TW202238983A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置，包括電路基板、阻隔物、第一接墊、第二接墊、發光元件、第一連接件以及第二連接件。阻隔物位於電路基板上，且具有相對的第一側面與第二側面及相對的第三側面與第四側面。第一接墊位於電路基板上，且鄰接阻隔物的第一側面。第二接墊位於電路基板上，且鄰接阻隔物的第二側面。發光元件位於阻隔物、第一接墊及第二接墊上，且包括第一電極及第二電極。第一連接件連接第一電極與第一接墊。第二連接件連接第二電極與第二接墊。阻隔物的第三側面及第四側面對齊第一連接件的側面及第二連接件的側面。

Description

顯示裝置
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種可避免電路基板被雷射光損傷的顯示裝置。
微型發光二極體（Micro-LED）顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。由於微型發光二極體的尺寸極小，目前製作微型發光二極體顯示裝置的方法是採用巨量轉移（Mass Transfer）技術，亦即利用微機電陣列技術進行微型發光二極體晶粒取放，以將大量的微型發光二極體晶粒一次搬運到電路基板上。
但是，巨量轉移技術仍常有晶粒錯位的情況發生，目前的一種做法是先利用雷射移除錯位的微型發光二極體晶粒，再重新植入晶粒來進行修補。然而，在使用雷射進行移除時，由於晶粒的錯位，常發生雷射光損傷電路基板的情況，導致顯示裝置的生產良率或可靠度不佳。
本發明提供一種顯示裝置，可避免電路基板被雷射光損傷。
本發明的一個實施例提出一種顯示裝置，包括：電路基板；阻隔物，位於電路基板上，且具有相對的第一側面與第二側面及相對的第三側面與第四側面；第一接墊，位於電路基板上，且鄰接阻隔物的第一側面；第二接墊，位於電路基板上，且鄰接阻隔物的第二側面；發光元件，位於阻隔物、第一接墊及第二接墊上，且包括第一電極及第二電極；第一連接件，連接第一電極與第一接墊；以及第二連接件，連接第二電極與第二接墊，其中，阻隔物的第三側面及第四側面對齊第一連接件的側面及第二連接件的側面。
在本發明的一實施例中，上述的第一接墊及第二接墊密接阻隔物。
在本發明的一實施例中，上述的阻隔物的頂面不高於第一連接件或第二連接件的頂面。
在本發明的一實施例中，上述的阻隔物的高度介於1 μm至2 μm之間。
在本發明的一實施例中，上述的阻隔物不接觸發光元件。
在本發明的一實施例中，上述的阻隔物於電路基板的正投影位於第一連接件於電路基板的正投影與第二連接件於電路基板的正投影之間。
在本發明的一實施例中，上述的阻隔物被夾於第一連接件與第二連接件之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一連接件及第二連接件包括金屬或導電膠。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括絕緣層，絕緣層位於第一接墊及第二接墊與電路基板之間，且阻隔物與絕緣層屬於相同膜層。
在本發明的一實施例中，上述的電路基板包括主動元件，且主動元件電性連接第一接墊或第二接墊。
在本發明的一實施例中，上述的阻隔物具有開口，且開口與阻隔物的第三側面的間距及開口與阻隔物的第四側面的間距大於或等於3 μm。
在本發明的一實施例中，上述的開口在垂直於第三側面或第四側面的方向上的口徑介於8 μm至12 μm之間。
在本發明的一實施例中，上述的開口將阻隔物區分為第一部分及第二部分，且第一部分具有第三側面，第二部分具有第四側面。
在本發明的一實施例中，上述的第一部分與第二部分分離。
在本發明的一實施例中，上述的第一部分及第二部分在垂直於第三側面或第四側面的方向上的寬度介於3 μm至5 μm之間。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置10的上視示意圖。圖1B是圖1A的顯示裝置10的區域I在修補之前的放大示意圖。圖1C是沿圖1B的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖1D顯示沿圖1B的剖面線B-B’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。圖1E顯示沿圖1B的剖面線C-C’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。圖1F顯示沿圖1B的剖面線D-D’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。圖1G是圖1A的顯示裝置10的區域I在修補之後的放大示意圖。圖1H是沿圖1G的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖1A示意性繪示電路基板110以及發光元件150，並省略其他構件。
