JP4902726B2 - 逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 - Google Patents

逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4902726B2
JP4902726B2 JP2009284940A JP2009284940A JP4902726B2 JP 4902726 B2 JP4902726 B2 JP 4902726B2 JP 2009284940 A JP2009284940 A JP 2009284940A JP 2009284940 A JP2009284940 A JP 2009284940A JP 4902726 B2 JP4902726 B2 JP 4902726B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal substrate
light emitting
layer
organic light
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009284940A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010199554A (ja
Inventor
ヨンチョル・キム
ジュンソク・ユ
Original Assignee
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド filed Critical エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Publication of JP2010199554A publication Critical patent/JP2010199554A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4902726B2 publication Critical patent/JP4902726B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、有機発光ダイオード表示装置に関し、特に金属基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する製造工程を減らすことができる逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｉｎｖｅｒｔｅｄ ＯＬＥＤ ｄｅｖｉｃｅ）及びその製造方法に関する。
有機発光ダイオード表示装置は、自己発光型であり、液晶表示装置のようなバックライトを必要としないので、軽量薄型が可能であるだけではなく、単純な工程を経て製造することができる。また、有機発光ダイオード表示装置は、低電圧駆動、高い発光効率、広い視野角を有することにより、次世代ディスプレーとして急成長している。
有機発光ダイオード表示装置は、基板上に配置された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと電気的に接続されて光を発生する有機発光ダイオード素子及び有機発光ダイオード素子を覆う封止基板を含む。ここで、有機発光ダイオード表示装置は、光が放出される方向によって、ボトムエミッション（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｏｎ）型及びトップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｔｔｉｏｎ）型に区分することができる。
トップエミッション型の有機発光ダイオード表示装置は、封止基板を通じて光を放出するので、ボトムエミッション型の有機発光ダイオード表示装置に比べて大きい開口率を確保することができる。また、トップエミッション型の有機発光ダイオード表示装置は、開口率が駆動素子による影響を受けないので、多様に設計することができる。
しかしながら、トップエミッション型の有機発光ダイオード表示装置では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製作する工程において、最大１１枚のマスクが使用される。そのため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製作する工程が極めて複雑になり、製造工程の効率が減少するとともに、製造費用が増加するという問題がある。
また、トップエミッション型の有機発光ダイオード表示装置は、腐蝕性を有する導電物質を利用して各画素別にパターニングされたカソード電極と、カソード電極上に形成された有機発光層及びアノード電極とを有している。そのため、カソード電極は腐蝕されやすい。このようなカソード電極の腐蝕によって、トップエミッション型の有機発光ダイオード表示装置の信頼性が低下するという問題点もある。
本発明の目的は、信頼性の高い逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法を提供することである。
本発明の別の目的は、製造工程の簡素化された逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法を提供することである。
本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、金属基板上に配置されて光を生成する光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部と、前記金属基板上に形成され、前記金属基板の導電特性を絶縁する絶縁層と、前記光発生領域上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆って前記金属基板上に配置され、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層と、前記保護層上に形成され、前記コンタクトホールを通じて露出された前記薄膜トランジスタの一部と接触される第１及び第２導電パターンと、前記光発生領域上に形成されて前記第２導電パターンと電気的に接続されるカソード電極と、前記カソード電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に配置され、透明な導電金属で形成されたアノード電極と、前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホールの各々に、前記第２導電パターンと同一の物質で形成された電極パターンとを備え、前記第１導電パターンはＩＴＯで形成され、前記第２導電パターンはモリブデンで形成され、前記第１及び第２パッド部のそれぞれは、前記第１導電パターンと同一物質でなる第１上部電極及び前記第２導電パターンと同一物質でなる第２上部電極を含むことを特徴とする。
