CN112736178B - mini-LED装置及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种mini‑LED装置及制作方法，所述mini‑LED装置分为绑定区、TFT区和表面贴合区，所述mini‑LED装置包括：衬底基板，TFT器件，绝缘层，金属反射膜，mini‑LED芯片，所述mini‑LED芯片贴合在所述表面贴合区处；透明保护层，所述透明保护层覆盖所述金属反射膜以及所述mini‑LED芯片。本发明提供一种mini‑LED装置及制作方法，在mini‑LED背板工艺制作完成以后制作绝缘层以及反射膜，反射膜起到反射mini‑LED光，提升了mini‑LED装置的发光效率。
Description
技术领域
本申请涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种mini-LED装置及制作方法。
背景技术
随着可穿戴应用设备如智能眼镜、智能手表等的逐渐兴起，显示行业对可挠曲显示器件的需求也不断增加。有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display,简称OLED)具有自发光不需背光源、厚度薄、视角广、反应速度快等特点，从而具有可挠曲显示的天然优势。面对柔性OLED的竞争，传统的液晶显示技术也逐渐采用柔性衬底往柔性、曲面等方向进行突破，由此可见，柔性、曲面显示的时代即将来临。且有机发光二极管主要有可自主发光，可设置柔性屏，发光效率高，响应时间快等优点。但是由于OLED生产成本比较高，OLED材料的寿命短，以及OLED屏幕还会出现烧屏的现象。因此目前行业正在大力发展mini-LED技术。
随着面板显示行业的发展，面板制造技术将朝着更低的成本、更高的发光效率的方向行进。
LCD配合Mini-LED局部调光的背光技术因为如下优势已成为挑战OLED显示的一项技术：
亮度更高，LCD配合Mini-LED可以实现大于1000nits的超高亮度，通过区域调控电流，亮太画面可提高数倍，高于OLED的显示亮度；
寿命更长，OLED材料寿命比LED寿命短，特别是蓝色OLED材料的显示寿命仍远低于其它颜色材料，长期工作会出现因蓝色发光下降导致的偏色；
不会“烧屏”，OLED如部分像素长期工作于高亮度情况，会出现“烧屏”现象，而Mini-LED不存在此现象；
功耗更低：同等发光亮度下，LCD配合Mini-LED的功耗是OLED显示屏的70％～80％；
成本更低：LCD配合Mini-LED的成本大约是OLED显示屏的70％(小尺寸)；
可靠性和环境适应性更高：OLED材料需要严格的阻水氧封装，且在较高温度条件下工作更易衰减，Mini-LED为无机半导体材料发光，具有更好的可靠性。
在mini LED的传统技术中，mini LED背板工艺完成后，需要利用钢网涂敷白油以提升LED的反射率，但是白油工艺不使用mask,patten的制作粗糙，精准度差，厚度均一性控制不佳。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种mini-LED装置及制作方法，即在mini-LED背板工艺制作完成以后制作绝缘层以及反射膜，反射膜起到反射LED光，提升光效的膜层，后续继续制作透明保护层。
本发明实施例提供了一种mini-LED装置，所述mini-LED装置分为绑定区、TFT区和表面贴合区，所述mini-LED装置包括：
衬底基板；
TFT器件，所述TFT器件位于所述衬底基板上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述TFT器件上；
金属反射膜，所述金属反射膜设置在所述绝缘层上；
mini-LED芯片，所述mini-LED芯片贴合在所述表面贴合区处；
透明保护层，所述透明保护层覆盖所述金属反射膜以及所述mini-LED芯片。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置，所述TFT器件包括：
第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上，在所述绑定区、所述TFT区及所述表面贴合区均设置有所述第一金属层；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖除所述表面贴合区处的所述第一金属层外的所有所述第一金属层；
金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述栅极绝缘层上；
刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述金属氧化物层；
第二金属层，位于所述绑定区的所述第二金属层通过通孔与位于所述绑定区的所述第一金属层相连接，位于所述TFT区的所述第二金属层通过通孔与所述金属氧化物层相连接，位于所述表面贴合区的所述第二金属层与位于所述表面贴合区的所述第一金属层直接相连接；
平坦层，所述平坦层位于所述刻蚀阻挡层的上方；
ITO电极层，所述ITO电极层位于所述绑定区，所述ITO电极层通过通孔与所述绑定区的所述第二金属层相连接。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置，所述绝缘层为氧化硅、氮化硅或有机层。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置，所述金属反射膜为金属银、金属铝、合金金属或其他金属层。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜通过同一张掩膜版，经过不同顺序的刻蚀制成。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置，所述金属反射膜的反射率要求为：
