JP4755002B2 - 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材 - Google Patents

Description

本発明は、光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材に関するものである。

光デバイスは、例えば携帯電話、車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリックス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種デバイスに採用されている。この光デバイスは、一般的に複数の画素により形成されており、各画素に対して表示駆動や非表示駆動を行うことにより所望の情報を表示する。この光デバイスを形成する画素に、自発光素子を採用したものが知られている。自発光素子は、低電力且つバックライトが不要であるという利点を有し、この自発光素子を複数個ドットマトリックス状に配置した光パネルや、アイコン部（固定表示部）を形成した表示部、平面状や球面状等の照明器具などの光デバイスにも採用されており、その光デバイスの大きさも小型用から大型スクリーンなど様々なものが知られている。

自発光素子の代表的なものとしては、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、ＦＥＤ（Field Emission Display）素子、発光ダイオード、等が知られている。有機ＥＬ素子は、例えば有機ＥＬ（ＯＥＬ：Organic electroluminescence）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic light emitting diode）デバイス、自発光素子、電場発光光源とも呼ばれている。一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極に相当する）と、カソード（陰極、電子注入層に相当する）との間に有機層（発光層）を挟み込んだ構造を有する。一般的に有機層は、複数の機能層が積層した構造を有し、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、および電子注入層等が順に積層された構造を有する。この各層は、単一の有機材料からなる単層、複数の材料を混ぜ合わせた混合層、高分子バインダの中に有機材料や無機材料の機能材料（電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等）を分散させた層、等を採用することができる。また各層に、上部電極をスパッタ法により形成する際に有機層がダメージを受けないようにバッファ機能を設けたものや、成膜プロセスによる凹凸を防ぐために平坦化機能を設けた有機ＥＬ素子も知られている。

上記構成の有機ＥＬ素子では、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入および輸送された正孔と、カソードから有機層内に注入および輸送された電子とが有機層内で再結合し、この再結合により有機層内の有機分子の電子状態が基底状態から励起状態に遷移し、励起状態から基底状態に遷移する際に発光する。

ところで、有機ＥＬパネルは、有機層が外気に曝されると特性が劣化することが知られている。これは例えば有機層と電極との界面に水分が浸入することにより電子や正孔等のキャリアの注入が妨げられ、未発光領域（ダークスポット）の発生、電極の腐食といった現象によるものである。このために有機ＥＬ素子の安定性及び耐久性を高めるためには、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止技術が不可欠となっている。この封止技術に関しては、電極および有機層が形成された基板上に気密に封止缶を配置して封止を行う方法や、電極および有機層を覆う封止部材を樹脂材料からなる接着剤を介して封止する、いわゆる固体封止が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２−２１６９５８号公報

固体封止としては、接着材料を素子基板の貼合面に塗布したのち、その素子基板に封止ガラスを貼り合わせる方法や、シート状の樹脂層をナイフ等で切り分けて、その切り分けた樹脂層を介して、封止基板と素子基板上に形成された自発光部とを貼り合わせる方法、等が知られている。

しかし、シート状の樹脂層をナイフ等で切り分ける方法では、きれいな切断面が形成されずに切断面に凹凸が生じる、高精度に所定形状に切断面を形成することが困難である、素子基板上の貼り合わせ領域以外の領域に、例えば素子基板上に形成された引出し配線上に樹脂層が付着する、等の問題点がある。例えば引出し配線上に樹脂層が付着すると、フレキシブル基板（配線基板）や駆動用ＩＣチップを実装する際に、電気的な接続不良が生じる虞がある。また電気的な接続不良により表示パネルが表示不良を起こす虞がある。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、樹脂層と封止基板が貼り合わされた封止部材の切断面の凹凸が少ない封止部材を形成すること、パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に樹脂層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、等が本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。

