TWI683465B - 發光裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種發光裝置的製造方法,包括以下步驟。形成測試走線及第一訊號走線於第一基板上。形成發光元件,電性連接於測試走線及第一訊號走線。對發光元件經由測試走線及第一訊號走線執行測試程序。形成封裝層於第一基板上,以覆蓋發光元件。移除測試走線後,形成電性連接於發光元件的驅動單元。
Description
本發明是有關於一種發光裝置的製造方法,且特別是有關於一種有發光二極體元件的發光裝置的製造方法。
目前,顯示裝置在製造過程中常會使用到巨量轉移技術,巨量轉移技術被用來將大量的發光元件(例如發光二極體)轉置於電路基板上,接著使發光元件與電路基板上之畫素電路電性連接。然而,就目前技術而言,因存在電路基板在修補程序中會被破壞的疑慮,故在轉置大量的發光元件於電路基板上之後,難以對存在缺陷而無法正常運作的發光元件進行修補,因而必須報廢丟棄有缺陷的裝置,使得生產良率不足。
本發明之一實施方式提供一種發光裝置的製造方法,其可改善發光裝置的生產良率。
本發明之一實施方式的發光裝置的製造方法包括以下步驟。形成測試走線及第一訊號走線於第一基板上。形成發光元件,電性連接於測試走線及第一訊號走線。對發光元件經由測試走線及第一訊號走線執行測試程序。形成封裝層於第一基板上,以覆蓋發光元件。移除測試走線後,形成電性連接於發光元件的驅動單元。
基於上述,本發明的製造發光裝置的方法透過包括以下步驟:於第一基板上形成測試走線及第一訊號走線;形成電性連接測試走線及第一訊號走線的發光元件;經由測試走線及第一訊號走線對發光元件執行測試程序;形成覆蓋發光元件的封裝層;以及移除測試走線後,形成電性連接於發光元件的驅動單元,藉此在避免驅動單元因修補程序而受到破壞的情況下,可在執行測試程序後對發現有異常的發光元件進行修補程序,達成改善發光裝置的生產良率的目標。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施方式,並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、20‧‧‧發光裝置
100‧‧‧第一基板
110、210、120、320‧‧‧絕緣層
300‧‧‧元件基板
310‧‧‧第二基板
400‧‧‧導電膠層
CR‧‧‧通道區
CS‧‧‧連接結構
D‧‧‧汲極
DL、SL‧‧‧訊號線
DR‧‧‧汲極區
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
EL‧‧‧發光結構
F‧‧‧封裝層
G‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘絕緣層
H1‧‧‧第一接觸窗
H2‧‧‧第二接觸窗
H3‧‧‧第三接觸窗
H4‧‧‧第四接觸窗
H5‧‧‧第五接觸窗
IL‧‧‧層間絕緣層
L1‧‧‧第一訊號走線
L2‧‧‧第二訊號走線
n‧‧‧法線方向
O‧‧‧發光元件
P1‧‧‧第一導電圖案
P2‧‧‧第二導電圖案
S10~S50‧‧‧步驟
S‧‧‧源極
SC‧‧‧半導體層
SR‧‧‧源極區
T‧‧‧驅動元件
U‧‧‧驅動單元
W1、W2、W3‧‧‧接觸開口
圖1是依照本發明的一實施方式的發光裝置的製造方法的流程圖。
圖2A至圖2D是依照本發明的一實施方式的發光裝置在製造
過程中不同階段的上視示意圖。
圖3A至圖3E是依照本發明的一實施方式的發光裝置在製造過程中不同階段的剖面示意圖。
圖4A至圖4D是依照本發明的一實施方式的發光裝置在製造過程中不同階段的剖面示意圖。
本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者,本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1是依照本發明的一實施方式的發光裝置的製造方法的流程圖。請參照圖1,製造發光裝置的方法可包括下列步驟:形成測試走線及第一訊號走線於第一基板上(步驟S10);形成發光元件,所述發光元件電性連接於測試走線及第一訊號走線(步驟S20);對發光元件經由測試走線及第一訊號走線執行測試程序(步驟S30);形成封裝層於第一基板上,以覆蓋發光元件(步驟S40);以及移除測試走線後,形成驅動單元,其中所述驅動單元電性連接該發光元件(步驟S50)。
值得注意的是,本發明並不限制上述步驟S10~S50中的測試走線、第一訊號走線、發光元件、封裝層及驅動單元的數量。也就是說,上述步驟S10中可形成一條以上測試走線及一條以上第一訊號走線,上述步驟S20中可形成一個以上發光元件,上述步驟S40中可形成一個以上封裝層,及上述步驟S50中可形成一個以上驅動單元。以下將搭配圖2A至圖2D及圖3A至圖3E,具體說明本發明一實施方式之發光裝置的製造方法。