また、本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、金属基板上に配置されて光を生成する光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部と、前記金属基板上に形成され、前記金属基板の導電特性を絶縁する絶縁層と、前記光発生領域上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆って前記金属基板上に配置され、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層と、前記保護層上に形成され、前記コンタクトホールを通じて露出された薄膜トランジスタの一部と接触される導電パターンと、前記光発生領域上に形成されて前記導電パターンと電気的に接続される第１カソード電極と、前記第１カソード電極上に形成された第２カソード電極と、前記第２カソード電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に配置され、透明な導電金属で形成されたアノード電極と、前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホール各々に、前記導電パターンと同一の物質で形成された電極パターンとを備え、前記導電パターンは透明な金属材質であるＩＴＯで形成され、前記第１カソード電極はモリブデンで形成され、前記第２カソード電極はＡｌＮｄで形成されることを特徴とする。
また、本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部に区分された金属基板を準備する段階と、前記金属基板の導電特性を絶縁するために前記金属基板上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層が形成された金属基板の光発生領域上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタを覆って、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層を前記金属基板上に形成する段階と、前記コンタクトホールを通じて露出された前記薄膜トランジスタの一部と接触するように、前記保護層が形成された前記金属基板上に第１及び第２金属層を順次積層し、前記第１及び第２金属層をパターニングして第１及び第２導電パターンを形成する段階と、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び第２パッド部の一部が露出されるように、前記第１及び第２導電パターンが形成された前記金属基板上に平坦化層を形成する段階と、前記平坦化層が形成された前記金属基板上に、前記第２導電パターンと電気的に接続されるカソード電極を形成する段階と、前記カソード電極が形成された前記金属基板上に、バンク層を形成して前記カソード電極の一部と前記第１及び第２パッド部の一部とが露出されるように、前記バンク層をパターニングしてバンクパターンを形成する段階と、前記カソード電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に透明な導電金属でアノード電極を形成する段階とを含み、前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホールの各々には、前記第２導電パターンと同一の物質で電極パターンが形成され、前記第１導電パターンはモリブデンで形成され、前記第２導電パターンはＩＴＯで形成され、前記第１及び第２パッド部のそれぞれは、前記第１導電パターンの第１上部電極及び前記第２導電パターンの第２上部電極を含むことを特徴とする。
さらに、本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部に区分された金属基板を準備する段階と、前記金属基板の導電特性を絶縁するために前記金属基板上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層が形成された金属基板の光発生領域上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタを覆って、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層を前記金属基板上に形成する段階と、前記コンタクトホールを通じて露出された前記薄膜トランジスタの一部と接触するように、前記保護層が形成された前記金属基板上に導電金属層を積層し、前記導電金属層をパターニングして導電パターンを形成する段階と、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び第２パッド部の一部とが露出されるように、前記導電パターンが形成された前記金属基板上に平坦化層を形成する段階と、前記導電パターンと電気的に接続されるように、前記平坦化層が形成された前記金属基板上に第１及び第２金属層を順次積層し、前記第１及び第２金属層をパターニングして第１及び第２カソード電極を形成する段階と、前記第１及び第２カソード電極が形成された前記金属基板上に、バンク層を形成して前記第２カソード電極の一部と前記第１及び第２パッド部の一部とが露出されるように、前記バンク層をパターニングしてバンクパターンを形成する段階と、前記第２カソード電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に透明な導電金属でアノード電極を形成する段階とを含み、前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホールの各々には、前記導電パターンと同一の物質で電極パターンが形成され、前記第１カソード電極はモリブデンで形成され、前記第２カソード電極はＡｌＮｄで形成され、前記導電パターンは、透明な金属材質であるＩＴＯで形成されることを特徴とする。
本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、既存の有機発光ダイオード表示装置で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する製造工程の一部を活用して、金属基板上にトップエミッション構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することにより、従来の最大１１枚のマスク工程を８マスク工程に減らすことができ、製造工程を単純化させて製造費用を節減することができる。
本発明の実施の形態１に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置を概略的に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置を概略的に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。 図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置を概略的に示す断面図である。本発明の実施の形態１に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置では、第１電極がカソード電極であり、第２電極がアノード電極である逆構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ）について例を挙げて説明する。
図１に示されたように、本発明の実施の形態１に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、光発生領域と光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部とを含む基板１００を具備している。このとき、基板１００は、金属物質から形成される。第１パッド部は、ゲートパッド部を含み、第２パッド部は、データパッド部を含む。
