光二極體210的第一側S1，且保護部224自發光二極體210的第一側S1向外延伸。保護部224沿著垂直方向D的正投影面積大於或等於發光二極體210沿著垂直方向D的正投影面積。
第一錨定部226與保護部224分別位於發光二極體210的不同側。
第一連接結構232位於第一接墊P1上。第一連接結構232例如為銲料。
在本實施例中，執行第一轉置製程後，電性連接第一發光元件200的第一接墊P1與驅動結構PX的第一電極E1。
第一發光元件200b的第一接墊P1朝向畫素電路基板100a。在本實施例中，電性連接第一發光元件200b的第一接墊P1與第一電極E1的方法例如包括共晶接合或其他類似的方法，但本發明不以此為限。
第一發光元件200b的保護部224重疊於驅動結構PX的 第一輔助電極SE1。在一些實施例中，第一電極E1與第一輔助電極SE1之間的間距W1大於發光二極體210的寬度W3，且間距W1小於保護部224的寬度W4，藉此，保護部224較容易覆蓋第一輔助電極SE1，但本發明不以此為限。
在本實施例中，執行第一轉置製程後，第一發光元件200b沒有成功地設置於部分的驅動結構PX上。舉例來說，第一轉置製程一次移動了多個(例如十二個)第一發光元件200b，然而，其中兩個第一發光元件200b在轉置過程中掉落，導致其中兩個驅動結構PX上沒有設置第一發光元件200b。
請參考圖12B、圖13B以及圖13C，執行第二轉置製程，以提供第二發光元件200c於另一個驅動結構PX(沒有成功地設置第一發光元件200b之驅動結構PX)上。為了方便說明，圖12B省略繪出了轉置裝置T2以及未與畫素電路基板100a連接之第二發光元件200c。
在本實施例中，第二轉置製程例如為巨量轉移，且執行第二轉置製程，以提供多個第二發光元件200c於多個驅動結構PX上。舉例來說，第二轉置製程一次移動了多個(例如十二個)第二發光元件200c。第二轉置製程例如是利用轉置裝置T2移動第二發光元件200c，轉置裝置T2提取第二發光元件200c的方法例如為靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他類似的方發。執行完第二轉置製程後，移除轉置裝置T2。
在本實施例中，第二發光元件200c為自發光元件，且包 括發光二極體210以及輔助結構220。發光二極體210包括第一型半導體SM1、第二型半導體SM2、第一接墊P1以及第二接墊P2。在本實施例中，第一發光元件200還包括第一連接結構232，且發光二極體210還包括主動層EL。第二發光元件200c與第一發光元件200b具有類似的結構，因此，於此不再贅述。
第二轉置製程對應於畫素電路基板100a的位置偏離於第一轉置製程對應於畫素電路基板100a的位置。在本實施例中，第一轉置製程使第一發光元件200b的第一連接結構232接觸畫素電路基板100a的第一電極E1，而第二轉置製程使第二發光元件200c的第一連接結構232接觸畫素電路基板100a的第一輔助電極SE1。
請參考圖13B，於成功地設置了第一發光元件200b之驅動結構PX上，第二發光元件200c會被第一發光元件200b的保護部224擋住，使第二發光元件200c的第一連接結構232沒有辦法接觸畫素電路基板100a的第一輔助電極SE1。
請參考圖13C，於未成功地設置了第一發光元件200b之驅動結構PX上，第二發光元件200c的第一連接結構232接觸畫素電路基板100a的第一輔助電極SE1。
在本實施例中，執行第二轉置製程後，電性連接第二發光元件200c的第一接墊P1與驅動結構PX的第一輔助電極SE1。
第二發光元件200c的第一接墊P1朝向畫素電路基板100a。在本實施例中，電性連接第二發光元件200c的第一接墊P1與第一輔助電極SE1的方法包括共晶接合或其他類似的方法，但 本發明不以此為限。
由於在成功地設置了第一發光元件200b之驅動結構PX上，第二發光元件200c沒辦法與畫素電路基板100a的第一輔助電極SE1接合，因此，第二發光元件200c不會留在成功地設置了第一發光元件200b之驅動結構PX。被第一發光元件200b的保護部224擋住之第二發光元件200c會留在轉置裝置T2上。
在本實施例中，各驅動結構PX的第一輔助電極SE1與第一電極E1等電位。因此，不論設置於驅動結構PX上的是第一發光元件200b還是第二發光元件200c，發光裝置都能正常運作。
請參考圖12C、圖13D以及圖13E，形成平坦層PL於驅動結構PX上。平坦層PL的材料例如為絕緣材料。在本實施例中，平坦層PL圍繞第一電極E1，但本發明不以此為限。在其他實施例中，平坦層PL圍繞第一電極E1以及第一輔助電極SE1。
雖然在本實施例中，平坦層PL形成於第二轉置製程之後，但本發明不以此為限。在其他實施例中，在執行第一轉置製程之前及/或執行第二轉置製程之前，於驅動結構PX上形成平坦層PL。