白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；
红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置，所述LED芯片为封装前芯片或封装后芯片。
本发明实施例提供了一种mini-LED装置的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1、在衬底基板上制作TFT器件；
步骤S2、在所述TFT器件上通过成膜、黄光以及刻蚀的方法形成一层绝缘层；
步骤S3、在所述绝缘层上制作形成金属反射膜；
步骤S4、贴合mini-LED芯片；
步骤S5、制作透明保护层。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置的制作方法，在所述步骤S3中还包括刻蚀图案，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜使用同一张掩膜版。
根据本发明实施例所提供的mini-LED装置的制作方法，在所述步骤S3中，所述金属反射膜的反射率要求为：
白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；
红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。
本发明的有益效果为：本发明实施例所提供的一种mini-LED装置及制作方法，通过使用绝缘层以及金属反射膜来取代常规技术中使用钢网涂覆白油的方法，来提升patten图案的制作精度，以及提升了金属反射膜的膜厚均一性。通过设置的金属反射膜可以反射mini-LED所发出的光，大大提升了mini-LED装置的发光效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本实施例提供的一种mini-LED装置的结构示意图。
图2为本实施例中mini-LED装置绑定处的顶部视角示意图。
图3为本实施例所提供的mini-LED装置的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，本发明实施例提供的一种mini-LED装置的结构示意图。所述mini-LED装置分为绑定区10、TFT区20和表面贴合区30，所述mini-LED装置包括：衬底基板101；TFT器件102，所述TFT器件102位于所述衬底基板101上；绝缘层103，所述绝缘层103设置在所述TFT器件102上；金属反射膜104，所述金属反射膜104设置在所述绝缘层103上；mini-LED芯片105，所述mini-LED芯片105贴合在所述表面贴合区30处；透明保护层106，所述透明保护层106覆盖所述金属反射膜104以及所述mini-LED芯片105。其中，所述衬底基板101可以为玻璃基板或柔性基板或其他基板，在此不做具体限定，本实施例以玻璃基板为例说明。所述TFT器件102可以是a-Si薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管或其他的半导体器件，在此不做具体限定，本实施例以金属氧化物薄膜晶体管为例说明。所述TFT器件102的尺寸设计符合mini-LED装置对于电流等要求。
具体地，如图1所示，所述TFT器件102包括：第一金属层1021，所述第一金属层1021设置在所述衬底基板101上，在所述绑定区10、所述TFT区20及所述表面贴合区30均设置有所述第一金属层1021；其中，所述第一金属层1021的材料可以是金属铝或者金属铜或者是其他金属材质，本实施例以所述第一金属层1021为金属铜为例说明。
栅极绝缘层1022，所述栅极绝缘层1022覆盖除所述表面贴合区30处的所述第一金属层1021外的所有所述第一金属层1021；即位于所述表面贴合区30的所述第一金属层1021裸露出上表面。
金属氧化物层1023，所述金属氧化物层1023位于所述栅极绝缘层1022上；其中，所述金属氧化物层1023为IGZO，或者为其他金属氧化物，在此不做具体限定。
刻蚀阻挡层1024，所述刻蚀阻挡层1024覆盖所述金属氧化物层1023；其中，所述刻蚀阻挡层1024不覆盖位于所述表面贴合区30的所述第一金属层1021，即位于所述表面贴合区30的所述第一金属层1021裸露出上表面。
第二金属层1025，位于所述绑定区10的所述第二金属层1025通过通孔与位于所述绑定区10的所述第一金属层1021相连接，位于所述TFT区20的所述第二金属层1025通过通孔与所述金属氧化物层1023相连接，位于所述表面贴合区30的所述第二金属层1025与位于所述表面贴合区30的所述第一金属层1021直接相连接；
平坦层1026，所述平坦层1026位于所述刻蚀阻挡层1024的上方；其中，所述平坦层1026在所述绑定区10中的所述第二金属层1025处设置有通孔，所述平坦层1026在所述TFT器件区20中的所述第二金属层1025处设置有通孔，所述平坦层1026不覆盖位于所述表面贴合区30的所述第二金属层1025，即位于所述表面贴合区30的所述第二金属层1025裸露出上表面。
ITO电极层1027，所述ITO电极层1027位于所述绑定区10，所述ITO电极层1027通过通孔与所述绑定区10的所述第二金属层1025相连接。
在所述绑定区10最上层的材质为ITO电极层1027，在所述TFT区20最上层的材质为平坦层1026，所述表面贴合区30的最上层为所述第二金属层1025，即所述表面贴合区30的最上层材质为金属铜。
