JP4218450B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、エレクトロルミネッセンスをELと記載する場合もある。)に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機EL素子は、液晶ディスプレイの次にくるディスプレイの素子や薄型の発光素子として注目されている。一般に、有機EL素子は、ガラス基板上にITO(インジウム錫酸化物)で構成された透明電極(陽極)を形成し、その透明電極上に発光層を含む有機EL層を形成し、さらに陰極を積層することによって形成され、発光層の発光をガラス基板側から取り出す。
【0003】
有機EL素子の発光強度は両電極間に流れる電流値にほぼ比例する。そして、透明電極を構成する材質は金属電極の材質に比較して抵抗率が大きいため、透明電極の端子から近い部分と遠い部分とで電気抵抗値の差が大きくなり、電流値についても差が大きくなる。その結果、発光輝度のムラが生じる。
【0004】
発光輝度のムラを抑制する方法として、透明電極の抵抗値を低下させるため、透明電極を透明導電層と光透過性を有する金属膜との多層構成とすることが提案されている(例えば、特許文献1)。この構成では金属膜が存在するため、透明電極の抵抗値が低くなり、輝度ムラの程度が低くなる。しかし、金属膜を設けると、金属膜が光透過性であっても透明電極全体としては光透過性が低下し、有機EL素子の輝度が低くなるという問題がある。
【0005】
有機EL素子の輝度低下を招かずに、輝度ムラを抑制する有機EL素子として、図6に示す構成のものがある。有機EL素子41は、ガラス基板42上に透明電極43が形成され、透明電極43の周縁部には陽極端子に接続された状態で金属製の補助電極44が設けられている。補助電極44上には絶縁膜45が形成され、有機EL層46が透明電極43及び絶縁膜45を覆うように形成されている。有機EL層46上に陰極47が形成され、陰極47より外側に有機EL層46を酸素及び水分から保護する保護膜48が形成されている。
【0006】
また、図7に示すように、透光性基材50上に透明陽極層51、有機発光媒体層(有機EL層)52、陰極層53からなる有機EL素子54において、絶縁層55介して陰極層53側に積層され、かつ透明陽極層51に接する補助電極層56を設けたものが提案されている(特許文献2参照)。図8(a),(b)に示すように、補助電極層56は透明陽極層51に対して、陽極用引き出し電極51aと反対側に形成された陰極用引き出し電極53aに接しないように、3辺又は2辺で接する接触部57を有する。
【0007】
【特許文献1】
特開2003−115393号公報(明細書の段落[0013]〜[0014]、図1、図2)
【特許文献2】
特開2003−123990号公報(明細書の段落[0038]〜[0044]、図1)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、有機EL層46は薄いため、透明電極43の周縁部に補助電極44が設けられた構成の有機EL素子41では、補助電極44と陰極47とにより挟持された有機EL層46が、補助電極44のエッジ部で切断され、透明電極43と陰極47とが短絡する確率が高い。従って、絶縁膜45が必須となり、製造コストが高くなる。また、発光部の両側に補助電極44が存在するため、ガラス基板42上で発光部より外側の部分が占める面積が大きくなる。
【0009】
また、特許文献2に記載の有機EL素子54においては、透明陽極層51の陽極用引き出し電極51aの位置と反対側に陰極用引き出し電極53aが設けられている。従って、補助電極層56は透明陽極層51に対して陽極用引き出し電極51aと反対側の端部において接続することはできず、補助電極層56は透明陽極層51の陽極用引き出し電極51aの存在する辺とそれに隣接する辺にのみ設けられる。その結果、陽極用引き出し電極51aから最も離れた部分となる陽極用引き出し電極51aの存在する辺と反対側の辺において補助電極層56を透明陽極層51に接続することができず、輝度ムラの抑制効果が不十分である。また、それを補うために、陽極用引き出し電極51aの存在する辺と隣接する両側の辺に補助電極層56を設けると、透光性基材50上で発光部より外側の部分が占める面積が大きくなる。
【0010】
さらに、特許文献2に記載の有機EL素子54においては、有機発光媒体層52を外気中の水分や酸素から保護するために有機EL素子54に必須の封止カバー(封止缶)あるいは保護膜(パッシベーション膜)に関して触れられておらず、絶縁層55の他に保護膜あるいは封止カバーが必要となる。従って、絶縁層55を形成する分、製造コストが高くなる。
【0011】
本発明の目的は、有効発光部と対応する箇所に補助電極を設けずに、補助電極と陰極との絶縁を保つ絶縁膜を新たに設けることなく輝度ムラを抑制することができ、かつ基板上で有効発光部以外の部分が占める面積を少なくすることが可能な有機EL素子を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、請求項1〜請求項3に記載の発明は、可視光透過性の基板上に可視光透過性の第1電極と、有機EL層と、第2電極とが順に積層され、かつ前記第2電極より外側に有機EL層を酸素及び水分から保護する保護膜が形成され、前記有機EL層の発光が前記基板側から取り出される有機EL素子である。