請求項１に記載の発明は、樹脂層と封止基板とが貼り合わされてなる光デバイス用の封止部材の製造方法であって、前記封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成する工程と、前記分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を前記分断線又は当該分断線近傍を押圧して該分断線に沿って折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断する工程とを有することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、光デバイスの製造方法であって、上記封止部材の製造方法により作製された封止部材により、素子基板上に形成された一つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を固体封止して光デバイスを作製することを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、基板上に形成された１つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止部材にて封止してなる光デバイスであって、前記封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成し、当該分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を前記分断線又は当該分断線近傍を押圧して該分断線に沿って折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断し、当該封止部材により、素子基板上に形成された一つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止してなることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、基板上に形成された１つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止部材にて封止する光デバイス用封止部材であって、前記封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成し、当該分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を前記分断線又は当該分断線近傍を押圧して該分断線に沿って折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断してなることを特徴とする。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係る光デバイスの封止部材の製造方法は、樹脂層と封止基板とが貼り合わされてなる光デバイス用の封止部材の製造方法であって、前記封止基板に所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成する工程と、前記分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断する工程とを有する。

上記封止部材の製造方法では、封止基板と樹脂層が貼り合わされてなる封止部材に、例えば押圧手段により押圧することで、封止基板に形成された分断線に沿って折曲して、分断線に沿って封止部材を分断するので、例えば樹脂層をカッター等で切断する場合と比べて、樹脂層と封止基板が貼り合わされた封止部材の切断面の凹凸が少ない封止部材を作製することができる。

以下図面を参照しながら、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法を詳細に説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る光デバイスを説明するための図である。図１（ａ）は本発明の第１実施形態に係る光デバイスの断面図であり、図１（ｂ）は本発明の第１実施形態に係る光デバイスの封止基板配置側からの平面図である。

本発明の第１実施形態に係る光デバイス１は、図１（ｂ）に示すように、基板（素子基板、パネル基板、支持基板ともいう）２上に自発光部１０１が形成されている。自発光部１０１には、例えば一つ又は複数個の自発光素子１００がマトリクス状に形成されている。また基板２上には引出し配線７が形成されている。引出し配線７は、フレキシブル基板（配線基板）９０と圧着して電気的に接続される。配線基板９０は駆動回路などの外部回路９６と電気的に接続される。封止部材８０は、封止基板８１、樹脂層（接着層）８２を有する。封止基板８１は、樹脂層８２を介して自発光部１０１を固体封止する。

以下、各構成要素を詳細に説明する。

自発光素子１００としての有機ＥＬ素子は、正孔注入電極と、電子注入電極との間に成膜層が形成され、正孔注入電極からの正孔と電子注入電極からの電子が成膜層にてホッピング移動し、電子と正孔の再結合により電子状態が励起した後、基底状態にエネルギー遷移する際に発光する。本実施形態に係る自発光素子１００は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、例えば第１電極（下部電極）３、絶縁膜４、成膜層５、および第２電極（上部電極）６を有する。

下部電極３は、基板２上に形成される。下部電極３は、例えば基板２上に成膜および所定形状にパターニングすることにより形成される。パッシブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、下部電極３は、図１（ａ）に示すように、複数のライン状の電極をパターニングして形成される。またアクティブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）や層間絶縁層が形成された、いわゆるアクティブ基板上に画素毎に下部電極３を形成する。下部電極３は、ボトムエミッションタイプの光デバイスを採用する場合には、基板２側より光を出射するので、透明性を有する材料により形成する。下部電極３の形成材料は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を採用し、その他にもＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）や金属電極、導電酸化物、等の各種導電材料を採用することができる。

絶縁膜４は、例えば光デバイスが情報表示のために、ドットマトリクス状に有機ＥＬ素子を形成する場合には画素１０を区画形成する。例えば絶縁膜４は、先にパターニングした下部電極３の上部の一部を開口し、開口部１１の周辺部から隣り合う開口部１１まで覆う形状に形成されている。絶縁膜４の形成材料としては、例えばポリイミドやエポキシ、光受光性樹脂、等の各種材料が挙げられる。また必要に応じて絶縁膜４上に逆台形状の隔壁４１を下部電極３と直交方向に沿って形成することで、マスクパターンを用いずに、ストライプ状の成膜層５又は上部電極６を形成することができる。