請參照圖1A至圖1C，顯示裝置10包括：電路基板110、阻隔物120、第一接墊130、第二接墊140、發光元件150、第一連接件160以及第二連接件170。阻隔物120位於電路基板110上，且具有相對的第一側面121與第二側面122及相對的第三側面123與第四側面124。第一接墊130位於電路基板110上，且鄰接阻隔物120的第一側面121。第二接墊140位於電路基板110上，且鄰接阻隔物120的第二側面122。發光元件150位於阻隔物120、第一接墊130及第二接墊140上，且包括第一電極151及第二電極152。第一連接件160連接第一電極151與第一接墊130。第二連接件170連接第二電極152與第二接墊140。其中，阻隔物120的第三側面123及第四側面124對齊第一連接件160的側面及第二連接件170的側面。
在本發明的一實施例的顯示裝置10中，在使用雷射光移除錯位的發光元件150時，阻隔物120可防止雷射光損傷電路基板110，從而提高顯示裝置10的生產良率或可靠度。以下，配合圖1A至圖1H，繼續說明顯示裝置10的各個元件的實施方式，但本發明不以此為限。
具體而言，顯示裝置10可包括多個子畫素PXs，且多個子畫素PXs呈陣列排列。各子畫素PXs主要由發光元件150所組成。在本實施例中，顯示裝置10還可以包括驅動元件DC，且驅動元件DC可以電性連接子畫素PXs，以傳遞訊號至發光元件150。舉例而言，發光元件150電性連接至第一接墊130及第二接墊140，而驅動元件DC可以分別電性連接第一接墊130及第二接墊140。在一些實施例中，多個子畫素PXs中的第一接墊130彼此分離，而獨立地接收由驅動元件DC提供的訊號。在一些實施例中，多個子畫素PXs中的第二接墊140可彼此電性相連及/或第二接墊140在操作時被施加相同的共用電壓。在一些實施例中，驅動元件DC可為接合至電路基板110的晶片或直接形成於電路基板110中的電路元件（包含主動元件、被動元件或其組合）。
顯示裝置10的每個子畫素PXs例如包括電路基板110、阻隔物120、第一接墊130、第二接墊140、發光元件150、第一連接件160以及第二連接件170。阻隔物120、第一接墊130及第二接墊140配置於電路基板110的表面上，且發光元件150的第一電極151透過第一連接件160與第一接墊130電連接，發光元件150的第二電極152透過第二連接件170與第二接墊140電連接。
在本實施例中，電路基板110可以包括底板112以及驅動電路層114。電路基板110的底板112可以是透明基板或非透明基板，其材質可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適當材質，但本發明不以此為限。驅動電路層114可包括顯示裝置10需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、儲存電容、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等。
在一些實施例中，可以利用薄膜沉積製程、光罩製程以及蝕刻製程，在底板112上形成驅動電路層114，且驅動電路層114可以包括主動元件陣列，其中主動元件陣列包括排列成陣列的多個主動元件T。
在本實施例中，驅動電路層114包括緩衝層I1、主動元件T、閘極絕緣層I2、層間絕緣層I3以及平坦層I4。在其他實施例中，驅動電路層114可以視需要包括更多的絕緣層以及導電層。主動元件T是由半導體層CH、閘極GE、源極SE與汲極DE所構成。半導體層CH重疊閘極GE的區域可視為主動元件T的通道區。閘極絕緣層I2位於閘極GE與半導體層CH之間，層間絕緣層I3設置在源極SE與閘極GE之間以及汲極DE與閘極GE之間。閘極GE及源極SE可分別接收來自驅動元件DC的訊號。半導體層CH的材質可包括矽質半導體材料(例如多晶矽、非晶矽等)、氧化物半導體材料、有機半導體材料。閘極GE、源極SE與汲極DE的材質可包括導電性良好的金屬，例如鋁、鉬、鈦、銅等金屬，但本發明不限於此。
可以利用薄膜沉積製程、光罩製程以及蝕刻製程，在驅動電路層114上形成絕緣層I5。在本實施例中，阻隔物120可與絕緣層I5屬於相同膜層，但本發明不限於此。在其他實施例中，阻隔物120也可位於絕緣層I5上，且與絕緣層I5屬於不同膜層。
緩衝層I1、閘極絕緣層I2、層間絕緣層I3以及絕緣層I5的材質可以包括透明的絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述材料的疊層，但本發明不限於此。平坦層I4的材質可以包括透明的絕緣材料，例如有機材料、壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、環氧樹脂(epoxy)材料等，但本發明不限於此。緩衝層I1、閘極絕緣層I2、層間絕緣層I3、平坦層I4以及絕緣層I5也可以分別具有單層結構或多層結構，多層結構例如上述絕緣材料中任意兩層或更多層的疊層，可視需要進行組合與變化。