そして、前記保護膜の外側において、前記第2電極との絶縁が確保された状態で該第2電極を覆う導電膜を、前記第1電極の接続端子又は該接続端子側の端部にその一部が接続され、他の一部が前記第1電極の前記接続端子と反対側の端部に接続された状態に設けた。
【0013】
この発明では、補助電極の役割を果たす導電膜が絶縁性の保護膜の外側に設けられるため、補助電極を第1電極の周囲に配置して有機EL層の発光時の輝度を高めていた従来装置と異なり、補助電極と陰極との絶縁を保つ絶縁膜を新たに設ける必要がないため、製造コストを低くすることができる。また、導電膜は第1電極に対して第1電極の接続端子又は該接続端子に近い部分と、該第1電極の接続端子と反対側の端部とにおいて接続されているため、第1電極の接続端子に近い部分の有機EL層と、遠い部分の有機EL層とに流れる電流量の差が小さくなり、有機EL素子全体の輝度のムラを抑制できる。また、導電膜が有機EL層を覆うため、有機EL層が発する熱が均一に分散されて輝度ムラの抑制効果が高まる。また、導電膜は第1電極に対して第1電極の接続端子が設けられた辺に隣接する辺において第1電極に接続するのが必須ではないため、基板上で有効発光部以外の部分が占める面積を少なくすることが可能になる。「有効発光部」とは基板から外側に有機EL層の発光を取り出すことができる部分を意味する。
とくに、請求項1に記載の発明は、前記導電膜は金属箔で形成されている。この発明では、予め形成された金属箔を所定の形状に切断したものを絶縁フィルムに貼付することで製造できるため、導電膜が蒸着又はメッキにより形成される場合に比較して製造時間を短くできる。また、前記導電膜は表面積を増大させるために凹凸が設けられている。この発明では、導電膜が平坦な場合に比較してその表面積が大きいため、有機EL層が発する熱の放熱効果が高くなり、輝度ムラの抑制効果が高まる。
とくに、請求項2に記載の発明は、前記導電膜は絶縁フィルム上に形成され、該導電膜が前記保護膜と対向するように配置されている。この発明では、導電膜は絶縁フィルムで覆われた状態で配置されるため、有機EL素子を筐体などに組み付けた際に、他の電子部品と接触しても短絡する虞がない。また、前記導電膜は表面積を増大させるために凹凸が設けられている。この発明では、導電膜が平坦な場合に比較してその表面積が大きいため、有機EL層が発する熱の放熱効果が高くなり、輝度ムラの抑制効果が高まる。
とくに、請求項3に記載の発明は、前記導電膜は絶縁フィルム上に形成され、該導電膜が前記保護膜と対向するように配置されている。この発明では、導電膜は絶縁フィルムで覆われた状態で配置されるため、有機EL素子を筐体などに組み付けた際に、他の電子部品と接触しても短絡する虞がない。また、前記絶縁フィルム上には前記第1電極の外部配線の接続用端子を構成する第1の金属膜と、第2電極の外部配線の接続用端子を構成する第2の金属膜とが形成され、前記第1の金属膜は前記導電膜と連続するように形成されている。この発明では、導電膜が形成された絶縁フィルムを、第1電極及び第2電極が形成された基板上に貼り付けることにより、第1電極及び第2電極にそれぞれ外部配線の接続用端子が接続された状態となる。従って、第1電極及び第2電極の接続用端子を別に製造する場合に比較して、有機EL素子の製造が容易になる。
【0014】
請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の発明において、前記導電膜は前記第1電極に対して、その接続端子又は該接続端子側の端部と、前記接続端子と反対側の端部においてのみ接続されている。従って、この発明では、第1電極の接続端子が設けられた辺に隣接する辺において導電膜を第1電極と接続させる必要がないため、有効発光部の面積が同じ状態で、基板上における有効発光部以外の部分が占める面積を少なくすることができる。
【0015】
請求項5に記載の発明は、請求項2又は請求項3に記載の発明において、前記導電膜は金属箔で形成されている。この発明では、予め形成された金属箔を所定の形状に切断したものを絶縁フィルムに貼付することで製造できるため、導電膜が蒸着又はメッキにより形成される場合に比較して製造時間を短くできる。
【0016】
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記導電膜は絶縁フィルム上に形成され、該導電膜が前記保護膜と対向するように配置されている。この発明では、導電膜は絶縁フィルムで覆われた状態で配置されるため、有機EL素子を筐体などに組み付けた際に、他の電子部品と接触しても短絡する虞がない。
【0017】
請求項7に記載の発明は、請求項2、請求項3、及び請求項6のいずれか一項に記載の発明において、前記導電膜は蒸着又はメッキにより形成されている。従って、この発明では、金属箔を絶縁フィルム上へ貼付して導電膜を形成する場合に比較して、パッシブマトリックスタイプの表示装置に適用する場合等のように複数の導電膜を絶縁フィルム上へ形成することが必要な場合、その形成が容易になる。