圖2A至圖2D是依照本發明的一實施方式的發光裝置在
製造過程中不同階段的上視示意圖。圖3A至圖3E是依照本發明的一實施方式的發光裝置在製造過程中不同階段的剖面示意圖。圖3A的剖面位置可對應於圖2A的剖線I-I’的位置、圖3B及圖3C的剖面位置可對應於圖2B的剖線II-II’的位置、圖3D的剖面位置可對應於圖2C的剖線III-III’的位置、圖3E的剖面位置可對應於圖2D的剖線IV-IV’的位置。為方便說明,圖2A至圖2D省略繪示部分膜層,以清楚繪示各構件之間的配置關係。
請參照圖2A及圖3A,首先,於第一基板100上形成多條第一訊號走線L1及多個第一導電圖案P1。第一基板100的材質可為玻璃、石英或有機聚合物。基於導電性的考量,第一訊號走線L1及第一導電圖案P1一般是使用金屬材料來製作。然而,本發明並不限於此,根據其他實施方式,第一訊號走線L1及第一導電圖案P1也可以使用例如合金、金屬材料之氮化物、金屬材料之氧化物、金屬材料之氮氧化物、非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,第一訊號走線L1及第一導電圖案P1分別可為單層結構或多層結構。另外,在本實施方式中,第一訊號走線L1與第一導電圖案P1可在同一製程步驟中形成,藉此第一訊號走線L1與第一導電圖案P1可由相同的材料構成。然而,本發明並不限於此。在其他實施方式中,第一訊號走線L1與第一導電圖案P1可在不同製程步驟中形成,此時第一訊號走線L1的材質可相異於第一導電圖案P1的材質。
接著,於第一基板100上形成絕緣層110。在本實施方式
中,絕緣層110的材質可為無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料;有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂、或其它合適的材料。在本實施方式中,絕緣層110可為單層結構或多層結構。另外,在本實施方式中,絕緣層110的形成方法可包括物理氣相沉積法或化學氣相沉積法。
接著,形成多個第一接觸窗H1、多個第二接觸窗H2及多個第三接觸窗H3於第一訊號走線L1及第一導電圖案P1上,以及形成多條測試走線TL於多個第二接觸窗H2上。詳細而言,在本實施方式中,測試走線TL、第一接觸窗H1、第二接觸窗H2與第三接觸窗H3的形成方法可包括以下步驟:對絕緣層110進行圖案化製程以形成多個開口(未繪示)後,將導電材料(未繪示)形成於絕緣層110上並填入所述開口中。接著,對絕緣層110上之導電材料進行圖案化製程,以形成第一接觸窗H1、第二接觸窗H2、第三接觸窗H3與測試走線TL。在本實施方式中,測試走線TL與第一接觸窗H1、第二接觸窗H2以及第三接觸窗H3的導電材料可由相同的材料構成,藉此測試走線TL與第一接觸窗H1、第二接觸窗H2以及第三接觸窗H3的導電材料可在同一製程步驟中形成。然而,本發明並不限於此。在其他實施方式中,測試走線TL可在不同於第一接觸窗H1、第二接觸窗H2及第三接觸窗H3的製程步驟中形成,此時測試走線TL的導電材料的材質可相異於第一接觸窗H1、第二接觸窗H2及第三接觸窗H3的導電材料
的材質。
基於導電性的考量,測試走線TL與第一接觸窗H1、第二接觸窗H2及第三接觸窗H3的導電材料一般是使用金屬材料來製作。然而,本發明並不限於此,根據其他實施方式,測試走線TL與第一接觸窗H1、第二接觸窗H2及第三接觸窗H3的導電材料也可以使用例如合金、金屬材料之氮化物、金屬材料之氧化物、金屬材料之氮氧化物、非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。
如圖3A所示,在本實施方式中,一個第三接觸窗H3直接連接到一條第一訊號走線L1,一個第一接觸窗H1和一個第二接觸窗H2直接連接到同一第一導電圖案P1,且一個第二接觸窗H2直接連接到一條測試走線TL。由於圖3A揭示的僅為對應剖線I-I’的部分剖面結構,因此第一訊號走線L1、第一導電圖案P1、測試走線TL、第一接觸窗H1、第二接觸窗H2與第三接觸窗H3之間的設置關係並不限於圖3A中所繪。根據後文的記載,任何所屬領域中具有通常知識者應可理解,一條第一訊號走線L1會與多個第三接觸窗H3直接連接,一條測試走線TL會與多個第二接觸窗H2直接連接,一條測試走線TL會與多個第一導電圖案P1電性連接。