光発生領域には、少なくとも一つの薄膜トランジスタ（ＴＲ）が形成されている。薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、ゲート電極１０２と、ゲート電極１０２を覆うゲート絶縁膜１１０と、ゲート電極１０２と対応してゲート絶縁膜１１０上に配置された半導体パターン１０４と、半導体パターン１０４上の一定領域に配置されたソース電極１０６及びドレーン電極１０８とを含む。ここで、半導体パターン１０４は、不純物がドーピングされた非晶質シリコンパターンからなる活性層１０４ａと、不純物がドーピングされた非晶質シリコンパターンからなるオーミックコンタクト層１０４ｂとを含む。オーミックコンタクト層１０４ｂは、活性層１０４ａとソース電極１０６との間、及び活性層１０４ａとドレーン電極１０８との間に各々配置される。
基板１００は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）を覆う保護層１２０を含む。保護層１２０は、無機絶縁物質から形成される。例えば、保護層１２０は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物から形成される。薄膜トランジスタ（ＴＲ）と対応した保護層１２０上には、第１導電パターン１２２と第２導電パターン１２４とが形成される。薄膜トランジスタ（ＴＲ）上に形成された保護層１２０には、ドレーン電極１０８の一部を露出する第２コンタクトホール（Ｈ２）が形成される。これにより、第１導電パターン１２２は、第２コンタクトホール（Ｈ２）を経由してドレーン電極１０８と電気的に接続される。
ゲートパッド部は、ゲート電極１０２と同一金属で形成されたゲートパッド下部電極１０２ａと、ゲートパッド下部電極１０２ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１０と、ゲート絶縁膜１１０上に形成された保護層１２０と、ゲートパッド下部電極１０２ａと対応して保護層１２０上に形成された第１及び第２ゲートパッド上部電極１２２ａ、１２４ａとを含む。ゲートパッド部の保護層１２０及びゲート絶縁膜１１０には、ゲートパッド下部電極１０２ａの一部を露出する第１コンタクトホール（Ｈ１）が形成される。第１ゲートパッド上部電極１２２ａは、第１コンタクトホール（Ｈ１）を経由してゲートパッド下部電極１０２ａと電気的に接続される。
データパッド部は、基板１００上に形成されたゲート絶縁膜１１０と、ゲート絶縁膜１１０上に、薄膜トランジスタ（ＴＲ）のソース及びドレーン電極１０６、１０８と同一金属で形成されたデータパッド下部電極１０６ａと、データパッド下部電極１０６ａ上に形成された保護層１２０と、データパッド下部電極１０６ａと対応して保護層１２０上に形成された第１及び第２データパッド上部電極１２２ｂ、１２４ｂとを含む。データパッド部の保護層１２０には、データパッド下部電極１０６ａの一部を露出する第３コンタクトホール（Ｈ３）が形成され、データパッド上部電極１２２ｂは、第３コンタクトホール（Ｈ３）を経由してデータパッド下部電極１０２ｂと電気的に接続される。第１ゲートパッド上部電極１２２ａ、第１データパッド上部電極１２２ｂ及び第１導電パターン１２２は、互いに同一の材質から形成される。第２ゲートパッド上部電極１２４ａ、第２データパッド上部電極１２４ｂ及び第２導電パターン１２４は、互いに同一の材質から形成される。
薄膜トランジスタ（ＴＲ）とゲート及びデータパッド部が形成された基板１００の全面に、平坦化層１３０が形成される。平坦化層１３０は、ポリイミド、ポリアクリルのような有機物質から形成される。平坦化層１３０は、平坦な上面を有し、薄膜トランジスタ（ＴＲ）とゲート及びデータパッド部とによって形成された段差を解消する。
平坦化層１３０が形成されて光発生領域と対応した基板１００上に、第２導電パターン１２４と電気的に接続されたカソード電極１４０が形成され、カソード電極１４０が形成された基板１００上に、カソード電極１４０の一部を露出させるバンクパターン１５０が形成される。バンクパターン１５０は、ポリイミド等の感光性絶縁物質を蒸着する工程、フォトグラフィーによって絶縁物質をパターニングする工程を経て、カソード電極１４０を取り囲むように形成される。通常、逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置が多数の発光ダイオードを含むにつれて、バンクパターン１５０は、カソード電極等１４０間に形成される。
図２Ａ〜図２Ｑは、図１に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。
図２Ａに示されたように、金属基板１００上に第１金属層１０１が形成される。金属基板１００の導電特性に応じて、第１金属層１０１の形成前に絶縁膜が金属基板１００上に塗布されてもよい。第１導電層１０１は、第１マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じてパターニングされ、図２Ｂに示されたゲート電極１０２とゲートパッド下部電極１０２ａとが形成される。ゲート電極１０２は、光発生領域上に形成され、ゲートパッド下部電極１０２ａは、光発生領域周辺のゲートパッド部上に形成される。
ゲート電極１０２とゲートパッド下部電極１０２ａとが形成された金属基板１００の全面に、図２Ｃに示されたように、ゲート絶縁膜１１０が形成される。ゲート絶縁膜１１０が形成された金属基板１００の全面に、非晶質シリコン薄膜１０３と、不純物がドーピングされた非晶質シリコン薄膜１０５とが順次積層される。順次積層された非晶質シリコン薄膜１０３と、不純物がドーピングされた非晶質シリコン薄膜１０５とのそれぞれは、第２マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じてパターニングされ、図２Ｄに示されたように、ゲート電極１０２と対応した活性層パターン１０４ａ及びオーミックコンタクト層１０４ｂにパターニングされる。活性層パターン１０４ａ及びオーミックコンタクト層１０４ｂは、半導体パターン１０４を構成する。
半導体パターン１０４が形成された金属基板１００の全面に、図２Ｅに示されたように、第２金属層１０７が形成される。第２金属層１０７は、第３マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図２Ｆに示されたように、一定間隔離隔されたソース電極１０６及びドレーン電極１０８と、光発生領域の周辺領域のうち異なる一つの光発生領域に対応するデータパッド領域に位置するデータパッド下部電極１０６ａとにパターニングされる。これと同時に、ソース及びドレーン電極１０６、１０８の間に活性層１０４ａが露出されるように、オーミックコンタクト層１０４ｂが除去される。
ソース電極１０６及びドレーン電極１０８とデータパッド下部電極１０６ａとが形成された金属基板１００上に、図２Ｇに示されたように、保護パターン１１９が形成される。保護パターン１１９は、第４マスクを利用した工程を通じて、図２Ｈに示されたように、ゲートパッド下部電極１０２ａの一部を露出する第１コンタクトホール（Ｈ１）、ドレーン電極１０８の一部を露出する第２コンタクトホール（Ｈ２）及びデータパッド下部電極１０６ａの一部を露出する第３コンタクトホール（Ｈ３）を含む保護層１２０にパターニングされる。第１コンタクトホール（Ｈ１）は、ゲートパッド部上に形成され、第２コンタクトホール（Ｈ２）は、光発生領域上に形成され、第３コンタクトホール（Ｈ３）は、データパッド部上に形成される。