【0018】
請求項8に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記導電膜は表面積を増大させるために凹凸が設けられている。この発明では、導電膜が平坦な場合に比較してその表面積が大きいため、有機EL層が発する熱の放熱効果が高くなり、輝度ムラの抑制効果が高まる。
【0019】
請求項9に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記絶縁フィルム上には前記第1電極の外部配線の接続用端子を構成する第1の金属膜と、第2電極の外部配線の接続用端子を構成する第2の金属膜とが形成され、前記第1の金属膜は前記導電膜と連続するように形成されている。この発明では、導電膜が形成された絶縁フィルムを、第1電極及び第2電極が形成された基板上に貼り付けることにより、第1電極及び第2電極にそれぞれ外部配線の接続用端子が接続された状態となる。従って、第1電極及び第2電極の接続用端子を別に製造する場合に比較して、有機EL素子の製造が容易になる。
【0020】
請求項10に記載の発明は、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の発明において、前記導電膜は前記保護膜上に蒸着により形成されている。この発明では、導電膜として金属箔を保護膜上に貼付するのに比較して、導電膜と保護膜との密着性が向上し、有機EL層が発する熱が導電膜を介してより均一に分散されて、輝度ムラの抑制効果が高まる。
【0021】
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記導電膜はアルミニウムで形成されている。この発明では、銅等の他の金属に比較して蒸着膜を形成し易い。
【0022】
請求項12に記載の発明は、請求項10又は請求項11に記載の発明において、前記導電膜の外側に前記保護膜と同じ材質の絶縁膜が前記導電膜を覆うように形成されている。この発明では、請求項2、請求項3及び請求項6に記載の発明と同様に、導電膜は絶縁膜で覆われた状態で配置されるため、有機EL素子を筐体などに組み付けた際に、他の電子部品と接触しても短絡する虞がない。また、絶縁膜は保護膜と同じ材質のため、絶縁膜を保護膜と同様の方法、例えば、CVD法によって成膜すれば、絶縁フィルムに比較して薄くすることができ、有機EL素子をより薄くできる。
【0023】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明を例えば、バックライトに使用する発光装置を構成する有機EL素子に具体化した第1の実施の形態を図1及び図2に従って説明する。図1(a)は有機EL素子の模式平面図、(b)は(a)のB−B線における模式断面図、(c)は(a)のC−C線における模式断面図、(d)は(a)のD−D線における模式断面である。
【0024】
図1(a)〜(d)に示すように、有機EL素子11は、基板としてのガラス基板12上に、第1電極13、有機エレクトロルミネッセンス層14(有機EL層14)、第2電極15が順に積層され、かつ第2電極15より外側に有機EL層14を酸素及び水分から保護する保護膜16が形成されている。ガラス基板12は可視光透過性の基板を構成し、第1電極13も可視光透過性(透明)である。この実施の形態では第1電極13が陽極を構成し、第2電極15が陰極を構成する。第1電極13、有機EL層14、及び第2電極15はともに一つのほぼ四角形状の平面として形成されている。第1電極13と第2電極15との短絡を防止するため、有機EL層14の面積が第2電極15の面積より大きく形成されている。
【0025】
保護膜16は第1電極13、有機EL層14及び第2電極15の互いに隣接する面以外の部分を覆うように形成されている。有機EL素子11は有機EL層14の発光がガラス基板12側から取り出される(出射される)所謂ボトムエミッション型の有機EL素子を構成する。
【0026】
第1電極13はITO(インジウム錫酸化物)膜で形成された透明電極からなる。有機EL層14には公知の構成のものが使用され、例えば、第1電極13側から順に、正孔注入層、発光層及び電子注入層の3層あるいは正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の4層で構成されている。有機EL層14は白色発光を行うように構成されている。第2電極15は材料として光に対する反射性を有する金属が使用され、金属として、例えばアルミニウム(アルミニウム合金を含む)が使用されている。保護膜16は、例えば窒化ケイ素で形成されている。
【0027】