另外,如圖2A所示,在本實施方式中,測試走線TL與第一訊號走線L1彼此平行。然而,本發明並不限於此。在其他實施方式中,測試走線TL的延伸方向與第一訊號走線L1的延伸方
向可相交。
接著,請參照圖2B及圖3B,於第一基板100上形成多個發光元件O。在本實施方式中,多個發光元件O可利用任何所屬領域中具有通常知識者所周知的轉置技術形成於第一基板100上。在本實施方式中,發光元件O可例如是有機發光二極體(OLED)、微型發光二極體(micro-LED)、迷你發光二極體(mini-LED)、量子點發光二極體(quantum dot-LED,QD-LED)或其它尺寸的發光二極體,但本發明不以此為限。另外,在本實施方式中,多個發光元件O可包括紅色發光元件、綠色發光元件以及藍色發光元件的組合。然而,本發明並不限制多個發光元件O的色彩組合,可視設計者的需求而定。
在本實施方式中,每一發光元件O包括第一電極E1、第二電極E2及發光結構EL,發光結構EL電性連接於第一電極E1與第二電極E2。在本實施方式中,發光結構EL可包括有機材料(例如:有機高分子發光材料、有機小分子發光材料、有機配合物發光材料、其它合適的材料或前述材料之組合)、無機材料(例如:鈣鈦礦材料、稀土離子發光材料、稀土螢光材料、半導體發光材料、其它合適的材料或前述材料之組合)、其它合適的材料或前述材料之組合。在本實施方式中,第一電極E1及第二電極E2的材質可包括有機導電材料、金屬、金屬氧化物或合金。第一電極E1及第二電極E2例如可以藉由物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、加熱蒸鍍或其他合適的方法,本發明不以此為限。
如圖3B所示,在本實施方式中,第一電極E1經由第二接觸窗H2、第一導電圖案P1及第一接觸窗H1與測試走線TL電性連接,而第二電極E2經由第三接觸窗H3與第一訊號走線L1電性連接。也就是說,在本實施方式中,一個發光元件O會與一條測試走線TL及一條第一訊號走線L1電性連接。換言之,在本實施方式中,對應於一個發光元件O的測試走線TL及第一訊號走線L1分別可作為該發光元件O的陽極端及陰極端。雖然圖3B揭示的僅為對應剖線II-II’(對應一個發光元件O)的部分剖面結構,但根據圖2B及圖3B所揭示的內容,任何所屬領域中具有通常知識者應可理解,一條測試走線TL可藉由多個第二接觸窗H2、多個第一導電圖案P1及多個第一接觸窗H1而與多個發光元件O電性連接,且一條第一訊號走線L1可藉由多個第三接觸窗H3而與多個發光元件O電性連接。
於第一基板100上形成多個發光元件O之後,對所述發光元件O執行測試程序,以確定所述發光元件O是否存在缺陷而無法正常運作。如前文所述,測試走線TL及第一訊號走線L1分別可作為發光元件O的陽極端及陰極端,故經由測試走線TL與第一訊號走線L1致能發光元件O,可對發光元件O執行測試程序,以確認發光元件O是否發生異常。舉例來說,當發生以下情況可判斷為異常:當發光元件O未能與第一接觸窗H1及第三接觸窗H3正確對位時,發光元件O不能正確的電性連接至測試走線TL與第一訊號走線L1,使得經由測試走線TL與第一訊號走線
L1致能後發光元件O無法被點亮。因此,在本實施方式中,所述測試程序可例如是點亮測試。另外,在測試程序執行後,若受測的發光元件O發生異常而無法被點亮,則可透過置換新的發光元件O並再次進行測試程序來對存在的缺陷進行修補程序。
接著,請參照圖2B及圖3C,在確保形成於第一基板100上的多個發光元件O均可正常運作後,形成多個封裝層F於第一基板100上,以覆蓋所述多個發光元件O。雖然圖3C揭示的僅為對應剖線II-II’(對應一個發光元件O)的部分剖面結構,但根據圖2B及圖3C所揭示的內容,任何所屬領域中具有通常知識者應可理解,每一發光元件O均由封裝層F所覆蓋。在本實施方式中,封裝層F可為單層結構或多層結構,且封裝層F的材質可包括氮化矽、氧化鋁、氮碳化矽、氮氧化矽、壓克力樹脂、六甲基二矽氧烷(hexamethyl disiloxane,HMDSO)或玻璃,但本發明並不限於此。
接著,請參照圖2C及圖3D,在形成封裝層F後,移除測試走線TL。在本實施方式中,移除測試走線TL會暴露出第二接觸窗H2,如圖3D所示。在本實施方式中,移除測試走線TL的方法可包括蝕刻製程。值得一提的是,由於在形成封裝層F後才移除測試走線TL,故封裝層F除了可用以使發光元件O與溼氣、雜質等隔離,也可用以保護發光元件O以避免其在移除測試走線TL的過程中受到破壞。
接著,請參照圖2D及圖3E,移除測試走線TL後,於絕
