JP4729949B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、適宜有機エレクトロルミネッセンス素子を有機EL素子と表記する。)は発光素子として、例えば、ディスプレイや照明装置等の分野で用いられている。有機EL素子の基本的な構造は、ガラス等の透明基板から順に陽極、有機発光層、陰極が積層された構造である。
有機EL素子は、陽極と陰極との間に電圧を印加することで有機発光層に電流が流れて発光する。有機発光層が発した光は、陽極又は陰極のどちらかの電極側より外部に取り出されるのが一般的であり、その場合、少なくとも光を取り出す側の電極には取り出す光に対して透過性を有する透明電極が使用される。透明電極としては、一般に、アルミニウムや銀等の金属電極に比較して体積抵抗率の高い、ITO(インジウム錫酸化物)やZnO(酸化亜鉛)等が用いられる。
有機EL素子の輝度は、有機発光層における電流密度に影響され、電流密度が高いほど素子の輝度は高くなる。透明電極にITOを使用した場合、電極の端子(電源接続端子)から近い部分と遠い部分とでは、電気抵抗値の差が大きくなり、有機発光層における電流密度の差も大きくなる。従って、透明電極の端子を単に一箇所だけ設けた構成では、端子に近い部分と遠い部分との輝度の差が大きくなり、有機EL素子全体としての輝度分布の均一性が悪くなる。
有機EL素子において、端子に近い部分と遠い部分との輝度の差を小さくする方法に、透明電極に電気伝導率の大きい金属からなる補助電極を併設する方法がある(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1には、補助電極として、基板上に形成された平面四角形状の透明電極に対して4辺で接するように形成された四角枠状の補助電極が開示されている。この場合、補助電極がない場合に比べて、端子に近い部分と遠い部分との輝度の差が小さくなる。
補助電極がなく、長方形状の透明電極の一辺に沿って端子が設けられた場合は、発光部51の輝度が図9(a)で示す状態、即ち端子(図示せず)に近い側(図9(a)の右側)が明るく、端子から遠い側が暗くなる状態となる。また、長方形状の透明電極に対して4辺で接するように補助電極が形成された場合は、発光部51の輝度が図9(b)に示す状態、即ち発光部51の周縁部が明るく、中央部が暗い状態となる。なお、図9(a),(b)は、いずれも有機EL素子の使用初期の状態である。このような輝度ムラは、有機発光層における電流密度の違いによる劣化の進行状態の差、即ち電流密度の高い部分の劣化の進行状態が速いことから、使用時間の経過とともに自然と改善されるのが一般的である。
また、使用初期の状態から輝度ムラを抑制でき、使用時間の経過に伴う輝度ムラをも抑制できる発光装置が提案されている(特許文献2参照)。特許文献2に記載された発光装置は、発光部が画像を表示する複数の発光素子で構成され、前記複数の発光素子に印加される電圧を制御する電圧源を備えている。そして、各発光素子間の相対的な輝度の差の情報データと、発光素子の階調数の累積値に対する、劣化による輝度の低下の度合いの情報データとに基づいて、輝度ムラを抑制するように各電圧源から発光素子に供給される電圧を補正するようにしている。
実開平5−1198号公報 特開2004−145257号公報
特許文献1に記載の有機EL素子の場合、使用時間の経過とともに輝度ムラが自然に改善されるが、使用初期における輝度ムラが大きく、使用初期における輝度ムラを小さくしたいという要求がある。
一方、特許文献2に記載の発光装置では、使用初期から輝度ムラを抑制できる。しかし、発光部を構成する複数の発光素子をそれぞれ独立して制御する構成が必要で、構成が複雑になるとともに、製造工程の増加が生じ、コスト増となる。
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、使用初期の状態で輝度ムラが小さく、使用時間が経過しても輝度ムラの変化が小さい有機EL素子を提供することにある。
前記の目的を達成するために、請求項1及び請求項2に記載の発明は、第1電極と第2電極との間に有機発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子である。前記第1電極は前記第2電極よりも体積抵抗率が高い材料で形成され、前記第1電極と前記第2電極とで挟まれた前記有機発光層に対応する発光領域は、第1領域及び第2領域を備えている。前記第1領域は前記第1電極の給電部に対して前記第2領域より近くなるように設けられ、前記第2領域は前記第1電極の給電部に対して前記第1領域より遠くなるように設けられている
とくに、請求項1に記載の発明は、前記第1領域には、該第1領域内の前記第1電極に孔を設けることにより非発光部が形成され、前記第2領域には、該第2領域内の前記第1電極上に存在する1〜10μmの大きさの異物により微小ダークスポットが形成され、前記発光領域の全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように、前記第1領域には複数の前記非発光部が設けられ、前記第2領域には複数の前記微小ダークスポットが設けられている。