保護膜16の外側には、第2電極15との絶縁が確保された状態で第2電極15を覆う導電膜17が、第1電極13の接続端子13a側の端部にその一部が接続され、一部が第1電極13の接続端子13aと反対側の端部13bに接続された状態に設けられている。導電膜17は絶縁フィルム18上に形成され、導電膜17が保護膜16と対向するように配置されている。導電膜17は第1電極13の材質より抵抗率の小さな材質で形成されている。この実施の形態では絶縁フィルム18としてポリイミドフィルムが使用され、導電膜17には金属箔(例えば銅箔)が使用され、導電膜17は絶縁フィルム18に貼付されている。また、導電膜17は第1電極13に対して、その接続端子13a側の端部と、接続端子13aと反対側の端部13bにおいてのみ接続されている。
【0028】
図2(a)はガラス基板12上に形成された第1電極13、接続端子13a及び第2電極15の接続端子15aの配置を示す模式図である。第1電極13、接続端子13a及び接続端子15aは、ガラス基板12上に形成された透明電極の一部を除去するようにパターニングすることにより形成されている。図2(a)に示すように、網掛けパターンを施して示した部分の接続端子13aは、第1電極13と連続するように形成され、接続端子15aは接続端子13aと切り離されて形成されている。
【0029】
図2(b)は絶縁フィルム18上に形成された導電膜17と、金属膜との関係を示す模式図である。図1(a)に示すように、絶縁フィルム18は、第1電極13と、接続端子13a,15aとを合わせた大きさとほぼ同じ大きさの矩形状に形成された部分から、有機EL素子11を駆動する図示しない駆動用回路に接続する端子が設けられる端子形成部18aが突出した形状に形成されている。絶縁フィルム18上には導電膜17に加えて、第1電極13の外部配線の接続用端子を構成する第1の金属膜19と、第2電極15の外部配線の接続用端子を構成する第2の金属膜20とが形成されている。第1の金属膜19は導電膜17と連続するように形成されている。
【0030】
両金属膜19,20も銅箔で形成され、金属膜19,20のうち、網掛けパターンを施して示した部分19a,20aが接続端子13a,15aと対応し、端子形成部18aと対応する部分19b,20bが前記駆動用回路に接続する外部配線の接続用端子を構成している。そして、絶縁フィルム18は導電膜17の金属膜19,20と反対側の端部17aが第1電極13の接続端子13aと反対側の端部13bに対応し、部分17bが部分19aと対向しない接続端子13aと対応する状態で、ACF(異方導電性フィルム)等を使用してガラス基板12上に接続される。従って、端子形成部18aはガラス基板12から突出する状態となっている。
【0031】
次に上記のように構成された有機EL素子11の作用について説明する。有機EL素子11は例えば液晶表示装置のバックライトとして使用される。
有機EL素子11は、図示しない絶縁フィルム18上に形成された第1及び第2の金属膜19,20の部分19b,20bが有機EL素子11を駆動する駆動用回路への外部配線にACFもしくはコネクターを介して接続された状態で使用される。
【0032】
駆動用回路から部分19bを介して供給される電流は、第1の金属膜19の部分19aに接続された接続端子13aから第1電極13へ供給されるとともに、第1の金属膜19を経て第1電極13の接続端子13aと反対側の端部13bから第1電極13に供給される。
【0033】
第1電極13を構成する透明電極はアルミニウムや銅等の導電性の良い金属に比較して抵抗率が大きい。従って、第1電極13の一端に設けられた接続端子13aのみから電流が供給される場合は、接続端子13aに近い位置では有機EL層14を通って第2電極15へ電流が流れ易く、接続端子13aから遠い側では電流が流れ難くなり、輝度のムラが発生し易い。しかし、電流は第1電極13に対してその一端側に設けられた接続端子13aと、接続端子13aと反対側の端部13bとの両方から、導電性の良い導電膜17を介して供給される。その結果、接続端子13aに近い位置の有機EL層14と、接続端子13aから最も離れた位置の有機EL層14とに流れる電流量の差が小さくなり、有機EL素子11の輝度ムラが抑制される。また、導電膜17が有機EL層14を覆うため、有機EL層14が発する熱が均一に分散されて輝度ムラの抑制効果が高まる。
【0034】
導電膜17は第1電極13に電流を供給する役割を果たすものであり、導電膜17が第2電極15を覆うように配置される場合、導電膜17が第2電極15と短絡しないように第2電極15との絶縁を確保する必要がある。導電膜17は保護膜16の外側に設けられるため、保護膜16により導電膜17と第2電極15との絶縁が確保される。
【0035】
この実施の形態では以下の効果を有する。