具体地，在所述TFT器件102上所设置的所述绝缘层103是通过成膜、黄光、刻蚀等工艺所制作形成的，所述绝缘层103为氧化硅、氮化硅或其他有机层等材料。所述金属反射膜104设置在所述绝缘层103上，所述金属反射膜104为金属银、金属铝、或其他具备反射能力的金属、或合金金属、或其他可以作为反射膜的金属层。其中，所述绝缘层103和所述金属反射膜104的图案相同，所述绝缘层103和所述金属反射膜104通过同一张mask，经过不同顺序的刻蚀制成。所述mini-LED芯片105是通过表面贴合工艺，如点锡膏1051，将所述mini-LED芯片105贴合在所述表面贴合区30，其中所述mini-LED芯片105为封装前芯片或封装后芯片，所述mini-LED芯片105的发光可以是实际需求中的任何颜色，具体颜色可以根据实际应用来决定。所述mini-LED芯片105所发射出的光照射在所述金属反射膜104上，所述金属反射膜104会将光反射上mini-LED装置的上方，以此来提高所述mini-LED装置的发光效率。
具体地，所述金属反射膜104的反射率要求为：
白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；
红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。
如图2所示，为本实施例中mini-LED装置绑定处的顶部视角示意图。如图2可知，在所述mini-LED装置中，在绑定时，所述mini-LED芯片的正极1在上，而所述mini-LED芯片的负极2则位于所述mini-LED芯片正极1的下方。
如图3所示，为本发明实施例所提供的种mini-LED装置的制作方法的流程示意图，本发明实施例还提供一种mini-LED装置的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1、在衬底基板上制作TFT器件；
具体地，所述衬底基板可以分为绑定区、TFT区和表面贴合区，所述衬底基板可以为玻璃基板或柔性基板或其他基板，在此不做具体限定，本实施例以玻璃基板为例说明。所述TFT器件可以是a-Si薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管或其他的半导体器件，在此不做具体限定，本实施例以金属氧化物薄膜晶体管为例说明。所述TFT器件的尺寸设计符合mini-LED装置对于电流等要求。所述TFT器件包括：第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上，在所述绑定区、所述TFT区及所述表面贴合区均设置有所述第一金属层；其中，所述第一金属层的材料可以是金属铝或者金属铜或者是其他金属材质，本实施例以所述第一金属层为金属铜为例说明。
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖除所述表面贴合区处的所述第一金属层外的所有所述第一金属层；即，位于所述表面贴合区的所述第一金属层裸露出上表面。
金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述栅极绝缘层上；其中，所述金属氧化物层为IGZO，或者为其他金属氧化物，在此不做具体限定。
刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述金属氧化物层；其中，所述刻蚀阻挡层不覆盖位于所述表面贴合区的所述第一金属层，即所述第一金属层裸露出上表面。
第二金属层，位于所述绑定区的所述第二金属层通过通孔与位于所述绑定区的所述第一金属层相连接，位于所述TFT区的所述第二金属层通过通孔与所述金属氧化物层相连接，位于所述表面贴合区的所述第二金属层与位于所述表面贴合区的所述第一金属层直接相连接；
平坦层，所述平坦层位于所述刻蚀阻挡层的上方；其中，所述平坦层在所述绑定区中的所述第二金属层处设置有通孔，所述平坦层在所述TFT器件区中的所述第二金属层处设置有通孔，所述平坦层不覆盖位于所述表面贴合区的所述第二金属层，即所述第二金属层裸露出上表面。
ITO电极层，所述ITO电极层位于所述绑定区，所述ITO电极层通过通孔与所述绑定区的所述第二金属层相连接。
在所述绑定区最上层的材质为ITO电极层，在所述TFT区最上层的材质为平坦层，所述表面贴合区的最上层为所述第二金属层，即所述表面贴合区的最上层材质为金属铜。
步骤S2、在所述TFT器件上通过成膜、黄光以及刻蚀的方法形成一层绝缘层；
具体地，所述绝缘层为氧化硅、氮化硅或其他有机层等材料。
步骤S3、在所述绝缘层上制作形成金属反射膜；
具体地，所述金属反射膜设置在所述绝缘层上，所述金属反射膜为金属银、金属铝、或其他具备反射能力的金属、或合金金属、或其他可以作为反射膜的金属层。其中，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜通过同一张mask，经过不同顺序的刻蚀制成。
其中，所述金属反射膜的反射率要求为：
白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；
红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。
步骤S4、贴合mini-LED芯片；
具体地，所述mini-LED芯片是通过表面贴合工艺，如点锡膏，将所述mini-LED芯片贴合在所述表面贴合区，其中所述mini-LED芯片为封装前芯片或封装后芯片，所述mini-LED芯片的发光可以是实际需求中的任何颜色，具体颜色可以根据实际应用来决定。所述mini-LED芯片所发射出的光照射在所述金属反射膜上，所述金属反射膜会将光反射上mini-LED装置的上方，以此来提高所述mini-LED装置的发光效率。