とくに、請求項2に記載の発明は、前記第1領域には、該第1領域内の前記第1電極と前記第2電極との間に絶縁部を設けることにより非発光部が形成され、前記第2領域には、該第2領域内の第1電極上に存在する1〜10μmの大きさの異物により微小ダークスポットが形成され、前記発光領域の全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように、前記第1領域には複数の前記非発光部が設けられ、前記第2領域には複数の前記微小ダークスポットが設けられている。
ここで、「給電部」とは、電源が供給される電源端子部の他に、電源端子部に電気的に接続されるとともに第1の電極上に配置された補助電極をも含む。また、「微小ダークスポット」とは、有機EL素子の使用に伴ってサイズが大きくなった場合でも肉眼で視認できないサイズのダークスポットと、初期の状態ではダークスポットと認識されないが使用時間の経過に伴ってダークスポットと認識でき、かつ、サイズが大きくなった場合でも肉眼で視認できないサイズに止まるものを意味する。また、「輝度分布の均一度が70%以上」とは、発光領域を光出射面側から見たときに、発光領域を複数に分割し、各領域の輝度の最小値を最大値で除算した値に100を掛けた値(%)が70%以上であることを意味する。前記値が大きいほど均一度が向上し、100%のときに均一となる。なお、各領域の面積は、例えば、数平方ミリメートルである。
請求項1及び請求項2に記載の発明では、発光領域のうち、輝度の高い第1領域における非発光部の密度を調整することで、使用初期における第1領域の輝度と、第2領域の輝度との差を小さくできる。また、輝度の低い第2領域に設けられた微小ダークスポットは、微小ダークスポットが設けられない場合に比較して第2領域の輝度を殆ど低下させない。従って、初期状態における発光領域全体の輝度ムラが、非発光部及び微小ダークスポットを設けない場合に比較して小さくなる。また、有機EL素子の使用時間の経過に伴い、第1領域は第2領域に比較して劣化が速く進行するため、劣化に伴う輝度の低下が第2領域の劣化に伴う輝度の低下より大きい。一方、第2領域では劣化に伴う輝度の低下に加えて、微小ダークスポットの成長に伴う輝度の低下が発生する。そのため、使用時間が経過しても、発光領域全体としての輝度ムラの変化が小さくなる。
とくに、請求項1に記載の発明では、第1電極上に有機発光層を形成する前に非発光部を形成することができるため有機発光層が損傷することを防止し得る。
とくに、請求項2に記載の発明では、第1電極の抵抗を増加させる必要なく非発光部を形成できる。
本発明によれば、使用初期の状態で輝度ムラが小さく、使用時間が経過しても輝度ムラの変化を小さくできる。
(第1の実施の形態)
以下、本発明をバックライト用の有機エレクトロルミネッセンス素子に具体化した第1の実施の形態を図1〜図3に従って説明する。図1(a)は有機EL素子の模式平面図、(b)は図1(a)のA−A線における模式断面図である。図2(a)は非発光部の構成を示す模式断面図、(b)はダークスポットの構成を示す模式断面図である。図3(a),(b)は発光領域の輝度の状態を示す模式図である。なお、図1(a),(b)は、有機EL素子の構成を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くしているために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。
図1(a),(b)に示すように、有機EL素子11は、略四角形状の基板12から順に、第1電極13と、有機発光層14及び第2電極15で構成されている。第1電極13は有機発光層14より大きく、第2電極15は有機発光層14より小さく形成されている。
第1電極13は、第2電極15よりも体積抵抗率が高い材料で形成されている。第1電極13の一辺の外側には、図示しない外部駆動回路に接続するための外部接続端子として二つの端子部13a,13bを備えている。端子部13a,13bは、第1電極13と同一材料で形成され、かつ、第1電極13と一体的に形成されている。第2電極15は、同じく外部接続端子として一つの端子部15aを備えている。端子部15aは、第1電極及び端子部13a,13bと同一材料で形成され、第2電極15の一辺の一部が外側に延出した第2電極延出部15bに接続されている。二つの端子部13a,13b及び第2電極15の端子部15aは、基板12の一辺に沿って並び、かつ端子部15aが端子部13a,13bの間に存在するように配置されている。
第1電極13の有機発光層14より外側となる領域上には、第1電極13より体積抵抗率が低い材料で形成された補助電極16が、端子部13a,13bの一部分上から連続して延びるように設けられている。従って、この実施の形態の構成では、端子部13a,13bに供給される電流は補助電極16を経て第1電極13に供給されるようになり、補助電極16は給電部を構成する。なお、この実施の形態では、補助電極16の材料に、第2電極15と同じ材料(例えば、アルミニウム)が使用されている。