続いて、保護層１２０が形成された金属基板１００上に、図２Ｉに示されたように、第１導電層１２３と第２導電層１２５とが順次積層される。第１導電層１２３は、ＩＴＯを含んで形成され、第２導電層１２５は、モリブデンを含んで形成される。モリブデンから形成される第２導電層１２５は、ＩＴＯから形成される第１導電層１２３と後述するカソード電極（図１の１４０）との間のガルバニック（Ｇａｌｖａｎｉｃ）現象を防ぐために挿入される。第１及び第２導電層１２３、１２５は、第５マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じてパターニングされ、図２Ｊに示されたように、第１及び第２導電パターン１２２、１２４、第１及び第２ゲートパッド上部電極１２２ａ、１２４ａ並びに第１及び第２データパッド上部電極１２２ｂ、１２４ｂに区分される。
具体的に、第１導電層１２３は、第１導電パターン１２２、第１ゲートパッド上部電極１２２ａ及び第１データパッド上部電極１２２ｂにパターニングされる。第２導電層１２５は、第２導電パターン１２４、第２ゲートパッド上部電極１２４ａ及び第２データパッド上部電極１２４ｂにパターニングされる。第１及び第２導電パターン等１２２、１２４の積層パターンは、保護膜１２０上に配置されて、ドレーン電極１０８と対応し、第２コンタクトホール（Ｈ２）を経由してドレーン電極１０８と電気的に接続される。第１及び第２ゲートパッド上部電極１２２ａ、１２４ａの積層パターンは、保護膜１２０上に配置されて、ゲートパッド下部電極１０２ａと対応し、第１コンタクトホール（Ｈ１）を経由してゲートパッド下部電極１０２ａと電気的に接続される。第１及び第２データパッド上部電極等１２２ｂ、１２４ｂの積層パターンは、保護膜１２０上に配置されて、データパッド下部電極１０６ａと対応し、第３コンタクトホール（Ｈ３）を経由してデータパッド下部電極１０６ａと電気的に接続される。
第１及び第２ゲートパッド上部電極１２２ａ、１２４ａ、第１及び第２データパッド上部電極等１２２ｂ、１２４ｂ並びに第１及び第２導電パターン等１２２、１２４が形成された金属基板１００上に、図２Ｋに示されたように、平坦化パターン１２９が形成される。平坦化パターン１２９は、第６マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じてパターン化され、図２Ｌに示されたように、第１〜第３コンタクトホール（Ｈ１〜Ｈ３）を有するパターン化された平坦化層１３０となる。
平坦化層１３０が形成された金属基板１００の全面に、図２Ｍに示されたように、第３金属層１３９が形成される。第３金属層１３９は、反射率がよいＡｌＮｄから形成される。ＡｌＮｄで形成された第３金属層１３９は、第７マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図２Ｎに示されたように、第２導電パターン１２４と電気的に接続されるカソード電極１４０にパターニングされる。
カソード電極１４０が形成された金属基板１００の全面に、図２Ｏに示されたように、バンク層１４９が形成される。バンク層１４９は、第８マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図２Ｐに示されたように、カソード電極１４０の一部と、第１及び第３コンタクトホール（Ｈ１、Ｈ３）とを露出させるバンクパターン１５０にパターニングされる。即ち、第２ゲートパッド上部電極１２４ａ及び第２データパッド上部電極１２４ｂが、第１及び第３コンタクトホール（Ｈ１、Ｈ３）によって露出される。
続いて、バンク層１５０が形成された金属基板１００は、ドライエッチングされる。ドライエッチングを通じて、図２Ｑに示されたように、第１コンタクトホール（Ｈ１）上で第２ゲートパッド上部電極１２４ａが除去され、第３コンタクトホール（Ｈ３）上で第２データパッド上部電極１２４ｂが除去される。ドライエッチングを通じて第２ゲートパッド上部電極１２４ａが除去され、第１コンタクトホール（Ｈ１）上には、ＩＴＯで形成された第１ゲートパッド上部電極１２２ａだけが露出される。また、ドライエッチングを通じて第２データパッド上部電極１２４ｂが除去され、第３コンタクトホール（Ｈ３）上には、ＩＴＯで形成された第１データパッド上部電極１２２ｂだけが露出される。
続いて、ドライエッチング工程を経た金属基板１００上に、有機発光層（図示しない）と有機発光層上にアノード電極（図示しない）とが形成される。アノード電極は、透明な導電性金属から形成される。
このように、既存の６マスクを利用して基板上に薄膜トランジスタを形成する有機発光ダイオード表示装置の製造工程の一部を活用することで、計８枚のマスクのみを利用して逆構造トップエミッション型構造を有する有機発光ダイオード表示装置を製造することができ、既存の逆構造トップエミッション型構造を有する有機発光ダイオード表示装置に比べてマスク数を減らすことができる。すなわち、実施の形態１に係る逆構造トップエミッション発光ダイオード表示装置の製造方法では、従来の最大１１マスク工程を８マスク工程に減らすことができる。これによって、製造工程が単純になり、製造費用を節減することができる。また、本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、既存の有機発光ダイオード表示装置の製造工程中のモジュール工程との互換を容易に行うことができる。
図３は、本発明の実施の形態２に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置を概略的に示す断面図である。実施の形態２に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、図１に示したカソード電極１４０、第２導電パターン１２４、第２ゲートパッド上部電極１２４ａ及び第２データパッド上部電極１２４ｂに代えて、第１及び第２カソード電極２４２、２４４の積層パターンを有することを除いては、実施の形態１に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置と同一の構成を有する。従って、本発明の実施の形態２において、実施の形態１と重複する部分は、説明を省略することとし、同一の構成要素に対しては同一の名称及び符号を付することとする。
図３に示されたように、本発明の実施の形態２に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、光発生領域と光発生領域の周辺に配置されたゲート及びデータパッド部とを含む金属基板１００を具備している。
光発生領域には、少なくとも一つの薄膜トランジスタ（ＴＲ）が形成されている。薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、ゲート電極１０２と、ゲート電極１０２上に形成されたゲート絶縁膜１１０と、ゲート電極１０２に対応するようにゲート絶縁膜１１０上に形成された半導体パターン１０４と、半導体パターン１０４上に互いに一定間隔離隔して配置されたソース及びドレーン電極１０６、１０８と、ソース及びドレーン電極１０６、１０８が形成された金属基板１００上に形成された保護層１２０とを含む。
逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、光発生領域上の薄膜トランジスタ（ＴＲ）を覆う保護層１２０上に配置され、薄膜トランジスタ（ＴＲ）のドレーン電極１０８と電気的に接続された導電パターン２２５を含む。
ゲートパッド部は、ゲート電極１０２と同一金属で形成されたゲートパッド下部電極１０２ａと、ゲートパッド下部電極１０２ａ上に順次形成されたゲート絶縁層１１０、保護層１２０及び保護層１２０上に形成されてゲートパッド下部電極１０２ａと電気的に接続されたゲートパッド上部電極２２５ａとを含む。