成膜層５は、下部電極３上に形成され、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機ＥＬ発光層、電子輸送層、電子注入層、等の各種機能層が薄膜状に成膜されて形成されている。成膜層５の成膜プロセスは、例えば低分子有機材料を蒸着してもよく、高分子有機材料を印刷、化学蒸着、レーザ転写法、等の各種成膜方法にて薄膜形成してもよい。成膜層５の各層は、単一の有機材料で形成されてもよく、複数の材料を混ぜ合わせたもの（混合層）、高分子バインダーの中に有機材料や無機材料の機能材料（例えば電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等を備える材料）を分散させたものでもよい。

第２電極６は、成膜層５上に形成されている。例えばパッシブ型有機ＥＬ素子を採用した場合には、第２電極６は、下部電極３と直交する方向に沿って複数のストライプ電極をパターニングして形成される。アクティブ駆動型有機ＥＬ素子を採用した場合には、第２電極６は、例えば複数の画素部上に共通に成膜される。下部電極３を正孔注入電極とした場合には、第２電極６は、電子注入機能を有する材料を採用する。電子機能を有する材料は、例えばアルミニウム、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）合金、等を採用することができる。例えば第２電極６の形成材料として、アルミニウムを採用した場合には、成膜層５と第２電極６との間に、リチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属化合物を含む層又は領域を形成することが好ましい。

封止基板８１は、自発光部１０１を樹脂層８２を介して封止する。また封止基板８１は、自発光部１０１を封止する材料、例えば外気を遮断できる低透湿性材料等からなり、ガラス等のセラミックや、アルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ：Stainless Used Steel）等の金属材料や、プラスチック等の各種材料を採用することができる。また封止基板８１は、自発光部１０１と略同じ形状に形成されていること、詳細には略矩形状に形成されていることなどが好ましいが、これらに限定されることはない。

樹脂層８２は、自発光部１０１と封止基板８１間に配置されている。樹脂層８２は接着層として機能する。樹脂層８２の形成材料としては、例えばエポキシ系樹脂等の各種接着材料を採用することができる。

［光デバイス１の製造方法］
本実施形態に係る光デバイス用の封止部材の製造方法は、封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成する工程と、分断線が形成された封止基板、および当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を折曲して、前記封止部材を分断する工程とを有する。

以下、図面を参照しながら光デバイス１の製造方法を説明する。

図２は、本発明の第１実施形態に係る光デバイス用の封止部材の製造方法を説明するための図である。図２（ａ）は、封止部材の樹脂層に分断線を形成する工程を説明するための斜視図である。図２（ｂ）は、封止部材の封止基板を説明するための斜視図である。図２（ｃ）は封止基板に樹脂層が貼り合わされた封止部材を説明するための図である。図２（ｄ）は、図２（ｃ）に示した封止部材を分断する工程を説明するための図である。図２（ｅ）は分断後の封止部材を説明するための図である。

［分断線形成工程（Ｓ１）］
先ず、平板状の封止基板８１を用意する。封止基板８１の形成材料としては、例えば気密性を確保できる材料であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス材、ステンレス、アルミニウム等の金属材、プラスチック等を挙げることができる。本実施形態では封止基板８１としてガラス基板を採用する。

次に図２（ａ）に示すように、封止基板８１に分断線８１１を形成する。この分断線８１１は例えば図２（ａ）に示すように、所定の厚みを残して凹形状に形成する。また分断線８１１は、封止基板８１を分断した後に、素子基板（パネル基板）上に形成される自発光部に対応する形状、例えば格子状に形成する。

