KR20050068191A - 유기전계 발광소자와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 빛이 나아가는 방향의 패널 반대편에 방열특성을 가지는 기구물을 부착한 상부 발광형 유기전계 발광소자의 구성과 그 제조방법에 관한 것이다.
특히, 박막트랜지스터 어레이부와 발광부를 별도의 기판에 각각 구성하고 이를 합착하여 제작한 듀얼플레이트(dual plate)구조의 유기전계 발광소자(dual plate organic electro-luminescence)를 더욱 제안한다.
전술한 바와 같이, 유기전계 발광소자의 뒷편에 방열(放熱)특성을 가지는 기구물을 부착하게 되면, 유기발광부에서 발생하는 열을 상기 방열(放熱)특성을 가진 기구물을 이용하여 외부로 발산하도록 할 수 있기 때문에 소자의 수명과 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 상기 기구물은 유기전계 발광소자에 TCP를 통해 부착된 PCB기판을 지지하는 역할을 하기 때문에 PCB 기판을 기구물의 표면에 안정하게 고정할 수 있게되어, 상기 TCP가 비틀리거나 떨어지는 불량을 방지할 수 있다.

Description

유기전계 발광소자와 그 제조방법{The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same}
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 방열(放熱)특성을 가진 기구물을 유기발광패널의 뒷면에 구성한 상부 발광형 유기전계 발광소자의 구성과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
이러한 원리로 인해, 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.
또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저전력, 고휘도, 고반응속도, 저중량)을 나타낸다. 이러한 특성 때문에 OLED는 이동통신 단말기, CNS, PDA, Camcorder, Palm PC등 대부분의 consumer전자 응용제품에 사용될 수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다.
또한 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 LCD보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다.
이러한 유기전계 발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.
상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할 수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.
반면, 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 높은 발광효율과 고 화질을 제공할 수 있는 장점이 있다.
이하, 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 설명한다.
도 1은 종래의 제 1 예에 따른 하부 발광식 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 하부 발광식 유기전계 발광소자(10)는 투명한 제 1 기판(12)의 상부에 박막트랜지스터(T)어레이부(14)와, 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)의 상부에 제 1 전극(anode electrode)(16)과 유기 발광층(18)과 제 2 전극(cathode electrode)(20)이 구성된다.
일반적으로, 상기 제 1 전극(16)은 양극 전극이고 상기 제 2 전극(20)은 음극 전극으로 구성하며, 상기 음극 전극을 공통으로 사용한다.
그런데, 양극 전극(16)은 일함수(work function)가 큰 물질을 사용하게 되며 이러한 물질은 대부분 투명한 도전성 산화물 형태로 존재하고, 상기 음극 전극(20)은 일함수(work functuon)가 낮은 물질을 사용하게 되며 이러한 물질은 대부분 불투명한 도정성 금속 물질로 존재하게 된다.
이때, 상기 발광층(18)은 적(R),녹(G),청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 화소(P)마다 적,녹,청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
상기 제 1 기판(12)이 흡습제(22)가 부착된 제 2 기판(28)과 실런트(26)를 통해 합착되므로서 캡슐화된 유기전계 발광소자(10)가 완성된다.
이때, 상기 흡습제(22)는 캡슐내부에 침투할 수 있는 수분과 산소를 제거하기 위한 것이며, 기판(28)의 일부를 식각하고 식각된 부분에 흡습제(22)를 채우고 테이프(25)로 고정한다.
전술한 구성에서, 제 1 기판(12)의 주변으로는 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)에 신호를 인가하기 위한 패드부(40)가 위치하며, 상기 패드부(40)에 구동회로(42)와 구동회로(drive IC,42)에 신호를 출력하는 PCB 기판(46)을 더욱 부착하여 제작하게 된다. 이때 구동회로(42)는, 다수의 배선이 패턴된 TCP(44)에 실장되어 이를 통해 상기 PCB기판(46)과 패드부(40)에 동시에 부착된다.
이때, 전술한 구조는 상기 발광층(18)의 하부에 투명한 양극 전극(16,anode electrode)을 구성하기 때문에, 발광층(18)에서 발광한 빛이 하부로 진행하게 되어 하부 발광식으로 동작하게 된다. 그러므로, 상기 PCB 기판(46)은 패널의 상부에 구성된다.
전술한 하부 발광식 구조는, 빛이 박막트랜지스터 어레이부(4)를 통과하여 외부로 출사하는데 어레이부에 의해 많은 영역이 차단되기 때문에 충분한 투과영역 및 휘도를 확보하는데 한계가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 상부 발광식 유기전계 발광소자가 제안되었다.