データパッド部は、ソース電極１０６と同一金属で形成されたデータパッド下部電極１０６ａと、データパッド下部電極１０６ａ上に形成された保護層１２０と、保護層１２０上に形成されてデータパッド下部電極１０６ａと電気的に接続されたデータパッド上部電極２２５ｂとを含む。
導電パターン２２５、ゲートパッド上部電極２２５ａ及びデータパッド上部電極２２５ｂが形成された金属基板１００上に、平坦化層２３０が形成される。光発生領域に対応した平坦化層２３０上に、導電パターン２２５と電気的に接続された第１及び第２カソード電極２４２、２４４が形成される。第１及び第２カソード電極２４２、２４４が形成された金属基板１００上には、第２カソード電極２４４の一部が露出されるようにパターニングされたバンク層２５０が形成される。
図４Ａ〜図４Ｐは、図３に示した逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造工程を順に示す断面図である。
図４Ａ〜図４Ｈの製造工程は、図２Ａ〜図２Ｈと同一なので、これに対する説明は省略することにする。ここで、図４Ａ〜図４Ｈにかけて、計４枚のマスクを利用した製造工程は、既存の有機発光ダイオード表示装置で薄膜トランジスタ（ＴＲ）を形成する工程と同一の工程である。
続いて、保護層１２０が形成された金属基板１００上に、図４Ｉに示されたように、ＩＴＯで形成された導電層２２４が積層される。導電層２２４は、第５マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図４Ｊに示されたように、導電パターン２２５、ゲートパッド上部電極２２５ａ及びデータパッド上部電極２２５ｂにパターニングされる。
導電パターン２２５、ゲートパッド上部電極２２５ａ及びデータパッド上部電極２２５ｂが形成された金属基板１００上に、図４Ｋに示されたように、平坦化パターン２２９が形成される。平坦化パターン２２９は、第６マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図４Ｌに示されたように、第１〜第３コンタクトホール（Ｈ１〜Ｈ３）を有する平坦化層２３０にパターニングされる。
平坦化層２３０が形成された金属基板１００の全面に、図４Ｍに示されたように、第３及び第４金属層２４１、２４３が形成される。第３金属層２４１は、モリブデンから形成され、第４金属層２４３は、反射率がよいＡｌＮｄから形成される。第３及び第４金属層等２４１、２４３は、第７マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図４Ｎに示されたように、光発生領域上に位置する第１及び第２カソード電極２４２、２４４にパターニングされる。第１カソード電極２４２は、第２コンタクトホール（Ｈ２）を経由して導電パターン２２５と電気的に接続される。ここで、平坦化層２３０上にＡｌＮｄで形成された第２カソード電極２４４を形成する際、接着力の問題が発生するので、モリブデンで形成された第１カソード電極２４２を平坦化層２３０と第２カソード電極２４４との間に形成する。このように、本発明の実施の形態２に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、モリブデン及びＡｌＮｄからなる二重金属層２４２、２４４でカソード電極を形成する。
第１及び第２カソード電極２４２、２４４が形成された金属基板１００の全面に、図４Ｏに示されたように、バンク層２４９が形成される。バンク層２４９は、第８マスクを利用したフォトリソグラフィー工程を通じて、図４Ｐに示されたように、第２カソード電極２４４の一部と、第１及び第３コンタクトホール（Ｈ１、Ｈ３）とを露出させるバンクパターン２５０にパターニングされる。この場合、ゲートパッド上部電極２５５ａ及びデータパッド上部電極２２５ｂは、第１及び第３コンタクトホール（Ｈ１、Ｈ３）を通じて各々露出される。
続いて、上のような工程を経た金属基板１００上に、有機発光層（図示しない）と有機発光層上にアノード電極（図示しない）とが形成される。アノード電極は、透明な導電性金属から形成される。
ゲートパッド部の第１コンタクトホール上にＩＴＯで形成されたゲートパッド上部電極２２５ａが露出され、データパッド部の第３コンタクトホール（Ｈ３）上にＩＴＯで形成されたデータパッド上部電極２２５ｂが露出されるので、ゲートパッド部及びデータパッド部は、トップエミッション構造で形成される。
このように、既存の６マスクを利用して基板上に薄膜トランジスタを形成する有機発光ダイオード表示装置の製造工程の一部を活用することで、計８枚のマスクのみを利用して逆構造トップエミッション型構造を有する有機発光ダイオード表示装置を製造することができ、既存の逆構造トップエミッション型構造を有する有機発光ダイオード表示装置に比べてマスク数を減らすことができる。すなわち、実施の形態２に係る逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造方法では、従来の最大１１マスク工程を８マスク工程に減らすことができる。これによって、製造工程が単純になり、製造費用を節減することができる。また、本発明による逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置は、既存の有機発光ダイオード表示装置の製造工程の中のモジュール工程との互換を容易に行うことができる。
１００ 基板、１０２ ゲート電極、１０２ａ ゲートパッド下部電極、１０３ 非晶質シリコン薄膜、１０４ 半導体パターン、１０４ａ 活性層、１０４ｂ オーミックコンタクト層、１０６ ソース電極、１０８ ドレーン電極、１１０ ゲート絶縁膜、１２０ 保護層、１２２ 第１導電パターン、１２２ａ 第１ゲートパッド上部電極、１２３ 第１導電層、１２４ 第２導電パターン、１２５ 第２導電層、１２４ａ 第２ゲートパッド上部電極、１２４ｂ 第２データパッド上部電極、１３０、２３０ 平坦化層、１３９ 第３金属層、１４０ カソード電極、２００ 金属基板、２２５ａ ゲートパッド上部電極、２２５ｂ データパッド上部電極、２２９ 平坦化パターン、２４１、２４３ 第３及び第４金属層、２４２、２４４ 第１及び第２カソード電極、２４９ バンク層、２５０ バンクパターン。

Claims (5)

  1. 金属基板上に配置されて光を生成する光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部と、
    前記金属基板上に形成され、前記金属基板の導電特性を絶縁する絶縁層と、
    前記光発生領域上に形成された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタを覆って前記金属基板上に配置され、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層と、
    前記保護層上に形成され、前記コンタクトホールを通じて露出された前記薄膜トランジスタの一部と接触される第１及び第２導電パターンと、
    前記光発生領域上に形成されて前記第２導電パターンと電気的に接続されるカソード電極と、
    前記カソード電極上に配置された有機発光層と、
    前記有機発光層上に配置され、透明な導電金属で形成されたアノード電極と、
    前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホールの各々に、前記第２導電パターンと同一の物質で形成された電極パターンと、