緣層110上形成電性連接於多個發光元件O的多個驅動單元U。詳細而言,如圖2D所示,每一發光元件O可由一個驅動單元U進行驅動。在本實施方式中,驅動單元U可包括驅動元件T,如圖3E所示。在本實施方式中,形成驅動元件T的方法可包括以下步驟:於絕緣層110上依序形成半導體層SC、閘絕緣層GI、閘極G、層間絕緣層IL、源極S及汲極D,其中半導體層SC包括可以閘極G為遮罩進行離子摻雜製程而形成的源極區SR、汲極區DR以及通道區CR,閘極G與通道區CR於第一基板100的法線方向n上重疊,源極S經由形成在閘絕緣層GI與層間絕緣層IL中的接觸開口W1與源極區SR電性連接,汲極D經由形成在閘絕緣層GI與層間絕緣層IL中的接觸開口W2與汲極區DR電性連接,但本發明並不限於此。在本實施方式中,半導體層SC、閘絕緣層GI、閘極G、層間絕緣層IL、源極S及汲極D分別可由任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的用於發光裝置的任一半導體層、任一閘絕緣層、任一閘極、任一層間絕緣層、任一源極及任一汲極來實現,故關於半導體層SC、閘絕緣層GI、閘極G、層間絕緣層IL、源極S及汲極D的材質及形成方式等的描述於此不加以贅述。
在本實施方式中,驅動元件T可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一薄膜電晶體,例如低溫多晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)、非晶矽薄膜電晶體(Amorphous Silicon TFT,a-Si
TFT)、微晶矽薄膜電晶體(micro-Si TFT)或金屬氧化物電晶體(Metal Oxide Transistor)。另外,在本實施方式中,驅動元件T屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,驅動元件T可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,在形成閘極G的製程期間,還同時形成訊號線SL,且在形成源極S及汲極D的製程期間,還同時形成訊號線DL。在本實施方式中,訊號線SL不平行於訊號線DL,亦即訊號線SL的延伸方向與訊號線DL的延伸方向相交,但本發明並不限於此。另外,在本實施方式中,訊號線SL是作為掃描線,訊號線DL是作為資料線,但本發明並不限於此。於其他實施方式中,訊號線SL是作為資料線,訊號線DL是作為掃描線,此時訊號線DL係與閘極G於同一製程期間形成,而形成訊號線SL係與源極S及汲極D於同一製程期間形成。另外,如圖2D所示,在本實施方式中,訊號線DL及訊號線SL係經由驅動單元U與發光元件O電性連接。
在本實施方式中,如圖3E所示,驅動元件T的汲極D經由形成在閘絕緣層GI與層間絕緣層IL中的接觸開口W3與第二接觸窗H2直接連接。換言之,在本實施方式中,驅動元件T可經由第二接觸窗H2、第一導電圖案P1及第一接觸窗H1與發光元件O電性連接。雖然圖3E僅繪示出與發光元件O電性連接的一個驅動元件T,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,用以驅動發光元件O的驅動單元U實際上是具有例如1T1C
的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構。另外,雖然圖3E揭示的僅為對應剖線IV-IV’(對應一個發光元件O)的部分剖面結構,但根據圖2D及圖3E所揭示的內容,任何所屬領域中具有通常知識者應可理解,每一發光元件O均與驅動單元U中的驅動元件T電性連接。
請再次參照圖3E,於絕緣層110上形成覆蓋驅動元件T及發光元件O的絕緣層120。在本實施方式中,絕緣層120的材質可為無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料;有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂、或其它合適的材料。在本實施方式中,絕緣層120可為單層結構或多層結構。另外,在本實施方式中,絕緣層120的形成方法可包括物理氣相沉積法或化學氣相沉積法。
至此,經過前述圖3A至圖3E所示的製程後即可大致完成本實施方式的發光裝置10的製作。值得說明的是,製造發光裝置10的方法包括以下步驟:於第一基板100上形成測試走線TL及第一訊號走線L1(步驟S10),形成電性連接測試走線TL及第一訊號走線L1的發光元件O(步驟S20),經由測試走線TL及第一訊號走線L1對發光元件O執行測試程序(步驟S30),形成覆蓋發光元件O的封裝層F(步驟S40),以及移除測試走線TL後,