도 2는 종래의 제 2 예에 따른 상부 발광식 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 상부 발광식 유기전계 발광소자(30)는 기판(12)의 상부에 박막트랜지스터(T)어레이부(14)와, 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)의 상부에 불투명한 제 1 전극(anode electrode)(16)과 유기 발광층(18)과 투명한 제 2 전극(cathode electrode)(20)이 구성된다.
이때, 상기 제 1 전극은 양극전극으로서 불투명한 재질로 사용하고, 상기 제 2 전극은 음극전극으로서 투명한 재질로 사용하면 상부 발광식으로 동작하게 된다.
그런데, 앞서 언급한 바와 같이, 양극 전극은 일함수가 큰 물질을 사용하게 되며 이러한 물질은 대부분 투명한 도전성 산화물 형태로 존재하고, 상기 음극 전극은 일함수가 낮은 물질을 사용하게 되며 이러한 물질은 대부분 불투명한 도전성 금속 물질로 존재하게 된다.
따라서, 완전히 불투명한 양극 전극을 형성하거나 완전히 투명한 음극전극을 구성하는 것이 쉽지 않다. 따라서, 보통은 상기 투명한 제 1 전극(16,양극전극)에 불투명한 도전성 금속을 더욱 구성하고, 상기 제 2 전극(20, 음극전극)은 빛이 투과될 정도로 얇게 도전성 물질을 사용하여 형성하는 것이 보통이다.
상기 발광층(18)은 적(R),녹(G),청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 화소(P)마다 적,녹,청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
전술한 바와 같이 제 2 전극(20)을 구성한 후, 기판(12)의 전면에 대해 상기 발광층과 박막트랜지스터 어레이부를 완전히 덮는 투명한 보호막을 형성한다.
이때, 상부 발광식 임을 고려하여 상기 보호막(50)을 되도록 이면 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
전술한 구성에서, 기판(12)의 주변으로는 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)에 신호를 인가하기 위한 패드부(40)가 위치하며, 상기 패드부(40)에 구동회로(42)와 구동회로(42)에 신호를 출력하는 PCB 기판(46)을 더욱 부착하여 제작하게 된다. 이때 구동회로(42)는, 다수의 배선이 패턴된 TCP(44)에 실장되어 이를 통해 상기 PCB기판(46)과 패드부(40)에 동시에 부착된다.
이때, 전술한 구조는 상부 발광식으로 동작하기 때문에, 상기 PCB 기판(46)은 패널의 하부에 구성된다.
그런데, 전술한 상부발광식의 경우에는 상기 TCP(44)상에 실장되는 구동회로(42)를 가공하는데 한계가 있으므로, 상기 구동회로(42)가 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)가 형성된 기판(12)보다 더 크게 형성되기 때문에, 사실 상기 TCP는 불안정하게 패널에 고정된다.
따라서, 이를 해결하기 위해, 상기 패널의 뒷면에 일반적인 플라스틱 재질의 지지부를 구성한다 해도 상기 지지부가 패널의 일면을 대부분 차지하면서 위치하기 때문에, 패널의 내부에서 발생한 열을 대부분 빠져나가지 힘들게 하여 소자의 특성 변화 및 열화를 가속시키는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 본 발명의 제 1 구조에 따른 유기전계 발광소자는 하나의 기판에 박막트랜지스터와 어레이부가 모두 구성된 상부발광식 유기전계 발광소자에 있어서, 빛이 나아가지 않는 방향으로 방열(放熱)특성을 가진 기구물을 구성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 구조에 따른 유기전계 발광소자는, 박막트랜지스터 어레이부와 발광부를 별도의 기판에 따로 형성하여 이를 합착함으로써 제작한 듀얼플레이트(dual plate)구조에 있어서, 상기 박막트랜지스터 어레이부가 형성된 기판의 하부에 상기 방열(放熱)특성을 가진 유기 발광부를 구성하는 것을 특징으로 한다.
상기 방열 특성을 가진 기구물을 더욱 구성하게 되면, 발광층 내부에서 발생하는 열을 외부로 발산하도록 하기 쉽기 때문에 소자의 동작 특성이 저하되거나, 소자가 열화되는 문제를 방지할 수 있는 장점 있다.
또한, 듀얼플레이트 구조는 투명한 애노드전극(anode)층이 기판의 상부에 위치할 수 있으므로, 탑에미션(top emission)방식으로 동작이 가능하여 개구영역을 더욱 확보할 수 있어 고휘도를 구현할 수 있는 장점이 있다.