形成第一導電層CL1於第一發光元件200b上，以電性連接第一發光元件200b的第二接墊P2與驅動結構PX的第二電極E2。形成第二導電層CL2於第二發光元件200c上，以電性連接第二發光元件200c的第二接墊P2與驅動結構PX的第二電極E2。第一導電層CL1以及第二導電層CL2的材料例如為透明導電材 料。
在本實施例中，第一導電層CL1與第二導電層CL2連在一起，並組成導電層CL。換句話說，位於第一發光元件200b上的導電層CL為第一導電層CL1，且位於第二發光元件200c上的導電層CL為第二導電層CL2。
基於上述，由於留在轉置裝置T2上之第二發光元件200c可以用於下一次轉置製程，因此，能夠減少修復發光裝置30所需的材料成本。此外，由於第二轉置製程能夠一次於多個未成功地設置了第一發光元件200b之驅動結構PX上設置第二發光元件200c，因此，能夠減少修復發光裝置30所需的時間成本。
圖14是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
圖14的發光裝置40與圖13E的發光裝置30的主要差異在於：發光裝置40的平坦層PL圍繞第一電極E1以及第一輔助電極SE1。
圖15A至圖15C是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。圖16A是圖15A剖面線ee’的剖面示意圖。圖16B是圖15B剖面線ee’的剖面示意圖。圖16C是圖15B剖面線ff’的剖面示意圖。圖16D是圖15C剖面線ee’的剖面示意圖。圖16E是圖15C剖面線ff’的剖面示意圖。
請參考圖15A與圖16A，提供畫素電路基板100b。畫素電路基板100b包括基底SB以及位於基底SB上的多個驅動結構 PX，各驅動結構PX包括第一電極E1以及第二電極E2。在本實施例中，形成黏著層T於畫素電路基板100b的每個驅動結構PX上。
執行第一轉置製程，以提供第一發光元件200d於其中一個驅動結構PX上。在本實施例中，第一轉置製程例如為巨量轉移，且執行第一轉置製程，以提供多個第一發光元件200d於多個驅動結構PX上。第一轉置製程例如是利用轉置裝置T1移動第一發光元件200d，轉置裝置T1提取第一發光元件200d的方法例如為靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他類似的方法。執行完第一轉置製程後，移除轉置裝置T1。
在本實施例中，第一發光元件200d為自發光元件，且包括發光二極體210以及輔助結構220。發光二極體210包括第一型半導體SM1、第二型半導體SM2、第一接墊P1以及第二接墊P2。在本實施例中，發光二極體210還包括主動層EL。
輔助結構220包括覆蓋部222、保護部224以及第一錨定部226。在本實施例中，輔助結構220還包括絕緣層I。
絕緣層I覆蓋第二型半導體SM2、主動層EL以及第一型半導體SM1，且暴露出部分第二型半導體SM2以及部分第一型半導體SM1。第一接墊P1連接第一型半導體SM1。第二接墊P2連接第二型半導體SM2。第一接墊P1以及第二接墊P2包括導電材料。在本實施例中，發光二極體210為水平式發光二極體，且第一接墊P1以及第二接墊P2位於發光二極體210的同一側。
覆蓋部222於垂直方向D上重疊發光二極體210。舉例來說，覆蓋部222於垂直方向D上重疊於第一型半導體SM1的底面B。
保護部224於垂直方向D上不重疊於發光二極體210。保護部224沿著垂直方向D的正投影面積大於或等於發光二極體210沿著垂直方向D的正投影面積。第一發光元件200d的保護部224以及發光二極體210重疊於黏著層T。換句話說，覆蓋部222以及保護部224於垂直方向D上重疊於黏著層T。
第一錨定部226與保護部224分別位於發光二極體210的不同側。
請參考圖15B、圖16B以及圖16C，執行第二轉置製程，以提供第二發光元件200e於另一個驅動結構PX(沒有成功地設置第一發光元件200d之驅動結構PX)上。在本實施例中，第二轉置製程例如為巨量轉移，且執行第二轉置製程，以提供多個第二發光元件200e於多個驅動結構PX上。舉例來說，第二轉置製程一次移動了多個(例如十二個)第二發光元件200e。第二轉置製程例如是利用轉置裝置T2移動第二發光元件200e，轉置裝置T2提取第二發光元件200e的方法例如為靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他類似的方發。在執行完第二轉置製程後，移除轉置裝置T2。
在本實施例中，第二發光元件200e為自發光元件，且包括發光二極體210以及輔助結構220。發光二極體210包括第一型 半導體SM1、第二型半導體SM2、第一接墊P1以及第二接墊P2。在本實施例中，發光二極體210還包括主動層EL。第二發光元件200e與第一發光元件200d具有類似的結構，因此，於此不再贅述。
第二轉置製程對應於畫素電路基板100b的位置偏離於第一轉置製程對應於畫素電路基板100b的位置。