步骤S5、制作透明保护层。
具体地，在所述mini-LED芯片和所述金属反射膜上制作一层透明保护层，所述透明保护层可以起到隔绝水氧的作用，以此来保护所述mini-LED芯片和所述金属反射膜以及其他器件。
本发明实施例所提供的一种mini-LED装置及制作方法，通过使用绝缘层以及金属反射膜来取代常规技术中使用钢网涂覆白油的方法，来提升patten图案的制作精度，以及提升了金属反射膜的膜厚均一性。通过设置的金属反射膜可以反射mini-LED所发出的光，大大提升了mini-LED装置的发光效率。
以上对本申请实施例所提供的一种mini-LED装置及制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种mini-LED装置，其特征在于，所述mini-LED装置分为绑定区、TFT区和表面贴合区，所述mini-LED装置包括：
衬底基板；
TFT器件，所述TFT器件位于所述衬底基板上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述TFT器件上；
金属反射膜，所述金属反射膜设置在所述绝缘层上；
mini-LED芯片，所述贴合区开设有贯穿所述金属反射膜及所述绝缘层的凹槽，所述凹槽内设置有焊料，所述mini-LED芯片通过所述焊料贴合在所述凹槽处且所述mini-LED芯片的底面与所述金属反射膜的表面接触；以及
透明保护层，所述透明保护层覆盖所述金属反射膜以及所述mini-LED芯片。
2.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述TFT器件包括：
第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上，在所述绑定区、所述TFT区及所述表面贴合区均设置有所述第一金属层；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖除所述表面贴合区处的所述第一金属层外的所有所述第一金属层；
金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述栅极绝缘层上；
刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述金属氧化物层；
第二金属层，位于所述绑定区的所述第二金属层通过通孔与位于所述绑定区的所述第一金属层相连接，位于所述TFT区的所述第二金属层通过通孔与所述金属氧化物层相连接，位于所述表面贴合区的所述第二金属层与位于所述表面贴合区的所述第一金属层直接相连接；
平坦层，所述平坦层位于所述刻蚀阻挡层的上方；
ITO电极层，所述ITO电极层位于所述绑定区，所述ITO电极层通过通孔与所述绑定区的所述第二金属层相连接。
3.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅、氮化硅或有机层。
4.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述金属反射膜为金属银、金属铝、合金金属或者其他金属层。
5.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜通过同一张掩膜版，经过不同顺序的刻蚀制成。
6.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述金属反射膜的反射率要求为：
白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；
红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。
7.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述mini-LED芯片为封装前芯片或封装后芯片。
8.一种mini-LED装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、在衬底基板上制作TFT器件；
步骤S2、在所述TFT器件上通过成膜、黄光以及刻蚀的方法形成一层绝缘层；
步骤S3、在所述绝缘层上制作形成金属反射膜；
步骤S4、贴合mini-LED芯片，所述贴合区开设有贯穿所述金属反射膜及所述绝缘层的凹槽，所述凹槽内设置有焊料，所述mini-LED芯片通过所述焊料贴合在所述凹槽处且所述mini-LED芯片的底面与所述金属反射膜的表面接触；以及
步骤S5、制作透明保护层。
9.根据权利要求8所述的mini-LED装置的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3中还包括刻蚀图案，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜使用同一张掩膜版。
10.根据权利要求8所述的mini-LED装置的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述金属反射膜的反射率要求为：
白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；
红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；
蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。
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