또한, 하부 어레이부를 설계할 때 개구영역에 대해 고려할 필요가 없기 때문에 설계의 자유도가 매우 높고, 어레이부와 발광부를 별도로 제작하기 때문에 불량이 발생하여도 불량난 기판 만을 교체하면 되므로 생산 수율을 개선할 수 있는 장점이 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 다수의 화소 영역이 정의된 기판과, 상기 기판 상에 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동 소자와; 상기 구동소자와 전기적으로 연결된 불투명한 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층의 상부에 구성된 투명한 제 2 전극과;
상기 제 2 전극이 구성된 기판의 전면을 덮는 투명 보호막과; 상기 투명 보호막의 하부에 구성된 방열(放熱)특성의 기구물을 포함한다.
상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성되며, 상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 구성된다.
상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)이며, 상기 제 1 전극이 투명할 경우, 제 1 전극에 근접하여 불투명한 도전성 금속이 더욱 구성하고, 상기 투명한 제 2 전극은 불투명한 금속을 빛이 투과될 만큼의 두께로 얇게 구성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함한다.
상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 특징에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 기판 상에, 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동 소자를 형성하는 단계와; 상기 구동소자와 전기적으로 연결된 불투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층의 상부에 투명한 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 전극이 형성된 기판의 전면을 덮는 투명 보호막을 형성하는 단계와; 상기 투명 보호막의 하부에 방열(放熱)특성의 기구물 부착하는 단계를 포함한다.
상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성되고, 상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 형성된다.
상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)이며, 상기 제 1 전극이 투명할 경우, 제 1 전극에 근접하여 불투명한 도전성 금속이 더욱 형성된다.
상기 투명한 제 2 전극은 불투명한 금속을 빛이 투과될 만큼의 두께로 얇게 형성한다.
상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함한다.
상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 형성된다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 유기 전계 발광소자는 서로 이격 하여 구성되고 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 구성되는 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 구성되는 투명한 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층의 상부에 구성되고, 상기 화소영역마다 독립적으로 패턴된 불투명한 제 2 전극과; 상기 제 1 기판의 하부에 구성된 방열(放熱)특성을 가진 기구물을 포함한다.
상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성되고, 상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 구성된다.
상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)이다.
상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함한다.
상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물을 더욱 포함한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 유기전계 발광소자는 서로 이격된 제 1 기판과 제 2 기판에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층의 상부에 위치하고, 상기 화소영역마다 독립적으로 불투명한 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판의 하부에 방열(放熱)특성을 가진 기구물 형성하는 단계를 포함한다.
상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성되고, 상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 형성된다.
상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)이며, 상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같은 일함수(work function)가 큰 물질그룹 중 선택하여 형성하고, 상기 음극 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg),리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속을 포함하는 일 함수가 작은 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하며, 상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 형성한다.기전계 발광소자 제조방법.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 제 1 실시예 --
본 발명의 제 1 실시예의 특징은 기판에 박막트랜지스터 어레이부와 발광부가 구성된 상부 발광식 유기전계 발광소자에 있어서, 빛이 나아가는 반대방향에 대응하여 방열(放熱)특성을 가진 기구물을 구성하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 상부 발광식 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 상부 발광식 유기전계 발광소자(99)는 기판(100)의 상부에 박막트랜지스터(T)어레이부(AL)와, 상기 박막트랜지스터 어레이부(AL)의 상부에 불투명한 제 1 전극(anode electrode)(136)과 유기 발광층(138)과 투명한 제 2 전극(cathode electrode)(140)을 구성한다.
이때, 상기 제 1 전극(136)은 양극전극으로서 불투명한 재질로 사용하고, 상기 제 2 전극(140)은 음극전극으로서 투명한 재질로 사용하면 상부 발광식으로 동작하게 된다.
그런데, 앞서 언급한 바와 같이, 양극 전극은 일함수(work function)가 큰 물질을 사용하게 되며 이러한 물질은 대부분 투명한 도전성 산화물 형태로 존재하고, 상기 음극 전극은 일함수가 낮은 물질을 사용하게 되며 이러한 물질은 대부분 불투명한 도전성 금속 물질로 존재하게 된다.