有機EL素子11は、有機発光層14が水分(水蒸気)及び酸素の悪影響を受けないように、有機EL素子11、第1電極13の補助電極16が形成されている部分及び第2電極延出部15bが保護膜17で被覆されている。保護膜17は公知のパッシベーション膜、例えば、窒化ケイ素等のセラミック膜で構成されている。
この実施の形態では、第1電極13が陽極を構成し、第2電極15が陰極を構成する。有機EL素子11は、有機発光層14からの光が基板12側から取り出される(出射される)所謂ボトムエミッションタイプに構成されている。そして、基板12には可視光透過性を有する基板が使用され、例えば、ガラス基板が使用される。
第1電極13は公知の透明な導電性材料で形成されており、例えば、ITO(インジウム錫酸化物)や、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化錫)等を用いることができる。
第2電極15は、従来用いられている公知の陰極材料等が使用でき、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、クロム等の金属やこれらの合金が用いられる。
有機発光層14は、公知の有機EL材料を用いて形成され、有機EL素子11の目的とする発光色に応じて構成されている。この実施の形態では、白色発光を行うように構成されており、有機EL素子11を液晶表示装置のバックライトとして使用する場合、カラーフィルタを使用したフルカラー表示に対応できるようになっている。
有機EL素子11は、第1電極13と第2電極15とで挟まれた有機発光層14に対応する部分が発光領域18となる。図1(a)に示すように、発光領域18は、第1領域18a及び第2領域18bで構成され、第1領域18aは第1電極13の給電部に対して、即ち補助電極16に対して第2領域18bより近くなるように設けられ、第2領域18bは第1電極13の給電部に対して、即ち補助電極16に対して第1領域18aより遠くなるように設けられている。この実施の形態では発光領域18の周縁側(図1(a)に2点鎖線で示す楕円の外側)が第1領域18aに,中央側(図1(a)に2点鎖線で示す楕円の内側)が第2領域18bになるように構成されている。
第1領域18aには複数の非発光部19が設けられ、第2領域18bには複数の微小ダークスポット20が設けられている。非発光部19及び微小ダークスポット20は、発光領域18が全体として輝度分布の均一度が70%以上、好ましくは80%以上になるように設けられている。「輝度分布の均一度が70%以上」とは、発光領域18を光出射面側から見たときに、発光領域18を複数に分割し、各領域の輝度の最小値を最大値で除算した値に100を掛けた値(%)が70%以上であることを意味する。前記値が大きいほど均一度が向上し、100%のときに均一となる。なお、各領域の面積は、例えば、数平方ミリメートルである。
第1領域18aと第2領域18bと(非発光部19と微小ダークスポット20とを形成する位置及び数)の決定方法としては、例えば、非発光部19と微小ダークスポット20とが形成されていない以外は、同一形状、同一部材の有機EL素子を形成する。そして、前記有機EL素子に直流駆動電圧を印加し、前記有機EL素子を発光させる。前記有機EL素子の発光領域のうち、第1電極13の相対的に明るい部分に対応する部分に非発光部19を形成し、有機発光層14の相対的に暗い部分に対応する部分に微小ダークスポット20を形成する。その際、所望の輝度分布になるように非発光部19と微小ダークスポット20との位置及び数を実験等により決定する。
図2(a)に示すように、非発光部19は、第1電極13の該非発光部19と対応する部分に孔21を形成することにより構成されている。非発光部19は、有機EL素子11を基板12側から眺めた際に、非発光部19が肉眼で確認できない程度の大きさに形成されている。非発光部19の有機EL素子11の面方向における大きさは、有機EL素子11の光取出側に、例えば拡散板等の拡散機能を有する部材を設ける場合と設けない場合とで許容できる大きさが異なる。拡散機能を有する部材を設ける場合は、非発光部19内の最も離れた2点の距離が500μm以下、拡散機能を有する部材を設けない場合には、前記距離は300μm以下、好ましくは100μm以下にするとよい。なお、図2(a),(b)では、保護膜17の図示を省略している。
図2(b)に示すように、微小ダークスポット20は、第1電極13上に存在する異物によって構成される。この実施の形態において「微小ダークスポット20」とは、有機EL素子11の使用に伴ってサイズが大きくなった場合でも肉眼で視認できないサイズのダークスポットを意味する。具体的には、初期のサイズが1〜10μmの大きさの異物である。そして、初期の状態ではダークスポットと認識されなくても、有機EL素子11の使用による時間経過に伴ってダークスポットと認識でき、かつ、サイズが大きくなった場合でも肉眼で視認できないサイズに止まるものを含む。
