JP2003007474A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明電極と背面電極が短絡する虞がない有機
電界発光素子を提供する。 【解決手段】 有機電界発光素子は、積層体16を基板
15に積層したものである。積層体16は、第一電極1
8と、正孔注入層22と、正孔輸送層23と、発光層2
4と、電子輸送層25と、第二電極21とを有する。正
孔注入層22は第一電極18から正孔を取り込む働きを
有するアミン系有機物、正孔輸送層23は正孔を発光層
24へ送る働きを有するアミン系有機物、発光層24は
ホストにドーパントをドープしたもの、電子輸送層25
は第二電極21からの電子を発光層24へ送る働きを有
するアルキレート有機物からなる。正孔注入層22及び
正孔輸送層23は、第一電極18と発光層24の間に設
けられており、正孔注入層22及び正孔輸送層23の少
なくとも一方の厚さを70nm以上にする。
電界発光素子を提供する。 【解決手段】 有機電界発光素子は、積層体16を基板
15に積層したものである。積層体16は、第一電極1
8と、正孔注入層22と、正孔輸送層23と、発光層2
4と、電子輸送層25と、第二電極21とを有する。正
孔注入層22は第一電極18から正孔を取り込む働きを
有するアミン系有機物、正孔輸送層23は正孔を発光層
24へ送る働きを有するアミン系有機物、発光層24は
ホストにドーパントをドープしたもの、電子輸送層25
は第二電極21からの電子を発光層24へ送る働きを有
するアルキレート有機物からなる。正孔注入層22及び
正孔輸送層23は、第一電極18と発光層24の間に設
けられており、正孔注入層22及び正孔輸送層23の少
なくとも一方の厚さを70nm以上にする。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、第一電極,有機層
及び第二電極を基板に積層した有機電界発光素子に関す
るものである。 【0002】 【従来の技術】従来より、図7及び図8に示す有機電界
発光素子1がある。有機電界発光素子1は、ガラス基板
2に積層体3を蒸着で形成したものであり、この積層体
3は透明電極4,絶縁層5,有機層6,背面電極7を有
する。有機層6は正孔注入層8,正孔輸送層9,発光層
10及び電子輸送層11からなるものであり、透明電極
4と背面電極7に挟まれている。積層体3は封止ガラス
12に覆われており、この封止ガラス12はガラス基板
2に接着剤により接着されている。透明電極4は、陽極
端子部4aと陰極端子部4bとを有しており、陰極端子
部4bの一端が背面電極7に導通されるように形成され
ている。そして、電源13を陽極端子部4aと陰極端子
部4bに接続すれば発光層10が発光し、発光セグメン
トSが光輝する。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図9に
示すように、透明電極4に異物14が付着して、この異
物14の周囲で、透明電極4と背面電極7が短絡する虞
があった。つまり、有機層6を蒸着する前に、透明電極
4に異物14が付着することがあり、異物14の上から
有機層6を形成しようとすると、異物14の周囲には有
機層6が積層されず、異物14の周囲で背面電極4と背
面電極7が短絡し、発光しない微小な点(ダークスポッ
ト)になり、その有機電界発光素子1は不良品となる。
そのため、歩留りが低下するという問題を有していた。
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、透明電
極(第一電極)と背面電極(第二電極)が短絡する虞が
少ない有機電界発光素子を提供するものである。 【0004】 【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、少なくとも第一電極18と発光層24と第
二電極21とを有する積層体16を基板15に積層した
有機電界発光素子であって、前記第一電極18と前記発
光層24の間に、正孔注入層22及び正孔輸送層23の
少なくとも一方を設け、前記正孔注入層22及び前記正
孔輸送層23の少なくとも一方の厚さが70nm以上で
あるものである。 【0005】 【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基いて、本発
明の一実施形態を説明する。有機電界発光素子は、ガラ
ス基板15(基板),積層体16,封止ガラス17を有
している。積層体16は、ITO(Indium Tin Oxide)
からなる透明電極18(第一電極),ポリイミド系のレ
ジストからなる絶縁層19,有機層20,アルミリチウ
ム(Al:Li)等の金属からなる背面電極21(第二電
極)からなるものであり、ガラス基板15の後面に積層
形成されている。有機層20は、正孔注入層22,正孔
輸送層23,発光層24及び電子輸送層25からなるも
のである。 【0006】図4に示すように、透明電極18は、リー
ド部27と、リード部27の一端と連なる表示セグメン
ト部28と、リード部27の他端と連なる陽極端子部2
9と、陰極端子部30とを有している。表示セグメント
部28は日字形に配設されており、この表示セグメント
部28に各々リード部27が連設されている。リード部
27はガラス基板15の一辺側に引き回されており、陰
極端子部29が連設されている。陰極端子部29及び陽
極端子部30はガラス基板15の一辺側に列状に配置さ