따라서, 완전히 불투명한 양극 전극을 형성하거나 완전히 투명한 음극전극을 구성하는 것이 쉽지 않다. 따라서, 보통은 상기 투명한 제 1 전극(136,양극전극)에 불투명한 도전성 금속을 더욱 구성하고, 상기 제 2 전극(140, 음극전극)은 빛이 투과될 정도로 얇게 도전성 물질을 사용하여 형성하는 것이 보통이다.
상기 발광층(138)은 적(R),녹(G),청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 화소(P)마다 적,녹,청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
전술한 바와 같이 제 2 전극(140)을 구성한 후, 기판(100)의 전면에 대해 상기 발광층과 박막트랜지스터 어레이부를 완전히 덮는 투명한 보호막(150)을 형성한다.
이때, 상부 발광식 임을 고려하여 상기 보호막(150)을 되도록 이면 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이부(AL)와 발광부(E)가 구성된 기판의 전면에 보호막을 형성한 후, 상기 보호막이 형성되지 않은 기판의 타면에 대응하여 방열 특성을 가진 기구물(170)을 부착한다.
상기 기구물(170)은 방열(放熱)특성을 가진 동시에 가공하기 용이한 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 이용하여 형성할 수 있다.
전술한 구성에서, 기판(100)의 주변으로는 상기 박막트랜지스터 어레이부(AL)에 신호를 인가하기 위한 패드부(160)가 위치하며, 상기 패드부(160)에 구동회로(162)와 구동회로(162)에 신호를 출력하는 PCB 기판(166)을 더욱 부착하여 제작하게 된다. 이때 구동회로(162)는, 다수의 배선이 패턴된 TCP(164)에 실장되어 이를 통해 상기 PCB기판(166)과 패드부(160)에 동시에 부착된다.
이때, 상기 구조물(170)은 방열 특성뿐 아니라, 상부 발광식 구조에서 취약했던 상기 TCP 및 PCB 기판(162,164)을 안정하게 지지하는 역할을 하게 된다.
상세히 설명하면, 열을 외부로 확산시킬 수 있기 때문에 소자의 안정된 동작 특성을 얻을 수 있고 소자가 열화되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 기구물(170)에 의해 박막트랜지스터와 유기 발광부가 구성된 기판의 측면보다 큰 구동 IC를 실장한 TCP와, 이에 부착된 PCB 기판(166)이 안정한 상태로 지지되어 제품의 불량발생률을 현저히 줄일 수 있는 장점이 있다.
이하, 전술한 바와 같이 구성된 유기전계 발광소자의 박막트랜지스터 어레이 부의 구성을 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 상부 발광식 유기전계 발광소자의 한 화소를 도시한 확대 평면도이다.(편의상 발광층의 제 1 전극까지만 나타내며, 비정질 박막트랜지스터의 경우를 예를 들어 설명한다.)
도시한 바와 같이, 기판(100)의 일 방향으로 데이터 배선(DL)이 구성되고, 데이터 배선(DL)과 수직하게 교차하는 게이트 배선(GL)과, 이에 평행하게 이격된 전원배선(130)으로 구성된다.
상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL) 및 전원 배선(130)이 수직하게 교차하여 정의되는 영역의 일 측에는 스위칭 소자(TS)가 구성되고, 상기 스위칭 소자(TS)와 연결되어 상기 정의된 영역을 과도하게 차지하는 구동소자(TD)가 구성된다.
상기 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)는 게이트 전극(102,104)과 소스 및 드레인 전극(118/122, 120/124)을 포함하고 액티브층(110,114)이 비정질 실리콘으로 형성된 비정질 박막트랜지스터를 사용한다.
전술한 구성에서, 상기 구동 소자(TD)의 게이트 전극(104)은 스위칭 소자(TS)의 드레인 전극(120)과 접촉되며, 상기 구동 소자(TD)의 소스 전극(122)은 전원 배선(130)과 연결되고 드레인 전극(124)은 불투명한 유기발광부의 제 1 전극(136)과 연결된다.
앞서 언급한 바와 같이, 상기 불투명한 제 1 전극(136)은 불투명한 양극 전극을 사용하거나 여의치 않을 때는 투명한 양극 전극에 불투명한 도전성 금속을 더욱 구성하여 불투명하게 제작하면 되고, 도시하지는 않았지만 상기 제 2 전극(미도시)은 음극 전극을 증착할 때 빛이 투과될 만큼의 두께로 증착하여 형성한다.
이때, 비정질 실리콘층을 구동시키기 위한 충분한 구동능력을 가지는 박막트랜지스터를 형성하기 위해 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(114)의 너비대 길이비(W/L)가 크도록 설계한다.