次に上記のように構成された有機EL素子11の製造方法を説明する。有機EL素子11を製造する際は、ITO膜が形成された透明な基板12(ガラス基板)を準備する。ITO膜はスパッタリング法、真空蒸着法、イオン化蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。次に、このITO膜に対してエッチングを行い、第1電極13及び端子部13a,13bを形成する。また、第1電極13の第1領域18aとなるべき領域に非発光部19を構成する孔21が同時に形成される。
次に基板洗浄工程において、基板12及び第1電極13の洗浄が行われる。この基板洗浄工程においては、第1電極13の表面に付着している有機物や比較的大きな塵埃が除去される。さらに、UV洗浄やプラズマ処理等が行われ、洗浄では除去できなかった小さな塵埃や有機物等の除去が行われる。このとき、第2領域18bとなるべき領域をマスクで覆った状態でUV洗浄やプラズマ処理を行うことにより、第2領域18bとなるべき領域上に微小ダークスポット20となる異物を残す。第2領域18bとなるべき領域上に所望の状態で異物を残すための条件、例えば、UV洗浄時間やマスクで覆う時間等は、予め試験により求めておく。
次に第1電極13の上に、有機発光層14を形成する。有機発光層14は、例えば、蒸着法で形成され、有機発光層14を構成する各層が蒸着により順次積層されることで形成される。その後、蒸着により有機発光層14上に第2電極15を、第1電極13の周縁部上に補助電極16を形成する。第2電極15及び補助電極16は、例えば、Alの蒸着により同時に形成される。
最後に、保護膜形成工程で保護膜17を形成する。保護膜17として窒化ケイ素等のセラミック膜を形成する場合、セラミック膜は、例えば、プラズマCVD法で形成される。
次に前記のように構成された有機EL素子11の作用について説明する。有機EL素子11は、例えば、液晶表示装置のバックライトとして使用される。
有機EL素子11は、端子部13a,13b及び端子部15aに図示しない外部駆動回路が接続された状態で使用される。端子部13a,13bと端子部15aとの間に直流駆動電圧が印加されると、端子部13a,13bから補助電極16を介して第1電極13、有機発光層14、第2電極15へと電流が流れる。この時、有機発光層14が発光し、その光は透明電極である第1電極13を経て基板12側から外部に取り出される。
有機EL素子11の輝度は、有機発光層14における電流密度に影響され、電流密度が高いほど素子の輝度は高くなる。第1電極13は体積抵抗率が第2電極15に比較して高く、給電部から近い部分と遠い部分とでは、電気抵抗値の差が大きくなり、有機発光層14における電流密度の差も大きくなる。そして、補助電極16が第1電極13の周縁部に設けられているため、発光領域18のうち第1領域18aの電流密度が第2領域18bの電流密度より高くなる。そして、非発光部19が存在しない状態では、第1領域18aと第2領域18bとの輝度の差が大きくなりすぎて、発光領域18全体として輝度分布の均一度を70%以上とすることは難しい。
しかし、第1領域18aには非発光部19が設けられているため、第1電極13及び第2電極15間に直流駆動電圧が印加されても、有機発光層14のうち非発光部19と対応する部分は発光せず、第1領域18aの輝度が非発光部を設けない場合より低くなる。また、第2領域18bに設けられた微小ダークスポット20は、初期状態では輝度の低下に
殆ど影響を与えない大きさである。そして、初期状態において、発光領域18が全体として輝度分布の均一度が70%以上となるように非発光部19の密度が設けられているため、図3(a)に示すように、発光領域18は、第1領域18aと第2領域18bとの輝度の差が小さな状態で、輝度分布が略均一となる。
有機EL素子11の使用時間の経過に伴い、第1領域18aは第2領域18bに比較して劣化が速く進行するため、劣化に伴う輝度の低下が第2領域18bの劣化に伴う輝度の低下より大きい。一方、第2領域18bでは劣化に伴う輝度の低下に加えて、微小ダークスポット20の成長に伴う輝度の低下が発生するため、両者の合計による輝度の低下割合は、第1領域18aにおける輝度の低下割合と同程度となる。その結果、使用時間が経過しても、図3(b)に示すように、発光領域18全体としての輝度ムラの変化が小さくなり、輝度分布が略均一となる。
この実施の形態では以下の効果を有する。
(1)第1電極13は第2電極15よりも体積抵抗率が高い材料で形成され、発光領域18は、第1領域18a及び第2領域18bで構成されている。第1領域18aは第1電極13の給電部(補助電極16)に対して第2領域18bより近くなるように設けられ、第2領域18bは前記給電部に対して第1領域18aより遠くなるように設けられている。第1領域18aには複数の非発光部19が設けられ、第2領域18bには複数の微小ダークスポット20が設けられ、発光領域18は全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように構成されている。従って、初期状態における発光領域18全体の輝度ムラが、非発光部19及び微小ダークスポット20を設けない場合に比較して小さくなる。また、有機EL素子11の使用時間が経過しても、発光領域18全体としての輝度ムラの変化が小さくなる。その結果、第1領域18aにおける非発光部19の密度と、第2領域18bに設けられた微小ダークスポット20の密度とを調整することにより、発光領域18全体の輝度分布を略均一に保持することが可能になる。