請參考圖16B，於成功地設置了第一發光元件200d之驅動結構PX上，第二發光元件200e下方的黏著層T會被第一發光元件200d的保護部224擋住，使第二發光元件200e沒有辦法接觸黏著層T。
請參考圖16C，於未成功地設置了第一發光元件200d之驅動結構PX上，第二發光元件200e接觸黏著層T。
由於在成功地設置了第一發光元件200d之驅動結構PX上，第二發光元件200e不會與黏著層T接觸，因此，第二發光元件200e不會留在成功地設置了第一發光元件200d之驅動結構PX。被第一發光元件200d的保護部224擋住之第二發光元件200e會留在轉置裝置T2上。
請參考圖15C、圖16D以及圖16E，形成第一導電層CL1於第一發光元件200d上，以電性連接第一發光元件200d的第一接墊P1與驅動結構PX的第一電極E1。形成第二導電層CL2於第一發光元件200d上，以電性連接第一發光元件200d的第二接墊P2與驅動結構PX的第二電極E2。形成第三導電層CL3於第二發光元件200e上，以電性連接第二發光元件200e的第一接墊 P1與驅動結構PX的第一電極E1。形成第四導電層CL4於第二發光元件200e上，以電性連接第二發光元件200e的第二接墊P2與驅動結構PX的第二電極E2。
在本實施例中，第一導電層CL1、第二導電層CL2、第三導電層CL3以及第四導電層CL4的材料包括透明導電材料。在本實施例中，第一導電層CL1、第二導電層CL2、第三導電層CL3以及第四導電層CL4屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。
基於上述，發光裝置40包括自發光元件，自發光元件包括發光二極體210以及輔助結構220。輔助結構220包括覆蓋部222、保護部224以及第一錨定部226。覆蓋部222於垂直方向上重疊發光二極體210。保護部224於垂直方向上不重疊於發光二極體210。保護部224沿著垂直方向的正投影面積大於或等於發光二極體210沿著垂直方向的正投影面積。由於自發光元件包括保護部224，第二轉置製程具有較低的材料成本以及時間成本。
綜上所述，本發明的發光裝置包括自發光元件，自發光元件包括發光二極體以及輔助結構。輔助結構包括覆蓋部、保護部以及第一錨定部。覆蓋部於垂直方向上重疊發光二極體。保護部於垂直方向上不重疊於發光二極體。保護部沿著垂直方向的正投影面積大於或等於發光二極體沿著垂直方向的正投影面積。由於自發光元件包括保護部，第二轉置製程具有較低的材料成本以及時間成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本 發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:發光裝置
200:第一發光元件
200a:第二發光元件
220:輔助結構
222:覆蓋部
224:保護部
226:第一錨定部
E1:第一電極
E2:第二電極
PX:驅動結構
SB:基底
SE1:第一輔助電極
SE2:第二輔助電極

Claims (26)

  1. 一種自發光元件，包括：一發光二極體，包括：一第一型半導體；一第二型半導體，沿著垂直該第一型半導體的底面的一垂直方向重疊於該第一型半導體；一主動層，設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一第一接墊，連接該第一型半導體；以及一第二接墊，連接該第二型半導體；以及一輔助結構，包括：一覆蓋部，於該垂直方向上重疊該發光二極體；以及一保護部，於該垂直方向上不重疊於該發光二極體，其中該保護部沿著該垂直方向的正投影面積大於或等於該發光二極體沿著該垂直方向的正投影面積；以及一第一錨定部，其中該第一錨定部與該保護部分別位於該發光二極體的不同側，該第一錨定部沿著該垂直方向的正投影面積小於該保護部沿著該垂直方向的正投影面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的自發光元件，其中該輔助結構的材料包括介電材料、半導體材料、導體材料或上述任兩種材料的堆疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的自發光元件，其中該第一接墊與該第二接墊分別位於該發光二極體的不同側。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的自發光元件，其中該第一接墊與該第二接墊位於該發光二極體的同一側。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的自發光元件，其中該輔助結構更包括一第二錨定部，其中該第一錨定部與該第二錨定部分別位於該發光二極體的不同側，且該第二錨定部與該保護部分別位於該發光二極體的不同側。