이하, 도 5와 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 상부 발광형 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명한다.
도 5a 내지 도 5f와 도 6a 내지 도 6f는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ,Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단하여 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 5a와 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 화소 영역과, 화소 영역(P)의 일 측에 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)을 정의한다.
상기 다수의 영역(B,S,P)이 정의된 기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti)을 포함하는 도전성금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 일 방향으로 연장된 게이트 배선(도 4의 GL)과, 게이트 배선에서 스위칭 영역(S)으로 돌출된 게이트 전극(102)과, 상기 구동 영역(D)에 게이트 전극(104)을 형성한다.
다음으로 도 5b와 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 스위칭 영역(S)및 구동 영역(D)에 게이트 전극(102,104)을 형성한 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여, d1의 두께로 제 1 절연막인 게이트 절연막(106)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(106)의 상부에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물을 포함하는 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 증착하고 패턴하여, 상기 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)에 구성된 게이트 전극(102,104)상부의 게이트 절연막(106)상에 액티층(110,114)과 오믹 콘택층(112, 116)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(106)을 식각하여, 상기 구동영역(D)에 형성한 게이트 전극(104)의 일 끝단을 노출하여 게이트 콘택홀(CH)을 형성한다.
도 5c와 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)에 각각 액티브층(110,114)과 오믹 콘택층(112,116)을 적층하여 형성한 기판(100)의 전면에, 전술한 바와 같은 도전성 금속물질을 증착하고 패턴하여, 상기 스위칭 영역(S)및 구동 영역(D)에 구성된 오믹 콘택층(112,116) 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 전극(118,122)과 드레인 전극(120,124)을 형성한다.
도 5d와 도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 스위칭 영역과 구동 영역에 각각 소스 전극(118,122)과 드레인 전극(120,124)을 형성한 기판(100)의 전면에 전술한 무기 절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 구동영역(D)의 소스 전극(124)의 일부를 노출하는 제 1 보호막(126)을 형성한다.
다음으로, 상기 제 2 보호막의 상부에 앞서 언급한 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 구동 영역(D)의 소스 전극(122)과 접촉하는 전원 배선(130,power line)을 형성한다.
도 5e와 도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 전원 배선이 형성된 기판의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나 이상을 물질을 도포하여 제 2 보호막을 형성한다.
다음으로, 상기 제 2 보호막(132)을 패턴하여, 상기 구동 영역(D)의 드레인 전극(124)을 노출하는 드레인 콘택홀(134)을 형성한다.
도 5f와 도 6f에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 보호막(132)이 형성된 기판(100)의 전면에 일함수(work function)가 높은 도전성 금속을 증착하고, 상기 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴된 제 1 전극(136)을 형성한다.
상기 제 1 전극(136)은 불투명한 양극 전극을 사용하거나 여의치 않을 때는 투명한 양극 전극에 불투명한 도전성 금속을 더욱 구성하여 불투명하게 형성한다.
다음으로, 상기 각 화소 영역(P)에 대응하여 위치하고 적(R), 녹(G), 청색(B)의 빛을 발광하는 발광층(138a)을 형성한다.
이때, 상기 유기 발광층(138)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 상기 유기막이 다층으로 구성될 경우에는, 발광층(138a)에 홀 수송층(Hole Transporting Layer)(138b)과 전자 수송층(Electron Transporting Layer : ETL)(138c)을 더욱 형성한다.
상기 유기 발광층(138)의 상부에는 투명한 제 2 전극(140)을 형성한다.
상기 제 2 전극(140)은 음극 전극(cathode electrode)으로서, 일반적으로 불투명하나 증착할 때 빛이 투과되는 두께로 얇게 증착하여 빛을 투과되도록 형성한다.
전술한 공정이 완료되면, 도 3에 도시한 바와 같이, 보호막(150)을 더욱 형성하고 기판(100)의 하부에는 방열 특성을 가진 기구물(도 3의 170)을 더욱 형성하여 발명의 제 1 실시예에 따른 상부 발광식 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.
그런데, 전술한 바와 같이 기판에 박막트랜지스터 어레이부와 유기 발광부가 모두 구성된 상부 발광형 유기전계 발광소자는 상기 제 1 및 제 2 전극을 선택하는데 극히 제한적이다.
따라서, 전술한 양극 전극과 음극 전극을 선택함에 있어 제한적이지 않은 상부 발광식 유기전계 발광소자를 이하, 제 2 실시예를 통해 제안한다.