この分断線８１１は分断線形成装置３００により形成する。分断線形成装置３００としては、例えば図２（ａ）に示すように、ダイヤモンドカッター、レーザー光、円形状回転カッター、ダイシングソー（高速回転するスピンドルの先端に取り付けられた薄板状外周刃により被加工物に切溝を加工する装置）、ナイフ、等を採用することができる。

また本実施形態では、封止基板８１の樹脂層貼合面８１Ａの反対面８１Ｂ側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線８１１を形成する。後述するように、樹脂層貼合面８１Ａの反対面８１Ｂに分断線８１１を形成することで、樹脂層貼合面８１Ａに分断線を形成するよりも、高精度に樹脂層８２を分断することができる。

次に図２（ｂ）に示すように、シート状の樹脂層８２を用意する。樹脂層８２はエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料を採用することができる。この樹脂層８２を、図２（ｃ）に示すように、封止基板８１の樹脂層貼合面８１Ａに貼り合わせる。

上述した実施形態では封止基板８１に分断線８１１を形成した後、その封止基板８１に樹脂層８２を貼り合わせたが、この形態に限られるものではない。平板状の封止基板８１に樹脂層８２を貼り合わせた状態で、封止基板８１に分断線８１１を形成してもよい。

また、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、樹脂層８２の基板貼合面の反対面に剥離シート８３が備えられていてもよい。この剥離シート８３の表面は、樹脂層８２に対する接着力が比較的小さい特性を有する。例えばシート状の剥離シート８３が両面に形成されたシート状の接着部材を用意した場合には、一方の剥離シート８３を剥がして、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、樹脂層８２の基板貼合面を封止基板８１に貼り合わせ、基板貼合面の反対面に剥離シート８３を配置する。

［分断工程（Ｓ２）］
次に、図２（ｄ）に示すように、分断線８１１が形成された封止基板８１、および当該封止基板８１に貼り合わされた樹脂層８２を折曲して封止部材８０を分断する。

詳細には、先ず図２（ｄ）に示すように、基台２００上に分断線８１１が形成された封止基板８１、および当該封止基板８１に貼り合わされた樹脂層８２を配置する。次にローラーや加圧装置等の押圧装置（押圧手段）２１０により、分断線８１１又は分断線８１１近傍を押圧して、分断線８１１に沿って折曲して図２（ｅ）に示すように、分断線８１１に沿って封止部材８０を分断する。上記製造方法により光デバイス１の封止部材８０が作製される。この際、図２（ｄ）に示すように、凹面部２００Ａや凸面部が形成された基台２００に、封止基板８１、樹脂層８２、および剥離シート８３を配置した状態で、押圧装置２１０により押圧することで、封止部材８０を分断線８１１に沿って容易に分断することができる。

上記実施形態では、剥離シート８３が樹脂層８２に貼り合わされていたが、この形態に限られるものではない。剥離シート８３はなくてもよい。上記実施形態では、封止基板と樹脂層とが別々の状態で、封止基板に分断線を形成したが、この形態に限られるものではない。例えば、樹脂層と封止基板とが貼り合わされた状態で、分断線を形成してもよい。

次に、図１（ａ），（ｂ）に示すように、基板２上に形成された自発光部１０１上に、樹脂層８２を介して封止基板８１を貼り合わせて、自発光部１０１を封止する。そして引出し配線７上にフレキシブル基板（配線基板）９０や外部回路９６を実装する。勿論、外部回路９６は、基板２上に直接形成するものでもフレキシブル基板９０上に直接形成するものでもよい。上記製造方法により、光デバイス１が作製される。