    を備え、
    前記第１導電パターンはＩＴＯで形成され、前記第２導電パターンはモリブデンで形成され、
    前記第１及び第２パッド部のそれぞれは、前記第１導電パターンと同一物質でなる第１上部電極及び前記第２導電パターンと同一物質でなる第２上部電極を含む
    ことを特徴とする逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置。
  2. 前記カソード電極は、反射率の高いＡｌＮｄで形成されることを特徴とする請求項１に記載の逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置。
  3. 金属基板上に配置されて光を生成する光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部と、
    前記金属基板上に形成され、前記金属基板の導電特性を絶縁する絶縁層と、
    前記光発生領域上に形成された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタを覆って前記金属基板上に配置され、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層と、
    前記保護層上に形成され、前記コンタクトホールを通じて露出された薄膜トランジスタの一部と接触される導電パターンと、
    前記光発生領域上に形成されて前記導電パターンと電気的に接続される第１カソード電極と、
    前記第１カソード電極上に形成された第２カソード電極と、
    前記第２カソード電極上に配置された有機発光層と、
    前記有機発光層上に配置され、透明な導電金属で形成されたアノード電極と、
    前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホール各々に、前記導電パターンと同一の物質で形成された電極パターンと、
    を備え、
    前記導電パターンは透明な金属材質であるＩＴＯで形成され、
    前記第１カソード電極はモリブデンで形成され、前記第２カソード電極はＡｌＮｄで形成される
    ことを特徴とする逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置。
  4. 光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部に区分された金属基板を準備する段階と、
    前記金属基板の導電特性を絶縁するために前記金属基板上に絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層が形成された金属基板の光発生領域上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタを覆って、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層を前記金属基板上に形成する段階と、
    前記コンタクトホールを通じて露出された前記薄膜トランジスタの一部と接触するように、前記保護層が形成された前記金属基板上に第１及び第２金属層を順次積層し、前記第１及び第２金属層をパターニングして第１及び第２導電パターンを形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び第２パッド部の一部が露出されるように、前記第１及び第２導電パターンが形成された前記金属基板上に平坦化層を形成する段階と、
    前記平坦化層が形成された前記金属基板上に、前記第２導電パターンと電気的に接続されるカソード電極を形成する段階と、
    前記カソード電極が形成された前記金属基板上に、バンク層を形成して前記カソード電極の一部と前記第１及び第２パッド部の一部とが露出されるように、前記バンク層をパターニングしてバンクパターンを形成する段階と、
    前記カソード電極上に有機発光層を形成する段階と、
    前記有機発光層上に透明な導電金属でアノード電極を形成する段階と、
    を含み、
    前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホールの各々には、前記第２導電パターンと同一の物質で電極パターンが形成され、
    前記第１導電パターンはモリブデンで形成され、前記第２導電パターンはＩＴＯで形成され、
    前記第１及び第２パッド部のそれぞれは、前記第１導電パターンの第１上部電極及び前記第２導電パターンの第２上部電極を含む
    ことを特徴とする逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
  5. 光発生領域及び前記光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部に区分された金属基板を準備する段階と、
    前記金属基板の導電特性を絶縁するために前記金属基板上に絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層が形成された金属基板の光発生領域上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタを覆って、前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び前記第２パッド部の一部とを各々露出するコンタクトホールを含む保護層を前記金属基板上に形成する段階と、
    前記コンタクトホールを通じて露出された前記薄膜トランジスタの一部と接触するように、前記保護層が形成された前記金属基板上に導電金属層を積層し、前記導電金属層をパターニングして導電パターンを形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタの一部と前記第１パッド部の一部及び第２パッド部の一部とが露出されるように、前記導電パターンが形成された前記金属基板上に平坦化層を形成する段階と、
    前記導電パターンと電気的に接続されるように、前記平坦化層が形成された前記金属基板上に第１及び第２金属層を順次積層し、前記第１及び第２金属層をパターニングして第１及び第２カソード電極を形成する段階と、
    前記第１及び第２カソード電極が形成された前記金属基板上に、バンク層を形成して前記第２カソード電極の一部と前記第１及び第２パッド部の一部とが露出されるように、前記バンク層をパターニングしてバンクパターンを形成する段階と、
    前記第２カソード電極上に有機発光層を形成する段階と、
    前記有機発光層上に透明な導電金属でアノード電極を形成する段階と、
    を含み、
    前記第１及び第２パッド部を露出する前記コンタクトホールの各々には、前記導電パターンと同一の物質で電極パターンが形成され、
    前記第１カソード電極はモリブデンで形成され、前記第２カソード電極はＡｌＮｄで形成され、
    前記導電パターンは、透明な金属材質であるＩＴＯで形成される
    ことを特徴とする逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