-- 제 2 실시예--
본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 방열특성을 가진 기구물을 포함하고, 발광부와 박막트랜지스터 어레이부를 별도의 기판에 형성한 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자를 제안한다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 구조의 유기전계 발광소자(199)는 박막트랜지스터 어레이부가 구성된 제 1 기판(200)과, 발광부(E)가 구성된 제 2 기판(300)을 실런트(400, sealant)를 통해 합착하여 구성한다.
상기 제 1 기판(200)과 제 2 기판(300)은 다수의 화소 영역(P)으로 정의되며 도시하지는 않았지만, 상기 제 1 기판(100)상에 스위칭 소자(TS)와 이에 연결된 구동 소자(TD)를 구성한다.
상시 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)는 화소 영역(P)마다 형성한다.
상기 제 1 기판(200)과 마주보는 제 2 기판(300)의 일면에는 먼저, 투명한 양극 전극(anode electrode, 302)을 형성하고 양극 전극(302)의 하부에는 유기 발광부(308)를 형성하는데, 상기 유기 발광부(308)는 적색과 녹색과 청색의 빛을 발광하는 유기발광물질을 화소 영역(P)에 순차 패턴함으로써 형성한다.
상기 유기 발광부(308)의 하부에는 음극 전극(cathode electrode, 310)을 화소 영역(P)마다 독립적으로 형성한다.
상기 유기 발광부(308)는 유기 발광층(308a)과, 유기 발광층(308a)과 음극 전극(310)사이에 위치하는 전자 수송층(308c)과, 상기 유기 발광층(308c)과 양극 전극(302) 사이에 위치하는 홀수송층(308b)으로 구성한다.
전자수송층(308c,ETL)과 홀수송층(308b,HTL)을 더욱 구성하여, 전자와 홀의 이동이 쉽도록 한다.
상기 음극 전극(310)은 제 1 기판(200)에 구성한 구동 소자(TD)와 연결하여 구성하는데 이때, 두 기판(200,300)의 갭을 고려하여 소정 높이를 가지는 연결 전극(400)을 음극 전극(310)과 구동소자(TD)사이에 구성할 수 있다.
전술한 바와 같이 구성된 듀얼플레이트 유기전계 발광소자의 하부(즉, 제 1 기판의 하부)에 방열특성을 가진 기구물(470)을 구성한다.
상기 기구물(470)은 방열(放熱)특성을 가진 동시에 가공하기 용이한 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 이용하여 형성할 수 있다.
전술한 구성에서, 제 1 기판(200)의 주변으로는 상기 박막트랜지스터 어레이부(AL)에 신호를 인가하기 위한 패드부(450)가 위치하며, 상기 패드부(450)에 구동회로(452)와 구동회로(452)에 신호를 출력하는 PCB 기판(456)을 더욱 부착하여 제작하게 된다. 이때 구동회로(452)는, 다수의 배선이 패턴된 TCP(454)에 실장되어 이를 통해 상기 PCB기판(456)과 패드부(450)에 동시에 부착된다.
이때, 상기 구조물(470)은 방열 특성뿐 아니라, 상부 발광식 구조에서 취약했던 상기 TCP 및 PCB 기판(454,456)을 안정하게 지지하는 역할을 하게 된다.
상세히 설명하면, 열을 외부로 확산시킬 수 있기 때문에 소자의 안정된 동작 특성을 얻을 수 있고 소자가 열화되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 기구물(470)에 의해 박막트랜지스터와 유기 발광부가 구성된 기판의 측면보다 큰 구동 IC를 실장한 TCP와, 이에 부착된 PCB 기판이 안정한 상태로 지지되어 제품의 불량발생률을 현저히 줄일 수 있는 장점이 있다.
전술한 구성에서, 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 방열특성을 가진 기구물의 하부에, 방열 특성을 효과적으로 개선하기 위하여 열전도율이 높은 첨가물을 포함한 제 2 기구물(480)을 더욱 형성할 수 있다.
전술한 바와 같은 단면 구성을 가진 듀얼플레이트 유기전계 발광소자의 제조공정을 이하, 도 9와 도 10을 참조하여 설명한다.
도 9a와 도 9b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광 소자의 한 화소에 대응하는 박막트랜지스터 어레이부를 나타난 단면도이다.
(공정은 앞서 제 1 실시예에서 설명한 도 5a 내지 도 5e와 도 6a 내지 6e의 공정과 동일하므로 이를 생략한다.)
도시한 바와 같이 기판(200)상에 화소 영역(P)을 정의하고, 화소 영역(P)의 일측에 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)을 정의한다.