以下、本実施形態に係る光デバイス１の自発光部形成工程を説明する。
例えば図１（ａ），（ｂ）に示すように、先ずガラス等のパネル基板２上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極の形成材料を、スパッタ成膜法などの各種成膜方法により成膜してストライプ状に下部電極３（３ａ）を形成する。下部電極３上に絶縁膜４により区画された開口部１１を形成して、その開口部１１が一画素として機能する。また絶縁膜４上に隔壁４１を形成してもよい。この隔壁４１は、例えば逆テーパ形状やオーバーハング部を備えた形状に形成されていることが好ましい。この隔壁４１を形成することにより、成膜層５や上部電極６を成膜用マスクを利用せずにパターニングすることができる。次に下部電極３電極上の開口部１１内に、抵抗加熱蒸着法など各種製造方法により有機材料を成膜することで成膜層５を形成する。成膜方法の一具体例として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層が順次積層された５層構造を形成してもよい。次に、成膜層５の上部に、下部電極３と直交する方向に沿って上部電極６（６ａ）を成膜およびパターニングする。上部電極６の端部６ａ，下部電極３の端部３ａは、引出し配線７に対応する。上記製造方法により、基板２上に複数の自発光素子１００がマトリクス状に形成された自発光部１０１を作製することができる。

上記自発光部１０１の形成工程と封止部材形成工程との順番は、どちらを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。

以上説明したように、本実施形態に係る封止基板８１と樹脂層８２とが貼り合わされてなる光デバイス１用の封止部材８０の製造方法は、封止基板８１の樹脂層貼合面８１Ａの反対面８１Ｂ側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線８１１を形成する工程（Ｓ１）と、分断線８１１が形成された封止基板８１と共に、当該封止基板８１に貼り合わされた樹脂層８２を折曲して、分断線８１１に沿って封止部材８０を分断する工程（Ｓ２）とを有するので、樹脂層８２と封止基板８１が貼り合わされた封止部材８０の切断面の凹凸を低減することができる。

また基板２上に形成された自発光部１０１を簡単な工程により高精度に封止することができる。また、引出し配線７上に樹脂層８２が付着することが低減するので、引出し配線７上にフレキシブル基板（配線基板）や外部回路を実装した場合に電気的な接続不良を低減することができる。また光デバイス１の表示不良を低減することができる。

［第２実施形態］
図３は、本発明の第２実施形態に係る光デバイスの製造方法の分断工程を説明するための図である。第１実施形態と同様な構成、機能、効果等については説明を省略する。

本実施形態に係る封止部材分断工程（Ｓ２）では、図３（ａ）に示すように、分断線８１１が形成された封止基板８１、および当該封止基板８１に貼り合わされた樹脂層８２を治具２０１，２０２により狭持して、加圧装置等の押圧装置（押圧手段）２１０により、分断線８１１近傍を押圧して、分断線８１１に沿って折曲して図３（ｂ）に示すように、封止部材８０を分断する。上記製造方法により複数の封止部材８０が作製される。この際、治具２０１および治具２０２の端部が、封止基板８１に形成された分断線８１１に位置するように、治具２０１，２０２間に封止部材８０を固定する。上記固定された状態で押圧装置２１０により、封止部材８０を加圧することにより、容易に封止部材８０を分断することができる。

また封止部材８０を分断する工程は、上述した第１実施形態及び第２実施形態に限られるものではない。封止部材８０を分断することができればよく、各種分断方法を採用することができる。

［第３実施形態］
図４は、本発明の第３実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図４（ａ）は、レーザ光照射による分断線形成工程を説明するためのであり、図４（ｂ）は分断線が形成された封止基板と封止基板とが貼り合わされた封止部材を説明するための図である。第１実施形態と同様な構成、機能、効果等については、説明を省略する。

本実施形態に係る封止部材の製造方法では、分断線形成工程Ｓ１において、図４（ａ）に示すように、分断線形成装置としてレーザ光発生装置３００ｂにより、封止基板８１に分断線８１１を形成する。詳細にはレーザ光照射により、封止基板８１の表面に応力を発生して、封止基板８１上に分断線８１１を形成する。その後、図４（ｂ）に示すように、シート状の樹脂層８２を、封止基板８１の樹脂層貼合面８１Ａに貼り合わせる。次の分断工程（Ｓ２）については第１実施形態と同様なので説明を省略する。