形成電性連接於發光元件O的驅動單元U(步驟S50),故用以確認發光元件O是否能正常運作的測試程序可在形成發光元件O之後且形成驅動單元U之前執行。如此一來,在製造發光裝置10的過程中,排除了驅動單元U於修補程序時會受到破壞的疑慮,藉此在執行測試程序後可對發現有異常的發光元件O進行修補程序,達成改善發光裝置10的生產良率的目標。另一方面,在發光裝置10的製造方法中,由於形成發光元件O的步驟係在形成驅動單元U的步驟之前,故在形成發光元件O的製程(例如轉置製程)中可不需考慮驅動單元U對溫度等環境條件的限制。
在前述發光裝置10中,驅動單元U與發光元件O位在絕緣層110的同一側上,但本發明並不限於此。以下,將參照圖4A至圖4D針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是,下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容,其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式,下述實施方式不再重複贅述。
圖4A至圖4D是依照本發明的一實施方式的發光裝置在製造過程中不同階段的剖面示意圖。圖4A的剖面位置可對應於圖2C的剖線III-III’的位置,且圖4D的剖面位置可對應於圖2D的剖線IV-IV’的位置。
請同時參照圖4A及圖3D,圖4A所示的結構與圖3D的所示的結構相似,主要差異在於:圖4A的絕緣層210不同於圖
3D的絕緣層110,因此其餘構件(即第一基板100、第一訊號走線L1、第一導電圖案P1、第一接觸窗H1、第二接觸窗H2、第三接觸窗H3、發光元件O、封裝層F)的相關描述可參閱前述圖3A至圖3E所示的實施方式,於此不再贅述。詳細而言,在圖4A的實施方式中,絕緣層210的材質使得絕緣層210可與第一基板100分離。絕緣層210的材質可為有機材料,其中有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂或其它合適的材料。在本實施方式中,絕緣層210可為單層結構或多層結構。另外,在本實施方式中,絕緣層210的形成方法可包括物理氣相沉積法或化學氣相沉積法。
接著,請參照圖4B,使絕緣層210與第一基板100分離,以暴露出第一訊號走線L1及第一導電圖案P1。在本實施方式中,使絕緣層210與第一基板100分離的方法可包括雷射剝離(laser lift-off)製程或機械式取下。然而,本發明並不限於此。在其他實施方式中,使絕緣層210與第一基板100分離的方法可視絕緣層210的材質而有所不同,因此本發明並不限制使絕緣層210與第一基板100分離的方法。
接著,請參照圖4C,提供元件基板300。在本實施方式中,元件基板300可包括第二基板310、驅動單元U、第二訊號走線L2、第五接觸窗H5及連接結構CS。根據前述圖3A至圖3E所示的實施方式的說明,任何所屬領域中具有通常知識者應可理解,圖4C揭示的僅為部分剖面結構,並且元件基板300實際上可
包括多個驅動單元U、多條第二訊號走線L2、多個第五接觸窗H5及多個連接結構CS。
在本實施方式中,第二基板310的材質可為玻璃、石英或有機聚合物。在本實施方式中,驅動單元U位於第二基板310上且可包括驅動元件T、第二導電圖案P2及第四接觸窗H4。驅動元件T的相關描述已於前述圖3A至圖3E所示的實施方式中進行詳盡地說明,故於此不再贅述。在本實施方式中,第二導電圖案P2及第四接觸窗H4係形成於絕緣層320中。在本實施方式中,絕緣層320的材質可為無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料;有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂、或其它合適的材料。在本實施方式中,絕緣層320可為單層結構或多層結構。另外,在本實施方式中,絕緣層320的形成方法可包括物理氣相沉積法或化學氣相沉積法。
在本實施方式中,第四接觸窗H4與驅動元件T的汲極D直接接觸,且第二導電圖案P2與第四接觸窗H4直接接觸。換言之,驅動元件T經由第四接觸窗H4與第二導電圖案P2電性連接。另外,在本實施方式中,第二導電圖案P2及第四接觸窗H4的導電材料可在同一製程步驟中形成,藉此第二導電圖案P2及第四接觸窗H4的導電材料可由相同的材料構成。然而,本發明並不限於此。在其他實施方式中,第二導電圖案P2可在不同於第四接觸窗H4的製程步驟中形成,此時第二導電圖案P2的導電材料的材質