상기 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)에 각각 게이트 전극(202,204)을 형성하고, 게이트 전극(202,204)이 형성된 기판(200)의 전면에 게이트 절연막(206)을 형성한다.
상기 각 게이트 전극(202,204)상부의 게이트 절연막(206)상에 액티브층(210,214)과 오믹 콘택층(212,216)을 형성한다.
다음으로, 상기 오믹 콘택층(212,216)이 형성된 기판(200)의 전면에 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 구동 영역(D)과 스위칭 영역(S)의 오믹 콘택층(212,216) 상에 각각 이격된 소스 전극(218,222)과 드레인 전극(220,224)을 형성한다.
이때, 상기 스위칭 영역(S)의 드레인 전극(220)이 구동 영역(D)의 게이트 전극(204)과 연결되도록 형성한다.
이로써, 상기 스위치 영역(S)과 구동 영역(D)에 각각 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)를 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)이 형성된 기판(200)의 전면에 앞서 언급한 무기절연물질 그룹 중 선택한 물질을 증착하여 제 1 보호막(224)을 형성하고, 상기 구동 소자(TS)의 소스 전극(222)을 노출한다.
다음으로, 상기 제 1 보호막(224)의 상부에는 전원 배선(226)을 형성하는데 이때, 상기 전원 배선(226)은 구동 소자(TS)의 소스 전극(222)과 연결되도록 한다.
상기 전원 배선(226)이 형성된 기판(200)의 전면에 제 2 보호막(228)을 형성한 후 상기 구동소자(TS)의 드레인 전극(224)을 노출하는 공정을 진행한다.
다음으로, 앞서 유기 발광부 형성된 제 2 전극(310)과 접촉하는 연결전극(400)을 상기 드레인 전극(224)에 연결하여 형성한다.
이때, 유기 발광기판과 어레이 기판의 갭을 고려하여, 상기 연결전극(500)을 높여줄 필요가 있는데, 이를 위해 연결전극(500)의 하부에 소정 높이를 가지는 유기막 패턴(450)을 더욱 형성하기도 한다.
전술한 바와 같이 제작된 박막트랜지스터 어레이부와 합착되는 유기발광부를 형성하는 공정을 이하 공정 단면도를 참조하여 설명한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 10a에 도시한 바와 같이, 다수의 화소 영역(P)이 정의된 투명한 절연기판(300)상에 투명한 제 1 전극(302)을 형성한다.
상기 제 1 전극(302)은 유기 발광층(미도시)에 홀(hole)을 주입하는 홀 주입 전극으로 주로 투명하며 일 함수(work function)가 높은 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하여 형성한다.
도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(202)의 상부에 상기 각 화소 영역(P)에 대응하여 위치하고 적(R), 녹(G), 청색(B)의 빛을 발광하는 유기 발광층(308)을 형성한다.
이때, 상기 유기 발광층(308)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 상기 유기막이 다층으로 구성될 경우에는, 발광층(308a)에 홀 수송층(Hole Transporting Layer)(308b)과 전자 수송층(Electron Transporting Layer : ETL)(308c)을 더욱 구성한다.
다음으로, 도 9d에 도시한 바와 같이, 상기 발광층(308)의 상부에 제 2 전극(310)을 증착하는 공정을 진행한다.
상기 제 2 전극(210)을 형성하는 물질은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg)중 선택된 하나로 형성하거나 리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속층으로 형성할 수 있다.
바람직하게는 전술한 박막트랜지스터 어레이부의 공정에서 상기 연결전극(도 9b의 500)은 발광부의 제 2 전극(310)과 동일한 물질로 형성한다.
전술한 바와 같은 공정을 통해 발광부가 형성된 별도의 제 2 기판을 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이 제작된 박막트랜지스터 어레이부와 발광부가 구성된 기판을 합착하여 도 7에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 상부 발광형 유기전계 발광소자를 제작할 수 있으며, 제작된 유기 발광소자의 하부에 방열 특성을 가진 기구물을 부착한다.
전술한 바와 같은 제 1 내지 제 2 실시예를 통해 본 발명에 따른 상부 발광형 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 아래와 같은 효과가 있다.
첫째, 상부 발광형이므로 하부 어레이패턴의 형상에 영향을 받지 않아 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.
둘째, 패널의 하부에 방열 특성을 가진 기구물을 더욱 구성하여, 소자의 동작을 안정화시키는 동시에 소자의 열화를 방지하는 효과가 있다.