以上説明したように、本実施形態では、分断線形成工程Ｓ１においてレーザ光発生装置３００ｂにより、封止基板８１に分断線８１１を形成したので、例えば第１実施形態と比べて、封止基板８１の削りかすが発生しないので、その削りかすを除去する装置を設ける必要がなく、簡単に封止基板８１上に分断線８１１を形成することができる。またレーザ光の強度を制御することで溝部の深さを容易に調整可能である。

［比較］
本願発明者は、本発明の一実施形態に係る光デバイス用の封止部材の製造方法の効果を確認するために、本発明に係る封止部材の製造方法と、比較対象の従来の封止部材の製造方法により封止部材を作製して、切断面の比較を行った。以下図面を参照しながら説明する。

図５は本発明の一実施形態に係る封止部材の製造方法の効果を説明するための図である。図５（ａ）は、従来の光デバイス用の封止部材の製造方法により作製された封止部材の分断部近傍の拡大図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示した封止部材の分断部近傍を拡大した断面図である。図５（ｃ）は本発明の一実施形態に係る光デバイス用の封止部材の製造方法により作製された封止部材の分断部近傍の拡大図であり、図５（ｄ）は図５（ｃ）に示した封止部材の分断部近傍を拡大した断面図である。

封止基板８１ｊと樹脂層８２ｊとが貼り合わされた封止基板８０ｊをナイフで切断する従来の製造方法により作製された封止部材８０ｊでは、図５（ａ），（ｂ）に示すように、切断部８１０ｊに多くの凹凸が形成されて粗面部が形成された。つまりきれいな切断面が得られない。

一方、本発明に係る光デバイス用の封止部材の製造方法により作製された封止部材８０では、図５（ｃ），（ｄ）に示すように、切断部８１０の凹凸が低減して、粗面部が形成されることなく、きれいな切断面が得られた。

また上記高精度に分断された封止部材８０を、素子基板上に形成された自発光部１０１に貼り合わせることで、高精度に自発光部１０１を封止することができる。

また高精度に分断された封止部材８０により封止を行うので、引出し配線７上に樹脂層８２が付着することが低減して、引出し配線７上にフレキシブル基板（配線基板）や外部回路を実装した場合に電気的な接続不良を低減することができる。また光デバイス１の表示不良を低減することができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。上述した実施形態や具体例を組み合わせてもよい。

また上述した実施形態では光デバイスとしてパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスおよびその製造方法を、アクティブマトリクス型有機ＥＬパネルに適用してもよい。

一般的なアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルは、基板２上に自発光素子１００の駆動用トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２１や電力供給線，データ線，走査線等の配線が形成され、その上に平坦化膜，絶縁層等が形成され、その上にマトリクス状に自発光素子が形成されている。

また、本発明に係る光デバイス１を実現することができれば、上記実施形態に限定されるものではない。

また上記実施形態では、ボトムエミッションタイプの光デバイス１説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを基板２とは反対側から光を取り出すトップエミッションタイプの光デバイスに適用してもよい。さらに、基板側および基板と反対側の両側から光を取り出すタイプの光デバイスに適用してもよい。このトップエミッションタイプのパッシブマトリクス型光デバイスは、例えば、各実施形態に係る各層を逆に積層した構造を有する。

また上述したように、本発明の実施形態に係る光デバイス１の製造方法により形成される光デバイス１について、本発明をなんら限定しない細部を以下に説明する。

まず、有機ＥＬ素子について説明すると、一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機ＥＬ機能層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された電子がこの層内（発光層）で再結合することで発光を得るものである。基板上に、下部電極，有機ＥＬ機能層からなる成膜層，上部電極を積層した有機ＥＬ素子の具体的構成および材料例を示すと以下の通りである。

基板については、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチックを用いることができる。

下部又は上部電極ついては、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数が高い材料で構成されるのがよく、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜，或いはＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等による透明導電膜が用いられる。そして、陰極は仕事関数の低い金属で構成されるのがよく、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ），アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ），希土類といった仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極、上部電極ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。