  6. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一畫素電路基板，其中該畫素電路基板包括多個驅動結構，各該驅動結構包括一第一電極以及一第二電極；執行一第一轉置製程，以提供一第一發光元件於其中一個驅動結構上；電性連接該第一發光元件的一第一接墊與該其中一個驅動結構的該第一電極；電性連接該第一發光元件的一第二接墊與該其中一個驅動結構的該第二電極；以及執行一第二轉置製程，以提供一第二發光元件於其中另一個驅動結構上，其中該第一發光元件及該第二發光元件皆包含：一發光二極體，包括：一第一型半導體； 一第二型半導體，沿著垂直該第一型半導體的底面的一垂直方向重疊於該第一型半導體；一主動層，設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一第一接墊，連接該第一型半導體；以及一第二接墊，連接該第二型半導體；以及一輔助結構，包括：一覆蓋部，於該垂直方向上重疊該發光二極體；以及一保護部，於該垂直方向上不重疊於該發光二極體，其中該保護部沿著該垂直方向的正投影面積大於或等於該發光二極體沿著該垂直方向的正投影面積；以及一第一錨定部，其中該第一錨定部與該保護部分別位於該發光二極體的不同側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置的製造方法，其中各該驅動結構更包括一第一輔助電極以及一第二輔助電極，該第一輔助電極與該第一電極於結構上相連且兩者等電位，且該第二輔助電極與該第二電極於結構上相連且兩者等電位。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置的製造方法，其中各該驅動結構更包括一第一輔助電極以及一第二輔助電極，該第一輔助電極與該第一電極於結構上分離但兩者等電位，且該第二輔助電極與該第二電極於結構上分離但兩者等電位。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置的製造方法，更包括：形成一第一導電層於該第一發光元件上，以電性連接該第一發光元件的該第二接墊與該其中一個驅動結構的該第二電極。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置的製造方法，其中各該驅動結構更包括一第一輔助電極，且該其中一個驅動結構的該第一輔助電極與該其中一個驅動結構的該第一電極等電位。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，其中該第一發光元件的一保護部於該垂直方向上重疊於該第一輔助電極。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，更包括：電性連接該第二發光元件的一第一接墊與該其中另一個驅動結構的該第一輔助電極；以及形成一第二導電層於該第二發光元件上，以電性連接該第二發光元件的一第二接墊與該其中另一個驅動結構的該第二電極。
  13. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置的製造方法，更包括：形成一黏著層於該畫素電路基板上；形成一第一導電層於該第一發光元件上，以電性連接該第一發光元件的該第一接墊與該其中一個驅動結構的該第一電極；以 及形成一第二導電層於該第一發光元件上，以電性連接該第一發光元件的該第二接墊與該其中一個驅動結構的該第二電極。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的發光裝置的製造方法，其中該第一發光元件的一輔助結構的一覆蓋部以及一保護部於該垂直方向上重疊於該黏著層。
  15. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置的製造方法，其中該第一發光元件的該第一接墊以及該第一發光元件的該第二接墊朝向該畫素電路基板。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的發光裝置的製造方法，其中各該驅動結構更包括一第一輔助電極以及一第二輔助電極，其中該其中一個驅動結構的該第一輔助電極與該其中一個驅動結構的該第一電極等電位，且該其中一個驅動結構的該第二輔助電極與該其中一個驅動結構的該第二電極等電位。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的發光裝置的製造方法，其中該第一發光元件的一保護部重疊於該其中一個驅動結構的該第一輔助電極以及該其中一個驅動結構的該第二輔助電極。