可相異於第四接觸窗H4的導電材料的材質。基於導電性的考量,第二導電圖案P2及第四接觸窗H4的導電材料一般是使用金屬材料來製作。然而,本發明並不限於此,根據其他實施方式,第二導電圖案P2及第四接觸窗H4的導電材料也可以使用例如合金、金屬材料之氮化物、金屬材料之氧化物、金屬材料之氮氧化物、非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。
在本實施方式中,第二訊號走線L2位於第二基板310上。在本實施方式中,第二訊號走線L2及驅動元件T的源極S與汲極D可在同一製程步驟中形成,藉此第二訊號走線L2、源極S與汲極D可由相同的材料構成。
在本實施方式中,第五接觸窗H5及連接結構CS係形成於絕緣層320中。在本實施方式中,第五接觸窗H5與第二訊號走線L2直接接觸,且連接結構CS與第五接觸窗H5直接接觸。換言之,第二訊號走線L2經由第五接觸窗H5與連接結構CS電性連接。另外,在本實施方式中,第五接觸窗H5的導電材料及連接結構CS的導電材料可在同一製程步驟中形成,藉此第五接觸窗H5的導電材料及連接結構CS的導電材料可由相同的材料構成。然而,本發明並不限於此。在其他實施方式中,連接結構CS可在不同於第五接觸窗H5的製程步驟中形成,此時連接結構CS的導電材料的材質可相異於第五接觸窗H5的導電材料的材質。基於導電性的考量,第五接觸窗H5的導電材料及連接結構CS的導電材料一般是使用金屬材料來製作。然而,本發明並不限於此,根據
其他實施方式,第五接觸窗H5的導電材料及連接結構CS的導電材料也可以使用例如合金、金屬材料之氮化物、金屬材料之氧化物、金屬材料之氮氧化物、非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。
接著,請同樣參照圖4C,在提供元件基板300後,執行設置導電膠層400的步驟。在本實施方式中,導電膠層400係設置在元件基板300上,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,導電膠層400可形成在絕緣層210上。在本實施方式中,導電膠層400可例如是異方性導電膠層(Anisotropic Conductive Film,ACF)。
接著,請參照圖4D,使絕緣層210經由導電膠層400與元件基板300貼合,以使驅動單元U電性連接於發光元件O。詳細而言,在本實施方式中,第二導電圖案P2經由導電膠層400與第一導電圖案P1電性連接。如前文所述,驅動元件T經由第四接觸窗H4與第二導電圖案P2電性連接,且發光元件O經由第一接觸窗H1與第一導電圖案P1電性連接,故使絕緣層210與元件基板300貼合後,驅動元件T經由第四接觸窗H4、第二導電圖案P2、第一導電圖案P1和第一接觸窗H1而與發光元件O電性連接。從另一觀點而言,在本實施方式中,驅動單元U與發光元件O分別位在絕緣層210的相對兩側上。
另外,在本實施方式中,連接結構CS經由導電膠層400與第一訊號走線L1電性連接。如前文所述,第二訊號走線L2經
由第五接觸窗H5與連接結構CS電性連接,且發光元件O經由第三接觸窗H3與第一訊號走線L1電性連接,故使絕緣層210與元件基板300貼合後,第二訊號走線L2經由第五接觸窗H5、連接結構CS、第一訊號走線L1和第三接觸窗H3而與發光元件O電性連接。其餘部分請參考前述實施方式,在此不贅述。
至此,經過前述圖4A至圖4D所示製程後即可大致完成本實施方式的發光裝置20的製作。值得說明的是,製造發光裝置20的方法包括以下步驟:於第一基板100上形成測試走線TL及第一訊號走線L1(步驟S10),形成電性連接測試走線TL及第一訊號走線L1的發光元件O(步驟S20),經由測試走線TL及第一訊號走線L1對發光元件O執行測試程序(步驟S30),形成覆蓋發光元件O的封裝層F(步驟S40),以及移除測試走線TL後,形成電性連接於發光元件O的驅動單元U(步驟S50),故用以確認發光元件O是否能正常運作的測試程序可在形成發光元件O之後且形成驅動單元U之前執行。如此一來,在製造發光裝置20的過程中,排除了驅動單元U於修補程序時會受到破壞的疑慮,藉此在執行測試程序後可對發現有異常的發光元件O進行修補程序,達成改善發光裝置20的生產良率的目標。另一方面,在發光裝置20的製造方法中,由於形成發光元件O的步驟係在形成驅動單元U的步驟之前,故在形成發光元件O的製程(例如轉置製程)中可不需考慮驅動單元U對溫度等環境條件的限制。
另外,在前述發光裝置20中,絕緣層210係經由導電膠
層400與元件基板300貼合,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,絕緣層210與元件基板300之間可不設置有導電膠層400(亦即在使絕緣層210與元件基板300貼合之前可不包括執行設置導電膠層400的步驟),此時絕緣層210會與元件基板300直接連接,第二導電圖案P2會與第一導電圖案P1直接連接,連接結構CS會與第一訊號走線L1直接連接。