(2)非発光部19は、第1電極13の非発光部19と対応する部分に孔21を形成することにより構成されている。従って、第1電極13上に有機発光層14を形成する前に、非発光部19を形成することができるため有機発光層14が損傷することを防止し得る。このため、発光領域18の性能を損なうことなく非発光部19の形成が可能となる。
(3)第1電極13の給電部は、第1電極13の端子部13a,13bだけで構成されるのではなく、有機発光層14より広く形成された第1電極13の周縁部に、端子部13a,13b上から延びる状態で設けられた補助電極16によっても構成されている。従って、発光領域18の面積が同じ場合、非発光部19及び微小ダークスポット20を設けない状態における第1領域18aの最大輝度部と、第2領域18bの最小輝度部との輝度の差が、給電部として単に端子部13a,13bが設けられた構成に比較して小さくなる。そのため、発光領域18全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように非発光部19及び微小ダークスポット20を設けるのが容易になる。
(4)微小ダークスポット20を形成する方法として、基板12上に第1電極13を形成した後の洗浄工程において、第1領域18a及び第2領域18bになるべき部分の洗浄度合いを調整する方法が採られている。従って、微小ダークスポット20を形成するための新たな装置や工程を独立して設けずに、洗浄条件を変更することで対応することができる。
(5)第1領域18a及び第2領域18bになるべき部分の洗浄度合いを調整することにより微小ダークスポット20を形成する場合、UV洗浄による洗浄度を調整することを採用している。従って、ブラシ洗浄での洗浄度合いの調整により洗浄度を調整する場合に比較して、洗浄度合いの調整が容易になる。
(6)補助電極16は第2電極15と同じ材料で形成される。従って、有機EL素子11の製造時において補助電極16と第2電極15とを同時に形成することができ、有機EL素子11の製造時の工数を減らすことができる。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を図4〜図7に従って説明する。この実施の形態は、給電部の構成と、非発光部19の構成とが前記第1の実施の形態と異なっている。第1の実施の形態と同様の部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
図4及び図5に示すように、第1電極13は、長方形の1辺に対応する部分(図4の右側部分)全長にわたって延びる端子部13cを備えている。端子部13cは、第1電極13と同一部材で構成され、かつ、第1電極13と一体的に形成されている。有機発光層14は第1電極13の端子部13cが設けられていない3辺上の端部においては第1電極13を覆うように積層されている。第2電極15は、第1電極13の端子部13cより内側となる位置に第2電極延出部15dが端子部13cと平行に設けられている。また、第2電極15の第2電極延出部15dと電気的に接続するように第2電極15の端子部15cが形成されている。端子部15cは、第1電極13及び端子部13cと同一材料で形成されている。第2電極延出部15d,端子部15cと端子部13cとの間には絶縁膜24が設けられている。この実施の形態では、発光領域18の端子部13c側が第1領域18aとなり、端子部13cと反対側寄りが第2領域18bとなる。
図6に示すように、非発光部19は、第1電極13と有機発光層14との間の、該非発光部19と対応する部分に絶縁部22を形成することにより構成されている。また、基板12と第1電極13との間の絶縁部22と対応する位置にそれぞれ光反射層23が設けられている。絶縁部22は、第1領域18aの単位面積当たりに占める面積が、端子部13cからの距離が遠くなるにつれて小さくなるように設定されている。なお、図6では、保護膜17の図示を省略している。
この構成の非発光部19を形成する場合は、例えば、基板12上に有機EL素子11を形成する工程において、基板12の所定位置(絶縁部22が形成される位置と対応する位置)に光反射層23が形成された後、その上に第1電極13が形成される。光反射層23は、例えば、銀で形成される。次に基板12の上にポジタイプのフォトレジスト層が形成された後、基板12側から露光され、フォトレジスト層の光反射層23と対応する部分以外の部分が可溶性となる。次に、可溶性となった部分を除去し、光反射層23と対応する部分に絶縁部22が形成される。
また、第2領域18bには微小ダークスポット20が設けられている。微小ダークスポット20は、第2領域18bの単位面積当たりに占める面積が、端子部13cからの距離が遠くなるにつれて小さくなるように設定されている。微小ダークスポット20は前記第1の実施の形態と同様の方法で形成される。