在形成了阻隔物120及絕緣層I5之後，可繼續利用薄膜沉積製程、光罩製程以及蝕刻製程，在絕緣層I5上形成多個第一接墊130及多個第二接墊140，使得絕緣層I5位於多個第一接墊130及多個第二接墊140與電路基板110之間。在本實施例中，第二接墊140通過絕緣層I5及平坦層I4中的通孔電性連接主動元件T，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T也可以電性連接第一接墊130。
第一接墊130及第二接墊140可以具有單層結構或多層以上的導電層層疊的結構。舉例而言，第一接墊130以及第二接墊140可以具有鋁、鉬、鈦、銅等金屬與銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或其他適合的導電氧化物層疊的結構，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一接墊130及第二接墊140位於絕緣層I5上，且第一接墊130貼合或密接阻隔物120的第一側面121，第二接墊140貼合或密接阻隔物120的第二側面122。在一些實施例中，阻隔物120與第一接墊130之間或阻隔物120與第二接墊140之間不存在縫隙。如此一來，可確保阻隔物120與第一接墊130或第二接墊140之間的區域不被雷射損傷。
在本實施例中，發光元件150可以包括第一電極151、第二電極152及發光疊層153，且第一電極151及第二電極152分別電性連接發光疊層153中的不同層。舉例而言，發光疊層153可以包括兩層半導體層及夾於上述的兩層半導體層之間的發光層，且第一電極151可電性連接上述的兩層半導體層中的一層，而第二電極152可電性連接上述的兩層半導體層中的另一層。第一電極151及第二電極152的材質可包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其他合適的材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層或其他低阻值的材料。
發光元件150是於生長基板上製造後，透過巨量轉移製程轉置於電路基板110上，而且第一電極151以及第二電極152分別透過第一連接件160以及第二連接件170而電性連接至第一接墊130以及第二接墊140。第一連接件160以及第二連接件170的材質例如為金屬、導電膠或其他材料。此外，第一連接件160以及第二連接件170與第一接墊130以及第二接墊140之間還可以包括其他導電材料或導電膠。
在本實施例中，阻隔物120的頂面120T不高於第一連接件160的頂面160T或第二連接件170的頂面170T，以免在巨量轉移製程的過程中影響第一電極151以及第二電極152與第一連接件160以及第二連接件170的接合。在一些實施例中，阻隔物120的頂面120T低於第一連接件160的頂面160T或第二連接件170的頂面170T，使得阻隔物120不接觸發光元件150。在一些實施例中，由於雷射的影響深度不會超過2 μm，因此，阻隔物120的高度H1可介於1 μm至2 μm之間。
在本實施例中，阻隔物120的第三側面123對齊第一連接件160的側面及第二連接件170的側面，且阻隔物120的第四側面124也對齊第一連接件160的側面及第二連接件170的側面。也就是說，在垂直於第三側面123或第四側面124的方向上，阻隔物120至少延伸至第三側面123及第四側面124皆與第一連接件160及第二連接件170的側面齊平。
在本實施例中，第一連接件160於電路基板110的正投影位於第一接墊130於電路基板110的正投影內，且第二連接件170於電路基板110的正投影位於第二接墊140於電路基板110的正投影內。在一些實施例中，第一連接件160可以選擇性地貼合或密接阻隔物120的第一側面121，且第二連接件170可以選擇性地貼合或密接阻隔物120的第二側面122。在其他實施例中，第一連接件160及第二連接件170可不接觸阻隔物120。因此，阻隔物120於電路基板110的正投影可位於第一連接件160於電路基板110的正投影與第二連接件170於電路基板110的正投影之間。在一些實施例中，當第一連接件160貼合或密接阻隔物120的第一側面121、且第二連接件170貼合或密接阻隔物120的第二側面122時，阻隔物120被夾於第一連接件160與第二連接件170之間。
在本實施例中，可以藉由雷射光180照射第一連接件160及第二連接件170的配置區域、以及第一連接件160與第二連接件170之間的區域，以使第一連接件160及第二連接件170分別與第一接墊130及第二接墊140分離來移除發光元件150。也就是說，雷射光180的照射範圍可以是第一連接件160及第二連接件170的配置區域、以及第一連接件160與第二連接件170之間的區域。一般來說，發光元件150於電路基板110的正投影面積可近似或稍大於雷射光180的照射面積。因此，當發光元件150準確轉移至預定位置時，雷射光180的照射範圍將可完全落於發光元件150上。