れている。 【0007】透明電極18のリード部27及び表示セグ
メント部28は、絶縁層19により背面電極21と絶縁
されている。絶縁層19は、透明電極18の表示セグメ
ント部28の周縁部と若干重なるように形成されてお
り、発光セグメントSに対応する箇所及び各端子部2
9,30の近傍を除いて、ガラス基板15の略全範囲に
設けられている。絶縁層19には矩形の切欠き部33が
設けられており、この切欠き部33で陰極端子部30に
連設されたリード部27が背面電極21と導通される。 【0008】封止ガラス17には積層体16を覆う凹部
17aが形成されており、この凹部17aを除く封止ガ
ラス12の前面が接着面17bとなっている。34は紫
外線硬化型の接着剤であり、この接着剤34により封止
ガラス17の接着面17bがガラス基板15の後面に接
着される。 【0009】次に有機層20の各層22〜25について
詳述する。正孔注入層22は透明電極18から正孔を取
り込む働きを有するアミン系有機物である出光興産
(株)製「IDE403」若しくは「IDE406」、正孔輸送層2
3は前記正孔を発光層24へ送る働きを有するアミン系
有機物である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェ
ニル−アミノ]ビフェニル(NPD)、発光層24はホスト
となる4,4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)ビフェニ
ル(DPVBi)に青色ドーパントである出光興産(株)製
「IDE120」をドープしたもの、電子輸送層25は背面電
極21からの電子を発光層24へ送る働きを有するアル
キレート有機物であるトリキノリノレートアルミニウム
(Alq3)からなる。そして、正孔注入層22の膜厚は7
0nm、正孔輸送層23の膜厚は20nm、発光層24
の膜厚は30nm、電子輸送層25の膜厚は20nmに
なっている。 【0010】本実施形態のように、正孔注入層22の膜
厚を70nm以上にすることにより、透明電極18と背
面電極21が短絡する虞を低減できる。つまり、有機層
20を蒸着する前に、透明電極18に異物35が付着し
ても、異物35が正孔注入層22で覆われ、この正孔注
入層22の上に正孔輸送層23,発光層24及び電子輸
送層25が積層されるため(図5参照)、透明電極18
と背面電極21が短絡する虞を低減できる。従って、透
明電極18と背面電極21の短絡が原因で不良品となる
ことがなく、歩留りの向上が期待できる。なお、本願の
発明者の実験により、正孔注入層22の膜厚が厚いほど
短絡割合は小さくなるが、膜厚が70nm以上になると
短絡割合はほとんど変わらないことが分かった。図6
は、正孔注入層22の膜厚と、透明電極18と背面電極
21が短絡する割合の関係を示すグラフである。 【0011】なお、本実施形態は、正孔注入層22の膜
厚を70nmとしたものであるが、例えば正孔輸送層2
3を70nmとしても良く、本実施形態と同様な作用効
果を得ることができる。また、本実施形態は、セグメン
ト型の有機電界発光素子であったが、本発明は、多数の
画素を行列状に配設したマトリクス型の有機電界発光素
子にも適用できることは言うまでもない。 【0012】 【発明の効果】本発明は、少なくとも第一電極と発光層
と第二電極とを有する積層体を基板に積層した有機電界
発光素子であって、前記第一電極と前記発光層の間に、
正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方を設け、前
記正孔注入層及び前記正孔輸送層の少なくとも一方の厚
さが70nm以上であるものであり、第一電極と第二電
極が短絡する虞が少なく、歩留りの向上が期待できる。
及び第二電極を基板に積層した有機電界発光素子に関す
るものである。 【0002】 【従来の技術】従来より、図7及び図8に示す有機電界
発光素子1がある。有機電界発光素子1は、ガラス基板
2に積層体3を蒸着で形成したものであり、この積層体
3は透明電極4,絶縁層5,有機層6,背面電極7を有
する。有機層6は正孔注入層8,正孔輸送層9,発光層
10及び電子輸送層11からなるものであり、透明電極
4と背面電極7に挟まれている。積層体3は封止ガラス
12に覆われており、この封止ガラス12はガラス基板
2に接着剤により接着されている。透明電極4は、陽極
端子部4aと陰極端子部4bとを有しており、陰極端子
部4bの一端が背面電極7に導通されるように形成され
ている。そして、電源13を陽極端子部4aと陰極端子
部4bに接続すれば発光層10が発光し、発光セグメン
トSが光輝する。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図9に
示すように、透明電極4に異物14が付着して、この異
物14の周囲で、透明電極4と背面電極7が短絡する虞
があった。つまり、有機層6を蒸着する前に、透明電極
4に異物14が付着することがあり、異物14の上から
有機層6を形成しようとすると、異物14の周囲には有
機層6が積層されず、異物14の周囲で背面電極4と背
面電極7が短絡し、発光しない微小な点(ダークスポッ
ト)になり、その有機電界発光素子1は不良品となる。
そのため、歩留りが低下するという問題を有していた。
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、透明電