JP2009284940A 2009-02-24 2009-12-16 逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 Active JP4902726B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090015460A KR101319096B1 (ko) 2009-02-24 2009-02-24 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법
KR10-2009-0015460 2009-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010199554A JP2010199554A (ja) 2010-09-09
JP4902726B2 true JP4902726B2 (ja) 2012-03-21

Family

ID=42621706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009284940A Active JP4902726B2 (ja) 2009-02-24 2009-12-16 逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8803172B2 (ja)
JP (1) JP4902726B2 (ja)
KR (1) KR101319096B1 (ja)
CN (1) CN101814522B (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101780250B1 (ko) * 2010-09-24 2017-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP5825812B2 (ja) * 2011-03-24 2015-12-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置の製造方法
KR101815256B1 (ko) * 2011-06-28 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101856221B1 (ko) * 2011-09-20 2018-05-09 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 유기발광 표시장치의 제조 방법
KR101521676B1 (ko) 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
KR101936625B1 (ko) * 2012-03-27 2019-01-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
US8648337B2 (en) * 2012-04-03 2014-02-11 Au Optronics Corporation Active matrix organic light-emitting diode
KR101967600B1 (ko) * 2012-11-09 2019-04-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
WO2014174902A1 (ja) * 2013-04-25 2014-10-30 シャープ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR102100880B1 (ko) * 2013-06-26 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN104752465B (zh) * 2013-12-30 2018-01-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 顶发射有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法
CN104766819B (zh) * 2014-01-06 2017-12-08 瀚宇彩晶股份有限公司 画素基板及其制造方法
KR102209241B1 (ko) * 2014-07-08 2021-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104485350B (zh) * 2014-12-26 2018-08-10 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
KR102420461B1 (ko) 2015-02-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN104766930B (zh) * 2015-04-17 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制备方法、显示装置
US10056440B2 (en) * 2015-05-28 2018-08-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
CN105449127B (zh) * 2016-01-04 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
KR102531673B1 (ko) * 2016-04-07 2023-05-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101926527B1 (ko) 2016-09-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180062293A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180091994A (ko) * 2017-02-07 2018-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20200274097A1 (en) * 2017-09-29 2020-08-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, exposure device, and manufacturing method of display device
KR102436659B1 (ko) * 2017-12-06 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108766978B (zh) 2018-05-24 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US10914945B2 (en) * 2018-11-09 2021-02-09 Facebook Technologies, Llc Inconspicuous near-eye electrical circuits
KR102578350B1 (ko) * 2018-11-27 2023-09-13 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220010638A (ko) * 2020-07-16 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN112505964B (zh) * 2020-11-20 2022-08-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 发光基板及其制备方法、显示装置