請參照圖1B，圖1B顯示發光元件150a（左上）、發光元件150b（右上）、發光元件150c（左下）經巨量轉移製程後轉置於電路基板110上的位置，其中發光元件150a大致位於預定的位置，而發光元件150b向上偏移了距離D1，發光元件150c向下偏移了距離D2，因此，需將發光元件150b及發光元件150c移除並進行修補。
請同時參照圖1B及圖1D，當巨量轉移幾乎無誤差且發光元件150a大致位於預定的位置時，由於發光元件150a並無偏移，因此雷射光180的照射範圍完全重疊發光元件150a。藉由發光元件150a的屏蔽，電路基板110不會被雷射光180損傷。
請同時參照圖1B及圖1E，由於發光元件150b向上偏移了距離D1，造成部分雷射光E1未重疊發光元件150b。在本實施例中，由於阻隔物120可屏蔽部分雷射光E1，因此可防止部分雷射光E1損傷下方的電路基板110。
請同時參照圖1B及圖1F，由於發光元件150c向下偏移了距離D2，造成部分雷射光E2未重疊發光元件150c。在本實施例中，由於阻隔物120可屏蔽部分雷射光E2，因此可防止部分雷射光E2損傷下方的電路基板110。
請同時參照圖1G及圖1H，在移除發光元件150b、150c之後，將發光元件150d、150e的第一電極151以及第二電極152分別藉由第一連接材161以及第二連接材171連接至第一接墊130以及第二接墊140，即可完成修補。然而，發光元件150d、150e並不限定是為了修補才接合至第一接墊130以及第二接墊140。另外，第一連接材161以及第二連接材171的材質可以是導電膠或是其他適合的導電接合材料。
在一些實施例中，多個發光元件150可以皆為藍色發光二極體，且顯示裝置10可以另包括設置於多個發光元件150上的色轉換層CT，其中色轉換層CT可以包括螢光粉或類似性質的波長轉換材料，以讓藍色發光二極體所發出的藍色光線轉換成不同色彩的光線而實現全彩化的顯示效果。在其他的實施例中，多個發光元件150可以包括多個紅色發光二極體、多個綠色發光二極體及多個藍色發光二極體，從而實現全彩化的顯示效果。當多個發光元件150本身的發光色彩不同時，圖1H中的色轉換層CT可選擇性的被省略或是保留於顯示裝置10中。在另外一些實施例中，多個發光元件150可以皆是白色發光二極體，而色轉換層CT可以是彩色濾光層以實現全彩化的顯示效果。
圖2A是依照本發明一實施例的顯示裝置20的上視示意圖。圖2B是圖2A的顯示裝置20的區域II在修補之前的放大示意圖。圖2C是沿圖2B的剖面線F-F’所作的剖面示意圖。圖2D顯示沿圖2B的剖面線G-G’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。圖2E顯示沿圖2B的剖面線H-H’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。圖2F顯示沿圖2B的剖面線J-J’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖2A示意性繪示電路基板110以及發光元件150，並省略其他構件。
以下沿用圖1A至圖1H的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1H的實施例，在以下的說明中不再重述。
請參照圖2A至圖2C，顯示裝置20包括：電路基板110、阻隔物220、第一接墊130、第二接墊140、發光元件150、第一連接件160以及第二連接件170。阻隔物220位於電路基板110上，且具有相對的第一側面221與第二側面222以及相對的第三側面223與第四側面224。第一接墊130位於電路基板110上，且鄰接阻隔物220的第一側面221。第二接墊140位於電路基板110上，且鄰接阻隔物220的第二側面222。發光元件150位於阻隔物220、第一接墊130及第二接墊140上，且包括第一電極151、第二電極152以及發光疊層153。第一連接件160連接第一電極151與第一接墊130。第二連接件170連接第二電極152與第二接墊140，其中阻隔物220的第三側面223及第四側面224對齊第一連接件160的側面及第二連接件170的側面。
與圖1A至圖1H所示的顯示裝置10相比，如圖2A至圖2F所示的顯示裝置20中的結構的不同之處在於：顯示裝置20的阻隔物220具有開口OP。
考量到巨量轉移製程的精度誤差通常約為3 μm，因此，在本實施例中，請參照圖2B，阻隔物220僅需覆蓋第一連接件160與第二連接件170的上側面連線L往下寬度至少3 μm的區域及第一連接件160與第二連接件170的下側面連線M往上寬度至少3 μm的區域，即可確保電路基板110不會被雷射光180損傷，而不需完全覆蓋上側面連線L與下側面連線M之間的區域。因此，阻隔物220可具有開口OP，且開口OP與阻隔物220的第三側面223的間距S1及開口OP與阻隔物220的第四側面224的間距S2可大於或等於3 μm。如此一來，即可確保阻隔物220在發光元件150因巨量轉移製程所致的任何偏移狀態下皆能夠屏蔽雷射光180。