極(第一電極)と背面電極(第二電極)が短絡する虞が
少ない有機電界発光素子を提供するものである。 【0004】 【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、少なくとも第一電極18と発光層24と第
二電極21とを有する積層体16を基板15に積層した
有機電界発光素子であって、前記第一電極18と前記発
光層24の間に、正孔注入層22及び正孔輸送層23の
少なくとも一方を設け、前記正孔注入層22及び前記正
孔輸送層23の少なくとも一方の厚さが70nm以上で
あるものである。 【0005】 【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基いて、本発
明の一実施形態を説明する。有機電界発光素子は、ガラ
ス基板15(基板),積層体16,封止ガラス17を有
している。積層体16は、ITO(Indium Tin Oxide)
からなる透明電極18(第一電極),ポリイミド系のレ
ジストからなる絶縁層19,有機層20,アルミリチウ
ム(Al:Li)等の金属からなる背面電極21(第二電
極)からなるものであり、ガラス基板15の後面に積層
形成されている。有機層20は、正孔注入層22,正孔
輸送層23,発光層24及び電子輸送層25からなるも
のである。 【0006】図4に示すように、透明電極18は、リー
ド部27と、リード部27の一端と連なる表示セグメン
ト部28と、リード部27の他端と連なる陽極端子部2
9と、陰極端子部30とを有している。表示セグメント
部28は日字形に配設されており、この表示セグメント
部28に各々リード部27が連設されている。リード部
27はガラス基板15の一辺側に引き回されており、陰
極端子部29が連設されている。陰極端子部29及び陽
極端子部30はガラス基板15の一辺側に列状に配置さ
れている。 【0007】透明電極18のリード部27及び表示セグ
メント部28は、絶縁層19により背面電極21と絶縁
されている。絶縁層19は、透明電極18の表示セグメ
ント部28の周縁部と若干重なるように形成されてお
り、発光セグメントSに対応する箇所及び各端子部2
9,30の近傍を除いて、ガラス基板15の略全範囲に
設けられている。絶縁層19には矩形の切欠き部33が
設けられており、この切欠き部33で陰極端子部30に
連設されたリード部27が背面電極21と導通される。 【0008】封止ガラス17には積層体16を覆う凹部
17aが形成されており、この凹部17aを除く封止ガ
ラス12の前面が接着面17bとなっている。34は紫
外線硬化型の接着剤であり、この接着剤34により封止
ガラス17の接着面17bがガラス基板15の後面に接
着される。 【0009】次に有機層20の各層22〜25について
詳述する。正孔注入層22は透明電極18から正孔を取
り込む働きを有するアミン系有機物である出光興産
(株)製「IDE403」若しくは「IDE406」、正孔輸送層2
3は前記正孔を発光層24へ送る働きを有するアミン系
有機物である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェ
ニル−アミノ]ビフェニル(NPD)、発光層24はホスト
となる4,4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)ビフェニ
ル(DPVBi)に青色ドーパントである出光興産(株)製
「IDE120」をドープしたもの、電子輸送層25は背面電
極21からの電子を発光層24へ送る働きを有するアル
キレート有機物であるトリキノリノレートアルミニウム
(Alq3)からなる。そして、正孔注入層22の膜厚は7
0nm、正孔輸送層23の膜厚は20nm、発光層24
の膜厚は30nm、電子輸送層25の膜厚は20nmに
なっている。 【0010】本実施形態のように、正孔注入層22の膜
厚を70nm以上にすることにより、透明電極18と背
面電極21が短絡する虞を低減できる。つまり、有機層
20を蒸着する前に、透明電極18に異物35が付着し
ても、異物35が正孔注入層22で覆われ、この正孔注
入層22の上に正孔輸送層23,発光層24及び電子輸
送層25が積層されるため(図5参照)、透明電極18
と背面電極21が短絡する虞を低減できる。従って、透
明電極18と背面電極21の短絡が原因で不良品となる
ことがなく、歩留りの向上が期待できる。なお、本願の
発明者の実験により、正孔注入層22の膜厚が厚いほど
短絡割合は小さくなるが、膜厚が70nm以上になると
短絡割合はほとんど変わらないことが分かった。図6
は、正孔注入層22の膜厚と、透明電極18と背面電極
21が短絡する割合の関係を示すグラフである。 【0011】なお、本実施形態は、正孔注入層22の膜
厚を70nmとしたものであるが、例えば正孔輸送層2
3を70nmとしても良く、本実施形態と同様な作用効
果を得ることができる。また、本実施形態は、セグメン
ト型の有機電界発光素子であったが、本発明は、多数の
画素を行列状に配設したマトリクス型の有機電界発光素
子にも適用できることは言うまでもない。 【0012】 【発明の効果】本発明は、少なくとも第一電極と発光層
と第二電極とを有する積層体を基板に積層した有機電界
発光素子であって、前記第一電極と前記発光層の間に、
正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方を設け、前
記正孔注入層及び前記正孔輸送層の少なくとも一方の厚