(1) ガラス基板12上に透明な第1電極13、有機EL層14及び第2電極15が順に積層され、かつ第2電極15より外側に有機EL層14を酸素及び水分から保護する保護膜16が形成されている。そして、絶縁性の保護膜16の外側において、第2電極15との絶縁が確保された状態で第2電極15を覆う導電膜17を、第1電極13の接続端子13a側の端部にその一部が接続され、他の一部が第1電極13の接続端子13aと反対側の端部13bに接続された状態に設けた。従って、従来装置と異なり、導電膜17と第2電極15との絶縁性を確保するために専用の絶縁膜を設ける必要が無く、製造コストを低くすることができる。また、接続端子13aに近い部分の有機EL層14と、遠い部分の有機EL層14とに流れる電流量の差が小さくなり、有機EL素子11全体の輝度のムラを抑制できる。また、導電膜17が有機EL層14を覆うため、有機EL層14が発する熱が均一に分散されて輝度ムラの抑制効果が高まる。また、導電膜17は第1電極13に対して第1電極13の接続端子13aが設けられた辺に隣接する辺において第1電極13に接続するのが必須ではないため、基板上で有効発光部以外の部分が占める面積を少なくすることが可能になる。なお、有効発光部とは基板から外側に有機EL層14の発光を取り出すことができる部分を意味する。
【0036】
(2) 導電膜17は第1電極13に対して、その接続端子13a側の端部と、接続端子13aと反対側の端部13bにおいてのみ接続されている。従って、第1電極13の接続端子13aが設けられた辺に隣接する辺において導電膜17を第1電極13と接続させる必要がないため、有効発光部の面積が同じ状態で、基板上における有効発光部以外の部分が占める面積を少なくすることができ、有機EL素子11の小型化を図ることができる。
【0037】
(3) 導電膜17は絶縁フィルム18上に形成され、導電膜17が保護膜16と対向するように配置されている。従って、導電膜17は絶縁フィルム18で覆われた状態で配置されるため、有機EL素子11を筐体などに組み付けた際に、他の電子部品と接触しても短絡する虞がない。
【0038】
(4) 絶縁フィルム18の端子形成部18a上に外部配線の接続用端子を構成する第1の金属膜19及び第2の金属膜20が形成され、第1の金属膜19は導電膜17と連続するように形成されている。従って、導電膜17が形成された絶縁フィルム18を、第1電極13及び第2電極15が形成されたガラス基板12上に貼り付けることにより、第1電極13及び第2電極15にそれぞれ外部配線の接続用端子が接続された状態となる。その結果、第1電極13及び第2電極15の接続用端子を別に製造する場合に比較して、有機EL素子11の製造が容易になる。
【0039】
(5) 導電膜17は金属箔で形成されている。従って、予め形成された金属箔を所定の形状に切断したものを絶縁フィルム18に貼付することで製造できるため、導電膜17が蒸着又はメッキにより形成される場合に比較して製造時間を短くできる。
【0040】
(6) 第2電極15が反射性を有する金属で形成されているため、有機EL層14から第2電極15側へ出射した光が反射されて、ガラス基板12から出射される。従って、第2電極15が反射性を有さない場合に比較して、ガラス基板12から出射される光量を多くできる。
【0041】
(7) 導電膜17は金属膜であるため、外気の酸素や水分が有機EL素子11の内部へ侵入するのを抑制する機能が高く、パッシベーション膜の機能も果たす。
【0042】
(8) 有機EL層14の面積が第2電極15の面積より大きく形成されているため、有機EL層14の面積と第2電極15の面積とを同じに形成する構成に比較して許容誤差を大きく取っても、第1電極13と第2電極15との短絡を防止できる。
【0043】
(第2の実施の形態)
次に第2の実施の形態を図3に従って説明する。この実施の形態では、主として導電膜の構成が前記第1の実施の形態と異なっている。第1の実施の形態と同様な部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。図3は図1(b)に対応する模式断面図である。
【0044】
図3に示すように、保護膜16上には、金属蒸着膜で形成された導電膜21が設けられている。この実施の形態では導電膜21はアルミニウムの蒸着膜で形成されている。導電膜21は第1の実施の形態の導電膜17と同様に、第2電極15と対応する大きさで、第1電極13の接続端子13a側の端部にその一部が接続され、一部が第1電極13の接続端子13aと反対側の端部に接続された状態に形成されている。導電膜21は第1電極13に対して、その接続端子13a側の端部と、接続端子13aと反対側の端部13bにおいてのみ接続されている。
【0045】
また、導電膜21の外側には、保護膜16と同じ材質の絶縁膜22が導電膜21を覆うように形成されている。絶縁膜22は例えば窒化ケイ素で形成されている。この実施の形態の有機EL素子11は、ガラス基板12上に第1電極13、有機EL層14、第2電極15、保護膜16、導電膜21及び絶縁膜22を順次積層形成する際、真空状態で一貫して行われ、保護膜16及び絶縁膜22の形成は同じチャンバーで行われる。
【0046】
第1の実施の形態と異なり、絶縁フィルム18を有さないため、絶縁フィルム18上に外部配線の接続用端子を形成することはできない。第1電極13の外部配線は第1電極13用の接続端子13a上に積層された導電膜21にACFを介して接続されるか、接続端子13aを大きく形成して、導電膜21が接合された部分に重ならないように接続端子13a上に接続される。第2電極15の外部配線は第2電極15用の接続端子15a上に積層された第2電極15の端部上にACFを介して接続されるか、接続端子15aを大きく形成して、第2電極15の端部が接合された部分に重ならないように接続端子15a上に接続される。