在本實施例中，開口OP可將阻隔物220區分為第一部分220a及第二部分220b，其中第一部分220a具有第三側面223，第二部分220b具有第四側面224，且第一部分220a與第二部分220b分離，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一部分220a也可以連接第二部分220b。
在一些實施例中，藉由將第一部分220a及第二部分220b在垂直於第三側面223或第四側面224的方向上的寬度W1、W2設計為介於3 μm至5 μm之間，也能夠確保第一部分220a及第二部分220b在發光元件150因巨量轉移製程所致的任何偏移狀態下皆能夠屏蔽雷射光180。在某些實施例中，開口OP在垂直於第三側面223或第四側面224的方向上的口徑Dp可介於8 μm至12 μm之間。也可以說，第一部分220a與第二部分220b之間的間距可介於8 μm至12 μm之間。
在本實施例中，藉由雷射光180照射第一連接件160及第二連接件170的配置區域、以及第一連接件160與第二連接件170之間的區域，以使第一連接件160及第二連接件170分別與第一接墊130及第二接墊140分離來移除發光元件150。發光元件150於電路基板110的正投影面積可近似或稍大於雷射光180的照射面積。因此，當發光元件150轉移至預定位置時，雷射光180的照射範圍將完全落於發光元件150上。
請參照圖2B，圖2B顯示發光元件150f（左上）、發光元件150g（右上）、發光元件150h（左下）經巨量轉移製程後轉置於電路基板110上的位置，其中發光元件150f大致位於預定的位置，而發光元件150g向上偏移了距離D3，發光元件150h向下偏移了距離D4，因此，需將發光元件150g及發光元件150h移除並進行修補。
請同時參照圖2B及圖2D，當巨量轉移幾乎無誤差且發光元件150f大致位於預定的位置時，由於發光元件150f並無偏移，因此雷射光180的照射範圍完全重疊發光元件150f。藉由發光元件150f的屏蔽，電路基板110不會被雷射光180損傷。
請同時參照圖2B及圖2E，由於發光元件150g向上偏移了距離D3，造成部分雷射光E3未重疊發光元件150g。在本實施例中，由於阻隔物220的第二部分220b可屏蔽部分雷射光E3，因此可防止部分雷射光E3損傷下方的電路基板110。
請同時參照圖2B及圖2F，由於發光元件150h向下偏移了距離D4，造成部分雷射光E4未重疊發光元件150h。在本實施例中，由於阻隔物220的第一部分220a可屏蔽部分雷射光E4，因此可防止部分雷射光E4損傷下方的電路基板110。
綜上所述，在本發明的顯示裝置中，藉由阻隔物的設置，可在移除發光元件的過程中避免電路基板受到損傷，而能夠提高顯示裝置的生產良率或可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20:顯示裝置 110:電路基板 112:底板 114:驅動電路層 120、220:阻隔物 120T:頂面 121、221:第一側面 122、222:第二側面 123、223:第三側面 124、224:第四側面 130:第一接墊 140:第二接墊 150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g、150h:發光元件 151:第一電極 152:第二電極 153:發光疊層 160:第一連接件 161:第一連接材 160T:頂面 170:第二連接件 171:第二連接材 170T:頂面 180:雷射光 220a:第一部分 220b:第二部分 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、J-J’:剖面線 CH:半導體層 CT:色轉換層 D1、D2、D3、D4:距離 DC:驅動元件 DE:汲極 Dp:口徑 E1、E2、E3、E4:部分雷射光 GE:閘極 H1:高度 I、II:區域 I1:緩衝層 I2:閘極絕緣層 I3:層間絕緣層 I4:平坦層 I5:絕緣層 L:上側面連線 M:下側面連線 OP:開口 PXs:子畫素 S1、S2:間距 SE:源極 T:主動元件 W1、W2:寬度
圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置10的上視示意圖。 圖1B是圖1A的顯示裝置10的區域I在修補之前的放大示意圖。 圖1C是沿圖1B的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。 圖1D顯示沿圖1B的剖面線B-B’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。 圖1E顯示沿圖1B的剖面線C-C’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。 圖1F顯示沿圖1B的剖面線D-D’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。 圖1G是圖1A的顯示裝置10的區域I在修補之後的放大示意圖。 圖1H是沿圖1G的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。 圖2A是依照本發明一實施例的顯示裝置20的上視示意圖。 圖2B是圖2A的顯示裝置20的區域II在修補之前的放大示意圖。 圖2C是沿圖2B的剖面線F-F’所作的剖面示意圖。 圖2D顯示沿圖2B的剖面線G-G’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。 圖2E顯示沿圖2B的剖面線H-H’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。 圖2F顯示沿圖2B的剖面線J-J’所作的剖面示意圖及雷射光照射範圍之相對位置示意圖。
110:電路基板
112:底板
114:驅動電路層
120:阻隔物
120T:頂面
121:第一側面
122:第二側面
130:第一接墊
140:第二接墊
150、150a:發光元件
151:第一電極
152:第二電極
153:發光疊層
160:第一連接件
160T:頂面
170:第二連接件
170T:頂面
CH:半導體層
DE:汲極
GE:閘極
H1:高度
I1:緩衝層
I2:閘極絕緣層
I3:層間絕緣層
I4:平坦層
I5:絕緣層
SE:源極
T:主動元件

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包括： 電路基板； 阻隔物，位於所述電路基板上，且具有相對的第一側面與第二側面及相對的第三側面與第四側面； 第一接墊，位於所述電路基板上，且鄰接所述阻隔物的所述第一側面； 第二接墊，位於所述電路基板上，且鄰接所述阻隔物的所述第二側面； 發光元件，位於所述阻隔物、所述第一接墊及所述第二接墊上，且包括第一電極及第二電極； 第一連接件，連接所述第一電極與所述第一接墊；以及 第二連接件，連接所述第二電極與所述第二接墊， 其中，所述阻隔物的所述第三側面及所述第四側面對齊所述第一連接件的側面及所述第二連接件的側面。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一接墊及所述第二接墊密接所述阻隔物。
  3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述阻隔物的頂面不高於所述第一連接件或所述第二連接件的頂面。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述阻隔物的高度介於1 μm至2 μm之間。
  5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述阻隔物不接觸所述發光元件。
  6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述阻隔物於所述電路基板的正投影位於所述第一連接件於所述電路基板的正投影與所述第二連接件於所述電路基板的正投影之間。
  7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述阻隔物被夾於所述第一連接件與所述第二連接件之間。
  8. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一連接件及所述第二連接件包括金屬或導電膠。
  9. 如請求項1所述的顯示裝置，還包括絕緣層，位於所述第一接墊及所述第二接墊與所述電路基板之間，且所述阻隔物與所述絕緣層屬於相同膜層。
  10. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述電路基板包括主動元件，且所述主動元件電性連接所述第一接墊或所述第二接墊。
  11. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述阻隔物具有開口，且所述開口與所述阻隔物的所述第三側面的間距及所述開口與所述阻隔物的所述第四側面的間距大於或等於3 μm。
  12. 如請求項11所述的顯示裝置，其中所述開口在垂直於所述第三側面或所述第四側面的方向上的口徑介於8 μm至12 μm之間。
  13. 如請求項11所述的顯示裝置，其中所述開口將所述阻隔物區分為第一部分及第二部分，且所述第一部分具有所述第三側面，所述第二部分具有所述第四側面。
  14. 如請求項13所述的顯示裝置，其中所述第一部分與所述第二部分分離。
  15. 如請求項13所述的顯示裝置，其中所述第一部分及所述第二部分在垂直於所述第三側面或所述第四側面的方向上的寬度介於3 μm至5 μm之間。
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