また下部電極又は上部電極から封止領域に外側に引き出される引出電極は、有機ＥＬパネルとそれを駆動するＩＣ（集積回路），ドライバ等の駆動手段とを接続するために設けられる配線電極であって、好ましくはＡｇ，Ｃｒ，Ａｌ等などの低抵抗金属材料やそれらの合金を用いるのがよい。

一般に、下部電極と引出電極の形成は、ＩＴＯ，ＩＺＯ等によって下部電極及び引出電極のための薄膜を蒸着或いはスパッタリング等の方法で形成し、フォトリソグラフィ法などによってパターン形成がなされる。下部電極と引出電極（特に低抵抗化の必要な引出電極）に関しては、前述のＩＴＯ，ＩＺＯ等の下地層にＡｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の低抵抗金属もしくはその合金を積層した２層構造にしたもの、或いはＡｇ等の保護層としてＣｕ，Ｃｒ，Ｔａ等の耐酸化性の高い材料を更に積層した３層構造にしたものを採用することができる。

下部電極と上部電極との間に成膜される有機ＥＬ機能層としては、下部電極を陽極，上部電極を陰極とした場合には、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造が一般的であるが（下部電極を陰極、上部電極を陽極とした場合にはその逆の積層順となる）、発光層、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また有機ＥＬ機能層としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入することができる。

有機ＥＬ機能層の材料は、有機ＥＬ素子の用途に合わせて適宜選択可能である。以下に例を示すがこれらに限定されるものではない。

正孔輸送層としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベンゼン等のスチルベンゼン化合物、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料も使用できる。好ましくは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が封止用樹脂を加熱硬化させる温度より高い材料が好ましく、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェルミアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）が挙げられる。

発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ₃ ）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されていてもよい。

電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。

上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、本発明に係る成膜工程および加熱工程を同時又は交互に行う層を除いては、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、又は蒸着法、レーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。

また封止部材としては、気密性を確保できる材料であればよく、特に限定されるものではないが、接着剤を加熱硬化させる都合上、熱膨張や経時的変化の少ない材料を用いることが好ましく、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス材、ステンレス、アルミニウム等の金属材、プラスチック等を採用することができる。また封止部材としては、ガラス製の封止基板にプレス成形、エッチング、ブラスト処理等の加工によって封止凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したもの、または平板ガラスを使用し、ガラス（プラスチックでもよい）製のスペーサにより基板と封止領域を形成したもの、封止部材と基板間の気密空間を樹脂等で充填したものなども採用することができる。

また封止材料（接着剤）としては、熱硬化型、化学硬化型（二液混合）、光（紫外線）硬化型等を用いることができ、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いる。特に、紫外線硬化型や熱硬化型のエポキシ樹脂製の使用が好ましい。

乾燥部材は、ゼオライト、シリカゲル、カーボン、カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物、金属ハロゲン化合物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶剤に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。

また上記実施形態では光デバイスとして有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを、発光ダイオード等の自発光素子を備える光デバイスに適用してもよい。また本発明に係る光デバイスを、携帯電話や車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリクス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種光デバイス等に適用してもよい。

以上説明したように、本発明に係る封止基板８１と樹脂層８２とが貼り合わされてなる光デバイス１用の封止部材８０の製造方法は、封止基板８１の樹脂層貼合面８１Ａの反対面８１Ｂ側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線８１１を形成する工程（Ｓ１）と、分断線８１１が形成された封止基板８１と共に、当該封止基板８１に貼り合わされた樹脂層８２を折曲して、分断線８１１に沿って封止部材８０を分断する工程（Ｓ２）とを有するので、樹脂層８２と封止基板８１が貼り合わされた封止部材８０の切断面の凹凸を低減することができる。つまりきれいな切断面が形成された封止部材８０を作製することができる。