【0047】
この実施の形態では、第1の実施の形態の(1),(2),(6),(7),(8)とほぼ同様な効果を有する他に、次の効果を有する。
(9) 導電膜21は保護膜16上に蒸着により形成されている。従って、導電膜17として金属箔を保護膜16上に貼付するのに比較して、導電膜21と保護膜16との密着性が向上し、有機EL層14が発する熱が導電膜21を介してより均一に分散されて、輝度ムラの抑制効果が高まる。
【0048】
(10) 導電膜21はアルミニウムで形成されている。従って、銅等の他の金属に比較して蒸着膜を形成し易い。
(11) 導電膜21の外側に保護膜16と同じ材質の絶縁膜22が導電膜21を覆うように形成されている。従って、有機EL素子11を筐体などに組み付けた際に、他の電子部品と接触しても短絡する虞がない。また、絶縁膜22は保護膜16と同じ材質のため、絶縁膜22を保護膜16と同様の方法、例えば、CVD法によって成膜すれば、絶縁フィルム18に比較して薄くすることができ、有機EL素子11をより薄くできる。また、絶縁膜22を蒸着で形成すれば、保護膜16及び絶縁膜22の形成を同じチャンバーで行うことができる。さらに、保護膜16及び絶縁膜22のそれぞれの厚さを薄くしても、水分や酸素が有機EL素子11内に侵入するのを抑制する効果を同じにでき、有機EL素子11の薄型化や保護膜16の形成時間を短くできる。
【0049】
実施の形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 絶縁フィルム18や絶縁膜22は必須ではなく、図4に示すように、保護膜16上に導電膜21を蒸着した構成としてもよい。また、保護膜16上に導電膜21として金属箔を貼付した構成としてもよい。
【0050】
○ 保護膜16の材質は窒化ケイ素に限らず、水分や酸素等のガスの透過率の小さな他の材質、例えば酸化ケイ素SiOxやダイヤモンド・ライク・カーボンを使用してもよい。また、異なる材質の薄膜を積層して保護膜16を形成してもよい。
【0051】
○ 保護膜16の材質は蒸着で形成されるものに限らず、塗布で形成されるものであってもよい。塗布で形成される材質としは、例えばポリシラザンがある。
○ 導電膜17は平坦な構成に限らず、表面積を増大させるために凹凸が設けられていてもよい。例えば、導電膜17が形成された絶縁フィルム18にエンボス加工が施されて凹凸が形成されたものを使用したり、絶縁フィルム18は平坦で導電膜17にのみ凹凸加工が施された物を使用する。この場合、導電膜17が平坦な場合に比較してその表面積が大きいため、有機EL層14から発生する熱の放熱効果が高くなり、輝度ムラの抑制効果が高まる。
【0052】
〇 ガラス基板12側に配設される第1電極13を陰極とし、第2電極15を陽極としてもよい。この場合、有機EL層14の構成もそれに対応して変更する。例えば、第1電極13側から電子注入層、発光層及び正孔注入層の3層あるいは電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層の5層とする。
【0053】
○ 有機EL層14は、発光層のみの単層、または正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層、電子阻止層の一層以上と発光層が積層された多層のいずれであってもよい。
【0054】
○ 有機EL素子11はバックライト用に限らず、他の照明装置やディスプレイ装置の発光源として使用してもよい。
○ 表示装置用の有機EL素子11の場合、例えば、有機EL素子11がパッシブ・マトリックス方式で駆動される表示装置を構成する場合は、第1電極13はガラス基板12の表面に複数、平行なストライプ状に形成される。また、有機EL層14は図示しない絶縁性の隔壁により隔てられた状態で第1電極13と直交する方向に延びる複数の平行なストライプ状に形成され、第2電極15は有機EL層14上に積層形成される。そして、表示装置の画素(ピクセル又はサブピクセル)が第1電極13及び第2電極15の交差部分においてガラス基板12上にマトリックス状に配置される。この構成の場合も、図5に示すように、絶縁フィルム18に前記複数の第1電極13に対応した数の導電膜17をストライプ状に設ける。そして、第1電極13の接続端子13aの端部にその一部が接続され、一部が第1電極13の接続端子13aと反対側の端部13bに接続された状態に絶縁フィルム18をガラス基板12上に貼付してもよい。
【0055】
○ 絶縁フィルム18上に形成される導電膜17は金属箔を貼付して形成されたものに限らない。例えば、導電膜17を蒸着やメッキにより形成してもよい。この場合、金属箔を絶縁フィルム18上へ貼付して導電膜17を形成する場合に比較して、パッシブ・マトリックス方式の表示装置に適用する場合等のように複数の導電膜17を絶縁フィルム18上へ形成するのが必要な構成において、その形成が容易になる。
【0056】
○ パッシブ・マトリックス方式の表示装置に適用する場合等のように複数の導電膜17を設ける場合、絶縁フィルム18を用いずに、保護膜16上に導電膜17を蒸着によりストライプ状に形成し、その上に蒸着で絶縁膜22を形成してもよい。