CN112447786B (zh) * 2020-11-23 2022-09-30 厦门天马微电子有限公司 发光二极管显示面板及其制作方法、发光二极管显示装置
CN113193012A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20220145992A (ko) * 2021-04-22 2022-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6620655B2 (en) * 2000-11-01 2003-09-16 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same
KR100776939B1 (ko) * 2001-12-28 2007-11-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100499371B1 (ko) * 2002-04-17 2005-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
US7109655B2 (en) * 2002-12-26 2006-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
KR100579184B1 (ko) * 2003-11-24 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR100583252B1 (ko) * 2003-12-29 2006-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100617031B1 (ko) 2003-12-30 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101232549B1 (ko) * 2005-12-29 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8017950B2 (en) 2005-12-29 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same
KR101373435B1 (ko) * 2007-03-22 2014-03-14 엘지디스플레이 주식회사 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법
JP2009027037A (ja) 2007-07-20 2009-02-05 Fujifilm Corp 表示装置及び欠陥画素のリペア方法
KR101309863B1 (ko) * 2009-12-14 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8803172B2 (en) 2014-08-12
KR20100096545A (ko) 2010-09-02
CN101814522B (zh) 2013-04-03
JP2010199554A (ja) 2010-09-09
KR101319096B1 (ko) 2013-10-17
US20100213482A1 (en) 2010-08-26
CN101814522A (zh) 2010-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4902726B2 (ja) 逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP7203763B2 (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
CN107293567B (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
KR100838082B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN109346504B (zh) 柔性显示面板及显示装置
US7309957B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
JP4939390B2 (ja) 表示基板、これを備える有機発光ダイオード表示装置及びこれらの製造方法
US6998770B2 (en) Organic electroluminescent device and fabricating method thereof
KR101155903B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI250814B (en) Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
JP4145857B2 (ja) アクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR101189137B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7064350B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
JP2006173617A (ja) 有機電界発光表示素子及びその製造方法
JP2010183051A (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2004193129A (ja) 有機発光表示板
JP4637831B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置
KR101878186B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109065590B (zh) 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置
US9911802B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
US6982524B2 (en) Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR101386310B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20190118221A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150134953A (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
US8987723B2 (en) Display device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111026

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111220

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4902726

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250