另外,在前述發光裝置20中,絕緣層210僅與一層元件基板300貼合,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,絕緣層210可與彼此堆疊的多個元件基板貼合。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S10~S50‧‧‧步驟
Claims (12)
- 一種發光裝置的製造方法,包括:形成一測試走線及一第一訊號走線於一第一基板上;在形成該測試走線及該第一訊號走線之後,形成一發光元件,電性連接於該測試走線及該第一訊號走線;對該發光元件經由該測試走線及該第一訊號走線執行一測試程序;執行該測試程序後,形成一封裝層於該第一基板上,以覆蓋該發光元件;以及移除該測試走線後,形成一驅動單元,電性連接於該發光元件及該第一訊號走線。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置的製造方法,其中形成該測試走線及該第一訊號走線於該第一基板上的方法包括:形成該第一訊號走線及一第一導電圖案於該第一基板上;形成一第一接觸窗、一第二接觸窗及一第三接觸窗於該第一訊號走線及該第一導電圖案上,其中該第一導電圖案電性連接於該第一接觸窗及該第二接觸窗,該第一訊號走線電性連接於該第三接觸窗;以及形成該測試走線於該第二接觸窗上。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置的製造方法,其中該發光元件包括一第一電極、一第二電極及一發光結構,該發 光結構電性連接於該第一電極與該第二電極,其中該第一電極經由該第一接觸窗、該第一導電圖案及該第二接觸窗與該測試走線電性連接,該第二電極經由該第三接觸窗與該第一訊號走線電性連接。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置的製造方法,其中在形成該第一訊號走線及該第一導電圖案之後且形成該第一接觸窗、該第二接觸窗及該第三接觸窗之前,更包括:形成一絕緣層於該第一基板上。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置的製造方法,其中移除該測試走線,以暴露出該第二接觸窗。
- 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置的製造方法,其中形成該驅動單元於該絕緣層上,該驅動單元包括一驅動元件,且該驅動元件經由該第二接觸窗、該第一導電圖案及該第一接觸窗與該發光元件電性連接。
- 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置的製造方法,其中在移除該測試走線之後且形成該驅動單元之前,更包括:使該絕緣層與該第一基板分離,以暴露出該第一訊號走線及該第一導電圖案。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置的製造方法,其中形成該驅動單元的方法包括:使該絕緣層與一元件基板貼合,其中該元件基板包括一第二基板及位於該第二基板上的該驅動單元,該驅動單元包括一驅動 元件,該驅動元件與該第一導電圖案電性連接。
- 如申請專利範圍第8項所述的發光裝置的製造方法,其中在使該絕緣層與該元件基板貼合之前,更包括執行設置一導電膠層的步驟。
- 如申請專利範圍第8項所述的發光裝置的製造方法,其中該驅動單元更包括:一第二導電圖案,與該第一導電圖案電性連接;以及一第四接觸窗,與該第二導電圖案電性連接,其中該驅動元件經由該第四接觸窗、該第二導電圖案、該第一導電圖案和該第一接觸窗而與該發光元件電性連接。
- 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法,其中該元件基板更包括:一連接結構,與該第一訊號走線電性連接;一第二訊號走線,與該連接結構電性連接;以及一第五接觸窗,電性連接該連接結構與該第二訊號走線。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置的製造方法,其中該絕緣層的材質包括聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107144639A TWI683465B (zh) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 發光裝置的製造方法 |