【0057】
○ 第2電極15の接続端子15aの配設位置は、必ずしも第1電極13の接続端子13aが配設されたガラス基板12の同じ辺上とする必要はなく、接続端子13aが配設された辺に隣接する辺上としてもよい。
【0058】
○ 導電膜17が接続端子13aに接続される構成に代えて、第1電極13の接続端子13a側の位置に接続される構成としてもよい。
〇 表示装置用の有機EL素子11の場合、基板として透明基板にカラーフィルタが積層された構成のものを使用してもよい。
【0059】
○ 基板としてガラス基板12に代えて樹脂製で透明な基板を使用してもよく、フレキシブルな透明樹脂基板を使用してもよい。樹脂製の場合はガラス基板12より軽くなる。
【0060】
○ 導電膜17は、ほぼ四角形状に形成された第1電極13の接続端子13a側の端部と、接続端子13aと反対側の端部においてのみ接続されている構成に限らず、接続端子13aが設けられた辺に隣接する辺においても第1電極13と接続された構成としてもよい。この場合、輝度ムラがより抑制される。
【0061】
○ 第2電極15は可視光に対する反射性を有していなくてもよい。しかし、反射性を有する方が有機EL層14から第2電極15側に向かった光が第2電極15で反射されてガラス基板12側から出射されるため、第2電極15の反射光を利用しない形態に比較して、ガラス基板12から出射する光量を多くすることができる。従って、有機EL層14の発光量を少なくしても必要な光量を得ることができ、消費電力量を低減することができる。
【0062】
○ 第2電極15はアルミニウム以外の金属、例えばAu、Ag、Cu、Cr、In等を用いて形成してもよい。AuやCrを使用すれば金属膜が酸化され難く耐久性が向上する。
【0063】
○ 透明電極の材質はITOに限らず、例えば、酸化亜鉛を使用してもよい。
以下の技術的思想(発明)は前記実施の形態から把握できる。
(1) 前記第1電極の接続端子及び第2電極の接続端子は、前記第1電極の同じ辺と対応する位置に設けられている。
【0064】
(2) 前記技術的思想(1)に記載の発明において、前記有機EL層の面積が第2電極の面積より大きく形成されている。
【0065】
(3) 前記技術的思想(1)又は(2)に記載の有機EL素子をバックライトとして備えた液晶表示装置。
【0066】
【発明の効果】
以上、詳述したように、請求項1〜請求項12に記載の発明によれば、有効発光部と対応する箇所に補助電極を設けずに、補助電極と陰極との絶縁を保つ絶縁膜を新たに設けることなく輝度ムラを抑制することができ、かつ基板上で有効発光部以外の部分が占める面積を少なくすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は第1の実施の形態の有機EL素子の模式平面図、(b)は(a)のB−B線における模式断面図、(c)は(a)のC−C線における模式断面図、(d)は(a)のD−D線における模式断面図。
【図2】 (a)は第1電極及び接続端子の配置を示す模式図、(b)は導電膜と金属膜との関係を示す模式図。
【図3】 第2の実施の形態の有機EL素子の模式断面図。
【図4】 別の実施の形態の有機EL素子の模式断面図。
【図5】 別の実施の形態の有機EL素子の導電膜を示す模式図。
【図6】 従来技術の有機EL素子の模式断面図。
【図7】 別の従来技術の有機EL素子の模式断面図。
【図8】 (a),(b)は補助電極の透明陽極層との接触部を示す模式斜視図。
【符号の説明】
11…有機EL素子、12…基板としてのガラス基板、13…第1電極、13a,15a…接続端子、14…有機エレクトロルミネッセンスEL層(有機EL層)、15…第2電極、16…保護膜、17,21…導電膜、18…絶縁フィルム、19…第1の金属膜、20…第2の金属膜、22…絶縁膜。
Claims (12)
- 可視光透過性の基板上に可視光透過性の第1電極と、有機エレクトロルミネッセンス層と、第2電極とが順に積層され、かつ前記第2電極より外側に有機エレクトロルミネッセンス層を酸素及び水分から保護する絶縁性の保護膜が形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層の発光が前記基板側から取り出される有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記保護膜の外側において、前記第2電極との絶縁が確保された状態で該第2電極を覆う導電膜を、前記第1電極の接続端子又は該接続端子側の端部にその一部が接続され、他の一部が前記第1電極の前記接続端子と反対側の端部に接続された状態に設け、