有機EL素子11は、端子部13c及び端子部15aに図示しない外部駆動回路が接続された状態で使用される。非発光部19及び微小ダークスポット20が設けられていなければ、発光領域18の最大輝度部と最小輝度部との輝度の差が大きくなりすぎて、発光領域18全体として輝度分布の均一度を70%以上とすることは第1の実施の形態よりも難しい。しかし、非発光部19及び微小ダークスポット20が設けられているため、初期状態において、発光領域18は、図7(a)に示すように、第1領域18aと第2領域18bとの輝度の差が小さな状態で、輝度分布が略均一となる。
また、有機EL素子11の使用時間の経過に伴い、有機発光層14の劣化が進行した場合も、非発光部19及び微小ダークスポット20が設けられているため、第1の実施の形態と同様の作用により、図7(b)に示すように、発光領域18全体としての輝度ムラの変化が小さくなり、輝度分布が略均一となる。
従って、この第2の実施の形態では、前記第1の実施の形態の効果(1)、(4)、(5)と同様の効果を有する他に次の効果を有する。
(7)非発光部19は、第1電極13と有機発光層14との間の非発光部19と対応する部分に絶縁部22が設けられることにより構成されている。従って、第1電極13の抵抗を増加させること無く非発光部19を形成することができるため、非発光部19の面積を大きくすることができ、発光領域18の輝度の制御できる範囲が広くなる。
(8)絶縁部22は、第1電極13と第2電極15との間に設けられていれば、非発光部19を構成できる。しかし、絶縁部22は予め設定された分布となるようにパターン形成をする必要があり、有機発光層14を形成した後に絶縁部22を形成する場合は、有機発光層14を損傷しないようにするための製造条件が厳しくなる。この実施の形態では、絶縁部22は第1電極13上に絶縁部22を形成した後、有機発光層14を形成することが可能となり、絶縁部22を形成する際の自由度が高くなる。
(9)絶縁部22はポジタイプのフォトレジストで形成され、所定の分布(パターン)の絶縁部22が形成される。また、基板12と第1電極13との間に光反射層23が設けられているため、フォトレジストを露光する際に絶縁部22となる部分以外の部分を露光するためのマスクを特に設けなくても、光反射層23が形成された基板12がマスクの役割を果たす。
実施の形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように構成してもよい。
○ 第1電極13と第2電極15とで挟まれた有機発光層14に対応する発光領域18は、全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように構成されていればよく、非発光部19及び微小ダークスポット20の形状や大きさは特に限定されない。従って、異なる形状や大きさのものが混合された状態で設けられてもよい。
○ 発光領域18は、全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように構成されていればよく、非発光部19が第1領域18a全体に設けられずに、特に輝度が高くなる給電部近傍のみに設けられ、微小ダークスポット20が第2領域18b全体に設けられず、特に輝度が低くなる給電部から遠い部分のみに設けられてもよい。即ち、発光領域18が見かけ上、非発光部19が設けられた第1領域18aと、微小ダークスポット20が設けられた第2領域18bとの間に、非発光部19も微小ダークスポット20も設けられない第3の領域が存在する構成であってもよい。
○ 発光領域18は、全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように構成されていればよく、図8に示すように、第1領域18aと第2領域18bが重なる領域が存在していてもよい。即ち、非発光部19と微小ダークスポット20とが混在する領域が設けられていてもよい。
○ 非発光部19は、有機EL素子11において、第1電極13と第2電極15との間に電圧が印加されても発光しない部分であり、第1電極13の非発光部19と対応する部分に孔21を設ける代わりに、有機発光層14あるいは第2電極15に孔を設けてもよい。また、第1電極13、有機発光層14及び第2電極15の複数の層を貫通する孔を設けてもよい。
○ 非発光部19を、絶縁部22を設けることで構成する場合、絶縁部22を第1電極13と有機発光層14との間に設ける代わりに、非発光部19に対応する、有機発光層14と第2電極15との間に設けたり、第1電極13と有機発光層14との間及び有機発光層14と第2電極15との間の両方に絶縁部22を設けたりしてもよい。しかし、絶縁部22を有機発光層14と第2電極15との間に設ける場合は、有機発光層14を形成した後に絶縁部22を形成する必要があり、水分や高熱に弱い有機発光層14を損傷しないようにするための製造条件が厳しくなる。従って、絶縁部22は、有機発光層14を形成する前に設けることができる構成となる、第1電極13と有機発光層14との間に設けられる構成が好ましい。