CN201910084532.0A CN109786420B (zh) | 2018-12-11 | 2019-01-29 | 发光装置的制造方法 |
US16/430,443 US10665746B1 (en) | 2018-12-11 | 2019-06-04 | Manufacturing method of light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107144639A TWI683465B (zh) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 發光裝置的製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI683465B true TWI683465B (zh) | 2020-01-21 |
TW202023091A TW202023091A (zh) | 2020-06-16 |
Family
ID=66502915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107144639A TWI683465B (zh) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 發光裝置的製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10665746B1 (zh) |
CN (1) | CN109786420B (zh) |
TW (1) | TWI683465B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200212022A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Intel Corporation | Micro light-emitting diode display fabrication and assembly apparatus |
CN112736178B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-04-26 | 惠州市华星光电技术有限公司 | mini-LED装置及制作方法 |
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TWI641126B (zh) * | 2017-12-04 | 2018-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
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KR102553910B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그의 검사방법 |
CN107170773B (zh) | 2017-05-23 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
-
2018
- 2018-12-11 TW TW107144639A patent/TWI683465B/zh active
-
2019
- 2019-01-29 CN CN201910084532.0A patent/CN109786420B/zh active Active
- 2019-06-04 US US16/430,443 patent/US10665746B1/en active Active
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Also Published As
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---|---|
CN109786420A (zh) | 2019-05-21 |
TW202023091A (zh) | 2020-06-16 |
CN109786420B (zh) | 2020-09-29 |
US10665746B1 (en) | 2020-05-26 |
US20200185565A1 (en) | 2020-06-11 |
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