前記導電膜は金属箔で形成され、前記導電膜は表面積を増大させるために凹凸が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 可視光透過性の基板上に可視光透過性の第1電極と、有機エレクトロルミネッセンス層と、第2電極とが順に積層され、かつ前記第2電極より外側に有機エレクトロルミネッセンス層を酸素及び水分から保護する絶縁性の保護膜が形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層の発光が前記基板側から取り出される有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記保護膜の外側において、前記第2電極との絶縁が確保された状態で該第2電極を覆う導電膜を、前記第1電極の接続端子又は該接続端子側の端部にその一部が接続され、他の一部が前記第1電極の前記接続端子と反対側の端部に接続された状態に設け、
前記導電膜は絶縁フィルム上に形成され、該導電膜が前記保護膜と対向するように配置され、前記導電膜は表面積を増大させるために凹凸が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 可視光透過性の基板上に可視光透過性の第1電極と、有機エレクトロルミネッセンス層と、第2電極とが順に積層され、かつ前記第2電極より外側に有機エレクトロルミネッセンス層を酸素及び水分から保護する絶縁性の保護膜が形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層の発光が前記基板側から取り出される有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記保護膜の外側において、前記第2電極との絶縁が確保された状態で該第2電極を覆う導電膜を、前記第1電極の接続端子又は該接続端子側の端部にその一部が接続され、他の一部が前記第1電極の前記接続端子と反対側の端部に接続された状態に設け、
前記導電膜は絶縁フィルム上に形成され、該導電膜が前記保護膜と対向するように配置され、前記絶縁フィルム上には前記第1電極の外部配線の接続用端子を構成する第1の金属膜と、前記第2電極の外部配線の接続用端子を構成する第2の金属膜とが形成され、前記第1の金属膜は前記導電膜と連続するように形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記導電膜は前記第1電極に対して、その接続端子又は該接続端子側の端部と、前記接続端子と反対側の端部においてのみ接続されている請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜は金属箔で形成されている請求項2又は請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜は絶縁フィルム上に形成され、該導電膜が前記保護膜と対向するように配置されている請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜は蒸着又はメッキにより形成されている請求項2、請求項3、及び請求項6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜は表面積を増大させるために凹凸が設けられている請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記絶縁フィルム上には前記第1電極の外部配線の接続用端子を構成する第1の金属膜と、前記第2電極の外部配線の接続用端子を構成する第2の金属膜とが形成され、前記第1の金属膜は前記導電膜と連続するように形成されている請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜は前記保護膜上に蒸着により形成されている請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜はアルミニウムで形成されている請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記導電膜の外側に前記保護膜と同じ材質の絶縁膜が前記導電膜を覆うように形成されている請求項10又は請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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WO2008062645A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Panneau électroluminescent organique et élément de scellement |
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JP5741046B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
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KR20120119091A (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법 |
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