○ 光反射層23は設けなくてもよい。
○ 微小ダークスポット20を形成する方法として、基板12上に第1電極13を形成した後の洗浄工程において、第1領域18a及び第2領域18bになるべき部分の洗浄度合いを調整する方法を採用する場合、UV洗浄による洗浄度を調整する代わりに、ブラシ洗浄での洗浄度合いの調整により洗浄度を調整してもよい。
○ 微小ダークスポット20を形成する方法として、第1電極13の洗浄を異物をできる限り除去する条件で行った後、第2領域18bになるべき部分に微小ダークスポット20となる異物を付着させる方法を採用してもよい。異物の付着は、例えば、第1電極13の上にフォトレジストを所定パターンで付着させてもよい。フォトレジストはネガタイプのフォトレジストでもポジタイプのフォトレジストであってよい。また、フォトレジストに限らず、洗浄後の第1電極13上に微小ダークスポット20の所定パターンに対応する孔が形成されたマスクを介して異物となる粉体を撒いて付着させてもよい。
○ 給電部を第1電極13の周囲全体に設ける場合、端子部を1箇所にして補助電極16を第1電極13の周囲全体に設けたり、補助電極16を設けずに四角形状の第1電極13の4辺に沿って4個の端子部を設け、各端子部にそれぞれ外部電源の端子を接続したりしてもよい。
○ 端子部を第1電極13の辺の一部において突出するように設けたり、そのような端子部を複数設けたりしてもよい。
○ 有機EL素子11は基板12側から光を出射する構成に限らず、基板12と反対側から光を出射する所謂トップエミッション型の有機EL素子を使用してもよい。この場合、有機EL素子11は、基板12側に第2電極15が形成され、有機発光層14を挟んで基板12と反対側に第1電極13(透明電極)が形成される。第2電極15は第1電極13よりも体積抵抗率が低い材料で形成されていればよく、透明電極で構成されても不透明な電極で構成されてもよい。また、基板12は透明基板に限らず、不透明な基板であってもよい。
○ 有機発光層14は白色発光を行うような構成に限らず、例えば、赤や青や緑や黄色などの単色光若しくは、その組み合わせを発光する構成としてもよい。
○ 有機EL素子11はバックライト用に限らず、他の照明装置やディスプレイの発光源として使用してもよい。
以下の技術的思想(発明)は前記実施の形態から把握できる。
(1)前記非発光部は、第1領域の単位面積当たりに占める割合が、前記給電部からの距離が遠いほど小さくなるように設けられている。
(2)前記微小ダークスポットは、第2領域の単位面積当たりに占める割合が、前記給電部からの距離が遠いほど小さくなるように設けられている。
(3)有機エレクトロルミネッセンス素子の第2領域に設けられる微小ダークスポットの製造方法であって、基板上に第1電極を形成した後の基板及び第1電極の洗浄工程において、第1領域及び第2領域になるべき部分の洗浄度合いを調整し、第1領域になるべき部分の洗浄は異物をできる限り除去する条件で行い、第2領域になるべき部分の洗浄は、微小ダークスポットとなる異物が残る条件で洗浄を行う微小ダークスポットの製造方法。
(4)第1領域及び第2領域になるべき部分の洗浄度合いを調整することにより微小ダークスポットを形成する場合、UV洗浄による洗浄度を調整する微小ダークスポットの製造方法。
(5)有機エレクトロルミネッセンス素子の第2領域に設けられる微小ダークスポットの製造方法であって、第1電極の洗浄を異物ができる限り除去される条件で行った後、第2領域になるべき部分に微小ダークスポットとなる異物を付着させる微小ダークスポットの製造方法。
(6)前記異物の付着は、フォトレジストを所定パターンで付着させることにより行われる。
(a)は第1の実施の形態における有機EL素子の模式平面図、(b)は(a)のA−A線における模式断面図。 (a)は非発光部の構成を示す模式断面図、(b)は微小ダークスポットの部分を示す模式断面図。 (a)及び(b)は発光領域の輝度の状態を示す模式図。 第2の実施の形態における有機EL素子の模式断面図。 同じく模式平面図。 非発光部の構成を示す模式断面図。 (a),(b)は発光領域の輝度の状態を示す模式図。 別例における有機EL素子の模式平面図。 (a),(b)は従来技術における発光領域の輝度の状態を示す模式図。
符号の説明
11…有機EL素子、13…第1電極、13a,13b,13c…給電部を構成する端子部、14…有機発光層、15…第2電極、16…給電部を構成する補助電極、18…発光領域、18a…第1領域、18b…第2領域、19…非発光部、20…微小ダークスポット、21…孔、22…絶縁部。

Claims (2)