また基板２上に形成された自発光部１０１を簡単な工程により高精度に封止することができる。また、引出し配線７上に樹脂層８２が付着することが低減するので、引出し配線７上にフレキシブル基板（配線基板）や外部回路を実装した場合に電気的な接続不良を低減することができる。また光デバイス１の表示不良を低減することができる。

本発明の第１実施形態に係る光デバイスを説明するための図である。（ａ）は本発明の第１実施形態に係る光デバイスの断面図であり、（ｂ）は本発明の第１実施形態に係る光デバイスの封止基板配置側からの平面図である。 本発明の第１実施形態に係る光デバイス用の封止部材の製造方法を説明するための図である。（ａ）は封止部材の樹脂層に分断線を形成する工程を説明するための斜視図であり、（ｂ）は封止部材の封止基板を説明するための斜視図であり、（ｃ）は封止基板に樹脂層が貼り合わされた封止部材を説明するための図であり、（ｄ）は（ｃ）に示した封止部材を分断する工程を説明するための図であり、（ｅ）は分断後の封止部材を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る光デバイスの製造方法の分断工程を説明するための図である。（ａ）は分断前の封止部材を説明するための断面図であり、（ｂ）は分断後の封止部材を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。（ａ）は、レーザ光照射による分断線形成工程を説明するためのであり、（ｂ）は分断線が形成された封止基板と封止基板とが貼り合わされた封止部材を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る封止部材の製造方法の効果を説明するための図である。（ａ）は従来の光デバイス用の封止部材の製造方法により作製された封止部材の分断部近傍の拡大図であり、（ｂ）は（ａ）に示した封止部材の分断部近傍を拡大した断面図であり、（ｃ）は本発明の一実施形態に係る光デバイス用の封止部材の製造方法により作製された封止部材の分断部近傍の拡大図であり、（ｄ）は（ｃ）に示した封止部材の分断部近傍を拡大した断面図である。

符号の説明

１ 光デバイス（有機ＥＬパネル）
２ 基板
３ 第１電極（下部電極）
３ａ 第１電極用引出配線
４ 絶縁膜（区画層）
５ 成膜層（発光層）
６ 第２電極（上部電極）
７ 引出し配線
１０ 画素
１１ 開口部
４１ 隔壁
８０ 封止部材
８１ 封止基板
８２ 樹脂層
８３ 剥離シート
９０ 配線基板（フレキシブル基板）
９６ 外部回路
１００ 自発光素子（有機ＥＬ素子）
１０１ 自発光部
３００ 分断線形成装置

Claims (4)

1. 樹脂層と封止基板とが貼り合わされてなる光デバイス用の封止部材の製造方法であって、
   前記封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成する工程と、
   前記分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を前記分断線又は当該分断線近傍を押圧して該分断線に沿って折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断する工程と
   を有することを特徴とする光デバイス用の封止部材の製造方法。
2. 請求項１に記載された光デバイス用の封止部材の製造方法により作製された封止部材により、素子基板上に形成された一つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止して光デバイスを作製することを特徴とする光デバイスの製造方法。
3. 基板上に形成された１つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止部材にて封止してなる光デバイスであって、
   前記封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成し、当該分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を前記分断線又は当該分断線近傍を押圧して該分断線に沿って折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断し、当該封止部材により、素子基板上に形成された一つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止してなることを特徴とする光デバイス。
4. 基板上に形成された１つ又は複数の自発光素子を備える自発光部を封止部材にて封止する光デバイス用封止部材であって、
   前記封止基板の樹脂層貼合面の反対面側に、所定の厚みを残して凹形状の分断線を形成し、当該分断線が形成された封止基板と共に、当該封止基板に貼り合わされた前記樹脂層を前記分断線又は当該分断線近傍を押圧して該分断線に沿って折曲して、前記分断線に沿って前記封止部材を分断してなることを特徴とする光デバイス用封止部材。

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