  18. 一種發光裝置，包括：一畫素電路基板，包括：一基底；以及至少二驅動結構，位於該基底上，其中各該驅動結構包括： 一第一電極；一第二電極；以及一第一輔助電極，其中該第二電極與該第一電極相分隔，且該第二電極與該第一輔助電極相分隔；以及至少二發光元件，設置於該畫素電路基板上，其中各該發光元件包括：一發光二極體，包括：一第一型半導體；一第二型半導體，沿著垂直該第一型半導體的底面的一垂直方向重疊於該第一型半導體；一主動層，設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一第一接墊，連接該第一型半導體；以及一第二接墊，連接該第二型半導體；以及一輔助結構，包括：一覆蓋部，於該垂直方向上重疊該發光二極體；一保護部，於該垂直方向上不重疊於該發光二極體，其中該保護部沿著該垂直方向的正投影面積大於或等於該發光二極體沿著該垂直方向的正投影面積；以及一第一錨定部，其中該第一錨定部與該保護部分別位於該發光二極體的不同側； 其中，該些發光元件的一第一發光元件的該第一接墊電性連接於其中一個驅動結構的該第一電極，該第一發光元件的該保護部覆蓋該其中一個驅動結構的該第一輔助電極。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置，其中，該些發光元件的一第二發光元件的該第一接墊電性連接於其中另一個驅動結構的該第一輔助電極，該第二發光元件的該保護部未覆蓋該其中另一個驅動結構的該第一電極。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的發光裝置，更包含多個導電層，設置於該畫素電路基板及該些發光元件之上，且該些導電層的一第一導電層電性連接該第一發光元件的該第二接墊與該其中一個驅動結構的該第二電極，該些導電層的一第二導電層電性連接該第二發光元件的該第二接墊與該其中另一個驅動結構的該第二電極。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置，其中，各該些驅動結構更包括一第二輔助電極，且該第二輔助電極與該第一電極相分隔，該第二輔助電極與該第一輔助電極相分隔。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的發光裝置，其中，該第一發光元件的該第二接墊電性連接於該其中一個驅動結構的該第二電極，該第一發光元件的該保護部覆蓋該其中一個驅動結構的該第二輔助電極。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的發光裝置，其中，該些發光元件的一第二發光元件的該第一接墊電性連接於其中另一個 驅動結構的該第一輔助電極，該第二發光元件的該第二接墊電性連接於該其中另一個驅動結構的該第二輔助電極，且該第二發光元件的該保護部未覆蓋該其中另一個驅動結構的該第一電極與該第二電極。
  24. 一種發光裝置，包括：一畫素電路基板，包括：一基底；以及至少二驅動結構，位於該基底上，其中各該驅動結構包括：一第一電極；一第二電極；以及一黏著層，且該第二電極與該第一電極相分隔；以及至少二發光元件，設置於該畫素電路基板上，其中各該發光元件包括：一發光二極體，包括：一第一型半導體；一第二型半導體，沿著垂直該第一型半導體的底面的一垂直方向重疊於該第一型半導體；一主動層，設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一第一接墊，連接該第一型半導體；以及 一第二接墊，連接該第二型半導體；以及一輔助結構，包括：一覆蓋部，於該垂直方向上重疊該發光二極體；一保護部，於該垂直方向上不重疊於該發光二極體，其中該保護部沿著該垂直方向的正投影面積大於或等於該發光二極體沿著該垂直方向的正投影面積；以及一第一錨定部，其中該第一錨定部與該保護部分別位於該發光二極體的不同側；其中，各該驅動結構的該黏著層包括一第一部份及一第二部份，該些發光元件的一第一發光元件的底面重疊並接觸其中一個驅動結構的該黏著層的該第一部份，該第一發光元件的該保護部重疊該其中一個驅動結構的該黏著層的該第二部份，且該黏著層的該第一部份位於該其中一個驅動結構的該第一電極與該第二電極的連線路徑。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的發光裝置，其中，該些發光元件的一第二發光元件的底面重疊並接觸其中另一個驅動結構的該黏著層的該第二部份，該第二發光元件的該保護部未重疊該其中另一個驅動結構的該黏著層的該第一部份。
  26. 如申請專利範圍第25項所述的發光裝置，更包含多個導電層，設置於該畫素電路基板及該些發光元件之上，且該些導電層的一第一導電層電性連接該第一發光元件的該第一接墊與該其中一個驅動結構的該第一電極，該些導電層的一第二導電層電 性連接該第一發光元件的該第二接墊與該其中一個驅動結構的該第二電極，該些導電層的一第三導電層電性連接該第二發光元件的該第一接墊與該其中另一個驅動結構的該第一電極，該些導電層的一第四導電層電性連接該第二發光元件的該第二接墊與該其中另一個驅動結構的該第二電極。
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