さが70nm以上であるものであり、第一電極と第二電
極が短絡する虞が少なく、歩留りの向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態を示す要部拡大断面図。
【図2】 同上実施形態を示す断面図。
【図3】 同上実施形態を示す正面図。
【図4】 同上実施形態を示す分解斜視図。
【図5】 同上実施形態を示す要部拡大断面図。
【図6】 正孔注入層膜厚と短絡割合の関係を示す線
図。 【図7】 従来例を示す断面図。 【図8】 同上従来例を示す要部拡大断面図。 【図9】 同上従来例を示す要部拡大断面図。 【符号の説明】 15 ガラス基板(基板) 16 積層体 18 透明電極(第一電極) 21 背面電極(第二電極) 22 正孔注入層 23 正孔輸送層 24 発光層
図。 【図7】 従来例を示す断面図。 【図8】 同上従来例を示す要部拡大断面図。 【図9】 同上従来例を示す要部拡大断面図。 【符号の説明】 15 ガラス基板(基板) 16 積層体 18 透明電極(第一電極) 21 背面電極(第二電極) 22 正孔注入層 23 正孔輸送層 24 発光層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 少なくとも第一電極と発光層と第二電極
とを有する積層体を基板に積層した有機電界発光素子で
あって、前記第一電極と前記発光層の間に、正孔注入層
及び正孔輸送層の少なくとも一方を設け、前記正孔注入
層及び前記正孔輸送層の少なくとも一方の厚さが70n
m以上であることを特徴とする有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001185565A JP2003007474A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001185565A JP2003007474A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003007474A true JP2003007474A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19025124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001185565A Abandoned JP2003007474A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003007474A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327373A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi | 光色純度調整可能な有機elフルカラーパネル及びその製造方法 |
JP2005129519A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US8138667B2 (en) | 2003-10-03 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having metal oxide layer and color filter |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001185565A patent/JP2003007474A/ja not_active Abandoned
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327373A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi | 光色純度調整可能な有機elフルカラーパネル及びその製造方法 |
JP2005129519A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP4731865B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8138667B2 (en) | 2003-10-03 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having metal oxide layer and color filter |
US9070894B2 (en) | 2003-10-03 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9564561B2 (en) | 2003-10-03 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US10192946B2 (en) | 2003-10-03 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US10490618B2 (en) | 2003-10-03 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
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