KR100583252B1 - 유기전계 발광소자와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- 다수의 화소 영역이 정의된 기판과,상기 기판 상에 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동 소자와;상기 구동소자와 전기적으로 연결된 불투명한 제 1 전극과;상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과;상기 유기 발광층의 상부에 구성된 투명한 제 2 전극과;상기 제 2 전극이 구성된 기판의 전면을 덮는 투명 보호막과;상기 기판의 하부에 구성된 방열(放熱)특성의 기구물을 포함하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극이 투명할 경우, 제 1 전극에 근접하여 불투명한 도전성 금속이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극은 5Å~200Å의 두께로 구성되며, 빛을 투과시키는 특성을 가진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;상기 기판 상에, 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동 소자를 형성하는 단계와;상기 구동소자와 전기적으로 연결된 불투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층을 형성하는 단계와;상기 유기 발광층의 상부에 투명한 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 전극이 형성된 기판의 전면을 덮는 투명 보호막을 형성하는 단계와;상기 기판의 하부에 방열(放熱)특성의 기구물 부착하는 단계를포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극이 투명할 경우, 제 1 전극에 근접하여 불투명한 도전성 금속이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 전극은 5Å~200Å의 두께로 형성되며, 빛을 투과시키는 특성을 가진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 서로 이격 하여 구성되고 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과;상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 구성되는 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자와;상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 구성되는 투명한 제 1 전극과;상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과;상기 유기 발광층의 상부에 구성되고, 상기 화소영역마다 독립적으로 패턴된 불투명한 제 2 전극과;상기 제 2 전극과 상기 구동소자와 동시에 연결되는 연결전극과;상기 제 1 기판의 하부에 구성된 방열(放熱)특성을 가진 기구물을 포함하는 유기전계 발광소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 서로 이격된 제 1 기판과 제 2 기판에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자를 형성하는 단계와;상기 구동소자와 접촉하는 연결전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와;상기 유기 발광층의 상부에 위치하고, 상기 화소영역마다 독립적으로 불투명한 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판의 하부에 방열(放熱)특성을 가진 기구물 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같은 일함수(work function)가 큰 물질그룹 중 선택하여 형성하고, 상기 음극 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg),리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속을 포함하는 일 함수가 작은 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성한 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
- 삭제
- 제 23 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층은 상기 제 1 전극에 근접하여 홀 수송층과 상기 제 2 전극에 근접하여 전자 수송층을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
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