또한, 상기 기구물에 의해 유기전계 발광소자에 위치하는 구동회로(D-IC)를 포함한 TCP 및 이에 부착되어 유기전계 발광소자의 하부로 꺽여 구성되는 PCB 기판이 안정되게 지지될 수 있도록 한다.
따라서, 상기 TCP의 뜯김과 같은 불량이 발생하지 않아 생산수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
셋째, 듀얼플레트 구조에 있어서, 발광부를 박막트랜지스터 어레이패턴의 상부에 구성하지 않고 별도로 구성하기 때문에, 유기전계 발광층을 형성하는 공정 중 상기 박막트랜지스터에 미칠 수 있는 영향들을 고려하지 않아도 되므로 수율을 향상하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 제 1 예에 따른 하부 발광식 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 종래의 제 2 예에 따른 상부 발광식 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개별적으로 도시한 단면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 상부 발광식 유기전계 발광소자의 한 화소를 도시한 확대 평면도이고,
도 5a 내지 도 5f와 도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 상부발광형 유기전계 발광소자의 제조공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이고,
도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 제 2 예에 따른 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이고,
도 9a와 도 9b는 본 발명에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자의 박막트랜지스터 어레이부의 구성을 도시한 단면도이고,
도 10a와 도 10c는 본 발명에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자의 유기 발광부의 제조공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
200 : 제 1 기판 300 : 제 2 기판
302 : 제 1 전극(양극 전극) 308 : 발광층
310 : 제 2 전극(음극 전극) 400 : 씰패턴
500 : 연결 전극 470 : 기구물

Claims (31)

  1. 다수의 화소 영역이 정의된 기판과,
    상기 기판 상에 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동 소자와;
    상기 구동소자와 전기적으로 연결된 불투명한 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과;
    상기 유기 발광층의 상부에 구성된 투명한 제 2 전극과;
    상기 제 2 전극이 구성된 기판의 전면을 덮는 투명 보호막과;
    상기 투명 보호막의 하부에 구성된 방열(放熱)특성의 기구물
    을 포함하는 유기전계 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 구성된 유기전계 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 전극이 투명할 경우, 제 1 전극에 근접하여 불투명한 도전성 금속이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 투명한 제 2 전극은 불투명한 금속을 빛이 투과될 만큼의 두께로 얇게구성한 유기전계 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  9. 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 기판 상에, 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동 소자를 형성하는 단계와;
    상기 구동소자와 전기적으로 연결된 불투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기 발광층의 상부에 투명한 제 2 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 전극이 형성된 기판의 전면을 덮는 투명 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 투명 보호막의 하부에 방열(放熱)특성의 기구물 부착하는 단계를
    포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 전극이 투명할 경우, 제 1 전극에 근접하여 불투명한 도전성 금속이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 투명한 제 2 전극은 불투명한 금속을 빛이 투과될 만큼의 두께로 얇게 형성한 유기전계 발광소자 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  17. 서로 이격 하여 구성되고 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 구성되는 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 구성되는 투명한 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과;
    상기 유기 발광층의 상부에 구성되고, 상기 화소영역마다 독립적으로 패턴된 불투명한 제 2 전극과;
    상기 제 1 기판의 하부에 구성된 방열(放熱)특성을 가진 기구물
    을 포함하는 유기전계 발광소자.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 구성된 유기전계 발광소자.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  23. 서로 이격된 제 1 기판과 제 2 기판에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극의 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기 발광층의 상부에 위치하고, 상기 화소영역마다 독립적으로 불투명한 제 2 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판의 하부에 방열(放熱)특성을 가진 기구물 형성하는 단계
    를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 구동소자는 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터이며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동소자의 게이트 전극에 연결되어 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같은 일함수(work function)가 큰 물질그룹 중 선택하여 형성하고, 상기 음극 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg),리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속을 포함하는 일 함수가 작은 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성한 유기전계 발광소자 제조방법.
  28. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 주변에 다수의 배선 및 구동회로가 실장된 TCP와, TCP에 부착되고 상기 기구물의 전면에 대응하여 위치한 PCB기판을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  29. 제 23 항에 있어서,
    상기 기구물은 아크릴계 수지이며, 이러한 기구물에 열전도 특성을 가진 첨가물을 포함한 별도의 기구물이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  30. 제 23 항에 있어서,
    상기 구동소자와 상기 제 2 전극에 동시에 접촉하는 연결전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  31. 제 23 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 제 1 전극에 근접하여 홀 수송층과 상기 제 2 전극에 근접하여 전자 수송층을 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
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