  1. 第1電極と第2電極との間に有機発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記第1電極は前記第2電極よりも体積抵抗率が高い材料で形成され、前記第1電極と前記第2電極とで挟まれた前記有機発光層に対応する発光領域は、第1領域及び第2領域を備え、前記第1領域は前記第1電極の給電部に対して前記第2領域より近くなるように設けられ、前記第2領域は前記第1電極の給電部に対して前記第1領域より遠くなるように設けられ、前記第1領域には、該第1領域内の前記第1電極に孔を設けることにより非発光部が形成され、前記第2領域には、該第2領域内の前記第1電極上に存在する1〜10μmの大きさの異物により微小ダークスポットが形成され、前記発光領域全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように、前記第1領域には複数の前記非発光部が設けられ、前記第2領域には複数の前記微小ダークスポットが設けられていることを特徴とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 第1電極と第2電極との間に有機発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記第1電極は前記第2電極よりも体積抵抗率が高い材料で形成され、前記第1電極と前記第2電極とで挟まれた前記有機発光層に対応する発光領域は、第1領域及び第2領域を備え、前記第1領域は前記第1電極の給電部に対して前記第2領域より近くなるように設けられ、前記第2領域は前記第1電極の給電部に対して前記第1領域より遠くなるように設けられ、前記第1領域には、該第1領域内の前記第1電極と前記第2電極との間に絶縁部を設けることにより非発光部が形成され、前記第2領域には、該第2領域内の第1電極上に存在する1〜10μmの大きさの異物により微小ダークスポットが形成され、前記発光領域の全体として輝度分布の均一度が70%以上になるように、前記第1領域には複数の前記非発光部が設けられ、前記第2領域には複数の前記微小ダークスポットが設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5541872B2 (ja) * 2009-02-26 2014-07-09 パナソニック株式会社 面状発光装置および照明器具
WO2011136205A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 Necライティング株式会社 有機エレクトロルミネッセンス照明装置、およびその製造方法
TWI460852B (zh) * 2011-03-07 2014-11-11 Panasonic Corp 面狀發光裝置
JP6070565B2 (ja) * 2011-11-02 2017-02-01 コニカミノルタ株式会社 有機el照明装置およびその製造方法
TWI556484B (zh) * 2012-08-15 2016-11-01 友達光電股份有限公司 有機發光二極體模組
WO2014084210A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 昭和電工株式会社 発光装置
US9960382B2 (en) 2013-06-11 2018-05-01 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescence element, display panel, and method for manufacturing organic electroluminescence element
CN103702467B (zh) * 2013-12-13 2018-07-24 固安翌光科技有限公司 一种oled照明光源
JP2017097949A (ja) * 2014-03-31 2017-06-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明器具
CN104143608B (zh) * 2014-07-25 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN106229422B (zh) 2016-09-05 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 照明组件和照明装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249379A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Takeshi Sakakibara 透明導電性膜の表面処理方法、かかる方法により表面改質された透明導電性膜、及び表面改質透明導電性膜を有する電荷注入型発光素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249379A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Takeshi Sakakibara 透明導電性膜の表面処理方法、かかる方法により表面改質された透明導電性膜、及び表面改質透明導電性膜を有する電荷注入型発光素子

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